JP2024046422A - 電子部品およびその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 102
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 102
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 76
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 12
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000963 austenitic stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004637 bakelite Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011195 cermet Substances 0.000 description 1
- 238000006757 chemical reactions by type Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005226 mechanical processes and functions Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Polarising Elements (AREA)
Abstract
【課題】分離幅の縮小による水晶板の変形あるいは破損を抑えるために有利な技術を提供する。【解決手段】電子デバイスは、電子デバイスと前記電子デバイスを収容する容器とを備える。前記容器は、前記電子デバイスを支持する支持体と、前記電子デバイスに対向する主面を有する水晶板とを含む。前記主面と前記水晶板の光軸とがなす角度θは、|3|°<θ<|42|°または|48|°<θ<|87|°である。【選択図】図4
Description
本発明は、電子部品およびその製造方法に関する。
近年、撮像デバイスなどの電子デバイスとそれを収容する容器とを備える電子部品においては、使用環境の多様化等に伴い、電子部品にかかる応力が大きくなっている。したがって、電子デバイスとそれを収容する容器とを備える電子部品において、その容器が想定応力に対して十分に耐えることが求められる。容器は、電子デバイスを支持する支持体と、電子デバイスに対向する水晶板とを含みうる。水晶板は、その複屈折特性によってローパスフィルタとして機能しうる。ローパスフィルタとしての水晶板は、要求される分離幅を提供するように構成されうる。ここで、水晶板の入射面に垂直に入射した光は、常光と異常光とに分かれて進んで出射面に至り、出射面から常光と異常光とが出射する。分離幅は、出射面における常光と異常光との距離である。撮像デバイスの画素サイズの縮小などに応じて、要求される分離幅が小さくなる。分離幅は、水晶板の厚さに比例するので、水晶板の厚さを薄くすることによって分離幅を小さくすることができる。しかし、分離幅を小さくするために水晶板の厚さを薄くし過ぎると、水晶板に応力が加わったときに水晶板が変形あるいは破損する原因となりうる。
特許文献1には、光学的ローパスフィルタが記載されているが、光学的ローパスフィルタに加わりうる応力による問題は考慮されていない。
本発明は、分離幅の縮小による水晶板の変形あるいは破損を抑えるために有利な技術を提供することを目的とする。
本発明の1つの側面は、電子デバイスと前記電子デバイスを収容する容器とを備える電子部品であって、前記容器は、前記電子デバイスを支持する支持体と、前記電子デバイスに対向する主面を有する水晶板とを含み、前記主面と前記水晶板の光軸とがなす角度θは、|3|°<θ<|42|°または|48|°<θ<|87|°である。
本発明によれば、分離幅の縮小による水晶板の変形あるいは破損を抑えるために有利な技術が提供される。
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
図1(a)は、本開示の第1実施形態の電子部品100の構成を例示的かつ模式的に示す平面図である。図1(b)は、図1(a)のA-a線における電子部品100の構成を例示的かつ模式的に示す断面図である。図1(a)、(b)では、XYZ座標系に従って方向が示されている。
