JP7456951B2 - 基板処理システムにおける基板支持体の動的温度制御 - Google Patents
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Description
本願は、2018年7月5日出願の米国仮出願第62/694,171号の利益を主張する。上記出願の全ての開示は、本明細書に参照として援用される。
[適用例1]
基板処理システムのための温度制御式基板支持体であって、
NのゾーンおよびNの抵抗発熱体をそれぞれ備える基板支持体であって、Nは1より大きい整数であり、前記Nのゾーンの1つには温度センサが設置されている、基板支持体と、
コントローラであって、
動作中の前記Nの抵抗発熱体のNの抵抗を算出し、
前記基板処理システムの動作中に、
前記温度センサによって測定された前記Nのゾーンの前記1つにおける前記温度と、
前記Nの抵抗発熱体の前記Nの抵抗と、
N-1の抵抗比と、
に応答して、前記Nの抵抗発熱体のN-1への電力を調節するように構成された、コントローラと、
を備える、温度制御式基板支持体。
[適用例2]
適用例1に記載の温度制御式基板支持体であって、
前記N-1の抵抗比は、前記基板支持体が均一な温度にあるときに、前記Nのゾーンにおける前記Nの抵抗発熱体の前記Nの抵抗をそれぞれ測定し、前記NのゾーンのN-1の前記Nの抵抗のN-1を、前記Nのゾーンの前記1つに対応する前記Nの抵抗の1つで割ることによって決定される、温度制御式基板支持体。
[適用例3]
適用例2に記載の温度制御式基板支持体であって、
前記均一な温度は、大気温度に相当する、温度制御式基板支持体。
[適用例4]
適用例1に記載の温度制御式基板支持体であって、
前記N-1のゾーンは、温度センサを備えない、温度制御式基板支持体。
[適用例5]
適用例1に記載の温度制御式基板支持体であって、
前記コントローラは、
前記Nの抵抗発熱体に供給されるNの電圧をそれぞれ監視することと、
前記Nの抵抗発熱体に供給された前記Nの電圧に基づいて前記Nの抵抗をそれぞれ算出することと、
によって、動作中の前記Nの抵抗発熱体の前記Nの抵抗を算出する、温度制御式基板支持体。
[適用例6]
適用例1に記載の温度制御式基板支持体であって、
前記コントローラは、
前記Nの抵抗発熱体に供給されるNの電流をそれぞれ監視することと、
前記Nの抵抗発熱体に供給された前記Nの電流に基づいて前記Nの抵抗をそれぞれ算出することと、
によって、動作中の前記Nの抵抗発熱体の前記Nの抵抗を算出する、温度制御式基板支持体。
[適用例7]
適用例1に記載の温度制御式基板支持体であって、
前記コントローラは、
前記Nの抵抗発熱体に供給されるNの電流およびNの電圧をそれぞれ監視することと、
前記Nの抵抗発熱体に供給された前記Nの電流および前記Nの電圧に基づいて前記Nの抵抗をそれぞれ算出することと、
によって、動作中の前記Nの抵抗発熱体の前記Nの抵抗を算出する、温度制御式基板支持体。
[適用例8]
適用例1に記載の温度制御式基板支持体であって、
前記コントローラは、前記温度センサによって測定された前記温度に基づいて、前記Nのゾーンの前記1つへの電力を制御するように構成されている、温度制御式基板支持体。
[適用例9]
基板処理システムのための温度制御式基板支持体を製造する方法であって、
基板支持体のNのゾーンにNの抵抗発熱体を埋め込む工程と、
前記基板支持体の前記Nのゾーンの1つに温度センサを埋め込む工程と、
前記基板支持体の前記Nのゾーンにおける前記Nの抵抗発熱体のNの抵抗を測定する工程と、
前記Nの抵抗に基づいてN-1の抵抗比を決定する工程と、
前記Nの抵抗発熱体および前記温度センサにコントローラを接続する工程と、
前記基板処理システムの動作中に、
前記Nのゾーンの前記1つにおける測定された温度と、
前記Nの抵抗発熱体の前記Nの抵抗と、
前記N-1の抵抗比と、
に応答して、前記NのゾーンのN-1における前記Nの抵抗発熱体のN-1の温度をそれぞれ制御するように前記コントローラをプログラミングする工程と、
を含む、方法。
[適用例10]
適用例9に記載の方法であって、
