CN107507791A - 控制热阵列的系统和方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种系统和方法。在一个方面,本系统和方法可以计算多个模式的各个模式的时间周期。本系统和方法可以通过相应时间周期的每个模式索引以根据所述模式将电力提供给多个热元件。在另一个方面,本系统和方法可以通过多个模式的每个模式顺序地索引,并将电力施加到索引模式,同时测量索引模式的热元件的电气特性。
Description
本申请是发明名称为“控制热阵列的系统和方法”、申请号为“201280052551.1”、申请日为“2012年08月30日”的申请的分案申请。
相关申请的交叉引用
本申请要求2011年8月30日提交的序列号为61/528,939和2012年4月19日提交的序列号为61/635,310的临时申请的优先权,其全部内容以引用方式并入本文。本申请还涉及与本申请同时提交且共同转让的名称为“高清晰度加热器和操作方法(High DefinitionHeater and Method of Operation)”、“加热器的高清晰度并行控制系统(HighDefinition Parallel Control Systems for Heaters)”、“热阵列系统(Thermal ArraySystem)”、“热阵列系统(Thermal Array System)”、“热阵列系统(Thermal ArraySystem)”和“控制热阵列的系统和方法(System and Method for Controlling A ThermalArray)”的共同待决申请,其全部内容以引用方式并入本文。
背景技术
本申请大体涉及控制热阵列的系统和方法。
发明内容
在克服相关技术的缺点以及其它限制中,本申请提供了控制热阵列的系统和方法。在一个方面,本系统和方法可以计算多个模式的各个模式的时间周期。本系统和方法可以通过相应时间周期的每个模式索引以根据模式将电力提供给多个热元件。在另一个方面,本系统和方法可以顺序通过多个模式的每个模式索引,并将电力施加到索引模式,同时测量索引模式的热元件的电气特性。
在参照附属于本说明书并且构成其一部分的附图和权利要求阅读以下说明后,对本领域的技术人员而言,本申请的其他目的、特征和优点将变得显而易见。
附图说明
图1a是根据本发明的一种形式的原理构造出的具有调谐层的加热器的局部侧视图;
图1b是根据本发明的原理构造的具有调谐层或调谐器的另一种形式的加热器的分解侧视图;
图1c是一种加热器的透视分解图,根据本发明的原理,绘示了基底加热器的示例性四个(4)区域和调谐加热器的十八个(18)区域;
图1d是根据本发明的原理构造的具有补充调谐层的另一种形式的高清晰度加热器系统的侧视图;
图2是双向热阵列的示意图;
图3a是多并联的热阵列的示意图;
图3b是多并联且双向热阵列的示意图;
图4是多并联且双向热阵列的另一个示意图;
图5是具有可寻址开关的热阵列的示意图;
图6A是绘示一种控制热阵列的方法的流程图;
图6B是绘示6A的控制方法的时序图;
图7A是绘示热阵列的另一种控制方法的流程图;
图7B是所述方法的一个例子所用的四节点拓扑;
图8是绘示一种用于测量热阵列的节点的电气特性的方法的流程图;
图9a是绘示一种用于校准热阵列的方法的流程图;
图9b是绘示一种用于计算热阵列的目标设定点的方法的流程图;
图10是一种控制器系统的一种实施方案的示意图。
具体实施方式
以下说明本质上仅仅是示例性的,并非用于限制本发明内容、应用或用途。例如,本发明的下列形式涉及半导体加工中使用的卡盘,并且在某些情况下,是静电卡盘。然而,应当理解的是,本文所提供的加热器和系统可用于各种应用,并且不限于半导体加工应用。
参照图1a,本发明的一种形式是加热器50,其包括其中嵌入了至少一个加热器电路54的基底加热器层52。基底加热器层52中形成至少一个孔56(或导通孔),用于将加热器电路54连接到电源(图未示)。基底加热器层52提供初级加热,而调谐加热器层60被配置成邻近加热器层52,如图所示,用于微调加热器50所提供的热分布。调谐层60包括嵌入其中的多个单独的加热元件62,其是独立控制的。至少一个孔64穿过调谐层60而形成,用于将所述多个单独的加热元件62连接到电源和控制器(图未示)。如进一步所示,路由层66配置在基底加热器层52和调谐层60之间,并限定内腔68。第一组电引线70将加热器电路54连接到电源,其延伸穿过加热器层孔56。第二组电引线72将多个加热元件62连接到电源,且除了基底加热器层52中的孔55之外,还延伸穿过路由层66的内腔68。应该理解的是,路由层66是可选的,且可在没有路由层66而只有基底加热器层52和调谐加热器层60的情况下使用加热器50。
在另一种形式中,可以可选地使用调谐层60来测量卡盘12中的温度,而不是提供热分布的微调。这种形式用于温度依赖性电阻电路的多个特定区域位置或离散的位置。这些温度传感器中的每一种可经由多路切换装置单独读取,其示例性形式在下文中更详细地说明,允许使用相对于测量每一个单独的传感器所需的信号线数目更多的传感器。温度传感反馈可为控制决策提供必要的信息,例如,以控制背面冷却气压的特定区域以调节从衬底26到卡盘12的热通量。也可使用相同的反馈来取代或增加安装在基底加热器50附近的温度传感器,以经由辅助冷却液热交换器来控制基底加热区域54的温度或平衡板冷却流体温度(图未示)。
在一种形式中,基底加热器层50和调谐加热器层60由封闭加热器电路54和调谐层加热元件62以聚酰亚胺材料形成,聚酰亚胺材料用于中温应用,一般在250℃以下。而且,聚酰亚胺材料可与材料掺杂,以增加热导率。
在其他形式中,基底加热器层50和/或调谐加热器层60由分层工艺形成,其中所述层通过使用与厚膜、薄膜、热喷涂或溶胶凝胶等相关联的方法在衬底上或另一层上涂敷或积聚材料而形成。
在一种形式中,基底加热电路54由因科镍合金()形成,且调谐层加热元件62是镍材料。在又一种形式中,调谐层加热元件62由具有足够的电阻温度系数的材料形成,使得所述元件同时起加热器和温度传感器的作用,通常称作“双线控制”。这样的加热器及其材料在第7,196,295号美国专利和序列号为11/475,534的共同待决美国专利申请中公开,其与本申请共同转让,且其全部公开内容以引用方式并入本文。
在双线控制下,本发明的各种形式包括通过了解或测量施加给热阻抗调谐层60中的单独元件中的每一个,通过乘法和除法转换成电功率和电阻,在第一种情况下相等地对应于这些元件中的每一个的热通量输出,且在第二种情况下相等地对应于与元件温度的已知关系的电压和/或电流,基于温度、功率和/或热阻抗控制层加热元件62。可使用这些一起来计算并监测每一个元件上的热阻抗负载,以允许操作员或控制系统检测并补偿特定区域的热变化,所述热变化可能是因使用或维护、处理误差和设备降级导致室中或卡盘中发生物理变化而起,但并不限于此。可选地,在半导体加工过程中可为热阻抗调谐层60中的单独受控的加热元件中的每一个分配对应于相同或不同特定温度的设定点电阻,然后修改或闸控源自衬底上的对应区域直到基底加热器层52的热通量,以控制衬底温度。
在一种形式中,基底加热器50接合到卡盘51上,例如,通过使用有机硅粘合剂或甚至压敏粘合剂。因此,加热器层52提供初级加热,而调谐层60微调或调整加热分布曲线,使得均匀的或所需的温度曲线被提供给卡盘51,且因此提供给衬底(图未示)。
在本发明的另一种形式中,调谐层加热元件62的热膨胀系数(CTE)与调谐加热层衬底60的CTE匹配,以改良调谐层加热元件62在承受应力负载时的热敏性。许多适用于双线控制的材料展现出与电阻温度装置(RTD)相似的特性,包括对温度和应变的电阻敏感性。将调谐层加热元件62的CTE与调谐加热器层衬底60匹配减少了实际加热元件上的应力。并且,随着操作温度升高,应力水平往往也增加,且因此,CTE匹配变成十分重要的因素。在一种形式中,调谐层加热元件62是CTE约为15ppm/℃的高纯度镍铁合金,而包围它的聚酰亚胺材料的CTE约为16ppm/℃。在此形式中,将调谐加热器层60接合到其他层上的材料展现出弹性特性,其在物理上将调谐加热器层60与卡盘12的其他构件解耦。应理解的是,在依然处在本发明的范围内的情况下也可使用具有类似CTE的其他材料。
现在参照图1b-d,绘示出一种示例形式的加热器,其具有基底加热器层和调谐层(在上文的图1a中概述),且总体由参考数字80来指示。加热器80包括基板82,(也称作冷却板),其一种形式是厚度约为16mm的铝板。基底加热器84被固定到基板82上,一种形式是使用弹性接合层86,如图所示。弹性接合可能是第6,073,577号美国专利中所公开的弹性接合,其全部内容以引用方式并入本文。根据本发明的一种形式,衬底88配置在基底加热器84的顶部,且是厚度约为1mm的铝材。衬底88被设计成具有热导率,以消耗所需量的基底加热器84的功率。因为基底加热器84具有相对较高的功率,在无必需量的热导率的情况下,此基底加热器84将离开相邻部件上的“示位”标(由电阻电路的迹线),从而降低整个加热器系统的性能。
调谐加热器90被配置在衬底88的顶部,并使用弹性接合层94固定在卡盘92上,如上所述。在一种形式中,卡盘92是厚度约为2.5mm的氧化铝材料。应当理解的是,本文所述的材料和尺寸仅仅是示例性的,且因此本发明并不限定于本文所述的特定形式。此外,与基底加热器84相比,调谐加热器90具有较低的功率,且如上所述,衬底88起消耗基底加热器84的功率的作用,使得“示位”标不会在调谐加热器90上形成。
图1c更详细地显示基底加热器84和调谐加热器90,其中,显示了基底加热器84的示例性的四个(4)区域和调谐加热器90的十八个(18)区域。在一种形式中,加热器80适于与450mm的卡盘尺寸配合使用,但是,加热器80可以使用更大或更小尺寸的卡盘,因为其能高度定制热分布。此外,高清晰度加热器80可以围绕卡盘的外围,或在跨越卡盘的预定位置,而不是以图示的堆叠/平面结构使用。更进一步地,高清晰度加热器80可以在处理套件、室壁、盖、气体管线和喷头以及半导体加工设备内的其他部件中使用。还应当理解的是,本文中所示和所述的加热器和控制系统可以用于任何数目的应用,并且因此,示例性半导体加热器卡盘应用不应当被解读为限制本发明的范围。
本发明还考虑到,基底加热器84和调谐加热器90并不限于加热功能。应当理解的是,在依然处于本发明的范围内的情况下,这些构件中的一个或多个,分别被称为“基底功能层”和“调谐层”,在本发明目前披露的范围内可以可选地是温度传感器层或其它功能构件。
如图1d中所示,可提供双调谐能力,在卡盘12的上表面上纳入次级调谐层加热器99。在依然处于本发明的范围之内的情况下,次级调谐层可以可选地用作温度感测层,而不是加热层。因此,可使用任何数目的调谐层加热器,且不应该限于本文所示和所述的内容。
现在参照图2,提供一种热阵列系统100。系统100包括控制器110。控制器110可以是控制电路或基于控制器的微处理器。控制器110可被配置成接收传感器测量值并基于测量值来实施控制算法。在一些例子中,控制器可测量一或多个热阵列元件的电气特性。而且,控制器110可包括和/或控制多个开关,以基于测量值来确定有多少电力提供给阵列中的每一个热元件。
在一个例子中,电力通过由参考数字112、114、116表示的三相电力输入提供给阵列。输入电源可连接到整流器电路118,以提供正的直流(DC)电力线120和负DC电力线122。电力可通过六个电力节点分配给热阵列。控制器110可被配置成控制多个开关,使得正电力线120可被路由至六个电力节点中的任一个,且负电力线122也可被路由至所述多个电力节点中的任一个。
在所示实施方案中,电力节点被配置成两组节点。第一组节点包括电力节点136a、电力节点136b和电力节点136c。第二组包括电力节点138a、电力节点138b和电力节点138c。在所示实施方案中,热元件被配置成具有三组热元件的矩阵装置,且每一组含有六个热元件。然而,就本文所述的每一个实施方案而言,可使用更多或更少的节点,而且,热元件的数目可随着节点的数目对应地增加或减少。
第一组热元件160都连接到节点138a。同样,第二组热元件170都连接到电力节点138b,而第三组热元件180都连接到电力节点138c。热元件可以是加热元件。加热元件可由具有,例如,温度依赖性电阻的导电材料形成。更具体而言,热元件可以是具有电气特性(诸如,与温度相关的电阻、电容或电感)的加热元件,。但是热元件通常也可被归类为耗散元件,诸如,电阻元件。因此,本文所述的每一个实施方案的热元件可能具有上述特性中的任一个。
在每一组中,六个热元件被配置成成对的热元件。例如,在第一组160中,第一对热元件146a包括第一热元件164和第二热元件168。第一热元件164被配置成与第二热元件168电并联连接。而且,第一热元件164与单向电路162电串联连接。单向电路162可被配置成允许电流在一个方向上而不是在相反方向上流过热元件164。因此,单向电路162以最简单的形式被显示二极管。
第一单向电路162被示为具有连接到节点136a的阴极和通过热元件164连接到节点138a的阳极的二极管。以类似的方式,第二单向电路166被示为具有连接到节点136a的阳极和通过第二热元件168连接到节点138a的阴极的二极管,从而说明了与第二单向电路166相对的第一单向电路162的单向性。值得注意的是,二极管作为单向电路的实施方案可以只支持一伏电源,但是,可以设计各种其他的电路,包括,例如,使用硅控整流器(SCR)的电路,其支持更高的电源电压。下文将更详细地描述单向电路的这样的实施方案,但也可以与本文所述实施方案中的任一个结合使用。
以类似的方式,第二热元件168与第二单向电路166电串联连接,同样以最简单的形式示为二极管。第一热元件164和第一单向电路162与电力节点138a和电力节点136a之间的第二热元件168和第二单向电路166并联。因此,如果控制器110施加正电压到节点136a和负电压至节点138a,则电力将施加在第一对146a的第一热元件164和第二热元件168两端。如上所述,第一单向电路162被定向成在与第二单向电路166相反的方向上。因此,当正电压被施加到节点138a且负电压被施加到节点136a时,第一单向电路162允许电流流过第一热元件164,但是当正电压被提供给节点136a且负电压被提供给节点138a,阻止电流流过。相反,当正电压被施加到节点136a且负电压被施加到138a时,允许电流流过第二热元件168,然而,当极性切换时,通过第二单向电路166阻止电流流过第二热元件168。
此外,组内的每对热元件连接到第一组电力节点136a,136b,136c中的不同电力节点。因此,第一组160的第一对热元件146a连接在节点136a和节点138a之间。第二对热元件146b连接在电力节点136b和电力节点138a之间,而组160的第三对热元件146c连接在电力节点136c和电力节点138a之间。因此,控制器110可被配置成通过连接电力节点138a来选择元件组来供电或返回,然后该对热元件(146a,146b,146c)可通过分别连接节点136a,136b或136c之一来选择,以供电或返回。而且,控制器110可以基于节点138a和节点136a,136b和/或136c之间提供的电压的极性来选择向每对的第一元件或每对的第二元件供电。
以同一种方式,第二组热元件170连接在第二组节点的节点138b,和节点136a,136b和136c之间。因此,组170的第一对热元件146d可使用电力节点136a来选择,而组170的第二对146e和第三对热元件146f可以通过节点136b和136c来分别选择。
同样,第二组热元件180连接在第二组节点的节点138c和节点136a,136b和136c之间。组180的第一对热元件146g可以使用电力节点136a来选择,而组170的第二对热元件146h和第三对热元件146i可以分别通过节点136b和136c来选择。
对于所示实施方案,控制器110操纵多个开关以将正电力线120连接到第一组电力节点之一并将负电力线122连接到第二组电力节点,或者,可选择地,将正电力线120连接到第二组电力节点和将负电力线122连接到第一组电力节点。因此,控制器110提供控制信号124给第一极性控制开关140和第二极性控制开关142。第一极性控制开关140将第一组电力节点连接到正电源线120或负电源线122,而第二极性开关142将第二组电力节点连接到正电源线120或负电源线122。
此外,控制器110提供控制信号126给第一组电力开关130,132,和134。开关130,132和134将开关140的输出(正电源线120或负电源线122)分别连接到第一节点136a,第二节点136b和第三节点136c。此外,控制器110提供控制信号128给第二组电力开关150,152和154。开关150,152和154将开关142的输出(正电源线120或负电源线122)分别连接到第一节点138a,第二节点138b和第三节点138c。
现在参照图3a,提供多并联热阵列系统200。系统200包括控制系统210。所述控制系统可包括微处理器、开关和类似于在整个申请中描述的用于实施本文所述逻辑的那些其它分立部件。热元件以多并联的方式被配置在电力节点对两端。对于所示实施方案,提供六个电力节点(212,214,216,218,220,222)。而且,每一个热元件连接在一对电力节点之间。更具体而言,每一个热元件连接在一对不同的电力节点之间。因此,每一个节点有一个热元件连接在每一个节点本身和每一个其他电力节点之间。
因此,热元件230连接在节点212和节点222之间,热元件232连接在节点212和节点220之间,热元件234连接在节点212和节点218之间,热元件236连接在节点212和节点216之间,且热元件238连接在节点212和节点214之间。因此,节点212通过热元件(230,232,234,236,或238)连接到其他节点214,216,218,220和222中的每一个。
同样,热元件240连接在节点214和节点222之间,热元件242连接在节点214和节点220之间,热元件244连接在节点214和节点218之间,且热元件246连接在节点214和节点216之间。值得注意的是,连接在节点214和节点212之间的热元件已经被识别为热元件238。此外,每一个其他对元件之间的连接由连接在节点216和节点222之间的热元件250,连接在节点216和节点220之间的热元件252,连接在节点216和节点218之间的热元件254,连接在节点218和节点222之间的热元件260,连接在节点218和节点220之间的热元件262,和连接在节点220和节点222之间的热元件270提供。
控制器210被配置成将电源连接、回路连接或开路提供给每一个节点。此外,应该认识到,多并联拓扑显著不同于图2中所提供的矩阵拓扑。多并联拓扑提供热元件网络相对于加热用电分布以及理解用于热感测的所有元件的相互作用整体考虑。例如,如果电源被提供给节点212且回路连接提供给节点222,则主电源路径将会通过热元件230。然而,次级路径将经过网络内的其他元件中的每一个回到节点222而存在。因此,当控制器210提供电力,并返回到节点的任一配置时,必须考虑电力被提供给主路径的热元件,以及,电力通过次级路径被提供给所有其它元件。根据具有不同特性(无论是设计、环境影响,或制造公差)的每一个热元件,这个任务可能更加复杂。
