CN1938647A - 用于蚀刻后去除基片上沉积的光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射物质的组合物和方法 - Google Patents

用于蚀刻后去除基片上沉积的光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射物质的组合物和方法 Download PDF

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Abstract

用于将光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射涂层(SARC)材料从其上具有这些物质的基片去除的组合物和方法。该组合物包括碱组分,例如与碱金属碱或碱土金属碱组合的季铵碱,或与氧化剂组合的强碱。该组合物可用于水性介质中,例如与螯合剂、表面活性剂和/或共溶剂类物质一道使用,从而在集成电路制造中实现光致抗蚀剂和/或SARC材料的高效去除,而对基片上的金属类物质例如铜、铝和/或钴合金没有不良影响,对半导体结构中使用的SiOC基介电材料也没有损害。

Description

用于蚀刻后去除基片上沉积的 光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射物质的组合物和方法
发明背景
技术领域
本发明涉及用于将蚀刻后的光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射涂层物质从其上沉积了此类物质的基片或物品上去除的组合物和方法。
相关技术的描述
当前发展的半导体集成要求(i)抗反射涂层的使用;(ii)蚀刻/灰导致的对低k介电材料的损害的最小化;(iii)介电/蚀刻停止互连层的有效k值的最小化,和(iv)在容许性条件和集成工艺变化方面宽的工艺范围。
上述要求可以通过使用无灰化的蚀刻操作而实现,该操作结合使用介电图案化工艺和液体清洗化学作用,所述介电图案化工艺使用牺牲性抗反射物质,所述液体清洗化学作用在单一的工艺步骤中去除蚀刻后光致抗蚀剂和SARC。
当前半导体制造中使用的光刻工艺要求在光致抗蚀剂层下面使用紫外/光吸收涂层以阻止步进式紫外光的反射。如果没有该涂层,显著量的光将从下面的基片反射出来。这样的反射光继而可能在光刻工艺中产生缺陷,例如由于相长干涉及相消干涉而导致的光致抗蚀剂缺口(notching),不均一的感光速度,明显的光刻图案缺陷的出现,临界尺寸能力的丧失,诸如此类。
有数种手段来实现光刻工艺中紫外线的高吸收,包括使用双或三层光致抗蚀剂,使用底部抗反射涂层(BARCs)和牺牲性抗反射涂层(SARCs)。所有这些手段都将紫外发色团引入吸收入射光的旋涂(spin-on)式聚合物基质中。所有这些抗反射涂层还都对典型的双道金属镶嵌集成中遇到的晶片拓扑曲面有平整化作用。
但是,当半导体集成中使用SiOC基介电材料时,SARCs的使用相比上述的其他手段具有两个重要的优点。
第一,因为SARC材料是基于四乙基正硅酸盐(TEOS),它们可以与SiOC基介电材料类似的方式和类似的速度而被蚀刻。相对于上述的其他手段,这样可实现很高的蚀刻均一性和蚀刻控制,乃至不需要沟槽蚀刻停止层,且通孔蚀刻停止层的厚度可减少达50%。
第二,蚀刻后的SARCs可以用液体清洗剂/蚀刻剂组合物去除,因为相对于有机基光致抗蚀剂和BARCs,蚀刻后的SARCs在蚀刻后其交联程度并不显著增加。
当清洗剂/蚀刻剂组合物被用于后端工序(BEOL)来加工以低电容(低k)绝缘材料或电介质分隔的铝或铜互连线时,重要的一点是用于去除残留光致抗蚀剂和SARCs的组合物具有良好的金属相容性,例如,对铜、铝、钴等具有低的腐蚀速率。
未处理的光致抗蚀剂在水性强碱溶液和特选有机溶剂的溶液中具有溶解性。但是,对于通常用于蚀刻介电材料的气相等离子体蚀刻,受到气相等离子体蚀刻的光致抗蚀剂通常在材料表面形成硬化壳。该硬化壳由交联的有机聚合物组成,可能还含有少量的硅或金属原子。用于双道金属镶嵌工艺的氟基等离子体蚀刻可能会在光致抗蚀剂壳中沉积氟原子,这将降低其溶解性并增加其对化学去除的抗性。
光致抗蚀剂和壳可以通过气相灰化来清除,该气相灰化使基片受到氧化性或还原性等离子体蚀刻,但这些等离子体灰化技术可能损害介电材料,尤其是多孔、有机硅酸盐或有机低k材料,造成不可接受的k值升高。所制造结构的半导体特征可能含有对最终产品芯片的运行至关重要的金属,例如铜、铝和钴合金。
羟胺溶液在本领域已经被用于光致抗蚀剂的去除,但这种溶液有相关的腐蚀、毒性和反应性等问题,限制了其使用,而且当集成电路中使用铜时不利的腐蚀作用特别成问题。
发明概述
本发明一方面涉及清洗组合物,其用于将光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射涂层(SARC)物质从其上具有该物质的基片去除。该组合物包括选自如下的活性清洗组合(ACC):(a)与碱金属碱或碱土金属碱中至少之一组合的季铵碱;和(b)与氧化剂组合的强碱。
本发明的另一方面涉及将光致抗蚀剂和/或SARC材料从其上具有该物质的基片去除的方法,该方法包括使基片与清洗组合物接触足够的时间以至少部分地从该基片上去除该物质,其中清洗组合物包括选自如下的活性清洗组合(ACC):(a)与碱金属碱或碱土金属碱中至少之一组合的季铵碱;和(b)与氧化剂组合的强碱。
通过下面的公开内容和附随的权利要求可清楚本发明的其他方面、特性和优点。
发明详述和优选的实施方式
本发明构思出清洗组合物,其用于将光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射涂层(SARC)物质从其上具有该物质的基片上去除。
所述组合物包括选自如下的活性清洗组合(ACC):(a)与碱金属碱或碱土金属碱中至少之一组合的季铵碱;和(b)与氧化剂组合的强碱。
本发明的组合物可以以多种具体配方来实现,如后文充分描述。
在所有这样的组合物中,其中所述组合物的特定组分根据包括零下限的重量百分比来描述,应当理解这样的组分在该组合物的多种特定实施方式中可以存在或不存在,如果这样的组分存在,则基于采用该组分的组合物总重,该组分可以以低达0.01重量%的浓度存在。
本发明在其一个方面中涉及用于去除SARCs和光致抗蚀剂的清洗组合物,其包括如下组分:
0.1-40.0重量%的有机季铵碱
0.01-5重量%的碱金属碱或碱土金属碱
0-80重量%的溶剂和/或胺
0-5重量%的表面活性剂
0-10重量%的螯合剂/钝化剂
0-98重量%的水
其中各组分的百分比是基于该组合物总重的重量百分比,且其中该组合物的这些组分的重量百分比总和不超过100重量%。
这样的组合物可任选地包含其他组分,包括活性和非活性成分,例如稳定剂,分散剂,抗氧化剂,穿透剂,佐剂,添加剂,填充剂,赋形剂等等。
在各实施方式中,所述组合物可不同地含有如下,或由如下组成,或基本由如下组成:前述的有机季铵碱,碱金属碱或碱土金属碱,溶剂和/或胺,表面活性剂,螯合剂/钝化剂,和水组分。
在一个特定的实施方式中,所述清洗组合物包括如下组分:
2-15重量%的有机季铵碱
~0.01-2重量%的碱金属碱或碱土金属碱
0-50重量%的溶剂和/或胺
~0.01-2重量%的表面活性剂
0-5重量%的螯合剂/钝化剂
40-95重量%的水
其中组分的百分比是基于该组合物总重的重量百分比,且其中该组合物的这些组分的重量百分比总和不超过100重量%。
在各优选的实施方式中,所述清洗组合物按如下配方A-G配制,其中所有的百分比为基于该配方总重的重量百分比:
配方A
5.36%苄基三甲基氢氧化铵
0.28%氢氧化钾
3.0%4-甲基吗啉N-氧化物
0.30%聚氧乙烯(150)二壬基苯基醚
0.08%2-巯基苯并咪唑
91.0%水
配方B
5.36%苄基三甲基氢氧化铵
0.28%氢氧化钾
3.0%4-甲基吗啉N-氧化物
0.30%聚氧乙烯(150)二壬基苯基醚
0.20%5-氨基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇
90.86%水
配方C
3.60%苄基三甲基氢氧化铵
0.27%氢氧化钾
3.5%4-甲基吗啉N-氧化物
15.0%4-(3-氨丙基)吗啉
0.30%聚氧乙烯(150)二壬基苯基醚
0.08%2-巯基苯并咪唑
77.25%水
配方D
5.36%苄基三甲基氢氧化铵
0.28%氢氧化钾
20.0%二甲亚砜
0.08%2-巯基苯并咪唑
74.28%水
配方E
5.36%苄基三甲基氢氧化铵
0.28%氢氧化钾
10.0%四亚甲基砜
0.30%环氧丙烷-环氧乙烷聚合物与2,2’-(氧化亚氨基)双(乙醇)(2∶1)的醚和N(-3(C9-11-异烷基氧基)丙基)衍生物,富含C10
0.08%2-巯基苯并咪唑
83.98%水
配方F
5.36%苄基三甲基氢氧化铵
0.28%氢氧化钾
10.0%二(乙二醇)丁基醚
10.0%  2-(2-二甲氨基)乙氧基)乙醇
0.30%环氧丙烷-环氧乙烷聚合物与2,2’-(氧化亚氨基)双(乙醇)(2∶1)的醚和N(-3(C9-11-异烷基氧基)丙基)衍生物,富含C10
74.06%水
配方G
5.36%苄基三甲基氢氧化铵
0.28%氢氧化钾
10.0%四亚甲基砜
10.0%二(乙二醇)丁基醚
0.10%环氧丙烷-环氧乙烷聚合物,单(辛基苯基)醚
0.08%2-巯基苯并咪唑
74.18%水
在另一个方面中,本发明涉及清洗组合物,其用于从半导体基片和/或SARCs上剥离光致抗蚀剂和/或光致抗蚀剂残留物,同时保持对钴和铜相容性。这样的清洗组合物包括如下组分的水溶液:至少一种氧化剂,强碱,任选的螯合剂和任选的共溶剂和/或表面活性剂。所述清洗组合物有效地从半导体器件的顶部去除光致抗蚀剂,同时不对介电材料造成损害,也不引起下面金属的腐蚀。
在这类组合物中,所述碱组分包括氢氧化钾的组合物特别有利于实现高效率的清洗而不对介电层产生不良影响。
这类组合物在一个实施方式中以重量计包括如下组分,所述重量百分比基于该组合物的总重量:
0.1-30重量%强碱
0.01-30重量%氧化剂
0.1-10重量%螯合剂
0-5重量%表面活性剂
0-50重量%共溶剂
20-98.9重量%去离子水
在这样的上下文中,术语“强碱”是指这样的阳离子/阴离子盐,其在水溶液或部分水性的溶液中解离,产生实质上化学计量的氢氧根阴离子。所述强碱可包括:碱例如氢氧化钾;和烷基氢氧化铵例如四甲基氢氧化铵(TMAH)、氢氧化胆碱、苄基三甲基氢氧化铵等等。
在一个实施方式中,本发明的组合物不含有羟胺。
这种组合物中的氧化剂可包括但不限于无机和/或有机氧化剂,例如过氧化氢、有机过氧化物、胺-N-氧化物、过硼酸盐、过硫酸盐,以及两种或多种上述物质的组合。
这种组合物中的螯合剂可以是任意合适的种类,可包括但不限于,三唑,例如1,2,4-三唑,或由取代基例如C1-C8烷基、氨基、硫醇基、巯基、亚氨基、羧基和硝基所取代的三唑,如苯并三唑、甲苯基三唑、5-苯基-苯并三唑、5-硝基-苯并三唑、3-氨基-5-巯基-1,2,4-三唑、1-氨基-1,2,4-三唑、羟基苯并三唑、2-(5-氨基-戊基)-苯并三唑、1-氨基-1,2,3-三唑、1-氨基-5-甲基-1,2,3-三唑、3-氨基-1,2,4-三唑、3-巯基-1,2,4-三唑、3-异丙基-1,2,4-三唑、5-苯基硫醇-苯并三唑、卤代苯并三唑(卤=F、Cl、Br或I)、萘并三唑等,以及噻唑、四唑、咪唑、磷酸酯、硫醇和吖嗪,例如2-巯基苯并咪唑、2-巯基苯并噻唑、4-甲基-2-苯基咪唑、2-巯基噻唑啉、5-氨基四唑、5-氨基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇、2,4-二氨基-6-甲基-1,3,5-三嗪、噻唑、三嗪、甲基四唑、1,3-二甲基-2-咪唑烷酮、1,5-五甲撑四唑、1-苯基-5-巯基四唑、二氨基甲基三嗪、巯基苯并噻唑、咪唑啉硫酮、巯基苯并咪唑、4-甲基-4H-1,2,4-三唑-3-硫醇、5-氨基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇、苯并噻唑、磷酸三甲苯酯、indiazole等等。合适的螯合剂类物质还包括甘油、氨基酸、羧酸、醇、酰胺和喹啉,例如鸟嘌呤、腺嘌呤、甘油、硫代甘油、次氮基三乙酸、水杨酰胺、亚氨基二乙酸、苯并胍胺、蜜胺、硫氰尿酸、邻氨基苯甲酸、没食子酸、抗坏血酸、水杨酸、8-羟基喹啉、5-羧酸-苯并三唑、3-巯基丙醇、硼酸、亚氨基二乙酸等等。螯合剂通常用来增加该组合物与半导体器件中所用金属和介电材料的相容性。
该组合物中所用的表面活性剂可以是任意合适的类型,例如非离子型表面活性剂,如氟烷基表面活性剂、聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙二醇或聚丙二醇醚、羧酸盐、十二烷基苯磺酸或其盐、聚丙烯酸酯聚合物、二壬基苯基聚氧乙烯、或其他取代的苯基聚氧乙烯、硅氧烷或改性的硅氧烷聚合物、炔二醇或改性的炔二醇、烷基铵盐或改性的烷基铵盐、及上述物质的两种或多种的组合。
用于这种组合物的合适共溶剂类物质包括但不限于,胺类如二甲基二甘醇胺、1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳烯、氨丙基吗啉、三乙醇胺、甲基乙醇胺等;二醇类如乙二醇或聚乙二醇、丙二醇、新戊二醇等;胺类如羟乙基吗啉、氨丙基吗啉等;或二醇醚类如二(乙二醇)单乙基醚、二(丙二醇)丙基醚、乙二醇苯基醚、二(丙二醇)丁基醚、丁基卡必醇等,或聚二醇醚。
这样的组合物的具体实施方式如下面的配方H-S所示,其中所有的百分比均为基于该组合物总重的重量百分比。
配方H
四甲基氢氧化铵,25%水溶液       14.7%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液     7.0%
二壬基酚聚氧乙烯,7%水溶液      4.3%
3-氨基-5-巯基-1,2,4-三唑       0.1%
水                               73.9%
配方I
四甲基氢氧化铵,25%水溶液       14.7%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液     7.0%
二壬基酚聚氧乙烯,7%水溶液      4.3%
四硫钼酸铵                       0.1%
水                               73.9%
配方J
四甲基氢氧化铵,25%水溶液       14.7%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液     7.0%
二壬基酚聚氧乙烯,7%水溶液      4.3%
2-巯基苯并咪唑                  0.1%
氨丙基吗啉                      20.0%
水                              53.9%
配方K
四甲基氢氧化铵,25%水溶液      14.7%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液    7.0%
二壬基酚聚氧乙烯,7%水溶液     4.3%
2-巯基苯并咪唑                  0.1%
N-乙基吗啉                      20.0%
水                              53.9%
配方L
四甲基氢氧化铵,25%水溶液      14.7%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液    7.0%
二壬基酚聚氧乙烯,7%水溶液     4.3%
2-巯基苯并咪唑                  0.1%
氨乙基哌啶                      20.0%
水                              53.9%
配方M
四甲基氢氧化铵,25%水溶液      14.7%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液    7.0%
二壬基酚聚氧乙烯,7%水溶液     4.3%
3-氨基-5-1,2,4-三唑           0.1%
氨丙基吗啉                      20.0%
水                              53.9%
配方N
四甲基氢氧化铵,25%水溶液      14.7%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液      7.0%
二壬基酚聚氧乙烯,7%水溶液       4.3%
3-氨基-5-1,2,4-三唑             0.1%
氨丙基吗啉                        10.0%
水                                63.9%
配方O
四甲基氢氧化铵,25%水溶液        14.7%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液      7.0%
二壬基酚聚氧乙烯,7%水溶液       4.3%
2-巯基苯并咪唑                    0.1%
氨丙基吗啉                        20.0%
水                                53.9%
配方P
四甲基氢氧化铵,25%水溶液        14.7%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液      7.0%
二壬基酚聚氧乙烯,7%水溶液       4.3%
2-巯基苯并咪唑                    0.1%
氨丙基吗啉                        10.0%
水                                63.9%
配方Q
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液    9.0%
氢氧化钾,45%水溶液              0.6%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液      7.0%
二壬基酚聚氧乙烯,7%水溶液       4.3%
2-巯基苯并咪唑                    0.1%
氨丙基吗啉                        20.0%
水                                59.02%
配方R
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液      9.0%
氢氧化钾,45%水溶液                0.6%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液        7.0%
二壬基酚聚氧乙烯,7%水溶液         4.3%
2-巯基苯并咪唑                      0.1%
氨丙基吗啉                          15.0%
水                                  64.02%
配方S
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液      9.0%
