JP2017035743A - 搬送装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】グリップ力が高く、被加工物（被搬送物）を汚染しがたく、かつ、耐熱性に優れる搬送装置を提供すること。また、被加工物の高速搬送が可能な半導体素子の製造方法および光学部材の製造方法を提供すること。
【解決手段】搬送装置は、搬送部材１０００を備える搬送装置であって、該搬送部材が、搬送基材１００と載置部材２００とを有し、該載置部材が繊維状柱状構造体１０を含み、該繊維状柱状構造体が、繊維状柱状物２を複数備える繊維状柱状構造体であり、該繊維状柱状物は、該搬送基材に対して略垂直方向に配向しており、該繊維状柱状構造体の該搬送基材と反対の側の表面の、ガラス表面に対する静摩擦係数が２．０以上である。
【選択図】図１

Description

本発明は、搬送装置に関する。
半導体素子等の製造工程において、材料、製造中間品、製品等（以下、被加工物ともいう）を搬送する際、該被加工物を移動アームや移動テーブルなどの搬送基材を用いて搬送することが行われている（例えば、特許文献１、２参照）。このような搬送を行う際には、被加工物が載置される部材（載置部材）には、被加工物が搬送中にずれないような強いグリップ力が要求される。また、このような要求は、製造工程高速化の要求とあいまって、年々、高まっている。
しかしながら、従来の載置部材は、樹脂等の弾性材料から構成されており、被加工物に該弾性材料が付着残存しやすいという問題がある。また、樹脂等の弾性材料から構成される載置部材は、耐熱性が低く、高熱環境下では、そのグリップ力が低下するという問題がある。
セラミックスなどの材料を載置部材として用いると、被加工物の汚染は防止され、また、グリップ力の温度依存性は低くなる。しかしながら、このような材料から構成される載置部材は、本質的にグリップ力が低く、常温下でも十分に被加工物を保持し得ないという問題がある。
特開２００１−３５１９６１号公報 特開２０１３−１３８１５２号公報
本発明の課題は、グリップ力が高く、被加工物（被搬送物）を汚染しがたく、かつ、耐熱性に優れる搬送装置を提供することにある。また、被加工物の高速搬送が可能な半導体素子の製造方法および光学部材の製造方法を提供することにある。
本発明の搬送装置は、搬送部材を備える搬送装置であって、該搬送部材が、搬送基材と載置部材とを有し、該載置部材が繊維状柱状構造体を含み、該繊維状柱状構造体が、繊維状柱状物を複数備える繊維状柱状構造体であり、該繊維状柱状物は、該搬送基材に対して略垂直方向に配向しており、該繊維状柱状構造体の該搬送基材と反対の側の表面の、ガラス表面に対する静摩擦係数が２．０以上である。
１つの実施形態においては、上記搬送装置は、アーム部と、該アーム部の一方端に連結されたハンド部とを備え、該アーム部が、該アーム部の他方端を軸中心として水平方向に回転自在に設けられ、該ハンド部が、上記搬送部材から構成される。
１つの実施形態においては、上記アーム部が多関節構造である。
１つの実施形態においては、上記搬送装置は、アーム部と、該アーム部の両端に連結されたハンド部とを備え、該アーム部が、該アームの略中央を軸中心として水平方向に回転自在に設けられ、該ハンド部が、上記搬送部材から構成される。
１つの実施形態においては、上記搬送装置は、上記搬送部材が、走行軌道上を走行するように構成される。
１つの実施形態においては、上記搬送装置は、上記走行軌道と、該走行軌道を走行するようにして設けられた台車とを備え、該台車上に、上記搬送部材が設けられている。
本発明の別の局面によれば、搬送方法が提供される。この搬送方法は、搬送部材により被搬送物を保持し、該被搬送物を搬送することを含み、該搬送部材が、搬送基材と載置部材とを有し、該載置部材が繊維状柱状構造体を含み、該繊維状柱状構造体が、繊維状柱状物を複数備える繊維状柱状構造体であり、該繊維状柱状物は、該搬送基材に対して略垂直方向に配向しており、該繊維状柱状構造体の該搬送基材と反対の側の表面の、ガラス表面に対する静摩擦係数が２．０以上である。
１つの実施形態においては、上記搬送方法は、上記搬送装置を用いることを含む。
本発明のさらに別の局面によれば、半導体素子の製造方法が提供される。この製造方法は、上記搬送装置を用いることを含む。
１つの実施形態においては、上記半導体素子の製造方法は、複数の工程を含む、半導体素子の製造方法であって、上記搬送装置を用いて、該製造方法を構成する各工程に供される被加工物を搬送することを含む。
本発明のさらに別の局面によれば、光学部材の製造方法が提供される。この製造方法は、上記搬送装置を用いることを含む。
１つの実施形態においては、上記光学部材の製造方法は、複数の工程を含む、光学部材の製造方法であって、上記搬送装置を用いて、該製造方法を構成する各工程に供される被加工物を搬送することを含む。
本発明によれば、グリップ力が高く、被加工物（被搬送物）を汚染しがたく、かつ、耐熱性に優れる搬送装置を提供することができる。また、被加工物の高速搬送が可能な半導体素子の製造方法および光学部材の製造方法を提供することができる。
本発明の１つの実施形態における半導体搬送部材の一例の概略断面図である。 本発明の１つの実施形態におけるカーボンナノチューブ集合体の製造装置の概略断面図である。 本発明の１つの実施形態における搬送装置の概略図である。 本発明の１つの実施形態における搬送装置の概略図である。 本発明の１つの実施形態における搬送装置を含む製造工程を説明する概略図である。
本発明の搬送装置は、搬送部材を備える。該搬送部材は、繊維状柱状構造体を含む載置部材を備える。
本発明の搬送装置は、例えば、半導体素子の製造工程、光学部材の製造工程等に好適に用いられ得る。より詳細には、本発明の搬送装置は、半導体素子製造における工程と工程との間、あるいは所定の工程内で、材料、製造中間品、製品等（具体的には、半導体材料、ウエハ、チップ、フィルム等）を移送するために用いられ得る。また、光学部材製造における工程間、あるいは所定の工程内で、ガラス基材等を移送するために用いられ得る。なお、以下、本発明の搬送装置により搬送され得る材料、製造中間品、製品等を、被加工物または被搬送物ということもある。
Ａ．搬送部材
上記搬送部材は、搬送基材と載置部材とを有する。
上記搬送基材としては、任意の適切な搬送基材を採用し得る。このような搬送基材としては、例えば、搬送アーム、搬送テーブル、搬送リング、搬送ガイドレール、収納カセット、フック、搬送フレームなどが挙げられる。搬送基材の大きさや形状は、目的に応じて、適宜選択し得る。また、搬送基材を構成する材料としては、任意の適切な材料が採用され得る。１つの実施形態においては、搬送基材を構成する材料として、アルミナ、窒化珪素等のセラミックス材料；ステンレス鋼等の耐熱性材料が用いられる。
上記載置部材は、本発明の搬送装置が搬送する被搬送物が載置される部材である。載置部材は、上記のとおり、繊維状柱状構造体を含む。繊維状柱状構造体を含む載置部材は、耐熱性、非汚染性およびグリップ性に優れる。
上記載置部材は、繊維状柱状構造体を含んでいれば、本発明の効果を損なわない範囲で任意の適切な他の部材を有していても良い。本発明の効果を十分に発現させるためには、上記載置部材は、好ましくは、繊維状柱状構造体からなる。
上記繊維状柱状構造体は、繊維状柱状物を複数備える繊維状柱状構造体である。
上記繊維状柱状物の長さは、好ましくは５０μｍ〜３０００μｍであり、より好ましくは２００μｍ〜２０００μｍであり、さらに好ましくは３００μｍ〜１５００μｍであり、特に好ましくは４００μｍ〜１０００μｍであり、最も好ましくは５００μｍ〜１０００μｍである。このような範囲であれば、グリップ力が高く、かつ、被搬送物を汚染しがたい載置部材を形成することができる。
