JPH0124230B2 - - Google Patents
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- JPH0124230B2 JPH0124230B2 JP56171969A JP17196981A JPH0124230B2 JP H0124230 B2 JPH0124230 B2 JP H0124230B2 JP 56171969 A JP56171969 A JP 56171969A JP 17196981 A JP17196981 A JP 17196981A JP H0124230 B2 JPH0124230 B2 JP H0124230B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/64—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of silver
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Description
【発明の詳細な説明】
各種のめつき浴を用いて銀皮膜を電着せしめる
ことは公知であるが、高速銀めつきのために有効
に機能する浴の開発の必要性がなお残つている。
ことは公知であるが、高速銀めつきのために有効
に機能する浴の開発の必要性がなお残つている。
この発明は銀供給源とて銀シアン化アルカリ金
属を用いる高速銀めつき用の新規な改良せられた
電解浴に関する。さらには、この発明は電流密度
5000ASF（537.5A／Ｄm2）以下の電流密度におい
て鏡状光沢銀めつきを生成せしめるための特殊な
電解浴に関する。
属を用いる高速銀めつき用の新規な改良せられた
電解浴に関する。さらには、この発明は電流密度
5000ASF（537.5A／Ｄm2）以下の電流密度におい
て鏡状光沢銀めつきを生成せしめるための特殊な
電解浴に関する。
銀シアン化物めつき浴は長年用いられてきたが
遊離シアン化物を含まないかまたは低シアン化物
の銀めつき浴を開発するための幾多の努力がなさ
れてきた。たとえば米国特許第4155817号
（Fletcher）および同第4024031号（Lerner）につ
いて、後者は本質的に中性のPHにおいて実質的に
遊離シアン化物無しで低銀濃度の電解浴を指向し
ている。
遊離シアン化物を含まないかまたは低シアン化物
の銀めつき浴を開発するための幾多の努力がなさ
れてきた。たとえば米国特許第4155817号
（Fletcher）および同第4024031号（Lerner）につ
いて、後者は本質的に中性のPHにおいて実質的に
遊離シアン化物無しで低銀濃度の電解浴を指向し
ている。
上記のFletcher特許（米国特許第4155817号）
には銀めつきに関する詳細な記載がなされている
が、Lernerの特許ならびに当該出願において引
用した先行特許における開示内容を同時に勘案す
ると高速で高品位の光沢銀析出物を商業的に有利
に生成せしめるための各種の努力と銀めつき分野
における背景をつぶさに知ることができる。
には銀めつきに関する詳細な記載がなされている
が、Lernerの特許ならびに当該出願において引
用した先行特許における開示内容を同時に勘案す
ると高速で高品位の光沢銀析出物を商業的に有利
に生成せしめるための各種の努力と銀めつき分野
における背景をつぶさに知ることができる。
Fletcher特許においては中でも価セレン錯化
合物を1.5ｇ／ｌ以下の遊離シアン化物を含む電
解浴と共に用いることが提案されている。光沢剤
としてアルカリ金属セレン化合物を使用すること
もまた米国特許第2613179号（Wolfson）および
米国特許第4121982号（Fletcher）中に開示せら
れている。Wolfsonは中でもアルカリ金属の亜セ
レン酸塩と共にアルカリ金属のシアン化物および
硝酸塩を同時に用いると硝酸塩（100〜150ｇ／
）および1.0ｇ／以下の亜セレン酸カルウム
の存在により高速光沢銀析出物が生成することを
開示している。Wolfsonによると硝酸塩を存在せ
しめると100ASF（10ASD）以下でのめつきが可
能になるが硝酸塩なしではかかる電流密度では実
施し得ないことが判明している。
合物を1.5ｇ／ｌ以下の遊離シアン化物を含む電
解浴と共に用いることが提案されている。光沢剤
としてアルカリ金属セレン化合物を使用すること
もまた米国特許第2613179号（Wolfson）および
