JP2005126814A - 表面処理方法 - Google Patents
表面処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005126814A JP2005126814A JP2004171943A JP2004171943A JP2005126814A JP 2005126814 A JP2005126814 A JP 2005126814A JP 2004171943 A JP2004171943 A JP 2004171943A JP 2004171943 A JP2004171943 A JP 2004171943A JP 2005126814 A JP2005126814 A JP 2005126814A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surface treatment
- substrate
- pressure
- jig
- treatment method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims abstract description 305
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 137
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 265
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims abstract description 33
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 42
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 26
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 61
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 13
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 11
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YPFNIPKMNMDDDB-UHFFFAOYSA-K 2-[2-[bis(carboxylatomethyl)amino]ethyl-(2-hydroxyethyl)amino]acetate;iron(3+) Chemical compound [Fe+3].OCCN(CC([O-])=O)CCN(CC([O-])=O)CC([O-])=O YPFNIPKMNMDDDB-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000001506 calcium phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910000389 calcium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011010 calcium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 229920003049 isoprene rubber Polymers 0.000 description 1
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 1
- QORWJWZARLRLPR-UHFFFAOYSA-H tricalcium bis(phosphate) Chemical compound [Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O QORWJWZARLRLPR-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49815—Disassembling
- Y10T29/49822—Disassembling by applying force
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/53—Means to assemble or disassemble
- Y10T29/53274—Means to disassemble electrical device
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/53—Means to assemble or disassemble
- Y10T29/53683—Spreading parts apart or separating them from face to face engagement
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
【課題】基板にムラ無く表面処理を施すことができる表面処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明の表面処理方法は、表面処理用治具１に基板１０を吸着・保持した状態で、基板１０の裏面（一方の面）１０１に表面処理を施すものである。この表面処理方法は、凹部３２と基板１０の表面（他方の面）１０２とで画成される閉空間と、基板１０に接触して閉空間の気密性を保持するＯリング（接触部）２とを有する表面処理用治具１と、基板１０とを真空チャンバ（減圧室）内に搬入し、閉空間（凹部３２）を減圧する第１の工程と、表面処理用治具１を真空チャンバ内から大気圧下に搬出し、閉空間内の圧力と大気圧との差を利用して、基板１０を表面処理用治具１に吸着・保持する第２の工程と、基板１０を表面処理用治具１に吸着・保持した状態で、基板１０の裏面１０１に表面処理を施す第３の工程を有する。
【選択図】図１
【解決手段】本発明の表面処理方法は、表面処理用治具１に基板１０を吸着・保持した状態で、基板１０の裏面（一方の面）１０１に表面処理を施すものである。この表面処理方法は、凹部３２と基板１０の表面（他方の面）１０２とで画成される閉空間と、基板１０に接触して閉空間の気密性を保持するＯリング（接触部）２とを有する表面処理用治具１と、基板１０とを真空チャンバ（減圧室）内に搬入し、閉空間（凹部３２）を減圧する第１の工程と、表面処理用治具１を真空チャンバ内から大気圧下に搬出し、閉空間内の圧力と大気圧との差を利用して、基板１０を表面処理用治具１に吸着・保持する第２の工程と、基板１０を表面処理用治具１に吸着・保持した状態で、基板１０の裏面１０１に表面処理を施す第３の工程を有する。
【選択図】図１
Description
本発明は、表面処理方法に関するものである。
近年、フォトリソグラフィ技術等の加工により、半導体素子や水晶発振器等を作製する、いわゆるマイクロマシニング技術が盛んに行われている。
このマイクロマシニング技術においては、基板の一方の面に加工を行った後、加工を施した反対側の面にエッチング等を施すことにより、基板を薄くしたり、孔を空けるといった基板自体の加工が行われる。
このマイクロマシニング技術においては、基板の一方の面に加工を行った後、加工を施した反対側の面にエッチング等を施すことにより、基板を薄くしたり、孔を空けるといった基板自体の加工が行われる。
ここで、このような基板の加工（エッチング）に際しては、加工を施した基板の一方の面（既加工面）をエッチング液から保護する必要がある。そこで、既加工面を保護しながら、反対側の面（エッチング面）にのみエッチングが行えるようにしたエッチング装置が開発されている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に記載のエッチング装置は、支持治具と、この支持治具に対して着脱自在に装着される押え治具とで構成されている。そして、このエッチング装置では、支持治具に基板を載置した状態で、支持治具に押え治具を装着すると、押え治具が基板の周囲を押さえ付けることにより、基板がエッチング装置に固定される。
特許文献１に記載のエッチング装置は、支持治具と、この支持治具に対して着脱自在に装着される押え治具とで構成されている。そして、このエッチング装置では、支持治具に基板を載置した状態で、支持治具に押え治具を装着すると、押え治具が基板の周囲を押さえ付けることにより、基板がエッチング装置に固定される。
また、所定の位置には、Ｏリングが配置されており、基板をエッチング装置に固定した状態では、Ｏリングがエッチング面に密着することにより、エッチング液の被加工面への回り込みが防止されている。
この状態で、基板をエッチング装置毎、エッチング液に浸漬することにより、エッチング面にのみエッチングを施すことができる。
この状態で、基板をエッチング装置毎、エッチング液に浸漬することにより、エッチング面にのみエッチングを施すことができる。
しかしながら、このようなエッチング装置では、押え治具により押し付けられているエッチング面の外周部が、エッチング液に曝されず、未処理状態となる。
このため、押え治具に当接する部分（未処理部分）と、当接しない部分（処理部分）との境界に段差が生じ、この段差により後工程で行う各種処理を、基板の各領域で均一に行うことが困難となるという問題がある。
このため、押え治具に当接する部分（未処理部分）と、当接しない部分（処理部分）との境界に段差が生じ、この段差により後工程で行う各種処理を、基板の各領域で均一に行うことが困難となるという問題がある。
本発明の目的は、基板にムラ無く表面処理を施すことができる表面処理方法を提供することにある。
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の表面処理方法は、表面処理用治具に基板を吸着・保持した状態で、前記基板の一方の面に表面処理を施す表面処理方法であって、
前記基板の他方の面とで画成される閉空間と、前記基板に接触して前記閉空間の気密性を保持する接触部とを有する表面処理用治具と、前記基板とを減圧室内に搬入し、前記閉空間を減圧する第１の工程と、
前記表面処理用治具を前記減圧室内から大気圧下に搬出し、前記閉空間内の圧力と大気圧との差を利用して、前記基板を前記表面処理用治具に吸着・保持する第２の工程と、
前記基板を前記表面処理用治具に吸着・保持した状態で、前記基板の一方の面に表面処理を施す第３の工程を有することを特徴とする。
これにより、基板にムラ無く表面処理を施すことができる。
本発明の表面処理方法は、表面処理用治具に基板を吸着・保持した状態で、前記基板の一方の面に表面処理を施す表面処理方法であって、
前記基板の他方の面とで画成される閉空間と、前記基板に接触して前記閉空間の気密性を保持する接触部とを有する表面処理用治具と、前記基板とを減圧室内に搬入し、前記閉空間を減圧する第１の工程と、
前記表面処理用治具を前記減圧室内から大気圧下に搬出し、前記閉空間内の圧力と大気圧との差を利用して、前記基板を前記表面処理用治具に吸着・保持する第２の工程と、
前記基板を前記表面処理用治具に吸着・保持した状態で、前記基板の一方の面に表面処理を施す第３の工程を有することを特徴とする。
これにより、基板にムラ無く表面処理を施すことができる。
