JP2000235886A - 加熱手段の温度制御装置および温度制御方法 - Google Patents

加熱手段の温度制御装置および温度制御方法

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JP2000235886A
JP2000235886A JP11340059A JP34005999A JP2000235886A JP 2000235886 A JP2000235886 A JP 2000235886A JP 11340059 A JP11340059 A JP 11340059A JP 34005999 A JP34005999 A JP 34005999A JP 2000235886 A JP2000235886 A JP 2000235886A
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heating means
power
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heating
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Shigeru Kasai
河西　　繁
Naoto Ikeda
直人 池田
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Tokyo Electron Ltd
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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05B1/0227—Applications
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    • G05D23/303—Automatic controllers with an auxiliary heating device affecting the sensing element, e.g. for anticipating change of temperature using a sensing element having a resistance varying with temperature, e.g. thermistor
    • G05D23/306—Automatic controllers with an auxiliary heating device affecting the sensing element, e.g. for anticipating change of temperature using a sensing element having a resistance varying with temperature, e.g. thermistor using semiconductor devices

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ヒータを厳密に温度制御することが可能な加
熱手段の温度制御装置および温度制御方法を提供する。 【解決手段】 ＣＶＤ装置１００の処理室１０２壁部に
は，第１〜第４カートリッジヒータ１４６，１４８，１
５０，１５２が内装される。各ヒータは，温度上昇に比
例して抵抗値が大きくなる。ヒータ制御装置１６０は，
各ヒータの電流値と電圧値からヒータ抵抗値を求める。
また，ヒータ制御装置１６０は，設定温度に基づく基準
抵抗値を温度センサ２５０の検出温度に基づく補正値で
補正し，補正された基準抵抗値に各ヒータの温度分布定
数を乗算して目標抵抗値を求める。ヒータ制御装置１６
０は，各ヒータ抵抗値が目標抵抗値に追従するように，
各ヒータへ供給する交流電力の位相を適宜制御する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，加熱手段の温度制
御装置および温度制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程では，ヒータを備
えた各種半導体製造装置が使用されている。例えば，熱
ＣＶＤ（成膜）装置には，処理室壁部や，半導体ウェハ
（以下，「ウェハ」と称する。）の載置台などにヒータ
が設けられている。従って，熱ＣＶＤ装置では，上記ヒ
ータによって処理室壁部や載置台を所定温度に加熱した
後に，成膜処理を行っている。また，ヒータの温度制御
は，温度制御装置によって行われている。該温度制御装
置は，設定温度と感熱（温度）センサにより検出された
ヒータの温度とを比較する。そして，温度制御装置は，
両温度が略同一になるように，ヒータに供給する電力を
スイッチングによりオン・オフ制御し，ヒータの発熱量
を調整する。また，温度制御装置には，インターロック
用の感熱センサ（以下，「インターロックセンサ」とい
う。）が接続されている。温度制御装置は，該インター
ロックセンサで検出されたヒータの温度が，温度制御装
置に設定された上限温度以上になると，ヒータへの電力
の供給を停止する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上記従
来の技術では，１つのヒータに対して感熱センサとイン
ターロックセンサとを各々１つずつ備える必要がある。
このため，複数のヒータを設ける場合には，ヒータ数に
比例して各センサ数と，各センサと温度制御装置とを接
続する配線数も増加する。その結果，上記従来技術で
は，各センサを設ける分だけイニシャルコストが増加す
るという問題点がある。
【０００４】また，上記従来技術では，各センサや各配
線の点検，検査が煩雑になってメンテナンス性が低下す
るという問題点がある。
【０００５】また，上記従来技術では，各センサや各配
線が増える分だけ装置が大型化する。このため，上記Ｃ
ＶＤ装置などのクリーンルーム内に配される装置を小型
化するという技術的要求にも応えることができないとい
う問題点もある。
【０００６】また，上記従来技術では，ヒータの温度を
直接検出することができない。このため，ヒータの温度
を正確に把握することができず，ヒータの温度制御が不
安定になるという問題点がある。
【０００７】さらに，上記従来の技術では，一つの部材
を複数のヒータで加熱する場合でも，ヒータの配された
場所に関係なく各ヒータの温度を略同一に維持する。こ
のため，ヒータから生じた熱が相互に干渉してしまい，
部材の温度を均一に保つことができないという問題点が
ある。
【０００８】さらに，上記従来の技術では，一定電力を
オン・オフしてヒータに供給することによりヒータ温度
を調整する。このため，ヒータの温度が電力のオン時と
オフ時で大きく変化してヒータ温度を一定に維持するこ
とができず，厳密な温度制御を行うことができないとい
う問題点がある。
【０００９】本発明は，従来の技術が有する上記問題点
に鑑みてなされたものである。そして，本発明の目的
は，上記問題点およびその他の問題点を解決することが
可能な，新規かつ改良された加熱手段の温度制御装置お
よび温度制御方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，本発明の第１の観点によれば，請求項１に記載の発
明のように，被加熱体を加熱する加熱手段の温度制御装
置であって，温度上昇に伴って抵抗値が増加する２以上
の加熱手段と，被加熱体の温度を検出する少なくとも１
の温度検出手段と，被加熱体の設定温度から求められる
基準抵抗値を温度検出手段の検出温度から求められる補
正値で補正し，補正された基準抵抗値に各加熱手段ごと
に予め求められている被加熱体の温度分布を調整する温
度分布定数を乗算し，各加熱手段の目標抵抗値を求める
目標抵抗値演算手段と，各加熱手段に印加されている電
圧に基づく帰還電圧値と，各加熱手段を流れている電流
に基づく帰還電流値から，各加熱手段の実抵抗値を求め
る実抵抗値演算手段と，各加熱手段の実抵抗値が目標抵
抗値に追従するように，各加熱手段に印加する電力を制
御する電力制御手段と，を有することを特徴とする加熱
手段の温度制御装置が提供される。
【００１１】本発明によれば，温度上昇に比例して抵抗
値が増加する加熱手段が採用されている。このため，加
熱手段から得られる帰還（フィードバック）電圧値と帰
還電流値から求められる実抵抗値に基づき，加熱手段の
温度を求めることができる。その結果，加熱手段の温度
を検出する温度検出手段，および温度検出手段と温度制
御器とを接続する配線などの接続手段を各加熱手段ごと
に設ける必要がない。このため，複数の加熱手段により
被加熱体を加熱する場合でも，イニシャルコストの抑
制，およびメンテナンスの容易化を図ることができる。
さらに，加熱手段の温度を直接検出することができるの
で，加熱手段の温度制御を正確かつ安定して行うことが
できる。
【００１２】また，本発明によれば，各加熱手段を制御
する際の基準値である基準抵抗値を，温度検出手段の検
出温度から求められる補正値で補正する。かかる構成に
より，各加熱手段を設定温度とともに実際の被加熱体の
温度にも基づいて制御できる。その結果，各加熱手段を
より厳密に温度制御でき，被加熱体の温度を設定温度に
より近づけることができる。また，本発明によれば，補
正された基準抵抗値に，被加熱体の温度分布を調整する
温度分布定数を乗算して目標抵抗値を求める。かかる目
標抵抗値を採用すれば，被加熱体の各部分の温度状態に
応じて加熱手段の温度を調整できる。このため，被加熱
体の温度をより均一に維持することができる。さらに，
かかる構成により，各加熱手段の温度比を被加熱体全体
の温度が均一になるように調整できる。このため，被加
熱体の温度管理を正確に行うことができる。また，各加
熱手段の実抵抗値は，実抵抗値演算手段により算出され
る。このため，各実抵抗値の変化を，各加熱手段の温度
変化とほぼ同時に求めることができる。その結果，各加
熱手段の応答性を向上させることができる。
【００１３】さらに，電力制御手段として，例えば請求
項２に記載の発明のように，各加熱手段に印加する電力
を位相制御する位相制御手段を採用することが好まし
い。かかる構成によれば，加熱手段に印加する交流電力
の位相を適宜変化させることにより，加熱手段の温度を
調整できる。このため，加熱手段の制御を，電力をスイ
ッチなどの断続手段によりオン・オフする場合よりもき
め細かく行うことができる。その結果，被加熱体の温度
を安定させることができる。
【００１４】さらに，位相制御手段において，例えば請
求項３に記載の発明のように，実抵抗値が目標抵抗値よ
りも小さい場合には，電力の印加時間を増加させ，実抵
抗値が目標抵抗値と実質的に同一の場合には，電力の印
加時間を維持させると共に，実抵抗値が目標抵抗値より
も大きい場合には，電力の印加時間を減少させることが
好ましい。かかる構成によれば，加熱手段の温度を迅速
かつ確実に調整することができる。
【００１５】さらに，電力制御手段として，例えば請求
項４に記載の発明のように，各加熱手段に印加する電力
を零クロス制御する零クロス制御手段を採用することが
好ましい。かかる構成によれば，電力のオンまたはオフ
を電圧が零点の時に行うので，電力にノイズが発生し難
い。その結果，各加熱手段に電力を安定して供給でき，
各加熱手段の温度をより安定させることができる。
【００１６】さらに，電力制御手段として，例えば請求
項５に記載の発明のように，各加熱手段に印加する電力
をリニア制御するリニア制御手段を採用することが好ま
しい。かかる構成によれば，電力を連続的に制御でき
る。このため，各加熱手段の制御性を高めることができ
る。さらに，電力にノイズが発生し難いので，温度制御
を安定して行うことができる。
【００１７】さらに，電力制御手段に，例えば請求項６
に記載の発明のように，実抵抗値が上限抵抗値よりも大
きくなった場合または下限抵抗値よりも小さくなった場
合に，加熱手段への前記電力の供給を停止する電力供給
停止手段を接続することが好ましい。かかる構成によれ
ば，上記各抵抗値から加熱手段等の異常を判断すること
ができる。このため，温度異常を検出する温度検出手段
および該温度検出手段と温度制御装置とを接続する配線
が不要になる。その結果，イニシャルコストの軽減およ
びメンテナンス性の向上をさらに図ることができる。
【００１８】さらに，本発明は，例えば請求項７に記載
の発明のように，被加熱体が半導体製造装置類を構成す
る部材である場合に，特に優れた効果を奏することがで
きる。半導体装置の製造工程では，半導体装置の超微細
化および超高集積化に伴って，より厳密な温度制御が求
められている。従って，加熱が必要な上記部材の温度制
御に本発明を採用すれば，より高精度の温度制御が可能
となる。また，半導体製造装置等は，クリーンルーム内
に配されることが多い。従って，上記加熱手段および温
度制御装置を半導体製造装置等に採用すれば，各種温度
検出手段や接続手段を少なくできる分だけ，装置を小型
化することができる。このため，クリーンルーム内の空
間を有効利用，あるいはクリーンルームの小型化を図る
ことができる。なお，半導体製造装置類には，半導体製
造装置のみならず，半導体製造装置に接続される各種装
