JPS59119796A - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
- Publication number
- JPS59119796A JPS59119796A JP23019982A JP23019982A JPS59119796A JP S59119796 A JPS59119796 A JP S59119796A JP 23019982 A JP23019982 A JP 23019982A JP 23019982 A JP23019982 A JP 23019982A JP S59119796 A JPS59119796 A JP S59119796A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- conductor layer
- layer
- multilayer wiring
- wiring board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は厚膜部品、ＩＣ，ＬＳＩなどからなる回路の高
密度実装用基板として用いることのできる多層配線基板
に関するものである。
密度実装用基板として用いることのできる多層配線基板
に関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、機器の小型化や多機能化の要望が年を炉って強く
なってきているが、これらの要望のなかで回路部品の高
密度実装技術が重要な技術の一つとなっている。特にＩ
ＣやＬＳＩの発達、さらには抵抗やコンデンサの厚膜部
品の発達に伴い回路部品の高密度実装技術が注目されて
いる。これに対して高密度回路部基板を実現するために
は高密度相互接続技術が重要である。
なってきているが、これらの要望のなかで回路部品の高
密度実装技術が重要な技術の一つとなっている。特にＩ
ＣやＬＳＩの発達、さらには抵抗やコンデンサの厚膜部
品の発達に伴い回路部品の高密度実装技術が注目されて
いる。これに対して高密度回路部基板を実現するために
は高密度相互接続技術が重要である。
従来、高密度実装用基板として、アルミナとタングステ
ンまたはアルミナとモリブデンによる相互積層構造を有
する多層配線基板が用いられている。しかしこれによる
と次のような問題点がある。
ンまたはアルミナとモリブデンによる相互積層構造を有
する多層配線基板が用いられている。しかしこれによる
と次のような問題点がある。
■ 部品の接続のために多層基板表面のタングステンま
たはモリブデン層の上にニッケルと金のメッキを施す必
要がある。
たはモリブデン層の上にニッケルと金のメッキを施す必
要がある。
■ 厚膜部品である抵抗（Ｒｕ０２系）やコンデンサの
形成は空気中、高温（８００〜９００°Ｃ）で行なう必
要があるが、タングステンのような酸化されやすい導体
材料から構成されていると、これら厚膜部品の形成は不
可能で、厚膜を含む回路基板用としては不向きである。
形成は空気中、高温（８００〜９００°Ｃ）で行なう必
要があるが、タングステンのような酸化されやすい導体
材料から構成されていると、これら厚膜部品の形成は不
可能で、厚膜を含む回路基板用としては不向きである。
したがって高密度実装用基板としてのアルミナ多層配線
基板の利用箱間を制限しているのが実状である。
基板の利用箱間を制限しているのが実状である。
アルミナ多層配線基板は、上記のように基本的にはアル
ミナとタングステンまたはモリブデンから構成され、上
記した問題点があるものの、熱伝導２機械的強度、絶縁
層−導体層間接着強度および多層化工法の容易性などの
点で多くのすぐれた特徴を有しており、これからの高密
度実装用基板として注目されている。したがって高密度
実装を実現するため、上記したアルミナ多層配線基板の
問題点を解決することが強く望まれている。
ミナとタングステンまたはモリブデンから構成され、上
記した問題点があるものの、熱伝導２機械的強度、絶縁
層−導体層間接着強度および多層化工法の容易性などの
点で多くのすぐれた特徴を有しており、これからの高密
度実装用基板として注目されている。したがって高密度
実装を実現するため、上記したアルミナ多層配線基板の
問題点を解決することが強く望まれている。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点を解消するもので、厚膜部品、
