JP6700149B2 - 姿勢変更装置 - Google Patents

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Description

本発明は、基板の姿勢を水平姿勢および垂直姿勢のうち一方の姿勢から他方の姿勢へと変更する技術に関する。
従来、半導体基板（以下、単に「基板」という。）の製造工程では、基板に対して様々な処理を施す基板処理装置が利用されている。例えば、特許文献１では、複数の基板に対して一括して処理を施すバッチ式の基板処理装置が開示されている。特許文献１の基板処理装置では、水平姿勢にて厚さ方向に配列された複数の基板が搬入され、姿勢変換機構により、複数の基板の姿勢が垂直姿勢へと一括して変換された後、プッシャへと一括して渡される。
姿勢変換機構は、水平姿勢の複数の基板を保持する水平保持部材と、垂直姿勢の複数の基板を保持する保持溝部材とを備える。水平保持部材と保持溝部材とは隣接して配置され、一括して回転可能である。姿勢変換機構では、複数の基板の姿勢が水平姿勢のとき、水平保持部材が水平姿勢の各基板の下面に接触し、各基板を下方から支持する。そして、水平保持部材および保持溝部材が、複数の基板と共に９０度だけ回転することにより、複数の基板の姿勢が垂直姿勢に変換され、水平保持部材の下方に隣接する保持溝部材により、各基板が下方から支持される。その後、プッシャの昇降保持部が、保持溝部材および水平保持部材の下方から上方へと移動しつつ、垂直姿勢の複数の基板を保持溝部材から一括して受け取って保持する。このとき、昇降保持部により保持された垂直姿勢の複数の基板は、水平保持部材に沿って上方へと移動する。
特開２０１０−９３２３０号公報
ところで、基板処理装置にて処理される基板は、基板処理装置への搬入前に行われた処理の影響で反っている場合がある。反っている基板は、反っていない平坦な基板に比べて厚さ方向の大きさが大きい。このため、特許文献１の姿勢変換機構からプッシャへと複数の基板が渡される際に、昇降保持部により保持されて上昇する垂直姿勢の基板が、水平保持部に接触するおそれがある。
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、基板が反っている場合であっても、基板と水平保持部との接触を防止しつつ基板の受け渡しを好適に行うことを目的としている。
請求項１に記載の発明は、基板の姿勢を水平姿勢および垂直姿勢のうち一方の姿勢から他方の姿勢へと変更する姿勢変更装置であって、基板が垂直姿勢である場合に、前記基板の下側の端部を下方に突出させた状態で、前記端部の周方向両側にて前記基板の下縁部を挟持する垂直保持部と、前記垂直保持部が垂直姿勢の前記基板を保持する状態において前記垂直保持部の上方に隣接して配置され、前記基板が水平姿勢である場合に、前記基板の径方向両側にて前記基板の下面を下方から支持する水平保持部と、前記垂直保持部および前記水平保持部が取り付けられる取付ブロックと、水平方向を向く回転軸を中心として前記取付ブロックを回転させることにより、前記垂直保持部により垂直姿勢の前記基板を保持可能な垂直保持状態と、前記水平保持部により水平姿勢の前記基板を保持可能な水平保持状態とを切り替える保持部回転機構と、前記基板の厚さ方向において前記水平保持部を前記垂直保持部に対して相対的にシフトする保持部シフト機構と、前記垂直保持部との間で垂直姿勢の前記基板の受け渡しを行うプッシャと、前記垂直保持部と前記プッシャとの間の前記基板の受け渡し前に、前記基板の反り状態に基づいて前記保持部シフト機構を制御することにより、前記厚さ方向における前記水平保持部の位置を、前記反り状態に基づいて決定されるシフト距離だけ、前記垂直保持部から相対的にシフトさせる制御部とを備える。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の姿勢変更装置であって、前記保持部シフト機構による前記水平保持部の相対的シフトが、前記プッシャが前記垂直保持部から前記基板を受け取るよりも前に行われる。
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の姿勢変更装置であって、前記保持部シフト機構による前記水平保持部の相対的シフトが、前記垂直保持状態において行われる。
請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の姿勢変更装置であって、前記保持部シフト機構による前記水平保持部の相対的シフトが、前記垂直保持部が前記プッシャから前記基板を受け取るよりも前に行われる。
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の姿勢変更装置であって、前記保持部シフト機構による前記水平保持部の相対的シフトが、前記水平保持状態において行われる。
請求項６に記載の発明は、請求項１ないし５のいずれかに記載の姿勢変更装置であって、前記基板を周方向に回転して周方向の向きを変更する基板整列機構をさらに備え、前記基板が、一の径方向において最小曲率にて前記厚さ方向の一方側に湾曲している場合、前記制御部は、前記垂直保持部と前記プッシャとの間の前記基板の受け渡し前に、前記基板の反り状態に基づいて前記基板整列機構を制御することにより、前記垂直保持部により垂直姿勢にて保持された際の前記基板の前記一の径方向を上下方向に平行とする。
請求項７に記載の発明は、請求項１ないし６のいずれかに記載の姿勢変更装置であって、前記垂直保持部が、垂直姿勢の前記基板の前記厚さ方向に並べて配置される垂直姿勢の他の基板を前記基板と同様に前記基板と共に保持し、前記水平保持部が、水平姿勢の前記基板の前記厚さ方向に並べて配置される水平姿勢の前記他の基板を前記基板と同様に前記基板と共に保持し、前記プッシャが、前記垂直保持部との間で垂直姿勢の前記他の基板の受け渡しを垂直姿勢の前記基板と共に行う。
本発明では、基板が反っている場合であっても、基板と水平保持部との接触を防止しつつ基板の受け渡しを好適に行うことができる。
一の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。 基板処理装置の一部を示す平面図である。 基板処理装置の一部を示す側面図である。 基板の斜視図である。 基板の斜視図である。 姿勢変更機構を示す平面図である。 基板の姿勢変更の流れを示すフロー図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 基板の姿勢変更の流れを示すフロー図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。 姿勢変更装置の動きを示す側面図である。
図１は、本発明の一の実施の形態に係る基板処理装置１０の平面図である。基板処理装置１０は、平面視において略長方形である。基板処理装置１０は、複数の半導体基板９（以下、単に「基板９」という。）を一括して処理するバッチ式の基板処理装置である。基板９は、略円板状の基板である。基板９は、結晶方向を示すノッチ９３（図４および図５参照）を周縁部に有する。なお、基板９の外周縁からのノッチ９３の深さは、約１ｍｍである。
