JPH05139849A - セラミツク多層基板の製造方法 - Google Patents
セラミツク多層基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH05139849A JPH05139849A JP3300122A JP30012291A JPH05139849A JP H05139849 A JPH05139849 A JP H05139849A JP 3300122 A JP3300122 A JP 3300122A JP 30012291 A JP30012291 A JP 30012291A JP H05139849 A JPH05139849 A JP H05139849A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- ceramic
- conductor
- plate
- ceramic multilayer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Furnace Charging Or Discharging (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はセラミック多層基板焼成時に敷き板
と蓋として使用するセラミック板を提供することを目的
とする。 【構成】 セラミック多層基板焼成時の敷板と基板上に
覆いをする為の蓋として使用する、板全面積の５．０〜
３０．０％の孔を開けたことを特徴とするセラミック
板。 【効果】 本発明は上記構成により、焼成時における熱
伝導が均一になり、基板の平滑性を保ちつつ高速での焼
成を行うことが出来、なおかつＣｕ導体付近のＯ2雰囲
気を損なうことが無く、導体と基板との反応、導体内部
の焼結反応を促進し、高い接着強度、シート抵抗の低下
をもたらす事が出来る。
と蓋として使用するセラミック板を提供することを目的
とする。 【構成】 セラミック多層基板焼成時の敷板と基板上に
覆いをする為の蓋として使用する、板全面積の５．０〜
３０．０％の孔を開けたことを特徴とするセラミック
板。 【効果】 本発明は上記構成により、焼成時における熱
伝導が均一になり、基板の平滑性を保ちつつ高速での焼
成を行うことが出来、なおかつＣｕ導体付近のＯ2雰囲
気を損なうことが無く、導体と基板との反応、導体内部
の焼結反応を促進し、高い接着強度、シート抵抗の低下
をもたらす事が出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はチップ部品等を載せ、か
つそれらを相互配線するセラミック多層基板の製造方法
に関するものである。
つそれらを相互配線するセラミック多層基板の製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】セラミック多層基板の導体組成物は一般
に、導電性金属、無機酸化物、ガラス粉末が有機媒体中
に分散されているペースト状組成物である。その原料と
して用いる導電性金属としては金、銀、パラジウム、白
金またはそれらの混合物または合金などが使用されてい
るがこれら貴金属は高価でありまた価格変動が大きい。
に、導電性金属、無機酸化物、ガラス粉末が有機媒体中
に分散されているペースト状組成物である。その原料と
して用いる導電性金属としては金、銀、パラジウム、白
金またはそれらの混合物または合金などが使用されてい
るがこれら貴金属は高価でありまた価格変動が大きい。
【０００３】このことから、導電性金属としては安価な
卑金属が使用されてきている。この中でも、Ｃｕが比抵
抗も小さく、半田濡れ性も優れているため、セラミック
多層基板の導体材料に使用されてきている。このような
金属Ｃｕ導体材料としては、銅粉末、酸化亜鉛粉末、ホ
ウ酸鉛ガラス粉末、ホウ珪酸塩ガラス粉末、亜酸化銅粉
末、及び有機媒体からなる組成物が開示され、各種エー
ジング試験における接着強度の劣化を改善することが示
されている（特開平1-192780号公報）。
卑金属が使用されてきている。この中でも、Ｃｕが比抵
抗も小さく、半田濡れ性も優れているため、セラミック
多層基板の導体材料に使用されてきている。このような
金属Ｃｕ導体材料としては、銅粉末、酸化亜鉛粉末、ホ
ウ酸鉛ガラス粉末、ホウ珪酸塩ガラス粉末、亜酸化銅粉
末、及び有機媒体からなる組成物が開示され、各種エー
ジング試験における接着強度の劣化を改善することが示
されている（特開平1-192780号公報）。
【０００４】そして近年、低温焼結セラミック多層基板
