CN109415344A - 金属络合物 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及金属络合物和含有所述金属络合物的电子器件，特别是有机电致发光器件。

Description

金属络合物
本发明涉及金属络合物，其适合用作有机电致发光器件中的发光体。
根据现有技术，磷光有机电致发光器件(OLED)中使用的三重态发光体首先是铱络合物，特别是含有芳族配体的双邻金属化络合物和三邻金属化络合物，其中所述配体经由带负电的碳原子和中性氮原子或经由带负电的碳原子和中性卡宾碳原子键合至所述金属。此类络合物的实例是三(苯基吡啶基)铱(III)及其衍生物，例如与1-苯基-异喹啉配体或3-苯基-异喹啉配体的络合物，与2-苯基喹啉的络合物或与苯基卡宾的络合物。
通过使用如例如WO 2004/081017或US 7,332,232中所述的多足配体已经实现了络合物稳定性的改善。即使含有多足配体的这些络合物与具有相同配体结构但其单个配体不是多足配体的络合物相比展现优势，但仍然需要改进。这尤其是由于化合物的更复杂的合成，例如，在络合反应中需要非常长的反应时间和高的反应温度。此外，即使在具有多足配体的络合物的情况下，在用于有机电致发光器件中时，对于性能，特别是与效率、电压和/或寿命有关的性能仍然需要改进。
因此，本发明的目的是提供新的金属络合物，其适合作为用于OLED中的发光体。特别地，目的是提供展现与效率、工作电压和/或寿命有关的特性改进的发光体。此外，本发明的目的是提供金属络合物，其合成可在较温和的合成条件下进行，特别是与反应持续时间和反应温度有关的合成条件，在每种情况下与含有结构上类似的配体的络合物进行比较。此外，本发明的目的是提供金属络合物，其不表现出面式-经式异构化，所述面式-经式异构化可代表根据现有技术的络合物的情况下的问题。
令人惊奇的是，已发现含有六齿三足配体的金属络合物，其中连接各个部分配体的配体桥具有下述结构，实现了该目的，并且非常适合用于有机电致发光器件中。因此，本发明涉及这些金属络合物和含有这些络合物的有机电致发光器件。
因此，本发明涉及含有六齿三足配体的单金属的金属络合物，其中可相同或不同的三个双齿部分配体与金属配位，并且所述三个双齿部分配体经由下式(1)的桥连接：
其中虚线键表示从所述双齿部分配体到该结构的键，并且以下适用于所用的符号：
X1在每次出现时相同或不同地是CR2或O；
X2在每次出现时相同或不同地是任选被取代的CR、P＝O、B或Si，条件是，对于X2等于任选被取代的P＝O、B或Si，X1代表O；这里X1和X2上任选存在的取代基可各自以及彼此形成脂族或杂脂族环系；
X3在每次出现时相同或不同地是-CR＝CR-、-CR＝N-、-CR-NR”-、-C(＝O)-O-、-C(＝O)-NR”-、-C(＝O)-S-、-C(＝S)-O-、-C(＝S)-NR”-、-C(＝S)-S-；
R在每次出现时相同或不同地是H，D，F，Cl，Br，I，N(R1)2，CN，NO2，OR1，SR1，COOH，C(＝O)N(R1)2，Si(R1)3，B(OR1)2，C(＝O)R1，P(＝O)(R1)2，S(＝O)R1，S(＝O)2R1，OSO2R1，具有1至20个C原子的直链烷基基团，或具有2至20个C原子的烯基或炔基基团，或具有3至20个C原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基、烯基或炔基基团在每种情况下可被一个或多个基团R1取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可被R1C＝CR1、C≡C、Si(R1)2、C＝O、NR1、O、S或CONR1代替，或具有5至40个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可被一个或多个基团R1取代；这里键合至X1和/或X2的两个或更多个基团R也可彼此形成脂族或杂脂族环系；此外，对于X3＝-CR＝CR-，两个基团R也可彼此形成脂族、杂脂族、芳族或杂芳族环系；此外，对于X3＝-CR-NR”-，基团R和R”彼此形成杂芳族环系；
R”在每次出现时相同或不同地是H，D，具有1至20个C原子的直链烷基基团，或具有3至20个C原子的支链或环状的烷基基团，或具有2至20个C原子的烯基基团，其中所述烷基基团或烯基基团在每种情况下可被一个或多个基团R1取代并且其中一个或多个非相邻的CH2基团可被Si(R1)2代替，或具有5至40个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可被一个或多个基团R1取代；
R1在每次出现时相同或不同地是H，D，F，Cl，Br，I，N(R2)2，CN，NO2，OR2，SR2，Si(R2)3，B(OR2)2，C(＝O)R2，P(＝O)(R2)2，S(＝O)R2，S(＝O)2R2，OSO2R2，具有1至20个C原子的直链烷基基团，或具有2至20个C原子的烯基或炔基基团，或具有3至20个C原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基、烯基或炔基基团在每种情况下可被一个或多个基团R2取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可被R2C＝CR2、C≡C、Si(R2)2、C＝O、NR2、O、S或CONR2代替，或具有5至40个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可被一个或多个基团R2取代；这里多个取代基R1也可彼此形成脂族、杂脂族、芳族或杂芳族环系；
R2在每次出现时相同或不同地是H，D，F或具有1至20个C原子的脂族、芳族和/或杂芳族有机基团，特别是烃基团，其中一个或多个H原子还可被F代替；
这里所述三个双齿配体也可被除式(1)的桥之外的另一个桥环化，形成穴状化合物。
如果X1代表C，则该C原子带有氢原子并被除氢以外的取代基取代，或者其带有两个氢原子或除氢以外的两个取代基。
根据本发明，所述配体因此是具有三个双齿部分配体的六齿三足配体。所述六齿三足配体的结构由下式(Lig)示意性地表示：
其中V表示式(1)的桥并且L1、L2和L3在每次出现时各自相同或不同地表示双齿部分配体。这里双齿是指各个部分配体经由两个配位位点与络合物中的金属配位或键合。三足是指所述配体具有三个键合至桥V或式(1)的桥的部分配体。由于所述配体具有三个双齿部分配体，因此这总体上产生六齿配体，即经由六个配位位点与金属配位或键合的配体。在本申请意义上的术语“双齿部分配体”是指，如果式(1)的桥不存在，则该单元将是双齿配体。然而，在这个双齿配体上形式上消除氢原子并且与式(1)的桥连接意味着它不再是单独的配体，而是以这种方式形成的六齿配体的一部分，因此术语“部分配体”用于此。
因此，与这个式(Lig)配体形成的金属络合物M(Lig)可以由下式示意性地表示：
其中V表示式(1)的桥，L1、L2和L3在每次出现时各自相同或不同地表示双齿部分配体，并且M代表金属。从方案图中可以看出，在根据本发明的化合物中，所有三个双齿部分配体各自都经由两个配位位点与金属配位。
也如M(Lig)示意性地表示的，在本发明意义上的单金属是指，金属络合物仅含有单个金属原子。因此本发明不涵盖其中例如三个双齿部分配体中的每一个与不同的金属原子配位的金属络合物。
配体与金属的键合可以是配位键或共价键，或者键的共价含量可以根据配体和金属而变化。如果本申请涉及与金属配位或键合的配体或部分配体，则出于本申请的目的，这表示配体或部分配体与金属的任何类型的键合，而不管键的共价含量如何。
优选地根据本发明的化合物的特征在于它们是不带电的，即是电中性的。这是通过选择三个双齿部分配体和式(1)的桥的电荷，以使得它们补偿络合金属原子的电荷而以简单方式实现的。因此，如果例如使用氧化态+3的金属原子，则通过使所述三个双齿部分配体中的每一个都是单阴离子，可以实现电荷中性。
式(1)的桥的优选实施方式如下所示。基团X3可以代表烯基基团、亚胺基团、酰胺基团、酯基团或者酰胺或酯基团的相应硫类似物。如果X3代表-CR＝CR-并且基团R彼此形成芳族或杂芳族环系，则基团X3也可以代表邻位连接的芳亚基或杂芳亚基基团。对于X3＝-CR-NR”-，R和R”形成杂芳族环系，因此该基团代表邻位连接的杂芳亚基基团。在不对称基团X3的情况下，基团的任何取向都是可能的。下面以X3＝-C(＝O)-O-为例示意性地解释这一点。这产生了X3的以下可能取向，所有这些都被本发明所涵盖：
如果X2代表CR，特别是如果所有X2都代表CR，非常特别地如果另外X1中的0、1、2或3个，特别是3个代表CR2，则X2上的基团R可以采用不同的位置，这取决于构型。这里优选小基团R，例如H或D。优选它们全部远离金属定向(顶端)或全部向内朝向金属定向(内嵌)。下面以具有酯桥的络合物为例对此进行说明。它以相同的方式应用于邻芳亚基、邻杂芳亚基、1,2-烯烃、亚胺和酰胺桥，而不管桥的取向如何，即酯/酰胺桥的羰基基团或亚胺桥的N原子是否键合至环己烷环或键合至双齿部分配体的芳族基团。
为清楚起见未示出第三部分配体，而是仅由虚线键表示。因此优选能够采用两种构型中的至少一种的络合物。这些是其中所有三个基团X3在中心环上平伏地布置的络合物。
如果X3代表烯基基团或亚胺基团，则这些是顺式连接的烯基或亚胺基团。
如果X3代表-CR＝CR-，则基团X3表示烯基团，或者在任选存在的取代基闭环的情况下，也表示芳亚基或杂芳亚基基团。如果X3＝-CR-NR”-，则基团X3表示杂芳基基团，通过R和R”的闭环形成杂芳族体系。
如果X3代表-C(＝O)-NR”-，则R”优选在每次出现时相同或不同地代表具有1至10个C原子的直链烷基基团，或具有3至10个C原子的支链或环状的烷基基团，或具有6至24个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述基团或环系在每种情况下可被一个或多个基团R1取代。R”特别优选在每次出现时相同或不同地代表具有1至5个C原子的直链烷基基团，或具有3至6个C原子的支链或环状的烷基基团，或具有6至12个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述基团或环系在每种情况下可被一个或多个基团R1取代，但优选未被取代。
出于本说明书的目的，两个或更多个基团可彼此形成环的表述尤其是指，所述两个基团通过化学键彼此连接并且在形式上消除两个氢原子。这通过以下方案说明：
相应地，双环、三环和低聚环环系的形成也是可行的。此外，上述表述也旨在是指，在两个基团中的一个表示氢的情况下，第二个基团在氢原子键合的位置处键合，形成环。这将通过以下方案说明：
在本发明意义上的芳基基团含有6至40个C原子；在本发明意义上的杂芳基基团含有2至40个C原子和至少一个杂原子，条件是C原子与杂原子的总和至少为5。所述杂原子优选选自N、O和/或S。这里的芳基基团或杂芳基基团是指简单的芳族环，即苯，或简单的杂芳族环，例如吡啶、嘧啶、噻吩等，或稠合的芳基或杂芳基基团，例如萘、蒽、菲、喹啉、异喹啉等。
在本发明意义上的芳族环系在环系中含有6至40个C原子。在本发明意义上的杂芳族环系在环系中含有1至40个C原子和至少一个杂原子，条件是C原子和杂原子的总和至少为5。所述杂原子优选选自N、O和/或S。在本发明意义上的芳族或杂芳族环系旨在是指如下体系，其不必仅含有芳基或杂芳基基团，而是其中多个芳基或杂芳基基团还可以被非芳族单元(优选小于非H原子的10％)间断，该非芳族单元例如是C、N或O原子或羰基基团。因此，例如，诸如9,9'-螺二芴、9,9-二芳基芴、三芳基胺、二芳基醚、茋等的体系也旨在被视为在本发明意义上的芳族环系，以及其中两个或更多个芳基基团被例如直链或环状的烷基基团或被甲硅烷基基团间断的体系也是如此。此外，其中两个或更多个芳基或杂芳基基团彼此直接键合的体系例如联苯、三联苯、四联苯或联吡啶同样旨在被视为芳族或杂芳族环系。
在本发明意义上的环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团是指单环、双环或多环基团。
出于本发明的目的，其中个别H原子或CH2基团还可被上述基团取代的C1至C20烷基基团是指例如如下基团：甲基、乙基、正丙基、异丙基、环丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、环丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、叔戊基、2-戊基、新戊基、环戊基、正己基、仲己基、叔己基、2-己基、3-己基、新己基、环己基、1-甲基环戊基、2-甲基戊基、正庚基、2-庚基、3-庚基、4-庚基、环庚基、1-甲基环己基、正辛基、2-乙基己基、环辛基、1-双环[2.2.2]辛基、2-双环[2.2.2]辛基、2-(2,6-二甲基)辛基、3-(3,7-二甲基)辛基、金刚烷基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、1,1-二甲基-正己-1-基、1,1-二甲基-正庚-1-基、1,1-二甲基-正辛-1-基、1,1-二甲基-正癸-1-基、1,1-二甲基-正十二烷-1-基、1,1-二甲基-正十四烷-1-基、1,1-二甲基-正十六烷-1-基、1,1-二甲基-正十八烷-1-基、1,1-二乙基-正己-1-基、1,1-二乙基-正庚-1-基、1,1-二乙基-正辛-1-基、1,1-二乙基-正癸-1-基、1,1-二乙基-正十二烷-1-基、1,1-二乙基-正十四烷-1-基、1,1-二乙基-正十六烷-1-基、1,1-二乙基-正十八烷-1-基、1-(正丙基)环己-1-基、1-(正丁基)环己-1-基、1-(正己基)环己-1-基、1-(正辛基)环己-1-基和1-(正癸基)环己-1-基。烯基基团是指例如乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、环戊烯基、己烯基、环己烯基、庚烯基、环庚烯基、辛烯基、环辛烯基或环辛二烯基。炔基基团是指例如乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基。C1至C40烷氧基基团是指例如甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基或2-甲基丁氧基。
具有5-40个芳族环原子并且在每种情况下也可以被上述基团取代并且可经由任何所希望的位置与芳族或杂芳族环系连接的芳族或杂芳族环系是指例如衍生自如下物质的基团：苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、苯并菲、芘、苝、荧蒽、苯并荧蒽、并四苯、并五苯、苯并芘、联苯、联二苯叉、三联苯、联三苯叉、芴、螺二芴、二氢菲、二氢芘、四氢芘、顺式或反式茚并芴、反式单苯并茚并芴、顺式或反式二苯并茚并芴、三聚茚、异三聚茚、螺三聚茚、螺异三聚茚、呋喃、苯并呋喃、异苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、异苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、异吲哚、咔唑、吲哚并咔唑、茚并咔唑、吡啶、喹啉、异喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、唑、苯并唑、萘并唑、蒽并唑、菲并唑、异唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、哒嗪、苯并哒嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹喔啉、1,5-二氮杂蒽、2,7-二氮杂芘、2,3-二氮杂芘、1,6-二氮杂芘、1,8-二氮杂芘、4,5-二氮杂芘、4,5,9,10-四氮杂苝、吡嗪、吩嗪、吩嗪、吩噻嗪、荧红环、萘啶、氮杂咔唑、苯并咔啉、菲咯啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-二唑、1,2,4-二唑、1,2,5-二唑、1,3,4-二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、四唑、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪、嘌呤、蝶啶、吲嗪和苯并噻二唑。
式(1)基团的合适实施方式是下式(2)至(6)的结构，
其中所用的符号具有上文给出的含义，其中以下另外适用：
R'在每次出现时相同或不同地是H，D，F，Cl，Br，I，N(R1)2，CN，NO2，OR1，SR1，COOH，C(＝O)N(R1)2，C(＝O)R1，P(＝O)(R1)2，S(＝O)R1，S(＝O)2R1，OSO2R1，具有1至20个C原子的直链烷基基团，或具有2至20个C原子的烯基或炔基基团，或具有3至20个C原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基、烯基或炔基基团在每种情况下可被一个或多个基团R1取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可被R1C＝CR1、C≡C、C＝O、NR1、O、S或CONR1代替，或具有5至40个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可被一个或多个基团R1取代。
