JP6432667B2 - 錫合金めっき液 - Google Patents
錫合金めっき液 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6432667B2 JP6432667B2 JP2017222433A JP2017222433A JP6432667B2 JP 6432667 B2 JP6432667 B2 JP 6432667B2 JP 2017222433 A JP2017222433 A JP 2017222433A JP 2017222433 A JP2017222433 A JP 2017222433A JP 6432667 B2 JP6432667 B2 JP 6432667B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tin
- plating solution
- alloy plating
- tin alloy
- acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/60—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of tin
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/30—Electroplating: Baths therefor from solutions of tin
- C25D3/32—Electroplating: Baths therefor from solutions of tin characterised by the organic bath constituents used
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
Description
また本発明の第1の観点の錫合金めっき液では、錫より貴な金属が、銀、銅、金及びビスマスより選ばれる少なくとも1種又は2種以上であるため、はんだ濡れ性、実装強度、曲げ性及びリフロー性に優れ、ウィスカーが生成しにくいなどの効果がある。
本実施形態の錫合金めっき液で作られる錫合金は、錫(Sn)と、銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)、ビスマス(Bi)より選ばれた所定金属との合金であり、例えば、SnAg合金、SnCu合金、SnAu合金、SnBi合金等の2元合金、SnCuAg合金等の3元合金が挙げられる。
本実施形態の錫合金めっき液において用いられる可溶性錫塩は、水に溶解して二価の錫イオンを生成する塩である。可溶性錫塩の例としては、ハロゲン化物、硫酸塩、酸化物、アルカンスルホン酸塩、アリールスルホン酸塩及びアルカノールスルホン酸塩が挙げられる。アルカンスルホン酸塩の具体例としては、メタンスルホン酸塩及びエタンスルホン酸塩が挙げられる。アリールスルホン酸塩の具体例としては、ベンゼンスルホン酸塩、フェノールスルホン酸塩、クレゾールスルホン酸塩及びトルエンスルホン酸塩が挙げられる。アルカノールスルホン酸塩の具体例としては、イセチオン酸塩が挙げられる。
本実施形態の錫合金めっき液において用いられる錫より貴な金属の可溶性塩は、水に溶解する塩である。錫より貴な金属としては、銀、銅、金及びビスマスより選ばれる少なくとも1種又は2種以上の金属を挙げることができる。これらの金属の可溶性塩の例は、可溶性錫塩の例と同じである。これらの金属の中で、銀又は銅を含むことが好ましい。錫と銀の合金(SnAg合金)は、共晶組成(Sn−3.5wt%Ag)での融点が221℃と低融点であり、また錫と銅の合金(SnCu合金)は、共晶組成(Sn−1.7wt%Cu)での融点227℃と低融点であり、いずれも、はんだ濡れ性、実装強度、曲げ性及びリフロー性に優れ、ウィスカーが生成しにくいなどの利点がある。錫より貴な金属の可溶性塩は、1種を単独で使用してもよいし、2種以上を組み合わせて使用してもよい。本実施形態のめっき液における錫より貴な金属の可溶性塩の含有量は、金属の量に換算して、好ましくは0.01g/L以上10g/L以下の範囲、更に好ましくは0.1g/L以上2g/L以下の範囲である。錫より貴な金属の可溶性塩の含有量が過度に少ない場合、又は過度に多い場合は、析出するはんだ合金の組成を共晶組成とすることができず、はんだ合金としての特性が得られなくなる。