置などの半導体製造工程で使用される全ての装置が含ま
れる。
【００１９】また，本発明の第２の観点によれば，請求
項８に記載の発明のように，被加熱体を加熱する加熱手
段の温度制御装置であって，温度上昇に伴って抵抗値が
増加する２以上の加熱手段と，被加熱体の温度を検出す
る少なくとも１の温度検出手段と，被加熱体の設定温度
から求められる基準電圧値を温度検出手段の検出温度か
ら求められる補正値で補正し，補正された基準電圧値に
各加熱手段ごとに予め求められている被加熱体の温度分
布を調整する温度分布定数を乗算し，各加熱手段の目標
電圧値を求める目標電圧値演算手段と，各加熱手段に印
加されている実電圧値を検出する電圧検出手段と，各加
熱手段の実電圧値が目標電圧値に追従するように，各加
熱手段に印加する電力を制御する電力制御手段と，を有
することを特徴とする加熱手段の温度制御装置が提供さ
れる。
【００２０】本発明によれば，各加熱手段を目標電圧値
と実電圧値に基づいて制御する。実電圧値は，加熱手段
に印加されている電圧を検出することにより，演算無し
に求めることができる。このため，実電圧値の演算手段
および演算工程が不要になり，装置構成および制御構成
を簡素化できる。
【００２１】さらに，電力制御手段として，例えば請求
項９に記載の発明のように，上記請求項２に記載の発明
と同様に，各加熱手段に印加する電力を位相制御する位
相制御手段を採用することが好ましい。さらに，位相制
御手段において，例えば請求項１０に記載の発明のよう
に，上記請求項３に記載の発明と同様に，実電圧値が目
標電圧値よりも小さい場合には，電力の印加時間を増加
させ，実電圧値が目標電圧値と実質的に同一の場合に
は，電力の印加時間を維持させると共に，実電圧値が目
標電圧値よりも大きい場合には，電力の印加時間を減少
させることが好ましい。
【００２２】さらに，電力制御手段として，例えば請求
項１１または請求項１２に記載の発明のように，上記請
求項４または請求項５に記載の発明と同様に，各加熱手
段に印加する電力を零クロス制御する零クロス制御手
段，あるいは各加熱手段に印加する電力をリニア制御す
るリニア制御手段を採用することが好ましい。
【００２３】さらに，電力制御手段に，例えば請求項１
３に記載の発明のように，上記請求項６に記載の発明と
同様に，実電圧値が上限電圧値よりも大きくなった場合
または下限電圧値よりも小さくなった場合に，加熱手段
への電力の供給を停止する電力供給停止手段を接続する
ことが好ましい。
【００２４】さらに，本発明は，例えば請求項１４に記
載の発明のように，上記請求項７に記載の発明と同様
に，被加熱体が半導体製造装置類を構成する部材である
場合に適用されることが好ましい。
【００２５】また，本発明の第３の観点によれば，請求
項１５に記載の発明のように，被加熱体を加熱する加熱
手段の温度制御方法であって，被加熱体の設定温度から
求められる基準抵抗値を，少なくとも１の温度検出手段
で検出された被加熱体の検出温度から求められる補正値
で補正する工程と，補正された基準抵抗値に，温度上昇
に伴って抵抗値が増加する２以上の加熱手段ごとに予め
求められている被加熱体の温度分布を調整する温度分布
定数を乗算し，各加熱手段の目標抵抗値を求める工程
と，各加熱手段に印加されている電圧に基づく帰還電圧
値と，各加熱手段を流れている電流に基づく帰還電流値
から，各加熱手段の実抵抗値を求める工程と，各加熱手
段の実抵抗値が目標抵抗値に追従するように，各加熱手
段に印加する電力を制御する工程と，を含むことを特徴
とする加熱手段の温度制御方法が提供される。
【００２６】かかる構成によれば，加熱手段の抵抗値が
加熱手段の温度上昇に対応して増加する。このため，上
記請求項１に記載の発明と同様に，各加熱手段の帰還電
圧値と帰還電流値から求められた各実抵抗値に基づき，
各加熱手段の温度制御を行うことができる。その結果，
各加熱手段の温度管理を的確に行うことができる。ま
た，本発明によれば，上記請求項１に記載の発明と同様
に，基準抵抗値を検出温度に基づき補正する。その結
果，温度制御をより正確に行うことができる。また，目
標抵抗値は，補正された基準抵抗値に温度分布定数を乗
算して求められる。このため，複数の加熱手段により被
加熱体を加熱する場合でも，上記請求項１に記載の発明
と同様に，被加熱体の状態に応じて被加熱体の温度分布
を均一にすることができる。
【００２７】さらに，電力を制御する工程として，例え
ば請求項１６に記載の発明のように，各加熱手段に印加
する電力を位相制御する工程を採用することが好まし
い。かかる構成によれば，上記請求項２に記載の発明と
同様に，加熱手段の温度調整を位相制御により行うこと
ができる。このため，加熱手段の温度を厳密に設定する
ことができる。
【００２８】さらに，電力を位相制御する工程に，例え
ば請求項１７に記載の発明のように，実抵抗値が目標抵
抗値よりも小さい場合には，電力の印加時間を増加させ
る工程と，実抵抗値が目標抵抗値と実質的に同一の場合
には，電力の印加時間を維持する工程と，実抵抗値が目
標抵抗値よりも大きい場合には，電力の印加時間を減少
させる工程とを含めることが好ましい。かかる構成によ
り，上記請求項３に記載の発明と同様に，被加熱体を所
定温度に確実に設定することができる。
【００２９】さらに，電力を制御する工程として，例え
ば請求項１８に記載の発明のように，各加熱手段に印加
する電力を零クロス制御する工程を採用することが好ま
しい。かかる構成によれば，上記請求項４に記載の発明
と同様に，各加熱手段に印加される電力にノイズが入り
難くなる。その結果，所定電力を安定して供給できる。
【００３０】さらに，電力を制御する工程として，例え
ば請求項１９に記載の発明のように，各加熱手段に印加
する電力をリニア制御する工程を採用することが好まし
い。かかる構成によれば，上記請求項５に記載の発明と
同様に，電力を連続的に制御できる。その結果，制御性
の向上を図ることができる。
【００３１】さらに，例えば請求項２０に記載の発明の
ように，実抵抗値が上限抵抗値よりも大きくなった場合
または下限抵抗値よりも小さくなった場合に，加熱手段
への電力の供給を停止する工程を含めることが好まし
い。かかる構成によれば，上記請求項６に記載の発明と
同様に，加熱手段の温度異常を検出する温度検出手段を
設けなくても，実抵抗値から加熱手段の異常を検出でき
る。このため，被加熱体等の損傷を未然に防ぐことがで
きる。
【００３２】さらに，例えば請求項２１に記載の発明の
ように，被加熱体が半導体製造装置類を構成する部材で
あることが好ましい。かかる構成によれば，上記請求項
７に記載の発明と同様に，半導体製造装置類の温度制御
を所望の状態で行うことができる。
【００３３】また，本発明の第４の観点によれば，請求
項２２に記載の発明のように，被加熱体を加熱する加熱
手段の温度制御方法であって，被加熱体の設定温度から
求められる基準電圧値を，少なくとも１の温度検出手段
で検出された被加熱体の検出温度から求められる補正値
で補正する工程と，補正された基準電圧値に，温度上昇
に伴って抵抗値が増加する２以上の加熱手段ごとに予め
求められている被加熱体の温度分布を調整する温度分布
定数を乗算し，各加熱手段の目標電圧値を求める工程
と，各加熱手段に印加されている実電圧値を検出する工
程と，各加熱手段の実電圧値が目標電圧値に追従するよ
うに，各加熱手段に印加する電力を制御する工程と，を
含むことを特徴とする加熱手段の温度制御方法が提供さ
れる。
【００３４】本発明によれば，上記請求項８に記載の発
明と同様に，各加熱手段から検出された実電圧値を用い
て各加熱手段を制御する。このため，実電圧値の演算手
段および演算工程が不要になり，装置構成および制御構
成を簡素化できる。
【００３５】さらに，電力を制御する工程として，例え
ば請求項２３に記載の発明のように，上記請求項１６に
記載の発明と同様に，各加熱手段に印加する電力を位相
制御する工程を採用することが好ましい。さらに，電力
を位相制御する工程に，例えば請求項２４に記載の発明
のように，上記請求項１７に記載の発明と同様に，実電
圧値が目標電圧値よりも小さい場合には，電力の印加時
間を増加させる工程と，実電圧値が目標電圧値と実質的
に同一の場合には，電力の印加時間を維持する工程と，
実電圧値が目標電圧値よりも大きい場合には，電力の印
加時間を減少させる工程とを含ませることが好ましい。
【００３６】さらに，電力を制御する工程として，例え
ば請求項２５または請求項２６に記載の発明のように，
上記請求項１８または請求項１９に記載の発明と同様
に，各加熱手段に印加する電力を零クロス制御する工
程，または各加熱手段に印加する電力をリニア制御する
工程を採用することが好ましい。
【００３７】さらに，例えば請求項２７に記載の発明の
ように，上記請求項２０に記載の発明と同様に，実電圧
値が上限電圧値よりも大きくなった場合または下限電圧
値よりも小さくなった場合に，加熱手段への電力の供給
を停止する工程を含めることが好ましい。
【００３８】さらに，例えば請求項２８に記載の発明の
ように，上記請求項２１に記載の発明と同様に，被加熱
体が半導体製造装置類を構成する部材であることが好ま
しい。
【００３９】
【発明の実施の形態】以下に，添付図面を参照しなが
ら，本発明にかかる加熱手段の温度制御装置および温度
制御方法を熱ＣＶＤ装置に備えられたヒータのヒータ制
御装置およびヒータ制御方法に適用した好適な実施の形
態について説明する。なお，以下の各実施の形態におい
て，略同一の機能および構成を有する構成要素について
は，同一の符号を付することにより重複説明を省略す
る。
【００４０】（第１の実施の形態）本実施の形態は，複
数のヒータを，各ヒータの抵抗値に基づいて温度制御を
行う点に特徴がある。以下，かかる温度制御を行う温度
制御装置および温度制御方法について詳述する。
【００４１】（１）ＣＶＤ装置の構成 まず，図１および図２を参照しながら，本発明を適用可
能なＣＶＤ装置１００の構成について説明する。図１に
示すＣＶＤ装置１００の処理室１０２は，気密な導電性
の処理容器１０４内に形成されている。また，処理容器
１０４は，断熱材１０３によって覆われている。処理室
１０２壁部には，図１および図２に示すように，第１〜
第４カートリッジヒータ１４６，１４８，１５０，１５
２が内装されている。第１〜第４カートリッジヒータ１
４６，１４８，１５０，１５２は，それぞれ略同一に構
成され，各々ヒータ制御装置１６０に接続されている。
また，処理室１０２外壁面には，温度センサ２５０が設
けられている。温度センサ２５０は，ヒータ制御装置１
６０を構成する後述の温度制御器１６４に接続されてい
る。また，温度センサ２５０は，処理室１０２内壁面の
温度を敏感に検出でき，部材の温度が大きく変化する場
所，例えば処理室１０２の床部外壁面に設けられてい
る。
【００４２】また，図１に示すように，処理室１０２内
には，載置台（ステージ）１０６とガス吐出部材１０８
とが対向配置されている。載置台１０６は，ウェハＷを
載置可能に構成されている。また，載置台１０６には，
抵抗ヒータ１１２が内装されている。抵抗ヒータ１１２
には，ヒータ制御装置１１０が接続されている。
【００４３】また，ガス吐出部材１０８には，多数のガ
ス吐出孔１０８ａが形成されている。このため，ガス吐
出部材１０８は，いわゆるシャワーヘッド構造を有して
いる。また，ガス吐出孔１０８ａは，ガス供給管１２０
と処理室１０２とを連通している。また，ガス供給管１
２０には，分岐管１２８と分岐管１３６が接続されてい
る。分岐管１２８には，ガス供給源１２６が流量調整バ
ルブ１２２と開閉バルブ１２４を介して接続されてい
る。また，分岐管１３６には，ガス供給源１３４が流量
調整バルブ１３０と開閉バルブ１３２を介して接続され
ている。また，ガス供給源１２６は，マントルヒータ
（シリコンラバーヒータ）１４０によって覆われてい
る。また，マントルヒータ１４０は，ヒータ制御装置１
３８に接続されている。さらに，分岐管１２８とガス供
給管１２０は，マントルヒータ１４４によって覆われて
いる。また，マントルヒータ１４４には，ヒータ制御装
置１４２が接続されている。また，マントルヒータ１４
０，１４４は，不図示の断熱材に覆われている。
【００４４】また，処理室１０２には，真空ポンプＰ２
５２が排気管１４５を介して接続されている。また，排
気管１４５には，排気量調整バルブ２５４，開閉バルブ
２５６，トラップ２５８が介装されている。トラップ２
５８は，処理室１０２内から排気された液化可能なガス
を液化し，回収可能に構成されている。また，排気管１
４５は，マントルヒータ２６０によって覆われている。
また，マントルヒータ２６０には，ヒータ制御装置２６
２が接続されている。また，マントルヒータ２６０は，
不図示の断熱材で覆われている。
【００４５】次に，図１を参照しながら，ＣＶＤ装置１
００での成膜処理について説明する。まず，ヒータ制御
装置１１０，１３８，１４２，２６２，１６０は，それ
ぞれに対応する抵抗ヒータ１１２，マントルヒータ１４
０，１４４，２６０，第１〜第４カートリッジヒータ１
４６，１４８，１５０，１５２を適宜制御する。かかる
制御により，載置台１０６は，例えば４００℃〜６００
℃に加熱される。また，処理室１０２壁部は，例えば１
