JPH0553879B2 - - Google Patents
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- JPH0553879B2 JPH0553879B2 JP60296125A JP29612585A JPH0553879B2 JP H0553879 B2 JPH0553879 B2 JP H0553879B2 JP 60296125 A JP60296125 A JP 60296125A JP 29612585 A JP29612585 A JP 29612585A JP H0553879 B2 JPH0553879 B2 JP H0553879B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Description
〈産業上の利用分野〉
本発明は半導体に使用される金めつきリードフ
レームの製造方法に関し、特に結晶調整剤である
タリウムの共析量を低減させ、これによりワイヤ
ボンデイング性を改良することができる金めつき
リードフレームの製造方法に関する。 〈従来の技術〉 半導体用金めつきリードフレーム製造に用いら
れる金めつき波は、緩衝剤と導電塩の混合液であ
るが、さらにめつきの高速化、光沢性の改良、め
つき粒の微細化など作業性や膜質の改良のため
に、一般的にはＴ、Pb、Asなどの結晶調整剤
がppmオーダーで微量添加されている。これらの
添加により、光沢のある緻密な金めつき膜が得ら
れるが、一方でこれらの微量添加剤が金めつき中
に多量に共析し、金の純度が低減して硬度が増す
ためにワイヤボンデイング性等のICパツケージ
特性に悪影響を及ぼすことが報告されている。 特にＴ含有金めつき液については従来はめつ
き電流として平滑直流、三相半波整流波等を使用
した。しかしこれらの電流を用いて金めつきした
リードフレームはめつき中のＴ共析量が非常に
多くなり、このためICチツプを搭載し、金−シ
リコン共晶接合を行うためにリードフレームを加
熱すると、金めつき表面にＴが浮き上がり、赤
変する現象が現われた。さらにＴが表面で酸化
皮膜を形成するため、その後のワイヤボンデイン
グにおいて著しいボンデイング不良を起こした。 また前記電流を用いた場合、いわゆる焼けめつ
き現象が現われる限界電流密度が低く、そのため
めつき時間が長くなり、生産性が低下した。 すなわち従来の平滑直流、三相半波整流波等の
電源を使用した金めつきでは、めつき膜中に結晶
調整剤であるタリウムが多量に共析して膜質を低
下させ、さらには生産性も低くするという問題点
がある。 〈発明が解決しようとする問題点〉 本発明の目的は前記した従来技術の欠点を解消
し、金めつき膜中のタリウム共析量を低下させて
膜質を改良したワイヤボンデイング性を改良しさ
らには生産性を向上させることのできる金めつき
リードフレームの製造方法を提供することにあ
る。 〈問題点を解決するための手段〉 本発明は、基体上に、直接あるいは下地めつき
を設け、結晶調整剤としてタリウムを含む金めつ
き浴にて金めつきする半導体用金めつきリードフ
レームの製造方法において、前記金めつきをパル
ス波を用いて行うと共に、前記パルス波が、ON
時間１〜10ミリ秒、OFF時間１〜５ミリ秒であ
り、かつ、ON時間はOFF時間の１〜10倍の範囲
であることを特徴とする金めつきリードフレーム
の製造方法を提供するものである。 〈発明の構成〉 以下に好適な実施例を用いて本発明を詳細に説
明する。 本発明で用いるリードフレーム用の基体として
は銅、リン青銅の如き銅合金、鉄−ニツケル合金
等が用いられる。本発明においてはこのような金
属から作られたリードフレーム基体に、金の部分
めつきを機械マスクを用いて行う。一般にめつき
処理に先立つて脱脂及び酸洗等を行い、金属面を
洗浄化したのち、結晶調整剤としてタリウムを含
む金めつき浴にて金の部分めつきを行つて作成す
る。 金めつき浴には、めつきの高速化、光沢性の改
良、めつき粒の微細化など作業性や膜質の改良の
ために結晶調整剤としてタリウムがppmオーダー
で微量添加される。 本発明方法は、このような結晶調整剤としてタ
リウムを含む金めつき浴にて金の部分めつきを行
う際に用いる電流の波型に特徴があり、第１図に
一例をあげるようなパルス波を用いて電気めつき
を行う。 パルス波を用いて電気めつきを行うことによ
り、金めつき浴中に微量に添加される。Ｔの金
めつき用結晶調整剤が金めつき膜中に多量に共析
することを防止し、ワイヤボンデイング性等の
ICパツケージング特性が改善される。 これは、金めつき浴中での金イオンと結晶調整
剤イオンの移動速度、移動特性が異なるために、
パルス波による金めつきを行うと、電流OFF時
に結晶調整剤イオンの塩の脱着が促進されるため
である。 パルス液としては、ON時間１〜10ミリ秒、
OFF時間１〜５ミリ秒で、かつON時間はOFF時
間の１〜10倍の範囲にあるパルス波を用いる。 ON時間、OFF時間がこの範囲外であると、後