上記載置部材は、搬送基材の全面に設けられていてもよく、搬送基材の一部の面上に設けられていてもよい。
１つの実施形態においては、上記繊維状柱状物は、その少なくとも先端を含む部分が無機材料によって被覆されている。ここでいう「少なくとも先端を含む部分」とは、繊維状柱状物の先端、すなわち、繊維状柱状物の搬送基材が配置されている側と反対の側の先端を少なくとも含む部分を意味する。
上記繊維状柱状物は、その全てが、その少なくとも先端を含む部分が無機材料によって被覆されていても良いし、その一部が、その少なくとも先端を含む部分が無機材料によって被覆されていても良い。載置部材が有する繊維状柱状物の全体の中における、その少なくとも先端を含む部分が無機材料によって被覆された繊維状柱状物の含有割合は、好ましくは５０重量％〜１００重量％であり、より好ましくは６０重量％〜１００重量％であり、さらに好ましくは７０重量％〜１００重量％であり、さらに好ましくは８０重量％〜１００重量％であり、特に好ましくは９０重量％〜１００重量％であり、最も好ましくは実質的に１００重量％である。このような範囲であれば、グリップ力が高く、かつ、被搬送物を汚染しがたい載置部材が形成され得る。
上記繊維状柱状物の少なくとも先端を含む部分が無機材料によって被覆されている場合、その被覆されている部分が有する被覆層の厚みは、好ましくは１ｎｍ以上であり、より好ましくは３ｎｍ以上であり、さらに好ましくは５ｎｍ以上であり、さらに好ましくは７ｎｍ以上であり、特に好ましくは９ｎｍ以上であり、最も好ましくは１０ｎｍ以上である。上記被覆層の厚みの上限値は、好ましくは５０ｎｍであり、より好ましくは４０ｎｍであり、さらに好ましくは３０ｎｍであり、特に好ましくは２０ｎｍであり、最も好ましくは１５ｎｍである。このような範囲であれば、グリップ力が高く、かつ、被搬送物を汚染しがたい載置部材を形成することができる。
上記繊維状柱状物の少なくとも先端を含む部分が無機材料によって被覆されている場合、その被覆されている部分が有する被覆層の長さは、好ましくは１ｎｍ〜１０００ｎｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜７００ｎｍであり、さらに好ましくは１０ｎｍ〜５０ｎｍであり、特に好ましくは３０ｎｍ〜３００ｎｍであり、最も好ましくは５０ｎｍ〜１００ｎｍである。このような範囲であれば、グリップ力が高く、かつ、被搬送物を汚染しがたい載置部材が形成され得る。
上記繊維状柱状物の少なくとも先端を含む部分が無機材料によって被覆されている場合、その無機材料としては、本発明の効果を損なわない範囲で任意の適切な無機材料を採用し得る。このような無機材料としては、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＭｇＯ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕなどが挙げられる。
上記搬送部材においては、搬送基材と載置部材との間にバインダーを有していても良い。このようなバインダーとしては、搬送基材と載置部材とを接合できる効果を有するものであれば、任意の適切なバインダーを採用し得る。このようなバインダーとしては、例えば、カーボンペースト、アルミナペースト、銀ペースト、ニッケルペースト、金ペースト、アルミペースト、酸化チタンペースト、酸化鉄ペースト、クロムペースト、アルミニウム、ニッケル、クロム、銅、金、銀などが挙げられる。このようなバインダーを有することにより、搬送基材と載置部材とが十分に接合され、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が被搬送物側により付着残存しにくい載置部材を有する搬送部材を提供することができる。
図１に、本発明の１つの実施形態における搬送部材の一例の概略断面図を示す。
図１において、搬送部材１０００は、搬送基材１００とバインダー２００と載置部材としての繊維状柱状構造体１０を有する。
図１において、繊維状柱状構造体１０は、複数の繊維状柱状物２を備える。繊維状柱状物２の片端は、バインダー２００に固定されている。繊維状柱状物２は、長さＬの方向に配向している。繊維状柱状物２は、搬送基材１００に対して略垂直方向に配向している。ここで、「略垂直方向」とは、搬送基材１００の面に対する角度が、好ましくは９０°±２０°であり、より好ましくは９０°±１５°であり、さらに好ましくは９０°±１０°であり、特に好ましくは９０°±５°である。
なお、図１においては、搬送基材の片側に載置部材（繊維状柱状構造体）が配置される形態を示しているが、載置部材（繊維状柱状構造体）は、搬送基材の両側に配置されていてもよい。
上記搬送部材においては、繊維状柱状構造体の搬送基材と反対の側の表面の、ガラス表面に対する静摩擦係数が２．０以上である。「繊維状柱状構造体の搬送基材と反対の側の表面」とは、図１においては、繊維状柱状構造体１０の搬送基材１００と反対の側の表面１０ａのことである。
上記搬送部材において、繊維状柱状構造体の搬送基材と反対の側の表面の、ガラス表面に対する静摩擦係数は２．０以上であり、好ましくは２．４以上であり、より好ましくは３．０以上であり、さらに好ましくは３．４以上であり、さらに好ましくは３．５以上であり、特に好ましくは３．６以上であり、最も好ましくは３．７以上である。上記搬送部材において、繊維状柱状構造体の搬送基材と反対の側の表面の、ガラス表面に対する静摩擦係数の上限値は、好ましくは１０である。搬送部材において、繊維状柱状構造体の搬送基材と反対の側の表面の、ガラス表面に対する静摩擦係数が上記範囲内に収まることにより、強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が被搬送物側に付着残存しにくい載置部材を有する搬送部材を提供することができる。なお、ガラス表面に対する摩擦係数の大きい上記搬送部材が、ガラス以外の材料から構成される被搬送物（例えば、半導体ウエハ）に対しても、強いグリップ力を発現し得ることは言うまでもない。
上記繊維状柱状物の材料としては、任意の適切な材料を採用し得る。例えば、アルミ、鉄などの金属；シリコンなどの無機材料；カーボンナノファイバー、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）などのカーボン材料等が挙げられる。これらの材料を用いれば、耐熱性により優れる搬送部材を得ることができる。
上記繊維状柱状物の直径は、好ましくは０．３ｎｍ〜２０００ｎｍであり、より好ましくは１ｎｍ〜１０００ｎｍであり、さらに好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、特に好ましくは２ｎｍ〜２００ｎｍであり、最も好ましくは２ｎｍ〜１００ｎｍである。このような範囲であれば、グリップ力が高く、かつ、被搬送物を汚染しがたい載置部材が形成され得る。
上記繊維状柱状構造体は、好ましくは、複数のカーボンナノチューブを備えるカーボンナノチューブ集合体である。この場合、繊維状柱状物は、好ましくは、カーボンナノチューブである。
上記繊維状柱状構造体が、カーボンナノチューブ集合体であることにより、グリップ力が高く、被搬送物を汚染しがたく、かつ、耐熱性が高い、載置部材を形成することができる。
カーボンナノチューブ集合体は、例えば、後述の実施形態（第１の実施形態、第２の実施形態）を取り得る。
