DE10125323A1 - Elektronische Komponente, Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Komponente sowie Leiterplatte - Google Patents

Elektronische Komponente, Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Komponente sowie Leiterplatte

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DE10125323A1
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Abstract

Eine elektronische Komponente besitzt auf einem Grundelement ausgeformte Außenelektroden, wobei jede Außenelektrode eine Mehrzahl von Schichten, deren äußerste eine Zinnschicht ist, aufweist. Die Zinnschicht besitzt eine polykristalline Struktur, und Atome eines anderen Metalls als Zinn werden in die Zinnkristall-Korngrenzen diffundiert. Alternativ weist jede Außenelektrode eine Mehrzahl von Schichten auf, die eine auf dem Grundelement ausgeformte Dickfilmelektrode, eine auf der Dickfilmelektrode ausgeformte Nickelschicht oder Nickellegierungsschicht und eine auf der Nickelschicht oder Nickellegierungsschicht ausgeformte Zinnschicht einschließt. Die Zinnschicht besitzt eine polykristalline Struktur, und Nickelatome werden in die Zinnkristall-Korngrenzen diffundiert. Ebenfalls beschrieben werden Verfahren zur Herstellung von elektronischen Komponenten und eine mit einer Mehrzahl von elektronischen Komponenten bestückte Leiterplatte.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft die Konstruktion von Au­ ßenelektroden von für hochdichten Aufbau verwendeten elektronischen Komponenten und insbesondere eine elektroni­ sche Komponente, bei der als äußere Schichten der Außenelektroden Zinnschichten ausgebildet sind.
Elektronische Komponenten wie monolithische Kondensatoren in Chip-Ausführung werden gewöhnlich auf gedruckten Schaltungen usw. durch Verlöten der außen an den Chip-Grundelementen ausgebildeten Außenelektroden aufgebaut. In einem solchen Fall werden zur relativ kostengünstigen Verbesserung der Lötbarkeit häufig Zinnschichten als Außenschichten der Au­ ßenelektroden geformt. Dies geschieht, weil Zinnschichten den Lötvorgang im Vergleich zu Nickelschichten und Kupferschich­ ten erleichtern und weil Zinnschichten außerdem nicht so leicht zu Fehlern führen, wenn die elektronischen Komponenten durch Aufschmelzlöten, Fließlöten oder dergleichen aufgebaut werden.
Ein Nachteil der Zinnschicht besteht jedoch darin, daß bei direkter Ausformung auf einer an der Oberfläche eines kerami­ schen Grundelements angebrachten Dickfilmelektrode Teile der Zinnschicht eventuell nicht an der Dickfilmelektrode haften oder die Dickfilmelektrode während des Lötvorgangs schmelzen und vom Lötmetall absorbiert werden kann. Um einen solchen Nachteil zu überwinden, wird unter der Zinnschicht häufig ein darunterliegender Nickelfilm oder ein darunterliegender Nickel­ legierungsfilm ausgeformt.
In jüngster Zeit wurde bekannt, daß, wenn eine elektronische Komponente, bei der Zinnschichten als äußere Schichten der Außenelektroden ausgeformt werden, in eine Umgebung gebracht wird, die zyklischen Temperaturschwankungen unterliegt, auf den Zinnschichten fadenartige Vorsprünge, sogenannte Haarfä­ den, entstehen. Die so erzeugten Haarfäden besitzen eine polykristalline Struktur, haben eine Länge von höchstens ca. 100 µm und sind, im Gegensatz zu den bekannten linearen Ein­ zelkristallfäden, die aus auf darunterliegenden Metallen auf Cu-Basis geformten Zinnschichten entstehen, gebogen. Um eine Unterscheidung von Einzelkristallfäden zu ermöglichen, werden Haarfäden, die in einer Umgebung mit zyklischen Temperaturän­ derungen entstehen, nachstehend als "Temperaturzyklusfäden" bezeichnet.
