CN104321869A - 半导体功率模块和装置 - Google Patents

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Abstract

本发明描述了一种电子组件，所述电子组件包括：第一晶体管，第一晶体管被包围在第一封装中，所述第一晶体管被安装在所述第一封装的第一导电部分上方；以及第二晶体管，第二晶体管被包围在第二封装中，所述第二晶体管被安装在所述第二封装的第二导电部分上方。所述组件还包括基板，所述基板包括第一金属层和第二金属层之间的绝缘层。所述第一封装在所述基板的一侧上，其中所述第一导电部分电连接到所述第一金属层，并且所述第二封装在所述基板的另一侧上，其中所述第二导电部分电连接到所述第二金属层。所述第一封装与所述第二封装相对，其中，所述第一导电部分的第一区域的至少50％与所述第二导电部分的第二区域相对。

Description

半导体功率模块和装置
技术领域
本发明涉及由半导体电子装置形成的电子模块的配置。
背景技术
诸如桥电路的功率切换电路一般用在各种应用中。在图1中示出被配置成驱动电动机的三相桥电路10的电路示意图。电路10中的三个半桥15、25和35中的每个包括分别能够在第一方向上阻挡电压并且能够在第一方向上引导电流或者可选地在两个方向上引导电流的两个晶体管41和42、43和44、45和46。在桥电路10中采用的晶体管只能够在一个方向上引导电流的应用中，例如，当使用硅IGBT时，反向并联二极管(未示出)可连接到晶体管41至46中的每个。晶体管41至46中的每个当它们被偏置于截止(OFF)状态时能够阻挡至少与电路10的高压(HV)源11一样大的电压。也就是说，当晶体管41至46中的任一个的栅极-源极电压VGS小于晶体管阈值电压Vth时，在漏极-源极电压VDS(即，漏极相对于源极的电压)在0V和HV之间时，没有大量电流流过晶体管。当被偏置于导通(ON)状态时(在VGS大于晶体管阈值电压的情况下)，晶体管41-46均能够为使用它们的应用引导充分高的电流。
晶体管41-46可以是增强模式或E模式晶体管(正常地截止，Vth>0)、或耗尽模式或D模式(常开，Vth<0)晶体管。在功率电路中，通常使用增强模式装置防止会造成器件或其它电路组件受损的意外接通。节点17、18和19都经由电感负载(即，诸如电动机线圈(图1中未示出)的电感组件)相互耦合。
图2a示出图1中的全三相电动机驱动器的半桥15连同节点17和18之间的电动机的绕组(用电感组件21表达)。而且，示出晶体管44，电动机电流被馈入晶体管44中。对于这个功率相位，晶体管44连续导通(Vgs44>Vth)并且晶体管42连续截止(Vgs42<Vth，即，如果使用增强模式晶体管，则Vgs42＝0V)，同时用脉宽调制(PWM)信号调制晶体管41，以实现所需的发动机电流。图2b指示在晶体管41被偏置于导通的时间期间电流27的路径。对于这个偏置，发动机电流流过晶体管41和44，而因为晶体管42被偏置成截止，所以没有电流流过晶体管42，并且节点17处的电压接近HV，所以晶体管42阻挡接近HV的电压。
如本文所用的，术语“阻挡电压”是指晶体管、器件或组件处于防止当在晶体管、器件或组件上施加电压时诸如比常规导通状态导通期间的平均工作电流的0.001倍大的电流的大量电流流过晶体管、器件或组件的状态。换句话讲，在晶体管、器件或组件正在阻挡施加到其上的电压的同时，经过晶体管、器件或组件的总电流将不大于常规导通状态导通期间的平均工作电流的0.001倍。
参照图2c，当晶体管41被切换成截止时，没有电流可流过晶体管41，所以发动机电流以反向方向流过晶体管42，无论晶体管42被偏置成导通还是截止，都会出现这个情况。替代地，反向并联续流二极管(未示出)可连接在晶体管42两端，在这种情况下，反向电流流过续流二极管。在这种操作期间，电感组件21促使节点17处的电压是充分大的负值，以致使通过晶体管42反向导通，晶体管41阻挡接近HV的电压。
图3a至图3c示出电流在相比于图2a-2c中示出方向的相反方向上经过电感负载并且通过切换下侧的晶体管42控制节点17处的电压的状况下半桥15的操作。对于图3a-图3c中示出的操作的模式，发动机电力27通过晶体管43被馈入电感发动机21。在这个操作模式期间，晶体管43连续导通(Vgs43>Vth)并且晶体管41连续截止(Vgs41<Vth，即，如果使用增强模式晶体管，则Vgs41＝0V)，同时用脉宽调制(PWM)信号调制晶体管42，以实现所需的发动机电流。图3b指示在晶体管42被偏置于导通的时间期间电流27的路径。对于这个偏置，发动机电流流过晶体管43和42，而因为晶体管41被偏置成截止，所以没有电流流过晶体管41，节点17处的电压接近0V，所以晶体管41阻挡接近HV的电压。
参照图3c，当晶体管42被切换成截止时，没有电流可流过晶体管42，所以发动机电流以反向方向流过晶体管41，无论晶体管41被偏置成导通还是截止，都会出现这个情况。替代地，反向并联续流二极管(未示出)可连接在晶体管41两端，在这种情况下，反向电流流过续流二极管。在这种操作期间，电感组件21促使节点17处的电压是足够高的值(略高于HV)，以致使通过晶体管41反向导通，并且晶体管42阻挡接近或略高于HV的电压。
除了它们用于发动机驱动应用之外，半桥和桥电路还可用于许多其它应用，例如，用于升压或降压转换器或电源中。在图4中图示利用半桥15驱动电负载28的示例性电路。电负载28可以例如是电容性和/或电阻性的，或者在一些情况下，可以是电池或者DC电源。如图4中进一步示出的，在许多应用中，可包括电感元件23和/或电容性元件24的滤波器22插入在半桥15和电负载28之间。
图2a-2c和图3a-3c中示出的切换模式一般被称为硬切换。硬切换电路配置是以下配置：切换晶体管被配置成一旦它们被切换成导通就有高电流经过它们，并且一旦它们被切换成截止在它们上就有高电压。换句话讲，在非零电流流过电感负载的时间段期间，晶体管被切换成导通，所以在晶体管被切换成导通之后立即地或者在不久之后大量电流流过晶体管，而非电流逐渐上升。类似地，在高电压必须被晶体管阻挡的时间段期间，晶体管被切换成截止，所以在晶体管被切换成截止之后立即地或者在不久之后大量电压被晶体管阻挡，而非电压逐渐上升。在这些状况下切换的晶体管被称为是“硬切换”。
