TWI686894B - 基板運送方法及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的，係使用可運送一片之基板、亦可運送複數片之基板的負載鎖定室，而有效率地運送基板。 解決手段係提供一種基板運送方法，係包括複數之處理室與負載鎖定室之基板處理裝置的基板運送方法，該處理室配置於運送基板之運送室的周圍並對基板施行處理，該負載鎖定室配置於該運送室的周圍並且可以在大氣環境與真空環境間切換；該負載鎖定室具有在第1區域與第2區域之間切換基板之運送空間的驅動部，該第1區域可運送一片基板，該第2區域可運送複數片基板；該基板運送方法包括以下步驟：依該複數之處理室中之基板處理狀況，而在該負載鎖定室的該第1區域或該第2區域中選擇其任一者；依該選擇結果以控制該驅動部。

Description

基板運送方法及基板處理裝置
本發明係有關於基板運送方法及基板處理裝置。
為了更有效率地進行半導體製程，已提案有一種基板處理裝置，其具有設置了複數之處理室的集束型 （Cluster）結構。於該種結構之基板處理裝置，係將複數之基板運送至複數之處理室，而在複數之處理室同步處理複數之基板。
於複數之處理室執行不同製程的情況下，會有製程時間不同之情形。在該種情況下，對複數之處理室搬入和搬出基板的時間重疊，而有時會在將先行之基板搬入或搬出一個處理室之期間，使得對其他處理室之基板的搬入或搬出被迫等待。為了縮短此等待時間，思及在真空狀態下的運送室內設置用以載置接下來所要處理之基板的暫存部。然而，會產生真空側之臂體對該暫存部進行搬入及搬出基板之額外的運送時間，因此有可能會產生對其他處理室之基板的搬入或搬出被迫進一步等待的情形。
有鑑於此，於專利文獻1提案有一種基板處理裝置，設有暫存部，可於其負載鎖定室內部載置複數之基板，藉由使用暫存部而能對負載鎖定室搬入及搬出複數之基板。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2012－253348號公報
[發明所欲解決的問題] 然而，由於對負載鎖定室內部設置暫存部，負載鎖定室內部的容積要增加。因此，會使負載鎖定室內部在大氣環境（atmosphere）與真空環境之間切換之際的供排氣時間增加。職是之故，基板處理裝置作為系統之機械性產出量最大值下滑。
針對此點，可思及將負載鎖定室內急劇地抽真空或對大氣開放這樣的手段，但在此情況下，會產生揚塵或結露等的課題。
再者，可思及分別設置可運送複數片之基板的負載鎖定室、以及可運送一片之基板的負載鎖定室，而依基板之處理狀態，區分使用二個負載鎖定室；然而在此情況下，佔地面積（foot print）會增大。
有鑑於上述課題，本發明之一層面的目的在於，使用可運送一片之基板、亦可運送複數片之基板的負載鎖定室，而有效率地運送基板。 [解決問題之技術手段]
為解決上述課題，根據本發明一態樣，提供一種基板運送方法，係包括複數之處理室與負載鎖定室之基板處理裝置的基板運送方法，該處理室配置於運送基板之運送室的周圍並對基板施行處理，該負載鎖定室配置於該運送室的周圍並且可以在大氣環境與真空環境間切換；該負載鎖定室具有在第1區域與第2區域之間切換基板之運送空間的驅動部，該第1區域可運送一片基板，該第2區域可運送複數片基板；該基板運送方法包括以下步驟：依該複數之處理室中之基板處理狀況，而在該負載鎖定室的該第1區域或該第2區域中選擇其任一者；依該選擇結果以控制該驅動部。 [發明之效果]
根據本發明一側面，可以使用可運送一片之基板、亦可運送複數片之基板的負載鎖定室，而有效率地運送基板。
以下，參照圖式以說明用以實施本發明之形態。又，於本明細書及圖式中，對於實質上相同之架構，會標記相同符號，藉以省略重複說明。
