JP3860258B2 - 基板搬送雰囲気の維持方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体基板や液晶表示器などに用いられるガラス基板(以下、「基板」という。)に所定の処理を施す処理室と、処理室に接続された搬送室とを有する基板処理装置における搬送雰囲気の維持方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
処理室において基板に所定の処理を施す基板処理装置では、取り扱い対象である基板が周囲の雰囲気の微妙な変化に大きな影響を受けてしまうため、その取扱には多くの厳しい条件が要求される。これは処理室への基板の搬出入においても同様であり、処理室外部においても厳しい取扱条件が要求される。したがって、処理室の搬出入口にはもう1つの密閉空間である搬送室が接続され、基板搬送における雰囲気を清浄なものに維持することにより搬送工程における基板の汚染を防止している。すなわち、搬送室内部を窒素ガスなどの不活性ガスで充填しておくことにより基板の搬送における汚染を防止している。なお、搬送室を不活性ガスで充填しておくのは、処理室への基板の搬出入の際に処理室と搬送室との間に設けられたシャッタが開くこととなるが、処理室(大気圧近傍または低真空)と搬送室との気圧差をなくして各室内部のガスの出入りやパーティクルの舞上りを防止するためである。
【0003】
図3はこのような処理室と搬送室とを有する基板処理装置の一例を示す平面図である。この基板処理装置SP100では、搬送室102に4つの処理室103a、103b、103c、103dが放射状に直接接続されており、さらにこの搬送室102には、予め外部から複数枚を単位として搬入された基板を格納しておくローダ101aと処理が完了した基板を格納しておいてまとめて外部に取り出すアンローダ101bとがさらに接続されている。
【0004】
基板はまず、搬送室102内部に設けられた搬送手段(図示省略)によりローダ101aから搬送室102内へと搬出され、搬送室102内を搬送されて処理室103aに搬入される。処理室103aでは所定の処理を基板に施し、再び搬送手段により搬送室102内に搬出される。次に基板は搬送室102内を搬送された後処理室103bに搬入され、処理室103b内において別の所定の処理が施される。このように基板は4つの処理室103aから103dまで順次搬入・搬出が繰り返され、それぞれの処理室において所定の処理が施されることとなる。そして、全ての処理が施された基板は搬送手段によりアンローダ101bに格納される。
【0005】
この装置SP100では、基板の搬送環境を良好に維持するために搬送室102のみならず、搬送に関わるローダ101a、アンローダ101b内部においても窒素ガスなどの不活性ガスで充填されている。これにより、装置SP100内部における処理室103a〜103dやローダ101a、アンローダ101bなどの相互間の基板の搬送を良好な環境において行い、精密な基板の製造を実現している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
以上説明してきたように、基板の搬送における環境を適切なものとするために搬送に関わる搬送室102、ローダ101a、および、アンローダ101b内部は窒素ガスなどの不活性ガスで充填されている。このような環境は、例えば、図3に示すようにまず搬送室102、ローダ101a、および、アンローダ101bなどの各空間を可変流量弁158を介してドライポンプ151により真空にしておき、さらに、各空間に接続したターボ分子ポンプやクライオポンプ(図示省略)を用いて高真空とした後に不活性ガスを充填することにより実現される。
【0007】
しかし、処理室と搬送室102との気圧差をなくしても、処理室への基板の搬出入の際に処理室内部のガスが搬送室102に侵入することは完全に防ぐことはできず、汚染物質が搬送室102から他の処理室に侵入するおそれがある。その結果、基板の品質に悪影響を与えるという問題を有している。したがって、搬送雰囲気を清浄なものに維持するためには処理室と搬送室102との間にバッファとなる密閉空間を設ける必要がある。また、搬送室102やローダ101a、アンローダ101b自体においても大気がリークして侵入するおそれがあり、搬送の雰囲気を清浄なものに長時間維持することは困難であるという問題を有している。
【0008】
