JPH10102283A - 電気・電子回路部品 - Google Patents
電気・電子回路部品Info
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- JPH10102283A JPH10102283A JP27395496A JP27395496A JPH10102283A JP H10102283 A JPH10102283 A JP H10102283A JP 27395496 A JP27395496 A JP 27395496A JP 27395496 A JP27395496 A JP 27395496A JP H10102283 A JPH10102283 A JP H10102283A
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 優れたはんだ付け性を有する電気・電子回路
部品を提供する。 【解決手段】 非シアンの錫−銀合金電気めっき浴か
ら、皮膜中の銀含有量が０．１％〜１０％で、皮膜厚さ
が０．１〜１００μｍである光沢を有した錫−銀合金め
っき皮膜を施したことを特徴とする電気・電子回路部品
である。環境・衛生・公害上問題のある錫−鉛はんだを
代替することができる。
部品を提供する。 【解決手段】 非シアンの錫−銀合金電気めっき浴か
ら、皮膜中の銀含有量が０．１％〜１０％で、皮膜厚さ
が０．１〜１００μｍである光沢を有した錫−銀合金め
っき皮膜を施したことを特徴とする電気・電子回路部品
である。環境・衛生・公害上問題のある錫−鉛はんだを
代替することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気・電子回路の
はんだ接合技術に関し、特に、錫−銀系のはんだで電気
・電子回路を接合するに適した光沢錫−銀合金めっきを
施した電気・電子回路部品に関する。
はんだ接合技術に関し、特に、錫−銀系のはんだで電気
・電子回路を接合するに適した光沢錫−銀合金めっきを
施した電気・電子回路部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子工業において錫−鉛を基本組成とす
るはんだ（ろう材）による接合は不可欠の技術として広
く行われている。はんだ付けを迅速かつ確実に行うため
に、はんだ付けしようとする部品に予めはんだ付け性の
良好な皮膜（はんだ付け性皮膜）を施しておくことが行
われるが、このはんだ付け性皮膜として錫−鉛合金めっ
き皮膜が一般に利用されている。
るはんだ（ろう材）による接合は不可欠の技術として広
く行われている。はんだ付けを迅速かつ確実に行うため
に、はんだ付けしようとする部品に予めはんだ付け性の
良好な皮膜（はんだ付け性皮膜）を施しておくことが行
われるが、このはんだ付け性皮膜として錫−鉛合金めっ
き皮膜が一般に利用されている。
【０００３】しかしながら、近年、鉛の健康・環境への
影響が懸念され、有害な鉛を含む錫−鉛はんだを規制し
ようとする考えが急速に広まりつつある。工業的な生産
条件並びに使用条件という観点から勘案すると、錫−鉛
はんだに代替できる特性を有するような鉛を含まないは
んだはいまのところなく、日欧米を中心として研究開発
が行われているところである。錫−鉛はんだの代替とし
ては第一元素としては錫が利用されると考えられるが、
第二元素としては銀、ビスマス、銅、インジウム、アン
チモン、亜鉛などが候補として挙げられており、それら
の二元合金あるいはさらに第三元素を添加した多元合金
が候補として挙げられている。その中で錫−銀系合金
は、最も有力な代替合金候補の一つである。
影響が懸念され、有害な鉛を含む錫−鉛はんだを規制し
ようとする考えが急速に広まりつつある。工業的な生産
条件並びに使用条件という観点から勘案すると、錫−鉛
はんだに代替できる特性を有するような鉛を含まないは
んだはいまのところなく、日欧米を中心として研究開発
が行われているところである。錫−鉛はんだの代替とし
ては第一元素としては錫が利用されると考えられるが、
第二元素としては銀、ビスマス、銅、インジウム、アン
チモン、亜鉛などが候補として挙げられており、それら
の二元合金あるいはさらに第三元素を添加した多元合金
が候補として挙げられている。その中で錫−銀系合金
は、最も有力な代替合金候補の一つである。
【０００４】鉛フリーの代替はんだ（ろう材）に対応し
て、はんだ付け性めっき皮膜もまた鉛を含有しないもの
に代替しなければ意味がない。しかしながら、これまで
錫−銀系ろう材に対応できる、高信頼性を有し、大量生
産に適したはんだ付け性皮膜は十分な検討が行われてお
らず、錫−銀系ろう材を使用する際に工業的利用に十分
