JPH07300696A - 電着錫めっき方法 - Google Patents
電着錫めっき方法Info
- Publication number
- JPH07300696A JPH07300696A JP11173094A JP11173094A JPH07300696A JP H07300696 A JPH07300696 A JP H07300696A JP 11173094 A JP11173094 A JP 11173094A JP 11173094 A JP11173094 A JP 11173094A JP H07300696 A JPH07300696 A JP H07300696A
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- JP
- Japan
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- plating
- tin plating
- electrodeposition
- tin
- solder
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- Pending
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 素材として黄銅を用い、はんだ付け性や外観
を損なうことなく、ウィスカーの発生を抑制する効果が
大きい光沢錫めっきを生成させることができる電着錫め
っき方法を提供する。 【構成】 黄銅素材に電着ニッケル下地めっきおよび電
着はんだめっきを順に施し、さらに電着錫めっきを施し
た後、ヒュージングを行う。はんだめっきは、鉛を５重
量％以上含有するはんだめっき層を２〜５μｍの厚さに
生成するのが望ましい。錫めっき層は１０〜１５μｍが
望ましい。ヒュージングは、１８０〜１９０°Ｃで５〜
１０秒間加熱することによりめっき膜中の残留応力を除
去するのが望ましい。
を損なうことなく、ウィスカーの発生を抑制する効果が
大きい光沢錫めっきを生成させることができる電着錫め
っき方法を提供する。 【構成】 黄銅素材に電着ニッケル下地めっきおよび電
着はんだめっきを順に施し、さらに電着錫めっきを施し
た後、ヒュージングを行う。はんだめっきは、鉛を５重
量％以上含有するはんだめっき層を２〜５μｍの厚さに
生成するのが望ましい。錫めっき層は１０〜１５μｍが
望ましい。ヒュージングは、１８０〜１９０°Ｃで５〜
１０秒間加熱することによりめっき膜中の残留応力を除
去するのが望ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、黄銅素材例えば接点や
端子類に電着錫めっきを行う方法に関するものである。
端子類に電着錫めっきを行う方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電気・電子工業関係のスイッチ、リレ
ー、チューナーなどのはんだ付けを要する部品、接点・
端子などの接触部分、プリント配線基板のめっきなど
に、電着錫めっき（光沢錫めっき）が広く用いられてい
る。この錫めっきは、接触抵抗が銀めっきに匹敵するほ
ど小さいという特性を持つからである。
ー、チューナーなどのはんだ付けを要する部品、接点・
端子などの接触部分、プリント配線基板のめっきなど
に、電着錫めっき（光沢錫めっき）が広く用いられてい
る。この錫めっきは、接触抵抗が銀めっきに匹敵するほ
ど小さいという特性を持つからである。
【０００３】この錫めっきにおいては、めっき表面の経
時変化により錫の結晶が成長して針状あるいは樹枝状の
組織（以下ウィスカーという）が表面に発生するという
問題が従来よりあった。このウィスカーは電着錫めっき
面をきわめて粗くし、接点・端子の接触抵抗を増大さ
せ、耐久性や信頼性を低下させるため、その発生を防止
する必要がある。
時変化により錫の結晶が成長して針状あるいは樹枝状の
組織（以下ウィスカーという）が表面に発生するという
問題が従来よりあった。このウィスカーは電着錫めっき
面をきわめて粗くし、接点・端子の接触抵抗を増大さ
せ、耐久性や信頼性を低下させるため、その発生を防止
する必要がある。
【０００４】このウィスカーの発生を防ぐ方法として、
従来より以下のものが知られている。すなわち、錫め
っきに代えてはんだめっきを用いる方法、錫めっきを
アニーリングする方法、素材を黄銅から他の材料に代
えて錫めっきする方法、錫めっきの光沢剤を変更する
方法、などである。
従来より以下のものが知られている。すなわち、錫め
っきに代えてはんだめっきを用いる方法、錫めっきを
アニーリングする方法、素材を黄銅から他の材料に代
