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Bauelement in Chip-Bauweise und Verfahren zu dessen
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Herstellung Die Erfindung betrifft ein Bauelement in Chip-Bauweise
mit an einander gegenüberliegenden Stirnflächen eines die elektrisch wirksamen Schichten
tragenden Substrats vorgesehenen Kontaktierungsschichten sowie Verfahren zur Herstellung
derartiger Bauelemente.
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Bei Bauelementen in Chip-Bauweise handelt es sich um sehr kleine Bauelementekörper,
die so ausgestaltet sind, daß sie -ohne Draht- oder Lötösenanschlüsse verwendet
werden können.
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Im allgemeinen sind zwei gegenüberliegende Stirnflächen dieser Bauelemente
lötfähig ausgebildet, so daß die Verbindung mit einer gedruckten Schaltung bei einer
Verzinnung im Löt--Tauchbad erfolgen kann. Bauelemente dieser Art können aufgrund
ihrer einheitlichen und gleichen Abmessungen in Magazinen zugeführt und damit in
besonders wirtschaftlicher Weise verarbeitet werden.
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Bei der Herstellung von Chip-Widerständen wird im allgemeinen so vorgegangen,
daß zunächst auf ein mit einem Bruchlinienraster versehenes Substrat, im allgemeinen
Keramik, zueinander parallele Leiterbahnen aus einer Silberschicht aufgebracht werden,
die die Längsbruchlinien des Rasters überdecken. Anschließend wird mittels eines
entsprechend den Einzelchips unterteilten Rastersiebes Widerstandsmaterial, beispielsweise
Cermet, als Schicht in der Weise aufsdas Substrat aufgebracht, daß jede Einzelschicht
zwei benachbarte Leiterbahnen teilweise überdeckt. Danach wird das Schichtmaterial
getrocknet und eingebrannt und anschließend passiviert, beispielsweise durch eine
äußere Lack- oder Glasschicht. Nach dem Passivierungsvorgang werden aus dem bedruckten
Substrat Streifen gebrochen.
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Um nun eine einwandfreie stirnseitige Kontaktierungsfläche zu schaffen,
wird jeder einzelne Streifen in ein Silberbad getaucht, wobei darauf geachtet werden
muß, daß eine maximale, sehr geringe Tauchtiefe nicht überschritten wird. Die dabei
hergestellte Kontaktierungsschicht verbindet sich mit -den bereits aufgebrachten
Leiterbahnen aus Silber, wobei herstellungstechnisch bedingt die Silberschicht das
Substrat auch auf der den Leiterbahnen gegenüberliegenden Seite umgreift. Anschließend
müssen die freiliegenden Silberflächen vernickelt werden, um ein Ablegieren des
Silbers beim Verlöten der Chip-Widerstände zu verhindern. Nach dem Verzinnen der
Nickelschichten werden die Streifen in Einzelchips unterteilt.
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Die Herstellung derartiger Chip-Widerstände ist somit aufwendig und
verlangt eine erhebliche Genauigkeit; nicht zuletzt ist auch der Silberbedarf für
die Anbringung der Kontaktierungsschichten nicht unbedeutend.
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Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Bauelemente in Chip-Bauweise
sowie Verfahren zu deren Herstellung anzugeben,
deren Fertigung
erheblich vereinfacht und verbilligt ist, ohne daß dadurch die Kontakteigenschaften
der Kontaktierungsschichten nachteilig beeinflußt werden.
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Bei einem gattungsgemäßen Bauelement in Chip-Bauweise wird diese Aufgabe
erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Kontaktierungsschichten aus einem unedlen
Metall bestehen.
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Ein wesentlicher Vorteil gegenüber dem eingangs geschilderten Stand
der Technik ergibt sich dadurch, daß der zweite Versilberungsschritt im Tauchbad
wegfällt, was sich günstig auf die Herstellungs- und auf die Materialkosten auswirkt.
