CN103378119B - 电子组件、电子模块、其制造方法、安装构件和电子装置 - Google Patents

电子组件、电子模块、其制造方法、安装构件和电子装置 Download PDF

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Abstract

本发明涉及电子组件、电子模块、其制造方法、安装构件和电子装置。电子组件的制造方法包括：第一步，制备安装构件，所述安装构件是通过在对基座体和框架体进行加热的同时粘合基座体的外围区域和框架体而形成的，基座体具有与配线构件连接的外部端子；第二步，将电子器件固定到基座体；以及第三步，粘合盖体和框架体。满足条件αL,αF,αB<αC，其中，αL是盖体的热膨胀系数，αF是框架体的热膨胀系数，αB是基座体的热膨胀系数，以及αC是配线构件的热膨胀系数。

Description

电子组件、电子模块、其制造方法、安装构件和电子装置
技术领域
本公开内容涉及一种由具有不同热膨胀系数的材料形成的电子组件。
背景技术
日本专利公开No.2003-101042公开了一种用于容纳包括绝缘基座体、金属框架体和透光盖体的光学半导体器件的封装件。
当日本专利公开No.2003-101042的封装件被安装在外部的电路板上时，如果升高该封装件和电路板的温度的加热步骤被执行，则根据该封装件与电路板的热膨胀系数之间的关系，变形（翘曲）可能在该封装件和电路板处发生。如果这个加热步骤是回流焊接步骤，则翘曲可能引起有缺陷的焊接发生。此外，如果元件的共面性的可控性由于翘曲而降低，则该元件的性能可能不能被充分提供。
发明内容
因此，本发明至少提供一种可降低因热的变形的影响的电子组件。
根据本公开内容的第一方面，提供一种电子组件的制造方法。所述电子组件包括电子器件和封装件，所述封装件具有内部端子和外部端子，内部端子与电子器件电连接，外部端子从内部端子电延续，并且将通过回流焊接被固定到配线构件。所述方法包括：第一步，制备安装构件，所述安装构件通过在基座体的外围区域粘合基座体和框架体而形成，所述基座体具有中心区域和包封该中心区域的外围区域，所述框架体具有与该中心区域对应的开口，所述安装构件具有内部端子和从内部端子电延续的外部端子；第二步，将电子器件固定到基座体的中心区域，并将内部端子与电子器件电连接；以及第三步，布置具有中心区域和包封该中心区域的外围区域的盖体，以使得盖体的中心区域面对电子器件，并粘合盖体的外围区域和框架体。满足条件αB<αF<αC和条件αL<αC，其中，αL是盖体的热膨胀系数，αF是框架体的热膨胀系数，αB是基座体的热膨胀系数，αC是配线构件的热膨胀系数。
根据本公开内容的第二方面，提供一种电子组件的制造方法。所述电子组件包括电子器件、封装件和盖体，所述封装件具有内部端子和外部端子，内部端子与电子器件电连接，外部端子从内部端子电延续，并且将通过回流焊接被固定到配线构件，所述盖体具有面对电子器件的中心区域（间隔置于在电子器件与该中心区域之间）和包封该中心区域的外围区域。所述方法包括：第一步，制备安装构件，所述安装构件通过在基座体的外围区域粘合基座体和框架体而形成，所述基座体具有中心区域和包封该中心区域的外围区域，所述框架体具有与该中心区域对应的开口，所述安装构件具有内部端子和从内部端子电延续的外部端子；第二步，在第一步之后，将电子器件固定到基座体的中心区域，并将内部端子与电子器件电连接；以及第三步，在第二步之后，布置具有中心区域和包封该中心区域的外围区域的盖体，以使得盖体的中心区域面对电子器件，并粘合盖体的外围区域和框架体。满足条件(a)和(b)之一，条件(a)和(b)包括：
(a)αB<αF<αC，并且αL<αF<αC，和
(b)αF<αB<αC，并且αF<αL<αC，
其中，αL是盖体的热膨胀系数，αF是框架体的热膨胀系数，αB是基座体的热膨胀系数，αC是配线构件的热膨胀系数。
根据本公开内容的第三方面，一种电子模块的制造方法包括通过回流焊接将通过以上所述的电子组件的制造方法制造的电子组件固定到配线构件。
根据本公开内容的第四方面，一种安装构件包括：内部端子，其与电子器件电连接；外部端子，其从内部端子电延续，并且将被固定到配线构件；基座体，其具有将布置电子器件的中心区域和包封该中心区域的外围区域；以及框架体，其具有与基座体的中心区域对应的开口，并且被粘合到基座体的外围区域。框架体具有比基座体的热膨胀系数高的热膨胀系数。
根据本公开内容的第五方面，一种电子组件包括：以上所述的安装构件；电子器件，其被固定到基座体的中心区域，并且与内部端子电连接；以及盖体，其具有面对电子器件的中心区域和包封该中心区域并且被粘合到框架体的外围区域。所述电子器件具有比基座体的热膨胀系数、框架体的热膨胀系数和盖体的热膨胀系数低的热膨胀系数。
根据本公开内容的第六方面，一种电子模块包括以上所述的电子组件、以及外部端子所固定到的配线构件。基座体的热膨胀系数、框架体的热膨胀系数和盖体的热膨胀系数低于配线构件的热膨胀系数。
根据本公开内容的第七方面，一种电子装置包括以上所述的电子模块、以及容纳该电子模块的壳体。
从以下参照附图对示例性实施例的描述，本发明的进一步的特征将变得清楚。
附图说明
图1A和图1B是电子组件的例子的示意性平面图。
图2A和图2B是电子组件的例子的示意性截面图。
图3A和图3B是电子组件的例子的示意性截面图。
图4是电子组件的例子的分解透视图。
图5A至图5C是电子组件（安装构件）的制造方法的例子的示意性截面图。
图6D至图6G是电子组件的制造方法的例子的示意性截面图。
图7H至图7J是电子装置的制造方法的例子的示意性截面图。
图8A至图8F是解释翘曲的示意性截面图。
图9A至图9F是解释翘曲的示意性截面图。
图10A至图10D是解释翘曲的示意性截面图。
具体实施方式
电子组件100的例子被描述为本发明的实施例。图1A是当从前面查看第一例子的电子组件100时的示意性平面图。图1B是当从后面查看第一例子的电子组件100时的示意性平面图。图2A和图2B是第一例子的电子组件100的示意性截面图。图2A是第一例子的电子组件100沿着图1A和图1B的线A-a截取的截面图。图2B是第一例子的电子组件100沿着图1A和图1B中的线B-b截取的截面图。图3A和图3B是第二例子的电子组件100沿着与图2A和图2B的线类似的线截取的截面图，第二例子的电子组件100是第一例子的电子组件100的修改形式。以下参照附图来主要描述第一例子的电子组件100，同时共用的标号应用于相同部分或类似部分。各图指示X方向、Y方向和Z方向。
电子组件100包括电子器件10和容纳电子器件10的封装件50。封装件50主要包括基座体20、盖体30和框架体40。尽管稍后描述细节，但是封装件50的部件之中的基座体20和框架体40可用作安装构件。框架体40具有与电子器件10对应的开口。盖体30可用作光学构件。电子器件10固定到基座体20。盖体30通过框架体40固定到基座体20。盖体30通过内部空间60面对电子器件10。框架体40包封盖体30与电子器件10之间的内部空间60。内部空间60形成在框架体40的开口中。
形成电子组件100的构件之间的位置关系可基于与电子器件10的位置相关的参考平面来解释。参考平面是假想平面，该假想平面位于电子器件10的前表面101与电子器件10的后表面102之间，并且穿透电子器件10的外边缘105。前表面101位于参考平面的一侧（前表面侧），后表面102位于参考平面的另一侧（后表面侧）。参考平面是沿着X-Y方向的平面，Z方向是垂直于参考平面的方向。如果电子器件10是半导体器件，则为了方便布置，可将参考平面设置在半导体层与绝缘体层之间的界面处。X方向和Y方向通常平行于电子器件10的前表面101、电子器件10的后表面102、盖体30的外表面301和盖体30的内表面302。电子器件10与基座体20粘合，以使得前表面101面对内表面302，后表面102面对基座体20的布置区域210。此外，Z方向垂直于前表面101、后表面102、外表面301和内表面302。电子器件10和电子组件100通常在X方向和Y方向上具有矩形形状。此外，Z方向上的尺寸小于X方向和Y方向上的尺寸。因此，电子器件10和电子组件100具有基本平板形状。以下，为了便于描述，将Z方向上的尺寸称为厚度或高度。这里，描述正交投影区域。某构件的正交投影区域是在其中该构件可投影在垂直于参考平面的Z方向上的区域。与所述某构件不同的另一个构件位于所述某构件的正交投影区域中的情况表示所述某构件在Z方向上与所述另一个构件重叠。也就是说，如果所述另一个构件位于所述某构件的正交投影区域内，则可以说，所述另一个构件位于这样的区域中，在该区域中，所述另一个构件在Z方向上与所述某构件重叠。相反，如果所述另一个构件位于所述某构件的正交投影区域外，则可以说，所述另一个构件的至少一部分位于这样的区域中，在该区域中，所述另一个构件的所述至少一部分不与所述某构件重叠。正交投影区域的内部与外部之间的边界对应于作为对象构件的轮廓线的外边缘或内边缘（内边缘可能不存在）。例如，面对电子器件10的盖体30位于电子器件10的正交投影区域（即，在其中盖体30在Z方向上与电子器件10重叠的区域）中。