な性能を有したはんだ付け性皮膜を施した電気・電子回
路部品はなかった。
て、はんだ付け性めっき皮膜もまた鉛を含有しないもの
に代替しなければ意味がない。しかしながら、これまで
錫−銀系ろう材に対応できる、高信頼性を有し、大量生
産に適したはんだ付け性皮膜は十分な検討が行われてお
らず、錫−銀系ろう材を使用する際に工業的利用に十分
な性能を有したはんだ付け性皮膜を施した電気・電子回
路部品はなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ろう材の成分管理上か
らも、ろう材とはんだ付け性皮膜の成分は同じことが望
ましく、鉛フリーのろう材として錫−銀系のはんだを使
用する場合には、はんだ付け性皮膜としても錫−銀系合
金めっき皮膜を使用することが望ましいと考えられる。
また、成分濃度も同一に近い方が管理上好都合な点が多
い。発明者らは、良好なはんだ付け性を有した電気・電
子回路部品を作成するために鋭意めっき皮膜の条件につ
いて検討した。
らも、ろう材とはんだ付け性皮膜の成分は同じことが望
ましく、鉛フリーのろう材として錫−銀系のはんだを使
用する場合には、はんだ付け性皮膜としても錫−銀系合
金めっき皮膜を使用することが望ましいと考えられる。
また、成分濃度も同一に近い方が管理上好都合な点が多
い。発明者らは、良好なはんだ付け性を有した電気・電
子回路部品を作成するために鋭意めっき皮膜の条件につ
いて検討した。
【０００６】錫−銀系合金めっき皮膜を得るための浴自
体は、シアン浴が古くから知られており、１９７１年に
松下はシアン−ピロリン酸混合浴（金属表面技術 ２
２，６０（１９７１））から錫−銀合金皮膜を得てい
る。しかし、シアンを用いることもまた環境衛生・公害
・毒劇物管理の観点から好ましくない。
体は、シアン浴が古くから知られており、１９７１年に
松下はシアン−ピロリン酸混合浴（金属表面技術 ２
２，６０（１９７１））から錫−銀合金皮膜を得てい
る。しかし、シアンを用いることもまた環境衛生・公害
・毒劇物管理の観点から好ましくない。
【０００７】また、シアン浴以外の錫−銀合金めっき浴
としては、１９８３年に久保田らは非シアン浴としてピ
ロリン酸浴（金属表面技術 ３４，３７（１９８３））
から錫−銀合金皮膜を得ている。しかし、これらも、銀
めっきの代替もしくは銀めっきの性能向上を主たる目的
に開発研究されたものであり、銀を主成分とした銀−錫
合金電気めっき皮膜を得るための浴であり、錫が主成分
となった場合に、平滑で緻密なめっきが得られるもので
はなく、目的とするはんだ付け性を有する電気・電子回
路部品の作成には満足すべきものではなかった。
としては、１９８３年に久保田らは非シアン浴としてピ
ロリン酸浴（金属表面技術 ３４，３７（１９８３））
から錫−銀合金皮膜を得ている。しかし、これらも、銀
めっきの代替もしくは銀めっきの性能向上を主たる目的
に開発研究されたものであり、銀を主成分とした銀−錫
合金電気めっき皮膜を得るための浴であり、錫が主成分
となった場合に、平滑で緻密なめっきが得られるもので
はなく、目的とするはんだ付け性を有する電気・電子回
路部品の作成には満足すべきものではなかった。
【０００８】また、錫を主成分とするようなはんだ付け
性皮膜に関して、最近、伊勢らによってスズ酸カリ−硝
酸銀浴（表面技術協会第９３回講演大会予講集 ２０５
（１９９６））、また、新井らによってピロリン酸−ヨ
ウ化物浴（表面技術協会第９３回講演大会予講集 １９
５（１９９６））が報告されており、さらに発明者らは
より緻密で平滑ではんだ付け性に優れためっき皮膜を得
るため、鋭意研究を重ね、各種有機化合物の添加によっ
て皮膜の平滑性等が改善されることを見出し、特許を出
願（特願平８−１４３４８１号、特願平８−２０７６８
３号）しており、これらの浴を用いてはんだ付け性皮膜
を施した電気・電子回路部品は、従来よりもはんだ付け
性に優れたものではあったが、なお不十分な点を残すも
のであった。
性皮膜に関して、最近、伊勢らによってスズ酸カリ−硝
酸銀浴（表面技術協会第９３回講演大会予講集 ２０５
（１９９６））、また、新井らによってピロリン酸−ヨ
ウ化物浴（表面技術協会第９３回講演大会予講集 １９
５（１９９６））が報告されており、さらに発明者らは
より緻密で平滑ではんだ付け性に優れためっき皮膜を得
るため、鋭意研究を重ね、各種有機化合物の添加によっ
て皮膜の平滑性等が改善されることを見出し、特許を出
願（特願平８−１４３４８１号、特願平８−２０７６８
３号）しており、これらの浴を用いてはんだ付け性皮膜
を施した電気・電子回路部品は、従来よりもはんだ付け
性に優れたものではあったが、なお不十分な点を残すも