そこで、この発明は、上記課題に鑑みなされたもので、処理室を搬送室に直接接続しつつも基板の搬送雰囲気である搬送室やローダ、アンローダなどの内部環境を清浄なものに維持し、基板の品質を安定させることができる基板搬送雰囲気の維持方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明は、基板の搬送が行われる搬送室と、前記搬送室に直接接続されて前記基板に所定の処理を施す処理室と、前記搬送室の内部に配置され、前記基板を搬送して前記処理室への搬出入を行う搬送手段と、前記搬送室に直接接続されて外部と前記基板の受け渡しを行う受渡室と、前記搬送室および前記受渡室に不活性ガスを供給するガス供給手段と、前記搬送室および前記受渡室の内部のガスをドライポンプにより強制的に排気する強制排気系と、前記搬送室および前記受渡室の内部のガスを連続的に排気するユーティリティ排気系と、を備えた基板処理装置において、前記搬送室および前記受渡室の清浄雰囲気を維持する基板搬送雰囲気の維持方法であって、前記ガス供給手段および前記強制排気系が、前記搬送室および前記受渡室に対する強制的な排気と不活性ガスの充填とを行い、その後、前記ガス供給手段および前記ユーティリティ排気系が、前記搬送室の気圧を前記処理室の気圧と差がない気圧に維持しながら前記搬送室に不活性ガスを連続的に供給するとともに前記搬送室内のガスを連続的に排気し、さらに、前記受渡室の気圧を前記搬送室の気圧と差がない気圧に維持しながら前記受渡室に不活性ガスを連続的に供給するとともに前記受渡室内のガスを連続的に排気する。
【0014】
請求項2の発明は、請求項1記載の基板搬送雰囲気の維持方法であって、前記処理室が複数であり、前記複数の処理室と前記受渡室とが前記搬送室の周囲に放射状に配置される。
【0015】
【発明の実施の形態】
図1はこの発明に係る基板処理装置SPを示す平面図である。この装置SPは中央に六角形の搬送室2を有しており、この搬送室2内部には基板9を搬送する搬送手段20が設けられている。搬送手段20は中央で鉛直方向を軸として回転する回転手段(図示省略)に接続されており、搬送室内を矢印Rの方向に回転するようになっている。また、搬送手段20はスライド駆動手段23によりアーム22が矢印Sに沿ってスライドするようにもなっている。このアーム22の両端には基板9を支持して搬送する基板支持部21が設けられており、この基板支持部21が矢印Rおよび矢印S方向に回転あるはスライドすることにより、各処理室やローダ1a、アンローダ1bに基板9を搬出入することができるようになっている。
【0016】
搬送室2の周りには放射状にそれぞれが所定の処理を基板に施す4つの処理室3a、3b、3c、3dと処理前の基板9を格納しておくローダ1aおよび処理後の基板9を格納しておくアンローダ1bとが配置されている。
【0017】
以上がこの基板処理装置SPの機械的構成であるが、次に、この装置の搬送動作について説明する。
【0018】
まず、シャッタ11aを開け、ローダ1aに矢印Aに沿って基板9を装置SP外部からセットする。このとき、基板9は複数枚を1組として(例えば、カセットに格納された状態で)セットされる。次に、シャッタ11aを閉じてローダ1a内を所定の雰囲気とした後シャッタ12aを開けて複数枚のうちの1枚の基板9を搬送手段20によりローダ1aから搬送室2に取り出す。取り出された基板9は搬送手段20により処理室3aの搬入口であるシャッタ31aの前まで搬送され、ここで、シャッタ31aを開けてこの基板を処理室3a内部に搬入する。その後、シャッタ31aを閉じて処理室3aを密閉して基板9に所定の第1の処理を施す。第1の処理が施された基板9はシャッタ31aを開けて再び搬送手段20により取り出され、同様にして搬送室2内部を搬送されて処理室3bにシャッタ31bを介して搬入される。処理室3bにおいて所定の第2の処理が施された基板9はさらに順次処理室3c、処理室3dに搬送されて同様に第3、第4の処理が施される。
【0019】
このようにして基板9は4つの処理室3a〜3dに順に搬入されて所定の4つの処理が施され、全ての処理が施された基板9は最後にアンローダ1bにシャッタ12bを介して搬入される。アンローダ1bでは全ての処理が完了した基板9が複数枚を1組として格納されるようになっており、これらの基板9をまとめてシャッタ11bを介して装置SP外部に取り出されるようになっている。
【0020】