Ｉｃ、ＬＳＩなどからなる回路の高密度実装用基板とし
て用いることのできる多層配線基板を提供することを目
的とする。
Ｉｃ、ＬＳＩなどからなる回路の高密度実装用基板とし
て用いることのできる多層配線基板を提供することを目
的とする。
発明の構成
上記目的を達するため、本発明の多層配線基板は、アル
ミナを主成分とする電気絶縁層と酸化されやすい材料か
らなる内部導体層とを交互に積層すると共にその内部導
体層を電気絶縁層に形成されたスルホールの部分を除い
てその電気絶縁層により被覆し、電気絶縁層の表面のス
ルホールに対応する箇所にＭｏＳｉ２からなる電極パッ
ドを形成し、スルホール内にＭｏＳ ｉ２からなるスル
ホール導体を充填して電極パッドと内部導体層とを導通
させたものである。
ミナを主成分とする電気絶縁層と酸化されやすい材料か
らなる内部導体層とを交互に積層すると共にその内部導
体層を電気絶縁層に形成されたスルホールの部分を除い
てその電気絶縁層により被覆し、電気絶縁層の表面のス
ルホールに対応する箇所にＭｏＳｉ２からなる電極パッ
ドを形成し、スルホール内にＭｏＳ ｉ２からなるスル
ホール導体を充填して電極パッドと内部導体層とを導通
させたものである。
かかる構成によれば、簡単な工程で多層化が可能である
。また酸化されやすい内部導体層は電気絶縁層と電極パ
ッドおよびスルホール導体とで完全に密封されているか
ら、空気中、高温での処理に耐えることができる。しｔ
こがって従来、一般に使用されている抵抗やコンデンサ
の厚膜の形成も可能であり、また、ＩＣ，ＬＳＩの相互
接続実装が高密度に行なえ、グレーズ抵抗やグレーズコ
ンデンサの形成も従来の工程をそのまま使用できるとい
う点で高密度で高機能の回路基板が可能である。
。また酸化されやすい内部導体層は電気絶縁層と電極パ
ッドおよびスルホール導体とで完全に密封されているか
ら、空気中、高温での処理に耐えることができる。しｔ
こがって従来、一般に使用されている抵抗やコンデンサ
の厚膜の形成も可能であり、また、ＩＣ，ＬＳＩの相互
接続実装が高密度に行なえ、グレーズ抵抗やグレーズコ
ンデンサの形成も従来の工程をそのまま使用できるとい
う点で高密度で高機能の回路基板が可能である。
また、銀または銀−パラジウムのような導体層を表面に
形成可能であるため、従来のようにＡｕメッキなどの処
理を必要とせす、ＩＣやＬＳＩなどのワイヤホンデング
が可能である。
形成可能であるため、従来のようにＡｕメッキなどの処
理を必要とせす、ＩＣやＬＳＩなどのワイヤホンデング
が可能である。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例について、図面に基づいて説明
する。第１図において、（ＩＪ （２） （３）は第１
゜第２．第８の絶縁層であって、アルミナを主成分とし
て形成されている。（４） （５）はダンゲステンまた
はモリブデンからなる第１および第２の導体層、（ｄ）
はＭｏ５ｊ２からなる第８導体層であって、第８絶縁層
（３）に形成されたスルホール内に充填されたスルホー
ル導体（６Ａ）と第８絶縁層（３）の表面に形成された
電極パッド（６Ｂ）とから構成されている。第２図（ａ
） （ｂ）は要部の拡大図である。
する。第１図において、（ＩＪ （２） （３）は第１
゜第２．第８の絶縁層であって、アルミナを主成分とし
て形成されている。（４） （５）はダンゲステンまた
はモリブデンからなる第１および第２の導体層、（ｄ）
はＭｏ５ｊ２からなる第８導体層であって、第８絶縁層
（３）に形成されたスルホール内に充填されたスルホー
ル導体（６Ａ）と第８絶縁層（３）の表面に形成された
電極パッド（６Ｂ）とから構成されている。第２図（ａ
） （ｂ）は要部の拡大図である。
上記構成において、第１．第２の導体層（４） （５）
としてタングステンを用いた場合、そのタングステンの
融点は高く、アルミナにタングステン導体を形成するた
めには、アルミナを主成分とする粉末の成形体にタング
ステン粉末からなる層を形成し、これを還元雰囲気中で
１４００〜１６００℃の温度で焼結する必要がある。こ
のようにして第１図に示すごとくタングステンか、らな
る第１．第２の導体層（４）（５）に第１〜第３の絶縁
層（１）〜（３）を積層して焼結するならば、各層（１
）〜（３） （４） （５）が緻密に焼結される。
としてタングステンを用いた場合、そのタングステンの
融点は高く、アルミナにタングステン導体を形成するた
めには、アルミナを主成分とする粉末の成形体にタング