のであった。
【０００９】すなわち、めっき皮膜のはんだ付け性は、
皮膜の金属組成に影響されるばかりでなく、皮膜の結晶
サイズ、平滑性にも大きく依存し、特に濡れの速さは、
錫−鉛合金めっき皮膜の場合でも、光沢めっきの方が一
般に優れている。すなわち、従来の錫−銀系はんだ付け
性皮膜において、はんだ付け性が満足されなかった原因
は皮膜の結晶の微細さ、平滑性が不十分であったことで
あり、これが、代替はんだ問題解決上の課題であった。
皮膜の金属組成に影響されるばかりでなく、皮膜の結晶
サイズ、平滑性にも大きく依存し、特に濡れの速さは、
錫−鉛合金めっき皮膜の場合でも、光沢めっきの方が一
般に優れている。すなわち、従来の錫−銀系はんだ付け
性皮膜において、はんだ付け性が満足されなかった原因
は皮膜の結晶の微細さ、平滑性が不十分であったことで
あり、これが、代替はんだ問題解決上の課題であった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の発明者は、従来
技術では不可能であった非シアン浴からの鏡面光沢錫−
銀合金電気めっきを初めて可能ならしめ、これを施すこ
とによって、錫−銀系はんだに対して優れたはんだ付け
性を有した電気・電子回路部品を完成し、錫−銀系はん
だ（ろう材）と錫−銀系めっき皮膜を組み合わせて利用
することを可能にし、よって環境・衛生・公害上問題の
ある錫−鉛はんだを代替することを可能とし、代替はん
だ問題を解決するに至った。
技術では不可能であった非シアン浴からの鏡面光沢錫−
銀合金電気めっきを初めて可能ならしめ、これを施すこ
とによって、錫−銀系はんだに対して優れたはんだ付け
性を有した電気・電子回路部品を完成し、錫−銀系はん
だ（ろう材）と錫−銀系めっき皮膜を組み合わせて利用
することを可能にし、よって環境・衛生・公害上問題の
ある錫−鉛はんだを代替することを可能とし、代替はん
だ問題を解決するに至った。
【００１１】発明の概要 すなわち、本発明は、非シアンの錫−銀合金電気めっき
浴から、皮膜中の銀含有量が０．１％〜１０％で、皮膜
厚さが０．１〜１００μｍの光沢を有し、錫−銀系はん
だを用いてはんだ接合を施す際に優れたはんだ付け性を
示す錫−銀合金めっき皮膜を施したことを特徴とする電
気・電子回路部品を提供するものである。
浴から、皮膜中の銀含有量が０．１％〜１０％で、皮膜
厚さが０．１〜１００μｍの光沢を有し、錫−銀系はん
だを用いてはんだ接合を施す際に優れたはんだ付け性を
示す錫−銀合金めっき皮膜を施したことを特徴とする電
気・電子回路部品を提供するものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の電気・電子部品の作成に
おいては、皮膜中の銀含有量が０．１％〜１０％の錫−
銀合金電気めっき皮膜が使用される。はんだ付け性皮膜
を施した表面のはんだ付け性は、種々の要因に影響され
るが、皮膜組成もその一つである。
おいては、皮膜中の銀含有量が０．１％〜１０％の錫−
銀合金電気めっき皮膜が使用される。はんだ付け性皮膜
を施した表面のはんだ付け性は、種々の要因に影響され
るが、皮膜組成もその一つである。
【００１３】錫−銀二元合金系は、銀含有率３．５％が
共晶組成であり、この組成のときに最も融点が低い。は
んだ付け性は、一般に融点が低い方が良好であるが、必
ずしも融点だけに左右されるわけではなく、成分金属の
性質にも依存する。
共晶組成であり、この組成のときに最も融点が低い。は
んだ付け性は、一般に融点が低い方が良好であるが、必
ずしも融点だけに左右されるわけではなく、成分金属の
性質にも依存する。
【００１４】銀は錫への溶解速度が速いために、銀含有
率が共晶組成を越えて増加してもはんだ付け性がそれほ
ど低下するわけではない。したがって、銀含有率につい
ての明確な上限はないけれども、１０％を越えると融点
も３００℃に近くなるためにはんだ付け性は低下してく
る。したがって、めっき皮膜中の銀含有量の上限は、概
ね１０％と考えるべきである。
率が共晶組成を越えて増加してもはんだ付け性がそれほ
ど低下するわけではない。したがって、銀含有率につい
ての明確な上限はないけれども、１０％を越えると融点
も３００℃に近くなるためにはんだ付け性は低下してく
る。したがって、めっき皮膜中の銀含有量の上限は、概
ね１０％と考えるべきである。
【００１５】また、工業的に使用するには皮膜コストも
重要な検討要素であり、この点からも概ね１０％を限度
とするのが望ましい。また、錫単独のめっき皮膜からは
ウィスカーが発生し、回路短絡の原因となるため、錫以
外の金属を含有させることが望ましい。錫−銀合金めっ