[基板處理裝置之全體架構] 首先，針對本發明一實施形態之基板處理裝置10的全體架構之一例，參照圖1進行說明。圖1所示之基板處理裝置10，係具有集束型結構（多反應室）的基板處理裝置之一例。
基板處理裝置10具有：6個處理室PM（Process Module）、運送室VTM（Vacuum Transfer Module）、2個負載鎖定室LLM（Load Lock Module）、載入模組LM（Loader Module）、3個載入埠LP（Load Port）及控制部20。
6個處理室PM，係配置於運送室VTM周圍，對晶圓施行既定處理。各處理室PM與運送室VTM，係以可藉由閘閥GV進行開閉的形式連接。處理室PM內部減壓至指定之真空環境，對晶圓施行電漿或非電漿的蝕刻處理、成膜處理、清機處理、灰化處理等處理。
於運送室VTM內部，配置有運送晶圓之運送裝置VA。運送裝置VA具有2個可伸屈及旋轉自如之機械手臂AC、AD。各機械手臂AC、AD之前端部分別安裝有抓取片C、D。運送裝置VA可以在各抓取片C、D上保持晶圓，對6個處理室PM進行晶圓之搬入及搬出、對2個負載鎖定室LLM進行晶圓之搬入及搬出。
負載鎖定室LLM係設置於運送室VTM與載入模組LM之間。負載鎖定室LLM，在大氣環境與真空環境間進行切換，而將晶圓由大氣側之載入模組LM運送至真空側之運送室VTM，或是由真空側之運送室VTM運送至大氣側之載入模組LM。於本實施形態，具備二個負載鎖定室LLM。下文中，有時將一方之負載鎖定室LLM標記為負載鎖定室LLM1、將另一方之負載鎖定室LLM標記為負載鎖定室LLM2，以資區分。
載入模組LM之內部，藉由ULPA濾淨器而用下吹氣流保持清淨，並將壓力調節成比大氣壓稍偏正壓／。載入模組LM之長邊的側壁上具備三個載入埠LP。於各載入埠LP，安裝有容納例如25片晶圓之FOUP(Front Opening Unified Pod，前開式晶圓傳送盒）或空的FOUP。載入埠LP係在將晶圓W搬出至處理室PM、或將處理室PM所處理後之晶圓W搬入時，作為晶圓W之出入口。
於載入模組LM之內部，配置有運送晶圓之運送裝置LA。運送裝置LA具有2個可伸屈及旋轉自如之機械手臂AA、AB。各機械手臂AA、AB之前端部分別安裝有抓取片A、B。運送裝置LA可以分別在抓取片A、B上保持晶圓，對FOUP進行晶圓之搬入及搬出、對2個負載鎖定室LLM進行晶圓之搬入及搬出。
於載入模組LM，設有校準晶圓位置之定向台ORT。定向台ORT係配置於載入模組LM之長邊方向的一端。定向台ORT偵測晶圓之中心位置、偏心量及缺口（notch）位置。根據偵測結果所進行之晶圓校正，就由載入模組LM之機械手臂AA、AB來進行。
具體而言，各機械手臂AA、AB會由載置於載入埠LP之FOUP取出未處理晶圓，並將取出之晶圓運送至定向台ORT。根據定向台ORT之偵測結果而在載入模組LM校正晶圓位置後，各機械手臂AA、AB會將晶圓運送至負載鎖定室LLM。再者，在處理室PM處理過的處理完畢之晶圓會由負載鎖定室LLM取出，而載置於既定FOUP。
又，處理室PM、負載鎖定室LLM、載入模組LM及載入埠LP之數量，並不限於本實施形態所示數量，有多少個都可以。
控制部20具有：CPU（Central Processing Unit， 中央處理單元）21、ROM（Read Only Memory， 唯讀記憶體）22、RAM（Random Access Memory， 隨機存取記憶體）23、HDD（Hard Disk Drive， 硬碟驅動裝置）24、輸入輸出介面（I／F）25及顯示器26。又，控制部20並不限於HDD24，亦可具有SSD（Solid State Drive， 固態硬碟）等其他儲存區域。