カーボンナノチューブ集合体の第１の実施形態は、複数のカーボンナノチューブを備え、該カーボンナノチューブが複数層を有し、該カーボンナノチューブの層数分布の分布幅が１０層以上であり、該層数分布の最頻値の相対頻度が２５％以下である。カーボンナノチューブ集合体がこのような構成を採ることにより、グリップ力が高く、かつ、被搬送物を汚染しがたい載置部材を形成することができる。
第１の実施形態において、カーボンナノチューブの層数分布の分布幅は、好ましくは１０層以上であり、より好ましくは１０層〜３０層であり、さらに好ましくは１０層〜２５層であり、特に好ましくは１０層〜２０層である。カーボンナノチューブの層数分布の分布幅をこのような範囲内に調整することにより、グリップ力が高く、かつ、被搬送物を汚染しがたい載置部材を形成することができる。
カーボンナノチューブの層数分布の「分布幅」とは、カーボンナノチューブの層数の最大層数と最小層数との差をいう。カーボンナノチューブの層数分布の分布幅を上記範囲内に調整することにより、該カーボンナノチューブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体となり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体を有する搬送部材は、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が被搬送物側により付着残存しにくい載置部材を有する搬送部材となることができる。
カーボンナノチューブの層数、層数分布は、任意の適切な装置によって測定すれば良い。好ましくは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）や透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって測定される。例えば、カーボンナノチューブ集合体から少なくとも１０本、好ましくは２０本以上のカーボンナノチューブを取り出してＳＥＭあるいはＴＥＭによって測定し、層数および層数分布を評価すれば良い。
第１の実施形態において、カーボンナノチューブの層数の最大層数は、好ましくは５層〜３０層であり、より好ましくは１０層〜３０層であり、さらに好ましくは１５層〜３０層であり、特に好ましくは１５層〜２５層である。カーボンナノチューブの層数の最大層数をこのような範囲内に調整することにより、グリップ力が高く、かつ、被搬送物を汚染しがたい載置部材を形成することができる。
第１の実施形態において、カーボンナノチューブの層数の最小層数は、好ましくは１層〜１０層であり、より好ましくは１層〜５層である。カーボンナノチューブの層数の最小層数をこのような範囲内に調整することにより、グリップ力が高く、かつ、被搬送物を汚染しがたい載置部材を形成することができる。
第１の実施形態において、カーボンナノチューブの層数の最大層数と最小層数を上記範囲内に調整することにより、該カーボンナノチューブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体となり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体を有する搬送部材は、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が被搬送物側により付着残存しにくい載置部材を有する搬送部材となることができる。
第１の実施形態において、カーボンナノチューブの層数分布の最頻値の相対頻度は、好ましくは２５％以下であり、より好ましくは１％〜２５％であり、さらに好ましくは５％〜２５％であり、特に好ましくは１０％〜２５％であり、最も好ましくは１５％〜２５％である。カーボンナノチューブの層数分布の最頻値の相対頻度を上記範囲内に調整することにより、該カーボンナノチューブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体となり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体を有する搬送部材は、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が被搬送物側により付着残存しにくい載置部材を有する搬送部材となることができる。
第１の実施形態において、カーボンナノチューブの層数分布の最頻値は、好ましくは層数２層から層数１０層に存在し、さらに好ましくは層数３層から層数１０層に存在する。カーボンナノチューブの層数分布の最頻値を上記範囲内に調整することにより、該カーボンナノチューブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体となり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体を有する搬送部材は、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が被搬送物側により付着残存しにくい載置部材を有する搬送部材となることができる。
第１の実施形態において、カーボンナノチューブの形状としては、その横断面が任意の適切な形状を有していれば良い。例えば、その横断面が、略円形、楕円形、ｎ角形（ｎは３以上の整数）等が挙げられる。
第１の実施形態において、カーボンナノチューブの長さは、好ましくは５０μｍ以上であり、より好ましくは１００μｍ〜３０００μｍであり、さらに好ましくは３００μｍ〜１５００μｍであり、さらに好ましくは４００μｍ〜１０００μｍであり、特に好ましくは５００μｍ〜１０００μｍである。カーボンナノチューブの長さを上記範囲内に調整することにより、該カーボンナノチューブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体となり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体を有する搬送部材は、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が被搬送物側により付着残存しにくい載置部材を有する搬送部材となることができる。
第１の実施形態において、カーボンナノチューブの直径は、好ましくは０．３ｎｍ〜２０００ｎｍであり、より好ましくは１ｎｍ〜１０００ｎｍであり、さらに好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍである。カーボンナノチューブの直径を上記範囲内に調整することにより、該カーボンナノチューブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体となり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体を有する搬送部材は、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が被搬送物側により付着残存しにくい載置部材を有する搬送部材となることができる。
第１の実施形態において、カーボンナノチューブの比表面積、密度は、任意の適切な値に設定され得る。
カーボンナノチューブ集合体の第２の実施形態は、複数のカーボンナノチューブを備え、該カーボンナノチューブが複数層を有し、該カーボンナノチューブの層数分布の最頻値が層数１０層以下に存在し、該最頻値の相対頻度が３０％以上である。カーボンナノチューブ集合体がこのような構成を採ることにより、グリップ力が高く、かつ、被搬送物を汚染しがたい載置部材を形成することができる。
