CN104880266B - 具有柔性基底的温度补偿透明力传感器 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及具有柔性基底的温度补偿透明力传感器。一种光学透明的力传感器元件,通过比较第一力敏感部件与第二力敏感部件的力读数来补偿环境的影响。所述第一力敏感部件和第二力敏感部件设置在显示器堆叠层内的柔性基底的相对侧上。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求2014年1月13日提交的名为“Force Sensor Using a TransparentForce-Sensitive Film”的美国临时专利申请61/926,905、2014年2月7日提交的名为“Temperature Compensating Transparent Force Sensor”的美国临时专利申请61/937,465、2014年2月12日提交的名为“Temperature Compensating Transparent ForceSensor”的美国临时专利申请61/939,257、2014年2月19日提交的名为“Multi-LayerTemperature Compensating Transparent Force Sensor”的美国临时专利申请61/942,021以及2014年7月15日提交的名为“Strain-Based Transparent Force Sensor”的美国临时专利申请62/024,566的优先权,这些临时专利申请的每一个的公开内容通过整体引用而并入。
技术领域
在此描述的实施例主要涉及力感测,并且更具体地涉及温度补偿力传感器,该温度补偿力传感器具有设置在柔性基底任意侧上的两个或更多个透明力敏感部件。
背景技术
许多电子设备包含某种类型的用户输入设备,包括例如按钮、滑块(slides)、滚轮以及类似的设备或用户输入元件。一些设备可以包括与显示屏集成或合并的触摸传感器。该触摸传感器可以允许用户与显示屏上呈现的用户界面元件直接交互。然而,一些传统的触摸传感器可能仅仅提供在设备上的触摸位置。除了触摸位置之外,一些传统的触摸传感器产生的输出实际上是二进制数。也就是,存在或不存在触摸。
在一些情况下,检测和测量施加到表面的触摸力以提供非二进制触摸输入可能是有利的。但是,在电子设备中实现力传感器的相关方面也可能存在若干挑战。例如,设备或环境中的温度波动可能会在力测量值中引入不可接受的变化量。此外,如果力传感器并入显示器或透明媒介中,同时实现感测性能和紧凑形状系数(compact form factor)方面的光学性能可能存在挑战。
发明内容
在此说明的实施例可以涉及、包括、或者采用光学透明的力传感器的形式,该光学透明的力传感器可用作电子设备的输入。光学透明的力传感器可以被配置为利用设置在柔性基底相对侧上的两个或更多个力敏感结构来补偿温度变化。
在一些示意性实施例中,一种光学透明的力传感器,包括:力接收层和包含光学透明材料的基底,所述基底设置在所述力接收层下方。所述力传感器还可以包括设置在所述基底的第一侧上并且由光学透明的应变敏感材料组成的第一力敏感部件,以及设置在所述基底的与第一侧相对的第二侧上的第二力敏感部件。所述第二力敏感部件也可以由光学透明的应变敏感材料组成。
在一些实施例中,传感器还包括可操作地耦合到所述第一力敏感部件和所述第二力敏感部件的传感器电路。在一些实施例中,所述传感器电路被配置为测量所述第一力敏感部件和所述第二力敏感部件响应于所述力接收层上的触摸力的电响应之间的相对差值。所述传感器电路还被配置为利用所述相对差值来计算温度补偿的力估值。
在一些实施例中,所述基底被配置为在所述第一力敏感部件与所述第二力敏感部件之间导热以实现基本一致的温度分布。在一些情形下,所述基底具有的热导率大于0.5瓦每平方米每开尔文度。在一些情形下,所述第一力敏感部件和所述第二力敏感部件具有基本相同的电阻温度系数。
所述透明力传感器可与显示器元件集成或合并。在一些情形下,所述基底设置在电子设备的显示器元件的下方。在一些情形下,所述基底设置在电子设备的盖子与显示器元件之间。在一些情形下,所述力接收层是设备的显示器的盖子并且由玻璃材料形成。
在一些实施例中,所述第一力敏感部件放置成响应于所述力接收层上的触摸力而压缩,以及所述第二力敏感部件放置成响应于触摸力而拉伸。在一些实施例中,所述传感器包含包括所述第一力敏感部件的第一线性力敏感部件阵列,以及包括所述第二力敏感部件的第二线性力敏感部件阵列。
在一些实施例中,所述第一力敏感部件和所述第二力敏感部件由压阻材料形成。在一些实施例中,所述第一力敏感部件和所述第二力敏感部件由以下一种或多种材料形成:碳纳米管材料、石墨烯、镓锌氧化物、铟镓锌氧化物、半导体材料、金属氧化物材料。在一些实施例中,所述第一力敏感部件和所述第二力敏感部件由掺入锡的铟氧化物材料形成。铟氧化物材料中可以掺入锡的比例小于5%。
一些示例性的实施例涉及一种具有光学透明的力传感器的电子设备。所述电子设备可以包括盖子以及包含光学透明材料的基底,所述基底设置在所述盖子的下方。所述电子设备还可以包括设置在所述基底的第一侧上并且由光学透明的应变敏感材料形成的第一力敏感部件阵列。所述电子设备还可以包括设置在所述基底的与第一侧相对的第二侧上的第二力敏感部件阵列,其中所述第二力敏感部件阵列由光学透明的应变敏感材料形成。在一些情形下,所述电子设备包括传感器电路,所述传感器电路被配置为比较所述第一力敏感部件阵列和所述第二力敏感部件阵列的各自部件之间的相对电响应,以及被配置为计算温度补偿的力估值。所述电子设备还可以包括设置在所述第一力敏感部件阵列上方的显示器元件。在一些情形下,显示器元件设置在所述第二力敏感部件阵列下方。
在一些实施例中,所述第一力敏感部件阵列包括沿所述第一力敏感部件阵列的边缘设置的边缘力敏感部件子集。在一些情形下,所述边缘力敏感部件由沿大体垂直于边缘的方向定向的迹线形成。在一些实施例中,所述第一力敏感部件阵列包括在所述第一力敏感部件阵列的角落处设置的角落力敏感部件子集。所述角落力敏感部件可由沿对角方向定向的迹线形成。在一些实施例中,所述第一力敏感部件阵列包括具有第一部分和第二部分的部件,所述第一部分包括大体沿第一方向定向的迹线,所述第二部分包括大体沿第二方向定向的迹线。所述第一方向大体垂直于所述第二方向。
在此说明的其它实施例可以涉及、包括、或者采用制造力传感器的方法的形式,至少包括步骤:施加第一力敏感膜到第一基底,以及施加第二力敏感膜到第一基底或第二基底,使得力传感器具有设置在所述第一基底的相对侧上的第一力敏感膜与第二力敏感膜。
附图说明
现在参照附图描述的代表性实施例。需要理解的是下面的说明并不意在限定实施例到一个优选实施例。相反,其意在覆盖可以包含在随附的权利要求限定的所述实施例的精神和范围内的替换、修改和等同形式。
图1描述了示例性的电子设备。
图2A描述了示例性力敏感结构的顶视图,该力敏感结构包括光学透明力敏感膜的栅格(grid)。
图2B描述了可用于图2A中描述的示例性力敏感结构的光学透明蛇形力敏感膜的详细顶视图。