米国特許第4121982号（Fletcher）中に開示せら
れている。Wolfsonは中でもアルカリ金属の亜セ
レン酸塩と共にアルカリ金属のシアン化物および
硝酸塩を同時に用いると硝酸塩（100〜150ｇ／
）および1.0ｇ／以下の亜セレン酸カルウム
の存在により高速光沢銀析出物が生成することを
開示している。Wolfsonによると硝酸塩を存在せ
しめると100ASF（10ASD）以下でのめつきが可
能になるが硝酸塩なしではかかる電流密度では実
施し得ないことが判明している。
他の関連特許である米国特許第2735808号
（Greenspan）においてはグリセロール錯化合物
およびシアン化カルウムの使用が酒石酸塩を含ま
ないめつき浴から光沢銀皮膜を生成せしめるため
に必要であることを教示している。
（Greenspan）においてはグリセロール錯化合物
およびシアン化カルウムの使用が酒石酸塩を含ま
ないめつき浴から光沢銀皮膜を生成せしめるため
に必要であることを教示している。
Greenspanによればアンチモンのグリセロール
錯化合物を用いた場合にはめつき浴は酒石酸を含
有しないものでなければならない。
錯化合物を用いた場合にはめつき浴は酒石酸を含
有しないものでなければならない。
さらに米国特許第2777810号（Ostrow）におい
てはアンチモン化合物および遊離シアン化物の存
在下における価セレン化合物が100ASF
（10.7A／Ｄm2）以下において光沢銀析出物を与
えることが開示せられている。
てはアンチモン化合物および遊離シアン化物の存
在下における価セレン化合物が100ASF
（10.7A／Ｄm2）以下において光沢銀析出物を与
えることが開示せられている。
価または価セレン化合物を用いる場合には
単味またはアンチモンとの組合せのいずれにおい
てさえも200（21.5A／Ｄm2）ないし5000
（537.5A／Ｄm2）ASFのような広範囲の電流密度
領域にわたつて光沢性析出物を生成し得ないこと
は明らかな事実である。
単味またはアンチモンとの組合せのいずれにおい
てさえも200（21.5A／Ｄm2）ないし5000
（537.5A／Ｄm2）ASFのような広範囲の電流密度
領域にわたつて光沢性析出物を生成し得ないこと
は明らかな事実である。
この発明は鏡面光沢銀めつきを生成せしめるた
めの特殊な電解浴に関する。特には、セレンまた
はセレンおよびアンチモンの組合せが添加剤とし
て用いられる。セレン成分は浴可溶性セレン化合
物であれば、いずれでもよく、この際のセレンは
価であり、この価セレンにともなうアニオン
およびまたはカチオンは電解浴または生成銀めつ
きのいづれに対しても逆効果を及ぼさないような
ものである。一般には亜セレン酸または亜セレン
酸アルカリ金属塩もしくはアンモニウム塩のいづ
れかとして添加する。同様に、アンチモン成分は
浴可溶性の化合物またはアンチモン錯化物のいず
れでも良く、この際のアンチモンにともなうアニ
オンおよびまたはカチオンが電解浴または生成銀
めつきに対して逆効果を及ぼさないようなもので
ある。好ましくは、アンチモン化合物はアルカリ
金属カルボン酸塩との錯化合物の形態で用いられ
る。セレンまたはアンチモンとセレン双方の存在
は表面光沢性銀析出物を与える。
めの特殊な電解浴に関する。特には、セレンまた
はセレンおよびアンチモンの組合せが添加剤とし
て用いられる。セレン成分は浴可溶性セレン化合
物であれば、いずれでもよく、この際のセレンは
価であり、この価セレンにともなうアニオン
およびまたはカチオンは電解浴または生成銀めつ
きのいづれに対しても逆効果を及ぼさないような
ものである。一般には亜セレン酸または亜セレン
酸アルカリ金属塩もしくはアンモニウム塩のいづ
れかとして添加する。同様に、アンチモン成分は
浴可溶性の化合物またはアンチモン錯化物のいず
れでも良く、この際のアンチモンにともなうアニ
オンおよびまたはカチオンが電解浴または生成銀
めつきに対して逆効果を及ぼさないようなもので
ある。好ましくは、アンチモン化合物はアルカリ
金属カルボン酸塩との錯化合物の形態で用いられ
る。セレンまたはアンチモンとセレン双方の存在
は表面光沢性銀析出物を与える。
銀源としては銀シアン化アルカリ金属塩または
アンモニウム塩またはアミン塩である。他の必須
成分はほう酸およびもしくはくえん酸またはかか
る酸類のアルカリ金属塩もしくはアンモニウム塩
である。好ましくは、約500ASF（53.7A／Ｄm2）
以上の電流密度においては、ほう酸およびくえん