第２の実施形態において、カーボンナノチューブの層数分布の分布幅は、好ましくは９層以下であり、より好ましくは１層〜９層であり、さらに好ましくは２層〜８層であり、特に好ましくは３層〜８層である。カーボンナノチューブの層数分布の分布幅をこのような範囲内に調整することにより、グリップ力が高く、かつ、被搬送物を汚染しがたい載置部材を形成することができる。
第２の実施形態において、カーボンナノチューブの層数の最大層数は、好ましくは１層〜２０層であり、より好ましくは２層〜１５層であり、さらに好ましくは３層〜１０層である。カーボンナノチューブの層数の最大層数をこのような範囲内に調整することにより、グリップ力が高く、かつ、被搬送物を汚染しがたい載置部材を形成することができる。
第２の実施形態において、カーボンナノチューブの層数の最小層数は、好ましくは１層〜１０層であり、より好ましくは１層〜５層である。カーボンナノチューブの層数の最小層数をこのような範囲内に調整することにより、グリップ力が高く、かつ、被搬送物を汚染しがたい載置部材を形成することができる。
第２の実施形態において、カーボンナノチューブの層数の最大層数と最小層数を上記範囲内に調整することにより、該カーボンナノチューブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体となり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体を有する搬送部材は、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が被搬送物側により付着残存しにくい載置部材を有する搬送部材となることができる。
第２の実施形態において、カーボンナノチューブの層数分布の最頻値の相対頻度は、好ましくは３０％以上であり、より好ましくは３０％〜１００％であり、さらに好ましくは３０％〜９０％であり、特に好ましくは３０％〜８０％であり、最も好ましくは３０％〜７０％である。カーボンナノチューブの層数分布の最頻値の相対頻度を上記範囲内に調整することにより、該カーボンナノチューブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体となり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体を有する搬送部材は、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が被搬送物側により付着残存しにくい載置部材を有する搬送部材となることができる。
第２の実施形態において、カーボンナノチューブの層数分布の最頻値は、好ましくは層数１０層以下に存在し、より好ましくは層数１層から層数１０層に存在し、さらに好ましくは層数２層から層数８層に存在し、特に好ましくは層数２層から層数６層に存在する。カーボンナノチューブの層数分布の最頻値を上記範囲内に調整することにより、該カーボンナノチューブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体となり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体を有する搬送部材は、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が被搬送物側により付着残存しにくい載置部材を有する搬送部材となることができる。
第２の実施形態において、カーボンナノチューブの形状としては、その横断面が任意の適切な形状を有していれば良い。例えば、その横断面が、略円形、楕円形、ｎ角形（ｎは３以上の整数）等が挙げられる。
第２の実施形態において、カーボンナノチューブの長さは、好ましくは５０μｍ以上であり、より好ましくは５５０μｍ〜３０００μｍであり、さらに好ましくは６００μｍ〜２０００μｍであり、さらに好ましくは６５０μｍ〜１０００μｍであり、特に好ましくは７００μｍ〜１０００μｍである。カーボンナノチューブの長さを上記範囲内に調整することにより、該カーボンナノチューブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体となり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体を有する搬送部材は、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が被搬送物側により付着残存しにくい載置部材を有する搬送部材となることができる。
第２の実施形態において、カーボンナノチューブの直径は、好ましくは０．３ｎｍ〜２０００ｎｍであり、より好ましくは１ｎｍ〜１０００ｎｍであり、さらに好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍである。カーボンナノチューブの直径を上記範囲内に調整することにより、該カーボンナノチューブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体となり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体を有する搬送部材は、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が被搬送物側により付着残存しにくい載置部材を有する搬送部材となることができる。
第２の実施形態において、カーボンナノチューブの比表面積、密度は、任意の適切な値に設定され得る。
カーボンナノチューブ集合体の製造方法としては、任意の適切な方法を採用し得る。
カーボンナノチューブ集合体の製造方法としては、例えば、平滑な基板の上に触媒層を構成し、熱、プラズマなどにより触媒を活性化させた状態で炭素源を充填し、カーボンナノチューブを成長させる、化学気相成長法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ法）によって、基板からほぼ垂直に配向したカーボンナノチューブ集合体を製造する方法が挙げられる。この場合、例えば、基板を取り除けば、長さ方向に配向しているカーボンナノチューブ集合体が得られる。
カーボンナノチューブ集合体の製造方法で用い得る基板としては、任意の適切な基板を採用し得る。例えば、平滑性を有し、カーボンナノチューブの製造に耐え得る高温耐熱性を有する材料が挙げられる。このような材料としては、例えば、石英ガラス、シリコン（シリコンウェハなど）、アルミニウムなどの金属板などが挙げられる。
カーボンナノチューブ集合体を製造するための装置としては、任意の適切な装置を採用し得る。例えば、熱ＣＶＤ装置としては、図２に示すような、筒型の反応容器を抵抗加熱式の電気管状炉で囲んで構成されたホットウォール型などが挙げられる。その場合、反応容器としては、例えば、耐熱性の石英管などが好ましく用いられる。
カーボンナノチューブ集合体の製造に用い得る触媒（触媒層の材料）としては、任意の適切な触媒を用い得る。例えば、鉄、コバルト、ニッケル、金、白金、銀、銅などの金属触媒が挙げられる。
カーボンナノチューブ集合体を製造する際、必要に応じて、基板と触媒層の中間にアルミナ／親水性膜を設けても良い。
アルミナ／親水性膜の作製方法としては、任意の適切な方法を採用し得る。例えば、基板の上にＳｉＯ２膜を作製し、Ａｌを蒸着後、４５０℃まで昇温して酸化させることにより得られる。このような作製方法によれば、Ａｌ２Ｏ３が親水性のＳｉＯ２膜と相互作用し、Ａｌ２Ｏ３を直接蒸着したものよりも粒子径の異なるＡｌ２Ｏ３面が形成される。基板の上に、親水性膜を作製することを行わずに、Ａｌを蒸着後に４５０℃まで昇温して酸化させても、粒子径の異なるＡｌ２Ｏ３面が形成され難いおそれがある。また、基板の上に、親水性膜を作製し、Ａｌ２Ｏ３を直接蒸着しても、粒子径の異なるＡｌ２Ｏ３面が形成され難いおそれがある。
