JPH11200088A - スズ合金めっき組成物及びめっき方法 - Google Patents

スズ合金めっき組成物及びめっき方法

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JPH11200088A JP10310795A JP31079598A JPH11200088A JP H11200088 A JPH11200088 A JP H11200088A JP 10310795 A JP10310795 A JP 10310795A JP 31079598 A JP31079598 A JP 31079598A JP H11200088 A JPH11200088 A JP H11200088A
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    • C25D3/02Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/56Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
    • C25D3/60Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of tin
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/244Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands

Abstract

(57)【要約】 【課題】環境汚染を引き起こさないとともに、耐食性及
びハンダ付け性に優れためっき層を提供することを課題
とする。 【解決手段】20ないし500g/lのスズ塩、1ない
し100g/lの亜鉛、コバルト、ビスマスおよび銅か
らなる群から選ばれた金属の塩、20ないし200g/
lのメタンスルホン酸、10ないし300g/lの伝導
性化合物、および0.5ないし50g/lの錯化剤を含
むスズ2元合金電気めっき組成物を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレーム、
コネクター及び印刷回路基板のめっきに適合な、優れた
耐食性及びハンダ付け性を有するスズ合金めっき組成物
及びめっき方法に関する。
【0002】
【従来の技術】リードフレーム、リードフレームパッケ
ージ、コネクターおよび印刷回路基板のような電子素子
を生産するためには、銀スポットめっきならびに後続的
に耐食性およびハンダ付け性を向上させるためのソルダ
ーめっきを必要とする。通常、このようなソルダーめっ
き工程にスズ−鉛めっきが用いられてきたが、鉛成分は
その毒性のため深刻な環境汚染をもたらす。
【0003】従って、鉛問題を解決するための多くの方
法が試みられたが、コスト面において効率的な解決策は
まだ開発されていない。例えば、コバルト−亜鉛プライ
マーめっき層上にパラジウムまたは金をめっきする方法
が提案されているが、この方法は生産費用が高いという
問題を抱えている。
【0004】本発明者らは、環境に有害なスズ−鉛ソル
ダーめっき組成物を代替し得る新しいめっき組成物を開
発するために鋭意努力した結果、数種の新規なスズ合金
めっき組成物が耐食性およびハンダ付け性に優れたソル
ダーめっき層として有用であることを発見した。
【0005】これまで、種々のスズ合金めっき組成物が
報告されている。例えば、1989年5月9日付で出願
された米国特許第4,828,657号(福岡ら)は、
スズ−コバルト、スズ−亜鉛およびスズ−鉛2元合金め
っき組成物を開示しており、1982年8月31日付で
出願された米国特許第4,347,107号(テクマン
ら)は、種々の素材上にスズおよびその銅またはロジウ
ム合金を蒸着することを開示している。しかし、これら
の組成物は、装飾用として光沢のある金属性スズを蒸着
するために用いられ、スズ−鉛ソルダーめっきを代替し
得る電子素子用のソルダーめっきとしては適合しない。
【0006】また、硫酸グルコン酸ビスマスのようなキ
レート塩を含有するスズ−ビスマス合金めっき組成物が
1982年5月25日付で出願された米国特許第4,3
31,518号(ウイルスン)に開示されており、ま
た、フッ化物を含むスズ−亜鉛合金めっき組成物が19
77年9月20日付で出願された米国特許第4,04
9,508号(モリシー)に開示されている。しかし、
これらの組成物は、ハンダ付け性が劣る上、環境に有害
な物質を排出する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこうした事情
を考慮してなされたもので、環境に有害な物質を含まな
いとともに、耐食性及びハンダ付け性に優れためっき層
