JP2019068032A - 撮像素子実装基板、その製造方法、および、実装基板集合体 - Google Patents
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Abstract
Description
1.撮像素子実装基板
図1A〜図4を参照して、本発明の撮像素子実装基板の第1実施形態である撮像素子実装基板1(以下、単に実装基板とも略する。)を説明する。
1000μm以下である。
D1は、ベース絶縁層4の弾性率を示し、T1は、ベース絶縁層4の厚みを示す。
D2は、金属配線9の弾性率を示し、T2は、金属配線9の厚みを示す。
D3は、カバー絶縁層6の弾性率を示し、T3は、カバー絶縁層6の厚みを示す。
実装基板1は、図3A〜図3Hに示すように、例えば、金属支持板用意工程、ベース絶縁層形成工程、金属薄膜形成工程、フォトレジスト形成工程、導体パターン形成工程、フォトレジスト・金属薄膜除去工程、カバー絶縁層形成工程、および、金属支持板除去工程を順次実施することにより、得られる。
図4を参照して、実装基板1を備える撮像装置20を説明する。
実装基板1は、工業的には複数の実装基板1の集合体として、製造及び使用する。実装基板集合体50は、図5に示すように、面方向に延びる平面視略矩形(略正方形状)の平板形状(シート形状)を有しており、複数(9個)の実装基板1およびマージン部51を備える。
図2に示す実施形態の実装基板1では、金属配線9は、グランド配線15を備えるが、例えば、図示しないが、グランド配線15を備えなくてもよい。すなわち、金属配線9は、接続配線14のみから構成することもできる。
図9を参照して、実装基板の第2実施形態について説明する。なお、第2実施形態の実装基板1において、上記した図2に示す第1実施形態と同様の部材には同様の符号を付し、その説明を省略する。
D4は、第2金属配線32の弾性率を示し、T4は、第2金属配線32の厚みを示す。
D5は、第2カバー絶縁層31の弾性率を示し、T5は、第2カバー絶縁層31の厚みを示す。
図10を参照して、実装基板の第3実施形態について説明する。なお、第3実施形態の実装基板1において、上記した図2、図9などに示す第1〜2実施形態と同様の部材には同様の符号を付し、その説明を省略する。
D6は、金属シールド層40の弾性率を示し、T6は、金属シールド層40の厚みを示す。
図12を参照して、実装基板の第4実施形態について説明する。なお、第4実施形態の実装基板1において、上記した図2、図9、図11などに示す第1〜3実施形態と同様の部材には同様の符号を付し、その説明を省略する。
D7は、第3金属配線72の弾性率を示し、T7は、第3金属配線72の厚みを示す。
D8は、第3カバー絶縁層71の弾性率を示し、T8は、第3カバー絶縁層71の厚みを示す。
実施例1
ベース絶縁層としての8mm×8mm×厚み10μmのポリイミド層と、その全面に配置される導体パターンとしての厚み8μmの銅層と、その全面に配置されるカバー絶縁層としての厚み5μmのポリイミド層とを順に備える実装基板を想定した。なお、ポリイミドの弾性率は、6.3GPa、線熱膨張係数は、17ppm/Kとした。銅の弾性率は、123GPa、線熱膨張係数は、17ppm/Kとした。
各層(ベース絶縁層、導体パターン、カバー絶縁層)の厚みを、表1のように変更した以外は、実施例1と同様にして、実装基板を想定した。
ベース絶縁層としての8mm×8mm×厚み3μmのポリイミド層と、その全面に配置される第1導体パターンとしての厚み3μmの銅層と、その全面に配置される第1カバー絶縁層としての厚み5μmのポリイミド層と、その全面に配置される第2導体パターンとしての3μmの銅層と、その全面に配置される第2カバー絶縁層としての厚み3μmのポリイミドとを備える実装基板を想定した。
ベース絶縁層としての8mm×8mm×厚み5μmのポリイミド層と、その全面に配置される第1導体パターンとしての厚み3μmの銅層と、その全面に配置される第1カバー絶縁層としての厚み3μmのポリイミド層と、その全面に配置される金属シールド層としての厚み0.1μmの銅層と、その全面に配置される第2カバー絶縁層として厚み3μmのポリイミドとを備える実装基板を想定した。
