CN103378013A - 电子部件和电子装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种电子部件和电子装置。具体地，一种封装包括：电子器件固定到的基本体、面对电子器件的盖体、和包围电子器件与盖体之间的空间以及电子器件中的至少一个的框架体。框架体具有在从框架体的内边缘向框架体的外边缘的X方向上、相对于基本体的外边缘位于框架体的内边缘侧处的第一部分和相对于基本体的外边缘位于框架体的外边缘侧处的第二部分。

Description

电子部件和电子装置
技术领域
本公开涉及在电子部件中的电子器件处产生的热的传导。
背景技术
包括容纳诸如图像拾取器件之类的电子器件的封装的电子部件需要具有用于发散在电子器件处产生的热的结构。
日本专利公开No.2008-245244公开了一种包括由陶瓷材料制成的主体部分和由金属材料制成的底座部分并且具有高的热发散性能的支持体。
在日本专利公开No.2008-245244中，在主体部分的外周边处接合底座部分。因此，底座部分和主体部分之间的接触面积不够。由于此，从主体部分到底座部分的热传导效率低下。
发明内容
本公开的要点是包括容纳电子器件的封装的电子部件。该封装包括电子器件固定到的基本体、面对电子器件的盖体、和包围电子器件与盖体之间的空间和电子器件中的至少一个的框架体。框架体具有在从框架体的内边缘向框架体的外边缘的方向上、相对于基本体的外边缘位于框架体的内边缘侧处的第一部分和相对于基本体的外边缘位于框架体的外边缘侧处的第二部分。第二部分在该方向上的长度比第一部分在方向上的长度大。
根据一个方面，第一部分的厚度小于第一部分在该方向上的长度，并且基本体和框架体具有比盖体的热传导率更大的热传导率。根据另一个方面，框架体可以具有比基本体的热传导率更大的热传导率。
本发明的进一步的特征通过参考附图对示范性实施例的以下详细描述将变得清楚。
附图说明
图1A和1B是电子部件的示例的示意性平面图。
图2A和2B是电子部件的示例的示意性截面图。
图3A和3B是电子部件的示例的示意性截面图。
图4是电子部件的示例的分解的透视图。
图5A和5B是电子部件的示例的示意性截面图。
图6A和6B是电子部件的示例的示意性截面图。
图7A到7D是电子部件的示例的示意性平面图。
图8A到8C是电子部件（底座构件）的制造方法的示例的示意性截面图。
图9A到9D是电子部件的制造方法的示例的示意性截面图。
图10A到10C是电子装置的制造方法的示例的示意性截面图。
具体实施方式
将电子部件100的示例描述为本公开的实施例。图1A是当从前面观看电子部件100时的示意性平面图。图1B是当从背面观看电子部件100时的示意性平面图。图2A和2B是电子部件100的示意性截面图。图2A是沿着图1A和1B中的线A-a得到的电子部件100的截面图。图2B是沿着图1A和1B中的线B-b得到的电子部件100的截面图。图3A和3B是沿着与图2A和2B的线相似的线得到的电子部件100的修改的截面图。图4是电子部件100的分解的透视图。下面参考附图给出描述，而共同的参考符号应用于相同的构件。相应的附图指示X方向、Y方向和Z方向。
电子部件100包括电子器件10和容纳电子器件10的封装50。封装50主要包括基本体20、盖体30和框架体40。虽然后面描述细节，但是封装50的部分当中的基本体20和框架体40可以用作安装构件。盖体30可以用作光学构件。框架体40具有对应于电子器件10的开口。电子器件10被固定到基本体20。盖体30通过框架体40被固定到基本体20。盖体30通过内空间60面对电子器件10。框架体40包围盖体30和电子器件10之间的内空间60。换句话说，在框架体40的开口中形成内空间60。
可以基于与电子器件10的位置有关的参考平面说明形成电子部件100的构件之间的位置关系。参考平面是位于电子器件10的前表面101和电子器件10的后表面102之间的虚拟平面并且穿过电子器件10的外边缘105。前表面101位于参考平面的一侧（前表面侧），并且后表面102位于参考平面的另一侧（后表面侧）。参考平面是沿着X-Y方向的平面，并且Z方向是垂直于参考平面的方向。如果电子器件10是半导体器件，则为了布置的方便，参考平面可以被设置在半导体层和绝缘体层之间的界面处。X方向和Y方向通常平行于电子器件10的面对盖体30的前表面101、作为与前表面101相对的相对表面并且被固定到基本体20的电子器件10的后表面102、盖体30的外表面301和盖体30的内表面302。此外，Z方向垂直于前表面101、后表面102、外表面301和内表面302。电子器件10和电子部件100通常在X方向和Y方向具有矩形形状。此外，Z方向的尺寸小于X方向和Y方向的尺寸。因此，电子器件10和电子部件100具有基本上平板形状。以下，为了描述的方便，Z方向的尺寸被称为厚度或高度。这里，描述正交投影区域。某一构件的正交投影区域是该构件可以被投影在垂直于参考平面的Z方向的区域。不同于该某一构件的另一个构件位于该某一构件的正交投影区域中的情况表示该某一构件与该另一个构件在Z方向重叠。也就是说，如果另一个构件位于某一构件的正交投影区域之内，则可以说该另一个构件位于该另一个构件与该某一构件在Z方向重叠的区域中。相反，如果另一个构件位于某一构件的正交投影区域之外，则可以说该另一个构件的至少一部分位于该另一个构件的所述至少一部分不与该某一构件重叠的区域中。正交投影区域的内部与外部之间的边界与作为主体构件的轮廓的外边缘或内边缘（内边缘可以不存在）对应。例如，面对电子器件10的盖体30位于电子器件10的正交投影区域中，即盖体30与电子器件10在Z方向重叠的区域中。
在X方向和Y方向中，电子部件100的外边缘由基本体20的外边缘205、框架体40的外边缘405和盖体30的外边缘305确定。框架体40除了具有外边缘405之外，还具有内边缘403。框架体40的开口由内边缘403确定。
电子器件10的类型没有特别限制；但是，通常是光学器件。此示例的电子器件10包括主要部分1和次要部分2。主要部分1通常位于电子器件10的中心处，并且次要部分2通常位于主要部分1的周围。如果电子器件10是诸如电荷耦合器件（CCD）图像传感器或互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器之类的图像拾取器件，则主要部分1是图像拾取区域。如果电子器件10是诸如液晶显示器或电致发光（EL）显示器之类的显示器件，则主要部分1是显示区域。在图像拾取器件的情况下，作为电子器件10的面对盖体30的面对表面的前表面101充当光入射表面。此光入射表面可以由在具有光接收表面的半导体基板上提供的多层膜的顶层形成。多层膜包括具有光学功能的多个层，诸如滤色器层、微透镜层、抗反射层和光屏蔽层；具有机械功能的层，诸如平坦化层；和具有化学功能的层，诸如钝化层。次要部分2具有驱动主要部分1的驱动电路和处理来自于主要部分1的信号（或到主要部分1的信号）的信号处理电路。如果电子器件10是半导体器件，则这样的电路容易地以单片方式形成。次要部分2具有使得电子器件10与外部设备交换信号的电极3（电极焊盘）。