５０℃に加熱される。また，ガス供給源１２６は，例え
ば９０℃に加熱される。また，ガス供給管１２８および
排気管１４５は，例えば１５０℃に加熱される。かかる
構成により，ガス供給源１２６内に蓄えられた液体ある
いは固体原料，例えば常温では液体のＴｉＣｌ４（四塩
化チタン）が気化する。さらに，ＴｉＣｌ４は，ガス状
のままでガス供給管１２８等を介して処理室１０２内に
供給可能になる。また，処理室１０２内から排気された
ガスは，液化せずに排気管１４５を通過し，トラップ２
５８内に導入される。
【００４６】次いで，載置台１０６上にウェハＷを載置
する。また，処理室１０２内には，ガス供給源１２６，
１３４からガス状のＴｉＣｌ４とＮＨ３（アンモニア）
を導入する。また，，処理室１０２内のガス（雰囲気）
は，真空ポンプＰ２５２により排気される。かかる処理
ガスの導入および排気により，処理室１０２内は，所定
圧力雰囲気に設定される。その結果，処理室１０２内に
導入された処理ガスの作用により，ウェハＷにＴｉＮ
（窒化チタン）膜が形成される。
【００４７】（２）ヒータの構成 次に，ＣＶＤ装置１００に設けられている各ヒータの構
成について説明する。ただし，抵抗ヒータ１１２，マン
トルヒータ１４０，１４４，２６０，第１〜第４カート
リッジヒータ１４６，１４８，１５０，１５２は，発熱
体の構成が略同一である。従って，第１カートリッジヒ
ータ１４６を例に挙げて説明する。
【００４８】図３に示す第１カートリッジヒータ１４６
は，例えばステンレス製の筒体１５４と，発熱線材１５
６と，例えばＭｇＯ（酸化マグネシウム）製の充てん材
１５８から構成されている。発熱線材１５６は，筒体１
５４内の略中央に配されている。また，発熱線材１５６
と筒体１５４の内壁面との間には，充てん材１５８が充
てんされている。
【００４９】発熱線材１５６は，Ｆｅ（鉄）含有合金，
好ましくはＦｅとＮｉ（ニッケル）との合金（以下，
「Ｆｅ−Ｎｉ合金」という。）から構成されている。こ
のＦｅ−Ｎｉ合金は，従来のヒータの発熱体に採用され
ているＮｉとＣｒ（クロム）との合金（ニクロム）や，
図４に示すＷ（タングステン）やＰｔ（プラチナ）やＴ
ａ（タンタル）と比較しても，温度上昇に比例して抵抗
値が大きく増加する材料である。このため，かかる材料
を採用した発熱線材１５６は，後述の如く交流電力の印
加により温度が上昇すると抵抗値も増加する。また逆
に，発熱線材１５６は，交流電力の印加が停止され，温
度が低下すると抵抗値も減少する。
【００５０】従って，第１カートリッジヒータ１４６の
温度は，発熱線材１５６自体の抵抗値から検出すること
ができる。このため，上記温度を正確に検出することが
できる。また，かかる構成により，温度センサや該セン
サに接続される配線等を減少させることができる。この
ため，イニシャルコストを抑え，メンテナンスの容易
化，およびＣＶＤ装置１００の小型化を図ることができ
る。なお，上記Ｆｅ−Ｎｉ合金から成る発熱体は，第２
〜第４カートリッジヒータ１４８，１５０，１５２と，
抵抗ヒータ１１２と，マントルヒータ１４０，１４４，
２６０にも使用されている。従って，第２〜第４カート
リッジヒータ１４８，１５０，１５２と，抵抗ヒータ１
１２と，マントルヒータ１４０，１４４，２６０も，第
１カートリッジヒータ１４６と同様の作用および効果を
得ることができる。また，上記発熱体は，シースヒータ
にも採用することができる。
【００５１】（３）ヒータ制御装置の構成 （ａ）ヒータ制御装置の全体構成 次に，ＣＶＤ装置１００に設けられているヒータ制御装
置の構成について説明する。ただし，ヒータ制御装置１
１０，１３８，１４２，１６０，２６２は，それぞれ略
同一に構成されている。従って，ヒータ制御装置１６０
を例に挙げて説明する。
【００５２】ヒータ制御装置１６０は，図５に示すよう
に，温度制御器１６４と，第１〜第４ヒータ制御器１６
６，１６８，１７０，１７２から構成されている。第１
〜第４ヒータ制御器１６６，１６８，１７０，１７２
は，それぞれ略同一に構成され，各々温度制御器１６４
に接続されている。また，第１〜第４ヒータ制御器１６
６，１６８，１７０，１７２には，それぞれに対応して
上述した第１〜第４カートリッジヒータ１４６，１４
８，１５０，１５２が接続されている。また，温度制御
器１６４には，上述した温度センサ２５０が接続されて
いる。
【００５３】温度制御器１６４は，要求される処理室１
０２壁部の温度（以下，「設定温度」という。）が設定
されると，該設定温度から基準抵抗値を算出する。設定
温度は，成膜処理時に処理室１０２内壁面にデポジショ
ンが付着しない程度の温度，例えば１５０℃とする。ま
た，基準抵抗値は，上述した図４に示す発熱線材１５６
の温度と抵抗値との関係から求められる値（一定値）で
ある。従って，基準抵抗値は，例えば第１〜第４カート
リッジヒータ１４６，１４８，１５０，１５２の温度
（発熱線材１５６の温度）を上記設定温度と同一の１５
０℃に設定する場合，略９０．２９Ωとなる。ただし，
現実的には，カートリッジヒータに製品間のばらつきが
ある。このため，基準抵抗値は，個々のカートリッジヒ
ータに応じて決定される。
【００５４】また，温度制御器１６４は，温度センサ２
５０で検出された処理室１０２壁部の温度から補正値を
随時求める。補正値は，設定温度と処理室１０２壁部の
温度との差に基づき，制御時に処理室１０２壁部の温度
が設定温度と常時同一になるように一定値の基準抵抗値
を随時補正する値である。そして，温度制御器１６４
は，設定温度と処理室１０２壁部の温度とに差がある場
合には基準抵抗値を補正値に基づいて補正し，補正基準
抵抗値を求める。このため，補正基準抵抗値は，設定温
度と処理室１０２壁部の温度とに温度差がある場合に
は，該温度差に応じて変化する。また，補正基準抵抗値
は，設定温度と処理室１０２壁部の温度とが同一である
場合には，基準抵抗値と同一の値となる。なお，本明細
書中では，設定温度と処理室１０２壁部の温度とに差が
無く，基準抵抗値の補正が行われない場合でも，後述す
る目標抵抗値ＲＳ１，ＲＳ２，ＲＳ３，ＲＳ４を求める
ための基準抵抗値を補正基準抵抗値という。かかる構成
により，第１〜第４カートリッジヒータ１４６，１４
８，１５０，１５２の温度制御をより厳密に行わせるこ
とができる。
【００５５】さらに，温度制御器１６４は，補正基準抵
抗値に温度分布定数Ｋ１，Ｋ２，Ｋ ３，Ｋ４を乗算し，
目標抵抗値ＲＳ１，ＲＳ２，ＲＳ３，ＲＳ４を算出す
る。温度分布定数Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４は，本実施の
形態では処理室１０２内壁面全面の温度が均一に設定温
度になるように，各第１〜第４カートリッジヒータ１４
６，１４８，１５０，１５２の各加熱箇所（配置個所）
ごとの温度分布をそれぞれ決定する定数である。また，
温度分布定数Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４は，各第１〜第４
カートリッジヒータ１４６，１４８，１５０，１５２の
発熱量に誤差がある場合には，該誤差も補正する。この
ため，温度分布定数Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ ４は，各第１
〜第４カートリッジヒータ１４６，１４８，１５０，１
５２ごとに予め設定される。
【００５６】ここで，温度分布定数Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，
Ｋ４の求め方について説明する。まず，実際の処理を行
う前に，各第１〜第４カートリッジヒータ１４６，１４
８，１５０，１５２により加熱される各箇所全てに，そ
れぞれ温度センサを設ける。各温度センサは，温度セン
サ２５０と略同一に構成されている。また，各温度セン
サは，各第１〜第４カートリッジヒータ１４６，１４
８，１５０，１５２の温度変化を敏感に検出できる場所
に配置される。また，各温度センサには，温度センサ２
５０が含まれている。各温度センサの設置後，各第１〜
第４カートリッジヒータ１４６，１４８，１５０，１５
２を，それぞれに対応する各第１〜第４ヒータ制御器１
６６，１６８，１７０，１７２で制御しながら各々所定
温度，例えば全て同一設定温度まで加熱する。この際，
各第１〜第４ヒータ制御器１６６，１６８，１７０，１
７２での制御は，それぞれに対応する温度センサの検出
温度に基づいて個別独立に行う。そして，各第１〜第４
カートリッジヒータ１４６，１４８，１５０，１５２の
全てが設定温度で安定した後に，該温度での各第１〜第
４カートリッジヒータ１４６，１４８，１５０，１５２
の各実抵抗値を記録する。
【００５７】次いで，上記記録された各実抵抗値から温
度分布定数Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４を算出する。まず，
各温度センサ中のいずれかの温度センサ，例えば最も温
度変化が大きかった温度センサ２５０の検出箇所の温度
分布定数Ｋ１を１とする。また，温度センサ２５０に対
応する第１カートリッジヒータ１４６実抵抗値と，温度
センサ２５０以外の各温度センサに対応する第２〜第４
カートリッジヒータ１４８，１５０，１５２の各実抵抗
値とに基づいて，ライン抵抗値の比例計算を行う。そし
て，かかる比例計算から算出された係数が，上記各第１
〜第４カートリッジヒータ１４６，１４８，１５０，１
５２に対応する温度分布定数Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４と
なる。
【００５８】再び，温度制御器１６４の説明に戻る。温
度制御器１６４は，目標抵抗値ＲＳ １，ＲＳ２，
ＲＳ３，ＲＳ４に基づく信号を，それぞれに対応する第
１〜第４ヒータ制御器１６６，１６８，１７０，１７２
に出力する。目標抵抗値ＲＳ１，Ｒ Ｓ２，ＲＳ３，Ｒ
Ｓ４は，温度分布定数Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４の値が大
きくなるにつれて大きくなる。また，第１〜第４カート
リッジヒータ１４６，１４８，１５０，１５２の各発熱
体（１５６）の温度は，図４に示すように，抵抗値の増
加に伴って高くなる。このため，第１〜第４カートリッ
ジヒータ１４６，１４８，１５０，１５２の温度は，目
標抵抗値ＲＳ１，ＲＳ２，ＲＳ３，ＲＳ４が大きくなる
につれて高くなる。また逆に，目標抵抗値ＲＳ１，Ｒ
Ｓ２，ＲＳ３，ＲＳ ４は，温度分布定数Ｋ１，Ｋ２，Ｋ
３，Ｋ４の値が小さくなるにつれて小さくなる。また，
第１〜第４カートリッジヒータ１４６，１４８，１５
０，１５２の各発熱体（１５６）の温度は，図４に示す
ように，抵抗値の減少に伴って低くなる。このため，第
１〜第４カートリッジヒータ１４６，１４８，１５０，
１５２の温度は，目標抵抗値ＲＳ１，ＲＳ２，ＲＳ３，
ＲＳ４が小さくなるにつれて低くなる。また，目標抵抗
値ＲＳ１，ＲＳ２，ＲＳ３，ＲＳ４は，上記補正に伴う
補正基準抵抗値の値の変化に応じて変化する。
【００５９】かかる構成により，第１〜第４カートリッ
ジヒータ１４６，１４８，１５０，１５２の配置個所に
応じて第１〜第４カートリッジヒータ１４６，１４８，
１５０，１５２の温度が各々個別に設定される。このた
め，処理室１０２壁部，すなわち処理室１０２内壁面を
複数の第１〜第４カートリッジヒータ１４６，１４８，
１５０，１５２で加熱しても，処理室１０２内壁面全面
での均熱性を確保することができる。
【００６０】そして，第１〜第４ヒータ制御器１６６，
１６８，１７０，１７２は，各々に対応する目標抵抗値
ＲＳ１，ＲＳ２，ＲＳ３，ＲＳ４と，後述のヒータ抵抗
値Ｒ Ｒ１，ＲＲ２，ＲＲ３，ＲＲ４に基づいて，第１〜
第４カートリッジヒータ１４６，１４８，１５０，１５
２へ供給する電力を制御，例えば交流電力の位相を制御
する。さらに，第１〜第４ヒータ制御器１６６，１６
８，１７０，１７２は，第１〜第４カートリッジヒータ
１４６，１４８，１５０，１５２の発熱量を制御して，
処理室１０２内壁面を所定温度に維持する。
【００６１】（ｂ）ヒータ制御器の構成 次に，第１〜第４ヒータ制御器１６６，１６８，１７
０，１７２の構成について，図６に示す第１ヒータ制御
器１６６を例に挙げて説明する。第１ヒータ制御器１６
６は，ヒータ制御部１７４とインターロック制御部１７
５から成り，第１カートリッジヒータ１４６に供給する
交流電力の位相を制御する。ヒータ制御部１７４は，電
圧センサ１７６と，電流センサ１７８と，ローパスフィ
ルタ１８０，１８２と，演算器１８４と，増幅器１８６
と，位相制御器１８８から構成されている。また，位相
制御器１８８は，トライアック制御器１９０と，このト
ライアック制御器１９０に接続されたトライアック（交
流スイッチ）１９２から構成されている。
【００６２】電圧センサ１７６は，第１カートリッジヒ
ータ１４６に印加されている電圧に基づく帰還電圧値Ｖ
Ｒを測定する。該帰還電圧値ＶＲに基づく信号は，ロー
パスフィルタ１８０を介して演算器１８４に出力され
る。一方，電流センサ１７８は，第１カートリッジヒー
タ１４６を流れている電流に基づく帰還電流値ＩＲを測
定する。該帰還電流値ＩＲに基づく信号は，ローパスフ
ィルタ１８２を介して演算器１８４に出力される。演算