電子部品100は、電子デバイス10と、電子デバイス10を収容する容器20とを備えうる。容器20は、電子デバイス10を支持する支持体30と、電子デバイス10に対向する水晶板40とを含みうる。支持体30は開口容器として、水晶板40は蓋体として機能しうる。支持体30に水晶板40を結合してなる容器20は、密閉容器を構成しうるが、非密閉容器を構成してもよい。水晶板40は、電子デバイス10に対向する内側面402と、内側面の反対側の面である外側面401とを有しうる。内側面402および外側面401は、互いに平行であってよい。内側面402は、水晶板40の主面として理解されてもよい。
支持体30は、電子デバイス10を機械的に支持する他、電子デバイス10と他の電子デバイス(不図示)あるいは電子部品との電気的な接続を提供しうる。支持体30は、水晶板40とともに内部空間50を規定する凹部55を有しうる。凹部55の底面は、電子デバイス10を支持する支持面301を含みうる。支持体30は、例えば、支持面301を含む板状部31と、枠状部32とを含みうる。支持面301あるいは板状部31は、内部空間50の下面を規定しうる。枠状部32は、内部空間50の側面を規定しうる。枠状部32は、電子デバイス10の側面を取り囲むように配置されうる。他の観点において、電子デバイス10は、その側面が枠状部32によって取り囲まれるように配置されうる。
水晶板40は、光学部材として機能しうる。図1(b)に例示されるように、電子デバイス10の裏面102は、支持体30の支持面301に対して、例えば接着剤によって固定あるいは結合されうる。支持体30の枠状部32の上面302には、例えば、不図示の接着剤により、水晶板40が固定あるいは結合されうる。水晶板40は、内部空間50の一部を介して電子デバイス10の表面101に対向するように配置されうる。
図1(a)、(b)に示された例では、X方向およびY方向(XY平面)は、電子デバイス10の表面101および裏面102、水晶板40の外側面401および内側面402(主面)に平行である。Z方向は、表面101および裏面102、水晶板40の外側面401および内側面402(主面)に垂直な方向である。
典型的には、電子デバイス10および電子部品100は、XY平面に対する正射影において、長方形の形状を有しうる。また、典型的には、電子デバイス10および電子部品100は、X方向およびY方向における寸法が、Z方向における寸法より大きく、平板形状を有しうる。
電子デバイス10の種類は特に限定されないが、典型的には、光デバイスでありうる。電子デバイス10は、主領域1と、副領域2を有しうる。典型的には、主領域1は電子デバイス10の中央に位置され、副領域2は主領域1の外側に配置されうる。電子デバイス10がCCDイメージセンサーまたはCMOSイメージセンサーなどの撮像デバイスとして構成される場合、主領域1は撮像領域である。電子デバイス10が液晶ディスプレイまたはELディスプレイなどの表示デバイスとして構成される場合、主領域1は表示領域である。撮像デバイスの場合、電子デバイス10の表面101が光入射面となる。光入射面は、受光面を有する半導体基板の上に設けられた多層膜の最表層によって構成されうる。多層膜は、カラーフィルタ層、マイクロレンズ層、反射防止層、遮光層などの光学的な機能を有する層、平坦化層等の機械的な機能を有する層、パッシベーション層などの化学的な機能を有する層などを含みうる。副領域2には、主領域1の回路あるいは素子を駆動するための駆動回路、および、主領域1の回路あるいは素子からの信号(あるいは主領域1の回路あるいは素子への信号)を処理する信号処理回路が設けられうる。電子デバイス10が半導体デバイスであると、このような回路をモノリシックに形成することが容易である。電子デバイス10が2つ以上の電子デバイスを積層した電子デバイスである場合は、主領域1を担う電子デバイスの下に副領域2を担う電子デバイスが積層された構成とすることもできる。
支持体30は、例えば、金型成形、切削加工、板材の積層等により形成されうる。支持体30は、金属板などの導電体でもよいが、絶縁体であることが好ましい。支持体30は、ポリイミド基板などのフレキシブル基板であってもよいが、ガラスエポキシ基板、コンポジット基板、ガラスコンポジット基板、ベークライト基板、セラミック基板などのリジッド基板であることが好ましい。特に、支持体30は、セラミック基板またはガラスエポキシ基板であることが好ましい。支持体30がセラミック基板である場合は、セラミック積層体を用いることが好ましい。セラミック材料としては、炭化珪素、窒化アルミニウム、サファイア、アルミナ、窒化珪素、サーメット、イットリア、ムライト、フォルステライト、コージライト、ジルコニア、ステアタイト等を用いることが可能である。