对于此拓扑,控制方案可利用六条(6)电线和十五个元件(15),而不使用具有SCR、二极管和上文所述的其他元件的开关电路。对此控制方案而言,与电线有关的元件的最大数目为E=1/2(N x(N-1))。虽然可对每一根电线连续供电,对任一节点组合施加独立电压,但是此系统可能难以控制。根据本发明的这种形式,电线被选择性地连接到电源、回路或开路,在指定时间段上使用这些组合的序列,以产生所需的平均热分布。例如,一个组合可能是将A和B连接到电源,将C和D连接到回路,以及使E和F是开路;另一个组合可能是将A和C连接到电源,将D连接到回路,以及使B、E和F是开路。然后,这些组合或模式,在不同的时间段依序应用于调谐层加热元件,例如,在第一时刻t1应用第一模式,在第二时刻t2应用第二模式,以此类推,使得所产生的时序序列在调谐层加热器中产生所需的平均热分布。在一种形式中,使用远短于加热器的热时间常数的时序序列时间间隔,使得加热器中的温度纹波保持在足够低的水平。在给定的六条电线例子中,N条电线有301个可能的非冗余模式,其中非冗余模式使至少一个元件中产生电力,但并不会使系统中相同的元件产生与另一模式相同的电力。若与开路相关联的模式被删除,则对N条电线而言,非冗余模式(mode)的数目为Modes=2N-1-1。因此,对于相同的六条电线,十五元件系统,有31个非冗余非零(空)模式。对于六节点,十五元件系统而言,所产生的模式矩阵[PxM]为(15x 301)或(15乘31),且需要矩阵等式[PE]=[PxM]·[Modes]的解,其中PE是元件的电力(热通量)输出的向量。在开路下,多并联模式的数目=(3N–2N+1-1)/2(非冗余)。若使用的是全开路包容性矩阵,则[PxM]矩阵是不确定的,且可能是病态的,并产生模式向量,其由于必须在给定的时间窗中产生的模式的数目而高度容易出错且难以实施。而且,一个解并不是对所有所需电力向量都是可行的。通过选择基于矩阵条件选定的模式子集,可以降低复杂性和误差。一种用于评估选择的模式子集的矩阵条件的方法是对[PxM]矩阵的子集执行奇异值分解,将子集彼此比较,并选择具有最大与最小非零奇异值的最小比率的集合。只有非负模式可以使用,因为电力仅可添加到系统中,所以,此矩阵子集[PxMR]可用于求解非负最小平方问题其中Modes≥0。检验解的余数得到解误差的测量值。有限数目的这些解将接近准确,但是随着电线和元件数目增加,系统变得更加受限,且对每一个元件而言,与低误差无关的电力解的范围缩小。但应注意的是,提出的方法是用于对元件进行电力控制,且因为拓扑不确定,具有低TCR的稳定的电阻元件将产生最低误差的解,但是这并不排除使用高TCR元件或使用独立的温度传感平面,使此系统处于温度控制下。
现在参照图3b,提供多并联且双向的热阵列系统300。热阵列系统300包括控制系统310。控制系统310可包括微处理器、开关和类似于在整个申请中描述的用于实施本文所述逻辑的那些的其它分立部件。如图2中一样,热元件以多并联的方式被配置在电力节点对两端。因为是双向的,节点数目相同,所以两倍数目的热元件能够受到控制。对于所示实施例,六个电力节点(312,314,316,318,320,222)。而且,每对热元件连接在一对电力节点之间,其中所述热元件对中的每一个热元件具有不同的极性。更具体而言,每对热元件连接在一对不同的电力节点之间。因此,有一对热元件连接在每一个节点本身和每一个其他电力节点之间,其中每对中的热元件由电源的不同极性激活。
因此,热元件对350连接在节点312和节点322之间。热元件对350包括第一热元件332和第二热元件334。第一热元件332被配置成与第二热元件334电并联连接。而且,第一热元件332与单向电路330电串联连接。单向电路330可被配置成允许电流在一个方向而在相反的方向上不流过热元件332。因此,单向电路330以最简单的形式被示为二极管。
第一单向电路330被示为具有连接到节点312的阴极和通过热元件332连接到节点314的阳极的二极管。以类似的方式,第二单向电路336被示为具有连接到节点314的阴极和通过第二热元件334连接到节点312的阳极的二极管,从而说明了与第二单向电路336相对的第一单向电路330的单向性。
因此,当正电压被施加到节点322且负电压被施加到节点312时,第一单向电路330允许电流流过第一热元件332,但是当正电压被提供给节点312且负电压被提供给节点322时,阻止电流流过。相反,当正电压被施加到节点312且负电压被施加到322时,允许电流流过第二热元件334,然而,当极性切换时,通过第二单向电路336阻止电流流过第二热元件334。
热元件对352连接在节点312和节点320之间,热元件对354连接在节点312和节点318之间,热元件对356连接在节点312和节点316之间,且热元件对358连接在节点312和节点314之间。因此,节点312通过热元件对(350,352,354,356或358)连接到其他节点314,316,318,320和322中的每一个。同样,热元件对360连接在节点314和节点322之间,热元件对362连接在节点314和节点320之间,热元件对364连接在节点314和节点318之间,且热元件对366连接在节点314和节点316之间。值得注意的是,节点314和节点312之间的连接已经通过热元件对358识别。
此外,每一个其他元件对之间的连接由连接在节点316和节点322之间的热元件对370,连接在节点316和节点320之间的热元件对372,连接在节点316和节点318之间的热元件对374,连接在节点318和节点322之间的热元件对380,连接在节点318和节点320之间的热元件对382,以及连接在节点320和节点322之间的热元件对390提供。
控制器310被配置成将电源连接、回路连接或开路提供给每一个节点。如上所述,多并联拓扑提供热元件网络相对于加热用电分布以及理解用于热感测的所有元件的相互作用整体考虑。例如,如果电源被提供给节点312且回路连接提供给节点322,则主电源路径将会通过热元件350。然而,次级路径将经过网络内的其他元件中的每一个回到节点322而存在。因此,当控制器310提供电力,并返回到节点的任一配置时,必须考虑电力被提供给主路径的热元件,以及,电力通过次级路径被提供给所有其它元件。
现在参照图4,提供双向且多并联的热元件系统的另一种实施方案。系统400包括控制器410,其控制多个电力节点。对于所示实施方案,控制器410控制六个电力节点412,414,416,418,420和422。如前文所讨论的,每一个节点通过热元件连接到其它节点中的每一个。而且,在双向情况下,每一个元件通过两个热元件连接到每一个其他元件,其中所述热元件之一以第一极性连接该对节点且所述第二热元件以相反极性连接该对元件。
在系统400中,每一个单向电路430被示为包括SCR 432、二极管436和齐纳二极管434的元件组合。单向元件430与每一个热元件电串联连接,例如,热元件438。如图所示,热元件438和单向电路430在节点414和节点412之间电串联连接。如果正电源电压被提供给节点414且回复被提供给节点412,则将会允许电流流过热元件438和SCR 432。热元件438连接在节点414和SCR 432的阳极之间。SCR 432的阳极连接到热元件438和二极管436的阳极。二极管436的阴极连接到齐纳二极管434的阴极。而且,齐纳二极管434的阳极连接到SCR 432的源极和节点412。
当有到SCR的栅极电流时,SCR 432触发。当电流在二极管436所在方向上流动并超过齐纳二极管434的电压间隙时,SCR接收栅极电流。但是,SCR的栅极电流可以通过装置的另一个配置来触发。而且,触发可能是除了电气以外的手段,例如,光学或磁性。一旦SCR被激活并传导电流,它就不会关闭,直到电流停止为止。虽然显示此配置只是出于示例目的,但是应当注意,也可使用附加的单向配置。例如,附加元件可与SCR和二极管结合使用,例如,提供阻尼器以防止意外触发SCR。
因此,每一个节点,例如,节点414和节点412之间提供包括热元件和单向电路的热配置,诸如440,。而且,在双向配置中,两个相反极性的热敏配置可连接在所述多个电力节点的每对节点之间。例如,热敏配置440连接在节点414和节点412之间,但与单向电路430极性相反。可见,SCR 433的阴极连接到节点414,而SCR 432的阴极连接到节点412。因此,每一个将仅在相反极性的条件下传导。
在控制器410内,每一个节点可连接到一对开关,如参考数字492所示。一对开关可以是晶体管,例如,半桥式配置的场效应晶体管(FET)。第一晶体管490可以是被激活时,将节点412连接到回复电压的低控制开关,而第二晶体管491可以是被激活时,将节点412连接到电源电压的高控制开关。第一晶体管490可以具有连接到所述多个节点之一的漏极和通过分流器498连接到负电压线的源极。另一个晶体管491可具有连接到节点412的源极和连接到正电压节点的漏极。而且,第一晶体管490和第二晶体管491可各具有连接到实施控制逻辑的控制电路或微处理器的栅极。还应当注意,控制系统切换装置(例如,半桥式配置)可以应用于任何本文采用的拓扑。
每一个其他节点也具有相应的一对晶体管。具体而言,节点414连接到晶体管对493,节点416连接到晶体管对494,节点418连接到晶体管对495,节点420连接到晶体管对496,且节点422连接到晶体管对497。虽然控制电路410可以独立地提供回路、电源或开路给所述节点中的每一个的组合,但是至少一个节点将连接到电源电压且至少一个节点将连接到回路。电源、回路(例如,接地)以及开路条件的各种组合可提供给所述节点。每一个组合是用于为热元件阵列供电的可能模式。
对于每种模式或节点状态的组合,电流将流过分流器498,并且可以由控制电路410来测量。而且,微处理器可以测量分流器两端的电压,或通过分流器的电流,以确定热元件阵列的电气特性,诸如,网络电阻。例如,网络电阻可用于控制每种模式被应用的时间量,或用于修改其他电路参数,诸如,输入电压、占空比、电流或其它电气特性。
现在参照图5,提供具有可寻址开关的热阵列系统500。控制器510可连接到正节点514和负节点516。电源512连接在正节点514和负节点516之间。每一个热元件在正节点514和负节点516之间与可寻址开关电串联连接。
每一个可寻址开关可以是分立元件,包括,例如,晶体管,比较器和SCR或集成器件,例如,微处理器、现场可编程门阵列(FPGA),或专用集成电路(ASIC)的电路。信号可通过正节点514和/或负节点516提供给可寻址开关524。例如,电力信号可被频率调制、幅度调制、占空比调制,或者包括提供表示当前要被激活的开关的标识(identity)的开关标识的载波信号。此外,各种命令,例如,接通(switch on)、关断(switch off),或校准命令,可以通过相同的通信介质来提供。在一个例子中,三个标识符可以被传达给所有的可寻址开关,允许控制27个可寻址开关,且因此,独立激活或停用27个热元件。每一个热元件522和可寻址开关524形成连接在负节点516和正节点514之间的可寻址模块520。每一个可寻址开关可以从电力线接收电力和消息(communication),且因此,也可以分别连接到第一节点514和/或第二节点516。
可寻址模块中的每一个可以具有唯一的ID,并根据每一个标识符可被分成各组。例如,所有的第一行中的可寻址模块(520,530,532,534,536,538,540,542和544)可以具有第一标识符或标识符x1。同样地,所有的第二行中的可寻址模块(546,548,550,552,554,556,558,560,562)可以具有标识符x2,而第三行中的模块(564,566,568,570,572,574,576,578,580)具有标识符x3。以同样的方式,前三列582的可寻址模块(520,530,532,546,548,550,564,566,568)可以具有标识符z1。同时,第二个三列584可以具有标识符z2,而第三个三列586可以具有标识符z3。同样,为了为组内的每一个模块定址,每一个可寻址模块都有每个组内的唯一的y标识符。例如,在组526中,可寻址模块534具有标识符y1,可寻址模块536具有标识符y2,且可寻址模块538具有标识符y3。
现在参照图6A,提供了一种用于控制热元件阵列的方法600。所述方法从框610开始。在框612中,控制器计算阵列的每一个热元件的设定点。举例而言,电阻设定点可以为每个热元件而设置,使得针对此元件测量出的电阻可被用作触发器来停止向此元件提供电力。在框614中,算出每个热元件的时间窗口。时间窗口可以是所分配的用于为特定的热元件供电的时间。但是,如果热元件电阻高于设定点,则控制器可在时间窗口的剩余部分上保持休眠状态或可直接移动到下一个窗口以为下一个热元件供电。然而,可能希望每一个热元件有最小等待时间,使得电力不经常提供给系统以实现测量目的,因此加热元件超过了加热应用所必需的。
在框616中,控制器确定是否已经到达了当前热元件的时间窗口的末端。如果已经达到了当前元件的时间窗口的末端,则所述方法沿着线620到框622。在框622中,控制器递增到阵列中的下一个热元件,并进行到框616,在此过程继续。如果还未到达时间窗口的末端,则所述方法沿着线618到框624。在框624中,控制器可以同时向热元件提供电力和测量热元件的电气特性。在框626中,控制器基于所测量的特性来确定热元件是否已经超过了热元件设定点。如果已经超过了设定点,则所述方法可以等待直到时间窗口是完整的为止,或者在一定的延迟之后,继续沿着线628到框622。在框622中,热元件被递增到下一个热元件并且过程前进到框616。如果基于所测量的特性,热元件还没有超过设定点,则过程沿着线630到框616,在此过程继续。
现在参考图6B,提供了示出方法600的一个场景的时序图。在第一时间窗口650中考虑第一元件。所述第一元件的电阻由线654来表示。再次,应当注意,热元件的电阻可以与热元件的温度相关联。第一热元件的设定点由线652来表示。随着电力被施加给热元件,热元件的温度在第一时间窗口650期间升高。然而,第一热元件的温度太低,且在第一时间窗口650流逝之前并不能达到设定点652。
在第二时间窗口656中,控制器向第二元件提供电力以测量电阻658。在这种情况下,温度,且因此,电阻658刚好高于元件设定点660。因为电阻太高,所以确定元件过热。因此,第二热元件在第二时间窗口656的剩余部分上被立即关闭。控制器可在第二时间窗口656的剩余部分上保持休眠状态,或可在预定义的时间延迟后,进入第三时间窗口662。
在第三时间窗口662中,第三元件被供电并被监控。第三元件664的电阻开始时低于第三元件666的设定点。当有电力提供给第三元件时,电阻增大,由线664来表示,直到电阻达到在点668处表示的第三元件666的设定点为止。当在时间窗口结束之前达到设定点时,元件被关闭,且控制器可在第三时间窗口662的剩余部分里保持休眠状态。如果,在此例子中,只有三个热元件,则第一时间窗口可以重复,由附图标记670来表示。在此,再一次,第一元件的电阻672开始时低于第一元件设定点674。然而,从时间窗口650的最后一个起点开始,第一元件已经加温。因此,第一元件的电阻672最终在时间窗口670结束之前在点676处达到第一设定点674。第一元件已保留了部分来自其最后一次激活的能量,所施加的电力足以在时间窗口670结束之前到达设定点并关闭。因此,控制器可在时间窗口670的其余部分内或在预定义的时间延迟之后保持休眠状态,预定义的时间延迟直接导致第二元件的时间窗口产生。然后,各种时间窗口将基于每一个热元件和环境影响的条件重复。
控制方法显示三个正TCR调谐层加热元件在各种热条件下的性能。尽管可以使用其他实施方案,例如,负TCR加热元件,但是在这种情况下,设定点将会从较高的电阻水平接近。控制的方法是通过计算在时间窗口内分配给每一个元件的电阻来实现的,所述电阻利用当元件被通电时所获得的电压和/或电流信息来分配。应当认识到,只要电力分别由已知的电压或电流源来提供,元件电阻就可以通过只测量电流或电压来推断。使加热元件通电增加其温度,且因此,当其被有源供电时,其电阻增大。利用先前获得的校准信息,将采样且有源电阻与加热元件的先前分配的设定点进行比较。只要电阻保持低于所分配的设定点,元件就保持通电,直到所分配的时间窗口结束为止;或者,如果元件电阻大于或高于其目标设定点电阻,则元件被立即关闭并在分配的时间窗口的剩余部分内保持关闭。每一个元件按顺序进入主动状态,然后循环重新开始,并不断重复。
时间窗口不必是固定的持续时间。系统消耗每一个元件中的足够的能量,使得第一次测量所需的最小“接通持续时间(On-time)”没有贡献比在元件再次进入有源状态之前可由系统消散更多的能量,且在最大“接通持续时间”过程中提供足够的能量就足够了,使得控制系统的每一个元件的平均温度可升高以在其活动窗口内承担控制。当调谐层中的所有加热元件在其分配的时间窗口内一贯地达到其个别设定点时,实现稳态控制。控制的效率是通过选择调谐加热器层的最小设定点范围、充足的供电、很短的时间窗口持续时间、快速采样和最小所需元件数目来实现的。
现在参照图7a,提供了另一种用于控制热阵列的方法。所述方法开始于框710,其中,算出每个模式的电阻设定点,以及每一个热元件的电力命令。在框712中,确定每个模式的时间段。在框714中,模式被设置为第一模式或初始模式。在框716中,控制器将当前模式应用于加热器阵列。在框718中,控制器等待继续供电的时间段结束,如所述模式所定义的。在框720中,模式被递增。在框722中,控制器确定当前模式是否是序列的最后一个模式。如果当前模式不大于序列中的模式总数,所述方法沿着线724到框716,在此应用当前模式,且所述方法继续。
再次参照框722,如果当前模式大于序列中的模式总数,则所述方法沿着线726到框728。在框728中,控制器确定系统是否需要确定热元件的温度,例如,通过测量热元件的特性。控制系统可以基于各种算法(包括序列的预定数目)、基于时间周期或者基于识别出的环境特性来测量热特性。如果确实需要测量温度,则所述方法沿着线734到框736,其中温度按照本申请中别处所述那般确定。接着,所述方法沿着线738到框732。另外,如果不需要在框728中测量温度,则所述方法沿着线730进行到框732。在框732中,控制器等待直到所分配的序列时间已经过去了。可能对系统重要的是等待所分配的序列时间,否则,附加的热量可能比预期更快地添加到系统中,这可能会危及算法的稳定性。然后,所述方法前进到框740。
在框740中,控制器基于测量确定电力命令是否发生了变化。因此,算法,诸如PID算法,基于由控制器在框736中执行的测量值来调整电力命令,如框742中所示。在框742中,算法可确定调整后的电力命令,并向框740提供电力命令已经改变的信息。如果电力命令在框740中已经发生了改变,则所述方法沿着线746到框712,其中每个模式的时间周期被重新计算。然后所述方法继续。如果系统特性没有改变,则所述方法沿着线744到框714,其中控制系统重置为第一模式,所述方法继续进行。
提供了一种具有四个节点750以及六个热元件752的系统的一个具体的例子,如图7b中所示。多并联阵列可由连接到多个加热器的n线电源接口组成,使得每个可能配对的控制线之间连接单个加热器。可以很容易地解释,可以以这种方式连接的加热器的数目等于n(n-1)/2。
关于图7b所讨论的设计假设一种归一化的系统,其中,加热器电阻均为1欧姆,且控制线在1伏特,0伏特下驱动,或者是开路(高阻抗)。然而,所述系统可以使用这里所提出的方程式来缩放至具有其它电压和电阻的系统。
在一种实施方案中,所述方法将控制分为两个部分,即,一个恒定部分和一个偏差部分,其中,所有加热器的恒定部分是相同的,且所有加热器的偏差部分是相同的且对称的。可以在控制中提供更大灵活性的其它控制分区是可能的。例如,可将系统划分为两个不同的恒定部分和一个偏差部分,允许两个不同的控制区域处于不同的平均功率电平下。并且,可将系统划分为一个恒定部分和两个偏差部分,以在加热器的子集中达到更大的控制范围。注意,无论如何划分,仍可能应用控制向量,其中可以违反对c的约束条件,且即使不能保证稳定控制,控制也是可能的。