酸類の双方が用いられ、かつ最も好ましくはかか
る酸類はアルカリ金属塩の形態で用いられる。
アンモニウム塩またはアミン塩である。他の必須
成分はほう酸およびもしくはくえん酸またはかか
る酸類のアルカリ金属塩もしくはアンモニウム塩
である。好ましくは、約500ASF（53.7A／Ｄm2）
以上の電流密度においては、ほう酸およびくえん
酸類の双方が用いられ、かつ最も好ましくはかか
る酸類はアルカリ金属塩の形態で用いられる。
一般に、この電解浴は遊離シアン化物を実質的
に含まない。浴のPHは約7.0ないし約9.0の範囲以
内に調整し約20゜ないし約80℃において約
5000ASF（537.5A／Ｄm2）以下の高電流密度にお
いて操作しうる。
に含まない。浴のPHは約7.0ないし約9.0の範囲以
内に調整し約20゜ないし約80℃において約
5000ASF（537.5A／Ｄm2）以下の高電流密度にお
いて操作しうる。
浴中の銀は生地上に平滑な銀折出物を生成せし
めるのに少くとも十分な量で存在させる。くえん
酸塩およびほう酸塩は単独または組合せのいずれ
においても好ましい操作PH範囲以内に浴を維持す
るための干渉作用を行わせしめるに少くとも十分
な量で存在させる。セレンまたはセレンとアンチ
モンは光沢性銀めつきを生成せしめるのに少くと
も十分な量において存在させる。
めるのに少くとも十分な量で存在させる。くえん
酸塩およびほう酸塩は単独または組合せのいずれ
においても好ましい操作PH範囲以内に浴を維持す
るための干渉作用を行わせしめるに少くとも十分
な量で存在させる。セレンまたはセレンとアンチ
モンは光沢性銀めつきを生成せしめるのに少くと
も十分な量において存在させる。
上記したように、この発明の目的は5000ASF
（537.5A／Ｄm2）以下の高速において操作して、
鋼合金、ニツケル合金およびその他の各種の生地
または試験片上に鏡状光沢銀析出物を生成せしめ
うる電解浴を提供することにある。
（537.5A／Ｄm2）以下の高速において操作して、
鋼合金、ニツケル合金およびその他の各種の生地
または試験片上に鏡状光沢銀析出物を生成せしめ
うる電解浴を提供することにある。
浴中への銀源は好ましくは銀シアン化アルカリ
金属またはアンモニウムである。銀シアン化アン
モニウム、カリウム、ナトリウムおよびリチウム
も使用可能ではあるが、最も好ましいものは銀シ
アン化カリウムである。この発明のおよその目的
に対してはアルカリ金属の使用が処方せられてい
るが特に言及しない限りカリウムが最も好まし
い。
金属またはアンモニウムである。銀シアン化アン
モニウム、カリウム、ナトリウムおよびリチウム
も使用可能ではあるが、最も好ましいものは銀シ
アン化カリウムである。この発明のおよその目的
に対してはアルカリ金属の使用が処方せられてい
るが特に言及しない限りカリウムが最も好まし
い。
銀シアン化カリウムからの銀量は約20ないし
120ｇ／、好ましくは約30ないし100ｇ／の範
囲である。
120ｇ／、好ましくは約30ないし100ｇ／の範
囲である。
くえん酸またはそのアルカリ金属塩もしくはア
ンモニウム塩、ことに、くえん酸カリウムは約50
ないし200ｇ／、好ましくは75ないし140ｇ／
の範囲の量において用いられる。
ンモニウム塩、ことに、くえん酸カリウムは約50
ないし200ｇ／、好ましくは75ないし140ｇ／
の範囲の量において用いられる。
電流密度約500ASF（53.7A／Ｄm2）以上の操作
に際してはくえん酸またはそのアルカリ金属塩の
代替ではなしにむしろくえん酸と同時にほう酸ま
たはそのアルカリ金属塩もしくはアンモニウム塩
が約10ないし50ｇ／、好ましくは20ないし40
ｇ／の範囲で用いられる。好ましいほう酸成分
はカリウム塩すなわちほう酸カリウムである。
に際してはくえん酸またはそのアルカリ金属塩の
代替ではなしにむしろくえん酸と同時にほう酸ま
たはそのアルカリ金属塩もしくはアンモニウム塩
が約10ないし50ｇ／、好ましくは20ないし40
ｇ／の範囲で用いられる。好ましいほう酸成分
はカリウム塩すなわちほう酸カリウムである。
好適なセレン成分は亜セレン酸（H2SeO3）ま
たは先行特許に記載せられたような価ではなく
価セレンのアルカリ金属もしくはアンモニウム
セレン塩である。セレン成分は2.0ないし５ｇ／
、好ましくは2.5ないし５ｇ／の範囲で用い
る。アルカリ金属塩の調製には亜セレン酸を水酸
化アルカリ金属により単に中和すればよい。たと
えば水酸化カリウムが亜セレン酸の中和目的に便