式(2)的基团的优选实施方式是式(2a)或(2b)，
其中所用的符号具有上文给出的含义。
在本发明的一个优选的实施方式中，式(1)基团中的所有基团X1和X2代表任选被取代的碳原子，其中所述取代基优选选自上述基团R，因此式(1)的中心三价环表示环己烷。因此，式(1)的优选实施方式是式(2a)的结构。
特别优选地，基团X1和X2的所有R在每次出现时相同或不同地代表H或D，特别是代表H。
式(2a)的其它优选实施方式是下式(2a-1)至(2a-4)：
其中以下另外适用：
X4在每次出现时相同或不同地是-CR＝CR-、-CR＝N-、-CR-NR”-、-C(＝O)-O-、-C(＝O)-NR”-、-C(＝O)-S-、-C(＝S)-O-、-C(＝S)-NR”-、-C(＝S)-S-；
X5在每次出现时相同或不同地是-CR＝CR-、-CR＝N-、-CR-NR”-、-C(＝O)-O-、-C(＝O)-NR”-、-C(＝O)-S-、-C(＝S)-O-、-C(＝S)-NR”-、-C(＝S)-S-；
R在每次出现时相同或不同地是H，D，F，Cl，Br，I，N(R1)2，CN，NO2，OR1，SR1，COOH，C(＝O)N(R1)2，Si(R1)3，B(OR1)2，C(＝O)R1，P(＝O)(R1)2，S(＝O)R1，S(＝O)2R1，OSO2R1，具有1至20个C原子的直链烷基基团，或具有2至20个C原子的烯基或炔基基团，或具有3至20个C原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基、烯基或炔基基团在每种情况下可被一个或多个基团R1取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可被R1C＝CR1、C≡C、Si(R1)2、C＝O、NR1、O、S或CONR1代替，或具有5至40个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可被一个或多个基团R1取代；这里键合至中心环己烷环的两个或更多个基团R也可彼此形成脂族或杂脂族环系；此外，对于X4＝-CR＝CR-，两个基团R也可彼此形成脂族、杂脂族、芳族或杂芳族环系，优选芳族或杂芳族环系；此外，对于X4或X5＝-CR-NR”-，R和R”形成杂芳族环系；此外，对于X5＝-CR＝CR-，两个基团R也会彼此形成脂族、杂脂族、芳族或杂芳族环系。
以下优选适用于特别是在式(2)的中心环己烷环或优选实施方式上的基团R：
R在每次出现时相同或不同地是H，D，F，CN，OR1，具有1至10个C原子的直链烷基基团，或具有2至10个C原子的烯基基团，或具有3至10个C原子的支链或环状的烷基基团，所述基团在每种情况下可被一个或多个基团R1取代，或具有5至24个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可被一个或多个基团R1取代；
R1在每次出现时相同或不同地是H，D，F，CN，OR2，具有1至10个C原子的直链烷基基团，或具有2至10个C原子的烯基基团，或具有3至10个C原子的支链或环状的烷基基团，所述基团在每种情况下可被一个或多个基团R2取代，或具有5至24个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可被一个或多个基团R2取代；
R2在每次出现时相同或不同地是H，D，F或具有1至20个C原子的脂族、芳族和/或杂芳族有机基团，其中一个或多个H原子还可被F代替。
以下特别优选适用于特别是在式(2)的三价中心环己烷环或优选实施方式上的基团R：
R在每次出现时相同或不同地是H，D，F，CN，具有1至4个C原子的直链烷基基团，或具有3至6个C原子的支链或环状的烷基基团，所述基团在每种情况下可被一个或多个基团R1取代，或具有6至12个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可被一个或多个基团R1取代；
R1在每次出现时相同或不同地是H，D，F，CN，具有1至4个C原子的直链烷基基团，或具有3至6个C原子的支链或环状的烷基基团，所述基团在每种情况下可被一个或多个基团R2取代，或具有6至12个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可被一个或多个基团R2取代；
R2在每次出现时相同或不同地是H，D，F或具有1至12个C原子的脂族或芳族烃基团。
如在式(1)至(6)的结构或其优选实施方式中出现的优选二价基团X3或者优选实施方式X4或X5描述于下文。
在本发明的一个优选的实施方式中，符号X3在每次出现时相同或不同地代表-CR＝CR-、-CR＝N-、-CR-NR”-、-C(＝O)-O-或-C(＝O)-NR”-。X3的优选组合是：
式(1)的基团可以优选由下式(1a)至(1q)表示：
其中所述符号具有上文给出的含义。这里式(1a)和(1f)至(1p)中的基团R优选彼此形成芳族或杂芳族环系。
在本发明的一个优选的实施方式中，符号X4在每次出现时相同或不同地代表-CR＝CR-、-CR＝N-、-C(＝O)-O-或-C(＝O)-NR”-，并且符号X5在每次出现时相同或不同地代表-CR＝CR-、-CR＝N-、-CR-NR”-、-C(＝O)-O-或-C(＝O)-NR”-。
如上所述，在本发明的一个实施方式中，基团X3或X4或X5是顺式连接的烯基基团。特别地，可优选的是X3、X4或X5中的基团R彼此形成脂族或杂脂族环系。下文详细描述取代基的这种成环方式。
如果基团X3、X4或X5的取代基代表顺式连接的烯基基团或代表-CR-NR”-并且彼此形成芳族或杂芳族环系，则这优选是具有5至13个芳族环原子的芳亚基或杂芳亚基基团，所述基团优选含有最多两个杂原子，特别优选最多一个杂原子，其中所述杂原子选自N、O或S，优选N或O，特别优选N。这并不排除键合至该基团的任何取代基也可含有杂原子的可能性。
包括这种类型的芳族或杂芳族环系的基团X3、X4或X5的优选实施方式是下式(7)至(23)的结构，
其中虚线键在每种情况下表示从双齿部分配体到该结构的键位置，*表示式(7)至(23)的单元与中心三价环状基团的连接位置，并且所用的其它符号具有上文给出的含义。
在本发明的一个优选的实施方式中，在其中X3、X4或X5等于-CR-NR”-的情况下，基团R和R”形成具有五个环原子的杂芳族环系。
如果基团X3、X4或X5代表-CR-NR”-，则式(1)基团的优选实施方式是下式(24)至(31)的结构，
其中所用的符号具有上文给出的含义。
特别优选的是上述式(7)至(11)的任选被取代的六元芳族基团和六元杂芳族基团。非常特别优选的是邻-苯亚基，即上文示出的式(7)的基团。
如上所示，这里相邻的取代基也可以彼此形成环系，使得可形成稠合结构，也就是稠合芳亚基和杂芳亚基基团，例如萘、喹啉、苯并咪唑、咔唑、二苯并呋喃或二苯并噻吩。对于上文所示的式(7)的基团，下面示意性地示出了这种类型的成环，其产生下式(7a)至(7j)的基团：
其中所用的符号具有上文给出的含义。
通常，在式(1)至(6)的单元或其优选实施方式中存在的三个基团X3、X4和X5可以相同或不同。在本发明的一个优选的实施方式中，所有三个基团X3是相同的并且也相同地被取代。这种优选方式归因于更好的合成可及性。在本发明的另一个优选的实施方式中，一个基团X3是不同的，其中所述两个其它基团X3同样可以相同或不同。这种优选方式归因于化合物具有更好的溶解性和通常更低的升华温度。
下面描述根据本发明的金属络合物的优选金属。在本发明的一个优选的实施方式中，金属是过渡金属，或者是主族金属，其中在本发明意义上的过渡金属不包括镧系元素和锕系元素。如果金属代表主族金属，则其优选选自第三或第四主族的金属，优选Al(III)、In(III)、Ga(III)或Sn(IV)，特别是Al(III)。如果金属代表过渡金属，则其优选选自铬、钼、钨、铼、钌、锇、铑、铱、铁、钴、镍、钯、铂、铜、银和金，特别是钼、钨、铼、钌、锇、铱、铜、铂和金。铱是非常特别优选的。这里的金属可以处于多种氧化态。上述金属优选处于氧化态Cr(0)、Cr(III)、Cr(VI)、Mo(0)、Mo(III)、Mo(VI)、W(0)、W(III)、W(VI)、Re(I)、Re(III)、Re(IV)、Ru(II)、Ru(III)、Os(II)、Os(III)、Os(IV)、Rh(III)、Ir(III)、Ir(IV)、Fe(II)、Fe(III)、Co(II)、Co(III)、Ni(II)、Ni(IV)、Pt(IV)、Cu(II)、Cu(III)、Au(III)和Au(V)。特别优选Mo(0)、W(0)、Re(I)、Ru(II)、Os(II)、Rh(III)和Ir(III)。非常特别优选Ir(III)。
特别优选的是，如下面更详细描述的部分配体和式(1)的桥的优选实施方式与金属的优选实施方式组合。因此特别优选如下的金属络合物，其中金属是Ir(III)并且含有式(1a)至(1d)或式(2)至(6)或(2a)或(2b)的桥，并且含有上述优选实施方式作为式(1)至(6)的基团或优选实施方式中的二价烯基或芳亚基或杂芳亚基基团X3。
下面描述与上述式(1)或优选实施方式的桥连接的双齿部分配体。双齿部分配体的优选实施方式尤其取决于所用的相应金属。所述三个双齿部分配体可以相同或不同。即使式(1)的单元具有C3对称性，如果所有三个双齿部分配体相同地选择，则由此形成具有C3对称性的金属络合物，这对于配体的合成是有利的。然而，也可有利的是，不同地选择所述三个双齿部分配体或者相同地选择两个部分配体并且与其不同地选择第三部分配体，使得形成具有C1对称性的金属络合物，因为这使得配体具有更大变化范围，从而可以更容易地改变络合物的所需性质，例如HOMO和LUMO的位置或发光颜色。此外，还可以以这种方式改善络合物的溶解度，而不必使用长的脂族或芳族的溶解促进基团。此外，不对称络合物经常具有比类似对称络合物更低的升华温度。
在本发明的一个优选的实施方式中，相同地选择所述三个双齿部分配体或者相同地选择两个双齿部分配体并且第三个双齿部分配体不同于前两个双齿部分配体。这里“相同的部分配体”意味着首先相同地选择配体结构本身，其次这些结构也被相同地取代。
在本发明的一个优选的实施方式中，双齿部分配体中的每一个相同地或不同地是单阴离子或中性的。特别优选地，双齿部分配体中的每一个都是单阴离子的。
在本发明的另一个优选的实施方式中，双齿部分配体的配位原子在每次出现时相同或不同地选自C、N、P、O、S和/或B，特别优选C、N和/或O。
如果金属选自主族金属，则双齿部分配体的配位原子优选在每次出现时相同或不同地选自N、O和/或S。双齿部分配体特别优选在每个部分配体中含有两个氮原子或两个氧原子或一个氮原子和一个氧原子作为配位原子。这里所述三个部分配体中的每一个的配位原子可以是相同的，或者它们可以是不同的。
如果所述金属选自过渡金属，则所述双齿部分配体的配位原子优选在每次出现时相同或不同地选自C、N、O和/或S，特别优选选自C、N和/或O，并且非常特别优选选自C和/或N。这里双齿部分配体优选在每个部分配体中含有一个碳原子和一个氮原子或两个碳原子或两个氮原子或两个氧原子或一个氧原子和一个氮原子作为配位原子。这里所述三个部分配体中的每一个的配位原子可以是相同的，或者它们可以是不同的。特别优选地，所述双齿部分配体中的至少一个含有一个碳原子和一个氮原子或两个碳原子、特别是一个碳原子和一个氮原子作为配位原子。非常特别优选的是，双齿部分配体中的至少两个并且特别是所有三个双齿部分配体含有一个碳原子和一个氮原子或两个碳原子、特别是一个碳原子和一个氮原子作为配位原子。这特别适用于金属是Ir(III)的情况。如果金属是Ru、Co、Fe、Os、Cu或Ag，则双齿部分配体的配位原子也特别优选为两个氮原子。
在本发明的一个特别优选的实施方式中，金属是Ir(III)，并且双齿部分配体中的两个在每种情况下经由一个碳原子和一个氮原子与铱配位，并且双齿部分配体中的第三个经由一个碳原子和一个氮原子或经由两个氮原子或经由一个氮原子和一个氧原子或经由两个氧原子，特别是经由一个碳原子和一个氮原子与铱配位。因此，这特别优选是如下铱络合物，其中所有三个双齿部分配体都是邻位金属化的，即与铱一起形成含有金属-碳键的金属环。
此外优选的是，由金属和双齿部分配体形成的金属环是五元环，如果配位原子是C和N、N和N或N和O，则所述五元环是特别优选的。如果配位原子是O，则六元金属环也可以是优选的。这在下面示意性示出：
其中M表示金属，N表示配位氮原子，C表示配位碳原子并且O表示配位氧原子，并且绘制的碳原子表示双齿配体的原子。
下文描述双齿部分配体的结构，如果金属是过渡金属，则所述结构是优选的。
在本发明的一个优选的实施方式中，双齿部分配体中的至少一个，特别优选地双齿部分配体中的至少两个，非常特别优选地所有三个双齿部分配体在每次出现时相同或不同地代表下式(L-1)、(L-2)、(L-3)或(L-4)的结构，
其中虚线键表示从部分配体到式(1)至(6)或优选实施方式的桥的键，并且以下适用于所用的其它符号：
CyC在每次出现时相同或不同地是任选被取代的具有5至14个芳族环原子的芳基或杂芳基基团，所述基团在每种情况下经由碳原子与金属配位，并且在每种情况下经由共价键连接到CyD；
CyD在每次出现时相同或不同地是任选被取代的具有5至14个芳族环原子的杂芳基基团，所述基团经由氮原子或经由卡宾碳原子与金属配位，并且经由共价键连接到CyC；
这里多个所述任选的取代基可以彼此形成环系；此外，所述任选的基团优选选自上述基团R。
这里式(L-1)和(L-2)的部分配体中的CyD优选经由中性氮原子或经由卡宾碳原子配位。此外，式(L-3)配体中的两个基团CyD中的一个优选经由中性氮原子配位，并且两个基团CyD中的另一个经由阴离子氮原子配位。此外，式(L-1)、(L-2)和(L-4)的部分配体中的CyC优选经由阴离子碳原子配位。
特别优选的是双齿部分配体(L-1)和(L-2)。
如果多个取代基、特别是多个基团R彼此形成环系，则可以从与直接相邻的碳原子键合的取代基形成环系。此外，式(L-1)和(L-2)中的CyC和CyD上的取代基或者式(L-3)中的两个基团CyD上的取代基或者式(L-4)中的两个基团CyC上的取代基也可彼此成环，使得CyC和CyD或两个基团CyD或两个基团CyC也一起形成单个稠合芳基或杂芳基基团作为双齿配体。
在本发明的一个优选的实施方式中，CyC是具有6至13个芳族环原子，特别优选具有6至10个芳族环原子，非常特别优选具有6个芳族环原子的芳基或杂芳基基团，所述基团经由碳原子与金属配位，可以被一个或多个基团R取代并且经由共价键与CyD键合。
基团CyC的优选实施方式是下式(CyC-1)至(CyC-20)的结构，
其中所述基团在每种情况下在由#表示的位置处键合至(L-1)或(L-2)中的CyD或键合至(L-4)中的CyC，并且在由*表示的位置处与所述金属配位，R具有上文给出的含义，并且以下适用于所用的其它符号：
X在每次出现时相同或不同地是CR或N，条件是每个环中最多两个符号X代表N；
W在每次出现时相同或不同地是CR或N；
条件是，如果式(1)至(6)或优选实施方式的桥键合至CyC，则一个符号X代表C并且式(1)至(6)或优选实施方式的桥键合至该碳原子。如果基团CyC键合至式(1)至(6)或优选实施方式的桥，则所述键合优选经由上述式中由“o”标记的位置进行，从而由“o”标记的符号X于是优选代表C。上文描述的不含由“o”标记的符号X的结构优选不直接键合至式(1)至(6)或优选实施方式的桥，因为这种类型的桥键合因空间原因是不利的。这种类型的基团CyC优选仅在(L-1)中键合或作为(L-4)中的低级基团。
优选地，CyC中总共最多两个符号X代表N，特别优选地CyC中最多一个符号X代表N，非常特别优选地所有符号X代表CR，条件是，如果式(1)至(6)或优选实施方式的桥键合至CyC，则一个符号X代表C并且式(1)至(6)或优选实施方式的桥键合至该碳原子。
特别优选的基团CyC是下式(CyC-1a)至(CyC-20a)的基团，
其中所用的符号具有上文给出的含义，并且如果式(1)至(6)或优选实施方式的桥键合至CyC，则基团R不存在并且式(1)至(6)或优选实施方式的桥键合至相应的碳原子。如果基团CyC键合至式(1)至(6)或优选实施方式的桥，则该键合优选经由上述式中由“o”标记的位置进行，从而在该位置中于是优选不存在基团R。不含由“o”标记的碳原子的上述结构优选不直接键合至式(1)至(6)或优选实施方式的桥。
基团(CyC-1)至(CyC-19)的优选基团是基团(CyC-1)、(CyC-3)、(CyC-8)、(CyC-10)、(CyC-12)、(CyC-13)和(CyC-16)，并且特别优选的是基团(CyC-1a)、(CyC-3a)、(CyC-8a)、(CyC-10a)、(CyC-12a)、(CyC-13a)和(CyC-16a)。
在本发明的另一个优选的实施方式中，CyD是具有5至13个芳族环原子、特别优选具有6至10个芳族环原子的杂芳基基团，所述基团可经由中性氮原子或经由卡宾碳原子与金属配位并且可被一个或多个基团R取代并且经由共价键与CyC键合。
基团CyD的优选实施方式是下式(CyD-1)至(CyD-14)的结构，
其中所述基团在每种情况下在由#表示的位置处键合至(L-1)或(L-2)中的CyC或键合至(L-3)中的CyD，并且在由*表示的位置处与金属配位，其中X、W和R具有上文给出的含义，条件是，如果式(1)至(6)或优选实施方式的桥键合至CyD，则一个符号X代表C并且式(1)至(6)或优选实施方式的桥键合至该碳原子。如果基团CyD键合至式(1)至(6)或优选实施方式的桥，则该键合优选经由上述式中由“o”标记的位置进行，从而由“o”标记的符号X于是优选代表C。不含由“o”标记的符号X的上述结构优选不直接键合至式(1)至(6)或优选实施方式的桥，因为这种类型的桥键合因空间原因是不利的。这种类型的基团CyD优选仅在(L-2)中键合或作为(L-3)中的低级基团。