用の導体材料にＣｕを使用するときに、この配線材料の
出発原料として、ＣｕＯを使用する事が報告されている
（中谷他、「銅多層セラミック基板」、ナショナルテク
ニカルレポート、Vol.35、No.3、 P86〜94、1989）。
用の導体材料にＣｕを使用するときに、この配線材料の
出発原料として、ＣｕＯを使用する事が報告されている
（中谷他、「銅多層セラミック基板」、ナショナルテク
ニカルレポート、Vol.35、No.3、 P86〜94、1989）。
【０００５】しかしここでは、チップ部品などを載せる
多層基板の最上層には、内層電極と基板を焼成した後Ｃ
ｕペーストを印刷し再び焼成を行う方法が開示されてい
る。回路基板に、より高集積、高速への対応が求められ
ている現在、焼成時の基板の収縮を考えると、セラミッ
ク多層基板最上層にもＣｕＯペーストで印刷を行い、基
板、内層と共に同時焼成する事が望まれる。しかし現在
同時焼成用として最上層にＣｕＯペーストを使用する
と、導体と基板の接着強度が弱い、シート抵抗が高いな
ど部品を実装する上での解決すべき課題が多い。
多層基板の最上層には、内層電極と基板を焼成した後Ｃ
ｕペーストを印刷し再び焼成を行う方法が開示されてい
る。回路基板に、より高集積、高速への対応が求められ
ている現在、焼成時の基板の収縮を考えると、セラミッ
ク多層基板最上層にもＣｕＯペーストで印刷を行い、基
板、内層と共に同時焼成する事が望まれる。しかし現在
同時焼成用として最上層にＣｕＯペーストを使用する
と、導体と基板の接着強度が弱い、シート抵抗が高いな
ど部品を実装する上での解決すべき課題が多い。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】現在ＣｕＯペーストを
出発原料とした内層、最上層同時焼成の低温焼結セラミ
ック多層基板の製作工程としては、ＣｕＯペーストをグ
リーンシート上に印刷し、必要枚数重ねて熱プレス機に
より８０℃、１００kg/ケ2の条件でプレスする積層工
程、ＣｕＯペーストやグリーンシート中の有機バインダ
を除去するための脱バインダ工程、印刷したＣｕＯをＣ
ｕにするための還元工程、そしてセラミック多層基板と
Ｃｕ導体を焼結する焼成工程がある。
出発原料とした内層、最上層同時焼成の低温焼結セラミ
ック多層基板の製作工程としては、ＣｕＯペーストをグ
リーンシート上に印刷し、必要枚数重ねて熱プレス機に
より８０℃、１００kg/ケ2の条件でプレスする積層工
程、ＣｕＯペーストやグリーンシート中の有機バインダ
を除去するための脱バインダ工程、印刷したＣｕＯをＣ
ｕにするための還元工程、そしてセラミック多層基板と
Ｃｕ導体を焼結する焼成工程がある。
【０００７】低温焼成多層基板はベルト型焼成炉におい
てＮ2中で９００℃焼成を１hrで行っている。しかし焼
成を高速で行うため、セラミック多層基板の焼成炉内で
の熱伝導が均一でなければ、セラミック多層基板の前後
での結晶化のずれが生じ基板の変型が起こってしまう。
てＮ2中で９００℃焼成を１hrで行っている。しかし焼
成を高速で行うため、セラミック多層基板の焼成炉内で
の熱伝導が均一でなければ、セラミック多層基板の前後
での結晶化のずれが生じ基板の変型が起こってしまう。
【０００８】この為、熱伝導を均一にする目的で図１の
様に基板上部にアルミナの板で覆いをしてベルト型焼成
炉に投入している。図１において、１１はセラミック多
層基板１２に覆いをするための蓋、１４はセラミック多
層基板１２を載せるための敷き板であり、ブロック１３
にて蓋１１を支えている。
様に基板上部にアルミナの板で覆いをしてベルト型焼成
炉に投入している。図１において、１１はセラミック多
層基板１２に覆いをするための蓋、１４はセラミック多
層基板１２を載せるための敷き板であり、ブロック１３
にて蓋１１を支えている。
【０００９】しかしこの方法では、セラミック多層基板
１２の平滑性は保てるが、基板及び導体ペースト中の有
機バインダが完全に除去できず、その上カーボンの形で
残留してしまい、焼成中の導体付近でカーボンがＯ2を
消費してＯ2量が低下するために還元雰囲気となり、Ｃ
ｕのメタライズが阻害されＣｕ導体の接着強度が低下
し、シート抵抗の値も悪い。
１２の平滑性は保てるが、基板及び導体ペースト中の有
機バインダが完全に除去できず、その上カーボンの形で
残留してしまい、焼成中の導体付近でカーボンがＯ2を
消費してＯ2量が低下するために還元雰囲気となり、Ｃ
ｕのメタライズが阻害されＣｕ導体の接着強度が低下
し、シート抵抗の値も悪い。
【００１０】本発明は、上記課題を解決するものであ
り、焼成を高速で行いつつＣｕ導体の接着強度、シート
