JP6769386B2 - インダクタ - Google Patents

Description

本発明は、コアに巻回されたワイヤを有するインダクタに関する。

従来、電子機器には種々のインダクタが搭載されている。巻線型インダクタは、コアと、コアに巻回されたワイヤとを有している。ワイヤの端部は、コアに設けられた端子電極と接続されている。（例えば、特許文献１，２参照）。その端子電極は、インダクタを実装する対象物（回路基板等）に設けられたパッドとはんだ等により接続される。

特開２００２−２８０２２６号公報 特開平１０−３２１４３８号公報

ところで、携帯電話機等の電子機器の小型化が進み、そのような電子機器に搭載されるインダクタに対しても小型化が要求される。インダクタを小型化すると、それに伴いインダクタの端子電極の面積が小さくなり、対象物に対して傾き易い。これにより、インダクタと隣接する素子等とインダクタとの間で干渉する虞がある。

本発明は上記問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、隣接する部品との干渉低減を可能としたインダクタを提供することにある。

上記課題を解決するインダクタは、柱状の軸部と、前記軸部の両端の一対の支持部とを有するコアと、前記一対の支持部のそれぞれに設けられた端子電極と、前記軸部に巻回され、両端部がそれぞれ前記一対の支持部の端子電極に接続されたワイヤと、少なくとも前記一対の支持部の間に配設され、前記軸部の上面を覆うカバー部材と、を有し、前記端子電極は、前記支持部の底面の底面部電極と、前記支持部の側面の側面部電極と、前記支持部の端面の端面部電極と、を含み、前記コア及び前記端子電極を含む幅寸法は前記カバー部材の幅寸法より大きい。

この構成によれば、カバー部材を利用してインダクタを実装することができる。そして、インダクタの実装時の姿勢が安定し易い。また、インダクタの天面側の幅寸法が底面側の幅寸法より相対的に小さくなるため、部品実装後の実装基板において、インダクタと、インダクタに隣接する部品との間で、天面側の距離を大きくでき、部品の傾きなどによる部品同士の干渉が低減される。

上記のインダクタにおいて、前記コア及び前記端子電極を含む長さ寸法は、前記カバー部材の長さ寸法より大きいことが好ましい。
この構成によれば、インダクタの実装時の姿勢がより安定し易い。

上記のインダクタにおいて、前記カバー部材は、前記一対の支持部の天面を覆うことが好ましい。
この構成によれば、カバー部材を利用してインダクタを実装することができる。そして、カバー部材は、一対の支持部の間に配設されコアより側方に突出しないため、インダクタの天面側の幅寸法が底面側の幅寸法より相対的に小さくなるため、部品実装後の実装基板において、インダクタと、インダクタに隣接する部品との間で、天面側の距離を大きくでき、部品の傾きなどによる部品同士の干渉が低減される。

上記のインダクタにおいて、前記コア及び前記端子電極を含む長さ寸法は１．０ｍｍ以下であり、前記コア及び前記端子電極を含む幅寸法は０．６ｍｍ以下であり、前記コア及び前記端子電極を含む高さ寸法は０．８ｍｍ以下であることが好ましい。

この構成によれば、小型化されたコアを含むインダクタにおいて、隣接する素子との干渉を低減できる。
上記のインダクタにおいて、前記コア及び前記端子電極を含む高さ寸法は前記コア及び前記端子電極を含む幅寸法より大きいことが好ましい。

この構成によれば、高さ寸法の高いインダクタにおいて、隣接する素子との干渉を低減できる。
上記のインダクタにおいて、前記一対の支持部は、前記第１の稜線部と前記軸部との間に垂直な内面を有することが好ましい。

この構成によれば、一対の支持部の間において、ワイヤを巻回する領域を確保できる。
上記のインダクタにおいて、前記端面部電極は、前記側面側の端部が、前記側面部電極の前記端面側の端部よりも高いことが好ましい。

この構成によれば、端面部電極の高さが高く、その分表面積が増加する。この表面積の増加は、回路基板への接続を強固とする、つまり回路基板に対する固着力を高くする。このため、小型化したインダクタにおいて、実装対象の回路基板に対して十分な固着力を得ることができる、つまり、固着力の低下を抑制することができる。

上記のインダクタにおいて、前記端面の幅方向の端部よりも前記端面の幅方向の中央部が高いことが好ましい。
この構成によれば、中央部の高さが端部の高さと同じである場合に比べ、端面部電極の表面積が増加する。このため、小型化したインダクタにおいて、実装対象の回路基板に対して十分な固着力を得ることができる、つまり、固着力の低下を抑制することができる。

上記のインダクタにおいて、前記端面部電極の上端は上側に凸となる弧状であることが好ましい。
この構成によれば、端面部電極の面積、つまり端子電極の表面積をさらに拡大することができる。

上記のインダクタにおいて、前記側面部電極は、前記一対の支持部の互いに対向する内面から前記端面に向かって高さが高くなることが好ましい。
この構成によれば、内面側では、端面側よりも端子電極の高さが低くなるため、端面部電極を高くしても、実装時に内面側でワイヤや軸部とはんだとの干渉を低減できる。そして、端面側の側面部電極が高く、側面部電極の面積が大きくなるため、回路基板への接続をより強固とする、つまり回路基板に対する固着力が高くなる。

上記のインダクタにおいて、前記支持部は、前記一対の支持部の互いに対向する内面と前記底面との境界をなす曲面状の第１の稜線部と、前記底面と前記端面との境界をなす曲面状の第２の稜線部とを有し、前記第２の稜線部の曲率半径は２０μｍ以上であり、前記第１の稜線部の曲率半径は、前記第２の稜線部の曲率半径より大きいことが好ましい。

ワイヤは軸部に巻回され、両端部が端子電極の底面部電極に接続される。従って、ワイヤは、支持部の底面から軸部へと掛け渡される。支持部は、底面と内面との間の境界をなす第１の稜線部が曲率半径の大きな曲面状であるため、ワイヤはその第１の稜線部に沿って大きな曲率半径で曲がり、直径が一定値以下のワイヤにおける断線の発生が抑制される。

上記のインダクタにおいて、前記第１の稜線部の曲率半径は、前記第２の稜線部の曲率半径よりも前記第２の稜線部の曲率半径の９％以上大きいことが好ましい。
この構成によれば、複数個のインダクタにおいて、ワイヤにおける断線の発生がないことが確認できている。

上記のインダクタにおいて、前記支持部は、天面と前記内面との境界をなす曲面状の第３の稜線部と、前記天面と前記端面との境界をなす曲面状の第４の稜線部とを有し、前記第３の稜線部の曲率半径は前記第４の稜線部の曲率半径より大きいことが好ましい。

この構成によれば、コアを短い時間で保持して端子電極の形成等の工程を行うことができ、加工工程の作業が容易となる。
上記のインダクタにおいて、前記端子電極は、前記コアの表面の下地層と、前記下地層の表面のめっき層とを有し、前記支持部の前記端面の下地層の最大厚さは、前記支持部の底面の下地層の最大厚さよりも厚いことが好ましい。

この構成によれば、厚い下地層によって端面部電極が厚くなり、面積の大きな端面部電極を形成することができる。
上記のインダクタにおいて、前記端子電極は、前記支持部の天面側に形成されていないことが好ましい。

この構成によれば、厚い端面部電極によってインダクタの重心が低く、インダクタの実装時における姿勢が安定し易くなる。
上記のインダクタにおいて、前記支持部は、前記底面と前記端面との境界をなす曲面状の稜線部を有し、前記稜線部の曲率半径は２０μｍ以上であることが好ましい。

稜線部の曲率半径が小さいと、底面の下地層と側面の下地層との間で下地層が薄くなり途切れやすくなる。稜線部の曲率半径を所定値以上とすることで、底面の下地層と側面の下地層との間の下地層の厚さが確保され、途切れ難くなる。

