JP2572090B2 - 電解ニッケルめっき浴 - Google Patents
電解ニッケルめっき浴Info
- Publication number
- JP2572090B2 JP2572090B2 JP32203787A JP32203787A JP2572090B2 JP 2572090 B2 JP2572090 B2 JP 2572090B2 JP 32203787 A JP32203787 A JP 32203787A JP 32203787 A JP32203787 A JP 32203787A JP 2572090 B2 JP2572090 B2 JP 2572090B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nickel
- bath
- plating bath
- nickel plating
- metaborate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は均一電着性に優れ、かつ高速性が達成される
電解ニッケルめっき浴に関するものである。
電解ニッケルめっき浴に関するものである。
（背景技術） 電子部品等は、近年ますます製品の形状が小型化、複
雑化してきている。また機能特性の一層の向上が要求さ
れ、めっき分野においても金めっき等の各種機能めっき
の下地となるニッケルめっきのめっき厚のバラツキは、
MIL規格（金めっきの下地ではニッケル厚が1.2μｍ〜8.
4μｍ）並あるいはそれ以上、例えばめっき厚のバラツ
キを±50％以内に納めるというように厳しい条件が要求
されている。
雑化してきている。また機能特性の一層の向上が要求さ
れ、めっき分野においても金めっき等の各種機能めっき
の下地となるニッケルめっきのめっき厚のバラツキは、
MIL規格（金めっきの下地ではニッケル厚が1.2μｍ〜8.
4μｍ）並あるいはそれ以上、例えばめっき厚のバラツ
キを±50％以内に納めるというように厳しい条件が要求
されている。
現在ニッケルめっき浴の主流はワット浴あるいはスル
ファミン酸浴である。
ファミン酸浴である。
ワット浴の浴組成は例えば、 硫酸ニッケル 300g/l 塩化ニッケル 40g/l ホウ酸 40g/l であり、スルファミン酸浴の浴組成は例えば、 スルファミン酸ニッケル 300g/l 塩化ニッケル 40g/l ホウ酸 40g/l である。
この両浴は電気伝導度塩濃度に対するニッケル濃度の
比率が極めて高いという特徴を有し、使用電流密度が４
〜10A/dm2と高くとれ、高速性に優れ作業性が良いとい
う利点がある。
比率が極めて高いという特徴を有し、使用電流密度が４
〜10A/dm2と高くとれ、高速性に優れ作業性が良いとい
う利点がある。
しかしながら上記のワット浴あるいはスルファミン酸
浴は、めっきのつきまわり、均一電着性が悪く、前述の
ように被めっき物の形状が小型化、複雑化すると膜厚の
バラツキが大きくなり、厚い所と薄い所とでは10数倍も
の差がでてしまう。
浴は、めっきのつきまわり、均一電着性が悪く、前述の
ように被めっき物の形状が小型化、複雑化すると膜厚の
バラツキが大きくなり、厚い所と薄い所とでは10数倍も
の差がでてしまう。
この均一電着性を改善するため発明者は種々検討した
結果、ハロゲン化ニッケル等のニッケル源と、硫酸、ス
ルファミン酸、メタンスルホン酸のアルカリ塩からなる
電気伝導度塩と、緩衝剤との３成分系であって、金属ニ
ッケルと電気伝導度塩とのモル比が1:2以上である電解
ニッケルめっき浴を開発し、既に特許出願している（特
願昭61-223324号）。
結果、ハロゲン化ニッケル等のニッケル源と、硫酸、ス
ルファミン酸、メタンスルホン酸のアルカリ塩からなる
電気伝導度塩と、緩衝剤との３成分系であって、金属ニ
ッケルと電気伝導度塩とのモル比が1:2以上である電解
ニッケルめっき浴を開発し、既に特許出願している（特
願昭61-223324号）。
この電解ニッケルめっき浴によれば均一電着性が大幅
に改善された。しかし一方では使用電流密度が最大2A/d
m2程度しかとれず、作業性に劣る問題点がある。
に改善された。しかし一方では使用電流密度が最大2A/d
m2程度しかとれず、作業性に劣る問題点がある。
そこで本発明では上記電解ニッケル浴をさらに改善
し、優れた均一電着性を維持してなおかつ高電流密度が
