JP2645701B2 - パラジウム合金めっき組成物、及びめっき方法 - Google Patents
パラジウム合金めっき組成物、及びめっき方法Info
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- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/50—Electroplating: Baths therefor from solutions of platinum group metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/567—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of platinum group metals
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、パラジウムと金とを主
要有効成分とし、錯化剤及び伝導性塩を含む２元パラジ
ウム合金めっき組成物、又は場合により他の合金成分金
属を更に含む３元パラジウム合金めっき組成物に関する
もので、具体的には半導体リードフレーム（ｌｅａｄ
ｆｒａｍｅ）、印刷回路基板（ＰＣＢ：ｐｒｉｎｔｅｄ
ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）、コネクター等に使用
することができ、装飾用及び工業用として利用可能な優
れた安定性、はんだ付け性及び柔軟性を有する２元又は
３元パラジウム合金めっき組成物に関する。
要有効成分とし、錯化剤及び伝導性塩を含む２元パラジ
ウム合金めっき組成物、又は場合により他の合金成分金
属を更に含む３元パラジウム合金めっき組成物に関する
もので、具体的には半導体リードフレーム（ｌｅａｄ
ｆｒａｍｅ）、印刷回路基板（ＰＣＢ：ｐｒｉｎｔｅｄ
ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）、コネクター等に使用
することができ、装飾用及び工業用として利用可能な優
れた安定性、はんだ付け性及び柔軟性を有する２元又は
３元パラジウム合金めっき組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、パラジウム又はパラジウム合
金のめっきは、電子産業において電気スイッチの接合部
の伝導性を増加させ、一般装飾及び工業用品に優れた耐
蝕性、耐摩耗性、無多孔性等を提供するので、広く使用
されている。一方、半導体装置のリードフレームや印刷
回路基板、コネクター等は、通常、銀めっきをした後、
はんだ付けを行うが、この際に種々の問題点、例えば、
銀めっきをした部分の変色、銅の酸化膜の形成、ダイと
の接触時の樹脂ひろがり現象、成形時の密着力不良、ス
ズ−鉛（はんだ）めっきによる重金属の放出等が発生す
る。したがって、このような銀めっきを代替できるパラ
ジウム又はパラジウム合金めっき用組成物が多様に研究
開発されているが、合金めっき組成物において重要なこ
とは、パラジウム及びその他の金属を提供する化合物を
安定な状態で提供し、合金成分金属に従って適切な錯化
剤及び伝導性塩を選択し、優れた安定性と均一なめっき
状態とを提供しなければならないということである。
金のめっきは、電子産業において電気スイッチの接合部
の伝導性を増加させ、一般装飾及び工業用品に優れた耐
蝕性、耐摩耗性、無多孔性等を提供するので、広く使用
されている。一方、半導体装置のリードフレームや印刷
回路基板、コネクター等は、通常、銀めっきをした後、
はんだ付けを行うが、この際に種々の問題点、例えば、
銀めっきをした部分の変色、銅の酸化膜の形成、ダイと
の接触時の樹脂ひろがり現象、成形時の密着力不良、ス
ズ−鉛（はんだ）めっきによる重金属の放出等が発生す
る。したがって、このような銀めっきを代替できるパラ
ジウム又はパラジウム合金めっき用組成物が多様に研究
開発されているが、合金めっき組成物において重要なこ
とは、パラジウム及びその他の金属を提供する化合物を
安定な状態で提供し、合金成分金属に従って適切な錯化
剤及び伝導性塩を選択し、優れた安定性と均一なめっき
状態とを提供しなければならないということである。
【０００３】具体的には、例えば、米国特許第４，７４
１，８１８号明細書には、既存のパラジウム合金めっき
溶液（例えば、パラジウムの無機アミン錯物を含有する
めっき溶液）において発生する問題点等を解決するため
に、電解質中に溶解されるパラジウム化合物、一つ以上
の合金成分金属及び錯化剤〔ケリダミン酸（ｃｈｅｌｉ
ｄａｍｉｃ ａｃｉｄ）、オロト酸又は２−ピロリドン
−５−カルボン酸等〕を含むパラジウム又はパラジウム
合金のめっき用電解質が開示されている。米国特許第
４，７１５，９３５号明細書には、パラジウム金属の供
給源、錯化剤のシュウ酸塩、及び、任意に、他の合金成
分金属を含むパラジウム合金のめっき組成物で基材をめ
っきする方法が開示されている。
１，８１８号明細書には、既存のパラジウム合金めっき
溶液（例えば、パラジウムの無機アミン錯物を含有する
めっき溶液）において発生する問題点等を解決するため
に、電解質中に溶解されるパラジウム化合物、一つ以上
の合金成分金属及び錯化剤〔ケリダミン酸（ｃｈｅｌｉ
ｄａｍｉｃ ａｃｉｄ）、オロト酸又は２−ピロリドン
−５−カルボン酸等〕を含むパラジウム又はパラジウム
合金のめっき用電解質が開示されている。米国特許第
４，７１５，９３５号明細書には、パラジウム金属の供
給源、錯化剤のシュウ酸塩、及び、任意に、他の合金成
分金属を含むパラジウム合金のめっき組成物で基材をめ
っきする方法が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、既存の
パラジウム又はパラジウム合金のめっき組成物を半導体
リードフレーム及びその他電子産業部品に適用する場
合、水素脆性による内部応力が大きくなって、はんだ付
け性の不良や柔軟性がよくないといった問題点が依然発
生するので、このような性質等が更に向上した安定した
パラジウム合金のめっき組成物の開発が継続して求めら
れていた。本発明の発明者等は鋭意研究した結果、パラ
ジウムと金とを主要有効成分とし、場合により追加の合
金成分金属を含み、前記金属等にとって適切な一つ以上
の伝導性塩及び錯化剤を選択することによって、更に安
定し、優れたはんだ付け性及び柔軟性を有する２元又は
３元パラジウム合金めっき組成物を開発した。
パラジウム又はパラジウム合金のめっき組成物を半導体
リードフレーム及びその他電子産業部品に適用する場
合、水素脆性による内部応力が大きくなって、はんだ付
け性の不良や柔軟性がよくないといった問題点が依然発
生するので、このような性質等が更に向上した安定した
パラジウム合金のめっき組成物の開発が継続して求めら
れていた。本発明の発明者等は鋭意研究した結果、パラ
ジウムと金とを主要有効成分とし、場合により追加の合
金成分金属を含み、前記金属等にとって適切な一つ以上
の伝導性塩及び錯化剤を選択することによって、更に安
定し、優れたはんだ付け性及び柔軟性を有する２元又は
３元パラジウム合金めっき組成物を開発した。
【０００５】したがって、本発明の目的は、パラジウム
と金とを主要有効成分とし、一つ以上の錯化剤及び伝導
性塩を含み、又は場合により追加の合金成分金属を含
む、優れた安定性、柔軟性及びはんだ付け性を有する２
元又は３元パラジウム合金めっき組成物を提供すること
にある。本発明の他の目的は、前記パラジウム合金めっ
き組成物を用いて半導体リードフレーム、印刷回路基
板、コネクター等並びに一般装飾及び工業用品をめっき
する方法、更にはこれによって製造されためっき製品を
提供することにある。
と金とを主要有効成分とし、一つ以上の錯化剤及び伝導
性塩を含み、又は場合により追加の合金成分金属を含
む、優れた安定性、柔軟性及びはんだ付け性を有する２
元又は３元パラジウム合金めっき組成物を提供すること
にある。本発明の他の目的は、前記パラジウム合金めっ
き組成物を用いて半導体リードフレーム、印刷回路基
板、コネクター等並びに一般装飾及び工業用品をめっき
する方法、更にはこれによって製造されためっき製品を
提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の２元パラジウム合金めっき組成物は、可溶
性パラジウム化合物形態のパラジウム４〜２０ｇ／リッ
トル、可溶性金化合物形態の金０．３〜２．０ｇ／リッ
トル、一つ以上の伝導性（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ）塩５
〜１００ｇ／リットル及び４−オキソペンタン酸、ベン
ズアルデヒドトリスチリルフェネート及びこれらの混合
物から選択された錯化剤０．５〜２０ｇ／リットルを含
有することを特徴とする。また、本発明の３元パラジウ
ム合金めっき組成物は、前記２元パラジウム合金めっき
組成物に、ニッケル化合物、スズ化合物、及びこれらの
混合物から選択された可溶性化合物形態の合金成分（ａ
ｌｌｏｙｉｎｇ）金属０．３〜５ｇ／リットルを更に含
有する、ことを特徴とする。
に、本発明の２元パラジウム合金めっき組成物は、可溶
性パラジウム化合物形態のパラジウム４〜２０ｇ／リッ
トル、可溶性金化合物形態の金０．３〜２．０ｇ／リッ
トル、一つ以上の伝導性（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ）塩５
〜１００ｇ／リットル及び４−オキソペンタン酸、ベン
ズアルデヒドトリスチリルフェネート及びこれらの混合
物から選択された錯化剤０．５〜２０ｇ／リットルを含
有することを特徴とする。また、本発明の３元パラジウ
ム合金めっき組成物は、前記２元パラジウム合金めっき
組成物に、ニッケル化合物、スズ化合物、及びこれらの
混合物から選択された可溶性化合物形態の合金成分（ａ
ｌｌｏｙｉｎｇ）金属０．３〜５ｇ／リットルを更に含
有する、ことを特徴とする。
【０００７】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
パラジウム合金めっき組成物は、パラジウムと金とを主
要有効成分とし、場合により、ニッケル、及びスズから
なる群から選んだ合金成分金属を含む。
パラジウム合金めっき組成物は、パラジウムと金とを主
要有効成分とし、場合により、ニッケル、及びスズから
なる群から選んだ合金成分金属を含む。
【０００８】パラジウムは、合金される金属に応じて適
切な塩形態の供給源から供給され、パラジウム金属基準
で４〜２０ｇ／リットル、好ましくは５ｇ／リットルの
濃度で含まれる。本発明に使用される適切なパラジウム
供給源の例としては、二塩化ジアンミンパラジウム、二
塩化テトラアンミンパラジウム、二窒化ジアンミンパラ
ジウム、酸化パラジウム、硝酸パラジウム又はシアン化
パラジウムを挙げることができ、二塩化ジアンミンパラ
ジウムが好ましい。これらは、投入する前に予め適切な
伝導性塩、例えば、リン酸アンモニウムと反応させるこ
とが好ましい。
切な塩形態の供給源から供給され、パラジウム金属基準
で４〜２０ｇ／リットル、好ましくは５ｇ／リットルの
濃度で含まれる。本発明に使用される適切なパラジウム
供給源の例としては、二塩化ジアンミンパラジウム、二
塩化テトラアンミンパラジウム、二窒化ジアンミンパラ
ジウム、酸化パラジウム、硝酸パラジウム又はシアン化
パラジウムを挙げることができ、二塩化ジアンミンパラ
ジウムが好ましい。これらは、投入する前に予め適切な
伝導性塩、例えば、リン酸アンモニウムと反応させるこ
とが好ましい。
【０００９】金イオンの供給源としては、シアン化金
（Ｉ）カリウム、シアン化金（III)カリウム、塩化金
（III)又は酸化金（III)等を例として挙げることがで
き、シアン化金（Ｉ）カリウムが好ましい。これらは、
めっき組成物内で沈澱又は中和されないように予め伝導
性塩、例えば、ジエチルアミン塩酸塩と反応させて投入
することが好ましく、一般的に少量、例えば、金の金属
基準で０．３〜２．０ｇ／リットル、好ましくは０．５
ｇ／リットルの濃度で投入する。
（Ｉ）カリウム、シアン化金（III)カリウム、塩化金
（III)又は酸化金（III)等を例として挙げることがで
き、シアン化金（Ｉ）カリウムが好ましい。これらは、
めっき組成物内で沈澱又は中和されないように予め伝導
性塩、例えば、ジエチルアミン塩酸塩と反応させて投入
することが好ましく、一般的に少量、例えば、金の金属
基準で０．３〜２．０ｇ／リットル、好ましくは０．５
ｇ／リットルの濃度で投入する。
【００１０】本発明の３元パラジウム合金めっき組成物
に投入される合金成分金属は、合金が良くできるように
適切な塩を選択して使用しなければならない。また、組
成物の安定性のために伝導性塩又は錯化剤と充分に反応
することができなければならないので、投入する前に予
め反応させることが好ましい。これらの合金成分金属
は、０．３〜６ｇ／リットル、好ましくは３〜５ｇ／リ
ットルの濃度で使用する。
に投入される合金成分金属は、合金が良くできるように
適切な塩を選択して使用しなければならない。また、組
成物の安定性のために伝導性塩又は錯化剤と充分に反応
することができなければならないので、投入する前に予
め反応させることが好ましい。これらの合金成分金属
は、０．３〜６ｇ／リットル、好ましくは３〜５ｇ／リ
ットルの濃度で使用する。
【００１１】ニッケルの供給源としては、硫酸ニッケル
六水和物、塩化ニッケル六水和物、スルフアミン酸ニッ
ケル、フタロシアニンニッケル、炭酸ニッケル四水和
物、硝酸ニッケル、若しくは水酸化ニッケル又はこれら
の混合物等を挙げることができる。
六水和物、塩化ニッケル六水和物、スルフアミン酸ニッ
ケル、フタロシアニンニッケル、炭酸ニッケル四水和
物、硝酸ニッケル、若しくは水酸化ニッケル又はこれら
の混合物等を挙げることができる。
【００１２】スズの供給源としては、塩化第１スズニ水
和物、シュウ酸第１スズ、スズ酸ナトリウム若しくはス
ズ酸カリウム又はこれらの混合物等を挙げることができ
る。
和物、シュウ酸第１スズ、スズ酸ナトリウム若しくはス
ズ酸カリウム又はこれらの混合物等を挙げることができ
る。
【００１３】
【００１４】前記合金成分金属は、単独でパラジウムと
良く結合することができるものもあるが、そうでないも
の等もあるので、合金成分金属を錯化させて安定しため
っきを施すことができる錯化剤を、合金成分金属に応じ
て種類及び量を適切に選択して使用することが重要であ
る。前記錯化剤としては、４−オキソペンタン酸、ベン
ズアルデヒドトリスチリルフェニル酸（ｐｈｅｎａｔ
ｅ）又はこれらの混合物を一般的に０．５〜２０ｇ／リ
ットル、好ましくは１〜１０ｇ／リットルの濃度で使用
する。
良く結合することができるものもあるが、そうでないも
の等もあるので、合金成分金属を錯化させて安定しため
っきを施すことができる錯化剤を、合金成分金属に応じ
て種類及び量を適切に選択して使用することが重要であ
る。前記錯化剤としては、４−オキソペンタン酸、ベン
ズアルデヒドトリスチリルフェニル酸（ｐｈｅｎａｔ
ｅ）又はこれらの混合物を一般的に０．５〜２０ｇ／リ
ットル、好ましくは１〜１０ｇ／リットルの濃度で使用
する。
【００１５】前記伝導性塩も、前記合金成分金属にした
がって適切に選択すべきであり、例えば、リン酸塩、酸
化物、水酸化物、アンモニウム塩、アミン塩若しくはク
エン酸塩等、又は場合によってはアルカリ金属錯体を用
いることができ、５〜１００ｇ／リットル、好ましくは
２０〜７０ｇ／リットルの濃度で使用する。前記伝導性
塩は金属と良く結合させるために金属と反応させた後で
投入し、これらの例としては、リン酸水素二ナトリウ
ム、リン酸水素二カリウム、リン酸二水素ナトリウム、
リン酸二水素アンモニウム、リン酸アンモニウム、硫酸
アンモニウム、シュウ酸アンモニウム水和物、クエン酸
アンモニウム、ジエチルアミン塩酸塩、水酸化カリウ
ム、水酸化ナトリウム、アミノ酢酸、エチレンジアミ
ン、酒石酸ナトリウムカリウム、シアン化カリウム若し
くはクエン酸カリウム又はこれらの混合物等を挙げるこ
とができる。
がって適切に選択すべきであり、例えば、リン酸塩、酸
化物、水酸化物、アンモニウム塩、アミン塩若しくはク
エン酸塩等、又は場合によってはアルカリ金属錯体を用
いることができ、５〜１００ｇ／リットル、好ましくは
２０〜７０ｇ／リットルの濃度で使用する。前記伝導性
塩は金属と良く結合させるために金属と反応させた後で
投入し、これらの例としては、リン酸水素二ナトリウ
ム、リン酸水素二カリウム、リン酸二水素ナトリウム、
リン酸二水素アンモニウム、リン酸アンモニウム、硫酸
アンモニウム、シュウ酸アンモニウム水和物、クエン酸
アンモニウム、ジエチルアミン塩酸塩、水酸化カリウ
ム、水酸化ナトリウム、アミノ酢酸、エチレンジアミ
ン、酒石酸ナトリウムカリウム、シアン化カリウム若し
くはクエン酸カリウム又はこれらの混合物等を挙げるこ
とができる。
【００１６】本発明のパラジウム合金めっき組成物は、
また、その他の添加剤、例えば、光沢剤、表面改善剤又
は応力減少剤を含むことができる。光沢剤としては、通
常アミノ基、アルコキシ基、芳香族アルデヒド基、不飽
和カルボキシル基等を有する化合物を０．００５〜０．
０５ｇ／リットル、好ましくは０．０１〜０．０５ｇ／
リットルの濃度で使用する。これらの例としては、ベン
ゼンスルホネート、フルアルデヒド、若しくはラウリル
メチルアニリン又はこれらの混合物等を挙げることがで
きる。表面改善剤及び応力減少剤は、それぞれ０．００
１〜０．０５ｇ／リットル、好ましくは０．０１〜０．
０２ｇ／リットルの濃度で投入し、表面改善剤の例とし
ては、ポリエトキシ化脂肪モノアルカノールアミドがあ
り、応力減少剤の例としては、サッカリンを挙げること
ができる。
また、その他の添加剤、例えば、光沢剤、表面改善剤又
は応力減少剤を含むことができる。光沢剤としては、通
常アミノ基、アルコキシ基、芳香族アルデヒド基、不飽
和カルボキシル基等を有する化合物を０．００５〜０．
０５ｇ／リットル、好ましくは０．０１〜０．０５ｇ／
リットルの濃度で使用する。これらの例としては、ベン
ゼンスルホネート、フルアルデヒド、若しくはラウリル
メチルアニリン又はこれらの混合物等を挙げることがで
きる。表面改善剤及び応力減少剤は、それぞれ０．００
１〜０．０５ｇ／リットル、好ましくは０．０１〜０．
０２ｇ／リットルの濃度で投入し、表面改善剤の例とし
ては、ポリエトキシ化脂肪モノアルカノールアミドがあ
り、応力減少剤の例としては、サッカリンを挙げること
ができる。
【００１７】本発明のパラジウム合金めっき組成物は、
合金成分金属に応じて適切な伝導性塩及び錯化剤を使用
するので、安定性に優れ、不純物の影響をほとんど受け
ることがなく、長期間均一なめっきを維持することがで
きる。また、はんだ付けを必要とする全ての製品、例え
ば、リードフレーム、印刷回路基板、コネクター等を本
発明のパラジウム合金めっき組成物でめっきすることに
よって優れたはんだ付け性を得ることができる。本発明
のパラジウム合金めっき組成物は、パラジウム化合物、
金化合物、合金成分金属化合物、伝導性塩、錯化剤及び
その他添加剤等を直接水に溶解させるか、パラジウム化
合物、金化合物及び合金成分金属化合物を予め伝導性塩
又は錯化剤と反応させた後、水に溶解させることができ
る。
合金成分金属に応じて適切な伝導性塩及び錯化剤を使用
するので、安定性に優れ、不純物の影響をほとんど受け
ることがなく、長期間均一なめっきを維持することがで
きる。また、はんだ付けを必要とする全ての製品、例え
ば、リードフレーム、印刷回路基板、コネクター等を本
発明のパラジウム合金めっき組成物でめっきすることに
よって優れたはんだ付け性を得ることができる。本発明
のパラジウム合金めっき組成物は、パラジウム化合物、
金化合物、合金成分金属化合物、伝導性塩、錯化剤及び
その他添加剤等を直接水に溶解させるか、パラジウム化
合物、金化合物及び合金成分金属化合物を予め伝導性塩
又は錯化剤と反応させた後、水に溶解させることができ
る。
【００１８】本発明のパラジウム合金めっき組成物を３
０〜４０℃、好ましくは３５℃で維持しながら、ここに
めっきすべき基材と陽極とを浸漬して、前記基材と陽極
とに０．５〜１．５ＡＳＤ（Ａｍｐｅｒｅ ｐｅｒ Ｓ
ｑｕａｒｅ Ｄｅｃｉｍｅｔｅｒ）、好ましくは０．７
〜１．０ＡＳＤの電流をかけて基材をめっきさせるが、
この際にパラジウム合金めっき組成物と基材を撹拌する
ことが好ましい。本発明のパラジウム合金めっき組成物
の比重は、めっき方法によって異なるが、一般的に１０
〜２５ボーメ（Ｂａｕｍｅ）であり、ｐＨは、弱酸性〜
アルカリ性で、好ましくはｐＨ５〜１３である。
０〜４０℃、好ましくは３５℃で維持しながら、ここに
めっきすべき基材と陽極とを浸漬して、前記基材と陽極
とに０．５〜１．５ＡＳＤ（Ａｍｐｅｒｅ ｐｅｒ Ｓ
ｑｕａｒｅ Ｄｅｃｉｍｅｔｅｒ）、好ましくは０．７
〜１．０ＡＳＤの電流をかけて基材をめっきさせるが、
この際にパラジウム合金めっき組成物と基材を撹拌する
ことが好ましい。本発明のパラジウム合金めっき組成物
の比重は、めっき方法によって異なるが、一般的に１０
〜２５ボーメ（Ｂａｕｍｅ）であり、ｐＨは、弱酸性〜
アルカリ性で、好ましくはｐＨ５〜１３である。
【００１９】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明を詳細に説明
するが、これらは例示するものみであり、本発明の範囲
を制限するものではない。下記実施例では、はんだ付け
性及び柔軟性の試験を次のように実施した。 １．はんだ付け性 本発明のパラジウム合金めっき組成物でめっきした基材
を１７５℃で３分間硬化させた後、更に１７５℃で３時
間硬化させた。その後、１４５℃で９６時間加熱した
後、９５℃の蒸気で３２時間老化（Ａｇｅｉｎｇ）させ
た後、フラックス（Ｋｅｓｔｅｒ）に３秒間浸漬させ、
２６０℃で３秒間ハンダ付けして、めっきの均一度を顕
微鏡（Ｎｉｋｏｎ Ｍｅａｓｕｒｅｓｃｏｐｅ ＵＭ−
２，２５Ｘ）で確認した。 ２．柔軟性 めっきした基材を９０゜の角度に曲げた時、亀裂が発生
するか否かを肉眼で確認した。
するが、これらは例示するものみであり、本発明の範囲
を制限するものではない。下記実施例では、はんだ付け
性及び柔軟性の試験を次のように実施した。 １．はんだ付け性 本発明のパラジウム合金めっき組成物でめっきした基材
を１７５℃で３分間硬化させた後、更に１７５℃で３時
間硬化させた。その後、１４５℃で９６時間加熱した
後、９５℃の蒸気で３２時間老化（Ａｇｅｉｎｇ）させ
た後、フラックス（Ｋｅｓｔｅｒ）に３秒間浸漬させ、
２６０℃で３秒間ハンダ付けして、めっきの均一度を顕
微鏡（Ｎｉｋｏｎ Ｍｅａｓｕｒｅｓｃｏｐｅ ＵＭ−
２，２５Ｘ）で確認した。 ２．柔軟性 めっきした基材を９０゜の角度に曲げた時、亀裂が発生
するか否かを肉眼で確認した。
【００２０】実施例１ 表１に示す成分を蒸留水に入れて、パラジウムと金との
２元パラジウム合金めっき組成物（ｐＨ５，３５℃）１
リットルを製造した。
２元パラジウム合金めっき組成物（ｐＨ５，３５℃）１
リットルを製造した。
【００２１】
【表１】
【００２２】前記の方法で製造した２元パラジウム合金
めっき組成物を用いて、１．０ＡＳＤの電流密度でリー
ドフレームをめっきして、パラジウム７０％、金３０％
の合金比率を有し、表面が均一な薄い灰色のめっきを得
た。めっきしたリードフレームについて前記の方法では
んだ付け性を試験した結果、１００％はんだ付け性が確
認され、柔軟性試験でも亀裂が全く発生しなかった。
めっき組成物を用いて、１．０ＡＳＤの電流密度でリー
ドフレームをめっきして、パラジウム７０％、金３０％
の合金比率を有し、表面が均一な薄い灰色のめっきを得
た。めっきしたリードフレームについて前記の方法では
んだ付け性を試験した結果、１００％はんだ付け性が確
認され、柔軟性試験でも亀裂が全く発生しなかった。
【００２３】実施例２ 表２に示す成分を蒸留水に入れて、１リットルの３元パ
ラジウム合金めっき組成物（ｐＨ１０，３５℃）を製造
した。
ラジウム合金めっき組成物（ｐＨ１０，３５℃）を製造
した。
【００２４】
【表２】
【００２５】前記の方法で製造したパラジウム合金めっ
き組成物１リットルを使用して、０．７〜１．０ＡＳＤ
の電流密度でリードフレーム（ＭＯＴＯＲＯＬＡ １４
Ｌｅａｄ ＳＯＩＣ）をめっきして、パラジウム７５
％、ニッケル２０％、金５％の合金比率を有する１８〜
２０Ｋ程度の光沢度のめっきを得た。めっきしたリード
フレームについて前記の方法ではんだ付け性を試験した
結果、１００％はんだ付け性が確認され、柔軟性試験で
も亀裂が全く発生しなかった。
き組成物１リットルを使用して、０．７〜１．０ＡＳＤ
の電流密度でリードフレーム（ＭＯＴＯＲＯＬＡ １４
Ｌｅａｄ ＳＯＩＣ）をめっきして、パラジウム７５
％、ニッケル２０％、金５％の合金比率を有する１８〜
２０Ｋ程度の光沢度のめっきを得た。めっきしたリード
フレームについて前記の方法ではんだ付け性を試験した
結果、１００％はんだ付け性が確認され、柔軟性試験で
も亀裂が全く発生しなかった。
【００２６】
【００２７】
【００２８】
【００２９】
【００３０】
【００３１】
【００３２】実施例３ 表３に示す成分を蒸留水に入れて、１リットルの３元パ
ラジウム合金めっき組成物（ｐＨ１０，３５℃）を製造
した。この時、金供給源は、めっき液の充分な安定性の
ために、伝導性塩と反応させた後に投入した。
ラジウム合金めっき組成物（ｐＨ１０，３５℃）を製造
した。この時、金供給源は、めっき液の充分な安定性の
ために、伝導性塩と反応させた後に投入した。
【００３３】
【表３】
【００３４】前記の方法で製造したパラジウム合金めっ
き組成物１リットルを用いて、０．８〜１．５ＡＳＤの
電流密度でリードフレームをめっきして、パラジウム９
０％、スズ６％及び金４％の合金比率を有する２０Ｋの
光沢度のめっきを得た。めっきしたリードフレームのは
んだ付け性を試験した結果、９９％はんだ付け性が確認
され、柔軟性試験でも亀裂が全く発生しなかった。
き組成物１リットルを用いて、０．８〜１．５ＡＳＤの
電流密度でリードフレームをめっきして、パラジウム９
０％、スズ６％及び金４％の合金比率を有する２０Ｋの
光沢度のめっきを得た。めっきしたリードフレームのは
んだ付け性を試験した結果、９９％はんだ付け性が確認
され、柔軟性試験でも亀裂が全く発生しなかった。
【００３５】実施例４ 表４に示す成分を蒸留水に入れて、１リットルの３元パ
ラジウム合金めっき組成物（ｐＨ１０，３５℃）を製造
した。この時、タングステン供給源は伝導性塩及び錯化
剤で予め反応させてから投入した。
ラジウム合金めっき組成物（ｐＨ１０，３５℃）を製造
した。この時、タングステン供給源は伝導性塩及び錯化
剤で予め反応させてから投入した。
【００３６】
【表４】
【００３７】前記の方法で製造したパラジウム合金めっ
き組成物１リットルを使用して、０．７〜１．２ＡＳＤ
の電流密度で基材をめっきして、パラジウム９０％、金
５％及びタングステン５％の合金比率を有する２０〜２
２Ｋのめっきを得た。めっきしたリードフレームのはん
だ付け性を試験した結果、１００％はんだ付け性が確認
され、柔軟性試験でも亀裂が全く発生しなかった。
き組成物１リットルを使用して、０．７〜１．２ＡＳＤ
の電流密度で基材をめっきして、パラジウム９０％、金
５％及びタングステン５％の合金比率を有する２０〜２
２Ｋのめっきを得た。めっきしたリードフレームのはん
だ付け性を試験した結果、１００％はんだ付け性が確認
され、柔軟性試験でも亀裂が全く発生しなかった。
【００３８】比較実施例 表５に示す成分を蒸留水に入れて、１リットルのめっき
組成物（３５℃，ｐＨ１０）を製造した。
組成物（３５℃，ｐＨ１０）を製造した。
【００３９】
【表５】
【００４０】前記の方法で製造しためっき組成物１リッ
トルを使用して、０．５〜１．０ＡＳＤの電流密度でリ
ードフレームをめっきした。めっきしたリードフレーム
について前記の方法ではんだ付け性を試験した結果、は
んだ付け性が６５％の不良状態であるものと確認され、
柔軟性試験でも亀裂が発生した。
トルを使用して、０．５〜１．０ＡＳＤの電流密度でリ
ードフレームをめっきした。めっきしたリードフレーム
について前記の方法ではんだ付け性を試験した結果、は
んだ付け性が６５％の不良状態であるものと確認され、
柔軟性試験でも亀裂が発生した。
【００４１】
【発明の効果】本発明のパラジウム合金めっき組成物
は、合金成分金属イオンに応じて適切な伝導性塩及び錯
化剤を使用するので、安定性に優れ、不純物の影響をほ
とんど受けることがなく、長期間均一なめっきを維持す
ることができる。また、はんだ付けを必要とする全ての
製品、例えば、リードフレーム、印刷回路基板、コネク
ター等を本発明のパラジウム合金めっき組成物でめっき
することによって優れたはんだ付け性を得ることができ
る。
は、合金成分金属イオンに応じて適切な伝導性塩及び錯
化剤を使用するので、安定性に優れ、不純物の影響をほ
とんど受けることがなく、長期間均一なめっきを維持す
ることができる。また、はんだ付けを必要とする全ての
製品、例えば、リードフレーム、印刷回路基板、コネク
ター等を本発明のパラジウム合金めっき組成物でめっき
することによって優れたはんだ付け性を得ることができ
る。
Claims (11)
- 【請求項１】 可溶性パラジウム化合物形態のパラジウ
ム４〜２０ｇ／リットル、可溶性金化合物形態の金０．
３〜２．０ｇ／リットル、一つ以上の伝導性塩５〜１０
０ｇ／リットル及び４−オキソペンタン酸、ベンズアル
デヒドトリスチリルフェネート及びこれらの混合物から
選択された錯化剤０．５〜２０ｇ／リットルを含有する
ことを特徴とするパラジウム−金合金めっき組成物。 - 【請求項２】 前記パラジウム化合物が、二塩化ジアン
ミンパラジウム、二塩化テトラアンミンパラジウム、二
窒化ジアンミンパラジウム、酸化パラジウム、硝酸パラ
ジウム及びシアン化パラジウムからなる群から選択され
た化合物である請求項１記載の組成物。 - 【請求項３】 前記金化合物が、シアン化金（Ｉ）カリ
ウム、シアン化金（ＩＩＩ）カリウム、塩化金（ＩＩ
Ｉ）及び酸化金（ＩＩＩ）からなる群から選択された化
合物である請求項１記載の組成物。 - 【請求項４】 ニッケル化合物、スズ化合物及びこれら
の混合物から選択された可溶性化合物形態の合金成分金
属０．３〜５ｇ／リットルを更に含有する請求項１記載
の組成物。 - 【請求項５】 前記ニッケル化合物が、硫酸ニッケル六
水和物、塩化ニッケル六水和物、スルファミン酸ニッケ
ル、フタロシアニンニッケル、炭酸ニッケル四水和物、
硝酸ニッケル、水酸化ニッケル又はこれらの混合物であ
る請求項４記載の組成物。 - 【請求項６】 前記スズ化合物が、塩化第一スズ二水和
物、シュウ酸第一スズ、スズ酸ナトリウム、スズ酸カリ
ウム又はこれらの混合物である請求項４記載の組成物。 - 【請求項７】 光沢剤０．００５〜０．０５ｇ／リット
ル、表面改善剤０．００１〜０．０５ｇ／リットル、応
力減少剤０．００１〜０．０５ｇ／リットル、又はこれ
らの混合物を更に含有する請求項１又は４に記載の組成
物。 - 【請求項８】 前記光沢剤が、ベンゼンスルホネート、
フルアルデヒド、ラウリルメチルアニリン及びこれらの
混合物からなる群から選択された化合物である請求項７
記載の組成物。 - 【請求項９】 前記表面改善剤が、ポリエトキシ化脂肪
モノアルカノールアミドである請求項７記載の組成物。 - 【請求項１０】 前記応力減少剤が、サッカリンである
請求項７記載の組成物。 - 【請求項１１】 請求項１に記載のめっき組成物に、リ
ードフレーム、印刷回路基板及びコネクターから選択さ
れためっきすべき基材と陽極とを浸漬させ、前記組成物
を３０〜４０℃に維持しながら、０．５〜１．５ＡＳＤ
の電流密度を前記基材と前記陽極とにかけて、前記基材
をめっきすることを含む、パラジウム合金組成物を基材
の上にめっきする方法。
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| KR1994/3550 | 1994-02-26 |
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|---|---|---|---|
| JP7062011A Expired - Fee Related JP2645701B2 (ja) | 1994-02-26 | 1995-02-25 | パラジウム合金めっき組成物、及びめっき方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH09232493A (ja) * | 1995-12-20 | 1997-09-05 | Seiichi Serizawa | リードフレーム |
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| JP3685276B2 (ja) * | 1996-07-01 | 2005-08-17 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | パラジウム・銀合金めっき浴 |
| US6534192B1 (en) * | 1999-09-24 | 2003-03-18 | Lucent Technologies Inc. | Multi-purpose finish for printed wiring boards and method of manufacture of such boards |
| CN1113981C (zh) * | 1999-09-30 | 2003-07-09 | 上海交通大学 | 用于微特电机换向器的电刷镀钯工艺 |
| FR2807450B1 (fr) * | 2000-04-06 | 2002-07-05 | Engelhard Clal Sas | Bain electrolytique destine au depot electrochimique du palladium ou de ses alliages |
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| US20080173470A1 (en) * | 2005-10-03 | 2008-07-24 | Michael Barbetta | Combined Solderable Multi-Purpose Surface Finishes on Circuit Boards and Method of Manufacture of Such Boards |
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| EP2438217A4 (en) * | 2009-06-01 | 2013-11-27 | Univ Rmit | GOLD NANOSTRUCTURES ELECTRODEPOSEESS |
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| DE102013110263A1 (de) * | 2013-09-18 | 2015-03-19 | Harting Kgaa | Galvanisches Bad |
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| AU2017276799B2 (en) * | 2016-06-06 | 2022-04-14 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Method of forming a PD-AU alloy layer on a substrate |
| WO2018004201A1 (ko) * | 2016-06-29 | 2018-01-04 | 동국대학교 경주캠퍼스 산학협력단 | 미세분무용 다공성 필터의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 다공성 필터 |
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| JPS5760438A (en) * | 1980-09-30 | 1982-04-12 | Fujitsu Ltd | File acess system |
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| JPS608315A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-17 | Toshiba Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 |
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- 1995-01-18 TW TW084100423A patent/TW379259B/zh not_active IP Right Cessation
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