JPS5975695A - セラミツク厚膜回路基板 - Google Patents
セラミツク厚膜回路基板Info
- Publication number
- JPS5975695A JPS5975695A JP57187675A JP18767582A JPS5975695A JP S5975695 A JPS5975695 A JP S5975695A JP 57187675 A JP57187675 A JP 57187675A JP 18767582 A JP18767582 A JP 18767582A JP S5975695 A JPS5975695 A JP S5975695A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thick film
- ceramic
- film circuit
- circuit board
- palladium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 37
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 12
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 7
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 244000062175 Fittonia argyroneura Species 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子回路部品、特に混成集積回路に使用される
セラミック厚膜回路基板に閃する。
セラミック厚膜回路基板に閃する。
従来、混成集槓回１白基板として第１図にボされるよう
に、セラミック基板１上にタングステン、モリブデン等
の高融点、金属の配線層２とピアホール４が形成されて
いる誘電体層８とが交互に形成されたセラミック多層配
線基板す上に、前記配＃ｉ１層２と導通される導電ある
いは抵抗等の厚膜回路６が形成されたセラミック厚膜回
路基板７か知られている。
に、セラミック基板１上にタングステン、モリブデン等
の高融点、金属の配線層２とピアホール４が形成されて
いる誘電体層８とが交互に形成されたセラミック多層配
線基板す上に、前記配＃ｉ１層２と導通される導電ある
いは抵抗等の厚膜回路６が形成されたセラミック厚膜回
路基板７か知られている。
ところが、Ｄ／Ｌ膜回路は尋′屯李、抵抗率の電気的特
性およびセラミック多層配線基板との缶滝強度から主と
して鋏糸の厚膜材料か用いられ、６００°Ｃ以上の酸化
雰囲気で焼成して形成される。このためセラミック多層
配線基板の肩車体層で被楓されない高融点金属の配線が
除化し、配線層と厚膜回路との導通抵抗か大きくなる欠
点を有していた。
性およびセラミック多層配線基板との缶滝強度から主と
して鋏糸の厚膜材料か用いられ、６００°Ｃ以上の酸化
雰囲気で焼成して形成される。このためセラミック多層
配線基板の肩車体層で被楓されない高融点金属の配線が
除化し、配線層と厚膜回路との導通抵抗か大きくなる欠
点を有していた。
口のため、セラミック多層配線基板の配′／ＩＭｌ曽上
に金メッキを施す方法か提案されているが、この方法で
は完全に高融点金属の酸化を防止でさるようなものを安
定して得ることは困難であり駐済的にも問題がある。
に金メッキを施す方法か提案されているが、この方法で
は完全に高融点金属の酸化を防止でさるようなものを安
定して得ることは困難であり駐済的にも問題がある。
本うｅ明はセラミック多層配線基板のこのような欠点を
解消するためになされたもので、セラミツり多層配線基
板上に酸化性雰囲気中で焼成１される厚膜導体が設けら
れるセラミック厚膜回路基板において、厚膜導体が接続
されるセラミック多層配線基板の配線層は、タングステ
ン１００重量部に対し白金またはパラジウムの１柚また
は２種含有し、白金のみ含有する場合には、０．１−１
００本嵐部、パラジウムのみ含有する場合には０．１〜
２０重量部、白金およびパラジウムを含有する場合は白
金とパラジウムの合計社が０．１〜７６重り東部でかつ
パラジウムは２０重量部以下とするセラＩｌｌミック厚
膜回路基板である。
解消するためになされたもので、セラミツり多層配線基
板上に酸化性雰囲気中で焼成１される厚膜導体が設けら
れるセラミック厚膜回路基板において、厚膜導体が接続
されるセラミック多層配線基板の配線層は、タングステ
ン１００重量部に対し白金またはパラジウムの１柚また
は２種含有し、白金のみ含有する場合には、０．１−１
００本嵐部、パラジウムのみ含有する場合には０．１〜
２０重量部、白金およびパラジウムを含有する場合は白
金とパラジウムの合計社が０．１〜７６重り東部でかつ
パラジウムは２０重量部以下とするセラＩｌｌミック厚
膜回路基板である。
以−ト本光明全詳しく説明する。
セラミック多層配線基板は、従来から知られているよう
に、アルミナ、ベリリア寺のセラミックグリーンシート
上に、タングステン、モリブテン等の高融点金属を主成
分とするメタライズ用ペーストを印刷して配線ｊ曽を形
成し、その配線層およびセラミックグリーンシート上に
所定のピアホールを形成するように絶縁ペーストを印刷
して誘電体層を形成し、これらの配線層と誘電体層とを
交、互に形成して多層化した後、焼成して得られる。
に、アルミナ、ベリリア寺のセラミックグリーンシート
上に、タングステン、モリブテン等の高融点金属を主成