Wenn solche Temperaturzyklusfäden von auf einer Leiterplatte aufgebauten elektronischen Komponenten an Außenelektroden erzeugt werden, kann es zwischen benachbarten Komponenten oder zwischen den einzelnen Komponenten und Verdrahtungsmu­ stern zu einem Kurzschluß kommen. Insbesondere nimmt die Aufbaudichte von elektronischen Komponenten schnell zu, und in einigen Fällen beträgt der Abstand zwischen benachbarten elektronischen Komponenten nur ca. 200 µm. Die Abstände zwi­ schen den benachbarten elektronischen Komponenten und zwischen den einzelnen Komponenten und Verdrahtungsmustern werden bei der künftigen weiteren Erhöhung der Aufbaudichte von Schaltungskomponenten weiter zurückgehen, und damit wird infolge von Temperaturzyklusfäden die Möglichkeit eines Kurz­ schlusses zunehmen, selbst wenn die Temperaturzyklusfäden eine Länge von ca. 100 µm haben.
Es ist nicht möglich, die Möglichkeit eines elektrischen Kurzschlusses auf einer Leiterplatte mit einer solch hohen Aufbaudichte zu vernachlässigen.
Eine Methode zur Unterdrückung von Temperaturzyklusfäden ist die Verwendung von Legierungszinnschichten. In Anbetracht einer zufriedenstellenden Benetzbarkeit und um die Verzinnung zu erleichtern, werden häufig Legierungen aus Zinn und Blei verwendet. Der Einsatz von Blei ist jedoch wegen der negati­ ven Auswirkungen auf die Umwelt nicht wünschenswert. Auf der anderen Seite befindet sich die Herstellung von Legierungen aus Zinn und anderen Metallen als Blei nach wie vor in der Forschungsphase und mit einer zuverlässigen Produktion der­ selben wird noch nicht gerechnet.
Als weiteres Verfahren zur Unterdrückung von Temperaturzy­ klusfäden wird derzeit der Einsatz von anderen Metallen als Zinn oder Zinnlegierungen untersucht. So wird zum Beispiel ein Verfahren zur Anwendung einer Vergoldungsschicht oder einer Verbleiungsschicht als Außenschichten der Außenelektro­ den erforscht. Da es sich bei diesen Materialien um Edelmetalle handelt, werden die Kosten erheblich steigen.
Dementsprechend betrifft eine erfindungsgemäße Aufgabe eine mit Außenelektroden versehene elektronische Komponente, bei der Temperaturzyklusfäden selbst in einer Umgebung, in der hohe und niedrige Temperaturen abwechseln, nicht entstehen.
Aufgrund eingehender Untersuchungen haben die Erfinder ent­ deckt, daß Temperaturzyklusfäden, die in einer Umgebung, in der sich Hochtemperatur- und Niedrigtemperaturzustände ab­ wechselnd wiederholen, auf Zinnschichten erzeugt werden, weil sich Zinnatome in den Zinnschichten unter Nutzung der durch die Temperaturänderungen bewirkten Spannung als Antriebskraft an bestimmten Stellen konzentrieren. Die Zinnschicht hat also eine polykristalline Struktur, und von den Zinnatomen wird angenommen, daß sie längs Zinnkristall-Korngrenzen zur Ober­ fläche der Zinnschicht wandern. Die Erfinder haben festgestellt, daß es möglich ist, eine Wanderung der Zinnato­ me zu unterbinden, indem man Atome eines anderen Metalls als Zinn in die Zinnkristall-Korngrenzen diffundiert und damit die Entstehung von Haarfäden unterdrückt.
Gemäß einem Merkmal der Erfindung enthält eine elektronische Komponente auf einem Grundelement ausgeformte Außenelektro­ den, wobei jede Außenelektrode eine Mehrzahl von Schichten enthält und die äußere Schicht der Mehrzahl von Schichten eine Zinnschicht ist, die eine polykristalline Struktur be­ sitzt, und Atome eines anderen Metalls als Zinn in die Zinnkristall-Korngrenzen diffundiert werden.
In der mit dieser Struktur versehenen Zinnschicht entstehen selbst in einer Umgebung, in der sich die Temperatur wieder­ holt verändert, keine Haarfäden, auch wenn es in der Zinnschicht infolge einer Temperaturänderung zu Spannungen kommt, da die Wanderung von Zinnatomen längs der Zinnkri­ stall-Korngrenzen unterbunden wird.
Die Atome des anderen Metalls als Zinn sind vorzugsweise Nickelatome. Unter der Zinnschicht wird vorzugsweise eine Nickelschicht oder eine Nickellegierungsschicht ausgeformt. Die Nickelschicht oder die Nickellegierungsschicht wird als Außenschicht der Außenelektrode geformt, und die Zinnschicht wird weiter auf der Nickelschicht oder der Nickellegierungs­ schicht ausgeformt, und anschließend wird die Außenelektrode unter bestimmten Bedingungen wärmebehandelt. Dadurch kann ein Teil der Nickelatome in der Nickelschicht oder der Nickelle­ gierungsschicht leicht in die Zinnkristall-Korngrenzen dif­ fundiert werden.