基板処理装置１０は、フープ（ＦＯＵＰ）保持部１と、基板処理部２と、主搬送機構３と、搬出入機構４と、姿勢変更機構５と、プッシャ６と、受け渡し機構７と、基板整列機構８と、制御部１００と、記憶部１０１とを備える。制御部１００は、基板処理装置１０の各構成の動作等を制御する。制御部１００は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶するＲＯＭ、および、各種情報を記憶するＲＡＭ等を含む一般的なコンピュータシステムである。フープ保持部１は、基板処理装置１０の一の角部に配置される。フープ保持部１は、フープ９５を保持する。フープ９５は、水平姿勢の複数（例えば、２５枚）の基板９を、Ｚ方向に積層した状態で収容する収容器である。
図１中のＺ方向は、重力方向に平行な方向であり、上下方向とも呼ぶ。また、図１中のＸ方向は、Ｚ方向に垂直な方向である。Ｙ方向は、Ｘ方向およびＺ方向に垂直な方向である。基板９の水平姿勢とは、基板９の主面の法線方向が略Ｚ方向を向く姿勢である。また、後述する基板９の垂直姿勢とは、基板９の主面の法線方向がＺ方向に略垂直な方向を向く姿勢である。基板処理装置１０では、複数の基板９が、水平姿勢または垂直姿勢にて、基板９の主面に略垂直な方向に積層される。換言すれば、水平姿勢または垂直姿勢の複数の基板９が、基板９の厚さ方向に配列される。
図２は、基板処理装置１０の（−Ｙ）側の部位を拡大して示す平面図である。図３は、基板処理装置１０の（−Ｙ）側の部位を示す側面図である。図２に示すように、基板処理装置１０では、フープ保持部１の（＋Ｙ）側に搬出入機構４が配置され、フープ保持部１とＹ方向に対向する。また、搬出入機構４の（＋Ｙ）側には、基板整列機構８が配置される。図３では、フープ保持部１および基板整列機構８の図示を省略している。
図２および図３に示すように、搬出入機構４の（＋Ｘ）側には、姿勢変更機構５が配置される。姿勢変更機構５の（＋Ｘ）側には、プッシャ６が配置される。プッシャ６の（＋Ｘ）側には、受け渡し機構７と、主搬送機構３とが配置される。図３に示す状態では、主搬送機構３は、受け渡し機構７の（＋Ｚ）側（すなわち、上方）に位置する。主搬送機構３の（＋Ｙ）側には、図１に示すように基板処理部２が配置される。
基板処理部２は、第１薬液槽２１と、第１リンス液槽２２と、第２薬液槽２３と、第２リンス液槽２４と、乾燥処理部２５と、第１リフタ２７と、第２リフタ２８とを備える。第１薬液槽２１、第１リンス液槽２２、第２薬液槽２３、第２リンス液槽２４および乾燥処理部２５は、Ｙ方向に沿って（＋Ｙ）側から（−Ｙ）側へとこの順に並んでいる。第１薬液槽２１および第２薬液槽２３はそれぞれ、同種または異種の薬液を貯溜する。第１リンス液槽２２および第２リンス液槽２４はそれぞれ、リンス液（例えば、純水）を貯溜する。
基板処理装置１０において基板９の処理が行われる際には、まず、複数（例えば、２５枚）の基板９が水平姿勢にて収容されているフープ９５が準備される。そして、フープ９５に収容されている複数（例えば、２５枚）の基板９から１枚の基板９が、図２および図３に示す搬出入機構４の枚葉ハンド４２により保持され、フープ９５から搬出される。枚葉ハンド４２は、１枚の基板９を水平姿勢にて保持する。搬出入機構４は、水平姿勢にてＺ方向に配列された状態の複数の基板９を一括して保持するバッチハンド４１も備えている。
続いて、枚葉ハンド４２が水平方向に回転し、枚葉ハンド４２が基板整列機構８に向かって前進することにより、１枚の基板９が搬出入機構４から基板整列機構８へと渡される。基板整列機構８は、基板９を周方向に回転して周方向の向きを変更し、基板９の周方向の位置を決定する。
基板整列機構８は、基板支持部８０と、モータ８１と、センサ８２とを備える。基板支持部８０は、水平姿勢の基板９を回転自在に支持する。モータ８１は、基板９を基板支持部８０と共に回転させる回転部である。センサ８２は、基板支持部８０により支持された基板９のノッチ９３を光学的に検出することにより、回転中の基板９の角度位置（すなわち、基板９の周方向の向き）を取得する。基板整列機構８では、モータ８１により、基板支持部８０により支持された基板９が周方向に回転されて、基板９の周方向の向きが変更される。そして、センサ８２により、回転中の基板９のノッチ９３が検出され、検出後の所定のタイミングで（すなわち、ノッチ９３の検出から所定時間の経過後に）モータ８１が停止される。なお、当該所定時間はゼロであってもよい。これにより、基板９のノッチ９３が所定位置に位置した状態で、基板９の回転が停止される。すなわち、周方向における基板９のノッチ９３の位置合わせが行われる。基板整列機構８は、基板９のノッチ９３の周方向の位置を変更するノッチ位置変更機構である。
基板整列機構８において、基板９の周方向の位置が決定されると、当該基板９は枚葉ハンド４２により基板整列機構８から搬出され、フープ保持部１上のフープ９５へと戻される。以下同様に、次の基板９がフープ９５から取り出され、基板整列機構８にて当該基板９の周方向の位置が決定され（すなわち、周方向におけるノッチ９３の位置合わせが行われ）、フープ９５へと戻される。フープ９５内の全ての基板９について当該動作が繰り返されることにより、フープ９５内の複数の基板９の周方向の向きが変更され、複数の基板９の周方向の位置が決定される。換言すれば、当該複数の基板９が周方向において整列される。
なお、基板９の周方向の位置決定においては、フープ９５に収容された全ての基板９のノッチ９３が、周方向の同じ位置に位置してもよく、異なる位置に位置してもよい。例えば、複数の基板９の配列方向における奇数番目の各基板９については、ノッチ９３の周方向の位置が第１の所定位置とされ、当該配列方向における偶数番目の各基板９については、ノッチ９３の周方向の位置は、上記第１の所定位置とは異なる第２の所定位置とされてもよい。
基板整列機構８による複数の基板９の整列（すなわち、ノッチ９３の周方向の位置合わせ）が終了すると、搬出入機構４のバッチハンド４１により、複数の基板９がフープ９５から搬出される。次に、バッチハンド４１が水平方向に回転し、姿勢変更機構５に向かって前進することにより、複数の基板９が搬出入機構４から姿勢変更機構５へと渡される。姿勢変更機構５は、水平姿勢にてＺ方向に積層された状態の複数の基板９を、水平保持部５１により一括して保持する。姿勢変更機構５は、保持部回転機構５４により、Ｙ方向を向く回転軸５４１を中心として、当該複数の基板９を水平保持部５１、垂直保持部５２および取付ブロック５３と共に、図３における反時計回り方向に９０度だけ回転させる。これにより、複数の基板９の姿勢を水平姿勢から垂直姿勢に一括して変更する。垂直姿勢の複数の基板９は、垂直保持部５２により一括して保持される。
そして、プッシャ６の保持部昇降機構６２が駆動することにより昇降保持部６１が上昇し、図３中に二点鎖線にて示す垂直保持部５２から、複数の基板９を受け取って保持する。すなわち、垂直保持部５２とプッシャ６との間で、垂直姿勢の複数の基板９の受け渡しが行われる。昇降保持部６１は、垂直姿勢にて略Ｘ方向に配列された状態（すなわち、積層された状態）の複数の基板９を一括して保持する。姿勢変更機構５の水平保持部５１および垂直保持部５２が、図３における時計回り方向に９０度だけ回転して保持部昇降機構６２の上方から退避すると、昇降保持部６１が、Ｚ方向を向く回転軸６３を中心として水平に１８０度回転した後、保持部昇降機構６２により下降する。これにより、複数の基板９の積層方向の位置が、回転前に比べて基板９のピッチの半分（すなわち、積層方向において隣接する２枚の基板９間の距離の半分であり、以下、「ハーフピッチ」という。）だけ移動する。
