CN103681519A - 电子器件的制造方法、电子设备以及移动体设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供电子器件的制造方法、电子设备以及移动体设备，在将盖体接合于底座基板的密封部时不会在底座基板的陶瓷材料上产生裂纹。具有电子元件、底座基板和盖体的电子器件的制造方法的特征在于，包含以下工序：以相比于所述盖体的与所述密封部接合的接合部分的板厚，使得所述盖体的在厚度方向的平面视中位于所述接合部分的内侧的部分的板厚变小的方式，照射所述能量束而将所述盖体接合到所述密封部上。

Description

电子器件的制造方法、电子设备以及移动体设备

技术领域

本发明涉及实现了容器主体和盖体的焊接方法的改善的电子器件的制造方法、使用了该制造方法的电子设备以及移动体设备。

背景技术

作为将电子元件气密密封到容器内的构造，在一面开口的陶瓷容器主体内配置电子元件，并使用导电性部件实现了电子元件与容器主体侧布线的电导通之后，采用了对容器主体的开口周缘部形成的密封部和金属制的盖体进行缝焊（电阻焊）来进行密封的方法、或者利用激光、电子束使两者熔融来进行接合的方法等。

在专利文献1中，公开了使用缝焊制造的压电器件。压电器件具有电子元件用的容器和压电元件。电子元件用的容器具备盖体和具有凹陷部的容器主体。

容器主体是在基板部的一个主面上设置框部而形成了凹陷部。构成容器主体的基板部是通过层叠多层例如氧化铝陶瓷等陶瓷材料而形成的。框部由可伐合金(KOVAR合金)等金属构成，采用了具有中空部的框状的密封圈。此外，框部通过焊接等方式连接到形成于基板部的一个主面的金属化层上。并且，在基板部的一个主面上设置有一对元件搭载焊盘。此外，在容器主体的另一个主面上设置有多个安装端子。

盖体由42合金或可伐合金等构成，在与凹陷部侧相对的主面上，以厚度从外侧缘部朝向内侧增大的方式设置有倾斜部。盖体在预定的环境内被配置到容器主体的框部上，使缝焊机的辊电极与盖体接触，在辊电极中流过电流的同时沿着盖体的外周缘移动辊电极，从而将盖体接合到框部上。

在盖体上从外侧缘部朝向内侧设置有倾斜部，因此能够防止辊电极与输送夹具相接触。此外，即使增大辊电极的倾斜角也能够减小盖体与框部相接触的宽度（接合宽度）。由此，公开了能够降低施加给容器主体的热应力（残留应力），能够防止容器主体上产生的断裂、残缺等。

【专利文献1】日本特开2010-178113号公报

但是，近年来容器日益小型化，即使如专利文献1所公开的那样，以厚度从端缘朝向盖体的中央增大的方式使盖体的构造带有倾斜，由于盖体自身的厚度只有0.1mm左右，因此仍然存在难以避免由于焊接时产生的热应力（残留应力）引起的容器主体的裂纹产生的问题。

发明内容

本发明正是为了解决上述问题而完成的，提供在盖体上设置有缓和焊接时产生的热应力（残留应力）的应力缓和部的电子器件的制造方法、使用了该制造方法的电子器件、电子设备以及移动体设备。

本发明正是为了解决上述课题中的至少一部分而完成的，可以作为以下的方式或应用例来实现。

[应用例1]本发明的电子器件的制造方法的特征在于，包含以下工序：准备电子元件、底座基板和盖体，所述底座基板具有凹陷部，并且在所述凹陷部的周缘具有密封部，所述盖体包含以金属为材料的基材层和焊料层；在所述凹陷部的底部配置所述电子元件；以所述密封部与所述焊料层重叠的方式将所述盖体配置到所述底座基板上；以及以相比于所述盖体的与所述密封部接合的接合部分的板厚，使得所述盖体的在厚度方向的平面视中位于所述接合部分的内侧的部分的板厚变小的方式，照射所述能量束而将所述盖体接合到所述密封部上。

根据该制造方法，在电子器件、例如压电振子的制造时通过能量束将盖体接合到底座基板的密封部时，会由于盖体和底座基板的线膨胀系数的差异、以及两者的各部分的温度分布的偏差，在容器返回到常温时产生残留应力，但是，能够利用厚度方向的平面视中相比于盖体的与所述密封部接合的部分、比其靠内侧的部分变小的所谓应力缓和部来吸收/减小残留应力，从而具有不会在容器上产生裂纹等、并且能够大幅降低电子器件的泄漏不良的效果。

[应用例2]另外，根据应用例1所述的电子器件的制造方法，其特征在于，在所述进行接合的工序中，通过使所述焊料移动，来形成所述盖体的板厚较小的部分。

根据该制造方法，可通过恰当地照射能量束，在盖体上形成板厚较薄的部分，因此该较薄的部分作为应力缓和部发挥作用，能够防止在底座基板上产生裂纹，具有能够得到气密度优异的电子器件的效果。

[应用例3]另外，电子器件的制造方法的特征在于，包含以下工序：准备电子元件、底座基板和盖体，所述底座基板具有凹陷部，并且在所述凹陷部的周缘具有密封部，所述盖体包含以金属为材料的基材层和焊料层，并且在厚度方向的平面视中，在所述盖体的一部分中具有应力缓和部；在所述凹陷部的底部配置所述电子元件；以所述密封部与所述焊料层重叠，并且在厚度方向的平面视中所述应力缓和部与所述凹陷部重叠的方式将所述盖体配置到所述底座基板上；以及照射能量束而将所述盖体接合到所述密封部上。

根据该制造方法，以使底座基板的凹陷部、与在厚度方向的平面视中在一部分中具有应力缓和部的盖体重叠的方式，进行能量束接合，因此利用应力缓和部减小了因接合而产生的残留应力，防止了在底座基板上产生裂纹，具有能够得到气密度高的电子器件的效果。

[应用例4]另外，根据应用例3所述的电子器件的制造方法，其特征在于，所述应力缓和部的板厚比所述盖体的其他部分的板厚小。

根据该制造方法，应力缓和部的板厚形成得比盖体的其他部分的板厚小，因此，利用应力缓和部减小了对底座基板与盖体进行能量束接合时产生的残留应力，防止在底座基板上产生裂纹，具有能够得到气密性优异的电子器件的效果。

[应用例5]另外，根据应用例3所述的电子器件的制造方法，其特征在于，所述应力缓和部在厚度方向上弯曲。

根据该制造方法，所述应力缓和部在厚度方向上弯曲，因此进一步缓和了对底座基板与盖体进行能量束接合时产生的残留应力，防止在底座基板上产生裂纹，具有能够得到气密性优异的电子器件的效果。

[应用例6]本发明的电子设备的特征在于，该电子设备具有通过下述电子器件制造方法制造出的电子器件，所述电子器件制造方法包含以下工序：准备电子元件、底座基板和盖体，所述底座基板具有凹陷部，并且在所述凹陷部的周缘具有密封部，所述盖体包含以金属为材料的基材层和焊料层；在所述凹陷部的底部配置所述电子元件；以所述密封部与所述焊料层重叠的方式将所述盖体配置到所述底座基板上；以及以相比于所述盖体的与所述密封部接合的接合部分的板厚，使得所述盖体的在厚度方向的平面视中位于所述接合部分的内侧的部分的板厚变小的方式，照射所述能量束而将所述盖体接合到所述密封部上。

根据该结构，使用气密性良好且频率精度、频率温度特性、老化特性良好的电子器件来构成电子设备，因此具有能够得到频率长期稳定的电子设备的效果。

[应用例7]本发明的移动体设备的特征在于，该移动体设备具有应用例6所述的电子器件。

根据该结构，使用气密性良好、小型且频率精度、频率温度特性、老化特性良好的电子器件来构成移动体设备，因此具有能够得到小型化且频率长期稳定的移动体设备的效果。

附图说明

图1是本发明的电子器件用容器的图，图1的（a）是分解立体图，图1的（b）是（a）的P－P剖视图，图1的（c）是盖体的剖视图。

图2是用于说明能量束接合法的、放大了电子器件用容器的一部分的剖视图。

图3是其他实施例的盖体的图，图3的（a）是平面图，图3的（b）是剖视图。

图4是其他实施例的盖体的图，图4的（a）是平面图，图4的（b）是剖视图。

图5是使用平板状盖体的容器的局部放大剖视图。

图6是示出电子器件的制造步骤的流程图。

图7的（a）是电子器件（压电振子）的剖视图，图7的（b）是其他电子器件（压电振荡器）的剖视图。

图8的（a）是示出陀螺仪传感器的结构的平面图，图8的（b）是其剖视图，图8的（c）是对动作进行说明的示意图。

图9是电子设备的概略图。

图10是移动设备的说明图。

标号说明

1：容器；2：底座基板（容器主体）；2A：绝缘基板；3：盖体；3a：外周区域；3b：内侧区域；5、6：电子器件；7：振动陀螺仪传感器；8：电子设备；10：密封部（金属化层）；10a：接合部；10b：内侧端部；11a：基材层；11b、11b’、11b”：焊料层；11c：镍膜；12：应力缓和部；13：元件搭载盘；13a：部件搭载盘；14：安装端子；15：贯通孔；18：腔室；30：电子元件；37：第2电子元件；40：振动陀螺仪元件（电子元件）；41a、41b、41c、41d：第2连接臂；42a、42b：第1连接臂；43a、43b、44a、44b：驱动用振动臂；45a、45b：检测用振动臂；46a、46b、47a、47b：支撑臂；G：重心。

具体实施方式

下面，根据附图详细说明本发明的实施方式。

图1的（a）是本发明的电子器件用容器1的一个实施方式的分解立体图，该图的（b）是（a）的P－P剖视图，该图的（c）是盖体3的放大剖视图。

收纳电子元件的容器1具备：具有可搭载电子元件的凹陷部的陶瓷制的底座基板（容器主体）2；以及对设置于底座基板2的一面的凹陷部（腔室）18进行气密密封的盖体3。

本发明的电子器件用容器1的制造方法的概略如下。即，该制造方法是具备底座基板2和金属制的盖体3的电子器件用容器1的制造方法，其中，所述底座基板2具有以陶瓷为材料的绝缘基板2A，该制造方法具有以下工序：准备底座基板2和盖体3，所述底座基板2具有凹陷部18，并且在凹陷部的周缘具有密封部10，所述盖体3包含基材层和焊料层；以密封部与焊料层重叠的方式将盖体配置到底座基板上；以相比于盖体的与密封部接合的接合部分的板厚，使得盖体的在厚度方向的平面视中位于所述接合部分的内侧的部分的板厚变小的方式，照射所述能量束而将所述盖体接合到所述密封部上。此处，设基材层的材料为金属。

换言之，本发明的电子器件容器的制造方法具有以下工序：准备底座基板2，所述底座基板2具有凹陷部（腔室）18，并且在该凹陷部（腔室）18的上部周缘具有密封部（金属化层）10；准备盖体3，所述盖体3具有盖体用基材层11a、以及层叠于盖体用基材层11a的一个主面整体上的焊料层11b，并且在与凹陷部（腔室）18对应的位置处具有应力缓和部12；以使密封部（金属化层）10与焊料层11b对准的方式将盖体3配置到底座基板2上；以及向盖体3的周缘照射能量束（包含激光、电子束）而将盖体3接合于密封部（金属化层）10。

底座基板2具有绝缘基板2A和金属化层10等，所述绝缘基板2A是层叠例如由陶瓷材料构成的平板状的下层板2a、作为中空环状体的中层板2b和作为中空环状体的上层板2c而构成的。下层板2a形成底座基板2的底部，中层板2b形成电子元件的安装面，作为中空环状体的上层板2c与中层板2b一起形成底座基板2的内部空间（腔室）。构成陶瓷基板的下层板2a、中层板2b、上层板2c的陶瓷基材（绝缘基板2A）是对生片进行成型/加工之后进行烧制而形成的。

在中层板2b的靠近一端部的上表面上，形成有电子元件搭载用的多个元件搭载盘13，元件搭载盘13经由多个贯通孔15与底座基板2的外侧底面的安装端子14电导通。

在上层板2c的上部周缘形成有金属化层（密封部）10。金属化层（密封部）10例如通过金属化印刷（钨W等）、烧制、镀镍（Ni）、密封圈焊接、镀金（Au）等方式形成。此外，近年来，开发出使用半添加法在陶瓷基板面上形成铜（Cu）、镍（Ni）、金（Au）等金属化层的方法。该方法是在烧制完成的生片上，利用由溅射实现的金属膜（铜Cu）的成膜、光刻技术、镀覆（Ni＋Au）、蚀刻方法，在不伴有高温加热的情况下形成预定的金属化层。后者的金属化层（密封部）的平面度优异。

