JPS62123795A - 配線基板 - Google Patents

配線基板

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JPS62123795A
JPS62123795A JP26238585A JP26238585A JPS62123795A JP S62123795 A JPS62123795 A JP S62123795A JP 26238585 A JP26238585 A JP 26238585A JP 26238585 A JP26238585 A JP 26238585A JP S62123795 A JPS62123795 A JP S62123795A
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JP
Japan
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conductor
plating
pattern
wiring board
paste
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JP26238585A
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JPH0434317B2 (ja
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菊池 紀實
五代儀 靖
忠司 酒井
浜村 清人
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の技術分野) 本発明は、セラミック配線基板に関する。
(発明の技術的背景とその問題点) 従来のセラミック多層配線基板は、一般的に次の様な方
法で製造されている。
例えば、酸化アルミニウム(Al2O2>を主成分とす
るセラミック扮末をスラリー化して、ドクターブレード
法でグリーン・シート(未焼成シート)を得る。このグ
リーン・シート上にタングステン(W>でなる導体ペー
ストを用いて所望の導体パターンを形成したシートを複
数用意し、これらを積層して、還元雰囲気で焼成する。
又、他の方法としてグリーン・シー1〜上にWペース1
〜を用いて導体パターンを形成し、その上に絶縁パター
ンを上下導体パターンの多層化可能なように、所望部分
を除いて形成し、ざらにその上に第2の導体パターン形
成というように導体パターンと絶縁層パターンを交互に
くり返して多層化し、これを同時に焼成する方法がある
。しかしながらこのような方法で得られたセラミック多
層配線基板では、次のような問題があった。
まず、基板表面上のW導体パターンに直接ワイヤ・ホン
ディングが出来ない。すなわち、基板表面にIC等のチ
ップを搭載し、ICと基板との電気的接続の為に金線を
用いて基板のワイヤポンディングパットにワイヤ・ポン
ディングする為には、焼成のままの従来の基板ではポン
ディングワイヤが基板に十分な強度で密着できなかった
。そのため金(ALI>のめつぎ処理が必要でおった。
しかしながら、このめっき処理では薄い均一なAUめっ
きを得ることは困難であるとともに、Auは高価である
ためコスト低減の面からも問題であった。
また、Auめっきの密着力を改善するためにニッケル(
Ni)の下地めっきを行なうことも試みられているが、
工程が複雑になり実用上好ましいものではなかった。更
に従来の基板では、基板のたとえば信号入出力用パター
ン(I10パターン)にリードフレームを付ける為に銀
ろう付けする際にもI10パターン上にNiめっきする
必要があるが、この場合銀ろう付けの工程でNiめつき
層に7タレが生ずる等の現象を生じることがあった。
(発明の目的) 本発明は前述したような従来の基板の問題点を解決した
もので、焼成後の基板の所望導体パターン部に直接ワイ
ヤ・ホンディングが可能で、かつ直接銀ろう付けも出来
るセラミック配線基板を提供する。
(発明の概要) 本発明の配線基板は、セラミック基板の平面部に導体が
形成された配線基板で必って、導体が白金(Pt)及び
タングステン(W>を主成分とするペーストを焼成した
もので形成されたことを特徴とする。前記導体の白金の
割合は40〜90重量%がよい。白金の割合は、40%
以上であれば直接ワイヤ・ポンディング及び直接銀ろう
付けが実用的に可能となり、更に直接金めつきも可能と
なるとともに抵抗値の点でも好ましい効果をもたらす。
また耐酸化性の点でも有利である。白金の割合が余り多
いとコスト的に不利である。より好ましい範囲は、50
〜80%である。また、導体層は10μ程度迄が実用的
である。
セラミック基板を複数積層した多層基板は、多くの回路
を含むことができて有利である。この多層基板は、積層
された上下導体層が、相互に必要部分で接続される。
またセラミック基板は、Al203−アルミナおるいは
AINが好ましい。前者は汎用性があり安価である点で
有利であり、後者は、熱伝導性が優れている点で有利で
ある。いずれのセラミックも本発明で用いる導体ペース
トとの密着性に優れる。
本発明の配線基板は次のような方法で得ることができる
。例えば、セラミックでなるグリーン・シート上に所定
の導体ペーストで所望パターンを形成する工程と、この
導体パターン付きグリーン・シートを複数個積層して多