器１８４は，後述の如く帰還電圧値ＶＲと帰還電流値Ｉ
Ｒから第１カートリッジヒータ１４６の実抵抗値である
ヒータ抵抗値ＲＲ １を算出する。また，演算器１８４
は，該ヒータ抵抗値ＲＲ１に基づく信号を増幅器１８６
を介してトライアック制御器１９０に出力する。演算器
１８４は，ヒータ抵抗値ＲＲ１に基づく信号をインター
ロック制御部１７５を構成する後述の比較器１９６，１
９８，２００にも出力する。なお，演算器１８４の構成
については，後述する。また，増幅器１８６には，上記
温度制御器１６４から出力された目標抵抗値ＲＳ１に基
づく信号が入力されている。このため，目標抵抗値ＲＳ
１に基づく信号が，増幅器１８６を介してトライアック
制御器１９０に供給される。
【００６３】トライアック制御器１９０には，交流電源
１９４の一端が接続されている。さらに，トライアック
制御器１９０には，インターロック制御部１７５を構成
する後述のＲＳラッチ２１４が接続されている。また，
第１カートリッジヒータ１４６の各入力端には，それぞ
れ交流電源１９４の他端と，トライアック１９２の出力
端が接続されている。
【００６４】かかる構成により，トライアック制御器１
９０は，ヒータ抵抗値ＲＲ１が目標抵抗値ＲＳ１に追従
し，各々略同一になるように，トライアック１９２から
第１カートリッジヒータ１４６に出力される交流電力の
位相を制御する。すなわち，トライアック制御器１９０
は，第１カートリッジヒータ１４６の温度が温度制御器
１６４で定められた温度（以下，「目標温度」とい
う。）と実質的に同一になるように，上記制御を行う。
【００６５】より詳細には，トライアック制御器１９０
は，図７（ａ）に示すように，ヒータ抵抗値ＲＲ１が目
標抵抗値ＲＳ１よりも小さく，第１カートリッジヒータ
１４６の温度が目標温度よりも低い場合には，トライア
ック１９２を制御して上記交流電力の１／２周期ごとの
印加時間を増加させ，発熱量を増加させる。また，図７
（ｂ）に示すように，ヒータ抵抗値ＲＲ１と目標抵抗値
ＲＳ１とが略同一で，第１カートリッジヒータ１４６の
温度と目標温度とが実質的に同一である場合には，トラ
イアック１９２を制御して上記交流電力の１／２周期ご
との印加時間を現状のまま維持し，発熱量を一定に保
つ。さらに，図７（ｃ）に示すように，ヒータ抵抗値Ｒ
Ｒ１が目標抵抗値ＲＳ１よりも大きく，第１カートリッ
ジヒータ１４６の温度が目標温度よりも高い場合には，
トライアック１９２を制御して上記交流電力の１／２周
期ごとの印加時間を減少させ，発熱量を減少させる。
【００６６】このように，第１カートリッジヒータ１４
６の温度は，第１カートリッジヒータ１４６に印加する
交流電力を１／２周期ごとに位相制御して調整する。こ
のため，電力をオン・オフして上記温度を調整する場合
よりも温度差が生じ難くなる。その結果，第１カートリ
ッジヒータ１４６の温度を均一に保つことができる。
【００６７】一方，インターロック制御部１７５は，比
較器１９６，１９８，２００と，ローパスフィルタ２０
２，２０４，２０６と，ＮＯＲゲート２０８，ＡＮＤゲ
ート２１０と，インバータ回路２１２と，ＲＳラッチ２
１４から構成されている。
【００６８】比較器１９６は，ヒータ抵抗値ＲＲ１がヒ
ータ制御部１７４を構成する回路のオープン（切断）状
態を判断するための基準値よりも大きい場合には，ロー
パスフィルタ２０２を介してオープンサーキット信号を
出力する。このオープンサーキット信号の一部は，イン
バータ回路２１２とＡＮＤゲート２１０とＮＯＲゲート
２０８を介してＲＳラッチ２１４に供給され，一部は第
１ヒータ制御器１６６以外の他の回路に供給される。
【００６９】比較器１９８は，ヒータ抵抗値ＲＲ１が第
１カートリッジヒータ１４６の過剰温度状態を判断する
ための基準値よりも大きい場合には，ローパスフィルタ
２０４を介して過剰温度信号を出力する。上記基準値
は，例えば処理室１０２内壁面が１９０℃，あるいは断
熱材１０３表面が５０℃になった際の発熱線材１５６の
抵抗値である。また，過剰温度信号の一部は，ＮＯＲゲ
ート２０８を介してＲＳラッチ２１４に供給される。さ
らに過剰温度信号の一部は，ＡＮＤゲート２１０を介し
て第１ヒータ制御器１６６以外の他の回路に供給され
る。
【００７０】比較器２００は，ヒータ抵抗値ＲＲ１がヒ
ータ制御部１７４を構成する回路のショート（短絡）状
態を判断するための基準値よりも小さい場合には，ロー
パスフィルタ２０６を介してショートサーキット信号を
出力する。このショートサーキット信号の一部は，ＮＯ
Ｒゲート２０８を介してＲＳラッチ２１４に供給され
る。さらにショートサーキット信号の一部は，第１ヒー
タ制御器１６６以外の他の回路に供給される。
【００７１】また，ＲＳラッチ２１４には，上記各信号
のほかにイネーブル信号と，ＮＯＲゲート２０８を介し
てリセット信号が入力される。そして，ＲＳラッチ２１
４は，所定信号が入力されると，トライアック制御器１
９０にインターロック信号を出力する。上記所定信号
は，オープンサーキット信号，過剰温度信号，ショート
サーキット信号の少なくともいずれか一つの信号であ
る。トライアック制御器１９０は，インターロック信号
が入力されるとトライアック１９２から第１カートリッ
ジヒータ１４６への交流電力の供給を停止させる。ま
た，ＲＳラッチ２１４にリセット信号を入力すれば，上
記インターロック信号の出力は停止される。逆に，ＲＳ
ラッチ２１４にイネーブル信号を入力すれば，オープン
サーキット信号や過剰温度信号やショートサーキット信
号の入力に関係なく，インターロック信号をトライアッ
ク制御器１９０に出力する。
【００７２】かかる構成により，第１カートリッジヒー
タ１４６が所定の上限値以上の温度まで加熱したり，ヒ
ータ制御部１７４に異常が生じた場合でも，該異常をヒ
ータ抵抗値ＲＲ１から判断することができる。このた
め，ＣＶＤ装置１００にサーモスタット等のインターロ
ックセンサを設ける必要がない。さらに，該センサとヒ
ータ制御装置１６０とを接続する配線等を設ける必要も
ない。その結果，コストの削減や，メンテナンス性の向
上や，装置の小型化をさらに図ることができる。また，
第１カートリッジヒータ１４６の異常加熱等を直接的に
検出することができる。その結果，異常が発生した際に
迅速に対応することができ，装置の損傷を最小限に止め
ることができる。
【００７３】（ｃ）演算器の構成 次に，図８を参照しながら，演算器１８４の構成につい
て説明する。演算器１８４は，抵抗素子２１６，２１
８，２２０と，増幅器２２２，２２４と，トランジスタ
２２６と，フォトカプラ２２８から構成されている。ま
た，フォトカプラ２２８は，ＬＥＤ（発光ダイオード）
２３０と，例えばＣｄＳ（硫化カドミウム）から成る受
光素子（抵抗素子）２３２，２３４から構成されてい
る。
【００７４】増幅器２２２の入力端の一端（−）には，
抵抗値Ｒ１を有する抵抗素子２１６と，抵抗値Ｒ２を有
する受光素子２３２が接続されている。さらに，抵抗素
子２１６には，図６に示すローパスフィルタ１８２が接
続されている。また，増幅器２２２の入力端の他端
（＋）は，接地されている。増幅器２２２の出力端に
は，トランジスタ２２６のベースと，受光素子２３２が
接続されている。トランジスタ２２６のエミッタは，抵
抗値Ｒ３を有する抵抗素子２１８を介してＬＥＤ２３０
のアノード（Ｐ型半導体）に接続されている。さらに，
トランジスタ２２６のコレクタは，接地されている。さ
らに，ＬＥＤ２３０のカソード（Ｎ型半導体）には，接
地された直流電源２３６が接続されている。
【００７５】また，ローパスフィルタ１８２から抵抗素
子２１６に帰還電流値ＩＲ信号の電圧Ｖ１ＩＮが入力さ
れると，該抵抗素子２１６に電流Ｉ１が流れる。さら
に，上記電圧Ｖ１ＩＮは，増幅器２２２で増幅され，該
増幅器２２２から電圧Ｖ１ＯＵ Ｔが出力される。そし
て，電圧Ｖ１ＯＵＴは，トランジスタ２２６を介して抵
抗素子２１８に入力されると，該抵抗素子２１８に電流
Ｉ２が流れる。
【００７６】一方，増幅器２２４の入力端の一端（−）
には，抵抗素子２２０と受光素子２３４が接続されてい
る。さらに，抵抗素子２２０には，図６に示すローパス
フィルタ１８０が接続されている。また，増幅器２２４
の入力端の他端（＋）は，接地されている。増幅器２２
４の出力端には，受光素子２３４と，図６に示す増幅器
１８６と比較器１９６，１９８，２００が接続されてい
る。
【００７７】次に，演算器１８４での帰還電圧値ＶＲお
よび帰還電流値ＩＲに基づくヒータ抵抗値ＲＲの算出工
程について，下記の各数式を用いて説明する。まず，受
光素子２３２の抵抗Ｒ２を増幅器２２２から出力された
電圧Ｖ１ＯＵ Ｔで解くと，抵抗素子２１８を流れる電流
Ｉ２は， Ｉ２＝（Ｖ１ＯＵＴ−（−Ｖｃｃ）−Ｖｂｅ−ＶＬＥＤ）／Ｒ３ …（ １） となる。なお，−Ｖｃｃは，直流電源２３６の電圧であ
る。また，Ｖｂｅは，トランジスタ２２６のベースとエ
ミッタとの間の電圧である。また，ＶＬＥＤは，ＬＥＤ
２３０の電圧である。そして，上記式（１）中のＶｃｃ
−Ｖｂｅ−ＶＬＥ ＤをＶＣＯＮＳＴとすると，式（１）
は， Ｉ２＝（Ｖ１ＯＵＴ＋ＶＣＯＮＳＴ）／Ｒ３ …（２） となる。
【００７８】また，上記抵抗Ｒ２は，電流Ｉ２に反比例
するので，ＬＥＤ２３０の電流増幅率をＫ１とすると， １／Ｒ２＝Ｋ１・Ｉ２ …（３） となる。この式（３）に上記式（２）を代入すると， １／Ｒ２＝Ｋ１・（Ｖ１ＯＵＴ＋ＶＣＯＮＳＴ）／Ｒ３ …（４） となり，式（４）を変形すると， Ｖ１ＯＵＴ＝（Ｒ３／（Ｒ２・Ｋ１））−ＶＣＯＮＳＴ …（５） となる。
【００７９】さらに，帰還電流値ＩＲの電圧Ｖ
１ＩＮは， Ｖ１ＩＮ＝Ｒ１・Ｉ１ ＝Ｒ１・（Ｖ１ＯＵＴ／Ｒ２） ＝（Ｒ１／Ｒ２）・（（Ｒ３／（Ｒ２・Ｋ１））−ＶＣＯＮＳＴ） ＝（（Ｒ１・Ｒ３）／（Ｒ２ ２・Ｋ１））−（Ｒ１／Ｒ２）・ＶＣＯＮＳ Ｔ …（６） となる。ここで，Ｒ２ ２・Ｋ１＞＞Ｒ１・Ｒ３の条件で
選べば，上記式（６）は， Ｖ１ＩＮ＝−（Ｒ１／Ｒ２）・ＶＣＯＮＳＴ …（７） となる。
【００８０】ところで，ヒータ抵抗値ＲＲ１の電圧Ｖ
２ＯＵＴは， Ｖ２ＯＵＴ＝−（Ｒ５／Ｒ４）・Ｖ２ＩＮ …（８） である。だだし，上述した受光素子２３２，２３４は，
それぞれ電気的特性が略同一である。このため，受光素
子２３２の抵抗Ｒ２と受光素子２３４の抵抗Ｒ５は，実
質的に同一と見なすことができる。従って，上記式
（８）に式（７）を代入すれば，Ｖ２ＯＵＴは， Ｖ２ＯＵＴ＝−（１／Ｒ４）・（−（Ｒ１／Ｖ１ＩＮ）・ＶＣＯＮＳＴ） ・Ｖ２ＩＮ ＝（Ｖ２ＩＮ／Ｖ１ＩＮ）・（Ｒ１／Ｒ４）・ＶＣＯＮＳＴ … （９） となる。
【００８１】ここで，上記式（９）に， （Ｒ１／Ｒ４）・ＶＣＯＮＳＴ＝一定（ＣＯＮＳＴ）， Ｖ２ＩＮ＝ｋ１・ＶＲ， Ｖ１ＩＮ＝ｋ２・ＩＲ の３つの条件を与える。その結果，電圧Ｖ２ＯＵＴは， Ｖ２ＯＵＴ＝ｋ・（ＶＲ／ＩＲ）＝ｋＲＲ１ となる。ただし，ｋ１とｋ２は，それぞれ所定の定数で
ある。また，ｋとＲＲは，それぞれｋ＝ｋ１／ｋ２と，
ＲＲ１＝ＶＲ／ＩＲである。従って，演算器１８４から
出力される電圧Ｖ２ＯＵＴは，ヒータ抵抗値ＲＲ１に比
例する。
【００８２】かかる演算により，演算器１８４に帰還電
圧値ＶＲと帰還電流値ＩＲを入力すれば，ヒータ抵抗値
ＲＲ１を容易に求めることができる。また，演算器１８
４の構成素子には，フォトカプラ２２８が採用されてい
る。このため，帰還電流値が小さくてもヒータ抵抗値を
安定して求めることができ，比較的安価なコストで演算
器１８４を作成することができる。また，かかる構成に
よれば，ヒータ抵抗値ＲＲ１を演算によって迅速に求め
ることができる。このため，第１カートリッジヒータ１
４６を応答性良く制御することができる。
【００８３】以上のようにして，第１カートリッジヒー
タ１４６は制御される。また，第２〜第４カートリッジ
ヒータ１４８，１５０，１５２も，第１カートリッジヒ
ータ１４６と同様にして制御され，所定温度に維持され
る。また，その他の抵抗ヒータ１１２，マントルヒータ
１４０，１４４，２６０も，後述する第３の実施の形態
のように，温度センサの検出温度に基づいて基準抵抗値
を補正すれば，上記第１〜第４カートリッジヒータ１４
６，１４８，１５０，１５２と同様に制御することがで
きる。
【００８４】（第２の実施の形態）次に，本発明の第２
の実施の形態について説明する。本実施の形態は，上記
フォトカプラ２２８を用いた演算器１８４に代えて，演
算器１８４よりもさらに構成が簡単な演算器３００を用
いてヒータ抵抗値を算出する点に特徴がある。すなわ
ち，演算器３００は，図９に示すように，アナログ型集
積回路から成る乗算器３０２と，抵抗素子３０４，３０
６と，増幅器３０８から構成されている。乗算器３０２
の入力端の一端には，図６に示すローパスフィルタ１８
２が接続されている。さらに，乗算器３０２の入力端の
他端には，増幅器３０８の出力端が接続されている。ま
た，増幅器３０８の入力端の一端（−）には，抵抗素子
３０４を介して乗算器３０２の出力端と，抵抗素子３０
６を介して図６に示すローパスフィルタ１８０とが接続
されている。さらに，増幅器３０８の入力端の他端
（＋）は，接地されている。さらに，増幅器３０８の出
力端は，上述した乗算器３０２の入力端と，図６に示す
増幅器１８６および比較器１９６，１９８，２００に接