此外，在底座基板2的外部底面上具有用于与外部布线连接的多个安装端子14。

在以上的说明中，说明了层叠3层陶瓷基板而成的底座基板2的例子，但也可以是2层、4层等。此外，图1（b）所示的元件搭载盘13、贯通孔15只不过是一个例子，也可以使用其他布线例。此外，最好根据需要来设置使密封部（金属化层）10和接地用的安装端子14导通的贯通孔。在将本发明的容器1用于电子器件等时，通过将金属性的盖体3保持为接地电位，既能够利用盖体3的屏蔽效应保护不受来自外部的不必要的电信号、例如噪声等的影响，又能够防止对外部的不必要辐射。

此外，如图1（c）的剖视图所示，金属制的盖体3构成为，盖体3的壁厚从外周缘起朝向中央部减小。而且，盖体3由以下部分构成：由可伐合金（线膨胀系数：5.5ppm／℃）构成的盖体用基材层11a，所述可伐合金是具有与构成底座基板2的陶瓷基板（下层板2a、中层板2b、上层板2c）的线膨胀系数（7ppm／℃）接近的线膨胀系数的金属材料；通过包覆（clad）法层叠到盖体用基材层11a的下表面的焊料层11b、例如银焊料；以及通过包覆法层叠到盖体用基材层11a的上表面的防氧化膜用的镍膜11c。另外，作为盖体用基材层11a的材料，除了可伐合金以外，还可以使用42镍（包含铁和42%的镍的合金，还称作42合金）、SUS等。

图2是说明电子器件用容器的能量束（例如激光）接合法的图，是放大了图1的容器的一部分后的纵剖视图。在底座基板2的环状的密封部（金属化层）10上，以与焊料层11b接合的方式整合/配置金属制的盖体3，并向盖体3的周缘照射能量束。如图2所示，以能量束的光点直径的中心部、和密封部（金属化层）10与盖体3之间的接合部10a的宽度尺寸W1的中心部基本一致的方式，来设定将密封部（金属化层）10与金属制盖体3的周缘部接合时的能量束的照射位置。能量束的光点直径的一例是100μm左右，接合部10a的宽度尺寸W1的一例是150μm左右。能量束的能量在光点直径的中心部最大，随着远离中心部，其能量减小。另外，也可以构成为：使光点直径的中心部从接合部10a的宽度尺寸W1的中心部朝向盖体3的中央少许地偏移，光点直径的端部位于接合部10a的内侧端部10b、或者越过端部。如果这样地设定能量束的中心位置、端部的位置，能够使得盖体3背面的焊料层11b均匀且可靠地熔融，由此能够使其均匀且在所需的足够范围内展开。

在底座基板2的上层板2c的上部周缘处形成的环状的密封部（金属化层）10上，整合地配置图4所示那样的平板状的金属制盖体3，并向盖体3的接合部分照射能量束（例如激光、电子束等）时，由熔点比较低的合金构成的作为接合部件的焊料层11b、例如银焊料熔融、固化并接合，从而对容器1进行气密密封。此时，金属制的盖体3由于能量束的照射而发热，其热量经由焊料层11b传导至密封部（金属化层）10，进而传递至底座基板2的上层板2c、中层板2b、下层板2a，但是热量的温度分布不均匀，根据各个部分而产生温度差。而且，对于形成底座基板2的陶瓷基板与构成盖体3的可伐合金而言，线膨胀系数存在差异，在对容器1进行密封后使容器1返回到常温时，隔着焊料层11b在底座基板2与盖体3之间产生残留应力。随着容器1的小型化，底座基板2对于应力的耐受性变得脆弱，可能在底座基板2的陶瓷材料（例如上层板2c）上产生裂纹。

因此，在本发明的第1实施方式的例子中，如图1（c）所示，针对盖体3的截面形状，使得与底座基板2的环状的密封部（金属化层）10接合的外周区域3a成为一样的壁厚，并且，以壁厚从该区域朝向盖体3的中央部而变薄的方式构成了应力缓和部12。这样，通过在盖体3的一部分上设置相对于张力发生变形的区域、即应力缓和部12，能够利用该应力缓和部12吸收/减小因接合而产生的残留应力，减小施加给底座基板2的陶瓷材料的应力，防止裂纹的产生。

