RU2573252C2 - Электронный компонент и электронное устройство - Google Patents
Электронный компонент и электронное устройство Download PDFInfo
- Publication number
- RU2573252C2 RU2573252C2 RU2013116880/08A RU2013116880A RU2573252C2 RU 2573252 C2 RU2573252 C2 RU 2573252C2 RU 2013116880/08 A RU2013116880/08 A RU 2013116880/08A RU 2013116880 A RU2013116880 A RU 2013116880A RU 2573252 C2 RU2573252 C2 RU 2573252C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- electronic device
- base body
- frame body
- electronic component
- heat
- Prior art date
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 61
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 61
- 239000000463 material Substances 0.000 description 55
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 description 11
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 11
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 10
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 10
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 description 1
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000963 austenitic stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004637 bakelite Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- -1 cermets Chemical compound 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000001815 facial effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000005226 mechanical processes and functions Effects 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
- H05K7/2039—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating characterised by the heat transfer by conduction from the heat generating element to a dissipating body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
- H01L23/055—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads having a passage through the base
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8512—Aligning
- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
- H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
- H01L2224/8518—Translational movements
- H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1517—Multilayer substrate
- H01L2924/15172—Fan-out arrangement of the internal vias
- H01L2924/15174—Fan-out arrangement of the internal vias in different layers of the multilayer substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
Изобретение относится к устройствам для переноса тепла, созданного в электронном устройстве. Техническим результатом является повышение эффективности отвода тепла от электронного устройства. Устройство содержит корпус, который вмещает электронное устройство, при этом корпус включает в себя тело основания, тело крышки и тело рамки, причем тело рамки имеет первый участок и второй участок. Второй участок имеет более большую длину, чем длина первого участка, а толщина первого участка меньше, чем длина первого участка в упомянутом направлении, причем тело основания и тело рамки имеют более высокую удельную теплопроводность, чем удельная теплопроводность тела крышки. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 25 ил.
Description
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее раскрытие относится к переносу тепла, созданного в электронном устройстве в электронном компоненте.
Описание предшествующего уровня техники
Электронный компонент, включающий в себя корпус, который содержит электронное устройство, такое как устройство захвата изображения, должен иметь структуру для излучения тепла, созданного в электронном устройстве.
Опубликованный Японский патент № 2008-245244 раскрывает опорное тело, которое включает в себя часть основного тела, выполненную из керамического материала, и монтажную часть, выполненную из металлического материала и которая имеет высокий параметр теплового излучения.
В опубликованном Японском патенте № 2008-245244 монтажная часть присоединена на наружной окружности части основного тела. Следовательно, зоны контакта между монтажной частью и частью основного тела недостаточно. Из-за этого перенос тепла от части основного тела к монтажной части неэффективен.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Главной задачей этого раскрытия является электронный компонент, включающий в себя корпус, который содержит электронное устройство. Корпус включает в себя тело основания, к которому прикреплено электронное устройство, тело крышки, которое обращено к электронному устройству, и тело рамки, которое охватывает по меньшей мере одно из пространства между электронным устройством и телом крышки, и электронного устройства. Тело рамки имеет первый участок, расположенный на стороне внутреннего края тела рамки по отношению к внешнему краю тела основания, и второй участок, расположенный на стороне внешнего края тела рамки по отношению к внешнему краю тела основания, в направлении от внутреннего края тела рамки к внешнему краю тела рамки. Второй участок имеет большую длину в упомянутом направлении, чем длина первого участка в упомянутом направлении.
Согласно аспекту, толщина первого участка меньше, чем длина первого участка в упомянутом направлении, и тело основания и тело рамки имеют более высокие удельные теплопроводности, чем удельная теплопроводность тела крышки. Согласно другому аспекту, тело рамки может иметь более высокую удельную теплопроводность, чем удельная теплопроводность тела основания.
Дополнительные отличительные признаки настоящего изобретения станут очевидными из последующего описания примерных вариантов осуществления со ссылкой на прилагаемые чертежи.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Фиг. 1A и 1B представляют собой схематические виды сверху примера электронного компонента.
Фиг. 2A и 2B представляют собой схематические виды в разрезе примера электронного компонента.
Фиг. 3A и 3B представляют собой схематические виды в разрезе примера электронного компонента.
Фиг. 4 представляет собой вид в перспективе с пространственным разделением деталей примера электронного компонента.
Фиг. 5A и 5B представляют собой схематические виды в разрезе примера электронного компонента.
Фиг. 6A и 6B представляют собой схематические виды в разрезе примера электронного компонента.
Фиг. с 7A по 7D представляют собой схематические виды сверху примера электронного компонента.
Фиг. с 8A по 8C представляют собой схематические виды в разрезе примера способа производства электронного компонента (монтажного элемента).
Фиг. с 9D по 9G представляют собой схематические виды в разрезе примера способа производства электронного компонента.
Фиг. с 10H по 10J представляют собой схематические виды в разрезе примера способа производства электронного устройства.
ОПИСАНИЕ ВАРИАНТОВ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
Примеры электронных компонентов 100 описаны как варианты осуществления настоящего раскрытия. Фиг. 1A представляет собой схематический вид сверху электронного компонента 100, если смотреть спереди. Фиг. 1B представляет собой схематический вид сверху электронного компонента 100, если смотреть сзади. Фиг. 2A и 2B представляют собой схематические виды в разрезе электронного компонента 100. Фиг. 2A представляет собой вид в разрезе электронного компонента 100, выполненный вдоль линии A-a на Фиг. 1A и 1B. Фиг. 2B представляет собой вид в разрезе электронного компонента 100, выполненный вдоль линии B-b на Фиг. 1A и 1B. Фиг. 3A и 3B представляют собой виды в разрезе модификации электронного компонента 100, выполненные вдоль линий, подобных линиям на Фиг. 2A и 2B. Фиг. 4 представляет собой вид в перспективе с пространственным разделением деталей электронного компонента 100. Описание приведено ниже со ссылкой на чертежи, тогда как общие ссылочные позиции применяются к одинаковым элементам. Соответствующие чертежи показывают направление X, направление Y и направление Z.
Электронный компонент 100 включает в себя электронное устройство 10 и корпус 50, который вмещает электронное устройство 10. Корпус 50 главным образом включает в себя тело 20 основания, тело 30 крышки и тело 40 рамки. Хотя подробности описаны ниже, тело 20 основания и тело 40 рамки из числа частей корпуса 50 могут функционировать как монтажный элемент. Тело 30 крышки может функционировать как оптический элемент. Тело 40 рамки имеет окно, которое соответствует электронному устройству 10. Электронное устройство 10 прикреплено к телу 20 основания. Тело 30 крышки прикреплено к телу 20 основания через тело 40 рамки. Тело 30 крышки обращено к электронному устройству 10 через внутреннее пространство 60. Тело 40 рамки охватывает внутреннее пространство 60 между телом 30 крышки и электронным устройством 10. Другими словами, внутреннее пространство 60 образовано в окне тела 40 рамки.
Взаимное расположение среди элементов, которые формируют электронный компонент 100, может быть объяснено на основе опорной плоскости, относящейся к положению электронного устройства 10. Опорная плоскость представляет собой воображаемую плоскость, которая расположена между передней поверхностью 101 электронного устройства 10 и задней поверхностью 102 электронного устройства 10, и проходит сквозь внешний край 105 электронного устройства 10. Передняя поверхность 101 расположена на одной стороне опорной плоскости (стороне передней поверхности), а задняя поверхность 102 расположена на другой стороне опорной плоскости (стороне задней поверхности). Опорная плоскость представляет собой плоскость вдоль направления X-Y, а направление Z представляет собой направление, перпендикулярное опорной плоскости. Если электронное устройство 10 представляет собой полупроводниковое устройство, то опорная плоскость может быть установлена на границе между полупроводниковым слоем и изоляционным слоем для удобства расположения. Направление X и направление Y обычно параллельны передней поверхности 101 электронного устройства 10, обращенной к телу 30 крышки, при этом задняя поверхность 102 электронного устройства 10 является противоположной поверхностью, противоположной передней поверхности 101, и прикреплена к телу 20 основания, внешней поверхности 301 тела 30 крышки и внутренней поверхности 302 тела 30 крышки. Также направление Z перпендикулярно передней поверхности 101, задней поверхности 102, внешней поверхности 301 и внутренней поверхности 302. Электронное устройство 10 и электронный компонент 100 обычно имеют прямоугольные формы в направлении X и направлении Y. Также размеры в направлении Z меньше, чем размеры в направлении X и направлении Y. Следовательно, электронное устройство 10 и электронный компонент 100 имеют по сути плоскую пластинчатую форму. В дальнейшем в этом документе размер в направлении Z называется толщиной или высотой для удобства описания. Здесь описана область ортогональной проекции. Область ортогональной проекции некоторого элемента представляет собой область, в которую элемент может быть спроецирован в направлении Z, перпендикулярном опорной плоскости. Ситуация, в которой другой элемент, отличный от некоторого элемента, расположен в области ортогональной проекции некоторого элемента, означает, что некоторого элемент перекрывает другой элемент в направлении Z. То есть, если другой элемент расположен в области ортогональной проекции некоторого элемента, то можно сказать, что другой элемент расположен в области, в которой другой элемент перекрывает некоторый элемент в направлении Z. Напротив, если другой элемент расположен вне области ортогональной проекции некоторого элемента, то можно сказать, что по меньшей мере часть другого элемента расположена в области, в которой по меньшей мере часть другого элемента не перекрывает некоторый элемент. Граница между внутренней и внешней частью области ортогональной проекции соответствует внешнему краю или внутреннему краю (внутренний край может не присутствовать), что является контуром обсуждаемого элемента. Например, тело 30 крышки, которое обращено к электронному устройству 10, расположено в области ортогональной проекции электронного устройства 10, т.е., области, в которой тело 30 крышки перекрывает электронное устройство 10 в направлении Z.
В направлении X и направлении Y внешний край электронного компонента 100 определяется внешним краем 205 тела 20 основания, внешним краем 405 тела 40 рамки и внешним краем 305 тела 30 крышки. Тело 40 рамки имеет внутренний край 403 в дополнение к внешнему краю 405. Окно тела 40 рамки определяется внутренним краем 403.
Тип электронного устройства 10 особенно не ограничивается; однако обычно это оптическое устройство. Электронное устройство 10 этого примера включает в себя основную часть 1 и подчасть 2. Основная часть 1 обычно расположена в центре электронного устройства 10, а подчасть 2 обычно расположена на периферии основной части 1. Если электронное устройство 10 представляет собой устройство захвата изображения, такое как датчик изображения на основе прибора с зарядовой связью (ПЗС) или датчик изображения с комплементарной структурой металл-оксид-полупроводник (КМОП), то основная часть 1 представляет собой область захвата изображения. Если электронное устройство 10 представляет собой устройство отображения, такое как жидкокристаллический дисплей или электролюминесцентный (ЭЛ, EL) дисплей, то основная часть 1 представляет собой область отображения. В случае устройства захвата изображения передняя поверхность 101, являющаяся лицевой поверхностью электронного устройства 10, обращенной к телу 30 крышки, служит в качестве поверхности падения света. Эта поверхность падения света может быть сформирована верхним слоем многослойной пленки, обеспеченной на полупроводниковой подложке, имеющей светоприемную поверхность. Многослойная пленка включает в себя слои, имеющие оптические функции, такие как слой цветового фильтра, микролинзовый слой, просветляющий слой и светоэкранирующий слой; слой, имеющий механическую функцию, такой как планаризующий слой; и слой, имеющий химическую функцию, такой как пассивирующий слой. Подчасть 2 имеет схему приведения в действие, которая приводит в действие основную часть 1, и схему обработки сигнала, которая обрабатывает сигнал из основной части 1 (или сигнал в основную часть 1). Если электронное устройство 10 представляет собой полупроводниковое устройство, то такие схемы легко формируются монолитным способом. Подчасть 2 имеет электроды 3 (контактные площадки), которые позволяют электронному устройству 10 обмениваться сигналами с внешним устройством.
По меньшей мере часть центральной области тела 20 основания является областью 210 размещения. Электронное устройство 10 размещено в области 210 размещения. Электронное устройство 10 прикреплено к телу 20 основания. Как показано на Фиг. 2A и 2B, электронное устройство 10 обычно прикреплено с помощью связывающего материала 52, который расположен между областью 210 размещения тела 20 основания и задней поверхностью 102 электронного устройства 10. Альтернативно, связывающий материал 52 может соприкасаться только с внешним краем 105, который представляет собой боковую поверхность электронного устройства 10, и связывающий материал 52 может не быть обеспечен между областью 210 размещения тела 20 основания и задней поверхностью 102 электронного устройства 10. Связывающий материал 52 может быть проводящим или изолирующим материалом. Также связывающий материал 52 желательно имеет высокую теплопроводность и может содержать металлические частицы.
Корпус 50 включает в себя внутренний контакт 5, обращенный внутрь (внутреннее пространство 60) корпуса 50, и внешний контакт 7, обращенный наружу корпуса 50. Внутренний контакт 5 и внешний контакт 7 предоставляются как единое целое с телом 20 основания. Множество внутренних контактов 5 упорядочены и образуют группу внутренний контактов. В этом примере, как показано на Фиг. 1A, группа внутренних контактов включает в себя десять внутренних контактов, выстроенных в линию вдоль направления X, и две такие линии (две группы) групп внутренних контактов обеспечены в направлении Y. Размещение внутренних контактов 5 не ограничено вышеописанным размещением, и группа внутренних контактов может включать в себя внутренние контакты, выстроенные в линию вдоль направления Y, и две такие линии групп внутренних контактов могут быть обеспечены в направлении X. Также две линии групп внутренних контактов, каждая включающая в себя внутренние контакты 5, выстроенные в линию вдоль направления Y, и две линии групп внутренних контактов, каждая включающая в себя внутренние контакты 5, выстроенные в линию вдоль направления X, могут быть обеспечены, чтобы окружать электронное устройство 10. Также множество внешних контактов 7 образуют группу внешних контактов. В этом примере, как показано на Фиг. 1B, группа внешних контактов, включающая в себя внешние контакты, выстроенные в ряды и столбцы вдоль направления X и направления Y, обеспечена на задней поверхности 206 тела 20 основания, при этом задняя поверхность 206 образует заднюю часть электронного компонента 100. Размещение внешних контактов 7 не ограничено вышеописанным размещением. Группы внешних контактов могут быть расположены в линии в направлении X и/или направлении Y вдоль внешнего края 205, который представляет собой боковую поверхность тела 20 основания.
Внутренние контакты 5 и внешние контакты 7 электрически продолжаются через встроенную часть 6, которая встроена как внутренняя разводка в тело 20 основания. Электроды 3 электронного устройства 10 и внутренние контакты 5 корпуса 50, которые формируют электронный компонент 100, электрически соединены через соединительные проводники 4. В этом примере электроды 3 соединены с внутренними контактами 5 с помощью соединения методом проволочного монтажа, и соединительные проводники 4 представляют собой металлические проволоки (соединительные проволоки). Альтернативно, электроды 3 могут быть соединены с внутренними контактами 5 с помощью соединения методом перевернутого кристалла. В этом случае электроды 3 обеспечены на задней поверхности 102 электронного устройства 10, и внутренние контакты 5 и соединительные проводники 4 расположены в области 210 размещения. В этом примере форма внешних контактов 7 представляет собой матрицу контактных площадок (LGA). Альтернативно, форма может быть матрицей штырьковых выводов (PGA), матрицей шариковых выводов (BGA) или безвыводным кристаллоносителем (LCC). При такой форме множество внешних контактов 7 может быть расположено в области ортогональной проекции тела 30 крышки на теле 20 основания. И множество внешних контактов 7 может быть расположено в области ортогональной проекции тела 20 основания, и расположены внутри внешнего края 205 тела основания. Часть множества внешних контактов 7 может быть расположено в области ортогональной проекции электронного устройства 10 на теле 20 основания. Таким образом, множество внешних контактов 7 может быть расположено в области, где внешние контакты 7 перекрывают по меньшей мере одно из электронного устройства 10, тела 20 основания и тела 30 крышки в направлении Z. Внутренние контакты 5, встроенная часть 6 и внешние контакты 7 могут быть объединены с помощью выводной рамки. В этом случае внутренние контакты 5 служат в качестве внутреннего вывода, а внешние контакты 7 служат в качестве наружного вывода. При форме, использующей выводную рамку, множество внешних контактов 7 расположено снаружи области ортогональной проекции тела 30 крышки на теле 20 основания. Внешние контакты 7 электронного компонента 100 электрически соединены с соединительными контактами элемента с межсоединениями, например, печатной монтажной платы, и в то же время прикреплены к элементу с межсоединениями. Внешние контакты 7, расположенные в области ортогональной проекции тела 30 крышки на теле 20 основания, могут быть электрически соединены с внешней схемой с помощью пайки оплавлением припоя с использованием припойной пасты. Таким образом, электронный компонент 100 устанавливается дополнительно на элемент с межсоединениями и, следовательно, образует электронный модуль. Электронный модуль может также использоваться как электронный компонент. Форма монтажа предпочтительно является поверхностным монтажом. Путем установки электронного модуля в общий корпус образуется электронное устройство.
Тело 20 основания имеет вогнутую форму. Более конкретно, центральная область пластинообразной части образует нижнюю часть вогнутой формы, а рамообразная часть, обеспеченная в периферической области пластинообразной части, образует боковую часть вогнутой формы. Тело 20 основания может быть сформировано как одно целое путем наложения пластинчатого элемента и элемента рамки. Альтернативно тело 20 основания может быть сформировано как одно целое путем, например, формования или резки. Тело 20 основания может быть проводником, таким как металлический лист, при условии, что обеспечивается изоляция внутренних контактов 5 и внешних контактов 7. Тело 20 основания, однако, обычно сформировано из изолятора. Хотя тело 20 основания может быть гибкой подложкой, такой как полимидная подложка, желательно, чтобы тело 20 основания было жесткой подложкой, такой как подложка из эпоксидного стеклопластика, подложка из составного материала, подложка из стеклокомпозита, бакелитовая подложка или керамическая подложка. В частности, желательна керамическая подложка, и желательно, чтобы тело 20 основания представлял собой многослойную керамику. Керамический материал может быть карбидом кремния, нитридом алюминия, сапфиром, оксидом алюминия, нитридом кремния, металлокерамикой, оксидом иттрия, муллитом, форстеритом, кордиеритом, двуокисью циркония или стеатитовой керамикой.
Как показано на Фиг. 2A и 2B, периферическая область тела 20 основания, имеющая вогнутую форму, включает в себя часть-площадку и часть-ступеньку. Часть-площадка представляет собой часть, которая продолжается в направлении X и направлении Y. Часть-ступенька расположена между двумя частями-площадками с различными высотами в направлении Z и продолжается в направлении Z.
Часть-площадка, снабженная внутренними контактами 5, определяется как отправная часть-площадка 202. В этом варианте осуществления, как показано на Фиг. 2A и 2B, верхняя часть-площадка 204 расположена на стороне внешнего края корпуса 50 по отношению к группам внутренних контактов в направлении Y, то есть, на стороне внешнего края 205 тела 20 основания. Верхняя часть-площадка 204 выступает по отношению к отправной части-площадке 202. То есть, верхняя часть-площадка 204 расположен на стороне тела 30 крышки по отношению к отправной части-площадке 202 в направлении Z. Часть-ступенька 203 расположена между отправной частью-площадкой 202 и верхней частью-площадкой 204. Часть-ступенька 203 обращена к соединительным проводникам 4 через часть внутреннего пространства 60.
Также, в примере, показанном на Фиг. 2A и 2B, тело 20 основания включает в себя нижнюю часть-площадку 200 в дополнение к отправной части-площадке 202 и верхней части-площадке 204. Нижняя часть-площадка 200 находится в положении, более удаленном от внешнего края 205 тела 20 основания, чем положение групп внутренних контактов. То есть, нижняя часть-площадка 200 находится на внутренней стороне тела 20 основания по сравнению с положениями групп внутренних контактов. Нижняя часть-площадка 200 утоплена по отношению к отправной части-площадке 202 благодаря части-ступеньке 201. То есть, нижняя часть-площадка 200 находится в положении, более удаленном от тела 30 крышки, чем положения групп внутренних контактов благодаря части-ступеньке 201 в направлении Z. Часть-ступенька 201 обращена к внешнему краю 105 электронного устройства 10 через часть внутреннего пространства 60. Отправная часть-площадка 202 расположена между верхней частью-площадкой 204 и нижней частью-площадкой 200. Следовательно, отправная часть-площадка 202 может быть названа средней частью-площадкой. Как показано на Фиг. 2B, отправная часть-площадка 202 не обеспечена между нижней частью-площадкой 200 и верхней частью-площадкой 204 в направлении X, вдоль которого не обеспечены внутренние контакты 5. Часть-ступенька 203 расположена между верхней частью-площадкой 204 и нижней частью-площадкой 200. Средняя часть-площадка может быть обеспечена между верхней частью-площадкой 204 и нижней частью-площадкой 200 в направлении X, подобно средней части-площадке, обеспеченной в направлении Y. Однако такая средняя часть-площадка, не снабженная внутренними контактами 5, может привести к ненужному увеличению в размере корпуса 50. Желательно, чтобы такая средняя часть-площадка не предоставлялась.
Далее описана модификация электронного компонента 100 со ссылкой на Фиг. 3A и 3B. В модификации, показанной на Фиг. 3A и 3B, тело 20 основания имеет плоскую пластинчатую форму без части-площадки или части-ступеньки. Следовательно, в этом примере отправная часть-площадка на Фиг. 3A и 3B может также называться отправной поверхностью. Электронное устройство 10 и тело 40 рамки прикреплены к поверхности отправной части-площадке 202, на которой расположены внутренние контакты 5. Нижнюю часть-площадку 200 или верхняя часть-площадка 204, как показано на Фиг. 2A и 2B, не обеспечена. В результате, тело 40 рамки охватывает не только внутреннее пространство 60, но также электронное устройство 10. Альтернативно, путем уменьшения расстояния между электронным устройством 10 и телом 30 крышки или путем обеспечения части рамки у тела 30 крышки, тело 40 рамки может не охватывать внутреннее пространство 60, но может охватывать только электронное устройство 10. То есть, тело 40 рамки может охватывать по меньшей мере одно из внутреннего пространства 60 и электронного устройства 10. Другие аспекты подобны аспектам электронного компонента 100, показанного на Фиг. 2A и 2B. Также, хотя и не показано, как структура с двумя площадками, включающая в себя верхнюю часть-площадку и нижнюю часть-площадку, тело 40 рамки может быть прикреплено к верхней части-площадке, электронное устройство 10 может быть расположено на нижней части-площадке, и внутренние контакты 5 могут быть расположены на нижней части-площадке.
Тело 30 крышки, которое обращено к электронному устройству 10, имеет функцию защиты электронного устройства 10. Если электронное устройство 10 представляет собой устройство захвата изображения или устройство отображения, которое использует свет, то требуется, чтобы тело 30 крышки было прозрачным для света (обычно, видимого света). Подходящим материалом для такого тела 30 крышки является, например, пластик, стекло или кварцевый кристалл. Поверхность тела 30 крышки может иметь антиотражающее покрытие или покрытие, отсекающее инфракрасное излучение.
Как понятно из Фиг. 4, электронный компонент 100 сформирован путем наложения подготовленного электронного устройства 10, тела 20 основания, тела 30 крышки и тела 40 рамки в направлении Z. На Фиг. 4 длинные пунктирные линии показывают связь между телом 20 основания и телом 40 рамки, штрихпунктирные линии с одной точкой показывают связь между электронным устройством 10 и телом 20 основания, и штрихпунктирные линии с двумя точками показывают связь между телом 40 рамки и телом 30 крышки. Также пунктирные линии показывают контур тела 30 крышки на теле 40 рамки, контур электронного устройства 10 на теле 20 основания и контур тела 40 рамки на теле 20 основания.
Тело 30 крышки прикреплено к телу 20 основания через тело 40 рамки. Более конкретно, как показано на Фиг. 2A и 2B, тело 40 рамки и тело 20 основания соединены друг с другом с помощью связывающего материала 51. Также, как показано на Фиг. 2A и 2B, тело 40 рамки и тело 30 крышки соединены друг с другом с помощью связывающего материала 53. В этом варианте осуществления тело 30 крышки находится в положении, более удаленном от электронного устройства 10 и тела 20 основания, чем положение тела 40 рамки в направлении Z, и связывающий материал 53 обеспечен на внутренней поверхности 302 тела 30 крышки, при этом внутренняя поверхность 302 является лицевой поверхностью тела 30 крышки, обращенной к электронному устройству 10. Альтернативно, подобно форме на Фиг. 3 опубликованного Японского Патента № 2003-101042, часть тела 40 рамки может находиться в положении, более удаленном от электронного устройства 10 и тела 20 основания, чем положение тела 30 крышки в направлении Z, и связывающий материал 53 может быть обеспечен на внешней поверхности 301 тела 30 крышки. Связывающие материалы 51, 52 и 53 имеют толщины в диапазоне от 1 до 1000 мкм или обычно в диапазоне от 10 до 100 мкм.
Более конкретно, тело 40 рамки и тело 20 основания соединены с использованием клеящего вещества, электронное устройство 10 и тело 20 основания скреплены с использованием клеящего вещества, и тело 30 крышки и тело 40 рамки скреплены с использованием клеящего вещества. Порядок скрепления этих частей особенно не ограничен. Однако, желательно, чтобы тело 40 рамки и тело 20 основания были скреплены до того, как будут скреплены тело 30 крышки и тело 40 рамки. Также желательно, чтобы тело 40 рамки и тело 20 основания были скреплены до того, как будут скреплены электронное устройство 10 тело 20 основания. То есть, тело 40 рамки и тело 20 основания скрепляются первыми, и, следовательно, образуется монтажный элемент, имеющий область размещения, на которой должно быть размещено электронное устройство. Электронное устройство 10 прикрепляют к монтажному элементу. Затем тело 30 крышки скрепляется с монтажным элементом в области размещения.