上記のインダクタにおいて、前記一対の支持部の第１側の端子電極と第２側の端子電極との互いの形状が異なることが好ましい。
この構成により、インダクタの端子電極設計や、実装基板のランドパターン設計の自由度が向上する。

上記のインダクタにおいて、前記側面部電極は、前記端面の側の端部が前記軸部の底面より高いことが好ましい。
この構成により、通常の端子電極に比べて、側面部電極に続く端面部電極が高くなるため、より高いはんだフィレットを形成することが可能となる。

上記のインダクタにおいて、前記側面部電極は、傾斜の異なる２つの部分を含み、前記端面側の部分における傾斜は、前記一対の支持部の互いに対向する内面側の部分における傾斜よりも大きいことが好ましい。

この構成により、インダクタの端子電極設計や、実装基板のランドパターン設計の自由度が向上する。
上記のインダクタにおいて、前記側面部電極は、傾斜の異なる２つの部分を含み、前記一対の支持部の互いに対向する内面側の部分における傾斜は、前記端面側の部分における傾斜よりも大きいこと
この構成により、インダクタの端子電極設計や、実装基板のランドパターン設計の自由度が向上する。

上記のインダクタにおいて、前記端子電極は、前記側面部電極と前記端面部電極との間であって、前記側面と端面との境界を成す稜線部に、前記側面部電極の傾斜よりも大きい傾斜の電極部分を有することが好ましい。

この構成により、インダクタの端子電極設計や、実装基板のランドパターン設計の自由度が向上する。

本発明のインダクタによれば、隣接する部品との干渉を低減できる。

（ａ）は第１実施形態のインダクタの正面図、（ｂ）はインダクタの端面図。 第１実施形態のインダクタの斜視図。 コアの断面を説明するための概略斜視図。 コアの側面図。 端子電極の拡大断面図。 （ａ）〜（ｃ）は、端子電極を形成する工程の概略図。 （ａ）は第１実施形態のインダクタの側面図、（ｂ）は比較例のインダクタの側面図。 （ａ）は第２実施形態のインダクタの正面図、（ｂ）はインダクタの端面図。 第２実施形態のインダクタの斜視図。 第２実施形態のインダクタの周波数−インピーダンス特性図。 変形例のインダクタを示す側面図。 変形例のインダクタを示す側面図。 変形例のインダクタを示す側面図。 変形例のインダクタを示す側面図。 変形例のインダクタを示す側面図。 変形例のコアを示す概略斜視図。 コアの側面を示す写真。

以下、各形態を説明する。
なお、添付図面は、理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、または別の図面中のものと異なる場合がある。また、断面図では、理解を容易にするために、一部の構成要素のハッチングを省略している場合がある。

（第１実施形態）
以下、第１実施形態を説明する。
図１（ａ），図１（ｂ）及び図２に示すインダクタ１０は、例えば回路基板等に実装される表面実装型のインダクタである。このインダクタ１０は、例えば、スマートフォンまたは手首着用のモバイル電子デバイス（例えば、スマートウォッチ）など携帯型電子機器（モバイル電子デバイス）を含めて、様々なデバイスで使用され得る。

本実施形態のインダクタ１０は、コア２０と、一対の端子電極５０と、ワイヤ７０とを有する。コア２０は、軸部２１と一対の支持部２２とを有している。軸部２１は直方体状に形成されている。一対の支持部２２は、軸部２１の両端から軸部２１の延びる第１の方向と直交する第２の方向に延びている。支持部２２は軸部２１を実装対象（回路基板）と平行に支持する。一対の支持部２２は、軸部２１と一体に形成されている。

端子電極５０は、各支持部２２に形成されている。ワイヤ７０は、軸部２１に巻回されている。また、ワイヤ７０は、軸部２１に対して単一の層を形成するように、軸部２１に巻回されている。ワイヤ７０の両端部は、端子電極５０にそれぞれ接続されている。このインダクタ１０は、巻線型インダクタである。

インダクタ１０は、概略で直方体状に形成されている。なお、本明細書において、「直方体状」には、角部や稜線部が面取りされた直方体や、角部や稜線部が丸められた直方体が含まれるものとする。また、主面及び側面の一部又は全部に凹凸などが形成されていてもよい。また、「直方体状」では対向する面が必ずしも完全に平行となっている必要はなく、多少の傾きがあってもよい。

本明細書において、軸部２１の延びる方向を「長さ方向Ｌｄ（第１の方向）」と定義し、「長さ方向Ｌｄ」に直交する方向のうち図１（ａ）及び図１（ｂ）の上下方向を「高さ方向（厚み方向）Ｔｄ」と定義し、「長さ方向Ｌｄ」及び「高さ方向Ｔｄ」のいずれにも直交する方向（図１（ｂ）の左右方向）を「幅方向Ｗｄ」と定義する。なお、本明細書において、「幅方向」は、長さ方向に垂直な方向のうち、インダクタ１０が回路基板に実装された際、つまり端子電極５０によりインダクタ１０が実装される回路基板と平行となる方向となる。

インダクタ１０において、長さ方向Ｌｄの大きさ（長さ寸法Ｌ１）は、０ｍｍよりも大きく、１．０ｍｍ以下が好ましい。本実施形態のインダクタ１０の長さ寸法Ｌ１は、例えば０．７ｍｍである。

また、インダクタ１０において、幅方向Ｗｄの大きさ（幅寸法Ｗ１）は、０ｍｍよりも大きく、０．６ｍｍ以下であることが好ましい。また、幅寸法Ｗ１は、０．３６ｍｍ以下であることが好ましく、０．３３ｍｍ以下であることがより好ましい。本実施形態のインダクタ１０の幅寸法Ｗ１は、例えば０．３ｍｍである。

また、インダクタ１０において、高さ方向Ｔｄの大きさ（高さ寸法Ｔ１）は、０ｍｍよりも大きく、０．８ｍｍ以下であることが好ましい。本実施形態のインダクタ１０の高さ寸法Ｔ１は、例えば０．５ｍｍである。

図２に示すように、軸部２１は、長さ方向Ｌｄに延在した直方体状に形成されている。一対の支持部２２は、長さ方向Ｌｄに薄い板状に形成されている。一対の支持部２２は、幅方向Ｗｄに対して高さ方向Ｔｄに長い直方体状に形成されている。

一対の支持部２２は、高さ方向Ｔｄ及び幅方向Ｗｄに向かって軸部２１の周囲に張り出すように形成されている。具体的には、長さ方向Ｌｄから見たときの各支持部２２の平面形状は、軸部２１に対して高さ方向Ｔｄ及び幅方向Ｗｄに張り出すように形成されている。

各支持部２２は、長さ方向Ｌｄにおいて相対向する内面３１及び端面３２と、幅方向Ｗｄにおいて相対向する一対の側面３３，３４と、高さ方向Ｔｄにおいて相対向する天面３５及び底面３６を有している。一方の支持部２２の内面３１は、他方の支持部２２の内面３１と相対向している。なお、図示の通り、本明細書において、「底面」とはインダクタを回路基板に実装する際に、回路基板と対向する面を意味する。特に、支持部の底面とは、両側の支持部ともに端子電極が形成されている側の面を意味する。「天面」は、「底面」と対向する面を意味する。また、「端面」とは支持部のうち、軸部とは逆側に向く面を意味する。さらに「側面」は底面及び端面に隣接する面を意味する。

コア２０の材料としては、磁性材料（例えば、ニッケル（Ｎｉ）−亜鉛（Ｚｎ）系フェライト、マンガン（Ｍｎ）−Ｚｎ系フェライト）、アルミナ、金属磁性体などを用いることができる。これらの材料の粉末を、圧縮成型及び焼結することによりコア２０が得られる。