層化する工程と、積層済みグリーン・シートを同時焼成
する工程を含む方法がある。またグリーン・シート上に
、導体ペーストで所望パターンを形成する工程と、この
パターン上に所望パターンで上下導体間の絶縁層を形成
する工程と、これら導体パターン、絶縁層パターン形成
を複数回くり返し多層配線化する工程と、多層化グリー
ン・シートを同時焼成する工程を含む方法がおる。
(発明の実施例) 実施例1 アルミナ(93wt%)を主成分とし、他にS i 0
2 、fVlgo、cao等を微量含むセラミックに溶
剤、可塑剤、樹脂を加え、ボールミルで混合し、スラリ
ー化した。これをドクターブレード装置を通し、グリー
ン・シート(0,4m厚)を得た。このグリーン・シー
トに、複数枚積層した際上下導体間の所望部分が接続さ
れるビアーホールを形成し、ピアホール内にはスクリー
ン印刷法により導体ペーストを充填した。
次いでこのグリーン・シート上に所望導体パターンをス
クリーン印刷法で成形した。このようにして複数の印刷
済みグリーン・シートを得た。
これらは積層、焼成後、一体となって所望機能を得る事
が出来るようにパターン条件グされている。
次いで、これらのグリーン・シートを熱圧着し積層した
。これを約1550’C還元雰囲気中で同時焼成した。
ここで、スクリーン印刷に用いた導体ペーストについて
説明する。
PtメタルとWメタル粉を混合、混練して1qたペース
ト及びPtペースト及びWペーストを各々混合、混練し
て1qだペーストを用いた。
第1のメタルパウダーは、Ptとして、昭栄化学工業(
株)製を用い、Wとしては東芝製を用いた。これらのP
t及びW粉末を各々Pt   40〜90 wt% W   5〜50 wt% とり、これらを十分混練した。
第2の市販ペーストは、ptペーストとして昭栄化学工
業(株)製を用い、Wペーストとして大宮化成製を用い
た。各々の量は、 Ptペースト  40〜90 wt% Wペースト 10〜60 wt% とり、これらを十分混練した。これらのPt及びWの各
々の組成比率を表1に示した。
表  1 こうして得られた配線基板により基板の特性を調べ以下
のような結果を1qだ。
■基板表面のワイヤ・ボンディングバット部に30μφ
の金線を用いて、直接ワイヤ・ボンディングした。ボン
ディング条件は、TSボンダー(K&S社製)を用い温
度約150’Cで行なった。
試料Nα1〜10の基板全てについて実施したが、73
〜183のボンディング強度があり、実用上十分な結果
を得た。
■各試料について導体抵抗を測定した。導体パターン幅
120〜128μm、長さ95〜102m、膜厚8〜1
2μmの同一ラインで測定して得た結果を表2に示す。
表2 表2からも明らかなように導体ペーストのPt、W成分
比をコントロールする事で任意の導体抵抗を一回の同時
焼成で形成する事が出来た。
参考迄に従来の市販Wペースト(大宮化成)を用いた場
合は、同じパターン条件で、その抵抗値は約10〜15
Ω程度でしかない。
■基板のI10パターンに、直接銀ろう付けをした。試
料Nα1〜6の全ての基板が0.7〜1.3に’j /
 s 2と従来のNiめつきlろう付けしたと同等の密
着力であった。用いた銀ろうは、山中貴金属製でリード
フレームには4270イ材を用い800〜830°C1
水素雰囲気中で行なった。
従って、従来銀ろう付けする際、その下地として必要で
あったNiめつきが不要となり、従来銀ろう付は中にN
iミツフレ生じたりするようなトラブルは無くなり、か
つ大幅な工程域、工数減となった。
■焼成後基板の表面に直接Auめっきをした。
めっきの前処理を施こしたのち約50%塩駿(Hc l
 )中で10〜30’C5分間活性化し、次いで高アル
カリのAu置換めっき浴で約95°C1約5分の薄めつ
ぎ後、金めつき浴(商品名−オーラックス)を用い70
℃60〜90分で金めつぎした。
1〜10の各試料のめっき厚は1.5〜2.0μmで、
均一にムラなく所望パターン上についていた。
■焼成後の基板を空気中で1300℃、1H及び100
H加熱した。
内部及び外表面が、ビアーホールで接続されている12
0〜128μm幅のラインで、導体抵抗及び外表面の変
色をテストした結果を表3に示す。
以下余白 表3に示す如く、試料1及び6では、100tf経過で
抵抗値が1〜3Ω程度上昇し色も少し茶色になったが、
実用上は問題なくその他のものは全て変化なく、実用上
十分な値であった。なお、本実施例にあけるW及びPt
の組成比は表1の如くであるが、組成変化による傾向と
してはWの比率が低くなると導体抵抗値は高くなり、直
接ワイヤ・ポンディング性、直接限ろう付は性、直接金
めっき性等の効果が増大する。
実施例2 アルミナグリーン・シートを予め4枚用意し、この上に
スクリーン印刷法で導体ペースト、絶縁ペーストを交互
に印刷して多層配線構造にしたグリーン・シートを所望
外形に切断する為スリットをつけ、1530〜1560
’C還元雰囲気中で湿潤水素を注入して得た。
使用したグリーン・シート、導体ペースト等は実施例1
と同様の物である。多層化の為に、第1導体層をスクリ
ーン印刷機を用いて印刷し、次いで絶縁層を印刷した。
この時上下導体層間を接続する為のビアーホール部は、
絶縁層が印刷されず穴となる。次にビアーホール部に導
体ペーストをスクリーン印刷法で充填し、その上に第2
の導体層を形成した。このようにして導体、絶縁層を交