分とするメタライズ用ペーストを印刷して配線ｊ曽を形
成し、その配線層およびセラミックグリーンシート上に
所定のピアホールを形成するように絶縁ペーストを印刷
して誘電体層を形成し、これらの配線層と誘電体層とを
交、互に形成して多層化した後、焼成して得られる。
本発明では、このようなセラミック多層配線基板上にさ
らに酸化性雰囲気で焼成される厚膜ペーストを以って厚
膜回路が形成されるセラミック厚膜回路基板において、
厚膜回路と電気的に導通されるセラミック多層配線基板
の配線層の組成を規定するものである。
らに酸化性雰囲気で焼成される厚膜ペーストを以って厚
膜回路が形成されるセラミック厚膜回路基板において、
厚膜回路と電気的に導通されるセラミック多層配線基板
の配線層の組成を規定するものである。
配線層の組成として、タングステンｌｏｏｍ鼠部に対し
て、白金またはパラジウムを０゜ｔｘ鼠恥部以上する理
由は０．１重量部未満では、配線層が厚膜ペーストの焼
成中に酸化され導通抵抗が大きく実用に供せられないか
らであり、白金およびパラジウムをそれぞれ年払に含む
場合、それぞれ１ＵｔＩ車垣部以下および２０亀垣部以
下とする理由は、これらの数値以上含まれる場合、配ｆ
ｆＭ）曽がセラミック基板および誘電体層に対して密宥
性が悪くなり、配線層が剥離するからである。
て、白金またはパラジウムを０゜ｔｘ鼠恥部以上する理
由は０．１重量部未満では、配線層が厚膜ペーストの焼
成中に酸化され導通抵抗が大きく実用に供せられないか
らであり、白金およびパラジウムをそれぞれ年払に含む
場合、それぞれ１ＵｔＩ車垣部以下および２０亀垣部以
下とする理由は、これらの数値以上含まれる場合、配ｆ
ｆＭ）曽がセラミック基板および誘電体層に対して密宥
性が悪くなり、配線層が剥離するからである。
また白金とパラジウムの両力を含有する場合、７６旭凰
部以１にする理由は、Ｉ］’Ｊ記の配線層の密着性の劣
化および配線層の電気抵抗か大きくなる、ためである。
部以１にする理由は、Ｉ］’Ｊ記の配線層の密着性の劣
化および配線層の電気抵抗か大きくなる、ためである。
第２図に示すように、アルミナセラミックグリーンシー
）１１上にタングステン粉末に有機バインダー等の印刷
助剤を加えたタングステンメタライズペーストをスクリ
ーン印刷により配Ｎ層、ｉｓｌを形成し、次いでその配
置１１ｖ７１２Ａ上にピアホール１４Ａが形成されるよ
うに前記アルミナセラミックグリーンシートと同一組成
の絶縁ペーストをスクリーン印刷して誘電体層１８Ａを
形成した後、その７誘電体層１８Ａ上および前記ピアホ
ール１４Ａ中に前記配線層１２Ａと同一組成の配線層１
２Ｂをスクリーン印刷により形成する一方、第１表の配
置Ｊ１の成分の１１蝿にボずタングステン、白金、パラ
ジウムおよびこれらの屁合物に印１＋ｌＪ助剤を加えた
メタライズペーストをスクリーン印刷によりＭｉＪ記配
線層１２Ｂと導通する配線層１２０を形成した。
）１１上にタングステン粉末に有機バインダー等の印刷
助剤を加えたタングステンメタライズペーストをスクリ
ーン印刷により配Ｎ層、ｉｓｌを形成し、次いでその配
置１１ｖ７１２Ａ上にピアホール１４Ａが形成されるよ
うに前記アルミナセラミックグリーンシートと同一組成
の絶縁ペーストをスクリーン印刷して誘電体層１８Ａを
形成した後、その７誘電体層１８Ａ上および前記ピアホ
ール１４Ａ中に前記配線層１２Ａと同一組成の配線層１
２Ｂをスクリーン印刷により形成する一方、第１表の配
置Ｊ１の成分の１１蝿にボずタングステン、白金、パラ
ジウムおよびこれらの屁合物に印１＋ｌＪ助剤を加えた
メタライズペーストをスクリーン印刷によりＭｉＪ記配
線層１２Ｂと導通する配線層１２０を形成した。
次に、前記配Ｍｌ曽１２０の一部にピアホール１４Ｂ。
１４０が形成されるように配線層１２Ｂ、１２０および
駒電俸層１８Ａ上に誘電体層１８Ａと同一の絶縁ペース
トをスクリーン印刷してあ電体Ｊ曽１８Ｂを、形成した
後、還元雰囲気中で１５５０°Ｃ，２時間焼成してセラ
ミック多層配線基板１５を得た。
駒電俸層１８Ａ上に誘電体層１８Ａと同一の絶縁ペース
トをスクリーン印刷してあ電体Ｊ曽１８Ｂを、形成した
後、還元雰囲気中で１５５０°Ｃ，２時間焼成してセラ
ミック多層配線基板１５を得た。
このようにして得られたセラミック多層配線基板につい
て、配ｍ層１２０を釦を以って突き密着性を外観絆価す
る一方、ピアホール１４Ｂ、 １４６闇の電気抵抗を触
針式で測定した。
て、配ｍ層１２０を釦を以って突き密着性を外観絆価す
る一方、ピアホール１４Ｂ、 １４６闇の電気抵抗を触
針式で測定した。
次に、′このセラミック多層基板の配ｍ層１２０上に設
けられたピアホール１４Ｂ、１４０をそれぞれ含み、か
つ誘電体層１３Ｂ上に銀糸厚膜導体ペースト（昭栄化学
■製品査Ｄ−４０２１）を用いて、スクリーン印刷にて
Ｘ＆１６Ａ、１６Ｂを形成した後、空気中にて６２０°
Ｃ，１０分間焼成してセラミック厚膜回路基板１７を碍
だ。
けられたピアホール１４Ｂ、１４０をそれぞれ含み、か
つ誘電体層１３Ｂ上に銀糸厚膜導体ペースト（昭栄化学
■製品査Ｄ−４０２１）を用いて、スクリーン印刷にて
Ｘ＆１６Ａ、１６Ｂを形成した後、空気中にて６２０°
Ｃ，１０分間焼成してセラミック厚膜回路基板１７を碍
だ。
このようにして得られた各柚金挑成分の導体）？Ｍを有
するセラミック厚膜回路基板について厚膜の電極１６Ａ
、１６Ｂ間の抵抗を測定した。外貌および厚膜の電極間
の抵抗（］μからピアホール間の抵抗値を減じた値、す
なわち厚膜と配線層との接触抵抗値をそれぞれ第１表に
示す。
するセラミック厚膜回路基板について厚膜の電極１６Ａ