図４に示すように、支持部２２は、底面３６と内面３１との境界をなす稜線部４１と、底面３６と端面３２との境界をなす稜線部４２とを有している。稜線部４１，４２の表面は、コア２０の外側に向かって凸となる曲面状であり、概略円柱面（凸円柱面）である。同様に、支持部２２は、天面３５と内面３１との境界をなす稜線部４３と、天面３５と端面３２との境界をなす稜線部４４とを有している。稜線部４３，４４の表面は、コア２０の外側に向かって凸となる曲面状であり、概略円柱面（凸円柱面）である。なお、図４では示されないが、支持部２２は、側面３３，３４と内面３１との境界をなす稜線部に丸みを持たせた領域と、側面３３，３４と端面３２との境界をなす稜線部に丸みを持たせた領域とを有している。

表面が概略円柱面である稜線部４１〜４４は、側面視において表面が円弧状である。内面３１の側の稜線部４１，４３の曲率半径は、端面３２の側の稜線部４２，４４の曲率半径よりも大きい。例えば、稜線部４１，４３の曲率半径は、稜線部４２，４４の曲率半径より、稜線部４２，４４の曲率半径の９％以上大きいことが好ましい。この構成によれば、複数個のインダクタにおいて、ワイヤにおける断線の発生がないことが確認できている。稜線部４２，４４の曲率半径は、２０μｍ以上であることが好ましい。例えば、稜線部４２，４４の曲率半径は、２０μｍ〜４０μｍの範囲内であることが好ましく、稜線部４１，４３の曲率半径は、２５μｍ〜５０μｍの範囲内であることが好ましい。

なお、稜線部４１〜４４の曲率半径は、支持部２２の天面３５及び底面３６を平面部分として存在するように設定される。支持部２２の厚さ寸法Ｌ２２（長さ方向Ｌｄにおける厚さ）は、５０μｍ〜１５０μｍの範囲内であることが好ましい。例えば、支持部２２の厚さ寸法は１００μｍ、稜線部４１の曲率半径は４０μｍ、稜線部４２の曲率半径は３５μｍである。なお、本実施形態において、内面３１の側の稜線部４３の曲率半径は、端面３２の側の稜線部４４の曲率半径より大きく、稜線部４３の曲率半径は例えば４０μｍ、稜線部４４の曲率半径は例えば３５μｍである。

このように、内面３１の側の稜線部４１，４３の曲率半径を、端面３２の側の稜線部４２，４４の曲率半径より大きくすることで、製造工程における手間を低減する。インダクタ１０は、コア２０の底面３６側に端子電極５０を有しており、後述する理由から、端子電極５０は、内面３１側の稜線部の曲率半径が、端面３２側の稜線部の曲率半径より大きくなっている側に形成される。従って、上記の曲率半径の関係が、天面３５側及び底面３６側のいずれか一方のみで満たされる場合、端子電極５０を形成する側の面を識別し、その識別した結果によりコア２０を保持しなければならないため、時間を要する。本実施形態のコア２０は、端子電極５０を形成する工程において、識別する手間が低減され、コア２０を保持するために要する時間が少なくなる。なお、本実施形態では、高さ方向に対向する２つの面のうち、端子電極５０を形成した面を底面３６とし、その底面３６と対向する面を天面３５とする。なお、上記のような利点が不要であれば、天面３５側で、稜線部の曲率半径が上記関係を満たす必要はない。

また、上記のように稜線部４１，４３が設定されることにより、支持部２２の内面３１は、底面３６に対して垂直となる。つまり、一対の支持部２２は、垂直となる内面３１を有している。この内面３１により、一対の支持部２２の間において、ワイヤ７０を軸部２１に巻回する領域（スペース）を確保できる。

図３に示すように、軸部２１の軸方向（長さ方向Ｌｄ）と直交する断面２１ａの面積は、その軸方向と直交する支持部２２の断面２２ａの面積に対して、３５％〜７５％の範囲内であることが好ましく、４０％〜７０％の範囲内であることがより好ましい。さらに、４５％〜６５％の範囲内であることが好ましく、５０％〜６０％の範囲内であることがより好ましい。本実施形態において、軸部２１の断面２１ａの面積は、支持部２２の断面２２ａの面積の約５５％である。

このように、支持部２２の断面積に対する軸部２１の断面積の比率を所定範囲内とすることで、長さ方向Ｌｄと直交する方向（幅方向Ｗｄ，高さ方向Ｔｄ）において支持部２２の端部から軸部２１までの空間を使うことにより、インダクタ１０（コア２０）における設計の自由度が高くなる。例えば、支持部２２の断面積に対する軸部２１の断面積の比率が一定割合より大きいことで、コア２０の強度が向上し、またコア２０を通過する磁束の飽和量が向上することで特性の低下を抑制できる。一方、支持部２２の断面積に対する軸部２１の断面積の比率が大きいと、コア２０に巻回するワイヤ７０が支持部２２の端部からはみ出す虞がある。

また、設計の自由度として、支持部２２に対する軸部２１の位置を設定することができる。軸部２１の位置によりインダクタ１０の特性を設定することができる。例えば、軸部２１を高くすると、インダクタ１０を実装した回路基板の配線やパッドとワイヤ７０との間に生じる寄生容量の容量値が小さくすることができ、自己共振周波数を高くすることができる。一方、軸部２１を低くすると、軸部２１より上方において、一対の支持部２２において相対向する内面３１の面積が大きくなるため、一対の支持部２２の間に磁束を形成し易くなる。このため、所望のインダクタンス値を設定することができ、高いインピーダンス値が得られる。

図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、端子電極５０は、支持部２２の底面３６に形成された底面部電極５１を有している。底面部電極５１は、支持部２２の底面３６の全体にわたって形成されている。

また、端子電極５０は、支持部２２の端面３２に形成された端面部電極５２を有している。端面部電極５２は、支持部２２の端面３２の一部（下側部分）を覆うように形成されている。端面部電極５２は、底面部電極５１から、端面３２と底面３６との間の稜線上の部分を介して連続するように形成されている。

図１（ｂ）に示すように、端面部電極５２は、支持部２２の端面３２において、幅方向の両端部５２ｂよりも幅方向の中央部５２ａが高い。また、端面部電極５２の上端５２ｃは、上側に凸となる弧状である。さらに、端面部電極５２の端部５２ｂは、側面３３の側面部電極５３より高い。図１７は、コア及び端面部電極の拡大写真を示す。

端面部電極５２は、端部５２ｂの高さＴｂに対する中央部５２ａの高さＴａの比が１．１以上であることが好ましく、高さの比が１．２以上であることがより好ましい。本実施形態において、高さの比が１．３以上である。なお、端面部電極５２の高さとは、端面３２側から見て、底面部電極５１の表面（下端）から高さ方向Ｔｄに沿って測定した端面部電極５２の端部（上端）までの長さである。また、特に、端部５２ｂの高さＴｂは、端面３２の平面部分における幅方向の端部の高さである。

図１（ｂ）では、平面状の端面３２の端部を二点鎖線にて示している。コア２０は、側面３３と端面３２との境界をなし曲面状の稜線部を有している。この稜線部は、例えばバレル研磨により行われる。稜線部では、下端の位置が変動するため、端面部電極５２の高さにばらつきを生じやすい。このため、端面部電極５２の端部５２ｂは、平面状の端面３２における幅方向の端部とする。なお、平面状の端面３２の端部が不明確である場合は、端部５２ｂを、図１（ｂ）において、支持部２２の側面３３，３４から５０μｍ内側の箇所とすることもできる。

インダクタ１０において、幅寸法Ｗ１と高さ寸法Ｔ１は、高さ寸法Ｔ１が幅寸法Ｗ１よりも大きい（Ｔ１＞Ｗ１）ことが好ましい。一定の実装面積に対して、端面部電極５２の高さをより高く設定できるため、固着力を向上させることができる。

図１（ｂ）に示すように、端子電極５０は、支持部２２の側面３３，３４に形成された側面部電極５３を有している。図１（ａ）に示すように、側面部電極５３は、支持部２２の側面３３の一部（下側部分）を覆うように形成されている。側面部電極５３は、底面部電極５１及び端面部電極５２からそれぞれ稜線部上の端子電極５０を介して連続するように形成されている。側面部電極５３は、一対の支持部２２の互いに対向する内面３１から、端面３２に向かって、徐々に高くなるように、即ち、支持部２２の側面３３における端子電極５０の上辺が傾斜した態様で形成されている。本実施形態において、端面３２の側における側面部電極５３の高さは、軸部２１の底面までの高さ（コア２０の底面３６から軸部２１の底面までの高さ）よりも高い。なお、図１（ａ）では、側面３３における側面部電極５３を示しているが、図１（ｂ）に示す側面３４における側面部電極も同様に形成されている。なお、上記したように、底面部電極５１、端面部電極５２、側面部電極５３は、端面３２、側面３３，３４、底面３６のそれぞれの間にある稜線上の端子電極５０部分は含まない。

図５に示すように、端子電極５０は、コア２０の表面に形成された下地層６１と、下地層６１を覆うめっき層６２，６３とを含む。下地層６１は、底面３６を覆う部分の厚さに比べ、端面３２を覆う部分の厚さが厚い。

下地層６１としては、例えば銀（Ａｇ）を主成分とした金属層である。なお、下地層６１としてシリカや樹脂等が含まれていても良い。めっき層６２は、例えばニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）等の金属、Ｎｉ−クロム（Ｃｒ）、Ｎｉ−Ｃｕ等の合金を用いることができる。めっき層６３としては、例えば、錫（Ｓｎ）等の金属を用いることができる。

下地層６１は、例えば導電性ペーストの塗布焼き付けにより形成される。めっき層６２，６３、例えば電解めっき法により形成される。
図６（ａ）〜図６（ｃ）は、端子電極５０の形成する工程の一例を示し、下地層６１を形成する工程の一例を示す。

先ず、図６（ａ）に示すように、保持治具１００にコア２０を保持する。保持治具１００は、コア２０の軸方向を保持治具１００の下面１０１に対して傾斜保持する保持部１０２が形成されている。

保持治具１００は、粘着性および弾性を有し、コア２０を着脱可能に保持する。保持治具１００の材料としては、例えばシリコーンゴムなどを用いることができる。
貯留槽１１０には、導電性ペースト１２０が貯留されている。導電性ペースト１２０は、例えば銀（Ａｇ）ペーストである。この導電性ペースト１２０にコア２０の支持部２２の底面３６を浸漬する。このとき、保持治具１００が変形しない程度に、コア２０を貯留槽１１０に当接させる。この工程において、導電性ペースト１２０は、支持部２２の側面３３，３４及び端面３２に対して、底面３６に付着した導電性ペーストと連続するように付着する。また、導電性ペースト１２０は、支持部２２の端面３２に対して、一対の支持部２２の互いに対向する内面３１から端面３２に向かって、底面３６からの高さが高くなるように付着する。

次に、図６（ｂ）に示すように、保持治具１００を貯留槽１１０に向かって押し付ける。保持治具１００は弾性を有しているため、保持したコア２０の姿勢の変化を許容する。このコア２０の姿勢の変化により、コア２０の軸部２１の傾きが変更される。本実施形態では、コア２０の軸部２１を、導電性ペースト１２０の表面に対して垂直に近づくように、コア２０の姿勢を変化させる。この工程において、導電性ペースト１２０は、支持部２２の端面３２において、支持部２２の底面３６からの高さが、側面３３、３４の高さよりも高い位置まで付着する。なお、このときの端面３２に付着した導電性ペースト１２０の上端は、直線的である。

次に、図６（ｃ）に示すように、支持部２２の底面３６が上を向くように、コア２０を配置する。例えば、導電性ペースト１２０の粘度を調整することにより、端面３２に付着した導電性ペースト１２０は、二点鎖線にて示す位置から、端面３２を伝い下がる。このように伝い下がることにより、導電性ペースト１２０の下端１２０ａは、幅方向の中央部分が最も低い形状となる。この状態で導電性ペースト１２０を乾燥させる。同様に、支持部２２に導電性ペースト１２０を付着し、乾燥させる。そして、導電性ペーストをコア２０に焼き付けることにより、図５に示す下地層６１（電極膜）を形成する。

そして、下地層６１の表面に例えば電解めっき法によって、図５に示すめっき層６２，６３を形成する。これらの工程により、端子電極５０を得る。
図５に示すように、端子電極５０は、コア２０の底面３６の底面部電極５１と、コア２０の端面３２の端面部電極５２とが連続するように形成される。コア２０において、底面３６と端面３２との間の稜線部４２は、底面３６と端面３２との境界をなす稜線部に丸みを持つ。そして、この稜線部４２の曲率半径は、２０μｍ以上（本実施形態では３５μｍ）である。このような稜線部４２は、コア２０の底面３６からコア２０の端面３２に掛けて連続する端子電極５０の形成を容易にする。

つまり、稜線部４２の曲率半径が２０μｍよりも小さいコアや、曲面状の稜線部４２を有していないコアの場合、底面と端面との境界をなす稜線部において、端子電極（下地層）の厚さが薄くなり、底面部電極と端面部電極とが途切れ易い。これに対し、稜線部４２の曲率半径を２０μｍ以上とすることにより、その稜線部４２における端子電極５０（下地層６１）の厚さを確保することができるため、底面部電極５１と端面部電極５２とは途切れ難い。

ワイヤ７０は、軸部２１に巻回されている。ワイヤ７０は、例えば円形状の断面を有する芯線と、芯線の表面を被覆する被覆材とを含む。芯線の材料としては、例えば、ＣｕやＡｇ等の導電性材料を主成分とすることができる。被覆材の材料としては、例えばポリウレタンやポリエステル等の絶縁材料を用いることができる。ワイヤ７０の両端部は、端子電極５０にそれぞれ電気的に接続されている。ワイヤ７０と端子電極５０の接続には、例えばはんだを用いることができる。具体的には、端子電極５０のめっき層６３をＳｎの層とし、被覆材が剥離されて芯線が露出したワイヤ７０の部分をめっき層６３に熱圧着すれば、端子電極５０とワイヤ７０とを接続することができる。ただし、接続方法はこれに限られず、各種公知の方法を用いることができる。

ワイヤ７０の直径は、例えば、１４μｍから３０μｍの範囲内であることが好ましく、１５μｍから２８μｍの範囲内であることがより好ましい。本実施形態において、ワイヤ７０の直径は約２５μｍである。ワイヤ７０の直径が一定値より大きいことで、抵抗成分の増大を抑制することができ、一定値より小さいことで、コア２０の外形からのはみ出しを抑制することができる。

図１（ａ）に示すように、ワイヤ７０は、軸部２１に巻回された巻線部７１と、端子電極５０に接続された接続部７２と、接続部７２と巻線部７１との間に掛け渡された渡り部７３とを有している。接続部７２は、端子電極５０のうち、支持部２２の底面３６に形成された底面部電極５１に接続されている。

ワイヤ７０は、両支持部２２から離間して軸部２１に巻回されている。つまり、巻線部７１の両端部７１ａ，７１ｂは、コア２０の支持部２２から離間している。巻線部７１の両端部７１ａ，７１ｂと支持部２２との間の距離Ｌｂは、例えばワイヤ７０の直径の５倍以下であることが好ましく、４倍以下であることがより好ましい。本実施形態において、支持部２２とワイヤ７０との距離Ｌｂは、ワイヤ７０の直径の３倍以下である。

巻線部７１の両端部７１ａ，７１ｂと支持部２２との間の距離は、渡り部７３の長さに影響する。渡り部７３は、支持部２２に形成された端子電極５０のうち、底面部電極５１に接続された接続部７２と、巻線部７１との間を接続する。従って、巻線部７１の端部７１ａ，７１ｂが支持部２２から離れていると、渡り部７３の長さが長くなり、支持部２２及び軸部２１から離間することになる。この場合、渡り部７３が傷ついたり、ワイヤ７０が断線したりする虞がある。また、渡り部７３によってワイヤ７０の巻回が緩み、ワイヤ７０が支持部２２の端部からはみ出し、ワイヤ７０が傷つく虞がある。巻線部７１の端部７１ａ，７１ｂと支持部２２との間の距離を設定することにより、これらを抑制する。

図２に示すように、インダクタ１０は、さらにカバー部材８０を有している。なお、図１（ａ）及び図１（ｂ）では、コア２０及びワイヤ７０を判り易くするため、カバー部材８０を二点鎖線にて示している。

カバー部材８０は、一対の支持部２２の間に配設され、天面３５側でワイヤ７０を覆っており、具体的には、一方の支持部２２の天面３５から軸部２１の上方を介して他方の支持部２２の天面３５に至るまで形成されている。カバー部材８０の天面８１は、平面である。カバー部材８０の材料としては、例えば、エポキシ系の樹脂を用いることができる。

本実施形態において、図１（ａ）に示す長さ方向Ｌｄのカバー部材８０の大きさ（長さ寸法Ｌ２）は、端子電極５０を含む長さ寸法Ｌ１よりも小さい。また、図１（ｂ）に示す幅方向Ｗｄのカバー部材８０の大きさ（幅寸法Ｗ２）は、端子電極５０を含む幅寸法Ｗ１よりも小さい。つまり、本実施形態のインダクタ１０は、コア２０の底面３６の側の大きさ（長さ寸法Ｌ１、幅寸法Ｗ１）に比べ、コア２０の天面３５の側の大きさ（カバー部材８０の大きさ：長さ寸法Ｌ２、幅寸法Ｗ２）が小さい。

カバー部材８０は、例えばインダクタ１０を回路基板に実装する際に、吸引ノズルによる吸着が確実に行えるようにする。また、カバー部材８０は、吸引ノズルによる吸着時にワイヤ７０に傷がつくのを防止する。なお、カバー部材８０に磁性材料を用いることで、インダクタ１０のインダクタンス値（Ｌ値）を向上することができる。一方、カバー部材８０に非磁性材料を用いることで、磁性損失を低減し、インダクタ１０のＱ値を向上することができる。

（作用）
次に、上記のインダクタ１０の作用を説明する。
本実施形態のインダクタ１０の端子電極５０は、コア２０（支持部２２）の端面３２に形成された端面部電極５２を含む。この端面部電極５２の端部５２ｂは、側面３３の側面部電極５３よりも高く、その分、端子電極５０の表面の面積が増加する。この表面積の増加は、回路基板への接続を強固とする、つまり回路基板に対する固着力を高くする。

この端面部電極５２は、端面３２の幅方向の端部５２ｂよりも幅方向の中央部５２ａが高い。これにより、中央部５２ａの高さが端部５２ｂの高さと同じである場合に比べ、端面部電極５２の表面積が増加する。このため、回路基板への接続を強固とする、つまり回路基板に対する固着力を高くできる。さらに、端面部電極５２の上端５２ｃは、上側に凸となる弧状である。上端５２ｃを弧状とすることにより、端子電極５０の表面積をさらに拡大できる。

さらに、回路基板のパッドに対してインダクタ１０をはんだにより接続する場合、端面部電極５２の中央部５２ａまではんだのフィレットが立つ。このとき、インダクタ１０の端面部電極５２では、端部５２ｂよりも中央部５２ａが高いため、はんだのフィレットもより高く形成することができる。このため、小型化したインダクタ１０において、実装対象の回路基板に対して十分な固着力を得ることができる。例えば、インダクタ１０の固着力は、５．２２Ｎである。

また、本実施形態のインダクタ１０は、高さ寸法Ｔ１が幅寸法Ｗ１より大きい（Ｔ１＞Ｗ１）。従って、一定の実装面積に対して、端面部電極の高さをより高く設定できるため、固着力を向上できる。

また、本実施形態の端子電極５０は、インダクタ１０におけるインダクタンスの確保に有効である。即ち、ワイヤ７０によりコア２０の軸部２１に生じる磁束は、軸部２１から一方の支持部２２−空中−他方の支持部２２を介して軸部２１へと戻るように形成される。本実施形態のインダクタ１０では、中央部５２ａの高さに対して端部５２ｂやそれに連続する側面部電極５３の高さが低いため、支持部２２の側面３３，３４の大部分や、側面３３，３４と端面３２との間の稜線部分の大部分において端子電極５０が磁束の通過を遮らず、総磁束量の低下を抑制する。総磁束量の低下は、インダクタンス値を低くするため、所望のインダクタンス値（コアの設計値に応じたインダクタンス値）が得られなくなる。従って、本実施形態のインダクタ１０は、総磁束量の低下を抑制することで、インダクタンス値の取得効率を向上できる。例えば、インダクタ１０のインダクタンス値は、周波数１０ＭＨｚの入力信号において５６０ｎＨである。また、上記のように稜線部分の大部分において、端子電極５０が磁束の通過を遮らないため、端子電極５０における渦電流損の発生も低減するので、Ｑ値の低下も抑制できる。

端子電極５０は、支持部２２の側面３３，３４の側面部電極５３を含む。側面部電極５３は、一対の支持部２２の内面３１から端面３２に向かって徐々に高さが高くなる。つまり、内面３１の側では端面３２の側よりも高さが低くなるため、端面部電極５２の高さを高くしても、内面３１側では、実装時にはんだがワイヤ７０や軸部２１と干渉し難い。

又、端面３２の側の側面部電極５３の高さが高いことで、高さを一定としたものと比べて側面部電極５３の面積が大きくなる。このため、側面部電極５３を容易に厚くすることができる。従って、コア２０と端子電極５０を含む幅寸法Ｗ１は、コア２０の幅寸法やカバー部材８０の幅寸法Ｗ２より大きい。このようなインダクタ１０は、実装時に幅方向に傾き難い、つまり実装時のインダクタ１０の姿勢が安定し易くなる。

また、インダクタ１０の上部、つまりカバー部材８０の幅寸法Ｗ２がインダクタ１０を実装する領域（幅寸法Ｗ１）より小さいため、インダクタ１０の上部とこのインダクタ１０に隣接して実装される部品との間の距離が遠くなる。このため、はんだ付けなどによって、インダクタ１０が幅方向に傾いた場合でも、インダクタ１０が隣接する部品と干渉し難い。

同様に、端面３２の端面部電極５２の面積が大きく、端面部電極５２を容易に厚くすることができる。従って、コア２０と端子電極５０を含む長さ寸法Ｌ１は、コア２０の長さ寸法やカバー部材８０の長さ寸法Ｌ２より大きい。このため、実装時のインダクタ１０の姿勢が安定し易くなる。

また、端面部電極５２と側面部電極５３の厚さを厚くすることができるため、インダクタ１０の重心位置は低い。このため、実装時のインダクタ１０の姿勢が安定し易くなる。
図７（ｂ）は比較例のコア９０を示す。なお、比較例について、本実施形態との比較を判り易くするため、本実施形態と同じ部材については同じ符号を付している。比較例のコア９０は、内面３１の側の稜線部４１を、端面３２の側の稜線部４２と同じ曲率半径（例えば２０μｍ）としたものである。この場合、ワイヤ７０は稜線部４１において小さな径で曲がり、その曲がる部分に力が集中する。このため、直径が所定値（例えば２５μｍ）以下のワイヤ７０では、ワイヤ７０が細くなったり断線したりする虞がある。

これに対し、図７（ａ）に示す本実施形態のコア２０は、内面３１の側の稜線部４１の曲率半径は、端面３２の側の稜線部４２の曲率半径よりも大きく、例えば４０μｍである。従って、ワイヤ７０は稜線部４１において大きな径で曲がるため、力の集中が抑制される。このため、ワイヤ７０において、断線等が発生し難い。

また、図７（ｂ）に示す比較例と比べ、端子電極５０と軸部２１との間に掛け渡される渡り部７３（コア２０に接しない空中部分）の長さが短い。この渡り部７３が長いと、渡り部７３が傷ついたり、ワイヤ７０が断線したりする虞がある。また、渡り部７３によってワイヤ７０の巻回が緩み、ワイヤ７０が支持部２２の端部からはみ出し、ワイヤ７０が傷つく虞がある。これに対し本実施形態では、渡り部７３の長さが、比較例に対して短いため、これらを抑制する。

なお、稜線部４１の曲率半径が所定の値より大きいことで、ワイヤ７０における断線等の発生を抑制でき、所定値より小さいことで、支持部２２の底面３６の面積を確保して安定した実装を図ることができる。

以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１−１）インダクタ１０は、コア２０と、一対の端子電極５０と、ワイヤ７０とを有する。コア２０は、軸部２１と一対の支持部２２とを有している。軸部２１は直方体状に形成されている。一対の支持部２２は、軸部２１の両端に接続されている。支持部２２は軸部２１を実装対象（回路基板）と平行に支持する。一対の支持部２２は、軸部２１と一体に形成されている。

端子電極５０は、支持部２２の端面３２の端面部電極５２を含む。この端面部電極５２の端部５２ｂは、側面３３の側面部電極５３よりも高く、その分、端子電極５０の表面の面積が増加する。この表面積の増加は、回路基板への接続を強固とする、つまり回路基板に対する固着力を高くする。このため、小型化したインダクタ１０において、実装対象の回路基板に対して十分な固着力を得ることができる、つまり、固着力の低下を抑制することができる。

（１−２）
また、端面部電極５２は、端面３２の幅方向の端部５２ｂよりも幅方向の中央部５２ａが高い。これにより、中央部５２ａの高さが端部５２ｂの高さと同じである場合に比べ、端面部電極５２の表面積が増加する。このため、回路基板への接続を強固とする、つまり回路基板に対する固着力を高くできる。さらに、端面部電極５２の上端５２ｃは、上側に凸となる弧状である。このため、端面部電極５２の表面積、つまり端子電極５０の表面積をより拡大できる。

（１−３）インダクタ１０は、高さ寸法Ｔ１が幅寸法Ｗ１より大きい（Ｔ１＞Ｗ１）。従って、一定の実装面積に対して、端面部電極の高さをより高く設定できるため、固着力を向上できる。

（１−４）端子電極５０は、支持部２２の側面３３，３４の下端を覆う側面部電極５３を有している。ワイヤ７０によりコア２０の軸部２１に生じる磁束は、軸部２１から一方の支持部２２−空中−他方の支持部２２を介して軸部２１へと戻るように形成される。本実施形態のインダクタ１０では、中央部５２ａの高さに対して端部５２ｂやそれに連続する側面部電極５３の高さが低いため、支持部２２の側面３３，３４の大部分や、側面３３，３４と端面３２との間の稜線部分の大部分において端子電極５０が磁束の通過を遮らず、総磁束量の低下を抑制する。総磁束量の低下は、インダクタンス値を低くするため、所望のインダクタンス値（コアの設計値に応じたインダクタンス値）が得られなくなる。従って、本実施形態のインダクタ１０は、総磁束量の低下を抑制することで、インダクタンス値の取得効率を向上できる。また、支持部２２の稜線部分の大部分において、端子電極５０が磁束の通過を遮らないため、端子電極５０における渦電流損の発生も低減するので、Ｑ値の低下も抑制できる。

（１−５）側面部電極５３は、一対の支持部２２の互いに対向する内面３１から端面３２に向かって高さが高くなる。従って、内面３１側では、端面３２側よりも端子電極５０の高さが低くなるため、側面部電極５３を高くしても、実装時に内面３１側でワイヤ７０や軸部２１とはんだとの干渉を低減できる。そして、端面３２側で側面部電極５３が高く、側面部電極５３の面積が大きくなるため、回路基板への接続をより強固とする、つまり回路基板に対する固着力が高くなる。

（１−６）支持部２２は、底面３６と内面３１との境界をなす曲面状の稜線部４１と、底面３６と端面３２との境界をなす曲面状の稜線部４２とを有し、稜線部４２の曲率半径は２０μｍ以上であり、稜線部４１の曲率半径は稜線部４２の曲率半径より大きい。ワイヤ７０は軸部２１に巻回され、両接続部７２が端子電極５０の底面部電極５１に接続される。従って、ワイヤ７０は、支持部２２の底面３６から軸部２１へと掛け渡される。支持部２２は、底面３６と内面３１との間の境界をなす稜線部４１が曲率半径の大きな曲面状であるため、ワイヤ７０は稜線部４１に沿って大きな曲率半径で曲がる。これにより、直径が一定値以下のワイヤ７０における断線の発生を抑制できる。

（１−７）端面３２における下地層６１の厚さは、底面３６における下地層６１の厚さより厚い。このような下地層６１は、端面３２における密着性が良い。このため、端子電極５０の剥離などを抑制することができる。なお、底面３６における下地層６１は、ワイヤ７０を接続する際の荷重が加わるため、薄い下地層６１であっても、剥離などは発生し難い。

(第２実施形態)
以下、第２実施形態を説明する。
なお、この実施形態において、上記実施形態と同じ構成部材については同じ符号を付してその説明の一部又は全てを省略することがある。

図８（ａ），図８（ｂ）及び図９に示すインダクタ１０ａは、例えば回路基板等に実装される表面実装型のインダクタである。このインダクタ１０ａは、例えば、スマートフォンまたは手首着用のモバイル電子デバイス（例えば、スマートウォッチ）など携帯型電子機器（モバイル電子デバイス）を含めて、様々なデバイスで使用され得る。

本実施形態のインダクタ１０ａは、コア２０と、一対の端子電極５０と、ワイヤ７０ａとを有する。コア２０は、軸部２１と一対の支持部２２とを有している。軸部２１は直方体状に形成されている。一対の支持部２２は、軸部２１の両端に接続されている。支持部２２は軸部２１を実装対象（回路基板）と平行に支持する。一対の支持部２２は、軸部２１と一体に形成されている。

端子電極５０は、各支持部２２に形成されている。ワイヤ７０ａは、軸部２１に巻回されている。ワイヤ７０ａは、上述した第１実施形態のワイヤ７０と同様である。また、ワイヤ７０ａは、軸部２１に対して単一の層を形成するように、軸部２１に巻回されている。ワイヤ７０ａの両端部は、端子電極５０にそれぞれ接続されている。このインダクタ１０ａは、巻線型インダクタである。

図８（ａ）に示すように、ワイヤ７０ａは、軸部２１に巻回された巻線部７１と、端子電極５０に接続された接続部７２と、接続部７２と巻線部７１との間に掛け渡された渡り部７３とを有している。接続部７２は、端子電極５０のうち、支持部２２の底面３６に形成された底面部電極５１に接続されている。

巻線部７１は、軸部２１の軸方向において、互いに隣り合うターン（１つのターンは軸部２１に巻回された巻線部７１の１周分）の間の距離を所定値以上とした箇所を少なくとも１つ有している。所定値は、例えばワイヤ７０ａの直径の０．５倍以上とすることが好ましく、ワイヤ７０ａの直径の１倍以上とすることがより好ましい。本実施形態において、図８（ａ）に矢印にて示す巻線間の距離Ｌａは、ワイヤ７０ａの直径の２倍以上の距離である。つまり、本実施形態の巻線部７１は、互いに隣り合うワイヤ７０ａの間の距離がワイヤ７０ａの直径の２倍以上とした箇所を少なくとも１つ有している。