另外，在本例中，构成为，相对于壁厚均匀的外周区域3a，使应力缓和部12的壁厚呈倾斜状逐渐减小，不过，也可以在外周区域3a与应力缓和部12的边界处设置阶梯部。并且，可以使应力缓和部12的壁厚整体为均匀的厚度，还可以如图1（c）所示的那样，使应力缓和部12的厚度从外周部朝向中央部逐渐减小。

图3是盖体3的第2实施方式的例子，该图的（a）是平面图，该图的（b）是（a）的P－P剖视图。第2实施例的特征点是：针对盖体3的截面形状，使得与环状的密封部（金属化层）10接合的外周区域3a成为一样的壁厚，并且使得比该外周区域3a靠近盖体3的中央的内侧区域3b成为波浪形状（非平面形状），将该内侧区域作为应力缓和部12。通过这样地构成由非平面形状形成的应力缓和部12，能够利用该应力缓和部吸收/减小因接合而产生的残留应力，减小施加给底座基板2的陶瓷材料的应力，从而防止裂纹的产生。

此外，构成非平面形状的应力缓和部12的盖体3的截面形状也可以是锯齿状。由于是非平面形状，由此能够吸收/减小残留应力，减小施加给底座基板2的陶瓷材料的应力，从而防止裂纹的产生。

图4是盖体3的第3实施方式的例子，该图的（a）是平面图，该图的（b）是（a）的P－P剖视图。这里，研究了是否存在利用图4所示的一般的平板状的盖体3来缓和残留应力的方法。在底座基板2的密封部（金属化层）10、与如图4所示截面形状是矩形的盖体3的接合实验中，对能量束的输出、光点直径、照射位置、照射时间等接合条件进行各种改变而进行了接合。测量容器的气密度，将接合截面拍摄成SEM相片，研究了焊料层11b熔融、固化的状态与接合条件之间的关系。图5是在这样的实验中得到的SEM相片的示意图的一例。

从图5还可知，盖体3的外侧端部（图5中为左侧）的上表面由于能量束的照射而如山那样隆起，在焊料层11b’中产生足够的润湿性，蔓延到盖体3的外侧端部的一部分。此外，从该图可知，焊料层11b’在接合部的盖体3的底面处充分地熔融，受到表面张力而固化。

此外，在图5中发现，比密封部10与盖体3之间的接合部更靠近腔室18的焊料层11b”熔融并在表面张力的作用下被吸引到接合部，在腔室18侧产生了不存在焊料层11b”的区域。试着调查了容器1的气密度、与不存在焊料层11b”的区域（称作应力缓和部）之间的关系，得知：在产生了应力缓和部这样的接合条件下进行能量束接合的容器的气密度的合格率极为良好。即，图5示出了如下情形：与密封部10接近的腔室18侧的焊料层11b”由于能量束的照射而熔融，并且在表面张力的作用下被吸引到密封部10与盖体3之间并固化。发现了接合部附近的腔室18侧的焊料层11b”被吸引到接合部10a，形成了不存在焊料层11b”的区域，该区域作为针对残留应力的应力缓和部12发挥作用，即应力缓和部12吸收/减小了因接合而产生的残留应力。

发现了如下情况：即使是不存在厚度和形状的变化的平板状盖体3，通过恰当地设定能量束的输出、光点直径、照射位置、照射时间等接合条件，由此，与密封部10接近的腔室侧的焊料层11b熔融，并且在表面张力的作用下被吸引到接合部10a，在与密封部10接近的腔室18侧形成了不存在焊料层11b”的区域、即应力缓和部12，从而也能够吸收/减小残留应力，防止在陶瓷材料上产生裂纹。

如以上所说明的那样，在通过能量束将盖体3接合到底座基板2的密封部10上时，会由于底座基板2和盖体3的线膨胀系数的差异、以及两者的各个部分的温度分布的偏差，在容器1返回到常温时产生残留应力，但是，能够利用设置于盖体3的应力缓和部12吸收/减小残留应力，具有不会在容器1上产生裂纹等的效果。

此外，如图1（c）所示，通过将应力缓和部12的壁厚设为比盖体3的其他部分、即外周区域3a薄，能够进一步吸收、减小在执行能量束接合时产生的残留应力，因此具有不会在容器1上产生裂纹等的效果。

此外，如图3所示，根据容器的大小将应力缓和部的形状设为非平板状、例如波浪形状，由此能够进一步吸收、减小残留应力，因此具有不会在容器上产生裂纹等的效果。

如图5所示，通过适当地设定能量束的输出、光点直径、照射位置、照射时间等接合条件，能够利用容易制造且成本低的平板形状的盖体3，在该盖体3上形成应力缓和部12，能够吸收、减小在执行能量束接合时产生的残留应力，因此具有不会在容器1上产生裂纹等的效果。

接着，图6是示出本发明的电子器件的制造方法的一例的流程图。图6是说明图7（a）所示的电子器件5的制造方法的流程图，而对于图7（b）的电子器件6，也可以通过同样的步骤进行制造。

首先，本发明的电子器件用容器的制造方法的概略如下。

包含以下工序：准备底座基板2和盖体3，所述底座基板2具有凹陷部18，并且在凹陷部的周缘具有密封部10，所述盖体3包含以金属为材料的基材层和焊料层；以密封部与焊料层重叠的方式将盖体配置到底座基板上；以相比于盖体的与密封部接合的接合部分的板厚，使得盖体的在厚度方向的平面视中位于所述接合部分的内侧的部分的板厚变小的方式，照射能量束而将所述盖体接合到所述密封部。

接着，本发明的电子器件的制造方法的概略如下。

即，具有以下工序（S1a～S6）：准备底座基板2，所述底座基板2具有凹陷部18、并且在凹陷部18的周缘具有密封部10；准备盖体3，所述盖体3具有盖体用基材层11a、以及层叠于盖体用基材层11a的一个主面整体上的焊料层11b，并且在与凹陷部18对应的位置处具有应力缓和部12；在凹陷部18中配置电子元件30；以密封部10与焊料层11b整合的方式将盖体3配置到底座基板2上；向盖体3照射能量束而将盖体3接合到密封部10上。

根据该制造方法，在电子器件、例如压电振子5的制造时，能够吸收、减小通过能量束将盖体3接合到底座基板2时产生的残留应力，因此具有能够大幅降低压电振子5的气密不良的效果。

图7（a）示出了作为本发明的电子器件的实施方式的一例的压电振子5的结构的纵剖视图。压电振子5具有电子元件（压电振动元件）30、和收纳电子元件30的容器1。容器1包含具有凹陷部（腔室）18的底座基板2、和金属制的盖体3。在盖体3的与底座基板2接合的表面的整个面上形成有焊料层11b。如图7（a）所示，底座基板2具有两层绝缘基板（下层板、上层板），是对作为绝缘材料的氧化铝质的陶瓷生片进行烧制而形成的。环状的密封部10由多层金属化层构成。此外，在凹陷部（腔室）18的底部形成有一对元件搭载盘13。在容器主体的外部底面形成有多个安装端子14。

构成底座基板2的绝缘基板上形成的元件搭载盘13与安装端子14通过贯通孔15电导通。元件搭载盘13的位置被配置成，当载置了电子元件30时，元件搭载盘13与电子元件30的焊盘电极相对应。

作为一例的电子元件（压电振动元件）30大致具有石英基板、一对激励电极、引线电极和电极焊盘。在为AT切石英振子的情况下，为了实现小型化，石英基板一般为台面型构造。关于台面型构造的石英基板，通过对大型石英晶片应用光刻法和蚀刻法，能够大量制造相同品质的石英基板。石英基板的台面型构造可以根据石英振子的特性要求而采用关于厚度方向对称的1级构造，或者可以采用2级、3级构造。

激励电极形成于石英基板的大致中央部，并形成分别朝向石英基板的端部形成的电极焊盘延伸的引线电极。作为激励电极的一例，利用光刻法将石英基板形成为预定的形状，其中，所述石英基板使用溅射法、真空蒸镀法等，以铬（Cr）或镍（Ni）的电极膜为基底，在其上方层叠有金（Au）的电极膜。使用该方法，能够一次将激励电极、引线电极和电极焊盘形成为预定的形状。关于激励电极的大小，根据要求的规格，有时会扩展到台面型构造的顶部、或周缘的一部分。此外，关于激励电极的大小，一般以抑制高次的屈曲模式的方式来决定其尺寸。

在底座基板2上固定电子元件30时，首先在元件搭载盘13上涂覆导电性粘接剂35，以电子元件30的焊盘电极与元件搭载盘13整合的方式进行载置并施加预定的载荷。作为导电性粘接剂35，有硅类粘接剂、环氧类粘接剂、聚酰亚胺类粘接剂等，不过，由粘接剂35引起的应力大小较小，且考虑到经年变化，优选选择产生的气体较少的粘接剂。

为了使搭载于底座基板2上的电子元件30的导电性粘接剂35硬化，将其放入到预定温度的高温炉中预定时间。在使导电性粘接剂35硬化、并实施了退火处理后，对激励电极附加质量、或减小质量来进行频率调整。在形成于底座基板2的上表面的密封部10上配置盖体3，在能量束接合机的腔内，在真空中或者N₂氮气的环境中，通过能量束将盖体3的焊料层11b和密封部10接合并密封，从而完成压电振子5。

如图7（a）所示，如果构成了电子器件、例如压电器件5，则能够缓和底座基板2的残留应力，因此具有如下效果：能够构成不仅泄漏不合格率得到改善，而且频率精度、频率温度特性、经年变化优异的压电器件。

图7（b）是示出本发明的电子器件6的实施方式的纵剖视图。电子器件6例如大致具备：电子元件30；至少1个第2电子元件37；以及收纳电子元件30和第2电子元件37的具有底座基板2和盖体3的容器1。在底座基板2的腔室18的底面上，设置有元件搭载盘13和部件搭载盘13a，两者均通过贯通孔15与安装端子14导通连接。在元件搭载焊盘13上涂覆导电性粘接剂35，载置电子元件30的焊盘电极，并施加预定的重量，进行热处理以使导电性粘接剂35硬化。并且，在部件搭载盘13a上载置第2电子元件37，用超声波接合等方式进行接合。以与底座基板2的上表面的密封部10整合的方式载置盖体3，并将它们放入到能量束接合机的腔内进行能量束接合，从而完成电子器件6。电子器件6的容器1内可以为真空，也可以填充有氮（N₂）。

在以上的实施方式的例子中，作为收纳到容器1中的第2电子元件37，期望使用热敏电阻、电容器、电抗元件、半导体元件（具有可变电容二极管、振荡电路和放大器等的IC）中的至少一个来构成电子器件。

图8（a）是使用本发明的容器1构成的陀螺仪传感器7的概略平面图，示出了取下盖体3的状态。图8（b）是（a）的P－P剖视图。振动陀螺仪传感器7大致具备振动陀螺仪元件40、和收纳振动陀螺仪元件40的容器1。如图1所示，容器1具有底座基板2、和对底座基板2的腔室进行气密密封的盖体3。

振动陀螺仪元件40具有：基部41；以及从基部41的相对的2个端缘起分别在同一直线上突出设置的1对检测用振动臂45a、45b。并且，振动陀螺仪元件40具有：从基部41的相对的另外2个端缘起分别在与检测用振动臂45a、45b垂直的方向上，在同一直线上突出设置的1对第1连接臂42a、42b；以及从各个第1连接臂42a、42b的前部起，在与其垂直的两个方向上分别突出设置的各1对驱动用振动臂43a、43b和44a、44b。

振动陀螺仪元件40具有：从基部41的相对的另外2个端缘起分别在与所述检测用振动臂45a、45b垂直的方向上，在同一直线上突出设置的各1对第2连接臂41a、41b和41c、41d；以及从各第2连接臂41a、41b和41c、41d的前端部起，在与其垂直的两个方向上分别突出设置且配置于检测用振动臂45a、45b与驱动用振动臂43a、43b及44a、44b之间的各1对支撑臂46a、46b和47a、47b。

激励电极至少分别形成于1对检测用振动臂45a、45b、以及各1对驱动用振动臂43a、43b和44a、44b上。在支撑臂46a、46b和47a、47b上形成有多个电极焊盘（未图示），该电极焊盘与激励电极之间分别电连接。

振动陀螺仪传感器7在底座基板2的内表面的、与振动陀螺仪元件40的各检测用振动臂45a、45b以及各驱动用振动臂43a、43b和44a、44b的前部相对的部位设置有金属或高分子材料的缓冲件。

图8（c）是说明振动陀螺仪元件的动作的示意性平面图。振动陀螺仪传感器7在未施加角速度的状态下，其驱动用振动臂43a、43b、44a、44b在箭头E表示的方向上进行弯曲振动。此时，驱动用振动臂43a、43b和44a、44b进行关于经过重心G的Y轴方向的直线呈线对称的振动，因此基部41、连接臂42a、42b、检测用振动臂45a、45b基本不振动。

当对振动陀螺仪传感器7施加了绕Z轴的角速度ω时，对驱动用振动臂43a、43b、44a、44b和第1连接臂42a、42b作用科里奥利力，激励产生新的振动。该振动是相对于重心G在周向的振动。同时，检测用振动臂45a、45b对应于该振动而被激励出检测振动。检测用振动臂45a、45b上形成的检测电极检测由于该振动而产生的变形，求出角速度。

图9是示出本发明的电子设备的结构的概略结构图。电子设备8具有上述电子器件5～7中的至少1个。作为使用了电子器件的电子设备8，可举出传送设备等。在这些电子设备8中，电子器件被用作基准信号源、或电压可变型振荡器等，能够提供小型且电气特性良好的电子设备。

在如上这样地构成电子设备时，使用气密性良好且频率精度、频率温度特性、老化特性良好的电子器件来构成电子设备8，因此具有能够得到频率长期稳定的电子设备8的效果。

图10概略地示出搭载有移动体设备的汽车110作为一个具体例子。在汽车110中组装有例如图8所示那样具有陀螺仪传感器元件40的陀螺仪传感器7。陀螺仪传感器7能够检测车体111的姿势。陀螺仪传感器7的检测信号能够提供到车体姿势控制装置112。车体姿势控制装置112例如能够根据车体111的姿势控制悬架的软硬或者控制各个车轮113的制动。另外，这样的姿势控制能够用于双足步行机器人或无线电操纵直升机。在实现姿势控制时组装陀螺仪传感器7。

根据该结构，使用气密性良好、小型且电气特性稳定、老化特性良好的电子器件来构成移动体设备，因此具有能够得到小型化并且频率长期稳定的移动体设备的效果。

Claims (7)

1.一种电子器件的制造方法，其特征在于，该电子器件的制造方法包含以下工序：

准备电子元件、底座基板和盖体，所述底座基板具有凹陷部，并且在所述凹陷部的周缘具有密封部，所述盖体包含基材层和焊料层；

在所述凹陷部的底部配置所述电子元件；

以所述密封部与所述焊料层重叠的方式将所述盖体配置到所述底座基板上；以及

以相比于所述盖体的与所述密封部接合的接合部分的板厚，使得所述盖体的在厚度方向的平面视中位于所述接合部分的内侧的部分的板厚变小的方式，照射所述能量束而将所述盖体接合到所述密封部上。

2.根据权利要求1所述的电子器件的制造方法，其特征在于，

在所述进行接合的工序中，通过使所述焊料移动，来形成所述盖体的板厚较小的部分。

3.一种电子器件的制造方法，其特征在于，该电子器件的制造方法包含以下工序：

准备电子元件、底座基板和盖体，所述底座基板具有凹陷部，并且在所述凹陷部的周缘具有密封部，所述盖体包含基材层和焊料层，并且在厚度方向的平面视中，在所述盖体的一部分中具有应力缓和部；

在所述凹陷部的底部配置所述电子元件；

以所述密封部与所述焊料层重叠，并且在厚度方向的平面视中所述应力缓和部与所述凹陷部重叠的方式将所述盖体配置到所述底座基板上；以及

照射能量束而将所述盖体接合到所述密封部上。

4.根据权利要求3所述的电子器件的制造方法，其特征在于，

所述应力缓和部的板厚比所述盖体的其他部分的板厚小。

5.根据权利要求3所述的电子器件的制造方法，其特征在于，

所述应力缓和部在厚度方向上弯曲。

6.一种电子设备，其特征在于，该电子设备具有通过下述电子器件制造方法制造出的电子器件，所述电子器件制造方法包含以下工序：

准备电子元件、底座基板和盖体，所述底座基板具有凹陷部，并且在所述凹陷部的周缘具有密封部，所述盖体包含基材层和焊料层；

在所述凹陷部的底部配置所述电子元件；

以所述密封部与所述焊料层重叠的方式将所述盖体配置到所述底座基板上；以及

以相比于所述盖体的与所述密封部接合的接合部分的板厚，使得所述盖体的在厚度方向的平面视中位于所述接合部分的内侧的部分的板厚变小的方式，照射所述能量束而将所述盖体接合到所述密封部上。

7.一种移动体设备，其特征在于，该移动体设备具有权利要求6所述的电子器件。

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