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Außerdem sind kein Vernickeln oder andere Diffusionssperren mehr erforderlich,
da keine Gefahr besteht, daß die Metallschicht beim Löten ablegiert. Die Kantenkontaktierung
mit unedlem Metall, vorzugsweise Kobalt, Nickel oder Kupfer, läßt sich wesentlich
leichter und rationeller durchführen als eine galvanische Vernickelung, da bei dieser
die zu vernickelnde Kante mit Silber aktiviert werden muß und bei der galvanischen
Verzinnung selbst nach gründlicher Reinigung Säurespuren im Zinn zurückbleiben,
was nach längerer Lagerung zur Oxydation der Zinnoberfläche führen und Schwierigkeiten
beim Löten verursachen kann. Demgegenüber kann das unedle Metall direkt auf die
Stirnflächen aufgebracht und das Bauelement, falls erforderlich, sofort im Tauch-
oder Schwallbad verzinnt werden.
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Die Kontaktierungsschicht jeder Stirnfläche und die elektrisch wirksame
Schicht auf dem Substrat können durch eine elektrisch leitende Verbindungsschicht
miteinander verbunden sein, die von der elektrisch wirksamen Schicht überlappt ist
und die stumpf an die Kontaktierungsschicht anstößt.
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Die Verbindungsschicht kann aus Palladium-;Silber bestehen.
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Eine Alternative besteht darin, daß die elektrisch wirksame Schicht
die gesamte Fläche auf dem Substrat überdeckt und stumpf an die Kontaktierungsschicht
anstößt.
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Diese Bauart hat den Vorteil daß die elektrisch wirksame Schicht und
die Kontaktierungsschicht unmittelbar miteinander verbunden sind, ohne daß überhaupt
noch Silber erforderlich ist, was somit die Herstellung wesentlich vereinfacht als
auch die Herstellungskosten nochmals senkt. Außerdem ist die zur Verfügung stehende
Fläche der elektrisch wirksamen Schicht wesentlich größer, und es ergeben sich stabilere
; Werte für das Bauelement, weil keine Silberdiffusion zwischen einer Silberschicht
und der elektrisch wirksamen Schicht mehr stattfinden kann, was insbesondere bei
feuchter Umgebung; häufig der Fall ist.
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Die Kontaktierungsschicht, die vorzugsweise jeweils die gesamte Stirnfläche
des Bauelementes bedeckt, kann durch Bedampfung aufgebracht werden. Das bringt den
Vorteil, daß Bedampfungsverfahren sehr gut rationalisiert werden können.
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Es besteht jedoch auch die Möglichkeit, die Kontaktierungsschichten
durch Sputtern oder elektrochemisch oder galvanisch aufzubringen.
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Nach einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung sind die die Kontaktierungsschichten
tragenden Stirnflächen Bruchfl ächen.
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Dadurch wird die Haftung zwischen den aufgebrachten Kontaktierungsschichten
und dem Substrat vorteilhaft erhöht.
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Der beschriebene Aufbau von Bauelementen in Chip-Bauweise eignet sich
zwar besonders für Chip-Widerstände, ist jedoch nicht darauf beschränkt. So lassen
sich beispielsweise in
entsprechender Weise Keramikkondensatoren
und Keramik-Vielschichtkondensatoren stirnseitig kontaktieren.
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Wie eingangs bereits erläutert wurde, ist ein Verfahren zur Herstellung
von Bauelementen in Chip-Bauweise bekannt, bei dem auf ein mit einem Bruchlinienraster
versehenes Substrat zueinander parallele, die Längsbruchlinien überdeckende Leiterbahnen
aus einer elektrisch leitenden Verbindungsschicht aufgebracht werden, worauf mittels
eines entsprechend den Einzelchips unterteilten Rastersiebes elektrisch wirksames
Schichtmaterial in der Weise auf das Substrat aufgebracht wird, daß jede Einzel
schicht zwei benachbarte Leiterbahnen teilweise überdeckt, wonach das elektrisch
wirksame Schichtmaterial getrocknet und eingebrannt wird und nach einem Passivierunszvorgang
aus dem bedruckten Substrat Streifen gebrochen werden.