、１６Ｂ間の抵抗を測定した。外貌および厚膜の電極間
の抵抗（］μからピアホール間の抵抗値を減じた値、す
なわち厚膜と配線層との接触抵抗値をそれぞれ第１表に
示す。
この実施例により本発明の配線層を有するセラミックニ
ジ膜回路基板は配線層の密着性がよく、接触抵抗が小さ
いものであることが確認された。
ジ膜回路基板は配線層の密着性がよく、接触抵抗が小さ
いものであることが確認された。
以上の説明から明らかなように、本４ｈ明の配線層を有
するセラミック厚膜回路基板は、厚膜回路を形成するだ
めの酸化雰囲気に対して充分な耐酸化性を有し、厚膜回
路との専通抵抗が低く、メッキもしくは特別なＪ１！、
膜材料を選択する必要がなく、従来性われているセラミ
ック多層配線基板に用いられる、スクリーン印刷工程が
そのまま適用できるので、経済的で信頼性の高いセラミ
ック厚膜回路基板が得られるもので、麺業上極めて不用
である。
するセラミック厚膜回路基板は、厚膜回路を形成するだ
めの酸化雰囲気に対して充分な耐酸化性を有し、厚膜回
路との専通抵抗が低く、メッキもしくは特別なＪ１！、
膜材料を選択する必要がなく、従来性われているセラミ
ック多層配線基板に用いられる、スクリーン印刷工程が
そのまま適用できるので、経済的で信頼性の高いセラミ
ック厚膜回路基板が得られるもので、麺業上極めて不用
である。
第１図はりＥ来の回路基板を示す断面図、第２図は本発
明における実施例を示す回路基板の断面図である。 １・・・セラミック基板、２・・・配ｍｌ曽、８・・・
誘電体層、４・・・ピアポール、５・・・セラミック多
層配線基板、６・・・厚膜回路、７・・・セラミック厚
膜回路基板１１・・・セラミックグリーンシート、１２
Ａ、１２Ｂ。 １２０・・・配線層、１８Ａ、１８Ｂ・・・誘電体層、
１４Ａ。 １４Ｂ、１４Ｇ、・・ピアホール、１５・・・セラミッ
ク多層配線基板、１６Ａ、１６Ｅ・・・電極、１７・・
・セラミック厚膜回路基板。 符Ｗｊ・出願人 日本碍子株式会社
明における実施例を示す回路基板の断面図である。 １・・・セラミック基板、２・・・配ｍｌ曽、８・・・
誘電体層、４・・・ピアポール、５・・・セラミック多
層配線基板、６・・・厚膜回路、７・・・セラミック厚
膜回路基板１１・・・セラミックグリーンシート、１２
Ａ、１２Ｂ。 １２０・・・配線層、１８Ａ、１８Ｂ・・・誘電体層、
１４Ａ。 １４Ｂ、１４Ｇ、・・ピアホール、１５・・・セラミッ
ク多層配線基板、１６Ａ、１６Ｅ・・・電極、１７・・
・セラミック厚膜回路基板。 符Ｗｊ・出願人 日本碍子株式会社
Claims (1)
- Ｌ セラミック多層配線基板上に酸化性雰囲気中で焼成
される厚膜導体が設けられるセラミック厚膜回路基板に
おいて、厚膜導体か接続されるセラミック多層配線基板
の配＠４層は、タングステン１００恵鳳部に対し白金ま
たはパラジウムの１棟または２種含有し、白金のみ含有
する場合には０．１〜１００重鼠部、パラジウムのみ含
有する場合には０．１〜２ｎｄ鍬都、白金およびパラジ
ウムを含有する場合は白金とパラジウムの合Ｗｌ−ｍが
ｔＪ、 １〜７６厭ＭＬ都でかつパラジウムは２０本量
部以下であることを特徴とするセラミック厚膜回路基＆
ｄ
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57187675A JPS5975695A (ja) | 1982-10-23 | 1982-10-23 | セラミツク厚膜回路基板 |
| US06/544,243 US4529835A (en) | 1982-10-23 | 1983-10-21 | Ceramic thick film circuit substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57187675A JPS5975695A (ja) | 1982-10-23 | 1982-10-23 | セラミツク厚膜回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5975695A true JPS5975695A (ja) | 1984-04-28 |
| JPS6317357B2 JPS6317357B2 (ja) | 1988-04-13 |
Family
ID=16210177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57187675A Granted JPS5975695A (ja) | 1982-10-23 | 1982-10-23 | セラミツク厚膜回路基板 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4529835A (ja) |
| JP (1) | JPS5975695A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59119796A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-11 | 松下電器産業株式会社 | 多層配線基板 |
| JPS59119795A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-11 | 松下電器産業株式会社 | 多層配線基板 |
| JPS62123795A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-05 | 株式会社東芝 | 配線基板 |