ステン粉末からなる層を形成し、これを還元雰囲気中で
１４００〜１６００℃の温度で焼結する必要がある。こ
のようにして第１図に示すごとくタングステンか、らな
る第１．第２の導体層（４）（５）に第１〜第３の絶縁
層（１）〜（３）を積層して焼結するならば、各層（１
）〜（３） （４） （５）が緻密に焼結される。
このように緻密に焼結されれば、たとえ空気中、高温で
処理されても、空気中の酸素がアルミナを通ってタング
ステンまでたつすることはなく、゛タングステンからな
る第１．第２の導体層（４） （５）が酸化されること
はない。
処理されても、空気中の酸素がアルミナを通ってタング
ステンまでたつすることはなく、゛タングステンからな
る第１．第２の導体層（４） （５）が酸化されること
はない。
ここで、もしも絶縁層（１）〜（３）から箇１．第２の
導体層（４） （５）が空気中に露出していると仮定す
ると、高温空気中で処理されれば、タングステンはすみ
やかに酸化され、ＷＯａとなる。したがって絶縁化され
、導体としての機能をはださなくなる。
導体層（４） （５）が空気中に露出していると仮定す
ると、高温空気中で処理されれば、タングステンはすみ
やかに酸化され、ＷＯａとなる。したがって絶縁化され
、導体としての機能をはださなくなる。
これに対し本実施例では、第８導体層（６）により、第
１．第２の導体層（４） （５）が空気中に露出するの
を防止し、その第８導体層（６）としてＭｏ５ｉ２（モ
リブデンシリサイド）を用いることにより、酸化がタン
グステンまで進むのを防いでいる。すなわち高温。
１．第２の導体層（４） （５）が空気中に露出するの
を防止し、その第８導体層（６）としてＭｏ５ｉ２（モ
リブデンシリサイド）を用いることにより、酸化がタン
グステンまで進むのを防いでいる。すなわち高温。
空気中で処理した場合、ＭｏＳｉ２の露出した部分の表
面は酸化させられてＳｉｎｇの被膜がＭｏＳｉ２の表面
に形成させられる。この５ｉ０２の被膜は酸素の拡散防
止膜として働き、それにより下部の導体層の酸化の進行
を防ぐことになる。なお５ｉ０２被膜はガラスに接触し
、高温で処理されるとすみやかにガラス中に溶解する性
質を有している。
面は酸化させられてＳｉｎｇの被膜がＭｏＳｉ２の表面
に形成させられる。この５ｉ０２の被膜は酸素の拡散防
止膜として働き、それにより下部の導体層の酸化の進行
を防ぐことになる。なお５ｉ０２被膜はガラスに接触し
、高温で処理されるとすみやかにガラス中に溶解する性
質を有している。
次に多層配線基板の製作方法について述べる。
すなわちアルミナ粉末と焼結助剤と有機結合剤と溶剤と
可塑剤とからなるスリップをパイプドクタで造膜、乾燥
してシート化する。そして、これにより得られたシート
を第１絶縁層（１）とし、その上にタングステン導体ペ
ーストを印刷して第１導体層（４）を形成し、次に第１
絶縁層（１）上にアルミナペーストを印刷して第２絶縁
層（２）を形成し、その第２絶縁層（２）上にタングス
テン導体ペーストを印刷して第２導体層（５）を形成し
、第２絶縁層（２）上にアルミナペーストを印刷して第
８絶縁Ｒ（３）を形成し、その第８絶縁層（３）上にＭ
ｏＳｉ２ペーストを印刷して第８導体層（６）を形成す
るものである。なお第８導体層（６）は第３絶縁層（３
）のスルホールを通って第２導体（５）に接触している
。このようにして得た未燃成の多層構造物を水素−窒素
混合ガス雰囲気中、１６００°Ｃで焼結した。その結果
、緻密化した多層配線基板を得た。この時、第８導体層
（６）の表面には５ｉ０２被膜は形成されておらず、第
３導体層（６）と第２導体層（５）とは完全に電気導通
がとれていた。
可塑剤とからなるスリップをパイプドクタで造膜、乾燥
してシート化する。そして、これにより得られたシート
を第１絶縁層（１）とし、その上にタングステン導体ペ
ーストを印刷して第１導体層（４）を形成し、次に第１
絶縁層（１）上にアルミナペーストを印刷して第２絶縁
層（２）を形成し、その第２絶縁層（２）上にタングス
テン導体ペーストを印刷して第２導体層（５）を形成し
、第２絶縁層（２）上にアルミナペーストを印刷して第
８絶縁Ｒ（３）を形成し、その第８絶縁層（３）上にＭ
ｏＳｉ２ペーストを印刷して第８導体層（６）を形成す
るものである。なお第８導体層（６）は第３絶縁層（３
）のスルホールを通って第２導体（５）に接触している
。このようにして得た未燃成の多層構造物を水素−窒素
混合ガス雰囲気中、１６００°Ｃで焼結した。その結果