その後、上記と同様の手順にて、フープ９５に収容されている新たな複数（例えば、２５枚）の基板９が、基板整列機構８により周方向に順次整列された後、搬出入機構４により姿勢変更機構５へと渡される。姿勢変更機構５では、当該新たな複数の基板９の姿勢が、水平姿勢から垂直姿勢に一括して変更される。そして、プッシャ６の昇降保持部６１が再び上昇し、姿勢変更機構５から当該新たな複数の基板９を受け取って保持する。このとき、昇降保持部６１に既に保持されている複数の基板９（以下、「第１基板群」と呼ぶ。）は、新たな複数の基板９（以下、「第２基板群」と呼ぶ。）の間に下方から挿入される。このように、姿勢変更機構５およびプッシャ６により、第１基板群と第２基板群とを組み合わせてバッチを形成するバッチ組みが行われる。
上述のように、第１基板群の複数の基板９（以下、「第１基板９」とも呼ぶ。）は、第２基板群の間に挿入されるよりも前に１８０度回転している（すなわち、反転している）。このため、第１基板群の複数の第１基板９は、第２基板群の複数の基板９（以下、「第２基板９」とも呼ぶ。）の間に、複数の第２基板９とは表裏反対向きにそれぞれ配置される。換言すれば、昇降保持部６１に保持された複数（例えば、５０枚）の基板９では、隣接する各一対の基板９は、表面同士または裏面同士を対向させた状態（すなわち、フェース・ツー・フェース状態）である。なお、基板９の表面とは、例えば回路パターンが形成される主面であり、基板９の裏面とは、当該表面とは反対側の主面である。
プッシャ６では、第１基板群を保持した昇降保持部６１が、第２基板群を受け取る前に１８０度回転することなく、基板９の配列方向にハーフピッチだけ水平移動することにより、隣接する各一対の基板９が表面と裏面とを対向させた状態（すなわち、フェース・ツー・バック状態）でバッチ組みを行うこともできる。
昇降保持部６１上にてバッチ組みされた複数の基板９は、昇降保持部６１から受け渡し機構７の搬入チャック７１へと渡される。搬入チャック７１は、受け取った複数の基板９を垂直姿勢にて保持した状態で、保持部昇降機構６２の上方から（＋Ｘ）方向へと移動する。続いて、受け渡し機構７の仲介チャック７２が下降し、搬入チャック７１から複数の基板９を受け取って上昇する。そして、主搬送機構３の基板チャック３１が、仲介チャック７２から複数の基板９を受け取る。基板チャック３１は、垂直姿勢にてＸ方向に配列された複数の基板９を保持する。
主搬送機構３は、基板チャック３１に保持された未処理の複数の基板９を（＋Ｙ）方向へと搬送し、図１に示す基板処理部２の第１リフタ２７の上方に位置させる。第１リフタ２７は、垂直姿勢にてＸ方向に配列された複数の基板９を、基板チャック３１から一括して受け取る。第１リフタ２７は、当該複数の基板９を第１薬液槽２１へと下降させ、第１薬液槽２１内の薬液中に一括して浸漬させる。そして、複数の基板９を当該薬液中に所定時間だけ浸漬することにより、複数の基板９の薬液処理が終了する。
続いて、第１リフタ２７が、複数の基板９を第１薬液槽２１から引き上げ、（−Ｙ）方向へと移動する。第１リフタ２７は、複数の基板９を第１リンス液槽２２へと下降させ、第１リンス液槽２２内のリンス液中に一括して浸漬させる。そして、複数の基板９を当該リンス液中に所定時間だけ浸漬することにより、複数の基板９のリンス処理が終了する。リンス処理が終了すると、第１リフタ２７が、複数の基板９を第１リンス液槽２２から引き上げる。主搬送機構３の基板チャック３１は、第１リフタ２７から複数の基板９を一括して受け取り、第２リフタ２８の上方へと移動する。
第２リフタ２８は、第１リフタ２７と同様に、基板チャック３１から複数の基板９を一括して受け取り、第２薬液槽２３内の薬液中に一括して浸漬させる。複数の基板９の薬液処理が終了すると、第２リフタ２８は、複数の基板９を第２薬液槽２３から引き上げ、第２リンス液槽２４内のリンス液中に一括して浸漬させる。複数の基板９のリンス処理が終了すると、第２リフタ２８が、複数の基板９を第２リンス液槽２４から引き上げる。主搬送機構３の基板チャック３１は、第２リフタ２８から複数の基板９を一括して受け取り、乾燥処理部２５の上方へと移動する。
乾燥処理部２５は、基板チャック３１から複数の基板９を一括して受け取り、複数の基板９に対して一括して乾燥処理を行う。当該乾燥処理では、例えば、減圧雰囲気中で基板９に対して有機溶剤（例えば、イソプロピルアルコール）が供給され、基板９を回転させることにより、基板９上の液体が遠心力により除去される。複数の基板９の乾燥処理が終了すると、主搬送機構３の基板チャック３１が、乾燥処理部２５から処理済みの複数の基板９を一括して受け取り、（−Ｙ）方向へと移動する。
続いて、図２および図３に示す受け渡し機構７の払出チャック７３が、主搬送機構３の基板チャック３１から複数の基板９を一括して受け取り、（−Ｘ）方向へと移動してプッシャ６の昇降保持部６１の上方に位置する。プッシャ６の昇降保持部６１は上昇し、払出チャック７３から複数の基板９を受け取る。昇降保持部６１は、垂直姿勢にてＸ方向に配列された複数（例えば、５０枚）の基板９を保持する。
次に、昇降保持部６１が下降し、プッシャ６と垂直保持部５２との間で垂直姿勢の複数の基板９の受け渡しが行われる。具体的には、当該複数の基板９のうち、第２基板群の複数（例えば、２５枚）の基板９が、図３中に二点鎖線にて示す垂直保持部５２へと渡される。換言すれば、第１基板群と第２基板群とにより構成されていたバッチが解除され、第１基板群と第２基板群とが分離する。姿勢変更機構５の水平保持部５１および垂直保持部５２は、図３における時計回り方向に９０度だけ回転する。これにより、第２基板群の複数の基板９の姿勢が、垂直姿勢から水平姿勢に一括して変更される。当該複数の基板９は、水平姿勢にてＺ方向に積層された状態で、水平保持部５１により一括して保持される。そして、搬出入機構４のバッチハンド４１が、水平保持部５１から複数の基板９を受け取り、フープ９５へと搬入する。処理済みの複数の基板９が搬入されたフープ９５は、新たなフープ９５と交換される。
上述のように、姿勢変更機構５において第２基板群の複数の基板９の姿勢が、垂直姿勢から水平姿勢に変更されると、第１基板群の複数（例えば、２５枚）の基板９を保持した昇降保持部６１は上昇する。また、第２基板群の複数の基板９を搬出入機構４に渡した水平保持部５１および垂直保持部５２は、図３における反時計回り方向に９０度だけ回転する。
そして、昇降保持部６１が再び下降し、プッシャ６と垂直保持部５２との間で垂直姿勢の複数の基板９の受け渡しが行われる。具体的には、第１基板群の複数の基板９が、図３中に二点鎖線にて示す垂直保持部５２へと渡される。水平保持部５１および垂直保持部５２は、図３における時計回り方向に９０度だけ再び回転する。これにより、第１基板群の複数の基板９の姿勢が、垂直姿勢から水平姿勢に一括して変更される。当該複数の基板９は、水平姿勢にてＺ方向に積層された状態で、水平保持部５１により一括して保持される。そして、搬出入機構４のバッチハンド４１が、水平保持部５１から複数の基板９を受け取り、フープ９５へと搬入する。なお、プッシャ６から姿勢変更機構５への基板９の移動においては、姿勢変更機構５による第１基板群の受け取りが先に行われ、第２基板群の受け取りが後に行われてもよい。
