JPH0148354B2 - - Google Patents
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- JPH0148354B2 JPH0148354B2 JP58091583A JP9158383A JPH0148354B2 JP H0148354 B2 JPH0148354 B2 JP H0148354B2 JP 58091583 A JP58091583 A JP 58091583A JP 9158383 A JP9158383 A JP 9158383A JP H0148354 B2 JPH0148354 B2 JP H0148354B2
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- JP
- Japan
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- time
- plating
- silver
- current
- adhesion
- Prior art date
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- Expired
Links
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Landscapes
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は鉄および／またはニツケルを含有する
合金材へ密着性の良好な銀被膜を形成するための
銀メツキ方法に関する。
合金材へ密着性の良好な銀被膜を形成するための
銀メツキ方法に関する。
IC用リードフレーム材としては一般に42アロ
イ、52アロイ等の鉄ニツケル合金、194アロイ等
の銅−鉄合金が用いられている。IC用リードフ
レームはIC素子搭載部およびワイヤーボンド部
に金、銀等の貴金属を被着して使用に供されてい
るが、この貴金属被膜は500℃、５分間の加熱で
フクレを生じないような密着性を有することが要
求される。従来、上記のような鉄および／または
ニツケルを含有する合金材に銀を直接メツキして
も充分な密着力が得られないとされており、銀メ
ツキを施す前に金、銀、銅等を薄く下地メツキす
る所謂ストライクメツキ処理を行なうのが一般的
であつた。
イ、52アロイ等の鉄ニツケル合金、194アロイ等
の銅−鉄合金が用いられている。IC用リードフ
レームはIC素子搭載部およびワイヤーボンド部
に金、銀等の貴金属を被着して使用に供されてい
るが、この貴金属被膜は500℃、５分間の加熱で
フクレを生じないような密着性を有することが要
求される。従来、上記のような鉄および／または
ニツケルを含有する合金材に銀を直接メツキして
も充分な密着力が得られないとされており、銀メ
ツキを施す前に金、銀、銅等を薄く下地メツキす
る所謂ストライクメツキ処理を行なうのが一般的
であつた。
ところがこのようなストライクメツキを施して
あつても銀メツキ被膜が加熱検査でフクレを生じ
ることがある。この主なる原因は下地メツキに用
いるメツキ浴は金属成分濃度が１〜５ｇ／と小
さく、また濃度の最適範囲が狭いため最適条件を
はずれ易いからと孝えられる。このためストライ
クメツキ浴組成の管理には細心の注意を払つてい
る。しかしながらこのような配慮は密着性そのも
のを改善するものではなく、単にバラツキを小さ
くするための配慮に過ぎない。このため密着性そ
のものを本質的に改善する何らかの手段が必要で
あることが痛感されていた。
あつても銀メツキ被膜が加熱検査でフクレを生じ
ることがある。この主なる原因は下地メツキに用
いるメツキ浴は金属成分濃度が１〜５ｇ／と小
さく、また濃度の最適範囲が狭いため最適条件を
はずれ易いからと孝えられる。このためストライ
クメツキ浴組成の管理には細心の注意を払つてい
る。しかしながらこのような配慮は密着性そのも
のを改善するものではなく、単にバラツキを小さ
くするための配慮に過ぎない。このため密着性そ
のものを本質的に改善する何らかの手段が必要で
あることが痛感されていた。
本発明者らは上記要請に応えるべくさらに多数
のメツキ条件を逐次検討した結果、メツキ電流波
形とその供給方法を組合せることによつてストラ
イクメツキをしなくても充分密着性の良好な銀メ
ツキ被膜が得られることを見出して本発明に到達
した。即ち本発明は、鉄および／またはニツケル
を含有する合金材へ銀をメツキするに際し、電解
電流としてリツプルのある直流電流を用いかつ該
電流を周期的に中断して印加することを特徴とす
る。
のメツキ条件を逐次検討した結果、メツキ電流波
形とその供給方法を組合せることによつてストラ
イクメツキをしなくても充分密着性の良好な銀メ
ツキ被膜が得られることを見出して本発明に到達
した。即ち本発明は、鉄および／またはニツケル
を含有する合金材へ銀をメツキするに際し、電解
電流としてリツプルのある直流電流を用いかつ該
電流を周期的に中断して印加することを特徴とす
る。
ここで、リツプルのある直流電流とは、三相半
波整流、三相全波整流等によつて得られる電流で
あつて、波形に小波（リツプル）または脈動を有
するものである。脈動率は三相半波で18〜21％、
三相全波で４〜4.5％となる。本発明はかかるリ
ツプルのある直流電流を周期的に中断して印加す
る。この中断の周期はON時間４〜33ミリ秒、
