KR101891988B1 - 전자부품, 인덕터 코어 부재 및 인덕터 - Google Patents
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Abstract
본체부와, 상기 본체부에 배치된 전극을 구비하고, 상기 전극은 은(Ag)을 주성분으로 하고, 유리를 주성분으로 하는 제1분산부와 니켈을 주성분으로 하는 제2분산부를 갖는 제1금속층과, 상기 제1금속층 상에 배치된, 니켈(Ni)을 주성분으로 하는 제2금속층과, 상기 제2금속층 상에 배치된, 주석(Sn)을 주성분으로 하는 제3금속층을 구비하고, 상기 전극의 단면을 봤을 때에 상기 제2분산부의 면적에 비해서 상기 제1분산부의 면적이 큰 것을 특징으로 하는 전자부품을 제공한다.
Description
전자부품, 인덕터 코어 부재 및 인덕터에 관한 것이다.
소위 스마트폰 등이라고 불리는 휴대용 전자기기에는 콘덴서나 칩 저항기, 인덕터 등 다수의 칩형상 전자부품이 탑재되어 있다. 이러한 전자기기의 소형화, 고기능화가 진행됨에 따라 칩형상 전자부품의 소형화도 보다 진행되고 있다. 이러한 전자부품의 대부분은 전자부품의 본체부에 배치된 전극을 프린트 배선기판 등의 피실장체의 도체에 땜납 리플로우 등에 의해 접착 실장해서 사용된다.
종래의 인덕터 코어 부재의 전극은 은(Ag)을 주성분으로 하는 제1금속층과, 제1금속층 상에 배치된, 니켈(Ni)을 주성분으로 하는 제2금속층과, 제2금속층 상에 배치된, 주석(Sn)을 주성분으로 하는 제3금속층을 구비한 구성의 것이 잘 사용된다. 이러한 전극을 구비한 인덕터의 일례가 예를 들면 특허문헌 1에 기재되어 있다.
특허문헌 1의 인덕터에서는 제2금속층으로서 배럴 도금 공정에 의해 니켈(Ni) 도금층을 형성하고 있다. 이러한 배럴 도금 공정을 거쳐 형성한 전극은 전극의 기계강도가 비교적 낮고, 또한 기체부로부터의 전극의 박리가 비교적 발생하기 쉽다는 과제가 있었다.
본 실시형태의 전자부품은 본체부와, 상기 본체부에 배치된 전극을 구비하고, 상기 전극은 은(Ag)을 주성분으로 하고, 유리를 주성분으로 하는 제1분산부와 니켈을 주성분으로 하는 제2분산부를 갖는 제1금속층과, 상기 제1금속층 상에 배치된, 니켈(Ni)을 주성분으로 하는 제2금속층과, 상기 제2금속층 상에 배치된, 주석(Sn)을 주성분으로 하는 제3금속층을 구비하고, 상기 전극의 단면을 봤을 때에 상기 제2분산부의 면적에 비해서 상기 제1분산부의 면적이 크다.
또한, 본 실시형태의 인덕터 코어 부재는 기체부와, 상기 기체부에 배치된 전극을 구비하고, 상기 전극은 은(Ag)을 주성분으로 하고, 유리를 주성분으로 하는 제1분산부와 니켈을 주성분으로 하는 제2분산부를 갖는 제1금속층과, 상기 제1금속층 상에 배치된, 니켈(Ni)을 주성분으로 하는 제2금속층과, 상기 제2금속층 상에 배치된, 주석(Sn)을 주성분으로 하는 제3금속층을 구비하고, 상기 전극의 단면을 봤을 때에 상기 제2분산부의 면적에 비해서 상기 제1분산부의 면적이 크다.
본 실시형태의 인덕터는 상기 기체부가 권선부와 다리부를 갖고, 상기 전극이 상기 다리부의 저면에 배치된 상기 인덕터 코어 부재와, 상기 인덕터 코어 부재의 상기 권선부에 감겨진 권선을 갖고 구성되어 있다.
(발명의 효과)
본 실시형태의 전자부품, 인덕터 코어 부재 및 인덕터는 전극의 기계강도가 비교적 높고, 또 기체부로부터의 전극의 박리가 발생하기 어렵다.
도 1(a)는 일실시형태의 인덕터 코어 부재를 나타내는 사시도, (b)는 (a)에 나타내는 인덕터 코어 부재의 단면도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 인덕터 코어 부재를 구비해서 구성된 인덕터의 일실시형태의 측면도이다.
도 3은 도 1(b)에 있어서의 A부를 확대해서 나타내는 단면도이다.