| JP2014132673A (ja) * | 2014-02-12 | 2014-07-17 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及びその製造方法 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61236192A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-21 | 株式会社日立製作所 | セラミツク基板の電極形成方法 |
| DE3685647T2 (de) * | 1985-07-16 | 1993-01-07 | Nippon Telegraph & Telephone | Verbindungskontakte zwischen substraten und verfahren zur herstellung derselben. |
| JPH0714105B2 (ja) * | 1986-05-19 | 1995-02-15 | 日本電装株式会社 | 混成集積回路基板及びその製造方法 |
| DE3786600T2 (de) * | 1986-05-30 | 1993-11-04 | Furukawa Electric Co Ltd | Mehrschichtige gedruckte schaltung und verfahren zu ihrer herstellung. |
| US4963187A (en) * | 1987-03-04 | 1990-10-16 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Metallizing paste for circuit board having low thermal expansion coefficient |
| JPH01248593A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Ngk Insulators Ltd | セラミック多層配線基板 |
| JP3286651B2 (ja) * | 1993-12-27 | 2002-05-27 | 株式会社住友金属エレクトロデバイス | セラミック多層配線基板およびその製造法並びにセラミック多層配線基板用導電材料 |
| US5889462A (en) * | 1996-04-08 | 1999-03-30 | Bourns, Inc. | Multilayer thick film surge resistor network |
| JP3399349B2 (ja) * | 1998-03-17 | 2003-04-21 | 株式会社村田製作所 | 積層バリスタおよびその製造方法 |
| US7615481B2 (en) * | 2006-11-17 | 2009-11-10 | Ricoh Company, Ltd. | Method of manufacturing multilevel interconnect structure and multilevel interconnect structure |
| KR100896610B1 (ko) * | 2007-11-05 | 2009-05-08 | 삼성전기주식회사 | 다층 세라믹 기판 및 그 제조방법 |
| KR100969437B1 (ko) * | 2008-06-13 | 2010-07-14 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4954859A (ja) * | 1972-09-27 | 1974-05-28 | ||
| JPS5053863A (ja) * | 1973-09-12 | 1975-05-13 | ||
| JPS5712600A (en) * | 1980-06-27 | 1982-01-22 | Hitachi Ltd | Method of producing thick film multilayer circuit board |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1096655A (en) * | 1914-03-05 | 1914-05-12 | Gen Electric | Platinum alloy. |
| GB157988A (en) * | 1914-03-05 | 1922-05-12 | British Thomson Houston Co Ltd | Improvements in and relating to platinum alloys |
| US1779603A (en) * | 1926-03-02 | 1930-10-28 | Western Electric Co | Alloy for electrical contacts |
| US2094570A (en) * | 1936-07-01 | 1937-09-28 | Western Union Telegraph Co | Electric contact |
| US3838204A (en) * | 1966-03-30 | 1974-09-24 | Ibm | Multilayer circuits |
| US3511640A (en) * | 1968-03-27 | 1970-05-12 | Du Pont | Degassing platinum powders |
