DE3612261A1 - Vielschicht-keramikleiterplatte - Google Patents

Vielschicht-keramikleiterplatte

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Tsuyoshi Yokohama Kanagawa Fujita
Shoji Yokohama Kanagawa Oikawa
Shigeru Yokohama Kanagawa Saito
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Description

Hitachi, Ltd. 11. April 1986
6, Kanda Surugadai 4-chome H 6959 Sch/lu
Chiyoda-ku, Tokyo, Japan
Beschreibung
Vielschicht-Keramikleiterplatte
Die Erfindung betrifft Vielschicht-Leiterplatten und insbesondere Vielschicht-Keramikleiterplatten (d. h. Vielschicht-Schaltungen, die unter Verwendung keramischer Platten gebildet werden) und ein Verfahren zu ihrer Herstellung.
Ein Beispiel für Vielschicht-Keramikleiterplatten ist in US-PS 3 838 204 gezeigt. In diesem US-Patent kann als keramisches Material ein Aluminiumoxid-Material verwendet werden, mit einem leitenden Muster, das aus einem ersten Leitermaterial aus widerstandsfähigem Metall wie z.B.
Molybdän (Mo) gebildet wird und einem zweiten Leitermaterial z.B. aus Kupfer (Cu). Das leitende Muster der Vielschicht-Leiterplatten in US-PS 3 838 204 wird gebildet, indem man unter Verwendung des widerstandsfähigen Metalls Leitermuster auf einer Vielzahl von grünen Platten (green sheets) der Keramik und in Durchgangs löchern solcher grünen Platten bildet; die grünen Platten laminiert; die laminierten grünen Platten erhitzt, um sie zu sintern und das Metall der Leitermuster zur Bildung von Kapillarwegen in den Mustern zu veranlassen; und dann die gesinterte Struktur in Kontakt bringt mit einem geschmolzenem Metall von hoher Leitfähigkeit, um es dem Metall zu erlauben, in die Kapillarwege einzudringen und sie auszufüllen, wobei die
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gewünschte hochleitfähige Schaltstruktur entsteht.
Wenn z.B. bei der Bildung von Vielschicht-Keramikleiterplatten das leitende Muster aus zwei Schichten von leiten- ° dem Material gebildet wird, kann eine widerstandsfähige Wolfram (W)-Metallschicht und eine hochleitfähige Materialschicht wie z.B. Kupfer (Cu) verwendet werden. Weil jedoch die Haftung zwischen der W-Schicht und der Cu-Schicht nicht so stark ist, kommt es manchmal zum Abblättern zwischen den zwei unterschiedlichen Leiterschichten. Es ist deshalb ein Problem solcher Vielschicht-Keramikleiterplatten mit zwei solchen unmittelbar miteinander verbundenen Leiterschichten, daß aufgrund solcher Abblätterungserscheinungen deren Zuverlässigkeit nicht gewährleistet werden kann. 15
Es ist ein Ziel dieser Erfindung, Keramikleiterplatten, z.B. Vielschicht-Keramikleiterplatten mit keramischem Grundkörper zur Verfügung zu stellen, die mindestens zwei Leiterschichten aufeinander haben, wobei die Leiterschichten fest miteinander verbunden sind.
Es ist ein anderes Zeil dieser Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung von Keramikleiterplatten, z.B. Vielschicht-Keramikleiterplatten zur Verfügung zu stellen, die mindestens zwei fest miteinander verbundene Leiterschichten haben.
Es ist ein anderes Ziel dieser Erfindung, Vielschicht-Keramikleiterplatten und ein Verfahren zur Herstellung solcher Leiterplatten zur Verfugung zu stellen, die mindestens zwei Leiterschichten aufeinander haben, wobei eine der Leiterschichten aus einem widerstandfähigem Metall und die andere aus einem hochleitfähigem Metall besteht und bei denen die Leiterschichten fest miteinander verbunden sind.