前記N-1の抵抗比は、
前記基板支持体が均一の温度であるときの前記抵抗発熱体の前記Nの抵抗をそれぞれ決定することと、
前記Nのゾーンの前記N-1の前記Nの抵抗の前記N-1を、前記Nのゾーンの前記1つに対応する前記Nの抵抗の1つで割ることと、
によって算出される、方法。
[適用例11]
適用例9に記載の方法であって、
前記均一な温度は、大気温度に相当する、方法。
[適用例12]
適用例9に記載の方法であって、
前記Nのゾーンの前記N-1は、温度センサを備えない、方法。
[適用例13]
適用例9に記載の方法であって、
前記Nの抵抗発熱体の前記Nの抵抗を測定する工程は、
前記Nの抵抗発熱体に供給されるNの電圧をそれぞれ監視する工程と、
前記Nの抵抗発熱体に供給された前記Nの電圧に基づいて前記Nの抵抗をそれぞれ算出する工程と、
を含む、方法。
[適用例14]
適用例9に記載の方法であって、
前記Nのゾーンの前記Nの抵抗を測定する工程は、
前記Nの抵抗発熱体に供給されるNの電流をそれぞれ監視する工程と、
前記Nの抵抗発熱体に供給された前記Nの電流に基づいて前記Nの抵抗をそれぞれ算出する工程と、
を含む、方法。
[適用例15]
適用例9に記載の方法であって、
動作中の前記Nのゾーンの前記Nの抵抗を測定する工程は、
Nの抵抗発熱体に供給されるNの電流およびNの電圧をそれぞれ監視する工程と、
前記Nの抵抗発熱体に供給された前記Nの電流および前記Nの電圧に基づいて前記Nの抵抗をそれぞれ算出する工程と、
を含む、方法。
[適用例16]
基板処理システムの基板支持体におけるゾーンの温度を制御するための方法であって、
前記基板処理システムの動作中に、Nのゾーンの1つに設置された温度センサを用いて、基板支持体の前記Nのゾーンの前記1つにおける温度を測定する工程であって、Nは1より大きい整数である、工程と、
前記基板処理システムの動作中に、前記Nのゾーンに設置されたNの抵抗発熱体のNの抵抗をそれぞれ測定する工程と、
前記基板処理システムの動作中に、
前記Nのゾーンの前記1つにおける前記測定された温度と、
前記Nの抵抗発熱体の前記Nの抵抗と、
N-1の抵抗比と、
に応答して前記NのゾーンのN-1における温度を制御するように、前記NのゾーンのN-1における前記Nの抵抗発熱体のN-1への電力をそれぞれ調節する工程と、
を含む、方法。
[適用例17]
適用例16に記載の方法であって、
前記N-1の抵抗比は、
前記基板支持体が均一の温度であるときの前記Nの抵抗発熱体の前記Nの抵抗をそれぞれ決定することと、
前記NのゾーンのN-1の前記Nの抵抗のN-1を、前記Nのゾーンの前記1つに対応する前記Nの抵抗の1つで割ることと、
によって算出される、方法。
[適用例18]
適用例17に記載の方法であって、
前記均一な温度は、大気温度に相当する、方法。
[適用例19]
適用例16に記載の方法であって、
前記Nのゾーンの前記N-1は、温度センサを備えない、方法。
[適用例20]
適用例16に記載の方法であって、
前記Nの抵抗発熱体の前記Nの抵抗を測定する工程は、
前記Nの抵抗発熱体に供給されるNの電圧をそれぞれ監視する工程と、
前記Nの抵抗発熱体に供給された前記Nの電圧に基づいて前記Nの抵抗をそれぞれ算出する工程と、
を含む、方法。
[適用例21]
適用例16に記載の方法であって、
前記Nのゾーンの前記Nの抵抗を測定する工程は、
前記Nの抵抗発熱体に供給されるNの電流をそれぞれ監視する工程と、
前記Nの抵抗発熱体に供給された前記Nの電流に基づいて前記Nの抵抗をそれぞれ算出する工程と、
を含む、方法。
[適用例22]
適用例16に記載の方法であって、
動作中の前記Nのゾーンの前記Nの抵抗を測定する工程は、
Nの抵抗発熱体に供給されるNの電流およびNの電圧をそれぞれ監視する工程と、
前記Nの抵抗発熱体に供給された前記Nの電流および前記Nの電圧に基づいて前記Nの抵抗をそれぞれ算出する工程と、
を含む、方法。
[適用例23]
適用例16に記載の方法であって、さらに、
前記温度センサによって測定された前記温度に基づいて、前記Nのゾーンの前記1つへの電力を制御する工程を含む、方法。
Claims (23)