基团(CyD-1)至(CyD-4)、(CyD-7)至(CyD-10)、(CyD-13)和(CyD-14)经由中性氮原子与金属配位，(CyD-5)和(CyD-6)经由卡宾碳原子与金属配位，并且(CyD-11)和(CyD-12)经由阴离子氮原子与金属配位。
优选地，CyD中总共最多两个符号X代表N，特别优选地CyD中最多一个符号X代表N，尤其优选所有符号X都代表CR，条件是，如果式(1)至(6)或优选实施方式的桥键合至CyD，则一个符号X代表C并且式(1)至(6)或优选实施方式的桥键合至该碳原子。
特别优选的基团CyD是下式(CyD-1a)至(CyD-14b)的基团，
其中所用的符号具有上文给出的含义，并且如果式(1)至(6)或优选实施方式的桥键合至CyD，则不存在基团R并且式(1)至(6)或优选实施方式的桥键合至相应的碳原子。如果基团CyD键合至式(1)至(6)或优选实施方式的桥，则该键合优选经由上述式中由“o”标记的位置进行，从而基团R于是优选不存在于该位置中。不含由“o”标记的碳原子的上述结构优选不直接键合至式(1)至(6)或优选实施方式的桥。
基团(CyD-1)至(CyD-10)的优选基团是基团(CyD-1)、(CyD-2)、(CyD-3)、(CyD-4)、(CyD-5)和(CyD-6)，特别是(CyD-1)、(CyD-2)和(CyD-3)，并且特别优选的是基团(CyD-1a)、(CyD-2a)、(CyD-3a)、(CyD-4a)、(CyD-5a)和(CyD-6a)，特别是(CyD-1a)、(CyD-2a)和(CyD-3a)。
在本发明的一个优选的实施方式中，CyC是具有6至13个芳族环原子的芳基或杂芳基基团，并且同时CyD是具有5至13个芳族环原子的杂芳基基团。CyC特别优选是具有6至10个芳族环原子的芳基或杂芳基基团，并且同时CyD是具有5至10个芳族环原子的杂芳基基团。CyC非常特别优选是具有6个芳族环原子的芳基或杂芳基基团，并且CyD是具有6至10个芳族环原子的杂芳基基团。这里CyC和CyD可被一个或多个基团R取代。
上述优选基团(CyC-1)至(CyC-20)和(CyD-1)至(CyD-14)可以在式(L-1)和(L-2)的部分配体中根据需要彼此组合，只要基团CyC和CyD中的至少一个具有合适的与式(1)至(6)或优选实施方式的桥的连接位点即可，其中上述式中的合适连接位点由“o”表示。
特别优选的是，上述特别优选的基团CyC和CyD，即式(CyC-1a)至(CyC-20a)的基团和式(CyD-1a)至(CyD-14b)的基团彼此组合，只要这些基团中的至少一个具有合适的与式(1)至(6)或优选实施方式的桥的连接位点即可，其中上述式中的合适连接位点由“o”表示。其中CyC和CyD都不具有这种与式(1)至(6)或优选实施方式的桥的合适连接位点的组合因此不是优选的。
非常特别优选的是，基团(CyC-1)、(CyC-3)、(CyC-8)、(CyC-10)、(CyC-12)、(CyC-13)和(CyC-16)，特别是基团(CyC-1a)、(CyC-3a)、(CyC-8a)、(CyC-10a)、(CyC-12a)、(CyC-13a)和(CyC-16a)中的一个与基团(CyD-1)、(CyD-2)和(CyD-3)中的一个，特别是与基团(CyD-1a)、(CyD-2a)和(CyD-3a)中的一个组合。
优选的部分配体(L-1)是下式(L-1-1)和(L-1-2)的结构，并且优选的部分配体(L-2)是下式(L-2-1)至(L-2-3)的结构，
其中所用的符号具有上文给出的含义，并且“o”表示与式(1)至(6)或优选实施方式的桥的键位置。
特别优选的部分配体(L-1)是下式(L-1-1a)和(L-1-2b)的结构，并且特别优选的部分配体(L-2)是下式(L-2-1a)至(L-2-3a)的结构，
其中所用的符号具有上文给出的含义，并且“o”表示与式(1)至(6)或优选实施方式的桥的键位置。
式(L-3)的部分配体中的上述优选基团CyD同样可以按需要彼此组合，其中优选将中性基团CyD即基团(CyD-1)至(CyD-10)、(CyD-13)或(CyD-14)与阴离子基团CyD即基团(CyD-11)或(CyD-12)组合，只要优选基团CyD中的至少一个具有与式(1)至(6)或优选实施方式的桥的合适连接位点即可，其中合适的连接位点在上述式中由“o”表示。
式(L-4)的部分配体中的上述优选基团CyC同样可以按需要彼此组合，只要优选基团CyC中的至少一个具有与式(1)至(6)或优选实施方式的桥的合适连接位点即可，其中上述式中的合适连接位点由“o”表示。
如果两个基团R(在式(L-1)和(L-2)中，其中之一键合至CyC并且另一个键合至CyD；或者在式(L-3)中，其中之一键合至一个基团CyD并且另一个键合至另一个基团CyD；或者在式(L-4)中，其中之一键合至一个基团CyC并且另一个键合至另一个基团CyC)彼此形成环系，则可产生桥接部分配体以及例如总体上表示单个较大杂芳基基团的部分配体，例如，苯并[h]喹啉等。在式(L-1)和(L-2)中CyC和CyD上的取代基之间或者在式(L-3)中两个基团CyD上的取代基之间或者在式(L-4)中两个基团(CyC)上的取代基之间的成环，在这里优选通过下式(24)至(33)之一的基团进行，
其中R1具有上文给出的含义，并且虚线键指示与CyC或CyD连接的键。上述那些中的不对称基团可以引入两种可行性中的每一个中，例如在式(41)基团的情况下，氧原子可以键合至基团CyC并且羰基基团可以键合至基团CyD，或者氧原子可以键合至基团CyD并且羰基基团可以键合至基团CyC。
如果成环由此产生六元环，则式(38)的基团是特别优选的，如例如下文由式(L-23)和(L-24)所示。
通过两个基团R在不同环上的成环而产生的优选配体是下文所示的式(L-5)至(L-32)的结构，
其中所用的符号具有上文给出的含义，并且“o”指示该部分配体与式(1)至(6)或优选实施方式的桥连接的位置。
在式(L-5)至(L-32)的部分配体的优选实施方式中，总共一个符号X代表N并且其它符号X代表CR，或者所有符号X都代表CR。特别优选地，所有符号X都代表CR。
在本发明的另一个实施方式中，在基团(CyC-1)至(CyC-20)或(CyD-1)至(CyD-14)中或在部分配体(L-5)至(L-32)中原子X之一代表N的情况下，优选的是不等于氢或氘的基团R键合为与该氮原子相邻的取代基。这类似地适用于优选结构(CyC-1a)至(CyC-20a)或(CyD-1a)至(CyD-14b)，其中不等于氢或氘的基团R优选键合为与非配位氮原子相邻的取代基。
该取代基R优选是选自以下的基团：CF3，OCF3，具有1至10个C原子的烷基或烷氧基基团，特别是具有3至10个C原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，具有2至10个C原子的二烷基氨基基团，芳族或杂芳族环系或者芳烷基或杂芳烷基基团。这些基团是空间体积大的基团。此外优选地，该基团R也可与相邻基团R成环。
用于其中金属是过渡金属的金属络合物的其它合适的双齿部分配体是下式(L-33)或(L-34)的部分配体，
其中R具有上文给出的含义，*表示与金属的配位位置，“o”表示部分配体与式(1)至(6)或优选实施方式的基团的连接位置，并且以下适用于所用的其它符号：
X在每次出现时相同或不同地是CR或N，条件是每个环中最多一个符号X代表N，并且此外条件是一个符号X代表C并且式(1)至(6)或优选实施方式的基团键合至该碳原子。
如果在部分配体(L-33)和(L-34)中键合至相邻碳原子的两个基团R彼此形成芳族环，则这与所述两个相邻碳原子一起优选是下式(42)的结构，
其中虚线键表示该基团在部分配体中的连接，并且Y在每次出现时相同或不同地代表CR1或N，并且优选最多一个符号Y代表N。
在部分配体(L-33)或(L-34)的一个优选的实施方式中，存在最多一个式(42)的基团。因此这些优选是下式(L-35)至(L-40)的部分配体，
其中X在每次出现时相同或不同地代表CR或N，但基团R不彼此形成芳族或杂芳族环系，并且其它符号具有上文给出的含义。
在本发明的一个优选的实施方式中，在式(L-33)至(L-40)的部分配体中符号X和有时存在的Y中的总共0、1或2个代表N。特别优选地，符号X和有时存在的Y中的总共0或1个代表N。
式(L-35)至(L-40)的优选实施方式是下式(L-35a)至(L-40f)的结构，
其中所用的符号具有上文给出的含义，并且“o”指示与式(1)至(6)或优选实施方式的基团的连接位置。
在本发明的一个优选的实施方式中，在与金属配位的邻位中的基团X代表CR，其中在与金属配位的邻位中键合的R优选选自H、D、F和甲基。
在本发明的另一个实施方式中，在其中原子X或有时存在的Y中的一个代表N的情况下，优选的是不等于氢或氘的基团R键合为与该氮原子相邻的取代基。
该取代基R优选是选自以下的基团：CF3，OCF3，具有1至10个C原子的烷基或烷氧基基团，特别是具有3至10个C原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，具有2至10个C原子的二烷基氨基基团，芳族或杂芳族环系或者芳烷基或杂芳烷基基团。这些基团是空间体积大的基团。该基团R此外可优选还与相邻基团R形成环。
如果根据本发明的络合物的金属代表主族金属，特别是代表Al或Ga，则双齿部分配体中的至少一个，优选双齿部分配体中的至少两个，特别优选所有三个双齿部分配体，优选在每次出现时相同或不同地选自下式(L-41)至(L-45)的部分配体，
其中部分配体(L-41)至(L-43)各自经由明确绘制的氮原子和带负电的氧原子与金属配位，并且部分配体(L-44)经由两个氧原子与金属配位，X具有上文给出的含义，并且“o”指示部分配体与式(1)至(6)或优选实施方式的基团的连接位置。
这些部分配体也可优选与经由一个碳原子和一个氮原子或经由两个碳原子与金属配位的两个部分配体，特别是部分配体(L-1)至(L-40)组合用于过渡金属。
在式(L-41)至(L-43)的部分配体中，优选最多两个符号X代表N，特别优选最多一个符号X代表N。非常特别优选地，所有符号X都代表CR。因此，优选的式(L-41)至(L-43)的部分配体是下式(L-41a)至(L-43a)的部分配体，
其中所用的符号具有上文给出的含义，并且“o”指示部分配体与式(1)至(6)或优选实施方式的基团的连接位置。
在这些式中，R特别优选代表氢，其中“o”指示部分配体与式(1)至(6)或优选实施方式的基团的连接位置，从而所述结构是下式(L-41b)至(L-43b)的那些，
其中所用的符号具有上文给出的含义。
下文描述可存在于上述部分配体上的优选取代基。这些取代基此外也可以作为基团X3上的取代基存在。特别是，也优选下述脂族或杂脂族环结构存在于基团X3上。
在本发明的一个优选的实施方式中，根据本发明的金属络合物含有两个取代基R，所述两个取代基R键合至相邻碳原子并且彼此形成下述式之一的脂族或杂脂族环。形成该脂族环的两个取代基R在这里可存在于双齿部分配体中的一个或多个上。同样，两个取代基R可存在于基团X3中的一个或多个上。通过两个取代基R彼此成环而形成的脂族或杂脂族环优选由下式(43)至(49)之一描述，
其中R1和R2具有上文给出的含义，虚线键指示配体中的所述两个碳原子的连接，此外：
A1、A3在每次出现时相同或不同地是C(R3)2、O、S、NR3或C(＝O)；
A2是C(R1)2、O、S、NR3或C(＝O)；
G是具有1、2或3个C原子的烷亚基基团，所述基团可被一个或多个基团R2取代，或者是-CR2＝CR2-或邻位连接的具有5至14个芳族环原子的芳亚基或杂芳亚基基团，所述基团可被一个或多个基团R2取代；
R3在每次出现时相同或不同地是H，D，F，具有1至10个C原子的直链的烷基或烷氧基基团，具有3至10个C原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，其中所述烷基或烷氧基基团在每种情况下可被一个或多个基团R2取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可被R2C＝CR2、C≡C、Si(R2)2、C＝O、NR2、O、S或CONR2代替，或具有5至24个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可被一个或多个基团R2取代，或具有5至24个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，所述基团可被一个或多个基团R2取代；这里键合至同一碳原子的两个基团R3可彼此形成脂族或芳族环系并且由此形成螺环系；此外，R3可与相邻基团R或R1形成脂族环系；
条件是在这些基团中没有两个杂原子彼此直接键合并且没有两个基团C＝O彼此直接键合。
在本发明的一个优选的实施方式中，R3不等于H或D。
在上述式(43)至(49)的结构以及指示为优选的这些结构的其它实施方式中，形式上在所述两个碳原子之间形成双键。这表示这两个碳原子键合至芳族或杂芳族体系中时的化学结构的简化，并且这两个碳原子之间的键因此形式上在单键的键级与双键的键级之间。因此，形式双键的绘制不应被解释为对结构的限制，而是本领域技术人员清楚地知道这是芳族键。
如果根据本发明的结构中的相邻基团形成脂族环系，则优选其不含酸性苄型质子。苄型质子是指键合至与配体直接键合的碳原子的质子。这可以通过直接键合至芳基或杂芳基基团上的脂族环系的碳原子完全被取代且不含键合的氢原子来实现。因此，式(43)至(45)中不存在酸性苄型质子是通过A1和A3实现的，此时它们代表C(R3)2，其中R3以不等于氢的方式定义。此外这也可以通过直接键合至芳基或杂芳基基团的脂族环系的碳原子作为双环或多环结构的桥头来实现。由于双环或多环的空间结构，键合至桥头碳原子的质子的酸性显著小于未在双环或多环结构中键合的碳原子上的苄型质子，并且被视为本发明意义上的非酸性质子。因此，在式(46)至(49)中通过它是双环结构来实现酸性苄型质子的不存在，这意味着如果R1代表H，则R1比苄型质子的酸性显著更低，因为双环结构的相应阴离子不是共振稳定的。即使式(46)至(49)中的R1代表H，其也因此是本申请意义上的非酸性质子。
在式(43)至(49)的结构的一个优选的实施方式中，基团A1、A2和A3中的最多一个代表杂原子，特别是代表O或NR3，并且其它基团代表C(R3)2或C(R1)2，或者A1和A3在每次出现时相同或不同地代表O或NR3并且A2代表C(R1)2。在本发明的一个特别优选的实施方式中，A1和A3在每次出现时相同或不同地代表C(R3)2并且A2代表C(R1)2并且特别优选代表C(R3)2或CH2。
式(43)的优选实施方式因此是式(43-A)、(43-B)、(43-C)和(43-D)的结构，并且式(43-A)的一个特别优选的实施方式是式(43-E)和(43-F)的结构，
其中R1和R3具有上文给出的含义，并且A1、A2和A3在每次出现时相同或不同地代表O或NR3。
式(44)的优选实施方式因此是式(44-A)、(44-B)、(44-C)和(44-D)的结构，并且式(44-A)的一个特别优选的实施方式是式(44-E)和(44-F)的结构，
其中R1和R3具有上文给出的含义，并且A1、A2和A3在每次出现时相同或不同地代表O或NR3。
式(45)的优选实施方式是下式(45-A)至(45-F)的结构，
其中R1和R3具有上文给出的含义，并且Z1、Z2和Z3在每次出现时相同或不同地代表O或NR3。
在式(46)结构的一个优选的实施方式中，键合至桥头的基团R1代表H、D、F或CH3。此外优选地，A2代表C(R1)2或O，并且特别优选代表C(R3)2。式(46)的优选实施方式因此是式(46-A)和(46-B)的结构，并且式(46)的一个特别优选的实施方式是式(46-C)的结构，
其中所用的符号具有上文给出的含义。
在式(47)、(48)和(49)的结构的一个优选的实施方式中，键合至桥头的基团R1代表H、D、F或CH3。此外优选地，A2代表C(R1)2。式(47)、(48)和(49)的优选实施方式因此是式(47-A)、(48-A)和(49-A)的结构，
其中所用的符号具有上文给出的含义。
式(46)、(46-A)、(46-B)、(46-C)、(47)、(47-A)、(48)、(48-A)、(49)和(49-A)中的基团G此外优选代表1,2-乙亚基基团，所述基团可被一个或多个基团R2取代，其中R2优选在每次出现时相同或不同地代表H或具有1至4个C原子的烷基基团，或具有6至10个C原子的邻芳亚基基团，所述基团可被一个或多个基团R2取代，但优选未被取代，特别是邻苯亚基基团，所述基团可被一个或多个基团R2取代，但优选未被取代。
在本发明的另一个优选的实施方式中，式(43)至(49)的基团中和优选实施方式中的R3在每次出现时相同或不同地代表F，具有1至10个C原子的直链烷基基团或具有3至20个C原子的支链或环状的烷基基团，其中在每种情况下一个或多个非相邻的CH2基团可被R2C＝CR2代替并且一个或多个H原子可被D或F代替，或具有5至14个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可被一个或多个基团R2取代；这里键合至同一碳原子的两个基团R3可彼此形成脂族或芳族环系并且由此形成螺环系；此外，R3可与相邻基团R或R1形成脂族环系。