替代的电路配置使用附加的无源和/或有源组件，或者替代的信号时序技术，以允许晶体管被“软切换”。软切换电路配置是以下配置：切换晶体管被配置成在零电流(或接近零电流)状况下被切换成导通并且在零电压(或接近零电压)状况下被切换成截止。已开发了软切换方法和配置来应对在硬切换电路中(尤其在高电流和/或高电压应用中)观察到的高度电磁干扰(EMI)和关联振铃(ringing)。虽然软切换在一些情况下可减轻这些问题，但软切换所需的电路通常包括许多附加的组件，从而导致整体成本和复杂度增加。软切换通常还需要电路被配置成只有在满足零电流或零电压状况的特定时刻才切换，因此限制可应用的控制信号并且在很多情况下降低电路性能。因此，为了保持足够低度的EMI，硬切换的功率切换电路的替代的配置和方法是期望的。
发明内容
在一个方面，描述了一种电子组件，所述电子组件包括第一晶体管，所述第一晶体管被包围在第一封装中，所述第一封装包括具有第一区域的第一导电部分，所述第一晶体管被安装在所述第一导电部分上方。所述电子组件还包括第二晶体管，所述第二晶体管被包围在第二封装中，所述第二封装包括具有第二区域的第二导电部分，所述第二晶体管被安装在所述第二导电部分上方。所述电子组件还包括基板，所述基板包括第一金属层和第二金属层之间的绝缘层，所述第一金属层在所述基板的第一侧上并且所述第二金属层在所述基板的第二侧上。所述第一封装在所述基板的第一侧上，其中所述第一导电部分电连接到所述第一金属层，所述第二封装在所述基板的第二侧上，其中所述第二导电部分电连接到所述第二金属层，并且所述第一封装与所述第二封装相对，其中，所述第一导电部分的所述第一区域的至少50％与所述第二导电部分的所述第二区域相对。
在另一个方面，描述了一种电子组件，所述电子组件包括第一晶体管，所述第一晶体管被包围在第一封装中，所述第一封装具有源引线和第一导电部分，所述第一晶体管被安装在所述第一导电部分上方。所述电子组件还包括所述第二晶体管，所述第二晶体管被包围在第二封装中，所述第二封装具有漏引线和第二导电部分，所述第二晶体管被安装在所述第二导电部分上方。所述电子组件还包括基板，所述基板包括第一金属层和第二金属层之间的绝缘层，所述第一金属层在所述基板的第一侧上并且所述第二金属层在所述基板的第二侧上。所述第一封装在所述基板的第一侧上，其中所述第一导电部分电连接到所述第一金属层，所述第二封装在所述基板的第二侧上，其中所述第二导电部分电连接到所述第二金属层，所述第一封装至少部分与所述第二封装相对，其中，所述第一封装的所述源引线基本上与所述第二封装的所述漏引线对齐。
在又一个方面，描述了一种电子组件，所述电子组件包括电容器，所述电容器包括第一导电层和第二导电层之间的绝缘层。所述电子组件还包括：第一晶体管，所述第一晶体管被包围在第一封装中，所述第一封装具有第一导电部分；第二晶体管，所述第二晶体管被包围在第二封装中，所述第二封装具有第二导电部分。所述第一导电部分直接安装在所述第一导电层上方，所述第二导电部分直接安装在所述第二导电层上方。
在又一方面，描述了一种被配置成连接到电负载的半桥。所述半桥包括：被包围在第一封装中的第一开关和被包围在第二封装中的第二开关，所述第一封装具有源引线并且所述第二封装具有漏引线，所述第一封装的所述源引线电连接到所述第二封装的所述漏引线。所述半桥可操作成以至少100伏/纳秒的切换速率硬切换所述电负载两端的至少300伏的电压，同时至少3安的电流流过所述电负载。
本文描述的电子组件和半桥可包括以下特征中的一个或多个。所述第一晶体管和第二晶体管可以是半桥电路的部分。所述基板可形成电容器，所述电容器用于在所述半桥电路操作期间稳定所述第一金属层和第二金属层之间的电压。由所述基板形成的所述电容器可以是第一电容器，所述电子组件还包括与所述第一电容器并联连接的第二电容器。所述基板可包括通孔，所述第二电容器的引线可穿过所述通孔。所述第一封装可具有源引线并且所述第二封装可具有漏引线，其中所述源引线和所述漏引线相互电连接。所述基板可包括通孔和连接器，所述连接器将所述第一封装的所述源引线穿过所述通孔电连接到所述第二封装的所述漏引线。所述第一晶体管可具有电连接到所述第一导电部分的第一电极，所述第二晶体管可具有电连接到所述第二导电部分的第二电极。所述第一电极可以是所述第一晶体管的漏极，所述第二电极可以是所述第二晶体管的源极。所述第一导电部分可直接在所述第一金属层上并且接触所述第一金属层，所述第二导电部分可直接在所述第二金属层上并且接触所述第二金属层。
所述第一晶体管或所述第二晶体管可以是III族氮化物晶体管或横向器件。所述第一封装可具有源引线并且所述第二封装可具有漏引线，所述源引线基本上与所述漏引线对齐。所述电子组件还可包括被包围在所述第一封装中的第三晶体管，其中所述第一晶体管的源极电连接到所述第三晶体管的漏，所述第一晶体管的栅极电连接到所述第二晶体管的源。所述第一晶体管可以是高压耗尽模式晶体管，所述第三晶体管可以是低压增强模式晶体管。
所述基板可以是诸如两层印刷电路板(PCB)基板的印刷电路板(PCB)基板。所述第一晶体管的漏极可电连接到所述第一导电部分，所述第二晶体管的源极可电连接到所述第二导电部分。所述第一封装可具有漏引线并且所述第二封装可具有源引线，其中所述第一封装的漏引线电连接到所述第一导电部分，并且所述第二封装的源引线电连接到所述第二导电部分。所述电子组件可包括半桥模块，所述半桥模块可被配置成连接到电负载。所述第一导电部分可电连接到所述第一导电层，并且所述第二导电部分可电连接到所述第二导电层。通过电负载的电流可以是至少6安，所述第一开关和所述第二开关可在基板的相对两侧。