利である。セレン金属のみを基準にすれば、浴は
１ないし３ｇ／、好ましくは1.5ないし３ｇ／
含有している。
たは先行特許に記載せられたような価ではなく
価セレンのアルカリ金属もしくはアンモニウム
セレン塩である。セレン成分は2.0ないし５ｇ／
、好ましくは2.5ないし５ｇ／の範囲で用い
る。アルカリ金属塩の調製には亜セレン酸を水酸
化アルカリ金属により単に中和すればよい。たと
えば水酸化カリウムが亜セレン酸の中和目的に便
利である。セレン金属のみを基準にすれば、浴は
１ないし３ｇ／、好ましくは1.5ないし３ｇ／
含有している。
この発明のある種の目的に対しては鏡面状光沢
銀皮膜を析出せしめるためにアンチモン化合物も
また用いられる。アンチモンは好ましくはアルカ
リ金属カルボン酸錯化合物、最も好ましくは酒石
酸アンチモンカリウムの形態で用いる。その他の
錯化合物はグリセリン酸アンチモンカリウム、他
のカルボン酸中に溶解した酸化アンチモンその他
である。アンチモン金属の使用量は約0.5ないし
2.5ｇ／、好ましくは1.0ないし1.5ｇ／の範囲
である。
銀皮膜を析出せしめるためにアンチモン化合物も
また用いられる。アンチモンは好ましくはアルカ
リ金属カルボン酸錯化合物、最も好ましくは酒石
酸アンチモンカリウムの形態で用いる。その他の
錯化合物はグリセリン酸アンチモンカリウム、他
のカルボン酸中に溶解した酸化アンチモンその他
である。アンチモン金属の使用量は約0.5ないし
2.5ｇ／、好ましくは1.0ないし1.5ｇ／の範囲
である。
この発明により調製せられる電解浴は遊離シア
ン化物を実質的に含まないことが重要な特徴にな
つており、当該技術と先行技術による浴間の顕著
な差異である。実質的にシアン化物を含まないと
いう事はシアン化物イオン約1.5ｇ／以下、好
ましくは約0.25ｇ／以下であることを意味す
る。同時にこの浴はまた硝酸塩イオンも含まな
い。
ン化物を実質的に含まないことが重要な特徴にな
つており、当該技術と先行技術による浴間の顕著
な差異である。実質的にシアン化物を含まないと
いう事はシアン化物イオン約1.5ｇ／以下、好
ましくは約0.25ｇ／以下であることを意味す
る。同時にこの浴はまた硝酸塩イオンも含まな
い。
この発明による好ましい浴組成の１例は次のよ
うである。
うである。
成 分 濃度、ｇ／
銀 30−100
（銀シアン化カリウムとして）
くえん酸カリウム 75−140
ほう酸カリウム 20−40
H2SeO3（KOHで中和） ２−５
アンチモン １−1.5
（酒石酸アンチモンカリウムとして）
浴のPHは約7.0ないし9.0、好ましくは7.5ないし
8.5であり浴温は20ないし80℃、好ましくは約40
ないし70℃の範囲に維持する。
8.5であり浴温は20ないし80℃、好ましくは約40
ないし70℃の範囲に維持する。
上記したように電流密度は比較的高く、すなわ
ち5000（537.5A／Ｄm2）ASF以下である。
ち5000（537.5A／Ｄm2）ASF以下である。
100以下の電流密度も使用可能ではあるが鏡状
光沢銀めつきを行うには好ましくは約200ないし
5000ASF、すなわち約20ないし500A／ｄm2
（ASD）の範囲である。
光沢銀めつきを行うには好ましくは約200ないし
5000ASF、すなわち約20ないし500A／ｄm2
（ASD）の範囲である。
次に実施例を示す。
実施例 １
次の組成を有する電解浴を調製した。
銀（銀シアン化カリウムとして） 60ｇ／
くえん酸カリウム 100ｇ／
ほう酸 30ｇ／
セレン（亜セレン酸として）2.0ｇ／
この電解浴は70℃、1000ないし4000ASF（107.5
ないし430A／Ｄm2）の電流密度において銅合金
上に鏡状光沢めつき析出した。浴のPHは８であつ
た。
ないし430A／Ｄm2）の電流密度において銅合金
上に鏡状光沢めつき析出した。浴のPHは８であつ
た。
実施例 ２
50℃において操作した以外は実施例１と全く同
じ組成浴を用いたが、400および1500ASF（43.0お
よび161.2A／Ｄm2）間において選択的に鏡状の
光沢めつきが得られた。
じ組成浴を用いたが、400および1500ASF（43.0お
よび161.2A／Ｄm2）間において選択的に鏡状の
光沢めつきが得られた。
実施例 ３
30℃において操作した以外は実施例１と全く同
じ組成浴を用いたが、200（21.5A／Ｄm2）および
400ASF（43.0A／Ｄm2）間において選択的に鏡状
光沢めつきを生成した。
