JPS62151592A - 金めつきリ−ドフレ−ムの製造方法 - Google Patents
金めつきリ−ドフレ−ムの製造方法Info
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- JPS62151592A JPS62151592A JP29612585A JP29612585A JPS62151592A JP S62151592 A JPS62151592 A JP S62151592A JP 29612585 A JP29612585 A JP 29612585A JP 29612585 A JP29612585 A JP 29612585A JP S62151592 A JPS62151592 A JP S62151592A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業」二の利用分野〉
本発明は゛ｈ導体に使用される金めっきリードフレーム
の製造方法に関し、特に結晶調整剤共析Ｆ−。
の製造方法に関し、特に結晶調整剤共析Ｆ−。
を低減させ、これによりワイヤポンディング性を改良す
ることができる金めっきリードフレームの製造方法に関
する。
ることができる金めっきリードフレームの製造方法に関
する。
〈従来の技術〉
゛詐導体用金めっきリードフレーム製造に用いられる金
めつき液は、緩衝剤と導電塩の混合液であるが、さらに
めっきの高速化、光沢性の改良。
めつき液は、緩衝剤と導電塩の混合液であるが、さらに
めっきの高速化、光沢性の改良。
めっき粒の微細化など作業性やＦ！質の改良のために、
一般的にはＴ１．Ｐｂ、 Ａｓなどの結晶調整剤がＰＰ
ｆｆ１オーダーで＠ １１：添加されている。これらの
添加により、光沢のある緻密な金めつき膜が得られるが
、一方でこれらの微ｒ１：・添加剤が金めつき中に多Ｈ
，Ｈに共析し、ワイヤポンディング性等のＩＣパッケー
ジ特性に悪！杉饗を及ぼすことが報告されている。
一般的にはＴ１．Ｐｂ、 Ａｓなどの結晶調整剤がＰＰ
ｆｆ１オーダーで＠ １１：添加されている。これらの
添加により、光沢のある緻密な金めつき膜が得られるが
、一方でこれらの微ｒ１：・添加剤が金めつき中に多Ｈ
，Ｈに共析し、ワイヤポンディング性等のＩＣパッケー
ジ特性に悪！杉饗を及ぼすことが報告されている。
特にＴ交合有金めっき液については従来はめっき電流と
してモ滑直魔、三相半波整流波等を使用した。しかしこ
れらの電流を用いて金めっきしたリードフレームはめっ
き中のＴ文共析！よが非常に多くなり、このためＩＣチ
ップを搭載し、金−シリコン共品接合を行うためにリー
ドフレームを加熱すると、金めつき表面に７文が浮き上
がり、赤変する現象が現われた。さらにＴＪＩが表面で
酸化皮膜を形成するため、その後のワイヤポンディング
において著しいポンディング不良を起こした。
してモ滑直魔、三相半波整流波等を使用した。しかしこ
れらの電流を用いて金めっきしたリードフレームはめっ
き中のＴ文共析！よが非常に多くなり、このためＩＣチ
ップを搭載し、金−シリコン共品接合を行うためにリー
ドフレームを加熱すると、金めつき表面に７文が浮き上
がり、赤変する現象が現われた。さらにＴＪＩが表面で
酸化皮膜を形成するため、その後のワイヤポンディング
において著しいポンディング不良を起こした。
また前記電流を用いた場合、いわゆる焼けめっき現象が
現われる限界電流密度が低く、そのためめっき時間が長
くなり、生産性が低下した。
現われる限界電流密度が低く、そのためめっき時間が長
くなり、生産性が低下した。
すなわち従来の平滑直流、三相半波整流波等の電源を使
用した金めつきでは、めっき膜中の結晶調整剤が多にに
共析して膜質を低下させ、さらには生産性も低下すると
いう問題点がある。
用した金めつきでは、めっき膜中の結晶調整剤が多にに
共析して膜質を低下させ、さらには生産性も低下すると
いう問題点がある。
〈発明が解決しようとする問題点〉
本発明の目的は前記した従来技術の欠点を解消し、金め
つき膜中の結晶調整剤共析Ｖを低下させて膜質を改良し