在本发明的一个特别优选的实施方式中，式(43)至(49)的基团中和优选实施方式中的R3在每次出现时相同或不同地代表F，具有1至3个C原子的直链烷基基团，特别是甲基，或具有5至12个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可被一个或多个基团R2取代，但优选未被取代；这里键合至同一碳原子的两个基团R3可彼此形成脂族或芳族环系并且由此形成螺环系；此外，R3可与相邻基团R或R1形成脂族环系。
特别合适的式(43)基团的实例是下文所示的基团：
特别合适的式(43)基团的实例是下文所示的基团：
特别合适的式(45)、(48)和(49)的基团的实例是下文所示的基团：
特别合适的式(46)基团的实例是下文所示的基团：
特别合适的式(47)基团的实例是下文所示的基团：
如果基团R键合在双齿部分配体中，则这些基团R优选在每次出现时相同或不同地选自H，D，F，Br，I，N(R1)2，CN，Si(R1)3，B(OR1)2，C(＝O)R1，具有1至10个C原子的直链烷基基团，或具有2至10个C原子的烯基基团，或具有3至10个C原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基或烯基基团在每种情况下可被一个或多个基团R1取代，或具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可被一个或多个基团R1取代；这里两个相邻基团R或者R与R1也可彼此形成单环或多环的脂族或芳族环系。这些基团R特别优选在每次出现时相同或不同地选自H，D，F，N(R1)2，具有1至6个C原子、特别是具有1至4个C原子的直链烷基基团，或具有3至10个C原子、特别是具有3至6个C原子的支链或环状的烷基基团，其中一个或多个H原子可被D或F代替，或具有5至24个芳族环原子、特别是具有6至13个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可被一个或多个基团R1取代；这里两个相邻基团R或者R与R1也可彼此形成单环或多环的脂族或芳族环系。
键合至R的优选基团R1在每次出现时相同或不同地是H，D，F，N(R2)2，CN，具有1至10个C原子的直链烷基基团，或具有2至10个C原子的烯基基团，或具有3至10个C原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基基团在每种情况下可被一个或多个基团R2取代，或具有5至24个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可被一个或多个基团R2取代；这里两个或更多个相邻基团R1可彼此形成单环或多环的脂族环系。特别优选的键合至R的基团R1在每次出现时相同或不同地是H，F，CN，具有1至5个C原子的直链烷基基团，或具有3至5个C原子的支链或环状的烷基基团，所述基团在每种情况下可被一个或多个基团R2取代，或具有5至13个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可被一个或多个基团R2取代；这里两个或更多个相邻R1可彼此形成单环或多环的脂族环系。
优选基团R2在每次出现时相同或不同地是H，F，或具有1至5个C原子的脂族烃基团，或具有6至12个C原子的芳族烃基团；这里两个或更多个取代基R2也可彼此形成单环或多环的脂族环系。
根据本发明的金属络合物可以是手性结构，这取决于桥的构型。此外，如果络合物的三足配体也是手性的，则可形成非对映异构体和多个对映异构体对。于是，根据本发明的络合物包括多种非对映异构体或相应的外消旋物的混合物以及单独的分离的非对映异构体或对映异构体。
如果在邻位金属化中使用具有C3或C3v对称性的配体，则通常形成具有C3对称性的络合物的外消旋混合物，即Δ和Λ对映异构体的外消旋混合物。这些可以通过标准方法分离(在手性材料/柱上的色谱分离或通过结晶进行外消旋物分离)。对于带有三个苯基吡啶部分配体的具有C3对称性的配体的实例，所述分离在以下方案中显示，并且也类似地适用于具有C3或C3v对称性的所有其它配体。
通过非对映异构盐对的分步结晶进行的外消旋物分离可以通过常规方法进行。为此，中性Ir(III)络合物可被氧化(例如使用过氧化物、H2O2或电化学氧化)，对映异构纯的单阴离子碱(手性碱)的盐可以加入到以这种方式产生的阳离子Ir(IV)络合物中，以这种方式产生的非对映异构盐可以通过分步结晶分离，并且这些然后可以借助于还原剂(例如锌、水合肼、抗坏血酸等)还原成对映异构纯的中性络合物，如下示意性所示的。
此外，通过在手性介质(例如R-1,1-联萘酚或S-1,1-联萘酚)中络合，可以实现对映异构纯的或富对映异构的合成。
类似的方法也可以用具有Cs对称性的配体的络合物进行。
如果在络合中使用具有C1对称性的配体，则通常形成络合物的非对映异构体混合物，其可通过标准方法(色谱法、结晶)分离。
也可以具体合成具有C3对称性的对映异构纯的络合物。为此，准备具有C3对称性的对映异构纯的配体，进行络合，分离所得的非对映异构体混合物，并且随后将手性基团断开。
上述优选实施方式可以根据需要彼此组合。在本发明的一个特别优选的实施方式中，上述优选实施方式同时适用。
根据本发明的金属络合物原则上可以通过多种方法制备。为此，金属盐通常与相应的游离配体反应。
因此，本发明还涉及一种制备根据本发明的金属络合物的方法，所述方法通过如下进行：使相应的游离配体与式(50)的金属醇盐，与式(51)的金属二酮化物，与式(52)的金属卤化物或与式(53)的金属羧酸盐反应，
其中M代表正在合成的根据本发明的金属络合物的金属，n代表金属M的价态，R具有上文给出的定义，Hal＝F、Cl、Br或I，并且金属原料也可呈相应水合物的形式。这里R优选代表如关于R2所定义的基团，特别优选代表具有1至4个C原子的烷基基团。
同样可使用金属化合物，特别是铱化合物，所述金属化合物不仅带有醇阴离子和/或卤阴离子和/或羟基基团而且带有二酮阴离子基团。这些化合物也可以是带电荷的。特别适合作为原料的相应铱化合物公开在WO 2004/085449中。特别合适的是[IrCl2(acac)2]-，例如Na[IrCl2(acac)2]。还可以合适的是具有乙酰丙酮化物衍生物作为配体的金属络合物，例如Ir(acac)3，或三(2,2,6,6-四甲基庚烷-3,5-二酮根合)铱，和IrCl3·xH2O，其中x通常代表2至4的数字。
所述络合物的合成优选如WO 2002/060910和WO 2004/085449中所述进行。这里还可以例如通过加热方式、光化学方式和/或通过微波辐射激活来合成。此外，还可以在高压釜中在高压下和/或在高温下进行合成。
可以在有待邻位金属化的相应配体的熔体中在不添加溶剂或熔融助剂的情况下进行反应。必要时，可以添加溶剂或熔融助剂。合适的溶剂是质子性或非质子性溶剂，例如脂族和/或芳族醇(甲醇、乙醇、异丙醇、叔丁醇等)，低聚醇和多元醇(乙二醇、1,2-丙二醇、甘油等)，醇醚(乙氧基乙醇、二乙二醇、三乙二醇、聚乙二醇等)，醚(二乙二醇二甲醚和三乙二醇二甲醚、二苯醚等)，芳族、杂芳族和/或脂族烃(甲苯、二甲苯、均三甲苯、氯苯、吡啶、二甲基吡啶、喹啉、异喹啉、十三烷、十六烷等)，酰胺(DMF、DMAC等)，内酰胺(NMP)，亚砜(DMSO)或砜(二甲基砜、环丁砜等)。合适的熔融助剂是在室温下呈固体形式、但在反应混合物被加热时熔融并溶解反应物以便形成均质熔体的化合物。特别合适的是联苯，间三联苯，联三苯叉，R-联萘酚或S-联萘酚或者相应的外消旋物，1,2-双苯氧基苯、1,3-双苯氧基苯或1,4-双苯氧基苯，三苯基氧化膦，18-冠-6，苯酚，1-萘醇，氢醌等。特别优选的是使用氢醌。
这些方法任选地接着纯化，例如重结晶或升华，这些方法能够获得高纯度、优选大于99％(借助于1H NMR和/或HPLC确定)的根据本发明的式(1)化合物。
根据本发明的金属络合物也可以通过适当取代变得可溶，例如通过相对长链的烷基基团(约4至20个C原子)，特别是支链烷基基团，或任选被取代的芳基基团，例如二甲苯基、均三甲苯基或支链的三联苯或四联苯基团进行取代。特别地，使用如例如由上文公开的式(43)至(49)所示的稠合脂族基团导致金属络合物的溶解性显著改善。于是，这种类型的化合物在室温下以能够从溶液中处理所述络合物的足够浓度溶于常见有机溶剂例如甲苯或二甲苯中。这些可溶性化合物特别适合于从溶液中例如通过印刷方法来处理。
根据本发明的金属络合物也可以与聚合物混合。同样可以将这些金属络合物共价地并入聚合物中。这对于被反应性离去基团如溴、碘、氯、硼酸或硼酸酯或者被反应性可聚合基团如烯烃或氧杂环丁烷取代的化合物是特别可行的。这些可以用作用于产生相应的低聚物、树枝状大分子或聚合物的单体。这里低聚或聚合优选经由卤素官能团或硼酸官能团或经由可聚合基团进行。此外可经由这种类型的基团使聚合物交联。根据本发明的化合物和聚合物可以以交联或未交联的层形式使用。
因此，本发明还涉及含有一种或多种上述根据本发明的金属络合物的低聚物、聚合物或树枝状大分子，其中存在一个或多个从根据本发明的金属络合物至所述聚合物、低聚物或树枝状大分子的结合代替一个或多个氢原子和/或取代基。取决于根据本发明的金属络合物的连接，这因此形成低聚物或聚合物的侧链或者连接在主链中。所述聚合物、低聚物或树枝状大分子可为共轭的、部分共轭的或非共轭的。所述低聚物或聚合物可为线性、支化或树枝状的。如上文所述的相同优选方式适用于在低聚物、树枝状大分子和聚合物中的根据本发明的金属络合物的重复单元。
为了制备所述低聚物或聚合物，使根据本发明的单体进行均聚或与另外的单体进行共聚。优选如下的共聚物，其中根据本发明的金属络合物以0.01摩尔％至99.9摩尔％、优选5摩尔％至90摩尔％、特别优选5摩尔％至50摩尔％的程度存在。合适且优选的形成聚合物骨架的共聚单体选自芴(例如根据EP 842208或WO 2000/022026)、螺二芴(例如根据EP707020、EP 894107或WO 2006/061181)、对苯亚基(例如根据WO 92/18552)、咔唑(例如根据WO 2004/070772或WO 2004/113468)、噻吩(例如根据EP 1028136)、二氢菲(例如根据WO2005/014689)、顺式和反式茚并芴(例如根据WO 2004/041901或WO 2004/113412)、酮(例如根据WO 2005/040302)、菲(例如根据WO 2005/104264或WO 2007/017066)或者多种这些单元。所述聚合物、低聚物和树枝状大分子还可含有其它单元，例如空穴传输单元，特别是基于三芳基胺的那些空穴传输单元，和/或电子传输单元。
从液相处理根据本发明的金属络合物，例如通过旋涂或通过印刷方法进行处理，需要根据本发明的金属络合物的制剂。这些制剂可以例如是溶液、分散体或乳液。出于这个目的，可优选使用两种或更多种溶剂的混合物。合适且优选的溶剂例如是甲苯，苯甲醚，邻二甲苯、间二甲苯或对二甲苯，苯甲酸甲酯，均三甲苯，萘满，邻二甲氧基苯，THF，甲基-THF，THP，氯苯，二烷，苯氧基甲苯，特别是3-苯氧基甲苯，(-)-葑酮，1,2,3,5-四甲基苯，1,2,4,5-四甲基苯，1-甲基萘，2-甲基苯并噻唑，2-苯氧基乙醇，2-吡咯烷酮，3-甲基苯甲醚，4-甲基苯甲醚，3,4-二甲基苯甲醚，3,5-二甲基苯甲醚，苯乙酮，α-萜品醇，苯并噻唑，苯甲酸丁酯，异丙苯，环己醇，环己酮，环己基苯，十氢化萘，十二烷基苯，苯甲酸乙酯，茚满，NMP，对甲基异丙基苯，苯乙醚，1,4-二异丙基苯，二苄醚，二乙二醇丁基甲基醚，三乙二醇丁基甲基醚，二乙二醇二丁基醚，三乙二醇二甲基醚，二乙二醇单丁基醚，三丙二醇二甲基醚，四乙二醇二甲基醚，2-异丙基萘，戊苯，己苯，庚苯，辛苯，1,1-双(3,4-二甲基苯基)乙烷，六甲基茚满，2-甲基联苯，3-甲基联苯，1-甲基萘，1-乙基萘，辛酸乙酯，癸二酸二乙酯，辛酸辛酯，庚苯，异戊酸薄荷酯，己酸环己酯或这些溶剂的混合物。
因此，本发明还涉及一种制剂，其包含至少一种根据本发明的金属络合物或至少一种根据本发明的聚合物、低聚物或树枝状大分子和至少一种另外的化合物。所述另外的化合物可以例如是溶剂，特别是上述溶剂之一或这些溶剂的混合物。然而，所述另外的化合物也可以是同样用于电子器件中的其它有机或无机化合物，例如基质材料。这种另外的化合物也可以是聚合的。
上述根据本发明的金属络合物或上文详述的优选实施方式可以用于电子器件中作为活性组分或作为氧敏化剂。本发明因此还涉及根据本发明的化合物在电子器件中或者作为氧敏化剂的用途。本发明此外还涉及包含至少一种根据本发明的化合物的电子器件。
电子器件是指包含阳极、阴极和至少一个层的器件，其中该层包含至少一种有机或有机金属化合物。因此，根据本发明的电子器件包含阳极、阴极和至少一个包含至少一种根据本发明的金属络合物的层。这里优选的电子器件选自有机电致发光器件(OLED、PLED)、有机集成电路(O-IC)、有机场效应晶体管(O-FET)、有机薄膜晶体管(O-TFT)、有机发光晶体管(O-LET)、有机太阳能电池(O-SC)(其是指纯有机太阳能电池和染料敏化太阳能电池两者)、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件(O-FQD)、发光电化学电池(LEC)、氧传感器或有机激光二极管(O-laser)，所述器件在至少一个层中包含至少一种根据本发明的金属络合物。特别优选有机电致发光器件。这在金属是铱或铝时特别适用。有源组分通常是引入阳极与阴极之间的有机或无机材料，例如电荷注入、电荷传输或电荷阻挡材料，但特别是发光材料和基质材料。根据本发明的化合物展现作为有机电致发光器件中的发光材料的特别良好的特性。有机电致发光器件因此是本发明的一个优选实施方式。此外，根据本发明的化合物可用于产生单重态氧或用于光催化中。特别是当金属是钌时，优选在染料敏化太阳能电池(“电池”)中用作光敏剂。
所述有机电致发光器件包含阴极、阳极和至少一个发光层。除了这些层之外，它还可以包含其它的层，例如在每种情况下一个或多个空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、激子阻挡层、电子阻挡层、电荷产生层和/或有机或无机p/n结。这里一个或多个空穴传输层可例如用金属氧化物如MoO3或WO3或用(全)氟化缺电子芳族化合物进行p型掺杂，和/或一个或多个电子传输层可被n型掺杂。具有例如激子阻挡功能和/或控制电致发光器件中的电荷平衡的中间层同样可以引入两个发光层之间。然而，应该指出的是，这些层中的每一个不一定必须存在。
这里有机电致发光器件可包含一个发光层或多个发光层。如果存在多个发光层，则它们优选总共具有多个在380nm和750nm之间的发光峰值，总体上导致白色发光，即能够发荧光或发磷光的多种发光化合物被用于发光层中。特别优选三层体系，其中所述三个层显示蓝色、绿色和橙色或红色发光(对于基本结构，参见例如WO2005/011013)，或具有多于三个发光层的体系。其也可以是混合体系，其中一个或多个层发荧光并且一个或多个其它层发磷光。发白光的OLED的另一个实施方式是串联OLED。发白光的有机电致发光器件可用于照明应用，或者与彩色滤光片一起用于全彩显示器。
在本发明的一个优选的实施方式中，所述有机电致发光器件包含根据本发明的金属络合物作为一个或多个发光层中的发光化合物。
如果根据本发明的金属络合物用作发光层中的发光化合物，则它优选与一种或多种基质材料组合使用。基于包含发光体和基质材料的混合物整体，根据本发明的金属络合物和基质材料的混合物包含1体积％至99体积％、优选1体积％至90体积％、特别优选3体积％至40体积％、特别是5体积％至25体积％的根据本发明的金属络合物。相应地，基于包含发光体和基质材料的混合物整体，所述混合物包含99.9体积％至1体积％、优选99体积％至10体积％、特别优选97体积％至60体积％、特别是95体积％至75体积％的基质材料。
所用的基质材料通常可以是根据现有技术已知用于该目的所有材料。所述基质材料的三重态能级优选高于所述发光体的三重态能级。
适用于根据本发明的化合物的基质材料是酮，氧化膦，亚砜和砜，例如根据WO2004/013080、WO 2004/093207、WO 2006/005627或WO 2010/006680的，三芳基胺，咔唑衍生物，例如CBP(N,N-双咔唑基联苯)、m-CBP或在WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527、WO 2008/086851或US 2009/0134784中公开的咔唑衍生物，吲哚并咔唑衍生物，例如根据WO 2007/063754或WO 2008/056746的，茚并咔唑衍生物，例如根据WO2010/136109或WO 2011/000455的，氮杂咔唑，例如根据EP 1617710、EP 1617711、EP1731584、JP 2005/347160的，双极性基质材料，例如根据WO 2007/137725的，硅烷，例如根据WO 2005/111172的，氮杂硼杂环戊二烯或硼酸酯，例如根据WO 2006/117052的，二氮杂硅杂环戊二烯衍生物，例如根据WO 2010/054729的，二氮杂磷杂环戊二烯衍生物，例如根据WO2010/054730的，三嗪衍生物，例如根据WO 2010/015306、WO 2007/063754或WO 2008/056746的，锌络合物，例如根据EP 652273或WO 2009/062578的，二苯并呋喃衍生物，例如根据WO 2009/148015或WO 2015/169412的，或桥接咔唑衍生物，例如根据US 2009/0136779、WO 2010/050778、WO 2011/042107或WO 2011/088877的。