- 基板処理システムのための温度制御式基板支持体であって、
N個のゾーンおよびN個の抵抗発熱体をそれぞれ備える基板支持体であって、Nは1より大きい整数であり、前記N個のゾーンのうちの1個には温度センサが設置されている、基板支持体と、
コントローラであって、
動作中の前記N個の抵抗発熱体についてN個の抵抗を算出し、
前記基板処理システムの動作中に、
前記温度センサによって測定された前記N個のゾーンの前記1個における温度と、
前記N個の抵抗発熱体についての前記N個の抵抗と、
N-1個の抵抗比と、
に応答して、前記N個の抵抗発熱体のうちのN-1個への電力を調節するように構成された、コントローラと、
を備える、温度制御式基板支持体。 - 請求項1に記載の温度制御式基板支持体であって、
前記N-1個の抵抗比は、前記基板支持体が均一な温度にあるときに、前記N個のゾーンにおける前記N個の抵抗発熱体の前記N個の抵抗をそれぞれ測定し、前記N個のゾーンのうちのN-1個の、前記N個の抵抗のうちのN-1個を、前記N個のゾーンのうちの前記1個に対応する、前記N個の抵抗のうちの1個で割ることによって決定される、温度制御式基板支持体。 - 請求項2に記載の温度制御式基板支持体であって、
前記均一な温度は、大気温度に相当する、温度制御式基板支持体。 - 請求項1に記載の温度制御式基板支持体であって、
前記N-1個のゾーンは、温度センサを備えない、温度制御式基板支持体。 - 請求項1に記載の温度制御式基板支持体であって、
前記コントローラは、
前記N個の抵抗発熱体に供給されるN個の電圧をそれぞれ監視することと、
前記N個の抵抗発熱体に供給された前記N個の電圧に基づいて前記N個の抵抗をそれぞれ算出することと、
によって、動作中の前記N個の抵抗発熱体について前記N個の抵抗を算出する、温度制御式基板支持体。 - 請求項1に記載の温度制御式基板支持体であって、
前記コントローラは、
前記N個の抵抗発熱体に供給されるN個の電流をそれぞれ監視することと、
前記N個の抵抗発熱体に供給された前記N個の電流に基づいて前記N個の抵抗をそれぞれ算出することと、
によって、動作中の前記N個の抵抗発熱体について前記N個の抵抗を算出する、温度制御式基板支持体。 - 請求項1に記載の温度制御式基板支持体であって、
前記コントローラは、
前記N個の抵抗発熱体に供給されるN個の電流およびN個の電圧をそれぞれ監視することと、
前記N個の抵抗発熱体に供給された前記N個の電流および前記N個の電圧に基づいて前記N個の抵抗をそれぞれ算出することと、
によって、動作中の前記N個の抵抗発熱体について前記N個の抵抗を算出する、温度制御式基板支持体。 - 請求項1に記載の温度制御式基板支持体であって、
前記コントローラは、前記温度センサによって測定された前記温度に基づいて、前記N個のゾーンのうちの前記1個への電力を制御するように構成されている、温度制御式基板支持体。 - 基板処理システムのための温度制御式基板支持体を製造する方法であって、
基板支持体のN個のゾーンにN個の抵抗発熱体を埋め込む工程と、
前記基板支持体の前記N個のゾーンのうちの1個に温度センサを埋め込む工程と、
前記基板支持体の前記N個のゾーンにおける前記N個の抵抗発熱体についてN個の抵抗を測定する工程と、
前記N個の抵抗に基づいてN-1個の抵抗比を決定する工程と、
前記N個の抵抗発熱体および前記温度センサにコントローラを接続する工程と、
前記基板処理システムの動作中に、
前記N個のゾーンのうちの前記1個における測定された温度と、
前記N個の抵抗発熱体についての前記N個の抵抗と、
前記N-1個の抵抗比と、
に応答して、前記N個のゾーンのうちのN-1個における、前記N個の抵抗発熱体のうちのN-1個の温度をそれぞれ制御するように前記コントローラをプログラミングする工程と、
を含む、方法。 - 請求項9に記載の方法であって、
前記N-1個の抵抗比は、
前記基板支持体が均一の温度であるときの前記N個の抵抗発熱体について前記N個の抵抗をそれぞれ決定することと、
前記N個のゾーンのうちの前記N-1個の、前記N個の抵抗のうちの前記N-1個を、前記N個のゾーンのうちの前記1個に対応する、前記N個の抵抗のうちの1個で割ることと、