Тело 20 основания и тело 40 рамки скреплены с помощью связывающего материала 51, желательно по всем периметрам их поверхностей соединения. Также тело 30 крышки и тело 40 рамки скреплены с помощью связывающего материала 53, желательно по всем периметрам их поверхностей соединения. Как описано выше, все периметры служат в качестве областей соединения, так что внутреннее пространство 60 вокруг электронного устройства 10 становится герметично изолированным от наружного воздуха. Соответственно, предотвращается попадание инородного вещества во внутреннее пространство 60, и увеличивается надежность. Для обеспечения герметичности может использоваться клеящее вещество в достаточном количестве.
Вышеописанные связывающие материалы 51, 52 и 53 сформированы путем отверждения нанесенных клеящих веществ. Тип клеящего вещества может быть, например, типом с отверждением сушкой через испарение растворителя, типом с химической реакцией путем отверждения через полимеризацию молекул светом или теплом, или типом с тепловым плавлением (термоплавким) путем отверждения через нанесение расплавленного клеящего вещества. Типичное клеящее вещество может быть фотоотверждаемой смолой, которая затвердевает под воздействием ультрафиолетового луча или видимого света, или термореактивной смолой, которая затвердевает под воздействием тепла. Термореактивная смола соответствующим образом используется для клеящих веществ связывающего материала 51 и связывающего материала 52. Фотоотверждаемая смола соответствующим образом используется для клеящего вещества связывающего материала 53.
Тело 40 рамки включает в себя поверхность 401 соединения, которая обращена к телу 20 основания и соединена со связывающим материалом 51, и поверхность 402 соединения, которая обращена к телу 30 крышки и соединена со связывающим материалом 53. Тело 40 рамки выполнено с возможностью заключения в себе внутреннего пространства 60 между электронным устройством 10 и телом 30 крышки. Поверхность тела 40 рамки, поверхность, которая обращена во внутреннее пространство 60 и охватывает внутреннее пространство 60, является внутренним краем 403. Тело 40 рамки в этом примере, в котором внешний край 405 тела 40 рамки подвергается воздействию внешнего пространства, имеет выступающую часть 404, которая продолжается в направлении X из положения между телом 20 основания и телом 30 крышки во внешнее пространство. Выступающая часть 404 имеет сквозное отверстие 406. Сквозное отверстие 406 используется как отверстие для свинчивания для прикрепления к общему корпусу или тому подобному электронного устройства или используется как отверстие позиционирования.
Для повышения герметичности внутреннего пространства 60 желательно, чтобы тело 40 рамки непрерывно окружало внутреннее пространство 60 без разрыва. Также для обеспечения жесткости тела 40 рамки и дополнительно жесткости электронного компонента 100 желательно, чтобы тело 40 рамки представляло собой замкнутый контур без разрыва. Также для обеспечения теплопроводности (описанной далее) желательно, чтобы тело 40 рамки представлял собой замкнутый контур, который непрерывен в периферическом направлении. Однако если в производстве предусмотрено ограничение, то тело 40 рамки может быть разделено на множество секций на основе сторон и может быть скомпоновано. Альтернативно тело 40 рамки может иметь щели, чтобы позволить внутреннему пространству 60 сообщаться с внешним пространством. Если тело 40 рамки имеет разрывы таким образом, то желательно, чтобы участков прерывания (щелей), образованных в теле 40 рамки, было как можно меньше. Более конкретно, желательно, чтобы общая длина участков прерывания была меньше, чем 10% от длины окружности, которая охватывает внутреннее пространство 60 и электронное устройство 10. Другими словами, если тело 40 рамки представлено длиной в целом, которая составляет 90% или более от длины окружности вдоль периметра внутреннего пространства 60 и электронного устройства 10, то может быть принято, что тело 40 рамки охватывает внутреннее пространство 60 и электронное устройство 10.
Материал тела 40 рамки особенно не ограничен, и может должным образом использовать смолу, керамику или металл. Металл, упомянутый здесь, включает в себя не только металл одного вида, но также сплав металлов. Поскольку клеящее вещество используется в этом варианте осуществления, этот вариант осуществления является подходящим, когда материал тела 40 рамки отличается от материала тела 20 основания. Также этот вариант осуществления является подходящим, когда материал тела 40 рамки отличается от материала тела 30 крышки. Примером такого случая является случай, когда материал тела 20 основания представляет собой керамику, материал тела 30 крышки представляет собой стекло, а материал тела 40 рамки представляет собой металл или смолу.
Если тело 40 рамки имеет высокую теплопроводность, то тело 40 рамки может использоваться в качестве теплоотвода, и тепло электронного устройства 10 может излучаться через выступающую часть 404. Для теплового излучения удельная теплопроводность тела 40 рамки предпочтительно составляет 1,0 Вт/(м·K) или выше, или более предпочтительно 10 Вт/(м·K) или выше. Удельная теплопроводность смолы, как правило, ниже, чем 1,0 Вт/(м·K). В частности, в форме (LGA и т.д.), в которой внешние контакты 7 обеспечены на задней поверхности 206 тела 20 основания, подобно этому примеру, или в форме (LCC), в которой внешние контакты обеспечены на боковой поверхности (внешнему краю 205) тела 20 основания, тело 40 рамки используется соответствующим образом как проводник тепла. Это из-за того, что поскольку задняя поверхность 206 тела 20 основания вероятно соединена с элементом с межсоединениями (подложкой из эпоксидного стеклопластика, подложкой из полиимида и т.д.) с относительно низкой удельной теплопроводностью, эффективность излучения тепла со стороны задней поверхности 206 тела 20 основания уменьшается.
Также для уменьшения нагрузки, которая создается на электронный компонент 100, желательно, чтобы тело 40 рамки имело как можно более низкий коэффициент теплового расширения (коэффициент линейного расширения). Более конкретно, желательно, чтобы коэффициент теплового расширения тела 40 рамки был 50 миллионных долей/К или меньше. Коэффициент теплового расширения смолы обычно больше, чем 50 миллионных долей/К.
С точки зрения теплопроводности и теплового расширения желательно, чтобы материал тела 40 рамки был металлом. Типичный материал может быть алюминием или алюминиевым сплавом, медью, медным сплавом, железом, железным сплавом и т.д. Желательно, чтобы материал был железным сплавом, таким как нержавеющая сталь или другой железный сплав, содержащий хром, никель или кобальт. Например, может быть использован SUS430, который представляет собой ферритную нержавеющую сталь, SUS304, который представляет собой аустенитную нержавеющую сталь, сплав 42, ковар и т.д.
Тело 40 рамки имеет функцию определения зазора между электронным устройством 10 и телом 30 крышки и функцию поддержки тела 30 крышки. Также тело 40 рамки имеет функцию как излучающий тепло элемент, поскольку тело 40 рамки имеет вышеописанное отверстие для свинчивания или отверстие для позиционирования, и имеет высокую теплопроводность. Следовательно, тело 20 основания и тело 40 рамки могут быть вместе названы монтажным элементом.
Этот вариант осуществления описан ниже более подробно в основном со ссылкой на Фиг. 5A и 5B.
Фиг. 5A представляет собой вид в разрезе, выполненный вдоль линии, подобной линии на Фиг. 2B, и Фиг. 5B представляет собой вид в разрезе, выполненный вдоль линии, подобной линии на Фиг. 3B. Эти фигуры показывают размеры соответствующих элементов.
W1 показывает внешний диаметр электронного устройства 10 в направлении X. W2 показывает длину участка (первого участка 410) тела 40 рамки в направлении X, при этом участок расположен на стороне внутреннего края 403 тела 40 рамки по отношению к внешнему краю 205 тела 20 основания. W3 показывает длину участка тела 40 рамки в направлении X, при этом участок расположен на стороне внутреннего края 403 тела 40 рамки по отношению к внешнему краю 305 тела 30 крышки. Первый участок 410 представляет собой участок тела 40 рамки, который должен быть скреплен с телом 20 основания. В примере на Фиг. 5A, как показано на Фиг. 2B, поверхность первого участка 410 представляет собой область, которая обращена к телу 20 основания (в этом случае верхней части-площадке 204) у поверхности 401 соединения тела 40 рамки. Также W4 показывает длину участка (второго участка 420) тела 40 рамки в направлении X, при этом участок расположен на стороне внешнего края 405 тела 40 рамки по отношению к внешнему краю 205 тела 20 основания. В примере на Фиг. 5A, как показано на Фиг. 2B, поверхность второго участка 420 представляет собой область, которая не обращена к телу 20 основания (в этом случае верхней части-площадке 204) у поверхности 401 соединения тела 40 рамки. T3 показывает толщину тела 30 крышки, а T4 показывает толщину тела 40 рамки. В этом примере толщина T4 тела 40 рамки по существу эквивалентна расстоянию между периферической областью тела 20 основания и периферической областью тела 30 крышки, потому что толщины связывающих материалов 51 и 53 по существу пренебрежимо малы. В этом варианте осуществления толщина T4 тела 40 рамки меньше, чем длина W2 первого участка 410. То есть, в этом примере секция участка тела 40 рамки, расположенная на теле 20 основания, имеет прямоугольную форму, в которой направление X является направлением длинной стороны, а направление Z является направлением короткой стороны. В этом случае первый участок 410 и второй участок 420 имеют эквивалентные толщины, а толщина T4 тела 40 рамки показывает не только толщину первого участка 410, но также толщину второго участка 420. Однако, поскольку толщина первого участка 410 меньше, чем длина W2 первого участка 410, толщина второго участка 420 может быть больше или меньше, чем толщина первого участка 410. Для увеличения теплопроводности второго участка 420 желательно, чтобы толщина второго участка 420 была больше, чем толщина первого участка 410. Соответственно, эффективность переноса тепла телом 40 рамки может быть увеличена, тогда как увеличение толщины T5 электронного компонента 100 ограничено. Толщина T5 электронного компонента 100 по существу равна сумме толщины T2, толщины T4 и толщины T3. В этом примере толщина T3 тела 30 крышки может быть меньше, чем длина W3. Фиг. 5A и 5B показывают проводящий путь 70 для тепла, которое образуется в электронном устройстве 10. Фиг. 5A и 5B показывают только проводящий путь 70 в правой полусекции; однако проводящий путь 70 подобным образом обеспечен в левой полусекции. Поскольку W2>T4, значения теплового сопротивления тела 20 основания и тела 40 рамки уменьшаются, и также тепло может быть эффективно перенесено от первого участка 410 ко второму участку 420.
Желательная форма для двух параметров W2 и T4, относящихся к телу 40 рамки как к элементу для переноса тепла, как описано выше, заключается в том, что удельная теплопроводность тела 40 рамки высокая и выше, чем удельная теплопроводность тела 20 основания. Соответственно, толщина тела 40 рамки может быть уменьшена до диапазона, в котором может поддерживаться жесткость. Толщина электронного компонента 100 может быть дополнительно уменьшена. Также для толщины T4 тела 40 рамки желательно удовлетворять условию T4<W2. Поскольку T4<W2, тепловое сопротивление между телом 40 рамки и телом 20 основания может быть уменьшено, и может быть обеспечена надежность электронного компонента.
В этом варианте осуществления, как описано со ссылкой на Фиг. 1A и 1B, выступающие части 404 обеспечены на обеих сторонах электронного устройства 10 в направлении X. Следовательно, ширина W4 второго участка 420 тела 40 рамки больше, чем толщина W2 первого участка 410, расположенного между выступающей частью 404 и внутренним краем 403 в направлении X. Соответственно, второй участок 420 может эффективно излучать тепло.
Ширина W4 второго участка 420 тела 40 рамки представляет собой участок, который соединен с общим корпусом и т.д. электронного устройства, и способ соединения может представлять собой различные способы, включая использование клеящего вещества и свинчивания. Следовательно, желательно, чтобы ширина W4 второго участка 420 была больше, чем ширина W2 первого участка 410. Поскольку W4>W2, тепловое сопротивление участка области соединения с W4, соединенного с общим корпусом и т.д., может быть уменьшено по сравнению с областью с W2. Таким образом, эффективность излучения тепла может быть увеличена. Напротив, если W4<W2, то тепловое сопротивление участка области соединения второго участка 420, соединенного с общим корпусом и т.д., увеличивается и, следовательно, температура первого участка 410 также увеличивается. Поскольку связывающий материал 51 и связывающий материал 53 нанесены на первый участок 410, если температура увеличивается, то ухудшение в этих связывающих материалах может быть ускорено.