てワイヤポンディング性を改良しさらには生産性を向上
させることのできる金めつきリードフレームの製造方法
を提供することにある。
つき膜中の結晶調整剤共析Ｖを低下させて膜質を改良し
てワイヤポンディング性を改良しさらには生産性を向上
させることのできる金めつきリードフレームの製造方法
を提供することにある。
く問題点を解決するための手段〉
本発明は、基体−ヒに、直接あるいは下地めっきを設け
、結晶：Ａ整剤を含む金めつき浴にて金めっきする半導
体用金めっきリードフレームの製造方法において、前記
金めっきをパルス波を用いて行うことを特徴とする金め
っきリードフレームの製造方法を提供するものである。
、結晶：Ａ整剤を含む金めつき浴にて金めっきする半導
体用金めっきリードフレームの製造方法において、前記
金めっきをパルス波を用いて行うことを特徴とする金め
っきリードフレームの製造方法を提供するものである。
ここで、前記結晶調整剤がＴＪＩを含むものである場合
には、前記パルス波が、ＯＮ時間１〜１０ミリ秒、ＯＦ
Ｆ時間１〜５ミリ秒であり、かつ。
には、前記パルス波が、ＯＮ時間１〜１０ミリ秒、ＯＦ
Ｆ時間１〜５ミリ秒であり、かつ。
ＯＮ時間はＯＦＦ時間の１〜１０倍の範囲であることが
よい。
よい。
〈発明の構成〉
以ｒに好適な実施例を用いて本発明の詳細な説明する。
未発明で用いるリードフレーム用の基体としては銅、リ
ン青銅の如き銅合金、鉄−ニッケル合金等が用いられる
０本発明においてはこのような金属から作られたリード
フレーム基体に、金の部分めっきを機械マスクを用いて
行う、一般にめっき処理に先立って脱脂及び酸洗等を行
い、金属面を清詐化したのち、結晶調整剤を含む金めつ
き浴にて金の部分めっきを行って作成する。
ン青銅の如き銅合金、鉄−ニッケル合金等が用いられる
０本発明においてはこのような金属から作られたリード
フレーム基体に、金の部分めっきを機械マスクを用いて
行う、一般にめっき処理に先立って脱脂及び酸洗等を行
い、金属面を清詐化したのち、結晶調整剤を含む金めつ
き浴にて金の部分めっきを行って作成する。
金めつき浴には、めっきの高速化、光沢性の改良、めっ
き粒の微細化など作業性や膜質の改良のために結晶調整
剤がｐｐｍオーダーで微量添加される。結晶調整剤には
、 丁１、Ｐｂ、 Ａｓ等がある。
き粒の微細化など作業性や膜質の改良のために結晶調整
剤がｐｐｍオーダーで微量添加される。結晶調整剤には
、 丁１、Ｐｂ、 Ａｓ等がある。
本発明方法は、このような結晶ｉＪ！Ｊ整剤を含む金め
つき浴にて金の部分めっきを行う際に用いる電流の波型
に特徴があり、第１図に一例をあげるようなパルス波を
用いて電気めっきを行う。
つき浴にて金の部分めっきを行う際に用いる電流の波型
に特徴があり、第１図に一例をあげるようなパルス波を
用いて電気めっきを行う。
パルス波を用いて電気めっきを行うことにより、金めつ
き浴中に微量に添加される。７文、Ｐｂ、 Ａｓ等の金
めつき用結晶調整剤が金めつき膜中に多ｒ−に共析する
ことを防１にし、ワイヤポンディグ性等のＩＣパッケー
ジング特性が改みされる。
き浴中に微量に添加される。７文、Ｐｂ、 Ａｓ等の金
めつき用結晶調整剤が金めつき膜中に多ｒ−に共析する
ことを防１にし、ワイヤポンディグ性等のＩＣパッケー
ジング特性が改みされる。
これは、金めつき浴中での金イオンと結晶調整剤イオン
の移動速度、移動特性が異なるために、パルス波による
金めつきを行うと、電流ＯＦＦ時に結晶調整剤イオンの
１！１の脱着が促進されるためである。
の移動速度、移動特性が異なるために、パルス波による
金めつきを行うと、電流ＯＦＦ時に結晶調整剤イオンの
１！１の脱着が促進されるためである。
特に結晶調整剤がＴｌを含むものである場合には、ＯＮ
時間１〜１０ミリ秒、ＯＦＦ時間１〜５ミリ秒で、かつ
ＯＮ時間はＯＦＦ時間の１〜１０倍の範囲にあるパルス
波を用いることが好ましい。
時間１〜１０ミリ秒、ＯＦＦ時間１〜５ミリ秒で、かつ
ＯＮ時間はＯＦＦ時間の１〜１０倍の範囲にあるパルス
波を用いることが好ましい。
ＯＮ時間、ＯＦＦ時間がこの範囲外であると、後に実施