Es ist ein anderes Ziel dieser Erfindung, Vielfach-Keramikleiterplatten und ein Verfahren zur Herstellung solcher
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Leiterplatten zur Verfügung zu stellen, die eine Vielzahl von Leitungsmusterebenen haben, die über Durchgangslöcher in Isolationsschichten, die die Leitungsmusterebenen voneinander trennen, miteinander verbunden sind, wobei das äußerste freiliegende Leitungsmuster mindestens zwei Leiterschichten aufeinander aufweist, wobei eine der Leiterschichten aus einem widerstandsfähigem Metall, wie z.B. Wolfram und die andere aus einem hochleitfähigem Metall wie Kupfer besteht und bei denen die Leiterschichten fest miteinander verbunden sind.
Entsprechend den erwähnten Zielen sieht diese Erfindung einen Diffusionsschichtaufbau zwischen einem ersten elektrisch leitendem Schichtaufbau und einem zweiten elektrisch leitenden Schichtaufbau vor, um den ersten und den zweiten elektrisch leitenden Schichtaufbau fest miteinander zu verbinden·
Die Erfindung stellt auch ein Verfahren zur Verfügung mit den Arbeitschritten Herstellen einer ersten leitenden Schicht auf zumindest einer Seite einer Keramikleiterplatte (Grundkörper), Herstellen einer Zwischenschicht auf der ersten leitenden Schicht, Herstellen einer zweiten leitenden Schicht auf der Zwischenschicht, und Eindiffundieren von zumindest einer Komponente (z.B. einem chemischen Element) dieser Zwischenschicht in die erste und in die zweite leitende Schicht zur Vergrößerung der Adhäsion dazwischen, und sie stellt das mit diesem Verfahren hergestellte Produkt zur Verfügung.
Die Zwischenschicht - durch die Diffusion zumindest einer
Komponente davon (wodurch der Diffusionsschichtaufbau gebildet wird), um zumindest eine Komponente davon in die erste leitfähige Schicht und in die zweite leitfähige Q5 Schicht einzutragen - wirkt als adhäsive Schicht zur Erhöhung der Haftung des zweiten leitfähigen Schichtaufbaus (d.h., die Schicht, die nach der Diffusion von zumindest einer Komponente der Zwischenschicht in die zweite leitende
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Schicht entsteht, wodurch eine Schicht mit einem Übergewicht des Materials der zweiten leitenden Schicht, jedoch auch mit etwas der diffundierten Komponente entsteht) am ersten leitfähigen Schichtaufbau (d. h. die Schicht, die nach der Diffusion von zumindest einer Komponente der Zwischenschicht in die erste leitende Schicht entsteht, wodurch eine Schicht mit einem Übergewicht des Materials der ersten leitenden Schicht, jedoch auch mit etwas der diffundierten Komponente entsteht).
Die Zwischenschicht kann eine einfache Schicht sein, oder sie kann aus einer Vielzahl von Schichten aufgebaut sein und ist bevorzugt elektrisch leitend. Z.B. kann die Zwischenschicht die Kombination sein einer Schicht aus Nickel, welches auf die erste Leiterschicht aufplattiert ist und einer Schicht aus Kupfer, welches auf das Nickel aufplattiert ist. Weiter kann die Zwischenschicht eine einfache Schicht aus einem Gemisch von Komponenten sein, wie z.B. eine einfache Schicht aus einer Mischung von Nickel und Kupfer.
Wie aus dem Vorstehenden entnommen werden kann, ist es die grundlegende Anforderung an die Zwischenschicht, zumindest eine diffundierende Komponente in die erste und zweite leitende Schicht zur Verfügung zu stellen, ohne z.B. das elektrische Leitvermögen der zweiten Leiterschicht wesentlich ungünstig zu beeinflußen. Z.B. erhöht die Diffusion von Nickel aus der Zwischenschicht in das Kupfer der zweiten leitfähigen Schicht den Widerstand der zweiten, leitfähigen Schicht; während somit diffundiertes Nrckel aus der Zwischenschicht die Haftung der zweiten leitfähigen Schicht auf der ersten Leiterschicht erhöht, ist es doch würTschenswert, die Diffusion von Nickel in die zweite Leiterschicht zu begrenzen, um so die Zunahme des spezifischen Widerstandes der zweiten leitfähigen Schicht zu begrenzen. In dieser Hinsicht wird es bevorzugt, daß das Nickel nicht durch die gesamte Dicke der zweiten leitfähigen Schicht zu derjenigen Oberfläche der zweiten leitfähigen Schicht hindurchdiffun-
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ΛΑ
diert, die nicht an die Zwischenschicht angegrenzt.
