JPH0225438B2 - - Google Patents
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- JPH0225438B2 JPH0225438B2 JP57193840A JP19384082A JPH0225438B2 JP H0225438 B2 JPH0225438 B2 JP H0225438B2 JP 57193840 A JP57193840 A JP 57193840A JP 19384082 A JP19384082 A JP 19384082A JP H0225438 B2 JPH0225438 B2 JP H0225438B2
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Landscapes
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高速銀めつき方法に関し、一層詳細に
は、銀と共析する可能性のある添加剤を含まない
浴組成のめつき浴を用い交流を重畳した電源を使
用することによつて、高純度の半光沢銀めつきが
高速で得られる高速銀めつき方法に関する。
は、銀と共析する可能性のある添加剤を含まない
浴組成のめつき浴を用い交流を重畳した電源を使
用することによつて、高純度の半光沢銀めつきが
高速で得られる高速銀めつき方法に関する。
半導体パツケージ等の電子部品に施される銀め
つきは、そのワイヤボンデイング特性や耐熱性
（耐拡散性）等の点からより高純度のものが要求
され、まためつき方法としてはより高速のものが
要求される。
つきは、そのワイヤボンデイング特性や耐熱性
（耐拡散性）等の点からより高純度のものが要求
され、まためつき方法としてはより高速のものが
要求される。
しかるに従来の光沢銀めつきにおいては、電流
密度100〜200ASDの高速が得られているものが
あるが、浴中にセレン化合物等の光沢剤としての
添加剤が混入され、これが銀と共析する関係上高
純度の銀めつきが得られず、ワイヤボンデイング
特性、耐熱性を劣化させている。
密度100〜200ASDの高速が得られているものが
あるが、浴中にセレン化合物等の光沢剤としての
添加剤が混入され、これが銀と共析する関係上高
純度の銀めつきが得られず、ワイヤボンデイング
特性、耐熱性を劣化させている。
また従来の無光沢銀めつきにおいては、電流密
度が100ASD程度の高速のものもあるようだが、
これは半導体用に使用した場合、特性が劣るため
比較的特性が安定している50ASD以下、多くは
20ASD程度の低電流密度によつて無光沢を得て
いるのが実情であり、高速化が達成されていな
い。
度が100ASD程度の高速のものもあるようだが、
これは半導体用に使用した場合、特性が劣るため
比較的特性が安定している50ASD以下、多くは
20ASD程度の低電流密度によつて無光沢を得て
いるのが実情であり、高速化が達成されていな
い。
また、この従来の無光沢銀めつきにおいても各
種添加剤が混入され、上記共析の問題が生ずるほ
か、粒子が粗いこととも相俟つて、耐熱性（耐拡
散性）、ワイヤボンデイング特性に劣る。
種添加剤が混入され、上記共析の問題が生ずるほ
か、粒子が粗いこととも相俟つて、耐熱性（耐拡
散性）、ワイヤボンデイング特性に劣る。
本発明は上記難点に鑑みてなされ、その目的と
するところは、約100ASDの高電流密度での高速
めつきが実現でき、高純度のめつきが得られ、電
子部品において耐熱性、ワイヤボンデイング特性
を向上しうる高速銀めつき方法を提供するにあ
り、その特徴とするところは、シアン化銀カリウ
ム等の銀塩と伝導度塩としてのクエン酸塩類を含
み、銀と共に共析する添加物を含まない浴成分の
銀めつき浴を用い、直流に周波数60〜600Hzの交
流を重畳した、リツプル率30〜70％の電流により
めつきを行うところにある。
するところは、約100ASDの高電流密度での高速
めつきが実現でき、高純度のめつきが得られ、電
子部品において耐熱性、ワイヤボンデイング特性
を向上しうる高速銀めつき方法を提供するにあ
り、その特徴とするところは、シアン化銀カリウ
ム等の銀塩と伝導度塩としてのクエン酸塩類を含
み、銀と共に共析する添加物を含まない浴成分の
銀めつき浴を用い、直流に周波数60〜600Hzの交
流を重畳した、リツプル率30〜70％の電流により
めつきを行うところにある。
本発明は、単純な浴組成、すなわち銀と共析す
る可能性のある添加物を含まない銀塩と単純な伝
導度塩からなるめつき浴を用い、直流ではめつき
欠陥を与える浴を、通常技術のように添加剤によ
らず、電流波形を工夫することにより、40〜
100ASDの高い電流密度の高速めつきが行え、
GAMデンシトメータで0.4〜0.8の半光沢で、し
かも高純度の銀めつき被膜が得られるものであ
る。銀塩としてはシアン化銀カリウム、ヨウ化
銀、チオシアン酸銀、硝酸銀等が有効に使用し得
る。また伝導度塩としてはクエン酸と水酸化カリ
ウム、クエン酸三カリウム、クエン酸三ナトリウ
ム等のクエン酸塩類が好適である。用いる電源は
極めて重要であり、第１図ａ，ｂ，ｃに示すごと
くリツプル率30〜70％、周波数60〜600Hzの範囲
の調整のきく電源を用いることで良好な半光沢銀
めつきが得られる。リツプル率が小さいほど直流
に近づくため、30％以下ではめつき欠陥を与え
る。
る可能性のある添加物を含まない銀塩と単純な伝
導度塩からなるめつき浴を用い、直流ではめつき
欠陥を与える浴を、通常技術のように添加剤によ
らず、電流波形を工夫することにより、40〜
100ASDの高い電流密度の高速めつきが行え、
GAMデンシトメータで0.4〜0.8の半光沢で、し
かも高純度の銀めつき被膜が得られるものであ
る。銀塩としてはシアン化銀カリウム、ヨウ化
銀、チオシアン酸銀、硝酸銀等が有効に使用し得
る。また伝導度塩としてはクエン酸と水酸化カリ
ウム、クエン酸三カリウム、クエン酸三ナトリウ
ム等のクエン酸塩類が好適である。用いる電源は
極めて重要であり、第１図ａ，ｂ，ｃに示すごと
くリツプル率30〜70％、周波数60〜600Hzの範囲
の調整のきく電源を用いることで良好な半光沢銀
めつきが得られる。リツプル率が小さいほど直流
に近づくため、30％以下ではめつき欠陥を与え
る。
なおリツプル率は100×Ｂ／Ａ（第１図）で定義
する。
する。
添加剤は必ずしも必要としないが、銀と共析を
起こさない、アルキル基もしくはアリル基を有す
るピリジニウムスルホン酸、例えばベンジルピリ
ジニウムスルホン酸を添加剤として用いることが
できる。
起こさない、アルキル基もしくはアリル基を有す
るピリジニウムスルホン酸、例えばベンジルピリ
ジニウムスルホン酸を添加剤として用いることが
できる。
以下、本発明の実施例について説明する。
比較例 １
シアン化銀カリウム 130ｇ／
クエン酸三カリウム 100ｇ／
PH 9.0
温 度 70℃
陽 極 白金鍍金チタン板
電 源 直流電源
上記の浴、電源を用いてジエツトめつきをした
場合、銅材または銅めつきした材料上に、
40ASDまでは無光沢銀めつきを与え40〜80ASD
の範囲でヤケが生じた。80〜90ASDでは良好な
半光沢銀めつきが得られ、90ASDからは再びヤ
ケが始まつた。10ASD程度の範囲では実用上不
十分で使用できない。
場合、銅材または銅めつきした材料上に、
40ASDまでは無光沢銀めつきを与え40〜80ASD
の範囲でヤケが生じた。80〜90ASDでは良好な
半光沢銀めつきが得られ、90ASDからは再びヤ
ケが始まつた。10ASD程度の範囲では実用上不
十分で使用できない。
実施例 １
シアン化銀カリウム 130ｇ／
クエン酸三カリウム 100ｇ／
PH 9.0
温 度 70℃
陽 極 白金鍍金チタン板
電 源 リツプル率30％ 周波数600Hz
上記の浴、電源を用いてジエツトめつきをした
場合、銅材または銅めつきした材料上に40ASD
以下では無光沢めつきが得られ40〜100ASDの電
流密度範囲で密着のよい良好な半光沢銀めつきが
得られた。GAMのデンシトメーターによると光
沢度は0.5であつた。
場合、銅材または銅めつきした材料上に40ASD
以下では無光沢めつきが得られ40〜100ASDの電
流密度範囲で密着のよい良好な半光沢銀めつきが
得られた。GAMのデンシトメーターによると光
沢度は0.5であつた。
実施例 ２
シアン化銀カリウム 130ｇ／
クエン酸三カリウム 100ｇ／
ベンジルピリジニウムスルフオン酸 ２ｇ／
PH 9.0
温 度 70℃
陽 極 白金鍍金チタン板
電 源 リツプル率50％ 周波数120Hz
上記の浴、電源を用いてジエツトめつきをした
場合、光沢度が0.7に増し、めつき外観への影響
が見られた。ベンジルピリジニウムスルフオン酸
の代りにメチルピリジニウムスルフオン酸、エチ
ルピリジニウムスルフオン酸、プロピルピリジニ
ウムスルフオン酸を用いても同様の結果が得られ
た。
場合、光沢度が0.7に増し、めつき外観への影響
が見られた。ベンジルピリジニウムスルフオン酸
の代りにメチルピリジニウムスルフオン酸、エチ
ルピリジニウムスルフオン酸、プロピルピリジニ
ウムスルフオン酸を用いても同様の結果が得られ
た。
なお、良好な半光沢めつきを与えるリツプル
率、周波数の範囲は、上記各実施例においてそれ
ぞれ30〜70％、60〜600Hzであつた。また、現在
銅上への銀の置換析出を押える薬品が市販されて
おり、AGRプレデイツプ液（日本高純度化学）、
スーパーデイツプ（日本エンゲルハルト製）につ
いて調査したところ、めつき前に試料を溶液にプ
レデイツプし、置換防止操作を前処理として行な
うことで下地の銅上への銀置換を防ぐことができ
た。
率、周波数の範囲は、上記各実施例においてそれ
ぞれ30〜70％、60〜600Hzであつた。また、現在
銅上への銀の置換析出を押える薬品が市販されて
おり、AGRプレデイツプ液（日本高純度化学）、
スーパーデイツプ（日本エンゲルハルト製）につ
いて調査したところ、めつき前に試料を溶液にプ
レデイツプし、置換防止操作を前処理として行な
うことで下地の銅上への銀置換を防ぐことができ
た。
以上のように本発明方法によれば、基本浴とし
て銀と共析する可能性のある添加物を含めない、
銀塩とクエン酸塩類の単純な浴組成とし、これを
通常の直流ではめつき欠陥が生じるのを、交流を
重畳した電流を用いることによつて初めて実用化
したものであり、40〜100ASDの高電流密度によ
る高速めつきが達成でき、また銀との共析のない
高純度の半光沢銀めつきが得られるという著効を
奏する。この半光沢銀めつきについては、ワイヤ
ボンデイング特性、耐熱性に優れ、半導体電子部
品の銀めつきとして有効である。
て銀と共析する可能性のある添加物を含めない、
銀塩とクエン酸塩類の単純な浴組成とし、これを
通常の直流ではめつき欠陥が生じるのを、交流を
重畳した電流を用いることによつて初めて実用化
したものであり、40〜100ASDの高電流密度によ
る高速めつきが達成でき、また銀との共析のない
高純度の半光沢銀めつきが得られるという著効を
奏する。この半光沢銀めつきについては、ワイヤ
ボンデイング特性、耐熱性に優れ、半導体電子部
品の銀めつきとして有効である。
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説
明したが、本発明はこの実施例に限定されるもの
ではなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多く
の改変を施し得るのはもちろんのことである。
明したが、本発明はこの実施例に限定されるもの
ではなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多く
の改変を施し得るのはもちろんのことである。
第１図ａ，ｂ，ｃはリツプル率を30％、50％、
70％とした電流波形を示す。
70％とした電流波形を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ シアン化銀カリウム等の銀塩と伝導度塩とし
てのクエン酸塩類を含み、銀と共に共析する添加
物を含まない浴成分の銀めつき浴を用い、直流に
周波数60〜600Hzの交流を重畳した、リツプル率
30〜70％の電流によりめつきを行うことを特徴と
する高速銀めつき方法。 ２ 銀めつき浴がアルキル基もしくはアリル基を
有するピリジニウムスルホン酸を含むことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の高速銀めつき
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19384082A JPS5983788A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 高速銀めつき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19384082A JPS5983788A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 高速銀めつき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5983788A JPS5983788A (ja) | 1984-05-15 |
| JPH0225438B2 true JPH0225438B2 (ja) | 1990-06-04 |
Family
ID=16314607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19384082A Granted JPS5983788A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 高速銀めつき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5983788A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03117627U (ja) * | 1990-03-19 | 1991-12-05 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62149895A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-07-03 | Hitachi Cable Ltd | リ−ドフレ−ムの金めつき方法 |
| US10458032B2 (en) * | 2017-06-15 | 2019-10-29 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Environmentally friendly nickel electroplating compositions and methods |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57110688A (en) * | 1980-11-10 | 1982-07-09 | Hooker Chemicals Plastics Corp | High speed silver plating composition and method |
-
1982
- 1982-11-04 JP JP19384082A patent/JPS5983788A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57110688A (en) * | 1980-11-10 | 1982-07-09 | Hooker Chemicals Plastics Corp | High speed silver plating composition and method |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03117627U (ja) * | 1990-03-19 | 1991-12-05 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5983788A (ja) | 1984-05-15 |
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