在所述方法的一种实施方案中,保持不同组的控制常数且在它们之间动态切换以使系统行为能更好地与不同的操作条件匹配可能是有利的。
可以为所述系统构造模式表。可计算用于每个电源和加热器,用于电力应用到阵列的每个唯一组合的功率。这些值可以存储在模式(mode)表中。
以下是4节点系统的模式表。“nan”所在位置指示开路线路。例如,Mode#11接地连接在V1和V4(产生零功率),电源连接在V3(产生2.67瓦特),且V2为开路。
Mode# | p(total) | p(v1) | p(v2) | p(v3) | p(v4) | p(r12) | p(r13) | p(r14) | p(r23) | p(r24) | p(r34) |
1 | 4.00 | 0.00 | 2.00 | 2.00 | 0.00 | 1.00 | 1.00 | 0.00 | 0.00 | 1.00 | 1.00 |
2 | 4.00 | 0.00 | 2.00 | 0.00 | 2.00 | 1.00 | 0.00 | 1.00 | 1.00 | 0.00 | 1.00 |
3 | 4.00 | 0.00 | 0.00 | 2.00 | 2.00 | 0.00 | 1.00 | 1.00 | 1.00 | 1.00 | 0.00 |
4 | 3.00 | 0.00 | 3.00 | 0.00 | 0.00 | 1.00 | 0.00 | 0.00 | 1.00 | 1.00 | 0.00 |
5 | 3.00 | 0.00 | 1.00 | 1.00 | 1.00 | 1.00 | 1.00 | 1.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 |
6 | 3.00 | 0.00 | 0.00 | 3.00 | 0.00 | 0.00 | 1.00 | 0.00 | 1.00 | 0.00 | 1.00 |
7 | 3.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 3.00 | 0.00 | 0.00 | 1.00 | 0.00 | 1.00 | 1.00 |
8 | 2.67 | nan | 0.00 | 0.00 | 2.67 | 0.11 | 0.11 | 0.44 | 0.00 | 1.00 | 1.00 |
9 | 2.67 | nan | 0.00 | 2.67 | 0.00 | 0.11 | 0.44 | 0.11 | 1.00 | 0.00 | 1.00 |
10 | 2.67 | 0.00 | nan | 0.00 | 2.67 | 0.11 | 0.00 | 1.00 | 0.11 | 0.44 | 1.00 |
11 | 2.67 | 0.00 | nan | 2.67 | 0.00 | 0.11 | 1.00 | 0.00 | 0.44 | 0.11 | 1.00 |
12 | 2.67 | 0.00 | 2.67 | nan | 0.00 | 1.00 | 0.11 | 0.00 | 0.44 | 1.00 | 0.11 |
13 | 2.67 | 0.00 | 2.67 | 0.00 | nan | 1.00 | 0.00 | 0.11 | 1.00 | 0.44 | 0.11 |
14 | 2.67 | 0.00 | 0.00 | nan | 2.67 | 0.00 | 0.11 | 1.00 | 0.11 | 1.00 | 0.44 |
15 | 2.67 | 0.00 | 0.00 | 2.67 | nan | 0.00 | 1.00 | 0.11 | 1.00 | 0.11 | 0.44 |
16 | 2.67 | nan | 0.00 | 1.33 | 1.33 | 0.44 | 0.11 | 0.11 | 1.00 | 1.00 | 0.00 |
17 | 2.67 | 0.00 | nan | 1.33 | 1.33 | 0.44 | 1.00 | 1.00 | 0.11 | 0.11 | 0.00 |
18 | 2.67 | 0.00 | 1.33 | nan | 1.33 | 1.00 | 0.44 | 1.00 | 0.11 | 0.00 | 0.11 |
19 | 2.67 | 0.00 | 1.33 | 1.33 | nan | 1.00 | 1.00 | 0.44 | 0.00 | 0.11 | 0.11 |
20 | 2.00 | nan | nan | 0.00 | 2.00 | 0.00 | 0.25 | 0.25 | 0.25 | 0.25 | 1.00 |
21 | 2.00 | nan | 0.00 | nan | 2.00 | 0.25 | 0.00 | 0.25 | 0.25 | 1.00 | 0.25 |
22 | 2.00 | nan | 0.00 | 2.00 | nan | 0.25 | 0.25 | 0.00 | 1.00 | 0.25 | 0.25 |
23 | 2.00 | 0.00 | nan | nan | 2.00 | 0.25 | 0.25 | 1.00 | 0.00 | 0.25 | 0.25 |
24 | 2.00 | 0.00 | nan | 2.00 | nan | 0.25 | 1.00 | 0.25 | 0.25 | 0.00 | 0.25 |
25 | 2.00 | 0.00 | 2.00 | nan | nan | 1.00 | 0.25 | 0.25 | 0.25 | 0.25 | 0.00 |
由模式表,构造由模式子集的加热器功率组成的矩阵A。这个矩阵必须至少是n级(rank),其中n是系统中的加热器的数目。模式优选导致A具有低矩阵条件数、最大平均总功率p(total)、最大可用功率偏差,以及最小模式数目。
举例而言,选择模式1-10得到以下结果:
注意,此矩阵不是最少行的解(minimal-row solution),也不具有最少条件数的其它解,但其确实表示可控系统。
从所述矩阵看出,功率控制算法可如下所示来构造。
使用的符号约定如下:
矩阵(大写粗体斜体)
向量(小写粗体斜体)
标量(小写斜体)
每个位置中具有1的向量
元素方式(element-wise)矩阵除法运算符
平均加热器功率p可以使用广义的占空比向量d来控制,其中
0≤di≤1和
且其中,将模式mi多次应用到阵列,使得
ATd=p
可以看出,如果选择d作为
其中,c是nx1控制向量,所述元素满足-1≤ci≤1,并且其中和pΔ是恒定的平均功率和偏差功率参数,且H是穆尔-彭罗斯伪逆(Moore-Penrose pseudo-inverse),即H=pinv(AT),则可以得到每个加热器的固定平均控制水平,其与控制向量元素成比例的偏差水平求和,如下:
可任意选择和pΔ的值,但服从以下约束条件:
为了获得最大可能偏移pΔ,设定上述不等式的右边相等,然后求和pΔ的解:
对于图7b中的例子,AT的伪逆产生H:
然后,可如上所述计算和pΔ的值:
占空比的方程式可以使用下式作为c的函数求解:
从而获得:
可以选择可以在控制器中实现的时间量子τ,例如,1微秒。而且选择系统的基数控制循环周期T,其与加热器系统的热时间常数,例如,1秒相比足够小。
时间周期(例如,其形式为占空比)可定义为:
且在方程式中替代d以获得以下结果:
所述方程式能够在控制器中实现为一对常系数矩阵,伴有由控制向量c(它是浮点值的向量)计算占空比dc的函数。
为了实现所述控制,还需要知道A中的行所对应的模式,在例子中其包括如下所示的模式表中的前十行。
Mode# | p(total) | p(v1) | p(v2) | p(v3) | p(v4) | p(r12) | p(r13) | p(r14) | p(r23) | p(r24) | p(r34) |
1 | 4.00 | 0.00 | 2.00 | 2.00 | 0.00 | 1.00 | 1.00 | 0.00 | 0.00 | 1.00 | 1.00 |
2 | 4.00 | 0.00 | 2.00 | 0.00 | 2.00 | 1.00 | 0.00 | 1.00 | 1.00 | 0.00 | 1.00 |
3 | 4.00 | 0.00 | 0.00 | 2.00 | 2.00 | 0.00 | 1.00 | 1.00 | 1.00 | 1.00 | 0.00 |
4 | 3.00 | 0.00 | 3.00 | 0.00 | 0.00 | 1.00 | 0.00 | 0.00 | 1.00 | 1.00 | 0.00 |
5 | 3.00 | 0.00 | 1.00 | 1.00 | 1.00 | 1.00 | 1.00 | 1.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 |
6 | 3.00 | 0.00 | 0.00 | 3.00 | 0.00 | 0.00 | 1.00 | 0.00 | 1.00 | 0.00 | 1.00 |
7 | 3.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 3.00 | 0.00 | 0.00 | 1.00 | 0.00 | 1.00 | 1.00 |
8 | 2.67 | nan | 0.00 | 0.00 | 2.67 | 0.11 | 0.11 | 0.44 | 0.00 | 1.00 | 1.00 |
9 | 2.67 | nan | 0.00 | 2.67 | 0.00 | 0.11 | 0.44 | 0.11 | 1.00 | 0.00 | 1.00 |
10 | 2.67 | 0.00 | nan | 0.00 | 2.67 | 0.11 | 0.00 | 1.00 | 0.11 | 0.44 | 1.00 |
因为实际的硬件实施方案将在每一个电力线上使用半桥驱动器,所以知道线是否将被驱动为高、低,或开路就足够了。因此,可以通过检查每个驱动线的功率值来构造输出模式,其中零功率是低驱动(low drive),非零功率是高驱动(high drive),且“nan”功率是开路(open circuit)。对于例子而言,结果如下:
Mode# | v1 | v2 | v3 | v4 |
1 | low | high | high | low |
2 | low | high | low | high |
3 | low | low | high | high |
4 | low | high | low | low |
5 | low | high | high | high |
6 | low | low | high | low |
7 | low | low | low | high |
8 | open | low | low | high |
9 | open | low | high | low |
10 | low | open | low | high |
可以依照以下伪代码执行控制:
现在参见图8,提供了一种测量电阻的方法800。特别是,方法800可能对图7a的方法(例如,框736)特别有用。在框810中,可以为特性,例如,分配一个零向量(null vector),并且可以将模式设置为第一模式。在框812中,控制器对热阵列应用有源模式。在框814中,控制器测量提供给有源模式阵列的电流量。在框816中,控制器索引至下一个模式以使其进入有源模式。在框818中,控制器确定有源模式是否大于模式的总数。如果有源模式不大于模式的总数,则方法沿着线820到框812,在此,下一个模式被应用于热阵列。
再次参考框818,如果有源模式大于模式的总数,则所述方法沿线822至框824。在框824中,控制器基于应用于有源模式的电流和电阻间的关系来确定每个热元件的电流。然后所述方法行进到框826,其中每个热元件的电阻是基于提供给系统的电压和分配给每个热元件的电流来确定的。然后,根据电阻测量值,控制器可根据储存用于每个热元件的温度电阻关系来确定每一个热元件的温度。
尽管在一些实施方案中,系统可以测量施加到所述模式的电流来计算每个热元件的电阻。在一些实施方案中,系统还可以或可选择地测量其它参数,诸如,在每一节点处的电压。获得额外的测量值可有助于过度约束(over constrain)关系,并且可以使用最小二乘拟合来确定电阻。过度约束关系可减小计算中的误差并为每一热元件提供更可靠的电阻值。尽管这可以应用于图7a和7b的成批处理方法,其同样可应用到结合图6a和6b描述的索引方法。
虽然电阻可以用于计算热元件的温度信息,向所述热元件和/或作为整体的热阵列提供的功率可用于计算热元件的热通量。在一些实施方案中,此信息可以用作反馈,例如,改变功率设定点的工艺参数。在一些实施方案中,这些特性可以用作外部程序的反馈,例如,以控制其他的环境变量,诸如,在制造过程中的处理时间或其它工艺特性。一个例子可以包括调整半导体制造过程中的处理时间以提高芯片成品率。另一个例子可以包括为系统降级提供系统诊断。
在一些实施方案中,热元件仅作为加热器,在其它实施方案中,热元件可以作为加热器和热传感器,或甚至在其它实施方案中,仅用作热传感器。在热元件仅用作传感器或在非重叠的时间周期内在传感器和加热器之间切换的实施方案中,感测可以利用低压电源和/或低电源(例如,短时间周期)完成。
热阵列可以用低功率来供电以获取测量值而不会明显扰乱热元件的温度。例如,热阵列可以使用能够导致在所施加的时间周期内所测量出来的温度变化小于5%的电压来供电。在一个例子中,由小于1秒的脉冲功率提供低平均功率。
在其它实施方案中,控制器可以基于每个热元件或热元件的组合的所测量的电阻(温度)和/或功率(热通量)而产生警报。所述警报可以采取多种形式,包括视觉报警、声音报警、控制信号、消息(例如,文本或电子邮件)。
图7b提供了具有四个节点和六个元件的系统的测量的一个具体例子。使用此拓扑,可以启用温度测量阵列。通过使用单个集成测量系统,多个热元件可用作RTD传感器来使用较少电连接(节点)来测量来计算整个传感器阵列的温度。通过快速连续测量以各种组合施加到一个或多个节点的低功率(称为电力模式),可以计算所有传感器电阻并将其转换成温度。此外,注意,可用来供电的模式不同于用于测量热阵列的模式。
下列变量被定义:
nNodes=N#nodes(节点),N>2,因为N=2是用于单个独立的RTD
nSensors=N x(N-1)/2#sensors(传感器),其可在不同节点对之间连接
iModes=2N-1-1#power modes(电力模式)(没有浮动节点,冗余,或0-向量)
接下来,将电力模式矩阵的规格定义为iModes x nNodes,容纳用V+或0供电的每个节点的所有组合,但其中最后一个节点总是0(例如,回路或接地)。如果将V+归一化成等于1,则电力模式矩阵只是个二进制表(因为节点必然是0或1)。电力模式矩阵[M](对于nNodes,N>5)如下所示[列1=最低有效位]:
mode#
路由矩阵[R]然后可以由每个电力模式[M]的所有节点对之间的绝对差值形成。这导致[R]的规格为iModes x nSensors,其在N>3时不是正方形且在N>5时不是最佳的。使用可用模式的子集,可以减小N>5时[R]的矩阵条件,这可以缩短计算时间并减少计算误差。对于N>5,通过仅使用[M]的模式实现最小条件[R],其中两个节点被同时激活,并且其中N-2个节点是同时激活的。
上表的控制方程(对于N>5)为:
有两个有源节点的模式的数目=(N-1)x(N-2)/2。
有(N-2)个有源节点的模式的数目=(N-1)。
当N>5时使用一组简化的模式产生了正方形路由矩阵,其中
#Sensors=#Modes,且[R]的矩阵条件为N-2。
以下伪码由[M]计算[R]:
例如:如果N=6,有31个可用模式,且具有2个有效节点的模式号码为:3 5 6 91012 17 18 20 24,而具有N-2个有源节点的模式编号为:15 23 27 29 30
对于N=6,得到的路由矩阵[R]给出如下,其中每一行是模式[3 5 6 9 10 12 1517 18 20 23 24 27 29 30],且每一列是传感器。
以上[R]矩阵是正方形,仅包含1和0,并且具有4的矩阵条件,因此倒置后可能有低误差。此感测系统的控制方程按如下矩阵形式给出:
[is]=inv R·[im]
[注意:如果N=4或5,nSensors≠nModes,使用的是[R]的伪逆]。
其中[iM]为流入每个电力模式的传感器阵列的总电流的单独测量值的向量;且[iS]为传感器被单独驱动而没有交叉耦合的情况下相等的传感器电流的向量。只要传感器电阻在循环通过集合中的所有模式的整个时间保持基本恒定,此程序就起作用。
首先,基线传感器电导的向量可以计算如下,同时保持传感器阵列在基线温度T0(例如,25℃)
[is]To=[V·go]To
接下来,在某个未知温度下测量,新的向量是:
[is]T=[V·gT]T
利用传感器材料的电阻温度系数(TCR)计算元件方式传感器电导率向量并将其应用于以下等式来获得未知传感器温度:
这样,对于已知的V,可以推导出g0和gT;或者如果基于每个节点,基线测量中的V与未知温度测量中的V相同,电流向量的按元素比可直接替换成上述等式。注意:在第一测量中对基线电导变化没有限制,或在第二测量中对传感器之间的温度变化没有限制。
图9a提供用于校准阵列的方法900,且图9b提供用于计算目标设定点的方法950。方法900和方法950对图6a的索引控制方法(例如,框612)和图7a的成批控制方法(例如,框710)是特别有用的。
方法900从框910开始。在框912中,控制器将阵列温度固定到基线温度,例如,25℃。在框914中,控制器确定控制过程是否正在控制单独元件或所述元件是否被配置成多并联的布置并成批控制。如果正在成批测量所述元件,则方法沿线916至框918。在框918中,成批测量程序,例如,关于图8所述,可用于采集批量测量值,以及将批量测量值变换成各个元件的特性,然后将其存储在校准基线向量[R0]中。然后,所述方法沿线924至框926,在此所述方法结束。
再次参考框914,如果测量单独的元件或特性,例如,在索引模式中,则方法沿线920到框922。在框922中,直接测量各个元件的特性并将其存储在校准基线向量[R0]中,如框922所示。然后所述方法进行到框926,在此所述方法结束。在可选方法中,可以使用,例如,用欧姆表测量电阻。
方法950开始于框943。为了计算目标设定点,在框944中,操作员为每个元件或模式提供温度设定点,则方法继续行进到框946。在框946中,控制器计算出元件温度高于基线温度并且将每个元件的差值存储在向量中。在框928中,控制器将电阻温度系数(TCR)应用于存储向量来生成元件目标电阻向量。然后所述方法继续到框930。如果热元件阵列是双向阵列,则方法沿线940到框938。如果热元件阵列是多并联阵列,则方法沿线932到框934。在框934中,元件目标电阻向量转化成每个唯一电力模式的阵列目标电阻向量。然后,所述方法沿线936至框938,在此目标电阻可以基于系统电压和电流转换成目标电压或目标电流。然后所述方法行进到框942,在此,每一个电力模式相对应的目标电压或电流的向量是目标设定点计算方法的输出。所述方法结束于框948。