、緻密化した多層配線基板を得た。この時、第８導体層
（６）の表面には５ｉ０２被膜は形成されておらず、第
３導体層（６）と第２導体層（５）とは完全に電気導通
がとれていた。
次に上記多層配線基板の表面に露出している第３導体層
（６）に接触しかつ被覆するように第３絶縁層（３）上
に銀−パラジウム−ガラスからなる導体ペーストを印刷
し、空気中８５０°Ｃで焼成したところ、多層配線基板
の内部配線層であるところの第１゜第２の導体層（４）
（５）には全く酸化が進行しておらず、また銀−パラジ
ウム−ガラス系導体と第１．第２の導体層（４）（５）
との電気的導通が完全にとれていた。
（６）に接触しかつ被覆するように第３絶縁層（３）上
に銀−パラジウム−ガラスからなる導体ペーストを印刷
し、空気中８５０°Ｃで焼成したところ、多層配線基板
の内部配線層であるところの第１゜第２の導体層（４）
（５）には全く酸化が進行しておらず、また銀−パラジ
ウム−ガラス系導体と第１．第２の導体層（４）（５）
との電気的導通が完全にとれていた。
銀−パラジウム−ガラス系導体形成後、さらに、ＲｕＯ
２−ガラス系グレーズ抵抗膜を空気中、８５０°Ｃで形
成したが、この工程処理後も第１．第２の導体層（４）
（５）は酸化されておらず、表面導体層であるところ
の第８導体層（６）と電気的導通がとれていた。
２−ガラス系グレーズ抵抗膜を空気中、８５０°Ｃで形
成したが、この工程処理後も第１．第２の導体層（４）
（５）は酸化されておらず、表面導体層であるところ
の第８導体層（６）と電気的導通がとれていた。
以上のように本実施例によれば、アルミナとタングステ
ンからなる多層配線基板の内部配線層（第１．第２の導
体層（４） （５） ＞からＭｏＳｉ２のスルホール導
体（６Ａ）を通じてＭｏＳｉ２の電極パッド（６Ｂ）（
第８導体層（６）〉を形成しであるから、空気中、高温
で処理し、銀−パラジウム−ガラス系導体またはＲｕ０
２−ガラス系抵抗の厚膜を形成しても、第１、第２の導
体層（４） （５）は酸化しておらず、配線層として機
能することを実現している。
ンからなる多層配線基板の内部配線層（第１．第２の導
体層（４） （５） ＞からＭｏＳｉ２のスルホール導
体（６Ａ）を通じてＭｏＳｉ２の電極パッド（６Ｂ）（
第８導体層（６）〉を形成しであるから、空気中、高温
で処理し、銀−パラジウム−ガラス系導体またはＲｕ０
２−ガラス系抵抗の厚膜を形成しても、第１、第２の導
体層（４） （５）は酸化しておらず、配線層として機
能することを実現している。
第１．第２の導体層（４）（５）としてタングステンの
代りにモリブデンを用いて多層配線基板を作成し、上記
と同様の厚膜形成をしたところ、第１．第２の導体層（
４） （５）と厚膜との電気的導通に関して完全なもの
が得られた。モリブデンは化学的にタングステンと極め
て似た性質を有しており、タングステンの代りに用いて
も全く同じ効果が得られた。
代りにモリブデンを用いて多層配線基板を作成し、上記
と同様の厚膜形成をしたところ、第１．第２の導体層（
４） （５）と厚膜との電気的導通に関して完全なもの
が得られた。モリブデンは化学的にタングステンと極め
て似た性質を有しており、タングステンの代りに用いて
も全く同じ効果が得られた。
上記実施例では、絶縁層（１）〜（３）を８層、導体層
（４）〜（６）を８層それぞれ積み重ねたが、それぞれ
２層であっても、４層以上であってもよい。
（４）〜（６）を８層それぞれ積み重ねたが、それぞれ
２層であっても、４層以上であってもよい。
発明の効果
以１のように本発明によれば、簡単な工程で多層化が可
能である。また酸化されやすい内部導体層は電気絶縁層
と電極パッドおよびスルホール導体とで完全に密封され
ているから、空気中、高温での処理に耐えることができ
る。したがって従来、一般に使用されている抵抗やコン
デンサの厚膜の形成も可能であり、またＩＣ，ＬＳＩの
相互接続実装が高密度に行なえ、グレーズ抵抗やグレー
ズコンデンサの形成も従来の工程をそのまま使用できる
という点で高密度で高機能の回路基板が可能である。ま
た、銀または銀−パラジウムのような導体層を表面に形
成可能であるため、従来のようにＡｕメッキなどの処理
を必要とせず、ＩＣやＬＳＩなどのワイヤホンディング
が可能である。
能である。また酸化されやすい内部導体層は電気絶縁層
と電極パッドおよびスルホール導体とで完全に密封され
ているから、空気中、高温での処理に耐えることができ
る。したがって従来、一般に使用されている抵抗やコン