なお、上記説明では、1枚の基板9についての搬送動作について説明を行ったが、実際には、基板9が処理室内部において処理されている間に他の基板を他の処理室などに搬送する動作を行っており、同時に複数枚の基板がそれぞれ別の処理室において処理されるようになっている。また、搬送手段20は基板支持部21を2つ有しており、これら2つの基板支持部21を用いて効率的に基板が搬送されるようになっている。
【0021】
以上がこの基板処理装置SPの基板の搬送動作であるが、次に、この装置における搬送中の基板9の周囲の雰囲気となる搬送室2やローダ1a、アンローダ1b内部の清浄な雰囲気の維持方法について説明する。
【0022】
図2はこの基板処理装置SPの排気系を示す図である。排気系は大きく分けてドライポンプ51による強制排気系5aと装置が設置される工場などに設けられた排気システムであるユーティリティ排気部52を利用して連続的に排気を行うユーティリティ排気系5bとからなる。強制排気系5aは装置立ち上げ時、メンテナンス終了後、ローダ1aやアンローダ1bへの基板の出し入れ時などのように大気解放された搬送に関わる空間の内部を不活性ガスで充填する作業時に用いられ、ユーティリティ排気系5bは不活性ガスの充填後の装置の運転中に搬送雰囲気を清浄に維持するために用いられる。
【0023】
装置立ち上げ時やメンテナンス完了後の不活性ガス充填工程では、まず、搬送室2やローダ1a、アンローダ1bの内部を可変流量弁58を介して接続されたドライポンプ51により排気を行う強制排気系5aにより真空とされる。その後、搬送室2やローダ1a、アンローダ1bに接続された不活性ガス供給系(図示しない)により窒素ガスなどを真空にしたこれらの空間に充填する。さらに、強制排気および不活性ガスの充填を数回繰り返し、これにより各空間内部に含まれる不純ガスを除去していき、基板の搬送に適した状態となったところでこの作業を終了する。なお、この作業は、ローダ1aやアンローダ1bへの外部からの基板の出し入れ時にこれらの空間が大気解放された後にも行われる。また、この方法では、高価なクライオポンプやターボ分子ポンプを用いる必要がないので、安価で簡易な構造により清浄な運転開始時の基板搬送雰囲気を生み出すことができる。
【0024】
以上の作業により基板の搬送の雰囲気が適当な状態となった後、装置の運転が開始されることとなるが、このとき、ユーティリティ排気系5bを用いて連続的に搬送室2およびローダ1a、アンローダ1b内部のガスを排気し、この排気を補うように不活性ガス供給系から不活性ガスを連続的に供給する。
【0025】
この連続的な排気および不活性ガスの供給を行うことにより次のような効果が得られる。基板9が装置の各処理室に順に搬出入される際には、各処理室のシャッタ31a〜31dが開くこととなり、処理室と搬送室2とは気圧差が無いが直接接続されているので処理室内のガスがいくらか搬送室2内部に侵入することとなる。しかし、搬送室2はユーティリティ排気系5bにより連続的に排気されているので、搬送室2に侵入した処理室からのガスはこの排気系により排気されることとなる。したがって、処理室と搬送室2との間にバッファとなる空間を設ける必要はなく直接搬送室2に処理室を接続しても処理室からのガスが他の処理室に侵入し悪影響を与えるという心配はない。また、これにより各処理に用いられるガスが混合すると危険な支燃性・爆発性のガスであっても基板の処理を安全に行うことができる。さらに、搬送室2やローダ1a、アンローダ1bは連続的に排気されているので、これらの密閉空間に大気がリークして侵入していてもユーティリティ排気系5bから排気されることとなり、長時間基板の搬送雰囲気を清浄に維持することが可能となる。その結果、基板の品質を安定させることができる。
【0026】
以上、この発明に係る一の実施の形態について説明してきたが、この発明は上記実施の形態に限定されるものではない。例えば、上記実施の形態では搬送手段20は回転・スライド運動を行うようになっているが、基板9を搬送できる手段であればどのようなものであってもよく、X−Y方向に移動するロボットハンドなどであってもよい。
【0027】
また、上記実施の形態では装置立ち上げ時あるいはメンテナンス終了後の大気解放された搬送に関わる空間内のガスの排気にドライポンプ51を用いているが、強制排気可能なものであればどのようなものでもよい。
【0028】
また、上記実施の形態では、搬送雰囲気を維持するために装置が設置されている工場などに設けられているユーティリティ排気部52を利用しているが、連続的に排気可能なものであればこれに限定されるものではない。
【0029】