CPU21依據設定有製程次序或製程條件之製程配方，而控制在各處理室PM之晶圓處理。於HDD24，儲存有製程配方。不過，製程配方之儲存區域，亦可係ROM22或RAM23。於HDD24或RAM23，亦可儲存後述之用以在負載鎖定室LLM執行切換的程式。用以執行製程配方或上述切換的程式，亦可採儲存於記憶媒體的方式提供。再者，這些製程配方及程式，亦可透過網路（network）而由外部裝置提供。又，控制部20之功能，可以藉由使用軟體來動作以實現，亦可藉由使用硬體來動作以實現。
輸入輸出介面（I／F）25發揮介面的功能，用以從操作者為管理基板處理裝置10所進行之指令操作，以取得輸入輸出資訊。顯示器26將各處理室PM的處理狀況等加以顯示。
[負載鎖定室之內部架構] 接著，針對負載鎖定室LLM之內部架構，參照圖2進行說明。圖2係繪示本發明一實施形態之負載鎖定室LLM的縱剖面之一例。圖2所示之負載鎖定室LLM的縱剖面，呈現圖1所示之負載鎖定室LLM的A－A剖面。因此，在圖2（a）及圖2（b），負載鎖定室LLM之外殼11左側，連接著幾乎維持在大氣環境的載入模組LM；外殼11右側，連接著維持在真空環境的運送室VTM。於外殼11靠載入模組LM側之側壁的開口，設有開閉部11a，藉而在其與載入模組LM之間運送晶圓。同樣地，在外殼11靠運送室VTM側之側壁的開口，設有開閉部11b，用以在其與運送室VTM之間運送晶圓。
於外殼11內部，設置有驅動部12，係在載置著晶圓W之狀態下，在上下方向上驅動。驅動部12設有可載置一片晶圓W的第1載置台12a。晶圓W係由第1載置台12a上的複數保持部12b所保持。第1載置台12a係由支持部12c所支持。支持部12c與設置在外殼11之外部的馬達13連接，而藉由馬達13之動力，上下昇降。
於第1載置台12a上方設有第2載置台14。第2載置台14係由突出自第1載置台12a之棒狀的支持部12d所支持，可以與第1載置台12a一體地上下昇降。支持部12d比載置於第1載置台12a的晶圓W，設在更偏外周側。例如，第2載置台14亦可由2支或3支以上的支持部12d所支持。不過，第2載置台14之支持形態並不限定於此。例如，支持部12d之形狀亦可不是棒狀。 第2載置台14具有可儲存既定片數之晶圓W的暫存部15，而可以連續載置複數片晶圓W。於本實施形態，暫存部15最多可以載置與處理室PM之數量相同數目的晶圓W。
於外殼11內部、且係靠載入模組LM側之側壁的開口及運送室VTM側之側壁的開口之上側及下側，在水平方向上設置用以將負載鎖定室LLM的內部加以隔間的隔板16、17。
如圖2（a）所示，在藉由驅動部12而使第1載置台12a及第2載置台14上昇的狀態下，隔板16與第1載置台12a之間，係藉由O環18a而密閉。同樣地，隔板17與第2載置台14之間，係藉由O環18b而密閉。再者，若開閉部11a、11b成為關閉狀態，則開閉部11a、11b與外殼11之間，會藉由O環18c、18d而密閉。又，O環18a～18d係用以動態地使第1區域U成為密閉空間的密封部之一例。作為密封部之其他例子，亦可取代O環18a～18d，而使用風箱（bellows）。
於此狀態下，在負載鎖定室LLM之中央部的空間，形成運送第1載置台12a上的晶圓W之第1區域U，負載鎖定室LLM之中央部，發揮作為單片晶圓之負載鎖定的功能。此狀態下之負載鎖定室LLM，每開閉一次開閉部11a、11b，可以運送一片晶圓W。
如圖2（b）所示，在藉由驅動部12而使第1載置台12a及第2載置台14下降的狀態下，負載鎖定室LLM之內部，就切換成運送第2載置台14上之複數片晶圓W的第2區域V。第2區域V，發揮作為具有暫存區之負載鎖定的功能。此狀態下之負載鎖定室LLM，會使第2載置台14上下移動，以使各晶圓W可以經由開閉部11a、11b搬入或搬出。此狀態下之負載鎖定室LLM，每開閉一次開閉部11a、11b，就可以將載置於暫存部15之複數片晶圓W加以運送。