Gemäß einem weiteren Merkmal der Erfindung enthält eine elek­ tronische Komponente auf einem Grundelement ausgeformte Außenelektroden, wobei jede Außenelektrode eine Mehrzahl von Schichten aufweist und die Mehrzahl von Schichten eine auf dem Grundelement ausgeformte Dickfilmelektrode, eine auf der Dickfilmelektrode ausgeformte Nickelschicht oder Nickellegie­ rungsschicht und eine auf der Nickelschicht oder Nickellegierungsschicht ausgeformte Zinnschicht aufweist, wobei die Zinnschicht eine polykristalline Struktur besitzt und Nickelatome in die Zinnkristall-Korngrenzen diffundiert werden.
Gemäß einem weiteren Merkmal der Erfindung beinhaltet ein Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Komponente folgende Schritte: Ausformung einer Dickfilmelektrode auf einem Grundelement, Ausformung einer Nickelschicht oder einer Nickellegierungsschicht auf einer Dickfilmelektrode, Ausfor­ mung einer Zinnschicht auf der Nickelschicht oder der Nickellegierungsschicht, so daß eine Außenelektrode entsteht, die aus einem metallischen Film mit geschichtetem Aufbau besteht, sowie Wärmebehandlung der Außenelektrode unter vor­ gegebenen Bedingungen. Dadurch kann ein Teil der Nickelatome in der Nickelschicht oder der Nickellegierungsschicht ohne weiteres in die Zinnkristall-Korngrenzen diffundiert werden.
In einer erfindungsgemäß hergestellten elektronischen Kompo­ nente wird das Auftreten von Temperaturzyklusfäden, die eine Länge von ca. 100 µm haben und welche in einer Umgebung, in der sich die Temperatur zyklisch ändert, entstehen können, unterbunden. Wenn infolgedessen eine Mehrzahl solcher elek­ tronischer Komponenten auf einer Leiterplatte aufgebaut wird, nimmt die Möglichkeit eines durch die Temperaturzyklusfäden verursachten Kurzschlusses ab und ermöglicht damit den hoch­ dichten Aufbau, auch wenn der Abstand zwischen benachbarten elektronischen Komponenten auf 200 µm oder weniger zurückge­ führt wird.
Weitere erfindungswesentliche Merkmale und Vorteile der Er­ findung gehen aus der nachstehenden Beschreibung hervor, in der mit Bezug auf die Zeichnungen Ausführungsbeispiele erläu­ tert werden. In den Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 eine Schnittansicht einer elektronischen Komponente einer Ausführungsform dieser Erfindung,
Fig. 2 eine Schnittansicht einer erfindungsgemäßen Zinn­ schicht und
Fig. 3 eine Schnittansicht einer herkömmlichen Zinnschicht.
Unter Bezugnahme auf Fig. 1 wird eine elektronische Komponen­ te in einer erfindungsgemäßen Ausführungsform beschrieben.
Fig. 1 ist eine Schnittansicht eines monolithischen Keramik­ kondensators 1 in Chip-Ausführung, der ein keramisches Grundelement 2 und U-förmige Außenelektroden 3 auf beiden Seiten des keramischen Grundelements 2 aufweist. Jede der Außenelektroden 3 enthält eine mit dem keramischen Grundele­ ment 2 in Kontakt befindliche Dickfilmelektrode 4, eine auf der Dickfilmelektrode 4 ausgeformte Vernickelungsschicht und eine äußere, auf der Vernickelungsschicht 5 ausgeformte Zinn­ schicht 6. Die Dickfilmelektrode 4 wird durch Brennen einer Silberpaste ausgeformt, die Vernickelungsschicht 5 wird durch Galvanisieren von Nickel und die Zinnschicht 6 durch Galvani­ sieren von Zinn ausgeformt. Außerdem kann die Dickfilmelektrode 4 unter Verwendung einer Kupferpaste an­ stelle der Silberpaste ausgeformt werden, und anstelle der Vernickelungsschicht 5 kann eine Nickellegierungsschicht ausgeformt werden.
Als nächstes wird im einzelnen ein Verfahren zur Ausformung der Vernickelungsschichten 5 und der Zinnschichten 6 der oben genannten elektronischen Komponente beschrieben. Zuerst wird das mit den Dickfilmelektroden 4 versehene keramische Grund­ element 2 in ein Vernickelungsbad getaucht, welches allgemein als Watt'sches Bad bezeichnet wird, und der Galvanisiervorgang erfolgt mit einer Stromdichte in einem Bereich von 0,1 bis 10 A/dm2, und dadurch werden die Vernickelungsschichten 5 in einer Dicke von etwa 1 bis 10 µm ausgeformt. Das keramische Grundelement 2 wird dann in ein schwachsaures Zinnbad einge­ taucht, dem Zinnsulfat als Metallsalz, Zitronensäure als Komplexbildner und wenigstens ein quaternäres Ammoniumsalz bzw. ein tensidhaltiges Alkydbetain als Aufheller zugesetzt werden, und der Galvanisiervorgang erfolgt mit einer Strom­ dichte in einem Bereich von 0,1 bis 5 A/dm2, und dadurch werden die Zinnschichten 6 in einer Dicke von etwa 2 bis 10 µm ausgeformt. Darüber hinaus kann ein anderes Metallsalz als Zinnsulfat verwendet werden, solange das Metallsalz zweiwer­ tige Zinnionen liefert. Außerdem können dem Vernickelungsbad und dem Zinnbad leitende Mittel und Antioxidanzien in geeig­ neter Menge zugesetzt werden. Weitere Galvanisierbedingungen können in geeigneter Weise in diesem Rahmen verändert werden, ohne von der erfindungsgemäßen Aufgabe abzuweichen.
Das keramische Grundelement 2, in dem auf diese Weise ge­ schichtete Metallfilme einschließlich der Dickfilmelektroden 4, der Nickelschichten 5 und der Zinnschichten 6 ausgeformt werden, wird eine Stunde lang einer Wärmebehandlung bei 85°C ausgesetzt, so daß Nickelatome in den Nickelschichten 5 teil­ weise in die Zinnkristall-Korngrenzen in den Zinnschichten 6 diffundiert werden. Es können auch andere Diffusionstempera­ turen angewandt werden. Der Grad der Diffusion der Nickelatome liegt im Bereich von etwa 0,001 Gew.-% bis 1,0 Gew.-%. Wenn der Diffusionsgrad von Metallatomen weniger als etwa 0,001 Gew.-% beträgt, ist es schwierig, den Haarfäden verhindernden Effekt zu erzielen, und wenn der Diffusionsgrad mehr als 1,0 Gew.-% beträgt, nimmt die Benetzbarkeit der Zinnschichten ab, wodurch die Eigenschaften der Außenelektro­ den beeinträchtigt werden. Die Wärmebehandlungsbedingungen können in geeigneter Weise verändert werden, solange die Nickelatome in dem oben beschriebenen Bereich diffundiert werden.
Ein Querschnitt einer elektronischen Komponente, die mit einer gemäß obiger Beschreibung (Beispiel) wärmebehandelten Zinnschicht 6 versehen wurde, und ein Querschnitt einer elek­ tronischen Komponente, die vor der Wärmebehandlung mit einer Zinnschicht 6 versehen wurde (Vergleichsbeispiel), wurden mit einem Rasterelektronenmikroskop (REM) beobachtet. Fig. 2 ist die Darstellung einer Schnittansicht der Zinnschicht 6 im Beispiel, und Fig. 3 ist die Darstellung einer Schnittansicht der Zinnschicht 6 im Vergleichsbeispiel. Wie in den Zeichnun­ gen dargestellt, besaßen die Zinnschichten 6 eine polykristalline Struktur. In dem Beispiel wurde der Zustand, in dem Nickelatome 8 in die Korngrenzen von Zinnkristallen 7 diffundiert wurden, bestätigt, während die Diffusion der Nickelatome im Vergleichsbeispiel nicht bestätigt wurde.