例で詳述するように、Ｔｌ共析賃が１１０００ｐｐ以上
となり、このためこれらの電流を用いて金めっきしたリ
ードフレームは、ＩＣチップを搭載し、金−シリコーン
共晶接合を行うためにリードフレームを加熱すると、金
めつき表面にＴｌが浮き上がり赤変する現象があられれ
た。さらにＴ４が表面で酸化皮膜を形成するため、その
後のワイヤポンディングにおいて署しいポンディング不
良を起こした。
例で詳述するように、Ｔｌ共析賃が１１０００ｐｐ以上
となり、このためこれらの電流を用いて金めっきしたリ
ードフレームは、ＩＣチップを搭載し、金−シリコーン
共晶接合を行うためにリードフレームを加熱すると、金
めつき表面にＴｌが浮き上がり赤変する現象があられれ
た。さらにＴ４が表面で酸化皮膜を形成するため、その
後のワイヤポンディングにおいて署しいポンディング不
良を起こした。
ＯＮ時間１０ＦＦ時間が１未満であるとめっき時間が長
くなり、生産性が低下する。ＯＮ時間１０ＦＦ時間が１
０超であると限界電流密度が低く、そのためめっき時間
が長くなり生産性が低下する。
くなり、生産性が低下する。ＯＮ時間１０ＦＦ時間が１
０超であると限界電流密度が低く、そのためめっき時間
が長くなり生産性が低下する。
第１図に示すようなパルス波は例えば関数発生器および
ガルバノスタットにより整流波の電流波形を制御するこ
とにより得られる。
ガルバノスタットにより整流波の電流波形を制御するこ
とにより得られる。
本発明方法に用いるパルス波は第１図に示すパルス波に
限らず正弦波状のパルス波であってもよい。
限らず正弦波状のパルス波であってもよい。
金めっきする際の電流密度は１〜ＩＯＡ／ｄｔｎ’が好
ましい。
ましい。
用いる金めつき浴は、緩衝剤と導電塩の混合液であれば
いかなる金めつき浴でもよいが、シアンアルカリ浴、中
性および弱アルカリ性浴、有機酸を含む弱酸性浴、非シ
アン浴等が用いられる。
いかなる金めつき浴でもよいが、シアンアルカリ浴、中
性および弱アルカリ性浴、有機酸を含む弱酸性浴、非シ
アン浴等が用いられる。
〈実施例〉
以下本発明を実施例により具体的に説明する。
鉄−４２％ニッケル合金からなるリードフレーム基体に
脱脂、酸洗等の前処理を行った後、これを陰極として機
械的にめっき不必要な部分をマスクし、金めつき液（Ｅ
ＥＪＡ社 テンペレックス７０２）を高速で吹きつけ、
白金陽極との間に第１図に示す波形の電流を流し、金め
つきを設けた。
脱脂、酸洗等の前処理を行った後、これを陰極として機
械的にめっき不必要な部分をマスクし、金めつき液（Ｅ
ＥＪＡ社 テンペレックス７０２）を高速で吹きつけ、
白金陽極との間に第１図に示す波形の電流を流し、金め
つきを設けた。
金めつき液は結晶調整剤として７文を２５ｐｐ層含有す
るものを用い、浴温７５℃とした。電流波形は関数発生
器及びガルバノスタットにより制御し、パルス波形の０
８時間０．３〜２０ミリ秒、ＯＦＦ時間０．１〜１０ミ
リ秒の範囲で任意に波形を設定した。そして乎均電流密
度８Ａ／ｄゴで金めつきを約３終層電着せしめた。
るものを用い、浴温７５℃とした。電流波形は関数発生
器及びガルバノスタットにより制御し、パルス波形の０
８時間０．３〜２０ミリ秒、ＯＦＦ時間０．１〜１０ミ
リ秒の範囲で任意に波形を設定した。そして乎均電流密
度８Ａ／ｄゴで金めつきを約３終層電着せしめた。
かくして得られたリードフレームを金めつき剥離液中に
浸清し、金を剥離溶解し、剥離液中の金および共析した
Ｔ立置を原子吸光分析法により求め（１）式によりめっ
き膜中のタリウム共析がを算出した。
浸清し、金を剥離溶解し、剥離液中の金および共析した
Ｔ立置を原子吸光分析法により求め（１）式によりめっ
き膜中のタリウム共析がを算出した。
・・・・・・（１）
各パルス波形により得られた金めつき中のタリウム共析
硅分析結果を第１表および第２図に示す、第１表および
第２図中の０はタリウム共析量５００ｐｐ■以下、Δは
５００〜１０００ｐｐ膳、×はｔｏｏｏｐｐ■以上であ
り、タリウム共析量が１０００ｐｐ腸を超えるとリード
フレームのワイヤポンディング性が低下する。