続されている。また，ローパスフィルタ１８０とローパ
スフィルタ１８２は，上述したようにそれぞれ電圧Ｖ
２ＩＮと電圧Ｖ１ＩＮを出力する。また，乗算器３０２
は，電圧ＶＯＵＴを出力する。また，増幅器３０８は，
上述したＶ２ＯＵＴを出力する。さらに，抵抗素子３０
４と抵抗素子３０６は，それぞれ抵抗Ｒ６と抵抗Ｒ７を
有している。
【００８５】次に，演算器３００でのヒータ抵抗値Ｒ
Ｒ１の演算について，下記の各式を用いて説明する。ま
ず，乗算器３０２から出力される電圧をＶＯＵＴとする
と，該電圧ＶＯＵＴは， ＶＯＵＴ＝Ｖ１ＩＮ・Ｖ２ＯＵＴ …（１０） となる。また，増幅器３０８の入力端（−）は，イマジ
ナリショートである。従って， （ＶＯＵＴ／Ｒ６）＋（Ｖ２ＩＮ／Ｒ７）＝０ …（１１） となる。そして，電圧Ｖ２ＯＵＴについて式（１１）を
式（１０）に代入すると， Ｖ２ＯＵＴ＝−（Ｒ６／Ｒ７）・（Ｖ２ＩＮ／Ｖ１ＩＮ） …（１２ ） となる。ここで，Ｒ６＝Ｒ７とすると，電圧Ｖ２ＯＵＴ
は， Ｖ２ＯＵＴ＝−（Ｖ２ＩＮ／Ｖ１ＩＮ） となる。このように，演算器３００は，除算器として機
能する。このため，上記電圧Ｖ１ＩＮと電圧Ｖ２ＩＮか
ら電圧Ｖ２ＯＵＴを求めることができる。その結果，該
電圧Ｖ２ＯＵＴに比例するヒータ抵抗値ＲＲ１を求める
ことができる。その他の構成は，上述したＣＶＤ装置１
００と略同一なので，説明を省略する。
【００８６】かかる演算器３００を採用すれば，演算器
３００を構成する素子等の数を減らすことができる。そ
の結果，オフセット調整を簡単に行うことができる。さ
らに，各素子等ごとの特性のバラツキを減らすことがで
き，演算精度を向上させることができる。また，演算器
３００の回路構成を比較的簡単にすることができる。そ
の結果，演算器３００を小型化でき，狭いスペースに設
けることができる。
【００８７】（第３の実施の形態）次に，本発明の第３
の実施の形態について説明する。本実施の形態は，各マ
ントルヒータ１４０，１４４，２６０を，各マントルヒ
ータ１４０，１４４，２６０の実抵抗値と温度センサの
検出温度に基づいて温度制御する点に特徴がある。な
お，各マントルヒータ１４０，１４４，２６０の温度制
御は，各々実質的に同一に行われるので，マントルヒー
タ２６０を例に挙げて説明する。
【００８８】図１および図１０に示すマントルヒータ２
６０は，すでに説明したように，排気管１４５の周囲を
覆うように配置されている。また，排気管１４５は，図
１０に示すように，複数，例えば第１および第２排気管
１４５ａ，１４５ｂに分割されている。第１排気管１４
５ａには，トラップ２５８と第２排気管１４５ｂが第１
および第２接続部材２６６，２６８を介して接続されて
いる。また，第２排気管１４５ｂは，図１に示す処理室
１０２に接続されている。
【００８９】また，図１０に示すように，第１排気管１
４５ａを覆うマントルヒータ２６０は，複数，例えば第
１〜第３マントルヒータ２６０ａ，２６０ｂ，２６０ｃ
に分割されている。第１マントルヒータ２６０ａは，他
のマントルヒータで加熱される第２排気管１４５ｂ側に
配置される。また，第３マントルヒータ２６０ｃは，ト
ラップ２５８側に配置されている。また，第２マントル
ヒータ２６０ｂは，第１マントルヒータ２６０ａと第３
マントルヒータ２６０ｃとの間に配置されている。ま
た，トラップ２５８は，冷却されている。従って，第１
排気管１４５ａは，第２マントルヒータ２６０ｂの配置
個所が最も冷え難く，次いで第１マントルヒータ２６０
ａの配置個所が冷え難く，第３マントルヒータ２６０ｃ
の配置個所が最も冷え易い。このため，温度センサ２６
４は，排気管１４５の温度を敏感に検出できる第３マン
トルヒータ２６０ｃの配置個所付近，例えば第１接続部
材２６６に設けられている。
【００９０】また，各第１〜第３マントルヒータ２６０
ａ，２６０ｂ，２６０ｃと，温度センサ２６４は，ヒー
タ制御装置２６２に接続されている。ヒータ制御装置２
６２の不図示の温度制御器は，設定温度から求められた
基準抵抗値を，温度センサ２６４の検出温度に基づく補
正値で補正し，目標抵抗値を算出する。そして，ヒータ
制御装置２６２の不図示の第１〜第３ヒータ制御器は，
各第１〜第３マントルヒータ２６０ａ，２６０ｂ，２６
０ｃを，各第１〜第３マントルヒータ２６０ａ，２６０
ｂ，２６０ｃの実抵抗値と上記目標抵抗値とに基づき温
度制御する。その他の構成は，上述したヒータ制御装置
１６０と同一である。かかる構成によれば，温度センサ
２６４の検出温度に基づいて基準抵抗値を補正する。そ
の結果，マントルヒータ２６０の温度制御をより厳密に
行うことができる。なお，本実施の形態は，上記抵抗ヒ
ータ１１２にも同様に適用することができる。
【００９１】（第４の実施の形態）次に，本発明の第４
の実施の形態について説明する。本実施の形態は，複数
のヒータを，各ヒータに印加する電圧に基づいて温度制
御する点に特徴がある。以下，第１〜第４カートリッジ
ヒータ１４６，１４８，１５０，１５２の温度制御を例
に挙げて説明する。
【００９２】図１１に示すように，ヒータ制御装置４０
０は，温度制御器４０２と，第１〜第４ヒータ制御器４
０４，４０６，４０８，４１０から構成されている。温
度制御器４０２は，設定温度から基準電圧値を算出す
る。また，温度制御器４０２は，設定温度と温度センサ
２５０の検出温度から求められた補正値に基づいて基準
電圧値を補正し，補正基準電圧値を求める。さらに，温
度制御器４０２は，補正基準電圧値に温度分布定数
Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４を乗算し，目標電圧値ＶＳ１，
ＶＳ２，ＶＳ３，ＶＳ４を算出する。その他の構成は，
上記温度制御器１６４と同一に構成されている。
【００９３】また，第１〜第４ヒータ制御器４０４，４
０６，４０８，４１０は，それぞれ略同一に構成されて
いる。また，第１〜第４ヒータ制御器４０４，４０６，
４０８，４１０は，それぞれに対応する目標電圧値Ｖ
Ｓ１，ＶＳ２，ＶＳ３，ＶＳ４と，後述の第１〜第４カ
ートリッジヒータ１４６，１４８，１５０，１５２の帰
還電圧値（実電圧値）ＶＲ１，ＶＲ２，ＶＲ３，ＶＲ４
に基づき，第１〜第４カートリッジヒータ１４６，１４
８，１５０，１５２に印加する電圧を制御する。
【００９４】ここで，第１〜第４ヒータ制御器４０４，
４０６，４０８，４１０について，第１ヒータ制御器４
０４を例に挙げて説明する。第１ヒータ制御器４０４
は，ヒータ制御部４１２とインターロック制御部１７５
から構成されている。ヒータ制御部４１２は，電流セン
サ１７８，ローパスフィルタ１８２，演算器１８４が設
けられていないこと以外は，図６に示すヒータ制御部１
７４と同一に構成されている。かかる構成により，第１
ヒータ制御器４０４は，目標電圧値ＶＳ１と第１カート
リッジヒータ１４６の帰還電圧値ＶＲ１に基づいて，第
１カートリッジヒータ１４６へ供給する交流電力の位相
を制御する。
【００９５】すなわち，トライアック制御器１９０に
は，電圧センサ１７６から帰還電圧値ＶＲ１が増幅器１
８６を介して入力される。帰還電圧値ＶＲ１は，第１カ
ートリッジヒータ１４６に印加されている電圧に基づく
値である。さらに，トライアック制御器１９０には，温
度制御器４０２で求められた目標電圧値ＶＳ１が増幅器
１８６を介して入力される。トライアック制御器１９０
は，上述した図７に示すように，帰還電圧値ＶＲ１が目
標電圧値ＶＳ１と同一になるように，トライアック１９
２から第１カートリッジヒータ１４６に出力される交流
電力の位相を制御する。なお，図１２は，本実施の形態
の制御時の第１カートリッジヒータ１４６の温度変化
と，第１カートリッジヒータ１４６に印加する電圧の実
効電圧値，第１カートリッジヒータ１４６を流れる電流
の実効電流値，第１カートリッジヒータ１４６の抵抗
値，第１カートリッジヒータ１４６に供給する電力の実
効電流値との関係を表している。また，上記交流電力の
位相制御は，第１の実施の形態と同様であるので，説明
を省略する。
【００９６】かかる構成によれば，帰還電圧値ＶＲ１を
求める際に演算が不要であり，帰還電圧値ＶＲ１により
電力を直接制御できる。このため，第１カートリッジヒ
ータ１４６の温度制御を容易に行うことができる。ま
た，演算器が不要なので，ヒータ制御部４１２の構成を
簡素化できる。なお，本実施の形態は，上述した抵抗ヒ
ータ１１２，マントルヒータ１４０，１４４，２６０に
も適用することができる。また，本実施の形態では，第
１カートリッジヒータ１４６に供給する電力を位相制御
する構成を例に挙げて説明したが，かかる構成に限定さ
れない。例えば，後述の零クロス制御やリニア制御によ
り，電力を制御しても良い。
【００９７】（第５の実施の形態）次に，本発明の第５
の実施の形態について説明する。本実施の形態は，各ヒ
ータに印加する電力を零クロス制御する点に特徴があ
る。例えば，上述した第１ヒータ制御器１６６を例に挙
げて説明する。本実施の形態が適用される第１ヒータ制
御器１６６には，位相制御器１８８に代えて，不図示の
零クロス制御器が設けられる。零クロス制御器は，入力
されたヒータ抵抗値ＲＲ１が目標抵抗値ＲＳ１に追従す
るように，第１カートリッジヒータ１４６に印加する交
流電力を零クロス制御する。
【００９８】すなわち，図１３（ａ）に示すように，零
クロス制御器は，ヒータ抵抗値ＲＲ １が目標抵抗値Ｒ
Ｓ１よりも小さく，第１カートリッジヒータ１４６の温
度が目標温度よりも低い場合には，例えば電力オンの回
数を電力オフの回数よりも多くする。また，図１３
（ｂ）に示すように，ヒータ抵抗値ＲＲ１と目標抵抗値
ＲＳ １とが略同一で，第１カートリッジヒータ１４６の
温度と目標温度とが実質的に同一である場合には，例え
ば電力オンの回数を電力オフの回数と同じにする。さら
に，図１３（ｃ）に示すように，ヒータ抵抗値ＲＲ１が
目標抵抗値ＲＳ１よりも大きく，第１カートリッジヒー
タ１４６の温度が目標温度よりも高い場合には，例えば
電力オンの回数を電力オフの回数よりも少なくする。そ
の他の構成は，上記ＣＶＤ装置１００と同一である。か
かる構成によれば，第１カートリッジヒータ１４６に印
加する電力を，電位が０の時にオンまたはオフするの
で，電力にノイズが含まれ難い。その結果，第１カート
リッジヒータ１４６の温度の安定性を高めることができ
る。
【００９９】（第６の実施の形態）次に，本発明の第６
の実施の形態について説明する。本実施の形態は，各ヒ
ータに印加する電力をリニア制御（線形増幅器制御）す
る点に特徴がある。本実施の形態も，上述した第１ヒー
タ制御器１６６を例に挙げて説明する。本実施の形態が
適用される第１ヒータ制御器１６６には，位相制御器１
８８に代えて，不図示のリニア制御器が設けられる。リ
ニア制御器は，入力されたヒータ抵抗値ＲＲ １が目標抵
抗値ＲＳ１に追従するように，第１カートリッジヒータ
１４６に印加する交流電力を連続的に制御する。
【０１００】すなわち，図１４（ａ）に示すように，リ
ニア制御器は，ヒータ抵抗値ＲＲ１が目標抵抗値ＲＳ１
よりも小さく，第１カートリッジヒータ１４６の温度が
目標温度よりも低い場合には，電力を連続的に増加させ
る。また，図１４（ｂ）に示すように，ヒータ抵抗値Ｒ
Ｒ１と目標抵抗値ＲＳ１とが略同一で，第１カートリッ
ジヒータ１４６の温度と目標温度とが実質的に同一であ
る場合には，電力を一定に維持する。さらに，図１４
（ｃ）に示すように，ヒータ抵抗値ＲＲ１が目標抵抗値
ＲＳ１よりも大きく，第１カートリッジヒータ１４６の
温度が目標温度よりも高い場合には，電力を連続的に増
加させる。その他の構成は，上記ＣＶＤ装置１００と同
一である。かかる構成によれば，第１カートリッジヒー
タ１４６に印加する電力を，連続的に調整するので，ノ
イズが入り難く，温度の制御性を高めることができる。
【０１０１】（第７の実施の形態）次に，本発明の第７
の実施の形態について説明する。上記第１〜第６の実施
の形態では，処理室１０２壁部や排気管１４５などを全
ての箇所で実質的に同一の温度に維持する構成を例に挙
げて説明した。ただし，本発明は，かかる構成に限定さ
れず，被加熱体を複数の所定部分ごとに異なる温度に維
持する場合にも適用可能である。かかる構成について，
上記第３の実施の形態で説明した排気管１４５を加熱す
るマントルヒータ２６０の温度制御を例に挙げて説明す
る。
【０１０２】図１に示すＣＶＤ装置１００では，処理室
１０２内から排気されたガスを気体のまま排気管１４５
を通過させ，トラップ２５８内で冷却して液化可能なガ
スを回収する。また，上記排気されるガスには，ＴｉＣ
ｌ４とＮＨ３とが含まれている。ＴｉＣｌの沸点は１３
６．４℃であり，ＮＨ３の沸点は−３３．４℃である。
従って，上記排気されるガス中にＴｉＣｌ４とＮＨ３の
みが含まれていると仮定した場合，排気管１４５は，Ｔ
ｉＣｌ４の１３６．４℃以上に加熱すれば良い。また，
処理室１０２壁部は，１５０℃に維持される。そこで，
本実施の形態では，排気管１４５の処理室１０２側の温
度を，例えば上記実施の形態と同様に，処理室１０２壁
部の温度が低下しないように１５０℃に維持する。ま
た，排気管１４５のトラップ２５８側の温度は，例えば
上記実施の形態とは異なり，沸点の高いＴｉＣｌ４がガ
ス状のままで排気管１４５内を通過し，かつトラップ２
５８内で迅速に液化されるように１３７℃に維持する。