此外可优选以混合物形式使用多种不同的基质材料，特别是至少一种电子传导基质材料和至少一种空穴传导基质材料。优选的组合例如是使用芳族酮、三嗪衍生物或氧化膦衍生物与三芳基胺衍生物或咔唑衍生物作为用于根据本发明的金属络合物的混合基质。同样优选使用电荷传输基质材料与没有参与或没有在显著程度上参与电荷传输的电惰性基质材料的混合物，如在例如WO 2010/108579中所述。同样优选使用两种电子传输基质材料，例如三嗪衍生物和内酰胺衍生物，如在例如WO 2014/094964中所述。
此外优选使用两种或更多种三重态发光体与基质的混合物。这里具有较短波发射光谱的三重态发光体用作具有较长波发射光谱的三重态发光体的共基质。因此，例如，根据本发明的金属络合物可以用作在较长波长下发光的三重态发光体的共基质，例如用作发绿色或红色光的三重态发光体的共基质。这里也可优选的是，在较短波长下发光的金属络合物以及在较长波长下发光的金属络合物都是根据本发明的化合物。
根据金属的选择和配体的确切结构，根据本发明的金属络合物也可以在电子器件中用于其它功能，例如作为空穴注入或空穴传输层中的空穴传输材料或p型掺杂剂，作为电荷产生材料，作为电子阻挡材料，作为空穴阻挡材料或例如在电子传输层中作为电子传输材料或n型掺杂剂。如果根据本发明的金属络合物是铝络合物，则这优选用于电子传输层或空穴阻挡层中。同样可以使用根据本发明的金属络合物作为发光层中的其它磷光金属络合物的基质材料。
阴极优选包含具有低逸出功的金属、金属合金或多层结构，其包含多种金属，例如碱土金属、碱金属、主族金属或镧系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm等)。同样合适的是包含碱金属或碱土金属和银的合金，例如包含镁和银的合金。在多层结构的情况下，除所述金属之外，也可以使用具有相对高逸出功的其它金属例如Ag，在这种情况下，通常使用金属的组合，例如Mg/Ag、Ca/Ag或Ba/Ag。还可优选在金属阴极与有机半导体之间引入具有高介电常数的材料的薄中间层。适合于该目的的是例如碱金属或碱土金属氟化物，以及相应的氧化物或碳酸盐(例如LiF、Li2O、BaF2、MgO、NaF、CsF、Cs2CO3等)。有机碱金属络合物例如Liq(羟基喹啉锂)同样适用于该目的。该层的层厚度优选为0.5nm至5nm。
阳极优选包含具有高逸出功的材料。阳极优选具有相对于真空大于4.5eV的逸出功。一方面，适于这个目的的是具有高氧化还原电势的金属，例如Ag、Pt或Au。另一方面，也可以优选金属/金属氧化物电极(例如Al/Ni/NiOx、Al/PtOx)。对于一些应用，至少一个电极必须是透明的或部分透明的，以促进有机材料辐射(O-SC)或光的耦合输出(OLED/PLED、O-laser)。这里优选的阳极材料是导电性混合金属氧化物。特别优选氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。此外优选导电性掺杂有机材料，特别是导电性掺杂聚合物，例如PEDOT、PANI或这些聚合物的衍生物。此外优选将p型掺杂空穴传输材料施加至阳极作为空穴注入层，其中合适的p型掺杂剂是金属氧化物，例如MoO3或WO3，或(全)氟化缺电子芳族化合物。其它合适的p型掺杂剂是HAT-CN(六氰基六氮杂苯并菲)或来自Novaled公司的化合物NPD9。这种类型的层简化了空穴在具有低HOMO即大HOMO值的材料中的注入。
在另外的层中，通常可使用如根据现有技术用于所述层的所有材料，并且本领域技术人员将能够在不付出创造性劳动的情况下在电子器件中将这些材料中的每一种与根据本发明的材料组合。
所述器件被相应地(根据应用)结构化，设置接触点并且最后被气密密封，因为这些器件的寿命在水和/或空气存在下急剧缩短。
此外优选如下的有机电致发光器件，其特征在于通过升华方法施加一个或多个层，其中在真空升华装置中，在通常小于10-5毫巴、优选小于10-6毫巴的初始压力下气相沉积所述材料。所述初始压力也可以更低或更高，例如小于10-7毫巴。
同样优选如下的有机电致发光器件，其特征在于通过OVPD(有机气相沉积)方法或借助于载气升华来施加一个或多个层，其中在10-5毫巴至1巴的压力下施加所述材料。这种方法的特别实例是OVJP(有机蒸气喷印)方法，其中所述材料通过喷嘴直接施加并且因此是结构化的。
此外优选如下的有机电致发光器件，其特征在于从溶液中例如通过旋涂，或借助于任何期望印刷方法例如丝网印刷、柔性版印刷、平版印刷或喷嘴印刷，特别优选LITI(光引发热成像，热转印)或喷墨印刷，来产生一个或多个层。为了这个目的，需要可溶性化合物，其例如通过合适的取代获得。
通过从溶液施加一个或多个层并通过气相沉积施加一个或多个其它的层，所述有机电致发光器件还可以被制造为混合体系。因此，例如，可从溶液施加包含根据本发明的金属络合物和基质材料的发光层，并通过真空气相沉积在上面施加空穴阻挡层和/或电子传输层。
这些方法通常是本领域技术人员已知的并且可以毫无困难地应用于包含式(1)化合物或上文详述的优选实施方式的有机电致发光器件。
根据本发明的电子器件，特别是有机电致发光器件，相比于现有技术的突出之处在于下列令人惊讶的优点中的一个或多个：
1.根据本发明的金属络合物可以在特别短的反应时间和相对低的反应温度下以非常高的产率和非常高的纯度合成。
2.根据本发明的金属络合物具有优异的热稳定性，这也体现在络合物的升华中。
3.根据本发明的金属络合物不表现出热和光化学面式/经式或经式/面式异构化，这导致使用这些络合物的优点。
4.根据本发明的金属络合物在一些情况下具有非常窄的发光光谱，这导致发光的高色纯度，特别是对于显示器应用而言是理想的。
5.含有根据本发明的金属络合物作为发光材料的有机电致发光器件具有非常长的寿命。
6.含有根据本发明的金属络合物作为发光材料的有机电致发光器件具有优异的效率。
这些上述优点不伴随着其它电子性能的损害。
通过以下实施例更详细地解释本发明，但不希望因此限制本发明。本领域技术人员将能够在不付出创造性劳动的情况下使用本说明书来制造其它根据本发明的电子器件，并且因此在所要求保护的整个范围内实施本发明。
实施例：
除非另有说明，否则在保护性气体气氛下在干燥溶剂中进行以下合成。另外在避光下或在黄光下进行处理金属络合物。溶剂和试剂可以购自例如Sigma-ALDRICH公司或ABCR公司。方括号中的相应数字或对于个别化合物所示的数字是指从文献已知的化合物的CAS编号。含有亚胺单元的配体关于当其存在于金属络合物中时在亚胺键处的构象在下面形象化地描绘，而不管它们是以顺式形式、反式形式还是作为混合物从合成中获得的。
1.有机合成子的制备：
实施例S1：
根据G.Markopoulos等,Angew.Chem.,Int.Ed.(应用化学国际版),2012,51,12884进行制备。
b)
根据JP 2000-169400的程序。将5.7g(105mmol)的甲醇钠按份加入到36.6g(100mmol)的1,3-双(2-溴苯基)-2-丙烯-1-酮[126824-93-9](步骤a))于300ml无水丙酮中的溶液中，然后将混合物在40℃下搅拌12小时。在真空中除去溶剂，将残余物溶于乙酸乙酯中，用每次200ml水洗涤三次，用每次200ml饱和氯化钠溶液洗涤两次并经硫酸镁干燥。对在真空中除去溶剂后获得的油状物进行快速色谱法(Torrent CombiFlash,Axel Semrau公司)。产率：17.9g(44mmol)，44％。纯度：约97％，根据1H-NMR。
c)
将2.4g(2.4mmol)的无水氯化铜(I)[7758-89-6]在0℃下加入到2-氯苯基溴化镁(200mmol)[36692-27-0]于200ml二正丁基醚中的溶液中，并且将混合物再搅拌30分钟。然后经30分钟的过程滴加40.6g(100mmol)的步骤b)于200ml甲苯中的溶液，并且将混合物再在0℃下搅拌5小时。通过小心加入100ml水，然后用220ml的1N盐酸来淬灭反应混合物。分离出有机相，用每次200ml水洗涤两次，用200ml饱和碳酸氢钠溶液洗涤一次，用200ml饱和氯化钠溶液洗涤一次并经硫酸镁干燥。在真空中除去溶剂后获得的油状物通过硅胶用甲苯过滤。以这种方式获得的粗产物未经进一步纯化而进一步反应。产率：49.8g(96mmol)，96％。纯度：约90-95％，根据1H-NMR。
d)
将1.0ml的三氟甲烷磺酸和按份的50g五氧化磷依次加入到冷却至0℃的51.9g(100mmol)的步骤c)于500ml二氯甲烷(DCM)中的溶液中。使混合物升温到室温并再搅拌2小时。从五氧化磷中倾析出上清液，将五氧化磷悬浮在200ml DCM中，并且再次倾析出上清液。将合并的DCM相用水洗涤两次并用饱和氯化钠溶液洗涤一次，并经硫酸镁干燥。对在真空中除去溶剂后获得的蜡状物进行快速色谱法(Torrent CombiFlash，Axel Semrau公司)。产率：31.5g(63mmol)，63％，异构体混合物。纯度：约90-95％，根据1H-NMR。
e)
将25.0g(50mmol)的步骤d)、2g的Pd/C(10％)、200ml甲醇和300ml乙酸乙酯的混合物在3巴氢气下装入搅拌高压釜中并在30℃下氢化，直到氢气完全吸收。将混合物通过已用乙酸乙酯预浆化的硅藻土床过滤，将滤液蒸发至干燥。对以这种方式获得的油状物进行快速色谱法(Torrent CombiFlash，Axel Semrau公司)。产率：17.2g(34mmol)，68％。纯度：约95％，根据1H-NMR，顺式,顺式异构体。
可以类似地制备以下化合物。
实施例S5：
将801mg(10mmol)的纳米级氧化锌加入到保持在40℃温度下的剧烈搅拌的18.5g(100mmol)的2-溴苯甲醛的熔体中。16小时后，向反应混合物中加入100ml甲苯，通过硅藻土过滤出氧化锌，在真空中除去所有甲苯，并且将以这种方式获得的蜡状物从丙酮中重结晶。产率：6.3g(34mmol)，34％。纯度：约95％，根据1H-NMR，顺式,顺式异构体。
实施例S6：
a)S6a
将22.6g(100mmol)的(6-甲氧基-[1,1'-联苯]-3-基)硼酸[459423-16-6]、16.6g(105mmol)的2-溴吡啶[109-04-6]、21.2g(200mmol)的碳酸钠、1.2g(1mmol)的四(三苯基膦)钯[14221-01-3]、300ml甲苯、100mol乙醇和300ml水的混合物在剧烈搅拌下在回流下加热18小时。冷却后，分离出有机相，用每次300ml水洗涤两次并用300ml饱和NaCl溶液洗涤一次，并经硫酸镁干燥。在蒸发有机相后获得的油状物在油泵真空下在80℃下干燥并且未经进一步纯化即反应。产率：25.6g(98mmol)，98％；纯度：约95％，根据1H-NMR。
b)S6b
将26.1g(100mmol)的5-(2-吡啶基)-[1,1'-联苯]-2-醇S6a和81.9g(700mmol)的吡啶盐酸盐的混合物在190℃下加热3小时。冷却后，将反应混合物倒入500ml水中，用每次200ml二氯甲烷萃取五次，有机相用200ml水洗涤两次并用200ml饱和NaCl溶液洗涤一次，在真空中除去溶剂，加入300ml甲苯用于共沸干燥，并且通过在真空中蒸馏除去所有甲苯。以这种方式获得的粘性油状物未经进一步纯化即反应。产率：21.0g(85mmol)，85％；纯度：约95％，根据1H-NMR。
c)S6
在剧烈搅拌下将34ml(200mmol)的三氟甲烷磺酸酐[358-23-6]滴加到冷却至0℃的24.7g(100mmol)的S6b于300ml二氯甲烷和80ml吡啶的混合物中的溶液中。使反应混合物升温到室温，再搅拌16小时，在搅拌下倒入1000ml冰-水中，然后用300ml二氯甲烷萃取三次。将合并的有机相用每次300ml冰-水洗涤两次，并用500ml饱和NaCl溶液洗涤一次，然后经硫酸钠干燥。使在真空中除去二氯甲烷后剩余的蜡状物从乙腈中重结晶。产率：32.6g(86mmol)，86％；纯度：约95％，根据1H-NMR。
可以类似地获得S7，其中用2-溴-4-叔丁基吡啶[50488-34-1]代替2-溴吡啶：
实施例S10：5-溴-2-[1,1,2,2,3,3-六甲基茚满-5-基]吡啶
将164.2g(500mmol)的2-(1,1,2,2,3,3-六甲基茚满-5-基)-4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷[152418-16-9](可以类似地使用硼酸)、142.0g(500mmol)的5-溴-2-碘吡啶[223463-13-6]、159.0g(1.5mol)的碳酸钠、5.8g(5mmol)的四(三苯基膦)钯(0)、700ml甲苯、300ml乙醇和700ml水的混合物在剧烈搅拌下在回流下加热16小时。冷却后，加入1000ml甲苯，分离出有机相，然后用300ml甲苯萃取水相。合并的有机相用500ml饱和氯化钠溶液洗涤一次。在有机相经硫酸钠干燥并在真空中除去溶剂后，使粗产物从约300mlEtOH中重结晶两次。产率：130.8g(365mmol)，73％。纯度：约95％，根据1H-NMR。
可以类似地制备以下化合物：
实施例S20：
将25.1g(100mmol)的2,5-二溴-4-甲基吡啶[3430-26-0]、15.6g(100mmol)的4-氯苯基硼酸[1679-18-1]、27.6g(200mmol)的碳酸钾、1.57g(6mmol)的三苯基膦[603-35-0]、676mg(3mmol)的乙酸钯(II)[3375-31-3]、200g玻璃珠(直径3mm)、200ml乙腈和100ml乙醇的混合物在回流下加热48小时。冷却后，在真空中除去溶剂，加入500ml甲苯，将混合物用每次300ml水洗涤两次，用200ml饱和氯化钠溶液洗涤一次，经硫酸镁干燥，通过预浆化的硅胶床过滤，并且用300ml甲苯冲洗硅胶床。在真空中除去甲苯后，使产物从甲醇/乙醇(1:1vv)中重结晶一次并从正庚烷中重结晶一次。产率：17.3g(61mmol)，61％。纯度：约95％，根据1H-NMR。
实施例S21：
将28.3g(100mmol)的S20、12.8g(105mmol)的苯基硼酸、31.8g(300mmol)的碳酸钠、787mg(3mmol)的三苯基膦、225mg(1mmol)的乙酸钯(II)、300ml甲苯、150ml乙醇和300ml水的混合物在回流下加热48小时。冷却后，用300ml甲苯扩充混合物，分离出有机相，用300ml水洗涤一次，用200ml饱和氯化钠溶液洗涤一次并经硫酸镁干燥。除去溶剂后，对残余物进行硅胶色谱分离(甲苯/乙酸乙酯，9:1vv)。产率：17.1g(61mmol)，61％。纯度：约97％，根据1H-NMR。
可以类似地合成以下化合物：
实施例S30：2-[1,1,2,2,3,3-六甲基茚满-5-基]-5-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷-2-基)吡啶
变体A：
将35.8g(100mmol)的S10、25.4g(100mmol)的双(频哪醇根合)二硼烷[73183-34-3]、49.1g(500mmol)的乙酸钾、1.5g(2mmol)的DCM中的1,1-双(二苯基膦基)二茂铁二氯化钯(II)络合物[95464-05-4]、200g玻璃珠(直径3mm)、700ml的1,4-二烷和700ml甲苯的混合物在回流下加热16小时。冷却后，通过硅藻土床过滤悬浮液，并且在真空中除去溶剂。黑色残余物用1000ml热环己烷溶解，趁热通过硅藻土床过滤，然后蒸发至约200ml，在此期间产物开始结晶。在冰箱中过夜完成结晶，并且过滤出晶体并用少量正庚烷洗涤。可以从母液中获得第二产物级分。产率：31.6g(78mmol)，78％。纯度：约95％，根据1H-NMR。
变体B：芳基氯的反应
与变体A一样，但用1.5mmol S-Phos[657408-07-6]和1.0mmol乙酸钯(II)代替DCM中的1,1-双(二苯基膦基)二茂铁二氯化钯(II)络合物。
可以类似地制备以下化合物，其中也可以使用环己烷、甲苯、乙腈、乙酸乙酯或所述溶剂的混合物代替正庚烷用于纯化：
实施例S100：
将54.5g(100mmol)的S1、59.0g(210mmol)的2-苯基-5-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷-2-基)吡啶[879291-27-7]、127.4g(600mmol)的磷酸三钾、1.57g(6mmol)的三苯基膦和449mg(2mmol)的乙酸钯(II)于750ml甲苯、300ml二烷和500ml水中的混合物在回流下加热30小时。冷却后，分离出有机相，用每次300ml水洗涤两次，用300ml饱和氯化钠溶液洗涤一次，并经硫酸镁干燥。通过已用甲苯预浆化的硅藻土床过滤出硫酸镁，将滤液在真空中蒸发至干燥，并且使剩下的泡沫状物从乙腈/乙酸乙酯中重结晶。产率：41.8g(64mmol)，64％。纯度：约95％，根据1H-NMR。
可以类似地制备以下化合物：
实施例S200：