도 4는 종래의 인덕터의 전극근방을 확대해서 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 인덕터 코어 부재를 구비해서 구성된 인덕터의 일실시형태의 측면도이다.
도 3은 도 1(b)에 있어서의 A부를 확대해서 나타내는 단면도이다.
도 4는 종래의 인덕터의 전극근방을 확대해서 나타내는 단면도이다.
이하, 도면을 참조해서 실시형태에 대해서 설명한다. 도 1(a)는 본 실시형태의 인덕터 코어 부재를 나타내는 사시도이며, 도 1(b)는 도 1(a)의 단면도이다. 도 2는 본 실시형태의 전자부품을 나타내는 측면도이며, 전자부품의 실시형태의 하나인, 도 1에 나타내는 인덕터 코어 부재를 구비하는 인덕터를 나타내는 측면도이다. 도 3은 도 1(b)에 있어서의 A부를 확대해서 나타내는 단면도이며, 인덕터 코어 부재의 전극근방의 단면을 나타내고 있다.
본 실시형태의 전자부품은 본체부(30)와, 본체부(30)에 배치된 전극(20)을 구비하고, 전극(20)은 은(Ag)을 주성분으로 하고, 유리를 주성분으로 하는 제1분산부(32)와 니켈을 주성분으로 하는 제2분산부(34)를 갖는 제1금속층(22)과, 제1금속층(22) 상에 배치된, 니켈(Ni)을 주성분으로 하는 제2금속층(24)과, 제2금속층(24) 상에 배치된, 주석(Sn)을 주성분으로 하는 제3금속층(26)을 구비하고, 전극(20)의 단면을 봤을 때에 제2분산부(34)의 면적에 비해서 제1분산부(32)의 면적이 크다. 전자부품의 일형태인 인덕터(10)의 본체부(30)는 인덕터 코어 부재(1)의 기체부(4)와 권선(5)을 구비하고 있고, 이 본체부(30)에 전극(20)이 형성되어 전자부품으로서의 인덕터(10)를 구성하고 있다.
또한 본 실시형태의 인덕터 코어 부재(1)는 기체부(4)와, 기체부(4)에 배치된 전극(20)을 구비하고, 전극(20)은 은(Ag)을 주성분으로 하고, 유리를 주성분으로 하는 제1분산부(32)와 니켈을 주성분으로 하는 제2분산부(34)를 갖는 제1금속층(22)과, 제1금속층(22) 상에 배치된, 니켈(Ni)을 주성분으로 하는 제2금속층(24)과, 제2금속층(24) 상에 배치된, 주석(Sn)을 주성분으로 하는 제3금속층(26)을 구비하고, 전극(20)의 단면을 봤을 때에 제2분산부(34)의 면적에 비해서 제1분산부(32)의 면적이 크다.
인덕터 코어 부재(1) 자체가 구비하고 있는 기체부(4)는 권선부(3)와 다리부(2)를 갖고, 전극(20)은 다리부(2)의 저면(2A)에 배치되어 있다. 본 실시형태의 인덕터 코어 부재(1)는 예를 들면 장척 방향의 전체 길이가 0.5mm∼1.0mm정도이며, 이 장척 방향에 직교하는 단척 방향의 길이가 0.4mm∼0.5mm정도이다. 또한 저면(2A)의 면적은 약 0.048㎟∼0.105㎟이며, 종래와 비교해서 상당히 소형이다. 또한 이 때의 전극(20)의 제1금속층(22)의 두께는 예를 들면 10㎛∼30㎛이며, 제2금속층(24)의 두께는 예를 들면 1㎛∼10㎛, 제3금속층(26)의 두께는 예를 들면 2㎛∼10㎛로 되어 있다.
또한 본 실시형태의 인덕터(10)는 이러한 인덕터 코어 부재(1)와, 인덕터 코어 부재(1)의 권선부(3)에 감겨진 권선(5)을 갖고 구성되어 있다. 기체부(4)의 재질은 알루미나, 페라이트 등의 세라믹으로 이루어지는 것이 바람직하며, 권선부(3)와 다리부(2)는 일체적으로 형성되어 있다.