に実施例に詳述するように、Ｔ共析量 （ppm）＝タリウム析出量（mg）／金析出量（mg）×106 が1000ppm以上となり、このためこれらの電流を
用いて金めつきしたリードフレームは、ICチツ
プを搭載し、金−シリコーン共晶接合を行うため
にリードフレームを加熱すると、金めつき表面に
Ｔが浮き上がり赤変する現象があらわれた。さ
らにＴが表面で酸化皮膜を形成するため、その
後のワイヤボンデイングにおいて著しいボンデイ
ング不良を起こした。 ON時間／OFF時間が１未満であるとめつき時
間が長くなり、生産性が低下する。ON時間／
OFF時間が10超であると限界電流密度が低く、
そのためめつき時間が長くなり生産性が低下す
る。 第１図に示すようなパルス波は例えば関数発生
器およびガルバノスタツトにより整流波の電流波
形を制御することにより得られる。 本発明方法に用いるパルス波は第１図に示すパ
ルス波に限らず正弦波状のパルス波であつてもよ
い。 金めつきする際の電流密度は１〜10A／ｄm2が
好ましい。 用いる金めつき浴は、緩衝剤と導電塩の混合液
であればいかなる金めつき浴でもよいが、シアン
アルカリ浴、中性および弱アルカリ性浴、有機酸
を含む弱酸性浴、非シアン浴等が用いられる。 〈実施例〉 以下本発明を実施例により具体的に説明する。 鉄−42％ニツケル合金からなるリードフレーム
基体に脱脂、酸洗等の前処理を行つた後、これを
陰極として機械的にめつき不必要な部分をマスク
し、金めつき液（EEJA社 テンペレツクス702）
を高速で吹きつけ、白金陽極との間に第１図に示
す波形の電流を流し、金めつきを設けた。金めつ
き液は結晶調整剤としてＴを25ppm含有するも
のを用い、浴温75℃とした。電流波形は関数発生
器及びガルバノスタツトにより制御し、パルス波
形のON時間0.3〜20ミリ秒、OFF時間0.1〜10ミ
リ秒の範囲で任意に波形を設定した。そして平均
電流密度8A／ｄm2で金めつきを約3μm電着せし
めた。 かくして得られたリードフレームを金めつき剥
離液中に浸漬し、金を剥離溶解し、剥離液中の金
および共析したＴ量を原子吸光分析法により求
め（１）式によりめつき膜中のタリウム共析量を
算出した。 タリウム共析量（ppm）＝タリウム析出量（mg）／金析
出量（mg） ×106 ……(1) 各パルス波形により得られた金めつき中のタリ
ウム共析量分析結果を第１表および第２図に示
す。第１表および第２図中の○はタリウム共析量
500ppm以下、△は500〜1000ppm、×は1000ppm
以上であり、タリウム共析量が1000ppmを超える
とリードフレームのワイヤボンデイング性が低下
する。 第１表、第１図および第２図の結果からON時
間１〜10ミリ秒、OFF時間１〜５ミリ秒で、ON
時間がOFF時間の１〜10倍の範囲のパルス液に
おいて金めつきすると、タリウム共析量が低く保
たれることがわかる。また従来の電源では焼けめ
つきとなる電流密度8A／ｄm2でも良好な外観の
めつきが得られ、パルス波の適用によりめつき作
業が高速で行えることがわかつた。
レームの製造方法に関し、特に結晶調整剤である
タリウムの共析量を低減させ、これによりワイヤ
ボンデイング性を改良することができる金めつき
リードフレームの製造方法に関する。 〈従来の技術〉 半導体用金めつきリードフレーム製造に用いら
れる金めつき波は、緩衝剤と導電塩の混合液であ
るが、さらにめつきの高速化、光沢性の改良、め
つき粒の微細化など作業性や膜質の改良のため
に、一般的にはＴ、Pb、Asなどの結晶調整剤
がppmオーダーで微量添加されている。これらの
添加により、光沢のある緻密な金めつき膜が得ら
れるが、一方でこれらの微量添加剤が金めつき中
に多量に共析し、金の純度が低減して硬度が増す
ためにワイヤボンデイング性等のICパツケージ
特性に悪影響を及ぼすことが報告されている。 特にＴ含有金めつき液については従来はめつ
き電流として平滑直流、三相半波整流波等を使用
した。しかしこれらの電流を用いて金めつきした
リードフレームはめつき中のＴ共析量が非常に
多くなり、このためICチツプを搭載し、金−シ
リコン共晶接合を行うためにリードフレームを加
熱すると、金めつき表面にＴが浮き上がり、赤
変する現象が現われた。さらにＴが表面で酸化
皮膜を形成するため、その後のワイヤボンデイン
グにおいて著しいボンデイング不良を起こした。 また前記電流を用いた場合、いわゆる焼けめつ
き現象が現われる限界電流密度が低く、そのため
めつき時間が長くなり、生産性が低下した。 すなわち従来の平滑直流、三相半波整流波等の
電源を使用した金めつきでは、めつき膜中に結晶
調整剤であるタリウムが多量に共析して膜質を低
下させ、さらには生産性も低くするという問題点
がある。 〈発明が解決しようとする問題点〉 本発明の目的は前記した従来技術の欠点を解消
し、金めつき膜中のタリウム共析量を低下させて
膜質を改良したワイヤボンデイング性を改良しさ
らには生産性を向上させることのできる金めつき
リードフレームの製造方法を提供することにあ
る。 〈問題点を解決するための手段〉 本発明は、基体上に、直接あるいは下地めつき