将29.0g(100mmol)的S31、20.2g(200mmol)的新戊酰胺、97.8g(300mmol)的碳酸铯、1157mg(2mmol)的Xanthphos、449mg(2mmol)的乙酸钯(II)、500ml二烷和200g玻璃珠(直径3mm)的混合物在100℃下搅拌12小时。在真空中基本上除去二烷，将残余物溶于500ml水和500ml乙酸乙酯中，有机相用300ml水洗涤两次并用300ml饱和氯化钠溶液洗涤一次，然后经硫酸镁干燥。通过已用乙酸乙酯预浆化的硅藻土床过滤出干燥剂，并且将滤液蒸发至干燥。将油性残余物溶于200ml二烷中，加入50ml浓盐酸，并且使溶液在回流下沸腾12小时，然后基本上蒸馏出二烷，在此期间产物结晶析出。抽滤出产物，用冰冷的水洗涤并在真空中干燥。产率：19.0g(63mmol)，63％。纯度：约95％，根据1H-NMR。
可以类似地制备以下化合物：
实施例S300：
将24.9g(100mmol)的2-(4-氨基苯基)-5-溴吡啶[1264652-77-8]、26.7g(105mmol)的双(频哪醇根合)二硼烷[73183-34-3]、29.5g(300mmol)的无水乙酸钾、561mg(2mmol)的三环己基膦、224mg(1mmol)的乙酸钯(II)和500ml二烷的混合物在90℃下搅拌16小时。在真空中除去溶剂后，将残余物溶于500ml乙酸乙酯中，通过硅藻土床过滤，在真空中蒸发滤液以起始结晶，最后滴加约100ml甲醇以完成结晶。产率：20.1g(68mmol)，68％；纯度：约95％，根据1H-NMR。
可以类似地合成以下化合物：
2.六齿配体L的制备：
实施例L1：
将50.5g(100mmol)的S1、98.4g(350mmol)的2-苯基-5-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷-2-基)吡啶[879291-27-7]、106.0g(1mol)的碳酸钠、2.1g(5mmol)的S-Phos[657408-07-6]、674mg(3mmol)的乙酸钯(II)、750ml甲苯、200ml二烷和500ml水的混合物在非常剧烈的搅拌下在70℃下加热24小时。使混合物冷却，分离出水相，并且将有机相蒸发至干燥。从Suzuki偶联蒸发有机相后，将棕色泡沫状物溶于300ml的二氯甲烷:乙酸乙酯(1:1，vv)中，并通过已用二氯甲烷:乙酸乙酯(1:1，vv)预浆化的硅胶床(直径15cm，长度20cm)过滤，以分离出棕色组分。蒸发后，通过加入300ml沸腾甲醇使剩下的泡沫状物从300ml乙酸乙酯中重结晶，然后从250ml纯乙酸乙酯中重结晶第二次，随后在球管中在高真空(p为约10-5毫巴，T为260℃)中升华。产率：45.6g(59mmol)，59％。纯度：约99.7％，根据1H-NMR，顺式,顺式异构体。
可以类似地制备以下化合物，其中也可以通过色谱法(例如来自Axel Semrau公司的Torrent CombiFlash)进行纯化：
实施例L100：
将65.3g(100mmol)的S100、42.5g(105mmol)的S30、63.7g(300mmol)的磷酸三钾、1.23g(3mmol)的S-Phos[657408-07-6]、449mg(2mmol)的乙酸钯(II)、500ml甲苯、300ml二烷和300ml水的混合物在回流下加热6小时。冷却后，分离出有机相，用300ml水洗涤两次并用200ml饱和氯化钠溶液洗涤一次，经硫酸镁干燥，然后通过已用甲苯预浆化的硅藻土床过滤，并且用甲苯冲洗床。将滤液蒸发至干燥，随后使残余物从乙酸乙酯/甲醇中重结晶两次。产率：56.5g(63mmol)，63％。纯度：约97％，根据1H-NMR。
可以类似地合成以下化合物：
实施例L200：
变体A，对于醛：
类似于J.G.Muntaner等,Org.&Biomol.Chem.(有机与生物分子化学),2014,12,286的程序。将97ml的2N乙醇钠的乙醇溶液加入到24.3g(100mmol)的4-(2-吡啶基)苯胺二盐酸盐[856849-12-2]于200ml乙醇中的溶液中。然后加入5.1g(30mmol)的顺,顺-1,3,5-环己烷三甲醛[107354-37-0]，并且将混合物在回流下加热3小时。随后将乙醇几乎蒸馏至干燥，将油性残余物溶于300ml DCM中，通过已用DCM预浆化的硅藻土床过滤出不溶组分，在真空中除去DCM，并且使粗产物从乙腈/环己烷中重结晶。产率：14.4g(23mmol)，69％。纯度：约97％，根据1H-NMR。
实施例L201：
变体B，对于酮：
类似于P.Sulmon等,Synthesis(合成)1985,192的程序。
向24.3g(100mmol)的4-(2-吡啶基)苯胺二盐酸盐于200ml二乙醚的悬浮液中加入三滴甲醇，然后按份加入8.0g(200mmol)的氢化钠于矿物油中的60重量％分散液(小心：氢气逸出！)。在室温下3小时后，氢气逸出完成。加入10.1g(30mmol)的顺,顺-1,1',1”-(1,3,5-环己烷三基)三[2,2-二甲基-1-丙酮][98013-15-1]，并且将反应混合物在冰/盐浴中冷却至0℃。然后滴加95ml的1N四氯化钛的DCM溶液，使混合物升温至室温，然后在回流下加热18小时。冷却后，抽滤出已沉淀出来的固体，用100ml DCM冲洗三次，将滤液蒸发至干燥，将油性残余物溶于300ml DCM中，用每次100ml的2N KOH水溶液洗涤三次，然后经硫酸镁干燥。在真空中除去DCM，并且利用环己烷:乙酸乙酯:三乙胺(90:9:1，vv)对残余物进行硅胶(使用三乙胺使其失活)色谱分离。产率：5.6g(7mmol)，23％。纯度：约97％，根据1H-NMR。
可以类似地合成以下化合物：
实施例L300：
将3.9g(30mmol)的顺,顺-1,3,5-三氨基环己烷[26150-46-9]、18.3g(100mmol)的4-(2-吡啶基)苯甲醛[127406-56-8]、951mg(5mmol)的4-甲苯磺酸单水合物[6192-52-5]和300ml均三甲苯的混合物在回流下加热，直至水分离完成。冷却后，在真空中除去均三甲苯，并且利用环己烷:乙酸乙酯:三乙胺(90:9:1，vv)对残余物进行硅胶(使用三乙胺使其失活)色谱分离。产率：15.0g(24mmol)，88％。纯度：约97％，根据1H-NMR。
可以类似地合成以下化合物：
实施例L400：
向剧烈搅拌的4.0g(30mmol)的顺,顺-1,3,5-环己烷三醇[50409-12-6]于100ml二氯甲烷中的溶液中加入28ml三乙胺，然后滴加21.8g(100mmol)的4-(2-吡啶基)苯甲酰氯[190850-37-4]于100ml二氯甲烷中的溶液，并且将混合物在回流下搅拌12小时。冷却后，在真空中除去挥发性组分，通过与300ml热甲醇一起搅拌来洗涤残余物，抽滤出产物，用每次50ml甲醇洗涤三次，最后从乙酸乙酯/甲醇中重结晶。产率：14.0g(21mmol)，69％。纯度：约97％，根据1H-NMR。
可以类似地制备以下化合物，其中粗产物的纯化可以通过球管蒸馏、重结晶或色谱法进行。如果使用醇、胺或酰氯的混合物，则除了对称配体之外，通过色谱分离(CombiFlash Torrent，Axel Semrau公司)还可以获得含有不同双齿部分配体的配体。
实施例L500：
将1.2g(50mmol)的氢化钠按份加入到6.7g(10mmol)的L402于150ml二甲基乙酰胺的悬浮液中，并且将混合物在室温下搅拌30分钟。然后加入2.1ml(33mmol)的甲基碘[74-88-4]，并且将混合物在60℃下升温16小时。滴加20ml浓氨溶液，将混合物再搅拌30分钟，在真空中基本上除去溶剂，将残余物溶于300ml二氯甲烷中，用200ml的5重量％氨水洗涤一次，用每次100ml水洗涤两次，用100ml饱和氯化钠溶液洗涤一次，然后经硫酸镁干燥。在真空中除去二氯甲烷，并且使粗产物从乙酸乙酯/甲醇中重结晶。产率：5.0g(7.0mmol)，70％。纯度：约97％，根据1H-NMR。
可以类似地制备以下化合物，其中甲基碘被所示的亲电子试剂代替。在使用仲烷基卤化物的情况下，使用60mmol的NaH和60mmol的仲烷基化剂。粗产物可通过球管蒸馏、重结晶或色谱法纯化。
实施例L600：
将6.7g(10mmol)的L406、4.5ml(40mmol)的碘苯[591-50-4]、12.7g(60mmol)的磷酸三钾、292mg(1.5mmol)的碘化铜(I)、553mg(3mmol)的2,2,6,6-四甲基-3,5-庚烷二酮[1118-71-4]、50g玻璃珠(直径3mm)和150ml邻二甲苯的混合物在130℃下加热24小时。冷却后，在真空中除去溶剂，将残余物溶于500ml二氯甲烷中，经由预浆化的硅藻土床过滤出盐，将滤液用100ml的5重量％氨溶液洗涤三次并用100ml水洗涤一次，然后经硫酸镁干燥。使除去溶剂后获得的粗产物从乙酸乙酯/甲醇中重结晶。产率：6.5g(7.2mmol)，72％。纯度：约97％，根据1H-NMR。
可以类似地制备以下化合物。粗产物可以通过球管蒸馏、重结晶或色谱法纯化。
实施例L700：
将剧烈搅拌的16.3g(30mmol)的1,3,5-三(2-溴苯基)苯[380626-56-2]、31.1g(100mmol)的2-(4-甲氧基苯基)-5-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷-2-基)吡啶[1374263-53-2]、42.5g(200mol)的磷酸三钾、534mg(1.3mmol)的S-Phos[657408-07-6]、224mg(1.0mmol)的乙酸钯(II)、300ml甲苯、100ml二烷和300ml水的混合物在回流下加热16小时。冷却后，分离出水相，并且将有机相蒸发至干燥。将棕色泡沫状物溶于300ml乙酸乙酯中并通过已用乙酸乙酯预浆化的硅胶床(直径15cm，长度20cm)过滤，以分离出棕色组分。蒸发至100ml后，在非常剧烈的搅拌下将300ml甲醇滴加到温热溶液中，在此期间米色固体结晶析出。抽滤出固体，用每次100ml甲醇洗涤两次并在真空中干燥。产率：20.5g(24mmol)，80％。纯度：约95％，根据1H-NMR。
可以类似地制备以下化合物。
3.金属络合物的制备：
实施例Ir(L1)：
最初将7.72g(10mmol)的配体L1、4.90g(10mmol)的三(乙酰丙酮根合)铱(III)[15635-87-7]和100g氢醌[123-31-9]的混合物引入具有玻璃包覆磁力搅拌棒的500ml双颈圆底烧瓶中。该烧瓶具有水分离器(用于密度低于水的介质)和具有氩气覆盖的空气冷凝器。将烧瓶放入金属加热盘中。经由氩气覆盖将装置从上方用氩气冲洗15分钟，在此期间使氩气流出双颈烧瓶的侧颈。经由双颈烧瓶的侧颈将玻璃包覆的Pt-100热电偶引入烧瓶中，并且端部正好位于磁力搅拌棒的上方。然后借助于几个松散的家用铝箔卷对该装置进行热绝缘，其中绝缘尽可能延伸到水分离器的上升管的中心。然后使用实验室热板搅拌器，将该装置快速加热至250℃-260℃，在浸入熔融的搅拌反应混合物中的Pt-100温度传感器上测量。在接下来的1.5小时内，反应混合物保持在250℃-260℃，在此期间蒸馏出很少的冷凝物并收集在水分离器中。使反应混合物冷却至190℃，滴加50ml乙二醇，使混合物冷却至70℃，然后滴加250ml甲醇。冷却后，以这种方式获得的米色悬浮液通过反向玻璃料过滤，米色固体用50ml甲醇洗涤三次，然后真空干燥。粗产率：定量。将以此方式获得的固体溶解在1000ml二氯甲烷中，并通过约800g硅胶过滤，所述硅胶已经在排除空气和避光下用二氯甲烷(柱直径约18cm)预浆化，其中深色组分保留在开始处。切出核心级分并在旋转蒸发器中基本上蒸发，同时连续滴加MeOH以结晶。抽滤出黄色产物，用少量MeOH洗涤并真空干燥，然后在小心地排除空气和避光下通过用DCM连续热萃取5次来进一步纯化(在每种情况下最初引入量为约150ml，萃取套管：来自Whatman公司的标准纤维素Soxhlett套管)。产率：7.03g(7.3mmol)，73％。纯度：>99.9％，根据HPLC。
可以类似地制备以下化合物：
*：如果不同于一般程序则指出。
配体L16的金属络合物：
在75℃下将保持在75℃温度的1mmol的相应金属盐于15ml的EtOH或EtOH/水(1:1vv)中的溶液滴加到769mg(1mmol)的L16于10ml DMSO中的溶液中，并且将混合物再搅拌10小时。任选在加入含6mmol的相应盐(KPF6、(NH4)PF6、KBF4等)的10ml EtOH或EtOH/水(1:1，vv)的情况下下进行阴离子交换。冷却后，抽滤出微晶沉淀物，用冷MeOH洗涤并在真空中干燥。纯化可以通过从乙腈/甲醇中重结晶而进行。
可以类似地制备以下化合物：
配体L17的金属络合物：
在75℃下将保持在75℃温度的1mmol的相应金属盐于15ml的EtOH或EtOH/水(1:1vv)中的溶液滴加到736mg(1mmol)的L17和643mg(6mmol)的2,6-二甲基吡啶于10ml DMSO中的溶液中，并且将混合物再搅拌10小时。任选在加入含6mmol的相应盐(KPF6、(NH4)PF6、KBF4等)的10ml EtOH或EtOH/水(1:1，vv)的情况下进行阴离子交换。冷却后，抽滤出微晶沉淀物，用冷MeOH洗涤并在真空中干燥。纯化可以通过从乙腈/甲醇中重结晶而进行。
可以类似地制备以下化合物：
配体L18的金属络合物：
在75℃下将保持在75℃温度的1mmol的相应金属盐于20ml的EtOH或EtOH/水(1:1vv)中的溶液滴加到736mg(1mmol)的L18和643mg(6mmol)的2,6-二甲基吡啶于10ml DMSO中的溶液中，并且将混合物再搅拌10小时。任选在加入含6mmol的相应盐(KPF6、(NH4)PF6、KBF4等)的10ml EtOH或EtOH/水(1:1，vv)的情况下进行阴离子交换。冷却后，抽滤出微晶沉淀物，用冷MeOH洗涤并在真空中干燥。纯化可以通过从乙腈/甲醇中重结晶而进行。
可以类似地制备以下化合物：
配体L19的金属络合物：
在80℃下将保持在75℃温度的1mmol的相应金属盐于20ml的EtOH或EtOH/水(1:1vv)中的溶液滴加到778mg(1mmol)的L19和643mg(6mmol)的2,6-二甲基吡啶于10ml DMSO中的溶液中，并且将混合物再搅拌12小时。任选在加入含6mmol的相应盐(KPF6、(NH4)PF6、KBF4等)的10ml EtOH或EtOH/水(1:1，vv)的情况下进行阴离子交换。冷却后，抽滤出微晶沉淀物，用冷MeOH洗涤并在真空中干燥。纯化可以通过从乙腈/甲醇中重结晶或通过热萃取和后续分级升华而进行。
可以类似地制备以下化合物：
配体L20的金属络合物：
在75℃下将保持在75℃温度的1mmol的相应金属盐于15ml的EtOH或EtOH/水(1:1vv)中的溶液滴加到736mg(1mmol)的L20和643mg(6mmol)的2,6-二甲基吡啶于10ml DMSO中的溶液中，并且将混合物再搅拌12小时。任选在加入含6mmol的相应盐(KPF6、(NH4)PF6、KBF4等)的10ml EtOH或EtOH/水(1:1，vv)的情况下进行阴离子交换。冷却后，抽滤出微晶沉淀物，用冷MeOH洗涤并在真空中干燥。纯化可以通过从乙腈/甲醇中重结晶而进行。
可以类似地制备以下化合物：
4：金属络合物的官能化
4.1铱络合物的卤化：
在-30℃至+30℃下在避光和排除空气下，将10mmol的在铱的对位处带有A×C-H基团(其中A＝1、2、3)的络合物于500ml至2000ml的二氯甲烷中的溶液或悬浮液(取决于金属络合物的溶解性)与A×10.5mmol的N-卤代丁二酰亚胺(卤素：Cl、Br、I)混合，并且将混合物搅拌20小时。在DCM中具有低溶解性的络合物也可以在其它溶剂(TCE、THF、DMF、氯苯等)中以及在高温下反应。随后在真空中基本上除去溶剂。向残余物中加入100ml甲醇和1ml肼水合物，将混合物短暂搅拌，抽滤出固体，用30ml甲醇洗涤三次，然后在真空中干燥，得到在铱的对位处溴化的铱络合物。具有约-5.1eV至-5.0eV或更低的HOMO(CV)的络合物趋向于氧化(Ir(III)→Ir(IV))，其中氧化剂是从NBS释放的溴。这种氧化反应从发光体的原本黄色至红色溶液/悬浮液的明显绿色变色是显而易见的。在这些情况下，加入另一当量的NBS。对于后处理，加入100ml-500ml甲醇和2ml肼水合物作为还原剂，使绿色溶液/悬浮液的颜色变为黄色(还原Ir(IV)>Ir(III))。然后在真空中用汽提基本上除去溶剂，加入300ml甲醇，抽滤出固体，用每次100ml甲醇洗涤三次并在真空中干燥。
在铱的对位处具有3个C-H基团的络合物的亚化学计量溴化，例如单溴化和二溴化，通常相比于化学计量溴化以较小选择性进行。这些溴化的粗产物可以通过色谱法分离(来自A.Semrau公司的CombiFlashTorrent)。
实施例Ir(L1-3Br)：
将5.6g(31.5mmol)的N-溴代丁二酰亚胺以整份加入到在0℃下搅拌的9.6g(10mmol)的Ir(L1)于500ml二氯甲烷(DCM)中的悬浮液中，然后将混合物再在室温下搅拌6小时。在真空中除去约400ml DCM后，将100ml甲醇和1ml肼水合物的混合物加入到黄色悬浮液中，抽滤出固体，用约30ml甲醇洗涤三次，然后在真空中干燥。产率：11.2g(9.5mmol)，93％；纯度：>99.0％，根据NMR。
可以类似地制备以下络合物：
4.2含有溴官能团的金属络合物的硼化：