图3描述了沿图1的A-A截面得到的示例性力敏感结构的一部分的截面图。
图4描述了力敏感结构的替换例的顶视图,包括两个垂直的层,每层都包括多个光学透明的力敏感膜。
图5A描述了具有第一蛇形图案并且可用在图2A中描述的示例性力敏感结构中的光学透明蛇形力敏感部件的详细顶视图。
图5B描述了具有第二蛇形图案并且可用在图2A中描述的示例性力敏感结构中的光学透明蛇形力敏感部件的详细顶视图。
图5C描述了具有第三蛇形图案并且可用在图2A中描述的示例性力敏感结构中的光学透明蛇形力敏感部件的详细顶视图。
图5D描述了具有第四蛇形图案并且可用在图2A中描述的示例性力敏感结构中的光学透明蛇形力敏感部件的详细顶视图。
图6描述了包含在不同方向上定向(oriented)的用于检测力的光学透明的力敏感部件的栅格的示例性力敏感结构的顶视图。
图7A描述了具有第五蛇形图案并且可用在图2A中描述的示例性力敏感结构中的光学透明蛇形力敏感部件的详细顶视图。
图7B描述了包含用于检测力的光学透明力敏感部件的栅格的示例性力敏感结构的顶视图。
图8描述了温度补偿且光学透明的力传感器电路的简化信号流程图。
图9是说明制造温度补偿且光学透明的力传感器的方法的示例步骤的过程流程图。
图10是说明操作温度补偿力传感器的方法的示例步骤的过程流程图。
图11是说明操作温度补偿力传感器的方法的示例步骤的额外的过程流程图。
不同附图中使用的相同或类似的附图标记表示类似、相关或相同的部件。
具体实施方式
在此说明的实施例可以涉及或采用温度补偿光学透明力学传感器的形式,用于接收对电子设备的用户输入。一些实施例涉及可以补偿温度变化的力传感器并且由于集成有电子设备的显示器或透明媒介,力传感器可以是光学透明的。一些实施例涉及包括用于检测施加到设备的力的大小的一个或多个力敏感部件的力敏感结构。在一个示例中,透明力敏感部件集成有电子设备的显示器元件或与其邻近。电子设备例如可以是移动电话、平板计算设备、计算机显示器、计算输入设备(例如触控板、键盘、或鼠标)、可穿戴设备,健康监测设备、体育辅助设备等等。
一般地,利用适合于确定触摸事件的力大小的力传感器,用户触摸事件可以在显示器、外围(enclosure)或与电子设备相关的其它表面上感测到。所确定的力大小可用作对电子设备的输入信号、输入数据或者其它输入信息。在一个示例中,强的力输入事件可能会与弱的力输入事件的解释不相同。例如,智能手机可以通过强的力输入事件解锁显示屏,以及可利用弱的力输入事件暂停声音输出。因此,即使两个输入发生在相同的点并且可能使用相同的输入设备,响应于该两个输入的设备的响应或输出可能因此不相同。在进一步的示例中,力的变化可能会被解释为附加类型的输入事件。例如,用户可以保持可穿戴设备力传感器靠近动脉,以评估血压和心率。可以理解的是,力传感器可用于收集各种用户输入。
在一些示例中,力传感器可并入到触摸敏感电子设备并且放置在设备显示器的附近,或者并入到显示器堆叠层。因此,在一些实施例中,力传感器可由光学透明材料构建。例如,光学透明的力传感器可以至少包括力接收层,第一和第二基底,每个基底至少包括光学透明材料,并且每个基底分别包括第一力敏感部件和第二力敏感部件。在一些实施例中,第一力敏感部件和第二力敏感部件设置或相对位于第一基底的相对侧。在一些情况下,第一力敏感部件和第二力敏感部件在第一基底上形成或附接到第一基底。在另一些情况下,第一力敏感部件和第二力敏感部件中的一个或两个可以在第二基底上形成或附接到第二基底。在一些示例中,第一基底可设置在力接收层下方,使得当力施加到力接收层时,第一力敏感部件可以经受偏转、压缩或者其它机械变形。这样,第一基底的底面可以经受拉伸以及第一基底的顶面可以经受压缩。换句话说,第一基底可以围绕其中轴弯曲,经受压缩和拉伸力。力敏感部件可用于检测和测量由第一基底偏转引起的拉伸和压缩的程度。
透明的力敏感部件通常是展示响应于部件的变形、偏转或剪切而变化的至少一个电性能的顺应性(compliant)材料。透明的力敏感部件可由压电、压阻、电阻或其它应变敏感材料形成。潜在的基底材料包括,例如玻璃、蓝宝石、钻石、SiO2或者类似聚对苯二甲酸乙二醇脂(PET)或者环烯聚合物(COP)的透明聚合物。示例性的透明导电材料包括聚3,4-乙撑二氧噻吩(PEDOT)、铟-锡氧化物 (ITO)、碳纳米管、石墨烯、镓锌氧化物、铟镓锌氧化物、其它掺杂的或无日期 (undated)的金属氧化物、压阻半导体材料、压阻金属材料、银纳米线、铂纳米线,镍纳米线、其它金属纳米线等等。透明材料可用在与设备的显示器或其它可视化元件集成或合并的传感器中。如果不需要透明,那么可使用其它部件材料,包括例如康铜和卡马(Karma)合金、掺杂多晶硅或非晶硅或单晶硅或者用于导电部件的其它半导体材料以及包层金属、陶瓷或者聚酰亚胺可用作基底。非透明的应用包括跟踪板上或显示器元件后方的力感测。通常,透明和非透明的力敏感部件在此可以称为“力敏感部件”或简化的“部件”。
透明的力敏感部件可通过对基底涂覆透明导电材料,附接透明导电材料,或者以其他方式在基底上沉积这类材料来形成。在一些实施例中,力敏感部件可相对于第一基底的底面和相对于第二基底的顶面形成。第一基底和第二基底的力敏感部件可以相互面对而定向。在一些实施例中,第一基底可响应于用户触摸而偏转。第一基底的偏转可引起第一基底的底面在拉力下而拉伸,其可以引起透明的力敏感部件(相对于底面设置)也由于偏转而拉伸、伸展或者产生几何变化。
在一些情况下,由于力敏感部件设置在基底的弯曲处的中轴的下方,力敏感部件可被放置为响应于向下偏转而拉紧。一旦处于拉紧作用下,透明的力敏感部件可能呈现至少一种例如电阻的电性能的变化。在一个示例中,透明的力敏感部件的电阻可随部件承受的拉力的增加而线性增加。在另一示例中,透明的力敏感部件的电阻可随部件承受的拉紧的增加而线性减少。可以理解的是,不同的透明材料可能经受不同电性能的不同变化,并且使得拉力的作用可能在实施例之间而变化。
如前所述,合适的透明导电材料包括,例如,聚3,4-乙撑二氧噻吩(PEDOT)、碳纳米管、石墨烯、银纳米线、其它金属纳米线等等。在一些情况下,透明导电材料可以包括金属氧化物材料,包括例如SnO2(氧化锡)、InO3(氧化铟)、 ZnO(氧化锌)、Ga2O3(氧化镓)、以及CdO(氧化镉)。透明导电材料还可以由铟氧化物材料形成。在一些情况下,铟氧化物掺入锡(Sn)以形成铟-锡氧化物。在一些实施例中,铟氧化物材料中掺入锡的比例小于5%。此外,在一些情况下,透明导电材料可由半导体材料形成,包括例如压阻半导体材料。潜在的基底材料包括,例如玻璃或如聚对苯二甲酸乙二醇脂(PET)或环烯聚合物(COP)的透明聚合物。通常,当压阻或电阻部件受到应变时,部件的电阻根据应变而改变。可通过电路测量电阻。