支持体30がガラスエポキシ基板である場合は、凹部55を形成するために、板状部31を構成する基板における周辺領域に枠状部32が結合された構造が採用されうる。枠状部32には、セラミック、金属または樹脂のような材料を用いることができる。金属材料としては、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、鉄合金などが挙げられる。ステンレスを始めとして、クロム、ニッケル、コバルトを含む鉄合金がより好適である。例えば、フェライト系ステンレスであるSUS430やオーステナイト系ステンレスであるSUS304、42アロイ、コバールなどを用いることができる。樹脂材料としては、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、ビニル系樹脂などが挙げられる。有機材料としては、溶媒の蒸発による乾燥固化型、光や熱による分子の重合などによって硬化する化学反応型、融解した材料の凝固によって固化する熱溶融(ホットメルト)型などが挙げられる。典型的には、紫外線または可視光で硬化する光硬化型樹脂、または、熱で硬化する熱硬化型樹脂を用いることができる。
電子デバイス10および支持体30は、それぞれ電極を有し、電子デバイス10の電極と支持体30の電極とは、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、または、これらの合金を用いたワイヤ11により電気的に接続されうる。これにより、電子デバイス10は、支持体30に設けられた不図示の外部端子を介して外部回路と電気的に接続されうる。外部端子は、例えば、LGA(LandGridArray)、PGA(Pin Grid Array)、BGA(Ball Grid Array)、LCC(Leadless Chip Carrier)、リードフレームまたはコネクタなどでありうる。外部端子と外部回路との接続には、例えば、はんだペーストを用いたリフローはんだ付けが採用されうる。このようにして、電子部品100は2次実装されて電子モジュールを構成しうる。電子モジュールを筐体に組み込むことで、電子機器を構成する。
電子デバイス10が撮像デバイスである場合、電子デバイス10に対向して配置される水晶板40は、光入射側の面である外側面401と、光出射側の面である内側面402を有する。図1(b)に示された符号Czは、水晶板40を構成する水晶結晶の光軸の方向を示している。なお、光軸は、複屈折結晶における光軸を意味し、(結晶の)光学軸とも呼ばれる。内側面402(主面)および外側面401と水晶結晶の光軸Czとがなす角度θについては後述する。水晶板40の外側面401および内側面402には、反射防止コーティングおよび/または赤外カットコーティングが積層されてもよい。
図2(a)、(b)は、それぞれ水晶インゴット400を模式的に示す斜視図、断面図である。水晶板40は、水晶インゴット400から切り出されることによって製造されうる。Cz軸は、水晶インゴット400を構成する水晶結晶における光軸であり、水晶インゴット400の結晶成長方向でもある。水晶結晶は、更に、Cz軸に直交するCx軸およびCy軸を有し、Cx軸は電気軸、Cy軸は機械軸と呼ばれる。図2(b)に示された角度θは、光軸(Cz軸)と外側面401および内側面402(主面)とがなす角度である。
図3は、水晶板40の分離特性を説明するための図である。図3に示されたθは、図2(b)に示されたθと同様に、光軸(Cz軸)と内側面(主面)402および外側面401とがなす角度である。また、角度αは、外側面401に垂直に入射する光と光軸(Cz軸)とがなす角度である。αは、α=90°-θと表すこともできる。内側面402に垂直な方向における内側面402と外側面401との距離(より単純には、内側面402と外側面401との距離)は、水晶板40の厚さtである。
外側面401(入射面)に垂直に入射した光は、常光と異常光とに分離し、それぞれ内側面402(出射面)に向かって進む。水晶結晶に固有の常光屈折率をNo、異常光屈折率をNeとすると、分離幅dは、d=t×{(No2-Ne2)×tanα}/{(No2×tan2α)+Ne2}で表される。分離幅dは、内側面402(主面)における常光と異常光との距離である。この式からθ=α=45°の時、tanα=1となり、最大の分離幅dを得ることができる。即ち、θ=45°の時、分離幅dは水晶板40の厚さtのみで決まる。電子部品100の仕様において要求される分離幅dは、色モアレおよび偽色を低減するために要求される分離幅でありうる。ところが、要求される分離幅dが狭くなると、水晶板40の厚さtが薄くなるため、支持体30に水晶板40を固定して電子部品100を構成した後に、外部環境からの応力により、水晶板40が変形したり損傷(例えば、割れ、剥がれ)したりしうる。そこで、本実施形態では、要求される分離幅dを確保しつつ水晶板40の厚さtを所定の厚さ以上とすることによって、水晶板40の変形および損傷などの抑制と色モアレおよび偽色の発生の抑制とを両立する。