Nachdem dann eine elektronische Komponente, die mit einer gemäß obiger Beschreibung (Beispiel) wärmebehandelten Zinn­ schicht 6 versehen wurde, und eine elektronische Komponente, die vor der Wärmebehandlung mit einer Zinnschicht 6 versehen wurde (Vergleichsbeispiel), in einer Umgebung belassen wur­ den, in der sich der Hochtemperatur- und der Niedertempera­ turzustand abwechselnd wiederholten, wurde das Auftreten von Haarfäden überprüft. Insbesondere wurden die elektronischen Komponenten folgenden Bedingungen ausgesetzt: einem Tempera­ turwechsel von -40°C bis 85°C, einer Verweilzeit (einschließlich Temperaturanstiegs-/Temperaturrückgangszeit) von 30 Minuten, einer Temperaturanstiegs-/Tem­ peraturrückgangszeit von 3 bis 5 Minuten und 1000-facher Wiederholung des Temperaturzyklus, und anschließend wurde die Haarfadendichte auf den Zinnschichten 6 mittels eines Ra­ sterelektronenmikroskops (REM) beobachtet. Die entsprechenden Ergebnisse sind in Tabelle 1 dargestellt.
Wie aus den oben beschriebenen Resultaten in Verbindung mit der elektronischen Komponente gemäß dem Beispiel, bei dem Nickelatome durch die Wärmebehandlung in die Zinnkristall- Korngrenzen der Zinnschicht diffundiert wurden, hervorgeht, wurde bestätigt, daß die Entstehung von Haarfäden auf der Zinnschicht sogar in einer Umgebung unterbunden wurde, in der sich der Hochtemperatur- und der Niedertemperaturzustand abwechselnd wiederholte. Was auf der anderen Seite die elek­ tronische Komponente im Vergleichsbeispiel betrifft, die keiner Wärmebehandlung ausgesetzt wurde und bei der keine Nickelatome in die Zinnkristall-Korngrenzen der Zinnschicht diffundiert wurden, entstanden Haarfäden in einer Umgebung, in der sich der Hochtemperatur- und der Niedertemperaturzu­ stand abwechselnd wiederholte.
Das erfindungswesentliche Merkmal besteht darin, daß Tempera­ turzyklus-Haarfäden dadurch vermieden werden, daß die Wanderung von Zinnatomen an die Oberflächen von Zinnschichten längs der Zinnkristall-Korngrenzen unterbunden wird. Obgleich bei der oben beschriebenen Ausführungsform durch Wärmebehand­ lung der Zinnschicht, unter der sich eine Vernickelungsschicht bilden kann, Nickelatome in die Kri­ stallkorngrenzen diffundiert werden, beschränkt sich die Erfindung nicht darauf, solange Nickelatome in die Zinnkri­ stall-Korngrenzen diffundiert werden können. Die in die Zinnkristall-Korngrenzen zu diffundierenden Atome sind nicht auf Nickelatome beschränkt, solange die Wanderung der Zinn­ atome unterbunden wird, und die Temperaturzyklus-Haarfäden verhindernde Wirkung gilt als erreicht, selbst wenn bei­ spielsweise Atome eines anderen Übergangsmetalls als Nickel, wie Kobalt, in die Zinnkristall-Korngrenzen diffundiert wer­ den und die Wanderung der Zinnatome wirksam unterbunden wird.
Obgleich der monolithische Keramikkondensator in Chip- Ausführung als elektronische Komponente beschrieben wurde, beschränkt sich die Erfindung nicht darauf, sondern sie kann auch bei anderen elektronischen Komponenten in Chip- Ausführung, zum Beispiel bei chipförmigen Keramikspulen und chipförmigen Keramikthermistoren, Anwendung finden.

Claims (20)

1. Elektronische Komponente, welche aufweist:
ein Grundelement und eine Außenelektrode auf dem Grundelement mit einer Mehrzahl von Schichten, dadurch gekennzeichnet, daß die im Verhältnis zum Grundelement äußere Schicht der Außen­ elektrode Zinn von polykristalliner Struktur enthält und Zinnkristallkörner mit Grenzen und Atome eines anderen Me­ talls als Zinn an den Zinnkristall-Korngrenzen aufweist.
2. Elektronische Komponente nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Metall außer Zinn Nickel enthält.
3. Elektronische Komponente nach Anspruch 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Außenelektrode eine Nickel oder Nickellegierung enthaltende, an die Zinnschicht angrenzende Schicht aufweist.
4. Elektronische Komponente nach Anspruch 3, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Außenelektrode auf dem Grundelement eine Dickfilmelektrode, auf der Dickfilmelektrode die Nickel ent­ haltende Schicht und auf der Nickel enthaltenden Schicht die Zinnschicht aufweist.