氢氧化钾,45%水溶液                0.6%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液        7.0%
二壬基酚聚氧乙烯,7%水溶液         4.3%
2-巯基苯并咪唑                      0.1%
氨丙基吗啉                          10.0%
水                                  69.02%
在另一个方面中,本发明构思了清洗组合物,其以重量计包括如下组分,所述重量百分比基于该组合物的总重量:
0.1-30重量%强碱
2-30重量%氧化剂
0-10重量%螯合剂
0-5重量%表面活性剂
0-50重量%共溶剂
20-98重量%去离子水
这种组合物中的强碱、氧化剂、螯合剂、共溶剂和表面活性剂类物质可以与上面说明性讨论的那些相同或是相应种类的物质。
该组合物的具体实施方式如下面的配方T、U、V、W、X、Y、Z、A2、B2、C2、D2、E2、F2、G2、H2、I2、J2、K2和L2所示,其中所有百分比都为重量百分比,其基于该组合物的总重量。
配方T
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液    13.4%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液      7.0%
氢氧化钾,45%水溶液              0.6%
2-巯基苯并咪唑                    0.08%
二壬基酚聚氧乙烯                  0.3%
水                                78.62%
配方U
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液    13.4%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液      7.0%
氢氧化钾,45%水溶液              1.2%
2-巯基苯并咪唑                    0.08%
二壬基酚聚氧乙烯                  0.3%
水                                78.02%
配方V
四甲基氢氧化铵,25%水溶液        5.85%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液      7.0%
氢氧化钾,45%水溶液              1.2%
2-巯基苯并咪唑                    0.08%
二壬基酚聚氧乙烯                  0.3%
水                                85.57%
配方W
四甲基氢氧化铵,25%水溶液      2.93%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液    7.0%
氢氧化钾,45%水溶液            1.2%
2-巯基苯并咪唑                  0.08%
二壬基酚聚氧乙烯                0.3%
水                              88.49%
配方X
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液  7.2%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液    7.0%
氢氧化钾,45%水溶液            0.6%
2-巯基苯并咪唑                  0.08%
二壬基酚聚氧乙烯                0.3%
水                              84.82%
配方Y
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液  3.6%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液    7.0%
氢氧化钾,45%水溶液            1.2%
2-巯基苯并咪唑                  0.08%
二壬基酚聚氧乙烯                0.3%
水                              87.82%
配方Z
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液  3.6%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液    7.0%
氢氧化钾,45%水溶液            0.6%
2-巯基苯并咪唑                  0.08%
二壬基酚聚氧乙烯                0.3%
水                              88.42%
配方A2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液    7.2%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液      7.0%
氢氧化钾,45%水溶液              0.3%
2-巯基苯并咪唑                    0.08%
二壬基酚聚氧乙烯                  0.3%
水                                85.12%
配方B2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液    22.26%
氢氧化钾,45%水溶液              0.6%
2-巯基苯并咪唑                    0.08%
甲基二乙醇胺                      2.33%
磷酸(86%)                        1.69%
3-氨基-5-巯基-1,2,4-三唑        1.0%
水                                72.04%
配方C2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液    22.26%
氢氧化钾,45%水溶液              0.6%
2-巯基苯并咪唑                    0.08%
甲基二乙醇胺                      2.33%
磷酸(86%)                        1.69%
4-甲基-2-苯基-咪唑                1.0%
水                                72.04%
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液    22.26%
配方D2
氢氧化钾,45%水溶液              0.6%
2-巯基苯并咪唑                   0.08%
甲基二乙醇胺                     2.33%
磷酸(86%)                       1.69%
2-巯基噻唑啉                     1.0%
水                               72.04%
配方E2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液   22.26%
氢氧化钾,45%水溶液             0.6%
2-巯基苯并咪唑                   0.08%
甲基二乙醇胺                     2.33%
磷酸(86%)                       1.69%
8-羟基喹啉                       1.0%
水                               72.04%
配方F2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液   22.26%
氢氧化钾,45%水溶液             0.6%
2-巯基苯并咪唑                   0.08%
甲基二乙醇胺                     2.33%
磷酸(86%)                       1.69%
1-苯基-2-四氮唑-5-硫酮           1.0%
水                               72.04%
配方G2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液   22.26%
氢氧化钾,45%水溶液             0.6%
2-巯基苯并咪唑                   0.08%
甲基二乙醇胺                     2.33%
磷酸(86%)                       1.69%
没食子酸                           1.0%
水                                 72.04%
配方H2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液     22.26%
氢氧化钾,45%水溶液               0.6%
2-巯基苯并咪唑                     0.08%
甲基二乙醇胺                       2.33%
磷酸(86%)                         1.69%
水杨酸                             1.0%
水                                 72.04%
配方I2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液     22.26%
氢氧化钾,45%水溶液               0.6%
2-巯基苯并咪唑                     0.08%
甲基二乙醇胺                       2.33%
磷酸(86%)                         1.69%
抗坏血酸                           1.0%
水                                 72.04%
配方J2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液     7.2%
氢氧化钾,45%水溶液               0.6%
2-巯基苯并咪唑                     0.08%
氨丙基吗啉                         10%
4-甲基-2-苯基-咪唑                 1.0%
水                                 81.12%
配方K2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液     7.2%
氢氧化钾,45%水溶液               0.6%
2-巯基苯并咪唑                     0.08%
氨丙基吗啉                         10%
4-甲基-2-苯基-咪唑                 0.5%
水                                 81.62%
配方L2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液     7.2%
氢氧化钾,45%水溶液               0.6%
2-巯基苯并咪唑                     0.08%
氨丙基吗啉                         10%
4-甲基-2-苯基-咪唑                 1.0%
水                                 81.02%
二壬基酚聚氧乙烯                   0.1%
在本发明的广义范围中,适合于从半导体基片剥离光致抗蚀剂和/或光致抗蚀剂残留物,同时保持钴和铜相容性的其他配方,还包括组成如下所示的配方M2、N2、O2、P2、Q2和R2
配方M2
四甲基氢氧化铵,25%水溶液         4.0%
过氧化氢,30%水溶液               2.0%
5-氨基四唑                         0.1%
水                                 93.9%
配方N2
四甲基氢氧化铵,25%水溶液         4.0%
过氧化氢,30%水溶液               2.0%
2,4-二氨基-6-甲基-1,3,5-三嗪    0.1%
水                                 93.9%
配方O2
四甲基氢氧化铵,25%水溶液     4.0%
过氧化氢,30%水溶液           2.0%
5-氨基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇   0.1%
水                             93.9%
配方P2
四甲基氢氧化铵,25%水溶液     4.0%
过氧化氢,30%水溶液           2.0%
1,2,4-三唑                   0.1%
水                             93.9%
配方Q2
四甲基氢氧化铵,25%水溶液     4.0%
过氧化氢,30%水溶液           2.0%
2,4-二羟基-6-甲基嘧啶         0.1%
水                             93.9%
配方R2
四甲基氢氧化铵,25%水溶液     4.0%
过氧化氢,30%水溶液           2.0%
8-羟基喹啉                     0.1%
水                             93.9%
本发明的清洗组合物通过简单地加入各种组分并混合至均匀状态即可配制。
在清洗应用中,所述清洗组合物以任意合适的方式施加到待清洗的材料,例如,将该清洗组合物喷雾到待清洗的材料表面,将待清洗材料或包含待清洗材料的物品浸入(一定体积的该清洗组合物中),使所述待清洗材料或物品接触用该清洗组合物浸透的另一种材料,例如衬垫或纤维吸收性施料器元件,或利用其他任意合适的工具、方式或技术使得该清洗组合物与待清洗材料进行清洗性的接触。
如应用于半导体制造过程中那样,本发明的清洗组合物通常用于将光致抗蚀剂和/或SARC材料从其上沉积有这些物质的基片和半导体器件结构去除。
相比于半导体基片上可能存在并暴露于该清洗组合物的其他物质,例如ILD结构、金属镀层、阻挡层等,本发明的所述组合物通过对此类光致抗蚀剂和/或SARC材料的选择性,从而可以实现高效率地去除光致抗蚀剂和/或SARC材料。
本发明的清洗组合物用于将光致抗蚀剂和/或SARC材料从其上沉积有这些物质的基片和半导体器件去除时,该清洗组合物通常在大约50℃到大约80℃的温度下与所述基片接触大约10到大约45分钟时间。所述温度和时间是例示性的,在本发明的广泛实施中,其他任何能够有效地使光致抗蚀剂和/或SARC材料至少部分地从该基片去除的合适时间和温度条件都可以使用。
实现了希望的清洗作用以后,该清洗组合物可以通过例如漂洗、洗涤或其他去除步骤从其被施加到的基片或物品上立即去除,在本发明的组合物的特定最终用途中,这可能是所希望的和有效的。
下面的非限制性实施例更充分地说明了本发明的特征和优点,其中,所有的份和百分比都以重量计,除非另有明确说明。
实施例
实施例1
制备了分别具有如上所述组成的配方A、B、C、D、E、F和G的样品。
在相应的测试中评估这些配方从含有涂覆在其上的光致抗蚀剂和SARC材料的基片上去除该光致抗蚀剂和SARC材料,同时保持对该基片上铜镀层的低侵蚀作用,所述测试中,特定配方的清洗组合物在60-70℃下与基片接触6-15分钟,然后用去离子水漂洗该基片。所述基片是硅晶片上的蚀刻后结构,所述硅晶片在图案化的光致抗蚀剂下含有图案化的有机硅酸盐介电物质和SARC结构。所述光致抗蚀剂是标准的、市售的193或248nm光刻用化学放大抗蚀剂。该SARC材料由市售的旋涂式聚硅氧烷材料层组成,其中该层掺入了能强烈吸收光刻所用频率的光的染料物质。
在这样的接触和漂洗步骤之后,测定了光致抗蚀剂的去除百分比,SARC的去除百分比和以埃每分(_/min)为单位的铜腐蚀速率。相应的数据如下面的表1所示。
                               表1
配方A-G的光致抗蚀剂去除百分比,SARC去除百分比
              和铜腐蚀速率(_/min)
   配方  光致抗蚀剂去除,%   SARC去除,%   铜腐蚀速率(_/min)
    A     100     100     0.77
    B     100     100     1.3
    C     100     100     2.5
    D     99     100     ---
    E     99     100     0.42
    F     85     100     1.3
    G     100     100     0.70
实施例2
制备了分别具有如上所述组成的配方H、I、J、K、L、M、N、O、P、Q、R和S的样品。
在相应的测试中评估这些配方从其上具有光致抗蚀剂、铜和钴金属的基片上去除该光致抗蚀剂残留物,同时保持对该基片上铜和钴的低侵蚀作用的有效性,所述测试中,特定配方的清洗组合物在60-70℃下与基片接触,然后用去离子水漂洗该基片。所述基片是硅晶片上的蚀刻后结构,所述硅晶片在图案化的光致抗蚀剂下含有图案化的有机硅酸盐介电物质和SARC结构。所述光致抗蚀剂是标准的、市售的193或248nm光刻用化学放大抗蚀剂。“基本清除”定义为光致抗蚀剂从半导体器件上大于80%的去除,如光学显微镜法所测得的。
数据如下面表2所示。
                       表2  配方H-S的清洗性能
   配方  温度,℃  接触时间,min   钴相容性   铜相容性  光致抗蚀剂的清除%
    H     70     30   表面稍有粗糙   腐蚀速率0.62_/min     100
    I     70     20   表面稍有粗糙   不相容     100
    J     70     30   良好   良好     100
    K     70     30   表面有一些沉积,无厚度变化   良好     100
    L     70     30   良好   良好     100