巻線部７１において、軸部２１の軸方向に隣り合うターンの間に寄生容量を生じる。寄生容量の容量値は、隣り合うターンの距離に応じて決まる。従って、隣り合うターンの距離を大きくすることにより、寄生容量の容量値を小さくする、つまり寄生容量の影響を低減することができ、自己共振周波数（ＳＲＦ）の低下を抑制できる。

このインダクタ１０ａは、巻線型インダクタである。本実施形態のインダクタ１０ａは、周波数３．６ＧＨｚの入力信号に対してインピーダンス値が５００Ω以上の電気的特性を有している。インダクタ１０ａのインピーダンス値は、周波数１．０ＧＨｚで３００Ω以上であることが好ましい。また、インピーダンス値は、周波数１．５ＧＨｚで４００Ω以上であることが好ましく、周波数２．０ＧＨｚで４５０Ω以上であることがより好ましく、さらには周波数４．０ＧＨｚで５００Ω以上であることが好ましい。このように、特定の周波数で一定以上のインピーダンス値が確保されることにより、当該周波数において、ノイズの除去（チョーク）、共振（バンドパス）、インピーダンス整合などを実現することができる。

このようなインダクタ１０ａのインダクタンス値は、４０ｎＨ〜７０ｎＨであることが好ましい。４０ｎＨ以上のインダクタンス値であると、一定以上のインピーダンス値を確保することができる。また、７０ｎＨ以下のインダクタンス値であると、高い自己共振周波数（ＳＲＦ）を得ることができる。本実施形態において、インダクタ１０ａのインダクタンス値は、例えば６０ｎＨである。なお、インダクタンス値は、周波数１０ＭＨｚの入力信号における値である。

インダクタ１０ａは、３．０ＧＨｚ以上の自己共振周波数（ＳＲＦ:SelfResonance Frequency）であることが好ましく、３．２ＧＨｚ以上のＳＲＦであることがより好ましく、さらには３．４ＧＨｚ以上のＳＲＦであることがより好ましい。本実施形態のインダクタ１０ａは、３．６ＧＨｚ以上のＳＲＦを持つ。これにより、高周波帯におけるインダクタとしての機能を確保できる。

次に、上記のインダクタ１０ａの作用を説明する。
図１０は、周波数−インピーダンス特性図を示す。図１０において、実線は本実施形態のインダクタ１０ａの特性を示し、一点鎖線は比較例のインダクタの特性を示す。

比較例のインダクタは、本実施形態のインダクタ１０ａのコア２０と同じ大きさ及び形状のコアを用い、本実施形態のワイヤ７０ａと同じ太さのワイヤを密に巻回したものである。つまり、比較例のインダクタは、コアの軸部において、その軸部の軸方向に沿って隣接して巻回されたワイヤによる巻線部を有している。そして、この比較例のインダクタにおいて、インダクタンス値は例えば５６０ｎＨであり、自己共振周波数（ＳＲＦ）は１．５ＧＨｚ以下である。

この比較例のインダクタは、入力信号の周波数が高くなるほどインピーダンス値が低下する。一般に、自己共振周波数（ＳＲＦ）より高い周波数において、巻線型のインダクタは、主に容量性素子として働く。このため、比較例のインダクタ（ＳＲＦ：１．５ＧＨｚ）にて示すように、インピーダンス値が低下する。

これに対し、本実施形態のインダクタ１０ａは、１．５ＧＨｚ以上の周波数の入力信号に対して４００Ω以上のインピーダンス値を示す。また、２．０ＧＨｚ以上の周波数において、５００Ω以上のインピーダンス値を示す。これは、本実施形態のインダクタ１０ａの自己共振周波数（ＳＲＦ）が３．６ＧＨｚであることと合っている。

以上記述したように、本実施形態によれば、上述した第１実施形態の効果に加え、以下の効果を奏する。
（２−１）インダクタ１０ａは、コア２０と、一対の端子電極５０と、ワイヤ７０ａとを有する。コア２０は、軸部２１と一対の支持部２２とを有している。軸部２１は直方体状に形成されている。一対の支持部２２は、軸部２１の両端に接続されている。支持部２２は軸部２１を実装対象（回路基板）と平行に支持する。一対の支持部２２は、軸部２１と一体に形成されている。

端子電極５０は、各支持部２２に形成されている。ワイヤ７０ａは、軸部２１に巻回されている。また、ワイヤ７０ａは、軸部２１に対して単一の層を形成するように、軸部２１に巻回されている。ワイヤ７０ａの両端部は、端子電極５０にそれぞれ接続されている。このインダクタ１０ａは、巻線型インダクタである。本実施形態のインダクタ１０ａは、周波数３．６ＧＨｚの入力信号に対してインピーダンス値が５００Ω以上の電気的特性を有している。このように、高周波において所望のインピーダンス値を示すインダクタ１０ａを提供することができる。

＜変形例＞
尚、上記各実施形態は、以下の態様で実施してもよい。
・上記各実施形態に対し、端子電極の形状を適宜変更してもよい。

上記各実施形態では、側面部電極５３の上端を直線状としたが、支持部２２の内面３１から支持部２２の端面３２に向かって徐々に高くなる、他の形状としてもよい。
図１１に示す側面部電極５３ａは、傾斜の異なる２つの部分を含み、具体的には内面３１の側の傾斜と端面３２の側の傾斜とが互いに異なる。図１１では、端面３２の側の部分における傾斜は、内面３１の側の部分における傾斜よりも大きい。

図１２に示す側面部電極５３ｂは、内面３１の側の傾斜と端面３２の側の傾斜とが互いに異なる。図１２では、内面３１の側の部分における傾斜は、端面３２の側の部分における傾斜よりも大きい。

図１３に示す側面部電極５３ｃは、傾斜の異なる２つの部分を含む。そして、端子電極５０は更に、側面３３と端面３２との境界をなす稜線部においてさらに傾斜した電極部５４を有している。なお、この電極部５４を上記各実施形態や変形例の端子電極に適用してもよい。

上記各形態では、一対の支持部２２における端子電極５０を同じ形状としたが、互いに異なる形状としてもよい。また、側面部電極について、支持部の内面から支持部の端面に向かって徐々に高くなる形状としたが、一部低くなる部分を含んでいても良い。また、側面部電極の傾斜の異なる複数の部分の数は特に限定されないし、当該複数の部分以外において、傾斜ではなく曲線状であってもよい。さらに、支持部の両側の側面部電極が互いに異なる形状であってもよい。そして、一方の支持部の側面部電極における傾斜と他方の支持部の側面部電極における傾斜が異なっていてもよい。

図１４に示すように、一対の支持部２２のうちの一方の支持部（右側に示す支持部２２）における端子電極５０は、上記各形態と同様に、側面３３の側面部電極５３よりも端面３２の端面部電極５２の端部５２ｂ（図１（ｂ）参照）の高さが高い。例えばこのとき、一対の支持部２２のうちの他方の支持部（左側に示す支持部２２）における端子電極５０ａは、側面３３の側面部電極５３と、端面３２の端面部電極５５の端部がほぼ同じ高さであってもよい。

・上記第１実施形態に対し、カバー部材８０の形状を適宜変更してもよい。
図１５に示すインダクタ１０ｂのカバー部材８０ｂは、一対の支持部２２の間に配設されている。カバー部材８０ｂは、軸部２１に巻回されたワイヤ７０（巻線部７１）を覆うように形成されている。カバー部材８０ｂの天面８１は平面状である。そして、このカバー部材８０ｂは、支持部２２の天面３５を覆っていない。つまり、支持部２２の天面３５は露出した状態にある。この場合、カバー部材８０ｂは、一対の支持部２２の間に配設されているため、インダクタ１０ｂの天面側における長さ寸法と幅寸法は、コア２０の長さ寸法と幅寸法となる。

また、カバー部材は、支持部２２の間において軸部２１の上部におけるワイヤ７０のみを覆うように形成されてもよい。また、カバー部材を、軸部２１の上面及び両側面におけるワイヤ７０のみを覆うように形成されてもよい。また、ワイヤ７０の巻線部７１の全体を覆うように形成されてもよい。また、カバー部材８０が省略されてもよい。第２実施形態においても同様としてもよい。

・上記各実施形態に対し、コア２０の形状を適宜変更してもよい。
図１６に示すコア２００は、直方体状の軸部２０１と、軸部２０１の両端部の支持部２０２とを有している。支持部２０２は、軸部２０１と同じ幅に形成されるとともに、軸部２０１に対して上方及び下方に張り出すように形成されている。つまり、このコア２００は、側面がＨ字状に形成されている。なお、図８に示すコア２００は一例の概略であり、軸部２０１と支持部２０２の形状は適宜変更が可能である。

・上記実施形態のインダクタ１０，１０ａの構成を適宜変更・取捨選択・組み合わせたインダクタとしてもよい。例えば、上記の第２実施形態に対し、周波数３．６ＧＨｚの入力信号に対して５００Ω以上のインピーダンス値を示すインダクタは、上記実施形態のインダクタ１０ａの構成に限られず、適宜変更・取捨選択・組合せて上記特性を得ることは可能である。

・上記実施形態では、弾性を有する保持治具１００を用いてコア２０の角度を変えて端子電極５０の下地層６１をコア２０に付着させた。これに対し、複数回に分けて下地層をコアに付着させるようにしてもよい。例えば、傾きが異なる２つの保持治具を用いて、コアを導電性ペースト１２０に浸漬して端子電極５０の下地層６１をコアに付着させてもよい。

・上記各形態では、幅寸法Ｗ１より高さ寸法Ｔ１が高いインダクタ１０としたが、幅寸法Ｗ１と高さ寸法Ｔ１が等しいインダクタとしてもよい。

１０…インダクタ、２０…コア、２１…軸部、２２…支持部、３１…内面、３２…端面、３３，３４…側面、３５…天面、３６…底面、５０…端子電極、５１…底面部電極、５２…端面部電極、５２ａ…中央部、５２ｂ…端部、５３…側面部電極、７０…ワイヤ、８０…カバー部材。

Claims (18)

1. 柱状の軸部と、前記軸部の両端の一対の支持部とを有するコアと、
   前記一対の支持部のそれぞれに設けられた端子電極と、
   前記軸部に巻回され、両端部がそれぞれ前記一対の支持部の端子電極に接続されたワイヤと、
   少なくとも前記一対の支持部の間に配設され、前記軸部の上面を覆うカバー部材と、
   を有し、
   前記支持部の端面は前記軸部の延びる方向に直交しており、
   前記端子電極は、前記支持部の底面の底面部電極と、前記支持部の側面の側面部電極と、前記支持部の端面の端面部電極と、を含み、
   前記コア及び前記端子電極を含む幅寸法は前記カバー部材の幅寸法より大きく、
   前記それぞれの端面部電極は、前記端面の幅方向の両端部を結び、前記端面の幅方向の端部よりも前記端面の幅方向の中央部が高く、
   前記それぞれの端面部電極は、前記側面側の端部が、前記側面部電極の前記端面側の端部よりも高いこと、を特徴とするインダクタ。
2. 前記端子電極は、前記コアの表面の下地層と、前記下地層の表面のめっき層とを有し、
   前記支持部の前記端面の下地層の最大厚さは、前記支持部の底面の下地層の最大厚さよりも厚く、
   前記端子電極は、前記支持部の天面側に形成されておらず、
   前記底面部電極は、前記支持部の底面全体に形成されていること、を特徴とする請求項１に記載のインダクタ。
3. 前記コア及び前記端子電極を含む長さ寸法は、前記カバー部材の長さ寸法より大きいことを特徴とする請求項１又は２に記載のインダクタ。
4. 前記カバー部材は、前記一対の支持部の天面を覆うことを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載のインダクタ。
5. 前記コア及び前記端子電極を含む長さ寸法は１．０ｍｍ以下であり、前記コア及び前記端子電極を含む幅寸法は０．６ｍｍ以下であり、前記コア及び前記端子電極を含む高さ寸法は０．８ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のインダクタ。
6. 前記コア及び前記端子電極を含む高さ寸法は前記コア及び前記端子電極を含む幅寸法より大きいことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載のインダクタ。
7. 前記端面部電極の上端は上側に凸となる弧状であることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載のインダクタ。
8. 前記側面部電極は、前記一対の支持部の互いに対向する内面から前記端面に向かって高さが高くなること、を特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載のインダクタ。
9. 前記支持部は、前記一対の支持部の互いに対向する内面と前記底面との境界をなす曲面状の第１の稜線部と、前記底面と前記端面との境界をなす曲面状の第２の稜線部とを有し、
   前記第２の稜線部の曲率半径は２０μｍ以上であり、
   前記第１の稜線部の曲率半径は、前記第２の稜線部の曲率半径より大きいこと、
   を特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載のインダクタ。
10. 前記第１の稜線部の曲率半径は、前記第２の稜線部の曲率半径よりも前記第２の稜線部の曲率半径の９％以上大きいことを特徴とする請求項９に記載のインダクタ。
11. 前記一対の支持部は、前記第１の稜線部と前記軸部との間に垂直な内面を有することを特徴とする請求項９又は１０に記載のインダクタ。
12. 前記支持部は、天面と前記内面との境界をなす曲面状の第３の稜線部と、前記天面と前記端面との境界をなす曲面状の第４の稜線部とを有し、
    前記第３の稜線部の曲率半径は前記第４の稜線部の曲率半径より大きいこと、
    を特徴とする請求項９〜１１の何れか１項に記載のインダクタ。
13. 前記支持部は、前記底面と前記端面との境界をなす曲面状の稜線部を有し、前記稜線部の曲率半径は２０μｍ以上であることを特徴とする請求項２に記載のインダクタ。
14. 前記一対の支持部の第１側の前記端子電極と第２側の前記端子電極の互いの形状が異なることを特徴とする請求項１〜１３の何れか１項に記載のインダクタ。
15. 前記側面部電極は、前記端面の側の端部が前記軸部の底面より高いことを特徴とする請求項１〜１４の何れか１項に記載のインダクタ。
16. 前記側面部電極は、前記一対の支持部の互いに対向する内面から前記端面に向かって高さが高くなるよう傾斜し、かつ傾斜の異なる２つの部分を含み、前記端面側の部分における傾斜は、前記一対の支持部の互いに対向する内面側の部分における傾斜よりも大きいことを特徴とする請求項１〜１５の何れか１項に記載のインダクタ。
17. 前記側面部電極は、前記一対の支持部の互いに対向する内面から前記端面に向かって高さが高くなるよう傾斜し、かつ傾斜の異なる２つの部分を含み、前記一対の支持部の互いに対向する内面側の部分における傾斜は、前記端面側の部分における傾斜よりも大きいことを特徴とする請求項１〜１５の何れか１項に記載のインダクタ。
18. 前記端子電極は、前記側面部電極と前記端面部電極との間であって、前記側面と端面との境界を成す稜線部に、前記側面部電極における前記一対の支持部の互いに対向する内面から前記端面に向かって高さが高くなる傾斜よりも大きい傾斜の電極部を有することを特徴とする請求項１〜１７の何れか１項に記載のインダクタ。