本実施形態の錫合金めっき液において用いられるスルフィド化合物は、上述した一般式(1)で示され、濃硫酸やアルキルスルホン酸等の脱水作用をもつ強酸中でチオジエタオール(n=0)を脱水縮合して得られる。このときの反応温度、反応時間及び精製条件を変えることにより、一般式(1)中のnの値を制御することができる。このnが3を超えると、スルフィド化合物は水溶性でなくなり、疎水性となる。水溶液中でスルフィド化合物を溶解させるためには、nは3以下である必要がある。上述したように、スルフィド化合物が上述した一般式(1)において、分子中に酸素原子「−O−」を含むため、水との水素結合により、水溶性を上げる効果がある。またS原子間にエーテル結合「C−O−C」が存在することにより、化合物自体の安定性に優れ、かつ、1つの分子中にS原子を2〜4個含むため、このS原子がめっき浴中の錫より貴な金属イオンを十分に錯体化して安定化することができる。このスルフィド化合物の構造は、高速液体クロマトグラフィー(HPLC)、高速液体クロマトグラム質量分析計(LC−MS)、フーリエ変換赤外分光法(FT−IR)、核磁気共鳴装置(NMR)等の分析機器を併用することにより分析することができる。
本実施形態の錫合金めっき液は、酸電解質(遊離酸)、界面活性剤、酸化防止剤、錫用の錯体化剤、pH調整剤、光沢化剤等の添加剤を更に含んでいてもよい。
酸電解質としては、塩化水素、臭化水素、硫酸、アルカンスルホン酸、アリールスルホン酸又はアルカノールスルホン酸が挙げられる。アルカンスルホン酸の具体例としては、メタンスルホン酸又はエタンスルホン酸が挙げられる。アリールスルホン酸の具体例としては、ベンゼンスルホン酸、フェノールスルホン酸、クレゾールスルホン酸又はトルエンスルホン酸が挙げられる。アルカノールスルホン酸の具体例としては、イセチオン酸が挙げられる。酸電解質は、錫合金めっき液の導電性を高める作用がある。
本実施形態の錫合金めっき液は、界面活性剤を含有することが好ましい。界面活性剤は、錫合金めっき液と被めっき物との親和性を高める作用と、錫合金めっき膜形成時にめっき膜の表面に吸着してめっき膜内の錫合金の結晶成長を抑制して、結晶を微細化することにより、めっき膜の外観向上、被めっき物との密着性向上、膜厚均一化などの作用がある。界面活性剤としては、アニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、非イオン系界面活性剤および両性界面活性剤などの各種界面活性剤を使用できる。
本実施形態の錫合金めっき液は、必要に応じて酸化防止剤を含有することができる。酸化防止剤は錫合金めっき液中のSn2+の酸化防止を目的としたものである。酸化防止剤の例としては、アスコルビン酸又はその塩、ピロガロール、ヒドロキノン、フロログルシノール、トリヒドロキシベンゼン、カテコール、クレゾールスルホン酸又はその塩、カテコールスルホン酸又はその塩、ヒドロキノンスルホン酸又はその塩などが挙げられる。例えば、酸性浴では、ヒドロキノンスルホン酸又はその塩、中性浴ではアスコルビン酸又はその塩などが好ましい。
本実施形態の錫合金めっき液は、酸性、弱酸性、中性などの任意のpH領域の錫合金めっき浴に適用できる。Sn2+イオンは強酸性(pH:<1)では安定であるが、酸性から中性付近(pH:1〜7)では白色沈澱を生じ易い。このため、本実施形態の錫合金めっき液を中性付近の錫めっき浴に適用する場合には、Sn2+イオンを安定化させる目的で、錫用の錯体化剤を添加するのが好ましい。
本実施形態の錫合金めっき液は、必要に応じてpH調整剤を含有することができる。pH調整剤の例としては、塩酸、硫酸等の各種の酸、アンモニア水、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸水素ナトリウム等の各種の塩基などが挙げられる。また、pH調整剤としては、酢酸、プロピオン酸などのモノカルボン酸類、ホウ酸類、リン酸類、シュウ酸、コハク酸などのジカルボン酸類、乳酸、酒石酸などのオキシカルボン酸類なども有効である。
本実施形態の錫合金めっき液は、必要に応じて光沢化剤を含有することができる。光沢化剤としては、芳香族カルボニル化合物が有効である。芳香族カルボニル化合物は、錫合金めっき膜中の錫合金の結晶粒子を微細化する作用がある。芳香族カルボニル化合物は、芳香族炭化水素の炭素原子にカルボニル基(−CO−X:但し、Xは、水素原子、ヒドロキシ基、炭素原子数が1〜6個の範囲にあるアルキル基または炭素原子数が1〜6個の範囲にあるアルコキシ基を意味する)が結合した化合物である。芳香族炭化水素は、ベンゼン環、ナフタレン環およびアントラセン環を含む。芳香族炭化水素は、置換基を有してもよい。置換基の例としては、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素原子数が1〜6個の範囲にあるアルキル基および炭素原子数が1〜6個の範囲にあるアルコキシ基を挙げることができる。カルボニル基は、芳香族炭化水素に直結していてもよいし、炭素原子数が1個以上6個以下の範囲にあるアルキレン基を介して結合してもよい。芳香族カルボニル化合物の具体例としては、ベンザルアセトン、桂皮酸、シンナムアルデヒド、ベンズアルデヒドを挙げることができる。
<実施例1>