きについて詳細にウィスカーの発生を検討した報告は見
当たらないが、発明者が観察した範囲においては、錫単
独のめっき皮膜からは多量のウィスカーの発生が認めら
れたのに対して、微量の銀を含有させた場合でも、光沢
錫−銀めっきにおいては、明瞭なウィスカーの発生は観
察されなかったことから、概ね０．１％以上の銀を含有
させることが望ましい。
重要な検討要素であり、この点からも概ね１０％を限度
とするのが望ましい。また、錫単独のめっき皮膜からは
ウィスカーが発生し、回路短絡の原因となるため、錫以
外の金属を含有させることが望ましい。錫−銀合金めっ
きについて詳細にウィスカーの発生を検討した報告は見
当たらないが、発明者が観察した範囲においては、錫単
独のめっき皮膜からは多量のウィスカーの発生が認めら
れたのに対して、微量の銀を含有させた場合でも、光沢
錫−銀めっきにおいては、明瞭なウィスカーの発生は観
察されなかったことから、概ね０．１％以上の銀を含有
させることが望ましい。
【００１６】また、本発明の電気・電子部品の作成にお
いては、光沢を有しためっき皮膜が使用される。前述し
たようにめっき皮膜のはんだ付け性は、皮膜の金属組成
だけではなく、皮膜の結晶サイズ、平滑性にも大きく影
響を受ける。
いては、光沢を有しためっき皮膜が使用される。前述し
たようにめっき皮膜のはんだ付け性は、皮膜の金属組成
だけではなく、皮膜の結晶サイズ、平滑性にも大きく影
響を受ける。
【００１７】本発明者らは、はんだ付け性を、ゼロクロ
スタイム、平衡に達するまでの時間、はんだ付け後の表
面外観などから評価し、鋭意検討した結果、同一組成を
有する合金めっき皮膜を比較した場合、光沢めっき皮膜
は無光沢めっき皮膜に比較して、格段に優れたものであ
ることを見出した。
スタイム、平衡に達するまでの時間、はんだ付け後の表
面外観などから評価し、鋭意検討した結果、同一組成を
有する合金めっき皮膜を比較した場合、光沢めっき皮膜
は無光沢めっき皮膜に比較して、格段に優れたものであ
ることを見出した。
【００１８】本発明の鏡面光沢の錫−銀めっき皮膜は、
錫イオンおよび銀イオンを含み、さらにピロリン酸とヨ
ウ素をそれぞれ錫イオンおよび銀イオンの錯化剤とし、
浴中の銀比率が概ね０．２〜５％である浴にトリエタノ
ールアミンとサリチルアルデヒドオキシムを添加し、室
温にて２週間熟成させた浴から、電流密度２〜３Ａ／ｄ
ｍ2 で得られる。
錫イオンおよび銀イオンを含み、さらにピロリン酸とヨ
ウ素をそれぞれ錫イオンおよび銀イオンの錯化剤とし、
浴中の銀比率が概ね０．２〜５％である浴にトリエタノ
ールアミンとサリチルアルデヒドオキシムを添加し、室
温にて２週間熟成させた浴から、電流密度２〜３Ａ／ｄ
ｍ2 で得られる。
【００１９】さらに、かかるはんだ付け性皮膜を得るた
めのめっき浴は、鉛の環境、公害、健康への問題を解決
するという趣旨に沿って、当該特許において用いたよう
に非シアン浴が用いられるべきである。
めのめっき浴は、鉛の環境、公害、健康への問題を解決
するという趣旨に沿って、当該特許において用いたよう
に非シアン浴が用いられるべきである。
【００２０】かかる条件に限定された錫−銀合金電気め
っき皮膜を０．１〜１００μｍの厚さに施しておくこと
によって、初めて錫−銀系ろう材を使用する際にも良好
なはんだ付け性を示す電気・電子回路部品の作成が可能
となった。
っき皮膜を０．１〜１００μｍの厚さに施しておくこと
によって、初めて錫−銀系ろう材を使用する際にも良好
なはんだ付け性を示す電気・電子回路部品の作成が可能
となった。
【００２１】さらに、本発明では、電気・電子回路部品
に錫めっきや錫−鉛めっきを施すに先立って下地めっき
が利用されるように、該光沢錫−銀合金めっきの下地め
っきとして、電気めっき及び／又は無電解めっきによっ
て銅又はニッケル及びそれらの合金めっきを施すことが
できる。
に錫めっきや錫−鉛めっきを施すに先立って下地めっき
が利用されるように、該光沢錫−銀合金めっきの下地め
っきとして、電気めっき及び／又は無電解めっきによっ
て銅又はニッケル及びそれらの合金めっきを施すことが
できる。
【００２２】このようなはんだ付け性皮膜を適用でき
る、はんだ接合個所を有した電気・電子回路部品には、
例えば、ＩＣ半導体等の電子デバイス等、抵抗器、コン
デンサ等の受動部品等、コネクタ、スイッチ、プリント
配線板等の接続部品等、などが挙げられる。
る、はんだ接合個所を有した電気・電子回路部品には、
例えば、ＩＣ半導体等の電子デバイス等、抵抗器、コン
デンサ等の受動部品等、コネクタ、スイッチ、プリント
配線板等の接続部品等、などが挙げられる。
【００２３】該電気・電子回路部品は、錫−銀系ろう材