えて錫めっきする方法、錫めっきの光沢剤を変更する
方法、などである。
【０００５】
【従来技術の問題点】しかしこれらの方法にはそれぞれ
以下に説明するような問題点がある。の錫めっきに代
えてはんだめっきを用いる方法は、めっきの仕上がり、
特に光沢仕上がりが光沢錫めっきに比べて劣り、または
んだめっきを施した電気・電子部品の保管中にめっきが
酸化し経時変化し易く、その後のフローあるいはリフロ
ー・ソルダリングの際にはんだ付け性が悪くなるという
問題がある。
以下に説明するような問題点がある。の錫めっきに代
えてはんだめっきを用いる方法は、めっきの仕上がり、
特に光沢仕上がりが光沢錫めっきに比べて劣り、または
んだめっきを施した電気・電子部品の保管中にめっきが
酸化し経時変化し易く、その後のフローあるいはリフロ
ー・ソルダリングの際にはんだ付け性が悪くなるという
問題がある。
【０００６】の錫めっきをアニーリングする方法は、
錫メッキした部品を、１８０〜１３０°Ｃで３〜１０時
間加熱するものであるが、厚さ１０μｍ以上の錫メッキ
層に対してはウィスカー抑制効果が得られるのに対し
て、厚さ２μｍ以下の場合にはその効果が劣るという問
題がある。
錫メッキした部品を、１８０〜１３０°Ｃで３〜１０時
間加熱するものであるが、厚さ１０μｍ以上の錫メッキ
層に対してはウィスカー抑制効果が得られるのに対し
て、厚さ２μｍ以下の場合にはその効果が劣るという問
題がある。
【０００７】の素材を黄銅から他の材料に変えて錫め
っきする方法は、ウィスカーが発生しにくい素材とし
て、リン青銅、錫入銅・脱酸銅、コバール、鉄・ニッケ
ル系合金、等を用いるものである。しかしこれらの素材
は特にＩＣのリ−ドなどの小さい部品に用いる場合には
その加工上の問題が多く、実用化は非常に困難である。
っきする方法は、ウィスカーが発生しにくい素材とし
て、リン青銅、錫入銅・脱酸銅、コバール、鉄・ニッケ
ル系合金、等を用いるものである。しかしこれらの素材
は特にＩＣのリ−ドなどの小さい部品に用いる場合には
その加工上の問題が多く、実用化は非常に困難である。
【０００８】の錫めっきの光沢剤を変更する方法で
は、アミン・アルデヒド系光沢剤をケトン系光沢剤に代
えることが考えられる。一般的に前者のアミン・アルデ
ヒド系光沢剤を用いると前記のウィスカーが発生し易
い。しかし後者のアミン系の光沢剤の場合には前者の場
合よりもウィスカーの抑制効果が大きいからである。し
かし前記した〜の方法に比較するとその抑制効果は
著しく劣り、長期間（例えば２年以上）のウィスカー抑
制効果を持たせることは困難である。
は、アミン・アルデヒド系光沢剤をケトン系光沢剤に代
えることが考えられる。一般的に前者のアミン・アルデ
ヒド系光沢剤を用いると前記のウィスカーが発生し易
い。しかし後者のアミン系の光沢剤の場合には前者の場
合よりもウィスカーの抑制効果が大きいからである。し
かし前記した〜の方法に比較するとその抑制効果は
著しく劣り、長期間（例えば２年以上）のウィスカー抑
制効果を持たせることは困難である。
【０００９】
【発明の目的】本発明はこのような事情に鑑みなされた
ものであり、素材として黄銅を用い、はんだ付け性や外
観を損なうことなく、ウィスカーの発生を抑制する効果
が大きい光沢錫めっきを生成させることができる電着錫
めっき方法を提供することを目的とする。
ものであり、素材として黄銅を用い、はんだ付け性や外
観を損なうことなく、ウィスカーの発生を抑制する効果
が大きい光沢錫めっきを生成させることができる電着錫
めっき方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【発明の構成】本発明によればこの目的は、黄銅素材に
電着ニッケル下地めっきおよび電着はんだめっきを順に
施し、さらに電着錫めっきを施した後、ヒュージングを
行うことを特徴とする電着錫めっき方法により達成され
る。
電着ニッケル下地めっきおよび電着はんだめっきを順に
施し、さらに電着錫めっきを施した後、ヒュージングを
行うことを特徴とする電着錫めっき方法により達成され
る。
【００１１】ここにはんだめっきは、鉛を５重量％以上
含有するはんだめっき層を２〜５μｍの厚さに生成する
のが望ましい。錫めっき層は１０〜１５μｍが望まし
い。ヒュージングは、１８０〜１９０°Ｃで５〜１０秒
間加熱することによりめっき膜中の残留応力を除去する
のが望ましい。
含有するはんだめっき層を２〜５μｍの厚さに生成する
のが望ましい。錫めっき層は１０〜１５μｍが望まし
い。ヒュージングは、１８０〜１９０°Ｃで５〜１０秒
間加熱することによりめっき膜中の残留応力を除去する