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Bei einem derartigen Verfahren wird die der Erfindung zugrunde liegende
Aufgabe dadurch gelöst, daß die freiliegenden Bruchkanten dieser Streifen mit einer
Kontaktierungsschicht aus einem unedlen Metall beschichtet werden, wonach diese
Streifen in Einzelchips unterteilt werden.
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Die Leiterbahnen werden dabei vorzugsweise auf die nicht geritzte
Seite des Substrats aufgedruckt und bestehen vorzugsweise aus Palladium-Silber,
das im Siebdruckverfahren auf das Substrat aufgebracht und dann eingebrannt wird.
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Nach diesem Verfahren hergestellte Chip- Widersiände zeichnen sich
durch geringe Toleranzen, hohe Zugfestigkeit rechtwinklig zu den Kontaktierungsflächen
und problemfreie, auch nach langer Lagerzeit gegebene Verlötbarkeit aus.
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Bei einem Verfahren zur Herstellung von Bauelementen in Chip-Bauweise,
bei dem ein Substrat mit einem Bruchlinienraster versehen wird, läßt sich eine weitere
Vereinfachung dadurch erreichen, daß das Substrat mit einem durchgehenden, elektrisch
wirksamen Material beschichtet wird, das anschließend vollständig mit einerPas-sivierungsschi-cht
überzogen wird, daß dann aus dem Substrat Streifen gebrochen werden, deren freiliegende
Bruchkanten mit einer Kontaktierungsschicht aus einem unedlen Metall beschichtet
werden5 wonach diese Streifen in Einzelchips unterteilt werden.
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Bei dieser Weiterentwicklung ist es also nicht mehr erforderlich,
an den Längsbruchlinien Leiterbahnen aufzubringen und das elektrisch wirksame Schichtmaterial
anschließend als Einzelschichten aufzubringen.
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Eine Variante des zuletzt geschilderten Verfahrens besteht darin,
daß das mit einem Bruchlinienraster versehene Substrat mit durch benachbarte Bruchlinien
getrennten, parallelen Streifen eines elektrisch wirksamen Materials beschichtet
und anschließend mit einer durchgehenden Pãsswierungsschicht überzogen wird, daß
dann das Substrat an den zu den Streifen rechtwinkligen Bruchlinien in Streifen
gebrochen wird, deren freiliegende Bruchkanten mit einer Kontaktierungsschicht aus
einem unedlen Metall beschichtet werden, wonach diese Streifen in Einzelchips unterteilt
werden.
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Alle erfindungsgemäß vorgesehenen Verfahren eröffnen die Möglichkeit,
daß die Streifen so gestapelt werden, daß ihre Bruchkanten eine durchgehende Fläche
bilden, die als Ganzes mit der Kontaktierungsschicht beschichtet wird.
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Die gemäß der Erfindung hergestellten Bauelemente haben an der Unterseite
des Substrats, die nicht mit der elektrisch wirksamen Schicht versehen ist, eine
glatte Fläche, weil die Kontaktierungsschichten
nur noch die Stirnflächen
bedecken, nicht jedoch die Bodenfläche übergreifen. Damit werden die Eigenschaften
der glatten Bodenfläche, die als guter Isolator wirkt, vollständig erhalten. Das
Bauelement kann nun mit seiner gesamten Bodenfläche satt auf eine Leiterplatte aufgesetzt
werden> ohne daß sich zwischen dieser und der Bodenfläche des Bauelements ein
Hohlraum ergibt, in den Verschmutzungen oder Klebstoff eindringen können. Der Klebstoffverbrauch
wird auf diese Weise nicht unerheblich verringert. Schließlich ist die Maßhaltigkeit
derartiger Bauelemente besser als bei den zum Stand der Technik zählenden, und aufgrund
der glatten Ausbildung ohne Erhöhungen durch einen Umgriff der Kontaktierung an
den Stirnflächen wird ein bisher lästiger Störfaktor beim automatischen Bestücken
durch ein Magazin ausgeschaltet.
