JPS5983788A - 高速銀めつき方法 - Google Patents
高速銀めつき方法Info
- Publication number
- JPS5983788A JPS5983788A JP19384082A JP19384082A JPS5983788A JP S5983788 A JPS5983788 A JP S5983788A JP 19384082 A JP19384082 A JP 19384082A JP 19384082 A JP19384082 A JP 19384082A JP S5983788 A JPS5983788 A JP S5983788A
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- JP
- Japan
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- silver
- plating
- citrate
- bath
- speed
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- Granted
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高速銀めっき方法に関し、一層詳細には、銀と
共析する可能性のある添加剤を含まない浴組成のめつき
浴を用い交流を重畳した電源を使用することによって、
高純度の半光沢銀めっきが高速で得られる高速銀めっき
方法に関する。
共析する可能性のある添加剤を含まない浴組成のめつき
浴を用い交流を重畳した電源を使用することによって、
高純度の半光沢銀めっきが高速で得られる高速銀めっき
方法に関する。
半導体パッケージ等の電子部品に施される銀めっきは、
そのワイヤボンディング特性や耐熱性（耐拡散性）等の
点からより高純度のものが要求され、まためっき方法と
してはより高速のものが要求される。
そのワイヤボンディング特性や耐熱性（耐拡散性）等の
点からより高純度のものが要求され、まためっき方法と
してはより高速のものが要求される。
しかるに従来の光沢銀めっきにおいては、電流密度１０
０〜２００ＡＳＤの高速が得られているものがあるが、
洛中に光沢剤としての添加剤が混入さね、これが銀と共
析する関係上高純度の銀めっきが得られず、ワイヤボン
ディング特性、耐熱性を劣化させている。
０〜２００ＡＳＤの高速が得られているものがあるが、
洛中に光沢剤としての添加剤が混入さね、これが銀と共
析する関係上高純度の銀めっきが得られず、ワイヤボン
ディング特性、耐熱性を劣化させている。
また従来の無光沢銀めっきにおいては、電流密度が１０
０ＡｓＤ程度の高速のものもあるようだが、これは半導
体用に使用した場合、特性が劣るため比較的特性が安定
している５０ＡＳＤ以下、多くは２０ＡＳＤ程度の低電
流密度によって無光沢を得ているのが実情であり、高速
化が達成されていない。
０ＡｓＤ程度の高速のものもあるようだが、これは半導
体用に使用した場合、特性が劣るため比較的特性が安定
している５０ＡＳＤ以下、多くは２０ＡＳＤ程度の低電
流密度によって無光沢を得ているのが実情であり、高速
化が達成されていない。
また、この従来の無光沢銀めっきにおいても各種添加剤
が混入され、上記共析の問題が生ずるほか、粒子が粗い
こととも相俟って、耐熱性（耐拡散性）、ワイヤボンデ
ィング特性に劣る。
が混入され、上記共析の問題が生ずるほか、粒子が粗い
こととも相俟って、耐熱性（耐拡散性）、ワイヤボンデ
ィング特性に劣る。
本発明は上記郁点に鑑みてなされ、その目的とするとこ
ろは、約１００ＡｓＤの高電流密度での高速めつきが実
現でき、高純度のめっきが得られ、電子部品において耐
熱性、ワイヤボンディング特性を向上しうる高速銀めっ
き方法を提供するにあリ、その特徴とするところは、シ
アン化銀カリウム等の銀塩とクエン酸塩類とを浴成分と
し、必要に応して銀と共析することのない添加物を加え
ためつき浴を用い、交流を重畳した電流によりめっきを
行うところにある。
ろは、約１００ＡｓＤの高電流密度での高速めつきが実
現でき、高純度のめっきが得られ、電子部品において耐
熱性、ワイヤボンディング特性を向上しうる高速銀めっ
き方法を提供するにあリ、その特徴とするところは、シ
アン化銀カリウム等の銀塩とクエン酸塩類とを浴成分と
し、必要に応して銀と共析することのない添加物を加え
ためつき浴を用い、交流を重畳した電流によりめっきを
行うところにある。
本発明は、単純な浴組成、すなわち銀と共析する可能性
のある添加物を含まない銀塩と単純な伝導度塩からなる
めっき浴を用い、直流ではめつき欠陥を与える浴を、通
常技術のように添加剤によらず、電流波形を工夫するこ
とにより、４０〜１００Ａ Ｓ Ｄの高い電流密度の高
速めつきが行え、Ｇ Ａ Ｍデンシトメータで０．４〜
０．８の半光沢で、シカも高純度の銀めっき被膜が得ら
れるものである。
のある添加物を含まない銀塩と単純な伝導度塩からなる
めっき浴を用い、直流ではめつき欠陥を与える浴を、通
常技術のように添加剤によらず、電流波形を工夫するこ
とにより、４０〜１００Ａ Ｓ Ｄの高い電流密度の高
速めつきが行え、Ｇ Ａ Ｍデンシトメータで０．４〜
０．８の半光沢で、シカも高純度の銀めっき被膜が得ら
れるものである。
銀塩としてはシアン化銀カリウム、ヨウ化銀、チオシア
ン酸銀、硝酸銀等が有効に使用し得る。また伝導度塩と
してはクエン酸と水酸化カリウム。
ン酸銀、硝酸銀等が有効に使用し得る。また伝導度塩と
してはクエン酸と水酸化カリウム。
クエン酸三カリウム、クエン酸三ナトリウム等のクエン
酸塩類が好適である。用いる電源は極めて重要であり、