如此這般，本實施形態之負載鎖定室LLM，其室內之發揮負載鎖定功能的空間，可以切換成一片一片地運送晶圓W的第1區域U、及複數片複數片地運送晶圓W的第2區域V。藉此，發揮室內之負載鎖定功能的空間於縮小成第1區域U的狀態下，供排氣空間會小於負載鎖定室LLM全體之空間，而可以高速地進行負載鎖定室LLM之供排氣。
例如，在複數之處理室PM處理同一批（lot）等，要在複數之處理室PM執行相同製程之情況下，在各處理室PM所進行之製程時間係為相同。在此情況下，控制部20可以進行控制，而使對複數之處理室PM之晶圓W的搬入或搬出不會重疊。因此，在對一個處理室PM搬入或搬出先行之晶圓W的期間，可以避免讓其他處理室PM之晶圓W的搬入或搬出等待的情形。在此情況下，控制部20較佳係進行控制而使用負載鎖定室LLM之中央部的第1區域U，一片一片地運送晶圓W。
另一方面，在複數處理室執行不同製程之情況，在各處理室PM所進行之製程時間會不同。因此，有可能發生對複數之處理室PM的晶圓W之搬入搬出重疊。在此情況下，於對一個處理室PM搬入或搬出先行之晶圓W的期間，有時會讓對其他處理室PM進行之晶圓W的搬入或搬出等待。在此情況下，控制部20較佳係進行控制而使用負載鎖定室LLM之第2區域V，複數片複數片地運送晶圓W。如此一來，若藉由本實施形態之基板處理裝置10，則可以使用能進行單片晶圓W之運送及複數片晶圓W之運送的負載鎖定室LLM，而有效率地運送晶圓W。
例如，在本實施形態的情況，較佳係使暫存部15最多可以載置與6個處理室PM同數之6片晶圓W。在6個處理室PM執行不同製程的情況下，想要幾近同時對負載鎖定室LLM搬入或搬出之晶圓W的片數，係在6個處理室PM進行處理之最大數，即6片晶圓。在此情況下，暫存部15最多可以載置6片晶圓W。藉此，可以避免在將一個處理室PM先行實施處理之晶圓W運送至負載鎖定室LLM的期間，要在其他處理室PM實施處理之下一片晶圓W無法使用負載鎖定室LLM，而對處理室PM進行之搬入或搬出必需等待的情形。
於本實施形態，負載鎖定室LLM之內部，會依要在複數處理室PM進行之製程的種類、或在各處理室PM之晶圓W的處理狀況，而切換成可運送單片晶圓W之第1區域U、及可運送複數片晶圓W之第2區域V。藉由該架構，可以使負載鎖定室LLM發揮能高速供排氣之單片負載鎖定的功能，或是可運送複數片之暫存負載鎖定的功能。
[晶圓之運送] 接著，針對晶圓W之運送，參照圖3～圖8進行說明。晶圓W係使用運送裝置LA及運送裝置VA而以下述之運送路徑從載入埠LP搬出，再搬入處理室PM。
設置於載入模組LM內部的運送裝置LA，首先從載入埠LP搬出第1晶圓W（圖3之S1的（101）所示編號的晶圓），運送至定向台ORT，測量第1晶圓W的位置（圖3之S2（101））。接著，運送裝置LA從載入埠LP搬出第2晶圓W，運送至定向台ORT，測量第2晶圓W的位置（圖3之S3～圖4之S5（102））。再者，運送裝置LA從定向台ORT搬出已完成位置測量的第1晶圓W，而在載入模組LM校正位置（圖3之S3～圖4之S5（101））。
之後，運送裝置LA將第1晶圓W運送至負載鎖定室LLM1（圖4之S6（101））。在負載鎖定室LLM1進行排氣處理（抽真空），使室內從大氣環境切換成真空環境。
於負載鎖定室LLM1進行抽真空之期間，運送裝置LA搬出第3晶圓W（圖4之S7（103））。再者，運送裝置LA運送裝置LA從定向台ORT搬出已完成位置測量的第2晶圓W，而在載入模組LM校正第2晶圓W的位置（圖4之S8（102））。