カーボンナノチューブ集合体の製造に用い得る触媒層の厚みは、微粒子を形成させるため、好ましくは０．０１ｎｍ〜２０ｎｍであり、より好ましくは０．１ｎｍ〜１０ｎｍである。カーボンナノチューブ集合体の製造に用い得る触媒層の厚みを上記範囲内に調整することにより、形成するカーボンナノチューブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体となり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体を有する搬送部材は、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が被搬送物側により付着残存しにくい載置部材を有する搬送部材となることができる。
触媒層の形成方法は、任意の適切な方法を採用し得る。例えば、金属触媒をＥＢ（電子ビーム）、スパッタなどにより蒸着する方法、金属触媒微粒子の懸濁液を基板上に塗布する方法などが挙げられる。
カーボンナノチューブ集合体の製造に用い得る炭素源としては、任意の適切な炭素源を用い得る。例えば、メタン、エチレン、アセチレン、ベンゼンなどの炭化水素；メタノール、エタノールなどのアルコール；などが挙げられる。
カーボンナノチューブ集合体の製造における製造温度としては、任意の適切な温度を採用し得る。たとえば、本発明の効果を十分に発現し得る触媒粒子を形成させるため、好ましくは４００℃〜１０００℃であり、より好ましくは５００℃〜９００℃であり、さらに好ましくは６００℃〜８００℃である。
Ｂ．搬送装置
本発明の搬送装置は、上記搬送部材を備える。上記搬送部材を備える本発明の搬送装置は、例えば、半導体素子の製造工程、光学部材の製造工程等に好適に用いられ得る。より詳細には、本発明の搬送装置は、半導体素子製造における工程と工程との間あるいは所定の工程内で、材料、製造中間品、製品等（具体的には、半導体材料、ウエハ、チップ、フィルム等）を移送するために用いられ得る。また、光学部材製造における工程間、あるいは工程内で、ガラス基材等を移送するために用いられ得る。
本発明の搬送装置に備えられる搬送部材は、上記のとおり、耐熱性に優れるため、高温環境下においても、被加工物に対する保持力を維持することができる。そのため、上記搬送装置は、高温環境（例えば、４００℃以上、好ましくは５００℃〜１０００℃、より好ましくは５００℃〜７００℃）にさらされる工程、例えば、半導体素子の製造工程におけるウエハ処理工程（いわゆる、前工程）においても、好適に使用され得る。
本発明の搬送装置に備えられる搬送部材は、上記のとおり、繊維状柱状構造体を含む載置部材を備えるため、本発明の搬送装置は、あらゆる環境下で、被加工物に対する保持力を発現する。具体的には、本発明の搬送装置は、大気中はもとより、真空中（例えば、気圧１０−５Ｐａ以下）においても保持力を発現し、良好に使用され得る。また、不活性ガス（例えば、ヘリウム、アルゴン、窒素）中においても、良好に使用され得る。
以下、図３および図４、ならびに図５を用いて、本発明の具体的な実施形態を説明するが、本発明はこれらの実施形態には限定されない。
１つの実施形態においては、上記搬送装置は、アーム部と、該アーム部の少なくとも一方の端に連結されたハンド部とを備える（図３、図４）。
図３に、本発明の１つの実施形態における搬送装置の概略図を示す。この実施形態においては、上記搬送装置２０００は、アーム部３００と、該アーム部の一方端３０１に連結されたハンド部１０００とを備える。アーム部３００は、他方端３０２を軸中心として水平方向に回転自在に設けられる。より詳細には、搬送装置２０００は、胴体部４００と、この胴体部４００に連結されたアーム部３００と、アーム部３００の先端に連結されたハンド部１０００とを備える。ハンド部１０００は、上記搬送部材から構成され、上記のとおり、搬送基材（搬送テーブル）と、該搬送基材上に設けられた載置部材とを備える。載置部材は、上記繊維状柱状構造体を含む。
図３に示す実施形態の搬送装置２０００は、各種製品の製造工程に用いられ得、例えば、比較的近接した工程間、あるいは工程内において、被加工物の受け渡しを行い得る。受け渡しに供される被加工物は、ハンド部１０００を構成する搬送部材の載置部材上に載置される。その後、アーム部３００の駆動によりハンド部（搬送部材）１０００を移動させて、載置部材上の被加工物を次工程に移す。上記繊維状柱状構造体を含む載置部材は、水平移動に対するグリップ力に優れるため、搬送時には被加工物を強力に保持することができる。一方、垂直移動に対するグリップ力は比較的小さいため、載置部材から被加工物取り出す際には、特別な機構を要せず、簡単かつトラブルなく、当該操作を行うことができる。
胴体部４００は、搬送装置２０００の基台となる。
アーム部３００は、胴体部４００に対して水平方向に回転自在に設けられ得る。また、搬送装置２０００は、アーム部３００を昇降させるための昇降部５００を備えていてもよい。昇降部５００は、アーム部３００の胴体部４００側の端部３０２と連結するように構成され得る。アーム部３００は、伸縮可能に構成されていてもよい。アーム部４００の回転操作、昇降操作および／または伸縮操作は、任意の適切な駆動機構（図示せず）の制御により、行われ得る。駆動機構は、例えば、胴体部３００に内蔵され得る。駆動機構としては、例えば、モータとボールネジを利用した周知構造の機構を用いることができる。
上記アーム部３００は、図３に示すように、多関節構造であってもよい。多関節構造のアーム部３００は、複数のアーム（図示例では、第１アーム３１０、第２アーム３２０）を備える。第１アーム３１０は、胴体部４００側の端部３１２を軸中心点として、回転自在に設けられる。第２アーム３２０は、第１のアーム３１０と第２のアーム３２０とを連結する関節３２２を軸中心として、回転自在に設けられる。なお、図示例に限らず、多関節構造のアーム部は３以上のアームを備え得る。また、アーム部を構成するアームは、水平方向に加えて、垂直方向にも回転するように構成されていてもよい。さらに、水平方向に回転し得るアームと、垂直方向に回転し得る別のアームとを組み合わせて、多関節構造のアーム部を構成してもよい。垂直方向に回転し得るアームを組み入れる場合、昇降部は省略され得る。
上記ハンド部１０００は、支軸１００１を介して、アーム部３００の端部（図３においては、胴体部４００とは反対側の端部）に連結される。ハンド部１０００は、支軸１００１を軸中心として、回転自在に設けられていてもよい。上記ハンド部１０００の大きさおよび形状は、搬送される被加工物の大きさ、形状等に応じて、適宜選択し得る。ハンド部１０００の形状の具体例としては、例えば、フォーク状、長方形状等が挙げられる。好ましくは、図示例のようにフォーク状である。被加工物の載置および取り出しが容易になるからである。
搬送装置が、アーム部と、該アーム部の少なくとも一方の端に連結されたハンド部とを備える実施形態において、ハンド部は、アーム部の両端に連結されていてもよい。このようなアーム部およびハンド部の一例を、図４に示す。図４において、ハンド部１０００は、アーム部３００の両端に連結している。アーム部３００は、その略中央で昇降部５００と連結する。また、アーム部３００は、該アーム部３００の略中央（好ましくは昇降部５００との連結部分３０３）を軸中心として、水平方向に回転自在に設けられ得る。なお、図示例の他、多関節構造のアーム部の両端にハンド部が連結されていてもよい。