    M     70     30   良好   良好     100
    N     70     30   良好   良好     100
    O     70     30   良好   良好     100
    P     70     30   良好   良好     100
    Q     60     30   良好   良好     100
    R     60     30   良好   良好     100
    S     60     30   良好   良好     100
实施例3
制备了分别具有如上所述组成的配方T、U、V、W、X、Y、Z、A2、B2、C2、D2、E2、F2、G2、H2、I2、J2、K2和L2的样品。
在相应的测试中评估这些配方从其上具有光致抗蚀剂的半导体基片上去除该光致抗蚀剂残留物的有效性,所述测试中,特定配方的清洗组合物在70℃下与基片接触12分钟,然后用去离子水漂洗该基片。所述基片是硅晶片上的蚀刻后结构,所述硅晶片在图案化的光致抗蚀剂下含有图案化的有机硅酸盐介电物质和SARC结构。所述光致抗蚀剂是标准的、市售的193或248nm光刻用化学放大抗蚀剂。“基本清除”定义为光致抗蚀剂从半导体器件上大于80%的去除,如光学显微镜法所测得的。
结果如下面表3所示。
表3  配方T-A2的光致抗蚀剂去除百分比
    配方   光致抗蚀剂从基片去除的百分比
    T     100
    U     100
    V     100
    W     100
    X     100
    Y     95
    Z     95
    A2     100
                 表5  配方B2-L2的清洗性能
   配方   温度,℃   接触时间,min   钴相容性  光致抗蚀剂的清除%
    B2     60     60     良好     100
    C2     60     60     良好     100
    D2     60     60     良好     100
    E2     60     60     良好     100
    F2     60     60     良好     100
    G2     60     60     良好     100
    H2     60     60     良好     100
    I2     60     60     良好     100
    J2     60     60     较好     100
    K2     60     60     较好     100
    L2     60     60     较好     100
实施例4
制备了分别具有如上所述组成的配方M2、N2、O2、P2、Q2和R2的样品。
在相应的测试中评估这些配方从其上具有光致抗蚀剂、铜和钴金属的半导体基片上去除该光致抗蚀剂残留物,同时保持对该基片上铜和钴的低侵蚀作用的有效性,所述测试中,特定配方的清洗组合物在70℃下与基片接触,然后用去离子水漂洗该基片。所述基片是硅晶片上的蚀刻后结构,所述硅晶片在图案化的光致抗蚀剂下含有图案化的有机硅酸盐介电物质和SARC结构。所述光致抗蚀剂是标准的、市售的193或248nm光刻用化学放大抗蚀剂。“基本清除”定义为光致抗蚀剂从半导体器件上大于80%的去除,如光学显微镜法所测得的。
     表5  配方M2-R2的清洗性能
  配方   温度,℃   接触时间,min   钴相容性   钴腐蚀速率,_/min   铜腐蚀速率,_/min   光致抗蚀剂的清除%
  M2     70     30   良好     0.048     0.84     100
  N2     70     30   良好     0.16     0.52     100
  O2     70     30   良好     0.21     0.72     100
  P2     70     30   良好     --     不相容     100
  Q2     70     30   良好     --     2.55     100
  R2     70     30   良好     --     不相容     100
前面的实施例显示,本发明的清洗组合物可用于从其上涂覆有光致抗蚀剂和/或SARCs的半导体基片上去除该光致抗蚀剂和/或SARCs。另外,使用这样的组合物可以不对基片上的金属镀层,例如铜、铝和钴合金等造成不良影响。
另外,本发明的清洗组合物可以用合适的溶剂体系容易地配制,例如用水性或半水性溶剂体系,所述溶剂体系赋予该清洗组合物以低毒性和低可燃性的性质。
因此,本发明的清洗组合物在集成电路器件生产中去除光致抗蚀剂和/或SARC材料的技术领域中实现了实质性的进步。
尽管本发明在本文中参照说明性的实施方式和特征得以不同地公开,应当理解,上面描述的实施方式和特征都不是为了限制本发明,本领域的一般技术人员根据本文的公开能够想到其他的变化、修改和其他实施方式。因此本发明应当被广义地理解为包括所有不超出下面提出的权利要求的主旨和范围的变化、修改和替代的实施方式。

Claims (52)

1.用于将光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射涂层(SARC)材料从其上具有此类物质的基片上去除的清洗组合物,所述组合物包括选自如下的活性清洗组合(ACC):(a)与碱金属碱或碱土金属碱中至少之一组合的季铵碱;和(b)与氧化剂组合的强碱。
2.权利要求1的清洗组合物,其中不含有羟胺。
3.权利要求1的清洗组合物,其中所述ACC包含(a)。
4.权利要求3的清洗组合物,其包括如下组分:
0.1-40.0重量%的有机季铵碱;
0.01-5重量%的碱金属碱或碱土金属碱;
0-80重量%的溶剂和/或胺;
0-5重量%的表面活性剂;
0-10重量%的螯合剂/钝化剂;和
0-98重量%的水,
其中组分的百分比是基于该组合物总重的重量百分比,且其中该组合物的上述组分重量百分比总和不超过100重量%。
5.权利要求1的清洗组合物,其包括选自如下的至少一种附加成分:稳定剂、分散剂、抗氧化剂、填充剂、穿透剂、佐剂、添加剂、填充剂和赋形剂。
6.权利要求3的清洗组合物,其包括如下组分:
2-15重量%的有机季铵碱;
~0.01-2重量%的碱金属碱或碱土金属碱;
0-50重量%的溶剂和/或胺;
~0.01-2重量%的表面活性剂;
0-5重量%的螯合剂/钝化剂;和
40-95重量%的水,
其中组分的百分比是基于该组合物总重的重量百分比,且其中该组合物的上述组分重量百分比总和不超过100重量%。
7.权利要求1的清洗组合物,其选自配方A-G,其中所有的百分比为基于该配方总重的重量百分比:
配方A
5.36%  苄基三甲基氢氧化铵
0.28%  氢氧化钾
3.0%   4-甲基吗啉N-氧化物
0.30%  聚氧乙烯(150)二壬基苯基醚
0.08%  2-巯基苯并咪唑
91.0%  水
配方B
5.36%  苄基三甲基氢氧化铵
0.28%  氢氧化钾
3.0%   4-甲基吗啉N-氧化物
0.30%  聚氧乙烯(150)二壬基苯基醚
0.20%  5-氨基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇
90.86% 水
配方C
3.60%  苄基三甲基氢氧化铵
0.27%  氢氧化钾
3.5%   4-甲基吗啉N-氧化物
15.0%  4-(3-氨丙基)吗啉
0.30%  聚氧乙烯(150)二壬基苯基醚
0.08%  2-巯基苯并咪唑
77.25% 水
配方D
5.36%  苄基三甲基氢氧化铵
0.28%  氢氧化钾
20.0%  二甲亚砜
0.08%  2-巯基苯并咪唑
74.28% 水
配方E
5.36%  苄基三甲基氢氧化铵
0.28%  氢氧化钾
10.0%  四亚甲基砜
0.30%  环氧丙烷-环氧乙烷聚合物与2,2’-(氧化亚氨基)双(乙醇)(2∶1)的醚和N(-3(C(-11-异烷氧基)丙基)衍生物,富含C10
0.08%  2-巯基苯并咪唑
83.98% 水
配方F
5.36%  苄基三甲基氢氧化铵
0.28%  氢氧化钾
10.0%  二(乙二醇)丁基醚
10.0%  2-(2-二甲氨基)乙氧基)乙醇
0.30%  环氧丙烷-环氧乙烷聚合物与2,2’-(氧化亚氨基)双(乙醇)(2∶1)的醚和N(-3(C(-11-异烷氧基)丙基)衍生物,富含C10
74.06% 水
配方G
5.36%  苄基三甲基氢氧化铵
0.28%  氢氧化钾
10.0%  四亚甲基砜
10.0%  二(乙二醇)丁基醚
0.10%  环氧丙烷-环氧乙烷聚合物,单(辛基苯基)醚
0.08%  2-巯基苯并咪唑
74.18% 水。
8.权利要求1的清洗组合物,其中所述ACC包含(b)。
9.权利要求8的清洗组合物,其包含如下组分的水溶液:至少一种氧化剂、强碱、任选的螯合剂和任选的共溶剂和/或表面活性剂。
10.权利要求1的清洗组合物,其中所述ACC包括氢氧化钾。
11.权利要求8的清洗组合物,其包括如下组分:
0.1-30重量%强碱;
0.01-30重量%氧化剂;
0-10重量%螯合剂;
0-5重量%表面活性剂;
0-50重量%共溶剂;和
20-98.9重量%去离子水,
其中组分的百分比是基于该组合物总重的重量百分比,且其中该组合物的上述组分重量百分比总和不超过100重量%。
12.权利要求11的清洗组合物,其中所述强碱包含选自如下的碱类物质:氢氧化钾、烷基氢氧化铵和氢氧化胆碱。
13.权利要求8的清洗组合物,其中所述氧化剂包含选自如下的氧化剂类物质:过氧化氢、胺-N-氧化物、过硼酸盐、过硫酸盐、以及两种或多种上述物质的组合。
14.权利要求8的清洗组合物,其包括螯合剂。
15.权利要求14的清洗组合物,其中所述螯合剂包含选自如下的螯合剂类物质:三唑;由选自C1-C8烷基、氨基、硫醇基、巯基、亚氨基、羧基和硝基的取代基所取代的三唑;噻唑;四唑;咪唑;磷酸酯;硫醇;吖嗪;甘油;氨基酸;羧酸;醇;酰胺和喹啉。
16.权利要求14的清洗组合物,其中所述螯合剂包含选自如下的螯合剂类物质:1,2,4-三唑;苯并三唑;甲苯基三唑;5-苯基-苯并三唑;5-硝基-苯并三唑;4-甲基-2-苯基咪唑;2-巯基噻唑啉;1-氨基-1,2,4-三唑;羟基苯并三唑;2-(5-氨基-戊基)-苯并三唑;1-氨基-1,2,3-三唑;1-氨基-5-甲基-1,2,3-三唑;3-氨基-1,2,4-三唑;3-巯基-1,2,4-三唑;3-氨基-5-巯基-1,2,4-三唑;3-异丙基-1,2,4-三唑;5-苯基硫醇-苯并三唑;卤代苯并三唑,其中卤选自F、Cl、Br和I;萘并三唑;2-巯基苯并咪唑;2-巯基苯并噻唑;5-氨基四唑;5-氨基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇;2,4-二氨基-6-甲基-1,3,5-三嗪;噻唑;三嗪;甲基四唑;1,3-二甲基-2-咪唑烷酮;1,5-五甲撑四唑;1-苯基-5-巯基四唑;二氨基甲基三嗪;巯基苯并噻唑;咪唑啉硫酮;巯基苯并咪唑;4-甲基-4H-1,2,4-三唑-3-硫醇;5-氨基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇;苯并噻唑;磷酸三甲苯酯;indiazole;鸟嘌呤;腺嘌呤;甘油;硫代甘油;次氮基三乙酸;水杨酰胺;亚氨基二乙酸;苯并胍胺;蜜胺;硫氰尿酸;邻氨基苯甲酸;没食子酸;抗坏血酸;水杨酸;8-羟基喹啉;5-羧酸-苯并三唑;3-巯基丙醇;硼酸和亚氨基二乙酸。
17.权利要求8的组合物,其包含表面活性剂。
18.权利要求17的组合物,其中所述表面活性剂包含选自如下的表面活性剂类物质:氟烷基表面活性剂;聚乙二醇;聚丙二醇;聚乙二醇醚;聚丙二醇醚;羧酸盐;十二烷基苯磺酸和其盐;聚丙烯酸酯聚合物;二壬基苯基聚氧乙烯;硅氧烷聚合物;改性的硅氧烷聚合物;炔二醇;改性的炔二醇;烷基铵盐;改性的烷基铵盐;及上述物质中两种或多种的组合。
19.权利要求8的组合物,其包含共溶剂。
20.权利要求19的组合物,其中所述共溶剂包含选自如下的共溶剂类物质:胺;二醇;二醇醚;聚二醇醚;和上述物质中两种或多种的组合。
21.权利要求19的组合物,其中所述共溶剂包含选自如下的共溶剂类物质:二甲基二甘醇胺;1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳烯;氨丙基吗啉;三乙醇胺;甲基乙醇胺;二甘醇;丙二醇;新戊二醇;羟乙基吗啉;氨丙基吗啉;二(乙二醇)单乙基醚;二(丙二醇)丙基醚;乙二醇苯基醚;二(丙二醇)丁基醚;丁基卡必醇;聚二醇醚;和上述物质中两种或多种的组合。
22.权利要求8的清洗组合物,其包括:
0.1-30重量%强碱
2-30重量%氧化剂
0-10重量%螯合剂
0-5重量%表面活性剂
0-50%共溶剂
20-98重量%去离子水
其中组分的百分比是基于该组合物总重的重量百分比,且其中该组合物的上述组分重量百分比总和不超过100重量%。
23.权利要求1的清洗组合物,其选自配方H-R2,其中所有百分比为基于该配方总重的重量百分比:
配方H
四甲基氢氧化铵,25%水溶液          14.7%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液        7.0%
二壬基酚乙氧基化物,7%水溶液       4.3%
3-氨基-5-巯基-1,2,4-三唑          0.1%
水                                  73.9%
配方I
四甲基氢氧化铵,25%水溶液          14.7%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液        7.0%
二壬基酚乙氧基化物,7%水溶液       4.3%
四硫钼酸铵                          0.1%
水                                  73.9%
配方J
四甲基氢氧化铵,25%水溶液          14.7%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液        7.0%
二壬基酚乙氧基化物,7%水溶液       4.3%
2-巯基苯并咪唑                      0.1%
氨丙基吗啉                          20.0%
水                                  53.9%
配方K
四甲基氢氧化铵,25%水溶液          14.7%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液        7.0%
二壬基酚乙氧基化物,7%水溶液       4.3%
2-巯基苯并咪唑                      0.1%
N-乙基吗啉                          20.0%
水                                  53.9%
配方L
四甲基氢氧化铵,25%水溶液          14.7%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液        7.0%
二壬基酚乙氧基化物,7%水溶液       4.3%
2-巯基苯并咪唑                      0.1%
氨乙基哌啶                          20.0%
水                                  53.9%
配方M
四甲基氢氧化铵,25%水溶液          14.7%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液        7.0%
二壬基酚乙氧基化物,7%水溶液       4.3%
3-氨基-5-1,2,4-三唑               0.1%
氨丙基吗啉                          20.0%
水                                  53.9%
配方N
四甲基氢氧化铵,25%水溶液          14.7%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液        7.0%
二壬基酚乙氧基化物,7%水溶液       4.3%
3-氨基-5-1,2,4-三唑               0.1%
氨丙基吗啉                          10.0%
水                                  63.9%
配方O
四甲基氢氧化铵,25%水溶液          14.7%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液        7.0%
二壬基酚乙氧基化物,7%水溶液       4.3%
2-巯基苯并咪唑                      0.1%
氨丙基吗啉                          20.0%
水                                  53.9%
配方P
四甲基氢氧化铵,25%水溶液          14.7%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液        7.0%
二壬基酚乙氧基化物,7%水溶液       4.3%
2-巯基苯并咪唑                      0.1%
氨丙基吗啉                          10.0%
水                                  63.9%
配方Q
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液      9.0%
氢氧化钾,45%水溶液                0.6%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液        7.0%
二壬基酚乙氧基化物,7%水溶液       4.3%
2-巯基苯并咪唑                      0.1%
氨丙基吗啉                          20.0%
水                                  59.02%
配方R
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液      9.0%
氢氧化钾,45%水溶液                0.6%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液        7.0%
二壬基酚乙氧基化物,7%水溶液       4.3%
2-巯基苯并咪唑                      0.1%
氨丙基吗啉                          15.0%
水                                  64.02%
配方S
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液      9.0%