所述方法的一个实施方案结合图7b的四个节点拓扑在下文中描述。热元件可以是由高TCR材料制成的加热元件,所以可以使用加热器控制算法,但是没有二极管或SCR。节点用一个源和一个回路顺序供电,使其它节点处于浮动状态。如果热元件的电阻基本上是类似的,那么这提供了用于控制的一个主电流路径。然而,主电流路径与两个或多个串联的加热元件的一个或多个次级路径并联。此系统中的次级路径可以比作多输入/多输出控制系统的交叉耦合项。为了很好地控制,交叉耦合项不应支配所述系统,例如,通过使加热元件电阻彼此相类似。
对于图7b中所示的4节点(node)系统,定义以下变量。
nNodes=N#nodes,N>2,因为N=2是用于单个加热器
nHeaters=N x(N-1)/2#独立的加热器(heater),可以连接
在节点之间
nPairModes=nHeaters#独立的节点对,其它节点浮动,
没有冗余
因为进入系统的电流必须等于系统输出的电流,所以可以定义大小为nPairModesx nNodes的电力模式矩阵,其中,对于每个模式(行),‘1’表示电流流入一个节点(列),‘-1’表示电流从另一个节点流出,而‘0’表示浮动节点。注意,PairModes(模式对)的数目等于加热元件的数目。
而且,向量[G]和正方形节点矩阵[GN]可以根据加热元件电阻来定义:
为了启动所述程序,可以获得加热元件的基线(例如,25℃)电阻,通过独立测量或通过与结合图8在上文中概述的方法。
接下来,每一个加热元件在其目标温度下的目标电阻可以被建立以作为控制点。在可能的情况下,可以推荐,在一定温度下的目标电阻在平均值的±30%的范围内,以限制交叉耦合。下面的公式可以用来计算目标电阻:
RT=R0x[1+TCR x(TT-T0)]
其中
R0是特定加热元件的基线电阻
T0是对应于电阻R0的基线温度
TT是所述特定加热元件的目标温度
TCR是适用于(TT-T0)的电阻的温度系数
接下来可以计算先前定义的电导节点矩阵[GN]。
然后,可以通过消除始于行-列2的一个行-列创建(nNodes-1)次级矩阵[GN]。这些矩阵表示删除的行-列数目是[M]的接地节点的系统。
接下来,在每一个可用子区域(bin)为‘1’且其他子区域中为‘0’的情况下,可以产生nNodes-1电流向量。例如,在4节点系统中:
[I1]=[1 0 0]T[I2]=[0 1 0]T[I3]=[0 0 1]T
然后,可以根据[GN]次级矩阵和电流向量[I1]、[I2]和[I3]的每个唯一组合创建nPairMode电压向量,如下:
[V]PairMode=[GN]n -1x[Im]
可保留每个电压向量的最大值并按照模式矩阵[M]的顺序编成新的向量[Vn],其中电流向量由‘1’表示,并且[GN]n由消除行列的‘-1’表示。
通过顺序地将电流源和电流槽施加到[M]所定义的模式对,测量该对的两端所产生的电压,同时保持电力施加,直到所测量的电压收敛于所述模式的目标电压,或直到前面定义的‘超时’需要排序至下一模式对为止,在每个模式中可以关闭控制回路。目标电压是施加的每安培电流。太大的电流会导致发散,过小电流阻止闭环控制。电力的收敛区域受到最小接通持续时间与超时之比的控制。
对于一个特定例子,如果提供的四节点系统具有六个加热元件,在25℃下具有以下电阻:
R0=[22.1858 20.2272 20.8922 21.3420 23.1205 20.0585]T
假设70/30镍-铁加热元件具有0.5%/℃的线性TCR,并且各元件的目标温度超过环境温度10度。然后,通过使每个电阻增大5%(0.5%x 10),计算用于所需温升的目标电阻:
RT=[23.2951 21.2385 21.9368 22.4091 24.2766 21.0615]T
电导矩阵是基于[RT]的倒数(reciprocal):
然后,6个电压向量是:
6个模式[M]的控制回路的每安培的目标电压是上述每个向量中最大值:
[VT]=[11.431 10.844 11.080 11.218 11.587 10.862]
任何所描述的控制器、控制系统或引擎可以在一个或多个计算机系统中实施。图10提供了一个示例性系统。计算机系统1100包括处理器1110,其用于执行指令,诸如,上文所讨论的方法中所述的那些指令。所述指令可存储在计算机可读介质中,诸如,存储器1112或存储装置1114,例如,磁盘驱动器、CD或DVD。所述计算机可以包括显示控制器1116,其响应于指令在显示装置1118,例如,计算机监视器上生成文本或图形显示。此外,处理器1110可以与网络控制器1120进行通信以将数据或指令传送到其他系统,例如,其他通用计算机系统。网络控制器1120可通过以太网或其它已知协议来通信来分布处理或经由各种网络拓扑提供对信息的远程访问,所述网络拓扑包括局域网、广域网、因特网或其它常用的网络拓扑。
在其它实施例中,专用硬件实施方案,诸如,专用集成电路、可编程逻辑阵列和其他硬件装置,可以构造为实现本文所描述的方法中的一个或多个。可以包括各种实施例的设备和系统的应用可广泛地包括各种电子和计算机系统。本文所描述的一个或多个实施例可以使用两个或多个特定互连硬件模块或装置来实现功能,相关控制和数据信号可以在模块之间和穿过模块进行传输,或作为专用集成电路的一部分。因此,本系统包含软件、固件和硬件实施方案。
另外,应该指出的是,本文所描述的任何拓扑可以与任何处理方法一起使用。另外,关于一种拓扑或方法所描述的任何特征可以与其它拓扑或方法一起使用。
根据本发明的各个实施例,可以通过由计算机系统执行的软件程序来实现本文所描述的方法。此外,在示例性的、非限制的实施例中,实施方案可包括分布式处理、部件/对象分布式处理,以及并行处理。或者,虚拟计算机系统处理可以构造为实现本文所描述的一个或多个方法或功能。
此外,本文所述方法可以体现为计算机可读介质。术语“计算机可读介质”包括单个介质或多个介质,诸如,集中式或分布式数据库,和/或存储一组或多组指令的相关联的缓存和服务器。术语“计算机可读介质”还应当包括能够存储、编码或携带由处理器执行或使计算机系统执行本文公开的任何一个或多个方法或操作的一组指令的任何介质。
本领域的技术人员将很容易理解,上述描述意在说明本发明的原理。这种描述不用来限制本发明的范围或应用,因为本发明易于在不偏离权利要求书所限定的本发明的精神的情况下进行修改、变化和改变。
Claims (19)
1.一种热系统包括:
多个热元件;
控制系统,其具有多个电力节点,其中热元件连接到多个电力节点,控制系统经配置以基于温度设定点计算热元件的目标设定点,并且对于每一个热元件,控制系统经配置以(a)提供电源,回路以及开路条件中的一个给热元件,(b)通过测量连接到热元件的电力节点两端的电气特性来感测热元件的电气特性,以及(c)基于所感测的电气特性来确定热元件是否超过了热元件的目标设定点。
2.根据权利要求1所述的系统,其中控制系统经配置以基于热元件的目标设定点确定用于给多个热元件的每一个热元件供电的时间窗口。
3.根据权利要求2所述的系统,其中控制系统经配置以当超过目标设定点时,停止在时间窗口的剩余部分上给热元件供电。
4.根据权利要求2所述的系统,其中控制系统经配置以当超过目标设定点时,停止给热元件供电并在预定义的时间延迟后移动到下一个时间窗口。
5.根据权利要求1所述的系统,其中计算目标设定点包括测量热元件的基线电阻。
6.根据权利要求5所述的系统,其中计算所述目标设定点包括计算:每一个热元件的基于基线电阻的目标电阻、温度变化,以及电阻温度系数TCR。
7.根据权利要求1所述的系统,其中热元件是耗散元件。
8.根据权利要求7所述的系统,其中热元件是电阻元件。
9.根据权利要求8所述的系统,其中热元件是由具有温度依赖性电阻的导电材料构成。
10.根据权利要求9所述的系统,其中控制系统经配置以测量连接到电阻元件的电力节点两端的电阻元件的电阻来计算电阻元件的温度。
11.一种加热器,包括:
基板;
基底加热器,其固定到所述基板;
衬底,其固定到所述基底加热器;
调谐加热器,其固定到所述衬底,所述调谐加热器包括多个加热器元件;
卡盘,其固定到所述调谐加热器;和
控制系统,其具有多个电力节点,其中热元件连接到多个电力节点,控制系统经配置以基于温度设定点计算热元件的目标设定点,并且对于每一个热元件,控制系统经配置以(a)提供电源,回路以及开路条件中的一个给热元件,(b)通过测量连接到热元件的电力节点两端的电气特性来感测热元件的电气特性,以及(c)基于所感测的电气特性来确定热元件是否超过了热元件的目标设定点。
12.根据权利要求11所述的系统,其中控制系统经配置以基于热元件的目标设定点确定用于给多个热元件的每一个热元件供电的时间窗口。
13.根据权利要求12所述的系统,其中控制系统经配置以当超过目标设定点时,停止在时间窗口的剩余部分上给热元件供电。
14.根据权利要求12所述的系统,其中控制系统经配置以当超过目标设定点时,停止给热元件供电并在预定义的时间延迟后移动到下一个时间窗口。
15.根据权利要求11所述的系统,其中计算目标设定点包括测量热元件的基线电阻。
16.根据权利要求15所述的系统,其中计算所述目标设定点包括计算:每一个热元件的基于基线电阻的目标电阻、温度变化,以及电阻温度系数TCR。
17.一种热系统包括:
多个热元件;
控制系统,其具有多个电力节点,其中热元件连接到多个电力节点,控制系统在多个模式中操作多个电力节点,其中给定的节点可选择地连接到电源,回路以及开路条件中的一个,并且多个模式中的每一个模式表示连接到电源,回路以及开路条件的多个节点的不同组合,
控制系统经配置以基于温度设定点计算热元件的目标设定点,并且对于每一个模式,控制系统经配置以(a)根据模式将电力提供给热元件,(b)通过测量连接到热元件的电力节点两端的电气特性来感测模式的电气特性,以及(c)基于所感测的电气特性来确定热元件是否超过了热元件的目标设定点。
18.根据权利要求17所述的系统,其中计算目标设定点包括测量热元件的基线电阻。
19.根据权利要求18所述的系统,其中计算所述目标设定点包括计算:每一个热元件的基于基线电阻的目标电阻、温度变化,以及电阻温度系数TCR。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111372336A (zh) * | 2020-03-25 | 2020-07-03 | 广州智慧医疗科技有限公司 | 一种红外电热膜及其制备方法 |
CN114496692A (zh) * | 2020-11-11 | 2022-05-13 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 加热组件、基片承载组件及其等离子体处理装置 |
CN114647262A (zh) * | 2020-12-21 | 2022-06-21 | 细美事有限公司 | 温度调节装置 |
Families Citing this family (128)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120154974A1 (en) * | 2010-12-16 | 2012-06-21 | Applied Materials, Inc. | High efficiency electrostatic chuck assembly for semiconductor wafer processing |
US10163668B2 (en) | 2011-08-30 | 2018-12-25 | Watlow Electric Manufacturing Company | Thermal dynamic response sensing systems for heaters |
EP2752083A1 (en) * | 2011-08-30 | 2014-07-09 | Watlow Electric Manufacturing Company | System and method for controlling a thermal array |
JP5973731B2 (ja) | 2012-01-13 | 2016-08-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びヒータの温度制御方法 |
US8937800B2 (en) * | 2012-04-24 | 2015-01-20 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with advanced RF and temperature uniformity |
US9345068B2 (en) * | 2012-07-26 | 2016-05-17 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Electrical resistor heating |
US10049948B2 (en) | 2012-11-30 | 2018-08-14 | Lam Research Corporation | Power switching system for ESC with array of thermal control elements |
US9681497B2 (en) | 2013-03-12 | 2017-06-13 | Applied Materials, Inc. | Multi zone heating and cooling ESC for plasma process chamber |
US10332772B2 (en) | 2013-03-13 | 2019-06-25 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone heated ESC with independent edge zones |
FR3007229B1 (fr) * | 2013-06-17 | 2015-06-19 | Valeo Systemes Thermiques | Commande d'un circuit de chauffage electrique, notamment pour vehicule automobile |
US20150016083A1 (en) * | 2013-07-05 | 2015-01-15 | Stephen P. Nootens | Thermocompression bonding apparatus and method |
JP6100672B2 (ja) * | 2013-10-25 | 2017-03-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御機構、温度制御方法及び基板処理装置 |
TW201518538A (zh) | 2013-11-11 | 2015-05-16 | Applied Materials Inc | 像素化冷卻溫度控制的基板支撐組件 |
US10460968B2 (en) | 2013-12-02 | 2019-10-29 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with variable pixelated magnetic field |
US9518946B2 (en) * | 2013-12-04 | 2016-12-13 | Watlow Electric Manufacturing Company | Thermographic inspection system |
US9716022B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-07-25 | Lam Research Corporation | Method of determining thermal stability of a substrate support assembly |
US9622375B2 (en) | 2013-12-31 | 2017-04-11 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with external flow adjustments for improved temperature distribution |
US9520315B2 (en) | 2013-12-31 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with internal flow adjustments for improved temperature distribution |
US11158526B2 (en) * | 2014-02-07 | 2021-10-26 | Applied Materials, Inc. | Temperature controlled substrate support assembly |
US9472410B2 (en) | 2014-03-05 | 2016-10-18 | Applied Materials, Inc. | Pixelated capacitance controlled ESC |
JP6219227B2 (ja) | 2014-05-12 | 2017-10-25 | 東京エレクトロン株式会社 | ヒータ給電機構及びステージの温度制御方法 |
US9543171B2 (en) | 2014-06-17 | 2017-01-10 | Lam Research Corporation | Auto-correction of malfunctioning thermal control element in a temperature control plate of a semiconductor substrate support assembly that includes deactivating the malfunctioning thermal control element and modifying a power level of at least one functioning thermal control element |
KR102164611B1 (ko) | 2014-07-02 | 2020-10-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 매립형 광섬유들 및 에폭시 광학 확산기들을 사용하는 기판들의 온도 제어를 위한 장치, 시스템들, 및 방법들 |
KR102372801B1 (ko) * | 2014-07-08 | 2022-03-10 | 와틀로 일렉트릭 매뉴팩츄어링 컴파니 | 접합 층의 통합 온도 감지를 갖춘 접합 조립체 |
JP6335341B2 (ja) * | 2014-07-23 | 2018-05-30 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 可変型温度制御式基板支持アセンブリ |
KR102110267B1 (ko) * | 2014-10-31 | 2020-05-14 | 와틀로 일렉트릭 매뉴팩츄어링 컴파니 | 히터를 위한 열적 동적 응답 감지 시스템 |
CN104466840B (zh) * | 2014-11-18 | 2017-01-18 | 河南省通信电缆有限公司 | 室内布线结构及使用该室内布线结构的布线系统 |
CN107004626B (zh) * | 2014-11-20 | 2019-02-05 | 住友大阪水泥股份有限公司 | 静电卡盘装置 |