のが望ましい。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の一実施例めっき層構成を示す
図、図２はめっきの手順を示す図である。図１で符号１
０は黄銅からなる素材であり、ＩＣリ−ド、接点・端子
等のめっき対象の形状に機械加工されたものである（図
２のステップ１００）。
図、図２はめっきの手順を示す図である。図１で符号１
０は黄銅からなる素材であり、ＩＣリ−ド、接点・端子
等のめっき対象の形状に機械加工されたものである（図
２のステップ１００）。
【００１３】この素材１０には中間層めっき（下地めっ
き）としてニッケルめっきが施され（ステップ１０
２）、ニッケルめっき層１２が生成される。一般に黄銅
素地上に直接錫めっきを行うのは好ましくない。これは
耐食性を損なうだけでなく変色の原因ともなるためであ
る。すなわち黄銅は銅と亜鉛からなり、亜鉛が錫に拡散
し易く変色し易いためである。このニッケルめっきは例
えば公知のワット浴で行われ、膜厚約３μｍとするのが
望ましい。
き）としてニッケルめっきが施され（ステップ１０
２）、ニッケルめっき層１２が生成される。一般に黄銅
素地上に直接錫めっきを行うのは好ましくない。これは
耐食性を損なうだけでなく変色の原因ともなるためであ
る。すなわち黄銅は銅と亜鉛からなり、亜鉛が錫に拡散
し易く変色し易いためである。このニッケルめっきは例
えば公知のワット浴で行われ、膜厚約３μｍとするのが
望ましい。
【００１４】このニッケルめっき層１２の生成後、直ち
に電着はんだめっきを行う（ステップ１０４）。このは
んだめっきでは、例えばホウフッ酸塩浴を用いて、膜厚
約５μｍのはんだめっき層１４を生成させる。その後ホ
ウフッ酸錫めっき浴を用いて電着錫めっきを行う（ステ
ップ１０６）。この電着錫めっきでは、膜厚約１１μｍ
の光沢錫めっき層１６を生成させる。
に電着はんだめっきを行う（ステップ１０４）。このは
んだめっきでは、例えばホウフッ酸塩浴を用いて、膜厚
約５μｍのはんだめっき層１４を生成させる。その後ホ
ウフッ酸錫めっき浴を用いて電着錫めっきを行う（ステ
ップ１０６）。この電着錫めっきでは、膜厚約１１μｍ
の光沢錫めっき層１６を生成させる。
【００１５】これらのめっき処理の後にヒュージングを
行う（ステップ１０８）。このヒュージングは全体を例
えば赤外線で照射して約１８０°Ｃに約８秒加熱するも
のであり、はんだめっき層１４と錫めっき層１６とを溶
融し、これらはんだめっき層１４および錫めっき層１６
中の残留応力を除去するものである。また多孔質の電解
はんだおよび錫めっきを溶融することにより、金属間接
合力でめっき層間の接合を確実にし、耐食性のある緻密
な組織に改質させる。さらに均一な表面にして金属光沢
のある外観を作るものである。
行う（ステップ１０８）。このヒュージングは全体を例
えば赤外線で照射して約１８０°Ｃに約８秒加熱するも
のであり、はんだめっき層１４と錫めっき層１６とを溶
融し、これらはんだめっき層１４および錫めっき層１６
中の残留応力を除去するものである。また多孔質の電解
はんだおよび錫めっきを溶融することにより、金属間接
合力でめっき層間の接合を確実にし、耐食性のある緻密
な組織に改質させる。さらに均一な表面にして金属光沢
のある外観を作るものである。
【００１６】
【表１】
【００１７】表１はこの実施例による効果と従来方法に
よる効果とを実験により求め比較したものである。この
表１ではウィスカーが発生するまでの経過月数を比較し
ている。前記した従来の方法の錫めっきに代えてはん
だめっきを用いる場合には、２カ月経過後にもウィスカ
ーの発生は認められないが、はんだ付け性と外観に問題
があることは前記した通りである。
よる効果とを実験により求め比較したものである。この
表１ではウィスカーが発生するまでの経過月数を比較し
ている。前記した従来の方法の錫めっきに代えてはん
だめっきを用いる場合には、２カ月経過後にもウィスカ
ーの発生は認められないが、はんだ付け性と外観に問題
があることは前記した通りである。
【００１８】同様にの方法は２カ月経過時にウィスカ
ーが発生し始め、およびの方法ではそれぞれ６カ月
目と３カ月目にウィスカーの発生が認められた。これに
対し本願の発明の方法によれば２４カ月経過時にもウィ
スカー発生は認められず、はんだ付け性が良く、外観仕
上がりも光沢があって良好であった。
ーが発生し始め、およびの方法ではそれぞれ６カ月
目と３カ月目にウィスカーの発生が認められた。これに
対し本願の発明の方法によれば２４カ月経過時にもウィ
スカー発生は認められず、はんだ付け性が良く、外観仕
上がりも光沢があって良好であった。
【００１９】
【発明の効果】請求項１の発明は以上のように構成した