硅分析結果を第１表および第２図に示す、第１表および
第２図中の０はタリウム共析量５００ｐｐ■以下、Δは
５００〜１０００ｐｐ膳、×はｔｏｏｏｐｐ■以上であ
り、タリウム共析量が１０００ｐｐ腸を超えるとリード
フレームのワイヤポンディング性が低下する。
第１表、第１図および第２図の結果からＯＮ時１１１１
〜１０ミリ秒、ＯＦＦ時間１〜５ミリ秒でＯＮ時間がＯ
ＦＦ時間の１〜１０倍の範囲のパルス波において金めっ
きすると、タリウム共析量が低く保たれることがわかる
。また従来の電源では焼けめっきとなる電流密度８Ａ／
ｄゴでも良好な外観のめっきが得られ、パルス波の適用
によりめっき作業が高速で′４〒えることがわかった。
〜１０ミリ秒、ＯＦＦ時間１〜５ミリ秒でＯＮ時間がＯ
ＦＦ時間の１〜１０倍の範囲のパルス波において金めっ
きすると、タリウム共析量が低く保たれることがわかる
。また従来の電源では焼けめっきとなる電流密度８Ａ／
ｄゴでも良好な外観のめっきが得られ、パルス波の適用
によりめっき作業が高速で′４〒えることがわかった。
第 １ 表
〈発明の効果〉
本発明の製造方法によれば、パルス波＋ｉｔｉ流を用い
て金めつきを行うので、従来の金めつき用電源の使用で
は得られない高″市流密度域でも外観の良好な金めつき
力胃［多られ、しかもこのめっき層は。
て金めつきを行うので、従来の金めつき用電源の使用で
は得られない高″市流密度域でも外観の良好な金めつき
力胃［多られ、しかもこのめっき層は。
１１’２中の結晶調整剤の共析量が従来のめっきよりも
箸しく少ないために、リードフレーム加Ｆ時の加熱によ
る赤変がなく、したがって良好なワイヤポンディグ性能
を示す金めっきリードフレームが製造できる。
箸しく少ないために、リードフレーム加Ｆ時の加熱によ
る赤変がなく、したがって良好なワイヤポンディグ性能
を示す金めっきリードフレームが製造できる。
本発明方法により従来の１．６倍以上の高電流密度でめ
っき作業ができるため、めっき時間が短縮され、金めつ
きリードフレーム製造の生産性が大幅に向上する。
っき作業ができるため、めっき時間が短縮され、金めつ
きリードフレーム製造の生産性が大幅に向上する。
第１図は本発明で用いるパルス波形の一例を示すグラフ
である。 第２図は、実施例のパルス波形の０８時間。 ＯＦＦ時間およびタリウム共析量の結果を示すグラフで
ある。 特許出願人 日立電線株式会社 代理人 弁理士 渡 辺 争 稔 Ｆ Ｉ Ｇ、Ｉ ＵＮ ＯＦＦ −晴間
である。 第２図は、実施例のパルス波形の０８時間。 ＯＦＦ時間およびタリウム共析量の結果を示すグラフで
ある。 特許出願人 日立電線株式会社 代理人 弁理士 渡 辺 争 稔 Ｆ Ｉ Ｇ、Ｉ ＵＮ ＯＦＦ −晴間
Claims (2)
- （１）基体上に、直接あるいは下地めっきを設け、結晶
調整剤を含む金めっき浴にて金めっきする半導体用金め
っきリードフレームの製造方法において、前記金めっき
をパルス波を用いて行うことを特徴とする金めっきリー
ドフレームの製造方法。 - （２）前記結晶調整剤がＴｌを含むものである場合には
、前記パルス波が、ＯＮ時間１〜１０ミリ秒、ＯＦＦ時
間１〜５ミリ秒であり、かつ、ＯＮ時間はＯＦＦ時間の
１〜１０倍の範囲である特許請求の範囲第１項に記載の
金めっきリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29612585A JPS62151592A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 金めつきリ−ドフレ−ムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29612585A JPS62151592A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 金めつきリ−ドフレ−ムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62151592A true JPS62151592A (ja) | 1987-07-06 |