氢氧化钾,45%水溶液                0.6%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液        7.0%
二壬基酚乙氧基化物,7%水溶液       4.3%
2-巯基苯并咪唑                      0.1%
氨丙基吗啉                          10.0%
水                                  69.02%
配方T
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液      13.4%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液        7.0%
氢氧化钾,45%水溶液                0.6%
2-巯基苯并咪唑                      0.08%
二壬基酚聚氧乙烯                    0.3%
水                                  78.62%
配方U
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液      13.4%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液        7.0%
氢氧化钾,45%水溶液                1.2%
2-巯基苯并咪唑                      0.08%
二壬基酚聚氧乙烯                    0.3%
水                                  78.02%
配方V
四甲基氢氧化铵,25%水溶液          5.85%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液        7.0%
氢氧化钾,45%水溶液                1.2%
2-巯基苯并咪唑                      0.08%
二壬基酚聚氧乙烯                    0.3%
水                                  85.57%
配方W
四甲基氢氧化铵,25%水溶液          2.93%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液        7.0%
氢氧化钾,45%水溶液                1.2%
2-巯基苯并咪唑                      0.08%
二壬基酚聚氧乙烯                    0.3%
水                                  88.49%
配方X
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液      7.2%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液        7.0%
氢氧化钾,45%水溶液                0.6%
2-巯基苯并咪唑                      0.08%
二壬基酚聚氧乙烯                    0.3%
水                                  84.82%
配方Y
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液      3.6%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液        7.0%
氢氧化钾,45%水溶液                1.2%
2-巯基苯并咪唑                      0.08%
二壬基酚聚氧乙烯                    0.3%
水                                  87.82%
配方Z
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液      3.6%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液        7.0%
氢氧化钾,45%水溶液                0.6%
2-巯基苯并咪唑                      0.08%
二壬基酚聚氧乙烯                    0.3%
水                                  88.42%
配方A2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液      7.2%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液        7.0%
氢氧化钾,45%水溶液                0.3%
2-巯基苯并咪唑                      0.08%
二壬基酚聚氧乙烯                    0.3%
水                                  85.12%
配方B2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液      22.26%
氢氧化钾,45%水溶液                0.6%
2-巯基苯并咪唑                      0.08%
甲基二乙醇胺                        2.33%
磷酸(86%)                          1.69%
3-氨基-5-巯基-1,2,4-三唑          1.0%
水                                  72.04%
配方C2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液      22.26%
氢氧化钾,45%水溶液                0.6%
2-巯基苯并咪唑                      0.08%
甲基二乙醇胺                        2.33%
磷酸(86%)                          1.69%
4-甲基-2-苯基-咪唑                  1.0%
水                                  72.04%
配方D2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液      22.26%
氢氧化钾,45%水溶液                0.6%
2-巯基苯并咪唑                      0.08%
甲基二乙醇胺                        2.33%
磷酸(86%)                          1.69%
2-巯基噻唑啉                        1.0%
水                                  72.04%
配方E2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液      22.26%
氢氧化钾,45%水溶液                0.6%
2-巯基苯并咪唑                      0.08%
甲基二乙醇胺                        2.33%
磷酸(86%)                          1.69%
8-羟基喹啉                          1.0%
水                                  72.04%
配方F2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液      22.26%
氢氧化钾,45%水溶液                0.6%
2-巯基苯并咪唑                      0.08%
甲基二乙醇胺                        2.33%
磷酸(86%)                          1.69%
1-苯基-2-四氮唑-5-硫酮              1.0%
水                                  72.04%
配方G2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液      22.26%
氢氧化钾,45%水溶液                0.6%
2-巯基苯并咪唑                      0.08%
甲基二乙醇胺                        2.33%
磷酸(86%)                          1.69%
没食子酸                            1.0%
水                                  72.04%
配方H2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液      22.26%
氢氧化钾,45%水溶液                0.6%
2-巯基苯并咪唑                      0.08%
甲基二乙醇胺                        2.33%
磷酸(86%)                          1.69%
水杨酸                              1.0%
水                                  72.04%
配方I2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液      22.26%
氢氧化钾,45%水溶液                0.6%
2-巯基苯并咪唑                      0.08%
甲基二乙醇胺                        2.33%
磷酸(86%)                          1.69%
抗坏血酸                            1.0%
水                                  72.04%
配方J2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液      7.2%
氢氧化钾,45%水溶液                0.6%
2-巯基苯并咪唑                      0.08%
氨丙基吗啉                          10%
4-甲基-2-苯基-咪唑                  1.0%
水                                  81.12%
配方K2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液      7.2%
氢氧化钾,45%水溶液                0.6%
2-巯基苯并咪唑                      0.08%
氨丙基吗啉                          10%
4-甲基-2-苯基-咪唑                  0.5%
水                                  81.62%
配方L2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液      7.2%
氢氧化钾,45%水溶液                0.6%
2-巯基苯并咪唑                      0.08%
氨丙基吗啉                          10%
4-甲基-2-苯基-咪唑                  1.0%
水                                  81.02%
二壬基酚聚氧乙烯                    0.1%
配方M2
四甲基氢氧化铵,25%水溶液          4.0%
过氧化氢,30%水溶液                2.0%
5-氨基四唑                          0.1%
水                                  93.9%
配方N2
四甲基氢氧化铵,25%水溶液          4.0%
过氧化氢,30%水溶液                2.0%
2,4-二氨基-6-甲基-1,3,5-三嗪     0.1%
水                                  93.9%
配方O2
四甲基氢氧化铵,25%水溶液          4.0%
过氧化氢,30%水溶液                2.0%
5-氨基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇        0.1%
水                                  93.9%
配方P2
四甲基氢氧化铵,25%水溶液          4.0%
过氧化氢,30%水溶液                2.0%
1,2,4-三唑                        0.1%
水                                  93.9%
配方Q2
四甲基氢氧化铵,25%水溶液          4.0%
过氧化氢,30%水溶液                2.0%
2,4-二羟基-6-甲基嘧啶              0.1%
水                                  93.9%
配方R2
四甲基氢氧化铵,25%水溶液          4.0%
过氧化氢,30%水溶液                2.0%
8-羟基喹啉                          0.1%
水                                  93.9%。
24.将光致抗蚀剂和/或SARC材料从其上具有所述物质的基片上去除的方法,所述方法包括使该基片与清洗组合物接触充分的时间,从而至少部分地将所述物质从该基片上去除,其中所述清洗组合物包括选自如下的活性清洗组合(ACC):(a)与碱金属碱或碱土金属碱中至少之一组合的季铵碱;和(b)与氧化剂组合的强碱。
25.权利要求24的方法,其中所述基片包含半导体器件结构。
26.权利要求24的方法,其中所述物质包含光致抗蚀剂。
27.权利要求24的方法,其中所述物质包含SARC材料。
28.权利要求27的方法,其中所述SARC材料被施加到半导体器件结构,用以在对该半导体器件结构进行光刻图案化过程中使反射率的变化最小。
29.权利要求24的方法,其中所述接触进行约10到约45分钟。
30.权利要求24的方法,其中所述接触在约50℃到约80℃的温度下进行。
31.权利要求24的方法,其中所述组合物中不含有羟胺。
32.权利要求24的方法,其中所述ACC含有(a)。
33.权利要求32的方法,其中所述组合物含有以下组分:
0.1-40.0重量%的有机季铵碱;
0.01-5重量%的碱金属碱或碱土金属碱;
0-80重量%的溶剂和/或胺;
0-5重量%的表面活性剂;
0-10重量%的螯合剂/钝化剂;和
0-98重量%的水,
其中组分的百分比是基于该组合物总重的重量百分比,且其中该组合物的上述组分重量百分比总和不超过100重量%。
34.权利要求24的方法,其中所述组合物包括选自如下的至少一种附加成分:稳定剂、分散剂、抗氧化剂、穿透剂、佐剂、添加剂、填充剂和赋形剂。
35.权利要求32的方法,其中所述组合物包括如下组分:
2-15重量%的有机季铵碱;
~0.01-2重量%的碱金属碱或碱土金属碱;
0-50重量%的溶剂和/或胺;
~0.01-2重量%的表面活性剂;
0-5重量%的螯合剂/钝化剂;和
40-95重量%的水,
其中组分的百分比是基于该组合物总重的重量百分比,且其中该组合物的上述组分重量百分比总和不超过100重量%。
36.权利要求24的方法,其中所述清洗组合物选自配方A-G,其中所有的百分比为基于该配方总重的重量百分比:
配方A
苄基三甲基氢氧化铵                       5.36%
氢氧化钾                                 0.28%
4-甲基吗啉N-氧化物                       3.0%
聚氧乙烯(150)二壬基苯基醚                0.30%
2-巯基苯并咪唑                           0.08%
水                                       91.0%
配方B
苄基三甲基氢氧化铵                       5.36%
氢氧化钾                                 0.28%
4-甲基吗啉N-氧化物                       0.28%
聚氧乙烯(150)二壬基苯基醚                0.30%
5-氨基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇             0.20%
水                                       90.86%
配方C
苄基三甲基氢氧化铵                       3.60%
氢氧化钾                                 0.27%
4-甲基吗啉N-氧化物                       3.5%
4-(3-氨丙基)吗啉                         15.0%
聚氧乙烯(150)二壬基苯基醚                0.30%
2-巯基苯并咪唑                           0.08%
水                                       77.25%
配方D
苄基三甲基氢氧化铵                       5.36%
氢氧化钾                                 0.28%
二甲亚砜                                 20.0%
2-巯基苯并咪唑                           0.08%
水                                       74.28%
配方E
苄基三甲基氢氧化铵                       5.36%