基本体20的中心区域的至少一部分是布置区域210。电子器件10被布置在布置区域210上。电子器件10被固定到基本体20。如图2A和2B所示，电子器件10通常通过在基本体20的布置区域210和电子器件10的后表面之间布置的结合材料52固定。可替换地，结合材料52可以仅仅接触作为电子器件10的侧表面的外边缘105，并且可以不在基本体20的布置区域210和电子器件10的后表面102之间提供结合材料52。结合材料52可以是导电材料或绝缘材料。此外，结合材料52期望地具有高的热传导性，并且可以包含金属粒子。
封装50包括面对封装50的内部（内空间60）的内部端子5和面对封装50的外部的外部端子7。内部端子5和外部端子7与基本体20整体地提供。排列多个内部端子5并且它们形成内部端子组。在此示例中，如图1A所示，内部端子组包括沿着X方向排成行的十个内部端子5，并且在Y方向提供内部端子组的两个这样的行（两个组）。内部端子5的布置不局限于以上描述的布置，并且内部端子组可以包括沿着Y方向排成行的内部端子，并且可以在X方向提供内部端子组的两个这样的行。此外，可以提供每个包括沿着Y方向排成行的内部端子5的两个行的内部端子组和每个包括沿着X方向排成行的内部端子5的两个行的内部端子组以围绕电子器件10。此外，多个外部端子7形成外部端子组。在此示例中，如图1B所示，在基本体20的后表面206上提供包括在沿着X方向和Y方向的行和列中排列的外部端子的外部端子组，后表面206形成电子部件100的后侧。外部端子7的布置不局限于以上描述的布置。外部端子组可以沿着作为基本体20的侧表面的外边缘205被布置在X方向和/或Y方向的行中。
内部端子5和外部端子7通过作为基本体20中的内部布线嵌入的嵌入部分6电学地连续。形成电子部件100的电子器件10的电极3和封装50的内部端子5通过连接导体4电连接。在此示例中，电极3通过导线接合连接来与内部端子5连接，并且连接导体4是金属线（接合线）。可替换地，电极3可以通过倒装芯片连接来与内部端子5连接。在这种情况下，在电子器件10的后表面102上提供电极3，并且内部端子5和连接导体4位于布置区域210中。在此示例中，外部端子7的形式是栅格阵列（LGA）。可替换地，该形式可以是针栅阵列（PGA）、球栅阵列（BGA）或无引线芯片载体（LCC）。利用这样的形式，多个外部端子7可以位于盖体30在基本体20上的正交投影区域中。并且，多个外部端子7可以位于基本体20的正交投影区域中，并且位于基本体的外边缘205的内部。多个外部端子7的一部分可以位于电子器件10在基本体20上的正交投影区域中。以这种方式，多个外部端子7可以被布置在外部端子7与电子器件10、基本体20和盖体30中的至少一个在Z方向重叠的区域中。内部端子5、嵌入部分6和外部端子7可以通过使用引线框来集成。在这种情况下，内部端子5充当内引线，外部端子7充当外引线。利用使用引线框的形式，多个外部端子7位于盖体30在基本体20上的正交投影区域的外部。电子部件100的外部端子7与例如印刷线路板的布线构件的连接端子电连接，并且同时被固定到该布线构件。位于盖体30在基本体20上的正交投影区域中的外部端子7可以通过使用焊膏的回流焊接来与外部电路电连接。以这种方式，电子部件100被二次安装在布线构件上，因此形成电子模块。电子模块也可以用作电子部件。安装形式期望地是表面安装。通过将电子模块安装在壳体中，形成电子装置。
基本体20具有凹的形状。更具体地，板状部分的中心区域形成凹的形状的底部部分，并且在板状部分的周边区域上提供的框状部分形成凹的形状的侧部分。基本体20可以通过堆叠板构件和框架构件来整体地形成。可替换地，基本体20可以通过例如模具成型或切割来整体地形成。基本体20可以是诸如金属板之类的导体，只要保证内部端子5和外部端子7的绝缘。但是，基本体20通常由绝缘体形成。虽然基本体20可以是诸如聚酰亚胺（polyimide）基板之类的柔性基板，但是基本体20期望地是刚性基板，诸如玻璃环氧基板、复合基板、玻璃复合基板、酚醛树酯（Bakelite）基板或陶瓷基板。具体地，陶瓷基板是合乎需要的，并且基本体20期望地是叠加的陶瓷。陶瓷材料可以是碳化硅、氮化铝、蓝宝石、矾土、氮化硅、金属陶瓷、氧化钇、多铝红柱石、镁橄榄石、堇青石、氧化锆或滑石。
如图2A和2B所示，具有凹的形状的基本体20的周边区域包括平台（stage）部分和台阶（step）部分。平台部分是在X方向和Y方向延伸的部分。台阶部分位于在Z方向不同的高度处的两个平台部分之间并且在Z方向延伸。
将设有内部端子5的平台部分确定为基准平台部分202。在此实施例中，如图2A和2B所示，上平台部分204位于封装50相对于Y方向的内部端子组的外边缘侧处，即基本体20的外边缘205侧处。上平台部分204相对于基准平台部分202突出。也就是说，上平台部分204位于盖体30的在Z方向上相对于基准平台部分202的侧处。台阶部分203位于基准平台部分202和上平台部分204之间。台阶部分203通过内空间60的一部分面对连接导体4。
此外，在图2A和2B所示的示例中，基本体20除了包括基准平台部分202和上平台部分204之外，还包括下平台部分200。下平台部分200位于距基本体20的外边缘205比内部端子组的位置更远的位置处。也就是说，下平台部分200与内部端子组的位置相比位于基本体20的内侧。下平台部分200通过台阶部分201相对于基准平台部分202凹进。也就是说，下平台部分200在Z方向通过台阶部分201位于距盖体30比内部端子组的位置更远的位置处。台阶部分201通过内空间60的一部分面对电子器件10的外边缘105。基准平台部分202位于上平台部分204和下平台部分200之间。因此，基准平台部分202可以被称为中间平台部分。如图2B所示，在X方向在下平台部分200和上平台部分204之间不提供基准平台部分202，其中沿着X方向不提供内部端子5。台阶部分203位于上平台部分204和下平台部分200之间。可以在X方向在上平台部分204和下平台部分200之间提供中间平台部分，类似于在Y方向提供的中间平台部分。但是，这样的不设有内部端子5的中间平台部分可能导致封装50的尺寸的不必要的增大。期望地，不提供这样的中间平台部分。