OFF時間1.65〜23ミリ秒の範囲内に設定し、しか
もこのON時間はOFF時間の1/2倍乃至1/2×OFF
時間＋30ミリ秒の範囲になるように設定すること
が好ましい。
波整流、三相全波整流等によつて得られる電流で
あつて、波形に小波（リツプル）または脈動を有
するものである。脈動率は三相半波で18〜21％、
三相全波で４〜4.5％となる。本発明はかかるリ
ツプルのある直流電流を周期的に中断して印加す
る。この中断の周期はON時間４〜33ミリ秒、
OFF時間1.65〜23ミリ秒の範囲内に設定し、しか
もこのON時間はOFF時間の1/2倍乃至1/2×OFF
時間＋30ミリ秒の範囲になるように設定すること
が好ましい。
リツプルのない、即ち真正の短形パレス波形の
直流電流では加熱フクレは皆無とならず、密着性
は不充分である。従つてリツプルが何らかの作用
をしていることは確かであるが、この作用が何で
あるかは未だ明らかでない。中断の周期もまたメ
ツキの密着性向上に寄与している。中断の周期が
あまり長くなると密着性が低下することからこの
ことは明らかである。またON時間がOFF時間の
１／２以下または1/2×OFF時間＋30ミリ秒以上に
なるとやはり密着性が低下することが判つた。
直流電流では加熱フクレは皆無とならず、密着性
は不充分である。従つてリツプルが何らかの作用
をしていることは確かであるが、この作用が何で
あるかは未だ明らかでない。中断の周期もまたメ
ツキの密着性向上に寄与している。中断の周期が
あまり長くなると密着性が低下することからこの
ことは明らかである。またON時間がOFF時間の
１／２以下または1/2×OFF時間＋30ミリ秒以上に
なるとやはり密着性が低下することが判つた。
リツプルのある直流電流を周基的に中断する回
路は簡単に構成し得るが、整流方式をたとえば六
相半波整流とし、リツプルの数をパルスカウンタ
ーで数えながら一定のパルス数だけON状態を保
つた後一定のパルス数だけOFFするような回路
構成にすれば比較的安価な電源回路とすることが
できる。
路は簡単に構成し得るが、整流方式をたとえば六
相半波整流とし、リツプルの数をパルスカウンタ
ーで数えながら一定のパルス数だけON状態を保
つた後一定のパルス数だけOFFするような回路
構成にすれば比較的安価な電源回路とすることが
できる。
本発明法はメツキ浴として通常のシアン浴、中
性浴何れも使用できる。本発明により、ストライ
クメツキを施さなくても密着性の良好な銀被膜が
得られ、ストライクメツキ工程を省略することが
できた。また、本発明によると従来の銀ストライ
ク銀メツキ方式に比べ銀メツキ時の陰極電流密度
（Dk）を幾分高くできることが判つた。即ち、従
来法によると最大20A／ｄm2が限度であつたDk
値を本発明法では30A／ｄm2まで高めてもメツキ
外観等が何ら変化ない。従つて本発明法によれば
ストライクメツキ工程を省略できるばかりでな
く、銀メツキ工程自体の時間短縮をももたらし得
るという予期されない効果が得られる。又、電流
波形が単純なので、比較的安価な電源回路で済む
という利点もある。
性浴何れも使用できる。本発明により、ストライ
クメツキを施さなくても密着性の良好な銀被膜が
得られ、ストライクメツキ工程を省略することが
できた。また、本発明によると従来の銀ストライ
ク銀メツキ方式に比べ銀メツキ時の陰極電流密度
（Dk）を幾分高くできることが判つた。即ち、従
来法によると最大20A／ｄm2が限度であつたDk
値を本発明法では30A／ｄm2まで高めてもメツキ
外観等が何ら変化ない。従つて本発明法によれば
ストライクメツキ工程を省略できるばかりでな
く、銀メツキ工程自体の時間短縮をももたらし得
るという予期されない効果が得られる。又、電流
波形が単純なので、比較的安価な電源回路で済む
という利点もある。
以下に本発明の実施例を示す。
実施例
二重星形六相半波整流回路と、パルスカウンタ
ー回路と、ON時間のパルス数及びOFF時間のパ
ルス数を設定するデジタルスイツチ２個で構成し
たメツキ用電源回路を噴流型部分メツキ装置に接
続した。この部分メツキ装置は閉口を有するマス
ク板と押圧板で被メツキ材を水平に挾持し、該マ
スク板の開口に向けて下方からメツキ液を噴射す
る形式の装置であつて、メツキ液の噴射と殆んど
同時に陰極となる被メツキ材と不溶性陽極との間
に通電するようになつている。メツキ浴はAg60
ｇ／、遊離シアン80ｇ／とし、浴温を60℃と
した。マスク板として５mm×７mmの開口を１列に
12ケ有するものを用い、被メツキ材として25mm×
200mmの42アロイ板を用い、42アロイ板をアルカ
リ脱脂、塩酸洗浄した後メツキに供し、平均陰極
電流密度15.5A／ｄm2で銀を約7μ電着せしめた。
銀メツキした42アロイ板を500℃で５分間加熱後、
40倍の実体顕微鏡で観察してフクレの有無とその
位置を調べて合否を判定した。
ー回路と、ON時間のパルス数及びOFF時間のパ
ルス数を設定するデジタルスイツチ２個で構成し
たメツキ用電源回路を噴流型部分メツキ装置に接
続した。この部分メツキ装置は閉口を有するマス
ク板と押圧板で被メツキ材を水平に挾持し、該マ
スク板の開口に向けて下方からメツキ液を噴射す
る形式の装置であつて、メツキ液の噴射と殆んど
同時に陰極となる被メツキ材と不溶性陽極との間
に通電するようになつている。メツキ浴はAg60
ｇ／、遊離シアン80ｇ／とし、浴温を60℃と
した。マスク板として５mm×７mmの開口を１列に