氢氧化钾                                 0.28%
四亚甲基砜                               10.0%
环氧丙烷-环氧乙烷聚合物与2,2’-(氧化
亚氨基)双(乙醇)(2∶1)的醚和N(-3(C(-11
-异烷氧基)丙基)衍生物,富含C10           0.30%
2-巯基苯并咪唑                           0.08%
水                                       83.98%
配方F
苄基三甲基氢氧化铵                       5.36%
氢氧化钾                                 0.28%
二(乙二醇)丁基醚                         10.0%
2-(2-二甲氨基)乙氧基)乙醇                10.0%
环氧丙烷-环氧乙烷聚合物与2,2’-(氧化
亚氨基)双(乙醇)(2∶1)的醚和
N(-3(C(-11-
异烷氧基)丙基)衍生物,富含C10            0.30%
水                                       74.06%
配方G
苄基三甲基氢氧化铵                       5.36%
氢氧化钾                                 10.0%
四亚甲基砜                               10.0%
二(乙二醇)丁基醚                         10.0%
环氧丙烷-环氧乙烷聚合物,单(辛基苯基)醚  0.10%
2-巯基苯并咪唑                           0.08%
水                                       74.18%。
37.权利要求24的方法,其中所述ACC包含(b)。
38.权利要求37的方法,其中所述清洗组合物包括如下组分的水溶液:至少一种氧化剂、强碱、任选的螯合剂和任选的共溶剂和/或表面活性剂。
39.权利要求24的方法,其中所述ACC包含氢氧化钾。
40.权利要求37的方法,其中所述清洗组合物包括如下组分:
0.1-30重量%强碱;
0.01-30重量%氧化剂;
0-10重量%螯合剂;
0-5重量%表面活性剂;
0-50重量%共溶剂;和
20-98.9重量%去离子水,
其中组分的百分比是基于该组合物总重的重量百分比,且其中该组合物的上述组分重量百分比总和不超过100重量%。
41.权利要求40的方法,其中所述强碱包含选自如下的碱类物质:氢氧化钾、烷基氢氧化铵和氢氧化胆碱。
42.权利要求37的方法,其中所述氧化剂包含选自如下的氧化剂类物质:过氧化氢、有机过氧化物、胺-N-氧化物、过硼酸盐、过硫酸盐、以及两种或多种上述物质的组合。
43.权利要求37的方法,其包括螯合剂。
44.权利要求43的方法,其中所述螯合剂包含选自如下的螯合剂类物质:三唑;由选自C1-C8烷基、氨基、硫醇基、巯基、亚氨基、羧基和硝基的取代基所取代的三唑;噻唑;四唑;咪唑;磷酸酯;硫醇;吖嗪;甘油;氨基酸;羧酸;醇;酰胺和喹啉。
45.权利要求43的方法,其中所述螯合剂包含选自如下的螯合剂类物质:1,2,4-三唑;苯并三唑;甲苯基三唑;5-苯基-苯并三唑;5-硝基-苯并三唑;1-氨基-1,2,4-三唑;羟基苯并三唑;2-(5-氨基-戊基)-苯并三唑;1-氨基-1,2,3-三唑;4-甲基-2-苯基咪唑;2-巯基噻唑啉;1-氨基-5-甲基-1,2,3-三唑;3-氨基-1,2,4-三唑;3-氨基-5-巯基-1,2,4-三唑,3-巯基-1,2,4-三唑;3-异丙基-1,2,4-三唑;5-苯基硫醇-苯并三唑;卤代苯并三唑,其中卤选自F、Cl、Br和I;萘并三唑;2-巯基苯并咪唑;2-巯基苯并噻唑;5-氨基四唑;5-氨基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇;2,4-二氨基-6-甲基-1,3,5-三嗪;噻唑;三嗪;甲基四唑;1,3-二甲基-2-咪唑烷酮;1,5-五甲撑四唑;1-苯基-5-巯基四唑;二氨基甲基三嗪;巯基苯并噻唑;咪唑啉硫酮;巯基苯并咪唑;4-甲基-4H-1,2,4-三唑-3-硫醇;5-氨基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇;苯并噻唑;磷酸三甲苯酯;indiazole;鸟嘌呤;腺嘌呤;甘油;硫代甘油;次氮基三乙酸;水杨酰胺;亚氨基二乙酸;苯并胍胺;蜜胺;硫氰尿酸;邻氨基苯甲酸;没食子酸;抗坏血酸;水杨酸;8-羟基喹啉;5-羧酸-苯并三唑;3-巯基丙醇;硼酸和亚氨基二乙酸。
46.权利要求37的方法,其中所述清洗组合物包含表面活性剂。
47.权利要求46的方法,其中所述表面活性剂包含选自如下的表面活性剂类物质:氟烷基表面活性剂;聚乙二醇;聚丙二醇;聚乙二醇醚;聚丙二醇醚;羧酸盐;十二烷基苯磺酸和其盐;聚丙烯酸酯聚合物;二壬基苯基聚氧乙烯;硅氧烷聚合物;改性的硅氧烷聚合物;炔二醇;改性的炔二醇;烷基铵盐;改性的烷基铵盐;及上述物质中两种或多种的组合。
48.权利要求37的方法,其中所述清洗组合物包含共溶剂。
49.权利要求48的方法,其中所述共溶剂包含选自如下的共溶剂类物质:胺;二醇;二醇醚;聚二醇醚;和上述物质中两种或多种的组合。
50.权利要求48的方法,其中所述共溶剂包括选自如下的共溶剂类物质:二甲基二甘醇胺;1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳烯;甲基二乙醇胺;氨丙基吗啉;三乙醇胺;甲基乙醇胺;二甘醇;丙二醇;新戊二醇;羟乙基吗啉;氨丙基吗啉;二(乙二醇)单乙基醚;二(丙二醇)丙基醚;乙二醇苯基醚;二(丙二醇)丁基醚;丁基卡必醇;聚二醇醚;和上述物质中两种或多种的组合。
51.权利要求37的方法,其中所述组合物包含:
0.1-30重量%强碱
2-30重量%氧化剂
0-10重量%螯合剂
0-50%共溶剂
0-5重量%表面活性剂
20-98重量%去离子水
其中组分的百分比是基于该组合物总重的重量百分比,且其中该组合物的上述组分重量百分比总和不超过100重量%。
52.权利要求24的方法,其中所述清洗组合物选自配方H-G2,其中所有百分比为基于该配方总重的重量百分比:
配方H
四甲基氢氧化铵,25%水溶液                14.7%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液              7.0%
二壬基酚乙氧基化物,7%水溶液             4.3%
3-氨基-5-巯基-1,2,4-三唑                0.1%
水                                        73.9%
配方I
四甲基氢氧化铵,25%水溶液                14.7%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液              7.0%
二壬基酚乙氧基化物,7%水溶液             4.3%
四硫钼酸铵                                0.1%
水                                        73.9%
配方J
四甲基氢氧化铵,25%水溶液                14.7%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液              7.0%
二壬基酚乙氧基化物,7%水溶液             4.3%
2-巯基苯并咪唑                            0.1%
氨丙基吗啉                                20.0%
水                                        53.9%
配方K
四甲基氢氧化铵,25%水溶液                14.7%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液              7.0%
二壬基酚乙氧基化物,7%水溶液             4.3%
2-巯基苯并咪唑                            0.1%
N-乙基吗啉                                20.0%
水                                        53.9%
配方L
四甲基氢氧化铵,25%水溶液                14.7%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液              7.0%
二壬基酚乙氧基化物,7%水溶液             4.3%
2-巯基苯并咪唑                            0.1%
氨乙基哌啶                                20.0%
水                                        53.9%
配方M
四甲基氢氧化铵,25%水溶液                14.7%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液              7.0%
二壬基酚乙氧基化物,7%水溶液             4.3%
3-氨基-5-1,2,4-三唑                     0.1%
氨丙基吗啉                                20.0%
水                                        53.9%
配方N
四甲基氢氧化铵,25%水溶液                14.7%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液              7.0%
二壬基酚乙氧基化物,7%水溶液             4.3%
3-氨基-5-1,2,4-三唑                     0.1%
氨丙基吗啉                                10.0%
水                                        63.9%
配方O
四甲基氢氧化铵,25%水溶液                14.7%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液              7.0%
二壬基酚乙氧基化物,7%水溶液             4.3%
2-巯基苯并咪唑                            0.1%
氨丙基吗啉                                20.0%
水                                        53.9%
配方P
四甲基氢氧化铵,25%水溶液                14.7%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液              7.0%
二壬基酚乙氧基化物,7%水溶液             4.3%
2-巯基苯并咪唑                            0.1%
氨丙基吗啉                                10.0%
水                                        63.9%
配方Q
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液            9.0%
氢氧化钾,45%水溶液                      0.6%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液              7.0%
二壬基酚乙氧基化物,7%水溶液             4.3%
2-巯基苯并咪唑                            0.1%
氨丙基吗啉                                20.0%
水                                        59.02%
配方R
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液            9.0%
氢氧化钾,45%水溶液                      0.6%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液              7.0%
二壬基酚乙氧基化物,7%水溶液             4.3%
2-巯基苯并咪唑                            0.1%
氨丙基吗啉                                15.0%
水                                        64.02%
配方S
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液            9.0%
氢氧化钾,45%水溶液                      0.6%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液              7.0%
二壬基酚乙氧基化物,7%水溶液             4.3%
2-巯基苯并咪唑                            0.1%
氨丙基吗啉                                10.0%
水                                        69.02%
配方T
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液            13.4%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液              7.0%
氢氧化钾,45%水溶液                      0.6%
2-巯基苯并咪唑                            0.08%
二壬基酚聚氧乙烯                          0.3%
水                                        78.62%
配方U
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液            13.4%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液              7.0%
氢氧化钾,45%水溶液                      1.2%
2-巯基苯并咪唑                            0.08%
二壬基酚聚氧乙烯                          0.3%
水                                        78.02%
配方V
四甲基氢氧化铵,25%水溶液                5.85%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液              7.0%
氢氧化钾,45%水溶液                      1.2%
2-巯基苯并咪唑                            0.08%
二壬基酚聚氧乙烯                          0.3%
水                                        85.57%
配方W
四甲基氢氧化铵,25%水溶液                2.93%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液              7.0%
氢氧化钾,45%水溶液                      1.2%
2-巯基苯并咪唑                            0.08%
二壬基酚聚氧乙烯                          0.3%
水                                        88.49%
配方X
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液            7.2%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液              7.0%
氢氧化钾,45%水溶液                      0.6%
2-巯基苯并咪唑                            0.08%
二壬基酚聚氧乙烯                          0.3%
水                                        84.82%
配方Y
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液            3.6%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液              7.0%
氢氧化钾,45%水溶液                      1.2%
2-巯基苯并咪唑                            0.08%
二壬基酚聚氧乙烯                          0.3%
水                                        87.82%
配方Z
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液            3.6%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液              7.0%
氢氧化钾,45%水溶液                      0.6%
2-巯基苯并咪唑                            0.08%
二壬基酚聚氧乙烯                          0.3%
水                                        88.42%
配方A2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液            7.2%
N-甲基吗啉氧化物,50%水溶液              7.0%