別の実施形態においては、本発明の搬送装置は、上記搬送部材がレール等の走行軌道上を走行することにより、被加工物が搬送されるように構成され得る。図５に、このような実施形態における搬送装置を含む製造工程の概略図を示す。この搬送装置３０００は、各工程（図示例では、工程Ａ〜Ｆ）を繋ぐようにして設けられた走行軌道６００と、走行軌道６００を走行するようにして設けられた台車１１００とを備える。台車１１００上には、搬送部材１０００が設けられる。搬送部材１０００は、上記のとおり、搬送基材と、該搬送基材上に設けられた載置部材とを備える。載置部材は、上記繊維状柱状構造体を含む。搬送装置３０００を含む製造工程においては、走行軌道６００と各工程で用いられる装置（例えば、処理装置、保管庫等）Ａ’〜Ｆ’との間に配設された受け渡し装置７００が設けられ得る。なお、図５中の矢印は、搬送装置３０００における搬送方向を示す。
図５に示す搬送装置３０００もまた、各種製品の製造工程に用いられ得る。搬送装置３０００においては、所定の工程が完了した後、被加工物Ｘが、台車１１００に設けられた搬送部材１０００上に載置され、次工程に搬送される。次工程においては、搬送部材１０００上の被加工物Ｘが、次工程の処理装置に移されて、当該工程に供される。各工程で用いられる装置Ａ’〜Ｆ’と台車１１００との間での被加工物の受け渡しは、受け渡し装置７００を介して行われる。このように被加工物Ｘの受け渡しが可能である限り、受け渡し装置７００としては、任意の適切な装置が用いられ得る。受け渡し装置として、図３に示す搬送装置２０００を用いてもよい。
走行軌道６００の平面視形状は、任意の適切な形状であり得る。
台車１１００は、任意の適切な駆動機構（図示せず）により、駆動させ得る。台車１１００および台車１１００上に設けられた搬送部材１０００の大きさおよび形状は、搬送される被加工物の大きさ、形状等に応じて、適宜選択し得る。搬送装置３０００は、複数の台車１１００を備えていてもよい。
台車１１００の走行速度は、好ましくは１００ｍｍ／ｓ〜１００００ｍｍ／ｓであり、より好ましくは５００ｍｍ／ｓ〜５０００ｍｍ／ｓであり、さらに好ましくは１０００ｍｍ／ｓ〜２０００ｍｍ／ｓである。上記繊維状柱状構造体を含む載置部材は、被加工物を強力に保持することができため、本発明の搬送装置においては、台車１１００の走行速度（すなわち、搬送速度）を速くすることができる。
図５においては、走行軌道６００が、３以上の工程を繋ぐようにして構成された実施形態を示しているが、上記搬送装置は、２つの工程間で搬送部材を備える台車が往復し得るような構成であってもよい。
Ｃ．搬送方法
本発明の搬送方法は、上記搬送部材により被搬送物を保持し、該被搬送物を搬送することを含む。１つの実施形態においては、本発明の搬送方法は、半導体素子または光学部材の製造工程で用いられる。より詳細には、本発明の搬送方法は、半導体素子製造における工程と工程との間、あるいは所定の工程内で、材料、製造中間品、製品等（具体的には、半導体材料、ウエハ、チップ、フィルム等）を移送するために用いられ得る。また、光学部材製造における工程間あるいは工程内で、ガラス基材等を移送するために用いられ得る。本発明の搬送方法によれば、高熱下においても、被搬送物を良好に保持して搬送することができる。また、大気中、真空中（例えば、気圧１０−５Ｐａ以下）、不活性ガス（例えば、ヘリウム、アルゴン、窒素）中等で、良好に被搬送物を搬送することができる。本発明の搬送方法の具体例としては、上記Ｂ項で説明した方法が挙げられる。
Ｄ．半導体素子の製造方法
本発明の半導体素子の製造方法は、Ｂ項で説明した搬送装置を用いる。搬送装置は、上記のとおり、Ａ項で説明した搬送部材を備える。
上記半導体素子の製造方法において、搬送装置により搬送される被加工物としては、例えば、半導体ウエハ、半導体チップ等が挙げられる。
１つの実施形態においては、半導体素子の製造方法は、複数の工程を含み、上記搬送装置を用いて、該製造方法を構成する各工程に供される被加工物を搬送することを含む。より具体的には、半導体素子の製造方法は、半導体素子の製造工程として周知の工程（例えば、ウエハ洗浄工程、成膜工程、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程、イオン打ち込み工程、検査工程等の前工程；ウエハマウンティング工程、ダイボンディング工程、ワイヤボンディング工程、パッケージング工程、検査工程等の後工程；処理済品の一時保管工程）を含み、各工程が終了した後、被加工物は、上記搬送装置により、次工程に移される。
本発明においては、被加工物に対する摩擦力が高い搬送部材を備える搬送装置を用いることにより、被加工物を良好に保持して、半導体素子を製造することができる。このような本発明の製造方法によれば、搬送スピードを速くすることができ、製造効率の向上が可能となる。また、上記搬送部材は耐熱性に優れるため、本発明の製造方法では、高温下にさらされる工程（例えば、前工程）においても、被加工物に対する保持力が低下し難く、製造効率を向上させることができる。
Ｅ．光学部材の製造方法
本発明の光学部材の製造方法は、Ｂ項で説明した搬送装置を用いる。搬送装置は、上記のとおり、Ａ項で説明した搬送部材を備える。
上記光学部材の製造方法において、搬送装置により搬送される被加工物としては、特に限定されず、任意の適切な各種材料が搬送に供され得る。１つの実施形態においては、本発明の製造方法により液晶セルが製造される。液晶セルを製造する場合、上記搬送装置により搬送される被加工物としては、例えば、ガラス基板、アレイ基板、カラーフィルター基板等が挙げられる。
１つの実施形態においては、光学部材の製造方法は、複数の工程を含み、上記搬送装置を用いて、該製造方法を構成する各工程に供される被加工物を搬送することを含む。本発明の製造方法により液晶セルを製造する場合、該液晶セルの製造方法は、液晶セルの製造工程として周知の工程（例えば、ガラス基板の洗浄工程、各種薄膜を成膜する工程、電極パターン形成工程、カラーフィルター形成工程等の基板形成工程；セル化工程；モジュール化工程；処理済品の一時保管工程）を含み、各工程が終了した後、被加工物は、上記搬送装置により、次工程に移される。
以下、本発明を実施例に基づいて説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、各種評価や測定は、以下の方法により行った。
＜繊維状柱状物の長さＬの測定＞
繊維状柱状物の長さＬは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって測定した。
＜カーボンナノチューブ集合体におけるカーボンナノチューブの層数・層数分布の評価＞
カーボンナノチューブ集合体におけるカーボンナノチューブの層数および層数分布は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）および／または透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって測定した。得られたカーボンナノチューブ集合体の中から少なくとも１０本以上、好ましくは２０本以上のカーボンナノチューブをＳＥＭおよび／またはＴＥＭにより観察し、各カーボンナノチューブの層数を調べ、層数分布を作成した。
＜ガラス表面に対する静摩擦係数の測定＞
ＪＩＳ Ｋ７１２５に準じて測定した。