本発明の表面処理方法では、前記第１の工程における前記減圧室内の圧力は、７００００Ｐａ以下であることが好ましい。
これにより、基板の破損等をより確実に防止しつつ、基板を表面処理用治具へ確実に吸着・保持することができる。
本発明の表面処理方法では、前記第３の工程において、前記表面処理を行う際の圧力は、大気圧またはそれ以上であることが好ましい。
これにより、第３の工程における圧力の厳密な設定が不要となるため、第１の工程における減圧内の圧力の設定が容易となる。
これにより、基板の破損等をより確実に防止しつつ、基板を表面処理用治具へ確実に吸着・保持することができる。
本発明の表面処理方法では、前記第３の工程において、前記表面処理を行う際の圧力は、大気圧またはそれ以上であることが好ましい。
これにより、第３の工程における圧力の厳密な設定が不要となるため、第１の工程における減圧内の圧力の設定が容易となる。
本発明の表面処理方法では、前記第３の工程の後、前記表面処理用治具を減圧室内に搬入し、前記減圧室内の圧力を前記第１の工程における圧力とほぼ等しいか、または、前記第１の工程における圧力より低い圧力となるように減圧することにより、前記基板を前記表面処理用治具から取り外す第４の工程を有することが好ましい。
これにより、基板を表面処理用治具から容易に取り外すことができる。
これにより、基板を表面処理用治具から容易に取り外すことができる。
本発明の表面処理方法では、前記第１の工程における前記減圧室内の圧力をＡ［Ｐａ］とし、前記第４の工程における前記減圧室内の圧力をＢ［Ｐａ］としたとき、Ｂ／Ａが１以下なる関係を満足することが好ましい。
これにより、基板を表面処理用治具から確実に取り外すことができる。
本発明の表面処理方法では、前記第４の工程における前記減圧室内の圧力は、７００００Ｐａ以下であることが好ましい。
これにより、基板を表面処理用治具からより確実に取り外すことができる。
これにより、基板を表面処理用治具から確実に取り外すことができる。
本発明の表面処理方法では、前記第４の工程における前記減圧室内の圧力は、７００００Ｐａ以下であることが好ましい。
これにより、基板を表面処理用治具からより確実に取り外すことができる。
本発明の表面処理方法では、前記表面処理用治具は、前記減圧室内において、前記基板が前記接触部から離間するのを補助する離間補助手段を有することが好ましい。
これにより、基板を表面処理用治具からより確実に取り外すことができる。
本発明の表面処理方法では、前記離間補助手段は、前記基板が前記接触部から離間する際に、一部が前記基板の他方の面に当接する当接部材と、該当接部材を前記接触部から離間する方向に変位させる変位手段とを有することが好ましい。
かかる離間補助手段によれば、簡単な構成でありながら、基板を表面処理用治具から確実に取り外すことができる。
これにより、基板を表面処理用治具からより確実に取り外すことができる。
本発明の表面処理方法では、前記離間補助手段は、前記基板が前記接触部から離間する際に、一部が前記基板の他方の面に当接する当接部材と、該当接部材を前記接触部から離間する方向に変位させる変位手段とを有することが好ましい。
かかる離間補助手段によれば、簡単な構成でありながら、基板を表面処理用治具から確実に取り外すことができる。
本発明の表面処理方法では、前記当接部材は、その前記接触部と反対の端部側を中心として回動可能となっていることが好ましい。
これにより、変位手段の構成の簡略化を図ることができる。
本発明の表面処理方法では、前記変位手段は、バネ、前記減圧室内を減圧することにより容積が増大する中空部を有する弾性体、梃子と重りとの組み合わせや、モータで構成されていることが好ましい。
これらの変位手段は、極めて構成が簡単であるため、表面処理用治具の部品点数が増大することや、コストが高くなることを防止することができる。
これにより、変位手段の構成の簡略化を図ることができる。
本発明の表面処理方法では、前記変位手段は、バネ、前記減圧室内を減圧することにより容積が増大する中空部を有する弾性体、梃子と重りとの組み合わせや、モータで構成されていることが好ましい。
これらの変位手段は、極めて構成が簡単であるため、表面処理用治具の部品点数が増大することや、コストが高くなることを防止することができる。
本発明の表面処理方法では、前記表面処理用治具は、前記接触部に前記基板を接触させた状態で、前記空間と外部とを連通する流路を有し、
前記流路は、前記第１ないし第３の工程において、気密的に封止されており、
前記第３の工程の後、前記流路を開放することにより、前記基板を前記表面処理用治具から取り外す第４の工程を有することが好ましい。
これにより、基板を表面処理用治具から容易に取り外すことができる。
前記流路は、前記第１ないし第３の工程において、気密的に封止されており、
前記第３の工程の後、前記流路を開放することにより、前記基板を前記表面処理用治具から取り外す第４の工程を有することが好ましい。
これにより、基板を表面処理用治具から容易に取り外すことができる。
本発明の表面処理方法では、前記基板は、その他方の面に開放する凹部を有し、
前記第１の工程に先立って、前記凹部を塞ぐように、前記基板の他方の面にシート材を設けることが好ましい。
これにより、基板を表面処理用治具から取り外した後に、基板に対して洗浄を施す際には、凹部内に洗浄液が侵入することを阻止することができる。
前記第１の工程に先立って、前記凹部を塞ぐように、前記基板の他方の面にシート材を設けることが好ましい。
これにより、基板を表面処理用治具から取り外した後に、基板に対して洗浄を施す際には、凹部内に洗浄液が侵入することを阻止することができる。
本発明の表面処理方法では、前記基板は、その他方の面に開放する凹部を有し、
前記接触部は、前記基板を接触させた状態で、前記凹部を塞ぎ得るよう構成されていることが好ましい。
これにより、凹部を有する基板を表面処理用治具に確実に固定（保持）することができる。
前記接触部は、前記基板を接触させた状態で、前記凹部を塞ぎ得るよう構成されていることが好ましい。
これにより、凹部を有する基板を表面処理用治具に確実に固定（保持）することができる。
本発明の表面処理方法では、前記表面処理用治具は、平板状をなし、その両側の面に、それぞれ、前記接触部を有することが好ましい。
これにより、表面処理に要するコストの削減および時間の短縮を図ることができる。
本発明の表面処理方法では、前記表面処理は、処理液を用いて行うものであることが好ましい。
本発明は、各種の表面処理への適用が可能であるが、処理液を用いる表面処理への適用に適する。
本発明の表面処理方法では、前記処理液は、エッチング液であることが好ましい。
本発明は、特に、ウェットエッチングへの適用に適する。
これにより、表面処理に要するコストの削減および時間の短縮を図ることができる。
本発明の表面処理方法では、前記表面処理は、処理液を用いて行うものであることが好ましい。
本発明は、各種の表面処理への適用が可能であるが、処理液を用いる表面処理への適用に適する。
本発明の表面処理方法では、前記処理液は、エッチング液であることが好ましい。
本発明は、特に、ウェットエッチングへの適用に適する。
以下、本発明の表面処理方法を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
本発明において、表面処理が施される基板としては、個別基板とウエハの双方を含むものとする。
これらの基板には、表面処理を施す面（以下、「裏面」と言う。）とは反対側の面（以下、「表面」と言う。）には、半導体素子（能動素子）や透明導電膜等よりなる配線等が形成されていてもよい。
本発明の表面処理方法は、このような加工が表面に形成された基板の、裏面に表面処理を施す場合に好適に使用される。
以下では、基板の裏面に対して、ウェットエッチングを行う場合を一例に説明する。
本発明において、表面処理が施される基板としては、個別基板とウエハの双方を含むものとする。
これらの基板には、表面処理を施す面（以下、「裏面」と言う。）とは反対側の面（以下、「表面」と言う。）には、半導体素子（能動素子）や透明導電膜等よりなる配線等が形成されていてもよい。
本発明の表面処理方法は、このような加工が表面に形成された基板の、裏面に表面処理を施す場合に好適に使用される。
以下では、基板の裏面に対して、ウェットエッチングを行う場合を一例に説明する。
＜第１実施形態＞
まず、本発明で用いられる表面処理用治具の第１実施形態について説明する。
図１は、表面処理用治具の第１実施形態を示す縦断面図、図２は、図１に示す表面処理用治具の平面図である。
なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
まず、本発明で用いられる表面処理用治具の第１実施形態について説明する。
図１は、表面処理用治具の第１実施形態を示す縦断面図、図２は、図１に示す表面処理用治具の平面図である。
なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
第１実施形態の表面処理用治具１は、基板１０の裏面（一方の面）１０１全体を外部に露出させ、基板１０の表面１０２は外部から保護されるように、吸着・保持するものである。
図１および図２に示す表面処理用治具１は、基板１０の表面（他方の面）１０２が接触するＯリング（接触部）２と、Ｏリング２を支持する本体部３とで構成されている。
図１および図２に示す表面処理用治具１は、基板１０の表面（他方の面）１０２が接触するＯリング（接触部）２と、Ｏリング２を支持する本体部３とで構成されている。
本体部３は、保持（固定）する基板１０の寸法より、平面視で若干大きい寸法に設定された基板当接面３１を有する円盤状体（平板状体）で構成されている。
この本体部３には、周縁部３１１よりも内周側に、複数の凹部３２が形成されている。これらの凹部３２は、それぞれ、基板１０の表面１０２とで、閉空間を画成（形成）する。そして、この閉空間を減圧した後、表面処理用治具１を大気圧下に搬出することにより、凹部３２内の圧力と大気圧との差（差圧）により、基板１０が表面処理用治具１に吸着・保持される。
この本体部３には、周縁部３１１よりも内周側に、複数の凹部３２が形成されている。これらの凹部３２は、それぞれ、基板１０の表面１０２とで、閉空間を画成（形成）する。そして、この閉空間を減圧した後、表面処理用治具１を大気圧下に搬出することにより、凹部３２内の圧力と大気圧との差（差圧）により、基板１０が表面処理用治具１に吸着・保持される。
また、本体部３の周縁部３１１には、環状の溝３３が形成されている。この溝３３には、Ｏリング２が収納（装着）されている。
Ｏリング２は、表面処理用治具１に基板１０が吸着された状態で、凹部（閉空間）３２の気密性を保持する機能を有する部材である。本実施形態では、Ｏリング２に基板１０の表面１０２が密着することにより凹部３２が密閉される。
Ｏリング２は、表面処理用治具１に基板１０が吸着された状態で、凹部（閉空間）３２の気密性を保持する機能を有する部材である。本実施形態では、Ｏリング２に基板１０の表面１０２が密着することにより凹部３２が密閉される。