姿勢変更機構５およびプッシャ６は、制御部１００により制御されることにより、上述のように、基板９の姿勢を水平姿勢から垂直姿勢へと変更し、また、垂直姿勢から水平姿勢へと変更する。換言すれば、姿勢変更機構５、プッシャ６および制御部１００は、基板９の姿勢を水平姿勢および垂直姿勢のうち一方の姿勢から他方の姿勢へと変更する姿勢変更装置である。
図１ないし図３に示す基板処理装置１０では、上述のように、略円板状の基板９の処理が行われるが、基板９は、基板処理装置１０に搬入されるよりも前に行われた処理（すなわち、前処理）の影響で反っている場合がある。基板９の反りには様々な種類があるが、１つのフープ９５に収容されている複数の基板９では、通常、反り状態は共通である。具体的には、当該複数の基板９では、ノッチ９３の位置を基準とした場合の反り状態が共通である。基板９の反り状態とは、基板９の反りの向き（例えば、表面側に凸となる向き）、および、基板９の反りの大きさ等を含む情報である。
図４および図５は、異なる反り状態を有する基板９の例を示す斜視図である。図４に示す基板９は、第１の径方向Ｋ１において、厚さ方向の一方側（すなわち、図中の上向きに凸となる方向）に第１の曲率にて湾曲する。図４の基板９は、第１の径方向Ｋ１に直交する第２の径方向Ｋ２において、厚さ方向の上記一方側（すなわち、第１の径方向Ｋ１における湾曲方向と同じ方向）に、第１の曲率よりも大きい第２の曲率にて湾曲する。
図５に示す基板９は、第１の径方向Ｋ３において厚さ方向の一方側（すなわち、図中の上向きに凸となる方向）に湾曲する。第１の径方向Ｋ３は、図４中に示す第１の径方向Ｋ１と同じ方向でなくてよい。図５の基板９は、第１の径方向Ｋ３に直交する第２の径方向Ｋ４において、厚さ方向の他方側（すなわち、第１の径方向Ｋ３における湾曲方向と反対の方向）に湾曲する。
以下の説明では、図４および図５に示す基板９の反りの状態をそれぞれ、「第１の反り状態」および「第２の反り状態」ともいう。また、反っている基板９を水平姿勢とした場合の厚さ方向における最下点と最上点との間の厚さ方向の距離を、基板９の「厚さ方向の大きさ」という。当該基板９が垂直姿勢にて保持されている場合、基板９の厚さ方向の大きさは、基板９の厚さ方向の最も一方側に位置する点と、最も他方側に位置する点との間の厚さ方向の距離である。基板９が反っておらず、平坦である場合、基板９の厚さ方向の大きさは、基板９の厚さと同じである。反っている基板９の厚さ方向の大きさは、例えば、基板９が平坦である場合の厚さよりも約０．５ｍｍ大きい。
図６は、姿勢変更機構５の平面図である。図６では、後述する水平保持状態の姿勢変更機構５を示す。図６では、搬出入機構４のバッチハンド４１も併せて描く。姿勢変更機構５は、水平保持部５１と、垂直保持部５２と、取付ブロック５３と、保持部回転機構５４と、端部当接部５５と、保持部シフト機構５６と、保持部スライド機構５７と、当接部移動機構５８とを備える。保持部シフト機構５６、保持部スライド機構５７および当接部移動機構５８は、例えば、取付ブロック５３の内部に配置される。
水平保持部５１、垂直保持部５２および端部当接部５５は、取付ブロック５３の図６の上面（すなわち、（＋Ｚ）側の面）である取付面５３１に取り付けられる。垂直保持部５２は、水平保持部５１の（＋Ｘ）側に配置される。水平保持部５１は、取付面５３１に略垂直な方向（すなわち、図中のＺ方向）に延びる一対の水平支持部材５１１を備える。各水平支持部材５１１は、図６中のＺ方向に略等間隔にて配列される複数の水平支持片５１２を備える。Ｚ方向にて隣接する各２つの水平支持片５１２の間隔は、第１基板群（または第２基板群）における基板９のピッチに等しい。垂直保持部５２は、取付面５３１に略垂直な方向に延びる一対の垂直支持部材５２１を備える。一対の垂直支持部材５２１はそれぞれ、一対の水平支持部材５１１の（＋Ｘ）側に位置する。端部当接部５５は、垂直保持部５２の（＋Ｘ）側に配置される。端部当接部５５は、取付面５３１に略垂直な方向に延びる略円柱状の部材である。
水平保持部５１は、水平姿勢にて厚さ方向に配列された複数の基板９をバッチハンド４１から受け取って保持する。水平保持部５１では、一対の水平支持部材５１１が、水平姿勢にて厚さ方向に配列された複数の基板９の下面をそれぞれ下方から支持する。具体的には、各基板９の一の径方向の両端部において、一対の水平支持片５１２が各基板９の下面に接触し、各基板９を下方から支持する。
水平保持部５１および垂直保持部５２は、保持部スライド機構５７により、取付ブロック５３の取付面５３１に沿って、図６中におけるＸ方向に個別に移動可能である。水平保持部５１は、図６中において二点鎖線にて示す位置と、実線にて示す位置との間で移動する。垂直保持部５２は、図６において実線にて示す位置と、二点鎖線にて示す位置との間で移動する。保持部シフト機構５６は、水平保持部５１を取付ブロック５３の取付面５３１に垂直な方向（すなわち、図６のＺ方向であり、基板９の厚さ方向でもある。）に移動する。これにより、当該基板９の厚さ方向において、水平保持部５１が垂直保持部５２に対して相対的に移動する（すなわち、シフトする）。端部当接部５５は、当接部移動機構５８により、取付ブロック５３の取付面５３１に沿って、図６中におけるＹ方向に移動可能である。端部当接部５５は、図６において実線にて示す当接位置と、二点鎖線にて示す退避位置との間で移動する。
保持部回転機構５４は、水平方向（具体的には、図６中におけるＹ方向）を向く回転軸５４１を中心として、取付ブロック５３を図３中における反時計回り方向に９０度だけ回転させる。これにより、水平保持部５１および垂直保持部５２が、図３中において二点鎖線にて示す位置へと移動する。また、水平保持部５１により保持される複数の基板９の姿勢が、水平姿勢から垂直姿勢へと変化する。図３中において二点鎖線にて示す状態では、垂直保持部５２により、垂直姿勢の複数の基板９が保持される。具体的には、垂直保持部５２の一対の垂直支持部材５２１（図６参照）により、各基板９の下側の端部の周方向両側にて各基板９の下縁部が挟持され、各基板９の下側の端部が、垂直保持部５２よりも下方に突出する。
以下の説明では、図３中において二点鎖線にて示すように、垂直保持部５２により垂直姿勢の基板９を保持可能な姿勢変更機構５の状態を「垂直保持状態」と呼ぶ。また、図３中において実線にて示すように、水平保持部５１により水平姿勢の基板９を保持可能な姿勢変更機構５の状態を「水平保持状態」と呼ぶ。保持部回転機構５４は、垂直保持状態と水平保持状態とを切り替える切り替え機構である。垂直保持状態の姿勢変更機構５では、水平保持部５１は、垂直保持部５２の上方に隣接して配置される。