図4(a)、(b)には、水晶板の分離特性と水晶板の厚さとの関係が模式的に示されている。図4(a)には、要求される分離幅dがd=d1である時に、光軸(Cz軸)と面401、402とがなす角度θ=θ1=45°で水晶インゴットから切り出された水晶板40が模式的に示されている。図4(a)において、水晶板40の厚さtは、t=t1である。図4(b)は、要求される分離幅dがd=d1である時に、角度θ=θ2≠45°で水晶インゴットから切り出された水晶板40が模式的に示されている。図4(b)において、水晶板40の厚さtは、t=t2である。図4(a)、(b)において、tminは、tの最小許容値である。より具体的には、tminは、電子部品100に対する外部環境からの応力による水晶板40の変形および損傷抑制するために水晶板40に要求される最小厚さである。t1<tminである場合、t2≧tminとなるθ2で水晶インゴットから水晶板40を切り出すことによって、色モアレおよび偽色の発生の抑制しながら、水晶板40の変形および損傷を抑制することができる。
本実施形態において、t2≧tminを満たすθ2(≠45°)は、|3|°<θ2<|42|°または|48|°<θ2<|87|°でありうる。ここで、θ2≦|10|°またた|80|°≦θ2では、要求される分離幅dを満たす為のt2が過剰に厚くなり、電子部品100が大型化しうる。そこで、|10|°<θ2<|42|°または|48|°<θ2<|80|°を満たすことが好ましい。
水晶板40の厚さの最小許容値tminは、例えば、水晶板40のX方向、Y方向の外形サイズ、支持体30の材質、支持体30と水晶板40との接着条件などに応じて規定されうる。一例において、最小許容値tminは、0.2mm以上かつ0.5mm以下であり、これに応じて水晶板40の厚さt2は、0.2mm以上かつ0.5mm以下とされることが好ましい。水晶板40の厚さt2が0.2mm未満では、分離幅dが極小となるために、水晶板40がローパスフィルタ機能を有する必要性が低くなる可能性がある。逆に、t2が0.5mmより厚いと、電子部品100が過剰に大きく成りうる。
図5(a)~(d)には、水晶インゴット400からの水晶板40の切り出し方の一例が示されている。図5(a)は、図2(a)と同様に、水晶インゴット400の概略図である。図5(b)は、水晶インゴット400から切り出された水晶板40の一例を示す断面図である。図5(c)は、水晶インゴット400から切り出された水晶板40の一例を示す平面図である。図5(d)は、図5(b)、(c)に例示された水晶板40が組み込まれた電子部品100の一例を示す平面図である。水晶板40、およびその外側面401および内側面402は、長方形の形状を有しうる。該長方形の長辺は、水晶インゴット400あるいは水晶板40を構成する水晶結晶の光軸(Cz軸)と垂直でありうる。換言すると、該長方形の長辺は、Cx軸に平行でありうる。支持体30が、水晶結晶の光軸(Cz軸)に垂直な方向における水晶結晶の線膨張係数に近い線膨張係数を有する場合には、水晶板40は、このような切り出し方によって製造されることが好ましい。支持体30と水晶板40の長辺方向との間で線膨張係数をマッチングさせることにより、支持体30と水晶板40との接合信頼性を向上させることができる。
以上のような水晶板40を電子部品100の部品として採用することにより、水晶板40の変形、損傷(例えば、割れ、剥がれ)などの抑制と、色モアレおよび偽色の発生の抑制とを両立することができる。水晶板40の厚さtおよび角度θは、要求される分離幅dに応じて決定されうる。水晶板40の厚さtおよび角度θは、要求される分離幅dの他、水晶インゴット400からの水晶板40の取れ数などに応じて決定されてもよい。ここで、水晶板40の厚さtが薄いほど、角度θの絶対値を大きい方が好ましい。これは、角度θの絶対値が大きいほど、水晶板40の厚さ方向のヤング率が高くなり、内部空間50の内圧の変化による水晶板40の変形(歪み)を抑制するために有利であるからである。
以下、本開示の第2実施形態を説明する。第2実施形態として言及しない事項は、第1実施形態に従いうる。図6(a)~(d)には、第2実施形態における水晶インゴット400からの水晶板40の切り出し方の一例が示されている。図6(a)は、図2(a)および図5(a)と同様に、水晶インゴット400の概略図である。図6(b)は、水晶インゴット400から切り出された水晶板40の一例を示す断面図である。図6(c)は、水晶インゴット400から切り出された水晶板40の一例を示す平面図である。図6(d)は、図6(b)、(c)に例示された水晶板40が組み込まれた電子部品100の一例を示す平面図である。水晶板40、およびその外側面401および内側面402は、長方形の形状を有しうる。該長方形の短辺は、水晶インゴット400あるいは水晶板40を構成する水晶結晶の光軸(Cz軸)と垂直でありうる。換言すると、該長方形の短辺は、Cx軸に平行でありうる。支持体30が、水晶板40の4辺のうち角度θに依存する長さを有する辺(つまり、長辺)に沿った方向における線膨張係数に近い線膨張係数を有する場合には、水晶板40は、このような切り出し方によって製造されることが好ましい。支持体30と水晶板40の長辺方向との間で線膨張係数をマッチングさせることにより、支持体30と水晶板40との接合信頼性を向上させることができる。
以上のような水晶板40を電子部品100の部品として採用することにより、水晶板40の変形、損傷(例えば、割れ、剥がれ)などの抑制と、色モアレおよび偽色の発生の抑制とを両立することができる。水晶板40の厚さtおよび角度θは、要求される分離幅dに応じて決定されうる。水晶板40の厚さtおよび角度θは、要求される分離幅dの他、水晶インゴット400からの水晶板40の取れ数などに応じて決定されてもよい。
以下、本開示の第3実施形態を説明する。第3実施形態として言及しない事項は、第1又は第2実施形態に従いうる。第3実施形態では、角度θと支持体30の線膨張係数との組み合わせの好適な例を提供しうる。
図7は、水晶インゴット400から切り出された水晶板40の一例を示す断面図である。第3実施形態では、光軸(Cz軸)と外側面401および内側面402(主面)とがなす角度θは、θ<|42°|を満たす。また、第3実施形態では、支持体30(の枠状部32)の線膨張係数は、6ppm以上かつ10ppm未満である。第3実施形態によれば、水晶板40の4辺のうち角度θに依存する長さを有する辺に沿った方向に関して、水晶板40の線膨張係数と支持体30(の枠状部32)の線膨張係数とのマッチングが向上する。
例えば、要求される分離幅dを実現するためにθ=30°を選択できる場合、θ=60°を選択しても同等の分離幅dを実現することができる。したがって、要求される分離幅dを実現するための選択肢は、θ=30°およびθ=60°の2つであるが、支持体30と水晶板40との接合の信頼性の観点からはθ=30°を選択することが好ましい。
以下、本開示の第4実施形態を説明する。第4実施形態として言及しない事項は、第1又は第2実施形態に従いうる。第4実施形態では、角度θと支持体30の線膨張係数との組み合わせの好適な例を提供しうる。
図8は、水晶インゴット400から切り出された水晶板40の一例を示す断面である。第4実施系愛では、光軸(Cz軸)と外側面401および内側面402(主面)とがなす角度θは、θ>|48°|を満たす。また、第4実施形態では、支持体30(の枠状部32)の線膨張係数は、10ppm以上かつ14ppm未満である。第4実施形態によれば、水晶板40の4辺のうち角度θに依存する長さを有する辺に沿った方向に関して、水晶板40の線膨張係数と支持体30(の枠状部32)の線膨張係数とのマッチングが向上する。
例えば、要求される分離幅dを実現するためにθ=60°を選択できる場合、θ=30°を選択しても同等の分離幅dを実現することができる。したがって、要求される分離幅dを実現するための選択肢は、θ=30°およびθ=60°の2つであるが、支持体30と水晶板40との接合の信頼性の観点からはθ=60°を選択することが好ましい。
図9には、第1乃至第4実施形態によって代表される電子部品100が組み込まれた装置200の構成が例示的に示されている。電子部品100を構成する電子デバイス10が撮像デバイスである場合、電子部品100はイメージセンサーとして構成され、装置200は撮像装置として構成されうる。撮像装置の概念には、撮像機能を含む情報処理装置(例えば、コンピュータ、スマートフォン等)も含まれる。電子部品100を構成する電子デバイス10が表示デバイスである場合、電子部品100は表示パネルとして構成され、装置200は表示装置として構成されうる。
装置200は、電子部品100と、電子部品100を制御するコントローラ210とを備えうる。装置200は、更にプロセッサ220を備えてもよい。プロセッサ220は、例えば、電子部品100から出力される信号を処理するように構成されうる。あるいは、プロセッサ220は、信号を生成し電子部品100に供給するように構成されうる。
図10には、電子部品100の製造方法が例示的に示されている。電子部品100の製造方法は、例えば、工程S151~S155を含みうる。工程S151(計算工程)では、d=d1およびθ=45°を満たすtの値がt1として計算されうる。工程S152、S153(決定工程)では、t1<tminである場合に、t≧tminを満たすt、θの値がそれぞれt2、θ2として決定されうる。ここで、工程S152、153では、0.2mm≦tmin≦0.5mmを満たすようにtminが設定されることが好ましい。また、工程S152では、t<tminが満たされるかどうかが判断され、これが満たされる場合に工程S153が実行され、工程S153において、t≧tminを満たすt、θの値がそれぞれt2、θ2として決定されうる。工程S152でt<tminが満たさないと判断された場合、工程S153をt=t1、θ=45°として工程S154に進む。
工程S153が実行された場合、工程S154(製作工程)では、t2、θ2に従って水晶インゴット400から水晶板40が製作されうる。一方、工程S153が実行されなかった場合、工程S154では、t=t1、θ=45°に従って水晶インゴット400から水晶板40が製作されうる。工程S155(組立工程)では、支持体30によって電子デバイス10を支持し、支持体30および水晶板40で電子デバイス10を収容するように電子部品100が組み立てられうる。
本開示は、以下の電子部品およびその製造方法の開示を含む。
(項目1)
電子デバイスと前記電子デバイスを収容する容器とを備える電子部品であって、前記容器は、前記電子デバイスを支持する支持体と、前記電子デバイスに対向する主面を有する水晶板とを含み、前記主面と前記水晶板の光軸とがなす角度θは、|3|°<θ<|42|°または|48|°<θ<|87|°である、ことを特徴とする電子部品。
(項目2)
前記主面と垂直な向における前記水晶板の厚さは、0.2mm以上かつ0.5mm以下である、ことを特徴とする項目1に記載の電子部品。
(項目3)
前記主面は、長方形の形状を有し、前記長方形の長辺は、前記光軸と垂直である、ことを特徴とする項目1又は2に記載の電子部品。
(項目4)
前記主面は、長方形の形状を有し、前記長方形の短辺は、前記光軸と垂直である、ことを特徴とする項目1又は2に記載の電子部品。
(項目5)
前記支持体の線膨張係数は、6ppm以上かつ10ppm未満である、ことを特徴とする項目1乃至4のいずれか1項に記載の電子部品。
(項目6)
|3|°<θ<|42|°を満たす、ことを特徴とする項目5に記載の電子部品。
(項目7)
前記支持体の線膨張係数は、10ppm以上かつ14ppm未満である、ことを特徴とする項目1乃至4のいずれか1項に記載の電子部品。
(項目8)
|48|°<θ<|87|°を満たす、ことを特徴とする項目7に記載の電子部品。
(項目9)
前記電子デバイスは、撮像デバイスである、ことを特徴とする項目1乃至8のいずれか1項に記載の電子部品。
(項目10)
前記電子デバイスは、表示デバイスである、ことを特徴とする項目1乃至8のいずれか1項に記載の電子部品。
(項目11)
項目1乃至10のいずれか1項に記載の電子部品と、
前記電子部品を制御するコントローラと、
を備えることを特徴とする装置。
(項目12)
電子デバイスと前記電子デバイスを収容する容器とを備える電子部品の製造方法であって、
前記容器は、前記電子デバイスを支持する支持体と、前記電子デバイスに対向する主面を有する水晶板とを含み、
前記製造方法は、
前記主面と垂直な方向における前記水晶板の厚さをt、前記水晶板の分離幅をd、要求される分離幅をd1、前記主面と前記水晶板の光軸とがなす角度をθとしたときに、d=d1およびθ=45°を満たすtの値をt1として計算する計算工程と、
tの最小許容値をtminとしたときに、t1<tminである場合に、t≧tminを満たすt、θの値をそれぞれt2、θ2として決定する決定工程と、
t2、θ2に従って水晶インゴットから前記水晶板を製作する製作工程と、
前記支持体によって前記電子デバイスを支持し、前記支持体および前記水晶板で前記電子デバイスを収容するように前記電子部品を組み立てる組立工程と、
を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
(項目13)
前記決定工程では、0.2mm≦tmin≦0.5mmを満たすようにtminを設定する、
ことを特徴とする項目12に記載の電子部品の製造方法。
(項目1)
電子デバイスと前記電子デバイスを収容する容器とを備える電子部品であって、前記容器は、前記電子デバイスを支持する支持体と、前記電子デバイスに対向する主面を有する水晶板とを含み、前記主面と前記水晶板の光軸とがなす角度θは、|3|°<θ<|42|°または|48|°<θ<|87|°である、ことを特徴とする電子部品。
(項目2)
前記主面と垂直な向における前記水晶板の厚さは、0.2mm以上かつ0.5mm以下である、ことを特徴とする項目1に記載の電子部品。
(項目3)
前記主面は、長方形の形状を有し、前記長方形の長辺は、前記光軸と垂直である、ことを特徴とする項目1又は2に記載の電子部品。
(項目4)
前記主面は、長方形の形状を有し、前記長方形の短辺は、前記光軸と垂直である、ことを特徴とする項目1又は2に記載の電子部品。
(項目5)
前記支持体の線膨張係数は、6ppm以上かつ10ppm未満である、ことを特徴とする項目1乃至4のいずれか1項に記載の電子部品。
(項目6)
|3|°<θ<|42|°を満たす、ことを特徴とする項目5に記載の電子部品。
(項目7)
前記支持体の線膨張係数は、10ppm以上かつ14ppm未満である、ことを特徴とする項目1乃至4のいずれか1項に記載の電子部品。
(項目8)
|48|°<θ<|87|°を満たす、ことを特徴とする項目7に記載の電子部品。
(項目9)
前記電子デバイスは、撮像デバイスである、ことを特徴とする項目1乃至8のいずれか1項に記載の電子部品。
(項目10)
前記電子デバイスは、表示デバイスである、ことを特徴とする項目1乃至8のいずれか1項に記載の電子部品。
(項目11)
項目1乃至10のいずれか1項に記載の電子部品と、
前記電子部品を制御するコントローラと、
を備えることを特徴とする装置。
(項目12)
電子デバイスと前記電子デバイスを収容する容器とを備える電子部品の製造方法であって、
前記容器は、前記電子デバイスを支持する支持体と、前記電子デバイスに対向する主面を有する水晶板とを含み、
前記製造方法は、
前記主面と垂直な方向における前記水晶板の厚さをt、前記水晶板の分離幅をd、要求される分離幅をd1、前記主面と前記水晶板の光軸とがなす角度をθとしたときに、d=d1およびθ=45°を満たすtの値をt1として計算する計算工程と、
tの最小許容値をtminとしたときに、t1<tminである場合に、t≧tminを満たすt、θの値をそれぞれt2、θ2として決定する決定工程と、
t2、θ2に従って水晶インゴットから前記水晶板を製作する製作工程と、
前記支持体によって前記電子デバイスを支持し、前記支持体および前記水晶板で前記電子デバイスを収容するように前記電子部品を組み立てる組立工程と、
を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
(項目13)
前記決定工程では、0.2mm≦tmin≦0.5mmを満たすようにtminを設定する、
ことを特徴とする項目12に記載の電子部品の製造方法。
発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。
10:電子デバイス、20:容器、30:支持体、40:水晶板、100:電子部品、402:内側面(主面)
Claims (13)
- 電子デバイスと前記電子デバイスを収容する容器とを備える電子部品であって、前記容器は、前記電子デバイスを支持する支持体と、前記電子デバイスに対向する主面を有する水晶板とを含み、前記主面と前記水晶板の光軸とがなす角度θは、|3|°<θ<|42|°または|48|°<θ<|87|°である、ことを特徴とする電子部品。
- 前記主面と垂直な向における前記水晶板の厚さは、0.2mm以上かつ0.5mm以下である、ことを特徴とする請求項1に記載の電子部品。
- 前記主面は、長方形の形状を有し、前記長方形の長辺は、前記光軸と垂直である、ことを特徴とする請求項1に記載の電子部品。
- 前記主面は、長方形の形状を有し、前記長方形の短辺は、前記光軸と垂直である、ことを特徴とする請求項1に記載の電子部品。
- 前記支持体の線膨張係数は、6ppm以上かつ10ppm未満である、ことを特徴とする請求項1に記載の電子部品。
- |3|°<θ<|42|°を満たす、ことを特徴とする請求項5に記載の電子部品。
- 前記支持体の線膨張係数は、10ppm以上かつ14ppm未満である、ことを特徴とする請求項1に記載の電子部品。
- |48|°<θ<|87|°を満たす、ことを特徴とする請求項7に記載の電子部品。
- 前記電子デバイスは、撮像デバイスである、ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の電子部品。
- 前記電子デバイスは、表示デバイスである、ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の電子部品。
- 請求項1乃至8のいずれか1項に記載の電子部品と、
前記電子部品を制御するコントローラと、
を備えることを特徴とする装置。 - 電子デバイスと前記電子デバイスを収容する容器とを備える電子部品の製造方法であって、
前記容器は、前記電子デバイスを支持する支持体と、前記電子デバイスに対向する主面を有する水晶板とを含み、
前記製造方法は、
前記主面と垂直な方向における前記水晶板の厚さをt、前記水晶板の分離幅をd、要求される分離幅をd1、前記主面と前記水晶板の光軸とがなす角度をθとしたときに、d=d1およびθ=45°を満たすtの値をt1として計算する計算工程と、
tの最小許容値をtminとしたときに、t1<tminである場合に、t≧tminを満たすt、θの値をそれぞれt2、θ2として決定する決定工程と、
t2、θ2に従って水晶インゴットから前記水晶板を製作する製作工程と、
前記支持体によって前記電子デバイスを支持し、前記支持体および前記水晶板で前記電子デバイスを収容するように前記電子部品を組み立てる組立工程と、
を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。 - 前記決定工程では、0.2mm≦tmin≦0.5mmを満たすようにtminを設定する、
ことを特徴とする請求項12に記載の電子部品の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022151802A JP2024046422A (ja) | 2022-09-22 | 2022-09-22 | 電子部品およびその製造方法 |
US18/465,260 US20240113141A1 (en) | 2022-09-22 | 2023-09-12 | Electronic component and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2022151802A JP2024046422A (ja) | 2022-09-22 | 2022-09-22 | 電子部品およびその製造方法 |
Publications (1)
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JP2024046422A true JP2024046422A (ja) | 2024-04-03 |
Family
ID=90469891
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2022151802A Pending JP2024046422A (ja) | 2022-09-22 | 2022-09-22 | 電子部品およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
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US (1) | US20240113141A1 (ja) |
JP (1) | JP2024046422A (ja) |
-
2022
- 2022-09-22 JP JP2022151802A patent/JP2024046422A/ja active Pending
-
2023
- 2023-09-12 US US18/465,260 patent/US20240113141A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
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US20240113141A1 (en) | 2024-04-04 |
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