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Die Erfindung ist nachstehend an Ausführungsbeispielen erläutert,
die in der Zeichnung dargestellt sind.
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Es zeigen: Figur 1 eine stark vergrößerte, schematische Schnittdarstellung
eines Chip-Widerstandes nach dem Stand der Technik, Figur 2 eine Draufsicht des
Chip-Widerstandes der Figur 1, Figur 3 eine schematische Draufsicht eines Substrats
zur Verdeutlichung der verschiedenen Herstellungsschritte für den Chip-Widerstand
der Figuren 1 und 2, Figur 4 eine ebenfalls stark vergrößerte, schematische Teilschnittansicht
im Kontaktierungsbereich eines Chip-Widerstandes gemäß der Erfindung, Figur 5 eine
Draufsicht auf ein lasergeritztes Substrat,
Figur 6 eine Draufsicht
von Leiterbahnen, die auf der der geritzten Fläche gegenüberliegenden Fläche des
Substrats nach Figur 5 angebracht sind, Figur 7 eine Draufsicht des Substrats nach
Figur 6 nach erfolgtem Aufbringen des Widerstandsmaterials, Figur 8 das Substrat
gemäß Figur 7 nach erfolgter Passivierung, Figur 9 einen Teil des in Streifen gebrochenen
Substrats nach Figur 8, Figur 10 eine Reihe von einzelnen Chip-Widerständen, Figur
11 eine vergrößerte Schnittdarstellung eines Chip-Widerstandes gemäß einer Variante
der Erfindung, Figur 12 eine Draufsicht des Chip-Widerstandes der Figur 11, Figur
13 eine Draufsicht eines Substrats zur Erläuterung der Herstellung von Chip-Widerständen
gemäß Figuren 11 und 12, Figur 14 eine vergrößerte Schnittdarstellung eines weiteren
Chip-Widerstandes gemäß der Erfindung, Figur 15 eine Draufsicht eines lasergeritzten
Substrats zur Herstellung von Chip-Widerständen gemäß Figur 14 und Figur 16 eine
Draufsicht eines lasergeritzten Substrats bei einer abgewandelten Herstellungsweise
von Chip-Widerständen gemäß Figur 14.
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Wie die Figuren 1 und 2 zeigen, bestehen bisher bekannte Chip-Widerstände
aus einem Substrat 10, im allgemeinen Keramik, das an zwei gegenüberliegenden Stirnflächen
12 eine- Kontaktierungsschicht 14 aus Silber trägt. Auf die Oberseite 16 des Substrats
10 sind zwei Verbindungsschichten 18 aus Silber aufgebracht, die so an den beiden
Kanten angeordnet sind, daß sie in die Kontaktierungsschichten 14 übergehen. Die
Kontaktierungsschichten 14 umgreifen die Bodenfläche 20 des Substrats 10.
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Auf die Oberseite 16 des Substrats 10 ist eine elektrisch wirksame
Schicht 22 aufgebracht, im Fall des dargestellten Chip-Widerstandes beispielsweise
eine Cermet-Schicht. Diese Schicht 22 überlappt die beiden Verbindungsschichten
18.
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Die gesamte Schicht 22 ist durch eine Passivierungsschicht 24, beispielsweise
Lack oder Glas, abgedeckt. Die freie Oberfläche der Kontaktierungsschichten 14 ist
von einer Nickelschicht 26 überzogen, die dazu dient, ein Ablegieren des Silbers
beim Auflöten des Chip-Widerstandes auf eine Leiterbahn einer Druckplatte zu verhindern.
Um das Auflöten zu ermöglichen, ist schließlich auf die Nickelschicht 26 eine Zinnschicht
28 aufgebracht.