次に、姿勢変更装置による基板９の姿勢変更の流れについて、図７ないし図５０を参照しつつ説明する。図７および図２５は、基板９の姿勢変更の流れを示すフロー図である。図８ないし図２４、並びに、図２６ないし図５０は、姿勢変更装置の動きを示す側面図である。図８ないし図２４、並びに、図２６ないし図５０では、図の理解を容易にするために、複数の基板９の枚数を実際よりも少なく描いている。
図７は、上述のバッチ組みの流れを示すフロー図である。バッチ組みが行われる際には、まず、図８および図９に示すように、水平保持状態の姿勢変更機構５に対して、搬出入機構４のバッチハンド４１（図３参照）により、水平姿勢にて厚さ方向に配列された複数の基板９（すなわち、上述の第１基板群）が渡される。姿勢変更機構５では、水平姿勢の複数の基板９が水平保持部５１により保持される（ステップＳ１１）。具体的には、複数の基板９のそれぞれの下面が、水平保持部５１により下方から支持される。また、制御部１００（図１参照）によりプッシャ６の保持部昇降機構６２（図３参照）が制御されることにより、昇降保持部６１が下方へと移動する。
続いて、制御部１００により保持部スライド機構５７（図６参照）が制御されることにより、図１０に示すように、水平保持部５１が、（＋Ｘ）方向へと移動して垂直保持部５２に近づく。図１０に示す状態では、水平姿勢の複数の基板９は、水平保持部５１により保持されている。複数の基板９の（＋Ｘ）側の端部は、垂直保持部５２よりも（＋Ｘ）側へと突出する。
次に、制御部１００により保持部回転機構５４（図６参照）が制御されることにより、図１１に示すように、水平保持部５１および垂直保持部５２が、取付ブロック５３と共に図中の反時計回り方向に回転する。そして、水平保持部５１および垂直保持部５２が９０度だけ回転することにより、図１２に示すように、姿勢変更機構５が水平保持状態から垂直保持状態へと切り替えられる。また、複数の基板９の姿勢も、水平姿勢から垂直姿勢へと切り替えられ、垂直姿勢の複数の基板９は、垂直保持部５２により保持される（ステップＳ１２）。詳細には、水平保持部５１および垂直保持部５２の回転途上において、各基板９が自重により垂直保持部５２に押しつけられ、各基板９の下縁部が垂直保持部５２の一対の垂直支持部材５２１により挟持される。垂直保持部５２により保持された垂直姿勢の複数の基板９は、昇降保持部６１の上方に位置する。
基板処理装置１０では、上述のように、図１に示す基板整列機構８により、ノッチ位置が所望の位置となるように、複数の基板９が予め整列されている。基板整列機構８による整列後の基板９のノッチ位置は、基板９の反り状態に基づいて予め決定されている。具体的には、ステップＳ１２において複数の基板９が垂直保持部５２により垂直姿勢にて保持された状態で、各基板９の厚さ方向の大きさが小さくなるように、ノッチ位置が決定されている。
このように、基板処理装置１０では、基板９の反り状態に基づいて基板整列機構８が制御部１００により制御され、基板９のノッチ９３が、予め決定されているノッチ位置に位置することにより、ステップＳ１２において垂直保持部５２に保持された垂直姿勢の複数の基板９において、各基板９の厚さ方向の大きさが小さくなる。例えば、基板９が、一の径方向において厚さ方向の一方側に最小曲率（すなわち、反っている基板９の各径方向における曲率のうち最小のもの）にて湾曲している場合、基板整列機構８による基板９の整列により、垂直保持部５２により垂直姿勢にて保持された際の基板９の当該一の径方向が、上下方向に平行となる。例えば、図４に示す第１の反り状態の基板９では、第１の径方向Ｋ１が上下方向に平行となる。これにより、垂直保持部５２に保持された垂直姿勢の複数の基板９において、各基板９の厚さ方向の大きさが最小となる。
複数の基板９が垂直保持部５２により保持されると、制御部１００により保持部シフト機構５６（図６参照）が制御されることにより、図１２に示すように、基板９の厚さ方向（すなわち、図中のＸ方向）において、水平保持部５１が垂直保持部５２に対して相対的に移動する。換言すれば、水平保持部５１は、垂直保持部５２に対して基板９の厚さ方向に相対的にシフトされる（ステップＳ１３）。図１２に示す例では、垂直保持部５２は移動することなく、水平保持部５１が、（−Ｘ）方向（すなわち、取付ブロック５３の取付面５３１に近づく方向）へと移動する。これにより、垂直保持部５２により保持された垂直姿勢の複数の基板９から、水平保持部５１の複数の水平支持片５１２（図６参照）が（−Ｘ）側に離間する。
基板処理装置１０では、姿勢変更機構５により保持されている複数の基板９の反り状態が、予め記憶部１０１に記憶されている。また、記憶部１０１には、ステップＳ１３において水平保持部５１をどの程度シフトさせれば、後述するステップＳ１４において基板９が上方に移動する際に、基板９と水平支持片５１２とが接触することを防止できるかを示すシフト情報が予め記憶されている。当該シフト情報は、基板９の反り状態と、当該反り状態に対応する水平保持部５１のシフト距離との複数の組み合わせを含む。当該シフト距離は、基板９の反り情報のうち、特に厚さ方向の大きさを考慮して設定される。例えば、シフト距離は、基板９と水平支持片５１２との接触を防止することができる水平保持部５１の最短移動距離よりも少し大きく設定される。
ステップＳ１３では、基板９の反り状態に基づいて、制御部１００が保持部シフト機構５６を制御することにより、基板９の厚さ方向における水平保持部５１の位置が、当該反り状態と上記シフト情報とに基づいて決定されるシフト距離だけ、垂直保持部５２から（−Ｘ）方向に相対的にシフトされる。なお、基板処理装置１０では、必ずしも記憶部１０１にシフト情報が記憶されている必要はなく、制御部１００が、反り情報に基づいてシフト距離を演算により求めてもよい。
水平保持部５１が複数の基板９から離間すると、制御部１００により保持部昇降機構６２（図３参照）が制御されることにより、図１３に示すように、昇降保持部６１が上方に移動する。昇降保持部６１は、垂直保持部５２の一対の垂直支持部材５２１および水平保持部５１の一対の水平支持部材５１１（図６参照）の間を通過して上昇する際に、垂直姿勢の複数の基板９を垂直保持部５２から受け取って、図１４に示すように保持する（ステップＳ１４）。基板処理装置１０では、上述のように、ステップＳ１３において水平保持部５１がシフトしているため、ステップＳ１４において基板９が上方に移動する際に、基板９が水平保持部５１に接触することが防止される。
昇降保持部６１が複数の基板９（すなわち、第１基板群）を受け取ると、図１４に示すように、水平保持部５１が（＋Ｘ）方向（すなわち、取付ブロック５３の取付面５３１から離れる方向）へと上述のシフト距離だけ移動する（ステップＳ１５，Ｓ１６）。これにより、水平保持部５１の上記シフトが戻される。続いて、図１５および図１６に示すように、保持部回転機構５４（図６参照）により、姿勢変更機構５が垂直保持状態から水平保持状態へと切り替えられる（ステップＳ１７）。
次に、第１基板群を保持する昇降保持部６１が、図１７に示すように、回転軸６３を中心として水平に１８０度回転し（すなわち、反転し）、下降する（ステップＳ１８）。また、水平保持部５１が（−Ｘ）方向へと移動して、垂直保持部５２から離れる。そして、新たな複数の基板９（すなわち、上述の第２基板群）について、図１８ないし図２４に示すように、ステップＳ１１〜Ｓ１４が繰り返されることにより、上述のバッチ組みが行われ、プッシャ６の昇降保持部６１により第１基板群および第２基板群が保持される。