シリコンウェハ上のカーボンナノチューブ柱状構造体（８０ｍｍ×２００ｍｍ）を２００℃に加熱したポリプロピレン基材（３０μｍ厚）に押付け、シリコンウェハからカーボンナノチューブ柱状構造体をポリプロピレン基材に転写させ、カーボンナノチューブ構造体／ポリプロピレンフィルムのテープ形状の試験片を作製した。テープ形状の試験片のカーボンナノチューブ側をスライドガラス（松浪硝子工業社製）におき、その上からすべり片（底面：フェルト、６３ｍｍ×６３ｍｍ）と、さらにそのすべり片の上におもり（すべり片の全質量が２００ｇとなる重さのおもり）を載せた状態で、試験片を試験速度１００ｍｍ／ｍiｎで引張り、試験片が動き始めるときの最大荷重から静摩擦係数を算出した。
＜表面汚染の評価＞
シリコンウェハ（シリコンテクノロジー製）上にカーボンナノチューブ柱状構造体を押し付けて貼り合わせた。その後、１８０°ピールにてシリコンウェハ（シリコンテクノロジー製）からカーボンナノチューブ柱状構造体を剥離した。シリコンウェハの貼り合わせ面側をＳＥＭにて形態観察を行い、表面に付着している異物を確認した。
〔実施例１〕
基板としてのシリコンウェハ（シリコンテクノロジー製）上に、スパッタ装置（ＵＬＶＡＣ製、ＲＦＳ−２００）により、Ａｌ薄膜（厚み１０ｎｍ）を形成した。このＡｌ薄膜上に、さらにスパッタ装置（ＵＬＶＡＣ製、ＲＦＳ−２００）にてＦｅ薄膜（厚み１ｎｍ）を蒸着した。
その後、この基板を３０ｍｍφの石英管内に載置し、水分６００ｐｐｍに保ったヘリウム／水素（９０／５０ｓｃｃｍ）混合ガスを石英管内に３０分間流して、管内を置換した。その後、電気管状炉を用いて管内を７６５℃まで昇温させ、７６５℃にて安定させた。７６５℃にて温度を保持したまま、ヘリウム／水素／エチレン（８５／５０／５ｓｃｃｍ、水分率６００ｐｐｍ）混合ガスを管内に充填させ、５分間放置してカーボンナノチューブを基板上に成長させ、カーボンナノチューブが長さ方向に配向しているカーボンナノチューブ集合体（１）を得た。
カーボンナノチューブ集合体（１）が備えるカーボンナノチューブの長さは１００μｍであった。
カーボンナノチューブ集合体（１）が備えるカーボンナノチューブの層数分布において、最頻値は２層に存在し、相対頻度は７５％であった。
基板上に形成されたカーボンナノチューブ集合体（１）を、基板から剥離することにより、載置部材（１）を得た。
得られた載置部材（１）を、基板から剥離した側の端面を超耐熱カーボンペースト（ＥＭ Ｊａｐａｎ製）に埋め込み、硬化（室温×２時間、９０℃×２時間、２６０℃×２時間、４５０℃×３時間）して搬送テーブルに固定することにより、搬送部材（１）を得た。
評価結果を表１に示した。
〔実施例２〕
実施例１において、放置時間を２５分に変えた以外は、実施例１と同様に行い、カーボンナノチューブが長さ方向に配向しているカーボンナノチューブ集合体（２）を得た。
カーボンナノチューブ集合体（２）が備えるカーボンナノチューブの長さは５００μｍであった。
カーボンナノチューブ集合体（２）が備えるカーボンナノチューブの層数分布において、最頻値は２層に存在し、相対頻度は７５％であった。
実施例１と同様に行い、載置部材（２）および搬送部材（２）を得た。
評価結果を表１に示した。
〔実施例３〕
実施例１において、Ｆｅ薄膜を２ｎｍ厚、反応放置時間を３５分に変えた以外は、実施例１と同様に行い、カーボンナノチューブが長さ方向に配向しているカーボンナノチューブ集合体（３）を得た。
カーボンナノチューブ集合体（３）が備えるカーボンナノチューブの長さは７００μｍであった。
カーボンナノチューブ集合体（３）が備えるカーボンナノチューブの層数分布において、最頻値は３層に存在し、相対頻度は７２％であった。
実施例１と同様に行い、載置部材（３）および搬送部材（３）を得た。
評価結果を表１に示した。
〔実施例４〕
シリコン基板（ＫＳＴ製、熱酸化膜付ウエハ、厚み１０００μｍ）上に、真空蒸着装置（ＪＥＯＬ製、ＪＥＥ−４Ｘ Ｖａｃｕｕｍ Ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ）により、Ａｌ薄膜（厚み１０ｎｍ）を形成した後、４５０℃で１時間酸化処理を施した。このようにして、シリコン基板上にＡｌ２Ｏ３膜を形成した。このＡｌ２Ｏ３膜上に、さらにスパッタ装置（ＵＬＶＡＣ製、ＲＦＳ−２００）にてＦｅ薄膜（厚み２ｎｍ）を蒸着させて触媒層を形成した。
次に、得られた触媒層付シリコン基板をカットして、３０ｍｍφの石英管内に載置し、水分３５０ｐｐｍに保ったヘリウム／水素（１２０／８０ｓｃｃｍ）混合ガスを石英管内に３０分間流して、管内を置換した。その後、電気管状炉を用いて管内を７６５℃まで３５分間で段階的に昇温させ、７６５℃にて安定させた。７６５℃にて温度を保持したまま、ヘリウム／水素／エチレン（１０５／８０／１５ｓｃｃｍ、水分率３５０ｐｐｍ）混合ガスを管内に充填させ、５分間放置してカーボンナノチューブを基板上に成長させ、カーボンナノチューブが長さ方向に配向しているカーボンナノチューブ集合体（４）を得た。
カーボンナノチューブ集合体（４）が備えるカーボンナノチューブの長さは１００μｍであった。
カーボンナノチューブ集合体（４）が備えるカーボンナノチューブの層数分布において、層数分布の分布幅は１７層（４層〜２０層）であり、最頻値は４層と８層に存在し、相対頻度はそれぞれ２０％と２０％であった。
実施例１と同様に行い、載置部材（４）および搬送部材（４）を得た。
評価結果を表１に示した。
〔実施例５〕
実施例４において、放置時間を１５分に変えた以外は、実施例４と同様に行い、カーボンナノチューブが長さ方向に配向しているカーボンナノチューブ集合体（５）を得た。
カーボンナノチューブ集合体（５）が備えるカーボンナノチューブの長さは３００μｍであった。
カーボンナノチューブ集合体（５）が備えるカーボンナノチューブの層数分布において、層数分布の分布幅は１７層（４層〜２０層）であり、最頻値は４層と８層に存在し、相対頻度はそれぞれ２０％と２０％であった。
実施例４と同様に行い、載置部材（５）および搬送部材（５）を得た。
評価結果を表１に示した。
〔実施例６〕
実施例４において、放置時間を２５分に変えた以外は、実施例４と同様に行い、カーボンナノチューブが長さ方向に配向しているカーボンナノチューブ集合体（６）を得た。
カーボンナノチューブ集合体（６）が備えるカーボンナノチューブの長さは５００μｍであった。
カーボンナノチューブ集合体（６）が備えるカーボンナノチューブの層数分布において、層数分布の分布幅は１７層（４層〜２０層）であり、最頻値は４層と８層に存在し、相対頻度はそれぞれ２０％と２０％であった。
実施例４と同様に行い、載置部材（６）および搬送部材（６）を得た。
評価結果を表１に示した。
〔比較例１〕
ＰＤＭＳ ポリジメチルシロキサン（商品名「Ｓｙｌｇａｒｄ１８４」、ダウコーニング製）を載置部材（Ｃ１）とした。
得られた載置部材（Ｃ１）を、５００μｍ厚に成形、硬化することにより、搬送部材（Ｃ１）を得た。
評価結果を表１に示した。
Figure 2017035743
表１から明らかなように、本発明の製造装置が備える搬送部材は、グリップ力が高く、被搬送物の汚染が防止される。
〔実施例７〕
実施例１で得られた搬送部材を用いて、図３に示す搬送装置を準備した。半導体素子製造における成膜工程に被加工物を搬入すべく、該搬送装置を、６００℃の環境下に置いた。この搬送装置の搬送部材上に被加工物を載せ、該被加工物を搬送したところ、該被加工物は搬送部材上でずれることなく、効率的に搬送された。
また、実施例２〜６で得られた搬送部材についても、同様に搬送テストを行った。いずれの搬送部材についても、上記同様、被加工物を良好に保持し得ることができた。