在一些实施例中,力敏感部件可由压阻或电阻材料形成。在一些实施例中,当压阻或电阻部件受到应变时,部件的电阻根据应变而改变。利用被配置为测量力敏感部件电阻的微小变化的感测电路可以测量电阻的变化。在一些情况下,感测电路可以包括被配置为测量两个或更多个力敏感部件之间的电阻的差分变化的电桥电路结构。如果已知部件材料的电阻、温度和机械应变之间的关系,就可以推导出差分应变εx-εy的变化。在一些情况下,差分应变可以说明 (account for)温度变化导致的应变或电阻的变化,如果两个元件具有类似的热特性并且处于类似的温度同时受到由于相对于柔性基底的中轴放置而导致的差分应变时,该变化可以略去。这样,透明压阻或电阻部件可用作温度补偿力传感器。
在一些实施例中,利用分压器或电桥电路可以测量电阻元件。例如,通过连接到电源电压VS的两个平行分压器的输出可以测量电压Vg。其中一个分压器可以包括已知电阻值R1、R2的两个电阻,另一个分压器可以包括第一电阻性应变元件Rx和第一电阻性应变元件Ry。可以测量R1与R2之间的节点和Rx与Ry之间的节点之间的电压,以检测两个应变元件之间的相对电阻的微小变化。在一些情况下,附加的传感器电路(包括处理单元)可用于基于两个应变元件之间的相对电阻,计算表面上的力所导致的机械应变。在一些情况下,传感器电路可估算机械应变,同时减少或消除例如温度变化的环境影响。
在一些实施例中,分压器对可用于形成全桥,从而比较多个传感器的输出。在这种方式中,可以大大减少或消除由于传感器之间的温差而存在的误差,而无需专用的误差校正电路或专业的处理软件。在一些实施例中,可以测量由于触摸力而导致的电响应,并且可以利用算法来比较相对响应并且消除温度变化的影响。在一些实施例中,可以对部件进行差分测量并且对它们的单个响应进行测量来提取相应的差分应变,并且还有温度。在一些情况下,算法可以使用差分和单个响应来计算力估值,该力估值消除了由于例如两个部件材料的热膨胀系数的差异导致的对应变的影响。
在一些实施例中,力敏感部件被图案化成在此称为“部件元件”的线、像素、或其它几何元件的阵列。力敏感部件或部件元件的区域还可以利用导电迹线 (traces)或电极连接到感测电路。在一些情况下,导电迹线或电极也可以由透明导电材料形成。在一些实施例中,感测电路也可以通过导电迹线和/或电极与一个或多个部件元件进行电通信。如前所述,感测电路可适合于检测和测量由于力的施加导致的部件的电性能或响应(例如电阻)的变化。
在一些情况下,力敏感部件可被图案化成像素元件的图案,每个像素元件包括通常沿一个方向定向的迹线阵列。这种结构可以称为压阻或电阻应变仪结构。通常,在这种结构中,力敏感部件可由电阻以已知方式响应应变而变化的材料构成。例如,一些材料可以呈现线性响应应变的电阻变化。一些材料可以呈现以对数或指数响应应变的电阻变化。一些材料可以以不同的方式呈现电阻变化。例如,电阻的变化可以是由于施加应变导致的几何变化带来的,诸如根据泊松效应,可以产生长度的增加以及横截面面积的减小。电阻的变化也可以是由施加的应变导致的材料固有电阻率的变化而带来的。
在一些实施例中,应变敏感元件的方位可以从阵列的一个部分到另一个部分而变化。例如,角落处的元件可以具有定向为相对于阵列的行(或列)45度的应变敏感的迹线。类似地,沿着阵列的边缘的元件可以包括对垂直于边缘或边界的应变最敏感的迹线。在一些情况下,元件可包括多种蛇形迹线结构中的至少一个,其可被配置为对沿多个轴的应变的组合敏感。根据不同的实施例,应变敏感元件中的迹线的方位可以具有不同的角度。
像素元件可以具有被配置为混合对沿多个轴的应变的敏感性以检测传感器边界条件的变化或对设备的损坏的迹线图案。例如,如果由于设备物理边缘的损坏,元件、部件或基底变得约束更少,对X方向应变的响应的敏感性变高,而对Y方向应变的响应的敏感性可能变低。但是,如果像素元件被配置为响应 X方向和Y方向两者,则两个或更多个方向的组合响应(其可以是线性组合或其它的)可以使传感器便于使用,甚至在经历损坏或基底边界条件变化之后。
在一些实施例中,力敏感部件可由固体薄片材料形成,并且可以放置为与设置在力敏感部件的一个或多个表面上的电极图案进行电通信。电极可用于例如电耦合固体薄片材料的区域到感测电路。电极结构可用于测量受到应变时的电荷响应。在一些情况下,根据应变的程度,力敏感部件可产生不同量的电荷。合计的总电荷可以反映沿不同轴的应变所产生的电荷的叠加。
在一些实施例中,力敏感部件可以集成有或者邻近放置有显示器元件的部分,显示器元件的部分在此一般称为“显示器堆叠层”或简化的“堆叠层”。力敏感部件可以集成有显示器堆叠层,例如通过附接到基底或薄片上,所述基底或薄片附接到显示器堆叠层。这样,当显示器堆叠层响应于施加的力而弯曲时,并且通过在中轴下方具有良好应变传输的所有层,拉伸应变被传送。
可替换地,在一些实施例中,力敏感部件可放置在显示器堆叠层中。尽管在此提供了关于集成有显示器堆叠层的力敏感部件的一些示例,但在其它实施例中,力敏感部件可集成在设备的一部分而不是显示器堆叠层中。
在一些实施例中,一个或多个力敏感部件可集成有或附接到设备的显示器元件,该显示器元件可以包括其它类型的传感器。在一些实施例中,显示器元件可以包括触摸传感器,该触摸传感器被包含以检测一个或多个用户触摸事件的位置。利用触摸传感器结合根据在此说明的一些实施例的透明的力敏感部件,可以估算设备的显示器元件上的触摸的位置和大小。
在一些实施例中,设备可相对于表面包括触摸敏感元件和力敏感元件两者,该两者可共同作用来提高力传感器的精确度。在一些情况下,来自触摸敏感元件的信息结合所存储的关于表面响应度的信息可用来重建施加到表面上的力。例如,通过触摸传感器确定的位置结合存储器中存储的一组权重系数可用于估算施加到相应点的力。不同的触摸位置结合给应变传感器的响应加权的不同系数组可用来预测在该点的触摸力。在一些实施例中,用于计算表面的力的算法可以至少部分基于触摸传感器提供的信息、存储的来自显示器的校正的信息、或者在传感器的运行寿命期间收集和存储的信息。在一些情况下,在来自触摸传感器的触摸指示之前的时间内,传感器可以被校正到零施加力。
与使用显示器堆叠层内的力敏感部件或膜相关的一个挑战在于,当电子设备从一个位置转移到另一个位置或者被用户使用时,给定的电性能(例如电阻) 可能会响应于温度变化而改变。例如,每次用户触摸触摸屏时,用户可能会局部升高该屏和力敏感部件的温度。在其它示例中,不同的环境(例如,室内或室外)可能会使电子设备受到不同的环境温度。在更进一步的示例中,设备的电子部件或系统产生的热导致可能发生温度的升高。
在一些情况下,响应于其它环境条件的变化,例如湿度的变化或大气压力的变化,力敏感部件可能会膨胀和收缩。在下面的示例中,电性能是电阻并且变化的环境条件是温度。但是,在此说明的方法和技术也可应用到不同的电性能,例如电容或电感,其也可受到其它环境条件的变化的影响。
在一些实施例中,温度或其它环境条件的变化(局部的或全部的),可能会导致力敏感部件、电子设备壳体、和/或邻近该部件的其它部件的膨胀或收缩,这进而可以改变感测电路测量的电性能(例如电阻)。在许多情况下,温度变化导致的电性能变化可能会与输入的力导致的电性能变化混淆。例如,偏转可能产生力敏感部件电阻或阻抗的减小或增大。温度的变化也可能产生力敏感部件电阻或阻抗的减小或增大。因此,两种影响可以相互抵消,或者可替换地,可以相互放大从而造成力传感器的不敏感或过度敏感。力敏感部件电阻或阻抗的类似减小或增大还可以由例如设备的其它元件产生的热导致的力敏感部件的温度升高而产生。