を使用する際に特に良好なはんだ付け性を示すものであ
るが、その他の系のろう材に対しても使用が可能なもの
である。
を使用する際に特に良好なはんだ付け性を示すものであ
るが、その他の系のろう材に対しても使用が可能なもの
である。
【００２４】
【実施例】次に実施例によって、本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はこれら数例によって限定されるも
のではなく、前述した目的に沿ってめっき皮膜条件は適
宜、任意に変更することができる。
説明するが、本発明はこれら数例によって限定されるも
のではなく、前述した目的に沿ってめっき皮膜条件は適
宜、任意に変更することができる。
【００２５】比較例１ はんだ付け性試験に好都合なように、０．３×３０×２
５ｍｍに切断した銅板を試料として、バフ研磨→ベンジ
ン脱脂→電解脱脂→水洗→５％硫酸浸漬→水洗、の後、
ロジンフラックスを用いてメニスコグラフ法によっては
んだ付け性を測定した。
５ｍｍに切断した銅板を試料として、バフ研磨→ベンジ
ン脱脂→電解脱脂→水洗→５％硫酸浸漬→水洗、の後、
ロジンフラックスを用いてメニスコグラフ法によっては
んだ付け性を測定した。
【００２６】比較例２ 比較例１と同一の試料に下記の（Ａ）の浴から概ね５μ
ｍの無光沢錫めっきを施し、比較例１と同様にはんだ付
け性を測定した。
ｍの無光沢錫めっきを施し、比較例１と同様にはんだ付
け性を測定した。
【００２７】浴（Ａ） 硫酸第一錫 ４０ ｇ／ｌ 硫酸 ５０ ｇ／ｌ フェノールスルホン酸 ４０ ｇ／ｌ ゼラチン ２ ｇ／ｌ β−ナフトール １ ｇ／ｌ 電流密度 １．５ Ａ／ｄｍ2
【００２８】比較例３ 比較例１と同一の試料に下記の（Ｂ）の浴から概ね５μ
ｍの無光沢錫−銀合金めっきを施し、比較例１と同様に
はんだ付け性を測定した。めっき皮膜中の銀含有率は、
溶解して原子吸光法で測定した平均値は概ね３％であっ
た。以下の例も実施例５を除き、同様に測定した。
ｍの無光沢錫−銀合金めっきを施し、比較例１と同様に
はんだ付け性を測定した。めっき皮膜中の銀含有率は、
溶解して原子吸光法で測定した平均値は概ね３％であっ
た。以下の例も実施例５を除き、同様に測定した。
【００２９】浴（Ｂ） メタンスルホン酸錫 ０．２ ｍｏｌ／ｌ メタンスルホン酸銀 ０．００５ｍｏｌ／ｌ ヨウ化カルウム １．５ ｍｏｌ／ｌ ピロリン酸カリウム ０．８ ｍｏｌ／ｌ トリエタノールアミン ０．４ ｍｏｌ／ｌ ｐＨ ５ 電流密度 ２．０ Ａ／ｄｍ2
【００３０】実施例１ 比較例１と同一の試料に下記の（Ｃ）の浴から概ね５μ
ｍの光沢錫−銀合金めっきを施し、比較例１と同様には
んだ付け性を測定した。めっき皮膜中の銀含有率は概ね
３％であった。
ｍの光沢錫−銀合金めっきを施し、比較例１と同様には
んだ付け性を測定した。めっき皮膜中の銀含有率は概ね
３％であった。
【００３１】浴（Ｃ） メタンスルホン酸錫 ０．２ ｍｏｌ／ｌ メタンスルホン酸銀 ０．００５ｍｏｌ／ｌ ヨウ化カルウム １．５ ｍｏｌ／ｌ ピロリン酸カリウム ０．８ ｍｏｌ／ｌ トリエタノールアミン ０．４ ｍｏｌ／ｌ サリチルアルデヒドオキシム ０．０１７５ｍｏｌ／ｌ ｐＨ ５ 建浴後２週間の熟成 電流密度 ２．５ Ａ／ｄｍ2
【００３２】実施例２ 比較例１と同一の試料に下記の（Ｄ）の浴から概ね５μ
ｍの光沢錫−銀合金めっきを施し、比較例１と同様には
んだ付け性を測定した。めっき皮膜中の銀含有率は概ね
５％であった。
ｍの光沢錫−銀合金めっきを施し、比較例１と同様には
んだ付け性を測定した。めっき皮膜中の銀含有率は概ね
５％であった。
【００３３】浴（Ｄ） メタンスルホン酸錫 ０．２ ｍｏｌ／ｌ メタンスルホン酸銀 ０．００７ｍｏｌ／ｌ ヨウ化カルウム １．５ ｍｏｌ／ｌ ピロリン酸カリウム ０．８ ｍｏｌ／ｌ トリエタノールアミン ０．４ ｍｏｌ／ｌ サリチルアルデヒドオキシム ０．０１７５ｍｏｌ／ｌ ｐＨ ５ 建浴後２週間の熟成 電流密度 ２．０ Ａ／ｄｍ2
【００３４】実施例３ 比較例１と同一の試料に下記の（Ｅ）の浴から概ね５μ
ｍの光沢錫−銀合金めっきを施し、比較例１と同様には
んだ付け性を測定した。めっき皮膜中の銀含有率は概ね
９％であった。
ｍの光沢錫−銀合金めっきを施し、比較例１と同様には
んだ付け性を測定した。めっき皮膜中の銀含有率は概ね
９％であった。
【００３５】浴（Ｅ） メタンスルホン酸錫 ０．２ ｍｏｌ／ｌ メタンスルホン酸銀 ０．０１０ｍｏｌ／ｌ ヨウ化カルウム １．５ ｍｏｌ／ｌ ピロリン酸カリウム ０．８ ｍｏｌ／ｌ トリエタノールアミン ０．４ ｍｏｌ／ｌ サリチルアルデヒドオキシム ０．０１７５ｍｏｌ／ｌ ｐＨ ５ 建浴後２週間の熟成 電流密度 ３．０ Ａ／ｄｍ2