抵抗などの性能の向上を目的とするものである。
り、焼成を高速で行いつつＣｕ導体の接着強度、シート
抵抗などの性能の向上を目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明のセラミック多層基板の製造方法は焼成時の
敷き板と蓋に使用するセラミック板に孔を開けたものを
使用する。孔の総面積は使用するセラミック板の全表面
積の５．０〜３０．０％とする。
に、本発明のセラミック多層基板の製造方法は焼成時の
敷き板と蓋に使用するセラミック板に孔を開けたものを
使用する。孔の総面積は使用するセラミック板の全表面
積の５．０〜３０．０％とする。
【００１２】
【作用】本発明は上記構成により、焼成時におけるセラ
ミック多層基板への熱伝導が均一になり、多層基板の平
滑性を保ちつつ高速での焼成を行うことが出来る。
ミック多層基板への熱伝導が均一になり、多層基板の平
滑性を保ちつつ高速での焼成を行うことが出来る。
【００１３】また焼成時にＣｕのメタライズにはある程
度の量のＮ2中の微量のＯ2が不可欠であるが、この時に
カーボンが残留しているとＣｕのメタライズを促進する
前にＯ2がＣと反応してＯ2量を低下させＣｕのメタライ
ズを阻害しＣｕ導体の性能を低下させる。
度の量のＮ2中の微量のＯ2が不可欠であるが、この時に
カーボンが残留しているとＣｕのメタライズを促進する
前にＯ2がＣと反応してＯ2量を低下させＣｕのメタライ
ズを阻害しＣｕ導体の性能を低下させる。
【００１４】これが上記構成の様に敷き板及び蓋に孔が
あるとにより、焼成時のセラミック多層基板付近の微量
のＯ2の循環が良好となりＣが完全に除去され、その結
果Ｏ2がＣｕのメタライズを十分に促進させ、Ｃｕ導体
の接着強度、シート抵抗などの性能を向上する事が出来
る。
あるとにより、焼成時のセラミック多層基板付近の微量
のＯ2の循環が良好となりＣが完全に除去され、その結
果Ｏ2がＣｕのメタライズを十分に促進させ、Ｃｕ導体
の接着強度、シート抵抗などの性能を向上する事が出来
る。
【００１５】
【実施例】以下本発明の実施例について述べる。
【００１６】導体ペーストは、ＣｕＯ粉末（平均粒径
２．５μｍ）にガラスフリット（日本電気硝子社製 Ｌ
Ｓ−０８０３ガラス粉末、平均粒径２．５μｍ）を３ｗ
ｔ％加えて無機成分とし、有機バインダのエチルセルロ
ースをターピネオールに溶かしたものをビヒクルとして
混合したものを使用した。
２．５μｍ）にガラスフリット（日本電気硝子社製 Ｌ
Ｓ−０８０３ガラス粉末、平均粒径２．５μｍ）を３ｗ
ｔ％加えて無機成分とし、有機バインダのエチルセルロ
ースをターピネオールに溶かしたものをビヒクルとして
混合したものを使用した。
【００１７】グリーンシートの無機成分には、ホウ珪酸
鉛ガラス粉末にＡｌ2Ｏ3粉末を混合した組成物（日本電
気硝子社製 ＭＬＳ−１９）を用いた。この無機成分
に、有機バインダにポリビニルブチラール、可塑剤にヂ
−ｎ−ブチルフタレート、溶剤としてトルエンとイソプ
ロピルアルコールの混合液とを混合し、フィルム上にド
クターブレード法で造膜したものをグリーンシートとし
て使用した。
鉛ガラス粉末にＡｌ2Ｏ3粉末を混合した組成物（日本電
気硝子社製 ＭＬＳ−１９）を用いた。この無機成分
に、有機バインダにポリビニルブチラール、可塑剤にヂ
−ｎ−ブチルフタレート、溶剤としてトルエンとイソプ
ロピルアルコールの混合液とを混合し、フィルム上にド
クターブレード法で造膜したものをグリーンシートとし
て使用した。
【００１８】上記グリーンシートを５枚数重ねて熱プレ
ス機により８０℃、１００kgの条件でプレスし、この表
面にスクリーン印刷機により上記ＣｕＯインキを印刷し
た。そして箱型炉において空気中にて５００℃、２時間
保持して、有機脱バインダ除去を行い、還元炉において
Ｈ2１００％中にて４００℃、５時間保持しＣｕＯの還
元を行った。
ス機により８０℃、１００kgの条件でプレスし、この表
面にスクリーン印刷機により上記ＣｕＯインキを印刷し
た。そして箱型炉において空気中にて５００℃、２時間
保持して、有機脱バインダ除去を行い、還元炉において
Ｈ2１００％中にて４００℃、５時間保持しＣｕＯの還
元を行った。
【００１９】そしてベルト炉において、それぞれ覆いと
するセラミック板の全面積に対する孔の開けた面積比を
変えた試料を使用しＮ2中、９００℃、１時間の焼成を
行いセラミック多層基板を作製した。この時のＯ2濃度
は約３ppm程度であった。
するセラミック板の全面積に対する孔の開けた面積比を
変えた試料を使用しＮ2中、９００℃、１時間の焼成を