氢氧化钾,45%水溶液                      0.3%
2-巯基苯并咪唑                            0.08%
二壬基酚聚氧乙烯                          0.3%
水                                        85.12%
配方B2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液            22.26%
氢氧化钾,45%水溶液                      0.6%
2-巯基苯并咪唑                            0.08%
甲基二乙醇胺                              2.33%
磷酸(86%)                                1.69%
3-氨基-5-巯基-1,2,4-三唑                1.0%
水                                        72.04%
配方C2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液            22.26%
氢氧化钾,45%水溶液                      0.6%
2-巯基苯并咪唑                            0.08%
甲基二乙醇胺                              2.33%
磷酸(86%)                                1.69%
4-甲基-2-苯基-咪唑                        1.0%
水                                        72.04%
配方D2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液            22.26%
氢氧化钾,45%水溶液                      0.6%
2-巯基苯并咪唑                            0.08%
甲基二乙醇胺                              2.33%
磷酸(86%)                                1.69%
2-巯基噻唑啉                              1.0%
水                                        72.04%
配方E2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液            22.26%
氢氧化钾,45%水溶液                      0.6%
2-巯基苯并咪唑                            0.08%
甲基二乙醇胺                              2.33%
磷酸(86%)                                1.69%
8-羟基喹啉                                1.0%
水                                        72.04%
配方F2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液            22.26%
氢氧化钾,45%水溶液                      0.6%
2-巯基苯并咪唑                            0.08%
甲基二乙醇胺                              2.33%
磷酸(86%)                                1.69%
1-苯基-2-四氮唑-5-硫酮                    1.0%
水                                        72.04%
配方G2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液            22.26%
氢氧化钾,45%水溶液                      0.6%
2-巯基苯并咪唑                            0.08%
甲基二乙醇胺                              2.33%
磷酸(86%)                                1.69%
没食子酸                                  1.0%
水                                        72.04%
配方H2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液            22.26%
氢氧化钾,45%水溶液                      0.6%
2-巯基苯并咪唑                            0.08%
甲基二乙醇胺                              2.33%
磷酸(86%)                                1.69%
水杨酸                                    1.0%
水                                        72.04%
配方I2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液            22.26%
氢氧化钾,45%水溶液                      0.6%
2-巯基苯并咪唑                            0.08%
甲基二乙醇胺                              2.33%
磷酸(86%)                                1.69%
抗坏血酸                                  1.0%
水                                        72.04%
配方J2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液            7.2%
氢氧化钾,45%水溶液                      0.6%
2-巯基苯并咪唑                            0.08%
氨丙基吗啉                                10%
4-甲基-2-苯基-咪唑                        1.0%
水                                        81.12%
配方K2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液            7.2%
氢氧化钾,45%水溶液                      0.6%
2-巯基苯并咪唑                            0.08%
氨丙基吗啉                                10%
4-甲基-2-苯基-咪唑                        0.5%
水                                        81.62%
配方L2
苄基三甲基氢氧化铵,40%水溶液            7.2%
氢氧化钾,45%水溶液                      0.6%
2-巯基苯并咪唑                            0.08%
氨丙基吗啉                                10%
4-甲基-2-苯基-咪唑                        1.0%
水                                        81.02%
二壬基酚聚氧乙烯                          0.1%
配方M2
四甲基氢氧化铵,25%水溶液                4.0%
过氧化氢,30%水溶液                      2.0%
5-氨基四唑                                0.1%
水                                        93.9%
配方N2
四甲基氢氧化铵,25%水溶液                4.0%
过氧化氢,30%水溶液                      2.0%
2,4-二氨基-6-甲基-1,3,5-三嗪           0.1%
水                                        93.9%
配方O2
四甲基氢氧化铵,25%水溶液                4.0%
过氧化氢,30%水溶液                      2.0%
5-氨基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇              0.1%
水                                        93.9%
配方P2
四甲基氢氧化铵,25%水溶液                4.0%
过氧化氢,30%水溶液                      2.0%
1,2,4-三唑                              0.1%
水                                        93.9%
配方Q2
四甲基氢氧化铵,25%水溶液                4.0%
过氧化氢,30%水溶液                      2.0%
2,4-二羟基-6-甲基嘧啶                    0.1%
水                                        93.9%
配方R2
四甲基氢氧化铵,25%水溶液                4.0%
过氧化氢,30%水溶液                      2.0%
8-羟基喹啉                                0.1%
水                                       93.9%。
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US (2) US8338087B2 (zh)
EP (1) EP1730600B1 (zh)
JP (1) JP4758982B2 (zh)
KR (1) KR101256230B1 (zh)
CN (1) CN1938647B (zh)
CA (1) CA2599727A1 (zh)
TW (1) TWI408728B (zh)
WO (1) WO2005085957A1 (zh)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102007196A (zh) * 2008-03-07 2011-04-06 高级技术材料公司 非选择性氧化物蚀刻湿清洁组合物及使用方法
CN101481640B (zh) * 2008-01-10 2011-05-18 长兴开发科技股份有限公司 水性清洗组合物
WO2012009968A1 (zh) * 2010-07-23 2012-01-26 安集微电子(上海)有限公司 一种光刻胶的清洗液
CN102346383A (zh) * 2010-08-06 2012-02-08 安集微电子(上海)有限公司 一种光刻胶的清洗液
CN102375336A (zh) * 2010-08-05 2012-03-14 旭化成电子材料株式会社 感光性树脂组合物、固化浮雕图案的制造方法及半导体装置
CN102770812A (zh) * 2010-01-25 2012-11-07 东亚合成株式会社 含导电性高分子的基材上的光致抗蚀剂用显影液、以及图形形成方法
CN103955123A (zh) * 2014-04-11 2014-07-30 武汉高芯科技有限公司 一种离子注入后晶片的湿法去胶液及光刻胶去除方法
CN104531397A (zh) * 2014-11-18 2015-04-22 惠晶显示科技(苏州)有限公司 一种平板玻璃基板减薄预清洗用清洗液及其应用
CN105899713A (zh) * 2014-01-14 2016-08-24 塞克姆公司 选择性金属/金属氧化物刻蚀方法
CN106661518A (zh) * 2014-07-18 2017-05-10 嘉柏微电子材料股份公司 在cmp后使用的清洁组合物及其相关方法
CN108319118A (zh) * 2018-03-15 2018-07-24 昆山长优电子材料有限公司 有机剥膜液
CN110713868A (zh) * 2018-07-13 2020-01-21 巴斯夫欧洲公司 可移除氮化钛的蚀刻后残渣清理溶液
CN110938502A (zh) * 2019-12-09 2020-03-31 荆州市天翼精细化工开发有限公司 一种光学变色颜料真空镀膜基板清洗剂及其制备方法
TWI690780B (zh) * 2014-12-30 2020-04-11 美商富士軟片電子材料美國股份有限公司 用於自半導體基板去除光阻之剝離組成物
CN112805141A (zh) * 2018-11-26 2021-05-14 花王株式会社 三维物体前体处理剂组合物
CN113430065A (zh) * 2020-03-23 2021-09-24 上海新阳半导体材料股份有限公司 抗反射涂层清洗及刻蚀后残留物去除组合物、制备方法及用途
CN116200748A (zh) * 2023-03-29 2023-06-02 四川和晟达电子科技有限公司 一种超高铜离子负载的金属蚀刻液组合物及其制备方法

Families Citing this family (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007536566A (ja) * 2004-05-07 2007-12-13 ドウジン セミケム カンパニー リミテッド (フォト)レジスト除去用組成物
KR101082018B1 (ko) * 2004-05-07 2011-11-10 주식회사 동진쎄미켐 레지스트 제거용 조성물
US20060003910A1 (en) * 2004-06-15 2006-01-05 Hsu Jiun Y Composition and method comprising same for removing residue from a substrate
US20060063687A1 (en) * 2004-09-17 2006-03-23 Minsek David W Composition and process for ashless removal of post-etch photoresist and/or bottom anti-reflective material on a substrate
US20060154186A1 (en) * 2005-01-07 2006-07-13 Advanced Technology Materials, Inc. Composition useful for removal of post-etch photoresist and bottom anti-reflection coatings
WO2006081406A1 (en) * 2005-01-27 2006-08-03 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions for processing of semiconductor substrates
US7923423B2 (en) * 2005-01-27 2011-04-12 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions for processing of semiconductor substrates
TWI622639B (zh) * 2005-06-07 2018-05-01 恩特葛瑞斯股份有限公司 金屬及介電相容犠牲抗反射塗層清洗及移除組成物
JP2008547202A (ja) * 2005-06-13 2008-12-25 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド 金属ケイ化物の形成後の金属または金属合金の選択的な除去のための組成物および方法
KR101444468B1 (ko) * 2005-10-05 2014-10-30 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 에칭후 잔류물을 제거하기 위한 산화성 수성 세정제
EP1945748A4 (en) * 2005-10-13 2009-01-07 Advanced Tech Materials PHOTORESIN REMOVAL AND / OR SACRIFICIAL ANTIREFLECTION COATING COMPOSITION COMPATIBLE WITH METALS
US20070099810A1 (en) * 2005-10-27 2007-05-03 Hiroshi Matsunaga Cleaning liquid and cleaning method
US20090301996A1 (en) * 2005-11-08 2009-12-10 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations for removing cooper-containing post-etch residue from microelectronic devices
EP1946358A4 (en) 2005-11-09 2009-03-04 Advanced Tech Materials COMPOSITION AND METHOD FOR RECYCLING SEMICONDUCTOR WAFERS WITH LOW DIELECTRICITY CONSTANT MATERIALS
US7674755B2 (en) 2005-12-22 2010-03-09 Air Products And Chemicals, Inc. Formulation for removal of photoresist, etch residue and BARC
TW200734448A (en) * 2006-02-03 2007-09-16 Advanced Tech Materials Low pH post-CMP residue removal composition and method of use