とれ、作業性に優れる電解ニッケルめっき浴を提供する
ことを目的としている。
し、優れた均一電着性を維持してなおかつ高電流密度が
とれ、作業性に優れる電解ニッケルめっき浴を提供する
ことを目的としている。
（発明の概要） 上記目的による本発明の電解ニッケルめっき浴では、
塩化ニッケル、臭化ニッケル等のニッケル源と、硫酸、
スルファミン酸またはメタンスルホン酸等のアルカリ塩
からなり、前記ニッケル源の金属ニッケルに対してモル
比で1:2以上の電気伝導度塩と、メタホウ酸塩とを含む
ことを特徴としている。
塩化ニッケル、臭化ニッケル等のニッケル源と、硫酸、
スルファミン酸またはメタンスルホン酸等のアルカリ塩
からなり、前記ニッケル源の金属ニッケルに対してモル
比で1:2以上の電気伝導度塩と、メタホウ酸塩とを含む
ことを特徴としている。
ニッケル源および陽極溶解促進剤として塩化ニッケ
ル、臭化ニッケル等のハロゲン化ニッケルを用いるのが
好適であるが、ニッケル源を硫酸ニッケルまたはスルフ
ァミン酸ニッケルとし、塩化ナトリウム、臭化カリウム
等のハロゲン化物とを合わせて用いてもよい。ニッケル
塩濃度は金属ニッケルとして0.01M/l〜1M/lとするが、
0.1M/l〜0.4M/l程度が好適である。これは前述のワット
浴、スルファミン酸浴が金属ニッケルとして1.7m/l前後
であるのに比してかなり低い。電気伝導度塩としては硫
酸ナトリウム等の硫酸のアルカリ塩、スルファミン酸ナ
トリウム、スルファミン酸カリウム等のスルファミン酸
のアルカリ塩またはメタンスルホン酸カリウムなどのメ
タンスルホン酸のアルカリ塩が好適である。
ル、臭化ニッケル等のハロゲン化ニッケルを用いるのが
好適であるが、ニッケル源を硫酸ニッケルまたはスルフ
ァミン酸ニッケルとし、塩化ナトリウム、臭化カリウム
等のハロゲン化物とを合わせて用いてもよい。ニッケル
塩濃度は金属ニッケルとして0.01M/l〜1M/lとするが、
0.1M/l〜0.4M/l程度が好適である。これは前述のワット
浴、スルファミン酸浴が金属ニッケルとして1.7m/l前後
であるのに比してかなり低い。電気伝導度塩としては硫
酸ナトリウム等の硫酸のアルカリ塩、スルファミン酸ナ
トリウム、スルファミン酸カリウム等のスルファミン酸
のアルカリ塩またはメタンスルホン酸カリウムなどのメ
タンスルホン酸のアルカリ塩が好適である。
均一電着性は金属ニッケルに対する電気伝導度塩のモ
ル比が高ければ高い程優れているが、このモル比が高く
なる程電流密度が高くとれなくなり、高速性に劣るの
で、電気伝導度塩濃度は、このモル比で1:2以上であま
り高くないほうが好ましい。またPHも高い方が均一電着
性に優れる傾向が見られたが、あまり高いと加熱による
めっきのフクレ等が生じやすいのでPHは４〜５程度が好
ましい。
ル比が高ければ高い程優れているが、このモル比が高く
なる程電流密度が高くとれなくなり、高速性に劣るの
で、電気伝導度塩濃度は、このモル比で1:2以上であま
り高くないほうが好ましい。またPHも高い方が均一電着
性に優れる傾向が見られたが、あまり高いと加熱による
めっきのフクレ等が生じやすいのでPHは４〜５程度が好
ましい。
本発明において特徴とするところは、上記のニッケル
源と電気伝導度塩を含む浴にメタホウ酸塩を添加した浴
組成としたところにある。このメタホウ酸塩の添加量は
10g/l〜飽和までが良好であるが、緩衝剤としてのホウ
酸を併用添加する場合は、0.01g/l〜飽和までが有効で
ある。
源と電気伝導度塩を含む浴にメタホウ酸塩を添加した浴
組成としたところにある。このメタホウ酸塩の添加量は
10g/l〜飽和までが良好であるが、緩衝剤としてのホウ
酸を併用添加する場合は、0.01g/l〜飽和までが有効で
ある。
上記の浴組成によって優れた均一電着性が得られると
共に、使用電流密度も最大8A/dm2程度の高電流密度がと
れ、高速性が達成され、作業性の大幅改善を図れた。
共に、使用電流密度も最大8A/dm2程度の高電流密度がと
れ、高速性が達成され、作業性の大幅改善を図れた。
なお上記の浴組成をベースとして種々の添加剤を添加
しうることはもちろんである。
しうることはもちろんである。
例えば界面活性剤を添加して光沢ニッケルめっき浴に
することもできるし、ホウ素源を添加することによって
電解ニッケル−ホウ素合金メッキ浴にすることも、また