【００３６】実施例４ 比較例１と同一の試料に下記の（Ｆ）の浴から概ね５μ
ｍの光沢錫−銀合金めっきを施し、比較例１と同様には
んだ付け性を測定した。めっき皮膜中の銀含有率は概ね
０．２％であった。
ｍの光沢錫−銀合金めっきを施し、比較例１と同様には
んだ付け性を測定した。めっき皮膜中の銀含有率は概ね
０．２％であった。
【００３７】浴（Ｆ） メタンスルホン酸錫 ０．２ ｍｏｌ／ｌ メタンスルホン酸銀 ０．０００５ｍｏｌ／ｌ ヨウ化カルウム １．５ ｍｏｌ／ｌ ピロリン酸カリウム ０．８ ｍｏｌ／ｌ トリエタノールアミン ０．４ ｍｏｌ／ｌ サリチルアルデヒドオキシム ０．０１７５ｍｏｌ／ｌ ｐＨ ５ 建浴後２週間の熟成 電流密度 ２．０ Ａ／ｄｍ2
【００３８】実施例５ 比較例１と同一の試料に下地ニッケルめっきを施した
後、下記の（Ｃ）の浴から概ね０．１μｍの光沢錫−銀
合金めっきを施し、比較例１と同様にはんだ付け性を測
定した。めっき皮膜中の銀含有率はＥＤＡＸによって測
定した結果、概ね３％であった。
後、下記の（Ｃ）の浴から概ね０．１μｍの光沢錫−銀
合金めっきを施し、比較例１と同様にはんだ付け性を測
定した。めっき皮膜中の銀含有率はＥＤＡＸによって測
定した結果、概ね３％であった。
【００３９】浴（Ｃ） メタンスルホン酸錫 ０．２ ｍｏｌ／ｌ メタンスルホン酸銀 ０．００５ｍｏｌ／ｌ ヨウ化カルウム １．５ ｍｏｌ／ｌ ピロリン酸カリウム ０．８ ｍｏｌ／ｌ トリエタノールアミン ０．４ ｍｏｌ／ｌ サリチルアルデヒドオキシム ０．０１７５ ｍｏｌ／
ｌ ｐＨ ５ 建浴後２週間の熟成 電流密度 ２．５ Ａ／ｄｍ2
ｌ ｐＨ ５ 建浴後２週間の熟成 電流密度 ２．５ Ａ／ｄｍ2
【００４０】実施例６ 比較例１と同一の試料に下記の（Ｃ）の浴から概ね８０
μｍの光沢錫−銀合金めっきを施し、比較例１と同様に
はんだ付け性を測定した。めっき皮膜中の銀含有率は概
ね３％であった。
μｍの光沢錫−銀合金めっきを施し、比較例１と同様に
はんだ付け性を測定した。めっき皮膜中の銀含有率は概
ね３％であった。
【００４１】浴（Ｃ） メタンスルホン酸錫 ０．２ ｍｏｌ／ｌ メタンスルホン酸銀 ０．００５ｍｏｌ／ｌ ヨウ化カルウム １．５ ｍｏｌ／ｌ ピロリン酸カリウム ０．８ ｍｏｌ／ｌ トリエタノールアミン ０．４ ｍｏｌ／ｌ サリチルアルデヒドオキシム ０．０１７５ｍｏｌ／ｌ ｐＨ ５ 建浴後２週間の熟成 電流密度 ２．５ Ａ／ｄｍ2
【００４２】上記比較例及び実施例の各めっき浴から得
られためっき皮膜のはんだ付け性を測定した結果を表１
に示した。
られためっき皮膜のはんだ付け性を測定した結果を表１
に示した。
【００４３】実施例１〜６の浴を用いて光沢合金めっき
を施した試料の錫−銀はんだに対するはんだ付け性を、
比較例１の銅板、比較例２の錫めっき、比較例３の無光
沢錫−銀合金めっきと比較した結果を表１に示した。は
んだ付け性は、ゼロクロスタイム、平衡に達するまでの
時間、はんだ付け後の表面外観を総合的に評価した。い
ずれの評価項目も、無光沢錫−銀めっき皮膜を施した試
料は、錫めっき試料よりも優れていたが、光沢錫−銀め
っき被膜を施した試料は、無光沢錫−銀めっき皮膜を施
した試料よりもさらに優れていた。
を施した試料の錫−銀はんだに対するはんだ付け性を、
比較例１の銅板、比較例２の錫めっき、比較例３の無光
沢錫−銀合金めっきと比較した結果を表１に示した。は
んだ付け性は、ゼロクロスタイム、平衡に達するまでの
時間、はんだ付け後の表面外観を総合的に評価した。い
ずれの評価項目も、無光沢錫−銀めっき皮膜を施した試
料は、錫めっき試料よりも優れていたが、光沢錫−銀め
っき被膜を施した試料は、無光沢錫−銀めっき皮膜を施
した試料よりもさらに優れていた。
【００４４】
【表１】
【００４５】
【発明の効果】この発明に係る電気・電子回路部品は、
非シアン浴からこれまで報告例のないきわめてはんだ付
け性の良好な光沢錫−銀合金めっきを施しなるものであ
り、これによって、環境・衛生・毒性問題から使用の削
減を求められている錫−鉛系はんだを用いるはんだ接合
に代わって、錫−銀系はんだを用いるはんだ接合の利用
を可能ならしめるものである。
非シアン浴からこれまで報告例のないきわめてはんだ付
け性の良好な光沢錫−銀合金めっきを施しなるものであ
り、これによって、環境・衛生・毒性問題から使用の削
減を求められている錫−鉛系はんだを用いるはんだ接合
に代わって、錫−銀系はんだを用いるはんだ接合の利用
を可能ならしめるものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青木 和博 兵庫県神戸市兵庫区西柳原町５番26号石原 薬品株式会社内 (72)発明者 縄舟 秀美 大阪府高槻市真上町５丁目38−34
Claims (1)
- 【請求項１】 非シアンの錫−銀合金電気めっき浴か
ら、皮膜中の銀含有量が０．１％〜１０％で、皮膜厚さ
が０．１〜１００μｍである光沢を有した錫−銀合金め
っき皮膜を施したことを特徴とする電気・電子回路部
品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27395496A JP3545549B2 (ja) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | 電気・電子回路部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27395496A JP3545549B2 (ja) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | 電気・電子回路部品 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10102283A true JPH10102283A (ja) | 1998-04-21 |
| JP3545549B2 JP3545549B2 (ja) | 2004-07-21 |
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ID=17534891
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27395496A Expired - Fee Related JP3545549B2 (ja) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | 電気・電子回路部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3545549B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6087714A (en) * | 1998-04-27 | 2000-07-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor devices having tin-based solder film containing no lead and process for producing the devices |
| WO2001028726A1 (fr) * | 1998-04-20 | 2001-04-26 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Materiau de revetement a brasure et procede de production correspondant |
| US6395583B1 (en) | 1999-04-22 | 2002-05-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device with a coating of Pb-free Sn-base solder and manufacturing method therefor |
| WO2004059042A1 (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-15 | Ebara Corporation | 鉛フリーバンプおよびその形成方法 |
| JP2005002368A (ja) * | 2003-06-09 | 2005-01-06 | Ishihara Chem Co Ltd | ホイスカー防止用スズメッキ浴 |
| WO2009123157A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 古河電気工業株式会社 | 接続部品用金属材料およびその製造方法 |
| USRE45987E1 (en) | 2003-09-11 | 2016-04-26 | Renesas Electronics Coporation | Electronic component and method of manufacturing the same |
| CN110129617A (zh) * | 2019-05-30 | 2019-08-16 | 西安交通大学 | 一种掺杂铌元素的银锡薄膜共晶焊料及其制备方法 |
-
1996