본 실시형태의 전자부품(인덕터(10)) 및 인덕터 코어 부재(1)에서는 단면을 봤을 때에 제2분산부(34)의 면적에 비해서 제1분산부(32)의 면적이 보다 크다. 이 때의 단면이란 저면(2A)에 직교하는 평면에 의한 단면(도 3에 나타내는 단면)이며, 이 단면에 있어서의 제2금속층(24)의 면적, 제1분산부(32)의 면적, 및 제2분산부(34)의 면적이란 저면(2A)에 교차하는 다리부(2)의 내측 측면(2a) 및 외측 측면(2b)을 각각 연장한 내측 가상 평면의 단면선(2α) 및 외측 가상 평면의 단면선(2β)으로 끼워진 영역에 있어서의 면적을 말한다. 본 실시형태의 인덕터 코어 부재(1)의 단면선(2α)과 단면선(2β) 사이의 폭, 즉 인덕터 코어 부재(1)의 장척 방향의 다리부(2)의 길이는 예를 들면 0.12mm∼0.21mm정도이다.
단면에 있어서의 면적의 대소관계는 인덕터 코어 부재(1)의 단면을 예를 들면 주사형 전자현미경 장치로 관찰함으로써 확인할 수 있다. 전자현미경으로서는 예를 들면 JEOL Ltd.제 JSM-7001F를 사용하면 좋다. 이 때, 제1금속층(22), 제2금속층(24), 제3금속층(26), 제1분산부(32), 및 제2분산부(34)의 주성분은 같은 주사형 전자현미경 장치에 부수되는 예를 들면 JEOL Ltd.제 JED-2300을 사용해서 전자선 마이크로 애널라이저 분석(EPMA 분석·EDS 분석)함으로써 특정할 수 있다. 본 명세서에 있어서 주성분이란 50질량%이상을 차지하는 성분을 말한다.
본 실시형태의 전자부품(인덕터(10)) 및 인덕터 코어 부재(1)에서는 단면을 봤을 때에 제2분산부(34)의 면적에 비해서 제1분산부(32)의 면적이 보다 크다. 제1분산부(32)의 면적이란 단면을 봤을 때에 단면선(2α)과 단면선(2β)으로 끼워진 영역에 분산되어서 존재하는 복수의 제1분산부(32)의 합계의 면적을 말하고, 제2분산부(34)의 면적이란 단면을 봤을 때에 단면선(2α)과 단면선(2β)으로 끼워진 영역에 분산되어서 존재하는 복수의 제2분산부(34)의 합계의 면적을 말한다.
인덕터(10)에서는 은을 주성분으로 하는 제1금속층(22)내에 유리를 주성분으로 하는 입상(粒狀)의 제1분산부(32)가 비교적 많이 분산되어 있다. 유리의 영률은 약 40(×109N/㎡)이며, 은의 영률(약 76(×109N/㎡))보다 작고, 은보다 유리(제1분산부(32))의 쪽이 외부응력에 대하여 변형되기 쉽다. 제1금속층(22)내에 유리를 주성분으로 하는 제1분산부(32)를 비교적 많이 포함함으로써 제1금속층(22)에 외력이 가해진 경우에도 이 외력이 변형에 의해 흡수되기 쉽다. 이 때문에, 제1금속층(22)은 외력에 의한 균열 등의 파괴가 발생하기 어렵다.
도 4는 종래의 인덕터의 전극근방을 확대해서 나타내는 단면도이다. 도 4의 인덕터 코어 부재의 전극구조는 종래부터 일반적으로 사용되어지고 있는, 은(Ag)을 주성분으로 하는 메탈라이즈층(122)(제1금속층(22)에 상당)과, 메탈라이즈층(122) 상에 배치된, 니켈(Ni)을 주성분으로 하는 니켈 도금층(124)(제2금속층(24)에 상당)과, 니켈 도금층(124) 상에 배치된, 주석(Sn)을 주성분으로 하는 주석 도금층(126)(제3금속층(26)에 상당)을 구비하고 있다. 니켈 도금층(124)의 형성에는 소위 배럴 공정 등의 전해 도금법이 이용되지만, 전해 도금법을 이용하여 전극을 형성할 때, 전해 도금의 용액에 메탈라이즈층(122)에 포함되는 유리 성분이 침식되고, 이 침식된 부분에 니켈이 들어 간다. 이 경우, 메탈라이즈층(122)내에는 유리를 주성분으로 하는 유리 분산부(132)에 비해서 니켈을 주성분으로 하는 니켈 분산부(134)가 많이 포함되어 버린다.