タングステン酸ナトリウムを加えて電解ニッケル−タン
グステン合金めっき浴とすることもできる。
することもできるし、ホウ素源を添加することによって
電解ニッケル−ホウ素合金メッキ浴にすることも、また
タングステン酸ナトリウムを加えて電解ニッケル−タン
グステン合金めっき浴とすることもできる。
以下に具体的な実施例を示す。
実施例 １ 臭化ニッケル 0.25M/l ホウ酸 0.75M/l 硫酸ナトリウム 0.5 M/l 上記浴にメタホウ酸ナトリウムを0g/l、10g/l、20g/
l、40g/l、80g/l添加した浴で最大電流密度を調べたと
ころ表１のようになった。
l、40g/l、80g/l添加した浴で最大電流密度を調べたと
ころ表１のようになった。
上記のようにメタホウ酸ナトリウムの添加量が0g/lの
ときは最大電流密度が1.8A/dm2しかとれないが、10g/l
添加すると２倍の3.6A/dm2までとれるようになり、80g/
l添加時には8A/dm2という高電流密度がとれるようにな
った。
ときは最大電流密度が1.8A/dm2しかとれないが、10g/l
添加すると２倍の3.6A/dm2までとれるようになり、80g/
l添加時には8A/dm2という高電流密度がとれるようにな
った。
なおホウ酸は緩衝剤として作用するがメタホウ酸ナト
リウムで代替えすることもできる。この場合使用最大電
流密度を上げるにはメタホウ酸ナトリウムの添加量を多
くする必要がある。
リウムで代替えすることもできる。この場合使用最大電
流密度を上げるにはメタホウ酸ナトリウムの添加量を多
くする必要がある。
なおニッケル源として臭化ニッケルの他に、塩化ニッ
ケル、硫酸ニッケル＋塩化ナトリウムを、また電気伝導
度塩として硫酸ナトリウムの他にスルファミン酸ナトリ
ウム、メタンスルホン酸ナトリウムを用いたところ、得
られる最大電流密度はほぼ上記と同様の結果となった。
ケル、硫酸ニッケル＋塩化ナトリウムを、また電気伝導
度塩として硫酸ナトリウムの他にスルファミン酸ナトリ
ウム、メタンスルホン酸ナトリウムを用いたところ、得
られる最大電流密度はほぼ上記と同様の結果となった。
均一電着性は使用するニッケル源と電気伝導度塩の種
類およびその組成比に負う所が大きいが、金属ニッケル
濃度に対する電気伝導度塩の比が1:2以上の場合にいず
れも良好な均一電着性が得られた。
類およびその組成比に負う所が大きいが、金属ニッケル
濃度に対する電気伝導度塩の比が1:2以上の場合にいず
れも良好な均一電着性が得られた。
表２に種々の組成に対する均一電着性を調べた結果を
示す。
示す。
表２から明らかなようにいずれも優れた均一電着性が
得られた。因みに従来のワット浴における均一電着性は
同様の方法により求めたところ−３％であった。
得られた。因みに従来のワット浴における均一電着性は
同様の方法により求めたところ−３％であった。
実施例 ２ 臭化ニッケル 0.25M/l 硫酸ナトリウム 0.5 M/l ホウ酸 0.75M/l メタホウ酸ナトリウム 80g/l 上記浴を用い、PH4.0、55℃、4A/dm2で第１図のよう
な半導体装置用セラミックパッケージに４μｍねらいで
ラック法でニッケルめっきを施した。ステージ部10、イ
ンナーリード部12、シールリング部14のニッケルめっき
厚は3.5μｍ、4.7μｍ、4.4μｍとなった。同じセラミ
ックパッケージにワット浴を用いてラック法でニッケル
めっきを施したところ、ステージ部、インナーリード
部、シールリング部は3.0μｍ、9.1μｍ、74μｍとなっ
た。このように上記浴を用いた場合ニッケルを均一にめ
っきできることがわかる。
な半導体装置用セラミックパッケージに４μｍねらいで
ラック法でニッケルめっきを施した。ステージ部10、イ
ンナーリード部12、シールリング部14のニッケルめっき
厚は3.5μｍ、4.7μｍ、4.4μｍとなった。同じセラミ
ックパッケージにワット浴を用いてラック法でニッケル
めっきを施したところ、ステージ部、インナーリード
部、シールリング部は3.0μｍ、9.1μｍ、74μｍとなっ
た。このように上記浴を用いた場合ニッケルを均一にめ
っきできることがわかる。
Ni塩として塩化ニッケル、電気伝導塩としてスルファ
ミン酸ナトリウムを使用した場合も、ステージ部、イン
ナーリード部、シールリング部のニッケルめっき厚は3.