5. Elektronische Komponente nach Anspruch 4, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Zinnschicht eine Dicke von etwa 2 bis 10 µm aufweist und das andere Metall als Zinn etwa 0,001 bis 1 Gew.-% der Zinnschicht entspricht.
6. Elektronische Komponente nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Außenelektrode eine an die Zinnschicht angrenzende Nickel- oder Nickellegierungsschicht aufweist.
7. Elektronische Komponente nach Anspruch 6, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Außenelektrode auf dem Grundelement eine Dickfilmelektrode, auf der Dickfilmelektrode die Nickel ent­ haltende Schicht und auf der Nickel enthaltenden Schicht die Zinnschicht aufweist.
8. Elektronische Komponente nach Anspruch 7, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Zinnschicht eine Dicke von etwa 2 bis 10 µm aufweist und das andere Metall als Zinn etwa 0,001 bis 1 Gew.-% der Zinnschicht entspricht.
9. Elektronische Komponente nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Außenelektrode auf dem Grundelement eine Dickfilmelektrode, auf der Dickfilmelektrode eine Nickel enthaltende Schicht und auf der Nickel enthaltenden Schicht die Zinnschicht aufweist.
10. Elektronische Komponente nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Zinnschicht eine Dicke von etwa 2 bis 10 µm aufweist und das andere Metall als Zinn etwa 0,001 bis 1 Gew.-% der Zinnschicht entspricht.
11. Leiterplatte, dadurch gekennzeichnet, daß darauf wenig­ stens zwei elektronische Komponenten nach Anspruch 9 in der Weise aufgebaut sind, daß der Abstand zwischen den beiden elektronischen Komponenten etwa 200 µm oder weniger beträgt.
12. Leiterplatte, dadurch gekennzeichnet, daß darauf wenig­ stens zwei elektronische Komponenten nach Anspruch 6 in der Weise aufgebaut sind, daß der Abstand zwischen den beiden elektronischen Komponenten etwa 200 µm oder weniger beträgt.
13. Leiterplatte, dadurch gekennzeichnet, daß darauf wenig­ stens zwei elektronische Komponenten nach Anspruch 4 in der Weise aufgebaut sind, daß der Abstand zwischen den beiden elektronischen Komponenten etwa 200 µm oder weniger beträgt.
14. Leiterplatte, dadurch gekennzeichnet, daß darauf wenig­ stens zwei elektronische Komponenten nach Anspruch 3 in der Weise aufgebaut sind, daß der Abstand zwischen den beiden elektronischen Komponenten etwa 200 µm oder weniger beträgt.
15. Leiterplatte, dadurch gekennzeichnet, daß darauf wenig­ stens zwei elektronische Komponenten nach Anspruch 2 in der Weise aufgebaut sind, daß der Abstand zwischen den beiden elektronischen Komponenten etwa 200 µm oder weniger beträgt.
16. Leiterplatte, dadurch gekennzeichnet, daß darauf wenig­ stens zwei elektronische Komponenten nach Anspruch 1 in der Weise aufgebaut sind, daß der Abstand zwischen den beiden elektronischen Komponenten etwa 200 µm oder weniger beträgt.
17. Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Komponen­ te, dadurch gekennzeichnet, daß auf einem Grundelement wenigstens eine Außenelektrode ausgeformt wird, wobei die Außenelektrode eine Mehrzahl von Schichten aufweist, deren im Verhältnis zum Grundelement äußere Schicht eine Zinnschicht mit polykristalliner Struktur ist und Kristallkörner mit Grenzen einschließt und die Verbesserung eine Diffusionswär­ mebehandlung der Zinnschicht in Anwesenheit eines anderen Metalls als Zinn beinhaltet, so daß das andere Metall als Zinn in die Kristallkorngrenzen diffundiert wird.
18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall außer Zinn Nickel enthält.
19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Außenelektrode eine an die Zinnschicht angrenzende Nickel- oder Nickellegierungsschicht aufweist.