第１図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）に示すごとくリップル率
３０〜７０％２周波数６０〜６００Ｈｚの範囲の調整の
きく電源を用いることで良好な半光沢銀めっきが得られ
る。リップル率が小さいほど直流に近づくため、３０％
以下ではめつき欠陥を与える。
酸塩類が好適である。用いる電源は極めて重要であり、
第１図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）に示すごとくリップル率
３０〜７０％２周波数６０〜６００Ｈｚの範囲の調整の
きく電源を用いることで良好な半光沢銀めっきが得られ
る。リップル率が小さいほど直流に近づくため、３０％
以下ではめつき欠陥を与える。
なお添加剤（ま必ずしも必要としないが、場合によって
は銀と共析を起こさないもの、例えばベンジルピリジニ
ウムスル７オン酸あるいはこれと同等のものを用いるこ
とができる。
は銀と共析を起こさないもの、例えばベンジルピリジニ
ウムスル７オン酸あるいはこれと同等のものを用いるこ
とができる。
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１
シアン化銀カリウム １３０ｇ／ｌクエ
ン酸三カリウム ｌｏｏｇ／７ＰＨ９
，０ 濡度 ７０’Ｃ陽
極 白金銭金チタン板電源
直流電源上記の浴、電源を用いて
ジェットめっきをしだな半光沢銀めっきが得られ、９０
ＡＳＤからは再びヤケが始まった。ｌ０ＡｓＤ程度の範
囲では実用上不十分で使用できない。
ン酸三カリウム ｌｏｏｇ／７ＰＨ９
，０ 濡度 ７０’Ｃ陽
極 白金銭金チタン板電源
直流電源上記の浴、電源を用いて
ジェットめっきをしだな半光沢銀めっきが得られ、９０
ＡＳＤからは再びヤケが始まった。ｌ０ＡｓＤ程度の範
囲では実用上不十分で使用できない。
実施例２
シアン化銀カリウム １３０ ｇ ／
Ｊクエン酸三カリウム １’ｏｏｇ／ｚ
ＰＨ、９，０ 温度 ７０°Ｃ陽
極 白金恢αチタン板電源
リップル率 ３０％ 周波数 ６００ Ｈｚ上記
の浴、電源を用いてジェットめっきをした場合、鋼材ま
たは銅めっきした材層上に４０ＡＳＤ以下では缶光沢め
っきが得られ４０〜１００ＡｓＤの電流密度範囲で密着
のよい良好な半光沢銀めっきが得られた。Ｇ ＡＭのテ
ンシトメーターによると光沢度は０．５であった。
Ｊクエン酸三カリウム １’ｏｏｇ／ｚ
ＰＨ、９，０ 温度 ７０°Ｃ陽
極 白金恢αチタン板電源
リップル率 ３０％ 周波数 ６００ Ｈｚ上記
の浴、電源を用いてジェットめっきをした場合、鋼材ま
たは銅めっきした材層上に４０ＡＳＤ以下では缶光沢め
っきが得られ４０〜１００ＡｓＤの電流密度範囲で密着
のよい良好な半光沢銀めっきが得られた。Ｇ ＡＭのテ
ンシトメーターによると光沢度は０．５であった。
実施例３
シアン化銀カリウム １３０ ｇ ／
ｔ。
ｔ。
クエン酸三カリウム １００ ｇ ／
ｉベンジルピリジニウムスルフォン酸 ２ｇ／ＩＰＨ
９，Ｑ 温度 ヮ。
ｉベンジルピリジニウムスルフォン酸 ２ｇ／ＩＰＨ
９，Ｑ 温度 ヮ。
・。
陽極 白金鍍金チタン板電源
リップル率 ５０％ 周波数 １２０ Ｈｚ上
記の浴、電源を用いてジェットめっきをした場合、光沢
度が０．７に増し、めっき外観への影響が見られた。ベ
ンジルピリジニウムスル７オン酸の代りにメチルピリジ
ニウムスルフォン酸、エチルピリジニウムスルフォン酸
、プロピルピリジニウムスル７オン酸を用いても同様の
結果が得うれた。
リップル率 ５０％ 周波数 １２０ Ｈｚ上
記の浴、電源を用いてジェットめっきをした場合、光沢
度が０．７に増し、めっき外観への影響が見られた。ベ
ンジルピリジニウムスル７オン酸の代りにメチルピリジ
ニウムスルフォン酸、エチルピリジニウムスルフォン酸
、プロピルピリジニウムスル７オン酸を用いても同様の
結果が得うれた。
なお、良好な半光沢めっきを与えるリップル率。
周波数の範囲は、上記各実施例においてそれぞれ３０〜
７０％、６０〜６００ Ｈｚであった。また、現在鋼上
への銀の置換析出を押える薬品が市販されており、ＡＧ
Ｒプレディップ液（日本高純度化学）。
７０％、６０〜６００ Ｈｚであった。また、現在鋼上
への銀の置換析出を押える薬品が市販されており、ＡＧ
Ｒプレディップ液（日本高純度化学）。
スーパーディップ（日本エンゲル−ハルト製）について
調査したところ、めっき前に試料を溶液にプレディップ
し、置換防止操作を前処理として行うことで下地の鋼上
への銀置換を防ぐことができた。
調査したところ、めっき前に試料を溶液にプレディップ
し、置換防止操作を前処理として行うことで下地の鋼上
への銀置換を防ぐことができた。
以上のように本発明方法によれば、基本浴として銀と共
析する可能性のある添加物を含めない、銀塩とクエン酸
塩類の単純な浴組成とし、これを通常の直流ではめつき
欠陥が生じるのを、交流を重畳した電流を用いることに
よって初めて実用化したものであり、４０〜１００Ａｓ
Ｄの高電流密度による高速めつきが達成でき、また銀と
の共析のない高純変の半光沢銀めっきが得られるという
著効を奏する。この半光沢銀めっきについては、ワイヤ
ボンディング特性、耐熱性に優れ、半導体電子部品の銀
めっきとして有効である。
析する可能性のある添加物を含めない、銀塩とクエン酸
塩類の単純な浴組成とし、これを通常の直流ではめつき
欠陥が生じるのを、交流を重畳した電流を用いることに
よって初めて実用化したものであり、４０〜１００Ａｓ
Ｄの高電流密度による高速めつきが達成でき、また銀と
の共析のない高純変の半光沢銀めっきが得られるという
著効を奏する。この半光沢銀めっきについては、ワイヤ
ボンディング特性、耐熱性に優れ、半導体電子部品の銀
めっきとして有効である。
以」二本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明した