を設け、結晶調整剤としてタリウムを含む金めつ
き浴にて金めつきする半導体用金めつきリードフ
レームの製造方法において、前記金めつきをパル
ス波を用いて行うと共に、前記パルス波が、ON
時間１〜10ミリ秒、OFF時間１〜５ミリ秒であ
り、かつ、ON時間はOFF時間の１〜10倍の範囲
であることを特徴とする金めつきリードフレーム
の製造方法を提供するものである。 〈発明の構成〉 以下に好適な実施例を用いて本発明を詳細に説
明する。 本発明で用いるリードフレーム用の基体として
は銅、リン青銅の如き銅合金、鉄−ニツケル合金
等が用いられる。本発明においてはこのような金
属から作られたリードフレーム基体に、金の部分
めつきを機械マスクを用いて行う。一般にめつき
処理に先立つて脱脂及び酸洗等を行い、金属面を
洗浄化したのち、結晶調整剤としてタリウムを含
む金めつき浴にて金の部分めつきを行つて作成す
る。 金めつき浴には、めつきの高速化、光沢性の改
良、めつき粒の微細化など作業性や膜質の改良の
ために結晶調整剤としてタリウムがppmオーダー
で微量添加される。 本発明方法は、このような結晶調整剤としてタ
リウムを含む金めつき浴にて金の部分めつきを行
う際に用いる電流の波型に特徴があり、第１図に
一例をあげるようなパルス波を用いて電気めつき
を行う。 パルス波を用いて電気めつきを行うことによ
り、金めつき浴中に微量に添加される。Ｔの金
めつき用結晶調整剤が金めつき膜中に多量に共析
することを防止し、ワイヤボンデイング性等の
ICパツケージング特性が改善される。 これは、金めつき浴中での金イオンと結晶調整
剤イオンの移動速度、移動特性が異なるために、
パルス波による金めつきを行うと、電流OFF時
に結晶調整剤イオンの塩の脱着が促進されるため
である。 パルス液としては、ON時間１〜10ミリ秒、
OFF時間１〜５ミリ秒で、かつON時間はOFF時
間の１〜10倍の範囲にあるパルス波を用いる。 ON時間、OFF時間がこの範囲外であると、後
に実施例に詳述するように、Ｔ共析量 （ppm）＝タリウム析出量（mg）／金析出量（mg）×106 が1000ppm以上となり、このためこれらの電流を
用いて金めつきしたリードフレームは、ICチツ
プを搭載し、金−シリコーン共晶接合を行うため
にリードフレームを加熱すると、金めつき表面に
Ｔが浮き上がり赤変する現象があらわれた。さ
らにＴが表面で酸化皮膜を形成するため、その
後のワイヤボンデイングにおいて著しいボンデイ
ング不良を起こした。 ON時間／OFF時間が１未満であるとめつき時
間が長くなり、生産性が低下する。ON時間／
OFF時間が10超であると限界電流密度が低く、
そのためめつき時間が長くなり生産性が低下す
る。 第１図に示すようなパルス波は例えば関数発生
器およびガルバノスタツトにより整流波の電流波
形を制御することにより得られる。 本発明方法に用いるパルス波は第１図に示すパ
ルス波に限らず正弦波状のパルス波であつてもよ
い。 金めつきする際の電流密度は１〜10A／ｄm2が
好ましい。 用いる金めつき浴は、緩衝剤と導電塩の混合液
であればいかなる金めつき浴でもよいが、シアン
アルカリ浴、中性および弱アルカリ性浴、有機酸
を含む弱酸性浴、非シアン浴等が用いられる。 〈実施例〉 以下本発明を実施例により具体的に説明する。 鉄−42％ニツケル合金からなるリードフレーム
基体に脱脂、酸洗等の前処理を行つた後、これを
陰極として機械的にめつき不必要な部分をマスク
し、金めつき液（EEJA社 テンペレツクス702）
を高速で吹きつけ、白金陽極との間に第１図に示
す波形の電流を流し、金めつきを設けた。金めつ
き液は結晶調整剤としてＴを25ppm含有するも
のを用い、浴温75℃とした。電流波形は関数発生
器及びガルバノスタツトにより制御し、パルス波
形のON時間0.3〜20ミリ秒、OFF時間0.1〜10ミ
リ秒の範囲で任意に波形を設定した。そして平均
電流密度8A／ｄm2で金めつきを約3μm電着せし
めた。 かくして得られたリードフレームを金めつき剥
離液中に浸漬し、金を剥離溶解し、剥離液中の金
および共析したＴ量を原子吸光分析法により求
め（１）式によりめつき膜中のタリウム共析量を
算出した。 タリウム共析量（ppm）＝タリウム析出量（mg）／金析
出量（mg） ×106 ……(1) 各パルス波形により得られた金めつき中のタリ
ウム共析量分析結果を第１表および第２図に示
す。第１表および第２図中の○はタリウム共析量
500ppm以下、△は500〜1000ppm、×は1000ppm
以上であり、タリウム共析量が1000ppmを超える
とリードフレームのワイヤボンデイング性が低下
する。 第１表、第１図および第２図の結果からON時
間１〜10ミリ秒、OFF時間１〜５ミリ秒で、ON
時間がOFF時間の１〜10倍の範囲のパルス液に
おいて金めつきすると、タリウム共析量が低く保
たれることがわかる。また従来の電源では焼けめ
つきとなる電流密度8A／ｄm2でも良好な外観の
めつきが得られ、パルス波の適用によりめつき作
業が高速で行えることがわかつた。
【表】
〈発明の効果〉