20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Außenelektrode eine auf dem Grundelement angeordnete Dickfilmelektrode aufweist.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014206697A1 (de) * 2013-06-25 2014-12-31 Robert Bosch Gmbh Zinnbeschichtung, zugehöriges kontaktelement und verfahren zum aufbringen einer zinnbeschichtung

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002164257A (ja) * 2000-11-24 2002-06-07 Tdk Corp 積層セラミック電子部品
US7152291B2 (en) 2002-04-15 2006-12-26 Avx Corporation Method for forming plated terminations
US7345868B2 (en) 2002-10-07 2008-03-18 Presidio Components, Inc. Multilayer ceramic capacitor with terminal formed by electroless plating
US20060099443A1 (en) * 2003-01-16 2006-05-11 Kunio Nakashima Metal plating coating film having sliding function and article coated therewith
US7173510B2 (en) * 2003-07-28 2007-02-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thermal fuse and method of manufacturing fuse
JP4422464B2 (ja) * 2003-11-12 2010-02-24 北陸電気工業株式会社 コネクタチップ及びその製造方法
US20050249969A1 (en) * 2004-05-04 2005-11-10 Enthone Inc. Preserving solderability and inhibiting whisker growth in tin surfaces of electronic components
US20050249968A1 (en) * 2004-05-04 2005-11-10 Enthone Inc. Whisker inhibition in tin surfaces of electronic components
JP2006245049A (ja) * 2005-02-28 2006-09-14 Tdk Corp 電子部品及び電子機器
JP5059292B2 (ja) * 2005-03-08 2012-10-24 株式会社神戸製鋼所 ウイスカー発生抑制に優れたＳｎ合金めっき
US7669913B2 (en) * 2005-03-18 2010-03-02 Dasilva Eliseo Protective cover for a motor vehicle
JP4720481B2 (ja) * 2005-04-21 2011-07-13 株式会社デンソー 電子装置の製造方法
CN101203627B (zh) * 2005-06-17 2010-09-08 富士通株式会社 形成有以锡作为主成分的被膜的构件、被膜形成方法以及锡焊处理方法
JP3861927B1 (ja) * 2005-07-07 2006-12-27 株式会社村田製作所 電子部品、電子部品の実装構造および電子部品の製造方法
JP4844045B2 (ja) * 2005-08-18 2011-12-21 Ｔｄｋ株式会社 電子部品及びその製造方法
JP2007254860A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Fujitsu Ltd めっき膜及びその形成方法
JP2008085011A (ja) * 2006-09-27 2008-04-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd 回路基板
JP2008106290A (ja) * 2006-10-23 2008-05-08 Ricoh Co Ltd 電気接点部材
JP4888225B2 (ja) * 2007-03-30 2012-02-29 Ｔｄｋ株式会社 バリスタ及び発光装置
US8404160B2 (en) 2007-05-18 2013-03-26 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic ink
US10231344B2 (en) 2007-05-18 2019-03-12 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic ink
US7808770B2 (en) * 2007-06-27 2010-10-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Monolithic ceramic capacitor
JP5076088B2 (ja) * 2007-12-14 2012-11-21 株式会社神戸製鋼所 Ｓｎめっき銅基板、Ｓｎめっき銅基板の製造方法、およびこれを用いたリードフレームおよびコネクタ端子
US8506849B2 (en) 2008-03-05 2013-08-13 Applied Nanotech Holdings, Inc. Additives and modifiers for solvent- and water-based metallic conductive inks
US9730333B2 (en) 2008-05-15 2017-08-08 Applied Nanotech Holdings, Inc. Photo-curing process for metallic inks
JP5176775B2 (ja) * 2008-06-02 2013-04-03 株式会社村田製作所 セラミック電子部品及びその製造方法
JP5740389B2 (ja) 2009-03-27 2015-06-24 アプライド・ナノテック・ホールディングス・インコーポレーテッド 光焼結及び／またはレーザー焼結を強化するためのバッファ層
US8422197B2 (en) 2009-07-15 2013-04-16 Applied Nanotech Holdings, Inc. Applying optical energy to nanoparticles to produce a specified nanostructure
JP5293506B2 (ja) * 2009-08-31 2013-09-18 Ｔｄｋ株式会社 セラミック電子部品及びセラミック電子部品の製造方法
US9516069B2 (en) 2009-11-17 2016-12-06 Avaya Inc. Packet headers as a trigger for automatic activation of special-purpose softphone applications
JP5589891B2 (ja) * 2010-05-27 2014-09-17 株式会社村田製作所 セラミック電子部品及びその製造方法
JP2012019159A (ja) * 2010-07-09 2012-01-26 Tdk Corp セラミック電子部品
JP2012237033A (ja) * 2011-05-11 2012-12-06 Murata Mfg Co Ltd 電子部品
JP5516501B2 (ja) * 2011-05-13 2014-06-11 株式会社村田製作所 電子部品
JP5835357B2 (ja) 2012-01-23 2015-12-24 株式会社村田製作所 電子部品及びその製造方法
WO2014011578A1 (en) 2012-07-09 2014-01-16 Applied Nanotech Holdings, Inc. Photosintering of micron-sized copper particles
JP6201900B2 (ja) * 2013-08-20 2017-09-27 株式会社村田製作所 セラミック電子部品
KR101534941B1 (ko) * 2013-11-15 2015-07-07 현대자동차주식회사 도전성 전극패턴의 형성방법 및 이를 포함하는 태양전지의 제조방법
KR101517860B1 (ko) * 2013-12-23 2015-05-15 전자부품연구원 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
DE102014115375A1 (de) 2014-08-08 2016-02-11 Epcos Ag Träger für eine LED
KR101891988B1 (ko) * 2014-08-29 2018-08-27 쿄세라 코포레이션 전자부품, 인덕터 코어 부재 및 인덕터
CN106710879A (zh) * 2016-12-09 2017-05-24 北京元六鸿远电子科技股份有限公司 低esl表贴式电容器阵列及其制备方法
US10770227B2 (en) * 2017-11-22 2020-09-08 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Capacitor and board having the same
CN108866583B (zh) * 2018-08-28 2020-07-21 广州三孚新材料科技股份有限公司 一种应用于无引线电子元件的镀锡或锡铅合金的镀液及其制备方法和电镀方法
KR102166129B1 (ko) * 2018-09-06 2020-10-15 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터
KR102148446B1 (ko) * 2018-10-02 2020-08-26 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품
KR102121579B1 (ko) * 2018-10-02 2020-06-10 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품
KR20190121210A (ko) * 2018-10-17 2019-10-25 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법
JP7031574B2 (ja) * 2018-12-21 2022-03-08 株式会社村田製作所 電子部品およびその製造方法
CN110195244B (zh) * 2019-06-05 2021-04-20 博敏电子股份有限公司 一种用于抑制印制电路板电镀锡锡须生长的方法
KR102523255B1 (ko) * 2019-06-28 2023-04-19 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 적층형 전자부품
JP2021182585A (ja) * 2020-05-19 2021-11-25 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品の製造方法、積層セラミック電子部品及び回路基板

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6229150A (ja) 1985-07-30 1987-02-07 Mitsubishi Electric Corp Ｉｃソケツト用合金
JPH0421795A (ja) * 1990-05-16 1992-01-24 Tdk Corp Ｓｎ―Ｐｂ合金膜形成方法及び電子部品実装方法
JPH06173081A (ja) * 1992-12-03 1994-06-21 Murata Mfg Co Ltd 電子部品
JP2975246B2 (ja) 1993-12-08 1999-11-10 古河電気工業株式会社 電気接点用Ｓｎめっき線とその製造方法
JP2749773B2 (ja) 1994-03-31 1998-05-13 古河電気工業株式会社 リフロー半田めっき角線及びその製造方法
JPH07300696A (ja) 1994-04-28 1995-11-14 Nippon Avionics Co Ltd 電着錫めっき方法
JPH097877A (ja) * 1995-04-18 1997-01-10 Rohm Co Ltd 多層セラミックチップ型コンデンサ及びその製造方法
JP3243195B2 (ja) * 1997-01-28 2002-01-07 古河電気工業株式会社 リフロー半田めっき材およびその製造方法
JPH11100179A (ja) 1997-09-29 1999-04-13 Hitachi Ltd エレベーター制御装置
JPH11189894A (ja) 1997-12-24 1999-07-13 Murata Mfg Co Ltd Ｓｎ合金メッキ皮膜、電子部品およびチップ型セラミック電子部品
JP2001110666A (ja) * 1999-10-08 2001-04-20 Murata Mfg Co Ltd 電子部品、および電子部品の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014206697A1 (de) * 2013-06-25 2014-12-31 Robert Bosch Gmbh Zinnbeschichtung, zugehöriges kontaktelement und verfahren zum aufbringen einer zinnbeschichtung

Also Published As

Publication number Publication date
KR100449121B1 (ko) 2004-09-18
KR20010107723A (ko) 2001-12-07
CN1335418A (zh) 2002-02-13
TW587017B (en) 2004-05-11
JP2001335987A (ja) 2001-12-07
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JP3475910B2 (ja) 2003-12-10
US6773827B2 (en) 2004-08-10

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