JPH0455340B2 - - Google Patents
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- JPH0455340B2 JPH0455340B2 JP28750385A JP28750385A JPH0455340B2 JP H0455340 B2 JPH0455340 B2 JP H0455340B2 JP 28750385 A JP28750385 A JP 28750385A JP 28750385 A JP28750385 A JP 28750385A JP H0455340 B2 JPH0455340 B2 JP H0455340B2
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- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 81
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000010349 pulsation Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005282 brightening Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 2
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 2
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
Description
［産業上の利用分野］
本発明は、部分銀めつきリードフレームの製造
方法に係り、特に、部分銀めつき時に、無光沢銀
めつき液を用いた場合であつても、高電流密度
で、表面状態の良い部分銀めつきが得られ、生産
性の良い部分銀めつきリードフレームの製造方法
に関する。 ［従来の技術］ 半導体に使用する部分銀めつきリードフレーム
の製造に際して行われる銀部分めつきは、従来全
体めつきが行われていたが、貴金属の使用量を減
らしてコストダウンを計る目的から、金や銀のめ
つきには、スポツト又はストライプ状の部分めつ
きが主流になりつつある。貴金属の部分めつきを
行うには、絶縁物でめつき不要部を機械マスク
し、導体に電流を流すことにより、目的とする部
分にのみめつきが行われる。 従来、部分銀めつきの際のめつき電流としては
平滑直流又は、三相半波整流等の脈動の少い電源
を用いていたが、光沢剤の入つていない、いわゆ
る無光沢銀めつき液を使用した場合、前記電源を
用いると、電流密度を上げた時にめつき結晶が安
定して成長せず、銀面のむら、黄変、しみ、加熱
変化等の不良が多発した。従つてめつき電流密度
を下げねばならず、そのためめつき時間が長くな
り、生産性が著しく低下した。 ［発明が解決しようとする問題点］ 本発明の目的は、前記した従来技術の欠点を解
消し、無光沢銀めつき液を用いた場合であつても
電気めつきを行う際に、めつき電流密度を大きく
し、すなわち短時間で外観の良好な部分銀めつき
を得ることのできるめつき方法を用いた部分銀め
つきリードフレームの製造方法を提供することに
ある。 ［問題点を解決するための手段］ 本発明は、導体表面に部分銀めつきしたリード
フレームの製造方法において、部分銀めつき用陰
極電流に、リツプル率が120％以上である単相全
波整流波を用い、かつ前記陰極電流の電流密度が
20〜80A／ｄm2であることを特徴とする部分銀め
つきリードフレームの製造方法を提供するもので
ある。 ここで、前記部分銀めつき用のめつき液が光沢
剤を含まない無光沢銀めつき液である部分銀めつ
きリードフレームの製造方法であることが好まし
い。 また、前記単相整流波の周波数が10Hz以上であ
り、前記導体が銅、銅合金、または鉄−ニツケル
合金であることが良い。 ［発明の構成］ 以下に、本発明を詳細に説明する。 リードフレーム用の基板には、銅やリン青銅等
の銅合金およびFe−Ni合金等が用いられる。こ
れらの基板を導体として以下のように部分銀めつ
きを行う。 本発明方法は、上記の導体を陰極とし、陰極電
流に単相全波整流波を用いることに特徴がある。
従来、電気めつきに用いられる陰極電流は平滑直
流が用いられ、交流を整流して用いる場合も脈動
率のできるだけ少ない三相半波整流等が用いら