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In der Draufsicht der Figur 2 ist zu erkennen, daß die Passivierungsschicht
24 die gesamte, elektrisch wirksame Schicht 22 überdeckt und daß beide die streifenförmigen
Verbindungsschichten 18 überlappen.
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Figur 3 verdeutlicht schematisch die Herstellung derartiger Chlp'.'iderStände.
Zunächst wird ein Substrat 10 ganzflächig mit eine.,. Bruchlinienraster 30, 32 bedeckt.
Dieses aus zueinander rechtwinklig verlaufenden Linien bestehende Raster kann beispielsweise
durch Laserritzung hergestellt werden. Anschließend werden auf dieses Substrat zueinander
parallele
Leiterbahnen 18' aus Silber aufgebracht, die die späteren
Verbindungsschichten 18 bilden und die die Längsbruchlinien 32 überdecken. In einem
weiteren Arbeitsgang wird mittels e-ines entsprechend den in den Figuren 1 und 2
dargestellten Einzelchips unterteilten Rastersiebes das elektrisch wirksame Schichtmaterial
22 so aufgebracht, daß jede Einzel schicht zwei benachbarte Leiterbahnen 18' teilweise
überdeckt. Nun kann das elektrisch wirksame Schichtmaterial 22 getrocknet und eingebrannt
werden, worauf, ebenfalls mit Hilfe eines Rastersiebes, die Passivieru-ngsschichten
24 so aufgebracht werden, daß sie die elektrisch wirksamen Einzelschichten 22 vollständig
überdecken.
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Nach dieser Passivierung wird das bedruckte Substrat 10 an den Längsbruchlinien
32 in Streifen 34 gebrochen. Jeder einzelne dieser Streifen 34 muß dann in ein Silberbad
getaucht werden5 um die Kontaktierungsschichten 14 an beiden Stirnflächen 12 anzubringen.
Dabei ist darauf zu achten, daß eine maximale Eintauchtiefe nicht überschritten
wird. In zwei folgenden Schritten werden die Nickelschicht 26 und die Zinnschicht
28 aufgebracht. Der letzte Arbeitsgang besteht darin5 daß die Stre-ifen 34, deren
Stirnflächen 12 nunmehr versilbert, vernickelt und verzinnt sind, an den zu den
Streifen 34 rechtwinkligen Bruchlinien 30 in Einzelchips unterteilt werden.
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Figur 4 zeigt nun einen stirnseitigen Randbereich eines Substrats
10 für einen erfindungsgemäß ausgebildeten 'Chip-Widerstand. Auf diesem ist eine
Widerstandsschicht 22 angebracht, die über die elektrisch leitende. Verbindungsschicht
18 mit der stirnseitig vorgesehenen Kontaktierungsschicht 14 verbunden ist, die
aus einem unedlen Metall besteht. Besonders eignet sich hierfür Kobalt, es sind
jedoch auch Kontaktierungsschichten 14 aus Nickel oder Kupfer möglich. Die Kontaktierungsschicht
14 ist dabei von einer Zinnschicht 28bedeckt.
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Die Verbindungsschicht 18 wird dabei als erste Schicht auf des Substrat
10 aufgebracht, so daß sie sowohl von der Widerstandsschicht 22 als auch von der
Kontaktierungsschicht 14 überlappt werden kann und damit eine einwandfreie elektrische
Verbindung hergestellt ist.
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Die Kontaktierungsschicht 14 wird in einem Sputter-Prozeß auf die
vorzugsweise als Bruchfläche ausgebildete Stirnflache 12 aufgedampft, wodurch sich
eine besonders feste und dauerhafte Verbindung zwischen Substrat 10 und Kontaktierungsschicht
14 ergibt.
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Anhand der Figuren 5 bis 10 wird anschließend ein Verfahren zur Herstellung
vonChip-Widerständen von der in Figur 4 dargestellten Art beschrieben.
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Figur 5 zeigt ein Substrat 10, das ganzflächig mit einem Bruchlinienraster
30, 32 bedeckt ist. Dieses aus zueinander rechtwinklig verlaufenden Bruchlinien
bestehende Raster kann beispielsweise durch Laserritzung hergestellt werden.