ものであるから、ウィスカーが発生しにくい錫めっきを
行うことができる。また素材として黄銅を用いて良好な
錫めっきができるから、ＩＣリ−ドや接点・端子等の電
子部品の加工が容易で実用的である。またはんだめっき
層は錫めっきで覆われているから、はんだめっきの酸化
などによるはんだ付け性の悪化を招くことがなく、外観
も光沢があって仕上がりが良くなる。
ものであるから、ウィスカーが発生しにくい錫めっきを
行うことができる。また素材として黄銅を用いて良好な
錫めっきができるから、ＩＣリ−ドや接点・端子等の電
子部品の加工が容易で実用的である。またはんだめっき
層は錫めっきで覆われているから、はんだめっきの酸化
などによるはんだ付け性の悪化を招くことがなく、外観
も光沢があって仕上がりが良くなる。
【図１】本発明の一実施例のめっき層構成を示す図
【図２】めっき手順を示す図
１０ 素材（黄銅） １２ ニッケル下地 １４ はんだめっき層 １６ 錫めっき層
Claims (1)
- 【請求項１】 黄銅素材に電着ニッケル下地めっきおよ
び電着はんだめっきを順に施し、さらに電着錫めっきを
施した後、ヒュージングを行うことを特徴とする電着錫
めっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11173094A JPH07300696A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 電着錫めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11173094A JPH07300696A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 電着錫めっき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07300696A true JPH07300696A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=14568728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11173094A Pending JPH07300696A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 電着錫めっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07300696A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6773827B2 (en) | 2000-05-24 | 2004-08-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component, method for producing electronic component, and circuit board |
| US9666547B2 (en) | 2002-10-08 | 2017-05-30 | Honeywell International Inc. | Method of refining solder materials |
| CN113677831A (zh) * | 2019-03-29 | 2021-11-19 | 同和金属技术有限公司 | 镀敷材料及其制造方法 |
-
1994
- 1994-04-28 JP JP11173094A patent/JPH07300696A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6773827B2 (en) | 2000-05-24 | 2004-08-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component, method for producing electronic component, and circuit board |
| US9666547B2 (en) | 2002-10-08 | 2017-05-30 | Honeywell International Inc. | Method of refining solder materials |
| CN113677831A (zh) * | 2019-03-29 | 2021-11-19 | 同和金属技术有限公司 | 镀敷材料及其制造方法 |
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