行いセラミック多層基板を作製した。この時のＯ2濃度
は約３ppm程度であった。
【００２０】セラミック板には無機成分にはＡｌ2Ｏ3と
ホウ珪酸鉛ガラスを混合した粉体を使用し、上記グリー
ンシートと同様の組成で作成したグリーンシートを５枚
数重ねて熱プレス機により９０℃、２００kg/ケ2の条件
で積層し、焼成後板の全面積に対する孔の開けた面積比
が所定のものとなるようにパンチャーで孔を開け、箱型
炉において空気中にて５００℃、２時間保持、続けて９
００℃、１時間保持して作製したものを使用した。この
結果を（表１）に示す。
ホウ珪酸鉛ガラスを混合した粉体を使用し、上記グリー
ンシートと同様の組成で作成したグリーンシートを５枚
数重ねて熱プレス機により９０℃、２００kg/ケ2の条件
で積層し、焼成後板の全面積に対する孔の開けた面積比
が所定のものとなるようにパンチャーで孔を開け、箱型
炉において空気中にて５００℃、２時間保持、続けて９
００℃、１時間保持して作製したものを使用した。この
結果を（表１）に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】このときの性能評価方法は以下の通りであ
る。 接着強度：５枚数重ねたグリーンシート上に焼成後の寸
法が２mm×２mm導体膜１２ヶ所のパターンを印刷を行い
焼成した。その後パターン上にクリーム半田をメタルマ
スクを通して印刷し、その半田上に金メッキしたリン青
銅ピンを付けリフロー炉を通す。この後試料を強度試験
機で接着したピンの垂直方向から力を加え、基板よりピ
ンが剥がれるときの強度を測定している。リフローに使
用した炉はベルト伝熱式リフロー炉で、リフロー炉の設
定条件は、プリヒート温度１２０℃、リフロー温度は２
段階で第１段階が２００℃、第２段階が２７０℃の所を
２分間で通した。
る。 接着強度：５枚数重ねたグリーンシート上に焼成後の寸
法が２mm×２mm導体膜１２ヶ所のパターンを印刷を行い
焼成した。その後パターン上にクリーム半田をメタルマ
スクを通して印刷し、その半田上に金メッキしたリン青
銅ピンを付けリフロー炉を通す。この後試料を強度試験
機で接着したピンの垂直方向から力を加え、基板よりピ
ンが剥がれるときの強度を測定している。リフローに使
用した炉はベルト伝熱式リフロー炉で、リフロー炉の設
定条件は、プリヒート温度１２０℃、リフロー温度は２
段階で第１段階が２００℃、第２段階が２７０℃の所を
２分間で通した。
【００２３】シート抵抗：５枚数重ねたグリーンシート
上に焼成後の寸法がライン幅０．５mm、ライン全長１１
５mmのラインを印刷を行い焼成した。このパターンの抵
抗を測定しシート抵抗を算出した。この値から導体膜厚
１５μm時の値に換算した。
上に焼成後の寸法がライン幅０．５mm、ライン全長１１
５mmのラインを印刷を行い焼成した。このパターンの抵
抗を測定しシート抵抗を算出した。この値から導体膜厚
１５μm時の値に換算した。
【００２４】（表１）にも示されるようにシート抵抗が
低く、接着強度が２kg/mm以上の値を持つ試料は蓋をし
ていない試料１から孔の割合が５％の試料９までであ
る。また焼成を行ったセラミック多層基板が変形してい
ない試料は孔が３０％の試料６から完全に孔の無い蓋の
試料１２である。このことからセラミック多層基板の焼
成時の変形が無く、Ｃｕ導体の接着強度が高くシート抵
抗の低いものは孔の割合が面積比で５．０〜３０．０％
のものである。
低く、接着強度が２kg/mm以上の値を持つ試料は蓋をし
ていない試料１から孔の割合が５％の試料９までであ
る。また焼成を行ったセラミック多層基板が変形してい
ない試料は孔が３０％の試料６から完全に孔の無い蓋の
試料１２である。このことからセラミック多層基板の焼
成時の変形が無く、Ｃｕ導体の接着強度が高くシート抵
抗の低いものは孔の割合が面積比で５．０〜３０．０％
のものである。
【００２５】なお実施例ではセラミック板を蓋として使
用する場合を示しているが、印刷面が下に向いている場
合は敷板として使用し、印刷面が両面の時は蓋と敷き板
の両方に使用する事により同様の効果を得る事が出来
る。
用する場合を示しているが、印刷面が下に向いている場
合は敷板として使用し、印刷面が両面の時は蓋と敷き板
の両方に使用する事により同様の効果を得る事が出来
る。
【００２６】またセラミック板の無機成分にはＡｌ2Ｏ3
を使用しているが、その他ＢｅＯ、ＭｇＯ、ＴｉＯ、Ｚ
ｒＯ2を使用しても同様の結果を得る事が出来る。
を使用しているが、その他ＢｅＯ、ＭｇＯ、ＴｉＯ、Ｚ
ｒＯ2を使用しても同様の結果を得る事が出来る。
【００２７】