れ、脈動率の少ないほど良好なめつきが得られる
と考えられてきた。 ところがリードフレーム等の用いられる銀部分
めつきには、前述の考えとは逆に脈動率（リツプ
ル率）の多い整流波、すなわち脈動率120〜157％
の整流波、特に、第１ａ図に例示する単相全波整
流波を用いることによつて、良好なめつき外観を
得ることができ、さらにはめつき電流密度を増加
させることができることがわかつた。 そして、この点に関しては次のように考えられ
る。すなわち、高速で銀めつきを行う場合に一番
問題になるのはめつきむらの問題であるが、この
めつきむらはめつき金属が被めつき面に均一に電
析せず、部分的に選択電着することによつて生じ
るものである。一般にめつき金属の電析過程は、
まず結晶核が発生し、それを中心に結晶成長が進
むものと考えられており、したがつてめつきむら
を少くするためには被めつき面全面に結晶核を均
一に発生させることが必要となる。単相全波整流
波は電流の強弱を周期的に繰り返すものである
が、この電流の強弱変化と結晶核発生が同調し、
つまり電流の急激な上昇時に核発生が瞬時に行わ
れ、核が成長する間もなく電流の激減、激増が繰
り返される中で、核がめつき面全面に均一に発生
し、この結果結晶粒が比較的細かく、めつきむら
のない良好なめつき外観が得られるものと考えら
れる。 本発明で使用する単相全波整流波の周波数は10
Hz以上、特に10〜200Hz程度が好ましく、電流密
度は、めつき液の組成や銀濃度により異り一義的
には限定できないが、一般的には高速浴と称され
るものの操業範囲である20〜80A／ｄm2程度の高
電流密度でも良好なめつきが得られる。 単相全波整流波は通常の単相整流器等によつて
整流した交流を用いる。めつき液は、通常用いら
れる銀めつき液であれば、いかなるものを用いて
もよい。光沢めつき液として、セレン、アンチモ
ン等の光沢剤を含むものであつてもよいし、光沢
剤を含まない無光沢めつき液であつてもよい。特
に、本発明方法は、無光沢めつき液を用いて高電
流密度でめつきを行つても、めつき外観のむら、
黄変、しみ、加熱変色等の不良がなく良好な銀部
分めつきが得られる。光沢めつき液を用いる場合
は、光沢剤が少量ですみ、光沢剤によるめつきの
粗れ、つきまわりの低下等の障害がなく高電流密
度でめつきをすることができる。本発明方法は、
無光沢めつき液を用いた場合の方がより一層効果
が認められるが、光沢めつき液を用いた場合であ
つても従来の平滑直流と比較するとめつきむらの
発生がきわめて少なく、良好な外観が得られると
いう効果が認められる。 めつき前処理は、いかなるものでもよい。一般
的には脱脂および酸洗等を行い、被めつき面を清
浄化したのち、リードフレーム等への銀部分めつ
きを行う場合は、銅ストライクめつきを行つた後
に部分銀めつきを行う。 めつき用マスクは、ゴム等の機械マスク、フオ
トマスク等の化学マスク等通常の銀部分めつきに
用いるいかなるものでもよい。 メツキ方法はめつき液に被めつき物を浸漬する
浸漬法やめつき液をノズルで被めつき物に吹きつ
けるノズル法等のいかなる方法でもよい。 陽極は、白金、白金めつきチタン等の通常の陽
極が用いられる。 以上のようにして基体上に銀部分めつきを行
い、ICチツプを所定の位置に設置し、その後樹
脂モールド等を行つて、半導体装置を組立てる。 ［実施例］ 以下、本発明の実施例によつて詳述する。 実施例１および比較例 鉄−42％ニツケル合金からなるリードフレード
基体に脱脂、酸法等の前処理に行つた後に全面に
銅ストライクめつきを設けた。 得られたリードフレームを陰極として機械的に
銀めつき不要部分をマスクし、無光沢銀めつき液
（ジヤパンロナール製ハイランドシルバー80）金
属銀濃度65ｇ／を高速でノズルから吹きつけ、
白金陽極との間に、第１図に示す如く、平滑直流
（第１ｇ図）から単相全波整流波（第１ａ図）ま
で各々脈動率（リツプル率）を変えた７種類の波
形の電流を流して銀めつきを施した。なお、リツ
プル率は次式より算出した。 リツプル率（％）＝ｉ max−ｉ min／ｉ mean×10
0 ここで ｉ max：最大電流 ｉ max：最小電流 ｉ mean：平均電流 流波形の周波数は100Hz、浴温は65℃とし、電
流密度を15〜120A／ｄm2に変化させ、得られた
銀めつき面の外観を判定して、結果を第１表に示
した。 この結果より無光沢銀めつき液を用いた部分銀