在一些情况下,温度变化导致的机械变化也可以影响传感器的电性能。具体地,力敏感部件的温度变化可能会造成力感测元件上应变的变化。例如,加热的力敏感部件可以膨胀以及冷却的力敏感部件可以收缩,在部件上产生应变。该应变可以引起相关感测电路可以测量到的电阻、阻抗、电流或电压的变化,并且可以影响力传感器的性能。
一种解决方法是通过提供多于一个的受到相同或大体相同的环境条件的力感测部件来解决环境影响。第一力感测部件可以作为参考点或环境基准,同时测量第二力感测部件的应变。在一些实施例中,两个力敏感部件都可由大体相同的材料构建,使得参考部件按照与正在被测量的部件相同的方式对环境做出反应。例如,在一些情况下,可以改变两个部件中的每一个以使其具有相同或几乎相同的热膨胀系数。这样,温度变化导致的机械和几何变化可被测量作为部件之间的差异。在一些实施例中,由于每个传感器具有相同或相似的热膨胀系数,每个传感器可以大体相同的方式膨胀或收缩。利用合适的传感器电路和/或传感器处理,可大体补偿、抵消、减少或消除温度对任意一个传感器电性能的影响。
在一些实施例中,基底可位于或设置在接收输入力的表面或层的下方。基底可响应于输入力而偏转。第一力敏感部件可相对基底的一侧设置以及第二力敏感部件可相对基底的相反的第二侧设置。由于它们相对于基底的中轴放置,响应于偏转,第一力敏感部件可被放置为压缩以及第二力敏感部件可被放置为拉紧。在一些情况下,可以比较相对应变响应来估算或近似输入力。例如,在一些情况下,第二力敏感部件可被放置于更大的拉伸应变中,第一力敏感部件被放置于压缩应变中。第一力敏感部件和第二力敏感部件之间的差异或比较可用于估算输入力。在一些实施例中,第一力敏感膜和第二力敏感膜受到类似的温度条件并且还可受到由于它们相互靠近而导致的类似机械影响。在一些情况下,通过测量第一力敏感部件和第二力敏感部件之间的差异或者比较它们的输出,这些影响的作用可被减弱或抵消。
图1描述了示例性的电子设备100。电子设备100可以包括设置于或位于壳体102中的显示器104。显示器104可以包括多个元件的堆叠层,例如包括显示器元件、触摸传感器层、力传感器层以及其它元件。显示器104可以包括液晶显示器(LCD)元件、有机发光二极管(OLED)元件、电致发光显示器(ELD)等等。显示器104还可以包括用于改进显示器的结构或光学性能的其它层,例如包括玻璃片(sheet)、聚合物片、偏光片、颜色掩模等等。显示器104还可以与形成设备100外表面的一部分的盖子106集成或合并。以下关于图2-5将更详细地说明描述了一些示例性层元件的示例性显示器堆叠层。
在一些实施例中,触摸传感器或力传感器与显示器104集成或合并。在一些实施例中,触摸和/或力传感器启用设备100上的触摸敏感面。在本示例中,触摸和/或力传感器用于在盖子106外表面的至少一部分之上形成触摸敏感表面。触摸传感器可以例如包括电容式触摸传感器、电阻式触摸传感器、或者被配置为检测触摸在盖子106上的发生和/或位置的其它装置。力传感器可以包括与在此说明的力传感器类似的基于应变的力传感器。
在一些实施例中,显示器104的每一层可以通过光学透明粘接剂粘接在一起。在其它实施例中,显示器104的每一层可以附接或沉积到可被层压 (laminated)或相互接合的单独基底上。显示器104还可以包括用于改进显示器的结构或光学性能的其它层,例如包括玻璃片、偏光片、颜色掩模等等。
图2A描述了包括光学透明的力敏感部件的栅格的示例性力敏感结构200 的顶视图。力敏感结构200可以与电子设备的显示器集成或合并,例如上述关于图1说明的示例。如图2A所示,力敏感结构200包括基底210,在基底210 上设置有多个独立的力敏感部件212。在这个示例中,基底210可以是光学透明的材料,例如聚对苯二甲酸乙二醇脂(PET)。力感测部件212可以由透明导电材料制造,透明导电材料例如包括聚3,4-乙撑二氧噻吩(PEDOT)、碳纳米管、石墨烯、镓锌氧化物、铟镓锌氧化物、其它金属氧化物、半导体材料、银、镍、或者铂纳米线、其它金属纳米线等等。在一些情况下,力感测部件212可由金属氧化物、铟氧化物或者铟-锡氧化物(ITO)材料形成。如前所述,ITO可以通过在铟氧化物材料中掺入锡(Sn)形成。在一些情况下,铟氧化物中掺入Sn的比例小于5%。在某些实施例中,可以至少部分根据温度特性来选择力感测部件 212。例如,选择用于力感测部件212的材料可以具有负电阻温度系数,使得当温度上升时,电阻降低。
如图2A所示,力感测部件212可以形成为直线像素元件阵列,尽管还可以使用其它的形状和阵列图案。在一些例子中,每个单独的力感测部件212可以具有的形状和/或图案取决于力感测部件212在阵列中的位置。例如,在一些实施例中,力感测部件212可以形成为蛇形迹线图案,如图2B所示。力感测部件 212可以包括至少两个电极212a、212b,用于连接到感测电路。在其它情形中,力感测部件212可以电连接到感测电路,而无需使用电极。例如,力感测部件 212可以使用形成为部件层一部分的导电迹线来连接到检测电路。
图3描述了沿图1的A-A截面得到的设备一部分的横截面图。具体地,图 3描述了可集成有设备的显示器堆叠层和/或盖子的示例性力敏感结构300的横截面图。如在横截面图中所述,基底310具有设置在基底310相对侧上的第一力敏感部件311和第二力敏感部件312。在这个例子中,基底310设置在力接收层320的下方作为显示器堆叠层的一部分。力接收层320可由诸如玻璃的材料形成。在一些情况下,力接收层320可由蓝宝石薄片(sheet)、聚碳酸酯片或者其它光学半透明且刚性结构的材料形成。在一些实施例中,力接收层320还可以充当设备和显示器堆叠层的保护盖元件(例如,图1中的盖子106)。在一些情况下,力接收层320可由具有高应变传输特性的材料制造。例如,力接收层320 可由诸如玻璃或金属的坚硬的或者刚性的材料制造,使得施加的力可以通过力接收层320有效传送到设置在下面的层。力接收层320还可以是柔性的并且能够响应于设备上的触摸力而弯曲或者偏转。
如图3所示,力敏感结构300包括具有第一力敏感部件311的基底310,第一力敏感部件311相对于基底310的第一上侧设置。如图3所示,第二力敏感部件312相对于基底310的第二下侧设置。在这个示例中,第一力敏感部件311 和第二力敏感部件312形成于或附接到基底310的相对面上。但是,在替换的实施例中,第一力敏感部件和第二力敏感部件可以附接到或形成在堆叠层中层压在一起的多个基底或层中。
如图3所示,显示器堆叠层包括设置在力接收层320与基底310之间的多个其它层。具体地,本发明的结构包括显示器元件330以及通过光学透明粘合层322粘接到力接收层320背面的偏光器层324。如图3所示,后侧偏光器332 设置在与力接收层320相对的显示器元件330的一侧。基底310和第一力敏感部件311通过光学透明粘合层334附接到后侧偏光器332。第二力敏感部件312 相对于基底310的与第一力敏感部件311相对的一侧设置。附加的结构和/或电气部件340也可设置在基底310和第二力敏感部件312的下方。附加的结构和/或电气部件340可以包括结构支承件和/或防护件(shielding),用于隔离堆叠层与设备的其它内部电子元器件。在一些情况下,附加的结构和/或电气部件340可以包括附加的传感器或其它电有源部件。