US20080070820A1 (en) * 2006-09-19 2008-03-20 Wescor, Inc. Stain removing cleaning solutions
US8685909B2 (en) 2006-09-21 2014-04-01 Advanced Technology Materials, Inc. Antioxidants for post-CMP cleaning formulations
US20080076688A1 (en) * 2006-09-21 2008-03-27 Barnes Jeffrey A Copper passivating post-chemical mechanical polishing cleaning composition and method of use
WO2008039730A1 (en) * 2006-09-25 2008-04-03 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for the removal of photoresist for a wafer rework application
CN101169598A (zh) * 2006-10-27 2008-04-30 安集微电子(上海)有限公司 一种光刻胶清洗剂
EP1918322A1 (en) * 2006-11-03 2008-05-07 Henkel Kommanditgesellschaft auf Aktien Paint Stripper with Corrosion Inhibitor for Aluminium
WO2008061258A2 (en) * 2006-11-17 2008-05-22 Sachem, Inc. Selective metal wet etch composition and process
JP4499751B2 (ja) * 2006-11-21 2010-07-07 エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド フォトレジスト、エッチ残留物及びbarcを除去するための配合物及び同配合物を含む方法
CN101201556A (zh) * 2006-12-15 2008-06-18 安集微电子(上海)有限公司 低蚀刻性光刻胶清洗剂
TWI611047B (zh) * 2006-12-21 2018-01-11 恩特葛瑞斯股份有限公司 用以移除蝕刻後殘餘物之液體清洗劑
TWI516573B (zh) * 2007-02-06 2016-01-11 安堤格里斯公司 選擇性移除TiSiN之組成物及方法
JP4692497B2 (ja) * 2007-02-28 2011-06-01 ナガセケムテックス株式会社 フォトレジスト剥離剤組成物
US20100112728A1 (en) * 2007-03-31 2010-05-06 Advanced Technology Materials, Inc. Methods for stripping material for wafer reclamation
CN101286016A (zh) * 2007-04-13 2008-10-15 安集微电子(上海)有限公司 低蚀刻性光刻胶清洗剂
CN101286017A (zh) * 2007-04-13 2008-10-15 安集微电子(上海)有限公司 厚膜光刻胶清洗剂
JP2010535422A (ja) * 2007-08-02 2010-11-18 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド マイクロ電子デバイスから残渣を除去するための非フッ化物含有組成物
JP2009075285A (ja) * 2007-09-20 2009-04-09 Fujifilm Corp 半導体デバイスの剥離液、及び、剥離方法
ES2386692T3 (es) * 2007-11-13 2012-08-27 Sachem, Inc. Composición de silsesquioxano poliédrico con potencial zeta negativo elevado y método para la limpieza húmeda de semiconductores sin daños
US20090241988A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-01 Intel Corporation Photoresist and antireflective layer removal solution and method thereof
US9074170B2 (en) 2008-10-21 2015-07-07 Advanced Technology Materials, Inc. Copper cleaning and protection formulations
JP5502438B2 (ja) * 2009-03-24 2014-05-28 東京応化工業株式会社 多層レジスト積層体用剥離液及び多層レジスト積層体の処理方法
US8444768B2 (en) * 2009-03-27 2013-05-21 Eastman Chemical Company Compositions and methods for removing organic substances
US8309502B2 (en) 2009-03-27 2012-11-13 Eastman Chemical Company Compositions and methods for removing organic substances
US8614053B2 (en) 2009-03-27 2013-12-24 Eastman Chemical Company Processess and compositions for removing substances from substrates
US9481937B2 (en) * 2009-04-30 2016-11-01 Asm America, Inc. Selective etching of reactor surfaces
US8518865B2 (en) 2009-08-31 2013-08-27 Air Products And Chemicals, Inc. Water-rich stripping and cleaning formulation and method for using same
JP5498768B2 (ja) * 2009-12-02 2014-05-21 東京応化工業株式会社 リソグラフィー用洗浄液及び配線形成方法
TWI548738B (zh) 2010-07-16 2016-09-11 安堤格里斯公司 用於移除蝕刻後殘餘物之水性清潔劑
JP6101421B2 (ja) 2010-08-16 2017-03-22 インテグリス・インコーポレーテッド 銅または銅合金用エッチング液
US9238850B2 (en) 2010-08-20 2016-01-19 Advanced Technology Materials, Inc. Sustainable process for reclaiming precious metals and base metals from e-waste
WO2012048079A2 (en) 2010-10-06 2012-04-12 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and process for selectively etching metal nitrides
KR101891363B1 (ko) 2010-10-13 2018-08-24 엔테그리스, 아이엔씨. 티타늄 니트라이드 부식을 억제하기 위한 조성물 및 방법
KR101983202B1 (ko) * 2011-06-01 2019-05-28 아반토 퍼포먼스 머티리얼즈, 엘엘씨 구리, 텅스텐, 및 다공성의 유전 상수 κ가 낮은 유전체들에 대한 양립성이 향상된 반수성 중합체 제거 조성물
CN102200700B (zh) * 2011-06-08 2012-08-22 绵阳艾萨斯电子材料有限公司 剥离液及其制备方法与应用
CN102981376A (zh) * 2011-09-05 2013-03-20 安集微电子(上海)有限公司 一种光刻胶清洗液
TW201311883A (zh) * 2011-09-13 2013-03-16 Anji Microelectronics Co Ltd 光阻(光刻)膠的清洗液
TW201311884A (zh) * 2011-09-13 2013-03-16 Anji Microelectronics Co Ltd 光阻(光刻)膠的清洗液
JP5933950B2 (ja) 2011-09-30 2016-06-15 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド 銅または銅合金用エッチング液
WO2013101907A1 (en) 2011-12-28 2013-07-04 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
EP2814895A4 (en) 2012-02-15 2015-10-07 Entegris Inc POST-CMP DISPOSAL USING COMPOSITIONS AND USE PROCESSES
WO2013122172A1 (ja) 2012-02-17 2013-08-22 三菱化学株式会社 半導体デバイス用洗浄液及び半導体デバイス用基板の洗浄方法
US8916429B2 (en) 2012-04-30 2014-12-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Aqueous cleaning techniques and compositions for use in semiconductor device manufacturing
JP2015517691A (ja) 2012-05-18 2015-06-22 インテグリス,インコーポレイテッド 窒化チタンを含む表面からフォトレジストを剥離するための組成物およびプロセス
US9029268B2 (en) 2012-11-21 2015-05-12 Dynaloy, Llc Process for etching metals
KR102118964B1 (ko) 2012-12-05 2020-06-08 엔테그리스, 아이엔씨. Iii-v 반도체 물질을 세척하기 위한 조성물 및 이를 사용하는 방법
US10472567B2 (en) 2013-03-04 2019-11-12 Entegris, Inc. Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
TW201500542A (zh) * 2013-04-22 2015-01-01 Advanced Tech Materials 銅清洗及保護配方
CN111394100A (zh) 2013-06-06 2020-07-10 恩特格里斯公司 用于选择性蚀刻氮化钛的组合物和方法
KR101420571B1 (ko) * 2013-07-05 2014-07-16 주식회사 동진쎄미켐 드라이필름 레지스트 박리제 조성물 및 이를 이용한 드라이필름 레지스트의 제거방법
US10138117B2 (en) 2013-07-31 2018-11-27 Entegris, Inc. Aqueous formulations for removing metal hard mask and post-etch residue with Cu/W compatibility
KR102008881B1 (ko) * 2013-08-06 2019-08-08 동우 화인켐 주식회사 반도체 웨이퍼 세정용 조성물
SG10201801575YA (en) 2013-08-30 2018-03-28 Entegris Inc Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
US9291910B2 (en) 2013-09-27 2016-03-22 Dynaloy, Llc Aqueous solution and process for removing substances from substrates
WO2015095175A1 (en) 2013-12-16 2015-06-25 Advanced Technology Materials, Inc. Ni:nige:ge selective etch formulations and method of using same
TWI662379B (zh) 2013-12-20 2019-06-11 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 移除離子植入抗蝕劑之非氧化強酸類之用途
WO2015103146A1 (en) 2013-12-31 2015-07-09 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations to selectively etch silicon and germanium
WO2015116818A1 (en) 2014-01-29 2015-08-06 Advanced Technology Materials, Inc. Post chemical mechanical polishing formulations and method of use
US11127587B2 (en) 2014-02-05 2021-09-21 Entegris, Inc. Non-amine post-CMP compositions and method of use
TWI635160B (zh) * 2014-03-07 2018-09-11 東友精細化工有限公司 紋理蝕刻溶液組成物及晶體矽晶圓紋理蝕刻方法
TWI522421B (zh) * 2014-03-18 2016-02-21 Daxin Materials Corp Liquid crystal alignment composition
KR101956352B1 (ko) * 2014-03-20 2019-03-08 동우 화인켐 주식회사 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법
KR102310637B1 (ko) 2015-01-12 2021-10-08 삼성전자주식회사 씬너 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
KR102327568B1 (ko) * 2015-03-12 2021-11-17 리지필드 액퀴지션 낮은 pKa 구동의 폴리머 스트리핑 동안에 전하 착화 구리 보호를 촉진하는 조성물 및 방법
KR102152665B1 (ko) 2016-03-31 2020-09-07 후지필름 가부시키가이샤 반도체 제조용 처리액, 및 패턴 형성 방법
US10073352B2 (en) 2016-04-12 2018-09-11 Versum Materials Us, Llc Aqueous solution and process for removing substances from substrates
CN109195720B (zh) * 2016-05-23 2021-10-29 富士胶片电子材料美国有限公司 用于从半导体基板去除光刻胶的剥离组合物
EP3523241A4 (en) 2016-10-06 2020-05-13 FujiFilm Electronic Materials USA, Inc. CLEANING FORMULATIONS FOR REMOVING RESIDUES ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
CN110475845B (zh) * 2017-03-24 2022-02-25 富士胶片电子材料美国有限公司 用于移除半导体基板上的残余物的清洁组合物
WO2019000446A1 (zh) * 2017-06-30 2019-01-03 深圳市恒兆智科技有限公司 清洗除氧化皮剂及压铸铝工件除氧化皮处理方法
TWI751406B (zh) 2018-03-06 2022-01-01 美商應用材料股份有限公司 形成金屬硫系化物柱體之方法
EP3824059A4 (en) * 2018-07-20 2022-04-27 Entegris, Inc. CORROSION INHIBITOR CLEANING COMPOSITION
US11312922B2 (en) 2019-04-12 2022-04-26 Ecolab Usa Inc. Antimicrobial multi-purpose cleaner comprising a sulfonic acid-containing surfactant and methods of making and using the same
KR20220005037A (ko) 2019-04-24 2022-01-12 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 반도체 기판으로부터 포토레지스트를 제거하기 위한 박리 조성물
EP3997521B1 (en) 2019-07-11 2023-08-30 Merck Patent GmbH Photoresist remover compositions
CN113433807A (zh) * 2020-03-23 2021-09-24 上海新阳半导体材料股份有限公司 离子注入光刻胶清洗液、其制备方法及应用
KR20230155441A (ko) * 2021-03-08 2023-11-10 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 반도체기판 세정용 조성물 및 세정방법

Family Cites Families (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3980587A (en) 1974-08-16 1976-09-14 G. T. Schjeldahl Company Stripper composition
DE3530282A1 (de) 1985-08-24 1987-03-05 Hoechst Ag Verfahren zum entschichten von lichtgehaerteten photoresistschichten