１０００ 搬送部材
２０００、３０００ 搬送装置
１００ 搬送基材
２００ バインダー
３００ アーム部
４００ 胴体部
５００ 昇降部
６００ 走行軌道
１０ 繊維状柱状構造体
１０ａ 繊維状柱状構造体の表面
２ 繊維状柱状物

Claims (12)

  1. 搬送部材を備える搬送装置であって、
    該搬送部材が、搬送基材と載置部材とを有し、
    該載置部材が繊維状柱状構造体を含み、
    該繊維状柱状構造体が、繊維状柱状物を複数備える繊維状柱状構造体であり、
    該繊維状柱状物は、該搬送基材に対して略垂直方向に配向しており、
    該繊維状柱状構造体の該搬送基材と反対の側の表面の、ガラス表面に対する静摩擦係数が２．０以上である、
    搬送装置。
  2. アーム部と、該アーム部の一方端に連結されたハンド部とを備え、
    該アーム部が、該アーム部の他方端を軸中心として水平方向に回転自在に設けられ、
    該ハンド部が、前記搬送部材から構成される、
    請求項１に記載の搬送装置。
  3. 前記アーム部が多関節構造である、請求項２に記載の搬送装置。
  4. アーム部と、該アーム部の両端に連結されたハンド部とを備え、
    該アーム部が、該アームの略中央を軸中心として水平方向に回転自在に設けられ、
    該ハンド部が、前記搬送部材から構成される、
    請求項１に記載の搬送装置。
  5. 前記搬送部材が、走行軌道上を走行するように構成される、請求項１に記載の搬送装置。
  6. 前記走行軌道と、該走行軌道を走行するようにして設けられた台車とを備え、
    該台車上に、前記搬送部材が設けられている、
    請求項５に記載の搬送装置。
  7. 搬送部材により被搬送物を保持し、該被搬送物を搬送することを含み、
    該搬送部材が、搬送基材と載置部材とを有し、
    該載置部材が繊維状柱状構造体を含み、
    該繊維状柱状構造体が、繊維状柱状物を複数備える繊維状柱状構造体であり、
    該繊維状柱状物は、該搬送基材に対して略垂直方向に配向しており、
    該繊維状柱状構造体の該搬送基材と反対の側の表面の、ガラス表面に対する静摩擦係数が２．０以上である、搬送方法。
  8. 請求項２から６のいずれかに記載の搬送装置を用いることを含む、請求項７に記載の搬送方法。
  9. 請求項１から６のいずれかに記載の搬送装置を用いることを含む、半導体素子の製造方法。
  10. 複数の工程を含む、半導体素子の製造方法であって、
    請求項１から６のいずれかに記載の搬送装置を用いて、該製造方法を構成する各工程に供される被加工物を搬送することを含む、
    請求項９に記載の半導体素子の製造方法。
  11. 請求項１から６のいずれかに記載の搬送装置を用いることを含む、光学部材の製造方法。
  12. 複数の工程を含む、光学部材の製造方法であって、
    請求項１から６のいずれかに記載の搬送装置を用いて、該製造方法を構成する各工程に供される被加工物を搬送することを含む、
    請求項１１に記載の光学部材の製造方法。








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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018030182A1 (ja) * 2016-08-12 2018-02-15 日東電工株式会社 カーボンナノチューブ集合体
WO2018066233A1 (ja) * 2016-10-03 2018-04-12 日東電工株式会社 カーボンナノチューブ集合体
WO2018066222A1 (ja) * 2016-10-03 2018-04-12 日東電工株式会社 カーボンナノチューブ集合体
WO2018173456A1 (ja) * 2017-03-23 2018-09-27 日東電工株式会社 搬送固定治具
WO2019155947A1 (ja) * 2018-02-06 2019-08-15 日東電工株式会社 カーボンナノチューブ集合体

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MX2016011344A (es) * 2015-09-01 2018-02-27 Hellermann Tyton Corp Cubierta de trinquete con superficie texturizada.
JP6618957B2 (ja) * 2017-06-14 2019-12-11 アイダエンジニアリング株式会社 プレス機械のワーク搬送装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3860258B2 (ja) * 1996-07-09 2006-12-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板搬送雰囲気の維持方法
JP4907077B2 (ja) * 2004-11-30 2012-03-28 株式会社Ｓｅｎ ウエハ処理装置及びウエハ処理方法並びにイオン注入装置
JP4880941B2 (ja) * 2005-08-02 2012-02-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空搬送装置およびこれを備えた荷電粒子線検査装置
KR101259862B1 (ko) * 2010-02-05 2013-05-02 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 보유지지구 및 기판 반송 장치 및 기판 처리 장치
CN104271474B (zh) * 2011-12-16 2018-01-09 布鲁克斯自动化公司 输送设备
US9698035B2 (en) * 2013-12-23 2017-07-04 Lam Research Corporation Microstructures for improved wafer handling

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018030182A1 (ja) * 2016-08-12 2018-02-15 日東電工株式会社 カーボンナノチューブ集合体
WO2018066233A1 (ja) * 2016-10-03 2018-04-12 日東電工株式会社 カーボンナノチューブ集合体
WO2018066222A1 (ja) * 2016-10-03 2018-04-12 日東電工株式会社 カーボンナノチューブ集合体
US11390525B2 (en) 2016-10-03 2022-07-19 Nitto Denko Corporation Carbon nanotube aggregate comprising a non-aligned portion
WO2018173456A1 (ja) * 2017-03-23 2018-09-27 日東電工株式会社 搬送固定治具
JP2018160587A (ja) * 2017-03-23 2018-10-11 日東電工株式会社 搬送固定治具
WO2019155947A1 (ja) * 2018-02-06 2019-08-15 日東電工株式会社 カーボンナノチューブ集合体
CN111655615A (zh) * 2018-02-06 2020-09-11 日东电工株式会社 碳纳米管集合体

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