接着，参考图3A和3B描述电子部件100的修改。在图3A和3B所示的修改中，基本体20具有平板形状，而不具有平台部分或台阶部分。因此，在此示例中，图3A和3B中的基准平台部分也可以被称为基准表面。电子器件10和框架体40被固定到基准平台部分202的表面，在该表面上布置内部端子5。不提供如图2A和2B所示的下平台部分200或上平台部分204。因此，框架体40不仅包围内空间60而且包围电子器件10。可替换地，通过减小电子器件10和盖体30之间的距离，或通过在盖体30处提供框架部分，框架体40可以不包围内空间60而是可以仅仅包围电子器件10。也就是说，框架体40可以包围内空间60和电子器件10中的至少一个。其它点与图2A和2B所示的电子部件100的那些点相似。此外，尽管未示出，作为包括上平台部分和下平台部分的两平台结构，框架体40可以被固定到上平台部分，电子器件10可以被布置在下平台部分处，并且内部端子5可以被布置在下平台部分处。
面对电子器件10的盖体30具有保护电子器件10的功能。如果电子器件10是使用光的图像拾取器件或显示器件，则需要盖体30对光（通常，可见光）是透明的。用于这样的盖体30的合适的材料例如是塑料、玻璃或石英晶体。盖体30的表面可以具有抗反射涂层或红外切割涂层。
从图4可以理解，电子部件100通过在Z方向堆叠制备的电子器件10、基本体20、盖体30和框架体40来形成。在图4中，长虚线指示基本体20和框架体40之间的关系，单点链线指示电子器件10和基本体20之间的关系，并且双点链线指示框架体40和盖体30之间的关系。此外，虚线指示盖体30在框架体40上的轮廓、电子器件10在基本体20上的轮廓、和框架体40在基本体20上的轮廓。
盖体30通过框架体40被固定到基本体20。更具体地，如图2A和2B所示，框架体40和基本体20通过结合材料51彼此接合。此外，如图2A和2B所示，框架体40和盖体30通过结合材料53彼此接合。在此实施例中，盖体30位于在Z方向距电子器件10和基本体20比框架体40的位置更远的位置处，并且，在盖体30的内表面302上提供结合材料53，内表面302是盖体30的面对电子器件10的面对表面。可替换地，与日本专利公开No.2003-101042的图3中的形式类似，框架体40的一部分可以位于在Z方向距电子器件10和基本体20比盖体30的位置更远的位置处，并且可以在盖体30的外表面301上提供结合材料53。结合材料51、52和53具有从1到1000μm的范围中的厚度，或通常从10到100μm的范围中的厚度。
更具体地，框架体40和基本体20利用粘合剂接合，电子器件10和基本体20利用粘合剂接合，并且盖体30和框架体40利用粘合剂接合。接合这些部分的顺序没有特别限制。但是，期望的是在接合盖体30和框架体40之前接合框架体40和基本体20。此外，期望的是在接合电子器件10和基本体20之前接合框架体40和基本体20。也就是说，首先接合框架体40和基本体20，因此形成具有将要在其上布置电子器件的布置区域的安装构件。电子器件10被固定到安装构件。然后，盖体30被接合到布置区域上的安装构件。
基本体20和框架体40期望地在它们的结合表面的整个周边处通过结合材料51接合。此外，盖体30和框架体40期望地在它们的结合表面的整个周边处通过结合材料53接合。如上所述，整个周边充当接合区域，以使得电子器件10周围的内空间60变得对外部空气气密地密封。因此，防止外来物质进入内空间60，并且提高了可靠性。为了保证密封度，可以使用足够量的粘合剂。
以上描述的结合材料51、52和53通过固化施加的粘合剂形成。粘合剂的类型可以是例如通过溶剂的蒸发的干固化类型、通过利用光或热使得分子聚合来硬化的化学反应类型或通过熔化的粘合剂的设置来固化的热熔合（热熔化）类型。典型的粘合剂可以是利用紫外线或可见光硬化的光可固化树脂或利用热硬化的热固树脂。热固树脂合适地用于结合材料51和结合材料52的粘合剂。光可固化树脂合适地用于结合材料53的粘合剂。
框架体40包括面对基本体20并且接合到结合材料51的结合表面401和面对盖体30并且接合到结合材料53的结合表面402。提供框架体40以包围电子器件10和盖体30之间的内空间60。框架体40的表面，即面对内空间60并且包围内空间60的表面，是内边缘403。在此示例中的其中框架体40的外边缘405暴露于外空间的框架体40具有在X方向从基本体20和盖体30之间延伸到外空间的延长部分404。延长部分404具有贯通孔406。贯通孔406用于螺钉孔或用于定位孔，所述螺钉孔用于固定到电子装置的壳体等。
为了提高内空间60的密封度，框架体40期望地连续地无间断地包围内空间60。此外，为了保证框架体40的刚性并且进一步保证电子部件100的刚性，框架体40期望地是无间断的闭环。此外，为了保证热传导性（后面描述），框架体40期望地是在周边方向连续的闭环。但是，如果在制造时提供局限性，则框架体40可以基于侧面被分成多个部分并且可以被布置。可替换地，框架体40可以具有用于使得内空间60与外空间连通的缝隙。如果框架体40以这种方式具有间断，则在框架体40中产生的不连续的部分（缝隙）期望地尽可能少。更具体地，不连续的部分的总长度期望地小于包围内空间60和电子器件10的周边的长度的10%。换句话说，如果框架体40以总长度是沿着内空间60和电子器件10的周边的周边长度的90%或更多存在，则可以假定框架体40包围内空间60和电子器件10。
框架体40的材料没有特别限制，并且可以适当地使用树脂、陶瓷或金属。这里提及的金属不仅包括一个种类的金属，而且包括金属的合金。由于在此实施例中使用粘合剂，因此当框架体40的材料不同于基本体20的材料时，此实施例是合适的。此外，当框架体40的材料不同于盖体30的材料时，此实施例是合适的。这样的情况的示例是当基本体20的材料是陶瓷、盖体30的材料是玻璃、并且框架体40的材料是金属或树脂时。
如果框架体40具有高的热传导性，则框架体40可以被用作热散布器，并且电子器件10的热可以通过延长部分404发散。为了热发散，框架体40的热传导率优选地是1.0W/m·K或更高，或更优选地是10W/m·K或更高。树脂的热传导率通常低于1.0W/m·K。具体地，在像此示例一样在基本体20的后表面206上提供外部端子7的形式（LGA等等）中，或在基本体20的侧表面（外边缘205）上提供外部端子的形式（LCC）中，框架体40被合适地用作热导体。这是因为，由于基本体20的后表面206有可能与具有相对低的热传导率的布线构件（玻璃环氧基板、聚酰亚胺基板等）连接，因此从基本体20的后表面206侧的热发散性能降低。
此外，为了减小在电子部件100上产生的应力，框架体40期望地具有尽可能低的热膨胀系数（线性膨胀系数）。更具体地，框架体40的热膨胀系数期望地是50ppm/K或更小。树脂的热膨胀系数通常大于50ppm/K。