の形成に有用なスズ合金めっき組成物及びめっき方法を
提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本願第1の発明は、20
ないし500g/lのスズ塩、1ないし100g/lの
亜鉛、コバルト、ビスマスおよび銅からなる群から選ば
れた金属の塩、20ないし200g/lのメタンスルホ
ン酸、10ないし300g/lの伝導性化合物、および
0.5ないし50g/lの錯化剤を含むスズ合金めっき
組成物である。
【0009】本願第2の発明は、0.5ないし1.5A
SD(Ampere per Square Deci
meter)の電流および30ないし40℃の温度で上
記組成物で基質をめっきするめっき方法である。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明をさらに詳細に説明
する。本発明の新規なスズ合金めっき組成物は二つの金
属成分、すなわち、スズ、ならびに亜鉛、コバルト、ビ
スマスおよび銅からなる群から選ばれた第2金属、メタ
ンスルホン酸、伝導性化合物および錯化剤を含む。
【0011】スズの原料として、メタンスルホン酸第一
スズ、硫酸第一スズ、塩化第一スズおよびスズ酸ナトリ
ウムのような種々のスズ化合物が20ないし500g/
lの量で用いられる。第2金属成分は好ましくは塩の形
態で用いられ、1ないし100g/lの量で用いられ
る。
【0012】亜鉛の原料として使用され得る亜鉛塩の代
表的な例としては、酸化亜鉛、硫酸亜鉛、塩化亜鉛、炭
酸亜鉛、またはピロリン酸亜鉛を挙げることができる。
コバルトの原料として使用され得るコバルト塩の代表的
な例としては、塩化コバルト、硫酸コバルト、酢酸コバ
ルトまたは炭酸コバルトを挙げることができる。ビスマ
スの原料として使用され得るビスマス塩の代表的な例と
しては、硝酸ビスマス、酢酸ビスマス、三酸化ナトリウ
ムビスマスまたは塩化ビスマスを挙げることができる。
銅の原料として使用され得る銅塩の代表的な例として
は、硝酸銅、硫酸銅、炭酸銅、水酸化銅、酢酸銅または
ピロリン酸銅を挙げることができる。
【0013】本発明の組成物において、金属イオンの伝
導性を向上させる役割をするメタンスルホン酸が20な
いし200g/lの量で用いられる。
【0014】本発明のめっき組成物に用いられる伝導性
化合物は、金属イオンの伝導性をさらに向上させるのみ
ならず、めっき組成物の安定性を増加させて均一なめっ
き及び改善された電流効率を提供する。伝導性化合物と
しては、種々の酸及びそれらの塩を含み得る。好ましい
伝導性化合物としては、クエン酸、硫酸、硫酸アンモニ
ウム、クエン酸アンモニウム、酢酸ナトリウム、炭酸ナ
トリウム、グルコン酸ナトリウム、またはピロリン酸カ
リウムが挙げられる。本発明の組成物は一つ以上の伝導
性化合物を10ないし300g/lの量で含み得る。
【0015】本発明の組成物に用いられる錯化剤は、上
記の第2金属と安定な錯体を形成することによってめっ
き組成物の安定化に寄与する。代表的な錯化剤として
は、種々の酢酸塩、アミン塩、イミン塩またはアミド塩
を挙げることができる。好ましくは、錯化剤は、N,
N,N′,N′−テトラキス(2−ヒドロキシプロピ
ル)エチレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラキ
ス(2−ピリジルメチルプロピル)エチレンジアミン、
エチレンジアミンテトラ酢酸ナトリウム二水和物、エチ
レンジアミンテトラ酢酸、ニトリロ三酢酸三ナトリウム
一水和物、ニトリロ三酢酸、1,4−ジアザビシクロ
[2,2,2]オクタン、トリエタノールアミン、ポリ
イミン、チオアセトアミドおよびこれらの混合物からな
る群から選ばれ得る。錯化剤は0.5ないし50g/
l、好ましくは、10ないし30g/lの量で用いられ
る。
【0016】また、本発明の組成物は、選択的に表面改
善剤及び/又は応力減少剤を含み得る。表面改善剤及び
応力減少剤は、各々0.01ないし0.1g/l、好ま
しくは、0.01ないし0.05g/lの量で使用され
得る。
【0017】表面改善剤の代表的な例としては、アルキ
ルフェノールエーテル硫酸ナトリウム、エトキシル化し
たノニルフェノール、ポリエトキシル化した脂肪族モノ
アルカノールアミド、4−ニトロフェニル−D−ヘプタ
(1→4)−グルコピラノシドおよびこれらの混合物を
挙げることができる。応力減少剤の代表的な例として
は、バンコマイシン塩酸塩4水和物、アミノイオノフェ
レル、ホルミルヘキサヒドロカルバゾール、リストマイ
シン一硫酸塩及びこれらの混合物を挙げることができ
る。
【0018】本発明の新規なめっき組成物は、特定成分
及び任意の他の成分を所定の濃度範囲内で水に溶解する
ことによって容易に製造し得る。本発明の組成物を用い
て下記のように基質をめっきし得る。めっきする基質及