【発明の効果】本発明のセラミック多層基板焼成時に、
敷き板と蓋に使用するセラミック板は、孔を板面積全体
の５．０〜３０．０％開けることにより、多層基板への
熱伝導が均一になり、基板の平滑性を保ちつつ高速での
焼成を行うことが出来、なおかつＣｕ導体付近の雰囲気
を損なうことが無く、導体と基板との反応を促進させ、
導体内部の焼結性の向上をもたらし、高い接着強度を生
じ、シート抵抗を低下する事が出来る、工業上極めて効
果的なものである。
敷き板と蓋に使用するセラミック板は、孔を板面積全体
の５．０〜３０．０％開けることにより、多層基板への
熱伝導が均一になり、基板の平滑性を保ちつつ高速での
焼成を行うことが出来、なおかつＣｕ導体付近の雰囲気
を損なうことが無く、導体と基板との反応を促進させ、
導体内部の焼結性の向上をもたらし、高い接着強度を生
じ、シート抵抗を低下する事が出来る、工業上極めて効
果的なものである。
【図１】焼成時におけるセラミック多層基板とセラミッ
ク板による蓋、敷き板の位置関係を示す図
ク板による蓋、敷き板の位置関係を示す図
１１ 蓋 １２ セラミック多層基板 １３ ブロック １４ 敷き板
Claims (3)
- 【請求項１】 セラミック多層基板焼成時に多層基板を
のせる敷き板に、孔を開けたセラミック板を使用して焼
成する、もしくは前記敷き板に載せた多層基板上に覆い
をする為の蓋として、孔を開けたセラミック板を使用し
て焼成するセラミック多層基板の製造方法。 - 【請求項２】 セラミック板の全面積の５．０〜３０．
０％に孔を開けたものを使用することを特徴とする請求
項１記載のセラミック多層基板の製造方法。 - 【請求項３】 セラミック板がＡｌ2Ｏ3、ＢｅＯ、Ｍｇ
Ｏ、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2の内少なくとも１種以上を含むも
のを使用することを特徴とする請求項２記載のセラミッ
ク多層基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3300122A JPH05139849A (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | セラミツク多層基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3300122A JPH05139849A (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | セラミツク多層基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05139849A true JPH05139849A (ja) | 1993-06-08 |
Family
ID=17880992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3300122A Pending JPH05139849A (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | セラミツク多層基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05139849A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994017972A1 (en) * | 1993-02-02 | 1994-08-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Planking for firing and method of firing ceramic products by using the same |
| JP2005331185A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Mino Ceramic Co Ltd | セッターに用いるセラミックス製のカバー |
| JP2013091592A (ja) * | 2011-10-26 | 2013-05-16 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | セラミック基板の焼成装置及びこれを用いたセラミック基板の焼成方法 |
-
1991