在热传导和热膨胀的观点，框架体40的材料期望地是金属。典型的材料可以是铝、铝合金、铜、铜合金、铁、铁合金等等。材料期望地是诸如不锈钢之类的铁合金或包含铬、镍或钴的其它铁合金。例如，可以使用作为铁素体不锈钢的SUS430、作为奥氏体不锈钢的SUS304、42合金、柯伐（Kovar）合金等。
框架体40具有确定电子器件10和盖体30之间的空隙的功能以及支持盖体30的功能。此外，框架体40具有作为热发散构件的功能，因为框架体40具有以上描述的螺钉孔或定位孔并且具有高的热传导性。因此，基本体20和框架体40可以共同地被称为安装构件。
下面主要参考图5A和5B更详细地描述此实施例。
图5A是沿着与图2B的线相似的线获得的截面图，以及图5B是沿着与图3B的线相似的线获得的截面图。这些图显示相应的构件的尺寸。
W1指示电子器件10在X方向的外径。W2指示框架体40在X方向的部分（第一部分410）的长度，该部分位于框架体40的相对于基本体20的外边缘205的内边缘403侧处。W3指示框架体40在X方向的部分的长度，该部分位于框架体40的相对于盖体30的外边缘305的内边缘403侧处。第一部分410是框架体40的要接合到基本体20的部分。在图5A中的示例中，如图2B所示，第一部分410的表面是在框架体40的结合表面401处面对基本体20的区域（在这种情况下，为上平台部分204）。此外，W4指示框架体40在X方向的部分（第二部分420）的长度，该部分位于框架体40的相对于基本体20的外边缘205的外边缘405侧处。在图5A中的示例中，如图2B所示，第二部分420的表面是在框架体40的结合表面401处不面对基本体20的区域（在这种情况下，为上平台部分204）。T3指示盖体30的厚度，以及T4指示框架体40的厚度。在此示例中，框架体40的厚度T4基本上等于基本体20的周边区域与盖体30的周边区域之间的距离，因为结合材料51和53的厚度是基本上可忽略的。在此实施例中，框架体40的厚度T4小于第一部分410的长度W2。也就是说，在此示例中，位于基本体20上的框架体40的一部分的截面具有矩形形状，其中X方向是长边方向，Z方向是短边方向。在这种情况下，第一部分410和第二部分420具有相等的厚度，并且框架体40的厚度T4不仅指示第一部分410的厚度而且指示第二部分420的厚度。但是，只要第一部分410的厚度小于第一部分410的长度W2，第二部分420的厚度就可以大于或小于第一部分410的厚度。为了提高第二部分420的热传导性，第二部分420的厚度期望地大于第一部分410的厚度。因此，可以提高框架体40的热传导的效率同时限制电子部件100的厚度T5的增大。电子部件100的厚度T5基本上等于厚度T2、厚度T4和厚度T3的总和。在此示例中，盖体30的厚度T3可以小于长度W3。图5A和5B显示对于在电子器件10处产生的热的传导路径70。图5A和5B仅仅显示了在右半截面的传导路径70；但是，在左半截面中类似地提供传导路径70。由于W2>T4，因此基本体20和框架体40的热阻值减小，并且此外可以从第一部分410向第二部分420有效地传导热。
与如上所述作为用于热传导的构件的框架体40有关的两个参数W2和T4的期望的形式是框架体40的热传导率高并且高于基本体20的热传导率。因此，可以将框架体40的厚度减小到可以保持刚性的范围。可以进一步减小电子部件100的厚度。此外，对于框架体40的厚度T4，期望满足T4<W2。由于T4<W2，因此可以减小框架体40和基本体20之间的热阻，并且可以保证电子部件的可靠性。
在此实施例中，如参考图1A和1B描述的，在电子器件10的X方向的两侧处提供延长部分404。因此，在X方向，框架体40的第二部分420的宽度W4大于位于延长部分404和内边缘403之间的第一部分410的宽度W2。因此，第二部分420可以有效地发散热。
框架体40的第二部分420的宽度W4是与电子装置的壳体等连接的部分，并且连接方法可以是包括使用粘合剂和螺钉的各种方法。因此，第二部分420的宽度W4期望地大于第一部分410的宽度W2。由于W4>W2，因此与具有W2的区域相比，可以减小与壳体等连接的具有W4的连接区域部分的热阻。因而，可以提高热发散性能。相反，如果W4<W2，则与壳体等连接的第二部分420的连接区域部分的热阻增大，因此第一部分410的温度也增大。由于结合材料51和结合材料53施加于第一部分410，因此如果温度增大，则这些结合材料的恶化可能加速。
此外，在此实施例中，框架体40的厚度T4小于盖体30和电子器件10之间的距离D6（内表面302和前表面101之间的距离）；但是，厚度T4可以大于距离D6。在电子部件100中，用于保证内空间60的距离D6需要恒定的量。在此实施例中，由于提供框架体40以包围内空间60，因此可以限制由于框架体40导致的电子部件100的厚度T5的增大。相反，在现有技术的其中热发散板被嵌入在基本体20中的结构中，基本体20的厚度增大热发散板的量。也就是说，在此实施例中，由于距离D6还充当框架体40的厚度T4，因此可以限制电子部件100的厚度的增大。在图5A中，指示基本体20的厚度T2。厚度T2是基本体20的周边区域的厚度。厚度T2基本上等于形成凹的形状的底部分的板状部分的厚度T20和形成凹的形状的侧部分的框状部分的厚度T21的总和。基本体20的厚度T2增加形成台阶部分203的框架构件的厚度T21的量。如果基本体20的热传导率低于框架体40的热传导率，则T21可以尽可能小。期望满足T21<T1。在这种情况下，框架体40包围电子器件10。在这种情况下，电子器件10的厚度T1还充当框架体40的厚度T4的至少一部分，因此可以限制电子部件100的厚度的增大。如上所述，由于被布置以包围内空间60和电子器件10中的至少一个的框架体40被用作导热体，因此可以提高电子部件100的热发散性能同时限制电子部件100的厚度T5的增大。
盖体30接合到框架体40的第一部分410。因此，盖体30的热传导率期望地低于框架体40的热传导率。如果盖体30的热传导率低，则从基本体20传导的热有可能从第一部分410传导到第二部分420，而不是从第一部分410传导到盖体。因此，在第二部分420处的热发散的效率增大。当然，基本体20和框架体40的热传导率期望地高，并且期望地高于盖体30的热传导率。此外，框架体40的热传导率期望地高于基本体20的热传导率。对于实际使用，基本体20和框架体40的热传导率优选地是2.0W/m·K或更高，或更优选地是10W/m·K或更高。
为了减小框架体40的热阻并且为了保证热传导性，框架体40的厚度T4必须是某一值或更大，并且在实际使用中，厚度T4可以是0.1mm或更大。如果框架体40是与电子装置的壳体等连接的部件，则框架体40期望地具有足够的刚性。如果框架体40具有刚性，则框架体40可以具有定位功能和作为支持体的功能。在这样的观点下，框架体40的厚度T4可以通常在从0.2到2.0mm的范围中，但是厚度取决于框架体40的材料。如果框架体40的热传导率是10W/m·K或更高，则框架体40的厚度T4优选地在从0.4到1.6mm的范围中，或更优选地在从0.5到1.2mm的范围中。
第一部分410是在其处框架体40和基本体20通过结合材料51接合的部分，并且是确定从基本体20延伸到第二部分420的热路径中的热阻的主要部分。如果第一部分410的长度W2极其小，则从基本体20到第一部分410的热传导低。插入在基本体20和第一部分410之间的结合材料51可以是基本体20和第一部分410之间的热阻增大的因素。如果第一部分410的长度W2极其小，则基本体20和框架体40之间的粘合力小。安装构件或电子部件的可靠性和热阻可能减小。因此，第一部分410的长度W2必须是某一值或更大。如果第一部分410的长度W2极其大，则到第二部分420的距离增大并且热阻增大。此外，安装构件或电子部件的尺寸不必要地增大。在这样的观点下，框架体40的第一部分410的长度W2可以通常在从0.5到5.0mm的范围中，但是长度取决于框架体40的材料。如果框架体40的热传导率是10W/m·K或更高，则第一部分410的长度W2优选地在从1.0到4.0mm的范围中，或更优选地在从1.5到2.5mm的范围中。第二部分420的长度W4没有特别的限制；但是，长度W4期望地在从1.0到10mm的范围中。
内空间60位于在上平台部分204和下平台部分200之间提供的台阶部分201与电子器件10的外边缘105之间，如图2B所示。台阶部分201和外边缘105之间的热传导性可以增大。更具体地，可以在台阶部分201和电子器件10的外边缘105之间提供导热构件以接触台阶部分201和外边缘105。因此，电子器件10和外边缘105之间的内空间60可以被填充。在这种情况下，导热构件的热传导率优选地是1.0W/m·K或更高，或更优选地是10W/m·K或更高。此外，导热构件期望地具有比基本体20的热传导率更高的热传导率。如上所述，由于使用具有比基本体20的热传导率更高的热传导率的导热构件，因此可以增大封装50的热传导性。导热和导电构件可以是通过固化诸如银膏或铜膏之类的导电膏形成的构件。银膏具有从1×10-4到1×10-5Ωcm的范围中的导电率。如果内部端子5或连接导体4位于电子器件10的外边缘105和台阶部分201之间，则可能难以使用这样的导电膏，因为必须提供绝缘。但是，在此实施例中，由于如参考图2A所述在基准平台部分202上布置内部端子5，因此可以容易地使用这样的导电膏。
此外，如果在电子器件10的正交投影区域（在Z方向上在电子器件10上重叠的区域）之内并且作为盖体30相对于电子器件10的相对侧（基本体20侧）的区域中提供导热构件，则来自于电子器件10的热的热发散性能进一步提高。此外，如果导热构件延伸到电子器件10的正交投影区域之外，则热发散性能进一步提高。此外，如果导热构件延伸到框架体40的正交投影区域（在Z方向上在框架体40上重叠的区域）内，则热发散性能进一步提高。
例如，位于电子器件10和基本体20之间的结合材料52可以通过固化上述导电膏形成并且可以充当导热结合材料52（导热构件）。因此，电子器件10和基本体20之间的热传导性提高，并且热发散性能也提高。如果提供这样的导热结合材料52以进一步延伸到电子器件10的正交投影区域之外的区域上或延伸到基本体20的下平台部分200的布置区域210之外的区域上，则导热结合材料52和基本体20之间的接触面积增大，并且热发散可以进一步提高。此外，如果提供导热结合材料52以延伸以接触如上所述的基本体20的台阶部分201，则热发散性能可以进一步提高。
图6A和6B显示与图2A和2B中的截面对应的修改。该修改是如下形式，即充当导热构件的膜（导热膜）被嵌入在基本体20中，以使得基本体20的热传导性和热发散性能增大。在图6A和6B的示例中，在基本体20的后表面206和基本体20的下平台部分200的表面之间的两个级处提供具有比基本体20的热传导率高的热传导率的导热膜。图7A是在其上排列内部端子5的基本体20的上平台部分的平面图。图7B是在基本体20中的第一级处的平面图。图7C是在基本体20中的第二级处的平面图。图7D是在其上排列外部端子7的基本体20的后表面的平面图。
第一导热膜811和第二导热膜812以与电子器件10等距离位于第一级处。第三导热膜813和第四导热膜814以与电子器件10等距离位于第二级处，第二级位于比第一级的位置更远离电子器件10的位置处。也就是说，第一导热膜811和第二导热膜812被布置在比第三导热膜813和第四导热膜814的位置更接近于电子器件10的位置处。在这种情况下，两个导热膜被用作与电子器件10等距离的导热膜；但是，可以使用仅仅单个导热膜，或者可以使用三个或更多个导热膜。与电子器件10等距离的多个导热膜的总面积期望地至少扩大电子器件10的正交投影区域的面积（等于电子器件10的面积）的1/2。
从图6A和6B以及图7A到7D可以理解，第一到第四导热膜中的任何一个位于电子器件10的正交投影区域之内。此外，第一到第四导热膜中的任何一个延伸到电子器件10的正交投影区域之外，并且延伸到框架体40的正交投影区域之内。图7A到7D通过虚线指示电子器件10的尺寸。从图7A到7D可以理解，各个导热膜811、812、813和814仅仅存在于基本体20的正交投影区域之内（基本体20的外边缘205的内部），而不存在于基本体20的正交投影区域之外。各个导热膜的每一个具有单个连续的片状结构。片状结构可以具有孔、缝隙等，以形成通孔或布线图案，所述通孔或布线图案形成嵌入部分6。这样的孔或缝隙不显著地减小热传导性。如图7B和7C所示，各个导热膜具有：高密度部分8111、8121和8131，其中提供相对少的孔和缝隙并且导热体的密度高；和低密度部分8112、8122和8132，其中提供相对多的孔和缝隙并且导热体的密度低。导热体期望地在宽的范围中继续。由于此，将高密度部分8111、8121和8131尽可能布置在电子器件10的正交投影区域中，因此可以提高对于在电子器件10处产生的热的热发散性能。
导热膜的热传导率优选地是1.0W/m·K或更高，或更优选地是10W/m·K或更高。此外，导热膜期望地具有比基本体20的热传导率更高的热传导率。典型的导热膜是金属膜。它的材料可以使用诸如金、银、铜、铝和不锈钢之类的各种金属材料中的任何一种。如果基本体20使用叠加的陶瓷，则期望地使用诸如钨、钼、钛或钽之类的具有高熔点的金属。为了防止基本体20的厚度增大，导热膜的厚度优选地至少小于框架体40的厚度T4，或者导热膜的厚度更优选地是框架体40的厚度T4的1/10或更小。如果使用具有比基本体20的热传导率更高的热传导率的导热膜，则厚度可以是0.1mm或更小。如上所述，由于使用用于热传导的框架体40和嵌入在基本体20中的薄的导热膜，因此与现有技术的热发散板嵌入在基本体20中的结构相比，可以获得热发散性能的提高和厚度的减小二者。
描述与电子部件100有关的制造方法的示例。图8A到10C是沿着图1A和1B中的线A-a得到的示意性截面图。
图8A显示制备基本体20的步骤。如上所述，在基本体20中，集成内部端子5、嵌入部分6和外部端子7。此外，基本体20具有连接基准平台部分202和上平台部分204的台阶部分203，并且还具有连接基准平台部分202和下平台部分200的台阶部分201。在基准平台部分202上提供内部端子5。
对于这样的基本体20，利用板模具冲压通过诸如刮片方法或砑光（calender）辊方法之类的片形成方法形成的生片（green sheet）；堆叠多个这样冲压的生片；因此形成陶瓷素坯（green ceramic）的板构件。此外，利用框架模具冲压类似地形成的生片；堆叠多个冲压的生片；因此形成陶瓷素坯的框架构件。重叠并且烧制板构件和框架构件。因此，可以制造具有凹的形状的叠加的陶瓷。可以通过金属化处理将内部端子5、嵌入部分6和外部端子7与叠加的陶瓷整体地形成，所述金属化处理通过烧制在堆叠生片的步骤期间通过丝网印刷方法等形成的导电膏图案来进行。可以通过使用导电膏类似地形成参考图6A到7D描述的导热膜。
在这种情况下，显示在烧制之前作为陶瓷素坯板构件的第一层21、作为具有小的内径的陶瓷素坯框架构件的第二层22、和作为具有大的内径的陶瓷素坯框架构件的第三层23。由于第二层22的框架模具和第三层23的框架模具具有不同的内径，因此可以容易地形成基准平台部分202。如果基本体20不具有如图3A和3B所示的下平台部分200，则在图3A和3B所示的示例中，基本体20可以不由两种框架构件（两层）形成，而是可以由一种框架构件形成。因此，由于用于冲压的框架模具可以是一种，因此可以减小成本。根据要安装的电子器件的大小适当地确定基本体20的台阶部分203的内径DBI和外径DBO。
图8B显示接合基本体20和框架体40的步骤b。制备形成的框架体40。假定DFI是框架体40的内径，并且DFO是框架体40的外径。这里，基本体20和框架体40的大小之间的关系是DBI<DFI。此外，DBO<DFO。框架体40的表面期望地通过喷沙具有粗糙度。粘合剂510施加于基本体20的上平台部分204和框架体40的结合表面401中的至少一个。如图8B所示，粘合剂510期望地仅仅施加于框架体40的结合表面401。框架体40比基本体20更平坦，因此可以容易地控制粘合剂510的施加量。如上所述，粘合剂510通常是热固树脂。粘合剂510的施加可以使用打印、喷涂（dispense）等等。
图8C显示接合基本体20和框架体40的步骤c。将框架体40安装在基本体20的上平台部分204上。这里，基本体20的台阶部分203位于内部端子5相对于框架体40的内边缘403的一侧。此时台阶部分203和内边缘403之间的偏移量DOS取决于内径DFI和内径DBI之间的差。通常，成立DOS=(DFI-DBI)/2。
因此，如参考图4A描述的，在上平台部分204处形成面对框架体40的面对区域和具有与偏移量DOS对应的宽度并且不面对框架体40的非面对区域。当然，粘合剂510此时是液体。当由于框架体40的自重或压力而使得框架体40被压到基本体20时，过量的粘合剂510从框架体40和基本体20之间突出。过量的突出的粘合剂510通过上平台部分204和台阶部分203之间的边界处的表面张力保持并且保持在形成的非面对区域处，并且防止粘合剂510附着于内部端子5。如上面参考图8B所述，粘合剂510可以施加于基本体20。但是，如果粘合剂510施加于基本体20，则在布置框架体40之前，可以将粘合剂510施加于应当是非面对区域的区域；或者可以不将粘合剂510施加于应当是面对区域的区域。为了避免这样的情况，粘合剂510可以期望地被施加于框架体40而不是基本体20。
然后，通过适当的方法固化施加的粘合剂510。合适的粘合剂510是通过加热而硬化的热固树脂。因此，液体粘合剂510变为固体结合材料51，并且框架体40和基本体20通过结合材料51接合。以这种方式，可以制造包括框架体40和基本体20的安装构件24。
图9A显示将电子器件10固定到基本体20的步骤d。电子器件10具有电极3。将诸如管芯接合膏之类的粘合剂520施加于基本体20的下平台部分200和电子器件10的后表面102中的至少一个（通常，仅仅基本体20的下平台部分200）。然后，将电子器件10布置在粘合剂520上。然后，如图9B所示，固化粘合剂520，形成结合材料52，因此接合电子器件10和基本体20。图9B显示在接合电子器件10和基本体20之后的状态。
图9B显示将电子器件10与基本体20电连接的步骤e。在此示例中，使用导线接合连接。从毛细管345的远端馈送的金属线的一端与对应的电极3连接，然后金属线的另一端与对应的内部端子5连接。金属线形成连接导体4。如果采用倒装芯片连接，则凸块可以充当结合材料52和连接导体4。这里，基本体20具有如下配置，即在下平台部分200上提供电子器件10并且设有内部端子5的基准平台部分202位于下平台部分200上方。由于此，可以减小毛细管345可能与台阶部分203、上平台部分204和电子器件10干扰的面积。因而，电子部件100的尺寸可以减小。
图9C显示接合盖体30和框架体40的步骤f。图9C显示在所有内部端子5和所有电极3通过连接导体4连接之后的状态。将粘合剂530施加于框架体40的结合表面402和盖体30的结合表面（在此示例中，内表面302）中的至少一个。如图9C所示，粘合剂530期望地仅仅施加于框架体40的结合表面401。框架体40比盖体30更平坦，因此可以容易地控制粘合剂530的施加量。如上所述，粘合剂530通常是光可固化的树脂。粘合剂530的施加可以使用打印、喷涂等等。
此外，图9D显示接合盖体30和框架体40的步骤g。将盖体30安装在框架体40上。当然，粘合剂530此时是液体。当由于盖体30的自重或压力而使得盖体30被压到框架体40时，过量的粘合剂530从框架体40和盖体30之间突出。然后，通过适当的方法将施加的粘合剂530固化。因此，液体粘合剂530变为固体结合材料53，并且框架体40和盖体30通过结合材料53接合。光可固化的树脂由于以下原因被用作粘合剂530。当将粘合剂530施加于结合表面的整个周边时，如果热固粘合剂被用作粘合剂530，则内空间60在被加热时可以热膨胀，并且由于内部的压力，液体粘合剂530可以被排出。如果使用光可固化的粘合剂，则不发生这样的现象。如果通过光固化将光可固化的粘合剂半硬化，则辅助的热固化可以用于后硬化（post-hardening）。为了适当地使用光可固化的粘合剂510，盖体30期望地对于诸如紫外线之类的粘合剂510与之起反应的波长具有足够的光学透射率。以这种方式，可以制造电子部件100。
图10A显示电子模块600的制造方法。制备用于二次安装如上所述制造的电子部件100的布线构件500。布线构件是例如刚性布线板、柔性布线板或刚性-柔性的布线板，并且通常是印刷电路板。通过诸如丝网印刷之类的已知的方法将焊料膏80（焊料霜）施加于布线构件500的连接端子9。然后，将电子部件100安装在布线构件500上，并且将焊料膏80插入在连接端子9和外部端子7之间。
此外，图10B显示电子模块600的制造方法。将电子部件100和布线构件500放入炉子（回流烤箱）中，以从大约180°C到250°C的范围中的温度烧制焊料膏80，并且形成充当连接导体8的焊料。以这种方式，通过回流焊接将电子部件100固定到布线构件500。因而，可以制造包括电子部件100和布线构件500的电子模块600。应当注意，可以将除了电子部件100以外的电子部件，例如集成电路部件、分立部件等安装在布线构件500上。
图10C显示电子装置1000。电子模块600的布线构件500与外部电路700连接。外部电路是例如处理器或存储器。外部电路可以是集成电路部件。诸如显示器之类的其它电子部件800与外部电路连接。将这些部件和电路容纳在壳体900中，因而可以制造电子装置1000。在电子部件100处提供的用于热发散的延长部分404与壳体900或在壳体900中提供的散热器热连接。因此，在电子器件10处产生的热通过延长部分404发散到外部。如果外部端子7位于盖体30在基本体20上的正交投影区域中，则可能难以发散来自于电子器件10在基本体20上的正交投影区域的热。这是因为外部端子7与之连接的布线构件500通常具有低的热传导性。因此，期望通过框架体40发散热。
如上所述，可以制造安装构件24、电子部件100、电子模块600和电子装置1000。
示例
以下，将描述本发明的示例。制造图2A和2B所示的电子部件100。电子部件100具有矩形板形状，其中X方向是长边方向，并且Y方向是短边方向。
对于电子部件100，制备矩形的凹的基本体20，其中堆叠具有不同形状的三个矾土陶瓷层。矾土陶瓷的热传导率是14W/m·K。在基本体20中，板状的第一层21的厚度是0.8mm，框状的第二层22的厚度（台阶部分201的高度）是0.4mm，并且框状的第三层23的厚度（台阶部分203的高度）是0.2mm。
第一层21在X方向的外径是32.0mm。第一层21在Y方向的外径是26.4mm。第二层22在X方向的外径是32.0mm，并且其内径是26.2mm（其框架宽度是2.9mm）。第二层22在Y方向的外径是26.4mm，并且其内径是19.6mm（其框架宽度是3.4mm）。第三层23在X方向的外径是32.0mm，并且其内径是26.2mm（其框架宽度是2.9mm）。第三层23在Y方向的外径（与DBO对应）是26.4mm，并且其内径（与DBI对应）是21.4mm（其框架宽度是2.5mm）。设有内部端子5的基准平台部分202的在Y方向的宽度是0.9mm。
内部端子5和外部端子7每个使用叠加膜，在叠加膜中将镀金施加于镍基底。外部端子7是LGA类型的，并且提供125个外部端子7。
接着，制备由作为铁素体不锈钢的SUS430（18%铬不锈钢）制成的框架体40，并且通过丝网印刷将热固树脂作为粘合剂510施加在框架体40的一个表面上。SUS430的热传导率是26W/m·K。然后，将框架体40安装在基本体20的上平台部分204上，并且施加压力。调整压力以使得热固树脂的厚度在从10到50μm的范围中。然后，施加在从大约120°C到150°C的范围中的温度的热，因而将作为粘合剂510的热固树脂硬化。为了增大到热固树脂的粘合力，通过喷砂处理框架体40的表面以获得从大约0.1到0.2μm的范围中的表面粗糙度Ra，因而将粗糙度施加于前表面。框架体40的厚度是0.8mm，其在X方向的外径是42.0mm（在外径中，在左侧和右侧处提供的延长部分404的宽度每个是4.5mm），并且其内径是27.4mm。框架体40在Y方向的外径是27.4mm，并且其内径是22.6mm。此时，框架体40的内边缘403和基本体20的台阶部分203之间的偏移距离在X方向上在左侧和右侧的每一个处是0.60mm，并且在Y方向上在上侧和下侧的每一个处是0.60mm。由于内边缘403大于台阶部分203，因此内边缘403的整个周边位于台阶部分203的外侧处（外边缘205侧处）。此外，框架体40在X方向上在左侧和右侧的每一个处相对于基本体20的外边缘205突出最小0.50mm并且最大5.0mm（与延长部分404对应），并且在Y方向上在上侧和下侧的每一个处突出0.50mm。也就是说，在X方向的W4最小是0.50mm，并且在延长部分404处是5.0mm。因而，W4>W2。由于外边缘405大于外边缘205，因此外边缘405的整个周边位于外边缘205的外侧处（外边缘205侧处）。第一部分410的长度W2在X方向是2.3mm并且在Y方向是1.9mm。以这种方式，获得安装构件24。在X方向和Y方向满足T4<W2。在X方向满足T4<W2<W4。在Y方向成立T4>W4。
接着，制备具有所谓的高级照相系统类型C（APS-C）尺寸的CMOS图像传感器作为电子器件10。电子器件10在Y方向的外径是18.0mm，并且其厚度是0.75mm。其主要材料是硅的电子器件10的热传导率可以被认为是160W/m·K，并且热膨胀系数可以被认为是2.5ppm/K。通过使用作为黑色模具接合粘合剂的粘合剂520将此电子器件10基本上热固化在基本体20的中心处来固定电子器件10。然后，在芯片的周边区域处提供的电极3和内部端子5利用导线接合装置通过金属线电连接。电子器件10的外边缘105和框架体40的内边缘403之间的距离在X方向是1.5mm，并且在Y方向是2.3mm（对应于DCF）。此外，电子器件10和台阶部分203之间的距离在X方向是0.9mm，并且在Y方向是1.7mm。内部端子5和电子器件10的外边缘105之间的距离DCT是0.8mm。
接着，制备由具有0.5mm的厚度的石英玻璃制成的防α射线板构件作为盖体30。石英玻璃的热传导率通常是大约1.4W/m·K。盖体30在X方向的尺寸是31.8mm，并且其在Y方向的尺寸是26.3mm。尺寸基本上对应于基本体20的外径。通过喷涂器将紫外线可固化的树脂作为粘合剂530以框架形状施加在盖体30的一个表面上，将盖体30安装在框架体40上以使得施加有粘合剂530的表面面对框架体40的结合表面402，并且施加适当的压力。此时，由于在粘合剂530中混合作为衬垫（spacer）的球形粒子，每个衬垫具有30μm的直径，因此粘合剂530的厚度是大约30μm。此时，发现粘合剂530从盖体30和框架体40之间突出。然后，紫外线发射通过盖体30，因此执行光固化处理。此外，作为后硬化，执行热固处理以硬化粘合剂530，因而形成结合材料53。电子器件10的前表面101和盖体30的内表面302之间的距离是0.75mm。以这种方式，获得具有2.8mm的厚度的电子部件100。
然后，制备具有某一尺寸的布线构件500，通过打印到布线构件500的连接端子9上来施加焊料膏80，在回流烤箱中熔化焊料膏80，因而将电子部件100固定到布线构件500。以这种方式，获得电子模块600（图像拾取模块）。
将电子模块600容纳在壳体中并且通过利用电子部件100的延长部分404的贯通孔406旋拧来固定到壳体，以使得延长部分404接触壳体。以这种方式，制造作为电子装置1000的照相机。当操作照相机时，图像拾取器件的温度增大到大约70°C。但是，认识到，来自于电子器件10的热通过延长部分404发散到壳体，并且可以长时间获得良好的图像。
然后，通过使用包含如图6A和6B所示的导热膜的基本体20，制造电子部件100和电子装置1000。在基本体20中，烧制在生片上图案化的钨膏，因此将陶瓷金属化。因此，充当导热和导电膜的钨膜与基本体20整体地形成。通过烧制钨膏获得的钨膜的热传导率低于钨的热传导率（173W/m·K）；但是，是50W/m·K或更高并且高于作为矾土陶瓷的基本体20的热传导率。充当导热膜的钨膜的厚度是10μm。将第一导热膜811、第二导热膜812、第三导热膜813和第四导热膜814布置在板状的第一层21中的两层中。此外，通过使用钨膏类似地形成嵌入部分6。第一导热膜811和第三导热膜813在距基本体20的外边缘205为1.0mm或更小的范围中从直接在布置区域210之下的位置延伸，并且具有电子器件10的面积的至少一半的面积。因此，第一导热膜811和第三导热膜813从电子器件10的正交投影区域的内部延伸到框架体40的正交投影区域的内部。与框架体40的厚度（0.8mm）相比，每个导热膜的钨膜充分薄。如果提供两层钨膜，则基本体20的第一层21的厚度与以上描述的0.8mm的厚度相比基本上不变化。可以获得薄的电子部件100。此外，盖体30使用具有等于以上描述的由石英玻璃制成的板构件的尺寸的尺寸并且具有1.2W/m·K的热传导率的硼硅玻璃。与以上描述的照相机类似地制造照相机，并且执行视频捕获。结果，可以长时间稳定地获得良好的图像。
虽然已经参考示范性实施例描述了本发明，但是应当理解，本发明不局限于公开的示范性实施例。以下权利要求书的范围与最宽的解释一致以便涵盖所有这样的修改、等效结构和功能。

Claims (20)

1.一种电子部件，包括：
容纳电子器件的封装，
其中该封装包括
基本体，该电子器件固定到该基本体，
盖体，面对该电子器件，和
框架体，包围该电子器件与该盖体之间的空间以及该电子器件中的至少一个，
其中该框架体具有在从框架体的内边缘向框架体的外边缘的方向上、相对于基本体的外边缘位于框架体的内边缘侧处的第一部分和相对于基本体的外边缘位于框架体的外边缘侧处的第二部分，
其中该第二部分在该方向上的长度比该第一部分在该方向上的长度大，
其中该第一部分的厚度小于该第一部分在该方向上的长度，以及
其中该框架体具有比该盖体的热传导率更大的热传导率。
2.一种电子部件，包括：
容纳电子器件的封装，
其中该封装包括
基本体，该电子器件固定到该基本体，
盖体，面对该电子器件，和
框架体，包围该电子器件与该盖体之间的空间以及该电子器件中的至少一个，
其中该框架体具有在从框架体的内边缘向框架体的外边缘的方向上、相对于基本体的外边缘位于框架体的内边缘侧处的第一部分和相对于基本体的外边缘位于框架体的外边缘侧处的第二部分，
其中该第二部分在该方向上的长度比该第一部分在该方向上的长度大，以及
其中该框架体具有比该基本体的热传导率更大的热传导率。
3.如权利要求1所述的电子部件，还包括：
在相对于该电子器件与该盖体侧相对的侧处提供的导热构件，该导热构件从该电子器件的正交投影区域的内部延伸到该电子器件的正交投影区域的外部，该导热构件具有比该基本体的热传导率更大的热传导率，
其中该导热构件的厚度小于第一部分的厚度。
4.如权利要求3所述的电子部件，其中该导热构件延伸到该框架体的正交投影区域的内部。
5.如权利要求1所述的电子部件，其中该框架体具有比该基本体的热传导率大的热传导率。
6.如权利要求1所述的电子部件，其中该第一部分和该第二部分由金属制成。
7.如权利要求1所述的电子部件，其中该第二部分具有贯通孔。
8.如权利要求1所述的电子部件，其中该基本体是陶瓷堆栈。
9.如权利要求1所述的电子部件，其中该基本体的热传导率和该框架体的热传导率至少是10W/m·K。
10.如权利要求1所述的电子部件，
其中该封装包括
与该电子器件电连接的内部端子，和
从该内部端子电学地连续的外部端子，
其中该外部端子位于该盖体的正交投影区域之内。
11.如权利要求1所述的电子部件，
其中该基本体包括
上平台部分，该框架体接合到该上平台部分，和
下平台部分，其相对于该上平台部分凹进，
其中该电子器件被固定到该下平台部分。
12.如权利要求11所述的电子部件，其中该框架体的内边缘相对于布置在该上平台部分和该下平台部分之间的台阶部分位于该基本体的外边缘侧处。
13.如权利要求11所述的电子部件，还包括位于布置在该上平台部分和下平台部分之间的台阶部分与该电子器件的外边缘之间的导热构件，该导热构件接触该台阶部分和该电子器件的外边缘，该导热构件具有比该基本体的热传导率更大的热传导率。
14.如权利要求11所述的电子部件，
其中该封装包括
与该电子器件电连接的内部端子，和
从该内部端子电学地连续的外部端子，
其中该基本体还包括位于该上平台部分和该下平台部分之间的中间平台部分，以及
其中该内部端子被布置在该中间平台部分上。
15.如权利要求3所述的电子部件，其中在该基本体中提供该导热构件。
16.如权利要求3所述的电子部件，其中该导热构件具有0.1mm或更小的厚度。
17.如权利要求1所述的电子部件，
其中该第一部分具有在从0.2mm到2.0mm的范围中的厚度，以及
其中该第一部分在该方向上具有在从0.5mm到5.0mm的范围中的长度。
18.如权利要求1所述的电子部件，其中该框架体包围该空间和该电子器件。
19.如权利要求1所述的电子部件，其中该电子器件是图像拾取器件。
20.一种电子装置，包括：
根据权利要求1到19中的任何一个的电子部件，和
容纳该电子部件的壳体。
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