本発明の製造方法によれば、パルス波電流を用
いて金めつきを行うので、従来の金めつき用電源
の使用では得られない高電流密度域でも外観の良
好な金めつきが得られ、しかもこのめつき層は、
膜中のタリウム共析量が従来のめつきよりも著し
く少ないために、リードフレーム加工時の加熱に
よる赤変がなく、したがつて良好なワイヤボンデ
イング性能を示す金めつきリードフレームが製造
できる。 本発明方法により従来の1.6倍以上の高電流密
度でめつき作業ができるため、めつき時間が短縮
され、金めつきリードフレーム製造の生産性が大
幅に向上する。
いて金めつきを行うので、従来の金めつき用電源
の使用では得られない高電流密度域でも外観の良
好な金めつきが得られ、しかもこのめつき層は、
膜中のタリウム共析量が従来のめつきよりも著し
く少ないために、リードフレーム加工時の加熱に
よる赤変がなく、したがつて良好なワイヤボンデ
イング性能を示す金めつきリードフレームが製造
できる。 本発明方法により従来の1.6倍以上の高電流密
度でめつき作業ができるため、めつき時間が短縮
され、金めつきリードフレーム製造の生産性が大
幅に向上する。
第１図は本発明で用いるパルス波形の一例を示
すグラフである。第２図は、実施例のパルス波形
のON時間、OFF時間およびタリウム共析量の結
果を示すグラフである。
すグラフである。第２図は、実施例のパルス波形
のON時間、OFF時間およびタリウム共析量の結
果を示すグラフである。
Claims (1)
- １ 基体上に、直接あるいは下地めつきを設け、
結晶調整剤としてタリウムを含む金めつき浴にて
金めつきする半導体用金めつきリードフレームの
製造方法において、前記金めつきをパルス波を用
いて行うと共に、前記パルス波が、ON時間１〜
10ミリ秒、OFF時間１〜５ミリ秒であり、かつ、
ON時間はOFF時間の１〜10倍の範囲であること
を特徴とする金めつきリードフレームの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29612585A JPS62151592A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 金めつきリ−ドフレ−ムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29612585A JPS62151592A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 金めつきリ−ドフレ−ムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62151592A JPS62151592A (ja) | 1987-07-06 |
| JPH0553879B2 true JPH0553879B2 (ja) | 1993-08-11 |
Family
ID=17829460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29612585A Granted JPS62151592A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 金めつきリ−ドフレ−ムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62151592A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6468489A (en) * | 1987-09-09 | 1989-03-14 | Shinko Electric Ind Co | Electrolytic gold plating method |
| JPH05345997A (ja) * | 1992-04-13 | 1993-12-27 | Electroplating Eng Of Japan Co | 金めっき品の製造方法 |
| DE69712999T2 (de) * | 1996-07-26 | 2003-01-23 | Nec Corp | Festelektrolytkondensator mit vorplattierten Leiteranschlüssen und dessen Herstellungsverfahren |
| EP0867528A1 (de) * | 1997-03-27 | 1998-09-30 | Allgemeine Gold- Und Silberscheideanstalt Ag | Gelförmiger Edelmetalleelektrolyt |
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1985
- 1985-12-25 JP JP29612585A patent/JPS62151592A/ja active Granted
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