니켈은 영률이 약 200(×109N/㎡)정도이며, 은이나 유리에 비해서 강성이 높으므로, 이러한 종래의 인덕터 코어 부재와 같이, 메탈라이즈층(122)내에 니켈 분산부(134)가 많이 포함된 경우에는 니켈 분산부(134)에 의해 전극(120)이 변형되기 어려워져 응력을 흡수할 수 없고, 외력에 의해 전극(120)이 파괴되기 쉬워져 버린다. 또한 니켈이 침입해서 다리부(102)의 저면(102A)까지 니켈 분산부(132)가 도달했을 경우, 그 부분에서 메탈라이즈층(122)과 저면(102A)의 접합 면적이 작아지고, 저면(102A)으로부터 메탈라이즈층(122) 나아가서는 전극(120)이 박리되기 쉬워진다. 최근의 인덕터의 소형화에 따라 전극(120)의 면적이나 전극(120)의 메탈라이즈층(122)의 두께도 작아지고 있어 상기와 같은 문제가 보다 현저해지고 있다.
한편, 본 실시형태의 인덕터 부재(1)의 전극(20)은 상술한 바와 같이, 은을 주성분으로 하는 제1금속층(22)내에 유리를 주성분으로 하는 입상의 제1분산부(32)가 니켈을 주성분으로 하는 제2분산부(34)와 비교해서 많이 분산되어 있으므로, 니켈을 비교적 많이 포함하는 종래의 전극(120)보다 외력에 의한 균열 등의 파괴가 발생하기 어려워지고 있다.
또한 본 실시형태의 전자부품(인덕터 코어 부재(1))에서는 단면을 봤을 때에 제2금속층(24)의 면적이 제1분산부(32)의 면적과 제2분산부(34)의 면적의 합계의 면적보다도 크게 되어 있다. 상술한 바와 같이 종래의 인덕터에서는 전해 도금시에 니켈이 메탈라이즈층(122)에 많이 들어가므로, 단면을 봤을 때의 니켈 도금층(124)의 면적이 비교적 작게 되기 쉽고, 예를 들면 제1분산부(32)의 면적과 제2분산부(34)의 면적의 합계의 면적보다 작아지는 경우가 많았다. 본 실시형태의 전자부품(인덕터 부재(1))에서는 예를 들면 종래의 경우와 같은 정도의 니켈이어도 단면을 봤을 때의 제2금속층(24)의 면적이 비교적 크고, 예를 들면 제1분산부(32)의 면적과 제2분산부(34)의 면적의 합계의 면적보다 크게 되어 있다. 이렇게 제2금속층(24)으로서 비교적 많은 니켈이 부착되어 있음으로써 제3금속층(26)의 박리 등도 억제되어 있다. 또한 제2금속층(24)의 주성분인 니켈은 비교적 강성이 높고, 제2금속층(24)으로서 비교적 많은 니켈이 배치되어 있음으로써 제1금속층(22)과 저면(2A)의 접합 부분에 전해지는 외력의 크기가 저감되어 있다.
또, 제2금속층(24), 제1분산부(32), 및 제2분산부(34) 등의 각 부의 면적을 보다 상세하게 구하기 위해서는 우선, 전자부품(인덕터(10))의 인덕터 부재(1)의 단면을 다이아몬드 지립(abrasive grain, 砥粒)을 이용하여 연마한 경면의 화상을 전자현미경의 배율을 700배로 해서, CCD 카메라에 의해 면적이, 예를 들면 0.028㎟(가로방향의 길이가 0.184mm, 세로방향의 길이가 0.153mm)가 되도록 촬영한다. 그리고, 이 화상을 화상 해석 소프트 「A조우쿤」(등록상표, 아사히 카세이 엔지니어링(주)제)에 의해 입자 해석함으로써 각각의 면적을 구할 수 있다. 입자 해석의 설정 조건으로서는 예를 들면 명도를 암으로 설정하고, 2값화의 방법을 수동으로 하고, 화상의 명암을 나타내는 지표인 한계값을 화상내의 제1분산부(32) 및 제2분산부(34)와 이들 각 부분을 나타내는 표시색이 일치하도록 설정하고, 예를 들면 각 점(각 픽셀)이 갖는 밝기를 나타내는 히스토그램의 피크값의 1.22배, 예를 들면 205로 한다. 소도형 제거 면적에 대해서는 제1분산부(32) 및 제2분산부(34)의 각 면적을 구하는 경우에는 0㎛로 하고, 제2금속층(24)의 면적을 구하는 경우에는 제1분산부(32) 및 제2분산부(34)가 노이즈로서 해석의 대상이 되지 않도록 하기 위해서 0.2㎛로 한다.
또, 제1분산부(32) 및 제2분산부(34)를 식별하기 위해서, 2값 화상 보정의 수단인 직선 분리, 소거 등을 사용해도 좋다. 상술한 바와 같은 입자 해석에 의해 얻어지는 상기 화상의 범위에서 측정해서 얻어지는 제2금속층(24)의 면적은 예를 들면 150㎛2이상 225㎛2이하이다. 또한 제2분산부(34)의 면적은 예를 들면 10㎛2미만(단, 0㎛2를 제외한다), 예를 들면 제1분산부(32)의 면적은 10㎛2이상 50㎛2이하이다.
또한 니켈을 주성분으로 하는 제2금속층(24)은 은에 비해서 열전도율이 작고 또한 열용량이 크고, 이러한 제2금속층(24)을 비교적 두껍게 배치함으로써 땜납 리플로우시의 실장 기판측으로부터 기체(4)에의 열의 전도를 보다 효과적으로 억제할 수 있다.
여기에서, 유리의 열전도율은 약 0.55∼0.75(w/m·K)정도이며, 은의 열전도율(약 430(w/m·K)정도)보다 현저하게 작다. 또한 유리의 비열은 약 0.75(kJ/kg/K)정도이며, 은의 비열(약 0.2(kJ/kg/K)정도)보다 크고, 은보다 유리의 쪽이 열을 축적하기 쉽다. 인덕터(10)를 회로기판 등에 실장할 때의 땜납 리플로우시는 전극(20)의 표면측의 제3금속층(26)으로부터 기체(4)의 다리부(2)를 향해서 많은 열이 전해지지만, 제1금속층(22)내에 유리를 주성분으로 하는 제1분산부(32)가 비교적 많이 분산되는 본 실시형태에서는 은 및 니켈의 쌍방보다 열전도율이 작고 또한 열용량이 큰 제1분산부(32)에 있어서 열의 전달이 억제되어 이 제1분산부(32)에 비교적 많은 열량이 축적된다. 땜납 리플로우의 종료후에는 제1분산부(32)에 축적된 열은 전극(20)의 표면부분으로부터 서서히 방열되므로, 다리부(2)의 온도의 과도한 상승이 억제되어 있다. 이렇게 본 실시형태에서는 땜납 리플로우시의 열이 다리부(2)에 전해지고, 다리부(2)를 포함하는 기체(4)의 온도가 상승하는 것이 억제되어 있다. 다리부(2) 등 기체부(4)의 온도가 높아지면, 예를 들면 페라이트 재료 특성의 열화 등에 기인해서 인덕터의 투자율이나 Q값의 저하가 발생하는 일이 있지만, 본 실시형태에서는 이러한 전자부품(인덕터(10)) 자신의 본래의 특성의 열화가 억제되어 있다.
또한 본 실시형태의 전자부품(인덕터(10))에서는 제1분산부(32)의 적어도 일부는 기체부(4)의 저면(2A)에 접촉하고 있다. 유리를 주성분으로 하는 제1분산부(32)는 기체부(4)와 접촉해서 비교적 강고하게 기체부(4)에 접합한다. 유리를 주성분으로 하는 제1분산부(32)와, 세라믹스를 주성분으로 하는 기체부(4)의 접합 강도는 은과 기체부(4)의 접합 강도에 비해서 강하다. 제1분산부(32)의 적어도 일부가 기체부(4)에 접촉하고 있음으로써 제1분산부(32)가 분산된 제1금속층(22)의 기체부(4)에 대한 접합 강도가 높은 것으로 되어 있다. 이것은 본 실시형태의 인덕터 코어 부재(1)에 있어서도 동일하다.
또한 본 실시형태의 전자부품(인덕터(10))에서는 제2분산부(34)의 일부도 기체(4)의 저면(2A)에 접촉되어 있어도 좋지만, 그 경우는 제2분산부(34)와 기체부(4)의 접촉 영역의 면적에 비해서 제1분산부(32)와 기체부(4)의 접촉 영역의 면적이 크다. 유리를 주성분으로 하는 제1분산부(32)와, 세라믹스를 주성분으로 하는 기체부(4)의 접합 강도는 니켈을 주성분으로 하는 제2분산부(34)와 기체부(4)의 접합 강도에 비해서 강하다. 그 때문에 제2분산부(34)와 기체부(4)의 접촉 영역의 면적에 비해서 제1분산부(32)와 기체부(4)의 접촉 영역의 면적이 큰 것에 의해 제1금속층(22)의 기체부(4)에 대한 접합 강도는 보다 높아진다. 이것은 본 실시형태의 인덕터 코어 부재(1)에 있어서도 동일하다.
또, 접촉 영역의 면적의 대소비교는 전자부품(인덕터(10))의 인덕터 코어 부재(1)의 단면을 예를 들면 주사형 전자현미경 장치로 관찰해서 얻어진 관찰상으로부터 판단할 수 있다. 즉, 이 단면의 동일한 관찰상에 있어서 제1분산부(32)와 기체부(4)의 접촉면(의 단면선)의 길이를 각 제1분산부(32)마다 측정해서 측정값의 합계를 산출하고, 마찬가지로 제2분산부(34)와 기체부(4)의 접촉면(의 단면선)의 길이를 각 제2분산부(34)마다 측정해서 측정값의 합계를 산출하고, 제1분산부(32)에 대한 합계값과 제2분산부(34)에 대한 합계값을 비교하고, 이 길이가 긴 쪽이 접촉 영역의 면적이 보다 크다고 판단할 수 있다.
전자부품은 상기와 같은 인덕터(10)에 한정되지 않고, 예를 들면 저항기나 콘덴서나 바리스타 등 각종 전자부품을 들 수 있고, 그 종류는 특별히 한정되지 않는다. 전자부품이, 예를 들면 세라믹 칩 콘덴서의 경우이면, 본체부(30)는 티탄산바륨 등을 주성분으로 하는 복수의 유전체 세라믹층과 은 등의 금속을 주성분으로 하는 내부 전극층이 교대로 배치된 것이며, 전극(20)의 제1금속층(22)은 직육면체형상의 본체부(30)의 끝면에 있어서 노출된 내부 전극층과 전기적으로 접속되도록 배치된다. 또한 전자부품이 칩 저항기의 경우이면, 본체부(30)는 예를 들면 알루미나를 주성분으로 하는 판형상의 기판이며, 기판의 양단부에 있어서 상면으로부터 하면에 걸쳐 전극(20)이 배치되고, 칩 저항기는 이 전극(20)간에 저항체가 배치된 것이다.
여기에서, 인덕터 코어 부재(1)의 제조 방법의 일례에 대해서 설명해 둔다.
우선, 성형형(成形型)에 알루미나 분말이나 페라이트 재료 분말 등의 세라믹 분체(粉體)를 충전하고, 이 세라믹 분체를 가압 성형해서 세라믹 성형체를 얻은 후, 이 세라믹 성형체를 소정의 소성 온도에서 소성해서 권선부(3)와 다리부(2)를 갖는 기체부(4)를 얻는다. 기체부(4)는 배럴 처리되어서 성형시의 소위 버 등이 제거되어 있는 것이 바람직하다. 배럴 처리의 조건은 적어도 물 및 제품이 되는 기체(4)를 혼재시켜서 원심 배럴 장치에 투입해서 배럴 처리하는 것이 바람직하다.
다음에 기체(4)의 표면에 제1금속층(22)을 형성한다. 제1금속층(22)의 재료가 되는, 은(Ag)과 유리 분말과 바인더가 혼재한 은 페이스트를 준비한다. 은 페이스트는 은(Ag)을 70∼75질량%, 유리 분말을 1∼5질량%, 바인더를 20∼29질량% 함유하고 있다. 유리 분말의 평균 입경은 3∼5㎛정도이다. 이 은 페이스트를 다리부(2)의 저면(2A)에 도포한다. 이 때, 은 페이스트는 다리부(2)의 저면(2A) 전체로부터 다리부(2)의 외측 측면(2b)의 일부에 걸쳐서 넓어지도록 도포해 둔다. 은 페이스트가 도포된 기체(4) 전체를 500∼700℃정도로 승온해서 은 페이스트를 소결시켜서 기체(4)의 표면에 은을 주성분으로 하는 메탈라이즈층, 즉 제1금속층(22)을 형성한다. 이 은을 주성분으로 하는 메탈라이즈층중에 유리가 비교적 많이 분산된 상태, 즉 제1금속층(22)중에 유리를 주성분으로 하는 제1분산부(32)를 갖는 상태로 되어 있다.
이 메탈라이즈층의 표면에 전해 니켈 도금을 실시한다. 즉, 제1금속층(22) 상에 니켈을 주성분으로 하는 제2금속층(24)을 구비하게 된다. 전해 니켈 도금은 소위 배럴 도금 장치를 이용하여 행하면 좋다. 배럴 도금은 회전 도금이라고도 불리고 있고, 가는 관통구멍이 복수개 형성된 외벽체로 둘러싸인 통(배럴) 안에 제품을 넣어서 도금액에 침지하고, 이 통(배럴)을 회전시키면서 피도금체를 복수회 도금용 전극에 접촉시키고, 도금용 전극에 접촉시켰을 때에 피도금체에 도금을 형성한다. 전해 니켈 도금에서 사용하는 도금액은 메탈라이즈층중에 분산된 유리를 용해하므로, 통상의 조건에서 전해 니켈 도금을 행한 경우에는 메탈라이즈층중의 유리의 대부분이 용해되어 메탈라이즈층내에 니켈이 비교적 많이 침입하기 쉽다. 이 침입한 니켈이 니켈을 주성분으로 하는 제2분산부가 되고, 제1금속층(22)중이 니켈을 주성분으로 하는 제2분산부를 갖는 상태가 된다. 본 실시형태에서는 배럴의 회전 속도나 전해 도금에 있어서의 전압값을 조정해서 메탈라이즈층중에 분산된 유리의 용해가 비교적 작은 단계에서 메탈라이즈층의 표면 전체에 비교적 두꺼운 니켈 도금층, 즉 제2금속층(24)을 형성한다. 예를 들면 전해 도금의 개시 단계에서는 배럴의 회전 속도를 작게 함과 아울러 전압값을 비교적 크게 하고, 도금용 전극에의 1회의 접촉 시간을 비교적 길게 함과 아울러, 단시간에 비교적 많은 막두께의 니켈 도금층이 형성되도록 조건을 조정해 둔다. 어느 정도의 시간이 경과한 후에는 배럴의 회전 속도를 크게 함과 아울러 전압값을 비교적 작게 하고, 도금용 전극에의 1회의 접촉 시간을 비교적 짧게 해서 접촉 횟수를 늘림과 아울러, 1회당 형성 막두께를 비교적 작게 해서 통계적인 불균일을 작게 억제하고, 복수의 피도금체에 있어서의 니켈 도금층의 막두께의 불균일이나, 1개의 피도금체에 있어서의 막두께 분포를 작게 한다. 예를 들면 이렇게 배럴 도금 조건을 조정하면, 도금의 초기 단계에서 메탈라이즈층중의 유리의 용해가 진행되기 전에 도금액의 침입을 억제할 수 있는 충분한 두께의 니켈 도금층을 형성하면서, 최종적인 막두께의 불균일을 억제할 수 있다. 따라서, 메탈라이즈층중에 유리가 많이 잔존한 채로, 또한 니켈의 분산은 적고, 니켈 도금층의 두께는 비교적 두꺼운 것이 된다. 즉, 은을 주성분으로 하는 제1금속층(22)중의 단면을 봤을 때에 유리를 주성분으로 하는 제1분산부(32)의 면적이 니켈을 주성분으로 하는 제2분산부(34)의 면적보다 큰 것이 되고, 또한 제2금속층(24)의 면적이 제1분산부(32)의 면적과 제2분산부(34)의 면적의 합계의 면적보다 크게 된다.
이와 같이, 전해 니켈 도금에 있어서 메탈라이즈층중의 유리가 니켈로 치환되도록 해서 제2분산부(34)가 형성되어 간다. 그 때문에 메탈라이즈층에 있어서의 저면(2A)의 근방영역보다 메탈라이즈층의 표면 근방 즉 니켈 도금층 근방의 유리의 용해가 진행되기 쉽다. 이러한 점에서, 본 실시형태의 전자부품 및 인덕터 부재(1)에서는 제1분산부(32)는 제2금속층(24)의 근방영역에 비해서 저면(2A)의 근방영역의 쪽이 단면을 봤을 때의 면적이 크다. 또한 제2분산부(34)는 저면(2A)의 근방영역에 비해서 제2금속층(24)의 근방영역의 쪽이 단면을 봤을 때의 면적이 보다 크다.
니켈 전해 도금 후, 마찬가지로 전해 도금법에 의해 니켈 도금층의 표면에 주석 도금을 실시하고, 주석을 주성분으로 하는 주석 도금층을 형성한다. 즉, 니켈을 주성분으로 하는 제2금속층(24) 상에 제3금속층(26)을 구비하는 것이 된다. 그리고, 전극(20)은 은(Ag)을 주성분으로 하고, 유리를 주성분으로 하는 제1분산부(32)와 니켈을 주성분으로 하는 제2분산부(34)를 갖는 제1금속층(22)과, 제1금속층(22) 상에 배치된, 니켈(Ni)을 주성분으로 하는 제2금속층(24)과, 제2금속층(24) 상에 배치된, 주석(Sn)을 주성분으로 하는 제3금속층(26)을 구비하는 것이 된다. 이렇게 해서, 본 실시형태의 인덕터 코어 부재(1)는 기체부(4)와, 기체부(4)에 배치된 전극(20)을 구비하고, 전극(20)은 은(Ag)을 주성분으로 하고, 유리를 주성분으로 하는 제1분산부(32)와 니켈을 주성분으로 하는 제2분산부(34)를 갖는 제1금속층(22)과, 제1금속층(22) 상에 배치된, 니켈(Ni)을 주성분으로 하는 제2금속층(24)과, 제2금속층(24) 상에 배치된, 주석(Sn)을 주성분으로 하는 제3금속층(26)을 구비하고, 전극(20)의 단면을 봤을 때에 제2분산부(34)의 면적에 비해서 제1분산부(32)의 면적이 큰 것이 된다.
이렇게 하여 제작된 인덕터 코어 부재(1)의 권선부(3)에 권선(5)을 권취해서 고정함으로써 본 실시형태의 인덕터(10)를 제작할 수 있다. 권선(5)은 예를 들면 지름이 20㎛∼30㎛의 동선이며, 인덕터 코어 부재(1)의 권선부(3)에 6회∼7회 감겨지며, 인덕터 코어 부재(1)의 다리부(2)의 전극(20)에 땜납 등으로 고정된다.
이상, 본 발명의 실시형태 및 실시예에 대해서 설명했지만, 본 발명은 상술한 실시형태나 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에 있어서 각종의 개량 및 변경을 행해도 좋은 것은 물론이다.
1: 인덕터 코어 부재
2: 다리부
2A: 저면
2a: 내측 측면
2b: 외측 측면
2α, 2β: 단면선
3: 권선부
4: 기체부
5: 권선
10: 인덕터
20: 전극
22: 제1금속층
24: 제2금속층
26: 제3금속층
30: 본체부
32: 제1분산부
34: 제2분산부
2: 다리부
2A: 저면
2a: 내측 측면
2b: 외측 측면
2α, 2β: 단면선
3: 권선부
4: 기체부
5: 권선
10: 인덕터
20: 전극
22: 제1금속층
24: 제2금속층
26: 제3금속층
30: 본체부
32: 제1분산부
34: 제2분산부
Claims (7)
- 본체부와, 상기 본체부에 배치된 전극을 구비하고,
상기 전극은 은(Ag)을 주성분으로 하고, 유리를 주성분으로 하는 제1분산부와 니켈을 주성분으로 하는 제2분산부를 갖는 제1금속층과,
상기 제1금속층 상에 배치된, 니켈(Ni)을 주성분으로 하는 제2금속층과,
상기 제2금속층 상에 배치된, 주석(Sn)을 주성분으로 하는 제3금속층을 구비하고,
상기 전극의 단면을 봤을 때에 상기 제2분산부의 면적에 비해서 상기 제1분산부의 면적이 큰 것을 특징으로 하는 전자부품. - 제 1 항에 있어서,
상기 제1분산부의 적어도 일부는 상기 본체부에 접촉되어 있는 것을 특징으로 하는 전자부품. - 제 2 항에 있어서,
상기 제2분산부의 적어도 일부는 상기 본체부에 접촉되어 있고, 상기 제2분산부와 상기 본체부의 접촉 영역의 면적에 비해서 상기 제1분산부와 상기 본체부의 접촉 영역의 면적이 큰 것을 특징으로 하는 전자부품. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전극의 단면을 봤을 때에 상기 제2금속층의 면적은 상기 제1분산부의 면적과 상기 제2분산부의 면적의 합계의 면적보다 큰 것을 특징으로 하는 전자부품. - 기체부와, 상기 기체부에 배치된 전극을 구비하고,
상기 전극은 은(Ag)을 주성분으로 하고, 유리를 주성분으로 하는 제1분산부와 니켈을 주성분으로 하는 제2분산부를 갖는 제1금속층과,
상기 제1금속층 상에 배치된, 니켈(Ni)을 주성분으로 하는 제2금속층과,
상기 제2금속층 상에 배치된, 주석(Sn)을 주성분으로 하는 제3금속층을 구비하고,
상기 전극의 단면을 봤을 때에 상기 제2분산부의 면적에 비해서 상기 제1분산부의 면적이 큰 것을 특징으로 하는 인덕터 코어 부재. - 제 5 항에 있어서,
상기 기체부는 권선부와 다리부를 갖고,
상기 전극은 상기 다리부의 저면에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 인덕터 코어 부재. - 제 6 항에 기재된 인덕터 코어 부재와,
상기 인덕터 코어 부재의 상기 권선부에 감겨진 권선을 갖고 구성된 인덕터.
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| JP7160024B2 (ja) * | 2019-12-20 | 2022-10-25 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101046499B1 (ko) * | 2008-06-02 | 2011-07-04 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (13)
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|---|---|---|---|---|
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