- 1996-09-26 JP JP27395496A patent/JP3545549B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001028726A1 (fr) * | 1998-04-20 | 2001-04-26 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Materiau de revetement a brasure et procede de production correspondant |
| US6087714A (en) * | 1998-04-27 | 2000-07-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor devices having tin-based solder film containing no lead and process for producing the devices |
| US6395583B1 (en) | 1999-04-22 | 2002-05-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device with a coating of Pb-free Sn-base solder and manufacturing method therefor |
| EP1211011A1 (en) * | 1999-10-20 | 2002-06-05 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Solder coating material and production method therefor |
| US6758387B1 (en) | 1999-10-20 | 2004-07-06 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Solder coated material and method for its manufacture |
| EP1211011A4 (en) * | 1999-10-20 | 2007-05-02 | Senju Metal Industry Co | MATERIAL FOR LOT COATING AND PRODUCTION METHOD THEREFOR |
| WO2004059042A1 (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-15 | Ebara Corporation | 鉛フリーバンプおよびその形成方法 |
| JP2005002368A (ja) * | 2003-06-09 | 2005-01-06 | Ishihara Chem Co Ltd | ホイスカー防止用スズメッキ浴 |
| USRE45987E1 (en) | 2003-09-11 | 2016-04-26 | Renesas Electronics Coporation | Electronic component and method of manufacturing the same |
| WO2009123157A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 古河電気工業株式会社 | 接続部品用金属材料およびその製造方法 |
| US8101285B2 (en) | 2008-03-31 | 2012-01-24 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Metallic material for a connecting part and a method of producing the same |
| CN110129617A (zh) * | 2019-05-30 | 2019-08-16 | 西安交通大学 | 一种掺杂铌元素的银锡薄膜共晶焊料及其制备方法 |
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|---|---|
| JP3545549B2 (ja) | 2004-07-21 |
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| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
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