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Figur 6 zeigt die dem Bruchlinienraster gegenüberliegende Fläche des
Substrats 10, auf das im Siebdruckverfahren die zueinander parallelen Leiterbrhnen
18' aus Palladium-Silber aufgebracht sind. Die Leiterbahnen 18' sind dabei durchgehend
gedruckt und so angeordnet, daß beiderseits der mit den Leiterbahnen 18' ausgerichteten
Bruchlinien 32 ein ausreichend breiter Leiterstreifen vorliegt, um später eine sichere
Kontaktierung der Widerstandselemente zu gewährleisten.
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Das mSi den Leiterbahnen 18' versehene Substrat 10 wird zwischengelagert,
getrocknet und anschließend in einem Durchlaufofen erhitzt, so daß die Leiterbahnen
18' in der erforderlichen Weise eingebrannt werden.
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Der in Figur 7 angedeutete Widerstandsdruck wird unter Verwendung
eines entsprechend den Einzelchips unterteilten Stahlsiebs vorgenommen, wobei darauf
geachtet wird, daß die Widerstandspaste die Leiterbahnen 18' beidseitig überdeckt,
beispielsweise um etwa 0,4 mm. Außerdem wird darauf geachtet, daß an der Breitseite
der Widerstände ein ausreichend breiter, nicht bedruckter Streifen längs der Bruchkanten
frei bleibt, um ein Ausbrechen der Widerstandsschicht 22 beim Brechen in Einzelchips
zu vermeiden.
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Die gezielt und lagegenau aufgebrachte Widerstandspaste wird anschließend-getrocknet
und eingebrannt.
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Figur 8 zeigt das Substrat 10 nach erfolgter Passivierung, welche
mit einem Stahl sieb so ausgeführt wird, daß der Siebdruck das ganze Substrat von
Kante zu Kante bedeckt. Die als Passivierung verwendete Paste wird ebenfalls angetrocknet
und anschließend bei vorgegebener Temperatur eingebrannt. Aus den bedruckten Substraten
10 gemäß Figur 8 werden dann die Streifen 34 gebrochen, deren freiliegende Stirnflächen
12 anschließend mit der Kontaktierungsschicht 14 aus unedlem Metall, vorzugsweise
Kobalt, bedampft werden. Dabei ist natürlich darauf zu achten, daß die Streifen
34 so gehaltert sind, daß eine Bedampfung nur in dem gewünschten Bereich erfolgt.
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In Figur 9 sind derartige Streifen 34, die aus einer Vielzahl nebeneinander
liegender, einzelner Chip-Widerstände bestehen, dargestellt.
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Diese Streifen 34 werden anschließend in Einzelchips 36 gebrochen,
wie sie in Figur 10 zu sehen sind.
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Die nach dem geschilderten Verfahren hergestellten Chip-Widerstände
zeichnen sich sowohl durch ihre elektrischen als auch ihre mechanischen Eigenschaften
aus und verlieren ihre guten Verlötungseigenschaften auch nach längerer Lagerung
nicht.
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Die Figuren 11 bis 13 zeigen eine Variante der Erfindung. ee aus Figur
13 hervorgeht, wird zur Herstellung der in den Figuren 11 und 12 skizzierten Chip-Widerstände
ebenfalls zunächst von einem Substrat 10 ausgegangen, das ganzflächig mit einem
Bruchlinienraster 30, 32 bedeckt ist und das sich wie das Substrat gemäß Figur 3
Leiterbahnen 18' aus Palladium-Silber aufweist. Ebenfalls noch in Obereinstimmung
mit dem anhand der Figuren 5 bis 10 erläuterten Verfahren wird anschließend mittels
eines entsprechend den Einzelchips unterteilten Rastersiebes das Widerstandsmaterial
22 in der Weise aufgebracht, daß jede Einzel schicht zwei benachbarte Leiterbahnen
18t teilweise überdeckt.
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Neu gegenüber dem bisher.beschriebenen Verfahren ist nun, daß nach
dem Trocknen und Einbrennen der Widerstandsschicht 22 die gesamte Fläche des Substrats
10, die die Widerstandsschicht 22 aufweist, mit der Passivierungsschicht 24 überzogen
wird. Nach dem Trocknen und Einbrennen der Passivierungsschicht 24 werden entlang
den Längsbruchlinien 32 die Streifen 34 gebrochen, deren freiliegende Bruchkanten
12 sohließlich mit der Kontaktierungsschicht 14 aus unedlem Metall überzogen werden.
Abschließend werden die Streifen 34 wie bisher in Einzelchips 36 unterteilt.
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Bei diesem Verfahren ergeben sich nach dem Brechen an den Längsbruchlinien
32 völlig ebene Streifen 34, was den besonderen Vorteil hat, daß diese anschließend
so eng aneinanderliegend gestapelt werden können, daß ihre freiliegenden Bruchkanten
12 eine durchgehende Fläche bilden, die als Ganzes mit dem unedlen Metall für die
Bildung der Kontaktierungsschicht 14 überzogen werden kann. Die Kontaktierungsschicht
14 stellt eine ausgezeichnete Verbindung zwischen den Verbindungsschichten 18 aus
Palladium-Silber und den Leiterbahnen der Druckplatte her und ermöglicht eine gute
Verlötung mit diesen Leiterbahnen. Gegebenenfalls kann die Kontaktierungsschicht
14 noch mit einer Zinnschicht überzogen werden.
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Eine nochmalige Vereinfachung zeigen die Figuren 14 und-15.
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Bei dem in Figur 15 angedeuteten Verfahren wird die gesamte Oberfläche
des mit dem Bruchlinienraster 30, 32 versehenen Substrats 10 zunächst mit einer
durchgehenden, elektrisch wirksamen Schicht 22 und anschließend mit einer ebenfalls
durchgehenden Passivierungsschicht 24 überzogen. Dann werden in der bereits beschriebenen
Weise aus dem derart beschichteten Substrat 10 die Streifen 34 gebrochen, deren
freiliegende Bruchkanten 12 schließlich mit der Kontaktierungsschicht 14 überzogen
werden. Auch hierbei können die Streifen 34 so gestapelt werden, daß die Bruchflächen
12 eine durchgehende Fläche bilden, die als Ganzes mit der Kontaktierungsschicht
14 überzogen werden kann.
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Gegebenenfalls kann zwischen der Kontaktierungsschicht 14 aus unedlem
Metall und dem Substrat sowie den angrenzenden Flächen der Widerstandsschicht 22
und der Passivierungsschicht 24 ein Haftvermittler vorgesehen sein, beispielsweise
Chrom, Chromnickel oder Titan.
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Wie bereits erläutert, liegt der Vorteil dieses Verfahrens in der
wesentlich vereinfachten Herstellung und in der Tatsache, daß kein Silber mehr erforderlich
ist. Die zur Verfügung stehende Widerstandsfläche entspricht der gesamten Oberfläche
des Substrats 10.
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Eine Variante der Maßnahmen gemäß Figuren 14 und 15 zeigt die Figur
16. Hier wird das mit dem Bruchlinienraster 30, 32 versehene Substrat 10 nicht ganzflächig
mit dem Widerstandsmaterial 22 beschichtet, sondern in.parallelen Streifen 38 durch
Aufwalzen oder durch Siebdruck, die durch die Bruchlinien 30 voneinander getrennt
sind. Nach dem Einbrennen wird sodann in der anhand der Figuren 14 und 15 beschriebenen
Weise die gesamte Oberfläche auf der Seite der Widerstandsschicht 22 passiviert,
so daß dann, wie bereits erläutert, das Brechen in Streifen 34 erfolgt, deren Bruchkanten
12 mit Kobalt oder einem anderen, unedlen Metall bedampft werden.