デンサの厚膜の形成も可能であり、またＩＣ，ＬＳＩの
相互接続実装が高密度に行なえ、グレーズ抵抗やグレー
ズコンデンサの形成も従来の工程をそのまま使用できる
という点で高密度で高機能の回路基板が可能である。ま
た、銀または銀−パラジウムのような導体層を表面に形
成可能であるため、従来のようにＡｕメッキなどの処理
を必要とせず、ＩＣやＬＳＩなどのワイヤホンディング
が可能である。
図は本発明の一実施例を示し、第１図は縦断面図、第２
図（ａ）、（ｂ）は要部の拡大縦断面図である。 （２）〜（３）・・・第１〜第、８の絶縁層、（４ン〜
（６）・・・第１〜第８の導体層、（６Ａ）・・・スル
ホール導体、（６Ｂ）・・・電極パッド 代理人 森 本 義 弘 第１図 第２図
図（ａ）、（ｂ）は要部の拡大縦断面図である。 （２）〜（３）・・・第１〜第、８の絶縁層、（４ン〜
（６）・・・第１〜第８の導体層、（６Ａ）・・・スル
ホール導体、（６Ｂ）・・・電極パッド 代理人 森 本 義 弘 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 アルミナを主成分とする電気絶縁層と酸化されや
すい材料からなる内部導体層とを交互に積層すると共に
その内部導体層を電気絶縁層に形成されたスルホールの
部分を除いてその電気絶縁層により被覆し、電気絶縁層
の表面のスルホールに対応する箇所にＭｏＳｉ２ ’か
らなる電極パッドを形成し、スルホール内にＭｏＳｉ２
からなるスルホール導体を充填して電極パッドと内部導
体層とを導通させたことを特徴とする多層配線基板。 ２、 内部導体層をタングステンとしたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の多層配線基板０ ８、 内部導体層をモリブデンとしたことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の多層配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23019982A JPS59119796A (ja) | 1982-12-25 | 1982-12-25 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23019982A JPS59119796A (ja) | 1982-12-25 | 1982-12-25 | 多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59119796A true JPS59119796A (ja) | 1984-07-11 |
Family
ID=16904128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23019982A Pending JPS59119796A (ja) | 1982-12-25 | 1982-12-25 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59119796A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54164251A (en) * | 1978-06-17 | 1979-12-27 | Ngk Insulators Ltd | Ceramic body provided with metallized layer |
| JPS5975695A (ja) * | 1982-10-23 | 1984-04-28 | 日本碍子株式会社 | セラミツク厚膜回路基板 |
-
1982
- 1982-12-25 JP JP23019982A patent/JPS59119796A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54164251A (en) * | 1978-06-17 | 1979-12-27 | Ngk Insulators Ltd | Ceramic body provided with metallized layer |
| JPS5975695A (ja) * | 1982-10-23 | 1984-04-28 | 日本碍子株式会社 | セラミツク厚膜回路基板 |
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