図２５は、上述のバッチ解除の流れを示すフロー図である。バッチ解除が行われる際には、まず、図２６に示すように、水平保持状態の姿勢変更機構５において、制御部１００により保持部スライド機構５７（図６参照）が制御されることにより、水平保持部５１が、（＋Ｘ）方向に移動して垂直保持部５２に近づく。また、制御部１００により保持部シフト機構５６（図６参照）が制御されることにより、水平保持部５１が、（−Ｚ）方向（すなわち、取付ブロック５３の取付面５３１に近づく方向）に、上述のシフト距離だけシフトする（ステップＳ２１）。
続いて、制御部１００により保持部回転機構５４（図６参照）が制御されることにより、図２７および図２８に示すように、水平保持部５１および垂直保持部５２が、取付ブロック５３と共に図中の反時計回り方向に回転する。そして、水平保持部５１および垂直保持部５２が９０度だけ回転することにより、図２９に示すように、姿勢変更機構５が水平保持状態から垂直保持状態へと切り替えられる（ステップＳ２２）。水平保持部５１および垂直保持部５２は、処理済みの複数の基板９（すなわち、第１基板群および第２基板群）を保持している昇降保持部６１の下方に位置する。
次に、制御部１００により保持部昇降機構６２（図３参照）が制御されることにより、昇降保持部６１が下方に移動する。図３０および図３１に示すように、昇降保持部６１が、水平保持部５１の一対の水平支持部材５１１および垂直保持部５２の一対の垂直支持部材５２１（図６参照）の間を通過して下降する際に、垂直保持部５２が、昇降保持部６１に保持された第１基板群および第２基板群のうち、第２基板群の複数の基板９を昇降保持部６１から受け取って保持する（ステップＳ２３）。これにより、第１基板群および第２基板群のバッチが解除される。基板処理装置１０では、ステップＳ２１において水平保持部５１がシフトしているため、ステップＳ２３において基板９が下方に移動する際に、第２基板群の基板９が水平保持部５１に接触することが防止される。もちろん、第１基板群の基板９も水平保持部５１には接触しない。
複数の基板９が垂直保持部５２により保持されると、制御部１００により保持部シフト機構５６が制御されることにより、図３１に示すように、水平保持部５１が、上述のシフト距離だけ（＋Ｘ）方向（すなわち、取付ブロック５３の取付面５３１から離れる方向）へと移動する（ステップＳ２４）。これにより、水平保持部５１の上記シフトが戻され、垂直保持部５２により保持された垂直姿勢の複数の基板９の（−Ｘ）側の面に、水平保持部５１の複数の水平支持片５１２が接触する。
続いて、制御部１００により保持部回転機構５４が制御されることにより、図３２および図３３に示すように、水平保持部５１および垂直保持部５２が、取付ブロック５３と共に図中の時計回り方向に回転する。そして、水平保持部５１および垂直保持部５２が９０度だけ回転することにより、図３４に示すように、姿勢変更機構５が垂直保持状態から水平保持状態へと切り替えられ、水平姿勢の複数の基板９は、水平保持部５１により保持される（ステップＳ２５）。図３４に示す状態では、垂直保持部５２による複数の基板９の挟持は解除されておらず、水平保持部５１により下側から支持されている複数の基板９は、垂直保持部５２により（＋Ｘ）側から挟持されている。
次に、制御部１００により当接部移動機構５８（図６参照）が制御されることにより、端部当接部５５が、上述の退避位置から当接位置へと移動し、図３５に示すように、複数の基板９の（＋Ｘ）側にて各基板９の外周縁に当接する。続いて、制御部１００により保持部スライド機構５７が制御されることにより、垂直保持部５２が（＋Ｘ）方向へとスライドする。これにより、垂直保持部５２は、水平保持部５１から離れ、端部当接部５５に近づく。複数の基板９は、上述のように端部当接部５５に当接しているため、（＋Ｘ）方向には移動することができない。したがって、垂直保持部５２は、複数の基板９に対して相対的に（＋Ｘ）方向へと移動し、垂直保持部５２による複数の基板９の挟持が容易に解除される（ステップＳ２６）。
垂直保持部５２による複数の基板９の挟持が解除されると、保持部スライド機構５７により、図３６に示すように、水平保持部５１および垂直保持部５２が（−Ｘ）方向へと移動される。水平姿勢にて水平保持部５１により保持されている複数の基板９は、水平保持部５１と共に（−Ｘ）方向へと移動し、端部当接部５５から離間する。また、端部当接部５５は、上述の当接位置から退避位置へと移動する。そして、図３７に示すように、水平姿勢にて厚さ方向に配列された複数の基板９（すなわち、第２基板群）が、搬出入機構４のバッチハンド４１（図３参照）により水平保持部５１から搬出され（ステップＳ２７）、フープ９５（図１参照）へと搬入される。複数の基板９を収容したフープ９５は、基板９を収容していない新たなフープ９５に交換される。
続いて、第１基板群を保持する昇降保持部６１が、回転軸６３を中心として水平に１８０度回転し（すなわち、反転し）、図３８に示すように上昇する（ステップＳ２８，Ｓ２９）。そして、第１基板群の複数の基板９について、図３９ないし図５０に示すように、ステップＳ２１〜Ｓ２７が繰り返されることにより、第１基板群が、プッシャ６の昇降保持部６１から姿勢変更機構５へと移動され、姿勢変更機構５から搬出される。
以上に説明したように、上述の姿勢変更装置は、垂直保持部５２と、水平保持部５１と、取付ブロック５３と、保持部回転機構５４と、保持部シフト機構５６と、プッシャ６と、制御部１００とを備える。垂直保持部５２は、基板９が垂直姿勢である場合に、基板９の下側の端部を下方に突出させた状態で、当該端部の周方向両側にて基板９の下縁部を挟持する。水平保持部５１は、垂直保持部５２が垂直姿勢の基板９を保持する状態において、水平保持部５１の上方に隣接して配置される。水平保持部５１は、基板９が水平姿勢である場合に、基板９の径方向両側にて基板９の下面を下方から支持する。垂直保持部５２と水平保持部５１とは、取付ブロック５３に取り付けられる。
保持部回転機構５４は、水平方向を向く回転軸５４１を中心として取付ブロック５３を回転させることにより、垂直保持部５２により垂直姿勢の基板９を保持可能な垂直保持状態と、水平保持部５１により水平姿勢の基板９を保持可能な水平保持状態とを切り替える。保持部シフト機構５６は、基板９の厚さ方向において、水平保持部５１を垂直保持部５２に対して相対的にシフトする。プッシャ６は、垂直保持部５２との間で垂直姿勢の基板９の受け渡しを行う。
制御部１００は、上述のように、垂直保持部５２とプッシャ６との間の基板９の受け渡し前に、基板９の反り状態に基づいて保持部シフト機構５６を制御することにより、厚さ方向における水平保持部５１の位置を、反り状態に基づいて決定されるシフト距離だけ、垂直保持部５２から相対的にシフトさせる。これにより、基板９が反っている場合であっても、基板９と水平保持部５１との接触を防止しつつ、垂直保持部５２とプッシャ６との間の基板９の受け渡しを好適に行うことができる。
