JPS608315A - 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂成形材料Info
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- JPS608315A JPS608315A JP58115952A JP11595283A JPS608315A JP S608315 A JPS608315 A JP S608315A JP 58115952 A JP58115952 A JP 58115952A JP 11595283 A JP11595283 A JP 11595283A JP S608315 A JPS608315 A JP S608315A
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- JP
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- epoxy resin
- molding material
- component
- epoxy
- rubber component
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- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体封止用エポキシ樹+111成形材料に
関し、更に詳しくは、優れた耐湿性、耐腐食性、可撓性
及び成形性を有する硬化物を得ることが可能な半導体封
止用エポキシ樹脂成形材料に関する。
関し、更に詳しくは、優れた耐湿性、耐腐食性、可撓性
及び成形性を有する硬化物を得ることが可能な半導体封
止用エポキシ樹脂成形材料に関する。
半導体素子を樹脂を用いて封止する場合には、一般に、
@脂を半導体に直接封止することが行なわれている。そ
のため、半導体素子と樹脂との温度変化に伴う線膨張率
の差が大きい場合や大きな熱応力がかかった場合には、
素子ペレットが割れを生じたり、半導体素子のボンディ
ング綜が切断されるという問題点を有している。
@脂を半導体に直接封止することが行なわれている。そ
のため、半導体素子と樹脂との温度変化に伴う線膨張率
の差が大きい場合や大きな熱応力がかかった場合には、
素子ペレットが割れを生じたり、半導体素子のボンディ
ング綜が切断されるという問題点を有している。
一方、近6年において、半尋体系子が大型化されつつあ
ることに伴い、半導体素子に対する封止用m18Wの応
力を小さくすることが望までている。
ることに伴い、半導体素子に対する封止用m18Wの応
力を小さくすることが望までている。
このような要求を溝足するだめの方法として、例えは、
可撓性付与剤を配合する方法が知られている。しかしな
がら、従来知られている可撓性付与剤を配合した場合に
は、町−Ihj性は改良されるものの、一方においてガ
ラン転移点(Tg)が急(改に低下すると同時に旨温べ
気特性も低下し、耐湿性に与える影響が大きいという問
題点を有している。
可撓性付与剤を配合する方法が知られている。しかしな
がら、従来知られている可撓性付与剤を配合した場合に
は、町−Ihj性は改良されるものの、一方においてガ
ラン転移点(Tg)が急(改に低下すると同時に旨温べ
気特性も低下し、耐湿性に与える影響が大きいという問
題点を有している。
又、低弾性率及び尚ガラス転移点を有するシリコーン樹
脂は金属との接着性が劣り、透湿性が太きいために、耐
湿性の面で信頼性に欠けるという問題を有している。
脂は金属との接着性が劣り、透湿性が太きいために、耐
湿性の面で信頼性に欠けるという問題を有している。
またポリブタジェンやポリブタジェン9アクリロニトリ
ルなどの液状ゴムを配合すると、ガラス転移点を下げず
に、低弾性率化が可能であるが。
ルなどの液状ゴムを配合すると、ガラス転移点を下げず
に、低弾性率化が可能であるが。
金型からの離型性が悪くなり、離型剤を多量に心安とす
るため、金属との接着性が低下し、耐湿性が恕くなる問
題があった。
るため、金属との接着性が低下し、耐湿性が恕くなる問
題があった。
本発明は、成形性が良好でガラス転移点をはじめとする
硬化後のレジン物性の低下が少なく高い耐湿性と高い耐
腐食性および可続性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂
成形材料を提供することにある。
硬化後のレジン物性の低下が少なく高い耐湿性と高い耐
腐食性および可続性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂
成形材料を提供することにある。
上記目的を達成すべく本発明者らが鋭意検Uを市、ねた
結果離型剤として高級脂肪酸のアミドおよび/または多
価アミドを配合することにより成形性、耐湿性耐腐食性
および可撓性に優れたエポキシ樹脂成形材料が得られる
ことを見出した。すなわち、本発明の半導体封止用エポ
キシ園1旨成形材料は、 (a)エポキシ樹脂、(b)フェノール柿脂健化剤、(
C)有機ホンフィン化合物%(d)無機質充てん剤、(
e)分子骨格に不飽和二重結合を有するゴム成分、(f
)高級脂肪酸のアミドおよび/または多価アミドを含む
ことを特徴とするものである。
結果離型剤として高級脂肪酸のアミドおよび/または多
価アミドを配合することにより成形性、耐湿性耐腐食性
および可撓性に優れたエポキシ樹脂成形材料が得られる
ことを見出した。すなわち、本発明の半導体封止用エポ
キシ園1旨成形材料は、 (a)エポキシ樹脂、(b)フェノール柿脂健化剤、(
C)有機ホンフィン化合物%(d)無機質充てん剤、(
e)分子骨格に不飽和二重結合を有するゴム成分、(f
)高級脂肪酸のアミドおよび/または多価アミドを含む
ことを特徴とするものである。
本発明において用いられるエポキシ樹脂成分(a)は、
通常知られているものであり、時に限定されない。例え
ばビスフェノールA壓エポキシJfpJ II&、フェ
ノールレノボラック屋エホキシ樹1]旨、クレソ°−ル
ノボラック型エポキシ樹脂などグリシジルエーテル型エ
ホキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリ
シジルアミン型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂
、IIV4扉式エ水式エポキシ眉、複索線型エポキシ樹
脂指、ハロゲン化エポキシ樹脂など一分子中にエポキシ
糸を2個以上肩するエポキシtGJ 脂が挙げられる。
通常知られているものであり、時に限定されない。例え
ばビスフェノールA壓エポキシJfpJ II&、フェ
ノールレノボラック屋エホキシ樹1]旨、クレソ°−ル
ノボラック型エポキシ樹脂などグリシジルエーテル型エ
ホキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリ
シジルアミン型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂
、IIV4扉式エ水式エポキシ眉、複索線型エポキシ樹
脂指、ハロゲン化エポキシ樹脂など一分子中にエポキシ
糸を2個以上肩するエポキシtGJ 脂が挙げられる。
しかしてこれらエポキシ樹FI目は1.i!liもしく
は2棟以上の混合糸で用いてもよい。
は2棟以上の混合糸で用いてもよい。
本発明において用いられる更に好ましいエポキ’/ b
l 11tVは、エポキシ当量170〜300のノボラ
ック型エポキシ樹脂でめって、たとえばフェノールノボ
ラック型エポキシ、樹脂、クレゾールノボラック型エポ
キシml脂、ハロゲン化フェノールノボラック型エポキ
シ−脂などである。
l 11tVは、エポキシ当量170〜300のノボラ
ック型エポキシ樹脂でめって、たとえばフェノールノボ
ラック型エポキシ、樹脂、クレゾールノボラック型エポ
キシml脂、ハロゲン化フェノールノボラック型エポキ
シ−脂などである。
本発明において、エポキシ樹脂の硬化剤としてのフェノ
ール樹脂成分(b)とは、例えばフェノールオルン、メ
タ、パラ−クレゾール、エチルフェノール、キシレノー
ル類、p tert−ブチルフェノール、オクチルフェ
ノール、ノニルフェノール、ドデシルフェノールなどの
アルキル置換フェノール類; α−ナフトール、β−ナフトールなどの縮合多環系フェ
ノール類; ホルン、メタ、パラ−ビニルフェノール、オルソ、メタ
、パラ−アリルフェノール、方りデニルフェノール、オ
クタジェニルフェノール、ドデヵトリエニルフェノール
などの鎖状不飽和炭化水素基で置換されたフェノール類
; p−メトキシフェノール、p−エトキシフェノ−kfz
どのアルコキシフェノール類;p−カルボキシメチルフ
ェノール、p−カルボキシエチルフェノールなどのp−
オキシ安息香酸エステル類; ビスフェノールA1フエニルフエノール、クミルフェノ
ール、スチレン化フェノール等の゛アルチルフェノール
類似化合物、カテコール、レゾルシン等の多価フェノー
ル;オルソ、メタ、パラ−クロロフェノール等から成る
群より遍ばれた少なくとも1種のフェノール誘導体と、
ホルムアルデヒド又はバラホルムアルデセドを酸、塩基
、又は中性塩などを触媒として反応せしめた樹脂等が挙
げられる。
ール樹脂成分(b)とは、例えばフェノールオルン、メ
タ、パラ−クレゾール、エチルフェノール、キシレノー
ル類、p tert−ブチルフェノール、オクチルフェ
ノール、ノニルフェノール、ドデシルフェノールなどの
アルキル置換フェノール類; α−ナフトール、β−ナフトールなどの縮合多環系フェ
ノール類; ホルン、メタ、パラ−ビニルフェノール、オルソ、メタ
、パラ−アリルフェノール、方りデニルフェノール、オ
クタジェニルフェノール、ドデヵトリエニルフェノール
などの鎖状不飽和炭化水素基で置換されたフェノール類
; p−メトキシフェノール、p−エトキシフェノ−kfz
どのアルコキシフェノール類;p−カルボキシメチルフ
ェノール、p−カルボキシエチルフェノールなどのp−
オキシ安息香酸エステル類; ビスフェノールA1フエニルフエノール、クミルフェノ
ール、スチレン化フェノール等の゛アルチルフェノール
類似化合物、カテコール、レゾルシン等の多価フェノー
ル;オルソ、メタ、パラ−クロロフェノール等から成る
群より遍ばれた少なくとも1種のフェノール誘導体と、
ホルムアルデヒド又はバラホルムアルデセドを酸、塩基
、又は中性塩などを触媒として反応せしめた樹脂等が挙
げられる。
更には、ポリグリコール類、カシコーナソト油、あまに
油のごとき共役2重結合を有しない乾性油、アニリンの
如きアミン類などで変性したフェノール樹脂また、トル
エン、キシレンあるいはメシチレン等とホルアリンとの
゛縮合物でおるいわゆる芳香族炭化水素樹脂変性フェノ
ール樹脂なども挙げられる。
油のごとき共役2重結合を有しない乾性油、アニリンの
如きアミン類などで変性したフェノール樹脂また、トル
エン、キシレンあるいはメシチレン等とホルアリンとの
゛縮合物でおるいわゆる芳香族炭化水素樹脂変性フェノ
ール樹脂なども挙げられる。
以上のフェノール樹脂の中で、特に好ましくは、酸を触
媒として得られるノボラック型フェノール樹脂であり、
これらフェノール(1r1脂の軟化点は60’〜120
°Cの範囲内にあることが好1しく、更に常温における
水に可溶性のフェノール樹脂成分3チ以下であることが
好ましい。
媒として得られるノボラック型フェノール樹脂であり、
これらフェノール(1r1脂の軟化点は60’〜120
°Cの範囲内にあることが好1しく、更に常温における
水に可溶性のフェノール樹脂成分3チ以下であることが
好ましい。
またフェノール樹脂の配合量は、エポキシ樹脂1当量に
対して、0.5〜2.0当鋏であり、好ましくは0.8
〜1.2当量である。上記範囲外では特性劣化をまねき
やすくなるだめである。
対して、0.5〜2.0当鋏であり、好ましくは0.8
〜1.2当量である。上記範囲外では特性劣化をまねき
やすくなるだめである。
本発明における分子骨格に不飽和二組結合を冶するゴム
成分e)としては例えばポリブタジェン(ブタジェンゴ
ム)、インプレンゴム、クロロプレンゴム及びイソブチ
レンゴム等又はこれらを含む各種共重合体ゴム、例えば
、ブタジェン−アクリロントリル共重合ゴム、ブタジェ
ン−スチレン共重合ゴム、ブタジェン−スチレン共重合
体ゴム及びブタジェン−インブチレン共重合体ゴム等を
適用することができ、更に又、これらの化合物の分子内
部又は末端にカルボキシル基、ヒドロキシ基、7アノ基
、アミノ基、ニトロ基、アルデヒド基及びエポキシ基の
ような官能基を有するものであり、特にカルボキシル基
、水酸基、エポキシ基から選ばれる少くともひとつの基
を有するポリブタジェン、ポリブタジェン、アクリロニ
トリル共重合体ゴム等が本発明の効果を有効に発揮する
。
成分e)としては例えばポリブタジェン(ブタジェンゴ
ム)、インプレンゴム、クロロプレンゴム及びイソブチ
レンゴム等又はこれらを含む各種共重合体ゴム、例えば
、ブタジェン−アクリロントリル共重合ゴム、ブタジェ
ン−スチレン共重合ゴム、ブタジェン−スチレン共重合
体ゴム及びブタジェン−インブチレン共重合体ゴム等を
適用することができ、更に又、これらの化合物の分子内
部又は末端にカルボキシル基、ヒドロキシ基、7アノ基
、アミノ基、ニトロ基、アルデヒド基及びエポキシ基の
ような官能基を有するものであり、特にカルボキシル基
、水酸基、エポキシ基から選ばれる少くともひとつの基
を有するポリブタジェン、ポリブタジェン、アクリロニ
トリル共重合体ゴム等が本発明の効果を有効に発揮する
。
これらゴム成分e)の配合量は前記成分a) 十b)
+e)に対して、0.5〜40亘量%訛−よしくは1〜
20[近%である。e)成分の配合%が0.5重jlJ
t%未満でおると、弾性率の低下が少なく、充分な可1
j1:性が得にくいためであり、一方40里、勘士襲イ
Il−超えると戦械的強度及び祇気的特性の低下が大き
くなるためである。
+e)に対して、0.5〜40亘量%訛−よしくは1〜
20[近%である。e)成分の配合%が0.5重jlJ
t%未満でおると、弾性率の低下が少なく、充分な可1
j1:性が得にくいためであり、一方40里、勘士襲イ
Il−超えると戦械的強度及び祇気的特性の低下が大き
くなるためである。
上記三成分(a) 、 (b) 、 (e)に関し、こ
れら三成分の配合順序は特に眠足されず、どのような順
序で加えてもよく父、三成分(a) l (b)及□び
(e) ’(I−同時に配合してもよい。これらの配合
法を具体的に述べると、191Jえば成分(a)と成分
(e)を混合し、これに成分(b)を加えてロール、ニ
ーダ笠により、60〜100°C110分間程度の混f
1!金行なう手法、成分(a)と(b)を混合し、これ
に成分(e)を加えて同上処理を行なう手法及び上記三
成分を同時に配合して同上処理を行なう手法をとること
が可能である。そして更には、例えば、成分(a)の半
分と成分(b)、成分(a)の半分と成分(e)または
成分(a)と成分(b)の半分、成分(b)の半分と成
分(e)または成分(a)と成分(e)の半分、成分(
b)と成分(e)の半分とを別個に配合した後、両者を
トライブレンドすることも可能である。
れら三成分の配合順序は特に眠足されず、どのような順
序で加えてもよく父、三成分(a) l (b)及□び
(e) ’(I−同時に配合してもよい。これらの配合
法を具体的に述べると、191Jえば成分(a)と成分
(e)を混合し、これに成分(b)を加えてロール、ニ
ーダ笠により、60〜100°C110分間程度の混f
1!金行なう手法、成分(a)と(b)を混合し、これ
に成分(e)を加えて同上処理を行なう手法及び上記三
成分を同時に配合して同上処理を行なう手法をとること
が可能である。そして更には、例えば、成分(a)の半
分と成分(b)、成分(a)の半分と成分(e)または
成分(a)と成分(b)の半分、成分(b)の半分と成
分(e)または成分(a)と成分(e)の半分、成分(
b)と成分(e)の半分とを別個に配合した後、両者を
トライブレンドすることも可能である。
また本り6明においては、成分(a)と成分(e)をf
W融混合(加熱、80”C〜200°C210分〜5時
曲)して4)本られる反応物を用い、これを成分(b)
に配合1寸たけ成分(b)と成分(e)を溶融混合(加
$、80”(’t〜200 ’(J3 、10分〜5時
間)して得られる反応物を用い、これを成分(&)に配
合し、ロール、ニーダ−等により60゛C〜100℃で
10分間程度混練することにより、目的とする優れた特
性の成形劇料を得ることができる。また成分(c) 、
(d) 、 (f)の配合順序も!11に限定されず
、上記三成分の配合の際に含まれてもか壕わない。成分
(c)については特に、成分(c)の一部を成分(a)
と成分(e)の加熱反応の隙の触媒として配合すること
もできる。
W融混合(加熱、80”C〜200°C210分〜5時
曲)して4)本られる反応物を用い、これを成分(b)
に配合1寸たけ成分(b)と成分(e)を溶融混合(加
$、80”(’t〜200 ’(J3 、10分〜5時
間)して得られる反応物を用い、これを成分(&)に配
合し、ロール、ニーダ−等により60゛C〜100℃で
10分間程度混練することにより、目的とする優れた特
性の成形劇料を得ることができる。また成分(c) 、
(d) 、 (f)の配合順序も!11に限定されず
、上記三成分の配合の際に含まれてもか壕わない。成分
(c)については特に、成分(c)の一部を成分(a)
と成分(e)の加熱反応の隙の触媒として配合すること
もできる。
本発明において、硬化促進剤として有機ホスフィン化合
物を用いることによって、従来のイミダゾールやアミン
等の硬化促進剤を用いた用5合に比較して、樹1指封止
型半導体装置の耐湿性や高湯亀負特性を著しく改善する
ことができる。
物を用いることによって、従来のイミダゾールやアミン
等の硬化促進剤を用いた用5合に比較して、樹1指封止
型半導体装置の耐湿性や高湯亀負特性を著しく改善する
ことができる。
本発明において用いられる有機ホスフィン化合物として
は、式〔■〕: 1 R2−Pi:I) s においてl(l〜R3がすべて有機基である第3ホスフ
ィン化合物s R3のみ水素である第2ボスフィン化合
’ll’J 、Rz lR3がともに水素で5る第1ホ
スフィ/化合物がある。具体的にはトリフェニルホスフ
ィン、トリブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホス
フィン、メチルジフェニルホスフィン、ブチルフェニル
ホスフィン、ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィ
ン、オクチルホスフィンナトである。またR、が有機ホ
スフィンを含む有機基であってもよい。たとえば1,2
−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン、ビス(ジフェ
ニルホスフィノ)メタンなどである。
は、式〔■〕: 1 R2−Pi:I) s においてl(l〜R3がすべて有機基である第3ホスフ
ィン化合物s R3のみ水素である第2ボスフィン化合
’ll’J 、Rz lR3がともに水素で5る第1ホ
スフィ/化合物がある。具体的にはトリフェニルホスフ
ィン、トリブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホス
フィン、メチルジフェニルホスフィン、ブチルフェニル
ホスフィン、ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィ
ン、オクチルホスフィンナトである。またR、が有機ホ
スフィンを含む有機基であってもよい。たとえば1,2
−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン、ビス(ジフェ
ニルホスフィノ)メタンなどである。
これらの中でもアリールホスフィンが好ましく、特にト
リフェニルホスフィン等のトリアリールホスフィンが好
ましい。またこれらの有機ホスフィン化合物は1種もし
くは2種以上の混合系で用いてもよい。しかしてこの有
機ホスフィン化合物の配合量は一般に樹脂成分(エポキ
シ樹脂と硬化剤)のo、ooi〜20重量%の範囲内で
よいが!侍に好ましい特性は0.01〜5重量−の範囲
内で得られる。
リフェニルホスフィン等のトリアリールホスフィンが好
ましい。またこれらの有機ホスフィン化合物は1種もし
くは2種以上の混合系で用いてもよい。しかしてこの有
機ホスフィン化合物の配合量は一般に樹脂成分(エポキ
シ樹脂と硬化剤)のo、ooi〜20重量%の範囲内で
よいが!侍に好ましい特性は0.01〜5重量−の範囲
内で得られる。
有様ホスフィン化合物の配合量を特にこの範囲とする仁
とにより、優れた特性の半導体封止用エポキシ樹脂成形
材料を得ることができる。配合量が0.001重蓋−未
満では添加の効果が認めがたく、エポキシ樹脂組成物の
硬化に長時間を要する欠点があり、20重ft9I+を
超えると品質に惑影曽を及はす。
とにより、優れた特性の半導体封止用エポキシ樹脂成形
材料を得ることができる。配合量が0.001重蓋−未
満では添加の効果が認めがたく、エポキシ樹脂組成物の
硬化に長時間を要する欠点があり、20重ft9I+を
超えると品質に惑影曽を及はす。
本発明において離型剤として用いられる高級脂肪酸のア
ミドおよび/または多価アミドは、例えば炭素数14以
上の長鎖−価飽和脂肪酸と、アンモニア、脂肪族アミン
および脂肪族多価アミンとを、通常トルエン、キシレン
のような有機溶剤の存在下で加熱反応によυ、脱水縮合
させて得られる。ここに使用する長鎖−価飽和脂肪酸の
例としてはステアリン酸、べへ/酸、モンタン酸などで
あシ、また脂肪族アミン−の例としては、メチルアミン
、エチルアミンなどがあり、また1脂肪族多価アミンの
例としては、エチレンジアミン、ジエチレントリアミ/
などが挙げられる。
ミドおよび/または多価アミドは、例えば炭素数14以
上の長鎖−価飽和脂肪酸と、アンモニア、脂肪族アミン
および脂肪族多価アミンとを、通常トルエン、キシレン
のような有機溶剤の存在下で加熱反応によυ、脱水縮合
させて得られる。ここに使用する長鎖−価飽和脂肪酸の
例としてはステアリン酸、べへ/酸、モンタン酸などで
あシ、また脂肪族アミン−の例としては、メチルアミン
、エチルアミンなどがあり、また1脂肪族多価アミンの
例としては、エチレンジアミン、ジエチレントリアミ/
などが挙げられる。
また高級脂肪族酸のアミドおよび/または多価アミドの
配合割合はエポキシ樹脂成形材料に対してo、i〜2.
01目、好ましくは0.2〜i、o承量%でめる。配合
割合が多くなりすぎると金属との接着性が低下し、耐湿
性に悪影響をおよほすためと。
配合割合はエポキシ樹脂成形材料に対してo、i〜2.
01目、好ましくは0.2〜i、o承量%でめる。配合
割合が多くなりすぎると金属との接着性が低下し、耐湿
性に悪影響をおよほすためと。
電気的、機械的、化学的緒特性が低下しゃすいだめであ
る。
る。
なお上記両級脂肪酸のアミドおよび/または多価アミド
とともに、従来公知のステアリン酸のよりな長鎖脂肪酸
、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酵カルシウムで代表さ
れる長鎖11目肪酸の金屑塩、カルナバワックス、モン
タンワックスで代表されるエステル系ワックスなどを併
用しても景し支えない。
とともに、従来公知のステアリン酸のよりな長鎖脂肪酸
、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酵カルシウムで代表さ
れる長鎖11目肪酸の金屑塩、カルナバワックス、モン
タンワックスで代表されるエステル系ワックスなどを併
用しても景し支えない。
本発明の成分(d)の無機質フィラーとしては例えば結
晶体シリカ粉、石英ガラス粉、タルクケイ酸カルシウム
粉、ケイ酸ジルマニウム粉、アルミナ粉、炭酸カルシウ
ム粉、クレー、硫酸バリクム粉、カラス繊維などがあげ
られる。これら無機質フィラーの添加量としては、50
〜85重釦:%が望ましく、85重量%以上では組成物
の流動性が低く、50重量%以下では線膨張率が大きく
なるなどの問題が生じる。したがって50〜85重+#
チのφ1も囲において無機質フィラーの種類により所望
の弾性率、線J膨張率、ガラス転移点を付与するに十分
なり1゛配合される。
晶体シリカ粉、石英ガラス粉、タルクケイ酸カルシウム
粉、ケイ酸ジルマニウム粉、アルミナ粉、炭酸カルシウ
ム粉、クレー、硫酸バリクム粉、カラス繊維などがあげ
られる。これら無機質フィラーの添加量としては、50
〜85重釦:%が望ましく、85重量%以上では組成物
の流動性が低く、50重量%以下では線膨張率が大きく
なるなどの問題が生じる。したがって50〜85重+#
チのφ1も囲において無機質フィラーの種類により所望
の弾性率、線J膨張率、ガラス転移点を付与するに十分
なり1゛配合される。
本発明は必要に応じて更に酸化アンチモン、ハロゲン化
物、リン化物などの難燃化剤、シラン系、ボラン系、及
びチタン系カップリング剤のような充てん剤の表面処理
剤、カーボンブラックのような顔料なども添加すること
ができる。本4ら明のエポキシ樹脂成形材料の製法は、
常法に従い上述した各成分を例えはミキサーによって、
充分混合後、さらに熱ロールにより混合処理を施し−C
1成形材料とし、これを低圧トランスファー成形法など
によシ、トランジスタ、パワートランジスタ、ダイオー
ド、IC,LSI等の半得体素子を封止すればよい。
物、リン化物などの難燃化剤、シラン系、ボラン系、及
びチタン系カップリング剤のような充てん剤の表面処理
剤、カーボンブラックのような顔料なども添加すること
ができる。本4ら明のエポキシ樹脂成形材料の製法は、
常法に従い上述した各成分を例えはミキサーによって、
充分混合後、さらに熱ロールにより混合処理を施し−C
1成形材料とし、これを低圧トランスファー成形法など
によシ、トランジスタ、パワートランジスタ、ダイオー
ド、IC,LSI等の半得体素子を封止すればよい。
本発明によれば、その樹脂硬化物が優れた耐湿性、耐腐
食性可撓性及び成形性を有する半導体封止用エポキシ樹
脂成形材料を得ることが可能でおる。
食性可撓性及び成形性を有する半導体封止用エポキシ樹
脂成形材料を得ることが可能でおる。
合成例
四つ目フラスコに表−1に示した配合量(重量部)でエ
ポキシ樹脂、ポリブタジェ/、ポリブタジェンアクリロ
ニトリルゴムを加え、窒素気流中、140±10’Oの
一温度範囲で攪拌上反応を続はゴム変成エポキシ樹脂A
−Cを得た。またフェノール樹脂とポリブタジェンを1
50’0X30分反応させた反応物りを合成した。
ポキシ樹脂、ポリブタジェ/、ポリブタジェンアクリロ
ニトリルゴムを加え、窒素気流中、140±10’Oの
一温度範囲で攪拌上反応を続はゴム変成エポキシ樹脂A
−Cを得た。またフェノール樹脂とポリブタジェンを1
50’0X30分反応させた反応物りを合成した。
尚、エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂(エポキシ当量220.軟化点75”C)、エピ
コート828(シェル化学社製、エポキシ当量約190
)を、ポリブタジェンとしてPb−R−45M (出光
石油化学社製、分子1%1i1800.水酸基価42)
とPb−R−45EPT (出光石油化学社製、分子量
2800、エポキシ当量1600 )を、又、ポリブタ
ジェン−アクリロニトリルゴムとしてH3’ c a
r C1’l(N −1300X8 (宇部興M物製、
カルボキシル基当縫約1790%AN%:18)を、さ
らにフェノール社′411旨としては、フェノールノボ
ラック4Aj its (水酸基轟音104)を用いた
。
シ樹脂(エポキシ当量220.軟化点75”C)、エピ
コート828(シェル化学社製、エポキシ当量約190
)を、ポリブタジェンとしてPb−R−45M (出光
石油化学社製、分子1%1i1800.水酸基価42)
とPb−R−45EPT (出光石油化学社製、分子量
2800、エポキシ当量1600 )を、又、ポリブタ
ジェン−アクリロニトリルゴムとしてH3’ c a
r C1’l(N −1300X8 (宇部興M物製、
カルボキシル基当縫約1790%AN%:18)を、さ
らにフェノール社′411旨としては、フェノールノボ
ラック4Aj its (水酸基轟音104)を用いた
。
以下余白
実施例・比較例
合成例で得たゴム変性エポキシ樹脂およびフェノール樹
脂と下記の材料を用いて、表−2に示すごとき組成のエ
ポキシ樹脂組成物(実施例1〜7゜比較例1〜4)をミ
キサーにより混合、加熱ロールによる混線、冷却後粉砕
して、エポキシ樹脂成形材料を゛調製した。
脂と下記の材料を用いて、表−2に示すごとき組成のエ
ポキシ樹脂組成物(実施例1〜7゜比較例1〜4)をミ
キサーにより混合、加熱ロールによる混線、冷却後粉砕
して、エポキシ樹脂成形材料を゛調製した。
次いで各成形材料を用いて、175°(J×3分で硬化
し、180’OX8時間の後硬化の条件で集積回路ケ封
止した。このようにして得られた梢脂飼止型半導体装置
を、高温高圧水蒸気中における耐湿試験: PCT (
プレッシャークツカーテスト;120’02気圧)に供
した。各実施例、各比較例につき被評価個数100個を
試験に供し、一定時間経過時におけ本不良発生個数を調
べこれを表−3に示した。
し、180’OX8時間の後硬化の条件で集積回路ケ封
止した。このようにして得られた梢脂飼止型半導体装置
を、高温高圧水蒸気中における耐湿試験: PCT (
プレッシャークツカーテスト;120’02気圧)に供
した。各実施例、各比較例につき被評価個数100個を
試験に供し、一定時間経過時におけ本不良発生個数を調
べこれを表−3に示した。
技たべ−3には、トランスファモールドを用いて175
’QXa分成形での全滅からの離型性の評価結果と、1
75℃×3分の条件で試験片を作M L。
’QXa分成形での全滅からの離型性の評価結果と、1
75℃×3分の条件で試験片を作M L。
1800X8時間の後硬化を行なっだ後諸特性を評価し
た結果を示した。
た結果を示した。
エポキシ樹脂:
A:クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当
量220) B:臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂(エポ
キシ当量27o) フェノ・−ル樹脂硬化剤: フェノールノボラック型VIM脂(水酸基当量1o4)
硬化促進剤二 Aニトリフェニルホスフィン B:ヘプタデシルイミダゾール ゴム成分: A:末端カルボキシル基を有するポリブタジェンPB−
C−2000(日本曹達社製 分子量2000、酸価3
7.1) 離型剤: Aニステアリン酸とエチレンジアミンとの縮合物(融点
140℃) B:モンタン酸とエチレンジアミンとの縮合物(融点1
30°C) C:エステル系ワックス(ヘキストワックスE)D:カ
ルナバワックス その他無機質充てん剤として、溶融シリカ(充てん剤A
)、結晶性シリカ(充てん剤B)を使用し、難燃剤とし
て三酸化アンチモン、カップリング剤としてA−187
(日本ユニカー)、顔料としてカーボンブラックを用い
た。
量220) B:臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂(エポ
キシ当量27o) フェノ・−ル樹脂硬化剤: フェノールノボラック型VIM脂(水酸基当量1o4)
硬化促進剤二 Aニトリフェニルホスフィン B:ヘプタデシルイミダゾール ゴム成分: A:末端カルボキシル基を有するポリブタジェンPB−
C−2000(日本曹達社製 分子量2000、酸価3
7.1) 離型剤: Aニステアリン酸とエチレンジアミンとの縮合物(融点
140℃) B:モンタン酸とエチレンジアミンとの縮合物(融点1
30°C) C:エステル系ワックス(ヘキストワックスE)D:カ
ルナバワックス その他無機質充てん剤として、溶融シリカ(充てん剤A
)、結晶性シリカ(充てん剤B)を使用し、難燃剤とし
て三酸化アンチモン、カップリング剤としてA−187
(日本ユニカー)、顔料としてカーボンブラックを用い
た。
表−2および表−3の結果から、本発明のエポキシMJ
JD’tl成形材料は成形性(離型性)、可1七性に優
れているほか、耐湿性、耐アルミ腐食性も優れているこ
とがわかる。
JD’tl成形材料は成形性(離型性)、可1七性に優
れているほか、耐湿性、耐アルミ腐食性も優れているこ
とがわかる。
以下余白
Claims (4)
- (1)a)エポキシ樹り旨 b)フェノール樹脂硬化剤 C)有機ホスフィン化合物 d)無機質光てん剤 e)分子骨格に不飽和二重結合を有するゴム成分 子)高lj&脂肪酸のアミドおよび/または多価アミド
會 宮むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂成形材
料。 - (2)分子骨格に不飽和二重結合を有するゴム成分が、
カルボキシル基、水酸蹟、エポキシ基から選ばれる少く
ともひとつの基を有するポリブタジェ/および/′!t
、たはポリブタジェンアクリロニトリルでめる特許請求
の範囲第1項記載の半導体封止用エポキシ樹脂成形材料
。 - (3)分子骨格に不丁9和二重結合を有するゴム成分と
エポキシ樹脂の溶融混合物または反応物を用いる特許請
求の範囲第1項記載の半導体封止用エポキシ樹脂成形材
料。 - (4)分子骨格に不飽和二重結合を有するゴム成分とフ
ェノール樹脂の溶融混合物または反応物を用いる特許請
求の範囲第1項記載の半一体封止用エボキシ樹+1)7
成形材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58115952A JPS608315A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58115952A JPS608315A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS608315A true JPS608315A (ja) | 1985-01-17 |
Family
ID=14675209
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58115952A Pending JPS608315A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS608315A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61285215A (ja) * | 1985-06-13 | 1986-12-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 電子部品用成形材料 |
JPS62141018A (ja) * | 1985-12-16 | 1987-06-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
JPS62146914A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-06-30 | Hitachi Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
JPS62292824A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-19 | Toshiba Chem Corp | 封止用樹脂組成物 |
JPS63179920A (ja) * | 1987-01-21 | 1988-07-23 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
JPS6475554A (en) * | 1987-09-17 | 1989-03-22 | Toshiba Corp | Epoxy resin composition and resin-sealing type semiconductor device |
JPH0275622A (ja) * | 1988-09-13 | 1990-03-15 | Hitachi Ltd | 水車 |
JPH06200127A (ja) * | 1993-01-07 | 1994-07-19 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料 |
JPH0853791A (ja) * | 1994-02-26 | 1996-02-27 | Sung-Soo Moon | パラジウム合金めっき組成物、めっき方法及びめっき製品 |
EP1591480A1 (en) * | 2004-04-28 | 2005-11-02 | Lanxess Inc. | Process to produce silica-filled elastomeric compounds |
WO2019087986A1 (ja) * | 2017-10-30 | 2019-05-09 | 日立化成株式会社 | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP58115952A patent/JPS608315A/ja active Pending
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US7238736B2 (en) * | 2004-04-28 | 2007-07-03 | Lanxess Inc. | Process to produce silica-filled elastomeric compounds |
WO2019087986A1 (ja) * | 2017-10-30 | 2019-05-09 | 日立化成株式会社 | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
JPWO2019087986A1 (ja) * | 2017-10-30 | 2020-11-26 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
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