JP6513938B2 (ja) * | 2014-11-21 | 2019-05-15 | 日本特殊陶業株式会社 | 静電チャックの製造方法 |
JP6325424B2 (ja) * | 2014-11-21 | 2018-05-16 | 日本特殊陶業株式会社 | 静電チャック |
US20160149733A1 (en) * | 2014-11-26 | 2016-05-26 | Applied Materials, Inc. | Control architecture for devices in an rf environment |
JP6530220B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2019-06-12 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミックヒータ及びその制御方法、並びに、静電チャック及びその制御方法 |
CN107636817B (zh) * | 2015-05-22 | 2021-08-27 | 应用材料公司 | 方位可调整的多区域静电夹具 |
US10381248B2 (en) * | 2015-06-22 | 2019-08-13 | Lam Research Corporation | Auto-correction of electrostatic chuck temperature non-uniformity |
US10763142B2 (en) | 2015-06-22 | 2020-09-01 | Lam Research Corporation | System and method for determining field non-uniformities of a wafer processing chamber using a wafer processing parameter |
US9779974B2 (en) | 2015-06-22 | 2017-10-03 | Lam Research Corporation | System and method for reducing temperature transition in an electrostatic chuck |
US10386821B2 (en) | 2015-06-22 | 2019-08-20 | Lam Research Corporation | Systems and methods for calibrating scalar field contribution values for a limited number of sensors including a temperature value of an electrostatic chuck and estimating temperature distribution profiles based on calibrated values |
US10074512B2 (en) * | 2015-07-09 | 2018-09-11 | Applied Materials Israel Ltd. | System and method for setting a temperature of an object within a chamber |
US10237916B2 (en) * | 2015-09-30 | 2019-03-19 | Tokyo Electron Limited | Systems and methods for ESC temperature control |
US10186437B2 (en) * | 2015-10-05 | 2019-01-22 | Lam Research Corporation | Substrate holder having integrated temperature measurement electrical devices |
US10631370B2 (en) * | 2015-10-30 | 2020-04-21 | Ngk Insulators, Ltd. | Member for semiconductor manufacturing apparatus, method for producing the same, and heater including shaft |
US9826574B2 (en) | 2015-10-28 | 2017-11-21 | Watlow Electric Manufacturing Company | Integrated heater and sensor system |
US9623679B1 (en) * | 2015-11-18 | 2017-04-18 | Xerox Corporation | Electrostatic platen for conductive pet film printing |
US9812342B2 (en) * | 2015-12-08 | 2017-11-07 | Watlow Electric Manufacturing Company | Reduced wire count heater array block |
US10690414B2 (en) * | 2015-12-11 | 2020-06-23 | Lam Research Corporation | Multi-plane heater for semiconductor substrate support |
US10582570B2 (en) | 2016-01-22 | 2020-03-03 | Applied Materials, Inc. | Sensor system for multi-zone electrostatic chuck |
JP7091249B2 (ja) | 2016-03-02 | 2022-06-27 | ワットロー・エレクトリック・マニュファクチャリング・カンパニー | ヒータ作動フローバイパス |
US10247445B2 (en) | 2016-03-02 | 2019-04-02 | Watlow Electric Manufacturing Company | Heater bundle for adaptive control |
US10619888B2 (en) | 2016-03-02 | 2020-04-14 | Watlow Electric Manufacturing Company | Heater bundle for adaptive control and method of reducing current leakage |
JP6226092B2 (ja) * | 2016-03-14 | 2017-11-08 | Toto株式会社 | 静電チャック |
KR102513443B1 (ko) * | 2016-03-15 | 2023-03-24 | 삼성전자주식회사 | 정전 척 및 그를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10973088B2 (en) | 2016-04-18 | 2021-04-06 | Applied Materials, Inc. | Optically heated substrate support assembly with removable optical fibers |
JP6982126B2 (ja) * | 2016-05-06 | 2021-12-17 | 日本特殊陶業株式会社 | 加熱部材及び静電チャック |
KR102329513B1 (ko) * | 2016-05-10 | 2021-11-23 | 램 리써치 코포레이션 | 적층된 히터와 히터 전압 입력부들 사이의 연결부들 |
US10340171B2 (en) | 2016-05-18 | 2019-07-02 | Lam Research Corporation | Permanent secondary erosion containment for electrostatic chuck bonds |
EP3472858B1 (en) * | 2016-06-15 | 2022-01-12 | Watlow Electric Manufacturing Company | Power converter for a thermal system |
US11069553B2 (en) * | 2016-07-07 | 2021-07-20 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck with features for preventing electrical arcing and light-up and improving process uniformity |
TWI664873B (zh) * | 2016-07-07 | 2019-07-01 | 美商瓦特洛威電子製造公司 | 用於適應性控制之加熱器束及減少電流洩漏之方法 |
JP6238097B1 (ja) * | 2016-07-20 | 2017-11-29 | Toto株式会社 | 静電チャック |
US10366867B2 (en) * | 2016-08-19 | 2019-07-30 | Applied Materials, Inc. | Temperature measurement for substrate carrier using a heater element array |
US20180053666A1 (en) * | 2016-08-19 | 2018-02-22 | Applied Materials, Inc. | Substrate carrier with array of independently controllable heater elements |
US10685861B2 (en) | 2016-08-26 | 2020-06-16 | Applied Materials, Inc. | Direct optical heating of substrates through optical guide |
US10679873B2 (en) * | 2016-09-30 | 2020-06-09 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Ceramic heater |
US10708979B2 (en) | 2016-10-07 | 2020-07-07 | De-Ice Technologies | Heating a bulk medium |
JP2018063974A (ja) * | 2016-10-11 | 2018-04-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御装置、温度制御方法、および載置台 |
TWI751469B (zh) * | 2016-10-21 | 2022-01-01 | 美商瓦特洛威電子製造公司 | 具有低漂移電阻反饋之電氣加熱器 |
ES2673130B1 (es) * | 2016-12-19 | 2019-03-28 | Bsh Electrodomesticos Espana Sa | Dispositivo de aparato domestico de coccion por induccion con una matriz de elementos de calentamiento |
ES2673131B1 (es) * | 2016-12-19 | 2019-03-28 | Bsh Electrodomesticos Espana Sa | Dispositivo de aparato domestico de coccion por induccion con una matriz de elementos de calentamiento |
US10910195B2 (en) | 2017-01-05 | 2021-02-02 | Lam Research Corporation | Substrate support with improved process uniformity |
US11508600B2 (en) * | 2017-04-10 | 2022-11-22 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Holding device |
US11276590B2 (en) * | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US10363845B2 (en) * | 2017-05-30 | 2019-07-30 | Ford Global Technologies, Llc | Conductive system |
JP7158131B2 (ja) * | 2017-05-30 | 2022-10-21 | 東京エレクトロン株式会社 | ステージ及びプラズマ処理装置 |
CN107300426B (zh) * | 2017-06-23 | 2019-06-25 | 北京金风科创风电设备有限公司 | 温度检测系统和温度检测方法 |
JP6905399B2 (ja) * | 2017-06-23 | 2021-07-21 | 新光電気工業株式会社 | 基板固定装置 |
KR102435888B1 (ko) * | 2017-07-04 | 2022-08-25 | 삼성전자주식회사 | 정전 척, 기판 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
CN109429382A (zh) * | 2017-08-24 | 2019-03-05 | 江苏威能电气有限公司 | 快速升降温加热器 |
CN109561526B (zh) * | 2017-09-26 | 2023-04-25 | 杜邦电子公司 | 加热元件和加热装置 |
TWI829367B (zh) | 2017-11-16 | 2024-01-11 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 電漿處理裝置、溫度控制方法及溫度控制程式 |
US11236422B2 (en) | 2017-11-17 | 2022-02-01 | Lam Research Corporation | Multi zone substrate support for ALD film property correction and tunability |
US10681778B2 (en) * | 2017-11-21 | 2020-06-09 | Watlow Electric Manufacturing Company | Integrated heater and method of manufacture |
US10761041B2 (en) * | 2017-11-21 | 2020-09-01 | Watlow Electric Manufacturing Company | Multi-parallel sensor array system |
DE112018005969T8 (de) | 2017-11-21 | 2021-03-11 | Watlow Electric Manufacturing Company | Multi-Zonen-Stützsockel-Heizgerät mit einer weiterleitenden Schicht |
US11083050B2 (en) | 2017-11-21 | 2021-08-03 | Watlow Electric Manufacturing Company | Integrated heater and method of manufacture |
WO2019157023A1 (en) | 2018-02-09 | 2019-08-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing apparatus having improved temperature control |
US11950329B2 (en) * | 2018-02-16 | 2024-04-02 | Niterra Co., Ltd. | Holding device |
KR20210016521A (ko) | 2018-04-17 | 2021-02-16 | 와틀로 일렉트릭 매뉴팩츄어링 컴파니 | 모든 알루미늄 히터 |
US10633742B2 (en) | 2018-05-07 | 2020-04-28 | Lam Research Foundation | Use of voltage and current measurements to control dual zone ceramic pedestals |
CN112292489B (zh) * | 2018-05-31 | 2021-11-09 | 瓦尔梅特股份有限公司 | 空气穿透干燥和粘合系统及方法 |
CN118360588A (zh) | 2018-07-05 | 2024-07-19 | 朗姆研究公司 | 衬底处理系统中的衬底支撑件的动态温度控制 |
US11209878B2 (en) * | 2018-07-31 | 2021-12-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Discrete time loop based thermal control |
US10872747B2 (en) | 2018-08-08 | 2020-12-22 | Lam Research Corporation | Controlling showerhead heating via resistive thermal measurements |
US11183400B2 (en) | 2018-08-08 | 2021-11-23 | Lam Research Corporation | Progressive heating of components of substrate processing systems using TCR element-based heaters |
AU2019333261B2 (en) * | 2018-08-27 | 2024-09-19 | De-Ice Technologies, Inc. | De-icing systems |
JP7112915B2 (ja) * | 2018-09-07 | 2022-08-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 温調システム |
CN112740389A (zh) * | 2018-10-12 | 2021-04-30 | 应用材料公司 | 具有集成加热器的腔室盖 |