めつきにおいて、リツプル120％以上の単相整流
波を用いることにより、平滑直流等の電源では得
られない高い電流密度で外観を良好な銀めつきが
得られることがわかる。 実施例２および比較例 実施例１と同様の方法で前処理及び銅ストライ
クめつきを設けたリードフレームを陰極として、
前記と同様の方法で無光沢銀めつき液を用い銀め
つきを施した。浴温を65℃、平均電流密度を
40A／ｄm2とし、単相全波整流波の周波数を１〜
200Hzに変化させ、得られた銀めつき面の外観を
判定して結果を第２表に示した。 この結果より、単相全波の周波数は10〜200Hz
の範囲で外観が良好であることがわかる。
方法に係り、特に、部分銀めつき時に、無光沢銀
めつき液を用いた場合であつても、高電流密度
で、表面状態の良い部分銀めつきが得られ、生産
性の良い部分銀めつきリードフレームの製造方法
に関する。 ［従来の技術］ 半導体に使用する部分銀めつきリードフレーム
の製造に際して行われる銀部分めつきは、従来全
体めつきが行われていたが、貴金属の使用量を減
らしてコストダウンを計る目的から、金や銀のめ
つきには、スポツト又はストライプ状の部分めつ
きが主流になりつつある。貴金属の部分めつきを
行うには、絶縁物でめつき不要部を機械マスク
し、導体に電流を流すことにより、目的とする部
分にのみめつきが行われる。 従来、部分銀めつきの際のめつき電流としては
平滑直流又は、三相半波整流等の脈動の少い電源
を用いていたが、光沢剤の入つていない、いわゆ
る無光沢銀めつき液を使用した場合、前記電源を
用いると、電流密度を上げた時にめつき結晶が安
定して成長せず、銀面のむら、黄変、しみ、加熱
変化等の不良が多発した。従つてめつき電流密度
を下げねばならず、そのためめつき時間が長くな
り、生産性が著しく低下した。 ［発明が解決しようとする問題点］ 本発明の目的は、前記した従来技術の欠点を解
消し、無光沢銀めつき液を用いた場合であつても
電気めつきを行う際に、めつき電流密度を大きく
し、すなわち短時間で外観の良好な部分銀めつき
を得ることのできるめつき方法を用いた部分銀め
つきリードフレームの製造方法を提供することに
ある。 ［問題点を解決するための手段］ 本発明は、導体表面に部分銀めつきしたリード
フレームの製造方法において、部分銀めつき用陰
極電流に、リツプル率が120％以上である単相全
波整流波を用い、かつ前記陰極電流の電流密度が
20〜80A／ｄm2であることを特徴とする部分銀め
つきリードフレームの製造方法を提供するもので
ある。 ここで、前記部分銀めつき用のめつき液が光沢
剤を含まない無光沢銀めつき液である部分銀めつ
きリードフレームの製造方法であることが好まし
い。 また、前記単相整流波の周波数が10Hz以上であ
り、前記導体が銅、銅合金、または鉄−ニツケル
合金であることが良い。 ［発明の構成］ 以下に、本発明を詳細に説明する。 リードフレーム用の基板には、銅やリン青銅等
の銅合金およびFe−Ni合金等が用いられる。こ
れらの基板を導体として以下のように部分銀めつ
きを行う。 本発明方法は、上記の導体を陰極とし、陰極電
流に単相全波整流波を用いることに特徴がある。
従来、電気めつきに用いられる陰極電流は平滑直
流が用いられ、交流を整流して用いる場合も脈動
率のできるだけ少ない三相半波整流等が用いら
れ、脈動率の少ないほど良好なめつきが得られる
と考えられてきた。 ところがリードフレーム等の用いられる銀部分
めつきには、前述の考えとは逆に脈動率（リツプ
ル率）の多い整流波、すなわち脈動率120〜157％
の整流波、特に、第１ａ図に例示する単相全波整
流波を用いることによつて、良好なめつき外観を
得ることができ、さらにはめつき電流密度を増加
させることができることがわかつた。 そして、この点に関しては次のように考えられ
る。すなわち、高速で銀めつきを行う場合に一番
問題になるのはめつきむらの問題であるが、この
めつきむらはめつき金属が被めつき面に均一に電
析せず、部分的に選択電着することによつて生じ
るものである。一般にめつき金属の電析過程は、
まず結晶核が発生し、それを中心に結晶成長が進
むものと考えられており、したがつてめつきむら
を少くするためには被めつき面全面に結晶核を均
一に発生させることが必要となる。単相全波整流
波は電流の強弱を周期的に繰り返すものである
が、この電流の強弱変化と結晶核発生が同調し、
つまり電流の急激な上昇時に核発生が瞬時に行わ