【０１０３】かかる場合には，まずヒータ制御装置２６
２の不図示の温度制御器に設定温度，例えば１３７℃を
設定する。温度制御器は，設定温度から基準抵抗値を求
める。さらに，温度制御器は，必要に応じて，基準抵抗
値を温度センサ２６４の検出温度から求められた補正値
で補正し，補正基準抵抗値を求める。以上は，上記実施
の形態と同様である。
【０１０４】また，温度制御器は，上記と同様に，補正
基準抵抗値に図１０に示す第１〜第３マントルヒータ２
６０ａ，２６０ｂ，２６０ｃの各加熱箇所ごとの温度分
布を決定する温度分布定数Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３を乗算し，
目標抵抗値ＲＳ１，ＲＳ２，ＲＳ３を算出する。ただ
し，本実施の形態では，第１マントルヒータ２６０ａで
加熱される箇所を１５０℃に維持する。また，第３マン
トルヒータ２６０ｃで加熱される箇所を１３７℃に維持
する。また，第２マントルヒータ２６０ｂで加熱される
箇所を１３７℃〜１５０℃，例えば１４４℃に維持す
る。このため，上記温度分布定数Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３は，
温度制御器への一の設定温度の設定により，排気管１４
５ａの各箇所で上記温度勾配が生じるような値に定めら
れる。
【０１０５】すなわち，温度分布定数Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３
は，以下のように求める。まず，上述したように，第１
〜第３マントルヒータ２６０ａ，２６０ｂ，２６０ｃの
各加熱箇所に各々温度センサを設ける。各温度センサに
は，温度センサ２６４が含まれている。次いで，第１〜
第３マントルヒータ２６０ａ，２６０ｂ，２６０ｃを，
ヒータ制御装置２６２の不図示の第１〜第３ヒータ制御
器で個別独立に制御する。該制御により，第１〜第３マ
ントルヒータ２６０ａ，２６０ｂ，２６０ｃの各加熱箇
所は，上述した異なる温度に維持されるように加熱され
る。この際，当該各温度は，各温度センサにより監視さ
れている。上記各箇所の温度がそれぞれ安定した後，第
１〜第３マントルヒータ２６０ａ，２６０ｂ，２６０ｃ
の各実抵抗値を記録する。
【０１０６】次いで，記録された各実抵抗値から温度分
布定数Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３を求める。まず，例えば排気管
１４５ａを最も低い温度で加熱する第３マントルヒータ
２６０ｃの加熱箇所の温度分布定数Ｋ３を１とする。該
加熱箇所は，温度センサ２６４で温度を検出した箇所で
ある。また，第１マントルヒータ２６０ａの加熱箇所の
温度分布定数Ｋ１と第２マントルヒータ２６０ｂの加熱
箇所の温度分布定数Ｋ ２は，温度分布定数Ｋ３を基準と
して，上述の如く各加熱箇所が異なる温度分布となるよ
うに算出する。上記各箇所は，温度センサ２６４以外の
各温度センサで温度を検出した箇所である。その結果，
温度分布定数Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３の関係は， Ｋ１＞Ｋ２＞Ｋ３ となる。
【０１０７】再び，ヒータ制御装置２６２の説明に戻
る。温度制御器は，上述した補正基準抵抗値に温度分布
定数Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３を乗算し，目標抵抗値ＲＳ１，Ｒ
Ｓ２，ＲＳ３を求める。そして，第１〜第３ヒータ制御
器は，各第１〜第３マントルヒータ２６０ａ，２６０
ｂ，２６０ｃを，各第１〜第３マントルヒータ２６０
ａ，２６０ｂ，２６０ｃの実抵抗値と上記目標抵抗値と
に基づき温度制御する。その他の構成は，上述したヒー
タ制御装置１６０と同一である。上記目標抵抗値
ＲＳ １，ＲＳ２，ＲＳ３を用いて上記温度制御を行え
ば，一の設定温度で上記各加熱箇所を異なる温度に維持
できる。このため，温度制御器に第１〜第３マントルヒ
ータ２６０ａ，２６０ｂ，２６０ｃの各加熱箇所ごと設
定温度を設定する必要がない。なお，本実施の形態は，
抵抗ヒータ１１２，マントルヒータ１４０，１４４，第
１〜第４カートリッジヒータ１４６，１４８，１５０，
１５２や，その他のヒータの温度制御にも適用できる。
また，本実施の形態は，第４の実施の形態で説明した電
圧制御にも同様に適用できる。
【０１０８】以上，本発明の好適な実施の形態につい
て，添付図面を参照しながら説明したが，本発明はかか
る構成に限定されるものではない。特許請求の範囲に記
載された技術的思想の範疇において，当業者であれば，
各種の変更例および修正例に想到し得るものであり，そ
れら変更例および修正例についても本発明の技術的範囲
に属するものと了解される。
【０１０９】例えば，上記実施の形態において，ヒータ
の加熱体にＦｅ−Ｎｉ合金を採用する構成を例に挙げて
説明したが，本発明はかかる構成に限定されない。本発
明は，温度に応じて抵抗値が大きく変化する種々の材料
を加熱体に採用しても実施できる。
【０１１０】また，上記実施の形態において，装置の始
動直後などで被加熱部材が設定温度に達していない場合
でも，ヒータ抵抗値が目標抵抗値に追従するように各ヒ
ータへの電力を制御する構成を例に挙げて説明したが，
本発明はかかる構成に限定されない。本発明は，各ヒー
タへの電力の過剰供給により，被加熱部材の温度を設定
温度まで急速に加熱させる場合にも適用することができ
る。かかる場合でも，各ヒータには，温度上昇に伴って
抵抗値が増加し，電流値が減少する抵抗体が採用されて
いるので損傷することがない。
【０１１１】さらに，上記実施の形態において，熱ＣＶ
Ｄ装置を構成する部材および熱ＣＶＤ装置に接続される
各部材の加熱に本発明を適用可能なヒータおよびヒータ
制御装置を採用した構成を例に挙げて説明したが，本発
明はかかる構成に限定されない。本発明は，プラズマＣ
ＶＤ装置やプラズマエッチング装置やプラズマアッシン
グ装置などのプラズマ処理装置を含む各種半導体製造装
置，さらに加熱が必要な各種装置や部材にも適用でき
る。
【０１１２】
【発明の効果】本発明によれば，各加熱手段の抵抗ある
いは各加熱手段に印加されている電圧に基づいて複数の
加熱手段の温度制御を行う。このため，各加熱手段ごと
に温度検出手段や過剰温度検出手段等を設ける必要がな
い。さらに，各温度検出手段に接続される配線も減少
し，装置構成を簡素化できる。その結果，イニシャルコ
ストの抑制，加熱手段や温度制御装置のメンテナンスの
容易化，装置の小型化を達成できる。また，本発明によ
れば，加熱手段の温度を直接測定できる。さらに，温度
検出手段の検出温度に基づいて各加熱手段全体の温度調
整を行う。このため，より厳密な温度管理を行うことが
できる。さらに，一の部材を複数の加熱手段で加熱する
場合でも，各加熱手段を一体として温度制御できる。こ
のため，各加熱手段同士の干渉が無くなり，均熱性を向
上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用可能なＣＶＤ装置を示す概略的な
断面図である。
【図２】図１に示すＣＶＤ装置に設けられているカート
リッジヒータの配置を説明するための概略的な斜視図で
ある。
【図３】図１に示すＣＶＤ装置に設けられているカート
リッジヒータの構成を説明するための概略的な斜視図で
ある。
【図４】図１に示すＣＶＤ装置およびＣＶＤ装置に接続
されている部材に設けられている各ヒータの発熱体の特
性を説明するための概略的な説明図である。
【図５】図１に示すヒータ制御装置の構成を説明するた
めの概略的な説明図である。
【図６】図５に示すヒータ制御部の構成を説明するため
の概略的な説明図である。
【図７】図６に示す位相制御器の位相制御を説明するた
めの概略的な説明図である。
【図８】図６に示す演算器の構成を説明するための概略
的な説明図である。
【図９】本発明の他の形態の演算器の構成を説明するた
めの概略的な説明図である。
【図１０】本発明の他の形態のマントルヒータの制御構
成を説明するための概略的な説明図である。
【図１１】本発明の他の形態のヒータ制御装置を説明す
るための概略的な説明図である。
【図１２】図１１に示すヒータ制御装置の制御構成を説
明するための概略的な説明図である。
【図１３】本発明の他の形態の零クロス制御を説明する
ための概略的な説明図である。
【図１４】本発明の他の形態のリニア制御を説明するた
めの概略的な説明図である。
【符号の説明】
１００ ＣＶＤ装置 １０２ 処理室 １０６ 載置台 １０８ ガス吐出部材 １１０，１３８，１４２，１６０，２６２ ヒータ
制御装置 １１２ 抵抗ヒータ １４０，１４４，２６０ マントルヒータ １４６，１４８，１５０，１５２ 第１〜第４カー
トリッジヒータ １５６ 発熱線材 １６４ 温度制御器 １６６，１６８，１７０，１７２ 第１〜第４ヒー
タ制御器 １７４ ヒータ制御部 １７５ インターロック制御部 １７６ 電圧センサ １７８ 電流センサ １８４ 演算器 １９０ 位相制御器 ２５０ 温度センサ Ｗ ウェハ

Claims (28)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被加熱体を加熱する加熱手段の温度制御
    装置であって：温度上昇に伴って抵抗値が増加する２以
    上の前記加熱手段と；前記被加熱体の温度を検出する少
    なくとも１の温度検出手段と；前記被加熱体の設定温度
    から求められる基準抵抗値を前記温度検出手段の検出温
    度から求められる補正値で補正し，前記補正された基準
    抵抗値に前記各加熱手段ごとに予め求められている前記
    被加熱体の温度分布を調整する温度分布定数を乗算し，
    前記各加熱手段の目標抵抗値を求める目標抵抗値演算手
    段と；前記各加熱手段に印加されている電圧に基づく帰
    還電圧値と，前記各加熱手段を流れている電流に基づく
    帰還電流値から，前記各加熱手段の実抵抗値を求める実
    抵抗値演算手段と；前記各加熱手段の前記実抵抗値が前
    記目標抵抗値に追従するように，前記各加熱手段に印加
    する電力を制御する電力制御手段と；を有することを特
    徴とする，加熱手段の温度制御装置。
  2. 【請求項２】 前記電力制御手段は，前記各加熱手段に
    印加する電力を位相制御する位相制御手段であることを
    特徴とする，請求項１に記載の加熱手段の温度制御装
    置。
  3. 【請求項３】 前記位相制御手段は，前記実抵抗値が前
    記目標抵抗値よりも小さい場合には，前記電力の印加時
    間を増加し，前記実抵抗値が前記目標抵抗値と実質的に
    同一の場合には，前記電力の印加時間を維持すると共
    に，前記実抵抗値が前記目標抵抗値よりも大きい場合に
    は，前記電力の印加時間を減少することを特徴とする，
    請求項２に記載の加熱手段の温度制御装置。
  4. 【請求項４】 前記電力制御手段は，前記各加熱手段に
    印加する電力を零クロス制御する零クロス制御手段であ
    ることを特徴とする，請求項１に記載の加熱手段の温度
    制御装置。
  5. 【請求項５】 前記電力制御手段は，前記各加熱手段に
    印加する電力をリニア制御するリニア制御手段であるこ
    とを特徴とする，請求項１に記載の加熱手段の温度制御
    装置。
  6. 【請求項６】 前記電力制御手段には，前記実抵抗値が
    上限抵抗値よりも大きくなった場合または下限抵抗値よ
    りも小さくなった場合に，前記加熱手段への前記電力の
    供給を停止する電力供給停止手段が接続されることを特
    徴とする，請求項１，２，３，４または５のいずれかに
    記載の加熱手段の温度制御装置。
  7. 【請求項７】 前記被加熱体は，前記半導体製造装置類
    を構成する部材であることを特徴とする，請求項１，
    ２，３，４，５または６のいずれかに記載の加熱手段の
    温度制御装置。
  8. 【請求項８】 被加熱体を加熱する加熱手段の温度制御
    装置であって：温度上昇に伴って抵抗値が増加する２以
    上の前記加熱手段と；前記被加熱体の温度を検出する少
    なくとも１の温度検出手段と；前記被加熱体の設定温度
    から求められる基準電圧値を前記温度検出手段の検出温
    度から求められる補正値で補正し，前記補正された基準
    電圧値に前記各加熱手段ごとに予め求められている前記
    被加熱体の温度分布を調整する温度分布定数を乗算し，
    前記各加熱手段の目標電圧値を求める目標電圧値演算手
    段と；前記各加熱手段に印加されている実電圧値を検出
    する電圧検出手段と；前記各加熱手段の前記実電圧値が
    前記目標電圧値に追従するように，前記各加熱手段に印
    加する電力を制御する電力制御手段と；を有することを
    特徴とする，加熱手段の温度制御装置。
  9. 【請求項９】 前記電力制御手段は，前記各加熱手段に
    印加する電力を位相制御する位相制御手段であることを
    特徴とする，請求項８に記載の加熱手段の温度制御装
    置。
  10. 【請求項１０】 前記位相制御手段は，前記実電圧値が