接著，運送裝置LA將第3晶圓W運送至定向台ORT，測量第3晶圓W的位置（圖5之S9（103））。再者，運送裝置LA將第2晶圓W運送至負載鎖定室LLM2（圖5之S10（102））。在負載鎖定室LLM2，室內從大氣環境切換成真空環境（圖5之S10～S14（102））。
接著，運送裝置LA從載入埠LP搬出第4晶圓W（圖5之S11（104）），完成第3晶圓W之位置測量（圖5之S11（103））。運送裝置VA，在負載鎖定室LLM1從大氣環境切換到真空環境的狀態下，從負載鎖定室LLM1取出第1晶圓W，使負載鎖定室LLM1對大氣開放（圖5之S11（101））。
運送裝置LA從定向台ORT搬出已完成位置測量的第3晶圓W，而在載入模組LM校正第3晶圓W的位置（圖5之S12（103））。運送裝置VA將第1晶圓W搬入所指定的處理室PM，開始進行處理（圖5之S12（101））。
接著，運送裝置LA將第4晶圓W運送至定向台ORT，測量第4晶圓W的位置（圖6之S13（104））。一旦負載鎖定室LLM2完成抽真空（圖6之S14（102）），運送裝置VA就從負載鎖定室LLM2取出第2晶圓W，使負載鎖定室LLM2對大氣開放（圖6之S15（102））。接著，運送裝置LA將第3晶圓W運送至負載鎖定室LLM1（圖6之S16（103））。
在處理室PM進行處理後，就用運送裝置LA及運送裝置VA，以下述運送路徑將晶圓W從處理室PM搬出，放回到載入埠LP。運送裝置VA從處理室PM取出處理完畢之晶圓W，運送至負載鎖定室LLM。在負載鎖定室LLM，進行供氣處理，而使室內從真空環境切換成大氣環境。在此狀態下，運送裝置LA從負載鎖定室LLM取出晶圓W，運送至載入埠LP。
於圖7，繪示上述各晶圓W之運送及其後續的晶圓W之運送時序圖。於時刻（Time）1，運送裝置LA之抓取片（Pick）A將第1晶圓（以下標記為「W101」。）從載入埠LP搬出。於時刻2，運送裝置LA之抓取片A，將W101運送至定向台ORT。於時刻3，W101在定向台ORT接受測量的期間，運送裝置LA之抓取片A，將第2晶圓（以下標記為「W102」。）從載入埠LP搬出。於時刻4，運送裝置LA之抓取片B，將W101從定向台ORT搬出。於時刻5，運送裝置LA之抓取片A，將W102運送至定向台ORT。於時刻6，W102在定向台ORT接受測量的期間，運送裝置LA之抓取片B，將W101搬入負載鎖定室LLM1。負載鎖定室LLM1持續抽真空，直到時刻10為止。
於時刻7，運送裝置LA之抓取片A，將第3晶圓（以下標記為「W103」。）從載入埠LP搬出。於時刻8，運送裝置LA之抓取片B將W102從定向台ORT搬出。於時刻9，運送裝置LA之抓取片A將W103搬出至定向台ORT。於時刻10，W103在定向台ORT接受測量的期間，運送裝置LA之抓取片B將W102搬入負載鎖定室LLM2。負載鎖定室LLM2持續抽真空，直到時刻14為止。
於時刻11，運送裝置LA之抓取片A將第4晶圓（以下標記為「W104」。）從載入埠LP搬出。再者，於時刻11，運送裝置VA之抓取片C，將W101從負載鎖定室LLM1搬出。
於時刻12，運送裝置LA之抓取片B，將W103從定向台ORT搬出。負載鎖定室LLM1會持續對大氣開放，直到時刻15為止。再者，於時刻12，運送裝置VA之抓取片C，將W101搬入處理室PM1。於時刻13，運送裝置LA之抓取片A，將W104搬出至定向台ORT。於時刻14，W104在定向台ORT接受測量。於時刻15，運送裝置VA之抓取片C，將W102從負載鎖定室LLM2搬出。於時刻16，運送裝置VA之抓取片C將W102搬入處理室PM2，運送裝置LA之抓取片B將W103搬入負載鎖定室LLM1。
[對處理室進行之晶圓的搬入搬出] 對處理室PM進行之晶圓W的搬入及搬出之基本流程，會因有無進行無晶圓乾蝕刻清機（以下稱為「WLDC：Wafer Less Dry Cleaning」。）而有所不同。在沒有WLDC之步驟的情況下，對處理室PM進行之晶圓W的搬入及搬出之流程會是：晶圓（第一片）搬入→處理→晶圓（第一片）搬出→晶圓（第二片）搬入→處理→晶圓（第二片）搬出→‧‧‧。
另一方面，在有WLDC之步驟的情況下，對處理室PM進行之晶圓W的搬入及搬出之流程會是：晶圓（第一片）搬入→處理→晶圓（第一片）搬出→清機→晶圓（第二片）搬入→處理→晶圓（第二片）搬出→清機→‧‧‧。
[晶圓之運送：無WLDC的情況] 接著，針對無WLDC的情況下之晶圓運送，參照圖8進行說明。於圖8係繪示對6個處理室PM執行相同製程之情況（亦即，於6個處理室PM，製程時間相同的情況）之各晶圓W的運送時間點之一例。
於此情況，負載鎖定室LLM的周期時間，係以對應負載鎖定室LLM之台數的間隔，而對處理室PM進行晶圓W之搬入及搬出。負載鎖定室LLM的周期時間，係指「在大氣下之晶圓W的搬入及搬出→抽真空→在真空下之晶圓的搬入及搬出→大氣開放」所需之時間。
於圖1所示之集束型結構的基板處理裝置10，其處理能力（產出量）係依下述周期的時間而定。第一個周期，係大氣運送周期。大氣運送周期時間，係「從載入埠LP搬出晶圓→在定向台ORT進行之晶圓交接→在負載鎖定室LLM進行之晶圓交接→對載入埠LP搬入晶圓」所需之時間。上述步驟係在大氣壓下，以運送裝置LA進行。由於這種在大氣壓下所進行大之氣運送周期，可以藉由真空吸附等以保持晶圓，因此可以高速地運送晶圓。
第二個周期，係負載鎖定模組周期。負載鎖定模組周期時間，係「在大氣下之晶圓搬入及搬出→抽真空→真空下之晶圓搬入及搬出→大氣開放」所需之時間。
於抽真空之步驟，由於對負載鎖定室LLM內進行高速抽真空，而會在負載鎖定室LLM內產生揚塵或結露。因此，抽真空步驟不能以比一壓力減少曲線更陡的狀態進行。再者，於大氣開放步驟，由於使負載鎖定室LLM內高速地恢復大氣壓，因此會在負載鎖定室LLM內產生揚塵。因此，大氣開放步驟不能以比一壓力上昇曲線更陡的狀態進行。由於此種物理現象，因此在負載鎖定模組周期之運送時間會有速率限制（rate-limiting），因此設置複數之負載鎖定室LLM。
第三個周期，係真空運送周期。真空運送周期時間，係「以運送裝置VA進行負載鎖定室LLM之晶圓交接→以運送裝置VA進行處理室PM之晶圓交接」所需之時間。
上述周期之中，負載鎖定模組周期，由於揚塵等物理現象而會有速率限制，因此可以導出下述之處理時間的大小關係： 負載鎖定模組周期／LLM台數＞真空運送周期≧大氣運送周期。 亦即，上述周期之中，負載鎖定模組周期的處理時間最長。再者，負載鎖定模組周期時間，若負載鎖定室LLM之數量越多則越短。如圖8所示之運送時間點般，處理室PM之處理時間若係固定的情況下，也可以對負載鎖定室LLM以固定之時序進行晶圓之搬入及搬出。在此情況下，如圖8所示，晶圓之搬入時間點，幾乎會因負載鎖定模組周期而定。因此，可以在每一負載鎖定模組周期，對處理室PM供給晶圓。
然而，在處理室PM之處理時間隨著每片晶圓而變的情況下，處理之完成有可能在複數之處理室PM重疊發生。例如，在下述這樣的情況下，處理之完成會在複數之處理室PM重疊。
設置於載入埠LP之FOUP，各有固定之進行處理的處理室PM。例如，載入埠LP1係在處理室PM1進行處理，載入埠LP2係在處理室PM2進行處理，載入埠LP3係在處理室PM3進行處理。各處理，係在處理室PM1～PM3同步進行。
當在各處理室PM之製程時間夠長的情況下，只要是在二個處理室PM的同步處理，晶圓搬入及搬出之重疊，就能以具備2台之負載鎖定室LLM的分階進行（phase）來因應。在此情況下，在負載鎖定室LLM不會發生運送速率限制。
然而，如上述情況般，在三個處理室PM或更多處理室PM之同步處理，若有上述這樣的搬入及搬出之重疊，光以2台負載鎖定室LLM的分階進行無法應付。最壞的情況下，會產生以下結果：下一片晶圓W對負載鎖定室LLM之搬入及搬出，得要等上負載鎖定模組周期／2的時間。
有鑑於此，於本實施形態，使負載鎖定室LLM之內部，可以因應在複數處理室PM進行之製程的種類及晶圓W之處理狀況，而切換成可運送單片晶圓W第之1區域U、及可運送複數片晶圓W之第2區域V。
例如，在處理室PM之處理時間固定的情況下，將負載鎖定室LLM之內部，切換成可運送單片晶圓W的第1區域U。再者，例如在處理室PM之處理時間隨著各片晶圓而變的情況，且所使用之處理室PM的數量比負載鎖定室LLM的數量還要多的情況下，就切換成可運送複數片晶圓W的第2區域V。
藉由上述架構，負載鎖定室LLM在通常之單片處理的情況下，能發揮可高速供排氣之單片負載鎖定之功能。再者，使處理室PM同步進行處理而導致產生運送機會衝突之情況下，可以使負載鎖定室LLM發揮暫存負載鎖定之功能。藉此，可以有效率地運送晶圓，及藉由防止供排氣時間增多以謀求產出量之提昇。再者，於本實施形態，在一台之負載鎖定室LLM就有上述二項功能，而可以切換。藉此，相較於同時設置具有上述功能中之一功能的負載鎖定室LLM及具有另一功能的負載鎖定室LLM的情形，不會導致佔地面積增大，可以抑制成本增加。
[切換的時間點] 控制部20控制驅動部12，藉以在複數之處理室PM之晶圓W完成處理，而於既定時間點從運送室VTM搬出複數晶圓W之際，選擇第2區域V。
若設上述既定時間點為時間點1，則時間點1包含同時。再者，時間點1包含：完成一個處理室PM之處理，從該處理室PM搬出之晶圓W由運送室VTM運送至負載鎖定室LLM為止之期間中，在其他處理室PM完成處理之時間點。
再者，控制部20控制驅動部12，而在既定時間點對複數之處理室PM搬入複數之晶圓W之際，選擇第2區域V。
若設上述既定時間點為時間點2，則時間點2包含同時。再者，時間點2包含：從負載鎖定室LLM搬出之晶圓W、要搬入一個處理室PM為止之期間中，想要對其他處理室PM搬入其他晶圓W之時間點。
如以上之說明，若藉由本實施形態之具備負載鎖定室LLM的基板處理裝置10，則可以使用能運送一片晶圓W及能運送複數片晶圓W之負載鎖定室LLM，而有效率地運送晶圓W。
以上，藉由上述實施形態說明了基板運送方法及基板處理裝置，但本發明之基板運送方法及基板處理裝置並不限定於上述實施形態，可以在本發明之範圍內進行各種變形及改良。記載於上述複數之實施形態之事項，可以在不相矛盾的範圍內組合。
例如，本發明之基板處理裝置，並不限於電容耦合型電漿（CCP：Capacitively Coupled Plasma）裝置，亦可適用於其他基板處理裝置。作為其他基板處理裝置，亦可以係使用電感耦合型電漿（ICP：Inductively Coupled Plasma）、輻射線槽孔天線之電漿處理裝置，螺旋波激發型電漿（HWP：Helicon Wave Plasma）裝置，電子迴旋共振電漿（ECR：Electron Cyclotron Resonance Plasma）裝置等。
再者，以本發明之基板處理裝置處理的基板，並不限定於晶圓，例如亦可係平面顯示器（Flat Panel Display）用的大型基板、EL元件或太陽電池用的基板。
10‧‧‧基板處理裝置 11‧‧‧外殼 11a‧‧‧開閉部 11b‧‧‧開閉部 12‧‧‧驅動部 12a‧‧‧第1載置台 12b‧‧‧保持部 12c‧‧‧支持部 12d‧‧‧支持部 13‧‧‧馬達 14‧‧‧第2載置台 15‧‧‧暫存部 16、17‧‧‧隔板 18a、18b、18c、18d‧‧‧O環 20‧‧‧控制部 21‧‧‧CPU 22‧‧‧ROM 23‧‧‧RAM 24‧‧‧HDD 25‧‧‧輸入輸出介面（I／F） 26‧‧‧顯示器 PM‧‧‧處理室 VTM‧‧‧運送室 LLM、LLM1、LLM2‧‧‧負載鎖定室 LM‧‧‧載入模組 LP‧‧‧載入埠 GV‧‧‧閘閥 VA‧‧‧運送裝置 AC、AD‧‧‧機械手臂 C、D‧‧‧抓取片 LA‧‧‧運送裝置 AA、AB‧‧‧機械手臂 A、B‧‧‧抓取片 ORT‧‧‧定向台 U‧‧‧第1區域 V‧‧‧第2區域 W、101、102、103、104‧‧‧晶圓
【圖1】繪示一實施形態之基板處理裝置的全體架構之一例的圖。 【圖2】(a)~(b)繪示一實施形態之負載鎖定室的縱剖面之一例的圖。 【圖3】繪示一實施形態之晶圓流程之一例的圖。 【圖4】繪示一實施形態之晶圓流程之一例的圖（續圖3之1）。 【圖5】繪示一實施形態之晶圓流程之一例的圖（續圖3之2）。 【圖6】繪示一實施形態之晶圓流程之一例的圖（續圖3之3）。 【圖7】繪示一實施形態之晶圓流程之一例的表。 【圖8】繪示一實施形態之晶圓流程之一例的表。
11‧‧‧外殼
11a‧‧‧開閉部
11b‧‧‧開閉部
12‧‧‧驅動部
12a‧‧‧第1載置台
12b‧‧‧保持部
12c‧‧‧支持部
12d‧‧‧支持部
13‧‧‧馬達
14‧‧‧第2載置台
15‧‧‧暫存部
16、17‧‧‧隔板
18a、18b、18c、18d‧‧‧O環
LLM‧‧‧負載鎖定室
U‧‧‧第1區域
V‧‧‧第2區域
W‧‧‧晶圓

Claims (5)

  1. 一種基板運送方法，係包括複數之處理室與負載鎖定室之基板處理裝置的基板運送方法，該處理室配置於運送基板之運送室的周圍用以對基板施行處理，該負載鎖定室配置於該運送室的周圍並且可以在大氣環境與真空環境間切換；該負載鎖定室具有驅動部，該驅動部使得可載置一片基板的第1載置台、與可載置複數片基板的第2載置台兩者一體地上下昇降，而在可運送一片基板的第1區域、與可運送複數片基板的第2區域兩者之間切換基板之運送空間；該基板運送方法包括以下步驟：依該複數之處理室中之基板處理狀況，而在該負載鎖定室的該第1區域或該第2區域中選擇其任一者；依該選擇結果而控制該驅動部。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板運送方法，其中，控制該驅動部，藉以在該複數之處理室之基板完成處理，而於既定時間點從該運送室搬出複數之基板之際，選擇該第2區域。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板運送方法，其中，控制該驅動部，藉以於既定時間點對該複數之處理室搬入複數之基板之際，選擇該第2區域。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之基板運送方法，其中，該第2區域具有暫存部，其可載置之基板的數量，最多與該複數之處理室的數量相同。
  5. 一種基板處理裝置，包括：複數之處理室，配置於運送基板之運送室的周圍，並對基板施行處理；負載鎖定室，配置於該運送室的周圍，並且可以在大氣環境與真空環境間切換；以及控制部；其中該負載鎖定室具有驅動部，該驅動部使得可載置一片基板的第1載置台、與可載置複數片基板的第2載置台兩者一體地上下昇降，而在可運送一片基板的第1區域、與可運送複數片基板的第2區域兩者之間切換基板之運送空間；該控制部，依該複數之處理室中之基板處理狀況，而在該負載鎖定室的該第1區域或該第2區域中選擇其任一者；該驅動部，依該選擇結果，而將基板之運送空間切換成該第1區域或該第2區域。
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