Bevorzugt enthält die Zwischenschicht als Komponenten sowohl Nickel als auch Kupfer, obwohl Kupfer bereits in ° Gestalt der Zwischenschicht zur Verfügung steht. Ein nachteiliger Effekt der Verwendung von Kupfer für die Zwischenschicht ist es, daß eine mit Kupfer plattierte Schicht, als die Zwischenschicht, porös ist, so daß Feuchtigkeit darin eingeschlossen werden kann. Die Feuchtigkeit kann Ionen bilden, die den Zwischenraum z.B. zwischen dem Kupfer und dem Wolfram der ersten leitfähigen Schicht korrodieren. Dieses Problem wird vermieden, wenn man Nickel in Kombination mit dem Kupfer für die Zwischenschicht verwendet.
Bevorzugt ist die zweite leitfähige Schicht aus Kupfer und die erste leitfähige Schicht wird aus einem Material gebildet, das aus der Gruppe Mo, W und Mo/Μη ausgewählt wird. Z.B. kann ein Laminat, bestehend aus der ersten leitfähigen Schicht von z.B. Wolfram, der Zwischenschicht und einer zweiten leitfähigenSchicht aus z.B. Kupfer in einer Stickstof fatmosphäre zusammengebacken werden, um die Diffusion von zumindest einer Komponente der Zwischenschicht zu bewerkstelligen, jedoch ohne jegliche Oxidation von z.B.
Kupfer als der zweiten leitenden Schicht.
Fig. 1 ist ein Flußdiagramm, welches eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens zeigt,
Fig. 2
und 3 zeigen Querschnitte einer Vielschicht-Keramik leiterplatte in unterschiedlichen Phasen entsprechend den in Fig. 1 gezeigten Arbeitsschritten,
35
Fig. 4 zeigt eine Verteilung von diffundierenden
Komponenten der Zwischenschicht in Richtung der Dicke eines.Schaltungsmusters, das mit dem in Fig.
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1 gezeigtem Verfahren hergestellt wurde,
Fig. 5
und 8 zeigen Querschnitte während der ,. Herstellungsschritte von Beispielen der Vielschicht-Keramikleiterplatte,
Fig. 6
und 7 zeigen Querschnitte von unterschiedlichen Zwischenschritten der in Fig. 1 gezeigten
Herstellungsschritte für einen Teil der in einer Ausführungsform gebildeten Leiterplatte.
Es wird zunächst eine erste Aus führ ungs form der vorliegenden Erfindung erläutert. Die Schritte I, II, IV und V gemäß Fig. 1 sind bekannt und in dem vorerwähnten US-Patent 3 838 204 bereits gezeigt. Schritt I beinhaltet das Stanzen des Durchgangsloches 3 in der grünen Platte 1, wobei diese grüne Platte 1 eine vorläufige Struktur zur Bildung der keramischen Grundkörperplatte bildet; in Schritt II wird das Durchgangs loch 3 mit Metall in Form einer Metallpaste gefüllt (z.B. erfolgt die Füllung mit einem aus der' Gruppe Mo, Mo-Mn und W). In diesem Schritt II wird die Metallpaste auf die grüne Platte 1 auch in einem vorbestimmten Muster siebgedruckt, um eine Leiterschicht zu erzeugen. In Schritt III wird eine Schicht 7 einer Isolatorpaste (wie z.B. Aluminiumdioxid) auf die Metallpaste 5 und auf den Teil der grünen Platte 1 aufgebracht, die nicht mit der Metallpaste 5 bedeckt ist,wobei die Schicht aus der Isolatorpaste 7 mit einem herkömmlichen Siebdruckverfahren gebildet wird. Diese Isolatorpaste 7 bildet nach dem Sintern der Struktur in Schritt V eine Isolatorschicht, die die unterschiedlichen Schaltungsmusterebenen der Vielschicht-Leiterplatte voneinander trennt.