び陽極を本発明のめっき組成物に浸漬した後、30ない
し40℃、さらに好ましくは、35℃に保たれためっき
組成物を攪拌しながら0.5ないし1.5ASD(A/
dm2 、好ましくは0.7ないし1.0ASDの電流を
基質及び陽極に流す。
【0019】本発明の新規なスズめっき組成物は、従来
のスズ−鉛ソルダーめっき組成物の代りに用いられるた
めに、鉛によって惹起される環境汚染の問題を取除くこ
とができる。本発明のめっき組成物は、安定であり、か
つ耐食性、ハンダ付け性、伝導性、密着性および耐熱性
に優れた均一なめっきを提供する。
【0020】また、本発明のめっき組成物は、リードフ
レーム、リードフレームパッケージ、コネクター、印刷
回路基板およびその他の電気部品のような素子をめっき
するに適合であり、従来の設備、特に、リール−トゥ−
リール(reel to reel)タイプの設備に適
用できる。
【0021】
【実施例】以下、本発明を下記実施例によってさらに詳
細に説明する。但し、下記実施例は本発明を例示するの
みであり、本発明の範囲を制限しない。なお、下記実施
例において、密着性及びハンダ付け性は、下記参照例に
従って測定した。
【0022】参照例1:密着性 めっきされた試料を2分間400±5℃で処理した後、
めっきされた試料表面の外観を20倍率の拡大鏡又は肉
眼で観察して下記の側面から評価した。 (a) 膨れ(blister)、剥離(peelin
g)、リフティング(lifting)及びブリーディ
ング(bleeding)の有無(なし:良好、あり:
不良) (b) 試料をピンセット又は尖った物で掻いたときの剥
離、及びリフティングの有無(なし:良好、あり:不
良) (c) 接着テープ(スリーエムスコッチテープ:#54
0、#610又は#810)を試料にしっかり付着した
後、早い動作で取り除いたときの剥離の有無(なし:良
好、あり:不良) 参照例2:ハンダ付き性 めっきされた試料を3分間175℃で硬化処理した後、
3時間同一温度に放置した。次いで、硬化処理した基質
を95時間45℃に保った後、フラックス(Flux,
Kester)で3秒間ハンダ付けし、ハンダ付けされ
た部分の均一性を顕微鏡(Nikon measure
scope UM−2(25))で観察した。
【0023】(実施例1)蒸留水に下記表1に示す成分
を溶解してスズ−亜鉛合金めっき組成物1Lを製造し
た。
【0024】
【表1】 上記のスズ−亜鉛合金めっき組成物を用いて10A/d
2 の電流でリードフレームをめっきし、スズ90%及
び亜鉛10%の合金めっき層を得た。めっきされたリー
ドフレームのハンダ付け性及び密着性を、上記参照例1
及び2の方法に従って測定した。その結果、100%の
ハンダ付け性及び優れた密着性を有する均一なめっきが
観察された。
【0025】(実施例2)蒸留水に下記表2の成分を溶
解してスズ−コバルト合金めっき組成物1Lを製造し
た。
【0026】
【表2】 上記のスズ−コバルト合金めっき組成物を用いて10A
/dm2 の電流でリードフレームをめっきし、スズ90
%及びコバルト10%の合金めっき層を得た。めっきさ
れたリードフレームのハンダ付け性及び密着性を、上記
参照例1及び2の方法に従って測定した。その結果、1
00%のハンダ付け性及び優れた密着性を有する均一な
めっきが観察された。
【0027】(実施例3)蒸留水に下記表3に示す成分
を溶解してスズ−ビスマス合金めっき組成物1Lを製造
した。
【0028】
【表3】 上記のスズ−ビスマス合金めっき組成物を用いて10A
/dm2 の電流でリードフレームをめっきし、スズ90
%及びビスマス10%の合金めっき層を得た。めっきさ
れたリードフレームのハンダ付け性及び密着性を、上記
参照例1及び2の方法に従って測定した。その結果、1
00%のハンダ付け性及び優れた密着性を有する均一な
めっきが観察みられた。
【0029】(実施例4)蒸留水に下記表4に示す成分
を溶解してスズ−銅合金めっき組成物1Lを製造した。
【0030】
【表4】 上記のスズ−銅合金めっき組成物を用いて10A/dm
2 の電流でリードフレームをめっきし、スズ90%及び
銅10%の合金めっき層を得た。めっきされたリードフ
レームのハンダ付け性及び密着性を、上記参照例1及び
2の方法に従って測定した。その結果、100%ハンダ
付け性及び優れた密着性を有する均一なめっきが観察さ
れた。
【0031】
【発明の効果】本発明のスズ合金めっき組成物は、環境
に有害な成分を含まないとともに、耐食性およびハンダ
付け性に優れためっき層を形成することができるため、
リードフレーム、リードフレームパッケージ、コネクタ
ーおよび印刷回路基板のような電子素子のめっきに有用
される。

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 20ないし500g/lのスズ塩、1な