上述のように、ステップＳ１３における保持部シフト機構５６による水平保持部５１の相対的シフトは、ステップＳ１４においてプッシャ６が垂直保持部５２から基板９を受け取るよりも前に行われる。これにより、ステップＳ１４における垂直保持部５２からプッシャ６への基板９の受け渡しを、基板９と水平保持部５１との接触を防止しつつ好適に行うことができる。
また、上述の保持部シフト機構５６による水平保持部５１の相対的シフト（ステップＳ１３）は、垂直保持状態において行われる。このように、ステップＳ１２において姿勢変更機構５が水平保持状態から垂直保持状態へと切り替えられた後に、水平保持部５１の相対的シフトが行われることにより、当該水平保持状態から垂直保持状態への切り替え時に、水平保持部５１による基板９の支持が継続される。その結果、基板９を支持する構成を、水平保持部５１から垂直保持部５２へと安定して変更することができる。
上述のように、ステップＳ２１における保持部シフト機構５６による水平保持部５１の相対的シフトは、ステップＳ２３において垂直保持部５２がプッシャ６から基板９を受け取るよりも前に行われる。これにより、ステップＳ２３におけるプッシャ６から垂直保持部５２への基板９の受け渡しを、基板９と水平保持部５１との接触を防止しつつ好適に行うことができる。
また、上述の保持部シフト機構５６による水平保持部５１の相対的シフト（ステップＳ２１）は、水平保持状態において行われる。これにより、ステップＳ２２において姿勢変更機構５が水平保持状態から垂直保持状態へと切り替えられた直後に、プッシャ６から垂直保持部５２への基板９の受け渡しを、基板９と水平保持部５１との接触を防止しつつ行うことができる。その結果、基板９の処理に要する時間を短縮することができる。
姿勢変更装置は、上述のように、基板整列機構８をさらに備える。基板整列機構８は、基板９を周方向に回転して周方向の向きを変更する。基板９が、一の径方向において最小曲率にて厚さ方向の一方側に湾曲している場合、制御部１００は、垂直保持部５２とプッシャ６との間の基板９の受け渡し（ステップＳ１４，Ｓ２３）前に、基板９の反り状態に基づいて基板整列機構８を制御することにより、垂直保持部５２により垂直姿勢にて保持された際の基板９の上記一の径方向を上下方向に平行とする。これにより、垂直保持部５２に保持された垂直姿勢の基板９の厚さ方向の大きさを最小とすることができる。その結果、ステップＳ１３，Ｓ２１における水平保持部５１の相対的シフトの際の上記シフト距離を小さくすることができる。
上述の姿勢変更装置は、１枚の基板９の姿勢を変更してもよく、複数の基板９の姿勢を一括して変更してもよい。姿勢変更装置において複数の基板９の姿勢を変更する場合、垂直保持部５２は、垂直姿勢の１枚の基板９と共に、当該基板９の厚さ方向に並べて配置される垂直姿勢の他の基板９を、当該１枚の基板９と同様に保持する。水平保持部５１は、水平姿勢の１枚の基板９と共に、当該基板９の厚さ方向に並べて配置される水平姿勢の他の基板９を、当該１枚の基板９と同様に保持する。また、プッシャ６は、垂直保持部５２との間で、垂直姿勢の当該他の基板９の受け渡しを、垂直姿勢の上記１枚の基板９と共に行う。これにより、複数の基板９と水平保持部５１との接触を防止しつつ、垂直保持部５２とプッシャ６との間の複数の基板９の受け渡しを好適に行うことができる。
上述の姿勢変更装置および基板処理装置１０では、様々な変更が可能である。
例えば、ステップＳ１６における水平保持部５１のシフトの復帰は、ステップＳ１７における姿勢変更機構５の垂直保持状態から水平保持状態への切り替えと、ステップＳ１８における昇降保持部６１の反転との間に行われてもよい。あるいは、ステップＳ１６は、ステップＳ１８と次のステップＳ１１との間に行われてもよい。また、ステップＳ１６は、ステップＳ１７またはステップＳ１８と並行して行われてもよい。
ステップＳ２１における水平保持部５１のシフトは、ステップＳ２２における姿勢変更機構５の水平保持状態から垂直保持状態への切り替えと、ステップＳ２３における垂直保持部５２による昇降保持部６１からの基板９の受け取りとの間に行われてもよい。あるいは、ステップＳ２１は、ステップＳ２２と並行して行われてもよい。
基板整列機構８は、基板９を周方向に回転して周方向の向きを変更するものであれば、様々な構造を有する装置であってよい。例えば、基板整列機構８は、垂直姿勢の基板９を順次周方向に回転して周方向の向きを変更する機構であってもよい。また、基板整列機構８は、複数の基板９を同時に周方向に回転させ、複数の基板９のそれぞれの周方向の向きを変更する機構であってもよい。さらには、基板整列機構８では、基板９のノッチ９３が所定の係合軸と係合することにより、基板９の回転が停止されてもよい。なお、姿勢変更装置では、基板整列機構８は必ずしも設けられる必要はない。
上述の姿勢変更装置（すなわち、姿勢変更機構５、プッシャ６および制御部１００）は、基板処理装置１０の他の構成から独立した装置として使用されてもよい。あるいは、当該姿勢変更装置は、上述の基板処理装置１０以外の様々な装置に組み込まれて使用されてもよい。
基板処理装置１０は、半導体基板以外に、液晶表示装置、プラズマディスプレイ、ＦＥＤ（field emission display）等の表示装置に使用されるガラス基板の処理に利用されてもよい。あるいは、基板処理装置１０は、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板および太陽電池用基板等の処理に利用されてもよい。
上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。
５ 姿勢変更機構
６ プッシャ
８ 基板整列機構
９ 基板
５１ 水平保持部
５２ 垂直保持部
５３ 取付ブロック
５４ 保持部回転機構
５６ 保持部シフト機構
１００ 制御部
Ｓ１１〜Ｓ１８，Ｓ２１〜Ｓ２９ ステップ

Claims (7)

  1. 基板の姿勢を水平姿勢および垂直姿勢のうち一方の姿勢から他方の姿勢へと変更する姿勢変更装置であって、
    基板が垂直姿勢である場合に、前記基板の下側の端部を下方に突出させた状態で、前記端部の周方向両側にて前記基板の下縁部を挟持する垂直保持部と、
    前記垂直保持部が垂直姿勢の前記基板を保持する状態において前記垂直保持部の上方に隣接して配置され、前記基板が水平姿勢である場合に、前記基板の径方向両側にて前記基板の下面を下方から支持する水平保持部と、
    前記垂直保持部および前記水平保持部が取り付けられる取付ブロックと、
    水平方向を向く回転軸を中心として前記取付ブロックを回転させることにより、前記垂直保持部により垂直姿勢の前記基板を保持可能な垂直保持状態と、前記水平保持部により水平姿勢の前記基板を保持可能な水平保持状態とを切り替える保持部回転機構と、
    前記基板の厚さ方向において前記水平保持部を前記垂直保持部に対して相対的にシフトする保持部シフト機構と、
    前記垂直保持部との間で垂直姿勢の前記基板の受け渡しを行うプッシャと、
    前記垂直保持部と前記プッシャとの間の前記基板の受け渡し前に、前記基板の反り状態に基づいて前記保持部シフト機構を制御することにより、前記厚さ方向における前記水平保持部の位置を、前記反り状態に基づいて決定されるシフト距離だけ、前記垂直保持部から相対的にシフトさせる制御部と、
    を備えることを特徴とする姿勢変更装置。
  2. 請求項１に記載の姿勢変更装置であって、
    前記保持部シフト機構による前記水平保持部の相対的シフトが、前記プッシャが前記垂直保持部から前記基板を受け取るよりも前に行われることを特徴とする姿勢変更装置。
  3. 請求項２に記載の姿勢変更装置であって、
    前記保持部シフト機構による前記水平保持部の相対的シフトが、前記垂直保持状態において行われることを特徴とする姿勢変更装置。
  4. 請求項１に記載の姿勢変更装置であって、
    前記保持部シフト機構による前記水平保持部の相対的シフトが、前記垂直保持部が前記プッシャから前記基板を受け取るよりも前に行われることを特徴とする姿勢変更装置。
  5. 請求項４に記載の姿勢変更装置であって、
    前記保持部シフト機構による前記水平保持部の相対的シフトが、前記水平保持状態において行われることを特徴とする姿勢変更装置。
  6. 請求項１ないし５のいずれかに記載の姿勢変更装置であって、
    前記基板を周方向に回転して周方向の向きを変更する基板整列機構をさらに備え、
    前記基板が、一の径方向において最小曲率にて前記厚さ方向の一方側に湾曲している場合、前記制御部は、前記垂直保持部と前記プッシャとの間の前記基板の受け渡し前に、前記基板の反り状態に基づいて前記基板整列機構を制御することにより、前記垂直保持部により垂直姿勢にて保持された際の前記基板の前記一の径方向を上下方向に平行とすることを特徴とする姿勢変更装置。
  7. 請求項１ないし６のいずれかに記載の姿勢変更装置であって、
    前記垂直保持部が、垂直姿勢の前記基板の前記厚さ方向に並べて配置される垂直姿勢の他の基板を前記基板と同様に前記基板と共に保持し、
    前記水平保持部が、水平姿勢の前記基板の前記厚さ方向に並べて配置される水平姿勢の前記他の基板を前記基板と同様に前記基板と共に保持し、
    前記プッシャが、前記垂直保持部との間で垂直姿勢の前記他の基板の受け渡しを垂直姿勢の前記基板と共に行うことを特徴とする姿勢変更装置。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7165754B2 (ja) * 2018-06-07 2022-11-04 エーシーエム リサーチ （シャンハイ） インコーポレーテッド 半導体ウェハの洗浄装置及び洗浄方法
CN110534472B (zh) * 2019-09-06 2021-05-25 杭州众硅电子科技有限公司 一种晶圆传输机械手及其晶圆翻转方法
JP2024030376A (ja) 2022-08-24 2024-03-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2024046370A (ja) 2022-09-22 2024-04-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
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Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4611966A (en) * 1984-05-30 1986-09-16 Johnson Lester R Apparatus for transferring semiconductor wafers
US5125784A (en) * 1988-03-11 1992-06-30 Tel Sagami Limited Wafers transfer device
US4957406A (en) * 1989-05-08 1990-09-18 Intelmatec Corporation Apparatus for transferring disks from one cassette to another with different pitch
JP3184167B2 (ja) * 1999-01-08 2001-07-09 日本電気株式会社 表示パネル移載装置及び表示パネル移載ユニット
JP4180787B2 (ja) * 2000-12-27 2008-11-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
FR2823188B1 (fr) * 2001-04-06 2003-09-05 R2D Ingenierie Methode et manipulateur pour le transfert de supports de composants electroniques et/ou informatiques conformes en disques
WO2005002804A1 (ja) * 2003-07-04 2005-01-13 Rorze Corporation 搬送装置、薄板状物の搬送方法、及び薄板状物製造システム
US20060216137A1 (en) 2004-07-02 2006-09-28 Katsunori Sakata Carrying apparatus and carrying control method for sheet-like substrate
US20060137726A1 (en) 2004-12-24 2006-06-29 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus
JP4795893B2 (ja) * 2006-08-22 2011-10-19 東京エレクトロン株式会社 基板検知機構および基板収容容器
KR101181560B1 (ko) 2008-09-12 2012-09-10 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 그것에 사용되는 기판반송장치
JP5290890B2 (ja) * 2008-09-12 2013-09-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
WO2011096208A1 (ja) 2010-02-05 2011-08-11 東京エレクトロン株式会社 基板保持具及び基板搬送装置及び基板処理装置
JP5152277B2 (ja) * 2010-08-31 2013-02-27 三星ダイヤモンド工業株式会社 姿勢変更ユニット
JP5333408B2 (ja) 2010-10-22 2013-11-06 東京エレクトロン株式会社 保持部材の姿勢判定装置、その方法、基板処理装置及び記憶媒体
JP2012212746A (ja) 2011-03-31 2012-11-01 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置及び基板搬送方法
KR102173674B1 (ko) * 2013-02-04 2020-11-03 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 시트재 취급 방법, 및 시트재 취급 장치

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