In einer Vielschicht-Keramikleiterplatte wie in Fig. 2 gezeigt werden die Schritte II und III einmal auf der oberen Seite der grünen Platte 1 wiederholt, um die Metal 1-
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paste 5'und die Isolatortaste 71 zu bilden. Wie leicht einzusehen ist, kann man die Schritte II und III auf jeder Seite der grünen Platte vielfach wiederholen, um die gewünschte Anzahl an Schaltungsmusterebenen zu erzeugen.
Die in Fig. 2 gezeigte Platte wird im Schritt IV in ihre endgültige Form gestanzt und in Schritt V gesintert, um die Leiterschichten und die Keramikplatte zu bilden, und um in bekannter Weise die Metallschichten des Vielfach-Schaltungsmusters zu bilden.
Weiter bezugnehmend auf die Fig. 1, 2 und 3 wird in Schritt VI, nach dem Sintern, auf die freiliegenden Oberflächen der Schichten 5 (unterhalb der grünen Platte 1 in Fig. 2) und 5'(oberhalb der grünen Platte 1 in Fig. 2) eine Nickel (Ni)-Schicht 11 aufgetragen, deren Dicke 5 um oder mehr beträgt, und die von den Wänden 72 und 72' umgeben ist; eine solche Nickelschicht kann z.B. durch Nickelplattieren erzeugt werden. Als Beispiele für solches Nickelplattinieren kann die Nickelschicht in bekannter Weise durch Elektroplattieren und stromloses Plattieren (electroless plating) gebildet werden. Aus der Sicht einer industriellen Fertigung wird das stromlose Plattieren, unter Einschluß des Plattierens aus einem stromlosen Niekel-Phosphor (Ni-P) Plattierbad und aus einem stromlosen Nickel-Bor (Ni-B)-Plattierbad bevorzugt, jedoch kann das Elektroplattieren geeignet sein, wenn die Vielschicht-Keramikplatte eine komplexe Struktur oder Gestalt hat. Weil die Plattierungsgeschwindigkeit in einem solchen Ni-P Plattierbad 2 bis 5-mal höher ist als in einem solchen Ni-B Plattierbad, wird das Ni-P-Plattieren bevorzugt.
Weil jedoch der Schmelzpunkt einer durch Ni-P-Plattieren hergestellen Nickelschicht bei etwa 900° C liegt, ist Ni-P-Plattieren nur dann verfügbar, wenn die Backtemperatur in Schritt IX, z.B. 6000C, genügend unterhalb des Schmelzpunktes der Ni-Schicht liegt, um ein Schmelzen des Ni in Schritt IX zu verhindern. In dieser Hinsicht wird
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darauf hingewiesen, daß ein als zweite Leiterschicht verwendeter Kupfer-Dickfilm in Schritt IX bei 600 bis 11000C gebacken wird. Somit kann eine aus einem stromlosen Ni-P-Plattierungsbad hergesellte Ni-Schicht nur verwendet werden, wenn in Schritt IX eine Backtemperatur unterhalb 9000C verwendet wird.
In Schritt VII wird zur Bildung der Cu-plattierten Schicht 13 ein herkömmliches Verfahren des Cu-Plattierens verwendet; die Dicke der Cu-plattierten Schicht 13 ist bevorzugt das Doppel der Ni-plattierten Schicht, die in Schritt VI hergestellt wird.