US4964919A (en) 1988-12-27 1990-10-23 Nalco Chemical Company Cleaning of silicon wafers with an aqueous solution of KOH and a nitrogen-containing compound
JPH0344600A (ja) 1989-07-12 1991-02-26 Toshiba Corp 使用済樹脂の移送装置
US6242400B1 (en) 1990-11-05 2001-06-05 Ekc Technology, Inc. Method of stripping resists from substrates using hydroxylamine and alkanolamine
US6110881A (en) 1990-11-05 2000-08-29 Ekc Technology, Inc. Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials
US6492311B2 (en) * 1990-11-05 2002-12-10 Ekc Technology, Inc. Ethyenediaminetetraacetic acid or its ammonium salt semiconductor process residue removal composition and process
US6187730B1 (en) 1990-11-05 2001-02-13 Ekc Technology, Inc. Hydroxylamine-gallic compound composition and process
US5139607A (en) * 1991-04-23 1992-08-18 Act, Inc. Alkaline stripping compositions
US5147499A (en) * 1991-07-24 1992-09-15 Applied Materials, Inc. Process for removal of residues remaining after etching polysilicon layer in formation of integrated circuit structure
US5236552A (en) * 1992-04-13 1993-08-17 At&T Bell Laboratories Photoresist stripping method
IT1265041B1 (it) * 1993-07-23 1996-10-28 Eniricerche Spa Catalizzatore bifunzionale efficace nella idroisomerizzazione di cere e procedimento per la sua preparazione
US5419779A (en) 1993-12-02 1995-05-30 Ashland Inc. Stripping with aqueous composition containing hydroxylamine and an alkanolamine
US5520835A (en) * 1994-08-31 1996-05-28 The Procter & Gamble Company Automatic dishwashing compositions comprising multiquaternary bleach activators
US5885362A (en) 1995-07-27 1999-03-23 Mitsubishi Chemical Corporation Method for treating surface of substrate
JP3198878B2 (ja) * 1995-07-27 2001-08-13 三菱化学株式会社 表面処理組成物及びそれを用いた基体の表面処理方法
TW401604B (en) * 1995-09-11 2000-08-11 Mitsubishi Chemcal Coproration Surface treatment composition
JP2950407B2 (ja) * 1996-01-29 1999-09-20 東京応化工業株式会社 電子部品製造用基材の製造方法
US5709756A (en) 1996-11-05 1998-01-20 Ashland Inc. Basic stripping and cleaning composition
US6268323B1 (en) 1997-05-05 2001-07-31 Arch Specialty Chemicals, Inc. Non-corrosive stripping and cleaning composition
US6117795A (en) * 1998-02-12 2000-09-12 Lsi Logic Corporation Use of corrosion inhibiting compounds in post-etch cleaning processes of an integrated circuit
JP2002505448A (ja) * 1998-02-26 2002-02-19 アルファ・メタルズ・インコーポレーテッド レジストストリッピング法
US6440647B1 (en) 1998-02-26 2002-08-27 Alpha Metals, Inc. Resist stripping process
US5977601A (en) 1998-07-17 1999-11-02 Advanced Micro Devices, Inc. Method for etching memory gate stack using thin resist layer
MY144574A (en) * 1998-09-14 2011-10-14 Ibiden Co Ltd Printed circuit board and method for its production
KR100286860B1 (ko) * 1998-12-31 2001-07-12 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 리무버 조성물
KR20000053521A (ko) 1999-01-20 2000-08-25 고사이 아끼오 금속 부식 방지제 및 세척액
US6329118B1 (en) 1999-06-21 2001-12-11 Intel Corporation Method for patterning dual damascene interconnects using a sacrificial light absorbing material
US6038800A (en) * 1999-07-23 2000-03-21 Seidel; Gregg A. Advertising display device
JP2001183850A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Sumitomo Chem Co Ltd 剥離剤組成物
JP3514435B2 (ja) * 1999-12-28 2004-03-31 東京応化工業株式会社 ホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法
TWI243204B (en) 2000-02-04 2005-11-11 Sumitomo Chemical Co Electronic parts cleaning solution
US6531436B1 (en) * 2000-02-25 2003-03-11 Shipley Company, L.L.C. Polymer removal
JP2001244228A (ja) * 2000-02-29 2001-09-07 Mitsubishi Materials Silicon Corp 半導体基板の洗浄液及び洗浄方法
US6274296B1 (en) * 2000-06-08 2001-08-14 Shipley Company, L.L.C. Stripper pretreatment
US6992050B2 (en) * 2000-06-28 2006-01-31 Nec Corporation Stripping agent composition and method of stripping
JP2002062668A (ja) 2000-08-14 2002-02-28 Mitsubishi Gas Chem Co Inc フォトレジストの剥離方法
WO2002027407A1 (fr) * 2000-09-27 2002-04-04 Hitachi Chemical Co., Ltd. Motif de reserve, procede de production et d'utilisation dudit motif
US6599370B2 (en) * 2000-10-16 2003-07-29 Mallinckrodt Inc. Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
KR100822236B1 (ko) 2000-11-30 2008-04-16 토소가부시키가이샤 레지스트 박리제
JP2003005383A (ja) * 2000-11-30 2003-01-08 Tosoh Corp レジスト剥離剤
JP4945857B2 (ja) 2001-06-13 2012-06-06 Jsr株式会社 研磨パッド洗浄用組成物及び研磨パッド洗浄方法
MY131912A (en) 2001-07-09 2007-09-28 Avantor Performance Mat Inc Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility
TWI297102B (en) * 2001-08-03 2008-05-21 Nec Electronics Corp Removing composition
US6572743B2 (en) * 2001-08-23 2003-06-03 3M Innovative Properties Company Electroplating assembly for metal plated optical fibers
JP3797541B2 (ja) * 2001-08-31 2006-07-19 東京応化工業株式会社 ホトレジスト用剥離液
US6551973B1 (en) * 2001-10-09 2003-04-22 General Chemical Corporation Stable metal-safe stripper for removing cured negative-tone novolak and acrylic photoresists and post-etch residue
US6991739B2 (en) * 2001-10-15 2006-01-31 Applied Materials, Inc. Method of photoresist removal in the presence of a dielectric layer having a low k-value
AU2002227106A1 (en) * 2001-11-15 2003-06-10 Honeywell International Inc. Spin-on anti-reflective coatings for photolithography
US6943142B2 (en) * 2002-01-09 2005-09-13 Air Products And Chemicals, Inc. Aqueous stripping and cleaning composition
TW574606B (en) * 2002-04-10 2004-02-01 Merck Kanto Advanced Chemical Thinner composition for rinsing photoresist
EP1501916B1 (en) * 2002-04-25 2009-06-17 FujiFilm Electronic Materials USA, Inc. Non-corrosive cleaning compositions for removing etch residues
EP1512050A2 (en) * 2002-06-07 2005-03-09 Mallinckrodt Baker, Inc. Cleaning compositions for microelectronic substrates
US8236485B2 (en) * 2002-12-20 2012-08-07 Advanced Technology Materials, Inc. Photoresist removal
US7442675B2 (en) * 2003-06-18 2008-10-28 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Cleaning composition and method of cleaning semiconductor substrate
US7101832B2 (en) * 2003-06-19 2006-09-05 Johnsondiversey, Inc. Cleaners containing peroxide bleaching agents for cleaning paper making equipment and method
BRPI0418529A (pt) * 2004-02-11 2007-05-15 Mallinckrodt Baker Inc composições de limpeza para microeletrÈnicos contendo ácidos de halogênio oxigenados, sais e derivados dos mesmos

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101481640B (zh) * 2008-01-10 2011-05-18 长兴开发科技股份有限公司 水性清洗组合物
CN102007196A (zh) * 2008-03-07 2011-04-06 高级技术材料公司 非选择性氧化物蚀刻湿清洁组合物及使用方法
CN102007196B (zh) * 2008-03-07 2014-10-29 高级技术材料公司 非选择性氧化物蚀刻湿清洁组合物及使用方法
CN102770812B (zh) * 2010-01-25 2015-07-01 东亚合成株式会社 含导电性高分子的基材上的光致抗蚀剂用显影液、以及图形形成方法
CN102770812A (zh) * 2010-01-25 2012-11-07 东亚合成株式会社 含导电性高分子的基材上的光致抗蚀剂用显影液、以及图形形成方法
US8895227B2 (en) 2010-01-25 2014-11-25 Toagosei Co., Ltd. Developing solution for photoresist on substrate including conductive polymer, and method for forming pattern
WO2012009968A1 (zh) * 2010-07-23 2012-01-26 安集微电子(上海)有限公司 一种光刻胶的清洗液
CN102375336A (zh) * 2010-08-05 2012-03-14 旭化成电子材料株式会社 感光性树脂组合物、固化浮雕图案的制造方法及半导体装置
CN102375336B (zh) * 2010-08-05 2013-10-09 旭化成电子材料株式会社 感光性树脂组合物、固化浮雕图案的制造方法及半导体装置
CN102346383A (zh) * 2010-08-06 2012-02-08 安集微电子(上海)有限公司 一种光刻胶的清洗液
WO2012016425A1 (zh) * 2010-08-06 2012-02-09 安集微电子(上海)有限公司 一种光刻胶的清洗液
CN102346383B (zh) * 2010-08-06 2016-03-16 安集微电子(上海)有限公司 一种光刻胶的清洗液
CN105899713A (zh) * 2014-01-14 2016-08-24 塞克姆公司 选择性金属/金属氧化物刻蚀方法
CN105899713B (zh) * 2014-01-14 2018-01-12 塞克姆公司 选择性金属/金属氧化物刻蚀方法
CN103955123A (zh) * 2014-04-11 2014-07-30 武汉高芯科技有限公司 一种离子注入后晶片的湿法去胶液及光刻胶去除方法
CN106661518A (zh) * 2014-07-18 2017-05-10 嘉柏微电子材料股份公司 在cmp后使用的清洁组合物及其相关方法
CN106661518B (zh) * 2014-07-18 2020-01-14 嘉柏微电子材料股份公司 在cmp后使用的清洁组合物及其相关方法
CN104531397A (zh) * 2014-11-18 2015-04-22 惠晶显示科技(苏州)有限公司 一种平板玻璃基板减薄预清洗用清洗液及其应用
TWI690780B (zh) * 2014-12-30 2020-04-11 美商富士軟片電子材料美國股份有限公司 用於自半導體基板去除光阻之剝離組成物
CN108319118A (zh) * 2018-03-15 2018-07-24 昆山长优电子材料有限公司 有机剥膜液
CN110713868A (zh) * 2018-07-13 2020-01-21 巴斯夫欧洲公司 可移除氮化钛的蚀刻后残渣清理溶液
CN112805141A (zh) * 2018-11-26 2021-05-14 花王株式会社 三维物体前体处理剂组合物
CN112805141B (zh) * 2018-11-26 2023-06-02 花王株式会社 三维物体前体处理剂组合物
CN110938502A (zh) * 2019-12-09 2020-03-31 荆州市天翼精细化工开发有限公司 一种光学变色颜料真空镀膜基板清洗剂及其制备方法
CN113430065A (zh) * 2020-03-23 2021-09-24 上海新阳半导体材料股份有限公司 抗反射涂层清洗及刻蚀后残留物去除组合物、制备方法及用途
CN113430065B (zh) * 2020-03-23 2024-06-07 上海新阳半导体材料股份有限公司 抗反射涂层清洗及刻蚀后残留物去除组合物、制备方法及用途
CN116200748A (zh) * 2023-03-29 2023-06-02 四川和晟达电子科技有限公司 一种超高铜离子负载的金属蚀刻液组合物及其制备方法
CN116200748B (zh) * 2023-03-29 2024-03-29 四川和晟达电子科技有限公司 一种超高铜离子负载的金属蚀刻液组合物及其制备方法

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