    いし100g/lの亜鉛、コバルト、ビスマスおよび銅
    からなる群から選ばれた金属の塩、20ないし200g
    /lのメタンスルホン酸、10ないし300g/lの伝
    導性化合物、および0.5ないし50g/lの錯化剤を
    含むスズ合金電気めっき組成物。
  2. 【請求項2】 スズ塩が、メタンスルホン酸第一スズ、
    硫酸第一スズ、塩化第一スズ、スズ酸ナトリウムおよび
    これらの混合物からなる群から選ばれる請求項1に記載
    のスズ合金めっき組成物。
  3. 【請求項3】 亜鉛塩が、酸化亜鉛、硫酸亜鉛、塩化亜
    鉛、炭酸亜鉛、ピロリン酸亜鉛およびこれらの混合物か
    らなる群から選ばれる請求項1に記載のスズ合金めっき
    組成物。
  4. 【請求項4】 コバルト塩が、塩化コバルト、硫酸コバ
    ルト、酢酸コバルト、炭酸コバルトおよびこれらの混合
    物からなる群から選ばれる請求項1に記載のスズ合金め
    っき組成物。
  5. 【請求項5】 ビスマス塩が、硝酸ビスマス、酢酸ビス
    マス、三酸化ナトリウムビスマス、塩化ビスマスおよび
    これらの混合物からなる群から選ばれる請求項1に記載
    のスズ合金めっき組成物。
  6. 【請求項6】 銅塩が、硝酸銅、硫酸銅、炭酸銅、水酸
    化銅、酢酸銅、ピロリン酸銅およびこれらの混合物から
    なる群から選ばれる請求項1に記載のスズ合金めっき組
    成物。
  7. 【請求項7】 伝導性化合物が、硫酸アンモニウム、ク
    エン酸アンモニウム、クエン酸、硫酸、酢酸ナトリウ
    ム、炭酸ナトリウム、グルコン酸ナトリウム、ピロリン
    酸カリウムおよびこれらの混合物からなる群から選ばれ
    る請求項1に記載のスズ合金めっき組成物。
  8. 【請求項8】 錯化剤が、N,N,N′,N′−テトラ
    キス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミン、
    N,N,N′,N′−テトラキス(2−ピリジルメチル
    プロピル)エチレンジアミン、エチレンジアミンテトラ
    酢酸ナトリウム二水和物、エチレンジアミンテトラ酢
    酸、ニトリロ三酢酸三ナトリウム一水和物、ニトリロ三
    酢酸、1,4−ジアザビシクロ[2,2,2]オクタ
    ン、トリエタノールアミン、ポリイミン、チオアセトア
    ミドおよびこれらの混合物からなる群から選ばれる請求
    項1に記載のスズ合金めっき組成物。
  9. 【請求項9】 アルキルフェノールエーテル硫酸ナトリ
    ウム、エトキシル化したノニルフェノール、ポリエトキ
    シル化した脂肪族モノアルカノールアミド、4−ニトロ
    フェニル−D−ヘプタ(1→4)−グルコピラノシドお
    よびこれらの混合物からなる群から選ばれる表面改善剤
    0.01ないし0.1g/lをさらに含む請求項1に記
    載のスズ合金めっき組成物。
  10. 【請求項10】 バンコマイシン塩酸塩四水和物、アミ
    ノイオノフェレル、ホルミルヘキサヒドロカルバゾー
    ル、リストマイシン一硫酸塩およびこれらの混合物から
    なる群から選ばれる応力減少剤0.01ないし0.1g
    /lをさらに含む請求項1に記載のスズ合金めっき組成
    物。
  11. 【請求項11】 0.5ないし1.5ASDの電流およ
    び30ないし40℃の温度で請求項1ないし10のいず
    れか一つの組成物で基質をめっきするめっき方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002004713A2 (de) * 2000-07-10 2002-01-17 Basf Aktiengesellschaft Verfahren zur elektrolytischen verzinkung aus alkansulfonsäurehaltigen elektrolyten
US6500327B1 (en) 1999-02-12 2002-12-31 Murata Manufacturing Co., Ltd. Sn-Bi alloy plating bath and method of plating using the same
WO2004105051A1 (en) * 2003-05-19 2004-12-02 Arkema Inc. Zinc lanthanide sulfonic acid electrolytes
JP2006117980A (ja) * 2004-10-20 2006-05-11 Ishihara Chem Co Ltd 鉛フリーの酸性スズ−ビスマス系合金電気メッキ浴