在又一个方面，描述了一种操作半桥电路的方法，所述半桥电路包括被包围在第一封装中的第一开关和被包围在第二封装中的第二开关。所述方法包括：相对于所述第二开关的源极将所述第一开关的漏极偏置于至少300伏的电压；将所述第一开关偏置成导通并且将所述第二开关偏置成截止，从而造成至少3安的电流流过所述第一开关并且致使所述第二开关阻挡电压。所述方法还包括：在第一时间，将所述第一开关切换成截止，从而致使电流流过所述第二开关并且致使所述第一开关阻挡电压。所述第一开关的开关包括以至少100伏/纳秒的切换速率进行所述第一开关的硬切换。
本文描述的方法均可包括以下特征中的一个或多个。所述第一开关和所述第二开关均可包括一个或多个晶体管。所述方法还可包括在第二时间，将所述第一开关从截止切换至导通，从而致使电流流过所述第一开关并且致使所述第二开关阻挡电压。所述第二时间可以在所述第一时间之后。所述方法还可包括将半桥电路连接到电负载，其中所述电流流过所述电负载。相对于所述第二开关的源极将所述第一开关的漏极偏置于至少400伏的电压。
在附图和以下的描述中阐明本说明书中描述的主题的一个或多个实施例的细节。根据描述、附图和权利要求书，主题的其它特征、方面和优点将变得清楚。
附图说明
图1图示现有技术的三相桥电路的电路示意图。
图2a-c和图3a-c图示在各种操作状况下图1的现有技术的三相桥电路的一些部分。
图4图示利用半桥驱动电负载的电路。
图5a-图5b图示桥电路的一部分的电路示意图。
图6是被配置成用作半桥模块的电子组件的剖视示意图。
图7a和图7b是图4的电子组件的立体图。
图8a是半桥模块中的高压侧开关的剖视图。
图8b是半桥模块中的低压侧开关的剖视图。
图9a至图9b图示可用于电子模块的电子装置。
图10a是驱动电感负载的半桥电路的高压侧开关的随时间变化的电流和电压特性的图线。
图10b是驱动电感负载的半桥电路的低压侧开关的随时间变化的电流和电压特性的图线。
图11是电子组件的立体图。
各个附图中的类似参考符号指示类似的元件。
具体实施方式
本文中描述的是适于保持电子功率切换电路中的低度EMI的电子组件和方法，从而允许电路稳定性更高和性能提高。所描述的电子组件还可具有相比于传统组件减小的大小，从而允许制造成本更低。
本文中描述的电路中的晶体管或其它开关器件通常被配置成如之前描述地以非常高的切换速率(即，以非常短的开关时间)进行硬切换。当本文中的电路之一的晶体管处于截止状态而没有大量电流流过它时，它通常支持接近电路高电压的电压。当本文中的电路之一的晶体管处于导通状态时，通常有大量电流流过它，而它两端只有小电压。如下地定义在硬切换状况下切换的开关晶体管的开关时间。当晶体管从上述截止状态切换至上述导通状态时，通过器件的电流在开始进行切换时开始增大，能通过调节控制电路的状况来调节增大速率，而器件两端的电压保持大致相同。器件两端的电压没有明显降低，直到基本上所有负载电流经过晶体管的时间点为止。开始切换和器件两端的电压的降低之间过去的时间被称为导通晶体管的“开关时间”。器件两端开关的总电压除以开关时间被称为“电压切换速率”或只是被称为“切换速率”。
当晶体管从导通状态切换至截止状态时，大致在开始切换时，器件两端的电压增大至截止状态电压，而电流从导通状态值减小至截止状态花费更长的时间，能通过调节控制电路的状况再调节减小的速率。在开始切换和降低至通过器件的零电流之间过去的时间被称为使晶体管截止的“开关时间”。通过器件切换的总电流除以开关时间(dI/dt)被称为“电流切换速率”或只是被称为“切换速率”。一般，虽然较短的开关时间(因而较高的切换速率)通常导致较低的开关损耗，但它们通常会造成高度EMI，这样会劣化电路组件或使电路组件受损以致它们不可工作。
为了确保图1至图2中的电路正常操作，DC高压节点11必须被保持为AC地。也就是说，如图5a中所示，通过将电容器51的一个端子连接到高压节点11并且将电容器的另一个端子连接到地12，节点11可电容性耦合到DC地12。因此，当晶体管41和42中的任一个被切换成导通或截止时，电容器51可根据需要充电或放电，以提供保持电路高压侧和低压侧的电压基本上恒定所需的电流。因较高切换速率产生的EMI通常导致电容器51需要提供较高的电流水平以便稳定电路。在许多情况下，电容器51和电路之间的导电连接器具有用图5b中的电感器52和53表示的大寄生电感。该寄生电感防止经过电容器51的电流能够充分快速切换，从而防止电容器51以快得足以防止在任一个晶体管被切换成导通或截止之后晶体管41或42两端电压变化的速率提供电流。这会导致诸如电压振荡(即，振铃)的有害缺陷。具体地，电路中的任一晶体管两端过大的电压振荡会导致晶体管被击穿并被致使不能工作。
图6是被配置成用作半桥模块的电子组件的剖视示意图。电子组件被配置成使得寄生电感最小化，从而允许以非常高的切换速率进行大电流和电压的硬切换并伴随可接受的低EMI和振铃，如以下将描述的。电子组件包括图5a的电路图中示出的各电路元件。具体地，电子组件包括图5a中的分别与晶体管41和42对应的高压侧开关60和低压侧开关70。开关60和70被安装在两层印刷电路板(PCB)基板85的相对两侧，基板85提供了其上可固定开关60和70的刚性表面，并且还用作图5a中的电容器51。图7a和图7b是图6的电子组件的立体图，并且图8a和图8b分别是高压侧开关60和低压侧开关70的剖视图，图示了开关60和70的各个封装内包含的晶体管。
如图8a和图8b中所示，开关60和70均包括被包围和包封在封装中的晶体管90，所述封装包围晶体管。开关60和70的封装分别包括电绝缘部分64和74以及分别包括导电基体部分65和75。所述封装还均包括源引线61/71、栅引线62/72和漏引线63/73，这些引线均分别连接到绝缘部分64和74的侧壁中的一个并且从其延伸。在一些实现方式中，基体部分65和75中的每个的只有一部分是导电的，而在其它实现方式中，基体部分65和75中的每个的整体是导电的。在与图6-8中示出的实现方式的替代的实现方式中，封装的部分64和74由导电材料形成，并且源引线、栅引线和漏引线通过绝缘材料与部分64和74分开，以便将引线与部分64和74电隔离。