じ組成浴を用いたが、200（21.5A／Ｄm2）および
400ASF（43.0A／Ｄm2）間において選択的に鏡状
光沢めつきを生成した。
実施例 ４
くえん酸カリウムを除外した以外は実施例３の
方法を繰返したが同様の結果が得られた。
方法を繰返したが同様の結果が得られた。
実施例 ５
ほう酸を除外した以外は実施例３の方法を繰返
したが同様の結果が得られた。
したが同様の結果が得られた。
実施例 ６
次の組成を有する電解浴を調製した。
銀（銀シアン化カリウムとして） 80ｇ／
くえん酸カリウム 75ｇ／
ほう酸 20ｇ／
セレン（亜セレン酸として） 2.0ｇ／
アンチモン（酒石酸アンチモンカリウムとし
て） 1.5ｇ／ 当該電解浴は60℃、1000ないし5000ASF（107.5
ないし537.5A／Ｄm2）において鏡状光沢銀めつ
きを選択的に生成せしめた。
て） 1.5ｇ／ 当該電解浴は60℃、1000ないし5000ASF（107.5
ないし537.5A／Ｄm2）において鏡状光沢銀めつ
きを選択的に生成せしめた。
上記の実施例は当該発明による電解浴が極めて
優れた銀皮膜を生成せしめることを示している。
比較のために、実施例中の亜セレン酸または塩を
セレン化物（価セレン）またはセレン酸塩（
価セレン）により置え換えた場合には、かくして
生成した電解浴は500ASF以上の電流密度におい
てのめつきに際して鏡状光沢または光沢性銀析出
物を与えなかつた。
優れた銀皮膜を生成せしめることを示している。
比較のために、実施例中の亜セレン酸または塩を
セレン化物（価セレン）またはセレン酸塩（
価セレン）により置え換えた場合には、かくして
生成した電解浴は500ASF以上の電流密度におい
てのめつきに際して鏡状光沢または光沢性銀析出
物を与えなかつた。
この発明による特徴は上記のようであるが、当
該発明の精神から逸脱することなしに種々の変更
または変態が可能であることはいうまでもない。
該発明の精神から逸脱することなしに種々の変更
または変態が可能であることはいうまでもない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 約5000ASF（537.5A／Ｄm2）以下の高電流密
度において、鏡状光沢銀めつきを高速度で生成せ
しめるのに好適な水性で安定な電解浴であつて、
該水性浴が実質的に遊離シアン化物を含有せず、
かつ次の成分、すなわち (a) 銀シアン化アルカリ金属、アンモニウムまた
はアミン； (b) くえん酸、ほう酸、くえん酸またはほう酸の
アルカリ金属塩、くえん酸またはほう酸のアン
モニウム塩およびこれらの混合物から成る部類
から選択せられた成分；および (c) 価セレンから成る浴可溶性セレン化合物か
ら成る水性の電解浴。 ２ セレン成分が亜セレン酸ならびに亜セレン酸
のアルカリ金属およびアンモニウム塩から成る部
類から選択せられることを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の電解浴。 ３ 浴がアンチモンの浴可溶性化合物または錯化
合物を含有することを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載の電解浴。 ４ 浴がアルカリ金属カルボン酸錯化合物の形態
におけるアンチモンを同時に含有することを特徴
とする特許請求の範囲第２項に記載の電解浴。 ５ 浴が銀シアン化カリウムを含有することを特
徴とする特許請求の範囲第２項に記載の電解浴。 ６ 浴がアルカリ金属くえん酸塩およびアルカリ
金属ほう酸塩を含有することを特徴とする特許請
求の範囲第２項に記載の電解浴。 ７ 浴がくえん酸カリウムおよびほう酸カリウム
を含有することを特徴とする特許請求の範囲第６
項に記載の電解浴。 ８ セレン成分が亜セレン酸であることを特徴と
する特許請求の範囲第２項に記載の電解浴。 ９ セレン成分がアルカリ金属の亜セレン酸塩で
あることを特徴とする特許請求の範囲第２項に記
載の電解浴。 １０ アンチモンがカリウムカルボン酸塩錯化合
物の形態であることを特徴とする特許請求の範囲
第４項に記載の電解浴。 １１ アンチモン錯化合物が酒石酸アンチモンカ
リウムであることを特徴とする特許請求の範囲第
１０項に記載の電解浴。 １２ PHが約7.0ないし9.0であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載の電解浴。 １３ 約5000ASF（537.5A／Ｄm2）以下の高電流