また、上記実施の形態では、搬送室2およびローダ1a、アンローダ1bにおいて連続的に排気と不活性ガスの供給とを行っているが、もちろん、一部のみにおいて清浄雰囲気の維持を行うようにしてもよい。
【0030】
さらに、上記実施の形態では、4つの処理室を六角形の搬送室2に接続しているが、4つに限定されるものではなく、例えば、1つであってもよいし、接続形態も放射状ではなく矩形の搬送室の周囲に接続されるような形態であってもよい。
【0031】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項1記載の発明では、搬送室を連続的に排気するとともに所定のガスを連続的に供給するので、各処理室への基板の搬出入時に搬送室に侵入する処理室内のガスやリークにより搬送室に侵入した大気を除去することができる。これにより、搬送室における基板の搬送雰囲気を清浄に維持することができ、基板の品質を安定させることができる。
【0032】
また、受渡室においても内部のガスを連続的に排気するとともに所定のガスを連続的に供給するので、搬送室への基板の搬出入時に侵入するガスやリークにより侵入する大気を除去することができる。これにより、受渡室における基板の搬送雰囲気を清浄に維持することができ、基板の品質を安定させることができる。
【0033】
また、ユーティリティ排気系を用いて搬送室内のガスを連続的に排気するとともにガス供給手段を用いて所定のガスを連続的に供給することができ、搬送室における基板の搬送雰囲気を清浄に維持することができる。その結果、基板の品質を安定させることができる。
【0034】
また、受渡室においてもユーティリティ排気系を用いて連続的に排気を行うとともにガス供給手段を用いて連続的に所定のガスを供給することができ、受渡室における基板の搬送雰囲気を清浄に維持することができる。その結果、基板の品質を安定させることができる。
【0036】
請求項2記載の発明では、処理室が搬送室の周囲に放射状に配置されているので、請求項1記載の発明の効果に加え、各処理室間の基板の搬送を効率的に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係る一の実施の形態である基板処理装置の平面図である。
【図2】この発明に係る一の実施の形態である基板処理装置の排気系を示す図である。
【図3】従来の基板処理装置の排気系を示す図である。
【符号の説明】
1a ローダ
1b アンローダ
2 搬送室
3a、3b、3c、3d 処理室
5a 強制排気系
5b ユーティリティ排気系
21 搬送手段
51 ドライポンプ
52 ユーティリティ排気部
SP 基板処理装置
Claims (2)
- 基板の搬送が行われる搬送室と、
前記搬送室に直接接続されて前記基板に所定の処理を施す処理室と、
前記搬送室の内部に配置され、前記基板を搬送して前記処理室への搬出入を行う搬送手段と、
前記搬送室に直接接続されて外部との前記基板の受け渡しを行う受渡室と、
前記搬送室および前記受渡室に不活性ガスを供給するガス供給手段と、
前記搬送室および前記受渡室の内部のガスをドライポンプにより強制的に排気する強制排気系と、
前記搬送室および前記受渡室の内部のガスを連続的に排気するユーティリティ排気系と、
を備えた基板処理装置において、前記搬送室および前記受渡室の清浄雰囲気を維持する基板搬送雰囲気の維持方法であって、
前記ガス供給手段および前記強制排気系が、前記搬送室および前記受渡室に対する強制的な排気と不活性ガスの充填とを行い、その後、
前記ガス供給手段および前記ユーティリティ排気系が、前記搬送室の気圧を前記処理室の気圧と差がない気圧に維持しながら前記搬送室に不活性ガスを連続的に供給するとともに前記搬送室内のガスを連続的に排気し、さらに、前記受渡室の気圧を前記搬送室の気圧と差がない気圧に維持しながら前記受渡室に不活性ガスを連続的に供給するとともに前記受渡室内のガスを連続的に排気することを特徴とする基板搬送雰囲気の維持方法。 - 請求項1記載の基板搬送雰囲気の維持方法であって、
前記処理室が複数であり、前記複数の処理室と前記受渡室とが前記搬送室の周囲に放射状に配置されることを特徴とする基板搬送雰囲気の維持方法。
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JPH1027734A JPH1027734A (ja) | 1998-01-27 |
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