12ケ有するものを用い、被メツキ材として25mm×
200mmの42アロイ板を用い、42アロイ板をアルカ
リ脱脂、塩酸洗浄した後メツキに供し、平均陰極
電流密度15.5A／ｄm2で銀を約7μ電着せしめた。
銀メツキした42アロイ板を500℃で５分間加熱後、
40倍の実体顕微鏡で観察してフクレの有無とその
位置を調べて合否を判定した。
ON時間のパルス数とOFF時間のパルス数の設
定毎に合否をまとめて第１図に示す。第１図にお
いて、○印はフクレが全く認められなかつた場
合、△印はメツキエリアの端部に直径20μ以下の
フクレが２ケ以内であつた場合、×印はメツキエ
リアの中央部にフクレが１ケ以上存在した場合で
かつ△印の基準をも満足しない場合を示す。
定毎に合否をまとめて第１図に示す。第１図にお
いて、○印はフクレが全く認められなかつた場
合、△印はメツキエリアの端部に直径20μ以下の
フクレが２ケ以内であつた場合、×印はメツキエ
リアの中央部にフクレが１ケ以上存在した場合で
かつ△印の基準をも満足しない場合を示す。
第１図の結果からON時間のパルス数は1.5〜
10、OFF時間のパルス数は0.5〜７の範囲内でか
つON時間のパルス数はOFF時間のパルス数の1/
２乃至1/2×OFF時間パルス数＋９の範囲が適当
であることが判る。これを時間に換算すると、１
パルス3.33ミリ秒であるから、ON時間は４〜33
ミリ秒、OFF時間は1.65〜23ミリ秒でかつON時
間はOFF時間の1/2乃至1/2×OFF時間＋30ミリ
秒の範囲となる。
10、OFF時間のパルス数は0.5〜７の範囲内でか
つON時間のパルス数はOFF時間のパルス数の1/
２乃至1/2×OFF時間パルス数＋９の範囲が適当
であることが判る。これを時間に換算すると、１
パルス3.33ミリ秒であるから、ON時間は４〜33
ミリ秒、OFF時間は1.65〜23ミリ秒でかつON時
間はOFF時間の1/2乃至1/2×OFF時間＋30ミリ
秒の範囲となる。
第１図はON時間のパルス数とOFF時間のパル
ス数の関係におけるフクレの有無の合否判定結果
を示すグラフである。
ス数の関係におけるフクレの有無の合否判定結果
を示すグラフである。
Claims (1)
- １ 鉄および／またはニツケルを含有する合金材
に銀メツキを施す方法において、電解電流として
リツプルのある直流電流を用いかつ該電流を周期
的に中断して印加することを特徴とする銀メツキ
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9158383A JPS602692A (ja) | 1983-05-26 | 1983-05-26 | 銀メツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9158383A JPS602692A (ja) | 1983-05-26 | 1983-05-26 | 銀メツキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS602692A JPS602692A (ja) | 1985-01-08 |
| JPH0148354B2 true JPH0148354B2 (ja) | 1989-10-18 |
Family
ID=14030564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9158383A Granted JPS602692A (ja) | 1983-05-26 | 1983-05-26 | 銀メツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS602692A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61186494A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 銀メツキ法 |
| KR20050019555A (ko) * | 2003-08-19 | 2005-03-03 | 주식회사 비에스텍 | 은 콜로이드 용액 생성과 동시에 은도금을 하는 방법 |
| EP1598449B1 (en) | 2004-04-26 | 2010-08-04 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Improved plating method |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58113386A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 銀めつき方法 |
-
1983
- 1983-05-26 JP JP9158383A patent/JPS602692A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58113386A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 銀めつき方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS602692A (ja) | 1985-01-08 |
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