が、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発
明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るの
はもちろんのことである。
が、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発
明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るの
はもちろんのことである。
第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はリップル率を３０％、
５０％、７０％とした電流波形を示す。 特許出願人
５０％、７０％とした電流波形を示す。 特許出願人
Claims (1)
- １、シアン化銀カリウム等の銀塩とクエン酸塩類とを浴
成分とし、必要に応じて銀と共析することのない添加物
を加えためつき浴を用い、交流を重畳した電流によりめ
っきを行うことを特徴とする高速銀めっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19384082A JPS5983788A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 高速銀めつき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19384082A JPS5983788A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 高速銀めつき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5983788A true JPS5983788A (ja) | 1984-05-15 |
| JPH0225438B2 JPH0225438B2 (ja) | 1990-06-04 |
Family
ID=16314607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19384082A Granted JPS5983788A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 高速銀めつき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5983788A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62149895A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-07-03 | Hitachi Cable Ltd | リ−ドフレ−ムの金めつき方法 |
| EP3431633A1 (en) * | 2017-06-15 | 2019-01-23 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Environmentally friendly nickel electroplating compositions and methods |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03117627U (ja) * | 1990-03-19 | 1991-12-05 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57110688A (en) * | 1980-11-10 | 1982-07-09 | Hooker Chemicals Plastics Corp | High speed silver plating composition and method |
-
1982
- 1982-11-04 JP JP19384082A patent/JPS5983788A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57110688A (en) * | 1980-11-10 | 1982-07-09 | Hooker Chemicals Plastics Corp | High speed silver plating composition and method |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62149895A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-07-03 | Hitachi Cable Ltd | リ−ドフレ−ムの金めつき方法 |
| JPH0553878B2 (ja) * | 1985-12-23 | 1993-08-11 | Hitachi Cable | |
| EP3431633A1 (en) * | 2017-06-15 | 2019-01-23 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Environmentally friendly nickel electroplating compositions and methods |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0225438B2 (ja) | 1990-06-04 |
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