れ、核が成長する間もなく電流の激減、激増が繰
り返される中で、核がめつき面全面に均一に発生
し、この結果結晶粒が比較的細かく、めつきむら
のない良好なめつき外観が得られるものと考えら
れる。 本発明で使用する単相全波整流波の周波数は10
Hz以上、特に10〜200Hz程度が好ましく、電流密
度は、めつき液の組成や銀濃度により異り一義的
には限定できないが、一般的には高速浴と称され
るものの操業範囲である20〜80A／ｄm2程度の高
電流密度でも良好なめつきが得られる。 単相全波整流波は通常の単相整流器等によつて
整流した交流を用いる。めつき液は、通常用いら
れる銀めつき液であれば、いかなるものを用いて
もよい。光沢めつき液として、セレン、アンチモ
ン等の光沢剤を含むものであつてもよいし、光沢
剤を含まない無光沢めつき液であつてもよい。特
に、本発明方法は、無光沢めつき液を用いて高電
流密度でめつきを行つても、めつき外観のむら、
黄変、しみ、加熱変色等の不良がなく良好な銀部
分めつきが得られる。光沢めつき液を用いる場合
は、光沢剤が少量ですみ、光沢剤によるめつきの
粗れ、つきまわりの低下等の障害がなく高電流密
度でめつきをすることができる。本発明方法は、
無光沢めつき液を用いた場合の方がより一層効果
が認められるが、光沢めつき液を用いた場合であ
つても従来の平滑直流と比較するとめつきむらの
発生がきわめて少なく、良好な外観が得られると
いう効果が認められる。 めつき前処理は、いかなるものでもよい。一般
的には脱脂および酸洗等を行い、被めつき面を清
浄化したのち、リードフレーム等への銀部分めつ
きを行う場合は、銅ストライクめつきを行つた後
に部分銀めつきを行う。 めつき用マスクは、ゴム等の機械マスク、フオ
トマスク等の化学マスク等通常の銀部分めつきに
用いるいかなるものでもよい。 メツキ方法はめつき液に被めつき物を浸漬する
浸漬法やめつき液をノズルで被めつき物に吹きつ
けるノズル法等のいかなる方法でもよい。 陽極は、白金、白金めつきチタン等の通常の陽
極が用いられる。 以上のようにして基体上に銀部分めつきを行
い、ICチツプを所定の位置に設置し、その後樹
脂モールド等を行つて、半導体装置を組立てる。 ［実施例］ 以下、本発明の実施例によつて詳述する。 実施例１および比較例 鉄−42％ニツケル合金からなるリードフレード
基体に脱脂、酸法等の前処理に行つた後に全面に
銅ストライクめつきを設けた。 得られたリードフレームを陰極として機械的に
銀めつき不要部分をマスクし、無光沢銀めつき液
（ジヤパンロナール製ハイランドシルバー80）金
属銀濃度65ｇ／を高速でノズルから吹きつけ、
白金陽極との間に、第１図に示す如く、平滑直流
（第１ｇ図）から単相全波整流波（第１ａ図）ま
で各々脈動率（リツプル率）を変えた７種類の波
形の電流を流して銀めつきを施した。なお、リツ
プル率は次式より算出した。 リツプル率（％）＝ｉ max−ｉ min／ｉ mean×10
0 ここで ｉ max：最大電流 ｉ max：最小電流 ｉ mean：平均電流 流波形の周波数は100Hz、浴温は65℃とし、電
流密度を15〜120A／ｄm2に変化させ、得られた
銀めつき面の外観を判定して、結果を第１表に示
した。 この結果より無光沢銀めつき液を用いた部分銀
めつきにおいて、リツプル120％以上の単相整流
波を用いることにより、平滑直流等の電源では得
られない高い電流密度で外観を良好な銀めつきが
得られることがわかる。 実施例２および比較例 実施例１と同様の方法で前処理及び銅ストライ
クめつきを設けたリードフレームを陰極として、
前記と同様の方法で無光沢銀めつき液を用い銀め
つきを施した。浴温を65℃、平均電流密度を
40A／ｄm2とし、単相全波整流波の周波数を１〜
200Hzに変化させ、得られた銀めつき面の外観を
判定して結果を第２表に示した。 この結果より、単相全波の周波数は10〜200Hz
の範囲で外観が良好であることがわかる。
【表】
【表】
【表】
［発明の効果］
本発明方法は、銀部分めつきする際に際陰極電
流に脈動率の120％以上の単相全波整流波を用い
るので、従来の平滑直流波又は三相半波整流波の
使用では得られない高い電流密度で、外観の良好
な部分銀めつきを行うことができる。この場合の
電流密度は20〜80A／ｄm2である場合にめつき外
観が良好である。このため、めつき時間が大幅に
短縮され、部分銀めつきリードフレームの製造に
際し、生産性が向上する。 この効果は、無光沢剤銀めつき液を用いる場合
に特に著しいが、光沢剤を含む光沢銀めつき液を
用いる場合にも効果が認められる。 また、単相全波整流波の周波数を10Hz以上とす
ると、めつき外観が特に良好である。 単相全波整流波は商用交流波の簡便な整流によ
つて得られるので、直流電源に比べて電源の構造
が簡単で、より経済的である。
流に脈動率の120％以上の単相全波整流波を用い
るので、従来の平滑直流波又は三相半波整流波の
使用では得られない高い電流密度で、外観の良好
な部分銀めつきを行うことができる。この場合の
電流密度は20〜80A／ｄm2である場合にめつき外
観が良好である。このため、めつき時間が大幅に
短縮され、部分銀めつきリードフレームの製造に
際し、生産性が向上する。 この効果は、無光沢剤銀めつき液を用いる場合
に特に著しいが、光沢剤を含む光沢銀めつき液を
用いる場合にも効果が認められる。 また、単相全波整流波の周波数を10Hz以上とす
ると、めつき外観が特に良好である。 単相全波整流波は商用交流波の簡便な整流によ
つて得られるので、直流電源に比べて電源の構造
が簡単で、より経済的である。
第１図は実施例で用いた部分銀めつき用電流の
波形の態様を示す波形図である。
波形の態様を示す波形図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導体表面に部分銀めつきしたリードフレーム
の製造方法において、部分銀めつき用陰極電流
に、リツプル率が120％以上である単相全波整流
波を用い、かつ前記陰極電流の電流密度が20〜
80A／ｄm2であることを特徴とする部分銀めつき
リードフレームの製造方法。 ２ 前記部分銀めつき用のめつき液が光沢剤を含
まない無光沢銀めつき液である特許請求の範囲第
１項に記載の部分銀めつきリードフレームの製造
方法。 ３ 前記単相全波整流波の周波数が10Hz以上であ
る特許請求の範囲第１項または第２項に記載の部
分銀めつきリードフレームの製造方法。 ４ 前記導体が銅、銅合金、または鉄−ニツケル
合金である特許請求の範囲第１項ないし第３項の
いずれかに記載の部分銀めつきリードフレームの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28750385A JPS62145847A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 部分銀めつきリ−ドフレ−ムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28750385A JPS62145847A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 部分銀めつきリ−ドフレ−ムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62145847A JPS62145847A (ja) | 1987-06-29 |
| JPH0455340B2 true JPH0455340B2 (ja) | 1992-09-03 |
Family
ID=17718183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28750385A Granted JPS62145847A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 部分銀めつきリ−ドフレ−ムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62145847A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114807953B (zh) * | 2022-04-20 | 2023-04-25 | 武汉大学 | 一种发电机空芯铜导线腐蚀产物脉冲-柔性酸洗系统及方法 |
-
1985
- 1985-12-20 JP JP28750385A patent/JPS62145847A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62145847A (ja) | 1987-06-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |