JPH10317183A - 非シアンの電気金めっき浴 - Google Patents
非シアンの電気金めっき浴Info
- Publication number
- JPH10317183A JPH10317183A JP14108097A JP14108097A JPH10317183A JP H10317183 A JPH10317183 A JP H10317183A JP 14108097 A JP14108097 A JP 14108097A JP 14108097 A JP14108097 A JP 14108097A JP H10317183 A JPH10317183 A JP H10317183A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gold
- bath
- acid
- complexing agent
- complex
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
を提供する。 【解決手段】 この金めっき浴は、金の供給源としてア
セチルシステイン金錯体、 システイン金錯体、 メルカプ
トコハク酸金錯体、 塩化金錯体、 亜硫酸金錯体並びにそ
れらのアルカリ金属塩及び(又は)アンモニウム塩から
選ばれた非シアン系の金化合物の1種又は2種以上を含
み、 錯化剤として1〜100g/lのアセチルシステイ
ンを含有することを特徴とする。
Description
し、特に非シアンの電気金めっき浴に関する。
めっき、還元型無電解めっきの各方法を用いて行われて
いる。いずれの方法においても、主としてシアン化金錯
体を用いる浴が行われているが、近年、公害・環境問題
から非シアンの浴として亜硫酸金錯体を用いる浴も工業
的に行われるようになっている。
非シアンの浴としては亜硫酸金錯体を用いる方法が広く
検討され、工業的にも行われているが、めっき浴の安定
性がシアン浴に比べて劣るため、工業的に広く利用され
るに至らないという欠点があった。
めっき法において、金単独或いは金合金めっき浴につい
て亜硫酸錯体浴以外にも種々の検討が行われており、メ
ルカプトコハク酸(チオリンゴ酸)を用いた浴も有力な
非シアン浴の一つと考えられている。
化合物としてメルカプトコハク酸アンモニウム金やメル
カプトグリコール酸アンモニウム金などを用いる浴が、
特開昭52−102842号には金の供給源としてチオ
カルボン酸の金錯体を用い、補助電導塩及び添加剤を加
えた浴からの金めっき法が、特公昭54−6016号に
は、錯化剤としてチオリンゴ酸を用いた浴から金−ルテ
ニウム合金をめっきする方法が、特公昭54−3586
6号には、錯化剤としてチオリンゴ酸を用いた浴から金
−パラジウム合金をめっきする方法が、特公昭57−2
6353号には、チオリンゴ酸金塩等と錯化剤としてチ
オシアン酸塩を含む金合金めっき浴が、特公昭58−5
273号には、チオリンゴ酸金、チオリンゴ酸及び銅、
銀、カドミウム、亜鉛、インジウム、アンチモン等の塩
を用いた浴から硬質金合金被膜を製造する方法が、それ
ぞれ開示されている。
剤とする金或いは金合金めっき浴は、建浴当初は安定な
浴であるが、上記特公昭57−26353において「 金
還元を防止し、 寿命を長くするためにチオシアン酸化合
物を添加して金錯塩を安定化し」 と述べられ、 金源とし
てチオリンゴ酸金塩が用いられているにもかかわらず、
錯化剤としてチオシアン酸塩を用いざるを得なかったこ
とからもわかるように、経時劣化が避けられないという
問題があった。しかしながら、安定化のためにチオシア
ン酸塩を用いる場合には、溶液が強酸性になるとチオシ
アン酸イオンからシアンを遊離する危険性があり、排水
処理上に問題を残したものと考えざるを得なかった。
き浴として浴安定性に優れたメルカプトカルボン酸金め
っき浴を開発し、もって金めっきにおける公害・環境問
題を解決することを本願発明の目的とした。
酸金めっき浴に代替しうる新規な非シアン金錯体の電気
めっき浴への使用の可能性を鋭意検討した結果、メルカ
プトカルボン酸の一種であるアセチルシステインを錯化
剤として用いた場合に、浴は優れた安定性を示し、良好
なめっき皮膜を与えることを見出し、上記金めっきにお
ける公害・環境問題を解決するに至った。
金化合物の1種又は2種以上を含み、 錯化剤として1〜
100g/lのアセチルシステインを含有することを特
徴とする非シアンの電気めっき浴である。
給源としては、技術的にはシアン錯体を用いることもで
きるが、環境・公害問題を解決するという本願発明の趣
旨から、シアン錯体を用いることは好ましくない。した
がって、金の供給源としては、非シアンの金化合物であ
るメルカプトコハク酸金錯体、 アセチルシステイン金錯
体、 システイン金錯体、 塩化金錯体、 亜硫酸金錯体等並
びにそれらのアルカリ金属塩及び(又は)アンモニウム
塩から選ばれた1種又は2種以上が用いられる。
は、0.1〜50g/lの範囲が用いられ、一層好適に
は1〜30g/lが用いられる。
システインが用いられるが、 その使用量は上記の金の濃
度によって適宜選定されるが、1〜100g/lであ
り、さらに好適には3〜70g/lである。
ないが、少量すぎる場合には経時安定性に優れた浴とい
う所期の目的を達成せず、過剰な場合には、析出速度を
低下させるという問題点を生ずる可能性があるととも
に、工業的にはめっき浴コストを上昇させるという問題
を生じる。
宜調整するが、さらに好適には4〜10の範囲に調整す
る。
リを用いることができるが、一般的には酸としては硫酸
を、アルカリとしては水酸化カリウム、水酸化ナトリウ
ム及び(又は)アンモニアを用いる。
に、公知のpH緩衝剤、例えばリン酸、硼酸、四硼酸、
酢酸、酒石酸、クエン酸及びそれらの塩、塩化アンモニ
ウム、炭酸ナトリウムなどの1種又は2種以上を適宜添
加して用いることができる。
ために、公知の電導塩、例えば硫酸、塩酸のアルカリ金
属塩又はアンモニウム塩などの1種又は2種以上を適宜
添加して用いることができる。
に0.1〜10A/dm2 の電流密度で行われる。この
範囲では、良好な光沢或いは半光沢状の金めっき皮膜が
得られる。該浴は、10〜90℃の範囲で用いることが
でき、さらに好適には20〜70℃の範囲で用いる。
て非シアン系の金化合物を含み、 錯化剤としてアセチル
システインを含有するという上述の浴に、さらに、補助
錯化剤としてシステイン及び(又は)メルカプトコハク
酸を添加した金めっき浴である。
する浴は経時安定性に優れためっき浴であるが、 該浴の
析出速度が比較的遅いという弱点がある。工業的には析
出速度が速い方が望ましいため、析出速度の増大につい
て鋭意検討した結果、補助錯化剤としてシステイン及び
(又は)メルカプトコハク酸を添加すると、めっき速度
が増大することがわかった。
トコハク酸の方がアセチルシステインよりもラビリティ
ーが大きいことによるものと考えられる。
のメルカプトコハク酸を錯化剤とする旧来の浴にみられ
るように、浴の安定性を低下させる要因でもあるので、
システイン及び(又は)メルカプトコハク酸の過剰の添
加は、本願発明の目的である浴の良好な経時安定性を損
なうことに繋がる。
の存在比率は、単純塩のように添加量だけには比例せ
ず、安定度定数と関連する。アセチルシステインとシス
テイン又はメルカプトコハク酸のラビリティー及びスタ
ビリティーの違いは数値的には明確ではないので、めっ
き浴が安定である領域を実験的に確かめた。
する浴の経時安定性を損ねることなく、しかも析出速度
を増大させるためには、システイン及び(又は)メルカ
プトコハク酸の使用量は、アセチルシステインの概ね1
0倍以内に制限することで解決されることが明らかにな
った。
き皮膜の硬度を増大したり、色調を変化させるために金
以外の金属元素を添加して合金化させることができる。
そのような目的のためには、銀、銅、インジウム、鉄、
ニッケル、コバルト、鉛、錫、カドミウム、アンチモ
ン、ビスマス、亜鉛、ヒ素、タリウム、セレン、テル
ル、セシウムなど、従来からシアン浴において利用され
ている公知の元素が利用できる。これらの元素は、それ
ら元素の可溶性の化合物、例えば、硫酸のような無機酸
の塩、有機酸の塩、有機スルホン酸の塩、スルファミン
酸の塩などの形で或いはそれらの金属の水酸化物や酸化
物を下記のような錯化剤で可溶化した形で本発明のめっ
き浴に添加することができる。
を浴中に安定に保持するために、錯化剤として公知のE
DTA、クエン酸、酒石酸、グルコン酸などの錯化剤を
さらに添加して用いることができる。
するが、本発明は下記の数例の実施例に限定されるもの
ではない。
mlを用いて2×2.5cmの試料に1A/dm2 でめ
っきを続け、電解経時変化試験を行った。浴中の金濃度
をほぼ一定にするために、約500クーロン毎に金塩を
補給して浴を補正した。
浴を用いた。 浴(A): メルカプトコハク酸金(金として) 10 g/l メルカプトコハク酸 25 g/l 硼酸 10 g/l pH 9 温度 50 ℃
経過後に電流効率が低下し、析出速度は建浴当初の36
%まで低下した。
l経過後においても析出速度は建浴当初の82%であっ
た。
半光沢状のめっき皮膜が得られた。
l経過後においても析出速度は建浴当初の76%であっ
た。
l経過後においても析出速度は建浴当初の77%であっ
た。
l経過後においても析出速度は建浴当初の83%であっ
た。
l経過後においても析出速度は建浴当初の88%であっ
た。
l経過後においても析出速度は建浴当初の73%であっ
た。
l経過後においても析出速度は建浴当初の75%であっ
た。
l経過後においても析出速度は建浴当初の81%であっ
た。
l経過後においても析出速度は建浴当初の86%であっ
た。
験の結果、実施例1〜6の本願発明の浴においては、通
電10A・Hr/l後のおいても、比較例のメルカプト
コハク酸において認められるような浴の劣化が認められ
ず、極めて安定な浴であった。
めっき浴は、従来検討されてきた非シアン金めっき浴と
してのメルカプトコハク酸浴と比較して、浴安定性に優
れたものであり、本法の発明によって、これまで浴寿命
が短いことから遅れていた金めっき浴の非シアン浴への
転換を容易ならしめるものである。
Claims (3)
- 【請求項1】 金の供給源としてアセチルシステイン金
錯体、 システイン金錯体、 メルカプトコハク酸金錯体、
塩化金錯体、 亜硫酸金錯体のアルカリ金属塩及び(又
は)アンモニウム塩から選ばれた非シアン系の金化合物
の1種又は2種以上を含み、 錯化剤として1〜100g
/lのアセチルシステインを含有することを特徴とする
非シアンの電気金めっき浴。 - 【請求項2】 補助錯化剤として、 さらにシステイン及
び(又は)メルカプトコハク酸を添加してなることを特
徴とする請求項1記載の非シアンの電気金めっき浴。 - 【請求項3】 金めっき皮膜の硬度を増大したり、色調
を変化させるために金以外の金属元素の可溶性化合物を
さらに添加してなることを特徴とする請求項1又は2記
載の非シアンの電気金めっき浴。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14108097A JP3671102B2 (ja) | 1997-05-16 | 1997-05-16 | 非シアンの電気金めっき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14108097A JP3671102B2 (ja) | 1997-05-16 | 1997-05-16 | 非シアンの電気金めっき浴 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10317183A true JPH10317183A (ja) | 1998-12-02 |
JP3671102B2 JP3671102B2 (ja) | 2005-07-13 |
Family
ID=15283755
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14108097A Expired - Fee Related JP3671102B2 (ja) | 1997-05-16 | 1997-05-16 | 非シアンの電気金めっき浴 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3671102B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000073540A1 (de) * | 1999-06-01 | 2000-12-07 | W. C. Heraeus Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur herstellung einer cyanidfreien, für galvanische gold-bäder geeigneten goldverbindungslösung |
JP2000355792A (ja) * | 2000-01-27 | 2000-12-26 | Electroplating Eng Of Japan Co | 金メッキ液及びそれを用いた金メッキ方法 |
JP2006249484A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Shinshu Univ | 金めっき液および金めっき方法 |
US7261803B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-08-28 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Non-cyanogen type electrolytic solution for plating gold |
US7407569B2 (en) | 2002-03-13 | 2008-08-05 | Mitsubishi Chemical Corporation | Gold plating solution and gold plating method |
CN105420771A (zh) * | 2015-12-23 | 2016-03-23 | 苏州市金星工艺镀饰有限公司 | 一种环保无氰镀金电镀液 |
CN105648486A (zh) * | 2014-11-28 | 2016-06-08 | 李婧 | 巯基羧酸金属络合物电镀液的制备方法和表面处理方法 |
JP2016117946A (ja) * | 2014-11-21 | 2016-06-30 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 環境に優しい金電気めっき組成物及び方法 |
CN106757201A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-31 | 三门峡恒生科技研发有限公司 | 一种无氰弱酸性电镀液、及其制备方法和使用方法 |
-
1997
- 1997-05-16 JP JP14108097A patent/JP3671102B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6733651B1 (en) | 1999-06-01 | 2004-05-11 | W. C. Heraeus Gmbh & Co. Kg | Method for producing a cyanide-free solution of a gold compound that is suitable for galvanic gold baths |
WO2000073540A1 (de) * | 1999-06-01 | 2000-12-07 | W. C. Heraeus Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur herstellung einer cyanidfreien, für galvanische gold-bäder geeigneten goldverbindungslösung |
JP2000355792A (ja) * | 2000-01-27 | 2000-12-26 | Electroplating Eng Of Japan Co | 金メッキ液及びそれを用いた金メッキ方法 |
US7407569B2 (en) | 2002-03-13 | 2008-08-05 | Mitsubishi Chemical Corporation | Gold plating solution and gold plating method |
KR101008273B1 (ko) | 2002-09-30 | 2011-01-14 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 비시안계 전해 금도금액 |
US7261803B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-08-28 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Non-cyanogen type electrolytic solution for plating gold |
JP2006249484A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Shinshu Univ | 金めっき液および金めっき方法 |
JP4716760B2 (ja) * | 2005-03-09 | 2011-07-06 | 国立大学法人信州大学 | 金めっき液および金めっき方法 |
JP2016117946A (ja) * | 2014-11-21 | 2016-06-30 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 環境に優しい金電気めっき組成物及び方法 |
CN105648486A (zh) * | 2014-11-28 | 2016-06-08 | 李婧 | 巯基羧酸金属络合物电镀液的制备方法和表面处理方法 |
CN105420771A (zh) * | 2015-12-23 | 2016-03-23 | 苏州市金星工艺镀饰有限公司 | 一种环保无氰镀金电镀液 |
CN106757201A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-31 | 三门峡恒生科技研发有限公司 | 一种无氰弱酸性电镀液、及其制备方法和使用方法 |
CN106757201B (zh) * | 2016-12-29 | 2019-01-15 | 三门峡恒生科技研发有限公司 | 一种无氰弱酸性电镀液、及其制备方法和使用方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3671102B2 (ja) | 2005-07-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5514261A (en) | Electroplating bath for the electrodeposition of silver-tin alloys | |
CN102037162B (zh) | Pd-和Pd-Ni-电镀浴 | |
JP6370380B2 (ja) | 銀−パラジウム合金の電着のための電解質、及びその析出方法 | |
US5552031A (en) | Palladium alloy plating compositions | |
JPH08104993A (ja) | 銀めっき浴及びその銀めっき方法 | |
US4911799A (en) | Electrodeposition of palladium films | |
US4715935A (en) | Palladium and palladium alloy plating | |
JPS608315B2 (ja) | 錫・金電気メッキ水性浴 | |
JP3671102B2 (ja) | 非シアンの電気金めっき浴 | |
NL8000586A (nl) | Elektrolytisch bekledingsbad en werkwijze voor het vervaardigen van glanzende, zeer effen elektrolytische nikkel-ijzerafzettingen. | |
US4265715A (en) | Silver electrodeposition process | |
GB2046794A (en) | Silver and gold/silver alloy plating bath and method | |
NL8105601A (nl) | Samenstellingen en werkwijzen voor het elektrolytisch afzetten van palladium en palladiumlegeringen. | |
JP2001200387A (ja) | 錫−インジウム合金電気めっき浴 | |
US4048023A (en) | Electrodeposition of gold-palladium alloys | |
US4436595A (en) | Electroplating bath and method | |
US5421991A (en) | Platinum alloy electrodeposition bath and process for manufacturing platinum alloy electrodeposited product using the same | |
JP2522101B2 (ja) | ニッケル―モリブデン合金めっき浴及びめっき方法 | |
JP3224454B2 (ja) | ノンシアン銀めっき浴及びその銀めっき方法 | |
JP3462338B2 (ja) | 半光沢銀めっき用の光沢度調整剤 | |
IE841268L (en) | Bath for the galvanic deposition of gold alloys. | |
JP3466824B2 (ja) | 錫−銀合金めっき浴 | |
JPH07233496A (ja) | 銀−パラジウム合金めっき方法およびめっき浴 | |
US3890210A (en) | Method and electrolyte for electroplating rhodium-rhenium alloys | |
JPH0321638B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20041203 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050405 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050418 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090422 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090422 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100422 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100422 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110422 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110422 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120422 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130422 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |