JPWO2016032005A1 - 電子部品、インダクタコア部材およびインダクタ - Google Patents
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Abstract
本体部と、前記本体部に配置された電極とを備え、前記電極は、銀(Ag)を主成分とし、ガラスを主成分とする第1分散部とニッケルを主成分とする第2分散部とを有する第1金属層と、前記第1金属層の上に配置された、ニッケル(Ni)を主成分とする第2金属層と、前記第2金属層の上に配置された、錫(Sn)を主成分とする第3金属層とを備え、前記電極の断面視において、前記第2分散部の面積に比べて前記第1分散部の面積が大きいことを特徴とする電子部品を提供する。
Description
電子部品、インダクタコア部材およびインダクタに関する。
いわゆるスマートフォン等と呼ばれる携帯用電子機器にはコンデンサやチップ抵抗器、インダクタなど多数のチップ状電子部品が搭載されている。このような電子機器の小型化、高機能化が進むにつれ、チップ状電子部品の小型化もより進んでいる。このような電子部品の多くは、電子部品の本体部に配置された電極をプリント配線基板等の被実装体の導体へ、半田リフロー等により接着実装して用いられる。
従来のインダクタコア部材の電極は、銀(Ag)を主成分とする第1金属層と、第1金属層の上に配置された、ニッケル(Ni)を主成分とする第2金属層と、第2金属層の上に配置された錫(Sn)を主成分とする第3金属層とを備えた構成のものがよく使用される。このような電極付きのインダクタの一例が例えば特許文献1に記載されている。
特許文献1のインダクタでは、第2金属層としてバレルメッキ工程によってニッケル(Ni)メッキ層を形成している。このようなバレルメッキ工程を経て形成した電極は、電極の機械強度が比較的低く、また基体部からの電極の剥がれが比較的発生し易いといった課題があった。
本実施形態の電子部品は、本体部と、前記本体部に配置された電極とを備え、前記電極は、銀(Ag)を主成分とし、ガラスを主成分とする第1分散部とニッケルを主成分とする第2分散部とを有する第1金属層と、前記第1金属層の上に配置された、ニッケル(Ni)を主成分とする第2金属層と、前記第2金属層の上に配置された、錫(Sn)を主成分とする第3金属層とを備え、前記電極の断面視において、前記第2分散部の面積に比べて前記第1分散部の面積が大きい。
また、本実施形態のインダクタコア部材は、基体部と、前記基体部に配置された電極とを備え、前記電極は、銀(Ag)を主成分とし、ガラスを主成分とする第1分散部とニッケルを主成分とする第2分散部とを有する第1金属層と、前記第1金属層の上に配置された、ニッケル(Ni)を主成分とする第2金属層と、前記第2金属層の上に配置された、錫(Sn)を主成分とする第3金属層とを備え、前記電極の断面視において、前記第2分散部の面積に比べて前記第1分散部の面積が大きい。
本実施形態のインダクタは、前記基体部が巻線部と脚部とを有し、前記電極が前記脚部の底面に配置された前記インダクタコア部材と、前記インダクタコア部材の前記巻線部に巻き回された巻線とを有して構成されている。
本実施形態の電子部品、インダクタコア部材およびインダクタは、電極の機械強度が比較的高く、また基体部からの電極の剥がれが発生し難い。
以下、図面を参照して実施形態について説明する。図1(a)は本実施形態のインダクタコア部材を示す斜視図であり、図1(b)は図1(a)の断面図である。図2は本実施形態の電子部品を示す側面図であり、電子部品の実施態様の1つである、図1に示すインダクタコア部材を備えるインダクタを示す側面図である。図3は図1(b)におけるA部を拡大して示す断面図であり、インダクタコア部材の電極近傍の断面を示している。
本実施形態の電子部品は、本体部30と、本体部30に配置された電極20とを備え、電極20は、銀(Ag)を主成分とし、ガラスを主成分とする第1分散部32とニッケルを主成分とする第2分散部34とを有する第1金属層22と、第1金属層22の上に配置された、ニッケル(Ni)を主成分とする第2金属層24と、第2金属層24の上に配置された、錫(Sn)を主成分とする第3金属層26とを備え、電極20の断面視において、第2分散部34の面積に比べて第1分散部32の面積が大きい。電子部品の一態様であるインダクタ10の本体部30は、インダクタコア部材1の基体部4と巻線5とを備えており、この本体部30に電極20が設けられて電子部品としてのインダクタ10を構成している。
また、本実施形態のインダクタコア部材1は、基体部4と、基体部4に配置された電極20とを備え、電極20は、銀(Ag)を主成分とし、ガラスを主成分とする第1分散部32とニッケルを主成分とする第2分散部34とを有する第1金属層22と、第1金属層22の上に配置された、ニッケル(Ni)を主成分とする第2金属層24と、第2金属層24の上に配置された、錫(Sn)を主成分とする第3金属層26とを備え、電極20の断面視において、第2分散部34の面積に比べて第1分散部32の面積が大きい。
インダクタコア部材1自体が備えている基体部4は、巻線部3と脚部2とを有し、電極20は、脚部2の底面2Aに配置されている。本実施形態のインダクタコア部材1は、例えば長尺方向の全長が0.5mm〜1.0mm程度であり、この長尺方向に直交する短尺方向の長さが0.4mm〜0.5mm程度である。また、底面2Aの面積は約0.048mm2〜0.105mm2であり、従来と比較してかなり小型である。また、このときの電極20の第1金属層22の厚さは例えば10μm〜30μmであり、第2金属層24の厚さは例えば1μm〜10μm、第3金属層26の厚さは例えば2μm〜10μmとなっている。
また、本実施形態のインダクタ10は、このようなインダクタコア部材1と、インダクタコア部材1の巻線部3に巻き回された巻線5とを有して構成されている。基体部4の材質はアルミナ、フェライト等のセラミックからなるものが好適であり、巻線部3と脚部2は一体的に形成されている。
本実施形態の電子部品(インダクタ10)およびインダクタコア部材1では、断面視において、第2分散部34の面積に比べて第1分散部32の面積がより大きい。このときの断面とは底面2Aに直交する平面による断面(図3に示す断面)であり、この断面における第2金属層24の面積、第1分散部32の面積、および第2分散部34の面積とは、底面2Aに交わる脚部2の内側側面2aおよび外側側面2bをそれぞれ延長した内側仮想平面の断面線2αおよび外側仮想平面の断面線2βで挟まれた領域における面積のことをいう。本実施形態のインダクタコア部材1の断面線2αと断面線2βの間の幅、すなわちインダクタコア部材1の長尺方向の脚部2の長さは、例えば0.12mm〜0.21mm程度である。
断面における面積の大小関係は、インダクタコア部材1の断面を例えば走査型電子顕微鏡装置で観察することで確認することができる。電子顕微鏡としては、例えば日本電子社製JSM−7001Fを用いればよい。このとき、第1金属層22、第2金属層24、第3金属層26、第1分散部32、および第2分散部34の主成分は、同じ走査型電子顕微鏡装置に付随する例えば日本電子社製JED−2300を用いて電子線マイクロアナライザ分析(EPMA分析・EDS分析)することで特定することができる。本明細書において主成分とは、50質量%以上を占める成分のことをいう。
本実施形態の電子部品(インダクタ10)およびインダクタコア部材1では、断面視において、第2分散部34の面積に比べて第1分散部32の面積がより大きい。第1分散部32の面積とは、断面視において、断面線2αと断面線2βとで挟まれた領域に分散して存在する複数の第1分散部32の合計の面積をいい、第2分散部34の面積とは、断面視において、断面線2αと断面線2βとで挟まれた領域に分散して存在する複数の第2分散部34の合計の面積をいう。
インダクタ10では、銀を主成分とする第1金属層22内に、ガラスを主成分とする粒状の第1分散部32が比較的多く分散している。ガラスのヤング率は約40(×109N/m2)であり、銀のヤング率(約76(×109N/m2))よりも小さく、銀よりもガラス(第1分散部32)の方が外部応力に対して変形し易い。第1金属層22内にガラスを主成分とする第1分散部32を比較的多く含むことで、第1金属層22に外力が加わった場合もこの外力が変形によって吸収され易い。このため、第1金属層22は、外力による亀裂等の破壊が生じ難い。
図4は、従来のインダクタの電極近傍を拡大して示す断面図である。図4のインダクタコア部材の電極構造は、従来から一般的に用いられている、銀(Ag)を主成分とするメタライズ層122(第1金属層22に相当)と、メタライズ層122の上に配置した、ニッケル(Ni)を主成分とするニッケルメッキ層124(第2金属層24に相当)と、ニッケルメッキ層124の上に配置された錫(Sn)を主成分とする錫メッキ層126(第3金属層26に相当)とを備えている。ニッケルメッキ層124の形成にはいわゆるバレル工程などの電解メッキ法が利用されるが、電解メッキ法を用いて電極を形成する際、電解メッキの溶液にメタライズ層122に含まれるガラス成分が侵食されて、この侵食された部分にニッケルが入っていく。この場合、メタライズ層122内には、ガラスを主成分とするガラス分散部132に比べてニッケルを主成分とするニッケル分散部134が多く含まれてしまう。
ニッケルはヤング率が約200(×109N/m2)程度であり、銀やガラスに比べて剛性が高いので、このような従来のインダクタコア部材のように、メタライズ層122内にニッケル分散部134が多く含まれた場合は、ニッケル分散部134によって電極120が変形し難くなり応力が吸収できず、外力によって電極120が破壊され易くなってしまう。また、ニッケルが浸入して脚部102の底面102Aまでニッケル分散部132が到達した場合、その部分でメタライズ層122と底面102Aの接合面積が小さくなり、底面102Aからメタライズ層122ひいては電極120が剥がれ易くなる。近年のインダクタの小型化にともなって電極120の面積や電極120のメタライズ層122の厚さも小さくなっており、上記のような問題がより顕著になってきている。
一方、本実施形態のインダクタ部材1の電極20は、上述のように、銀を主成分とする第1金属層22内に、ガラスを主成分とする粒状の第1分散部32が、ニッケルを主成分とする第2分散部34と比較して多く分散しているので、ニッケルを比較的多く含む従来の電極120よりも、外力による亀裂等の破壊が生じ難くなっている。
また本実施形態の電子部品(インダクタコア部材1)では、断面視において、第2金属層24の面積が、第1分散部32の面積と第2分散部34の面積との合計の面積よりも大きくなっている。上述のように従来のインダクタでは、電解メッキの際にニッケルがメタライズ層122に多く入っていくので、断面視におけるニッケルメッキ層124の面積が比較的小さくなり易く、例えば、第1分散部32の面積と第2分散部34の面積との合計の面積よりも小さくなる場合が多かった。本実施形態の電子部品(インダクタ部材1)では、例えば従来の場合と同じ程度のニッケルであっても、断面視における第2金属層24の面積が比較的大きく、例えば、第1分散部32の面積と第2分散部34の面積との合計の面積よりも大きくなっている。このように第2金属層24として比較的多くのニッケルが付着していることで、第3金属層26の剥がれ等も抑制されている。また、第2金属層24の主成分であるニッケルは比較的剛性が高く、第2金属層24として比較的多くのニッケルが配置されていることで、第1金属層22と底面2Aとの接合部分に伝わる外力の大きさが低減されている。
なお、第2金属層24、第1分散部32、および第2分散部34等の各部の面積をより詳細に求めるには、まず、電子部品(インダクタ10)のインダクタ部材1の断面をダイヤモンド砥粒を用いて研磨した鏡面の画像を、電子顕微鏡の倍率を700倍として、CCDカメラにより、面積が、例えば、0.028mm2(横方向の長さが0.184mm、縦方向の長さが0.153mm)となるように撮影する。そして、この画像を画像解析ソフト「A像くん」(登録商標、旭化成エンジニアリング(株)製)により、粒子解析することでそれぞれの面積を求めることができる。粒子解析の設定条件としては、例えば、明度を暗に設定し、2値化の方法を手動とし、画像の明暗を示す指標であるしきい値を、画像内の第1分散部32および第2分散部34とこれら各部分を示す表示色とが一致するように設定し、例えば、各点(各ピクセル)が有する明るさを示すヒストグラムのピーク値の1.22倍、例えば、205にする。小図形除去面積については、第1分散部32および第2分散部34の各面積を求める場合には、0μmとし、第2金属層24の面積を求める場合には、第1分散部32および第2分散部34がノイズとして解析の対象にならないようにするために0.2μmとする。
なお、第1分散部32および第2分散部34を識別するために、2値画像補正の手段である直線分離、消去等を用いてもよい。上述したような粒子解析によって得られる上記画像の範囲で測定して得られる第2金属層24の面積は、例えば、150μm2以上225μm2以下である。また、第2分散部34の面積は例えば10μm2未満(但し、0μm2を除く)、例えば第1分散部32の面積は、10μm2以上50μm2以下である。
また、ニッケルを主成分とする第2金属層24は、銀に比べて熱伝導率が小さくかつ熱容量が大きく、このような第2金属層24を比較的厚く配置することで、半田リフロー時の実装基板側から基体4への熱の伝導をより効果的に抑制することができる。
ここで、ガラスの熱伝導率は約0.55〜0.75(w/m・K)程度であり、銀の熱伝導率(約430(w/m・K)程度)よりも著しく小さい。また、ガラスの比熱は約0.75(kJ/kg/K)程度であり、銀の比熱(約0.2(kJ/kg/K)程度)よりも大きく、銀よりもガラスの方が熱を蓄え易い。インダクタ10を回路基板等に実装する際の半田リフロー時は、電極20の表面側の第3金属層26から基体4の脚部2に向けて多くの熱が伝わるが、第1金属層22内にガラスを主成分とする第1分散部32が比較的多く分散する本実施形態では、銀およびニッケルの双方よりも熱伝導率が小さくかつ熱容量の大きい第1分散部32において、熱の伝わりが抑えられてこの第1分散部32に比較的多くの熱量が蓄えられる。半田リフローの終了後は、第1分散部32に蓄えられた熱は電極20の表面部分から徐々に放熱されるので、脚部2の温度の過度の上昇が抑制されている。このように本実施形態では、半田リフロー時の熱が脚部2に伝わって、脚部2を含む基体4の温度が上昇することが抑制されている。脚部2など基体部4の温度が高くなると、例えばフェライト材料特性の劣化等に起因してインダクタの透磁率やQ値の低下が生じることがあるが、本実施形態ではこのような電子部品(インダクタ10)自身の本来の特性の劣化が抑制されている。
また、本実施形態の電子部品(インダクタ10)では、第1分散部32の少なくとも一部は基体部4の底面2Aに当接している。ガラスを主成分とする第1分散部32は基体部4と当接して比較的強固に基体部4に接合する。ガラスを主成分とする第1分散部32と、セラミックスを主成分とする基体部4との接合強度は、銀と基体部4との接合強度に比べて強い。第1分散部32の少なくとも一部が基体部4に当接していることで、第1分散部32が分散された第1金属層22の基体部4に対する接合強度が高いものとなっている。これは、本実施形態のインダクタコア部材1においても同様である。
また、本実施形態の電子部品(インダクタ10)では、第2分散部34の一部も基体4の底面2Aに当接していてもよいが、その場合は、第2分散部34と基体部4との当接領域の面積に比べて、第1分散部32と基体部4との当接領域の面積が大きい。ガラスを主成分とする第1分散部32と、セラミックスを主成分とする基体部4との接合強度は、ニッケルを主成分とする第2分散部34と基体部4との接合強度に比べて強い。そのため、第2分散部34と基体部4との当接領域の面積に比べて、第1分散部32と基体部4との当接領域の面積が大きいことで、第1金属層22の基体部4に対する接合強度はより高くなる。これは、本実施形態のインダクタコア部材1においても同様である。
なお、当接領域の面積の大小比較は、電子部品(インダクタ10)のインダクタコア部材1の断面を例えば走査型電子顕微鏡装置で観察して得られた観察像から判断することができる。すなわち、この断面の同一の観察像において、第1分散部32と基体部4との当接面(の断面線)の長さを各第1分散部32毎に測定して測定値の合計を算出し、同様に第2分散部34と基体部4との当接面(の断面線)の長さを各第2分散部34毎に測定して測定値の合計を算出し、第1分散部32についての合計値と第2分散部34についての合計値とを比較し、この長さが長い方が当接領域の面積がより大きいと判断することができる。
電子部品は、上記のようなインダクタ10に限定されず、例えば、抵抗器やコンデンサやバリスタなど各種電子部品が挙げられ、その種類は特に限定されない。電子部品が、例えばセラミックチップコンデンサの場合であれば、本体部30は、チタン酸バリウム等を主成分とする複数の誘電体セラミック層と銀等の金属を主成分とする内部電極層とが交互に配置されたものであり、電極20の第1金属層22は直方体状の本体部30の端面において露出した内部電極層と電気的に接続するように配置される。また、電子部品が、チップ抵抗器の場合であれば、本体部30は、例えばアルミナを主成分とする板状の基板であり、基板の両端部において上面から下面にかけて電極20が配置され、チップ抵抗器はこの電極20間に抵抗体が配置されたものである。
ここで、インダクタコア部材1の製造方法の一例について説明しておく。
まず、成形型にアルミナ粉末やフェライト材料粉末等のセラミック粉体を充填して、このセラミック粉体を加圧成形してセラミック成形体を得た後、このセラミック成形体を所定の焼成温度で焼成して、巻線部3と脚部2とを有する基体部4を得る。基体部4は、バレル処理されて、成形時のいわゆるバリ等が除去されていることが好ましい。バレル処理の条件は、少なくとも水および製品となる基体4を混在させて遠心バレル装置に投入してバレル処理するのが好ましい。
次に、基体4の表面に第1金属層22を形成する。第1金属層22の材料となる、銀(Ag)とガラス粉末とバインダとが混在した銀ペーストを用意する。銀ペーストは、銀(Ag)を70〜75質量%、ガラス粉末を1〜5質量%、バインダを20〜29質量%含有している。ガラス粉末の平均粒径は3〜5μm程度である。この銀ペーストを、脚部2の底面2Aに塗布する。この際、銀ペーストは、脚部2の底面2A全体から脚部2の外側側面2bの一部にわたって広がるように塗布しておく。銀ペーストが塗布された基体4全体を500〜700度程度に昇温して銀ペーストを焼結させて、基体4の表面に銀を主成分とするメタライズ層、すなわち第1金属層22を形成する。この銀を主成分とするメタライズ層中に、ガラスが比較的多く分散した状態、すなわち第1金属層22中にガラスを主成分とする第1分散部32を有する状態となっている。
このメタライズ層の表面に、電解ニッケルメッキを施す。すなわち、第1金属層22の上にニッケルを主成分とする第2金属層24を備えることとなる。電解ニッケルメッキは、いわゆるバレルメッキ装置を用いて行えばよい。バレルメッキは回転めっきとも呼ばれており、細かい貫通孔が複数開けられた外壁体で囲まれた樽(バレル)の中に製品を入れてメッキ液に浸漬し、この樽(バレル)を回転させながら被メッキ体を複数回、メッキ用電極に接触させて、メッキ用電極に接触した際に被メッキ体にメッキを形成する。電解ニッケルメッキで用いるメッキ液は、メタライズ層中に分散したガラスを溶解するので、通常の条件で電解ニッケルメッキを行った場合は、メタライズ層中のガラスの多くが溶解して、メタライズ層内にニッケルが比較的多く浸入し易い。この浸入したニッケルが、ニッケルを主成分とする第2分散部となり、第1金属層22中がニッケルを主成分とする第2分散部を有する状態となる。本実施形態ではバレルの回転速度や電解メッキにおける電圧値を調整して、メタライズ層中に分散したガラスの溶解が比較的小さい段階で、メタライズ層の表面全体に比較的厚いニッケルメッキ層、すなわち第2金属層24を形成する。例えば、電解メッキの開始段階では、バレルの回転速度を小さするとともに電圧値を比較的大きくして、メッキ用電極への1回の接触時間を比較的長くするとともに、短時間で比較的多くの膜厚のニッケルメッキ層が形成されるように条件調整しておく。ある程度の時間が経過した後は、バレルの回転速度を大きくするとともに電圧値を比較的小さくして、メッキ用電極への1回の接触時間を比較的短くして接触回数を増やすとともに、1回あたりの形成膜厚を比較的小さくして、統計的なばらつきを小さく抑制し、複数の被メッキ体におけるニッケルメッキ層の膜厚のばらつきや、1つの被メッキ体における膜厚分布を小さくする。例えばこのようにバレルメッキ条件を調整すると、メッキの初期段階でメタライズ層中のガラスの溶解が進む前に、メッキ液の浸入を抑えることができる充分な厚さのニッケルメッキ層を形成しつつ、最終的な膜厚のばらつきを抑制することができる。よって、メタライズ層中にガラスが多く残存したままで、またニッケルの分散は少なく、ニッケルメッキ層の厚さは比較的厚いものとなる。すなわち、銀を主成分とする第1金属層22中の断面視において、ガラスを主成分とする第1分散部32の面積がニッケルを主成分とする第2分散部34の面積より大きいものとなり、また、第2金属層24の面積が、第1分散部32の面積と第2分散部34の面積との合計の面積よりも大きくなる。
このように、電解ニッケルメッキにおいて、メタライズ層中のガラスがニッケルに置き換わるようにして第2分散部34が形成されていく。そのため、メタライズ層における底面2Aの近傍領域よりメタライズ層の表面近傍すなわちニッケルメッキ層近傍のガラスの溶解が進行し易い。このようなことから、本実施形態の電子部品およびインダクタ部材1では、第1分散部32は、第2金属層24の近傍領域に比べて底面2Aの近傍領域の方が、断面視における面積が大きい。また、第2分散部34は、底面2Aの近傍領域に比べて第2金属層24の近傍領域の方が、断面視における面積がより大きい。
ニッケル電解メッキの後、同じく電解メッキ法によってニッケルメッキ層の表面に錫メッキを施し、錫を主成分とする錫メッキ層を形成する。すなわち、ニッケルを主成分とする第2金属層24の上に第3金属層26を備えることとなる。そして、電極20は、銀(Ag)を主成分とし、ガラスを主成分とする第1分散部32とニッケルを主成分とする第2分散部34とを有する第1金属層22と、第1金属層22の上に配置された、ニッケル(Ni)を主成分とする第2金属層24と、第2金属層24の上に配置された、錫(Sn)を主成分とする第3金属層26とを備えるものとなる。このようにして、本実施形態のインダクタコア部材1は、基体部4と、基体部4に配置された電極20とを備え、電極20は、銀(Ag)を主成分とし、ガラスを主成分とする第1分散部32とニッケルを主成分とする第2分散部34とを有する第1金属層22と、第1金属層22の上に配置された、ニッケル(Ni)を主成分とする第2金属層24と、第2金属層24の上に配置された、錫(Sn)を主成分とする第3金属層26とを備え、電極20の断面視において、第2分散部34の面積に比べて第1分散部32の面積が大きいものとなる。
このようにして作製されたインダクタコア部材1の巻線部3に巻線5を巻きつけて固定することで本実施形態のインダクタ10を作製することができる。巻線5は、例えば、径が20μm〜30μmの銅線であり、インダクタコア部材1の巻線部3に6回〜7回巻かれ、インダクタコア部材1の脚部2の電極20に半田等で固定される。
以上、本発明の実施形態および実施例について説明したが、本発明は上述の実施形態や実施例に限定されるものでない。本発明は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行なってもよいのはもちろんである。
1 インダクタコア部材
2 脚部
2A 底面
2a 内側側面
2b 外側側面
2α、2β 断面線
3 巻線部
4 基体部
5 巻線
10 インダクタ
20 電極
22 第1金属層
24 第2金属層
26 第3金属層
30 本体部
32 第1分散部
34 第2分散部
2 脚部
2A 底面
2a 内側側面
2b 外側側面
2α、2β 断面線
3 巻線部
4 基体部
5 巻線
10 インダクタ
20 電極
22 第1金属層
24 第2金属層
26 第3金属層
30 本体部
32 第1分散部
34 第2分散部
Claims (7)
- 本体部と、前記本体部に配置された電極とを備え、
前記電極は、銀(Ag)を主成分とし、ガラスを主成分とする第1分散部とニッケルを主成分とする第2分散部とを有する第1金属層と、
前記第1金属層の上に配置された、ニッケル(Ni)を主成分とする第2金属層と、
前記第2金属層の上に配置された、錫(Sn)を主成分とする第3金属層とを備え、
前記電極の断面視において、前記第2分散部の面積に比べて前記第1分散部の面積が大きいことを特徴とする電子部品。 - 前記第1分散部の少なくとも一部は、前記本体部に当接していることを特徴とする請求項1に記載の電子部品。
- 前記第2分散部の少なくとも一部は、前記本体部に当接しており、
前記第2分散部と前記本体部との当接領域の面積に比べて、前記第1分散部と前記本体部との当接領域の面積が大きいことを特徴とする請求項2に記載の電子部品 - 前記電極の断面視において、前記第2金属層の面積は、前記第1分散部の面積と前記第2分散部の面積との合計の面積よりも大きいことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の電子部品。
- 基体部と、前記基体部に配置された電極とを備え、
前記電極は、銀(Ag)を主成分とし、ガラスを主成分とする第1分散部とニッケルを主成分とする第2分散部とを有する第1金属層と、
前記第1金属層の上に配置された、ニッケル(Ni)を主成分とする第2金属層と、
前記第2金属層の上に配置された、錫(Sn)を主成分とする第3金属層とを備え、
前記電極の断面視において、前記第2分散部の面積に比べて前記第1分散部の面積が大きいことを特徴とするインダクタコア部材。 - 前記基体部は、巻線部と脚部とを有し、
前記電極は、前記脚部の底面に配置されていることを特徴とする請求項5に記載のインダクタコア部材。 - 請求項6に記載のインダクタコア部材と、
前記インダクタコア部材の前記巻線部に巻き回された巻線とを有して構成されたインダクタ。
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