Также в этом варианте осуществления толщина T4 тела 40 рамки меньше, чем расстояние D6 между телом 30 крышки и электронным устройством 10 (расстояние между внутренней поверхностью 302 и передней поверхностью 101); однако толщина T4 может быть больше, чем расстояние D6. В электронном компоненте 100 расстояние D6 для обеспечения внутреннего пространства 60 требует постоянной величины. В этом варианте осуществления, поскольку тело 40 рамки выполнено с возможностью охвата внутреннего пространства 60, увеличение в толщине T5 электронного компонента 100 из-за тела 40 рамки может быть ограничено. Напротив, в конструкции предшествующего уровня техники, в котором теплоизлучающая пластина встроена в тело 20 основания, толщина тела 20 основания увеличена на величину теплоизлучающей пластины. То есть, в этом варианте осуществления, поскольку расстояние D6 также служит в качестве толщины T4 тела 40 рамки, увеличение толщины электронного компонента 100 может быть ограничено. На Фиг. 5A показана толщина T2 тела 20 основания. Толщина T2 является толщиной периферической области тела 20 основания. Толщина T2 по существу равна сумме толщины T20 пластинообразной части, которая образует нижнюю часть вогнутой формы, и толщины T21 рамообразной части, которая формирует боковую часть вогнутой формы. Толщина T2 тела 20 основания увеличивается на величину толщины T21 элемента рамки, который формирует часть-ступеньку 203. Если удельная теплопроводность тела 20 основания ниже, чем удельная теплопроводность тела 40 рамки, то T21 может быть как можно меньшей. Желательно, чтобы выполнялось условие T21<T1. В этом случае тело 40 рамки охватывает электронное устройство 10. В этом случае толщина T1 электронного устройства 10 также служит в качестве по меньшей мере части толщины T4 тела 40 рамки, и, следовательно, увеличение толщины электронного компонента 100 может быть ограничено. Как описано выше, поскольку тело 40 рамки, которое установлено, чтобы охватывать по меньшей мере одно из внутреннего пространства 60 и электронного устройства 10, используется в качестве проводника тепла, эффективность излучения тепла электронного компонента 100 может быть увеличена, в то время как увеличение толщины T5 электронного компонента 100 ограничено.
Тело 30 крышки соединено с первым участком 410 тела 40 рамки. Следовательно, желательно, чтобы удельная теплопроводность тела 30 крышки была ниже, чем удельная теплопроводность тела 40 рамки. Если удельная теплопроводность тела 30 крышки низкая, то тепло, проведенное от тела 20 основания, вероятно, проводится от первого участка 410 ко второму участку 420 вместо проведения от первого участка 410 к телу крышки. Следовательно, эффективность излучения тепла у второго участка 420 увеличивается. Конечно, желательно, чтобы удельные теплопроводности тела 20 основания и тела 40 рамки были высокими, и желательно, чтобы они были выше, чем удельная теплопроводность тела 30 крышки. Также желательно, чтобы удельная теплопроводность тела 40 рамки была выше, чем удельная теплопроводность тела 20 основания. Для практического использования удельные теплопроводности тела 20 основания и тела 40 рамки предпочтительно составляют 2,0 Вт/(м·K) или выше, или более предпочтительно 10 Вт/(м·K) или выше.
Для уменьшения теплового сопротивления тела 40 рамки и для обеспечения теплопроводности толщина T4 тела 40 рамки должна иметь определенное значение или быть больше, и в практическом использовании толщина T4 может составлять 0,1 мм или больше. Если тело 40 рамки представляет собой компонент, который соединен с общим корпусом и т.д. электронного устройства, то желательно, чтобы тело 40 рамки имело достаточную жесткость. Если тело 40 рамки имеет жесткость, то тело 40 рамки может иметь функцию позиционирования и функцию в качестве опорного тела. С такой точки зрения толщина T4 тела 40 рамки может находиться обычно в диапазоне от 0,2 мм до 2,0 мм, хотя толщина зависит от материала тела 40 рамки. Если удельная теплопроводность тела 40 рамки составляет 10 Вт/(м·K) или выше, то толщина T4 тела 40 предпочтительно находится в диапазоне от 0,4 до 1,6 мм, или более предпочтительно в диапазоне от 0,5 до 1,2 мм.
Первый участок 410 представляет собой участок, у которого тело 40 рамки и тело 20 основания скреплены с помощью связывающего материала 51, и представляет собой основной участок, который определяет тепловое сопротивление в пути теплового потока, продолжающегося от тела 20 основания ко второму участку 420. Если длина W2 первого участка 410 чрезвычайно мала, то теплопроводность от тела 20 основания к первому участку 410 низкая. Связывающий материал 51, помещенный между телом 20 основания и первым участком 410, может быть фактором увеличения теплового сопротивления между телом 20 основания и первым участком 410. Если длина W2 первого участка 410 чрезвычайно мала, то сила сцепления между телом 20 основания и телом 40 рамки мала. Надежность и тепловое сопротивление монтажного элемента или электронного компонента могут быть уменьшены. Следовательно, длина W2 первого участка 410 должна быть некоторого значения или больше. Если длина W2 первого участка 410 чрезвычайно велика, расстояние до второго участка 420 увеличивается, и увеличивается тепловое сопротивление. Также монтажный элемент или электронный компонент без надобности увеличиваются в размере. С такой точки зрения длина W2 первого участка 410 тела 40 рамки может находиться обычно в диапазоне от 0,5 мм до 5,0 мм, хотя длина зависит от материала тела 40 рамки. Если удельная теплопроводность тела 40 рамки составляет 10 Вт/(м·K) или выше, то длина W2 первого участка 410 предпочтительно находится в диапазоне от 1,0 до 4,0 мм или более предпочтительно в диапазоне от 1,5 до 2,5 мм. Длина W4 второго участка 420 особенно не ограничена; однако длина W4 желательно должна находиться в диапазоне от 1,0 до 10 мм.
Внутреннее пространство 60 расположено между частью-ступенькой 201, которая обеспечена между верхней частью-площадкой 204 и нижней частью-площадкой 200, и внешним краем 105 электронного устройства 10, как показано на Фиг. 2B. Теплопроводность между частью-ступенькой 201 и внешним краем 105 может быть увеличена. Более конкретно, теплопроводящий элемент может быть обеспечен между частью-ступенькой 201 и внешним краем 105 электронного устройства 10 для контакта с частью-ступенькой 201 и внешним краем 105. Соответственно, внутреннее пространство 60 между электронным устройством 10 и внешним краем 105 может быть заполнено. В этом случае удельная теплопроводность теплопроводящего элемента предпочтительно составляет 1,0 Вт/(м·K) или выше, или более предпочтительно 10 Вт/(м·K) или выше. Также желательно, чтобы теплопроводящий элемент имел более высокую удельную теплопроводность, чем удельная теплопроводность тела 20 основания. Как описано выше, поскольку используется теплопроводящий элемент с более высокой теплопроводностью, чем теплопроводность тела 20 основания, теплопроводность корпуса 50 может быть увеличена. Теплопроводящий и электропроводящий элемент может быть элементом, сформированным путем отверждения электропроводящей пасты, такой как серебряная паста или медная паста. Серебряная паста имеет удельную электрическую проводимость в диапазоне от 1×10-4 до 1×10-5 Ом·см. Если внутренние контакты 5 или соединительные проводники 4 расположены между внешним краем 105 электронного устройства 10 и частью-ступенькой 201, то может быть трудно использовать такую электропроводящую пасту, потому что должна быть обеспечена изоляция. Однако в этом варианте осуществления, поскольку внутренние контакты 5 расположены на отправной части-площадке 202, как описано со ссылкой на Фиг. 2A, такая электропроводящая паста может быть легко использована.
Также если теплопроводящий элемент обеспечен в области, которая находится в области ортогональной проекции электронного устройства 10 (области, наложенной на электронное устройство 10 в направлении Z), и которая является противоположной стороной тела 30 крышки (стороной тела 20 основания) по отношению к электронному устройству 10, то эффективность излучения тепла от электронного устройства 10 дополнительно увеличивается. Кроме того, если теплопроводящий элемент продолжается за пределы области ортогональной проекции электронного устройства 10, то эффективность излучения тепла дополнительно увеличивается. Кроме того, если теплопроводящий элемент продолжается внутрь области ортогональной проекции тела 40 рамки (области, наложенной на тело 40 рамки в направлении Z), то эффективность излучения тепла дополнительно увеличивается.
Например, связывающий материал 52, расположенный между электронным устройством 10 и телом 20 основания, может быть сформирован путем отверждения вышеописанной электропроводящей пасты и может служить в качестве теплопроводящего связывающего материала 52 (теплопроводящего элемента). Соответственно, теплопроводность между электронным устройством 10 и телом 20 основания увеличивается, и эффективность излучения тепла также увеличивается. Если такой теплопроводящий связывающий материал 52 обеспечен, чтобы дополнительно продолжаться в область за пределами области ортогональной проекции электронного устройства 10 или область за пределами области 210 размещения нижней части-площадке 200 тела 20 основания, то зона контакта между теплопроводящим связывающим материалом 52 и телом 20 основания увеличивается, и излучение тепла может быть дополнительно увеличено. Кроме того, если теплопроводящий связывающий материал 52 обеспечен, чтобы продолжаться до контакта с частью-ступенькой 201 тела 20 основания, как описано выше, то эффективность излучения тепла может быть дополнительно увеличена.
Фиг. 6A и 6B показывают модификацию, соответствующую секциям на Фиг. 2A и 2B. Модификация представляет собой форму, в которой пленка (теплопроводящая пленка), служащая в качестве теплопроводящего элемента, встроена в тело 20 основания, так что эффективность переноса тепла и излучения тепла тела 20 основания увеличиваются. В примере на Фиг. 6A и 6B теплопроводящие пленки, имеющие более высокие удельные теплопроводности, чем удельная теплопроводность тела 20 основания, обеспечены на двух уровнях между задней поверхностью 206 тела 20 основания и поверхностью нижней части-площадки 200 тела 20 основания. Фиг. 7A представляет собой вид сверху верхней части-площадки тела 20 основания, на котором выстроены внутренние контакты 5. Фиг. 7B представляет собой вид сверху на первом уровне в теле 20 основания. Фиг. 7C представляет собой вид сверху на втором уровне в теле 20 основания. Фиг. 7D представляет собой вид сверху задней поверхности тела 20 основания, на которой выстроены внешние контакты 7.
Первая теплопроводящая пленка 811 и вторая теплопроводящая пленка 812 расположены на первом уровне на равном расстоянии от электронного устройства 10. Третья теплопроводящая пленка 813 и четвертая теплопроводящая пленка 814 расположены на втором уровне на равном расстоянии от электронного устройства 10, при этом второй уровень находится в положении, более удаленном от электронного устройства 10, чем положение первого уровня. То есть, первая теплопроводящая пленка 811 и вторая теплопроводящая пленка 812 находятся в положениях, более близких к электронному устройству 10, чем положения третьей теплопроводящей пленки 813 и четвертой теплопроводящей пленки 814. В этом случае две теплопроводящие пленки используются в качестве теплопроводящих пленок на равном расстоянии от электронного устройства 10; однако может использоваться только одна теплопроводящая плетка, или могут использоваться три или более теплопроводящих пленок. Желательно, чтобы общая площадь множества теплопроводящих пленок, находящихся на равном расстоянии от электронного устройства 10, продолжалась по меньшей мере на 1/2 от площади области ортогональной проекции электронного устройства 10 (эквивалентной площади электронного устройства 10).
Как это понятно из Фиг. 6A и 6B и Фиг. с 7A по 7D, любая из теплопроводящих пленок с первой по четвертую расположена в области ортогональной проекции электронного устройства 10. Кроме того, любая из теплопроводящих пленок с первой по четвертую продолжается за пределы области ортогональной проекции электронного устройства 10, и внутрь области ортогональной проекции тела 40 рамки. Фиг. с 7A по 7D показывают размеры электронного устройства 10 пунктирными линиями. Как это понятно из Фиг. с 7A по 7D, соответствующие теплопроводящие пленки 811, 812, 813 и 814 присутствуют только в области ортогональной проекции тела 20 основания (внутри внешнего края 205 тела 20 основания), но не присутствуют за пределами области ортогональной проекции тела 20 основания. Каждая из соответствующих теплопроводящих пленок имеет одинарную непрерывную структуру в форме листа. Структура в форме листа может иметь отверстие, щель, и т.д., чтобы формировать сквозное отверстие или рисунок соединений, которые формируют встроенную часть 6. Такое отверстие или щель не уменьшают заметно теплопроводность. Как показано на Фиг. 7B и 7C, соответствующие теплопроводящие пленки имеют части 8111, 8121 и 8131 с высокой плотностью, в которых обеспечено относительно немного отверстий и щелей, и плотность проводника тепла высокая; и части 8112, 8122 и 8132 с низкой плотностью, в которых обеспечено относительного много отверстий и щелей, и плотность проводника тепла низкая. Желательно, чтобы проводник тепла продолжался в широком диапазоне. Из-за этого части 8111, 8121 и 8131 с высокой плотностью расположены в области ортогональной проекции электронного устройства 10, как возможно, и, следовательно, эффективность излучения тепла для тепла, созданного в электронном устройстве 10, может быть увеличена.
Удельная теплопроводность теплопроводящей пленки предпочтительно составляет 1,0 Вт/(м·K) или выше, или более предпочтительно 10 Вт/(м·K) или выше. Также желательно, чтобы теплопроводящая пленка имела более высокую удельную теплопроводность, чем удельная теплопроводность тела 20 основания. Обычно теплопроводящая пленка представляет собой металлическую пленку. Ее материал может использовать любой из различных металлических материалов, таких как золото, серебро, медь, алюминий и нержавеющая сталь. Если тело 20 основания использует многослойную керамику, желательно, чтобы использовался тугоплавкий металл, такой как вольфрам, молибден, титан или тантал. Для предотвращения увеличения толщины тела 20 основания, толщина теплопроводящей пленки предпочтительно меньше, чем по меньшей мере толщина T4 тела 40 рамки, или толщина теплопроводящей пленки более предпочтительно составляет 1/10 от толщины T4 тела 40 рамки или меньше. Если используется теплопроводящая пленка, имеющая более высокую удельную теплопроводность, чем удельная теплопроводность тела 20 основания, то толщина может быть 0,1 мм или меньше. Как описано выше, поскольку используются тело 40 рамки для переноса тепла и тонкая теплопроводящая пленка, встроенная в тело 20 основания, по сравнению со структурой предшествующего уровня техники, в котором теплоизлучающая пластина встроена в тело 20 основания, может быть достигнуто как увеличение эффективности излучения тепла, так и уменьшение толщины.
Описан пример способа производства, относящегося к электронному компоненту 100. Фиг. с 8A по 10J представляют собой схематические виды в разрезе, выполненные вдоль линии A-a на Фиг. 1A и 1B.
Фиг. 8A показывает этап подготовки тела 20 основания. Как описано выше, в тело 20 основания интегрированы внутренние контакты 5, встроенная часть 6 и внешние контакты 7. Также тело 20 основания имеет часть-ступеньку 203, которая соединяет отправную часть-площадку 202 и верхнюю часть-площадку 204, а также имеет часть-ступеньку 201, которая соединяет отправную часть-площадку 202 и нижнюю часть-площадку 200. Внутренние контакты 5 обеспечены на отправной части-площадке 202.
Для такого тела 20 основания сырой лист, который формируется с помощью способа формирования листа, такого как способ ракельных ножей или каландро-валковый способ, перфорируется с помощью штампа пластины; множество таких перфорированных сырых листов накладываются; и, следовательно, формируется пластинчатый элемент из сырой керамики. Также сырой лист, который формируется подобным образом, перфорируется с помощью штампа рамки; множество таких перфорированных сырых листов накладываются; и, следовательно, формируется элемент рамки из сырой керамики. Пластинчатый элемент и элемент рамки накладываются друг на друга и обжигаются. Соответственно, может быть изготовлена многослойная керамика с вогнутой формой. Внутренние контакты 5, встроенная часть 6 и внешние контакты 7 могут быть сформированы как одно целое с многослойной керамикой путем обработки-металлизации посредством обжигания рисунков из проводящей пасты, которые формируются способом трафаретной печати и т.д. во время этапа наложения сырых листов. Теплопроводящие пленки, описанные со ссылкой на Фиг. с 6A по 7D, могут быть сформированы подобным образом путем использования электропроводящей пасты.
В этом случае показаны первый слой 21, который представляет собой пластинчатый элемент из сырой керамики, второй слой 22, который представляет собой элемент рамки из сырой керамики с маленьким внутренним диаметром, и третий слой 23, который представляет собой элемент рамки из сырой керамики с большим внутренним диаметром до обжигания. Поскольку штамп рамки второго слоя 22 и штамп рамки третьего слоя 23 имеют различные внутренние диаметры, отправная часть-площадка 202 может быть легко сформирована. Если тело 20 основания не имеет нижней части-площадки 200, как показано на Фиг. 3A и 3B, то тело 20 основания может не быть сформировано из двух видов (двух слоев) элементов рамки, но может быть сформировано из одного вида элемента рамки в примере, показанном на Фиг. 3A и 3B. Соответственно, поскольку штамп рамки для перфорирования может быть одного вида, стоимость может быть уменьшена. Внутренний диаметр DBI и внешний диаметр DBO части-ступеньки 203 тела 20 основания должным образом определяются в соответствии с размером электронного устройства, которое должно быть установлено.
Фиг. 8B показывает этап b соединения тела 20 основания и тела 40 рамки. Подготавливается сформированное тело 40 рамки. Предполагается, что DFI является внутренним диаметром тела 40 рамки, а DFO является внешним диаметром тела 40 рамки. В материалах настоящей заявки связь между размерами тела 20 основания и тела 40 рамки такая DBI<DFI. Также, DBO<DFO. Желательно, чтобы поверхности тела 40 рамки имели шероховатость посредством пескоструйной обработки. Клеящее вещество 510 наносится по меньшей мере на одно из верхней части-площадки 204 тела 20 основания и на поверхность 401 соединения тела 40 рамки. Как показано на Фиг. 8B, желательно, чтобы клеящее вещество 510 наносилось только на поверхность 401 соединения тела 40 рамки. Тело 40 рамки более плоское, чем тело 20 основания, и, следовательно, наносимое количество клеящего вещества 510 может легко контролироваться. Как описано выше, клеящее вещество 510 обычно представляет собой термореактивную смолу. Нанесение клеящего вещества 510 может использовать печать, распыление и т.д.
Фиг. 8C показывает этап c скрепления тела 20 основания и тела 40 рамки. Тело 40 рамки устанавливается на верхнюю часть-площадку 204 тела 20 основания. В материалах настоящей заявки часть-ступенька 203 тела 20 основания расположена на стороне внутренних контактов 5 относительно внутреннего края 403 тела 40 рамки. Величина сдвига DOS между частью-ступенькой 203 и внутренним краем 403 в это время зависит от разницы между внутренним диаметром DFI и внутренним диаметром DBI. Обычно устанавливается DOS=(DFI-DBI)/2.
Соответственно, как описано со ссылкой на Фиг. 4A, лицевая область, обращенная к телу 40 рамки, и нелицевая область, имеющая ширину, соответствующую величине сдвига DOS и не обращенная к телу 40 рамки, сформированы на верхней части-площадке 204. Конечно, клеящее вещество 510 жидкое в это время. Когда тело 40 рамки прижимается к телу 20 основания вследствие собственного веса тела 40 рамки или давления, избыток клеящего вещества 510 выступает из места между телом 40 рамки и телом 20 основания. Избыточное выдавленное клеящее вещество 510 удерживается на сформированной нелицевой области и посредством поверхностного натяжения на границе между верхней частью-площадкой 204 и частью-ступенькой 203, и предотвращается прилипание клеящего вещества 510 к внутренним контактам 5. Как описано выше со ссылкой на Фиг. 8B, клеящее вещество 510 может быть нанесено на тело 20 основания. Однако, если клеящее вещество 510 наносится на тело 20 основания, то клеящее вещество 510 может быть нанесено на область, которая должна быть нелицевой областью, до того как тело 40 основания размещено; или клеящее вещество 510 может не быть нанесено на область, которая должна быть лицевой областью. Чтобы избежать такой ситуации, желательно, чтобы клеящее вещество 510 наносилось на тело 40 рамки вместо тела 20 основания.
Затем нанесенное клеящее вещество 510 отверждается подходящим способом. Подходящее клеящее вещество 510 представляет собой термореактивную смолу, которая отверждается путем нагревания. Соответственно, жидкое клеящее вещество 510 становится твердым связывающим материалом 51, и тело 40 рамки и тело 20 основания скрепляются с помощью связывающего материала 51. Таким образом может быть произведен монтажный элемент 24, включающий в себя тело 40 рамки и тело 20 основания.
Фиг. 9D показывает этап d прикрепления электронного устройства 10 к телу 20 основания. Электронное устройство 10 имеет электроды 3. Клеящее вещество 520, такое как паста для присоединения кристалла, наносится по меньшей мере на одно из нижней части-площадки 200 тела 20 основания и задней поверхности 102 электронного устройства 10 (обычно только на нижнюю часть-площадку 200 тела 20 основания). Затем электронное устройство 10 помещается на клеящее вещество 520. Затем, как показано на Фиг. 9E, клеящее вещество 520 отверждается, образуется связывающий материал 52, и, следовательно, электронное устройство 10 и тело 20 основания скрепляются. Фиг. 9E показывает состояние после того, как электронное устройство 10 и тело 20 основания были скреплены.
Фиг. 9E показывает этап e электрического соединения электронного устройства 10 с телом 20 основания. В этом примере используется соединение методом проволочного монтажа. Один конец металлической проволоки, подаваемой из дистального конца капилляра 345, соединяется с соответствующим электродом 3, и затем другой конец металлической проволоки соединяется с соответствующим внутренним контактом 5. Металлическая проволока образует соединительный проводник 4. Если используется соединение методом перевернутого кристалла, столбиковый вывод может служить в качестве связывающего материала 52 и соединительного проводника 4. В материалах настоящей заявки тело 20 основания имеет конфигурацию, в которой электронное устройство 10 обеспечено на нижней части-площадке 200, а отправная часть-площадка 202, снабженная внутренними контактами 5, расположена над нижней частью-площадкой 200. Из-за этого область, в которой капилляр 345 может пересекаться с частью-ступенькой 203, верхней частью-площадкой 204 и электронным устройством 10, может быть уменьшена. Таким образом, электронный компонент 100 может быть уменьшен в размере.
Фиг. 9F показывает этап f присоединения тела 30 крышки к телу 40 рамки. Фиг. 9F показывает состояние после того, как все внутренние контакты 5 и все электроды 3 соединены с помощью соединительных проводников 4. Клеящее вещество 530 наносится по меньшей мере на одну из поверхности 402 соединения тела 40 рамки и поверхности соединения (в этом примере внутреннюю поверхность 302) тела 30 крышки. Как показано на Фиг. 9F, желательно, чтобы клеящее вещество 530 наносилось только на поверхность 401 соединения тела 40 рамки. Тело 40 рамки более плоское, чем тело 30 крышки, и, следовательно, наносимое количество клеящего вещества 530 может легко контролироваться. Как описано выше, клеящее вещество 530 обычно представляет собой фотоотверждаемую смолу. Нанесение клеящего вещества 530 может использовать печать, распыление и т.д.
Также Фиг. 9G показывает этап g прикрепления тела 30 крышки к телу 40 рамки. Тело 30 крышки устанавливается на тело 40 рамки. Конечно, клеящее вещество 530 жидкое в это время. Когда тело 30 крышки прижимается к телу 40 рамки вследствие собственного веса тела 30 крышки или давления, избыток клеящего вещества 530 выступает из места между телом 40 рамки и телом 30 крышки. Затем нанесенное клеящее вещество 530 отверждается подходящим способом. Соответственно, жидкое клеящее вещество 530 становится твердым связывающим материалом 53, и тело 40 рамки и тело 30 крышки скрепляются с помощью связывающего материала 53. Фотоотверждаемая смола используется в качестве клеящего вещества 530 по следующей причине. Когда клеящее вещество 530 наносится по всей окружности поверхности соединения, если используется термореактивное клеящее вещество в качестве клеящего вещества 530, внутреннее пространство 60 может термически расшириться при нагревании, и жидкое клеящее вещество 530 может быть вытолкнутого вследствие внутреннего давления. Если используется фотоотверждаемое клеящее вещество, такое явление не происходит. Если фотоотверждаемое клеящее вещество полуотверждается фотоотверждением, дополнительное отверждение под действием тепла может использоваться для последующего отверждения. Для того чтобы должным образом использовать фотоотверждаемое клеящее вещество 510, желательно, чтобы тело 30 крышки имело достаточное оптическое пропускание для волн, с которыми клеящее вещество 510 вступает в реакцию, например, для ультрафиолетового излучения. Таким образом может быть произведен электронный компонент 100.
Фиг. 10H показывает способ производства электронного модуля 600. Подготавливается элемент 500 с межсоединениями для дополнительной установки электронного компонента 100, произведенного как описано выше. Элемент с межсоединениями представляет собой, например, жесткую монтажную плату, гибкую монтажную плату или жестко-гибкую монтажную плату, и обычно представляет собой печатную монтажную плату. Припойная паста 80 (паяльная паста) наносится на соединительные контакты 9 элемента 500 с межсоединениями известным способом, таким как трафаретная печать. Затем электронный компонент 100 устанавливается на элемент 500 с межсоединениями, и припойная паста 80 помещается между соединительными контактами 9 и внешними контактами 7.
Также Фиг. 10I показывает способ производства электронного модуля 600. Электронный компонент 100 и элемент 500 с межсоединениями помещаются в печь (печь для оплавления припоя), припойная паста 80 нагревается при температурах в диапазоне от примерно 180°C до 250°C, и формируется припой, служащий в качестве соединительных проводников 8. Таким образом, электронный компонент 100 прикрепляется к элементу 500 с межсоединениями с помощью пайки оплавлением припоя. Таким образом может быть произведен электронный модуль 600, включающий в себя электронный компонент 100 и элемент 500 с межсоединениями. Следует отметить, что электронный компонент, отличный от электронного компонента 100, например, компонент интегральной схемы, дискретный компонент и т.д., могут быть установлены на элемент 500 с межсоединениями.
Фиг. 10J показывает электронное устройство 1000. Элемент 500 с межсоединениями электронного модуля 600 соединен с внешней схемой 700. Внешняя схема представляет собой, например, процессор или память. Внешняя схема может быть компонентом интегральной схемы. Другой электронный компонент 800, такой как дисплей, соединен с внешней схемой. Эти компоненты и схемы вмещаются в общий корпус 900, и таким образом может быть произведено электронное устройство 1000. Выступающая часть 404 для излучения тепла, обеспеченную в электронном компоненте 100, термически соединена с общим корпусом 900 или радиатором, который обеспечен в общем корпусе 900. Соответственно, тепло, образованное в электронном устройстве, излучается наружу через выступающую часть 404. Если внешние контакты 7 расположены в области ортогональной проекции тела 30 крышки на теле 20 основания, то может быть трудно излучать тепло из области ортогональной проекции электронного устройства 10 на теле 20 основания. Это из-за того, что элемент 500 с межсоединениями, с которым соединены внешние контакты 7, обычно имеет низкую теплопроводность. Следовательно, желательно, чтобы тепло излучалось через тело 40 рамки.
Как описано выше, могут быть произведены монтажный элемент 24, электронный компонент 100, электронный модуль 600 и электронное устройство 1000.
ПРИМЕР
В дальнейшем будет описан пример настоящего изобретения. Был изготовлен электронный компонент 100, показанный на Фиг. 2A и 2B. Электронный компонент 100 имеет прямоугольную пластинчатую форму, при этом направление X является направлением длинной стороны, а направление Y является направлением короткой стороны.
Для электронного компонента 100 было подготовлено прямоугольное вогнутое тело 20 основания, в котором были наложены три керамических слоя из оксида алюминия с различными формами. Удельная теплопроводность керамики из оксида алюминия составляет 14 Вт/(м·K). В теле 20 основания толщина пластинообразного первого слоя составляет 0,8 мм, толщина рамообразного второго слоя (высота части-ступеньки 201) составляет 0,4 мм, и толщина рамообразного третьего слоя 23 (высота части-ступеньки 203) составляет 0,2 мм.
Внешний диаметр первого слоя 21 в направлении X составляет 32,0 мм. Внешний диаметр первого слоя 21 в направлении Y составляет 26,4 мм. Внешний диаметр второго слоя 22 в направлении X составляет 32,0 мм, а его внутренний диаметр составляет 26,2 мм (ширина его рамки составляет 2,9 мм). Внешний диаметр второго слоя 22 в направлении Y составляет 26,4 мм, а его внутренний диаметр составляет 19,6 мм (ширина его рамки составляет 3,4 мм). Внешний диаметр третьего слоя 23 в направлении X составляет 32,0 мм, а его внутренний диаметр составляет 26,2 мм (ширина его рамки составляет 2,9 мм). Внешний диаметр (соответствующий DBO) третьего слоя 23 в направлении Y составляет 26,4 мм, а его внутренний диаметр (соответствующий DBI) составляет 21,4 мм (его толщина рамки составляет 2,5 мм). Ширина в направлении Y отправной части-площадки 202, снабженной внутренними контактами 5, составляет 0,9 мм.
Внутренние контакты 5 и внешние контакты 7 каждый используют многослойную пленку, в которой электроосаждение золота производится на никелевую основу. Обеспечены внешние контакты 7 LGA типа и 125 внешних контактов 7.
Затем был подготовлено тело 40 рамки, выполненное из SUS430 (18% хромистой нержавеющей стали), которое является ферритной нержавеющей сталью, и термореактивная смола была нанесена в качестве клеящего вещества 510 на одну поверхность тела 40 рамки путем трафаретной печати. Удельная теплопроводность SUS430 составляет 26 Вт/(м·K). Затем тело 40 рамки было установлено на верхнюю часть-площадку 204 тела 20 основания, и было приложено давление. Давление было отрегулировано таким образом, что толщина термореактивной смолы была в диапазоне от 10 до 50 мкм. Затем было применено тепло при температурах в диапазоне от примерно 120°C до 150°C, и таким образом термореактивная смола в качестве клеящего вещества 510 была отверждена. Для увеличения силы сцепления с термореактивной смолой поверхности тела 40 рамки были обработаны пескоструйным аппаратом, чтобы получить шероховатость Ra в диапазоне от примерно 0,1 до 0,2 мкм, и таким образом шероховатость была нанесена на переднюю поверхность. Толщина тела 40 рамки составляет 0,8 мм, его внешний диаметр в направлении X составляет 42,0 мм (во внешнем диаметре ширины выступающих частей 404, обеспеченных на левой стороне и правой стороне, составляют для каждого 4,5 мм), а его внутренний диаметр составляет 27,4 мм. Внешний диаметр тела 40 рамки в направлении Y составляет 27,4 мм, а его внутренний диаметр составляет 22,6 мм. В это время расстояние сдвига между внутренним краем 403 тела 40 рамки и частью-ступенькой 203 тела 20 основания было 0,60 мм с каждой из левой стороны и правой стороны в направлении X, и 0,60 мм в каждой из верхней стороны и нижней стороны в направлении Y. Поскольку внутренний край 403 больше, чем часть-ступенька 203, вся окружность внутреннего края 403 расположена на внешнем краю части-ступеньки 203 (на стороне внешнего края 205). Также тело 40 рамки выступает по отношению к внешнему краю 205 тела 20 основания на 0,50 мм минимум и 5,0 мм максимум (в соответствии с выступающей частью 404) на каждой из левой стороны и правой стороны в направлении X, и выступает на 0,50 мм на каждой из верхней стороны и нижней стороны в направлении Y. То есть, W4 в направлении X составляет минимум 0,50 мм, и составляет 5,0 мм у выступающей части 404. Таким образом, W4>W2. Поскольку внешний край 405 больше, чем внешний край 205, вся окружность внешнего края 405 расположена на внешней стороне внешнего края 205 (на стороне внешнего края 205). Длина W2 первого участка 410 составляет 2,3 мм в направлении X и 1,9 мм в направлении Y. Таким образом, получен монтажный элемент 24. T4<W2 удовлетворяется в направлении X и направлении Y. T4<W2<W4 удовлетворяется в направлении X. T4>W4 устанавливается в направлении Y.
Затем КМОП датчик изображения с размером так называемой улучшенной фотосистемы типа C (APS-C) была подготовлена в качестве электронного устройства 10. Внешний диаметр электронного устройства 10 в направлении Y составляет 18,0 мм, а его толщина составляет 0,75 мм. Удельная теплопроводность электронного устройства 10, основной материал которого составляет кремний, может рассматриваться как 160 Вт/(м·K), а коэффициент теплового расширения может рассматриваться как 2,5 миллионных долей/К. Это электронное устройство было закреплено с помощью термического отверждения, по существу, в центре тела 20 основания путем использования клеящего вещества 520, которое представляло собой черное клеящее вещество для крепления кристалла. Затем электроды 3 и внутренние контакты 5, обеспеченные в периферической области кристалла, были электрически соединены металлическими проволоками с использованием устройства проволочного монтажа. Расстояние между внешним краем 105 электронного устройства 10 и внутренним краем 403 тела 40 рамки составляет 1,5 мм в направлении X и 2,3 мм (в соответствии с DCF) в направлении Y. Также расстояние между электронным устройством 10 частью-ступенькой 203 составляет 0,9 мм в направлении X и 1,7 мм в направлении Y. Расстояние DCT между внутренними контактами 5 и внешним краем 105 электронного устройства 10 было 0,8 мм.
Затем непроницаемый для α-лучей пластинчатый элемент, выполненный из кварцевого стекла с толщиной 0,5 мм, был подготовлен в качестве тела 30 крышки. Удельная теплопроводность кварцевого стекла обычно составляет около 1,4 Вт/(м·K). Размер в направлении X тела 30 крышки составляет 31,8 мм, а его размер в направлении Y составляет 26,3 мм. Размеры по существу соответствуют внешнему диаметру тела 20 основания. Отверждаемая под воздействием ультрафиолета смола была нанесена в качестве клеящего вещества 530 в форме рамки на одну поверхность тела 30 крышки с помощью дозатора, тело 30 крышки было установлено на тело 40 рамки, так что поверхность с нанесенным клеящим веществом 530 обращена к поверхности 402 соединения тела 40 рамки, и было применено должное давление. В это время сферические частицы в качестве прокладок, каждая из которых имеет диаметр 30 мкм, были перемешаны в клеящем веществе 530, и толщина клеящего вещества была около 30 мкм. В это время было обнаружено, что клеящее вещество 530 выступило из положения между телом 30 крышки и телом 40 рамки. Затем ультрафиолетовые лучи были пропущены через тело 30 крышки, и, следовательно, фотоотверждающая обработка была выполнена. Кроме того, в качестве последующего отверждения была выполнена термоотверждающая обработка, чтобы сделать твердым клеящее вещество 530, и таким образом был образован связывающий материал 53. Расстояние между передней поверхностью 101 электронного устройства 10 и внутренней поверхностью 302 тела 30 крышки составляло 0,75 мм. Таким образом, получен электронный компонент 100 с толщиной 2,8 мм.
Затем, был подготовлен элемент 500 с межсоединениями некоторого размера, припойная паста 80 была нанесена посредством печати на соединительные контакты 9 элемента 500 с межсоединениями, припойная паста 80 была расплавлена в печи для плавления припоя, и таким образом электронный компонент 100 был прикреплен к элементу 500 с межсоединениями. Таким образом, получен электронный модуль 600 (модуль захвата изображения).
Электронный модуль 600 был вмещен в общий корпус и был прикреплен к общему корпусу путем привинчивания с использованием сквозного отверстия 406 выступающей части 404 электронного компонента 100, так что выступающую часть 404 соприкасается с общим корпусом. Таким образом, была изготовлена камера как электронное устройство 1000. Когда камера работала, температура устройства захвата изображения увеличивалась до примерно 70°C. Однако, было распознано, что тепло от электронного устройства 10 излучалось в общий корпус через выступающую часть 404, и хорошее изображение могло быть получено в течение длительного времени.
Затем путем использования тела 20 основания, содержащего теплопроводящие пленки, как показано на Фиг. 6A и 6B, были изготовлены электронный компонент 100 и электронное устройство 1000. В теле 20 основания вольфрамовая паста, нанесенная в виде рисунка на сырой лист, была обожжена и, следовательно, керамика была металлизирована. Следовательно, вольфрамовая пленка, служащая в качестве тепло- и электропроводящей пленки, сформирована как одно целое с телом 20 основания. Удельная теплопроводность вольфрамовой пленки, полученной обжигом вольфрамовой пасты, ниже, чем удельная теплопроводность (173 Вт/(м·K)) вольфрама; однако составляет 50 Вт/(м·K) или выше, и она выше, чем удельная теплопроводность тела 20 основания, которое представляет собой керамику из оксида алюминия. Толщина вольфрамовой пленки, служащей в качестве теплопроводящей пленки, составляет 10 мкм. Первая теплопроводящая пленка 811, вторая теплопроводящая пленка 812, третья теплопроводящая пленка 813 и четвертая теплопроводящая пленка 814 были размещены в два слоя в пластинообразном первом слое 21. Также встроенная часть 6 была подобным образом сформирована с помощью использования вольфрамовой пасты. Первая теплопроводящая пленка 811 и третья теплопроводящая пленка 813 продолжаются от положения непосредственно под областью 210 размещения в диапазоне 1,0 мм или меньше от внешнего края 205 тела 20 основания, и имеют площадь, которая составляет по меньшей мере половину площади электронного устройства 10. Следовательно, первая теплопроводящая пленка 811 и третья теплопроводящая пленка 813 продолжаются изнутри области ортогональной проекции электронного устройства 10 внутрь области ортогональной проекции тела 40 рамки. Вольфрамовая пленка каждой теплопроводящей пленки достаточно тонкая по сравнению с толщиной (0,8 мм) тела 40 рамки. Если обеспечены два слоя вольфрамовых пленок, то толщина первого слоя 21 тела 20 основания существенно не меняется от вышеописанной толщины 0,8 мм. Может быть получен тонкий электронный компонент 100. Также тело 30 крышки использовал боросиликатное стекло, имеющее размеры, эквивалентные размерам описанного выше пластинчатого элемента, выполненного из кварцевого стекла и имеющего удельную теплопроводность 1,2 Вт/(м·K). Камера была изготовлена подобно описанной выше камере, и был осуществлен захват видео. В результате хорошие изображения могли стабильно быть получены в течение длительного времени.
Несмотря на то, что настоящее изобретение было описано со ссылкой на примерные варианты осуществления, должно быть понятно, что изобретение не ограничено раскрытыми примерными вариантами осуществления. Объем последующей формулы изобретения должен соответствовать самому широкому толкованию, для того чтобы охватывать все такие модификации и эквивалентные конструкции и функции.
Claims (20)
1. Электронный компонент для отвода тепла, содержащий:
корпус, который вмещает электронное устройство,
при этом корпус включает в себя
тело основания, к которому прикреплено электронное устройство,
тело крышки, которое обращено к электронному устройству, и
тело рамки, которое охватывает по меньшей мере одно из пространства между электронным устройством и телом крышки и электронного устройства,
причем тело рамки имеет первый участок, расположенный на стороне внутреннего края тела рамки по отношению к внешнему краю тела основания, и второй участок, расположенный на стороне внешнего края тела рамки по отношению к внешнему краю тела основания, в направлении от внутреннего края тела рамки к внешнему краю тела рамки,
причем второй участок имеет более большую длину в упомянутом направлении, чем длина первого участка в упомянутом направлении,
причем толщина первого участка меньше, чем длина первого участка в упомянутом направлении, и
причем тело основания и тело рамки имеют более высокую удельную теплопроводность, чем удельная теплопроводность тела крышки.
корпус, который вмещает электронное устройство,
при этом корпус включает в себя
тело основания, к которому прикреплено электронное устройство,
тело крышки, которое обращено к электронному устройству, и
тело рамки, которое охватывает по меньшей мере одно из пространства между электронным устройством и телом крышки и электронного устройства,
причем тело рамки имеет первый участок, расположенный на стороне внутреннего края тела рамки по отношению к внешнему краю тела основания, и второй участок, расположенный на стороне внешнего края тела рамки по отношению к внешнему краю тела основания, в направлении от внутреннего края тела рамки к внешнему краю тела рамки,
причем второй участок имеет более большую длину в упомянутом направлении, чем длина первого участка в упомянутом направлении,
причем толщина первого участка меньше, чем длина первого участка в упомянутом направлении, и
причем тело основания и тело рамки имеют более высокую удельную теплопроводность, чем удельная теплопроводность тела крышки.
2. Электронный компонент по п. 1, дополнительно содержащий:
теплопроводящий элемент, обеспеченный на стороне, противоположной стороне тела крышки по отношению к электронному устройству, при этом теплопроводящий элемент продолжается изнутри области ортогональной проекции электронного устройства наружу области ортогональной проекции электронного устройства, теплопроводящий элемент имеет более высокую удельную теплопроводность, чем удельная теплопроводность тела основания,
причем толщина теплопроводящего элемента меньше, чем толщина первого участка.
теплопроводящий элемент, обеспеченный на стороне, противоположной стороне тела крышки по отношению к электронному устройству, при этом теплопроводящий элемент продолжается изнутри области ортогональной проекции электронного устройства наружу области ортогональной проекции электронного устройства, теплопроводящий элемент имеет более высокую удельную теплопроводность, чем удельная теплопроводность тела основания,
причем толщина теплопроводящего элемента меньше, чем толщина первого участка.
3. Электронный компонент по п. 2, в котором теплопроводящий элемент продолжается внутрь области ортогональной проекции тела рамки.
4. Электронный компонент по п. 1, в котором тело рамки имеет удельную теплопроводность, которая выше удельной теплопроводности тела основания.
5. Электронный компонент по п. 1, в котором первый участок и второй участок выполнены из металла.
6. Электронный компонент по п. 1, в котором второй участок имеет сквозное отверстие.
7. Электронный компонент по п. 1, в котором тело основания представляет собой пакет керамических слоев.
8. Электронный компонент по п. 1, в котором удельная теплопроводность тела основания и удельная теплопроводность тела рамки составляют по меньшей мере 10 Вт/(м·К).
9. Электронный компонент по п. 1,
в котором тело основания включает в себя
верхнюю часть-площадку, к которой прикреплено тело рамки, и
нижнюю часть-площадку, которая утоплена по отношению к верхней части-площадке,
причем электронное устройство прикреплено к нижней части-площадке.
в котором тело основания включает в себя
верхнюю часть-площадку, к которой прикреплено тело рамки, и
нижнюю часть-площадку, которая утоплена по отношению к верхней части-площадке,
причем электронное устройство прикреплено к нижней части-площадке.
10. Электронный компонент по п. 9, в котором внутренний край тела рамки расположен на стороне внешнего края тела основания по отношению к части-ступеньке, расположенной между верхней частью-площадкой и нижней частью-площадкой.
11. Электронный компонент по п. 9, дополнительно содержащий теплопроводящий элемент, расположенный между частью-ступенькой, которая расположена между верхней частью-площадкой и нижней частью-площадкой, и внешним краем электронного устройства, при этом теплопроводящий элемент контактирует с частью-ступенькой и внешним краем электронного устройства, теплопроводящий элемент имеет более высокую удельную теплопроводность, чем удельная теплопроводность тела основания.
12. Электронный компонент по п. 9,
в котором корпус включает в себя
внутренний контакт, электрически соединенный с электронным устройством, и
внешний контакт, электрически продолжающийся от внутреннего контакта,
в котором тело основания дополнительно включает в себя среднюю часть-площадку, расположенную между верхней частью-площадкой и нижней частью-площадкой, и
при этом внутренний контакт расположен на средней части-площадке.
в котором корпус включает в себя
внутренний контакт, электрически соединенный с электронным устройством, и
внешний контакт, электрически продолжающийся от внутреннего контакта,
в котором тело основания дополнительно включает в себя среднюю часть-площадку, расположенную между верхней частью-площадкой и нижней частью-площадкой, и
при этом внутренний контакт расположен на средней части-площадке.
13. Электронный компонент по п. 2, в котором теплопроводящий элемент обеспечен в теле основания.
14. Электронный компонент по п. 2, в котором теплопроводящий элемент имеет толщину 0,1 мм или меньше.
15. Электронный компонент по п. 1,
в котором первый участок имеет толщину в диапазоне от 0,2 мм до 2,0 мм и
в котором первый участок имеет длину в упомянутом направлении в диапазоне от 0,5 мм до 5,0 мм.
в котором первый участок имеет толщину в диапазоне от 0,2 мм до 2,0 мм и
в котором первый участок имеет длину в упомянутом направлении в диапазоне от 0,5 мм до 5,0 мм.
16. Электронный компонент по п. 1, в котором тело рамки охватывает упомянутое пространство и электронное устройство.
17. Электронный компонент по п. 1, в котором электронное устройство представляет собой устройство захвата изображения.
18. Электронный компонент для отвода тепла, содержащий:
корпус, который вмещает электронное устройство,
при этом корпус включает в себя
тело основания, к которому прикреплено электронное устройство,
тело крышки, которое обращено к электронному устройству, и
тело рамки, которое охватывает по меньшей мере одно из пространства между электронным устройством и телом крышки и электронного устройства,
внутренний контакт, электрически соединенный с электронным устройством, и
внешний контакт, электрически продолжающийся от внутреннего контакта,
причем внешний контакт расположен в области ортогональной проекции тела крышки,
причем тело рамки имеет первый участок, расположенный на стороне внутреннего края тела рамки по отношению к внешнему краю тела основания, и второй участок, расположенный на стороне внешнего края тела рамки по отношению к внешнему краю тела основания, в направлении от внутреннего края тела рамки к внешнему краю тела рамки,
причем второй участок имеет более большую длину в упомянутом направлении, чем длина первого участка в упомянутом направлении, и
причем тело рамки имеет более высокую удельную теплопроводность, чем удельная теплопроводность тела основания.
корпус, который вмещает электронное устройство,
при этом корпус включает в себя
тело основания, к которому прикреплено электронное устройство,
тело крышки, которое обращено к электронному устройству, и
тело рамки, которое охватывает по меньшей мере одно из пространства между электронным устройством и телом крышки и электронного устройства,
внутренний контакт, электрически соединенный с электронным устройством, и
внешний контакт, электрически продолжающийся от внутреннего контакта,
причем внешний контакт расположен в области ортогональной проекции тела крышки,
причем тело рамки имеет первый участок, расположенный на стороне внутреннего края тела рамки по отношению к внешнему краю тела основания, и второй участок, расположенный на стороне внешнего края тела рамки по отношению к внешнему краю тела основания, в направлении от внутреннего края тела рамки к внешнему краю тела рамки,
причем второй участок имеет более большую длину в упомянутом направлении, чем длина первого участка в упомянутом направлении, и
причем тело рамки имеет более высокую удельную теплопроводность, чем удельная теплопроводность тела основания.
19. Электронный компонент по п. 18,
в котором тело основания включает в себя
верхнюю часть-площадку, к которой прикреплено тело рамки, и
нижнюю часть-площадку, которая утоплена по отношению к верхней части-площадке,
среднюю часть-площадку, расположенную между верхней частью-площадкой и нижней частью-площадкой,
при этом внутренний контакт расположен на средней части-площадке, и
причем электронное устройство прикреплено к нижней части-площадке.
в котором тело основания включает в себя
верхнюю часть-площадку, к которой прикреплено тело рамки, и
нижнюю часть-площадку, которая утоплена по отношению к верхней части-площадке,
среднюю часть-площадку, расположенную между верхней частью-площадкой и нижней частью-площадкой,
при этом внутренний контакт расположен на средней части-площадке, и
причем электронное устройство прикреплено к нижней части-площадке.
20. Электронное устройство захвата изображения, содержащее
электронный компонент по любому из пп. 1-19 и общий корпус, который вмещает электронный компонент.
электронный компонент по любому из пп. 1-19 и общий корпус, который вмещает электронный компонент.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012103827 | 2012-04-27 | ||
| JP2012-103827 | 2012-04-27 | ||
| JP2013039451A JP5885690B2 (ja) | 2012-04-27 | 2013-02-28 | 電子部品および電子機器 |
| JP2013-039451 | 2013-02-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013116880A RU2013116880A (ru) | 2014-10-20 |
| RU2573252C2 true RU2573252C2 (ru) | 2016-01-20 |
Family
ID=48143074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013116880/08A RU2573252C2 (ru) | 2012-04-27 | 2013-04-12 | Электронный компонент и электронное устройство |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9253922B2 (ru) |
| EP (1) | EP2657964B1 (ru) |
| JP (1) | JP5885690B2 (ru) |
| CN (1) | CN103378013B (ru) |
| BR (1) | BR102013010101A2 (ru) |
| RU (1) | RU2573252C2 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020067927A1 (ru) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | Алексей Викторович ШТОРМ | Способ охлаждения модулей экрана через несущую поверхность |
| RU198076U1 (ru) * | 2020-02-07 | 2020-06-17 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Теплоотвод из композита алюминий-карбид кремния |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6357784B2 (ja) * | 2014-02-03 | 2018-07-18 | 株式会社ニコン | 撮像ユニット及び撮像装置 |
| JP2016076669A (ja) * | 2014-10-09 | 2016-05-12 | クラスターテクノロジー株式会社 | 半導体素子実装パッケージおよびその製造方法、ならびに当該パッケージ製造のための基板プレート |
| DE102015001148B4 (de) * | 2015-01-30 | 2019-04-11 | e.solutions GmbH | Anordnung und Verfahren zur elektromagnetischen Abschirmung |
| US9679941B2 (en) | 2015-03-17 | 2017-06-13 | Visera Technologies Company Limited | Image-sensor structures |
| JP6555942B2 (ja) * | 2015-06-15 | 2019-08-07 | キヤノン株式会社 | 電子モジュールの製造方法 |
| JP2018125319A (ja) * | 2015-06-18 | 2018-08-09 | ソニー株式会社 | モジュール、モジュールの製造方法、及び、電子機器 |
| ITUB20153344A1 (it) * | 2015-09-02 | 2017-03-02 | St Microelectronics Srl | Modulo di potenza elettronico con migliorata dissipazione termica e relativo metodo di fabbricazione |
| CN105374759A (zh) * | 2015-11-26 | 2016-03-02 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 集成电路封装用陶瓷四边无引线扁平封装外壳 |
| JP6649854B2 (ja) * | 2016-07-21 | 2020-02-19 | レノボ・シンガポール・プライベート・リミテッド | 電子機器 |
| US9918407B2 (en) * | 2016-08-02 | 2018-03-13 | Qualcomm Incorporated | Multi-layer heat dissipating device comprising heat storage capabilities, for an electronic device |
| JP6749053B2 (ja) * | 2016-08-19 | 2020-09-02 | 京セラ株式会社 | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 |
| JP2018046092A (ja) | 2016-09-13 | 2018-03-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| US9935144B1 (en) * | 2016-11-28 | 2018-04-03 | Omnivision Technologies, Inc. | System-in-package image sensor |
| JP6777118B2 (ja) * | 2018-06-15 | 2020-10-28 | 株式会社ニコン | 撮像ユニット及び撮像装置 |
| JP7134763B2 (ja) | 2018-07-23 | 2022-09-12 | キヤノン株式会社 | モジュール及びその製造方法 |
| US20220112610A1 (en) * | 2019-04-05 | 2022-04-14 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Covers for electronic devices |
| JP7406314B2 (ja) * | 2019-06-24 | 2023-12-27 | キヤノン株式会社 | 電子モジュール及び機器 |
| CN114127919A (zh) * | 2019-07-23 | 2022-03-01 | 索尼半导体解决方案公司 | 半导体封装、电子装置和制造半导体封装的方法 |
| US20230028070A1 (en) * | 2021-07-23 | 2023-01-26 | Absolics Inc. | Substrate comprising a lid structure, package substrate comprising the same and semiconductor device |
| US20230360990A1 (en) * | 2022-05-06 | 2023-11-09 | Microchip Technology Incorporated | Low-profile sealed surface-mount package |
| WO2024106011A1 (ja) * | 2022-11-17 | 2024-05-23 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体パッケージ、電子装置、および、半導体パッケージの制御方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2198949C2 (ru) * | 1999-03-16 | 2003-02-20 | Хитачи, Лтд. | Композитный материал, способ его получения, излучающая тепло панель для полупроводникового прибора, полупроводниковый прибор (варианты), диэлектрическая панель и электростатическое поглощающее устройство |
| RU2322729C1 (ru) * | 2006-06-16 | 2008-04-20 | Открытое акционерное общество "Донской завод радиодеталей" | Корпус полупроводникового прибора с высокой нагрузкой по току (варианты) |
| RU108263U1 (ru) * | 2011-04-11 | 2011-09-10 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Государственный Рязанский Приборный Завод" | Радиоэлектронный блок с системой охлаждения |
Family Cites Families (66)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3622419A (en) | 1969-10-08 | 1971-11-23 | Motorola Inc | Method of packaging an optoelectrical device |
| GB2007911B (en) * | 1977-10-12 | 1982-03-24 | Secr Defence | Methods of packaging microwave intergrated circuits and to microwave intergrated circiuted packages |
| JPS5478026A (en) * | 1977-12-05 | 1979-06-21 | Hitachi Ltd | Production of solid color image pickup unit |
| US4445274A (en) | 1977-12-23 | 1984-05-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of manufacturing a ceramic structural body |
| JPS62217640A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
| JPH0728014B2 (ja) * | 1986-05-21 | 1995-03-29 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| JPH02291153A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPH04123462A (ja) | 1990-09-14 | 1992-04-23 | Toshiba Corp | 半導体実装装置 |
| KR940002444B1 (ko) | 1990-11-13 | 1994-03-24 | 금성일렉트론 주식회사 | 반도체 소자의 패키지 어셈블리 방법 |
| JPH04207060A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| US5195023A (en) | 1991-12-23 | 1993-03-16 | At&T Bell Laboratories | Integrated circuit package with strain relief grooves |
| US5481136A (en) | 1992-10-28 | 1996-01-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor element-mounting composite heat-sink base |
| US5458716A (en) | 1994-05-25 | 1995-10-17 | Texas Instruments Incorporated | Methods for manufacturing a thermally enhanced molded cavity package having a parallel lid |
| MY112145A (en) | 1994-07-11 | 2001-04-30 | Ibm | Direct attachment of heat sink attached directly to flip chip using flexible epoxy |
| JP3493844B2 (ja) | 1994-11-15 | 2004-02-03 | 住友電気工業株式会社 | 半導体基板材料とその製造方法及び該基板を用いた半導体装置 |
| JPH09266268A (ja) | 1996-03-28 | 1997-10-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置のパッケージ |
| US6011294A (en) | 1996-04-08 | 2000-01-04 | Eastman Kodak Company | Low cost CCD packaging |
| JPH09283664A (ja) * | 1996-04-16 | 1997-10-31 | Toshiba Corp | 回路モジュールの冷却装置 |
| US5879786A (en) | 1996-11-08 | 1999-03-09 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Constraining ring for use in electronic packaging |
| JP3129275B2 (ja) | 1998-02-27 | 2001-01-29 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| JPH11354587A (ja) | 1998-06-08 | 1999-12-24 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 発振器のフリップチップ実装方法 |
| JP2001168443A (ja) | 1999-12-06 | 2001-06-22 | Kyocera Corp | 光半導体素子収納用パッケージ |
| JP2001308442A (ja) | 2000-04-27 | 2001-11-02 | Kyocera Corp | 光半導体素子収納用パッケージ |
| JP2002026187A (ja) | 2000-07-07 | 2002-01-25 | Sony Corp | 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法 |
| US6979595B1 (en) | 2000-08-24 | 2005-12-27 | Micron Technology, Inc. | Packaged microelectronic devices with pressure release elements and methods for manufacturing and using such packaged microelectronic devices |
| JP2002299486A (ja) | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Kyocera Corp | 光半導体素子収納用パッケージ |
| JP2003101042A (ja) | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Kyocera Corp | 光半導体素子収納用容器 |
| JP2003258141A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Nec Compound Semiconductor Devices Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
| JP3888228B2 (ja) | 2002-05-17 | 2007-02-28 | 株式会社デンソー | センサ装置 |
| DE10223035A1 (de) | 2002-05-22 | 2003-12-04 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil mit Hohlraumgehäuse, insbesondere Hochfrequenz-Leistungsmodul |
| JP2004003886A (ja) | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Matsushita Electric Works Ltd | センサパッケージ |
| US20040046247A1 (en) | 2002-09-09 | 2004-03-11 | Olin Corporation, A Corporation Of The Commonwealth Of Virginia | Hermetic semiconductor package |
| US7298046B2 (en) | 2003-01-10 | 2007-11-20 | Kyocera America, Inc. | Semiconductor package having non-ceramic based window frame |
| US7183485B2 (en) | 2003-03-11 | 2007-02-27 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic component assemblies having lead frames adapted to reduce package bow |
| US6953891B2 (en) | 2003-09-16 | 2005-10-11 | Micron Technology, Inc. | Moisture-resistant electronic device package and methods of assembly |
| KR100609012B1 (ko) | 2004-02-11 | 2006-08-03 | 삼성전자주식회사 | 배선기판 및 이를 이용한 고체 촬상용 반도체 장치 |
| JP4686134B2 (ja) | 2004-04-26 | 2011-05-18 | パナソニック株式会社 | 光学デバイスおよびその製造方法 |
| JP4473674B2 (ja) | 2004-08-06 | 2010-06-02 | パナソニック株式会社 | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
| JP2006245090A (ja) | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Konica Minolta Holdings Inc | 半導体用パッケージ及びその製造方法 |
| JP4455509B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2010-04-21 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
| JP2007208045A (ja) | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Sony Corp | 撮像装置、カメラモジュール、電子機器および撮像装置の製造方法 |
| JP2007242908A (ja) | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 電子部品収納用セラミックパッケージ |
| JP2008118585A (ja) | 2006-11-08 | 2008-05-22 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の電子部品 |
| JP2008130751A (ja) * | 2006-11-20 | 2008-06-05 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP2008147243A (ja) | 2006-12-06 | 2008-06-26 | Olympus Corp | 気密封止装置 |
| JP2008245244A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-10-09 | Sony Corp | 撮像素子パッケージ、撮像素子モジュールおよびレンズ鏡筒並びに撮像装置 |
| JP5115258B2 (ja) | 2008-03-17 | 2013-01-09 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電デバイスおよび電子機器 |
| US20100315938A1 (en) | 2008-08-14 | 2010-12-16 | Nanochip, Inc. | Low distortion package for a mems device including memory |
| US8058720B2 (en) | 2008-11-19 | 2011-11-15 | Mediatek Inc. | Semiconductor package |
| JP5315028B2 (ja) | 2008-12-04 | 2013-10-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 電子装置および電子装置の製造方法 |
| JP5454134B2 (ja) * | 2008-12-27 | 2014-03-26 | セイコーエプソン株式会社 | 振動片、振動子、センサー及び電子部品 |
| JP2010238821A (ja) | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Sony Corp | 多層配線基板、スタック構造センサパッケージおよびその製造方法 |
| JP2011077080A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Panasonic Corp | 固体撮像装置 |
| WO2011043493A1 (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-14 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| JP2011165745A (ja) | 2010-02-05 | 2011-08-25 | Mitsubishi Electric Corp | セラミックパッケージ |
| JP5550380B2 (ja) * | 2010-02-25 | 2014-07-16 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像装置 |
| DE102011018296B4 (de) | 2010-08-25 | 2020-07-30 | Snaptrack, Inc. | Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Bauelements |
| JP5399525B2 (ja) | 2011-06-29 | 2014-01-29 | シャープ株式会社 | 光学式測距装置および電子機器 |
| JP5588419B2 (ja) | 2011-10-26 | 2014-09-10 | 株式会社東芝 | パッケージ |
| KR20140128415A (ko) * | 2012-02-07 | 2014-11-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 촬상 유닛 및 촬상 장치 |
| US9653656B2 (en) | 2012-03-16 | 2017-05-16 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | LED packages and related methods |
| JP5904957B2 (ja) | 2013-02-28 | 2016-04-20 | キヤノン株式会社 | 電子部品および電子機器。 |
| JP6192312B2 (ja) | 2013-02-28 | 2017-09-06 | キヤノン株式会社 | 実装部材の製造方法および電子部品の製造方法。 |
| JP5851439B2 (ja) | 2013-03-07 | 2016-02-03 | 株式会社東芝 | 高周波半導体用パッケージ |
| US9668352B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-05-30 | Sumitomo Electric Printed Circuits, Inc. | Method of embedding a pre-assembled unit including a device into a flexible printed circuit and corresponding assembly |
| JP2014207313A (ja) | 2013-04-12 | 2014-10-30 | セイコーエプソン株式会社 | 電子部品、電子機器、および移動体 |
-
2013
- 2013-02-28 JP JP2013039451A patent/JP5885690B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-04-09 EP EP13162855.4A patent/EP2657964B1/en active Active
- 2013-04-12 RU RU2013116880/08A patent/RU2573252C2/ru active
- 2013-04-24 US US13/869,779 patent/US9253922B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-04-25 BR BRBR102013010101-0A patent/BR102013010101A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2013-04-27 CN CN201310150947.6A patent/CN103378013B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2198949C2 (ru) * | 1999-03-16 | 2003-02-20 | Хитачи, Лтд. | Композитный материал, способ его получения, излучающая тепло панель для полупроводникового прибора, полупроводниковый прибор (варианты), диэлектрическая панель и электростатическое поглощающее устройство |
| RU2322729C1 (ru) * | 2006-06-16 | 2008-04-20 | Открытое акционерное общество "Донской завод радиодеталей" | Корпус полупроводникового прибора с высокой нагрузкой по току (варианты) |
| RU108263U1 (ru) * | 2011-04-11 | 2011-09-10 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Государственный Рязанский Приборный Завод" | Радиоэлектронный блок с системой охлаждения |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020067927A1 (ru) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | Алексей Викторович ШТОРМ | Способ охлаждения модулей экрана через несущую поверхность |
| RU198076U1 (ru) * | 2020-02-07 | 2020-06-17 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Теплоотвод из композита алюминий-карбид кремния |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103378013B (zh) | 2016-10-05 |
| BR102013010101A2 (pt) | 2015-06-16 |
| US9253922B2 (en) | 2016-02-02 |
| JP2013243341A (ja) | 2013-12-05 |
| JP5885690B2 (ja) | 2016-03-15 |
| EP2657964A2 (en) | 2013-10-30 |
| US20130286592A1 (en) | 2013-10-31 |
| RU2013116880A (ru) | 2014-10-20 |
| EP2657964A3 (en) | 2015-07-29 |
| EP2657964B1 (en) | 2020-06-10 |
| CN103378013A (zh) | 2013-10-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2573252C2 (ru) | Электронный компонент и электронное устройство | |
| US9155212B2 (en) | Electronic component, mounting member, electronic apparatus, and their manufacturing methods | |
| US9220172B2 (en) | Electronic component, electronic module, their manufacturing methods, mounting member, and electronic apparatus | |
| US9585287B2 (en) | Electronic component, electronic apparatus, and method for manufacturing the electronic component | |
| KR101814546B1 (ko) | 전자 소자 실장용 기판 및 전자 장치 | |
| US9596751B2 (en) | Substrate for mounting electronic element and electronic device | |
| US9225882B2 (en) | Electronic component packaging that can suppress noise and electronic apparatus | |
| JP5913284B2 (ja) | 光学モジュール及び支持板を持つ装置 | |
| US9576877B2 (en) | Electronic component, electronic device, method of manufacturing mounted member, and method of manufacturing electronic component | |
| JP2016122723A (ja) | 電子素子実装用基板および電子装置 | |
| KR101139368B1 (ko) | 카메라 모듈 | |
| JP7059237B2 (ja) | 電子部品、電子モジュールおよびこれらの製造方法 | |
| JP2005242242A (ja) | 画像センサパッケージおよびカメラモジュール | |
| JP6756357B2 (ja) | 撮像装置 | |
| JP2016207956A (ja) | 中空パッケージの製造方法、固体撮像素子の製造方法、中空パッケージおよび固体撮像素子 | |
| JP2010245501A (ja) | 回路基板モジュール及びその製造方法 | |
| JP2017195497A (ja) | 撮像素子実装用基板、撮像装置および撮像モジュール | |
| JP2005303735A (ja) | 撮像装置 | |
| JPH0728119B2 (ja) | 電子部品搭載用基板の電極構造 |