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100405350B1 (ko) * 2000-01-18 2003-11-12 대아리드선주식회사 전자부품용 리드선 및 그 제조방법
US6630172B2 (en) * 2001-01-22 2003-10-07 Kareem I. Batarseh Microbicidal composition containing potassium sodium tartrate
US6740221B2 (en) 2001-03-15 2004-05-25 Applied Materials Inc. Method of forming copper interconnects
JP3910028B2 (ja) * 2001-09-13 2007-04-25 株式会社村田製作所 チップ型セラミックス電子部品の電極形成法
US7239747B2 (en) * 2002-01-24 2007-07-03 Chatterbox Systems, Inc. Method and system for locating position in printed texts and delivering multimedia information
US20030188974A1 (en) * 2002-04-03 2003-10-09 Applied Materials, Inc. Homogeneous copper-tin alloy plating for enhancement of electro-migration resistance in interconnects
US6860981B2 (en) * 2002-04-30 2005-03-01 Technic, Inc. Minimizing whisker growth in tin electrodeposits
US20040007469A1 (en) * 2002-05-07 2004-01-15 Memgen Corporation Selective electrochemical deposition methods using pyrophosphate copper plating baths containing ammonium salts, citrate salts and/or selenium oxide
US6818313B2 (en) * 2002-07-24 2004-11-16 University Of Dayton Corrosion-inhibiting coating
US20040118699A1 (en) * 2002-10-02 2004-06-24 Applied Materials, Inc. Homogeneous copper-palladium alloy plating for enhancement of electro-migration resistance in interconnects
WO2004034427A2 (en) * 2002-10-08 2004-04-22 Honeywell International Inc. Semiconductor packages, lead-containing solders and anodes and methods of removing alpha-emitters from materials
ES2531163T3 (es) * 2002-10-11 2015-03-11 Enthone Procedimiento y electrolito para la deposición galvánica de bronces
JP4758614B2 (ja) * 2003-04-07 2011-08-31 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. 電気めっき組成物および方法
JP2005060822A (ja) * 2003-08-08 2005-03-10 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 複合基体の電気メッキ
JP2006114691A (ja) * 2004-10-14 2006-04-27 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
US20060260948A2 (en) * 2005-04-14 2006-11-23 Enthone Inc. Method for electrodeposition of bronzes
PL2116634T3 (pl) * 2008-05-08 2011-04-29 Umicore Galvanotechnik Gmbh Zmodyfikowany elektrolit miedziowo-cynowy i sposób osadzania warstw brązu