密度において、鏡状光沢銀めつきを高速度で生成
せしめるのに好適な水性で安定な電解浴であつ
て、該水性浴が実質的に遊離シアン化物を含有せ
ず、かつ次の成分、すなわち (a) 銀シアン化アルカリ金属、アンモニウムまた
はアミン； (b) くえん酸、ほう酸、くえん酸またはほう酸の
アルカリ金属塩、くえん酸またはほう酸のアン
モニウム塩およびこれらの混合物から成る部類
から選択せられた成分；および (c) 価セレンから成る浴可溶性セレン化合物か
ら成る水性の電解浴： を陰極および陽極間に通して電流密度約200
（21.5A／Ｄm2）ないし約5000ASF（537.5A／Ｄ
m2）において、所望厚の銀めつきを生成せしめる
に十分な時間帯にわたつて通電することから成る
生地上への光沢銀めつき方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US20580380A | 1980-11-10 | 1980-11-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57110688A JPS57110688A (en) | 1982-07-09 |
| JPH0124230B2 true JPH0124230B2 (ja) | 1989-05-10 |
Family
ID=22763700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56171969A Granted JPS57110688A (en) | 1980-11-10 | 1981-10-27 | High speed silver plating composition and method |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57110688A (ja) |
| BE (1) | BE891078A (ja) |
| BR (1) | BR8107252A (ja) |
| CA (1) | CA1181715A (ja) |
| DE (1) | DE3143225C2 (ja) |
| FR (1) | FR2493881B1 (ja) |
| GB (1) | GB2086940B (ja) |
| HK (1) | HK67086A (ja) |
| IT (1) | IT1171647B (ja) |
| NL (1) | NL8104883A (ja) |
| PT (1) | PT73880B (ja) |
| SE (1) | SE8106495L (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5983788A (ja) * | 1982-11-04 | 1984-05-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 高速銀めつき方法 |
| JPS61195986A (ja) * | 1985-02-25 | 1986-08-30 | Nippon Engeruharudo Kk | 無光沢高速銀めつき液 |
| DE4010346A1 (de) * | 1990-03-28 | 1991-10-02 | Siemens Ag | Verfahren zum aufbringen von silber-graphit-dispersionsueberzuegen |
| ITMI20052435A1 (it) * | 2005-12-21 | 2007-06-22 | F Lli Calegaro Di Luigi Di Francesco Calegaro | Metodo di finitura superficiale dell'argento e di sue leghe |
| CN110392751B (zh) * | 2017-03-31 | 2022-05-17 | 日本电镀工程股份有限公司 | 电解银电镀液 |
Family Cites Families (5)
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|---|---|---|---|---|
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| GB1234793A (en) * | 1967-06-26 | 1971-06-09 | Tesla Np | Brightening and hardening additive for electrolytic silvering baths |