- 1991-11-15 JP JP3300122A patent/JPH05139849A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994017972A1 (en) * | 1993-02-02 | 1994-08-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Planking for firing and method of firing ceramic products by using the same |
| US5529732A (en) * | 1993-02-02 | 1996-06-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Underlying boards for firing and a method for firing ceramic moldings by using such underlying boards |
| JP2005331185A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Mino Ceramic Co Ltd | セッターに用いるセラミックス製のカバー |
| JP2013091592A (ja) * | 2011-10-26 | 2013-05-16 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | セラミック基板の焼成装置及びこれを用いたセラミック基板の焼成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5370759A (en) | Method for producing multilayered ceramic substrate | |
| JPH0728128B2 (ja) | セラミック多層配線基板とその製造方法 | |
| JP2785544B2 (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| JPS6014494A (ja) | セラミツク多層配線基板およびその製造方法 | |
| JPS5852900A (ja) | セラミツク多層配線板の製造方法 | |
| JP3003413B2 (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| KR100744855B1 (ko) | 높은 열적 사이클 전도체 시스템 | |
| JPH06237081A (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| US4906405A (en) | Conductor composition and method of manufacturing a multilayered ceramic body using the composition | |
| JPH05327218A (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| JPH05139849A (ja) | セラミツク多層基板の製造方法 | |
| JP3100796B2 (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| JP3222296B2 (ja) | 導電性インキ | |
| JP3197147B2 (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| JP2816742B2 (ja) | 回路基板 | |
| JPH05327220A (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| JPH08134388A (ja) | 導電性インキ | |
| JP2855959B2 (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| JPH0588557B2 (ja) | ||
| JPH06313137A (ja) | 導電性インキ | |
| JPS6318356B2 (ja) | ||
| JPH05308193A (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| JPH05343851A (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| JPH0554718B2 (ja) | ||
| JPH0286194A (ja) | セラミック多層配線基板の製造方法 |