によって算出される、方法。 - 請求項10に記載の方法であって、
前記均一な温度は、大気温度に相当する、方法。 - 請求項9に記載の方法であって、
前記N個のゾーンのうちの前記N-1個は、温度センサを備えない、方法。 - 請求項9に記載の方法であって、
前記N個の抵抗発熱体について前記N個の抵抗を測定する工程は、
前記N個の抵抗発熱体に供給されるN個の電圧をそれぞれ監視する工程と、
前記N個の抵抗発熱体に供給された前記N個の電圧に基づいて前記N個の抵抗をそれぞれ算出する工程と、
を含む、方法。 - 請求項9に記載の方法であって、
前記N個のゾーンについて前記N個の抵抗を測定する工程は、
前記N個の抵抗発熱体に供給されるN個の電流をそれぞれ監視する工程と、
前記N個の抵抗発熱体に供給された前記N個の電流に基づいて前記N個の抵抗をそれぞれ算出する工程と、
を含む、方法。 - 請求項9に記載の方法であって、
動作中の前記N個のゾーンについて前記N個の抵抗を測定する工程は、
N個の抵抗発熱体に供給されるN個の電流およびN個の電圧をそれぞれ監視する工程と、
前記N個の抵抗発熱体に供給された前記N個の電流および前記N個の電圧に基づいて前記N個の抵抗をそれぞれ算出する工程と、
を含む、方法。 - 基板処理システムの基板支持体におけるゾーンの温度を制御するための方法であって、
前記基板処理システムの動作中に、N個のゾーンのうちの1個に設置された温度センサを用いて、基板支持体の前記N個のゾーンのうちの前記1個における温度を測定する工程であって、Nは1より大きい整数である、工程と、
前記基板処理システムの動作中に、前記N個のゾーンに設置されたN個の抵抗発熱体についてN個の抵抗をそれぞれ測定する工程と、
前記基板処理システムの動作中に、
前記N個のゾーンのうちの前記1個における前記測定された温度と、
前記N個の抵抗発熱体についての前記N個の抵抗と、
N-1個の抵抗比と、
に応答して前記N個のゾーンのうちのN-1個における温度を制御するように、前記N個のゾーンのうちのN-1個における、前記N個の抵抗発熱体のうちのN-1個への電力をそれぞれ調節する工程と、
を含む、方法。 - 請求項16に記載の方法であって、
前記N-1個の抵抗比は、
前記基板支持体が均一の温度であるときの前記N個の抵抗発熱体について前記N個の抵抗をそれぞれ決定することと、
前記N個のゾーンのうちのN-1個の、前記N個の抵抗のうちのN-1個を、前記N個のゾーンのうちの前記1個に対応する、前記N個の抵抗のうちの1個で割ることと、
によって算出される、方法。 - 請求項17に記載の方法であって、
前記均一な温度は、大気温度に相当する、方法。 - 請求項16に記載の方法であって、
前記N個のゾーンのうちの前記N-1個は、温度センサを備えない、方法。 - 請求項16に記載の方法であって、
前記N個の抵抗発熱体について前記N個の抵抗を測定する工程は、
前記N個の抵抗発熱体に供給されるN個の電圧をそれぞれ監視する工程と、
前記N個の抵抗発熱体に供給された前記N個の電圧に基づいて前記N個の抵抗をそれぞれ算出する工程と、
を含む、方法。 - 請求項16に記載の方法であって、
前記N個のゾーンについて前記N個の抵抗を測定する工程は、
前記N個の抵抗発熱体に供給されるN個の電流をそれぞれ監視する工程と、
前記N個の抵抗発熱体に供給された前記N個の電流に基づいて前記N個の抵抗をそれぞれ算出する工程と、
を含む、方法。 - 請求項16に記載の方法であって、
動作中の前記N個のゾーンについて前記N個の抵抗を測定する工程は、
N個の抵抗発熱体に供給されるN個の電流およびN個の電圧をそれぞれ監視する工程と、
前記N個の抵抗発熱体に供給された前記N個の電流および前記N個の電圧に基づいて前記N個の抵抗をそれぞれ算出する工程と、
を含む、方法。 - 請求項16に記載の方法であって、さらに、
前記温度センサによって測定された前記温度に基づいて、前記N個のゾーンのうちの前記1個への電力を制御する工程を含む、方法。
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