晶体管90(图8a和图8b中示出的)可以是E模式或D模式晶体管，尽管在许多应用中，E模式晶体管是优选的。晶体管90通常是高压开关晶体管。如本文所用，诸如高压开关晶体管的“高压开关器件”是被优化用于高压开关应用的电子器件。也就是说，当晶体管截止时，它能够阻挡高电压，诸如大约300V或更高、大约600V或更高、大约1200V或更高、或大约1700V或更高，并且当晶体管导通时，对于使用它的应用而言它具有充分低的导通电阻(RON)，即，当大量电流经过器件时，它经历充分低的导通损失。高压器件可以至少能够阻挡与使用它的电路中的高压供应或最大电压相等的电压。高压器件可能够阻挡300V、600V、1200V、1700V或应用所需的其它合适的阻挡电压。换句话讲，高压器件可阻挡0V和至少Vmax之间的任何电压，其中，Vmax是可由电路或电源供应的最大电压。在一些实现方式中，高压器件可阻挡0V和至少2*Vmax之间的任何电压。如本文所用的，诸如电压晶体管的“低压器件”是能够阻挡诸如0V和Vlow(其中，Vlow小于Vmax)之间的低电压但不能够阻挡高于Vlow的电压的电子器件。在一些实现方式中，Vlow等于大约|Vth|、大于|Vth|、大约2*|Vth|、大约3*|Vth|、或在大约|Vth|和3*|Vth|之间，其中，|Vth|是包含在混合组件(诸如，在图7a和图7b中示出并且以下进一步详细描述的混合组件)中的诸如高压耗尽模式晶体管的高压晶体管的阈值电压的绝对值。在其它实现方式中，Vlow是大约10V、大约20V、大约30V、大约40V、或大约5V和50V之间(诸如，大约10V和40V之间)。在其它实现方式中，Vlow小于大约0.5*Vmax、小于大约0.3*Vmax、小于大约0.1*Vmax、小于大约0.05*Vmax、或小于大约0.02*Vmax。
参照图8a和图8b，在一些实现方式中，晶体管90是诸如横向场效应晶体管的横向器件。也就是说，晶体管沟道被包含在晶体管90的半导体层94内，并且源极91、栅极92和漏极93分别处于半导体层94的同一侧，如所示出的。具体地，与层94中的沟道形成欧姆接触的源极91和漏极93的一些部分以及调制沟道中的电流的栅极92的一部分均在半导体层94的同一侧。
在一些实现方式中，晶体管90是诸如III族氮化物高电子迁移率晶体管(HEMT)的III族氮化物晶体管。III族氮化物晶体管适于使用图6至图7的电子组件的一些应用，由于当它们以高切换速率硬切换时它们引起最小开关损失的能力。如本文所用的，术语III族氮化物或III-N族材料、层、器件、结构等是指包括根据化学当量公式AlxInyGazN的化合物半导体材料的材料、层、器件或结构，其中，x+y+z是大约1。III族氮化物材料还可包括III族元素硼(B)。在III族氮化物或诸如晶体管或HEMIT的III-N族器件中，导电沟道可部分或完全被包含在III-N族材料层内。
仍然参照图8a，晶体管90如下地连接到高压侧开关60的封装。晶体管90安装在封装基体部分65上方或者直接在封装基体部分65上。电绝缘或半绝缘的层95在半导体层94和封装基体部分65之间，并且用于将半导体层94与封装基体部分65电隔离。在一些实现方式中，层95是晶体管90的半导体层94在其顶部上外延生长的绝缘或半绝缘衬底。源极91通过引线键合34电连接到源引线61。栅极92通过另一个引线键合34电连接到栅引线62。漏极93(通过另一个引线键合34)和漏引线63均电连接到封装基体65的导电部分。进出晶体管电极91-93的电连接可如图8a中所示由引线键合34形成，或者替代地由其它类型的电连接器形成。
如本文所用的，两个或更多个接触件或诸如导电层或组件的其它物品被称为是“电连接的”，如果它们通过充分导电以确保接触件或其它物品中的每个处的电势基本上相同或大约相同而不管偏置状况如何的材料连接的话。
参照图8b，晶体管90如下地连接到低压侧开关70的封装。晶体管90安装在封装基体部分75上方或者直接在封装基体部分75上。电绝缘或半绝缘的层95在半导体层94和封装基体部分75之间，并且用于将半导体层94与封装基体部分75电隔离。在一些实现方式中，层95是晶体管90的半导体层94在其顶部上外延生长的绝缘或半绝缘衬底。漏极93通过引线键合34电连接到漏引线73。栅极92通过另一个引线键合34电连接到栅引线72。源极93(通过另一个引线键合34)和源引线73均电连接到封装基体75的导电部分。进出晶体管电极91-93的电连接可如图6b中所示由引线键合34形成，或者替代地由其它类型的电连接器形成。
返回参照图6和图7a至图7b，高压侧开关60和低压侧开关70被安装在基板85的相对两侧并且相对于彼此倒置。为了使寄生电感最小化，高压侧开关60和低压侧开关70可相互相对地安装，使得高压侧开关60的导电基体部分65的区域中至少50％与低压侧开关70的导电基体部分75相对，如图6中所示。可以是例如两层印刷电路板(PCB)基板的基板85包括如所示出配置的电绝缘材料83的相对两侧的导电金属层81和82。如图6和图7a-图7b中看到的，高压侧开关60的封装的导电基体部分65电连接到导电金属层81，这可通过如所示出地将导电基体部分65直接安装在导电金属层81上实现。类似地，低压侧开关70的封装的导电基体部分75电连接到导电金属层82，这可通过如所示出地将导电基体部分75直接安装在导电金属层82上实现。在一些实现方式中，使用导电和/或导热的粘合剂将导电基体部分65和75分别固定到导电金属层81和82。
除了提供其上可固定开关60和70的刚性表面之外，基板85还起到图5a和图5b的电路图中的电容器51的功能。也就是说，基板85被配置成是平行板电容器，其中，电容与分别连接导电基体部分65和75的金属层81和82的表面的面积成比例。如此，高压侧开关60的漏极93电连接到导电金属层81，并且低电压晶体管70的源极91电连接到导电金属层82，如以下进一步详述的。