| JPH0553879B2 JPH0553879B2 (ja) | 1993-08-11 |
Family
ID=17829460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29612585A Granted JPS62151592A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 金めつきリ−ドフレ−ムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62151592A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6468489A (en) * | 1987-09-09 | 1989-03-14 | Shinko Electric Ind Co | Electrolytic gold plating method |
| JPH05345997A (ja) * | 1992-04-13 | 1993-12-27 | Electroplating Eng Of Japan Co | 金めっき品の製造方法 |
| EP0867528A1 (de) * | 1997-03-27 | 1998-09-30 | Allgemeine Gold- Und Silberscheideanstalt Ag | Gelförmiger Edelmetalleelektrolyt |
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| JP2006518553A (ja) * | 2003-02-19 | 2006-08-10 | ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド | 熱相互接続システムの生成方法およびその使用法 |
| CN111819310A (zh) * | 2018-03-07 | 2020-10-23 | 住友电气工业株式会社 | 镀膜以及镀覆部件 |
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| JPS5698493A (en) * | 1980-01-10 | 1981-08-07 | Hamasawa Kogyo:Kk | Plating method for decorative part |
-
1985
- 1985-12-25 JP JP29612585A patent/JPS62151592A/ja active Granted
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| JPWO2019172010A1 (ja) * | 2018-03-07 | 2021-02-18 | 住友電気工業株式会社 | めっき膜、及びめっき被覆部材 |
| EP3763851A4 (en) * | 2018-03-07 | 2021-12-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | CLADDING LAYER AND CLADDED ELEMENT |
| US11380602B2 (en) | 2018-03-07 | 2022-07-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Plating film and plated member |
| CN111819310B (zh) * | 2018-03-07 | 2022-11-25 | 住友电气工业株式会社 | 镀膜以及镀覆部件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0553879B2 (ja) | 1993-08-11 |
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