Ｏリング２は、主として弾性材料で構成されている。このような弾性材料としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレン−ブタジエンゴム、シリコーンゴムのような各種ゴム材料や、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、オレフィン系、スチレン系等の各種熱可塑性エラストマー等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、本体部３には、その縁部に沿って、基板当接面３１より高さの高い段差部３１２が形成されている。この段差部３１２は、基板１０を基板当接面３１の所定位置に装着するに際して、位置合わせ用のガイドとして機能する。
本体部３は、主として硬質材料で構成されている。後述するように、表面処理用治具１による基板１０の吸着・保持は、凹部３２内の圧力と大気圧との差（以下、単に「圧力差」と言う。）によりなされるが、本体部３が硬質なものであることにより、基板１０を吸着・保持する際の表面処理用治具１の変形を好適に防止することができる。
本体部３は、主として硬質材料で構成されている。後述するように、表面処理用治具１による基板１０の吸着・保持は、凹部３２内の圧力と大気圧との差（以下、単に「圧力差」と言う。）によりなされるが、本体部３が硬質なものであることにより、基板１０を吸着・保持する際の表面処理用治具１の変形を好適に防止することができる。
このような硬質材料としては、例えば、各種ガラス、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア、イットリア、リン酸カルシウム、窒化珪素、窒化アルミ、窒化チタン、窒化ボロン、グラファイト、タングステンカーバイトのような各種セラミックス材料、鉄、ニッケル、銅、アルミニウム、チタンまたはこれらを含む合金のような各種金属材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
これらの中でも、本体部３の構成材料としては、各種セラミックス材料が好適である。各種セラミックス材料で本体部３を構成することにより、本体部３に、高い機械的強度とエッチング液（処理液）に対する高い耐性を付与することができる。
なお、エッチング液に対する耐性を高める観点からは、本体部３の表面を、例えばフッ素系樹脂のような耐薬品性の高い材料で被覆するようにしてもよい。
なお、エッチング液に対する耐性を高める観点からは、本体部３の表面を、例えばフッ素系樹脂のような耐薬品性の高い材料で被覆するようにしてもよい。
また、凹部３２の開口面積の合計は、基板１０の平面視での面積に対して、１／２０〜３／４程度であるのが好ましく、１／４〜１／２程度であるのがより好ましい。これにより、圧力差による基板１０の表面処理用治具１への吸着・保持が、より確実になされるようになる。なお、凹部３２の開口面積の合計が大き過ぎると、凹部３２の深さや本体部３の構成材料等によっては、本体部３の機械的強度が極端に低下するおそれがある。
このような表面処理用治具１は、凹部３２を基板１０で塞いだ状態で減圧した後、大気圧下に搬出すると、これらの圧力差により基板１０を基板当接面３１に向かって押圧する力が生じ、基板１０が基板当接面３１に押し付けられる。これにより、表面処理用治具１に、基板１０が吸着・保持される。
このとき、Ｏリング２が上下に変形して、上下方向の反発力が発生する。その結果、基板１０とＯリング２との隙間が気密的に封止（閉塞）され、凹部３２内の減圧状態が維持される。
このとき、Ｏリング２が上下に変形して、上下方向の反発力が発生する。その結果、基板１０とＯリング２との隙間が気密的に封止（閉塞）され、凹部３２内の減圧状態が維持される。
特に、複数の凹部３２を散在して設けることにより、基板１０を表面処理用治具１に対して均一に固定することができる。
このように、表面処理用治具１には、凹部３２内を負圧（陰圧）として、基板１０を固定するため、基板１０を治具で挟持して固定する場合と異なり、基板１０の裏面（表面処理を施す面）１０１の全面を外部に露出させることができる。
このように、表面処理用治具１には、凹部３２内を負圧（陰圧）として、基板１０を固定するため、基板１０を治具で挟持して固定する場合と異なり、基板１０の裏面（表面処理を施す面）１０１の全面を外部に露出させることができる。
したがって、基板１０の裏面１０１の各領域にムラ無くウェットエッチングを行うことができる。また、Ｏリング２により基板１０の表面１０２と本体部３との隙間が、気密的に封止されるので、基板１０のウェットエッチングに際して、基板１０の表面１０２を確実にエッチング液（処理液）から保護することができる。
ここで、上述のようにＯリング２により、基板１０の表面１０２と本体部３との隙間を気密的に封止するためには、Ｏリング２の線径Ｌおよびショアー硬度Ｈｓは、それぞれ、次のように設定するのが好ましい。
すなわち、Ｏリング２の反発力Ｆは、次式（Ｉ）で求められる。
ここで、上述のようにＯリング２により、基板１０の表面１０２と本体部３との隙間を気密的に封止するためには、Ｏリング２の線径Ｌおよびショアー硬度Ｈｓは、それぞれ、次のように設定するのが好ましい。
すなわち、Ｏリング２の反発力Ｆは、次式（Ｉ）で求められる。
Ｆ／Ｌ＝４．５８×１０−７ε１．８Ｈｓ４．０［ｋｇ／ｃｍ］ ……（Ｉ）
Ｆ：反発力［ｋｇ］
Ｌ：線径（直径）［ｃｍ］
ε：つぶし率
Ｈｓ：ショアー硬度
ここで、つぶし率εとは、Ｏリング２を押し潰したときの、Ｏリング２の線径Ｌに対する、つぶし量の割合である。例えば、線径Ｌが１ｍｍのＯリング２を、０．２ｍｍ押し潰した場合には、つぶし率εは、０．２／１として表される。
Ｆ：反発力［ｋｇ］
Ｌ：線径（直径）［ｃｍ］
ε：つぶし率
Ｈｓ：ショアー硬度
ここで、つぶし率εとは、Ｏリング２を押し潰したときの、Ｏリング２の線径Ｌに対する、つぶし量の割合である。例えば、線径Ｌが１ｍｍのＯリング２を、０．２ｍｍ押し潰した場合には、つぶし率εは、０．２／１として表される。
このため、Ｏリング２の線径Ｌとショアー硬度Ｈｓとを、前記式（Ｉ）で求められる反発力Ｆが、圧力差により生じる基板１０に対する押圧力より小さくなるように設定することにより、Ｏリング２と、基板１０の表面１０２および本体部３との密着性をより高めることができ、その結果、基板１０を表面処理用治具１により確実に吸着・保持することができる。
また、Ｏリング２の反発力により生じる平均圧力Ｐは、次式（II）で求められる。
Ｐ＝Ｆ／Ｓ［ｋｇ／ｃｍ２］ ……（II）
Ｐ：平均圧力［ｋｇ／ｃｍ２］
Ｆ：反発力［ｋｇ］
Ｓ：溝３３の平面視での面積［ｃｍ２］
Ｐ＝Ｆ／Ｓ［ｋｇ／ｃｍ２］ ……（II）
Ｐ：平均圧力［ｋｇ／ｃｍ２］
Ｆ：反発力［ｋｇ］
Ｓ：溝３３の平面視での面積［ｃｍ２］
このため、Ｏリング２の線径Ｌとショアー硬度Ｈｓとを、前記式（II）で求められる平均圧力Ｐが、ウェットエッチングで用いるエッチング液の水圧よりも高く（特に、１．５〜３．５倍程度高く）なるように設定することにより、Ｏリング２がエッチング液の水圧により変形するのをより確実に防止することができ、凹部３２内へのエッチング液の侵入を阻止することができる。
なお、Ｏリング２の線径Ｌとショアー硬度Ｈｓとを、前記式（Ｉ）および式（II）の双方を満足するよう設定するのがより好ましい。これにより、基板１０の表面処理用治具１への吸着・保持、および、凹部３２内へのエッチング液の侵入をより確実に阻止することができる。
なお、Ｏリング２の線径Ｌとショアー硬度Ｈｓとを、前記式（Ｉ）および式（II）の双方を満足するよう設定するのがより好ましい。これにより、基板１０の表面処理用治具１への吸着・保持、および、凹部３２内へのエッチング液の侵入をより確実に阻止することができる。
次に、第１実施形態の表面処理用治具１を用いて行う基板の表面処理方法（第１表面処理方法）について説明する。
［１Ａ］ 減圧工程（第１の工程）
まず、図１および図２に示す表面処理用治具１に、基板１０を接触させる。
このとき、基板１０の表面１０２がＯリング２に接触するように、かつ、段差部３１２より内側に位置するようにする。
［１Ａ］ 減圧工程（第１の工程）
まず、図１および図２に示す表面処理用治具１に、基板１０を接触させる。
このとき、基板１０の表面１０２がＯリング２に接触するように、かつ、段差部３１２より内側に位置するようにする。
ここで、基板１０の表面１０２に、配線や半導体素子（能動素子）等の加工が施されている場合には、本工程［１Ａ］に先立って、基板１０の表面１０２に保護層を形成するようにしてもよい。これにより、基板１０の表面１０２に施された加工が、基板当接面３１に当接（接触）することにより損傷するのが防止される。
この保護層は、レジストの塗布、高分子シートの貼着等により形成する（設ける）ことができる。保護層の平均厚さは、１〜５０μｍ程度であるのが好ましく、５〜３０μｍ程度がより好ましい。
この保護層は、レジストの塗布、高分子シートの貼着等により形成する（設ける）ことができる。保護層の平均厚さは、１〜５０μｍ程度であるのが好ましく、５〜３０μｍ程度がより好ましい。
次に、この状態で、表面処理用治具１を、真空チャンバ（減圧室）内に搬入し、真空チャンバ内を減圧状態にする。これにより、凹部３２内の空気が基板１０とＯリング２との隙間から徐々に漏出し、凹部３２内の圧力が真空チャンバ内の圧力とほぼ等しくなる。
このときの真空チャンバ内の圧力は、７００００Ｐａ以下であるのが好ましく、６００００〜５００００Ｐａ程度であるのがより好ましい。これにより、基板１０の破損等をより確実に防止しつつ、次工程［２Ａ］における基板１０の吸着・保持を確実に行うことができる。
このときの真空チャンバ内の圧力は、７００００Ｐａ以下であるのが好ましく、６００００〜５００００Ｐａ程度であるのがより好ましい。これにより、基板１０の破損等をより確実に防止しつつ、次工程［２Ａ］における基板１０の吸着・保持を確実に行うことができる。
［２Ａ］ 吸着・保持工程（第２の工程）
次に、真空チャンバ内の減圧状態を解除して、真空チャンバ内の圧力を大気圧に復帰させる。これにより、凹部３２内の圧力と外部の圧力（大気圧）との間に圧力差が生じ、基板１０に基板当接面３１側に向かう押圧力が作用し、基板１０が基板当接面３１に押し付けられ（すなわち、基板１０が表面処理用治具１に吸着され）、表面処理用治具１に保持される。
次に、真空チャンバ内の減圧状態を解除して、真空チャンバ内の圧力を大気圧に復帰させる。これにより、凹部３２内の圧力と外部の圧力（大気圧）との間に圧力差が生じ、基板１０に基板当接面３１側に向かう押圧力が作用し、基板１０が基板当接面３１に押し付けられ（すなわち、基板１０が表面処理用治具１に吸着され）、表面処理用治具１に保持される。
このとき、Ｏリング２が上下に押し潰され、上下方向に反発力が発生する。これにより、基板１０とＯリング２との隙間が気密的に封止され、凹部３２内の減圧状態が確実に維持される。
なお、以上の工程は、真空チャンバの圧力の調節により可能であるが、表面処理用治具１の凹部３２の減圧状態が、Ｏリング２と基板１０の表面１０２および本体部３との隙間の大きさに依存するため、表面処理用治具１を真空チャンバ内に設置した時に、前記隙間の大きさを調整し得る機構を真空チャンバ内に設けるようにしてもよい。
なお、以上の工程は、真空チャンバの圧力の調節により可能であるが、表面処理用治具１の凹部３２の減圧状態が、Ｏリング２と基板１０の表面１０２および本体部３との隙間の大きさに依存するため、表面処理用治具１を真空チャンバ内に設置した時に、前記隙間の大きさを調整し得る機構を真空チャンバ内に設けるようにしてもよい。
［３Ａ］ エッチング工程（第３の工程）
次に、基板１０を吸着・保持した状態の表面処理用治具１を、処理槽内に貯留された所望のエッチング液（処理液）に浸漬し、基板１０の裏面１０１の表面処理を行う。
用いるエッチング液としては、目的に応じて適宜選択され、特に限定されないが、例えば、フッ酸水溶液、過酸化水素水溶液、第２フッ化アンモニウム水溶液、水酸化カリウム、ＴＭＨ（テトラメチル水酸化アンモニウム）等のうちの１種または２種以上を組み合わせたものが挙げられる。
次に、基板１０を吸着・保持した状態の表面処理用治具１を、処理槽内に貯留された所望のエッチング液（処理液）に浸漬し、基板１０の裏面１０１の表面処理を行う。
用いるエッチング液としては、目的に応じて適宜選択され、特に限定されないが、例えば、フッ酸水溶液、過酸化水素水溶液、第２フッ化アンモニウム水溶液、水酸化カリウム、ＴＭＨ（テトラメチル水酸化アンモニウム）等のうちの１種または２種以上を組み合わせたものが挙げられる。
このウェットエッチングに際しては、表面処理用治具１を回転させつつ、基板１０の表面処理を行うのが好ましい。これにより、裏面１０１の各領域に対して、均一に表面処理を行うことができる。
ここで、本実施形態の表面処理用治具１では、Ｏリング２に基板１０を接触（密着）させた状態で、凹部３２とを外部とを連通する流路を有さない構成とされ、圧力差により基板１０を表面処理用治具１に保持（固定）している。このため、凹部３２を減圧するための吸引用チューブの表面処理用治具１へ接続する必要がなく、表面処理用治具１を回転させる際に、吸引用チューブが絡み合うことがなく、取り扱いが容易である。
ここで、本実施形態の表面処理用治具１では、Ｏリング２に基板１０を接触（密着）させた状態で、凹部３２とを外部とを連通する流路を有さない構成とされ、圧力差により基板１０を表面処理用治具１に保持（固定）している。このため、凹部３２を減圧するための吸引用チューブの表面処理用治具１へ接続する必要がなく、表面処理用治具１を回転させる際に、吸引用チューブが絡み合うことがなく、取り扱いが容易である。
かかる観点からも、このような表面処理用治具は、基板に対してウェットエッチングを行う際への適用に適する。
なお、本実施形態では、エッチング液に表面処理用治具１を浸漬させた状態で、基板１０に対して表面処理を施すため、表面処理を行う際の圧力は、水圧が加わり大気圧以上となる。
このように、本工程［３Ａ］を行う際の圧力は、表面処理の種類にもよるが、好ましくは大気圧またはそれ以上とされる。これにより、本工程［３Ａ］における圧力の厳密な設定が不要となるため、前記工程［１Ａ］における真空チャンバ内の圧力の設定が容易となる。
なお、本実施形態では、エッチング液に表面処理用治具１を浸漬させた状態で、基板１０に対して表面処理を施すため、表面処理を行う際の圧力は、水圧が加わり大気圧以上となる。
このように、本工程［３Ａ］を行う際の圧力は、表面処理の種類にもよるが、好ましくは大気圧またはそれ以上とされる。これにより、本工程［３Ａ］における圧力の厳密な設定が不要となるため、前記工程［１Ａ］における真空チャンバ内の圧力の設定が容易となる。
［４Ａ］ 取り外し工程（第４の工程）
次に、表面処理用治具１を処理槽から取り出し、再度、真空チャンバ（減圧室）内に搬入する。そして、真空チャンバ内を、前記工程［１Ａ］における真空チャンバ内の圧力とほぼ等しいか、または、工程［１Ａ］における真空チャンバ内の圧力より低い圧力となるように減圧する。
次に、表面処理用治具１を処理槽から取り出し、再度、真空チャンバ（減圧室）内に搬入する。そして、真空チャンバ内を、前記工程［１Ａ］における真空チャンバ内の圧力とほぼ等しいか、または、工程［１Ａ］における真空チャンバ内の圧力より低い圧力となるように減圧する。
これにより、凹部３２内の圧力が外圧（真空チャンバ内の圧力）とほぼ等しいか、または、外圧よりも高くなり、その結果、気圧の差により、基板１０に基板当接面３１から離間する方向（上方向）への押圧力が作用し、基板１０が基板当接面３１から脱離する。すなわち、基板１０が表面処理用治具１から取り外される。
ここで、前記工程［１Ａ］における真空チャンバ内の圧力をＡ［Ｐａ］とし、本工程［４Ａ］における真空チャンバ内の圧力をＢ［Ｐａ］としたとき、Ｂ／Ａが１以下なる関係を満足するのが好ましく、０．８以下なる関係を満足するのがより好ましい。かかる範囲より前記Ｂ／Ａが高いと、基板１０に作用する押圧力が小さくなり、基板１０を表面処理用治具１から取り外すのが困難となるおそれがある。
具体的には、真空チャンバ内の圧力Ｂは、７００００Ｐａ以下であるのが好ましく、３００００〜２００００Ｐａ程度であるのがより好ましい。これにより、基板１０の表面処理用治具１からの取り外しをより確実に行うことができる。
ここで、前記工程［１Ａ］における真空チャンバ内の圧力をＡ［Ｐａ］とし、本工程［４Ａ］における真空チャンバ内の圧力をＢ［Ｐａ］としたとき、Ｂ／Ａが１以下なる関係を満足するのが好ましく、０．８以下なる関係を満足するのがより好ましい。かかる範囲より前記Ｂ／Ａが高いと、基板１０に作用する押圧力が小さくなり、基板１０を表面処理用治具１から取り外すのが困難となるおそれがある。
具体的には、真空チャンバ内の圧力Ｂは、７００００Ｐａ以下であるのが好ましく、３００００〜２００００Ｐａ程度であるのがより好ましい。これにより、基板１０の表面処理用治具１からの取り外しをより確実に行うことができる。
なお、本工程［４Ａ］では、基板１０に対して外力を付与して、基板１０の表面処理用治具１からの離脱を補助するようにしてもよい。この外力を付与する方法としては、例えば、後述する第５〜第８実施形態で示すように、ピンを使用して基板１０の外周部（縁部）を、基板１０が基板当接面３１から離間する方向（上方向）へ押圧する方法、本体部３に予め磁石を装着しておき、この磁石に対して斥力となるような磁場を供給する方法等が挙げられる。
以上のようにしてエッチング（表面処理）が施された基板１０は、裏面１０１にムラなくエッチングが施されているので、この後の工程で、レジストの塗布やコンタクトアライナーによる露光等の操作を精密に行うことができる。
以上のようにしてエッチング（表面処理）が施された基板１０は、裏面１０１にムラなくエッチングが施されているので、この後の工程で、レジストの塗布やコンタクトアライナーによる露光等の操作を精密に行うことができる。
＜第２実施形態＞
次に、本発明で用いられる表面処理用治具の第２実施形態について説明する。
図３は、表面処理用治具の第２実施形態を示す縦断面図、図４は、図３に示す表面処理用治具の平面図である。
なお、以下の説明では、図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
次に、本発明で用いられる表面処理用治具の第２実施形態について説明する。
図３は、表面処理用治具の第２実施形態を示す縦断面図、図４は、図３に示す表面処理用治具の平面図である。
なお、以下の説明では、図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第２実施形態の表面処理用治具について、前記第１実施形態の表面処理用治具との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第２実施形態の表面処理用治具４は、平板状の部材で構成され、その両面に接触部を有し、各面にそれぞれ基板を吸着・保持するものである。
すなわち、図３および図４に示す表面処理用治具４は、基板２０、３０の裏面２０１、３０１全体を外部に露出させ、基板２０、３０の表面２０２、３０２は外部から保護されるように、吸着・保持するものである。
第２実施形態の表面処理用治具４は、平板状の部材で構成され、その両面に接触部を有し、各面にそれぞれ基板を吸着・保持するものである。
すなわち、図３および図４に示す表面処理用治具４は、基板２０、３０の裏面２０１、３０１全体を外部に露出させ、基板２０、３０の表面２０２、３０２は外部から保護されるように、吸着・保持するものである。
この表面処理用治具４は、保持（固定）する基板２０、３０の寸法と、平面視でほぼ等しい寸法に設定された基板当接面４１ａ、４１ｂを有する円盤状体（平板状体）で構成されている。
本実施形態では、表面処理用治具４のほぼ全体が、弾性材料を主材料として構成されている。この弾性材料としては、前記第１実施形態で挙げた弾性材料と同様のものを用いることができる。
本実施形態では、表面処理用治具４のほぼ全体が、弾性材料を主材料として構成されている。この弾性材料としては、前記第１実施形態で挙げた弾性材料と同様のものを用いることができる。
また、この表面処理用治具４には、厚さ方向に貫通する複数の貫通孔４２と、上側および下側の基板当接面４１ａ、４１ｂに開口する複数の凹部４３が形成されている。
これらの貫通孔４２および凹部４３は、それぞれ、基板２０の表面２０２および基板３０の表面３０２とで、閉空間を画成（形成）する。そして、この閉空間を減圧した後、表面処理用治具４を大気圧下に搬出することにより、貫通孔４２および凹部４３内の圧力と大気圧との差（差圧）により、基板２０、３０が表面処理用治具１に吸着・保持される。
これらの貫通孔４２および凹部４３は、それぞれ、基板２０の表面２０２および基板３０の表面３０２とで、閉空間を画成（形成）する。そして、この閉空間を減圧した後、表面処理用治具４を大気圧下に搬出することにより、貫通孔４２および凹部４３内の圧力と大気圧との差（差圧）により、基板２０、３０が表面処理用治具１に吸着・保持される。
ここで、減圧される閉空間の一部を凹部４３で構成することにより、全てを貫通孔４２で構成する場合に比べて、表面処理用治具４の機械的強度が低下するのを防止することができる。
このような構成により、表面処理用治具の部品点数の削減を図りつつ、表面処理する基板の処理枚数の増大を図ることができ、その結果、エッチング（表面処理）に要するコストの削減および時間の短縮を図ることができる。
このような構成により、表面処理用治具の部品点数の削減を図りつつ、表面処理する基板の処理枚数の増大を図ることができ、その結果、エッチング（表面処理）に要するコストの削減および時間の短縮を図ることができる。
このような表面処理用治具４は、貫通孔４２および凹部４３を基板２０、３０で塞いだ状態で減圧した後、大気圧下に搬出すると、これらの圧力差により基板２０、３０を基板当接面４１ａ、４１ｂに向かって押圧する力が生じ、基板２０、３０が基板当接面４１ａ、４１ｂに押し付けられる。これにより、表面処理用治具４に、基板２０、３０が吸着・保持される。
このとき、表面処理用治具４が上下に圧縮され、上下方向の反発力が発生する。その結果、基板２０、３０と基板当接面４１ａ、４１ｂとの隙間が気密的に封止（閉塞）され、貫通孔４２内および凹部４３内の減圧状態が維持される。
また、図示の構成では、基板２０、３０には、それぞれ、表面２０２、３０２に開放する凹部２０３、３０３が形成され、表面処理用治具４は、基板２０、３０を表面処理用治具４に接触させた状態で、凹部２０３、３０３の開口を塞ぎ得るよう構成されている。これにより、表面処理用治具４は、貫通孔４２内および凹部４３内の減圧状態が確実に維持され、凹部２０３、３０３等が形成された複雑な表面形状の基板２０、３０でも安定に保持し得る。
また、図示の構成では、基板２０、３０には、それぞれ、表面２０２、３０２に開放する凹部２０３、３０３が形成され、表面処理用治具４は、基板２０、３０を表面処理用治具４に接触させた状態で、凹部２０３、３０３の開口を塞ぎ得るよう構成されている。これにより、表面処理用治具４は、貫通孔４２内および凹部４３内の減圧状態が確実に維持され、凹部２０３、３０３等が形成された複雑な表面形状の基板２０、３０でも安定に保持し得る。