参照图6、图7a和图8a，因为高压侧开关60的封装的导电基体部分65电连接到导电金属层81(导电基体部分65安装在其上)和高压侧开关60的晶体管90的漏极93(经由引线键合34)，所以高压侧开关60的漏极93电连接到金属层81。导电基体部分65和导电金属层81之间的直接连接连同漏极93和导电基体部分65之间的引线键合34的短长度确保了高压侧开关60的漏极93和金属层81之间的电连接是低电感连接，从而使高压侧开关60的晶体管的漏极93和导电金属81之间的寄生电感最小。用图5b中的电感器52表示这个寄生电感。
类似地，参照图6、图7b和图8b，因为低压侧开关70的封装的导电基体部分75电连接到导电金属层82(导电基体部分75安装在其上)和低压侧开关70的晶体管90的源极91(经由引线键合34)，所以低压侧开关70的源极91电连接到金属层82。导电基体部分75和导电金属层82之间的直接连接连同源极91和导电基体部分75之间的引线键合34的短长度确保了低压侧开关70的源极91和金属层82之间的电连接是低电感连接，从而使低压侧开关70的晶体管的源极91和导电金属81之间的寄生电感最小化。用图5b中的电感器53表示这个寄生电感。
金属层81(除了成为图5a和图5b中的电容器51的板之一的金属层之外)还可用作高压平面。也就是说，它可被配置成直接连接到电路高压源。如此，金属层81可包括用于将金属层81连接到电路高压源的部件，例如，键合焊盘(未示出)。优选地，电路高压源和金属层81之间的连接被形成为尽可能接近高压侧开关60，以便使寄生电感最小化。类似地，金属层82还可用作低压或地平面。也就是说，它可被配置成直接连接到电路低压源或DC地。如此，金属层82可包括用于将金属层82连接到电路低压源或DC地的部件，例如，键合焊盘(未示出)。优选地，金属层82和电路低压源或DC地之间的连接被形成为尽可能接近低压侧开关70，以便使寄生电感最小化。
如图5a和图5b中看到的，在半桥电路中，高压侧开关41的源极电连接到低压侧开关42的漏极。在图6和图7a-7b的电子组件中，通过将高压侧开关60的源引线61连接到低压侧开关70的漏引线73来实现这个步骤。可以通过使连接器22尽可能短来使这个连接中的寄生电感最小化。如所示出的，可通过确保高压侧开关60的源引线61基本上对齐低压侧开关的漏引线73，并且通过使连接器22穿过基板85中的孔23来实现这个步骤。接着，由电路驱动的电负载(未示出)电连接到高压侧开关60的源引线61、低压侧开关的漏引线73或连接器22中的任一个。
在许多情况下，基板85的电容可能没有大得足以稳定电路操作。在这些情况下，图6和图7b中示出的一个或多个附加电容器31可并联连接到由基板85形成的电容器。也就是说，各电容器31的一侧连接到金属层81，并且各电容器31的相对侧连接到金属层82。为了使寄生电感最小化，电容器31被布置成尽可能接近开关60和70，并且使电容器31和金属层81和82之间的连接器尽可能短。如图6和图7a-7b中看到的，电容器31可安装在基板85的一侧上，其中，各电容器接近通孔33。各电容器31的一侧接着电连接到基板85的上面安装有电容器31的同一金属层，并且各电容器的相对侧的连接器穿过通孔33并且电连接到基板85的与电容器相对侧的金属层。在一些实现方式中，如所示出的，通过焊料键合32形成电容器31和金属层81和82之间的电连接。
虽然在图8a和图8b中，开关60和70均被示出为由包围在封装在的单个横向晶体管90形成，但可替代地使用其它器件。例如，可使用图9a和图9b中示出的混合器件107来取代开关60和70中的晶体管90。由于高压增强模式晶体管可难以可靠地配置，因此单个高压E模式晶体管的一个替代方式是在图9a和图9b的配置中将高压D模式晶体管108与低压E模式晶体管109组合，以形成混合器件107。混合器件107可以用与单个高压E模式晶体管相同的方式操作，并且在一些情况下，实现与单个高压E模式晶体管相同或类似的输出特性。图9a示出混合器件107的平面图示意图，并且图9b示出混合器件107的电路示意图。混合器件107包括高压D模式晶体管108和低压E模式晶体管109。在图9a和图9b中示出的配置中，E模式晶体管109是垂直晶体管，其漏极113在器件的其源极111和栅极112的相对侧上，并且D模式晶体管108是横向晶体管，其源极114、栅极115和漏极116都在器件的同一侧上。然而，晶体管108和109中的每个的其它配置也是可能的。
低压E模式晶体管109的源极111和高压D模式晶体管108的栅极115被例如用引线键合34电连接在一起，并且一起形成混合器件107的源极121。低压E模式晶体管109的栅极112用作混合器件107的栅极122。高压D模式晶体管108的漏极116用作混合器件107的漏极123。高压D模式晶体管108的源极114电连接到低压E模式晶体管109的漏极113。如图7a中看到的，通过例如通过使用导电焊料或树脂将低压E模式晶体管109直接安装在源极114顶部上，其中漏极113直接接触源极114，可将E模式晶体管109的源极111和漏极112的相对侧的漏极113电连接到源极114。如此，低压E模式晶体管109的封装尺寸(因而横截面面积)可小于高压D模式晶体管108的封装尺寸，具体地，低压E模式晶体管109的封装尺寸可小于高压D模式晶体管108的源极114的封装尺寸。
如本文所用的，“混合增强模式电子器件或组件”或简称“混合器件或组件”是由耗尽模式晶体管和增强模式晶体管形成的电子器件或组件，其中，耗尽模式晶体管相比于增强模式晶体管能够具有更高的工作电压和/或击穿电压，并且混合器件或组件被配置成与单个增强模式晶体管类似地操作，其中所述增强模式晶体管的击穿电压和/或工作电压与耗尽模式晶体管的击穿电压和/或工作电压大约一样高。也就是说，混合增强模式器件或组件包括具有以下特性的至少3个节点。当第一节点(源节点)和第二节点(栅节点)被保持于相同电压时，混合增强模式器件或组件可阻挡相对于源节点的施加到第三节点(漏节点)的高压(即，比增强模式晶体管能够阻挡的最大电压大的电压)。当栅节点被保持于相对于源节点的充分大的正电压(即，大于增强模式晶体管的阈值电压)时，当相对于源节点的充分大的正电压被施加到漏节点时，电流从源节点流到漏节点或者从漏节点流到源节点。当增强模式晶体管是低压器件并且耗尽模式晶体管是高压器件时，混合组件可与单个高压增强模式晶体管类似地操作。耗尽模式晶体管可具有是增强模式晶体管的击穿电压和/或最大工作电压的至少两倍、至少三倍、至少五倍、至少十倍、或至少二十倍的击穿电压和/或最大工作电压。