提供图3的显示器堆叠层作为一个详细的例子。不过,层数和层的组成可以根据实施例和所使用的显示器元件的种类而变化。例如,在可替换的实施例中,基底310、第一力敏感部件311和第二力敏感部件312可以设置在显示器元件330和力接收层320之间。不管显示器堆叠层的具体组成,设置在力接收层 320与基底310之间的多个层或所有层都是基本刚性的或者由具有高应变传输性能的材料制造,这可能是有利的。
在本示例中,力敏感部件311、312可以形成为直线像素元件阵列。例如,每个力敏感部件311、312可以相对于其它力敏感部件311、312的列(或行)垂直 (或水平)对齐。在一些示例中,每个单独的力敏感部件311、312可以按照特定的形状或图案形成。例如,在某些实施例中,力敏感部件311、312可以沉积为蛇形图案,与图2B中力感测元件212示出的蛇形图案类似。下面关于图5A-D 以及图7A说明其它的示例形状。
力敏感部件311、312一般连接到感测电路305,感测电路305被配置为检测每个力敏感部件311、312的电性能的变化。在本示例中,感测电路305可被配置为检测力敏感部件311、312中的电阻变化,该电阻变化可用于估算施加到设备上的力。在一些情况下,感测电路305还可被配置为根据力敏感部件311、 312中电阻变化的相对差值来提供关于触摸位置的信息。
可以使感测电路305适合于确定力敏感部件311经受的力与力敏感部件312 经受的力之间的差值。例如,如前所述,力可以在力接收层320被接收。由于力接收层320的刚性,接收到的力可以有效地传送到基底310。因为力敏感部件 311、312粘附于基底310,因此力敏感部件311、312也经受到了力。由于显示器堆叠层的几何形状,基底310的偏转可使得第一力敏感部件311上的应变比第二力敏感部件312上的应变小。此外,第一力敏感部件311可以放置在压缩应变模式中,相比之下,第二力敏感部件312可以放置在拉伸应变模式中。
在一些实施例中,感测电路305可被配置为检测第一力敏感部件311和第二力敏感部件312的输出的相对差值,以降低或消除温度和热膨胀的影响。具体地,由于第一力敏感部件311和第二力敏感部件312靠近相同的基底310,它们可以受到类似的热条件。在一些情况下,第一力敏感部件311和第二力敏感部件312可以处在几乎相同的温度并且受到基本相同的热膨胀条件。但是,当力施加到力接收层320时,第一力敏感部件311和第二力敏感部件312之间的相对应变可能会不同。如前所述,第二力敏感部件312经受的应变量可能会大于第一力敏感部件311经受的应变量。此外,第一力敏感部件311和第二力敏感部件312之间的应变模式(压缩与拉伸)将会不同。在一些结构中,感测电路 305可被配置为检测第一力敏感部件311和第二力敏感部件312中的相对应变差,并且降低对力测量的热影响及其它机械影响。
在一个示例性实施例中,感测电路305可被配置为测量第一力敏感部件311 和第二力敏感部件312之间的相对电阻变化。具体地,第一力敏感部件311和第二力敏感部件312可以是电连接作为分压器的电阻元件。在某些示例中,第一力敏感部件311可被配置为分压器的接地电阻Rground,并且第二力敏感部件 312可被配置为分压器的接电源电阻Rsupply。根据一些实施例,第一力敏感部件 311与第二力敏感部件312中间点处的电压Vout可通过将电源电压Vsup ply乘以接地电阻Rground占总电阻(即加上接地电阻Rground的接电源电阻Rsup ply)的比例来计算。换句话说,在简化的示例中,通过利用以下公式可以得到分压器中间点处的电压Vout:
公式1
由于电阻元件Rground和Rsup ply(或者分别是第一力敏感部件311和第二力敏感部件312)的电阻响应于力以及响应于温度而变化,因此各个元件的电阻可以作为两个力(即应变)的函数以及作为温度的函数来计算,利用作为简化示例的公式:
Rmeasured≌Rbaseline(1+α·(Tactual-Tbaseline))(1+g·εapplied), 公式2
其中Rbaseline是基准参考电阻,α是电阻温度系数,g是电阻应变系数,以及εapplied是施加到结构的应变。公式2描述的近似式说明了Rground和Rsup ply的基准电阻 Rbaseline可以随着温度和施加到材料的应变而改变。在一些情况下,温度变化的影响可以通过选择用于力敏感元件的材料的电阻温度系数α以及元件的实际温度 Tactual与基准温度Tbaseline之间的差值的乘积来近似。类似地,应变的影响可以通过电阻应变系数g以及施加到元件的应变εapplied的乘积来近似。
结合公式2和公式1,并且输入已知量Vsup ply、Rbaseline、α、和g以及测量的量Vout,只有施加到每个元件的应变ε211和ε212以及每个元件的实际温度T211和 T212是仍然未知的量,其可以进一步简化为力敏感部件311、312之间的应变差Δε以及力敏感部件311、312之间的温差ΔT。如前所述,基底310可以进行充分热传导以基本归一化(normalize)力敏感部件311、312之间的温度。因此,在一些情况下,温差ΔT实际上近似为零。此外,由于显示器堆叠层与基底310的物理约束,力敏感部件311、312之间的应变关系可以是已知的。例如,已知基底 310的厚度以及一个或多个边界条件,可以确定力敏感部件311、312之间的应变关系。因此,可以根据应变ε212表示应变ε211,或者可替换地,可以根据应变ε211表示应变ε212。因此,可以得到ε211或(ε212)并且将其传送到电子设备,或者用其来计算施加的力的估值。如前所述,力的测量值或估值可被用作电子设备的用户输入。
实际上,力敏感部件311、312的压阻元件可能受到传感器、设备或环境温度变化的影响。如前所述,力敏感部件311、312的电性能(例如电阻)可以基本上随着温度变化而变化。此外,在一些示例中,力敏感部件311、312的电性能还受到由装置的温度导致的热膨胀系数(“CTE”)的影响。类似地,可以理解的是由于温度的变化,力敏感部件311、312的应变敏感材料的电阻可能也会变化。这种变化可被称为由选择用于力敏感部件311、312的材料的电阻温度系数 (“TCR”)而导致的变化。这样,力敏感部件311、312的电性能可以被建模(model) 为热电效应、CTE效应、TCR效应以及由用户施加的力产生的任何应变的效应的总和。因此,在一个示例中,直接从力敏感部件311、312测量的应变可以近似为三个分量的总和。
εmeasured≌εuser+εpyro+εCTE+εTCR, 公式3
其中应变εuser归因于触摸力,应变εpyro归因于传感器温度的热电效应,应变εCTE是由热膨胀引起的应变,视应变εTCR是归因于TCR效应的应变。但是,如前所述,力敏感部件311、312可能受到类似的热条件和物理条件,因此通过基于力敏感部件311、312的相对值来计算力测量值,可以说明(account for)归因于除触摸力(εuser)以外的效应的应变。例如,利用力敏感部件311、312以及半桥感测结构上的测量值可以估算或近似应变εuser。因此,为了便于测量用户施加的力,热电效应以及CTE效应可以被减小、抵消、消除或者以其他方式补偿。
在一些情况下,传感器电路305可被配置为降低或补偿其它部件带来的影响或电气影响。例如,在一些情况下,一个或多个力敏感部件311、312可电耦合到设备内的一个或多个其它部件。对于图3中描述的示例,在一些情况下,第二力敏感部件312可电容性地耦合到设置在第二力敏感部件下方的附加的结构和/或电气部件340。在一个示例中,附加的结构和/或电气部件340包括带电的导电元件,该导电元件可电容性地耦合到一个或多个第二力敏感部件312。因此,第二力敏感部件312可以携带(carry)由电容性耦合到一个或多个其它部件所引起的残余正电荷或静电电荷。在一些情况下,该正电荷可以影响基于应变的测量。因此,在一些情况下,传感器电路305可被配置为施加偏置电压以补偿一个或多个第二力敏感部件312上的正电荷。在一个示意性实施例中,第二力敏感部件312是虚拟接地的或者被保持到参考电压,以降低成消除设备中其它电气部件所引起的正(或负)电荷的影响。
在一些情况下,传感器电路305可被配置为有选择地采样力敏感部件311、 312的电响应。例如用户手指的触摸可以引起力敏感部件311、312电输出的瞬间突增。该突增可能是由于触摸和/或基底310的初始偏转带来的突然感应充电或放电引起的。类似地,当移除触摸和/或基底310返回到非偏转状态,也可以产生输出的突增。因此,在一些实施例中,传感器电路315可以丢弃或无视位于或接近与初始触摸相关的时间周期和/或与移除触摸相关的时间周期的力敏感部件311、312的电输出。在一些情况下,传感器电路305可被配置为通过比较输出与平均或归一化输出来检测突增。那么,当估算施加的力时,检测到的突增可以被感测电路305丢弃或无视。
在一些情况下,传感器电路305可被配置为对力敏感部件311、312的电响应提供偏置。例如,用户的触摸可以引起力敏感部件311、312电输出的瞬间突增。该突增可能是由于基底310的初始偏转带来的感应充电或放电引起的。类似地,当基底310返回到非偏转状态时,也可以产生输出的突增。因此,在一些实施例中,传感器电路315可以偏置到共模电压,这样其可以大大减小基底向上或向下偏转导致的感应电荷和电压变化。例如,传感器电路305可以包括分压器电桥,并且电桥连接的应变元件对上的电压相对于传感器下方的元件可以是正的。在这种情况下,在传感器中可以感应出正电荷,并且如果传感器向下偏转,取决于其电阻以及其它元件的电容,由传感器测量的电压在时间常数内是减小的。类似地,如果电桥相对于传感器下方的元件充分负偏置,那么在传感器上感应出负电荷,并且相反的情形发生。在一些实施例中,传感器可以在偏转和非偏转产生的突增之间偏置,以降低偏转导致的感应电荷和瞬时电压的影响。
在一些情况下,传感器电路305还可被配置为有选择地扫描力敏感部件 311、312,以提高传感器的灵敏度或响应度。例如,传感器电路305可被配置为接收与力接收层320上的触摸的触摸位置相关的位置信息。在一些情况下,位置信息可通过单独的触摸传感器来提供。在一些情况下,位置信息可通过力传感器自身来提供。位置信息还可用于针对对应于触摸位置的力敏感部件311、 312的所选子集增加测量值或传感器读取事件的数量。例如,如果传感器电路 305被配置为利用重复扫描序列测量力敏感部件311、312,可以将力敏感部件 311、312的数量减少到可对应于触摸位置的所选子集。通过减少所扫描的力敏感部件的数量,可以提高扫描速率从而增加针对所选子集读取的测量值的数量。剩余的力敏感部件311、312还可被周期性地扫描,但是以相对于所选子集降低或者减小的速率。通过增加对应于触摸位置的力敏感部件的测量值的数量,可以提高传感器总的响应度和精确度。
在一些情况下,力敏感结构300可被配置为降低或消除不同材料形成的互连(interconnect)中的温度的影响。例如,在一些情况下,力敏感部件311、312 可经由一个或多个电互连而电连接到传感器电路305。在一个具体结构中,第一力敏感部件311经由第一互连连接到传感器电路以及第二力敏感部件312经由第二互连连接到传感器电路。在一些情况下,第一互连和第二互连互连包括两个或更多个不同材料的电连接。例如,互连可以由ITO到铝的电连接形成。在一些情况下,互连可以由ITO到银膏到铜的电连接形成。通常,连接两种不同材料会产生与温度有关的电压,其可以影响力测量。因此,在一些情况下,第一互连和第二互连由相同的一套不同材料形成,并且结合点被靠近放置,以消除或降低温度的影响,这是有利的。在一些情况下,传感器电路305还可被配置为补偿力测量中与温度有关的电压的影响。例如,传感器电路可被配置为测量或估算结合点温度并且执行补偿计算。补偿计算可以解决用于互连和相关结合点的不同材料的问题。
图4描述了包括两个有角度的偏移层的力敏感结构400的替换示例的顶视图,每个有角度的偏移层都包括多个光学透明的力敏感部件412、422。其中一个层可被布置为若干行而另一个层被布置为若干列。此外,行和/或列中的组中的一个可被电驱动而另一组是感测层。注意到关于图2A,可以构想出其它合适结构的透明的力敏感部件。例如,层412、422之间的角度偏移在一些实施例中可以是垂直的,而在其它实施例中是不同的角度。
图5A-5C描述了可用在图3中描述的示例性力敏感结构(311,312)的一个或两个中的力敏感部件的不同光学透明蛇形几何形状的详细顶视图。在本示例中,力感测部件512可以包括用于连接到感测电路的至少两个电极512a、512b。但是,在一些情况下,力感测部件512可电连接到感测电路,而无需使用电极。例如,力感测部件512可以使用形成为部件层一部分的导电迹线连接到感测电路。
图5A描述了对沿Y轴的应变敏感的蛇形几何形状的顶视图。这样,当力感测部件512沿X轴方向有应变时,力感测部件512可能不会受到很大的拉力或应变响应。相反,当力感测部件512沿Y轴方向有应变时,则可以检测或测量到应变。可以理解的是,角度应变(例如沿45度路径上的应变)可以使得力感测部件512应变到可以检测和测量到的程度。类似地,图5B描述了对沿X轴的应变敏感并且特别对沿Y轴的应变不敏感的蛇形几何形状的顶视图。图5C 描述了对沿X轴和Y轴的应变都敏感的蛇形几何形状的顶视图。
图5D描述了对沿45度角的应变敏感的蛇形几何形状的顶视图。可以理解的是尽管示出的是45度,但是也可以采用任意角度或者角度的组合。例如,一个实施例可以包括沿80度角调整应变传感器512角度。另一个实施例可以包括具有多个类似于图5C的不同部分的应变传感器,其中一部分是25度角并且另一部分是75度角。在许多实施例中,至少部分基于沿着电子设备的表面的特定力敏感部件的位置,可以选择不同力敏感部件朝向的角度或角度的组合。
例如,图6描述了包含定向为检测不同方向上的力的光学透明的力敏感部件612a-c的阵列或棚格的示例性力敏感结构的顶视图。例如,力敏感部件612a 可以沿45度角的朝向检测应变,而力敏感部件612b可以沿-45度角的朝向检测应变。在另一示例中,可以使力敏感部件612c适应于沿0到45度之间的任意角度来检测。根据在此说明的一个或多个实施例,力敏感部件612a-c可用于形成力传感器。具体地,类似于图6中描述的力敏感部件的阵列或栅格,可用于以上关于图3论述的力敏感部件311、312中的一种或两种。
在一些实施例中,通过产生具有相同极性(polarity)的输出,力敏感部件的材料可以对沿两个或更多个主轴的传感器平面内的应变敏感。例如,ITO或其它金属氧化物或多晶硅制造的力敏感部件可以响应于具有相同符号的电荷的两个主轴上的应变,并且因此可以对净应变的总和敏感。在一些情况下,力敏感结构可以包括以蛇形图案布置的迹线,被配置为在空间上取样和对沿特定方向产生的应变取平均,和/或被配置为具有期望范围内的电阻。
在一些实施例中,力敏感部件可以具有电阻,电阻被配置为关于设备中可用的电源和电压来最大化信噪比。在一些情况下,还可以期望使用高电阻率材料,以提高透明导体的光学特性。力敏感部件可被配置为平衡或满足这些约束。例如,力敏感部件可由具有几何形状的ITO或其它金属氧化物或多晶硅材料形成以提供特定电阻。在一些情况下,蛇形可被配置为在空间上取样和对期望的应变取平均。在一些情况下,蛇形和导电材料可被配置为提供落入在一定范围内的电阻或电响应,该范围满足对传感器的响应时间、传感器的光学特性和传感器贡献的噪声以及传感器材料的接口的约束。在一些情况下,力敏感部件的期望电阻可以在20,000欧姆到200,000欧姆范围内,可以高于其它应用中的典型应变仪传感器。
在某些实施例中,力敏感部件的朝向可以根据力敏感部件相对于电子设备外壳的位置来进行选择。例如,在显示器堆叠层内接近屏幕边缘设置的力敏感部件,可以与位于显示器中心的力敏感部件具有不同的朝向。
在一些实施例中,如图6所示,栅格可以由包含沿第一阵列的边缘设置的边缘力敏感部件612c的子集的部件阵列形成。在一些情况下,边缘力敏感部件 612c由沿大体垂直于边缘的方向定向的迹线形成。如图6所示,力敏感部件阵列可以包括设置在阵列或栅格的角落的角落力敏感部件612a、612b的子集。在一些情况下,角落力敏感部件612a、612b由沿对角方向定向的迹线形成。
图7A描述了可用在力传感器中的另一示例性力敏感部件712。如图7A所示,力敏感部件712包括基本在两个主方向上定向的迹线。具体地,力敏感部件的第一部分712a包括基本沿y方向定向的迹线,以及第二部分712b包括基本沿x方向定向的迹线。在这个具体示例中,两个第一部分712a与两个第二部分712b被相邻布置以形成交替图案。这种结构会在感测x方向和y方向的应变方面有利。通过提高每个力敏感部件的分辨率或灵敏度,相比例如具有沿单个方向对齐的迹线的布置,这种结构可以更有利。
图7B 描述了由力敏感部件712的阵列或栅格形成的示例性力敏感结构700 的顶视图。具有力敏感部件712的布置的力敏感结构700可用于根据在此说明的一个或多个实施例来形成力传感器。具体地,如图7B描述的力敏感部件712 的阵列或棚格可用于以上关于图3论述的力敏感部件311、312中的一个或两个。
图8描述了惠斯通电桥形式的温度补偿以及光学透明的力传感器的简化信号流程图。在这个实施例中,通过连接到电压源VS的两个平行分压器的输出可以测量电压Vg。其中一个分压器可以包括已知电阻值R3、R4的两个电阻,以及另一个分压器可以包括两个可变电阻R312、R322,其可模拟如图3的示例中所示的力敏感部件311、312的力的和温度的可变电阻。例如,通过结合公式2和公式1,在输入已知量Vsup ply、Rbaseline、α、g、R3和R4以及测量的量Vout后,只有施加到力敏感部件312的应变ε212是仍然未知的量,并且因此,例如利用图8中描述的电路以及潜在的其它电子器件或处理器,可以确定应变ε212。图8中描述的电路输出可被传递到电子设备的另一个部件和/或用于计算力测量值。
图9是说明制造温度补偿及光学透明的力传感器的采样过程900的示例性操作的过程流程图。过程900可以从操作902开始,其中可以选择或获取基底。基底可以包括例如玻璃或者类似聚对苯二甲酸乙二醇脂(PET)、环烯聚合物 (COP)的透明聚合物。在获取基底之后,在操作904中,可以施加力敏感部件到基底上。在一个示例中,力敏感部件或像素的阵列形成在基底的第一表面上。力敏感部件可由透明导电材料形成,包括例如聚3,4-乙撑二氧噻吩(PEDOT)、金属氧化物、铟氧化物、铟-锡氧化物(ITO)、碳纳米管、石墨烯、半导体材料、银纳米线、其它金属纳米线等等。在一些情况下,如果基底由可以承受较高温度的制造过程的玻璃材料形成,则透明导电材料的厚度可以大大增加。例如,以较高温度生长的透明导电材料可以呈现较低的薄层电阻并且可用于形成更敏感或更强健的力传感器。在制造过程中,较高导热率的基底,例如玻璃,可允许在保持两个传感器平面的温度基本相同的同时使用较厚的基底。例如,在一些实施例中,基底可以具有的导热率大于0.5瓦每平方米每开尔文度。在一些情况下,力敏感部件直接形成在基底上。在其它一些情况下,力敏感部件形成在粘接到基底或者附接到基底的另外的材料或基底上。
在操作906中,另一(第二)力敏感部件可施加到基底的第二面。在一些情况下,第二面与第一面相对。第二力敏感部件可由在操作904中使用的相同或类似透明导电材料形成。使用相同的透明导电材料的一个优点在于,利用例如在此此说明的一些技术可以补偿、降低或者消除温度和热条件产生的影响。与操作904类似,第二力敏感部件直接形成在基底上。在其它一些情况下,第二力敏感部件可形成在粘接到基底或以其他方式附接到基底的另外的材料或基底上。通常,应当理解的是操作的顺序在实施例之间可以变化。
图10是说明操作温度补偿力传感器的过程1000的示例性操作的过程流程图。过程1000例如可用于操作一个或多个以上关于图3描述的力传感器。具体地,过程1000可用于计算或估算设备上的触摸力并且补偿温度的变化或效应。
在操作1002中,可以检测用户触摸的发生。该触摸可例如利用触摸传感器来检测。触摸传感器可包括例如自容式、互容式、电阻式或其它类型的触摸传感器。在一些实施例中,触摸的发生可由力传感器检测。例如,应变或电阻或传感器的一个或多个力敏感结构的应变的变化可用于检测触摸的发生。在一些实施例中,操作1002并不是必须的。例如,过程1000的其它操作可规则地重复执行或无规则间隔地执行,而无需首先确定是否存在触摸。例如,可执行过程1000并且计算或估算零施加力,零施加力可能是由于设备上不存在触摸或缺乏触摸。
在操作1004中,可以获取两个或更多个力敏感结构之间的相对测量值。如以上例如关于图3和8描述的,利用分压器、半桥、全桥、或其它类似的电路结构可获取相对测量值。在一些实施例中,获取每个单独力敏感结构的电测量值,并且利用软件、固件、或软件/固件和电路硬件的组合来比较该测量值。
在操作1006中,可以计算力估值。在一些实施例中,力估值补偿热效应的变化,如以上关于公式3描述的,热效应包括例如热电效应、TCR效应、和/ 或CTE效应。具体地,操作1004中获取的相对测量值可结合公式1和2来用于计算估算的应变。于是,估算的应变可用于估算施加的力,例如利用相应力敏感结构的应变和所施加的力之间的已知关联。例如,应变可对应于估算的基底(以及显示器/传感器堆叠层的其它相关层)的偏转,其可对应于设备表面上各自的力。
图11是说明用于操作温度补偿力传感器的过程1100的示例性步骤的附加过程流程图。在操作1102中,可以识别用户触摸的位置。例如利用自容式触摸传感器、互容式触摸传感器、电阻式触摸传感器等等,可以确定用户触摸的位置。
在操作1104a中,可以获取两个或更多个力敏感结构之间的相对测量值。如以上例如关于图3和8所描述,利用分压器、半桥、全桥、或其它类似的电路结构可获取相对测量值。在一些实施例中,获取每个单独力敏感结构的电测量值,并且利用软件、固件、或软件/固件和电路硬件的组合来比较该测量值。
在操作1106中,计算力的质心。例如,在操作1104中获取的相对测量值可用于近似在1106中所施加力的质心。在一些实施例中,在操作1102中获取的用户触摸的位置可用于近似所施加力的质心。在一些实施例中,多触摸事件的所有触摸的几何质心可用于近似所施加的力的质心。此后,在操作1108中,测量的力和力的质心可转发或以其他方式转送到电子设备。
可以理解的是,尽管以上关于光学透明的力传感器公开了许多实施例,但是在此说明的系统和方法可同样应用到不透明的力传感器或不需要是透明的力传感器中。例如,在此说明的力传感器可以包含在显示器堆叠层下方,或者位于设备的壳体内部。例如,可使电子设备适合于对用户挤压或施加压力到电子设备的壳体作出反应。这样的力传感器不需要在所有的实施例中都是透明的。更进一步的实施例可包括半透明的力传感器。例如,力传感器部件可掺杂墨水,使得力传感器显现出特定的颜色或颜色组。在更进一步的实施例中,力传感器可以是有选择的透明、半透明或不透明的。
在此说明的实施例可以任意数量的合适制造过程来形成。例如,在一个实施例中,力敏感结构可采用卷对卷式(roll-to-roll)过程形成,该过程可以包括在基底上按照所选择的图案沉积力敏感材料,粘接所述基底到电子设备的一个或多个附加层或部件,以及将卷对卷式过程的输出分割成多个独立的力敏感结构。
可以理解的是,尽管以上已经公开了许多实施例,但是关于在此说明的方法和技术所呈现的操作和步骤意味着是示例性的,并且因此并不是详尽无遗的。可以进一步理解的是,替换的步骤顺序、较少的步骤或增加的步骤对于特定的实施例可以是需要的或期望的。
尽管上述公开的内容是根据不同的示意性实施例和实施方式描述的,需要理解的是在一个或多个单独实施例中描述的不同特点、方面和功能并不限定其在描述的特定实施例中的适用性,而取而代之的是其可以单独或以不同的组合的方式应用到本发明的一个或多个其它不同实施例,不管这样的实施例是否已经描述过以及这样的特征是否已经作为已描述的实施例的一部分呈现。因此,本发明的宽度和范围不应当由上述示例性实施例限定,取而代之的是由在此提出的权利要求来限定。
Claims (19)
1.一种力传感器,包括:
力接收层;
设置在所述力接收层下方并且由导热材料形成的基底;
设置在所述基底的第一侧上并且由应变敏感材料形成的第一力敏感部件;
由应变敏感材料形成并设置在所述基底的与第一侧相对的第二侧上的第二力敏感部件,其中所述第二力敏感部件与所述第一力敏感部件对齐并与所述第一力敏感部件电耦合;以及
可操作地耦合到所述第一力敏感部件和所述第二力敏感部件的传感器电路,其中
所述传感器电路被配置为测量所述第一力敏感部件和所述第二力敏感部件响应于所述力接收层上的触摸力的电响应之间的相对差值,以及利用所述相对差值来计算温度补偿的力估值;以及
所述传感器电路被配置为使用所述温度补偿的力估值来补偿电子设备的温度变化。
2.根据权利要求1所述的力传感器,其中所述基底被配置为在所述第一力敏感部件与所述第二力敏感部件之间导热以实现基本一致的温度分布。
3.根据权利要求1所述的力传感器,其中所述基底设置在电子设备的显示器元件的下方。
4.根据权利要求1所述的力传感器,其中所述基底设置在电子设备的盖子与显示器元件之间。
5.根据权利要求1所述的力传感器,其中所述第一力敏感部件放置成响应于所述力接收层上的触摸力而压缩,以及所述第二力敏感部件放置成响应于触摸力而拉伸。
6.根据权利要求1所述的力传感器,进一步包括:
包括所述第一力敏感部件的第一线性力敏感部件阵列;以及
包括所述第二力敏感部件的第二线性力敏感部件阵列。
7.根据权利要求1所述的力传感器,其中所述力接收层是设备的显示器的盖子并且由玻璃材料形成。
8.根据权利要求1所述的力传感器,其中所述第一力敏感部件和所述第二力敏感部件具有基本相同的电阻温度系数。
9.根据权利要求1所述的力传感器,其中所述基底具有的热导率大于0.5瓦每平方米每开尔文度。
10.根据权利要求1所述的力传感器,其中所述第一力敏感部件和所述第二力敏感部件由压阻材料形成。
11.根据权利要求1所述的力传感器,其中所述第一力敏感部件和所述第二力敏感部件由以下一种或多种材料形成:碳纳米管材料、石墨烯、半导体材料、金属氧化物材料。
12.根据权利要求1所述的力传感器,其中所述第一力敏感部件和所述第二力敏感部件由掺入锡的铟氧化物材料形成。
13.根据权利要求12所述的力传感器,其中铟氧化物材料中掺入锡的比例小于5%。
14.一种具有力传感器的电子设备,包括:
盖子;
设置在所述盖子下方的基底;
设置在所述基底的第一侧上并且由应变敏感材料形成的第一力敏感部件阵列;以及
设置在所述基底的与第一侧相对的第二侧上的第二力敏感部件阵列,其中所述第二力敏感部件阵列由应变敏感材料形成;
传感器电路,被配置为比较所述第一力敏感部件阵列和所述第二力敏感部件阵列的各自对齐的部件之间的相对电响应,以及被配置为计算温度补偿的力估值;以及
所述传感器电路被配置为使用所述温度补偿的力估值来补偿所述电子设备的温度变化。
15.根据权利要求14所述的电子设备,进一步包括:
设置在所述第一力敏感部件阵列上方的显示器元件。
16.根据权利要求14所述的电子设备,进一步包括:
设置在所述第二力敏感部件阵列下方的显示器元件。
17.根据权利要求14所述的电子设备,其中所述第一力敏感部件阵列包括沿所述第一力敏感部件阵列的边缘设置的边缘力敏感部件子集,其中所述边缘力敏感部件由沿大体垂直于边缘的方向定向的迹线形成。
18.根据权利要求14所述的电子设备,其中所述第一力敏感部件阵列包括在所述第一力敏感部件阵列的角落处设置的角落力敏感部件子集,其中所述角落力敏感部件由沿对角方向定向的迹线形成。
19.根据权利要求14所述的电子设备,其中所述第一力敏感部件阵列包括具有第一部分和第二部分的部件,所述第一部分包括大体沿第一方向定向的迹线,所述第二部分包括大体沿第二方向定向的迹线,其中所述第一方向大体垂直于所述第二方向。
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