CN111383891B (zh) * | 2018-12-29 | 2023-03-10 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 用于半导体处理设备的温度控制装置及其温度控制方法 |
US11562913B2 (en) * | 2019-04-25 | 2023-01-24 | Watlow Electric Manufacturing Company | Multi-zone azimuthal heater |
JP7299756B2 (ja) * | 2019-05-24 | 2023-06-28 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置 |
JP7292115B2 (ja) * | 2019-06-07 | 2023-06-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度調整装置及び温度制御方法。 |
JP7566795B2 (ja) | 2019-06-07 | 2024-10-15 | ワトロー エレクトリック マニュファクチュアリング カンパニー | 電気ヒーターを操作する制御システムを較正するためのシステムおよび方法 |
US11533783B2 (en) * | 2019-07-18 | 2022-12-20 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone heater model-based control in semiconductor manufacturing |
US11515190B2 (en) * | 2019-08-27 | 2022-11-29 | Watlow Electric Manufacturing Company | Thermal diffuser for a semiconductor wafer holder |
KR102612972B1 (ko) * | 2019-10-11 | 2023-12-13 | 한온시스템 주식회사 | 냉각수 히터 및 냉각수 히터의 전류를 측정하기 위한 방법 |
CN110940695B (zh) * | 2019-11-28 | 2022-04-26 | 航天特种材料及工艺技术研究所 | 一种热量汇聚装置 |
DE102020000642A1 (de) * | 2019-12-17 | 2021-06-17 | Mahle International Gmbh | Elektrische Heizeinrichtung und Verfahren zum Betreiben der elektrischen Heizeinrichtung |
US12022749B2 (en) | 2020-03-04 | 2024-06-25 | International Business Machines Corporation | Flux bias line local heating device |
US11937516B2 (en) * | 2020-03-04 | 2024-03-19 | International Business Machines Corporation | Fabrication of a flux bias line local heating device |
US11450546B2 (en) * | 2020-04-09 | 2022-09-20 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate support with internal channels |
US11551951B2 (en) * | 2020-05-05 | 2023-01-10 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems for temperature control for a substrate |
KR102440415B1 (ko) * | 2020-05-07 | 2022-09-13 | 주식회사 유진테크 | 다구역 온도 제어를 위한 기판 지지 어셈블리 및 그 기판 지지 어셈블리를 포함하는 플라즈마 프로세싱 시스템 |
WO2021236812A1 (en) * | 2020-05-19 | 2021-11-25 | Watlow Electric Manufacturing Company | Passive and active calibration methods for a resistive heater |
JP2022016045A (ja) * | 2020-07-10 | 2022-01-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台装置及び基板処理装置 |
KR102578703B1 (ko) * | 2020-11-24 | 2023-09-18 | 세메스 주식회사 | 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 온도 제어 방법 |
KR102287443B1 (ko) * | 2020-12-22 | 2021-08-09 | 주식회사 오토콘시스템 | 정전척 히터의 온도 제어 시스템 |
WO2022147241A1 (en) * | 2020-12-31 | 2022-07-07 | Delta Design, Inc. | Integrated circuit testing device with coupled control of thermal system |
US20220248500A1 (en) * | 2021-02-04 | 2022-08-04 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone heater control for wafer processing equipment |
CN112986983B (zh) * | 2021-02-06 | 2023-12-19 | 中国人民解放军国防科技大学 | 一种全息穿透成像雷达杂波抑制方法 |
KR102695408B1 (ko) * | 2021-02-26 | 2024-08-16 | 세메스 주식회사 | 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20220127171A (ko) | 2021-03-10 | 2022-09-19 | 와틀로 일렉트릭 매뉴팩츄어링 컴파니 | 구역들 내부에서 가변 출력을 가지는 히터 번들 |
KR20220127170A (ko) | 2021-03-10 | 2022-09-19 | 와틀로 일렉트릭 매뉴팩츄어링 컴파니 | 열구배 보상을 위한 히터 번들 |
KR20220127173A (ko) | 2021-03-10 | 2022-09-19 | 와틀로 일렉트릭 매뉴팩츄어링 컴파니 | 로컬 파워 스위치를 가진 히터 번들 |
KR20220127174A (ko) | 2021-03-10 | 2022-09-19 | 와틀로 일렉트릭 매뉴팩츄어링 컴파니 | 열적 그래디언트 보상을 위한 가상 감지를 가진 히트 번들 |
KR102654892B1 (ko) * | 2021-07-28 | 2024-04-05 | 세메스 주식회사 | 지지 유닛, 가열 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR102654890B1 (ko) * | 2021-08-27 | 2024-04-05 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 발열체의 온도 제어 방법 |
JP2023146610A (ja) | 2022-03-29 | 2023-10-12 | Toto株式会社 | 静電チャック |
WO2023235492A1 (en) * | 2022-06-01 | 2023-12-07 | Ignik Outdoors, Inc. | A system and method for controlling a portable heated product |
WO2024048273A1 (ja) * | 2022-08-29 | 2024-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、及び温度測定方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3752956A (en) * | 1972-05-03 | 1973-08-14 | Du Pont | Electrical resistance heating control circuit |
EP1303168A1 (en) * | 2001-10-12 | 2003-04-16 | Whirlpool Corporation | Cooking hob with discrete distributed heating elements |
US20100098855A1 (en) * | 2008-10-17 | 2010-04-22 | Inotera Memories, Inc. | Furnace temperature control method for thermal budget balance |
EP2203028A1 (en) * | 2008-12-26 | 2010-06-30 | Omron Co., Ltd. | Wiring structure, heater driving device, measuring device, and control system |
CN101876683A (zh) * | 2009-04-29 | 2010-11-03 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 测试半导体器件的方法和系统 |
US20110092072A1 (en) * | 2009-10-21 | 2011-04-21 | Lam Research Corporation | Heating plate with planar heating zones for semiconductor processing |
Family Cites Families (158)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1631484A (en) * | 1925-03-30 | 1927-06-07 | Hudson Heating Systems Inc | Electric heater |
US2008541A (en) * | 1933-02-28 | 1935-07-16 | Drury T Boyd | Electric heating device |
US2108964A (en) * | 1936-02-03 | 1938-02-22 | Nestle Lemur Company | Electrical circuit for hair waving machines |
US2237808A (en) * | 1939-09-07 | 1941-04-08 | Edison General Elec Appliance | Water heater and control therefor |
GB1256694A (zh) * | 1968-03-18 | 1971-12-15 | ||
US3659155A (en) * | 1969-03-03 | 1972-04-25 | Robertshaw Controls Co | Current sensing apparatus |
US3584291A (en) * | 1969-07-30 | 1971-06-08 | Powers Regulator Co | Proportional electric heat control system |
US3745308A (en) * | 1971-07-01 | 1973-07-10 | Heinemann Electric Co | Temperature control circuits |
US3774151A (en) * | 1971-09-02 | 1973-11-20 | Allied Chem | Diagnostic firing circuit adapted for use with inflatable restraint systems in vehicles |
SE373963B (zh) * | 1973-06-14 | 1975-02-17 | Janson Sven Olof | |
US3953711A (en) * | 1973-11-06 | 1976-04-27 | E.G.O. Elektro-Geraete Blanc Und Fischer | Cooking units |
SE7806238L (sv) * | 1977-07-02 | 1979-01-03 | Fischer Karl | Elektriskt stralningsvermeelement, serskilt for glaskeramikkokhell |
US4316078A (en) * | 1978-01-09 | 1982-02-16 | Sweetheart Plastics, Inc. | Food serving system |
DE2844650A1 (de) * | 1978-10-13 | 1980-04-17 | Schickedanz Willi | Brotroester |
US4320285A (en) * | 1979-05-10 | 1982-03-16 | Koether Bernard G | Primary thermostat using cooking computer temperature probe with control transfer upon probe failure |
US4339649A (en) * | 1980-06-03 | 1982-07-13 | Emhart Industries, Inc. | Apparatus and method for R-C time constant circuit |
JPS58145084A (ja) * | 1981-09-18 | 1983-08-29 | 国際技術開発株式会社 | 発熱体の温度制御方式 |
DE3204598A1 (de) * | 1982-02-10 | 1983-08-18 | Bosch Siemens Hausgeraete | Schaltungsanordnung fuer heizungselemente in kochherdmulden |
DE3303449A1 (de) * | 1983-02-02 | 1984-08-02 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Schutzeinrichtung fuer eine supraleitende magnetspulenanordnung |
US4748445A (en) * | 1983-07-13 | 1988-05-31 | Citizen Watch Co., Ltd. | Matrix display panel having a diode ring structure as a resistive element |
EP0176027B1 (de) * | 1984-09-22 | 1989-02-01 | E.G.O. Elektro-Geräte Blanc u. Fischer | Strahlheizkörper für Kochgeräte |
EP0205669B1 (en) * | 1985-06-18 | 1990-04-04 | Agfa-Gevaert N.V. | Electric heating circuit |
US4713525A (en) * | 1986-07-23 | 1987-12-15 | Kowah, Inc. | Microcomputer controlled instant electric water heating and delivery system |
JP2659363B2 (ja) * | 1986-09-09 | 1997-09-30 | 三菱電機株式会社 | 緊急消磁装置付き超電導マグネツト装置 |
JP2587233B2 (ja) | 1987-04-24 | 1997-03-05 | 四国化工機株式会社 | 焼印装置 |
US5103367A (en) * | 1987-05-06 | 1992-04-07 | Unisearch Limited | Electrostatic chuck using A.C. field excitation |
JP2779950B2 (ja) * | 1989-04-25 | 1998-07-23 | 東陶機器株式会社 | 静電チャックの電圧印加方法および電圧印加装置 |
US5001594A (en) * | 1989-09-06 | 1991-03-19 | Mcnc | Electrostatic handling device |
US5105067A (en) * | 1989-09-08 | 1992-04-14 | Environwear, Inc. | Electronic control system and method for cold weather garment |
US5023430A (en) * | 1989-09-08 | 1991-06-11 | Environwear, Inc. | Hybrid electronic control system and method for cold weather garment |
US5280422A (en) * | 1990-11-05 | 1994-01-18 | Watlow/Winona, Inc. | Method and apparatus for calibrating and controlling multiple heaters |
US5446576A (en) * | 1990-11-26 | 1995-08-29 | Donnelly Corporation | Electrochromic mirror for vehicles with illumination and heating control |
US5325261A (en) * | 1991-05-17 | 1994-06-28 | Unisearch Limited | Electrostatic chuck with improved release |