将10mmol溴化络合物、12mmol双(频哪醇根合)二硼烷[73183-34-3](针对每个溴官能团)、30mmol无水乙酸钾(针对每个溴官能团)、0.2mmol三环己基膦、0.1mmol乙酸钯(II)(变体A)或0.2mmol dppfPdCl2*CH2Cl2[95464-05-4](变体B)和300ml溶剂(二烷、DMSO、NMP、甲苯等)的混合物在80℃-160℃下搅拌4小时-16小时。在真空中除去溶剂后，将残余物溶于300ml二氯甲烷、THF或乙酸乙酯中，通过硅藻土床过滤，在真空中蒸发滤液以起始结晶，最后滴加约100ml甲醇以完成结晶。所述化合物可以在添加甲醇下从二氯甲烷、乙酸乙酯或THF中重结晶或进行硅胶色谱分离。
Ir(L1-3BE)的合成-变体B：
使用12.0g(10mmol)的Ir(L1-3Br)和9.1g(36mmol)的双(频哪醇根合)二硼烷[73183-34-3]、二烷/甲苯1:1vv，120℃，16小时，在THF中溶解和硅藻土过滤，从THF:甲醇中重结晶。产率：7.9g(5.9mmol)，59％；纯度：约99.8％，根据HPLC。
可以类似地制备以下化合物：
4.3对卤代金属络合物的Suzuki偶联
变体A，双相反应混合物：
将0.6mmol的三邻甲苯基膦和0.1mmol的乙酸钯(II)依次加入到10mmol的溴化络合物、12mmol-20mmol的硼酸或硼酸酯(针对每个Br官能团)和40mmol-80mmol的磷酸三钾于300ml甲苯、100ml二烷和300ml水的混合物中的悬浮液中，并且将混合物在回流下加热16小时。冷却后，加入500ml水和200ml甲苯，分离出水相，有机相用200ml水洗涤三次并用200ml饱和氯化钠溶液洗涤一次，并经硫酸镁干燥。通过硅藻土床过滤混合物，用甲苯冲洗硅藻土床，在真空中几乎完全除去甲苯，加入300ml甲醇，抽滤出已沉淀出来的粗产物，用每次50ml甲醇洗涤三次并在真空中干燥。使粗产物通过硅胶柱。可以通过色谱法、重结晶或热萃取进行进一步纯化。最后，金属络合物可以任选热处理或升华。热处理在高真空(p为约10-6毫巴)下在约200℃-300℃的温度范围内进行。在合适的可升华络合物的情况下在高真空(p为约10-6毫巴)下在约300℃-400℃的温度范围内进行升华，其中升华优选以分级升华的形式进行。
变体B，单相反应混合物：
将0.6mmol的三邻甲苯基膦和0.1mmol的乙酸钯(II)或0.3mmol的四(三苯基膦)钯(0)依次加入到10mmol溴化络合物、12mmol-20mmol硼酸或硼酸酯(针对每个Br官能团)和60mmol-100mmol的碱(氟化钾、磷酸三钾(无水或单水合物或三水合物)、碳酸钾、碳酸铯等)和100g玻璃珠(直径3mm)于100ml–500ml非质子溶剂(THF、二烷、二甲苯、均三甲苯、二甲基乙酰胺、NMP、DMSO等)中的悬浮液中，并且将混合物在升温(80℃-130℃)下搅拌1小时-24小时。或者，可以使用其它膦，例如三苯基膦、三叔丁基膦、S-Phos、X-Phos、RuPhos、XanthPhos等，其中在这些膦的情况下，优选的膦:钯比为3:1至1.2:1。在真空中除去溶剂，将产物溶于合适的溶剂(甲苯、二氯甲烷、乙酸乙酯等)中并如变体A下所述纯化。
Ir100的合成：
变体A：
使用12.0g(10.0mmol)的Ir(L1-3Br)和9.0g(60.0mmol)的2,5-二甲基苯基硼酸[85199-06-0]、17.7g(60mmol)的磷酸三钾(无水)、183mg(0.6mmol)的三邻甲苯基膦[6163-58-2]、23mg(0.1mmol)的乙酸钯(II)、300ml甲苯、100ml二烷和300ml水，回流，16小时。利用甲苯/乙酸乙酯(9:1，vv)在硅胶上色谱分离两次，随后在添加0.5ml肼水合物下利用甲苯热萃取两次，然后用乙酸丁酯热萃取五次。产率：6.9g(5.4mmol)，54％；纯度：约99.9％，根据HPLC。
变体B：
使用12.0g(10.0mmol)的Ir(L1-3Br)和9.0g(60.0mmol)的2,5-二甲基苯基硼酸频哪基酯[356570-53-1]、17.7g(60mmol)的单水合磷酸三钾、347mg(0.3mmol)的四(三苯基膦)钯(0)、300ml DMSO，90℃，24小时。如变体A下所述纯化。产率：7.3g(5.7mmol)，57％；纯度：约99.8％，根据HPLC。
可以类似地制备以下化合物：
4.4对Ir络合物的Buchwald偶联
变体A：
将0.4mmol的三叔丁基膦和0.3mmol的乙酸钯(II)依次加入到10mmol溴化络合物、12mmol-20mmol二芳基胺或咔唑(针对每个溴官能团)、1.1摩尔量的叔丁醇钠(针对每个所用胺)或80mmol无水磷酸三钾(在咔唑的情况下)、100g玻璃珠(直径3mm)和300ml-500ml甲苯或邻二甲苯(在咔唑的情况下)的混合物中，并且将混合物在剧烈搅拌下在回流下加热16-30小时。冷却后，加入500ml水，分离出水相，有机相用200ml水洗涤两次，用200ml饱和氯化钠溶液洗涤一次，并经硫酸镁干燥。通过硅藻土床过滤混合物，用甲苯或邻二甲苯冲洗硅藻土床，在真空中除去几乎所有溶剂，加入300ml乙醇，抽滤出已沉淀出来的粗产物，用每次50ml EtOH洗涤三次，并在真空中干燥。通过硅胶色谱法和/或通过热萃取纯化粗产物。最后，将金属络合物热处理或升华。在高真空(p为约10-6毫巴)下在约200℃-300℃的温度范围内进行热处理。在高真空(p为约10-6毫巴)下在约300℃-400℃的温度范围内进行升华，其中升华优选以分级升华形式进行。
变体B：
将10mmol溴化络合物、12mmol-20mmol二芳基胺或咔唑(针对每个溴官能团)、30mmol碳酸钾和30mmol硫酸钠(针对每个溴官能团)、10mmol碘化铜(针对每个溴官能团)、50g玻璃珠(直径3mm)和150ml硝基苯的混合物在200℃下在剧烈搅拌下加热16小时-30小时。冷却至100℃后，在真空中基本上除去硝基苯，加入300ml MeOH，过滤出已沉淀出来的产物和盐，用50ml甲醇冲洗并在真空中干燥。将残余物溶于300ml二氯甲烷中，经由已用二氯甲烷预浆化的硅胶床过滤出盐，在真空中除去二氯甲烷，并且对产物重新进行硅胶色谱分离。
Ir200的合成：
变体A：
使用12.0g(10mmol)的Ir(L1-3Br)和9.7g(40mmol)的3-苯基咔唑[103012-26-6]。利用DCM进行硅胶色谱分离三次，热处理。产率：6.3g(3.7mmol)，37％；纯度：约99.8％，根据HPLC。
变体B：
使用12.0g(10mmol)的Ir(L1-3Br)和9.7g(40mmol)的3-苯基咔唑[103012-26-6]。利用DCM进行硅胶色谱分离三次，热处理。产率：7.5g(4.4mmol)，44％；纯度：约99.7％，根据HPLC。
可以类似地制备以下化合物：
4.5铱络合物的氰化：
将10mmol溴化络合物、13mmol氰化铜(I)(针对每个溴官能团)和300ml NMP的混合物在180℃下搅拌20小时。冷却后，在真空中除去溶剂，将残余物溶于500ml二氯甲烷中，经由硅藻土过滤出铜盐，在真空中将二氯甲烷几乎蒸发至干燥，加入100ml乙醇，抽滤出已沉淀出来的固体，用每次50ml乙醇洗涤两次并在真空中干燥。通过色谱法和/或热萃取纯化粗产物。在高真空(p为约10-6毫巴)下在约200℃-300℃的温度范围内进行热处理。在高真空(p为约10-6毫巴)下在约300℃-400℃的温度范围内进行升华，其中升华优选以分级升华的形式进行。
Ir300的合成：
使用12.0g(10mmol)的Ir(L1-3Br)和3.5g(39mmol)的氰化铜(I)。
利用二氯甲烷进行硅胶色谱分离两次，利用DCM热萃取，升华。产率：4.9g(4.7mmol)，47％；纯度：约99.9％，根据HPLC。
可以类似地制备以下化合物：
4.6对硼化的铱络合物的Suzuki偶联：
变体A，双相反应混合物：
将0.6mmol三邻甲苯基膦和0.1mmol乙酸钯(II)依次加入到10mmol硼化络合物、12mmol-20mmol芳基溴(针对每个(RO)2B官能团)和80mmol磷酸三钾于300ml甲苯、100ml二烷和300ml水的混合物中的悬浮液中，并且将混合物在回流下加热16小时。冷却后，加入500ml水和200ml甲苯，分离出水相，有机相用200ml水洗涤三次，用200ml饱和氯化钠溶液洗涤一次，并经硫酸镁干燥。通过硅藻土床过滤混合物，用甲苯冲洗硅藻土床，在真空中除去几乎所有甲苯，加入300ml甲醇，抽滤出已沉淀出来的粗产物，用每次50ml甲醇洗涤三次并在真空中干燥。使粗产物通过硅胶柱两次和/或通过热萃取纯化。最后，将金属络合物热处理或升华。在高真空(p为约10-6毫巴)下在约200℃-300℃的温度范围内进行热处理。在高真空(p为约10-6毫巴)下在约300℃-400℃的温度范围内进行升华，其中升华优选以分级升华的形式进行。
变体B，单相反应混合物：
将0.6mmol三邻甲苯基膦和0.1mmol乙酸钯(II)或0.3mmol四(三苯基膦)钯(0)依次加入10mmol硼化络合物、12mmol-20mmol芳基溴(针对每个(RO)2B官能团)和60mmol-100mmol碱(氟化钾、磷酸三钾(无水、单水合物或三水合物)、碳酸钾、碳酸铯等)和100g玻璃珠(直径3mm)于100ml–500ml非质子溶剂(THF、二烷、二甲苯、均三甲苯、二甲基乙酰胺、NMP、DMSO等)中的悬浮液中，并且将混合物在回流下加热1小时-24小时。或者，可以使用其它膦，例如三苯基膦、三叔丁基膦、S-Phos、X-Phos、Ru-Phos、XanthPhos等，其中在这些膦的情况下，优选的膦:钯比为3:1至1.2:1。在真空中除去溶剂，将产物溶于合适的溶剂(甲苯、二氯甲烷、乙酸乙酯等)中并如变体A下所述纯化。
Ir400的合成：
变体A：
使用13.4g(10.0mmol)的Ir(L1-3BE)和7.4g(40.0mmol)的9,9'-螺二芴-4-硼酸频哪基酯[1161009-88-6]、17.7g(60mmol)的磷酸三钾(无水)、183mg(0.6mmol)的三邻甲苯基膦[6163-58-2]、23mg(0.1mmol)的乙酸钯(II)、300ml甲苯、100ml二烷和300ml水，100℃，16小时。利用甲苯/乙酸乙酯(9:1，vv)进行硅胶色谱分离两次，利用邻二甲苯热萃取三次。产率：10.9g(5.7mmol)，57％；纯度：约99.9％，根据HPLC。
可以类似地制备以下化合物：
4.7铱络合物上的烷基化：
将50ml新鲜制备的LDA溶液(1M，于THF中)加入到10mmol络合物于1500ml THF中的悬浮液中，并且将混合物再在25℃下搅拌24小时。然后在剧烈搅拌下整份加入200mmol烷基化剂，其中在无稀释下加入液体烷基化剂，固体以THF溶液形式加入。将混合物再在室温下搅拌60分钟，在真空中除去THF，并且对残余物进行硅胶色谱分离。可以通过如上所述的热萃取进行进一步纯化。最后，将金属络合物热处理或升华。在高真空(p为约10-6毫巴)下在约200℃-300℃的温度范围内进行热处理。在高真空(p为约10-6毫巴)下在约300℃-400℃的温度范围内进行升华，其中升华优选以分级升华的形式进行。
Ir500的合成：
使用13.4g(10.0mmol)的Ir(L5)和21.7ml(200mmol)的1-溴-2-甲基丙烷[78-77-3]。利用甲苯进行硅胶色谱分离两次，随后用乙酸乙酯/乙腈热萃取五次。产率：4.6g(3.1mmol)，31％；纯度：约99.7％，根据HPLC。
可以类似地制备以下化合物：
4.8Ir络合物的氘化：
实施例：Ir(L5-D9)
将1.34g(1.0mmol)的Ir(L5)、24mg(1.0mmol)的氢化钠、3ml的甲醇-D4和30ml的DMSO-D6的混合物在80℃下加热18小时。冷却后，加入1.0ml的5M DCl的D2O溶液，简单搅拌混合物，然后滴加80ml甲醇。抽滤出已经沉淀出来的固体，用每次10ml甲醇洗涤三次，在真空中干燥，并且利用DCM对残余物进行硅胶色谱分离。产率：1.14g(0.84mmol)，84％，氘化程度>90％。
可以类似地制备以下化合物：
4.9通过手性柱色谱法分离金属络合物的Δ和Λ对映异构体：
络合物的Δ和Λ对映异构体可以通过标准实验室方法在手性柱上进行分析和/或制备色谱法来分离，例如在ChiralPak AZ-H(Chiral Technologies公司)上用正己烷/乙醇(90:10)分离Ir105，保留时间分别为13.4分钟和16.8分钟。
5.含有金属络合物的聚合物：
用于作为可聚合基团的溴化物或硼酸衍生物的一般聚合程序，Suzuki聚合
变体A-双相反应混合物：
将表中所示组成中的单体(溴化物和硼酸或硼酸酯，根据HPLC的纯度>99.8％)溶解或悬浮在2体积份甲苯:6体积份二烷:1体积份水的混合物中，总浓度为约100mmol/l。然后加入2摩尔当量的磷酸三钾(针对每个所用Br官能团)，将混合物再搅拌5分钟，然后依次加入0.03至0.003摩尔当量的三邻甲苯基膦和0.005至0.0005摩尔当量的乙酸钯(II)(膦:Pd比优选为6:1)(针对每个所用Br官能团)，并且将混合物在非常剧烈的搅拌下在回流下加热2-3小时。如果混合物的粘度过度增加，则可以用2体积份甲苯:3体积份二烷的混合物稀释。在4小时-6小时的总反应时间后，加入0.05摩尔当量的单溴芳族化合物(针对每个所用硼酸官能团)，然后在30分钟后加入0.05摩尔当量的单硼酸或单硼酸酯(针对每个所用Br官能团)用于封端，并且将混合物再煮沸1小时。冷却后，用300ml甲苯稀释混合物，分离出水相，有机相用每次300ml水洗涤两次，经硫酸镁干燥，通过硅藻土床过滤以除去钯，然后蒸发至干燥。将粗聚合物溶解在THF(浓度约10g/l-30g/l)中，并使溶液在非常剧烈的搅拌下缓慢流入两倍体积的甲醇中。抽滤出聚合物并用甲醇洗涤三次。再沉淀过程重复五次，然后将聚合物在30℃-50℃下在真空中干燥至恒重。
变体B-单相反应混合物：
将表中所示组成中的单体(溴化物和硼酸或硼酸酯，根据HPLC的纯度>99.8％)溶解或悬浮在溶剂(THF、二烷、二甲苯、均三甲苯、二甲基乙酰胺、NMP、DMSO等)中，总浓度为约100mmol/l。加入3摩尔当量的碱(氟化钾、磷酸三钾(无水、单水合物或三水合物)、碳酸钾、碳酸铯等，在每种情况下无水)(针对每个Br官能团)和重量当量的玻璃珠(直径3mm)，将混合物再搅拌5分钟，然后依次加入0.03至0.003摩尔当量的三邻甲苯基膦和0.005至0.0005摩尔当量的乙酸钯(II)(膦:Pd比优选为6:1)(针对每个Br官能团)，并且将混合物在非常剧烈的搅拌下在回流下加热2-3小时。或者，可以使用其它膦，例如三叔丁基膦、S-Phos、X-Phos、Ru-Phos、XanthPhos等，其中在这些膦的情况下，优选的膦:钯比为2:1至1.3:1。在4-12小时的总反应时间后，加入0.05摩尔当量的单溴芳族化合物，然后在30分钟后加入0.05摩尔当量的单硼酸或单硼酸酯用于封端，并将混合物再煮沸1小时。在真空中基本上除去溶剂，将残余物溶于甲苯中，并如变体A下所述纯化聚合物。
单体M/封端剂E：
聚合物：
聚合物的组成，mmol：
聚合物 M1 M2 M3 M4 Ir络合物
P1 --- 30 --- 45 Ir(L102-3Br)/10
P2 5 25 --- 40 Ir(L107-2Br)/10
P3 10 40 25 20 Ir(L107-2BE)/5
根据本发明的聚合物的分子量和产率：
聚合物 Mn[gmol<sup>-1</sup>] 多分散性 产率
P1 200,000 5.3 70％
P2 350,000 2.4 53％
P3 240,000 2.2 57％
6.热和光物理性质以及氧化和还原电位
表1总结了比较材料IrPPy、Ir1至Ir3(结构见表5)和根据本发明的所选材料的热和光化学性质以及氧化和还原电位。根据本发明的化合物与根据现有技术的材料相比具有改进的热稳定性和光稳定性。而根据现有技术的材料在380℃下热储存7天后显示棕色变色和灰化，并且在1H-NMR中可以检测到在>2摩尔％范围内的次要组分，根据本发明的络合物在这些条件下呈惰性。这种热稳定性对于高真空下的材料加工尤其重要(蒸气小分子装置)。此外，根据本发明的化合物在波长约455nm的光照射下，在无水C6D6溶液中具有非常好的光稳定性。更特别地，与含有双齿配体的根据现有技术的络合物相比，面式-经式异构化在1H-NMR中不明显。从表1显而易见，根据本发明的化合物的特征都在于在溶液中非常高的PL量子效率。
表1：
*：来自G.St-Pierre等,Dalton Trans(道尔顿汇刊),2011,40,11726的数据。
图例：
-热稳定性：
在380℃下储存在真空密封的安瓿中7天。目测评价颜色变化/棕色变色/灰化并通过1H NMR谱法进行分析。
-光化学稳定性：
在室温下，用蓝光(约455nm，1.2W Lumispot，来自Dialight公司,美国)照射约1mM的无水C6D6溶液(脱气并密封的NMR管)。
-PL-max.：
在室温下，经过脱气的约10-5M溶液的PL光谱最大值[nm]，激发波长370nm，溶剂：参见PLQE柱。
-FWHM：
在室温下的PL光谱的半峰全宽[nm]。
-PLQE：
经过脱气的在指定溶剂中的约10-5M溶液在室温下的绝对光致发光量子效率。
-HOMO、LUMO：
以相对于真空的[eV]计，在二氯甲烷溶液(氧化)或THF(还原)中测定，具有内部参考二茂铁(-4.8eV，相对于真空)。
7.所选络合物在25℃下的溶解度
为了从溶液处理根据本发明的络合物(旋涂、喷墨印刷、喷嘴印刷、刮刀涂布等)，需要具有约5mg/ml或更大的固体含量的长期稳定性溶液。
表2：所选络合物的溶解度
络合物 溶剂 溶解度
Ir(L4) 甲苯 >10mg/ml
Ir(L4) 3-苯氧基甲苯 >30mg/ml
Ir(L5) 甲苯 >5mg/ml
Ir(L7) 甲苯 >10mg/ml
Ir(L107) 甲苯 >10mg/ml
Ir(L109) 甲苯 >15mg/ml
Ir(L115) 甲苯 >15mg/ml
Ir(L115) 苯甲醚 >20mg/ml
Ir(L115) 3-苯氧基甲苯 >25mg/ml
Ir(L120) 甲苯 >10mg/ml
Ir(L120) 3-苯氧基甲苯 >20mg/ml
Ir(138) 3-苯氧基甲苯 >25mg/ml
Ir(141) 3-苯氧基甲苯 >35mg/ml
Ir(142) 3-苯氧基甲苯 >30mg/ml
OLED的制造
1)真空处理的器件：
通过根据WO 2004/058911的一般方法制造根据本发明的OLED和根据现有技术的OLED，针对在此描述的情况(层厚度变化，所用的材料)调整所述方法。
在以下实施例中，呈现多种OLED的结果。具有结构化ITO(50nm，氧化铟锡)的玻璃板形成施加OLED的基底。所述OLED基本上具有以下层结构：基底/由掺杂有5％NDP-9(可购自Novaled公司)的HTM组成的空穴传输层1(HTL1)，20nm/空穴传输层2(HTL2)/任选的电子阻挡层(EBL)/发光层(EML)/任选的空穴阻挡层(HBL)/电子传输层(ETL)/任选的电子注入层(EIL)和最后的阴极。利用厚度100nm的铝层形成阴极。
首先，描述真空处理的OLED。为此目的，通过在真空腔室中进行热气相沉积来施加所有材料。这里的发光层总是由至少一种基质材料(主体材料)和发光掺杂剂(发光体)构成，通过共蒸发使所述发光掺杂剂与一种或多种基质材料以特定的体积比例混合。这里例如M3:M2:Ir(L1)(55％:35％:10％)的表述是指，材料M3以55％的体积比例存在于该层中，M2以35％的比例存在于该层中，而Ir(L1)以10％的比例存在于该层中。类似地，所述电子传输层也可以由两种材料的混合物组成。所述OLED的确切结构示于表1中。用于制造OLED的材料示于表5中。
通过标准方法表征所述OLED。为此目的，测定电致发光光谱、以及根据电流/电压/亮度特征线(IUL特征线)测定的电流效率(以cd/A测量)和电压(在1000cd/m2下测量，以V计)。对于选定的实验，测定寿命。所述寿命定义为，发光密度已经从特定的初始发光密度降至特定比例后经历的时间。表述LT50是指，所述寿命是发光密度已降至初始发光密度的50％，即例如从1000cd/m2降至500cd/m2的时间。根据发光颜色，选择不同的初始亮度。可借助于本领域技术人员已知的转化公式，将寿命值转换为其它初始发光密度的数值。这里初始发光密度为1000cd/m2的寿命是常用表述。
根据本发明的化合物作为磷光OLED中的发光体材料的用途
根据本发明的化合物尤其可以用作OLED中的发光层中的磷光发光体材料(掺杂剂)以及作为电子传输材料。使用表5中所示的铱化合物作为根据现有技术的比较。所述OLED的结果总结在表2中。
表1：OLED的结构
表2：真空处理的OLED的结果
溶液处理的器件：
A：从可溶性功能材料
根据本发明的铱络合物也可以从溶液处理，其中它们产生相比于真空处理的OLED从加工工程的角度来看显著更简单但仍具有良好特性的OLED。这些组件的制造是基于聚合物发光二极管(PLED)的制造，其已经在文献中(在例如WO 2004/037887中)描述多次。结构由基底/ITO/空穴注入层(60nm)/中间层(20nm)/发光层(60nm)/空穴阻挡层(10nm)/电子传输层(40nm)/阴极构成。为此目的，使用来自Technoprint的基底(碱石灰玻璃)，向其施加ITO结构(氧化铟锡，透明的导电阳极)。将所述基底在洁净室中用去离子水和洗涤剂(Deconex 15PF)清洁，然后通过UV/臭氧等离子体处理激活。然后同样在洁净室中通过旋涂施加60nm空穴注入层。所需旋转速率取决于稀释程度和具体的旋涂仪几何结构。为了从层中除去残余水，将基底在热板上在200℃下加热30分钟来干燥。所用的中间层用于空穴传输，在这种情况下使用来自Merck公司的HL-X。或者所述中间层还可以被如下的一个或多个层代替，所述一个或多个层仅仅必须满足通过后续从溶液中沉积EML的处理步骤不会再次分离的条件。为了制造发光层，将根据本发明的三重态发光体与基质材料一起溶解在甲苯或氯苯中。这些溶液的典型固含量为16g/l至25g/l，当像此处一样，通过旋涂实现对于器件典型的60nm层厚度时便是如此。类型1的溶液处理器件含有包含M4:M5:IrL(25％:55％:20％)的发光层，而类型2的溶液处理器件含有包含M4:M5:IrLa:IrLb(30％:34％:30％:6％)的发光层，即它们含有两种不同的Ir络合物。将所述发光层在惰性气体气氛(在本情况下是氩气)中通过旋涂施加，并通过在160℃下加热10分钟来干燥。通过气相沉积在上面施加空穴阻挡层(10nm ETM1)和电子传输层(40nm ETM1(50％)/ETM2(50％))(来自Lesker公司的气相沉积装置等，典型的气相沉积压力为5×10-6毫巴)。最后，通过气相沉积来施加铝阴极(100nm)(高纯度金属，来自Aldrich公司)。为了保护所述器件免受空气和大气水分的影响，最后将所述器件封装并且然后表征。所给出的OLED实施例尚未被优化，表3总结了所得数据。
表3：从溶液处理的材料的结果
B：从聚合物功能材料：
如A下所述制造OLED。对于发光层的制造，将根据本发明的聚合物溶解在甲苯中。这些溶液的典型固含量为10g/l至15g/l，当像此处一样，通过旋涂实现对于器件典型的40nm层厚度时便是如此。所给出的OLED实施例尚未被优化，表4总结了所得数据。
表4：从溶液处理的材料的结果
表5：所用材料的结构式
*：G.St-Pierre等,Dalton Trans(道尔顿汇刊),2011,40,11726。

Claims (16)

1.一种含有六齿三足配体的单金属化合物，其中可相同或不同的三个双齿部分配体与金属配位，并且所述三个双齿部分配体经由式(1)的桥彼此连接：
其中虚线键表示从所述双齿部分配体到该结构的键，并且以下适用于所用的符号：
X1在每次出现时相同或不同地是CR2或O；
X2在每次出现时相同或不同地是任选被取代的CR、P＝O、B或Si，条件是，对于X2等于任选被取代的P＝O、B或Si，X1代表O；这里X1和X2上任选存在的所述取代基可各自以及彼此形成脂族或杂脂族环系；
X3在每次出现时相同或不同地是-CR＝CR-、-CR＝N-、-CR-NR”-、-C(＝O)-O-、-C(＝O)-NR”-、-C(＝O)-S-、-C(＝S)-O-、-C(＝S)-NR”-、-C(＝S)-S-；
R在每次出现时相同或不同地是H，D，F，Cl，Br，I，N(R1)2，CN，NO2，OR1，SR1，COOH，C(＝O)N(R1)2，Si(R1)3，B(OR1)2，C(＝O)R1，P(＝O)(R1)2，S(＝O)R1，S(＝O)2R1，OSO2R1，具有1至20个C原子的直链烷基基团，或具有2至20个C原子的烯基或炔基基团，或具有3至20个C原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基、烯基或炔基基团在每种情况下可被一个或多个基团R1取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可被R1C＝CR1、C≡C、Si(R1)2、C＝O、NR1、O、S或CONR1代替，或具有5至40个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可被一个或多个基团R1取代；这里键合至X1和/或X2的两个或更多个基团R也可彼此形成脂族或杂脂族环系；此外，对于X3＝-CR＝CR-，两个基团R也可彼此形成脂族、杂脂族、芳族或杂芳族环系；此外，对于X3＝-CR-NR”-，基团R和R”彼此形成杂芳族环系；
R”在每次出现时相同或不同地是H，D，具有1至20个C原子的直链烷基基团，或具有3至20个C原子的支链或环状的烷基基团，或具有2至20个C原子的烯基基团，其中所述烷基基团或烯基基团在每种情况下可被一个或多个基团R1取代并且其中一个或多个非相邻的CH2基团可被Si(R1)2代替，或具有5至40个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可被一个或多个基团R1取代；
R1在每次出现时相同或不同地是H，D，F，Cl，Br，I，N(R2)2，CN，NO2，OR2，SR2，Si(R2)3，B(OR2)2，C(＝O)R2，P(＝O)(R2)2，S(＝O)R2，S(＝O)2R2，OSO2R2，具有1至20个C原子的直链烷基基团，或具有2至20个C原子的烯基或炔基基团，或具有3至20个C原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基、烯基或炔基基团在每种情况下可被一个或多个基团R2取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可被R2C＝CR2、C≡C、Si(R2)2、C＝O、NR2、O、S或CONR2代替，或具有5至40个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可被一个或多个基团R2取代；这里多个取代基R1也可彼此形成脂族、杂脂族、芳族或杂芳族环系；
R2在每次出现时相同或不同地是H，D，F或脂族、芳族和/或杂芳族有机基团，特别是具有1至20个C原子的烃基团，其中一个或多个H原子还可被F代替；
这里所述三个双齿配体也可通过除所述式(1)的桥之外的另一个桥环化，形成穴状化合物。
2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于所述式(1)的结构选自式(2)至(6)的结构，
其中所用的符号具有权利要求1中给出的含义，其中以下另外适用：
R'在每次出现时相同或不同地是H，D，F，Cl，Br，I，N(R1)2，CN，NO2，OR1，SR1，COOH，C(＝O)N(R1)2，C(＝O)R1，P(＝O)(R1)2，S(＝O)R1，S(＝O)2R1，OSO2R1，具有1至20个C原子的直链烷基基团，或具有2至20个C原子的烯基或炔基基团，或具有3至20个C原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基、烯基或炔基基团在每种情况下可被一个或多个基团R1取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可被R1C＝CR1、C≡C、C＝O、NR1、O、S或CONR1代替，或具有5至40个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可被一个或多个基团R1取代。
3.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于所述式(1)的基团选自式(2a)和(2b)的结构，
其中符号具有权利要求1和2中给出的含义。
4.根据权利要求1至3中一项或多项所述的化合物，其特征在于所述金属选自铝、镓、铟、锡、铬、钼、钨、铼、钌、锇、铑、铱、铁、钴、镍、钯、铂、铜、银和金。
5.根据权利要求1至4中一项或多项所述的化合物，其特征在于所述双齿部分配体各自是单阴离子的，并且特征在于所述三个双齿部分配体相同地选择，或两个双齿部分配体相同地选择并且第三双齿部分配体不同于前两个双齿部分配体进行选择，并且特征在于所述双齿部分配体的配位原子在每次出现时相同或不同地选自C、N和/或O。
6.根据权利要求1至5中一项或多项所述的化合物，其特征在于所述金属是Ir(III)，并且所述双齿部分配体中的两个在每种情况下经由一个碳原子和一个氮原子或经由两个碳原子与所述铱配位，并且所述双齿部分配体中的第三个经由一个碳原子和一个氮原子或经由两个碳原子或经由两个氮原子或经由一个氮原子和一个氧原子或经由两个氧原子与所述铱配位。
7.根据权利要求1至6中一项或多项所述的化合物，其特征在于所述双齿部分配体在每次出现时相同或不同地选自式(L-1)、(L-2)、(L-3)或(L-4)的结构，
其中虚线键表示从所述部分配体到所述式(1)的桥的键，并且以下适用于所用的其它符号：
CyC在每次出现时相同或不同地是任选被取代的具有5至14个芳族环原子的芳基或杂芳基基团，所述基团经由碳原子与所述金属配位并且经由共价键与CyD连接；
CyD在每次出现时相同或不同地是任选被取代的具有5至14个芳族环原子的杂芳基基团，所述基团经由氮原子或经由卡宾碳原子与所述金属配位并且经由共价键与CyC连接；
这里多个任选的取代基可彼此形成环系。
8.根据权利要求7所述的化合物，其特征在于CyC选自式(CyC-1)至(CyC-20)的结构，
其中所述基团在每种情况下在由#表示的位置处键合至(L-1)或(L-2)中的CyD或键合至(L-4)中的CyC，并且在由*表示的位置处与所述金属配位；
并且特征在于CyD选自式(CyD-1)至(CyD-14)的结构，
其中所述基团在每种情况下在由#表示的位置处键合至(L-1)或(L-2)中的CyC或键合至(L-3)中的CyD，并且在由*表示的位置处与所述金属配位；
此外，以下适用于CyC和CyD中所用的符号：
R具有权利要求1中给出的含义，其中两个基团R也可彼此形成脂族、杂脂族、芳族或杂芳族环系；
X在每次出现时相同或不同地是CR或N，条件是每个环中最多两个符号X代表N；
W在每次出现时相同或不同地是NR、O或S；
这里这些基团与所述式(1)的桥的键合经由所述式中由“o”标记的位置进行，并且对应的符号X代表C。
9.根据权利要求1至8中一项或多项所述的化合物，其特征在于所述双齿部分配体选自以下结构，
其中所用的符号具有权利要求1中给出的含义，*表示与所述金属的配位位置并且“o”表示与所述式(1)的桥的键位置。
10.根据权利要求1至9中一项或多项所述的化合物，其特征在于所述化合物含有两个取代基R，所述两个取代基R键合至相邻碳原子并且彼此形成式(43)至(49)之一的环，
其中R1和R2具有权利要求1中给出的含义，虚线键指示所述配体中的两个碳原子的连接，此外：
A1，A3在每次出现时相同或不同地是C(R3)2、O、S、NR3或C(＝O)；
A2是C(R1)2、O、S、NR3或C(＝O)；
G是具有1、2或3个C原子的烷亚基基团，所述基团可被一个或多个基团R2取代，或者是-CR2＝CR2-或邻位连接的具有5至14个芳族环原子的芳亚基或杂芳亚基基团，所述基团可被一个或多个基团R2取代；
R3在每次出现时相同或不同地是H，D，F，具有1至10个C原子的直链的烷基或烷氧基基团，具有3至10个C原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，其中所述烷基或烷氧基基团在每种情况下可被一个或多个基团R2取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可被R2C＝CR2、C≡C、Si(R2)2、C＝O、NR2、O、S或CONR2代替，或具有5至24个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可被一个或多个基团R2取代，或具有5至24个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，所述基团可被一个或多个基团R2取代；这里键合至同一碳原子的两个基团R3可彼此形成脂族或芳族环系并且由此形成螺环系；此外，R3可与相邻基团R或R1形成脂族环系；
条件是这些基团中没有两个杂原子彼此直接键合并且没有两个基团C＝O彼此直接键合。
11.一种用于制备根据权利要求1至10中一项或多项所述的化合物的方法，所述方法通过如下进行：使游离配体与式(50)的金属醇盐，与式(51)的金属二酮化物，与式(52)的金属卤化物或者与式(53)的金属羧酸盐或者与带有醇阴离子和/或卤阴离子和/或羟基以及二酮阴离子基团的金属化合物反应，
其中M代表正在合成的金属络合物的金属，n代表所述金属M的价态，R具有权利要求1中给出的含义，Hal＝F、Cl、Br或I，并且所述金属原料也可呈相应水合物的形式。
12.一种低聚物、聚合物或树枝状大分子，所述低聚物、聚合物或树枝状大分子含有一种或多种根据权利要求1至10中一项或多项所述的化合物，其中存在一个或多个从所述化合物到所述聚合物、低聚物或树枝状大分子的结合代替一个或多个氢原子和/或取代基。
13.一种制剂，所述制剂包含至少一种根据权利要求1至10中一项或多项所述的化合物，或至少一种根据权利要求12所述的低聚物、聚合物或树枝状大分子，和至少一种溶剂。
14.一种根据权利要求1至10中一项或多项所述的化合物或根据权利要求12所述的低聚物、聚合物或树枝状大分子用于电子器件中或用作氧敏化剂的用途。
15.一种电子器件，所述电子器件含有至少一种根据权利要求1至10中一项或多项所述的化合物或至少一种根据权利要求12所述的低聚物、聚合物或树枝状大分子。
16.根据权利要求15所述的电子器件，其特征在于所述电子器件是有机电致发光器件，并且根据权利要求1至10中一项或多项所述的化合物在一个或多个发光层中用作发光化合物，或在空穴阻挡层中用作空穴阻挡材料或在电子传输层中用作电子传输材料。
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