このような凹部を有する基板としては、例えば、凹部としてスルーホールが形成された多層積層半導体基板、凹部としてインク室が形成されたインクジェットヘッド基板、凹部として背部気室が形成された静電マイクロホン等が挙げられる。
このような第２実施形態の表面処理用治具４によっても、前記第１実施形態の表面処理用治具と同様の作用・効果が得られる。
このような第２実施形態の表面処理用治具４によっても、前記第１実施形態の表面処理用治具と同様の作用・効果が得られる。
次に、第２実施形態の表面処理用治具を用いて行う基板の表面処理方法（第２表面処理方法）について説明する。
なお、ここでは、前記第１表面処理方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
［１Ｂ］ 減圧工程（第１の工程）
まず、図３および図４に示す表面処理用治具４に、基板２０、３０を接触させる。
なお、ここでは、前記第１表面処理方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
［１Ｂ］ 減圧工程（第１の工程）
まず、図３および図４に示す表面処理用治具４に、基板２０、３０を接触させる。
このとき、基板２０の表面２０２が基板当接面４１ａに接触するように、かつ、これらが重なるようにする。また、基板３０の表面３０２が基板当接面４１ｂに接触するように、かつ、これらが重なるようにする。
また、このとき、凹部２０３、３０３の開口が塞がれるように、基板２０、３０と表面処理用治具４とを接触させる。
また、このとき、凹部２０３、３０３の開口が塞がれるように、基板２０、３０と表面処理用治具４とを接触させる。
なお、本工程［１Ｂ］に先立って、凹部２０３、３０３を塞ぐように、基板２０の表面２０２および基板３０の表面３０２にシート材を貼着する（設ける）ようにしてもよい。これにより、基板２０、３０を表面処理用治具４から取り外した後に、エッチング液（処理液）を除去する目的等により、基板２０、３０に対して洗浄を施す際には、凹部２０３、３０３内に洗浄液が侵入するのを阻止することができる。
次に、この状態で、表面処理用治具４を、真空チャンバ（減圧室）内に搬入し、真空チャンバ内を減圧状態にする。これにより、貫通孔４２内および凹部４３内の空気が基板２０、３０と基板当接面４１ａ、４１ｂとの隙間から徐々に漏出し、貫通孔４２および凹部４３内の圧力が真空チャンバ内の圧力とほぼ等しくなる。
なお、この真空チャンバ内の適正な圧力範囲は、前記第１表面処理方法の場合と同様である。
なお、この真空チャンバ内の適正な圧力範囲は、前記第１表面処理方法の場合と同様である。
［２Ｂ］ 吸着・保持工程（第２の工程）
次に、前記工程［２Ａ］と同様の工程を行う。
［３Ｂ］ エッチング工程（第３の工程）
次に、前記工程［３Ａ］と同様の工程を行う。
［４Ｂ］ 取り外し工程（第４の工程）
次に、前記工程［４Ａ］と同様の工程を行う。
次に、前記工程［２Ａ］と同様の工程を行う。
［３Ｂ］ エッチング工程（第３の工程）
次に、前記工程［３Ａ］と同様の工程を行う。
［４Ｂ］ 取り外し工程（第４の工程）
次に、前記工程［４Ａ］と同様の工程を行う。
＜第３実施形態＞
次に、本発明で用いられる表面処理用治具の第３実施形態について説明する。
図５は、表面処理用治具の第３実施形態を示す縦断面図、図６は、図５に示す表面処理用治具の平面図である。
なお、以下の説明では、図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
次に、本発明で用いられる表面処理用治具の第３実施形態について説明する。
図５は、表面処理用治具の第３実施形態を示す縦断面図、図６は、図５に示す表面処理用治具の平面図である。
なお、以下の説明では、図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第３実施形態の表面処理用治具について、前記第１実施形態の表面処理用治具との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第３実施形態の表面処理用治具は、主に接触部の構成が異なり、それ以外は、前記第１実施形態の表面処理用治具と同様である。
すなわち、図５および図６に示す表面処理用治具５では、接触部が本体部７に積層された円盤状の弾性板６で構成されている。
第３実施形態の表面処理用治具は、主に接触部の構成が異なり、それ以外は、前記第１実施形態の表面処理用治具と同様である。
すなわち、図５および図６に示す表面処理用治具５では、接触部が本体部７に積層された円盤状の弾性板６で構成されている。
弾性板６は、保持（固定）する基板１０の寸法と、平面視でのほぼ等しい寸法に設定された基板当接面６１を有している。
この弾性板６は、前記第１実施形態で挙げた弾性材料と同様の弾性材料を主材料として構成することができる。
また、この弾性板６には、厚さ方向に貫通する複数の貫通孔（空間）６２が形成されている。
この弾性板６は、前記第１実施形態で挙げた弾性材料と同様の弾性材料を主材料として構成することができる。
また、この弾性板６には、厚さ方向に貫通する複数の貫通孔（空間）６２が形成されている。
この貫通孔６２は、基板１０の表面１０２とで、閉空間を画成（形成）する。そして、この閉空間を減圧した後、表面処理用治具５を大気圧下に搬出することにより、貫通孔６２内の圧力と大気圧との差（差圧）により、基板１０が表面処理用治具５に吸着・保持される。
このような弾性板６は、本体部７に支持されている。本体部７には、貫通孔６２同士を連通する流路７２が図６に示すパターンで形成されている。
このような弾性板６は、本体部７に支持されている。本体部７には、貫通孔６２同士を連通する流路７２が図６に示すパターンで形成されている。
このような表面処理用治具５は、貫通孔６２を基板１０で塞いだ状態で減圧した後、大気圧下に搬出すると、これらの圧力差により基板１０を基板当接面６１に向かって押圧する力が生じ、基板１０が基板当接面６１に押し付けられる。これにより、表面処理用治具５に、基板１０が吸着・保持される。
このとき、特に、貫通孔６２同士を連通する流路７２が形成されていることにより、貫通孔６２同士の間で空気が移動し得るので、その結果、各貫通孔６２内の圧力がほぼ均一となる。これにより、基板１０を表面処理用治具５により安定的に固定（保持）することができる。
このとき、特に、貫通孔６２同士を連通する流路７２が形成されていることにより、貫通孔６２同士の間で空気が移動し得るので、その結果、各貫通孔６２内の圧力がほぼ均一となる。これにより、基板１０を表面処理用治具５により安定的に固定（保持）することができる。
また、このとき、弾性板６が上下に圧縮され、上下方向の反発力が発生する。その結果、基板１０と基板当接面６１との隙間が気密的に封止（閉塞）され、貫通孔６２内の減圧状態が維持される。
このような第３実施形態の表面処理用治具５によっても、前記第１実施形態の表面処理用治具と同様の作用・効果が得られる。
次に、第３実施形態の表面処理用治具を用いて行う基板の表面処理方法（第３表面処理方法）について説明する。
なお、ここでは、前記第１表面処理方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
このような第３実施形態の表面処理用治具５によっても、前記第１実施形態の表面処理用治具と同様の作用・効果が得られる。
次に、第３実施形態の表面処理用治具を用いて行う基板の表面処理方法（第３表面処理方法）について説明する。
なお、ここでは、前記第１表面処理方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
［１Ｃ］ 減圧工程（第１の工程）
まず、図５および図６に示す表面処理用治具５に、基板１０を接触させる。
このとき、基板１０の表面１０２が基板当接面６１に接触するように、かつ、これらが重なるようにする。
まず、図５および図６に示す表面処理用治具５に、基板１０を接触させる。
このとき、基板１０の表面１０２が基板当接面６１に接触するように、かつ、これらが重なるようにする。
次に、この状態で、表面処理用治具５を、真空チャンバ（減圧室）内に搬入し、真空チャンバ内を減圧状態にする。これにより、貫通孔６２内および流路７２内の空気が基板１０と基板当接面６１との隙間から徐々に漏出し、貫通孔６２内の圧力が真空チャンバ内の圧力とほぼ等しくなる。
また、このとき、流路７２を介して貫通孔６２内の空気が均一に漏出し、貫通孔６２内の圧力がほぼ均一になる。
なお、この真空チャンバ内の適正な圧力範囲は、前記第１表面処理方法の場合と同様である。
また、このとき、流路７２を介して貫通孔６２内の空気が均一に漏出し、貫通孔６２内の圧力がほぼ均一になる。
なお、この真空チャンバ内の適正な圧力範囲は、前記第１表面処理方法の場合と同様である。
［２Ｃ］ 吸着・保持工程（第２の工程）
次に、前記工程［２Ａ］と同様の工程を行う。
［３Ｃ］ エッチング工程（第３の工程）
次に、前記工程［３Ａ］と同様の工程を行う。
［４Ｃ］ 取り外し工程（第４の工程）
次に、前記工程［４Ａ］と同様の工程を行う。
次に、前記工程［２Ａ］と同様の工程を行う。
［３Ｃ］ エッチング工程（第３の工程）
次に、前記工程［３Ａ］と同様の工程を行う。
［４Ｃ］ 取り外し工程（第４の工程）
次に、前記工程［４Ａ］と同様の工程を行う。
＜第４実施形態＞
次に、本発明で用いられる表面処理用治具の第４実施形態について説明する。
図７は、表面処理用治具の第４実施形態を示す縦断面図である。
なお、以下の説明では、図７中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第４実施形態の表面処理用治具について、前記第１および第３実施形態の表面処理用治具との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
次に、本発明で用いられる表面処理用治具の第４実施形態について説明する。
図７は、表面処理用治具の第４実施形態を示す縦断面図である。
なお、以下の説明では、図７中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第４実施形態の表面処理用治具について、前記第１および第３実施形態の表面処理用治具との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第４実施形態の表面処理用治具は、接触部に基板を接触（密着）させた状態で、減圧状態とされる空間と外部とを連通する流路を有し、それ以外は、前記第３実施形態の表面処理用治具と同様である。
すなわち、図７に示す表面処理用治具５は、本体部７のほぼ中心部に、流路７２に連通し、外部に開放する流路７３が形成されている。この流路７３を介して、基板１０を基板当接面６１（弾性板６）に接触させた状態で、各貫通孔６２と表面処理用治具５の外部とが連通する。
すなわち、図７に示す表面処理用治具５は、本体部７のほぼ中心部に、流路７２に連通し、外部に開放する流路７３が形成されている。この流路７３を介して、基板１０を基板当接面６１（弾性板６）に接触させた状態で、各貫通孔６２と表面処理用治具５の外部とが連通する。
流路７３の内周面には、ネジ溝が刻設されており、このネジ溝に螺合するネジ（封止部材）８１が装着される。また、ネジ８１を本体部７に装着した状態で、これらの間に位置するように弾性を有するＯリング８２が設けられている。これにより、流路７３にネジ８１を装着すると、流路７３が気密的に封止される。
このような表面処理用治具５は、流路７３にネジ８１を装着し、貫通孔６２を基板１０で塞いだ状態で減圧した後、大気圧下に搬出すると、これらの圧力差により基板１０を基板当接面６１に向かって押圧する力が生じ、基板１０が基板当接面６１に押し付けられる。これにより、表面処理用治具５に、基板１０が吸着・保持される。
また、流路７３からネジ８１から取り外すと、流路７３を介して空気が流路７２内および貫通孔６２内に流入し、これらの内圧が表面処理用治具５の外圧とほぼ一致する。これにより、基板１０に作用する押圧力が消失し、基板１０が基板当接面６１から脱離する。
また、流路７３からネジ８１から取り外すと、流路７３を介して空気が流路７２内および貫通孔６２内に流入し、これらの内圧が表面処理用治具５の外圧とほぼ一致する。これにより、基板１０に作用する押圧力が消失し、基板１０が基板当接面６１から脱離する。
このように、本実施形態の表面処理用治具５では、基板１０にエッチングを施した後、ネジ８１を流路７３から取り外すことにより、基板１０を表面処理用治具５から脱離（離脱）させることができ、この離脱操作を容易に行うことができる。
このような第４実施形態の表面処理用治具５によっても、前記第１および第３実施形態の表面処理用治具と同様の作用・効果が得られる。
次に、第４実施形態の表面処理用治具を用いて行う表面処理方法（第４表面処理方法）について説明する。
なお、ここでは、前記第３表面処理方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
このような第４実施形態の表面処理用治具５によっても、前記第１および第３実施形態の表面処理用治具と同様の作用・効果が得られる。
次に、第４実施形態の表面処理用治具を用いて行う表面処理方法（第４表面処理方法）について説明する。
なお、ここでは、前記第３表面処理方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
［１Ｄ］ 減圧工程（第１の工程）
まず、図７に示す表面処理用治具５の流路７３にネジ８１を装着し、流路７３を気密的に封止する。
次に、前記工程［１Ｃ］と同様の工程を行う。
［２Ｄ］ 吸着・保持工程（第２の工程）
次に、前記工程［２Ｃ］と同様の工程を行う。
まず、図７に示す表面処理用治具５の流路７３にネジ８１を装着し、流路７３を気密的に封止する。
次に、前記工程［１Ｃ］と同様の工程を行う。
［２Ｄ］ 吸着・保持工程（第２の工程）
次に、前記工程［２Ｃ］と同様の工程を行う。
［３Ｄ］ エッチング工程（第３の工程）
次に、前記工程［３Ｃ］と同様の工程を行う。
［４Ｄ］ 取り外し工程（第４の工程）
次に、例えば、大気圧下において、ネジ８１を流路７３から取り外し、流路７３を開放する。
これにより、流路７３を介して空気が流路７２内および貫通孔６２内に流入し、貫通孔６２内および流路７２内の圧力が大気圧に復帰する（表面処理用治具５の外圧とほぼ一致する）。これにより、基板１０に作用する押圧力（基板１０にかかる荷重）が消失し、基板１０が基板当接面６１から脱離する。
次に、前記工程［３Ｃ］と同様の工程を行う。
［４Ｄ］ 取り外し工程（第４の工程）
次に、例えば、大気圧下において、ネジ８１を流路７３から取り外し、流路７３を開放する。
これにより、流路７３を介して空気が流路７２内および貫通孔６２内に流入し、貫通孔６２内および流路７２内の圧力が大気圧に復帰する（表面処理用治具５の外圧とほぼ一致する）。これにより、基板１０に作用する押圧力（基板１０にかかる荷重）が消失し、基板１０が基板当接面６１から脱離する。
＜第５実施形態＞
次に、本発明で用いられる表面処理用治具の第５実施形態について説明する。
図８は、表面処理用治具の第５実施形態を示す部分縦断面図、図９は、図８に示す表面処理用治具の使用方法を説明するための図（部分縦断面図）である。
なお、以下の説明では、図８および図９中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
次に、本発明で用いられる表面処理用治具の第５実施形態について説明する。
図８は、表面処理用治具の第５実施形態を示す部分縦断面図、図９は、図８に示す表面処理用治具の使用方法を説明するための図（部分縦断面図）である。
なお、以下の説明では、図８および図９中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第５実施形態の表面処理用治具について、前記第１実施形態の表面処理用治具との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第５実施形態の表面処理用治具は、前記第１実施形態の表面処理用治具に、取り外し工程（第４の工程）において、基板がＯリング（接触部）から離間するのを補助する離間補助手段を付加したものである。なお、離間補助手段は表面処理用治具から分離することが可能で、取り外し工程（第４の工程）においてのみ使用するのが好ましい。
第５実施形態の表面処理用治具は、前記第１実施形態の表面処理用治具に、取り外し工程（第４の工程）において、基板がＯリング（接触部）から離間するのを補助する離間補助手段を付加したものである。なお、離間補助手段は表面処理用治具から分離することが可能で、取り外し工程（第４の工程）においてのみ使用するのが好ましい。
図８に示す表面処理用治具１００は、本体部３を支持する基台１１０と、本体部３を基台１１０に対して固定する固定部１２０とを有している。
本体部３を基台１１０上に載置し、この状態で、固定部１２０を本体部３の縁部に接触するようにして基台１１０に固定する。これにより、本体部３を基台１１０に対して固定することができる。
本体部３を基台１１０上に載置し、この状態で、固定部１２０を本体部３の縁部に接触するようにして基台１１０に固定する。これにより、本体部３を基台１１０に対して固定することができる。
なお、固定部１２０を複数設け、本体部３の外周の複数箇所を固定し得るように構成するのが好ましい。この場合、固定部１２０による本体部３の固定箇所は、例えば、図示の箇所と、後述するピン１３１が第１の位置に位置する際のピン１３１を介した両側の箇所の３箇所等とすることができる。
また、本実施形態の表面処理用治具１００は、図８（ａ）および図９（ａ）に示すように、基板１０を吸着・保持した状態で、本体部３の周縁部３１１において基板１０との間に間隙３４が形成されるよう構成されている。この間隙３４に、後述するピン１３１が挿入される。
また、本実施形態の表面処理用治具１００は、図８（ａ）および図９（ａ）に示すように、基板１０を吸着・保持した状態で、本体部３の周縁部３１１において基板１０との間に間隙３４が形成されるよう構成されている。この間隙３４に、後述するピン１３１が挿入される。
基台１１０上の本体部３を載置する領域以外の領域に、離間補助手段１３０が設けられている。
離間補助手段１３０は、基板１０と本体部３との間に形成される間隙３４に挿入されるピン（円柱状または角柱状の当接部材）１３１と、このピン１３１を本体部３（Ｏリング２）から離間する方向に変位させるコイルバネ（変位手段）１３２とを有している。
離間補助手段１３０は、基板１０と本体部３との間に形成される間隙３４に挿入されるピン（円柱状または角柱状の当接部材）１３１と、このピン１３１を本体部３（Ｏリング２）から離間する方向に変位させるコイルバネ（変位手段）１３２とを有している。
ピン１３１は、そのＯリング２（本体部３）と反対側の端部（図８中、右側の端部）が支持部１３３の一端部に固定されている。この支持部１３３の他端部（図８中、右側の端部）には、回転中心軸１３４が設けられ、基台１１０上に設けられた軸受け１３５に回転（回動）可能に支持されている。
これにより、ピン１３１は、そのＯリング２と反対の端部側を中心として、Ｏリング２側の端部が本体部３（基台１１０）に接近した第１の位置（図８（ａ）に示す位置）と、本体部３（基台１１０）から離間した第２の位置（図８（ｂ）に示す位置）との間で回動可能（変位可能）となっている。
これにより、ピン１３１は、そのＯリング２と反対の端部側を中心として、Ｏリング２側の端部が本体部３（基台１１０）に接近した第１の位置（図８（ａ）に示す位置）と、本体部３（基台１１０）から離間した第２の位置（図８（ｂ）に示す位置）との間で回動可能（変位可能）となっている。
コイルバネ１３２は、支持部１３３と基台１１０との間で、かつ、ピン１３１側に設けられている。そして、コイルバネ１３２は、その下端部が基台１１０に固定され、少なくともピン１３１が第１の位置にあるときには圧縮状態で、その上端部が支持部１３３に当接している。これにより、コイルバネ１３２は、第１の位置に位置するピン１３１を上方に向かって（第２の位置に向かって）付勢している。
このような離間補助手段１３０を設けることにより、例えばエッチング工程（第３の工程）において、Ｏリング２から可塑剤が溶出すること等が原因となり、基板１０がＯリング２に比較的強固に付着した場合等でも、取り外し工程（第４の工程）において、基板１０を表面処理用治具１００から確実に離脱させる（取り外す）ことができる。
なお、離間補助手段１３０は、ピン１３１全体を基台１１０に対して接近および離間可能（変位可能）に構成することもできるが、一端側を支点として回動する構成とすることにより、変位手段の構成の簡略化を図ることができる。
なお、離間補助手段１３０は、ピン１３１全体を基台１１０に対して接近および離間可能（変位可能）に構成することもできるが、一端側を支点として回動する構成とすることにより、変位手段の構成の簡略化を図ることができる。
また、表面処理用治具１００は、ピン１３１を前記第２の位置に固定（保持）するネジ（固定手段）１３６を有している。
支持部１３３には、その厚さ方向に貫通する貫通孔１３３ａが形成され、基台１１０には、ネジ１３６の先端部が螺合する螺合部１１０ａが形成されている。
ピン１３１をコイルバネ１３２の付勢力に抗して第１の位置とし、この状態で、ネジ１３６を支持部１３３の貫通孔１３３ａに挿通する。そして、ネジ１３６の頭部が支持部１３３に当接する少し手前まで、ネジ１３６の先端部を螺合部１１０ａに螺合により挿入する。これにより、ピン１３１を第２の位置に固定することができる。
支持部１３３には、その厚さ方向に貫通する貫通孔１３３ａが形成され、基台１１０には、ネジ１３６の先端部が螺合する螺合部１１０ａが形成されている。
ピン１３１をコイルバネ１３２の付勢力に抗して第１の位置とし、この状態で、ネジ１３６を支持部１３３の貫通孔１３３ａに挿通する。そして、ネジ１３６の頭部が支持部１３３に当接する少し手前まで、ネジ１３６の先端部を螺合部１１０ａに螺合により挿入する。これにより、ピン１３１を第２の位置に固定することができる。
なお、ネジ１３６の螺合部１１０ａへの挿入量（挿入深さ）を設定することにより、前記第２の位置を任意に設定することができる。すなわち、ピン１３１の第１の位置と第２の位置との間における移動距離（回転角度）を任意に設定することができる。
このような第５実施形態の表面処理用治具１００によっても、前記第１実施形態の表面処理用治具と同様の作用・効果が得られる。特に、本実施形態では、Ｏリング２および離間補助手段１３０の双方の作用により、表面処理用治具１００から基板１０をより確実に取り外す（離脱させる）ことができる。
なお、バネには、コイルバネ１３２に代えて、板バネを用いることもできる。
このような第５実施形態の表面処理用治具１００によっても、前記第１実施形態の表面処理用治具と同様の作用・効果が得られる。特に、本実施形態では、Ｏリング２および離間補助手段１３０の双方の作用により、表面処理用治具１００から基板１０をより確実に取り外す（離脱させる）ことができる。
なお、バネには、コイルバネ１３２に代えて、板バネを用いることもできる。
次に、第５実施形態の表面処理用治具を用いて行う表面処理方法（第５表面処理方法）について説明する。
なお、ここでは、前記第１表面処理方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
［１Ｅ］ 減圧工程（第１の工程）
まず、前述したように、本体部３を基台１１０から分離する。
この状態で、基板１０の表面１０２をＯリング２に接触させ、前記工程［１Ａ］と同様の工程を行う。
なお、ここでは、前記第１表面処理方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
［１Ｅ］ 減圧工程（第１の工程）
まず、前述したように、本体部３を基台１１０から分離する。
この状態で、基板１０の表面１０２をＯリング２に接触させ、前記工程［１Ａ］と同様の工程を行う。
［２Ｅ］ 吸着・保持工程（第２の工程）
次に、前記工程［２Ａ］と同様の工程を行う。
これにより、基板１０が表面処理用治具１００に吸着・保持される。
［３Ｅ］ エッチング工程（第３の工程）
次に、前記工程［３Ａ］と同様の工程を行う。
次に、前記工程［２Ａ］と同様の工程を行う。
これにより、基板１０が表面処理用治具１００に吸着・保持される。
［３Ｅ］ エッチング工程（第３の工程）
次に、前記工程［３Ａ］と同様の工程を行う。
［４Ｅ］ 取り外し工程（第４の工程）
まず、本体部３を処理槽から取り出し、基台１１０上に載置し、前述のように固定部１２０を本体部３の縁部に接触するようにして基台１１０に固定する。これにより、本体部３を基台１１０に固定する（図９（ａ）に示す状態）。
更に、ネジ１３６を回転させて（螺合により）、第２の位置に調整する。
まず、本体部３を処理槽から取り出し、基台１１０上に載置し、前述のように固定部１２０を本体部３の縁部に接触するようにして基台１１０に固定する。これにより、本体部３を基台１１０に固定する（図９（ａ）に示す状態）。
更に、ネジ１３６を回転させて（螺合により）、第２の位置に調整する。
なお、このとき、ピン１３１は、間隙３４に挿入された状態にあり、コイルバネ１３２の作用（付勢力）により、第２の位置に向かって若干回動するが、その一端部が基板１０の縁部の表面１０２に当接すると、この状態で（第１の位置に）保持される（図９（ｂ）に示す状態）。
次に、再度、真空チャンバ（減圧室）内に搬入し、真空チャンバ内を減圧する。
これにより、凹部３２内の圧力が外圧（真空チャンバ内の圧力）とほぼ等しいか、または、外圧よりも高くなり、その結果、気圧の差による基板１０に基板当接面３１から離間する方向（上方向）への押圧力が作用する。
次に、再度、真空チャンバ（減圧室）内に搬入し、真空チャンバ内を減圧する。
これにより、凹部３２内の圧力が外圧（真空チャンバ内の圧力）とほぼ等しいか、または、外圧よりも高くなり、その結果、気圧の差による基板１０に基板当接面３１から離間する方向（上方向）への押圧力が作用する。
また、前述したように、基板１０の縁部の表面１０２には、ピン１３１の一端部が当接しており、これにより、基板１０の縁部は、ピン１３１が第２の位置に向かう方向、すなわち上方向に押圧されている。
このように、本実施形態によれば、気圧の差および離間補助手段１３０の双方の押圧力が作用することにより、基板１０が表面処理用治具１００から、より確実に取り外される（離脱する）（図９（ｃ）に示す状態）。
このように、本実施形態によれば、気圧の差および離間補助手段１３０の双方の押圧力が作用することにより、基板１０が表面処理用治具１００から、より確実に取り外される（離脱する）（図９（ｃ）に示す状態）。
なお、このとき、ピン１３１は第２の位置で停止するため、基板１０が離間の勢いで飛ばされることはない。
また、第１の位置と第２の位置との距離、すなわち、ピン１３１のＯリング２側（基板１０に当接する側）の端が第１の位置と第２の位置との間で移動する距離は、限定されるものではないが、１〜５ｍｍ程度が好ましい。
また、第１の位置と第２の位置との距離、すなわち、ピン１３１のＯリング２側（基板１０に当接する側）の端が第１の位置と第２の位置との間で移動する距離は、限定されるものではないが、１〜５ｍｍ程度が好ましい。
＜第６実施形態＞
次に、本発明で用いられる表面処理用治具の第６実施形態について説明する。
図１０は、表面処理用治具の第６実施形態を示す部分縦断面図である。
なお、以下の説明では、図１０の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第６実施形態の表面処理用治具について、前記第１および第５実施形態の表面処理用治具との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
次に、本発明で用いられる表面処理用治具の第６実施形態について説明する。
図１０は、表面処理用治具の第６実施形態を示す部分縦断面図である。
なお、以下の説明では、図１０の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第６実施形態の表面処理用治具について、前記第１および第５実施形態の表面処理用治具との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第６実施形態の表面処理用治具は、変位手段の構成が異なり、それ以外は、前記第５実施形態の表面処理用治具と同様である。
図１０に示す表面処理用治具１００は、変位手段が、減圧室内を減圧することにより、容積が増大する中空部１３７ａを有する球状の弾性体１３７で構成されている。
この弾性体１３７は、大気圧付近（常圧）において、その外径が支持部１３３と基台１１０との離間距離とほぼ等しくなるように設定されている。そして、減圧室内を減圧状態とすると、弾性体１３７は、中空部１３７ａの容積が増大することにより、その外径が増大する。これにより、支持部１３３を回転中心軸１３４を中心に回動させ、ピン１３１を第１の位置（図１０（ａ）に示す位置）から、第２の位置（図１０（ｂ）に示す位置）に回動（変位）させる。
図１０に示す表面処理用治具１００は、変位手段が、減圧室内を減圧することにより、容積が増大する中空部１３７ａを有する球状の弾性体１３７で構成されている。
この弾性体１３７は、大気圧付近（常圧）において、その外径が支持部１３３と基台１１０との離間距離とほぼ等しくなるように設定されている。そして、減圧室内を減圧状態とすると、弾性体１３７は、中空部１３７ａの容積が増大することにより、その外径が増大する。これにより、支持部１３３を回転中心軸１３４を中心に回動させ、ピン１３１を第１の位置（図１０（ａ）に示す位置）から、第２の位置（図１０（ｂ）に示す位置）に回動（変位）させる。
この弾性体１３７の構成材料としては、前述したＯリング２で挙げた材料と同様のものを用いることができる。
このような第６実施形態の表面処理用治具１００によっても、前記第５実施形態の表面処理用治具と同様の作用・効果が得られる。
なお、弾性体１３７の外部形状（全体形状）は、球状に限定されず、例えば、立方体、直方体等、いかなる形状であってもよい。
このような第６実施形態の表面処理用治具１００によっても、前記第５実施形態の表面処理用治具と同様の作用・効果が得られる。
なお、弾性体１３７の外部形状（全体形状）は、球状に限定されず、例えば、立方体、直方体等、いかなる形状であってもよい。
次に、第６実施形態の表面処理用治具を用いて行う表面処理方法（第６表面処理方法）について説明する。
なお、ここでは、前記第５表面処理方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
［１Ｆ］ 減圧工程（第１の工程）
まず、前記工程［１Ｅ］と同様の工程を行う。
なお、ここでは、前記第５表面処理方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
［１Ｆ］ 減圧工程（第１の工程）
まず、前記工程［１Ｅ］と同様の工程を行う。
［２Ｆ］ 吸着・保持工程（第２の工程）
次に、前記工程［２Ｅ］と同様の工程を行う。
［３Ｆ］ エッチング工程（第３の工程）
次に、前記工程［３Ｅ］と同様の工程を行う。
［４Ｆ］ 取り外し工程（第４の工程）
まず、本体部３を処理槽から取り出し、基台１１０上に載置し、前述のように固定部１２０を本体部３の縁部に接触するようにして基台１１０に固定する。これにより、本体部３を基台１１０に固定する。
更に、ネジ１３６を回転させて（螺合により）、第２の位置に調整する。
次に、前記工程［２Ｅ］と同様の工程を行う。
［３Ｆ］ エッチング工程（第３の工程）
次に、前記工程［３Ｅ］と同様の工程を行う。
［４Ｆ］ 取り外し工程（第４の工程）
まず、本体部３を処理槽から取り出し、基台１１０上に載置し、前述のように固定部１２０を本体部３の縁部に接触するようにして基台１１０に固定する。これにより、本体部３を基台１１０に固定する。
更に、ネジ１３６を回転させて（螺合により）、第２の位置に調整する。
次に、再度、真空チャンバ（減圧室）内に搬入し、真空チャンバ内を減圧する。
これにより、凹部３２内の圧力が外圧（真空チャンバ内の圧力）とほぼ等しいか、または、外圧よりも高くなり、その結果、気圧の差による基板１０に基板当接面３１から離間する方向（上方向）への押圧力が作用する。
また、このとき、真空チャンバ内を減圧するのに伴って、中空部１３７ａの容積が増大することにより、弾性体１３７は、その外径が増大して支持部１３３を上方向に押圧する。これにより、ピン１３１は、第２の位置に向かって回動（変位）を開始し、その一端部が基板１０の縁部の表面１０２に当接して、基板１０の縁部を上方向に押圧する。
このように、本実施形態によれば、気圧の差および離間補助手段１３０の双方の押圧力が作用することにより、基板１０が表面処理用治具１００から、より確実に取り外される（離脱する）。
これにより、凹部３２内の圧力が外圧（真空チャンバ内の圧力）とほぼ等しいか、または、外圧よりも高くなり、その結果、気圧の差による基板１０に基板当接面３１から離間する方向（上方向）への押圧力が作用する。
また、このとき、真空チャンバ内を減圧するのに伴って、中空部１３７ａの容積が増大することにより、弾性体１３７は、その外径が増大して支持部１３３を上方向に押圧する。これにより、ピン１３１は、第２の位置に向かって回動（変位）を開始し、その一端部が基板１０の縁部の表面１０２に当接して、基板１０の縁部を上方向に押圧する。
このように、本実施形態によれば、気圧の差および離間補助手段１３０の双方の押圧力が作用することにより、基板１０が表面処理用治具１００から、より確実に取り外される（離脱する）。
＜第７実施形態＞
次に、本発明で用いられる表面処理用治具の第７実施形態について説明する。
図１１は、表面処理用治具の第７実施形態の一部（離間補助手段）を示す斜視図である。