US5280434A (en) * | 1991-07-01 | 1994-01-18 | Thermoforming Technologies, Inc. | Heating system for thermoforming |
JPH05326112A (ja) * | 1992-05-21 | 1993-12-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 複層セラミックスヒーター |
US5684669A (en) * | 1995-06-07 | 1997-11-04 | Applied Materials, Inc. | Method for dechucking a workpiece from an electrostatic chuck |
US5493101A (en) * | 1993-12-15 | 1996-02-20 | Eaton Corporation | Positive temperature coefficient transition sensor |
JP2651793B2 (ja) * | 1993-12-20 | 1997-09-10 | 坂口電熱株式会社 | セラミックファイバーヒーター |
JPH07199722A (ja) * | 1993-12-29 | 1995-08-04 | Nippon Dennetsu Co Ltd | 抵抗変化を利用した温度制御装置 |
US5459632A (en) * | 1994-03-07 | 1995-10-17 | Applied Materials, Inc. | Releasing a workpiece from an electrostatic chuck |
IT1281843B1 (it) † | 1995-01-25 | 1998-03-03 | Meneghetti Ampelio & C S N C | Dispositivo di controllo particolarmente per fornelli ad induzione multipiastra |
JP3364063B2 (ja) * | 1995-08-25 | 2003-01-08 | 本田技研工業株式会社 | 車輌の電気負荷異常検出装置 |
US5796074A (en) * | 1995-11-28 | 1998-08-18 | Applied Materials, Inc. | Wafer heater assembly |
JPH09270454A (ja) * | 1996-04-01 | 1997-10-14 | Kyocera Corp | ウエハ保持装置 |
AT1469U1 (de) | 1996-04-10 | 1997-05-26 | E & E Elektronik Gmbh | Verfahren zum ermitteln der absoluten luftfeuchtigkeit |
US6108189A (en) * | 1996-04-26 | 2000-08-22 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having improved gas conduits |
JPH09326555A (ja) * | 1996-06-05 | 1997-12-16 | Nippon Avionics Co Ltd | 接合装置 |
US5802856A (en) | 1996-07-31 | 1998-09-08 | Stanford University | Multizone bake/chill thermal cycling module |
EP0827187A3 (en) | 1996-08-26 | 2004-01-07 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cooling a workpiece using an electrostatic chuck |
DE19650038A1 (de) * | 1996-12-03 | 1998-06-04 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum Betreiben eines Widerstandsheizelementes und Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens |
JP3502233B2 (ja) * | 1997-03-10 | 2004-03-02 | シャープ株式会社 | ヒーター制御装置 |
JP3437410B2 (ja) * | 1997-06-02 | 2003-08-18 | シャープ株式会社 | ヒータ制御装置 |
JPH11111823A (ja) * | 1997-10-06 | 1999-04-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板熱処理装置 |
ES2184336T3 (es) * | 1997-11-07 | 2003-04-01 | Shell Oil Co | Control de elementos calentadores. |
US5880924A (en) * | 1997-12-01 | 1999-03-09 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck capable of rapidly dechucking a substrate |
US6342997B1 (en) * | 1998-02-11 | 2002-01-29 | Therm-O-Disc, Incorporated | High sensitivity diode temperature sensor with adjustable current source |
US6073577A (en) | 1998-06-30 | 2000-06-13 | Lam Research Corporation | Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof |
US7218503B2 (en) * | 1998-09-30 | 2007-05-15 | Lam Research Corporation | Method of determining the correct average bias compensation voltage during a plasma process |
US6361645B1 (en) * | 1998-10-08 | 2002-03-26 | Lam Research Corporation | Method and device for compensating wafer bias in a plasma processing chamber |
JP4040814B2 (ja) * | 1998-11-30 | 2008-01-30 | 株式会社小松製作所 | 円盤状ヒータ及び温度制御装置 |
JP2000235886A (ja) * | 1998-12-14 | 2000-08-29 | Tokyo Electron Ltd | 加熱手段の温度制御装置および温度制御方法 |
US6490146B2 (en) * | 1999-05-07 | 2002-12-03 | Applied Materials Inc. | Electrostatic chuck bonded to base with a bond layer and method |
US20020036881A1 (en) * | 1999-05-07 | 2002-03-28 | Shamouil Shamouilian | Electrostatic chuck having composite base and method |
JP2001059694A (ja) | 1999-08-20 | 2001-03-06 | Zexel Valeo Climate Control Corp | 熱交換器 |
DE60045384D1 (de) | 1999-09-29 | 2011-01-27 | Tokyo Electron Ltd | Mehrzonenwiderstandsheizung |
JP2001126851A (ja) | 1999-10-26 | 2001-05-11 | Keihin Sokki Kk | 半導体ウエハーにおけるヒータ装置およびその製造方法 |
EP1383167A1 (en) * | 1999-12-09 | 2004-01-21 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic plate for semiconductor producing/inspecting apparatus |
US6307728B1 (en) * | 2000-01-21 | 2001-10-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for dechucking a workpiece from an electrostatic chuck |
US6444957B1 (en) * | 2000-04-26 | 2002-09-03 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd | Heating apparatus |
US6737301B2 (en) * | 2000-07-13 | 2004-05-18 | Isothermal Systems Research, Inc. | Power semiconductor switching devices, power converters, integrated circuit assemblies, integrated circuitry, power current switching methods, methods of forming a power semiconductor switching device, power conversion methods, power semiconductor switching device packaging methods, and methods of forming a power transistor |
JP4415467B2 (ja) * | 2000-09-06 | 2010-02-17 | 株式会社日立製作所 | 画像表示装置 |
US6632523B1 (en) * | 2000-09-28 | 2003-10-14 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Low temperature bonding adhesive composition |
US6581275B2 (en) * | 2001-01-22 | 2003-06-24 | Applied Materials Inc. | Fabricating an electrostatic chuck having plasma resistant gas conduits |
US6508062B2 (en) * | 2001-01-31 | 2003-01-21 | Applied Materials, Inc. | Thermal exchanger for a wafer chuck |
US20050211385A1 (en) * | 2001-04-30 | 2005-09-29 | Lam Research Corporation, A Delaware Corporation | Method and apparatus for controlling spatial temperature distribution |
JP3713220B2 (ja) * | 2001-06-15 | 2005-11-09 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミックヒータ |
KR100431658B1 (ko) | 2001-10-05 | 2004-05-17 | 삼성전자주식회사 | 기판 가열 장치 및 이를 갖는 장치 |
JP3856293B2 (ja) * | 2001-10-17 | 2006-12-13 | 日本碍子株式会社 | 加熱装置 |
JP3982674B2 (ja) * | 2001-11-19 | 2007-09-26 | 日本碍子株式会社 | セラミックヒーター、その製造方法および半導体製造装置用加熱装置 |
JP4161013B2 (ja) * | 2001-11-30 | 2008-10-08 | エヌエックスピー ビー ヴィ | 変調された信号の少なくとも1つの特徴信号値を調節する調節手段を有する回路を含むデバイス |
US20050016986A1 (en) * | 2001-11-30 | 2005-01-27 | Yasutaka Ito | Ceramic heater |
DE10392293T5 (de) | 2002-02-15 | 2005-09-22 | Lm Glasfiber A/S | Verfahren und Vorrichtung zum Erfassen des Vorhandenseins von Polymer in einem Windturbinenblatt |
JP2003258065A (ja) | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Kyocera Corp | ウエハ載置ステージ |
JP2005522834A (ja) | 2002-04-10 | 2005-07-28 | フレックスコン・カンパニー・インコーポレーテッド | 水不感応性エレクトロルミネッセンスデバイス及びその製造方法 |
US7060991B2 (en) | 2002-04-11 | 2006-06-13 | Reilly Thomas L | Method and apparatus for the portable identification of material thickness and defects along uneven surfaces using spatially controlled heat application |
US6884973B2 (en) * | 2002-08-09 | 2005-04-26 | Sunbeam Products, Inc. | Heating pad controller with multiple position switch and diodes |
JP3833974B2 (ja) * | 2002-08-21 | 2006-10-18 | 日本碍子株式会社 | 加熱装置の製造方法 |
JP4323232B2 (ja) * | 2002-12-04 | 2009-09-02 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 静電吸着方法、静電吸着装置及び貼り合せ装置 |
DE60329364D1 (de) * | 2003-01-20 | 2009-11-05 | Whirlpool Co | Elektrokochplatte und Verfahren zur Feststellung die Stelle von darüber geplatzten Koch-Geräten |
KR100890493B1 (ko) * | 2003-04-18 | 2009-03-26 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 반도체 제조 장치 |
JP2005012172A (ja) | 2003-05-23 | 2005-01-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
CN2634776Y (zh) * | 2003-08-12 | 2004-08-18 | 刘键 | 电热毯 |
US7053560B1 (en) * | 2003-11-17 | 2006-05-30 | Dr. Led (Holdings), Inc. | Bi-directional LED-based light |
US7196295B2 (en) * | 2003-11-21 | 2007-03-27 | Watlow Electric Manufacturing Company | Two-wire layered heater system |
US8680443B2 (en) | 2004-01-06 | 2014-03-25 | Watlow Electric Manufacturing Company | Combined material layering technologies for electric heaters |
US7178353B2 (en) | 2004-02-19 | 2007-02-20 | Advanced Thermal Sciences Corp. | Thermal control system and method |
US7697260B2 (en) * | 2004-03-31 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Detachable electrostatic chuck |
JP4761723B2 (ja) * | 2004-04-12 | 2011-08-31 | 日本碍子株式会社 | 基板加熱装置 |
US7116535B2 (en) * | 2004-04-16 | 2006-10-03 | General Electric Company | Methods and apparatus for protecting an MR imaging system |
US7460604B2 (en) * | 2004-06-03 | 2008-12-02 | Silicon Laboratories Inc. | RF isolator for isolating voltage sensing and gate drivers |
JP2005347612A (ja) | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ウェハトレイ及びウェハバーンインユニット、それを用いたウェハレベルバーンイン装置並びに半導体ウェハの温度制御方法 |
US8071916B2 (en) * | 2004-06-28 | 2011-12-06 | Kyocera Corporation | Wafer heating apparatus and semiconductor manufacturing apparatus |