互に印刷法で形成し、最終的に導体3層とした。これら
を同時焼成した。各種評価を、実施例1と同様に行なっ
たところほぼ同等の結果を得ることができた。
(発明の結果) 以上述べたように、本発明の配線基板によれば焼成後の
基板外周部の所望パターン部に直接AUワイヤ・ボンデ
ィングが可能となる。また、焼成後の基板外周部の所望
パターン部に直接銀ろう付けが可能となる。従って、従
来ワイヤ・ボンディングヤ銀ろう付けの為に必要で必っ
たN1めつきやAtJめつきが不要となる。したがって
貴金属で高価なAUを使わずに済み、省資源でもおり、
ALJめっきの工捏不要となり大幅な歩留りアップ、コ
スト減を達成することができる。
さらに、Niめっき不要で銀ろう付は可能となり、全体
としてNi、Auとも不要の、いわゆるめっき不要のセ
ラミック多層基板を得ることが可能となる。なお、表面
導体パターン上にAuめつきが必要な場合は、下地にN
iめつき不要で、直接Auめっきを施す事が可能となり
、かつAUめっきと導体メタルの密着力は従来のものと
比較すると格段に大きくなる。更に焼成後の基板、ある
いは基板の所望パターン部にAIJめっきを施した後の
基板は、空気中での高温処理に絶えるようになる。また
、任意の抵抗値を有する導体パターンを一回の同時焼成
で形成する事が可能となる。なお、前記実施例では、多
層構造の基板について述べたが導体一層のセラミック基
板でも同様の効果が得られる。また、Pt/Wの導体ペ
ーストを用いる事によって従来の無電解Niめっきで必
要とされていたPdによる置換を必要とせず、直接Ni
ヤ銅(Cu)もめっき出来るとともに、直接会めっきの
他にpdや銀(AQ)も直接めっき出来る。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)セラミック基板の平面部に導体が形成された配線
    基板であつて導体が白金及びタングステンを主成分とす
    るペーストを焼成したもので形成された配線基板。
  2. (2)導体の白金の割合は、40〜90重量%である特
    許請求の範囲第1項に記載の配線基板。
  3. (3)セラミック基板が複数積層したものである特許請
    求の範囲第1項に記載の配線基板。
  4. (4)セラミック基板は、酸化アルミニウム、窒化物ア
    ルミニウムのいずれかである特許請求の範囲第1項に記
    載の配線基板。
JP26238585A 1985-11-25 1985-11-25 配線基板 Granted JPS62123795A (ja)

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JP26238585A JPS62123795A (ja) 1985-11-25 1985-11-25 配線基板

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JP26238585A JPS62123795A (ja) 1985-11-25 1985-11-25 配線基板

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JPS62123795A true JPS62123795A (ja) 1987-06-05
JPH0434317B2 JPH0434317B2 (ja) 1992-06-05

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ID=17375019

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JP26238585A Granted JPS62123795A (ja) 1985-11-25 1985-11-25 配線基板

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0660651A1 (en) * 1993-12-27 1995-06-28 Sumitomo Metal Ceramics Inc. Multilayer ceramic circuit substrate, process for producing the same, and electrically conductive material for use in multilayer ceramic circuit substrate

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5392465A (en) * 1977-01-24 1978-08-14 Nippon Electric Co Electronic circuit element board
JPS5975695A (ja) * 1982-10-23 1984-04-28 日本碍子株式会社 セラミツク厚膜回路基板

Patent Citations (2)

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Publication number Publication date
JPH0434317B2 (ja) 1992-06-05

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