メタンスルホン酸錫水溶液に、遊離酸としてのメタンスルホン酸と、錯体化剤として一般式(1)のn=1のスルフィド化合物と、ノニオン系界面活性剤(エチレンジアミンにポリオキシエチレンとポリオキシプロピレンを50:50の割合で付加させたもの)とを混合して溶解させた後、更にメタンスルホン酸銀液を加えて混合した。そして最後にイオン交換水を加えて、下記組成のSnAgめっき液を建浴した。なお、メタンスルホン酸錫水溶液は、金属錫板を、メタンスルホン酸銀水溶液は、金属銀板を、それぞれメタンスルホン酸水溶液中で電解させることにより調製した。
メタンスルホン酸錫(Sn2+として):50g/L
メタンスルホン酸銀(Ag+として):0.5g/L
メタンスルホン酸(遊離酸として):150g/L
スルフィド化合物(n=1):5g/L
ノニオン系界面活性剤:5g/L
イオン交換水:残部
錯体化剤として一般式(1)のn=2のスルフィド化合物を用いた以外は、実施例1と同様にSnAgめっき液を建浴した。
錯体化剤として一般式(1)のn=3のスルフィド化合物を用いた以外は、実施例1と同様にSnAgめっき液を建浴した。
メタンスルホン酸錫水溶液に、遊離酸としてのメタンスルホン酸と、錯体化剤として一般式(1)のn=2のスルフィド化合物とを混合して溶解させた後、更にメタンスルホン酸銅水溶液を加えて混合した。混合によって均一な溶液となった後、更にノニオン系界面活性剤を加えた。そして最後にイオン交換水を加えて、下記組成のSnCuめっき液を建浴した。なお、メタンスルホン酸錫水溶液は、金属錫板を、メタンスルホン酸銅水溶液は、金属銅板を、それぞれメタンスルホン酸水溶液中で電解させることにより調製した。
メタンスルホン酸錫(Sn2+として):50g/L
メタンスルホン酸銅(Cu2+として):0.3g/L
メタンスルホン酸(遊離酸として):150g/L
スルフィド化合物(n=2):5g/L
ノニオン系界面活性剤:5g/L
イオン交換水:残部
メタンスルホン酸錫水溶液に、遊離酸としてのメタンスルホン酸と、錯体錯化剤として一般式(1)のn=1のスルフィド化合物と、ノニオン系界面活性剤(ビスフェノールA1モルに対しポリオキシエチレンを20モルで付加させたもの)を混合して溶解させた後、錫の錯体化剤としてグルコン酸ナトリウム、及びメルカプトテトラゾールを加え、光沢化剤としてベンザルアセトンを混合した。更にメタンスルホン酸銀液を加えて混合した。そして最後にイオン交換水を加えて、下記組成のSnAgめっき液を建浴した。
メタンスルホン酸錫(Sn2+として):80g/L
メタンスルホン酸銀(Ag+として):1.0g/L
メタンスルホン酸(遊離酸として):100g/L
スルフィド化合物(n=1):3g/L
ノニオン系界面活性剤:8g/L
グルコン酸ナトリウム:10g/L
メルカプトテトラゾール:1g/L
ベンザルアセトン:0.01mg/L
イオン交換水:残部
錯体化剤として一般式(1)のn=0のスルフィド化合物を用いた以外は、実施例1と同様にSnAgめっき液を建浴した。
錯体化剤として一般式(1)のn=4のスルフィド化合物を用いた以外は、実施例1と同様にSnAgめっき液を建浴した。
錯体化剤として3,6−ジチア−1,8−オクタンジオールを用いた以外は、実施例1と同様にSnAgめっき液を建浴した。
錯体化剤として一般式(1)のn=4のスルフィド化合物を用いた以外は、実施例5と同様にSnAgめっき液を建浴した。
実施例1〜5及び比較例1〜4の9種類の建浴しためっき液を用いて、錫合金めっき液の安定性とめっき性能について評価した。錫合金めっき液の安定性は、電解安定性試験と経時安定性試験を行って評価した。めっき性能は、ハルセル試験とめっき試験を行って評価した。
9種類の建浴した錫合金めっき液を電解液として、この電解液中にカソードとして銅板を、アノードとして白金板をそれぞれ配置し、浴温25℃、カソード電流密度10ASDで9種類の建浴した錫合金めっき液を各別に電解めっきを行った。電解めっきによりめっき液中の金属成分が消費されるため、5Ah/Lの電解めっき毎に酸化第一錫(SnO)と酸化第一銀(Ag2O)の粉末をめっき液に投入・混合・溶解させることで、金属成分をめっき浴に補給しながら、200Ah/Lまで電解めっきを行った。電解めっき後の錫合金めっき液中に残存する錯体化剤であるスルフィド化合物の濃度を以下のHPLC(High Performance Liquid Chromatography)法により定量分析した。錫合金めっき液をディスポーザブルシリンジでろ過し、島津製作所製のHPLC装置(型番Prominence)を用い、移動相をMeOH(メタノール)として、40℃に保温したL−ColumnODSを用いて分析を行った。建浴直後の錯体化剤の濃度を100%として、電解めっき後の錯体化剤の残存割合(%)を錯体化剤の残存量として評価した。
9種類の建浴した錫合金めっき液をガラス製の密封ボトルに各別に入れ、Panasonic社製のクリーンオーブン内で50℃で6ヶ月間保管した。島津製作所社製のICP発光分析装置(ICP-AES、型番ICPE-9800)を用い、建浴直後の錫合金めっき液中のSn以外の金属濃度、つまり、SnAg合金めっき液の場合はAg濃度を、SnCuめっき液の場合はCu濃度をそれぞれ100%として、6ヶ月間保管後に残存しているSn以外の金属濃度、つまり、SnAg合金めっき液の場合はAg濃度、SnCuめっき液の場合はCu濃度の各残存割合(%)を測定した。
9種類の建浴した錫合金めっき液を山本鍍金試験器社製のハルセル槽に各別に入れ、液中にカソードとして銅製ハルセル板を、アノードとして白金板をそれぞれ配置し、ハルセル試験を行った。めっき条件は、液温を25℃とし、通電電流を3Aとし、めっき処理時間は5分間とした。めっき処理中、めっき液をカソードロッカーで撹拌した。ハルセル評価は、めっき処理したハルセル板上のめっき膜の皮膜外観を電流密度早見板を用いて、目視で確認し、光沢・半光沢のある皮膜を「良好」とし、無光沢・くもりのある皮膜を「可」とし、焦げ・ヤケのある皮膜を「不良」として、3つの判断基準で評価した。
9種類の建浴した錫合金めっき液を電解液として各別にめっき試験を行った。電解液を液温25℃に調整し、電解液に銅製基板(縦10cm、横10cm、厚さ0.3mm)を浸漬し、5A/dm2の電流密度で10分間を行った。得られためっき皮膜の10箇所の膜厚を蛍光X線膜厚測定器(日立ハイテクノロジー社製)によって測定した。10箇所の膜厚の最大値(Tmax)と最小値(Tmin)と平均値(Taverage)を求め、以下の式(2)により膜厚均一性を算出し、電着が均一に行われたか評価した。以上の試験結果を表1に示す。
膜厚均一性=(Tmax−Tmin)/(2×Taverage)×100(%) (2)
Claims (6)
- 更にアニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、非イオン系界面活性剤及び両性界面活性剤より選ばれる少なくとも1種又は2種以上の界面活性剤を含む請求項1記載の錫合金めっき液。
- 更に酸化防止剤を含む請求項1又は請求項2記載の錫合金めっき液。
- 更に錫用の錯体化剤を含む請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の錫合金めっき液。
- 更にpH調整剤を含む請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の錫合金めっき液。
- 更に光沢化剤を含む請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の錫合金めっき液。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/481,959 US20190390357A1 (en) | 2017-01-31 | 2017-12-13 | Tin alloy plating solution |
CN201780084824.3A CN110249076A (zh) | 2017-01-31 | 2017-12-13 | 锡合金镀液 |
KR1020197024869A KR102174876B1 (ko) | 2017-01-31 | 2017-12-13 | 주석 합금 도금액 |
EP17895170.3A EP3578692A4 (en) | 2017-01-31 | 2017-12-13 | TIN ALLOY PLATING SOLUTION |
PCT/JP2017/044668 WO2018142776A1 (ja) | 2017-01-31 | 2017-12-13 | 錫合金めっき液 |
TW106145193A TWI681084B (zh) | 2017-01-31 | 2017-12-22 | 錫合金鍍敷液 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017015219 | 2017-01-31 | ||
JP2017015219 | 2017-01-31 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018123421A JP2018123421A (ja) | 2018-08-09 |
JP2018123421A5 JP2018123421A5 (ja) | 2018-09-20 |
JP6432667B2 true JP6432667B2 (ja) | 2018-12-05 |
Family
ID=63110055
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017222433A Active JP6432667B2 (ja) | 2017-01-31 | 2017-11-20 | 錫合金めっき液 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20190390357A1 (ja) |
EP (1) | EP3578692A4 (ja) |
JP (1) | JP6432667B2 (ja) |
KR (1) | KR102174876B1 (ja) |
CN (1) | CN110249076A (ja) |
TW (1) | TWI681084B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220113671A (ko) | 2019-12-12 | 2022-08-16 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 디티아폴리에테르디올, 그 제조 방법, 디티아폴리에테르디올을 포함하는 SnAg 도금액, 및 SnAg 도금액을 사용하여 도금 피막을 형성하는 방법 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7243002B2 (ja) * | 2018-07-20 | 2023-03-22 | 三菱マテリアル株式会社 | 錫めっき液及び錫合金めっき液 |
CN111188069A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-22 | 大连长丰实业总公司 | 一种镀锡铋合金溶液及其制备方法 |
CN112981459A (zh) * | 2021-03-12 | 2021-06-18 | 昆明理工大学 | 一种电解精炼粗焊锡的方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4296358B2 (ja) * | 1998-01-21 | 2009-07-15 | 石原薬品株式会社 | 銀及び銀合金メッキ浴 |
JP3718790B2 (ja) | 1998-12-24 | 2005-11-24 | 石原薬品株式会社 | 銀及び銀合金メッキ浴 |
JP3433291B2 (ja) * | 1999-09-27 | 2003-08-04 | 石原薬品株式会社 | スズ−銅含有合金メッキ浴、スズ−銅含有合金メッキ方法及びスズ−銅含有合金メッキ皮膜が形成された物品 |
US7628903B1 (en) * | 2000-05-02 | 2009-12-08 | Ishihara Chemical Co., Ltd. | Silver and silver alloy plating bath |
JP4756886B2 (ja) * | 2005-03-22 | 2011-08-24 | 石原薬品株式会社 | 非シアン系のスズ−銀合金メッキ浴 |
JP4162246B2 (ja) | 2005-08-12 | 2008-10-08 | 石原薬品株式会社 | シアン化物非含有銀系メッキ浴、メッキ体及びメッキ方法 |
EP2221396A1 (en) * | 2008-12-31 | 2010-08-25 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Lead-Free Tin Alloy Electroplating Compositions and Methods |
JP2016148085A (ja) * | 2015-02-12 | 2016-08-18 | ユケン工業株式会社 | スズ−銅めっき液および導電部材 |
JP6631348B2 (ja) * | 2015-03-26 | 2020-01-15 | 三菱マテリアル株式会社 | ホスホニウム塩を用いためっき液 |
-
2017
- 2017-11-20 JP JP2017222433A patent/JP6432667B2/ja active Active
- 2017-12-13 KR KR1020197024869A patent/KR102174876B1/ko active IP Right Grant
- 2017-12-13 CN CN201780084824.3A patent/CN110249076A/zh active Pending
- 2017-12-13 US US16/481,959 patent/US20190390357A1/en not_active Abandoned
- 2017-12-13 EP EP17895170.3A patent/EP3578692A4/en not_active Withdrawn
- 2017-12-22 TW TW106145193A patent/TWI681084B/zh active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220113671A (ko) | 2019-12-12 | 2022-08-16 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 디티아폴리에테르디올, 그 제조 방법, 디티아폴리에테르디올을 포함하는 SnAg 도금액, 및 SnAg 도금액을 사용하여 도금 피막을 형성하는 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190390357A1 (en) | 2019-12-26 |
TWI681084B (zh) | 2020-01-01 |
CN110249076A (zh) | 2019-09-17 |
KR20190103460A (ko) | 2019-09-04 |
EP3578692A1 (en) | 2019-12-11 |
EP3578692A4 (en) | 2020-12-09 |
JP2018123421A (ja) | 2018-08-09 |
KR102174876B1 (ko) | 2020-11-05 |
TW201833391A (zh) | 2018-09-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI404834B (zh) | 青銅之電鍍方法 | |
JP6432667B2 (ja) | 錫合金めっき液 | |
EP1001054B1 (en) | Tin-copper alloy electroplating bath and plating process therewith | |
JP4812365B2 (ja) | 錫電気めっき液および錫電気めっき方法 | |
JP4446040B2 (ja) | 錫−銀合金層を電着させるための電解液および方法 | |
JPH11200088A (ja) | スズ合金めっき組成物及びめっき方法 | |
JP2004510053A (ja) | 錫−銅合金層を析出させるための電解質及び方法 | |
JP2010265491A (ja) | スズ又はスズ合金メッキ浴、及び当該メッキ浴を用いたバレルメッキ方法 | |
WO2018142776A1 (ja) | 錫合金めっき液 | |
Goh et al. | Electrodeposition of lead‐free solder alloys | |
JP2000328286A (ja) | 錫−銀系合金電気めっき浴 | |
JP6645609B2 (ja) | 錫合金めっき液 | |
WO2006068046A1 (ja) | 電気スズおよびスズ合金めっき液 | |
CN112236548B (zh) | 锡合金镀液 | |
JP2022083489A (ja) | 錫合金めっき液 | |
JP6607106B2 (ja) | スルホニウム塩を用いためっき液 | |
JP2018123402A (ja) | アンモニウム塩を用いためっき液 | |
WO2021193696A1 (ja) | 電解めっき液及び電解めっき方法 | |
US11280014B2 (en) | Silver/tin electroplating bath and method of using the same | |
JP6939622B2 (ja) | SnAg合金めっき液 | |
JP2006144073A (ja) | 鉛フリーのスズ−銀系合金又はスズ−銅系合金電気メッキ浴 | |
EP4279640A1 (en) | Tin alloy plating solution | |
JP2021155850A (ja) | 電解めっき液及び電解めっき方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180806 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180808 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20180808 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20180815 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180828 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180913 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181009 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181022 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6432667 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |