CN102741995A - 基板保持用具、基板输送装置及基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供基板保持用具、基板输送装置及基板处理装置。基板保持用具也不受基板的背面状态、翘曲的影响，即使基板的位置在输送体的载置面上有一些偏移，也能以正确的姿势稳定地保持基板。在该基板保持用具（50）保持半导体晶圆（W）的周缘部时，该基板保持用具（50）的垫主体（52）上的一部分草状突起部（54）的隐藏在半导体晶圆（W）之下，其余的草状突起部（54）暴露出到半导体晶圆（W）之外。并且，隐藏在半导体晶圆（W）之下的突起部（54）与半导体晶圆（W）的背面（WB）接触，使半导体晶圆（W）在重力的作用下下沉恰好的深度，主要沿纵向保持半导体晶圆（W）。另外，在半导体晶圆（W）的周缘部附近暴露出的突起部（54）中的若干突起部（54）与半导体晶圆（W）的侧面（WS）接触，主要沿横向保持半导体晶圆（W）。

Description

基板保持用具、基板输送装置及基板处理装置
技术领域
本发明涉及用于将被处理基板保持在输送臂上的基板保持用具、使用该基板保持用具的单张式的基板输送装置和基板处理装置。
背景技术
现如今，在半导体器件、FPD（Flat Panel Display，平板显示器）的生产线上，具有采用对被处理基板（半导体晶圆和玻璃基板等）一张一张地进行处理的单张式的处理方式的工序。特别是，最近为了谋求工艺的连贯化、连结化或复合化，沿输送系统的输送通路或在该输送通路的周围汇集配置多台处理单元的多重单张式的串联（inline）处理系统正在增多。
在这种单张式处理单元用或多重单张式串联处理系统用的输送系统中，使用以一张为单位保持基板并相对于各处理单元以一张为单位输入或输出基板的单张式的基板输送装置。通常，这种基板输送装置构成为输送机器人，具备以一张为单位正面朝上地载置基板并能进行旋转运动、升降移动及进退移动的1支或几支输送臂。
这种基板输送装置的输送臂具有基板保持部（保持用具或保持机构），该基板保持部在臂上保持正面朝上姿势的基板，以防基板在输送过程中错位或落下。以往的这种基板保持部采用背面摩擦方式、锥形垫（taper pad）方式、沉入方式和真空吸附方式。
在背面摩擦方式中，在输送臂的上表面或载置面上分散地安装多个板片状或块状的保持垫。并且，将基板正面朝上地载置在上述保持垫之上，利用基板的背面与垫表面之间的摩擦力来保持基板（例如参照专利文献1的图8及其说明文）。这种保持垫的材质采用弹性体和陶瓷等。
在锥形垫方式中，将多个具有锥形侧面的（纵截面为梯形的）保持垫以围绕基板的方式隔开规定间隔并分散地安装在输送臂的载置面上。并且，以使基板的周缘部卡定于上述保持垫的锥形侧面的方式正面朝上地保持基板（例如参照专利文献1的图4及其说明文）。在该方式中，在输送臂的载置面之上，基板从比保持垫的顶面高的位置沿锥形侧面沉入，在基板的重力和来自保持垫的反作用力平衡的锥形侧面的中途位置以线接触的方式保持基板。
在沉入方式中，沿着基板的轮廓形状将输送臂的拾取部形成为比该基板的轮廓形状稍大一些的叉状件，将向内侧突出地延伸的多个爪部以围绕基板的方式隔开规定间隔地安装在叉状件上。并且，使基板沿形成在上述爪部的内侧面上的倾斜面沉入至爪部的底面（载置面），在爪部的底面以面接触的方式正面朝上地保持基板（例如参照专利文献2的图4及其说明文）。
在真空吸附方式中，在输送臂的载置面设有多个吸附口，在上述吸附口之上载置基板的背面，使经由空气通路与该吸附口相连接的真空吸引装置进行抽真空，从而利用吸附口将基板吸附固定在输送臂上（例如参照专利文献2的图3及其说明文）。
先行技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2000－3951
专利文献2：日本特开2002－64057
在半导体器件、FPD的生产线上，基板输送技术在提高生产率的方面是重要的，基板输送装置的输送速度在日新月异地提高。特别是在多重单张式的串联处理系统所用的单张式基板输送装置中，在保持基板的输送臂的动作中，不仅滑动移动、升降移动在高速化，而且旋转运动也在不经意间高速化。另一方面，基板的大型化容易使输送臂的顶端部在基板的重力的作用下前倾。
在这种技术的背景下，用于在输送臂上保持正面朝上姿势的基板的基板保持部的性能或功能性逐渐成为左右基板输送装置的输送能力进而左右基板处理装置或处理系统的生产率的重要的要素技术。
对于这一点，上述那样的背面摩擦方式由于仅利用基板的背面与垫表面之间的摩擦力来保持基板，所以本质上基板保持力较弱，基板容易滑动而容易自输送臂脱落。还有基板的背面的状态左右摩擦系数、即保持力、难以在基板翘曲时保持基板等缺点。
另一方面，在锥形垫方式、沉入方式中，若在将基板载置在输送臂上时的位置产生偏移，则基板容易搁浅在垫或爪部之上而倾斜。当基板在输送臂上倾斜时，基板不仅容易脱落，而且即使不脱落，也难以用光学传感器检测出输送臂上的基板的位置，结果，在从该输送臂向其他基板支承部（例如处理单元内的基板载置台）移载基板时难以进行对位。
另外，在锥形垫方式中，需要在保持垫的锥形侧面与基板之间具有适度的摩擦系数，保持垫的材质多采用弹性体。当然，在对接受CVD（Chemical Vapor Deposition，化学气相沉淀）等高温处理的基板进行输送时，由于弹性体的耐热温度较低（约300℃），所以保持垫的材质使用陶瓷。虽然背面摩擦方式也有时适用，但在接触型的保持垫由陶瓷制成的情况下，基板容易滑动，难以稳定地保持基板。
在真空吸附方式中，虽然在基板保持力方面完全没有问题，但是输送臂的构造或基板输送装置的设备的繁杂化、高价格化成为实用上的大缺点，也有在减压的条件下动作的真空输送装置中不能工作这种使用上的限制。另外，还有微粒容易附着的问题。
发明内容
本发明解决了上述那样的以往技术的问题，提供基板保持用具、使用该基板保持用具的单张式的基板输送装置和基板处理装置，不必对输送臂等输送体进行特别的精加工就能简单且廉价地将该基板保持用具安装在输送臂等输送体上，该基板保持用具也不受基板的背面状态、翘曲影响，即使基板的位置在输送体的载置面上有一些偏移，也能以正确的姿势稳定地保持基板。
本发明的第1技术方案的基板保持用具安装在用于输送被处理基板的输送体的载置面上，与上述基板的基板周缘部接触来保持上述基板，其中，该基板保持用具具有：板状或块状的垫主体，其固定在上述输送体的载置面上；多个突起部，其自上述垫主体延伸，能够弹性变形，上述多个突起部中的一部分突起部保持上述基板的背面，上述多个突起部中的另一部分突起部保持上述基板的侧面。
本发明的第2技术方案的基板保持用具安装在用于将被处理基板正面朝上地载置而进行输送的输送体的载置面上，与上述基板的基板周缘部接触来保持上述基板，其中，该基板保持用具有：板状或块状的垫主体，其固定在上述输送体的载置面上；多个突起部，其自上述垫主体的上表面向上方延伸，能够弹性变形，上述多个突起部中的一部分突起部与上述基板的背面接触，主要沿与上述基板的板面垂直的方向保持上述基板，上述多个突起部中的另一部分突起部与上述基板的侧面接触，主要沿与上述基板的板面平行的方向保持上述基板。
在本发明的基板保持用具中，当在输送体的载置面上保持被处理基板的周缘部时，隐藏在基板之下的突起部保持基板的背面，在基板的周缘部附近暴露出的突起部中的若干个突起部保持基板的侧面。通过将突起部的形状、尺寸、配置密度和弹性力等作为参数，能够在纵向和横向的各方向上任意地调整基板保持力。
本发明的基板输送装置用于输送被处理基板，其中，该基板输送装置具有：输送基座部，其能在大气压或减压条件下的室内移动；输送臂，其搭载在上述输送基座部上，能够载置并支承上述基板；臂驱动部，其用于使上述输送臂在上述输送基座部上沿规定的方向移动；基板保持部，其安装在上述输送臂上，用于保持上述基板，该基板保持部包括本发明的基板保持用具。
本发明的基板处理装置具有：单张式的处理单元，其用于在大气压或减压的条件下对被处理基板实施规定的处理；基板输送机构，其具有安装有本发明的基板保持用具的输送臂，该基板输送机构将上述基板载置在上述输送臂上，输送上述基板，将上述基板输入上到述处理单元，或者自上述处理单元输出上述基板。
本发明的基板保持用具由于上述那样的结构和作用，而不必对输送臂等输送体进行特别的精加工就能简单且廉价地安装在该输送体上，也不受基板的背面状态、翘曲影响，即使基板的位置在输送体的载置面上有一些偏移，也能以正确的姿势稳定地保持基板。
本发明的基板输送装置通过使用本发明的基板保持用具，能够不受基板保持部的限制地任意且自由地选择在利用输送臂保持基板而输送该基板时的臂的姿势、臂的移动轨迹及输送速度，能够提高输送能力。
本发明的基板处理装置通过使用本发明的基板保持用具，能够改善输送效率，提高生产率。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的基板处理装置的结构的俯视图。
图2是表示上述基板处理装置所使用的基板输送装置的输送臂的主要部分的外观结构的立体图。
图3是示意地表示第1实施例中的基板保持用具的外观结构的立体图。
图4是示意地表示上述基板保持用具的一作用的侧视图。
图5是示意地表示上述基板保持用具的一作用的侧视图。
图6是示意地表示上述基板保持用具的一作用的侧视图。
图7是示意地表示第1实施例的一变形例中的基板保持用具的外观结构的立体图。
图8是示意地表示第2实施例中的基板保持用具的外观结构的俯视图。
图9是表示上述基板保持用具的突起部的结构的立体图。
图10是示意地表示上述基板保持用具的结构的局部侧剖视图。
图11是示意地表示上述基板保持用具的一作用的侧视图。
图12是示意地表示上述基板保持用具的一作用的侧视图。
图13是表示第2实施例的一变形例中的基板保持用具的结构的图（侧视图及局部放大剖视图）。
图14是示意地表示第2实施例的第2变形例中的基板保持用具的外观结构的俯视图。
图15是放大表示上述第2变形例中的基板保持用具的外观结构的俯视图。
图16是表示上述第2变形例中的基板保持用具的结构的图（侧视图及局部放大剖视图）。
图17是表示在用于输送FPD用的矩形基板的输送臂上安装有实施方式的基板保持用具的例子的俯视图。
具体实施方式
下面，参照附图说明本发明的优选实施方式。
实施方式的基板输送装置及基板处理装置
图1和图2表示本发明的一实施方式的基板处理装置的结构。该基板处理装置构成为作为多重单张式串联处理系统的一种的组合设备方式（cluster tool）（多腔室型）的真空处理装置。
该组合设备方式的真空处理装置设置在无尘室内，在真空的平台（真空输送室）PH的周围呈簇状配置有6个真空工艺腔室（真空处理室）PC1、PC2、PC3、PC4、PC5、PC6和两个加载互锁腔室（加载互锁室）LLCa、LLCb，该真空的平台具有六边形的形状，该六边形的沿装置的进深方向延伸的一对边的长度约为其他的边的长度的2倍。
更详细而言，按照图中顺时针的顺序，两个工艺腔室PC1、PC2借助闸阀GV1、GV2与平台PH的第1长边相连结，1个工艺腔室PC3借助闸阀GV3与第1短边相连结，1个工艺腔室PC4借助闸阀GV4与第2短边相连结，两个工艺腔室PC5、PC6借助闸阀GV5、GV6与第2长边相连结，1个加载互锁腔室LLCa借助闸阀GVa与第3短边相连结，1个加载互锁腔室LLCb借助闸阀GVb与第4短边相连结。
各工艺腔室PC1～PC6与专用的真空排气装置（未图示）相连接，利用可变的压力将室内始终保持成减压状态。典型的工艺腔室在配置于室内的中央部的载置台10上载置被处理体、例如半导体晶圆W，使用规定的动力（处理气体和高频电力等）进行所需的单张处理、例如CVD、ALD（Atomic LayerDeposition，原子层沉积）或溅射等真空成膜处理、热处理、半导体晶圆表面的清洁处理、干蚀刻加工等。
平台PH与专用的真空排气装置（未图示）相连接，通常以恒定的压力将室内始终保持为减压状态。室内设有单张式的真空输送机器人（基板输送装置）16，该真空输送机器人具有能伸缩的一对输送臂12、14，且能进行滑动动作、旋转动作及升降动作。
加载互锁腔室LLCa、LLCb分别经由开闭阀与专用的真空排气装置（未图示）相连接，室内随时能够切换为大气压状态和真空状态中的任一种状态。从平台PH看来，加载互锁腔室LLCa、LLCb分别经由闸阀GVc、GVd在与平台PH相反的那一侧与大气压下的加载输送室LM相连结。在加载互锁腔室LLCa、LLCb的室内的中央部配置有用于对留置中的半导体晶圆W进行载置的交接台18。
与加载输送室LM相邻地设有加载部LP和对位机构ORT。加载部LP用于在其与外部输送车之间对能收纳例如1批25张半导体晶圆W的晶圆盒CR进行投入、取出。这里，晶圆盒CR构成为FOUP（Front open unified pod，前开式晶圆传送盒）、SMIF（Standard Mechanical Interface，标准机械接口）式盒子等。对位机构ORT用于使半导体晶圆W的凹口或定位边对位于规定的位置或方向。
设在加载输送室LM内的单张式的大气输送机器人（基板输送装置）20具有上下两层层叠的能伸缩的一对输送臂22、24，能够在线性电动机26的直线导轨28上沿水平方向移动，并且能够升降和旋转，该大气输送机器人20在加载部LP、定位边对位机构ORT和加载互锁腔室LLMa、LLMa这三者之间来回移动，一张一张地（或一批一批地）输送半导体晶圆W。在设于各晶圆盒CR的前表面的LP门25处于打开的状态下，该大气输送机器人20将半导体晶圆W输入到加载输送室LM内。直线导轨28例如利用由永磁铁构成的磁体、驱动用磁线圈和测量头（scalehead）等构成，根据来自控制部30的指令对大气输送机器人20进行直线运动控制。
这里，说明用于使投入到加载部LP的晶圆盒CR内的1张晶圆在该组合设备内接受一连串的处理的基本的晶圆输送顺序。
加载输送室LM内的大气输送机器人20自加载部LP上的晶圆盒CR取出1张半导体晶圆W，将该半导体晶圆W输送到对位机构ORT上而使该半导体晶圆W进行对位，当对位结束后，将该半导体晶圆W移送到加载互锁腔室LLMa、LLMb中的任一方（例如LLMa）。移送目的地的加载互锁腔室LLMa在大气压状态下接受半导体晶圆W，在该半导体晶圆W被输入到加载互锁腔室中之后，对室内抽真空，在减压状态下将半导体晶圆W交接到平台PH的真空输送机器人16。
真空输送机器人16使用输送臂12、14中的一个输送臂将自加载互锁腔室LLMa取出的半导体晶圆W输入到第一个工艺腔室（例如PM1）内。在工艺腔室PM1内，按照预先设定的制程程序以规定的工艺条件（气体、压力、电力和时间等）进行第1工序的单张处理。
在该第1工序的单张处理结束之后，真空输送机器人16自工艺腔室PM1输出半导体晶圆W，接着将所输出的该半导体晶圆W输入到第二个工艺腔室（例如PM2）内。在该第二个工艺腔室PM2内，也按照预先设定的制程程序以规定的工艺条件进行第2工序的单张处理。
在该第2工序的单张处理结束时，真空输送机器人16自第二个工艺腔室PM2输出半导体晶圆W，当有下一工序时，将所输出的该半导体晶圆W输入到第三个工艺腔室（例如PM3）内，当没有下一工序时，将该半导体晶圆W输送到加载互锁腔室LLMa、LLMb中的一方内。当在第三个以后的工艺腔室（例如PM5）内进行了处理的情况下，随后同样，在有下一工序时，也将半导体晶圆W输入到之后的工艺腔室（例如PM6）内，当没有下一工序时，也将半导体晶圆W返回到加载互锁腔室LLMa、LLMb中的一方内。
另外，通过平台PH的真空输送机器人16相对于其周围的各工艺腔室PM1～PM6或各加载互锁腔室LLMa、LLMb进行1次进入，平台PH的真空输送机器人16能够交替地使用一对输送臂12、14进行如下这样的拾取&放置动作：先从该组件中输出半导体晶圆W，然后将另一半导体晶圆W输入到该组件中以替换所输出的半导体晶圆W。
当如上所述那样将在组合设备内的多个工艺腔室PM1、PM2……内接受了一连串的处理的半导体晶圆W输入到加载互锁腔室的一方（例如LLMb）内时，将该加载互锁腔室LLMb的室内从减压状态切换为大气压状态。然后，加载输送室LM内的大气输送机器人20自大气压状态的加载互锁腔室LLMb取出半导体晶圆W，将该半导体晶圆W返回到相应的晶圆盒CR内。另外，也能够在期望的气氛下对在加载互锁腔室LLMa、LLMb中停留过程中的半导体晶圆W实施加热或冷却处理。
如上所述，该组合设备方式的真空处理装置利用减压状态下的平台PH将一张半导体晶圆W依次转移到多个工艺腔室内，从而能够以串联方式对该半导体晶圆W连续实施一连串的真空处理，特别是在真空薄膜形成加工中，能够在多个工艺腔室内连续地进行不同的成膜加工而以串联方式层叠形成期望的薄膜。
在该组合设备方式的真空处理装置内，在平台PH内沿该平台PH的长度方向平行地铺设有一对导轨32和滚珠丝杠机构34的进给丝杠36，利用滚珠丝杠机构34的直进驱动能够使真空输送机器人16在导轨32上滑动移动。滚珠丝杠机构34的进给丝杠36的一端与电动机38结合。
真空输送机器人16具有：输送基座部40，其进行滑动动作；臂伸缩驱动部42，其使输送臂12、14的拾取部12a、14a沿与旋转半径平行的方向进行往复直进移动或进退移动。臂伸缩驱动部42使由水平多关节机器人构成的输送臂12、14进行伸缩运动，进行上述那样的半导体晶圆W的输入输出动作或拾取&放置动作。臂伸缩驱动部42、基座部40内的旋转驱动部、升降驱动部和滚珠丝杠机构34（电动机38）的各动作由控制部30控制。
下面，说明在该组合设备方式的真空处理装置中应用于真空输送机器人16的输送臂12、14的、本发明的实施方式的基板保持用具。
真空输送机器人16的各输送臂12、14安装有用于稳定地保持半导体晶圆W的本发明的基板保持用具（在图1中未图示），以便能够在正面朝上地载置有半导体晶圆W的状态下任意且高速地进行旋转运动、升降移动或进退移动。
具体而言，如图2所示，在输送臂12（14）的叉状的拾取部12a（14a）的上表面或载置面上，在规定的部位、即叉状的拾取部12a、14a的基端部及顶端部隔开适当的间隔地以保持半导体晶圆W的周缘部的方式分散地安装有多个（图示的例子为4个）本发明的基板保持用具50。
通过在各输送臂12、14上安装后述的本发明的基板保持用具50，该真空输送机器人16能够不受基板保持部的限制地、任意且自由地选择在利用各输送臂12、14保持半导体晶圆W而输送该半导体晶圆W时的臂的姿势、臂的移动轨迹和输送速度，能够提高输送能力。
另外，通过提高在平台PH内运转的真空输送机器人16的输送能力，能够提高上述组合设备方式的真空处理装置的系统整体的生产率。
与基板保持用具有关的实施例1
图3表示本发明的第1实施例中的基板保持用具50的外观结构。图4～图6表示该基板保持用具50的作用。
该实施例中的基板保持用具50具有：垫主体52，其利用螺纹固定或粘接等方式固定在输送臂12（14）的载置面上；多个（优选为许多个或无数个）草状（特别类似于直毛型的人工草坪）突起部54，该多个突起部以恒定的尺寸及密度设在该垫主体52的上表面上。
如图2和图3所示，基板保持用具50以如下方式配置在输送臂12（14）的规定部位：当基板保持用具50保持半导体晶圆W的周缘部时，垫主体52上的一部分草状突起部54隐藏在半导体晶圆W之下，其余的草状突起部54暴露出到半导体晶圆W之外。
基板保持用具50的垫主体52形成为板片状（例如圆板状）或块状（例如圆柱状）。垫主体52的上表面优选与输送臂12（14）的载置面平行。垫主体52的材质也能够使用金属、陶瓷，但优选采用テフロン（特氟隆）（注册商标）、PEEK（商标名称）等树脂。
基板保持用具50的草状突起部54具有：基部54a，其固定在垫主体52的上表面上；接触部或自由端部54b，其自该基部54a向斜上方延伸，根据外力或外部能量（来自半导体晶圆W的重力、按压力和热能等）弹性变形或位移。
作为将突起部54的基部54a固定在垫主体52上的构造，例如，如图4所示，优选能够采用将基部54a像草的根茎那样以埋入的方式植设在垫主体52中的构造。或者也能够采用将突起部54与垫主体52一体成型的构造。
如图4所示，突起部54的接触部54b优选像草的叶片那样细长且顶端部形成为锥形状，优选在该接触部54b未与半导体晶圆W接触时其顶端部相对于与输送臂12（14）的载置面正交的方向倾斜（优选以30°～60°的角度），优选在该接触部54b与半导体晶圆W接触时其顶端部朝向该半导体晶圆W的轮廓的内侧。
另外，优选突起部54在外力的作用下能够分别独立地弹性变形，具有适度的刚性和弹性模量。特别是，作为突起部54的弹性功能，优选如下特性：如图5的（a）所示那样容易在来自上方的铅垂方向的力Fv的作用下挠曲（弹性模量小），另一方面如图5的（b）所示那样不易在来自侧面的水平方向的力FH的作用下挠曲（弹性模量大）。例如为了容易在铅垂方向的力Fv的作用下挠曲，使突起部54的顶端部较细即可，为了不易在水平方向的力FH的作用下挠曲，使突起部54的基部较粗即可。
作为突起部54的材质，优选其原料本身能够沿任意方向弹性变形的橡胶状弹性体，特别优选耐热性及耐药品性优异的氟化橡胶。或者也能够适当地使用根据形状而能沿规定的方向弹性变形的树脂、例如テフロン（特氟隆）（注册商标）、PEEK等。
当该实施例的基板保持用具50利用上述那样的突起部54的弹性功能在输送臂12（14）上以半导体晶圆W的周缘部将该半导体晶圆W载置在该基板保持用具50上时，如图4所示，在草状突起部54之上，半导体晶圆W以恰好的深度下沉到草状突起部54中。其下沉量D比半导体晶圆W的厚度T小，最优选为厚度T的一半左右（D=0.4T～0.6T）。另外，例如300mm口径的半导体晶圆W的厚度T=0.8mm。考虑到半导体晶圆W的翘曲、下沉不足时，使下沉量的上限值为半导体晶圆W的厚度左右。
这里，垫主体52上的草状突起部54中的隐藏在半导体晶圆W的下方的突起部54的各自的接触部54b与半导体晶圆W的背面WS接触，如图5的（a）所示，突起部54的接触部54b向下挠曲而克服来自半导体晶圆W的纵向的力（重力），主要沿纵向、即与半导体晶圆W的板面（或输送臂12、14的载置面）垂直的方向保持半导体晶圆W。另外，由于与半导体晶圆W的背面WS接触的突起部54的个数比较多而接触面积较大，所以也能获得一定程度的由接触摩擦产生的横向的保持力。
垫主体52上的草状突起部54中的在半导体晶圆W的周缘部附近暴露出的若干突起部54与半导体晶圆W的侧面WS接触，如图5的（b）所示，该突起部54的接触部54b以在横向上稍微后退的方式弹性变形，克服来自半导体晶圆W的横向的力（按压力），主要沿与半导体晶圆W的板面平行的方向保持半导体晶圆W。另外，由于与半导体晶圆W的侧面WS接触的突起部54的个数比较少而接触面积较小，所以纵向的接触摩擦或阻力较小。
另外，通常对半导体晶圆W的周缘部实施圆角加工，如图4所示，在草状突起部54中也有与该圆角部分的斜面WR接触的部分。这样与半导体晶圆W的周缘圆角斜面WR接触的草状突起部54在与半导体晶圆W的背面WB接触的突起部54和与半导体晶圆W的侧面WS接触的突起部54之间，位于与半导体晶圆W的背面WB接触的突起部54和与半导体晶圆W的侧面WS接触的突起部54的中间，且为中间程度的弹性变形姿势，沿与半导体晶圆W的板面垂直的方向及与半导体晶圆W的板面平行的方向保持半导体晶圆W。在这层意义上，半导体晶圆W的周缘圆角斜面WR具有晶圆侧面和晶圆背面这两方的面。
如图6所示，在为了向其他处移载半导体晶圆W而使半导体晶圆W自输送臂12（14）向上方分离时，之前因与半导体晶圆W的接触而弹性变形了的突起部54在弹性复原力的作用下恢复到原来（无负荷时）的状态或原姿势。
如上所述，该实施例的基板保持用具50包括：垫主体52，其固定在输送臂12（14）的载置面上；许多个草状突起部54，其设在该垫主体52的上表面上，在保持半导体晶圆W的周缘部时，垫主体52上的一部分草状突起部54隐藏在半导体晶圆W之下，其余的草状突起部54暴露出到半导体晶圆W之外。并且，隐藏在半导体晶圆W之下的突起部54与半导体晶圆W的背面WB接触，由于比较小的弹性模量而比较大幅地向下方变形或位移，使半导体晶圆W在重力的作用下下沉恰好的深度，主要沿纵向保持半导体晶圆W。另外，在半导体晶圆W的周缘部附近暴露出的突起部54中的若干突起部54与半导体晶圆W的侧面WS接触，由于较大的弹性模量而沿横向只稍微变形，主要沿横向保持半导体晶圆W。此外，在不与半导体晶圆W的侧面WS直接接触的突起部54中也存在从与半导体晶圆W的侧面WS接触的突起部54的背后支承该突起部54的突起部54，其数量并不少。通过将草状突起部54的粗细、高度、形状、配置密度、弹性力和半导体晶圆W的重量等作为参数，能够沿纵向及横向的各方向任意地调整晶圆保持力。
该实施例的基板保持用具50由于上述那样的结构和作用，而能够在输送臂12（14）上稳定可靠地保持正面朝上姿势的半导体晶圆W。
即，基板保持用具50由于使隐藏在半导体晶圆W之下的突起部54朝下方弹性位移而使半导体晶圆W以水平姿势下沉，所以即使将半导体晶圆W载置在输送臂12（14）上时的半导体晶圆W的位置有一些偏移，只要半导体晶圆W的周缘部载置在各基板保持用具50的一部分草状突起部54之上，就能将半导体晶圆W不倾斜地以水平姿势保持在基板保持用具50上。
在横向上，主要使一部分突起部54作用于半导体晶圆W的侧面WS（相接触）而利用弹性力保持半导体晶圆W，所以半导体晶圆W与突起部54之间的摩擦系数不重要，能够自由地选择突起部54的材质及形状。
在该实施例的基板保持用具50中，在各草状突起部54隐藏在半导体晶圆W之下的情况下，各草状突起部54沿纵向变形而沿纵向保持半导体晶圆W，在各草状突起部54在半导体晶圆W的外侧与晶圆侧面接触的情况下，各草状突起部54不怎么变形地沿横向保持半导体晶圆W。由此，即使半导体晶圆W的载置位置有一些偏移，各草状突起部54也能灵活地应对。
另外，由于半导体晶圆W的周缘部在自重的作用下在各基板保持用具50上下沉恰好的深度，所以即使半导体晶圆W发生了翘曲，也能与没有翘曲的情况同样地稳定可靠地保持半导体晶圆W。
另外，即使在输送过程中输送臂12（14）的拾取部前倾，也能利用基板保持用具50牢固且稳定地保持半导体晶圆W。以往，特别是在组合设备的处理装置中有如下的问题：真空输送装置的输送臂较长，在相对于工艺腔室输入或输出基板时，当输送臂伸长时容易在自重的作用下前倾，由此基板容易在臂上偏移。但是，在本实施方式中，由于基板保持用具50对输送臂12（14）上的半导体晶圆W沿横向也有充分大的保持力，所以即使输送臂12（14）前倾，也能防止半导体晶圆W的错位。
这样，不会使半导体晶圆W在输送臂12（14）上倾斜或错位。因而，当然不用说半导体晶圆W没有滑落的可能性，而且提高了用光学传感器对输送臂12（14）上的半导体晶圆W的位置进行检测的精度及可靠性。
此外，基板保持用具50只与半导体晶圆W的周缘部接触，所以即使由于在工艺腔室PM中进行的工艺而使半导体晶圆W的背面状态发生改变，基板保持用具50的晶圆保持力也完全不受其影响。
另外，在基板保持用具50中，作为保持垫，以能装卸或自由粘贴替换的方式简单且廉价地安装在输送臂12（14）的载置面的任意部位。在基板输送装置侧，不用对输送臂12（14）进行特别的精加工，也一概不需要用于切换基板保持的执行/停止（ON/OFF）的特别的控制装置。
实施例1的变形例
在上述的第1实施例中，也可以在基板保持用具50上使突起部54的形状、粗细不同。例如通过在基板保持用具50上将不载置半导体晶圆W的外侧的突起部54加粗（加强），能够可靠地防止输送中的半导体晶圆W的偏移。
另外，在上述的第1实施例中，将基板保持用具50的突起部54形成为类似直毛型的人工草坪的形体，但也能够形成为类似其他人工草坪的形态。或者也能够将突起部54形成为小薄片状，例如，如图7所示，能够适当地采用形成为鳞状的突起部56的结构。
在图7中，该鳞状突起部56自垫主体52的上表面向斜上方延伸，在外力、即来自半导体晶圆W的重力或按压力的作用下弹性地位移，在保持半导体晶圆W的方面，能够起到与上述草状突起部54同样的作用。
即，在保持半导体晶圆W的周缘部时，垫主体52上的一部分鳞状突起部56隐藏在半导体晶圆W之下，其余的鳞状突起部56暴露出到半导体晶圆W之外。并且，隐藏在半导体晶圆W之下的突起部54与半导体晶圆W的背面WB接触，使半导体晶圆W以水平姿势在重力的作用下恰好地下沉，主要沿纵向保持半导体晶圆W。另外，在半导体晶圆W的周缘部附近暴露出的突起部56中的若干突起部56与半导体晶圆W的侧面WS或周缘圆角斜面WR接触，由于较大的弹性模量而沿横向只稍微弹性位移，从而防止半导体晶圆W的横向偏移，主要沿横向保持半导体晶圆W。通过将鳞状突起部56的尺寸、高度、配置密度、弹性力和半导体晶圆W的重量等作为参数，能够沿纵向及横向的各方向任意地调整晶圆保持力。
与基板保持用具有关的实施例2
接下来，根据图8～图12说明本发明的第2实施例中的基板保持用具50的结构及作用。
如图8～图10所示，该第2实施例中的基板保持用具50包括：垫主体60，其利用例如螺栓58（图8）能装卸地固定在输送臂12（14）的载置面上；多个（优选许多个）突起部62，其以恒定的密度或间距林立地设在该垫主体60的上表面上，该基板保持用具50的特征在于，各突起部62具有金属制的弹簧构件64。
该基板保持用具50的突起部62具有例如锥形螺旋板弹簧作为弹簧构件64，在该锥形螺旋板弹簧64的上端部一体地覆盖有帽66（图9）。锥形螺旋板弹簧64以沿与输送臂12（14）的载置面垂直的方向延伸的方式设在垫主体60的上表面上，锥形螺旋板弹簧64的基端部以埋入的方式固定于垫主体60（图10）。
垫主体60可以具有与上述第1实施例的垫主体52相同的形状，可以由与垫主体52相同的材质构成。帽66优选具有不仅罩住锥形螺旋板弹簧64的上端部还罩住中间部的那样较长的圆筒部，作为帽66的原材料，例如能够适当地使用テフロン（特氟隆）（注册商标）、PEEK等树脂。可以使用全长为1cm以下的小型尺寸的锥形螺旋板弹簧64，也可以使用市售的商品或特别订货的商品中的任一种。
在本实施方式的基板保持用具50中，当在输送臂12（14）上以半导体晶圆W的周缘部将半导体晶圆W载置在该基板保持用具50上时，如图11或图12所示，半导体晶圆W在带弹簧的突起部62之上下沉恰好的深度。该下沉量D比半导体晶圆W的厚度T小，最优选为该厚度T的一半左右（D=0.4T～0.6T）。
这里，垫主体60上的带弹簧的突起部62中的隐藏在半导体晶圆W之下的突起部62利用帽66的顶部与半导体晶圆W的背面WS接触，锥形螺旋板弹簧64沿轴向压缩变形而克服来自半导体晶圆W的纵向的力（重力），主要沿纵向、即与半导体晶圆W的板面（或输送臂12、14的载置面）垂直的方向保持半导体晶圆W。
另外，垫主体60上的带弹簧的突起部62中的在半导体晶圆W的周缘部附近暴露出的突起部62中的若干突起部62在比帽66的顶部低的部位与半导体晶圆W的侧面WS或圆角斜面WR接触，克服来自半导体晶圆W的横向的力（按压力），主要沿与半导体晶圆W的板面平行的方向保持半导体晶圆W。
在该情况下，在帽66的圆筒状胴部与半导体晶圆W的侧面WS接触的带弹簧的突起部62几乎不受到轴向的载荷，所以锥形螺旋板弹簧64几乎不（或只稍微）压缩变形（图11）。另一方面，帽66的头部与半导体晶圆W的周缘圆角斜面WR接触的带弹簧的突起部62沿轴向受到载荷，所以锥形螺旋板弹簧64有一些压缩变形（图12）。
这样，本第2实施例中的基板保持用具50具有：垫主体60，其固定在输送臂12（14）的载置面上；许多个带弹簧的突起部62，其林立地设在该垫主体60的上表面上，在保持半导体晶圆W的周缘部时，垫主体52上的一部分带弹簧的突起部62隐藏在半导体晶圆W之下，其余的突起部62暴露出到半导体晶圆W之外。并且，隐藏在半导体晶圆W之下的带弹簧的突起部62与半导体晶圆W的背面WB接触，锥形螺旋板弹簧64沿轴向压缩变形，使半导体晶圆W在重力的作用下下沉恰好的深度，主要沿纵向保持半导体晶圆W。另外，在半导体晶圆W的周缘部附近暴露出的带弹簧的突起部62中的若干突起部62与半导体晶圆W的侧面WS或周缘圆角斜面WR接触，锥形螺旋板弹簧64在轴向上几乎不压缩变形或只稍微压缩变形，主要沿横向保持半导体晶圆W。通过将带弹簧的突起部62的直径、高度、帽的形状、配置密度、弹簧系数和半导体晶圆W的重量等作为参数，能够沿纵向及横向的各方向任意地调整晶圆保持力。
例如在半导体晶圆W为300mm口径的情况下，其重量为130g。在真空输送机器人16中，在将输送臂12（14）的移动速度假设为0.5m/sec且在1秒内停止时，停止时的加速度为0.5m/sec2，作用于半导体晶圆W的横向的力为130g×0.5m/sec2=65gm/sec2。若将与半导体晶圆W接触的突起部62中的克服该横向的力的突起部62的个数（在图2的例子中是在臂前部的两个基板保持用具50中的克服横向的力的突起部62的个数）设为例如20个，则每个的负荷约为3gm/sec2。因而，在横向上，以能承受约3gm/sec2的负荷的方式设计突起部62的强度即可。
在纵向上，半导体晶圆W的下沉量在半导体晶圆W的厚度（例如0.8mm）以下较好。在该情况下，若将承受半导体晶圆W的重量的突起部62的个数（在图2的例子中是在臂前部及后部的4个基板保持用具50中的承受半导体晶圆W的重量的突起部62的个数）设为240个，则每个的负荷为130g/240个=约0.5g/个。因而，在纵向上，以相对于约0.5g的负荷以0.8mm以下的下沉量可靠地向下方变形或位移的方式设计突起部62的弹性特性即可。
上述那样的突起部62的横向的强度及纵向的弹性特性也同样适用于上述第1实施方式的突起部54。
该第2实施例的基板保持用具50也能起到与上述第1实施例的基板保持用具同样的效果，不必对输送臂12（14）进行特别的精加工就能将基板保持用具50能装卸地简单且廉价地安装在输送臂12（14）上，也不受半导体晶圆W的背面状态、翘曲影响，即使半导体晶圆W的载置位置在输送臂12（14）的载置面上有一些偏移，也能以正确的姿势稳定地保持基板。
而且，第2实施例的基板保持用具50的突起部62的弹性位移由金属制的弹簧来进行，所以在基板保持的再现性、稳定性及耐久性方面有很大的优点。
此外，在利用金属、陶瓷形成了第2实施例的基板保持用具50的情况下，具有保持基板的保持力且耐热性较高的优点。另外，在考虑到金属污染的情况下，优选利用比半导体晶圆柔的原材料形成基板保持用具50，例如可列举出耐热性塑料。
此外，也可以使基板保持用具50的突起部62接地，以便能够去除半导体晶圆W的电荷。采用该结构，能够消除在等离子体处理后的带电的半导体晶圆W与处理装置内的构件等之间引起电火花的可能性。
实施例2的变形例1
在上述第2实施例的基板保持用具50中，突起部62的弹簧不限定于锥形螺旋板弹簧，例如也可以同样使用图13所示那样的压缩螺旋弹簧68。
该压缩螺旋弹簧68收容在沿纵向形成于垫主体52的上表面的锪孔70中，在自半导体晶圆W受到的载荷或按压力的作用下，该压缩螺旋弹簧68沿纵向、即与输送臂12（14）的载置面垂直的方向弹性变形。压缩螺旋弹簧68的下端固定在锪孔70的底部，压缩螺旋弹簧68的上端部被圆柱状的帽66覆盖。锪孔70的内壁构成：筒状引导部，其用于沿纵向引导帽66；止动件，其用于限制帽66的肩部66a（以及顶部）的上限位置。
实施例2的变形例2
接下来，根据图14～图16说明具有带弹簧的突起部62的第2实施例的第2变形例。图14表示该第2变形例中的基板保持用具50的外观结构，图15表示该基板保持用具50的放大图。
该第2变形例中的基板保持用具50也与上述第1变形例（图13）同样地包括：垫主体60，其利用例如螺栓58能装卸地固定在输送臂12（14）的上表面上；多个（优选为许多个）突起部62，其能够弹性位移，收容在该垫主体60的上表面的锪孔70中，各突起部62具有弹簧构件68。该第2变形例与上述第1变形例的主要的不同之处在于，大幅减少了突起部62的个数、以及对突起部62的配置图案进行了悉心研究。
更详细而言，如图15所示，将设在垫主体72的上表面上的突起部62的总数减少为例如数10个以下，降低配置密度，从而使承受半导体晶圆W的重量的突起部62的弹簧力减小。由此，能够使半导体晶圆W更加可靠地下沉。另外，如图16所示，例如也可以用实现与半导体晶圆W的厚度T相同的下沉量D的方式构成。通过使下沉量D增大到这种程度，即使半导体晶圆W发生翘曲、下沉不足，也能获得充分且稳定的晶圆保持力。
另外，如图15所示，在相对于直线N线对称的顶点朝向中心点O的V字形线上，以恒定的间隔配置多个突起部62，且沿直线N设有多列（图示的例子是两列）的V形图案，该直线N通过臂整体的载置面的中心点（或基准晶圆载置位置的中心点）O和垫主体60的中心。采用这种突起部配置图案，对于半导体晶圆W的错位，能够每隔一定间距p（例如p=0.2mm）地利用直线N上的1个突起部62或直线N的两侧的一对突起部62、62高效且稳定地保持半导体晶圆W的侧面，且能够使成为半导体晶圆W的垫部的所有的突起部62可靠地下沉至充分的深度。
在本实施例中，除此之外还有其他各种特征。例如，如图16所示，在形成于输送臂12（14）的上表面的凹部72中安装有垫主体60，由此实现了具有基板保持用具50的输送臂12（14）的薄型化。
也能够将垫主体60与输送臂12（14）制成为一体。由此，能够减少零件件数，能够容易地进行输送臂12（14）的清洗作业。
另外，为了在基板保持用具50上不损伤半导体晶圆W的背面，如图16所示，能够采用在突起部62的帽66的顶部形成有倒角加工部或圆角加工部66b的结构。或者，也能够采用在帽66的顶部以只有刚体的球的上部在该帽66的顶部暴露出的方式将该球能旋转地埋入到帽66的顶部的结构（球窝接头），该结构省略图示。
另外，如图16所示，优选使载置半导体晶圆W而下沉的突起部62不会完全下沉到垫主体60中（即，使帽66的顶部稍微突出到上方）。并且，为了使帽66能沿横向位移，适度地增大垫主体60的锪孔70内的侧部间隙。由此，随着半导体晶圆W的移动，承载该半导体晶圆W的突起部62也一起横向移动，从而能够进一步提高在横向上对半导体晶圆W进行保持的保持力。
关于基板保持用具50的材质，从耐久性的方面出发，优选金属，从耐药品性的方面出发，优选树脂（特别是テフロン（特氟隆）（注册商标）、PEEK（商标名称）），在耐热性方面，优选陶瓷（碳化硅、氧化铝）、石英、聚酰亚胺和碳等。特别是在使用陶瓷、碳的情况下，通过使用陶瓷弹簧、碳素弹簧，能够利用陶瓷或碳制成基板保持用具50的所有的零件或构件。
其他实施方式或变形例
以上说明了本发明的优选实施方式，但本发明不限定于上述实施方式，能够在本发明的技术构思的范围内获得其他实施方式或进行各种变形、变更。
例如在上述实施方式的组合设备方式的真空处理装置（图1）中，也可以在设在加载输送室LM内的单张式的大气输送机器人（基板输送装置）20的输送臂22、24上应用上述实施方式的基板保持用具50。
另外，作为本发明中的被处理基板，不限于半导体晶圆，还包含FPD（特别是有机EL、液晶面板）用的各种基板、光掩模和印刷基板等。因而，例如，如图17所示，能够在FPD用的基板输送装置的输送臂74上安装上述实施方式的基板保持用具50。
图17的输送臂74具有自臂主体76向前方平行延伸的一对外侧支承部78和一对内侧支承部80。这里，为了保持FPD用的矩形的基板G的左右两侧的周缘部，在比较短的外侧支承部78的顶端形成有向内侧突出的爪部78a，在该爪部78a的上表面上安装有基板保持用具50。另外，比较长的内侧支承部80的顶端部80a自矩形基板G的前部的周缘部稍微伸出，在该顶端部80a上也安装有基板保持用具50。此外，内侧支承部80的基端部80b自矩形基板G的后部的周缘部稍微伸出，在该基端部80b上也安装有基板保持用具50。另外，在臂主体76上到处形成的矩形或圆形的开口82是用于使输送臂74轻量化的孔。
这样，通过在输送臂74上安装基板保持用具50，FPD用的基板输送装置能够不受基板保持部的限制地任意且自由地选择在利用输送臂74保持矩形基板G而输送该矩形基板G时的臂的姿势、臂的移动轨迹和输送速度，能够提高输送能力。并且，通过提高基板输送装置的输送能力，能够提高FPD用的基板处理装置或多重单张式串联处理系统的生产率。
另外，在本发明的基板输送装置中，安装在输送臂上的基板保持用具不必全是本发明的基板保持用具，也可以并用以往的基板保持用具和本发明的基板保持用具。因而，例如在图2的输送臂12（14）或图17的输送臂74中，也能够只将安装在容易前倾的臂的顶端部的基板保持用具设为本发明的基板保持用具，而其他基板保持用具使用以往的例如锥形垫方式的基板保持用具。
另外，本发明的基板保持用具不限于基板输送装置的输送臂，能够应用在保持基板或板状体而进行输送或移动的任意的输送体或移动体上。在该情况下，在输送体或移动体上利用本发明的基板保持用具保持的基板或板状体未必一定限定于水平姿势、正面朝上姿势，也能够采取使主面或被处理面朝下的姿势、大幅倾斜的姿势，在极端情况下也能够采取铅垂姿势。
附图标记说明
12、14、输送臂；16、真空输送机器人；20、大气输送机器人；50、基板保持用具；52、垫主体；54、突起部；56、突起部；62、突起部。

Claims (31)

1.一种基板保持用具，其安装在用于输送被处理基板的输送体的载置面上，与上述基板的基板周缘部接触来保持上述基板，其中，
该基板保持用具具有：
板状或块状的垫主体，其固定在上述输送体的载置面上；
多个突起部，其自上述垫主体延伸，能够弹性变形，
上述多个突起部中的一部分突起部保持上述基板的背面，
上述多个突起部的中另一部分突起部保持上述基板的侧面。
2.一种基板保持用具，其安装在用于将被处理基板正面朝上地载置而进行输送的输送体的载置面上，与上述基板的基板周缘部接触来保持上述基板，其中，
该基板保持用具有：
板状或块状的垫主体，其固定在上述输送体的载置面上；
多个突起部，其自上述垫主体的上表面向上方延伸，能够弹性变形，
上述多个突起部中的一部分突起部与上述基板的背面接触，主要沿与上述基板的板面垂直的方向保持上述基板，
上述多个突起部中的另一部分突起部与上述基板的侧面接触，主要沿与上述基板的板面平行的方向保持上述基板。
3.根据权利要求1或2所述的基板保持用具，其中，
上述突起部具有弹簧构件。
4.根据权利要求3所述的基板保持用具，其中，
上述弹簧构件被以能沿与上述输送体的载置面垂直的方向弹性变形的方式安装。
5.根据权利要求3所述的基板保持用具，其中，
上述弹簧构件的至少基端部埋入到上述垫主体中。
6.根据权利要求3所述的基板保持用具，其中，
上述突起部具有用于覆盖上述弹簧构件的上端部的帽部。
7.根据权利要求6所述的基板保持用具，其中，
上述帽部具有用于覆盖上述弹簧构件的中间部的筒部。
8.根据权利要求6所述的基板保持用具，其中，
上述帽部由树脂构成。
9.根据权利要求7所述的基板保持用具，其中，
上述帽部由导电体构成，并电接地。
10.根据权利要求6所述的基板保持用具，其中，
在上述垫主体上设有用于沿与上述输送体的载置面垂直的方向引导上述帽部的筒状引导部。
11.根据权利要求6所述的基板保持用具，其中，
上述帽部以能沿与上述输送体的载置面平行的方向位移的方式设置。
12.根据权利要求1或2所述的基板保持用具，其中，
上述垫主体安装在凹部中，该凹部形成于上述输送体的载置面。
13.根据权利要求1或2所述的基板保持用具，其中，
上述垫主体与上述输送体形成为一体。
14.根据权利要求1或2所述的基板保持用具，其中，
在上述垫主体上，在V字形的线上以恒定的间隔配置有多个上述突起部，该V字形的线的顶点朝向上述输送体整体的载置面中心点。
15.根据权利要求1或2所述的基板保持用具，其中，
上述突起部形成为草状或小薄片状。
16.根据权利要求15所述的基板保持用具，其中，
上述突起部形成为鳞状。
17.根据权利要求15所述的基板保持用具，其中，
上述突起部的顶端部相对于与上述输送体的载置面正交的方向倾斜。
18.根据权利要求15所述的基板保持用具，其中，
上述突起部以该突起部的顶端部朝向载置在上述输送体上的上述基板的轮廓的内侧的方式形成。
19.根据权利要求15所述的基板保持用具，其中，
上述突起部的弹性如下：对于自上述基板受到的力，与上述基板的板面平行的方向上的弹性模量比与上述基板的板面垂直的方向上的弹性模量大。
20.根据权利要求15所述的基板保持用具，其中，
上述突起部的基部埋入到上述垫主体中。
21.根据权利要求15所述的基板保持用具，其中，
上述突起部是通过与上述垫主体一体成型而形成的。
22.根据权利要求15所述的基板保持用具，其中，
上述突起部由橡胶状弹性体构成。
23.根据权利要求22所述的基板保持用具，其中，
上述突起部由氟化橡胶构成。
24.根据权利要求15所述的基板保持用具，其中，
上述突起部由树脂构成。
25.根据权利要求1或2所述的基板保持用具，其中，
利用与上述基板的背面接触的上述突起部的弹性位移使上述基板的下沉深度比上述基板的厚度小。
26.根据权利要求1或2所述的基板保持用具，其中，
上述垫主体以在保持上述基板的周缘部时、上述多个突起部中的一部分突起部隐藏在上述基板之下、且上述多个突起部的其余部分暴露出到上述基板之外的方式配置在上述输送体的规定位置。
27.一种基板输送装置，其用于输送被处理基板，其中，
该基板输送装置具有：
输送基座部，其能在大气压或减压条件下的室内移动；
输送臂，其搭载在上述输送基座部上，能够载置并支承上述基板；
臂驱动部，其用于使上述输送臂在上述输送基座部上沿规定的方向移动；
基板保持部，其安装在上述输送臂上，用于保持上述基板，该基板保持部具有权利要求1或2所述的基板保持用具。
28.根据权利要求27所述的基板输送装置，其中，
上述输送臂能够在水平面内进行旋转运动，并且能够沿与旋转圆的半径平行的方向进行进退移动。
29.根据权利要求27所述的基板输送装置，其中，
上述基板保持用具能装卸地安装在上述输送臂上。
30.一种基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置具有：
单张式的处理单元，其用于在大气压或减压条件下对被处理基板实施规定的处理；
基板输送机构，其具有安装有权利要求1或2所述的基板保持用具的输送臂，该基板输送机构将上述基板载置在上述输送臂上，输送上述基板，将上述基板输入到上述处理单元或自上述处理单元输出上述基板。
31.根据权利要求30所述的基板处理装置，其中，
上述基板保持用具能装卸地安装在上述输送臂上。
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