4μｍ、4.8μｍ、4.4μｍとなり上記浴と同程度のバラ
ツキであった。また得られたニッケルめっき上に金めっ
きを施し、ダイ付け性、ワイヤーボンディング性、耐熱
性を調べたが何ら問題はなかった。
ミン酸ナトリウムを使用した場合も、ステージ部、イン
ナーリード部、シールリング部のニッケルめっき厚は3.
4μｍ、4.8μｍ、4.4μｍとなり上記浴と同程度のバラ
ツキであった。また得られたニッケルめっき上に金めっ
きを施し、ダイ付け性、ワイヤーボンディング性、耐熱
性を調べたが何ら問題はなかった。
（発明の効果） 以上のように本発明に係る電解ニッケルめっき浴によ
れば、均一電着性に優れると共に、高電流密度をとるこ
とができ作業性に優れるという著効を奏する。
れば、均一電着性に優れると共に、高電流密度をとるこ
とができ作業性に優れるという著効を奏する。
以上、本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明し
たが、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、
発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得る
のはもちろんのことである。
たが、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、
発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得る
のはもちろんのことである。
第１図は半導体装置用セラミックパッケージの平面説明
図を示す。 10……ステージ部、12……インナーリード部、14……シ
ールリング部。
図を示す。 10……ステージ部、12……インナーリード部、14……シ
ールリング部。
Claims (3)
- 【請求項１】塩化ニッケル、臭化ニッケル等のニッケル
源と、硫酸、スルファミン酸またはメタンスルホン酸等
のアルカリ塩からなり、前記ニッケル源の金属ニッケル
に対してモル比で1:2以上の電気伝導度塩と、メタホウ
酸塩とを含むことを特徴とする電解ニッケルめっき浴。 - 【請求項２】メタホウ酸塩含有量が10g/l〜飽和である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電解ニッ
ケルめっき浴。 - 【請求項３】緩衝剤としてさらにホウ酸を含み、メタホ
ウ酸塩含有量が0.01g/l〜飽和であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の電解ニッケルめっき浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32203787A JP2572090B2 (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 電解ニッケルめっき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32203787A JP2572090B2 (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 電解ニッケルめっき浴 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01162792A JPH01162792A (ja) | 1989-06-27 |
| JP2572090B2 true JP2572090B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=18139216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32203787A Expired - Lifetime JP2572090B2 (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 電解ニッケルめっき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2572090B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114232040A (zh) * | 2022-02-24 | 2022-03-25 | 深圳市顺信精细化工有限公司 | 一种镍磷合金电镀液及电镀方法 |
-
1987
- 1987-12-18 JP JP32203787A patent/JP2572090B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01162792A (ja) | 1989-06-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2645701B2 (ja) | パラジウム合金めっき組成物、及びめっき方法 | |
| TW200530433A (en) | Preserving solderability and inhibiting whisker growth in tin surfaces of electronic components | |
| US4681670A (en) | Bath and process for plating tin-lead alloys | |
| US4640746A (en) | Bath and process for plating tin/lead alloys on composite substrates | |
| JP2572090B2 (ja) | 電解ニッケルめっき浴 | |
| JPS62278293A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| KR100231838B1 (ko) | 집적회로용 리드프레임 및 그 제조방법 | |
| JP2017197788A (ja) | 電子部品接点部材の製造方法及び電子部品接点部材 | |
| TW475006B (en) | Electroplating of nickel on nickel ferrite devices | |
| JP2005105307A (ja) | リフローＳｎめっき部材、前記部材の製造方法、および前記部材が用いられた電気電子機器用部品 | |
| JPH10102283A (ja) | 電気・電子回路部品 | |
| JPS61223194A (ja) | 金／スズ合金被膜の電着浴 | |
| JPS6379991A (ja) | 電解ニツケルめつき浴およびこれを用いためつき方法 | |
| JPS61166994A (ja) | 光沢錫めつき層或いは光沢錫合金めつき層を有する銅または銅合金線条体 | |
| JPS63111194A (ja) | パラジウム電気めつき液 | |
| Blair | Silver plating | |
| JPS6342393A (ja) | 銅または銅合金線条体の錫または錫合金メツキ方法 | |
| CN100580154C (zh) | 银电解剥离剂 | |
| JPS5974291A (ja) | 光沢ニツケル−鉄合金電析用浴 | |
| JPH02213004A (ja) | アルミニウム合金製電子電気機器導電部品 | |
| JP2878754B2 (ja) | アルミニウム合金製電子電気機器導電部品 | |
| JPS6324093A (ja) | 亜鉛−ニッケル合金の電着用の酸性硫酸塩含有浴 | |
| JPS62199795A (ja) | 電子・電気機器用部品 | |
| KR100269242B1 (ko) | 니켈 도금 조성물 | |
| JPS5983788A (ja) | 高速銀めつき方法 |