    前記目標電圧値よりも小さい場合には，前記電力の印加
    時間を増加し，前記実電圧値が前記目標電圧値と実質的
    に同一の場合には，前記電力の印加時間を維持すると共
    に，前記実電圧値が前記目標電圧値よりも大きい場合に
    は，前記電力の印加時間を減少することを特徴とする，
    請求項９に記載の加熱手段の温度制御装置。
  11. 【請求項１１】 前記電力制御手段は，前記各加熱手段
    に印加する電力を零クロス制御する零クロス制御手段で
    あることを特徴とする，請求項８に記載の加熱手段の温
    度制御装置。
  12. 【請求項１２】 前記電力制御手段は，前記各加熱手段
    に印加する電力をリニア制御するリニア制御手段である
    ことを特徴とする，請求項８に記載の加熱手段の温度制
    御装置。
  13. 【請求項１３】 前記電力制御手段には，前記実電圧値
    が上限電圧値よりも大きくなった場合または下限電圧値
    よりも小さくなった場合に，前記加熱手段への前記電力
    の供給を停止する電力供給停止手段が接続されることを
    特徴とする，請求項８，９，１０，１１または１２のい
    ずれかに記載の加熱手段の温度制御装置。
  14. 【請求項１４】 前記被加熱体は，前記半導体製造装置
    類を構成する部材であることを特徴とする，請求項８，
    ９，１０，１１，１２または１３のいずれかに記載の加
    熱手段の温度制御装置。
  15. 【請求項１５】 被加熱体を加熱する加熱手段の温度制
    御方法であって：前記被加熱体の設定温度から求められ
    る基準抵抗値を，少なくとも１の温度検出手段で検出さ
    れた前記被加熱体の検出温度から求められる補正値で補
    正する工程と；前記補正された基準抵抗値に，温度上昇
    に伴って抵抗値が増加する２以上の前記加熱手段ごとに
    予め求められている前記被加熱体の温度分布を調整する
    温度分布定数を乗算し，前記各加熱手段の目標抵抗値を
    求める工程と；前記各加熱手段に印加されている電圧に
    基づく帰還電圧値と，前記各加熱手段を流れている電流
    に基づく帰還電流値から，前記各加熱手段の実抵抗値を
    求める工程と；前記各加熱手段の前記実抵抗値が前記目
    標抵抗値に追従するように，前記各加熱手段に印加する
    電力を制御する工程と；を含むことを特徴とする，加熱
    手段の温度制御方法。
  16. 【請求項１６】 前記電力を制御する工程は，前記各加
    熱手段に印加する電力を位相制御する工程であることを
    特徴とする，請求項１５に記載の加熱手段の温度制御方
    法。
  17. 【請求項１７】前記電力を位相制御する工程は，前記実
    抵抗値が前記目標抵抗値よりも小さい場合には，前記電
    力の印加時間を増加させる工程と；前記実抵抗値が前記
    目標抵抗値と実質的に同一の場合には，前記電力の印加
    時間を維持する工程と；前記実抵抗値が前記目標抵抗値
    よりも大きい場合には，前記電力の印加時間を減少させ
    る工程と；を含むことを特徴とする，請求項１６に記載
    の加熱手段の温度制御方法。
  18. 【請求項１８】 前記電力を制御する工程は，前記各加
    熱手段に印加する電力を零クロス制御する工程であるこ
    とを特徴とする，請求項１５に記載の加熱手段の温度制
    御方法。
  19. 【請求項１９】 前記電力を制御する工程は，前記各加
    熱手段に印加する電力をリニア制御する工程であること
    を特徴とする，請求項１５に記載の加熱手段の温度制御
    方法。
  20. 【請求項２０】 さらに，前記実抵抗値が上限抵抗値よ
    りも大きくなった場合または下限抵抗値よりも小さくな
    った場合に，前記加熱手段への前記電力の供給を停止す
    る工程を含むことを特徴とする，請求項１５，１６，１
    ７，１８または１９のいずれかに記載の加熱手段の温度
    制御方法。
  21. 【請求項２１】 前記被加熱体は，半導体製造装置類を
    構成する部材であることを特徴とする，請求項１５，１
    ６，１７，１８，１９または２０のいずれかに記載の加
    熱手段の温度制御方法。
  22. 【請求項２２】 被加熱体を加熱する加熱手段の温度制
    御方法であって：前記被加熱体の設定温度から求められ
    る基準電圧値を，少なくとも１の温度検出手段で検出さ
    れた前記被加熱体の検出温度から求められる補正値で補
    正する工程と；前記補正された基準電圧値に，温度上昇
    に伴って抵抗値が増加する２以上の前記加熱手段ごとに
    予め求められている前記被加熱体の温度分布を調整する
    温度分布定数を乗算し，前記各加熱手段の目標電圧値を
    求める工程と；前記各加熱手段に印加されている実電圧
    値を検出する工程と；前記各加熱手段の前記実電圧値が
    前記目標電圧値に追従するように，前記各加熱手段に印
    加する電力を制御する工程と；を含むことを特徴とす
    る，加熱手段の温度制御方法。
  23. 【請求項２３】 前記電力を制御する工程は，前記各加
    熱手段に印加する電力を位相制御する工程であることを
    特徴とする，請求項２２に記載の加熱手段の温度制御方
    法。
  24. 【請求項２４】 前記電力を位相制御する工程は，前記
    実電圧値が前記目標電圧値よりも小さい場合には，前記
    電力の印加時間を増加させる工程と；前記実電圧値が前
    記目標電圧値と実質的に同一の場合には，前記電力の印
    加時間を維持する工程と；前記実電圧値が前記目標電圧
    値よりも大きい場合には，前記電力の印加時間を減少さ
    せる工程と；を含むことを特徴とする，請求項２３に記
    載の加熱手段の温度制御方法。
  25. 【請求項２５】 前記電力を制御する工程は，前記各加
    熱手段に印加する電力を零クロス制御する工程であるこ
    とを特徴とする，請求項２２に記載の加熱手段の温度制
    御方法。
  26. 【請求項２６】 前記電力を制御する工程は，前記各加
    熱手段に印加する電力をリニア制御する工程であること
    を特徴とする，請求項２２に記載の加熱手段の温度制御
    方法。
  27. 【請求項２７】 さらに，前記実電圧値が上限電圧値よ
    りも大きくなった場合または下限電圧値よりも小さくな
    った場合に，前記加熱手段への前記電力の供給を停止す
    る工程を含むことを特徴とする，請求項２２，２３，２
    ４，２５または２６のいずれかに記載の加熱手段の温度
    制御方法。
  28. 【請求項２８】 前記被加熱体は，半導体製造装置類を
    構成する部材であることを特徴とする，請求項２２，２
    ３，２４，２５，２６または２７のいずれかに記載の加
    熱手段の温度制御方法。
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TW088121787A TW457521B (en) 1998-12-14 1999-12-13 Temperature control device of heating means and temperature controlling method
US09/857,849 US6627859B1 (en) 1998-12-14 1999-12-13 Method and apparatus for temperature control of heater

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Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006501576A (ja) * 2002-09-30 2006-01-12 エムアールエル インダストリーズ 回路及びこの回路を含むフォールトトレラントアセンブリ
WO2007063841A1 (ja) * 2005-11-29 2007-06-07 Tokyo Electron Limited 熱処理方法及び熱処理装置
WO2009048080A1 (ja) * 2007-10-12 2009-04-16 Eagle Industry Co., Ltd. 加熱装置
JP2009148100A (ja) * 2007-12-15 2009-07-02 Tokyo Electron Ltd 電力制御装置、これを用いた熱処理装置、電力制御方法及び記憶媒体
JP2009238381A (ja) * 2008-03-25 2009-10-15 Ulvac Japan Ltd ホットプレート、そのホットプレートを用いた処理装置
KR20120140629A (ko) * 2011-06-21 2012-12-31 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 반도체 제조장치
JP2013030758A (ja) * 2011-06-21 2013-02-07 Nuflare Technology Inc 成膜装置および成膜方法
CN103572260A (zh) * 2012-07-25 2014-02-12 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 加热装置及具有其的cvd设备的反应腔、cvd设备
JP2014522565A (ja) * 2011-05-20 2014-09-04 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド プロセスチャンバ内の複数区域ヒータの温度を制御するための方法および装置
JP2014529826A (ja) * 2011-08-30 2014-11-13 ワトロウ エレクトリック マニュファクチュアリング カンパニー サーマルアレイ制御システムおよび方法
WO2019083045A1 (ja) * 2017-10-27 2019-05-02 京セラ株式会社 ヒータ及びヒータシステム
WO2020010153A1 (en) * 2018-07-05 2020-01-09 Lam Research Corporation Dynamic temperature control of substrate support in substrate processing system
JP2020077880A (ja) * 2016-06-24 2020-05-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
US10872747B2 (en) 2018-08-08 2020-12-22 Lam Research Corporation Controlling showerhead heating via resistive thermal measurements
JP2021002576A (ja) * 2019-06-21 2021-01-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US11028482B2 (en) 2018-05-07 2021-06-08 Lam Research Corporation Use of voltage and current measurements to control dual zone ceramic pedestals
US11183400B2 (en) 2018-08-08 2021-11-23 Lam Research Corporation Progressive heating of components of substrate processing systems using TCR element-based heaters
US11236422B2 (en) 2017-11-17 2022-02-01 Lam Research Corporation Multi zone substrate support for ALD film property correction and tunability
WO2022163214A1 (ja) * 2021-01-29 2022-08-04 住友電気工業株式会社 ヒータ制御装置

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005027454A (ja) * 2003-07-04 2005-01-27 Mitsubishi Electric Corp 車両用制御装置
US8253057B1 (en) 2004-09-03 2012-08-28 Jack Hunt System and method for plasma generation
US8548312B2 (en) 2010-02-19 2013-10-01 Applied Materials, Inc. High efficiency high accuracy heater driver
JP5732284B2 (ja) * 2010-08-27 2015-06-10 株式会社ニューフレアテクノロジー 成膜装置および成膜方法