DE102008032398A1 (de) * 2008-07-10 2010-01-14 Umicore Galvanotechnik Gmbh Verbesserter Kupfer-Zinn-Elektrolyt und Verfahren zur Abscheidung von Bronzeschichten
US8440065B1 (en) 2009-06-07 2013-05-14 Technic, Inc. Electrolyte composition, method, and improved apparatus for high speed tin-silver electroplating
KR101058087B1 (ko) 2009-10-27 2011-08-19 (주)삼영이앤피 코발트-주석 합금도금액
CN104152955A (zh) * 2014-07-17 2014-11-19 广东致卓精密金属科技有限公司 碱性溶液电镀光亮白铜锡电镀液及工艺
WO2018065156A1 (en) * 2016-10-07 2018-04-12 Haldor Topsøe A/S KESTERITE MATERIAL OF CZTS, CZTSe OR CZTSSe TYPE

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5296128A (en) * 1993-02-01 1994-03-22 Technic Inc. Gallic acid as a combination antioxidant, grain refiner, selective precipitant, and selective coordination ligand, in plating formulations
JP3274232B2 (ja) * 1993-06-01 2002-04-15 ディップソール株式会社 錫−ビスマス合金めっき浴及びそれを使用するめっき方法
FR2723413B1 (fr) * 1994-08-03 1996-10-25 Patin Pierre Procede et dispositif pour eviter les vibrations d'un arbre de grande longueur

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6500327B1 (en) 1999-02-12 2002-12-31 Murata Manufacturing Co., Ltd. Sn-Bi alloy plating bath and method of plating using the same
WO2002004713A2 (de) * 2000-07-10 2002-01-17 Basf Aktiengesellschaft Verfahren zur elektrolytischen verzinkung aus alkansulfonsäurehaltigen elektrolyten
WO2002004713A3 (de) * 2000-07-10 2002-08-15 Basf Ag Verfahren zur elektrolytischen verzinkung aus alkansulfonsäurehaltigen elektrolyten
AU2001291667B2 (en) * 2000-07-10 2005-07-14 Basf Aktiengesellschaft A method for electrolytic galvanising using electrolytes containing alkane sulphonic acid
WO2004105051A1 (en) * 2003-05-19 2004-12-02 Arkema Inc. Zinc lanthanide sulfonic acid electrolytes
US7452486B2 (en) 2003-05-19 2008-11-18 Arkema Inc. Zinc lanthanide sulfonic acid electrolytes
JP2006117980A (ja) * 2004-10-20 2006-05-11 Ishihara Chem Co Ltd 鉛フリーの酸性スズ−ビスマス系合金電気メッキ浴

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Publication number Publication date
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