在X方向和Y方向上，电子组件100的外边缘由基座体20的外边缘205、框架体40的外边缘405和盖体30的外边缘305确定。除了外边缘405之外，框架体40还具有内边缘403。框架体40的开口由内边缘403确定。
电子器件10的类型没有特别限制；然而，通常是光学器件。这个例子的电子器件10包括主部分1和子部分2。主部分1通常位于电子器件10的中心处，子部分2通常位于主部分1的外围中。如果电子器件10是图像拾取器件（比如，电荷耦合器件（CCD）图像传感器或互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器），则主部分1是图像拾取单元。如果电子器件10是显示器件（比如，液晶显示器或电致发光（EL）显示器），则主部分1是显示单元。在图像拾取器件的情况下，作为电子器件10面对盖体30的面对表面的前表面101用作光入射表面。这个光入射表面可由设置在具有光接收表面的半导体基板上的多层膜的顶层形成。所述多层膜包括：具有光学功能的层，比如，滤色器层、微透镜层、防反射层和遮光层；具有机械功能的层，比如，平面化层；以及具有化学功能的层，比如，钝化层。子部分2具有驱动主部分1的驱动电路和对来自主部分1的信号（或者进入到主部分1的信号）进行处理的信号处理电路。如果电子器件10是半导体器件，则容易以单片的方式形成这样的电路。子部分2具有电极3（电极焊盘），电极3（电极焊盘）允许电子器件10与外部器件交换信号。
基座体20的中心区域的至少一部分是布置区域210。电子器件10布置在布置区域210上。电子器件10固定到基座体20。如图2A和图2B所示，电子器件10通常通过接合材料52固定，接合材料52布置在基座体20的布置区域210与电子器件10的后表面102之间。可替换地，接合材料52可以仅接触作为电子器件10的侧表面的外边缘105，并且接合材料52可以不设置在基座体20的布置区域210与电子器件10的后表面102之间。接合材料52可以是导电材料或绝缘材料。此外，接合材料52可取地具有高热导率，并且可含有金属颗粒。
基座体20包括内部端子5和外部端子7，内部端子5面对封装件50的内部（内部空间60），外部端子7面对封装件50的外部。多个内部端子5排列形成内部端子组。在这个例子中，如图1A所示，内部端子组包括沿着X方向排列成一条线的10个内部端子5，并且这样的两线（两组）内部端子组布置在Y方向上。内部端子5的布置不限于以上所述的布置，内部端子组可包括沿着Y方向排列成一条线的内部端子，并且这样的两线内部端子组可布置在X方向上。此外，各自包括沿着Y方向排列成一条线的内部端子5的两线内部端子组以及各自包括沿着X方向排列成一条线的内部端子5的两线内部端子组可被布置为包封电子器件10。此外，多个外部端子7形成外部端子组。在这个例子中，如图1B所示，包括沿着X方向和Y方向排列成行和列的外部端子的外部端子组布置在基座体20的后表面206上，后表面206形成电子组件100的后侧。外部端子7的布置不限于以上所述的布置。外部端子组可沿着外边缘205在X方向和/或Y方向上布置成线，外边缘205是基座体20的侧表面。
内部端子5和外部端子7通过嵌入部分6电延续，嵌入部分6被作为内部配线嵌入在基座体20中。形成电子组件100的电子器件10的电极3和封装件50的内部端子5通过连接导体4电连接。在这个例子中，电极3通过导线接合连接与内部端子5连接，并且连接导体4是金属丝（粘合丝）。可替换地，电极3可通过倒装芯片连接与内部端子5连接。在这种情况下，电极3设置在电子器件10的后表面102上，并且内部端子5和连接导体4位于布置区域210中。在这个例子中，外部端子7的形式是焊盘栅格阵列（LGA）。可替换地，所述形式可以是引脚栅格阵列（PGA）、球栅阵列（BGA）或无引线芯片载体（LCC）。通过这样的形式，多个外部端子7可位于盖体30在基座体20上的正交投影区域中。此外，多个外部端子7的部分可位于电子器件10在基座体20上的正交投影区域中。这样，多个外部端子7可布置在这样的区域中，在该区域中，外部端子7在Z方向上与电子器件10、基座体20和盖体30中的至少一个重叠。可通过使用引线框架来集成内部端子5、嵌入部分6和外部端子7。在这种情况下，内部端子5用作内部引线，外部端子7用作外部引线。在使用引线框架的形式下，多个外部端子7从基座体20的外边缘205伸出，并且位于电子器件10的正交投影区域外或者位于基座体20上。电子组件100的外部端子7与例如印刷配线板的配线构件的连接端子电连接，同时被固定到该配线构件。可通过使用焊料膏进行回流焊接来将外部端子7与外部电路电连接。这样，电子组件100被第二安装在配线构件上，因此形成电子模块。电子模块也可用作电子组件。安装形式可取地为表面安装。通过将电子模块安置在壳体中，形成电子装置。
基座体20具有凹形形状，其中，基座体20的中心区域相对于包封该中心区域的外围区域凹陷。更具体地讲，板形部分形成凹形形状的底部部分，设置在板形部分的外围区域上的框架形部分形成凹形形状的侧部。可通过堆叠板构件和框架构件来形成基座体20。可替换地，可通过例如模具成型或切割来整体地形成基座体20。基座体20可以是导体（比如，金属片材），只要确保内部端子5和外部端子7绝缘即可。然而，基座体20通常由绝缘体形成。尽管基座体20可以是柔性基板（比如，聚酰亚胺基板），但是基座体20可取地是刚性基板（比如，环氧玻璃基板、复合基板、玻璃复合基板、酚醛树脂基板或陶瓷基板）。具体地讲，陶瓷基板是可取的，并且基座体20可取地是层压陶瓷。陶瓷材料可以是碳化硅、氮化铝、蓝宝石、氧化铝（alumina）、氮化硅、金属陶瓷（cermet）、氧化钇（yttria）、莫来石（mullite）、镁橄榄石（forsterite）、堇青石（cordierite）、氧化锆（zirconia）或块滑石（steatite）。
如图2A、图2B、图3A和图3B所示，具有凹形形状的基座体20的外围区域包括台面部分和台阶部分。台面部分是在X方向和Y方向上延伸的部分。台阶部分位于Z方向上高度不同的两个台面部分之间，并且在Z方向上延伸。
设有内部端子5的台面部分被确定为基准台面部分202。在本实施例中，如图2A和图3A所示，上台面部分204在Y方向上相对于内部端子组位于封装件50的外边缘侧，也就是说，位于基座体20的外边缘205侧。上台面部分204相对于基准台面部分202突出。也就是说，上台面部分204在Z方向上相对于基准台面部分202位于盖体30侧。台阶部分203位于基准台面部分202与上台面部分204之间。台阶部分203通过内部空间60的一部分面对连接导体4。
此外，在图2A和图2B所示的例子中，除了基准台面部分202和上台面部分204之外，基座体20还包括下台面部分200。下台面部分200位于与内部端子组的位置相比离基座体20的外边缘205更远的位置处。也就是说，与内部端子组的位置相比，下台面部分200位于基座体20的内侧。下台面部分200相对于基准台面部分202至台阶部分201凹陷。也就是说，下台面部分200在Z方向上位于与内部端子组至台阶部分201的位置相比离盖体30更远的位置处。台阶部分201通过内部空间60的一部分面对电子器件10的外边缘105。基准台面部分202位于上台面部分204与下台面部分200之间。因此，基准台面部分202可被称为中间台面部分。如图2B所示，在沿着其不提供内部端子5的X方向上，在下台面部分200与上台面部分204之间不提供基准台面部分202。台阶部分203位于上台面部分204与下台面部分200之间。中间台面部分可以像设置在Y方向上的中间台面部分那样在X方向上设置在上台面部分204与下台面部分200之间。然而，这样的不设有内部端子5的中间台面部分可能导致封装件50的不必要的大小增大。可取地，不提供这样的中间台面部分。
在图3A和图3B所示的修改形式中，基座体20具有无台面部分、无台阶部分的平板形状。因此，在这个例子中，图3A和图3B中的基准台面部分也可被称为基准表面。电子器件10和框架体40固定到基准台面部分202的在其上布置内部端子5的表面。不提供如图2A和图2B所示的下台面部分200、不提供如图2A和图2B所示的上台面部分204。其他点与图2A和图2B所示的电子组件100的点类似。