在其中使用高压开关晶体管的典型功率开关应用中，在大多数时间，晶体管处于两种状态中的一种。在一般被称为“导通状态”的第一状态下，相对于源极的栅极处的电压高于晶体管阈值电压，并且大量电流流过晶体管。在这种状态下，源极和漏极之间的电压差通常低，常常不大于几伏，诸如，大约0.1-5伏。在一般被称为“截止状态”的第二状态下，相对于源极的栅极处的电压低于晶体管阈值电压，除了截止状态漏电流之外，别无大量电流流过晶体管。在第二状态下，源极和漏极之间的电压的范围可以是大约0V至电路高压源的值，在一些情况下，可高达100V、300V、600V、1200V、1700V或更高，但可小于晶体管的击穿电压。在一些应用中，电路中的电感元件造成源极和漏极之间的电压甚至高于电路高压源。另外，就在栅极被切换成导通或截止之后的短时间期间，晶体管处于在上述两个状态之间的转变模式。当晶体管处于截止状态时，被称为“阻挡源和漏之间的电压”。如本文所用的，“阻挡电压”是指晶体管、器件或组件防止诸如当在晶体管、器件或组件上施加电压时比常规导通状态导通期间的平均工作电流的0.001倍大的电流的大量电流流过晶体管、器件或组件的能力。换句话讲，在晶体管、器件或组件正在阻挡施加到其上的电压的同时，经过晶体管、器件或组件的总电流将不大于常规导通状态导通期间的平均工作电流的0.001倍。
本文描述的电子组件被配置成，使得开关和包括在开关中的晶体管可用高切换速率切换高压和/或大电流，而没有使使用该电子组件的电路不稳定或者造成电路组件受损。在由高压侧开关和低压侧开关形成的传统半桥电路中，各开关由一个或多个晶体管形成并且被单独封装(也就是说，高压侧开关的晶体管都被包围在第一封装中，低压侧开关的晶体管都被包围在第二封装中)，通常难以或不可能以高切换速率切换高压和/或大电流而不使使用该电子组件的电路不稳定，因为寄生电感通常太大。通过利用图6和图7a-7b中示出的半桥配置，如以下进一步描述的，已证实在被切换的电压是至少300伏并且正被切换的电流是至少3安的状况下，以至少100伏/纳秒的速率成功进行切换。在另外的测试中，已证实在被切换的电压是至少400伏并且正被切换的电流是至少6安的状况下，以至少100伏/纳秒的速率成功进行切换。为了切换高达3安的电流，利用单独封装开关的半桥电路的之前的实现方式不能够成功以至少100伏/纳秒的切换速率切换至少300伏的电压。
图10a是驱动电感负载的半桥电路的高压侧开关的随时间变化的电流和电压特性的图线。电路被如图2a-2c中地配置，但其中使用图6的电子组件取代半桥15。参照图10a、图2a-2c和图6，半桥的高压侧开关和低压侧开关均包括图9a和图9b的混合器件107。在图10a中绘出的电流是经过电感负载21的电流27，在图10a中绘出的电压是节点17(电感负载21、高压侧开关的源引线61和低压侧开关的漏引线73共用的公共节点)处的电压。
在图10a的电流和电压测量期间电路的操作条件如下。节点18(电感负载21的与正被驱动的半桥相对的节点)被保持于地或接近地。与低压侧开关70的源极电连接的图6中示出的电子组件的金属层82电连接到DC地。与高压侧开关60的漏极电连接的图6中示出的电子组件的金属层81电连接到400伏DC电压源。低压侧开关70的栅引线72被相对于低压侧开关70的源引线71偏置于比低压侧开关70的阈值电压低的电压，使得低压侧开关70被偏置于截止状态。
在时间段141期间，高压侧开关60被偏置成导通(即，栅引线62相对于源引线61的电压大于开关60的阈值电压)，从而造成电流流过高压侧开关60和电感负载21二者，如图2b中所示，而低压侧开关70阻挡大约400伏的电压。如图10a中看到的，在时间段141期间，在时间段141的末尾，负载电流131大致线性增大至大于7安的值，节点17处的电压恒定保持于大约400伏。
仍然参照图10a，在时间144，高压侧开关60被切换成截止，从而致使高压侧开关60阻挡大约400伏的电压并且致使负载电流在反向方向上流过低压侧开关70，如图2c中一样。在时间段142(后面紧接着的是在时间144进行切换)期间，负载电流131大致恒定保持于大于7安的值，并且节点17处的电压大致恒定保持于大约0V。在开关时间144之后就只观察到小波纹电流(即，电流波动)，时间段142期间的电流一直不超过这个时间段期间的平均电流值的1.1倍。就在开关时间144之后的电压波动也极低。
在时间145，高压侧开关60被切换回导通，从而致使负载电流再流过高压侧开关60和电感负载21二者，如图2b中一样，而低压侧开关阻挡大约400伏的电压。如在图10a中看到的，在后面紧接着是开关时间145的时间段143期间，负载电流131在时间段143末尾大致线性增大至大于7安(几乎8安)的值，并且节点17处的电压大致恒定保持于大约400伏。就在开关时间145之后，在电流131和电压132中都观察到一些振铃。然而，电压一直没有超过500伏(即，电路高压的1.25倍)，并且电流波动的幅度一直没有超过时间段142期间平均电流值的0.1倍。
图10b示出如图3a中一样配置但使用图6的电子组件取代半桥15的驱动电感负载的半桥电路的低压侧开关的随时间变化的电流和电压特性的图线。半桥的高压侧开关和低压侧开关均包括图9a和图9b的混合装置107。参照图10b、图6和图3a，图10b中绘出的电流是经过电感负载21的电流27，并且图10b中绘出的电压是节点17处的电压(被电感负载21、高压侧开关的源引线61、低压侧开关的漏引线73共用的公共节点)。
在图10b的电流和电压测量期间电路的操作条件如下。节点18(电感负载21的与正被驱动的半桥相对的节点)被保持于地或接近400伏DC。与低压侧开关70的源极电连接的图6中示出的电子组件的金属层82电连接到DC地。与高压侧开关60的漏极电连接的图6中示出的电子组件的金属层81电连接到400伏DC电压源。高压侧开关60的栅引线62被相对于高压侧开关60的源引线61偏置于比高压侧开关60的阈值电压低的电压，使得高压侧开关60被偏置于截止状态。
在时间段151期间，低压侧开关70被偏置成截止(即，栅引线72相对于源引线71的电压小于开关70的阈值电压)，从而致使电流流过高压侧开关60和电感负载21二者，如图3c中所示，而低压侧开关70阻挡大约400伏的电压。如图10b中看到的，在时间段151期间，负载电流133大致恒定保持于大约8安或更大的值，并且节点17处的电压大致恒定保持于大约400伏。
仍然参照图6、图3a-c和图10b，在时间154，低压侧开关70被切换成导通，从而致使高压侧开关60阻挡大约400伏的电压并且致使负载电流流过低压侧开关60，如图3b中一样。在时间段152(后面紧接着的是在时间154进行切换)期间，负载电流133大致线性增大至大于9安的值，并且节点17处的电压大致恒定保持于大约0V。在开关时间154之后就只观察到小波纹电流(即，电流波动)，并且时间段152期间的电流波动的幅度一直不超过时间段151期间的平均电流值的1.1倍。就在开关时间154之后的电压波动也非常低。
在时间155，低压侧开关60被切换回截止，从而致使负载电流再流过高压侧开关60和电感负载21二者，如图3c中一样，而低压侧开关60阻挡大约400伏的电压。如在图10b中看到的，在后面紧接着是开关时间155的时间段153期间，负载电流133大致恒定保持于大于9安的值，并且节点17处的电压大致恒定保持于大约400伏。就在开关时间145之后，在电流131和电压132中都观察到一些振铃。然而，电压一直没有超过460伏(即，电路高压的1.15倍)，并且电流波动的幅度一直没有超过时间段153期间平均电流值的0.1倍。
图11是图6和图7b的低压侧开关70的替代的配置。如图11中看到的，替代将低压侧开关70直接安装在金属层82上，如图6和图7b中一样，金属底座76附接到金属层82，并且低压侧开关70附接到金属底座76，其中导电部分75电连接到金属底座76。在图11中示出的实现方式中，金属底座76包括L形弯曲，使得金属底座76的附接低压侧开关70的那部分基本上垂直于金属底座76的附接金属层82的那部分。如此，低压侧开关70被安装成，使得引线71-73向着与金属层82的表面正交的方向延伸并且基本上平行于该方向，如所示出的。可使源引线71比引线72和73短，并且可例如用焊料键合32'将源引线71电连接到金属层82，如所示出的。栅引线72和漏引线73可延伸遍历基板85的整个厚度，穿过孔23，如图11中所示。在基板85的与图11中示出的那侧(即，在基板85的安装有高压侧开关60的那侧)相对的一侧，低压侧开关70的漏引线72可电连接到高压侧开关60的源引线61(未示出连接)，并且栅引线71可连接到栅驱动电路(也未示出)。金属底座76可可选地连接到散热器(未示出)。
图11中示出的低压侧开关70的配置的优点可在于，它允许组装电子组件而不必弯曲低压侧开关70的引线71至73中的任一个。高压侧开关60可仍然如图6和图7a中所示地配置，其中高压侧开关60的源引线61基本上与低压侧开关70的漏引线73对齐。替代地，低压侧开关70可被安装成，使导电基体75的表面平行于金属层82的表面，如图6和图7b中一样，并且高压侧开关60可被安装在L形金属底座76(未示出)上，类似于图11中的配置，其中，源自高压侧开关(未示出)的源引线61和栅引线62分别穿过基板85中形成的通孔23之一，并且漏引线63(未示出)电连接到金属层81。
已经描述了多种实现方式。但是，将理解，在不脱离本文描述的技术和装置的精神和范围的情况下，可进行各种修改。例如，图2a-c和图3a-c中的分别用于吸收或供应电流的晶体管44和43可被配置成进行软切换。或者，图2至图3中的晶体管43-44可被去除并且被导电材料取代，所述导电材料将各晶体管的相应源极和漏极所连接到的引线短路。此外，本文描述的各桥电路的低压侧可连接到比高压HV低的DC电压，并且在一些情况下，可以是负的，而不是将低压侧连接到地。而且，虽然在图7a-b和图8a-b中示出封装引线61-63和71-73从封装侧延伸，但可使用具有替代的引线配置的其它封装配置。例如，可使用诸如QFN封装的表面安装封装，在这种情况下，引线与封装底部相邻并且被配置成被焊接于它们所连接到的结构。另外，在图6和图7a-7b的电子组件中，金属底座可被包括在基板85和开关60和70中的任一个或两个之间，并且金属底座可可选地连接到散热器。因此，其它实现方式在权利要求书的范围内。

Claims (35)

1.一种电子组件，包括：
第一晶体管，所述第一晶体管被包围在第一封装中，所述第一封装包括具有第一区域的第一导电部分，所述第一晶体管被安装在所述第一导电部分上方；
第二晶体管，所述第二晶体管被包围在第二封装中，所述第二封装包括具有第二区域的第二导电部分，所述第二晶体管被安装在所述第二导电部分上方；以及
基板，所述基板包括第一金属层和第二金属层之间的绝缘层，所述第一金属层在所述基板的第一侧上并且所述第二金属层在所述基板的第二侧上；其中
所述第一封装在所述基板的所述第一侧上，其中所述第一导电部分电连接到所述第一金属层；
所述第二封装在所述基板的所述第二侧上，其中所述第二导电部分电连接到所述第二金属层；以及
所述第一封装与所述第二封装相对，其中，所述第一导电部分的所述第一区域的至少50％与所述第二导电部分的所述第二区域相对。
2.根据权利要求1所述的电子组件，其中所述第一晶体管和第二晶体管是半桥电路的一部分。
3.根据权利要求2所述的电子组件，其中所述基板形成电容器，所述电容器用于在所述半桥电路的操作期间稳定所述第一金属层和第二金属层之间的电压。
4.根据权利要求3所述的电子组件，其中由所述基板形成的所述电容器是第一电容器，所述电子组件还包括与所述第一电容器并联连接的第二电容器。
5.根据权利要求4所述的电子组件，其中所述基板包括通孔，并且所述第二电容器的引线穿过所述通孔。
6.根据权利要求1所述的电子组件，所述第一封装具有源引线并且所述第二封装具有漏引线，其中所述源引线和漏引线相互电连接。
7.根据权利要求6所述的电子组件，其中所述基板包括通孔和连接器，所述连接器将所述第一封装的所述源引线穿过所述通孔电连接到所述第二封装的所述漏引线。
8.根据权利要求6所述的电子组件，其中所述第一晶体管具有电连接到所述第一导电部分的第一电极，并且所述第二晶体管具有电连接到所述第二导电部分的第二电极。
9.根据权利要求8所述的电子组件，其中所述第一电极是所述第一晶体管的漏极，并且所述第二电极是所述第二晶体管的源极。
10.根据权利要求1所述的电子组件，其中所述第一导电部分直接在所述第一金属层上并且接触所述第一金属层，所述第二导电部分直接在所述第二金属层上并且接触所述第二金属层。
11.根据权利要求1所述的电子组件，其中所述第一晶体管或所述第二晶体管是III族氮化物晶体管。
12.根据权利要求1所述的电子组件，其中所述第一晶体管或所述第二晶体管是横向器件。
13.根据权利要求1所述的电子组件，所述第一封装具有源引线并且所述第二封装具有漏引线，并且所述源引线基本上与所述漏引线对齐。
14.根据权利要求1所述的电子组件，还包括被包围在所述第一封装中的第三晶体管，其中所述第一晶体管的源极电连接到所述第三晶体管的漏极，并且所述第一晶体管的栅极电连接到所述第二晶体管的源极。
15.根据权利要求14所述的电子组件，其中所述第一晶体管是高压耗尽模式晶体管，并且所述第三晶体管是低压增强模式晶体管。
16.一种电子组件，包括：
第一晶体管，所述第一晶体管被包围在第一封装中，所述第一封装具有源引线和第一导电部分，所述第一晶体管被安装在所述第一导电部分上方；
第二晶体管，所述第二晶体管被包围在第二封装中，所述第二封装具有漏引线和第二导电部分，所述第二晶体管被安装在所述第二导电部分上方；
基板，所述基板包括第一金属层和第二金属层之间的绝缘层，所述第一金属层在所述基板的第一侧上并且所述第二金属层在所述基板的第二侧上；其中
所述第一封装在所述基板的所述第一侧上，其中所述第一导电部分电连接到所述第一金属层；
所述第二封装在所述基板的所述第二侧上，其中所述第二导电部分电连接到所述第二金属层；以及
所述第一封装至少部分与所述第二封装相对，其中，所述第一封装的所述源引线基本上与所述第二封装的所述漏引线对齐。
17.根据权利要求16所述的电子组件，其中所述基板是两层印刷电路板(PCB)基板。
18.根据权利要求16所述的电子组件，其中所述第一晶体管的漏极电连接到所述第一导电部分，并且所述第二晶体管的源极电连接到所述第二导电部分。
19.根据权利要求16所述的电子组件，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是III族氮化物晶体管。
20.根据权利要求16所述的电子组件，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是横向器件。
21.一种电子组件，包括：
电容器，所述电容器包括第一导电层和第二导电层之间的绝缘层；
第一晶体管，所述第一晶体管被包围在第一封装中，所述第一封装具有第一导电部分；以及
第二晶体管，所述第二晶体管被包围在第二封装中，所述第二封装具有第二导电部分；其中
所述第一导电部分直接安装在所述第一导电层上方，并且所述第二导电部分直接安装在所述第二导电层上方。
22.根据权利要求21所述的电子组件，其中所述电容器包括印刷电路板(PCB)基板。
23.根据权利要求21所述的电子组件，所述第一封装具有漏引线并且所述第二封装具有源引线，其中所述第一封装的漏引线电连接到所述第一导电部分，所述第二封装的源引线电连接到所述第二导电部分。
24.根据权利要求21所述的电子组件，其中所述电子组件包括半桥模块。
25.根据权利要求24所述的电子组件，其中所述半桥模块被配置成连接到电负载。
26.根据权利要求21所述的电子组件，其中所述第一导电部分电连接到所述第一导电层，并且所述第二导电部分电连接到所述第二导电层。
27.一种操作半桥电路的方法，所述半桥电路包括被包围在第一封装中的第一开关和被包围在第二封装中的第二开关，所述方法包括：
相对于所述第二开关的源极将所述第一开关的漏极偏置于至少300伏的电压；
将所述第一开关偏置成导通并且将所述第二开关偏置成截止，从而致使至少3安的电流流过所述第一开关并且致使所述第二开关阻挡电压；以及
在第一时间，将所述第一开关切换成截止，从而致使电流流过所述第二开关并且致使所述第一开关阻挡电压；其中
所述第一开关的所述切换包括以至少100伏/纳秒的切换速率进行所述第一开关的硬切换。
28.根据权利要求27所述的方法，其中所述第一开关和所述第二开关均包括一个或多个晶体管。
29.根据权利要求27所述的方法，还包括在第二时间将所述第一开关从截止切换至导通，从而致使电流流过所述第一开关并且致使所述第二开关阻挡电压。
30.根据权利要求29所述的方法，其中所述第二时间在所述第一时间之后。
31.根据权利要求27所述的方法，还包括将半桥电路连接到电负载，其中所述电流流过所述电负载。
32.根据权利要求27所述的方法，其中相对于所述第二开关的源极将所述第一开关的漏极偏置于至少400伏的电压。
33.一种半桥，所述半桥被配置成连接到电负载，所述半桥包括：
被包围在第一封装中的第一开关和被包围在第二封装中的第二开关，所述第一封装具有源引线并且所述第二封装具有漏引线，所述源引线电连接到所述漏引线；其中
所述半桥可操作成以至少100伏/纳秒的切换速率硬切换所述电负载两端的至少300伏的电压，同时至少3安的电流流过所述电负载。
34.根据权利要求33所述的半桥，其中所述电流是至少6安。
35.根据权利要求33所述的半桥，其中所述第一开关和所述第二开关在基板的相对两侧上。
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