Zwischen den Schritten VII und VIII kann eine tempernde Hitzebehandlung (annealing heat treatment) bei einer Temperatur von 500 bis 10000C für 5 bis 10 Minuten eingeschaltet werden. Bei dieser tempernden Hitzebehandlung kann eine neutrale Atmosphäre wie z.B. N2 oder ein Ar-Gas, oder eine reduzierende Atmosphäre verwendet werden^ bei der einem wie oben erwähntem Inertgas 5% oder mehr H9 zugemischt wird. Die reduzierende Atmosphäre ist einer neutralen Atmosphäre vorzuziehen, wenn die Temperatur für die diese tempernde Hitzebehandlung über 6000C liegt. Die reduzierende Atmosphäre ist bei hohen Temperaturen, z.B. 9000C, vorzuziehen, weil z.B. die Ni-Komponente der Zwischenschicht, die in der Neutralatmosphäre bei so hohen Temperaturen leicht oxidiert wird, auf der Oberfläche der Cuplattierten Schicht erscheinen kann, um so eine Oberflächenoxidation der Cu-plattierten Schicht zu verursachen.
In Schritt VIII, wird Kupferpaste mit einem herkömmlichen Verfahren des Siebdrucks zur Bildung des Cu-DickfiIms 15 als die zweite Leiterschicht aufgesiebt; danach wird die in Fig. 3 gezeigte Vielschicht-Keramikleiterplatte getrocknet.
In Schritt IX wird die gebildete Struktur bei einer Temperatur von 600 bis 1100C bevorzugt mit N2 als
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Atmosphäre gebacken. Bei diesem Backen wird eine Diffusionsschicht zwischen der ersten leitenden Schicht 5, 5' und dem Cu-Dickfilm 15 gebildet. Fig. 4 zeigt die Verteilungen von Ni und Cu an der Stelle des Schnittes A-A1 von Fig. 3, die mit einem Verfahren der chemischen Elementbestimmung unter Verwendung eines Röntgenmikroanalysators gemessen wurde. D.h., sowohl die Ni- als auch die Cu-Komponenten werden in beide Wolfram-Schichten 5, 5' (erste leitende Schicht) und den Cu-Dickfilm 15 (zweite leitende Schicht) diffundiert, um als Haftmittel zwischen den gebildeten leitfähigen Schichtaufbauten zu wirken.
Fig. 5 zeigt die Vielschicht-Keramikleiterplatte in der Phase zwischen Schritt VI und VII. Als Material für die grüne Platte 1 wird Aluminiumoxid verwendet, Wolframpaste wird für die erste Leiterschicht 5 und Aluminiumoxidpaste für die Schicht 7 der Isolatorpaste verwendet. Das Sintern in Schritt 5 wird in einer reduzierenden Atmosphäre bei einer Temperatur von 16000C für eine Zeit von 1 bis 2 Stunden (bevorzugt 1 Stunde) durchgeführt und in Schritt VI wird stromloses Plattieren eingesetzt.
Fig. 6 zeigte eine vergrößerte Schnittansicht nach dem Aufbringen einer Cu-plattierten Schicht auf die Struktur von Fig. 5, wobei zum Abscheiden der Cu-plattierten Schicht stromloses Plattieren verwendet wird. In diesem Beispiel wird eine tempernde Hitzebehandlung mit einer reduzierenden Atmosphäre von 7000C über 10 Minuten zwischen den Schritten VII und VIII durchgeführt, um Ni und Cu zwischen die Ni- und Cu-plattierten Schichten einzudi ffundieren.
Die Cu-Paste zur Bildung eines Cu-Dickfilmes 15 kann 9922 Paste sein, die von E.I. Dupont de Nemours & Co. hergestellt wird; diese Paste kann man z.B. auf die Isolatorschicht siebdrucken, die aus der Schicht 7 der Isolatorpaste und der Zwischenschicht wie in Fig. 7 gezeigt gebildet wird. Die Schicht aus Kupferpaste hat eine Dicke
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^ von 10 bis 15 um, bevorzugt 10 um. Schritt IX wird dann in einer Atmosphäre von N2 Gas bei einer Temperatur von 9000C über z.B. 10 bis 30 Minuten (bevorzugt 10 Minuten)
durchgeführt.
5
Die Haftfähigkeit des Cu-Dickfilmes in der Lage oberhalb der Diffusionsschicht 14 bzw. oberhalb der Isolatorschicht 7 ist etwa 10 kg/mm bzw. 4 kg/mm . Die Verbesserung der Haftfähigkeit (d. h. die Haftfähigkeitszunahme) bei der Diffusionsschicht ist somit klar erkennbar.
In einer zweiten Ausführungsform wird Mo-Mn-Paste für die erste Leiterschicht 5 verwendet und in Schritt 5 wird in einer reduzierenden Atmosphäre bei einer Temperatur von 16500C ein Sintern durchgeführt. Ein solches Sintern wird nach der Ausführung von Schritt II durchgeführt und ohne die Schritte III und IV von Fig. 1 auszuführen. In Schritt VI wird Nickel stromlos aus einem Ni-P-Plattierbad abgeschieden, wobei das Bad Natriumhypophosphit enthält, um eine Ni-plattierte Schicht zu bilden, deren Dicke etwa 3 um ist. In dieser Ausführungsform ist zwischen den Schritten VI und VII eine tempernde Hitzebehandlung in einer Atmosphäre eines Mischgases aus 80% N2-GaS und 20% H2-GaS bei einer Temperatur von 7000C vorgesehen, um die Ni-plattierte Schicht zur Haftung an der ersten Leiterschicht zu stabilisieren. Mit Elektroplattieren wird eine Cu-plattierte Schicht unter Verwendung einer Kupfersulfat enthaltenden Kupfer-Plattierflüssigkeit hergestellt, um in Schritt VII eine Cu-plattierte Schicht herzustellen, deren Dicke 15 um ist. In Schritt VIII wird eine Kupferpaste verwendet, die bei 6000C gebacken werden kann und das Backen wird in einer Atmosphäre aus N2-Gas durchgeführt.
Fig. 8 zeigt eine Schnitt ansicht der Vielschicht-Keramikleiterplatte gemäß dieser Ausführungsform. Eine Haftfähigkeit von mehr als 1 kg /ram wird an jedem Punkt des Kupfer-Dickfilms gemessen.
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* Während wir verschiedene Aus f ührungs formen gemäß der vorliegenden Erfindung gezeigt und beschrieben haben, versteht es sich, daß diese darauf nicht beschränkt ist, sondern vielfaltigen Abänderungen und Modifikationen unterworfen werden kann, die dem Durchschnittsfachmann klar sind und daß wir deshalb nicht auf die hier gezeigten und beschriebenen Einzelheiten beschränkt werden möchten, sondern alle Modifikationen beanspruchen, die vom Bereich der angefügten Ansprüche umfaßt werden. 10
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Claims (23)

PATENT- UND RECHTSANWÄLTE BARDEHLE · PAGENBERG · DOST · ALTENBURG - FROHWITTER & PARTNER ■_ . PATENT ATTORNEY! RECHTSANWÄLTE PATENTANWÄLTE - EUROPEAN PATENT ATTORNEYS JOCHEN PAGENBERG dr. jur. ll. m. harvard·· HEINZ BARDEHLE dipl.-ing. BERNHARD FROHWITTER dipl.-ing.·· WOLFGANG A. DOST dr., dipl-chem. JÜRGEN KROHER dr. jur. ll. m. queen-s univ.· UDO W. ALTENBURG dipl.-phys. BERNHARD H. GEISSLER dipl-phys dr.jur. MCL(GWU). AUCH RECHTSANWALT· UND US ATTORNEY AT LAW-PATENT- UND RECHTSANWÄLTE. POSTFACH 860620. 8000 MÜNCHEN 86 POSTFACH 8606 20 8000 MÜNCHEN 86 ' TELEFON (089)980361 TELEX 522 791 padd TELEFAX (089) 989763 HYPOBANK MUC 6860130600 (BLZ 70020001) PGA MUC 387 37-808(BLZ 70010080) BÜRO GALILEIPLATZ 1, 8000 MÜNCHEN 80 DATUM 11. April 1986 H 6959 Sch/lu Patentansprüche
1. Vielschicht-Keramikleiterplatte, mit
a) einer keramischen Grundkörpereinrichtung mit einander gegenüberliegenden Seiten,
b) einem ersten elektrisch leitenden Schichtaufbau auf zumindest einer Seite der keramischen Grundkörpereinrichtung, und
c) einem zweiten elektrischen Schichtaufbau auf dem ersten elektrisch leitenden Schichtaufbau, gekennzeichnet durch,
d) einen Diffusionsschichtaufbau (11, 13) zwischen dem ersten elektrisch leitenden Schichtaufbau (5, 51) und dem zweiten elektrisch leitenden Schichtaufbau (15), der als Haftmittel zwischen dem ersten und dem zweiten elektrisch leitenden Schichtaufbau wirkt.
2. Viel schicht-Keramik leiterplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste elektrisch leitende Schichtaufbau mindestens im wesentlichen aus einem
ZULASSUNG: *U3 MÜNCHEN I UND II. "ZUSATZLICH OLG MÜNCHEN UND BAYER."OBERSTES LAWJESGERICHT —MEMBER OF THE BAR OF THE DISTRICT OF COLUMBIA. ADMITTED AT THE CT. OF APPEALS. FED. CIR.
^- zweite elektrisch leitende Schichtaufbau zumindest im wesentlichen aus einem zweiten elektrisch leitenden Material gebildet wird, wobei der erste und der zweite elektrisch leitende Schichtaufbau auch jeweils zumindest eine Komponente des Diffusionsschichtaufbaus enthält, der sowohl in den ersten als auch in den zweiten elektrisch leitenden Schichtaufbau eindiffundiert ist.
3. Vielschicht-Keramikleiterplatte nach Anspruch 2, da-
durch gekennzeichnet, daß das erste elektrisch leitende Material aus der Gruppe Mo, W und Mo-Mn ausgewählt wird.
4. Vielschicht-Keramikleiterplatte nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite elektrisch leitende Material Cu enthält.
5. Vielschicht-Keramikleiterplatte nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Diffusionsschichtaufbau Ni enthält.
6. Vielschicht-Keramikleiterplatte nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Diffusionsschichtaufbau Cu enthält.
7. Vielschicht-Keramikleiterplatte nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Diffusionsschichtaufbau Ni und Cu enthält.
8. Vielschicht-Keramikleiterplatte nach Anspruch 2, da-
durch gekennzeichnet, daß das zweite elektrisch leitende Material Cu enthält.
9. Vielschicht-Keramikleiterplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß weiterhin mindestens eine Isolatorschicht (7) auf mindestens einer Seite der keramischen Grundkörpereinrichtung (1) vorhanden ist, mit einer Schicht aus elektrisch leitendem Material zwischen der keramischen Grundkörpereinrichtung und der
■*· wenigstens einen Isolatorschicht auf einer Seite der isolierenden Schicht; wobei die zumindest eine Isolatorschicht zumindest eine Durchgangsöffnung aufweist, um die Schicht aus elektrisch leitendem Material an der einen Seite der isolierenden Schicht mit einer weiteren Schicht aus elektrisch leitendem Material auf der entgegengesetzten Schicht der Isolatorschicht elektrisch zu verbinden, wobei der zweite elektrisch leitende Schichtaufbau durch den Diffusionsschichtaufbau und der ersten elektrisch leitenden Schicht mit der Schicht aus elektrisch leitendem Material in elektrischer Verbindung ist.
10. Vielschicht-Keramikleiterplatte nach Anspruch 9, gekennzeichnet durch eine Vielzahl von Isolatorschichten mit einer Schicht aus elektrischem leitendem Material zwischen jeweils benachbarten der Vielzahl von Isola- , torschichten, wobei die Vielzahl von Isolatorschichten ti jeweils zumindest eine Durchgangsöffnung haben, um die Schicht aus elektrisch leitendem Material auf einer Seite einer Isolatorschicht mit einer weiteren Schicht aus elektrisch leitendem Material auf der entgegengesetzten Seite derselben Isolatorschicht elektrisch zu verbinden.
11. Vielschicht-Keramikleiterplatte nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite elektrisch leitende Schichtaufbau an der freiliegenden Seite der äußersten der Vielzahl von Isolatorschichten der keramischen Grundkörpereinrichtung angeordnet ist, wobei der Diffusionsschichtaufbau sich durch eine Öffnung der äußersten Isolatorschicht erstreckt und wobei der erste elektrisch leitende Schichtaufbau zumindest einen Teil der Schicht aus elektrisch leitendem Material auf der Seite der äußersten Isolatorschicht gegenüber der freiliegenden Seite bildet.
12. Vielschicht-Keramikleiterplatte nach Anspruch 9, da-
durch gekennzeichnet, daß der zweite elektrisch leitende Schichtaufbau auf der freiliegenden Seite der Isolatorschicht angeordnet ist, wobei der Diffusionsschichtaufbau sich durch zumindest eine Öffnung in der Isolatorschicht erstreckt und wobei der erste elektrisch leitende Schichtaufbau zumindest einen Teil der Schicht aus elektrisch leitendem Material zwischen der keramischen Grundkörpereinrichtung und mindestens einer Isolatorschicht bildet.
13. Vielschicht-Keramikleiterplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die keramische Grundkörpereinrichtung an seinen beiden Seiten einen ersten elektrisch leitenden Grundaufbau aufweist, wobei die keramische Grundkörpereinrichtung Durchgangsöffnungen zum elektrischen Verbinden des ersten elektrisch leitenden Grundaufbaus auf beiden Seiten der keramischen Grundkörpereinrichtung hat.
14. Verfahren zur Herstel lung Vielschicht-Keramikleiterplatten, gekennzeichnet durch folgende Schritte
a) Herstellen einer ersten elektrisch leitenden Schicht auf einem keramischen Isolationsgrundkörper;
b) Herstellen einer zweiten Schicht von zumindest einer Komponente, die in die erste Schicht diffundiert werden kann, auf der ersten Schicht;
c) Herstellen einer dritten Schicht auf der zweiten Schicht, welche dritte Schicht elektrisch leitend ist und in die zumindest eine Komponente diffundiert werden kann; und
d) Diffundieren der zumindestens einen Komponente in sowohl die erste als auch in die dritte Schicht.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß
der Schritt der Herstellung einer zweiten Schicht das Plattieren der zumindest einen Komponente auf die erste Schicht beinhaltet.
16. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Herste1 lens einer zweiten Schicht einen ersten Unterschritt des Hersteilens einer ersten Metallschicht auf der ersten Schicht und einen zweiten Unterschritt des Hersteilens einer zweiten Metal1-schicht auf der ersten Metallschicht beinhaltet.
17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Metallschicht und die zweite Metallschicht aus unterschiedlichem Metall bestehen und jeweils durch Plattierungsschichten dieser unterschiedlichen Metalle gebildet werden.
18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht durch ein aus der Gruppe Mo, W und Mo-Mn ausgewähltes Material gebildet wird, wobei die erste Metallschicht Ni enthält und wobei die zweite Metallschicht und die dritte Metallschicht Cu enthalten.
19. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich zwischen Schritt b und d eine tempernde Hitzebehandlung eingeschaltet wird.
20. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Herstellen der ersten Schicht eine Schicht aus einem elektrisch leitendem Material auf einer grünen Platte zur Herstellung des keramischen Isolatorgrundkörpers aufgetragen wird und daß, nachdem diese Schicht eines elektrisch leitenden Materials auf der grünen Platte aufgebracht ist, eine Isolatorschicht auf der Schicht des elektrisch leitenden Materials gebildet wird, wobei die Isolatorschicht Durchgangslöcher aufweist, um eine elektrische Verbindung zu der Schicht
aus einem elektrischen leitendem Material herzustellen, wobei die erste Schicht auf der Isolatorschicht gebildet wird und in elektrischem Kontakt ist mit der
Schicht eines elektrisch leitenden Materials. 5
21. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß nach der Bildung der Isolatorschicht und vor dem Aufbringen der ersten Schicht die Struktur einer Hitzebehandlung unterworfen wird, um die grünen Platten zur Bildung des keramischen Isolatorgrundkörpers zu sintern.
22. Produkt, hergestellt durch das Verfahren nach Anspruch 22.
23. Produkt, hergestellt durch das Verfahren nach Anspruch 14.
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