面对电子器件10的盖体30具有保护电子器件10的功能。如果电子器件10是使用光的图像拾取器件或显示器件，则要求盖体30对于光（通常，可见光）是透明的。用于这样的盖体30的合适材料例如是塑料、玻璃或石英晶体。盖体30的表面可具有防反射涂层或红外截止涂层。
图4是电子组件100的分解图。如从图4所理解的，通过在Z方向上堆叠制备的电子器件10、基座体20、盖体30和框架体40来形成电子组件100。在图4中，长虚线指示基座体20与框架体40之间的关系，单点链线指示电子器件10与基座体20之间的关系，双点链线指示框架体40与盖体30之间的关系。此外，虚线指示盖体30在框架体40上的轮廓线、电子器件10在基座体20上的轮廓线、以及框架体40在基座体20上的轮廓线。
盖体30通过框架体40固定到基座体20。更具体地讲，如图2A和图2B所示，框架体40和基座体20在包封基座体20的中心区域的外围区域中通过接合材料51彼此粘合。此外，如图2A和图2B所示，框架体40和盖体30在包封盖体30的中心区域的外围区域中通过接合材料53彼此粘合。电子器件10和内部空间60位于基座体20的中心区域与盖体30的中心区域之间。在本实施例中，盖体30在Z方向上位于与框架体40的位置相比离电子器件10和基座体20更远的位置处，并且接合材料53设置在盖体30的内表面302上，内表面302是盖体30面对电子器件10的面对表面。可替换地，像日本专利公开No.2003-101042的图3中的形式那样，框架体40的一部分在Z方向上可位于与盖体30的位置相比离电子器件10和基座体20更远的位置处，并且接合材料53可设置在盖体30的外表面301上。接合材料51、52和53的厚度在1μm至1000μm范围内，或者通常在10μm至100μm范围内。
更具体地讲，框架体40和基座体20使用粘结剂粘合，电子器件10和基座体20使用粘结剂粘合，盖体30和框架体40使用粘结剂粘合。粘合这些部分的顺序没有特别限制。然而，可取的是，在粘合盖体30和框架体40之前，粘合框架体40和基座体20。此外，可取的是，在粘合电子器件10和基座体20之前，粘合框架体40和基座体20。也就是说，首先粘合框架体40和基座体20，因此形成具有用于将电子器件10设置在其上的布置区域的安装构件。电子器件10固定到安装构件。然后，盖体30在布置区域上粘合到安装构件。
基座体20和框架体40可取地在它们的接合表面的整个周界处通过接合材料51粘合。此外，盖体30和框架体40可取地在它们的接合表面的整个周界处通过接合材料53粘合。如上所述，基座体20和盖体30的外围区域的整个周界用作粘合区域，以使得电子器件10周围的内部空间60对外部空气变为密封。因此，防止异物进入内部空间60，并且提高可靠性。为了确保密封性，可使用足够量的粘结剂。
以上所述的接合材料51、52和53通过使涂覆的粘结剂固化而形成。粘结剂的类型例如可以是通过熔剂蒸发的干式固化类型、通过用光或热量聚合分子进行硬化的化学反应类型、或者通过设置熔融粘结剂进行固化的热熔融（热熔）类型。典型的粘结剂可以是用紫外线或可见光硬化的光固化树脂、或者用热量硬化的热固性树脂。热固性树脂适用于接合材料51和接合材料52的粘结剂。光固化树脂适用于接合材料53的粘结剂。在热固性树脂的情况下，粘结剂和接合材料的颜色没有特别限制，可以是白色的、黑色的、透明的、等等。在光固化树脂的情况下，粘结剂和接合材料的颜色对于可见光和/或紫外光是透明的。粘结剂和接合材料可适当地含有无机填料或有机填料。如果含有填料，则可提高防潮性。粘结剂硬化之后的接合材料的弹性模量没有特别限制。然而，如果粘结剂将不同材料粘合在一起，则粘结剂可取地为相对软的树脂（弹性模量低的树脂）。例如，弹性模量可取地在1MPa至100Gpa范围内，但是它不限于此。
框架体40包括接合表面401和接合表面402，接合表面401面对基座体20，并且被粘合到接合材料51，接合表面402面对盖体30，并且被粘合到接合材料53。框架体40被提供来包封电子器件10与盖体30之间的内部空间60。框架体40的表面（该表面面对内部空间60并包封内部空间60）是内边缘403。这个例子中的框架体40（在这个例子中，框架体40的外边缘405曝露到外部空间）具有延伸部分404，延伸部分404在X方向上从基座体20与盖体30之间延伸到外部空间。延伸部分404具有通孔406。通孔406用于固定到电子装置的壳体等的螺旋孔，或者用于定位孔。如果电子器件10是图像拾取器件，则电子装置包括图像拾取装置（比如，静态照相机或摄像机）和具有图像捕捉功能的信息终端。
为了增强内部空间60的密封性，框架体40可取地连续地、无断裂地包封内部空间60。此外，为了确保框架体40的刚性并且进一步确保电子组件100的刚性，框架体40可取地是无断裂的封闭环路。此外，为了确保热导率（稍后描述），框架体40可取地是在周界方向上连续的封闭环路。然而，如果在制造中提供限制，则可以按边为基础将框架体40划分为多个部分，并且可布置框架体40。可替换地，框架体40可具有使得内部空间60可与外部空间连通的狭缝。如果框架体40因这样而具有断裂，则在框架体40中产生的不连续部分（狭缝）可取地尽可能地少。更具体地讲，不连续部分的总长度可取地小于包封内部空间60和电子器件10的周界的长度的10%。换句话讲，如果框架体40的总长度为沿着内部空间60和电子器件10的周界的周界的长度的90%或更长，则可假定框架体40包封内部空间60和电子器件10。
框架体40的材料可适当地使用树脂、陶瓷或金属。这里提及的金属不仅包括一种类型的金属，而且还包括金属合金。在本实施例中，框架体40和基座体20通过使用粘结剂粘合。因此，当框架体40的材料不同于基座体20的材料时，本实施例是合适的。此外，当框架体40的材料不同于盖体30的材料时，本实施例是合适的。这样的情况的例子是当基座体20的材料是陶瓷、盖体30的材料是玻璃、框架体40的材料是金属或树脂时。
如果框架体40具有高热导率，则电子器件10的热量可通过延伸部分404辐射。为了热辐射，框架体40的热导率优选地为1.0W/m·K或更高，或者更优选地为10W/m·K或更高。树脂的热导率通常低于1.0W/m·K。
此外，为了减小在电子组件100上产生的应力，框架体40可取地具有尽可能低的热膨胀系数（线性膨胀系数）。更具体地讲，框架体40的热膨胀系数可取地为50ppm/K或更低。树脂的热膨胀系数通常高于50ppm/K。
从热传导和热膨胀的角度来讲，框架体40的材料可取地为金属或陶瓷。陶瓷可具有与金属的热特性相当的热特性；然而，陶瓷是脆性的材料。因此，从可加工性和机械强度的角度来讲，金属比陶瓷更合适。典型的金属材料可以是铝、铝合金、铜、铜合金、铁、铁合金等。这些材料具有高的可加工性，并且相对便宜。此外，如果电子器件10是图像拾取器件，则关于户外使用，具有高耐蚀性的铝、铝合金或铁合金是合适的。此外，框架体40的材料可取地是铁合金，比如，不锈钢或者含有铬、镍或钴的其他铁合金。例如，这样的材料可以是SUS430、SUS304、42合金、科伐合金（Kovar）、等等，SUS430是铁素体不锈钢，SUS304是奥氏体不锈钢。
框架体40具有确定电子器件10与盖体30之间的间隙的功能和支承盖体30的功能。此外，因为框架体40具有以上所述的螺旋孔或定位孔并且具有高热导率，所以框架体40具有作为热辐射构件的功能。因此，基座体20和框架体40可统称为安装构件。
描述与电子组件100相关的制造方法的例子。图5A至图7J是沿着图1A和图1B中的线A-a截取的示意性截面图。
图5A示出制备基座体20的步骤a。如上所述，基座体20配备内部端子5、嵌入部分6和外部端子7。此外，基座体20具有连接基准台面部分202和上台面部分204的台阶部分203，并且还具有连接基准台面部分202和下台面部分200的台阶部分201。内部端子5设置在基准台面部分202上。外部端子7设置在基座体20的后表面206上。
这样的基座体20由层压的陶瓷形成，层压的陶瓷例如如下形成。首先，用板模具对通过片材形成方法（比如，刮片法或压辊法）形成的生片材进行冲压；堆叠多个这样被冲压的生片材；因此形成生陶瓷的板构件。此外，用框架模具对类似地形成的生片材进行冲压；堆叠多个被冲压的生片材；因此形成生陶瓷的框架构件。堆叠并烧制板构件和框架构件；因此制作具有凹形形状的层压的陶瓷。层压的陶瓷可用作基座体20。可通过在堆叠生片材的步骤期间烧制通过丝网印刷方法等形成的导电膏图案来形成内部端子5、嵌入部分6和外部端子7。
在这种情况下，示出了烧制之前的第一层21、第二层22和第三层23，第一层21为生陶瓷板构件，第二层22为内径小的生陶瓷框架构件，第三层23为内径大的生陶瓷框架构件。因为第二层22的框架模具和第三层23的框架模具具有不同的内径，所以可容易形成基准台面部分202。如果基座体20如图3A和图3B所示那样不具有下台面部分200，则在图3A和图3B所示的例子中，基座体20可以不由两种类型（两层）的框架构件形成，而是可由一种类型的框架构件形成。因此，因为用于冲压的框架模具可以是一种类型，所以可降低成本。根据将被安装的电子器件的大小来适当地确定基座体20的台阶部分203的内径DBI和外径DBO。
图5B示出粘合基座体20和框架体40的步骤中所包括的第一阶段b。制备形成的框架体40。假定DFI是框架体40的内径，DFO是框架体40的外径。此处，基座体20与框架体40的大小之间的关系是DBI<DFI。此外，DBO<DFO。框架体40的表面可取地通过喷砂而具有粗糙度。然后，作为第二阶段，将粘结剂510涂覆到基座体20的上台面部分204和框架体40的接合表面401中的至少一个。如图5B所示，粘结剂510可取地仅被涂覆到框架体40的接合表面401。框架体40比基座体20更平整，因此可容易地控制粘结剂510的涂覆量。如上所述，粘结剂510通常是热固性树脂。粘结剂510的涂覆可使用印刷、分配（dispensing）、等等。
图5B示出完全平整的示例性框架体40。然而，它不限于此，框架体40的至少一边可具有翘曲。尽管稍后详细描述，但是因为将被粘合的框架体40具有翘曲，所以可获得具有平整度高的框架体40的安装构件24。
然后，作为第三阶段，将框架体40安装在基座体20的上台面部分204上。下台面部分200对应于框架体40的开口，下台面部分200为基座体20的包含电子器件的布置区域的中心区域，上台面部分204对应于框架体40，上台面部分204为基座体20的外围区域。此处，基座体20的台阶部分203相对于框架体40的内边缘403位于内部端子5侧。此时台阶部分203与内边缘403之间的偏移量DOS取决于内径DFI与内径DBI之间的差值。通常，DOS=(DFI-DBI)/2成立。因此，在粘结剂510置于框架体40与基座体20之间的状态下，框架体40和基座体20叠置。相反，具有与偏移量DOS对应的宽度并且不叠置在框架体40上的区域（偏移区域）形成在上台面部分204上。
当然，粘结剂510此时是液态的。当框架体40由于框架体40的自重或压力而压向基座体20时，多余的粘结剂510可从框架体40和基座体20之间突出。然而，突出的粘结剂510保留在偏移区域上，因此可防止粘结剂510粘附到内部端子5等。
图5C示出粘合基座体20和框架体40的步骤中所包括的第四阶段c。用适当的方法使涂覆的粘结剂510固化。合适的粘结剂510是热固性树脂，并且在从大约80°C至200°C的范围内的温度下通过热量硬化（热固）。因此，液态的粘结剂510变为固态的接合材料51，并且框架体40和基座体20通过接合材料51粘合。在第五阶段中，在热固化之后，使框架体40和基座体20冷却到预定温度（例如，室温）。冷却方法没有特别限制，可以是自然冷却或者通过空气冷却的强制冷却、等等。这样，可制造包括框架体40和基座体20并且具有将在其上布置电子器件的布置区域的安装构件24。安装构件24配备内部端子5和外部端子7，内部端子5将与电子器件电连接，外部端子7将被固定到配线构件。
图6D示出将电子器件10固定到基座体20的步骤d。电子器件10具有电极3。将粘结剂520（比如，模具粘合膏）涂覆到基座体20的下台面部分200和电子器件10的后表面102中的至少一个（通常，仅基座体20的下台面部分200）。然后，将电子器件10布置在粘结剂520上。然后，如图6E所示，使粘结剂520固化，形成接合材料52，因此粘合电子器件10和基座体20。
图6E示出将电子器件10与基座体20电连接的步骤e。在这个例子中，使用导线接合连接。将从毛细管345的远端进给的金属丝的一端与对应的电极3连接，然后将金属丝的另一端与对应的内部端子5连接。金属丝形成连接导体4。如果利用倒装芯片连接，则隆起块可用作接合材料52和连接导体4。此处，基座体20具有这样的构造，在该构造中，电子器件10设置在下台面部分200上，并且设有内部端子5的基准台面部分202位于下台面部分200上方。由于此，可减小这样的区域，在该区域中，毛细管345可干扰台阶部分203、上台面部分204和电子器件10。从而，可缩小电子组件100的大小。
图6F示出将盖体30粘合到框架体40的步骤中所包括的前一阶段f。图6F示出所有的内部端子5和所有的电极3都通过连接导体4连接之后的状态。将粘结剂530涂覆到框架体40的接合表面402和盖体30的接合表面（在这个例子中，内表面302）中的至少一个。如上所述，粘结剂530通常为光固化树脂。粘结剂530的涂覆可使用印刷、分配等。如图6F所示，粘结剂530可取地仅被涂覆到盖体30的内表面302。当进行分配时，如果粘结剂被涂覆到其的对象的涂覆表面具有起伏，粘结剂的涂覆量可变化。盖体30比框架体40更加平整，因此可容易地控制粘结剂530的涂覆量。
图6G示出将盖体30粘合到框架体40的步骤中所包括的后一阶段g。将盖体30安装在框架体40上。当然，粘结剂530此时是液态的。当盖体30由于盖体30的自重或压力而压向框架体40时，多余的粘结剂530可从框架体40与盖体30之间突出。
然后，用适当的方法使涂覆的粘结剂530固化。因此，液态的粘结剂530变为固态的接合材料53，并且框架体40和盖体30通过接合材料53粘合。由于以下原因，光固化树脂用作粘结剂530。当粘结剂530被涂覆到接合表面的整个周界时，如果热固性粘结剂用作粘结剂530，则内部空间60在被加热时可因热量而膨胀，并且液态的粘结剂530可由于内部压力而被推出。如果使用光固化粘结剂，则不发生这样的现象。如果光固化粘结剂因光固化而半硬化，则可将辅助热固化用于后硬化。为了适当地使用光固化粘结剂510，盖体30可取地对于粘结剂510与其反应的波长（比如，紫外线）具有足够的透光率。以此方式，可制造电子组件100。
图7H示出电子模块600的制造方法的前一阶段h。制备用于第二安装如上所述那样制作的电子组件100的配线构件500。配线构件例如是刚性配线板、柔性配线板或者刚性-柔性配线板，通常是印刷配线板。用已知方法（比如，丝网印刷）将焊料膏80（焊膏）涂覆到配线构件500的连接端子9。然后，将电子组件100安装在配线构件500上，以使得基座体20的后表面206面对配线构件500，并且焊料膏80置于连接端子9与外部端子7之间。
图7I示出电子模块600的制造方法的后一阶段i。将电子组件100和配线构件500放进炉子（回流炉）中，在从大约180°C至250°C的范围的温度下使焊料膏80熔融，并且形成用作连接导体8的焊料。以此方式，通过回流焊接将电子组件100固定到配线构件500。从而，可制造包括电子组件100和配线构件500的电子模块600。注意，除电子组件100之外的电子组件（例如，集成电路组件、分立组件等）可被安装在配线构件500上。
图7J示出电子装置1000。电子模块600的配线构件500与外部电路700连接。外部电路例如是处理器或存储器。外部电路可以是集成电路组件。其他电子组件800（比如，显示器）与外部电路连接。这些组件和电路容纳在壳体900中，从而可制造电子装置1000。设置在电子组件100处的用于热辐射的延伸部分404与壳体900或者设置在壳体900中的散热器热连接。因此，在电子器件10处产生的热量通过延伸部分404辐射到外部。
如上所述，可制造安装构件24、电子组件100、电子模块600和电子装置1000。
以下描述根据本实施例的电子器件10的热膨胀系数αD、基座体20的热膨胀系数αB、框架体40的热膨胀系数αF、盖体30的热膨胀系数αL、配线构件500的热膨胀系数αC。
在电子组件100使用期间，为了限制由当电子器件10产生热量时的热膨胀引起的变形，将封装件50的主要构造构件设置为具有比配线构件500的热膨胀系数αC低的热膨胀系数。这是因为电子器件10是发热源，并且封装件50的构造构件的温度有可能升高，封装件50的构造构件是离电子器件10的距离相对近的材料。更具体地讲，基座体20的热膨胀系数αB、框架体40的热膨胀系数αF和盖体30的热膨胀系数αL低于配线构件500的热膨胀系数αC（αB,αF,αL<αC），配线构件500的热膨胀系数αC优选地为50ppm/K或更低，或者更优选地为25ppm/K或更低。配线构件500的典型的热膨胀系数αC在15ppm/K至20ppm/K的范围内。此外，电子器件10的典型的热膨胀系数αD低于封装件50的主要构造构件的热膨胀系数。更具体地讲，基座体20的热膨胀系数αB、框架体40的热膨胀系数αF和盖体30的热膨胀系数αL高于电子器件10的热膨胀系数αD（αB,αF,αL>αD）。因此，通常，αC>αD成立。
在本实施例中，在阶段b到阶段c中，基本平整的基座体20和基本平整的框架体40用粘结剂510粘合，粘结剂510是热固性树脂。此时，基座体20和框架体40在粘合之前可相对自由地膨胀/收缩。然而，基座体20和框架体40在粘合之后不能相对自由地膨胀/收缩。由于此，基座体20与框架体40之间的应力的变化变为在热固化之前的低温（室温）状态与热固化之后的低温（室温）状态之间不可逆。因此，在如图8A和图9A所示那样用粘结剂510（其为热固性树脂）粘合平整的基座体20和平整的框架体40之后，在从高温（固化温度）状态到低温状态的冷却过程中，在基座体20的收缩量和框架体40的收缩量之间产生差异。收缩量的差异使基座体20如图8B和图9B所示那样翘曲。这个翘曲生成为使得收缩量大的构件将收缩量小的构件的外围区域拉向该收缩量小的构件的中心区域。在这种情况下，提供使用热固性粘结剂的例子。然而，粘结剂不限于热固性粘结剂，只要利用在对基座体20和框架体40进行加热的同时粘合基座体20和框架体40的方法即可，也就是说，只要利用在比室温高的温度下的状态下固定两者的粘合方法即可。如果αF>αB，则如图8B所示，基座体20朝向与框架体40相对的侧（下侧）突出。这种形状被称为下翘曲形状。如果αF<αB，则如图9B所示，基座体20朝向框架体40侧（上侧）突出。这种形状被称为上翘曲形状。如上所述，基座体20的翘曲方向根据αF和αB的程度之间的关系而改变。可取地执行阶段c和后面的步骤，以使得基座体20的翘曲不增大，并且基座体20最终接近平整状态。αF与αB之间的差值（绝对值）可取地为10.2ppm/K或更低。因为框架体40不具有中心区域，所以如果αF>αB，则基座体20的翘曲程度更加减小。因此，可取地满足αF>αB。
首先，以下描述当αF>αB时的情况。如图8C所示，固定到安装构件24的具有下翘曲形状的基座体20的中心区域（布置区域210）的电子器件10有可能以沿着基座体20的布置区域210的下翘曲形状的下翘曲形状翘曲。可将负载施加于电子器件10，以使得电子器件10沿着基座体20的形状翘曲。如后所述，这是为了当基座体20变得平整时使电子器件10平整。当粘结剂520是热固性树脂时，当通过热固使粘结剂520硬化时，基座体20和电子器件10因热量而膨胀。如果电子器件10的热膨胀系数αD高于基座体20的热膨胀系数αB（αB<αD），则电子器件10在热固化之后的冷却期间的收缩量大于基座体20的收缩量，并且基座体20的下翘曲形状的翘曲可能变大。因此，电子器件10的热膨胀系数αD可取地低于基座体20的热膨胀系数αB（αB>αD）。
如图8D所示，在用粘结剂530粘合平整的盖体30之后，平整的盖体30可保持平整，粘结剂530是光固化树脂。然而，如果盖体30和框架体40在被加热的同时被粘合，则在盖体30和基座体20在热固化期间因热量而膨胀的状态下，盖体30和基座体20都被固定。这是例如当光固化和热固化都用于固化粘结剂530时的情况、或者当仅执行热固化时的情况。在这种情况下，如果盖体30的热膨胀系数αL高于框架体40的热膨胀系数αF（αL>αF），则在盖体30收缩之后，盖体30将框架体40向内拉。因此，基座体20的下翘曲形状的翘曲增大。结果，基座体20的共面性趋向于降低，特别是，用于位于外围区域中的外部端子7的回流焊接的产率趋向于降低。为了提高回流焊接的产率，盖体30的热膨胀系数αL可取地低于框架体40的热膨胀系数αF（αL<αF）。可替换地，αL和αF可以是相等的。此外，盖体30的热膨胀系数αL可取地低于基座体20的热膨胀系数αB（αL<αB）。可替换地，αL和αB可以是相等的。
如图8E和图8F所示，回流焊接之前的电子组件100的基座体20具有下翘曲形状，而回流焊接之前的配线构件500是平整的。关于在回流炉中加热的基座体20和配线构件500，在从当焊料粘合完成时到当温度返回到室温时的过程中，配线构件500具有比基座体20的收缩量大的收缩量。这是因为配线构件500的热膨胀系数αC高于基座体20的热膨胀系数αB（αC>αB）。结果，配线构件500校正基座体20的翘曲的应力在基座体20与配线构件500之间作用。基座体20的翘曲在室温下减小，并且整个电子模块600变得平整。如果配线构件500是刚性基板、而不是柔性基板，则配线构件500可具有足够的校正力。
基座体20以下翘曲形状翘曲的应力从框架体40作用于基座体20。然而，配线构件500的热膨胀系数αC高于基座体20的热膨胀系数αB、框架体40的热膨胀系数αF和盖体30的热膨胀系数αL（αB,αF,αL<αC）。因此，配线构件500因热量的收缩大于框架体40和盖体30因热量的收缩。
关于以上描述，通过满足以下关系(i)、(ii)和(iii)中的任何一个（因此，通过最终使基座体20平整），提高电子器件10的平整度，并且可获得电子组件100的良好性能。这些关系之中，为了提高回流焊接的产率，满足αL≤αF的关系(i)和(ii)是可取的，并且满足αL<αB的关系(i)更可取。关系(i)、(ii)和(iii)如下：
(i)αL≤αB<αF<αC，
(ii)αB<αL≤αF<αC，和
(iii)αB<αF<αL<αC
接下来，以下描述当αF<αB时的情况。
如图9C所示，固定到具有上翘曲形状的安装构件24的基座体20的中心区域（布置区域210）的电子器件10有可能以沿着基座体20的布置区域210的上翘曲形状的上翘曲形状翘曲。可取地可将负载施加于电子器件10，以使得电子器件10沿着基座体20的形状翘曲。当粘结剂520是热固性树脂时，当通过热固化使粘结剂520硬化时，基座体20和电子器件10热膨胀。如果电子器件10的热膨胀系数αD低于基座体20的热膨胀系数αB（αB>αD），则基座体20在热固化之后的冷却期间的收缩量大于电子器件10的收缩量，并且基座体20的上翘曲形状的翘曲可能变大。因此，用于适当地制造电子组件的条件变得比αF>αB的情况更加严格。
如图9E所示，如果盖体30和框架体40在被加热的同时被粘合，则在盖体30和基座体20在热固化期间热膨胀的状态下，盖体30和基座体20被固定。这是例如当光固化和热固化都用于固化粘结剂520时的情况、或者当仅执行热固化时的情况。在这种情况下，盖体30的热膨胀系数αL被确定为高于框架体40的热膨胀系数αF（αL>αF）。因此，如图9D所示，沿着上翘曲形状的安装构件24的基座体20的上翘曲形状的翘曲通过盖体30的收缩而减小。图9E示出整个平整的电子组件100；然而，电子组件100可具有减小的上翘曲形状。此外，盖体30的热膨胀系数αL可取地高于基座体20的热膨胀系数αB（αL>αB）。可替换地，αL和αB可以是相等的。如果盖体30的热膨胀系数αL低于基座体20的热膨胀系数αB，则通过盖体30减小上翘曲形状的翘曲的效果减小。在一些情况下，上翘曲形状的翘曲可增大。
如图9F所示，回流焊接之前的电子组件100具有平整的或减小的上翘曲形状，而回流焊接之前的配线构件500是平整的。因此，电子组件100的多个外部端子7的共面性良好，并且回流焊接的产率提高。然而，配线构件500的热膨胀系数αC高于基座体20的热膨胀系数αB（αC>αB）。因此，关于在回流炉中加热的基座体20和配线构件500，在从当焊料粘合完成时到当温度返回到室温时的过程中，配线构件500具有比基座体20的收缩量大的收缩量。结果，配线构件500增大基座体20的翘曲的应力在基座体20与配线构件500之间作用。在室温下，基座体20的上翘曲形状的翘曲增大，或者平整构造以上翘曲形状翘曲。因此，如果αF<αB，则电子器件10的平整度与αF>αB的情况相比降低。因此，在图像拾取器件的情况下，如果电子器件10的平整度与性能明显相关，则电子器件10的平整度缺陷可取地通过除电子组件100之外的因素来补偿。这个补偿可以例如是光学系统的焦点调整或者用软件的图像校正。
如上所述，通过满足以下关系(iv)和(v)中的任何一个（因此通过在回流焊接期间使基座体20平整），可提高回流焊接的产率。关系(iv)和(v)如下：
(iv)αF<αB<αL<αC，和
(v)αF<αL≤αB<αC
通过以上所述的关系(i)和(ii)，位于框架体40两边处的基座体20和盖体30的热膨胀系数αB和αL都低于框架体40的热膨胀系数αF。相反，通过以上所述的关系(iv)和(v)，位于框架体40两边处的基座体20和盖体30的热膨胀系数αB和αL都高于框架体40的热膨胀系数αF。如上所述，因为框架体40的热膨胀系数αF不在基座体20的热膨胀系数αB与盖体30的热膨胀系数αL之间，所以可减小电子组件100处产生的翘曲的非对称性。结果，提高回流焊接的产率。
图10A至图10D是解释当制作安装构件24时框架体40的翘曲的截面图。图10A至图10D中的每个中的箭头指示图5B和图5C中所示的粘合基座体20和框架体40的过程中的状态的变化。箭头前面的状态指示粘结剂510硬化之前的低温（室温）下的状态。箭头后面的状态指示粘结剂510硬化之后（接合材料51形成之后）的低温下的状态。图10A和图10B均示出当αF>αB时的情况。图10C和图10D均示出当αB>αF时的情况。图10A和图10C均示出框架体40在粘合之前平整的形式。图10B和图10D示出框架体40在粘合之前翘曲的形式。
粘合之前框架体40相对于基座体20的翘曲方向基于框架体40和基座体20的热膨胀系数的程度之间的关系来确定。如果框架体40的热膨胀系数高于基座体20的热膨胀系数，则如图10B所示，框架体40和基座体20叠置，以使得框架体40朝向与基座体20相对的侧突出。相反，如果框架体40的热膨胀系数低于基座体20的热膨胀系数，则如图10D所示，框架体40和基座体20叠置，以使得框架体40朝向基座体20侧突出。因此，框架体40的翘曲在冷却期间与当叠置时的翘曲相比减小。因此，可获得包括平整度高的框架体40的安装构件24。翘曲的减小包括这样的过程，在该过程中，翘曲量减小，并且翘曲接近于平整状态。如果框架体40之前在与冷却期间框架体40处产生的变形的方向相对的方向上变形（翘曲），则可消减冷却期间的变形。
当冷却结束时，框架体40可在与粘合之前翘曲方向相对的方向上翘曲。也就是说，如图10B所示的在加热之前翘曲以朝向与基座体20相对的侧突出的框架体40在冷却之后可朝向基座体20侧翘曲。可替换地，如图10D所示的在加热之前翘曲以朝向基座体20突出的框架体40在冷却之后可朝向与基座体20相对的侧翘曲。在这个过程中，框架体40的翘曲量减小，并且在至少高于室温的某一温度暂时变为平整。如果进一步冷却框架体40，则在框架体40处产生相对方向上的翘曲。如果在粘合之后在框架体40处产生相对方向上的翘曲，则粘合之后相对方向上的翘曲量可取地小于框架体40在粘合之前的翘曲量。然而，粘合之后相对方向上的翘曲量可大于粘合之前的翘曲量，这是因为在产生相对方向上的翘曲的情况下，与框架体40在粘合之前不翘曲相比，因为框架体40在粘合之前翘曲，所以粘合之后的翘曲量可减小。
描述框架体40的翘曲的变化。在冷却步骤中，从加热期间的高温状态起，根据基座体20和框架体40的热膨胀系数，在冷却过程中产生收缩。如上所述，因为在这个例子中框架体40具有比基座体20的热膨胀系数高的热膨胀系数，所以框架体40的收缩量大于基座体20的收缩量。因为框架体40和基座体20在高温状态下彼此固定，所以框架体40在接近平整状态的方向上变形，以使得基座体20的收缩量与框架体40的收缩量之间的差异减小。如果基座体20的收缩量与框架体40的收缩量之间的差异大，则框架体40在相对方向上翘曲的可能性增大。作为框架体40的翘曲减小的结果，基座体20可翘曲。更具体地讲，基座体20在冷却之后在与加热之前框架体40的翘曲方向相对的方向上翘曲。例如，如果框架体40在加热之前翘曲以朝向与基座体20相对的侧突出，则基座体20在冷却之后可翘曲以朝向与框架体40相对的侧突出。与框架体40在粘合之前不翘曲的情况（图10A、10C）相比，如果框架体40在粘合之前翘曲，则冷却之后会在基座体20处产生的翘曲可能较小。因此，可进一步提高电子组件100和电子模块600的平整度。
详细地描述框架体40的翘曲。这个例子中的框架体40是四边形的。框架体40的边包括置于框架体40的外边缘405与四边形框架体40的内边缘403的边之间的条形部分（条带部分）。此外，框架体40的每边在条带部分的两侧包括两个相邻边共享的角部分。因此，四边形框架体40包括四个角部分和四个条带部分。关于单个边，条带部分的位于两个角部分之间的一部分是中间部分。如果框架体40具有突出翘曲，则当框架体40被安装在比如基座的平整表面（参考表面）上时，参考表面与中间部分之间的距离大于参考表面与两个角部分中的每个之间的距离。当框架体40被安装在基座体20上时，基座体20相对于框架体40的接合表面可被认为是参考表面。翘曲量用从参考表面到两个角部分的距离的平均值与从参考表面到中间部分的距离之间的差值来表达。
如果框架体40的至少一边具有翘曲，则框架体40被假定具有翘曲。至少一对的两个相对边可取地在类似的方向上具有翘曲。如果框架体40具有短边和长边，则至少长边可取地具有翘曲。至少相对的长边可取地在类似的方向上具有翘曲。此外，两个相对的长边的翘曲量可取地小于两个相对的短边的翘曲量。这是因为冷却期间的长边的收缩量大于短边的收缩量。
框架体40的翘曲量可取地小于框架体40的厚度。如果框架体40具有超过框架体40的厚度的极大翘曲，则将粘结剂510涂覆到框架体40可能变得困难，或者基座体20与框架体40之间的粘合可能变得困难。框架体40的厚度是下接合表面401与上接合表面402之间的距离，下接合表面401被粘合到基座体20，上接合表面402是与接合表面401相对的表面，被粘合到盖体30。尽管这个例子中的框架体40的厚度在角部分与中间部分之间没有显著变化，但是框架体40在各边处的厚度由各边处的两个角部分处的厚度和中间部分的厚度的平均值来表达。为了获得实际使用效果，翘曲量可取地至少为各个边的厚度的1/100。即使翘曲量为厚度的1/10或更小，也可获得充分的效果。
此外，为了实际使用，翘曲量在从30μm至80μm的范围内。如果粘合之前的翘曲量小于20μm，则在粘合到基座体20之后，在安装构件24的框架体40处产生的相对方向上的翘曲量变大的可能性增大。此外，如果翘曲量大于80μm，则用于粘合基座体20和框架体40的各个边的中间部分的粘结剂520的涂覆高度必须足够。因此，有缺陷的粘合可能发生。此外，如果翘曲量太大，则生产率可能降低，以使得通过抽吸对框架体40的处理可能困难。此外，如果翘曲量太大，则即使在翘曲减小之后，安装构件24的框架体40的上侧的翘曲量也没有显著减小。因此，平整度降低。
翘曲的形状没有特别限制。翘曲可在边的长度方向上整个地具有弧形形状。可通过使用调平器进行校正或者通过弯曲来形成这个形状。所述形状可以不是弧形形状。翘曲可具有这样的形状，其中，从角部分到中心部分的形状是直线，中心部分弯曲。例如，可通过在所述边的中心附近的位置处设置支承点并且使所述边从该边的两端弯曲来形成这个形状。此外，所述边的中心部分附近的区域可凸出。可通过在保持所述边的两端附近的区域的同时将该边的中心部分附近的区域向上推来形成这个形状。
例子
以下，描述本发明的例子。制作图2A和图2B中所示的电子组件100。电子组件100具有矩形板形状，其中，X方向是长边方向，Y方向是短边方向。
在电子组件100中，制备堆叠三层的矩形凹状基座体20。在基座体20中，板形第一层21的厚度为0.8mm，框架形第二层22的厚度（台阶部分201的高度）为0.4mm，框架形第三层23的厚度（台阶部分203的高度）为0.2mm。第一层21在X方向上的外径为32.0mm。第一层21在Y方向上的外径为26.4mm。第二层22在X方向上的外径为32.0mm，其内径为26.2mm（其框架宽度为2.9mm）。第二层22在Y方向上的外径为26.4mm，其内径为19.6mm（其框架宽度为3.4mm）。第三层23在X方向上的外径为32.0mm，其内径为26.2mm（其框架宽度为2.9mm）。第三层23在Y方向上的外径（对应于DBO）为26.4mm，其内径（对应于DBI）为21.4mm（其框架宽度为2.5mm）。设有内部端子5的基准台面部分202在Y方向上的宽度为0.9mm。
内部端子5和外部端子7均使用层压膜，在该层压膜中，镀金被涂覆到镍基座。外部端子7为LGA类型，并且提供125个外部端子7。
接着，制备框架体40，并且通过丝网印刷将作为粘结剂510的热固性树脂涂覆在框架体40的一个表面上。然后，将框架体40安装在基座体20的上台面部分204上，并且施加压力。调整压力，以使得热固性树脂的厚度在从10μm至50μm的范围内。然后，在大约120°C至150°C范围内的温度下施加热，从而使作为粘结剂510的热固性树脂硬化。为了增大对于热固性树脂的粘结力，通过喷砂对框架体40的表面进行处理，以获得从大约0.1μm至0.2μm的范围内的表面粗糙度Ra，从而对前表面施加粗糙度。框架体40的厚度为0.8mm，其在X方向上的外径为42.0mm（在外径中，设置在左边和右边处的延伸部分404的宽度均为4.5mm），并且其内径为27.4mm。框架体40在Y方向上的外径为27.4mm，其内径为22.6mm。此时，框架体40的内边缘403与基座体20的台阶部分203之间的偏移距离在X方向上在左边和右边处均为0.60mm，并且在Y方向上在上边和下边处均为0.60mm。因为内边缘403大于台阶部分203，所以内边缘403的整个周界位于台阶部分203的外侧（外边缘205侧）。此外，框架体40在X方向上在左边和右边处均相对于基座体20的外边缘205最少突出0.50mm，最多突出5.0mm（对应于延伸部分404），并且在Y方向上在上边和下边处均突出0.50mm。因为外边缘405大于外边缘205，所以外边缘405的整个周界位于外边缘205的外侧（外边缘205侧）。以此方式，获得安装构件24。
接着，制备具有所谓的高级光系统类型C（APS-C）大小的CMOS图像传感器作为电子器件10。电子器件10在Y方向上的外径为18.0mm，其厚度为0.75mm。主要由硅制成的电子器件10的热膨胀系数可被假定为2.5ppm/k。通过基本上在基座体20的中心处热固化、通过使用粘结剂520来固定这个电子器件10，粘结剂520为黑色模具粘合粘结剂。然后，使用导线接合装置用金属丝将设置在芯片的外围区域的电极3和内部端子5电连接。电子器件10的外边缘105与框架体40的内边缘403之间的距离在X方向上为1.5mm，在Y方向上为2.3mm（对应于DCF）。此外，电子器件10与台阶部分203之间的距离在X方向上为0.9mm，在Y方向上为1.7mm。内部端子5与电子器件10的外边缘105之间的距离DCT为0.8mm。
接着，制备厚度为0.5mm的防α射线板构件作为盖体30。盖体30在X方向上的尺寸为31.8mm，其在Y方向上的尺寸为26.3mm。这些尺寸基本上对应于基座体20的外径。分配器将紫外固化树脂作为粘结剂530以框架的形状涂覆在盖体30的一个表面上，将盖体30安装在框架体40上，以使得被涂覆粘结剂530的表面面对框架体40的接合表面402，并且施加适当的压力。此时，在粘结剂530中混合作为间隔件的球形颗粒（每个颗粒的直径为30μm），并且粘结剂530的厚度约为30μm。此时，发现粘结剂530从盖体30与框架体40之间突出。然后，紫外线被发射通过盖体30，因此执行光固化处理。此外，作为后硬化，执行热固化处理以使粘结剂530硬化，从而形成接合材料53。电子器件10的前表面101与盖体30的内表面302之间的距离为0.75mm。以此方式，获得厚度为2.8mm的电子组件100。
然后，制备具有某尺寸的配线构件500，通过印刷将焊料膏80涂覆到配线构件500的连接端子9上，在回流炉中熔融焊料膏80，从而将电子组件100固定到配线构件500。以此方式，获得电子模块600（图像拾取模块）。
以32种方式（其中，改变基座体20、盖体30、框架体40和配线构件500的材料）制作如上所述那样制作的电子模块600，并且32种类型的电子模块600各被制作了10个。然后，对每个电子模块600评估基座体20在制造工艺期间的翘曲状态、电子器件10的翘曲状态和由该状态导致的问题。
表1示出与样本No.1至样本No.32的32种组合相关的研究结果，其中，改变盖体30的热膨胀系数αL、框架体40的热膨胀系数αF、基座体20的热膨胀系数αB和配线构件500的热膨胀系数αC，并且改变它们的组合。
指示了盖体30的热膨胀系数αL、框架体40的热膨胀系数αF、基座体20的热膨胀系数αB和配线构件500的热膨胀系数αC。关于盖体30的热膨胀系数αL，石英晶体为13，不同类型的玻璃为8.5、6.6和3.3。关于框架体40的热膨胀系数αF，SUS430为10.3，SUS304为17.3，铝为23.1，42合金为4.3，科伐合金为5.2。关于基座体20的热膨胀系数αB，氧化铝（铝氧化物）陶瓷为7.1，氮化铝陶瓷为4.6。作为刚性印刷配线板的环氧玻璃基板用于配线构件500。关于热膨胀系数αC，制备20和15的基板。这些热膨胀系数（线性膨胀系数）的单位为ppm/K(=10-6/°C)。
在关于条件1的列中，如果满足盖体30的热膨胀系数αL低于框架体40的热膨胀系数αF的条件1（αL<αF），则给予○（圈），如果不满足条件1，则给予×（叉）。在关于条件2的列中，如果满足框架体40的热膨胀系数αF高于基座体20的热膨胀系数αB的条件2（αF>αB），则给予○（圈），如果不满足条件2，则给予×（叉）。此外，指示了框架体40的热膨胀系数αF与基座体20的热膨胀系数αB之间的差值（绝对值）。在关于条件3的列中，如果满足盖体30的热膨胀系数αL低于基座体20的热膨胀系数αB的条件3（αL<αB），则给予○（圈），如果不满足条件3，则给予×（叉）。在关于条件4的列中，如果满足框架体40的热膨胀系数αF低于配线构件500的热膨胀系数αC的条件4（αF<αC），则给予○（圈），如果不满足条件4，则给予×（叉）。
在关于阶段1的列中，用坐标测量机器测量在如图5C所示那样制作安装构件24的阶段中安装构件24的基座体20的翘曲状态，并且指示了上翘曲形状或下翘曲形状。在关于阶段2的列中，指示了在如图6G所示那样制作电子组件100的阶段中电子组件100的电子器件10的翘曲状态。在关于阶段3的列中，指示了在如图7I所示那样制作电子模块600的阶段中电子器件10的翘曲状态。为了评估电子器件10的翘曲，用激光位移计从盖体30上方测量电子器件10的翘曲量，并且测量电子器件10的平整度。关于电子器件10的平整度，测量电子器件10的四个角与电子器件10的中心部分之间的距离，并且使用最大值与最小值之间的差值作为平整度。10μm或更小的平整度被判断为平整状态，其他平整度被判断为上翘曲形状或下翘曲形状。
在样本No.11的例子中，获得以下结果，在这个例子中，盖体30是石英晶体（热膨胀系数：13），框架体40是SUS430（热膨胀系数：10.3），基座体20是氧化铝陶瓷（热膨胀系数：7.1），配线构件500是环氧玻璃（热膨胀系数：20）。阶段1和阶段2中的基座体20的翘曲程度分别为40μm和50μm。阶段2和阶段3中的电子器件10的翘曲程度分别为30μm和9μm。
评估1的列示出对于通过配线构件500与电子组件100之间的连接导体8（焊料）的电连接的开路/短路电测试的结果。对于每种组合，指示了每10个制作样本中的良好产品的数量。然后，如果良好产品的数量为10个（全部样本），则给予○（圈），如果良好产品的数量为5至9个，则给予Δ（三角形），如果良好产品的数量为1至4个，则给予×（叉）。
评估2的列示出当电子器件10（CMOS传感器）被安置在照相机中时的焦点调整的结果。更具体地讲，用作制作的电子模块600的图像拾取单元被安置在制备的照相机中，并且被安装在照相机上。在适当地调整电子器件10的XYθ轴的同时安装图像拾取单元，以使得焦点满足CMOS传感器，并且离照相机的安装表面的凸缘后距离（flangebackdistance）在某些值的范围内。如下进行判断。可对电子器件10的图像拾取表面的整个表面进行焦点调整的样本被判断为通过，因为芯片的翘曲大而不能进行焦点调整的样本被判断为不合格。对于每种组合，指示了每10个制作样本中的通过产品的数量。然后，如果通过产品的数量为10个（全部样本），则给予○（圈），如果通过产品的数量为5至9个，则给予Δ（三角形），如果通过产品的数量为1至4个，则给予×（叉）。
表1
描述表1的结果。首先，对于满足条件2的样本No.1至16和29至32，无论条件1和3如何，每个在阶段1和2中均具有下翘曲形状。发现以上样本中满足条件4的样本No.1至16在阶段3中被平整。相反，不满足条件4的样本No.29至32在阶段3中均接连具有下翘曲形状。结果，在评估1和评估2中进行了不满意的评估。
在评估2中具有良好结果的样本No.1至16之中，关于在评估1中获得良好结果的样本No.1至10中的每个，框架体40的热膨胀系数αF与基座体20的热膨胀系数αB之间的差值（绝对值）在条件2下为10.2或更小。相反，关于样本No.13至16中的每个，热膨胀系数αF与基座体20的热膨胀系数αB之间的差值大于10.2。因此，理解，评估1的结果比样本No.1至10的评估1的结果差。因此，可以说，热膨胀系数αF与基座体20的热膨胀系数αB之间的差值可取地为10.2或更小。此外，不满足条件1的样本No.11和12满足关系(iii)αB<αF<αL<αC。可以理解，样本No.11和12的评估1中的结果比满足关系(i)或(ii)的样本No.1至10的评估1中的结果稍差。当更具体地对样本No.11和12检查翘曲状态时，在样本No.11和12中的每个中，从阶段1到阶段2，翘曲增大，而在样本No.1至10中的每个中，从阶段1到阶段2，翘曲减小。因此，可取的是满足条件1。
不满足条件2的样本No.17至28在阶段1中均具有上翘曲形状。在这些样本之中，在不满足条件1的样本No.17至25中的任何一个中在评估1中获得良好结果。相反，在满足条件1的样本No.26至28中的每个中，评估1的结果稍微劣化。这可能是因为，由于从基座体20到盖体30，热膨胀系数减小，所以上翘曲形状的翘曲程度大于样本No.17至25中的任何一个中的翘曲。此外，不满足条件3的样本No.17至22在阶段2中是平整的，并且评估2的结果趋向于好于满足条件3的样本No.23至25的评估2的结果。样本No.17至28的电子模块600中的任何一个在阶段3中以上翘曲形状翘曲，这是因为阶段3中的上翘曲形状的翘曲可能因为在阶段2中是平整的而减小。
尽管已参照示例性实施例描述了本发明，但是要理解本发明不限于所公开的示例性实施例。所附权利要求的范围应被赋予最宽泛的解释，以便包含所有这样的修改以及等同的结构和功能。

Claims (20)

1.一种电子组件的制造方法，所述电子组件包括电子器件和封装件，所述封装件具有内部端子和外部端子，所述内部端子与所述电子器件电连接，所述外部端子从所述内部端子电延续，并且通过回流焊接被固定到配线构件，所述方法包括：
第一步，制备安装构件，所述安装构件是通过在具有中心区域和外围区域的基座体的外围区域处粘合基座体和框架体而形成的，所述基座体的所述外围区域包封所述基座体的所述中心区域，所述框架体具有与所述基座体的所述中心区域对应的开口，所述安装构件具有内部端子和从所述内部端子电延续的外部端子；
第二步，将电子器件固定到所述基座体的中心区域，并将所述内部端子与所述电子器件电连接；和
第三步，布置具有中心区域和外围区域的盖体，以使得所述盖体的中心区域面对所述电子器件，并粘合所述盖体的外围区域和所述框架体，所述盖体的所述外围区域包封所述盖体的所述中心区域，
其中，满足条件αB＜αF＜αC和条件αL＜αC，
其中，αL是所述盖体的热膨胀系数，αF是所述框架体的热膨胀系数，αB是所述基座体的热膨胀系数，以及αC是所述配线构件的热膨胀系数。
2.根据权利要求1所述的电子组件的制造方法，其中，满足条件αL＜αF。
3.根据权利要求1所述的电子组件的制造方法，其中，满足条件αL＜αB。
4.一种电子组件的制造方法，所述电子组件包括电子器件、封装件和盖体，所述封装件具有内部端子和外部端子，所述内部端子与所述电子器件电连接，所述外部端子从所述内部端子电延续，并且通过回流焊接被固定到配线构件，所述盖体具有面对所述电子器件的中心区域和包封所述盖体的所述中心区域的外围区域，在所述电子器件与所述中心区域之间具有间隔，所述方法包括：
第一步，制备安装构件，所述安装构件是通过在具有中心区域和外围区域的基座体的外围区域处粘合基座体和框架体而形成的，所述基座体的所述外围区域包封所述基座体的所述中心区域，所述框架体具有与所述基座体的所述中心区域对应的开口，所述安装构件具有内部端子和从所述内部端子电延续的外部端子；
第二步，在所述第一步之后，将电子器件固定到所述基座体的所述中心区域，并将所述内部端子与所述电子器件电连接；和
第三步，在所述第二步之后，布置具有中心区域和外围区域的盖体，以使得所述盖体的所述中心区域面对所述电子器件，并粘合所述盖体的外围区域和所述框架体，所述盖体的所述外围区域包封所述盖体的所述中心区域，
其中，满足条件(a)和(b)之一，所述条件(a)和(b)包括：
(a)αB＜αF＜αC，并且αL＜αF＜αC，和
(b)αF＜αB＜αC，并且αF＜αL＜αC，
其中，αL是所述盖体的热膨胀系数，αF是所述框架体的热膨胀系数，αB是所述基座体的热膨胀系数，αC是所述配线构件的热膨胀系数。
5.根据权利要求1所述的电子组件的制造方法，其中，αB与αL之间的差值为10.2ppm/K或更小。
6.根据权利要求1所述的电子组件的制造方法，其中，αC为25ppm/K或更小。
7.根据权利要求1所述的电子组件的制造方法，
其中，满足条件αD＜αB、条件αD＜αL和条件αD＜αF，
其中，αD是所述电子器件的热膨胀系数。
8.根据权利要求1所述的电子组件的制造方法，
其中，所述框架体是金属，并且
其中，所述基座体是陶瓷。
9.根据权利要求1所述的电子组件的制造方法，
其中，所述第一步包括：
在粘结剂置于所述基座体的外围区域与所述框架体之间的状态下对所述基座体和所述框架体进行加热的阶段，和
在所述粘结剂固化之后冷却所述基座体和所述框架体的阶段。
10.根据权利要求9所述的电子组件的制造方法，其中，所述框架体在所述状态下具有翘曲，并且所述框架体的翘曲在冷却阶段中减小。
11.根据权利要求1所述的电子组件的制造方法，其中，通过使用光固化树脂来粘合所述盖体的外围区域和所述框架体，然后通过热固化来使所述光固化树脂硬化。
12.根据权利要求1所述的电子组件的制造方法，其中，通过使用热固性树脂来将所述电子器件粘合到所述基座体的中心区域。
13.根据权利要求1所述的电子组件的制造方法，其中，所述电子器件是图像拾取器件。
14.一种电子模块的制造方法，所述方法包括通过回流焊接将通过根据权利要求1至13中的任何一项所述的电子组件的制造方法制造的电子组件固定到配线构件。
15.根据权利要求14所述的电子模块的制造方法，其中，所述配线构件是刚性的基板。
16.一种安装构件，包括：
内部端子，所述内部端子用于与电子器件电连接；
外部端子，所述外部端子从所述内部端子电延续，并且用于被固定到配线构件；
基座体，所述基座体具有中心区域和包封所述基座体的所述中心区域的外围区域，所述电子器件预期要被布置在所述中心区域；和
框架体，所述框架体具有与所述基座体的中心区域对应的开口，并且被粘合到所述基座体的外围区域，
其中，所述框架体具有比所述基座体的所述外围区域和所述基座体的所述中心区域的热膨胀系数高的热膨胀系数。
17.一种电子组件，包括：
电子器件；
基座体，所述基座体具有中心区域和包封所述基座体的所述中心区域的外围区域，所述电子器件布置在所述中心区域；
框架体，所述框架体具有与所述基座体的中心区域对应的开口，并且被粘合到所述基座体的所述外围区域，和
盖体，所述盖体具有面对所述电子器件的中心区域和包封所述盖体的所述中心区域并且被粘合到所述框架体的外围区域；
与所述电子器件电连接的内部端子；和
从所述内部端子电延续并且用于被固定到配线构件的外部端子，
其中，所述框架体具有比所述基座体的热膨胀系数高的热膨胀系数，所述框架体是金属的，并且所述基座体是陶瓷的，
其中，所述电子器件具有比所述基座体的热膨胀系数、所述框架体的热膨胀系数和所述盖体的热膨胀系数低的热膨胀系数。
18.一种电子组件，包括：
电子器件；
基座体，所述基座体具有中心区域和包封所述基座体的所述中心区域的外围区域，所述电子器件布置在所述中心区域；
框架体，所述框架体具有与所述基座体的中心区域对应的开口，并且被粘合到所述基座体的外围区域；
盖体，所述盖体具有面对所述电子器件的中心区域和包封所述盖体的所述中心区域并且被粘合到所述框架体的外围区域；
与所述电子器件电连接的内部端子；和
从所述内部端子电延续并且用于被固定到配线构件的外部端子，
其中，所述框架体具有比所述基座体的所述外围区域和所述基座体的所述中心区域的热膨胀系数高的热膨胀系数，
其中，所述电子器件具有比所述基座体的所述外围区域和所述基座体的所述中心区域的热膨胀系数低的热膨胀系数，
其中，所述盖体的热膨胀系数低于所述基座体的热膨胀系数和所述框架体的热膨胀系数中的至少一个。
19.一种电子模块，包括：
电子器件；
配线构件；
基座体，所述基座体具有中心区域和包封所述基座体的所述中心区域的外围区域，所述电子器件布置在所述中心区域；
框架体，所述框架体具有与所述基座体的中心区域对应的开口，并且被粘合到所述基座体的外围区域；
盖体，所述盖体具有面对所述电子器件的中心区域和包封所述盖体的所述中心区域并且被粘合到所述框架体的外围区域；
与所述电子器件电连接的内部端子；和
从所述内部端子电延续并且用于被固定到配线构件的外部端子，
其中，所述框架体具有比所述基座体的热膨胀系数高的热膨胀系数，
其中，所述电子器件具有比所述基座体的热膨胀系数、所述框架体的热膨胀系数和所述盖体的热膨胀系数低的热膨胀系数，并且
其中，所述基座体的热膨胀系数、所述框架体的热膨胀系数和所述盖体的热膨胀系数低于所述配线构件的热膨胀系数。
20.一种电子装置，包括：
根据权利要求19所述的电子模块；和
壳体，所述壳体容纳所述电子模块。
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