TWI426219B (zh) * 2010-10-15 2014-02-11 Grand Mate Co Ltd Power supply system and its method for storm type gas appliance
CN102419605A (zh) * 2011-11-07 2012-04-18 英利集团有限公司 加热温度控制装置及具有该装置的光伏组件分解回收设备
US8569808B1 (en) * 2012-04-06 2013-10-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Temperature stabilitized MEMS
CN105373160A (zh) * 2015-11-13 2016-03-02 通用国际企业有限公司 一种液体加热系统及其方法
JP7094804B2 (ja) * 2018-07-03 2022-07-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7190888B2 (ja) * 2018-12-06 2022-12-16 東京エレクトロン株式会社 配管加熱装置及び基板処理装置
WO2023235723A1 (en) * 2022-06-01 2023-12-07 Watlow Electric Manufacturing Company Method and system for calibrating a controller that determines a resistance of a load

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5228763U (ja) * 1975-08-22 1977-02-28
JPS5228763A (en) 1975-08-29 1977-03-03 Hitachi Ltd Two temperature system refrigerator
US4086466A (en) * 1976-04-30 1978-04-25 Scharlack Ronald S Automatic heater controller
JPS5720818A (en) * 1980-07-14 1982-02-03 Rohm Co Ltd Exothermic temperature control device of resistance heating element
US4394564A (en) * 1981-12-21 1983-07-19 General Electric Company Solid plate heating unit
US4786799A (en) * 1987-07-27 1988-11-22 General Electric Company Power control for cooking appliance with multiple heating units
JPH02296273A (ja) * 1989-05-10 1990-12-06 Ricoh Co Ltd 電子写真方式の画像形成装置
JP2644910B2 (ja) * 1990-07-05 1997-08-25 日本碍子株式会社 セラミックスヒーター
JP2862344B2 (ja) 1990-07-18 1999-03-03 三菱重工業株式会社 首振りノズル用排気ダクト装置
US5120936A (en) * 1990-08-22 1992-06-09 Industrial Technology Research Institute Multiplex heating system with temperature control
JPH0478796U (ja) * 1990-11-21 1992-07-09
US5111792A (en) * 1991-06-07 1992-05-12 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Apparatus for controlling heater for oxygen sensor and fuel control apparatus using the same
US5294778A (en) * 1991-09-11 1994-03-15 Lam Research Corporation CVD platen heater system utilizing concentric electric heating elements
FR2682253A1 (fr) * 1991-10-07 1993-04-09 Commissariat Energie Atomique Sole chauffante destinee a assurer le chauffage d'un objet dispose a sa surface et reacteur de traitement chimique muni de ladite sole.
JPH07160132A (ja) * 1993-12-01 1995-06-23 Canon Inc 加熱装置
JP3268628B2 (ja) * 1996-09-03 2002-03-25 東京エレクトロン株式会社 自動制御方法及びその装置
US6469283B1 (en) * 1999-03-04 2002-10-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing thermal gradients within a substrate support

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006501576A (ja) * 2002-09-30 2006-01-12 エムアールエル インダストリーズ 回路及びこの回路を含むフォールトトレラントアセンブリ
WO2007063841A1 (ja) * 2005-11-29 2007-06-07 Tokyo Electron Limited 熱処理方法及び熱処理装置
WO2009048080A1 (ja) * 2007-10-12 2009-04-16 Eagle Industry Co., Ltd. 加熱装置
JP2009148100A (ja) * 2007-12-15 2009-07-02 Tokyo Electron Ltd 電力制御装置、これを用いた熱処理装置、電力制御方法及び記憶媒体
JP2009238381A (ja) * 2008-03-25 2009-10-15 Ulvac Japan Ltd ホットプレート、そのホットプレートを用いた処理装置
JP2014522565A (ja) * 2011-05-20 2014-09-04 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド プロセスチャンバ内の複数区域ヒータの温度を制御するための方法および装置
US9598792B2 (en) 2011-06-21 2017-03-21 Nuflare Technology, Inc. Film-forming apparatus and film-forming method
JP2013030758A (ja) * 2011-06-21 2013-02-07 Nuflare Technology Inc 成膜装置および成膜方法
JP2013004907A (ja) * 2011-06-21 2013-01-07 Tokyo Electron Ltd 半導体製造装置
US9734993B2 (en) 2011-06-21 2017-08-15 Tokyo Electron Limited Semiconductor manufacturing apparatus
TWI603413B (zh) * 2011-06-21 2017-10-21 Tokyo Electron Ltd Semiconductor manufacturing equipment
KR101893938B1 (ko) * 2011-06-21 2018-08-31 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 반도체 제조장치
KR20120140629A (ko) * 2011-06-21 2012-12-31 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 반도체 제조장치
JP2014529826A (ja) * 2011-08-30 2014-11-13 ワトロウ エレクトリック マニュファクチュアリング カンパニー サーマルアレイ制御システムおよび方法
CN103572260A (zh) * 2012-07-25 2014-02-12 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 加热装置及具有其的cvd设备的反应腔、cvd设备
CN103572260B (zh) * 2012-07-25 2016-06-08 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 加热装置及具有其的cvd设备的反应腔、cvd设备
JP2020077880A (ja) * 2016-06-24 2020-05-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
WO2019083045A1 (ja) * 2017-10-27 2019-05-02 京セラ株式会社 ヒータ及びヒータシステム
KR102373639B1 (ko) * 2017-10-27 2022-03-14 교세라 가부시키가이샤 히터 및 히터 시스템
JPWO2019083045A1 (ja) * 2017-10-27 2020-12-10 京セラ株式会社 ヒータ及びヒータシステム
KR20200047653A (ko) * 2017-10-27 2020-05-07 교세라 가부시키가이샤 히터 및 히터 시스템
US11236422B2 (en) 2017-11-17 2022-02-01 Lam Research Corporation Multi zone substrate support for ALD film property correction and tunability
US11028482B2 (en) 2018-05-07 2021-06-08 Lam Research Corporation Use of voltage and current measurements to control dual zone ceramic pedestals
JP2021530109A (ja) * 2018-07-05 2021-11-04 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 基板処理システムにおける基板支持体の動的温度制御
WO2020010153A1 (en) * 2018-07-05 2020-01-09 Lam Research Corporation Dynamic temperature control of substrate support in substrate processing system
US11908715B2 (en) 2018-07-05 2024-02-20 Lam Research Corporation Dynamic temperature control of substrate support in substrate processing system
JP7456951B2 (ja) 2018-07-05 2024-03-27 ラム リサーチ コーポレーション 基板処理システムにおける基板支持体の動的温度制御
US11183400B2 (en) 2018-08-08 2021-11-23 Lam Research Corporation Progressive heating of components of substrate processing systems using TCR element-based heaters
US10872747B2 (en) 2018-08-08 2020-12-22 Lam Research Corporation Controlling showerhead heating via resistive thermal measurements
JP2021002576A (ja) * 2019-06-21 2021-01-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP7071946B2 (ja) 2019-06-21 2022-05-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
WO2022163214A1 (ja) * 2021-01-29 2022-08-04 住友電気工業株式会社 ヒータ制御装置

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