ベース絶縁層としての8mm×8mm×厚み5μmのポリイミド層と、その全面に配置される第1導体パターンとしての厚み3μmの銅層と、その全面に配置される第1カバー絶縁層としての厚み3μmのポリイミド層と、その全面に配置される第2導体パターンとしての厚み3μmの銅層と、その全面に配置される第2カバー絶縁層として厚み3μmのポリイミドと、その全面に配置される第3導体パターンとしての厚み3μmの銅層と、その全面に配置される第3カバー絶縁層としての厚み3μmのポリイミド層とを備える実装基板を想定した。
第3導体パターンの厚みを表1のように変更した以外は、実施例9と同様にして、実装基板を想定した。
各層の厚みを表1のように変更した以外は実施例1と同様にして、実装基板を想定した。
各層の厚みを表1のように変更した以外は実施例7と同様にして、実装基板を想定した。
6mm×6mm×厚み100μmのCMOSセンサ(弾性率131GPa、線熱膨張係数2.8ppm/K)を用意した。このCMOSセンサを、各実施例および各比較例の実装基板に積層した測定用サンプルに対して、温度差65℃のヒートサイクルにおける反りを計算した。
4 ベース絶縁層
5 導体パターン
6 カバー絶縁層
9 金属配線
14 接続配線
15 グランド配線
16 配線領域
19 金属支持板
21 撮像素子
31 第2カバー絶縁層
40 金属シールド層
43 傾斜部
50 実装基板集合体
60 粘着剤層
61 支持体
Claims (13)
- 撮像素子を実装するための撮像素子実装基板であって、
第1絶縁層と、
第1絶縁層の厚み方向一方側に配置される金属配線と、
前記金属配線の厚み方向一方側に配置される第2絶縁層と
を備える配線領域を有し、
前記配線領域の等価弾性率が、5GPa以上、55GPa以下であることを特徴とする、撮像素子実装基板。 - 前記金属配線の厚みが、1μm以上、8μm以下であることを特徴とする、請求項1に記載の撮像素子実装基板。
- 前記撮像素子実装基板の総厚みが、40μm以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の撮像素子実装基板。
- 前記配線領域は、
前記第2絶縁層の厚み方向一方側に配置される金属シールド層と、
前記金属シールド層の厚み方向一方側に配置される第3絶縁層と
をさらに備えることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の撮像素子実装基板。 - 前記撮像素子実装基板は、端子および前記金属配線を有する導体パターンを備え、
前記金属配線は、グランド配線を備え、
前記金属シールド層が、前記グランド配線に電気的に接続されていることを特徴とする、請求項4に記載の撮像素子実装基板。 - 前記金属シールド層が、厚み方向に対して傾斜する傾斜方向に延び、前記グランド配線と接触する傾斜部を備えることを特徴とする、請求項5に記載の撮像素子実装基板。
- 前記配線領域において、絶縁層の合計厚みに対する金属の合計厚みの割合が、0.10以上、0.70以下であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の撮像素子実装基板。
- 前記配線領域において、絶縁層の合計厚みに対する金属の合計厚みの割合が、0.20以上、0.70以下であることを特徴とする、請求項7に記載の撮像素子実装基板。
- 支持体および粘着剤層をさらに備える、請求項1〜8のいずれか一項に記載の撮像素子実装基板。
- 請求項1〜9のいずれかに記載の撮像素子実装基板を複数備えることを特徴とする、実装基板集合体。
- ロール状に巻回されていることを特徴とする、請求項10に記載の実装基板集合体。
- 請求項1〜9のいずれか一項に記載の撮像素子実装基板の製造方法であって、
金属支持板を用意する工程、
前記金属支持板の厚み方向一方側に、第1絶縁層を形成する工程、
前記第1絶縁層の厚み方向一方側に、金属配線を形成する工程、
前記金属配線の厚み方向一方側に、第2絶縁層を形成する工程、および、
前記金属支持板を除去する工程
を備えることを特徴とする、撮像素子実装基板の製造方法。 - 前記第2絶縁層を形成する工程の後、前記金属支持板を除去する工程の前に、
前記第2絶縁層の厚み方向一方側に、金属シールド層を形成する工程、および、
前記金属シールド層の厚み方向一方側に、第3絶縁層を形成する工程
をさらに備えることを特徴とする、請求項12に記載の撮像素子実装基板の製造方法。
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