US20060000551A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Saldana Miguel A | Methods and apparatus for optimal temperature control in a plasma processing system |
JP4319602B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2009-08-26 | 株式会社日立製作所 | クエンチ保護回路を備える超電導マグネット装置 |
US7544251B2 (en) * | 2004-10-07 | 2009-06-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling temperature of a substrate |
US8038796B2 (en) | 2004-12-30 | 2011-10-18 | Lam Research Corporation | Apparatus for spatial and temporal control of temperature on a substrate |
US7126092B2 (en) * | 2005-01-13 | 2006-10-24 | Watlow Electric Manufacturing Company | Heater for wafer processing and methods of operating and manufacturing the same |
US8183504B2 (en) * | 2005-03-28 | 2012-05-22 | Tyco Electronics Corporation | Surface mount multi-layer electrical circuit protection device with active element between PPTC layers |
US7332692B2 (en) * | 2005-05-06 | 2008-02-19 | Illinois Tool Works Inc. | Redundant control circuit for hot melt adhesive assembly heater circuits and temperature sensors |
US7287902B2 (en) | 2005-06-07 | 2007-10-30 | The Boeing Company | Systems and methods for thermographic inspection of composite structures |
US20060289447A1 (en) | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Mohamed Zakaria A | Heating chuck assembly |
EP1900253B1 (en) * | 2005-06-29 | 2013-07-31 | Watlow Electric Manufacturing Company | Smart layered heater surfaces |
JP4763380B2 (ja) * | 2005-08-25 | 2011-08-31 | 株式会社アルバック | 吸着装置の製造方法 |
US7551960B2 (en) * | 2005-09-08 | 2009-06-23 | Medtronic, Inc. | External presentation of electrical stimulation parameters |
US20080260583A1 (en) * | 2005-09-23 | 2008-10-23 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Micro-Fluidic Device Based Upon Active Matrix Principles |
US8519566B2 (en) * | 2006-03-28 | 2013-08-27 | Wireless Environment, Llc | Remote switch sensing in lighting devices |
US7669426B2 (en) * | 2006-05-11 | 2010-03-02 | Bio-Rad Laboratories, Inc. | Shared switching for multiple loads |
WO2007132881A1 (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-22 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | 研磨パッド固定用両面テープ |
NL1031878C2 (nl) | 2006-05-24 | 2007-11-27 | Netherlands Inst For Metals Re | Niet-destructief onderzoek. |
JP2007317772A (ja) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 静電チャック装置 |
JP2007329008A (ja) | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Tokyo Electron Ltd | 熱板及びその製造方法 |
US7501605B2 (en) * | 2006-08-29 | 2009-03-10 | Lam Research Corporation | Method of tuning thermal conductivity of electrostatic chuck support assembly |
US7901509B2 (en) * | 2006-09-19 | 2011-03-08 | Momentive Performance Materials Inc. | Heating apparatus with enhanced thermal uniformity and method for making thereof |
JP2008085283A (ja) | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Momentive Performance Materials Inc | 熱均一性が強化された加熱装置及びその製造方法 |
US7445446B2 (en) * | 2006-09-29 | 2008-11-04 | Tokyo Electron Limited | Method for in-line monitoring and controlling in heat-treating of resist coated wafers |
JP2008118052A (ja) | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 基板加熱装置 |
TW200836625A (en) | 2007-03-13 | 2008-09-16 | Otsuka Pharma Co Ltd | Evaluation method for tissue-preserving liquid |
CN101269790B (zh) | 2007-03-21 | 2010-08-25 | 台达电子工业股份有限公司 | 微机电元件及其制造方法 |
US8049112B2 (en) * | 2007-04-13 | 2011-11-01 | 3M Innovative Properties Company | Flexible circuit with cover layer |
JP4898556B2 (ja) | 2007-05-23 | 2012-03-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP2009054932A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 静電チャック |
JP2009087928A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
US8680440B2 (en) * | 2007-09-14 | 2014-03-25 | T-Ink, Inc. | Control circuit for controlling heating element power |
US9533006B2 (en) * | 2007-11-19 | 2017-01-03 | University Of Washington | Marine coatings |
WO2009086013A2 (en) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling temperature of a substrate |
JP5426892B2 (ja) * | 2008-02-08 | 2014-02-26 | 日本碍子株式会社 | 基板加熱装置 |
US8092637B2 (en) * | 2008-02-28 | 2012-01-10 | Hitachi High-Technologies Corporation | Manufacturing method in plasma processing apparatus |
CN101572850A (zh) * | 2008-04-11 | 2009-11-04 | 王文 | 在低温下制作的带应力释放膜的电容式麦克风及其制作方法 |
JP5163349B2 (ja) | 2008-08-01 | 2013-03-13 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
JP5037465B2 (ja) † | 2008-09-12 | 2012-09-26 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | グロープラグ制御装置、制御方法及びコンピュータプログラム |
US8532832B2 (en) | 2008-09-23 | 2013-09-10 | Be Aerospace, Inc. | Method and apparatus for thermal exchange with two-phase media |
CN102217054B (zh) | 2008-11-25 | 2013-05-08 | 京瓷株式会社 | 晶片加热装置、静电卡盘以及晶片加热装置的制造方法 |
JP5185790B2 (ja) * | 2008-11-27 | 2013-04-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP5250408B2 (ja) * | 2008-12-24 | 2013-07-31 | 新光電気工業株式会社 | 基板温調固定装置 |
US8092000B2 (en) * | 2009-01-19 | 2012-01-10 | Xerox Corporation | Heat element configuration for a reservoir heater |
JP5734834B2 (ja) * | 2009-02-20 | 2015-06-17 | 日本碍子株式会社 | セラミックス−金属接合体の製法 |
US7956653B1 (en) * | 2009-05-04 | 2011-06-07 | Supertex, Inc. | Complementary high voltage switched current source integrated circuit |
US8785821B2 (en) * | 2009-07-06 | 2014-07-22 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus with heater element held by vacuum |
CN101662888B (zh) * | 2009-09-28 | 2011-02-16 | 深南电路有限公司 | 带有阶梯槽的pcb板的制备方法 |
CA2777870A1 (en) * | 2009-10-22 | 2011-04-28 | Datec Coating Corporation | Method of melt bonding high-temperature thermoplastic based heating element to a substrate |
JP6066728B2 (ja) * | 2009-12-15 | 2017-01-25 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | Cdの均一性を向上させるための基板温度調整を行う方法及びプラズマエッチングシステム |
ES2388303B1 (es) † | 2010-03-03 | 2013-08-23 | BSH Electrodomésticos España S.A. | Encimera de cocción con al menos una zona de cocción, y procedimiento para accionar una encimera de cocción. |
US8791392B2 (en) * | 2010-10-22 | 2014-07-29 | Lam Research Corporation | Methods of fault detection for multiplexed heater array |
US8546732B2 (en) * | 2010-11-10 | 2013-10-01 | Lam Research Corporation | Heating plate with planar heater zones for semiconductor processing |
EP2752083A1 (en) † | 2011-08-30 | 2014-07-09 | Watlow Electric Manufacturing Company | System and method for controlling a thermal array |
US9324589B2 (en) * | 2012-02-28 | 2016-04-26 | Lam Research Corporation | Multiplexed heater array using AC drive for semiconductor processing |
US8809747B2 (en) * | 2012-04-13 | 2014-08-19 | Lam Research Corporation | Current peak spreading schemes for multiplexed heated array |
US20150016083A1 (en) * | 2013-07-05 | 2015-01-15 | Stephen P. Nootens | Thermocompression bonding apparatus and method |
-
2012
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2014
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2016
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2017
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-
2018
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3752956A (en) * | 1972-05-03 | 1973-08-14 | Du Pont | Electrical resistance heating control circuit |
EP1303168A1 (en) * | 2001-10-12 | 2003-04-16 | Whirlpool Corporation | Cooking hob with discrete distributed heating elements |
US20100098855A1 (en) * | 2008-10-17 | 2010-04-22 | Inotera Memories, Inc. | Furnace temperature control method for thermal budget balance |
EP2203028A1 (en) * | 2008-12-26 | 2010-06-30 | Omron Co., Ltd. | Wiring structure, heater driving device, measuring device, and control system |
CN101876683A (zh) * | 2009-04-29 | 2010-11-03 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 测试半导体器件的方法和系统 |
US20110092072A1 (en) * | 2009-10-21 | 2011-04-21 | Lam Research Corporation | Heating plate with planar heating zones for semiconductor processing |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111372336A (zh) * | 2020-03-25 | 2020-07-03 | 广州智慧医疗科技有限公司 | 一种红外电热膜及其制备方法 |
CN111372336B (zh) * | 2020-03-25 | 2021-10-26 | 广州智慧医疗科技有限公司 | 一种红外电热膜及其制备方法 |
CN114496692A (zh) * | 2020-11-11 | 2022-05-13 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 加热组件、基片承载组件及其等离子体处理装置 |
CN114496692B (zh) * | 2020-11-11 | 2024-03-12 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 加热组件、基片承载组件及其等离子体处理装置 |
CN114647262A (zh) * | 2020-12-21 | 2022-06-21 | 细美事有限公司 | 温度调节装置 |
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