| JPS5814519B2 (ja) * | 1976-08-11 | 1983-03-19 | 三菱電機株式会社 | 低シアン高速電解銀メツキ液 |
| SU620515A1 (ru) * | 1976-10-19 | 1978-08-25 | Всесоюзный Научно-Исследовательский Проектно-Конструкторский Институт Ювелирной Промышленности (Внииювелирпром) | Электролит серебрени |
| US4155817A (en) * | 1978-08-11 | 1979-05-22 | American Chemical And Refining Company, Inc. | Low free cyanide high purity silver electroplating bath and method |
-
1981
- 1981-10-16 CA CA000388152A patent/CA1181715A/en not_active Expired
- 1981-10-26 PT PT73880A patent/PT73880B/pt unknown
- 1981-10-27 JP JP56171969A patent/JPS57110688A/ja active Granted
- 1981-10-28 NL NL8104883A patent/NL8104883A/nl not_active Application Discontinuation
- 1981-10-31 DE DE3143225A patent/DE3143225C2/de not_active Expired
- 1981-11-03 SE SE8106495A patent/SE8106495L/ not_active Application Discontinuation
- 1981-11-09 GB GB8133721A patent/GB2086940B/en not_active Expired
- 1981-11-09 BR BR8107252A patent/BR8107252A/pt not_active IP Right Cessation
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- 1981-11-09 IT IT49659/81A patent/IT1171647B/it active
- 1981-11-10 BE BE0/206513A patent/BE891078A/fr not_active IP Right Cessation
-
1986
- 1986-09-11 HK HK670/86A patent/HK67086A/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| BE891078A (fr) | 1982-05-10 |
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| PT73880B (en) | 1983-01-25 |
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| IT8149659A0 (it) | 1981-11-09 |
| PT73880A (en) | 1981-11-01 |
| HK67086A (en) | 1986-09-18 |
| CA1181715A (en) | 1985-01-29 |
| IT1171647B (it) | 1987-06-10 |
| GB2086940B (en) | 1984-06-13 |
| BR8107252A (pt) | 1982-07-27 |
| FR2493881B1 (fr) | 1986-04-18 |
| SE8106495L (sv) | 1982-05-11 |
| DE3143225C2 (de) | 1983-12-29 |
| FR2493881A1 (fr) | 1982-05-14 |
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