| US3872360A (en) * | 1973-01-08 | 1975-03-18 | Du Pont | Capacitors with nickel containing electrodes |
| US3912611A (en) * | 1973-03-12 | 1975-10-14 | Bell Telephone Labor Inc | Film material and devices using same |
| JPS6036948B2 (ja) * | 1976-03-10 | 1985-08-23 | 株式会社パイロット | ドツトプリンテイングワイヤ− |
| FR2476913B1 (fr) * | 1980-02-25 | 1985-09-13 | Nippon Electric Co | Circuit a plusieurs couches pour integration a grande echelle et procede de fabrication de ce circuit |
-
1982
- 1982-10-23 JP JP57187675A patent/JPS5975695A/ja active Granted
-
1983
- 1983-10-21 US US06/544,243 patent/US4529835A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4954859A (ja) * | 1972-09-27 | 1974-05-28 | ||
| JPS5053863A (ja) * | 1973-09-12 | 1975-05-13 | ||
| JPS5712600A (en) * | 1980-06-27 | 1982-01-22 | Hitachi Ltd | Method of producing thick film multilayer circuit board |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59119796A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-11 | 松下電器産業株式会社 | 多層配線基板 |
| JPS59119795A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-11 | 松下電器産業株式会社 | 多層配線基板 |
| JPS62123795A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-05 | 株式会社東芝 | 配線基板 |
| JPH0434317B2 (ja) * | 1985-11-25 | 1992-06-05 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JP2014132673A (ja) * | 2014-02-12 | 2014-07-17 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4529835A (en) | 1985-07-16 |
| JPS6317357B2 (ja) | 1988-04-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5975695A (ja) | セラミツク厚膜回路基板 | |
| GB2026549A (en) | Compositions and ceramic articles compristing them | |
| JPS60117796A (ja) | 多層配線基板及びその製造方法 | |
| JP2634592B2 (ja) | 低抵抗付回路基板およびその製造法 | |
| JP2816742B2 (ja) | 回路基板 | |
| JP2770693B2 (ja) | 厚膜多層回路基板 | |
| JP2600477B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JP3176258B2 (ja) | 多層配線基板 | |
| JPS598373Y2 (ja) | プリント配線板 | |
| JP2770692B2 (ja) | 厚膜多層回路基板 | |
| JPS60167489A (ja) | セラミツク回路基板の製造方法 | |
| JPS6077492A (ja) | セラミック多層配線基板の製造法 | |
| JPS6085598A (ja) | 多層配線基板 | |
| JP2842710B2 (ja) | 回路基板 | |
| JP2738603B2 (ja) | 回路基板 | |
| JPH0430199B2 (ja) | ||
| JPS6077187A (ja) | セラミツク電子部品及びその製造法 | |
| JPS62167272A (ja) | 銅ペ−ストおよび銅導体セラミツク配線基板 | |
| JPS58153394A (ja) | 抵抗付セラミツク多層回路板の製造法 | |
| JPH0544200B2 (ja) | ||
| JPS60213079A (ja) | ホ−ロ−基板 | |
| JPS61222196A (ja) | 厚膜導体の接続構造 | |
| JPS61164298A (ja) | 複合セラミツク多層配線板及びその製造方法 | |
| JPS60175495A (ja) | 多層基板 | |
| JPS61222198A (ja) | 複合セラミツク多層配線板 |