なお、以下の説明では、図１１の上側を「上」、下側を「下」と言う。
次に、本発明で用いられる表面処理用治具の第７実施形態について説明する。
図１１は、表面処理用治具の第７実施形態の一部（離間補助手段）を示す斜視図である。
なお、以下の説明では、図１１の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第７実施形態の表面処理用治具について、前記第１および第５実施形態の表面処理用治具との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第７実施形態の表面処理用治具は、変位手段の構成が異なり、それ以外は、前記第５実施形態の表面処理用治具と同様である。
図１１に示す表面処理用治具１００は、変位手段が梃子１３８ａと重り１３８ｂとで構成されている。
第７実施形態の表面処理用治具は、変位手段の構成が異なり、それ以外は、前記第５実施形態の表面処理用治具と同様である。
図１１に示す表面処理用治具１００は、変位手段が梃子１３８ａと重り１３８ｂとで構成されている。
梃子１３８ａは、その一端部が基台１１０と支持部１３３との間に挿入され、他端部に重り１３８ｂが固定されている。梃子１３８ａは、他端部に重り１３８ｂが設けられていることから、一端部には上方に向かう力が作用する。これにより、支持部１３３を上方向に押圧して、ピン１３１を第２の位置に向かって回動（変位）させる。
このような第７実施形態の表面処理用治具１００によっても、前記第５実施形態の表面処理用治具と同様の作用・効果が得られる。
なお、本実施形態では、梃子１３８ａと重り１３８ｂとが別部材で構成されている場合について説明したが、これらは一体的に形成されたものであってもよい。
または、ピン１３１自体を梃子として用いても良い。
このような第７実施形態の表面処理用治具１００によっても、前記第５実施形態の表面処理用治具と同様の作用・効果が得られる。
なお、本実施形態では、梃子１３８ａと重り１３８ｂとが別部材で構成されている場合について説明したが、これらは一体的に形成されたものであってもよい。
または、ピン１３１自体を梃子として用いても良い。
次に、第７実施形態の表面処理用治具を用いて行う表面処理方法（第７表面処理方法）について説明する。
なお、ここでは、前記第５表面処理方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
［１Ｇ］ 減圧工程（第１の工程）
まず、前記工程［１Ｅ］と同様の工程を行う。
なお、ここでは、前記第５表面処理方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
［１Ｇ］ 減圧工程（第１の工程）
まず、前記工程［１Ｅ］と同様の工程を行う。
［２Ｇ］ 吸着・保持工程（第２の工程）
次に、前記工程［２Ｅ］と同様の工程を行う。
［３Ｇ］ エッチング工程（第３の工程）
次に、前記工程［３Ｅ］と同様の工程を行う。
［４Ｇ］ 取り外し工程（第４の工程）
まず、本体部３を処理槽から取り出し、基台１１０上に載置し、前述のように固定部１２０を本体部３の縁部に接触するようにして基台１１０に固定する。これにより、本体部３を基台１１０に固定する。
次に、前記工程［２Ｅ］と同様の工程を行う。
［３Ｇ］ エッチング工程（第３の工程）
次に、前記工程［３Ｅ］と同様の工程を行う。
［４Ｇ］ 取り外し工程（第４の工程）
まず、本体部３を処理槽から取り出し、基台１１０上に載置し、前述のように固定部１２０を本体部３の縁部に接触するようにして基台１１０に固定する。これにより、本体部３を基台１１０に固定する。
更に、ネジ１３６を回転させて（螺合により）、第２の位置に調整する。
なお、このとき、ピン１３１は、間隙３４に挿入された状態にあり、梃子１３８ａおよび重り１３８ｂで構成される変位手段の作用により、第２の位置に向かって若干回動するが、その一端部が基板１０の縁部の表面１０２に当接すると、この状態で（第１の位置に）保持される。
なお、このとき、ピン１３１は、間隙３４に挿入された状態にあり、梃子１３８ａおよび重り１３８ｂで構成される変位手段の作用により、第２の位置に向かって若干回動するが、その一端部が基板１０の縁部の表面１０２に当接すると、この状態で（第１の位置に）保持される。
次に、再度、真空チャンバ（減圧室）内に搬入し、真空チャンバ内を減圧する。
これにより、凹部３２内の圧力が外圧（真空チャンバ内の圧力）とほぼ等しいか、または、外圧よりも高くなり、その結果、気圧の差による基板１０に基板当接面３１から離間する方向（上方向）への押圧力が作用する。
また、前述したように、基板１０の縁部の表面１０２には、ピン１３１の一端部が当接しており、これにより、基板１０の縁部は、ピン１３１が第２の位置に向かう方向、すなわち上方向に押圧されている。
このように、本実施形態によれば、気圧の差および離間補助手段１３０の双方の押圧力が作用することにより、基板１０が表面処理用治具１００から、より確実に取り外される（離脱する）。
これにより、凹部３２内の圧力が外圧（真空チャンバ内の圧力）とほぼ等しいか、または、外圧よりも高くなり、その結果、気圧の差による基板１０に基板当接面３１から離間する方向（上方向）への押圧力が作用する。
また、前述したように、基板１０の縁部の表面１０２には、ピン１３１の一端部が当接しており、これにより、基板１０の縁部は、ピン１３１が第２の位置に向かう方向、すなわち上方向に押圧されている。
このように、本実施形態によれば、気圧の差および離間補助手段１３０の双方の押圧力が作用することにより、基板１０が表面処理用治具１００から、より確実に取り外される（離脱する）。
＜第８実施形態＞
次に、本発明で用いられる表面処理用治具の第８実施形態について説明する。
図１２は、表面処理用治具の第８実施形態の一部（離間補助手段）を示す斜視図である。
なお、以下の説明では、図１２の上側を「上」、下側を「下」と言う。
次に、本発明で用いられる表面処理用治具の第８実施形態について説明する。
図１２は、表面処理用治具の第８実施形態の一部（離間補助手段）を示す斜視図である。
なお、以下の説明では、図１２の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第８実施形態の表面処理用治具について、前記第１および第５実施形態の表面処理用治具との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第８実施形態の表面処理用治具は、変位手段の構成が異なり、それ以外は、前記第５実施形態の表面処理用治具と同様である。
図１２に示す表面処理用治具１００は、変位手段がモータ１３９で構成されている。
第８実施形態の表面処理用治具は、変位手段の構成が異なり、それ以外は、前記第５実施形態の表面処理用治具と同様である。
図１２に示す表面処理用治具１００は、変位手段がモータ１３９で構成されている。
本実施形態では、モータ１３９の回転軸１３９ａが、支持部１３３の回転中心軸１３４を構成している。
または、ギヤ等を仲介して前記回転軸１３９ａを前記回転中心軸１３４に連動させても良い。
また、モータ１３９は、その本体部１３９ｂが基台１１０に固定されている。
このような第８実施形態の表面処理用治具１００によっても、前記第５実施形態の表面処理用治具と同様の作用・効果が得られる。
または、ギヤ等を仲介して前記回転軸１３９ａを前記回転中心軸１３４に連動させても良い。
また、モータ１３９は、その本体部１３９ｂが基台１１０に固定されている。
このような第８実施形態の表面処理用治具１００によっても、前記第５実施形態の表面処理用治具と同様の作用・効果が得られる。
次に、第８実施形態の表面処理用治具を用いて行う表面処理方法（第８表面処理方法）について説明する。
なお、ここでは、前記第５表面処理方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
［１Ｈ］ 減圧工程（第１の工程）
まず、前記工程［１Ｅ］と同様の工程を行う。
なお、ここでは、前記第５表面処理方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
［１Ｈ］ 減圧工程（第１の工程）
まず、前記工程［１Ｅ］と同様の工程を行う。
［２Ｈ］ 吸着・保持工程（第２の工程）
次に、前記工程［２Ｅ］と同様の工程を行う。
［３Ｈ］ エッチング工程（第３の工程）
次に、前記工程［３Ｅ］と同様の工程を行う。
［４Ｈ］ 取り外し工程（第４の工程）
まず、本体部３を処理槽から取り出し、基台１１０上に載置し、前述のように固定部１２０を本体部３の縁部に接触するようにして基台１１０に固定する。これにより、本体部３を基台１１０に固定する。
次に、前記工程［２Ｅ］と同様の工程を行う。
［３Ｈ］ エッチング工程（第３の工程）
次に、前記工程［３Ｅ］と同様の工程を行う。
［４Ｈ］ 取り外し工程（第４の工程）
まず、本体部３を処理槽から取り出し、基台１１０上に載置し、前述のように固定部１２０を本体部３の縁部に接触するようにして基台１１０に固定する。これにより、本体部３を基台１１０に固定する。
更に、ネジ１３６を回転させて（螺合により）、第２の位置に調整して、モータ１３９を駆動する。
なお、このとき、ピン１３１は、間隙３４に挿入された状態にあり、モータ１３９の駆動力により、第２の位置に向かって若干回動するが、その一端部が基板１０の縁部の表面１０２に当接すると、この状態で（第１の位置に）保持される。
なお、このとき、ピン１３１は、間隙３４に挿入された状態にあり、モータ１３９の駆動力により、第２の位置に向かって若干回動するが、その一端部が基板１０の縁部の表面１０２に当接すると、この状態で（第１の位置に）保持される。
次に、再度、真空チャンバ（減圧室）内に搬入し、真空チャンバ内を減圧する。
これにより、凹部３２内の圧力が外圧（真空チャンバ内の圧力）とほぼ等しいか、または、外圧よりも高くなり、その結果、気圧の差による基板１０に基板当接面３１から離間する方向（上方向）への押圧力が作用する。
また、前述したように、基板１０の縁部の表面１０２には、ピン１３１の一端部が当接しており、これにより、基板１０の縁部は、ピン１３１が第２の位置に向かう方向、すなわち上方向に押圧されている。
これにより、凹部３２内の圧力が外圧（真空チャンバ内の圧力）とほぼ等しいか、または、外圧よりも高くなり、その結果、気圧の差による基板１０に基板当接面３１から離間する方向（上方向）への押圧力が作用する。
また、前述したように、基板１０の縁部の表面１０２には、ピン１３１の一端部が当接しており、これにより、基板１０の縁部は、ピン１３１が第２の位置に向かう方向、すなわち上方向に押圧されている。
このように、本実施形態によれば、気圧の差および離間補助手段１３０の双方の押圧力が作用することにより、基板１０が表面処理用治具１００から、より確実に取り外される（離脱する）。
なお、以上説明したような当接部材（ピン１３１）と変位手段とを用いた離間補助手段１３０によれば、簡単な構成でありながら、基板１０を表面処理用治具１００から確実に取り外すことができる。
また、前記第５〜第８実施形態で説明した変位手段は、極めて構成が簡単であるため、表面処理用治具１００の部品点数が増大することや、コストが高くなることを防止することができる。
なお、以上説明したような当接部材（ピン１３１）と変位手段とを用いた離間補助手段１３０によれば、簡単な構成でありながら、基板１０を表面処理用治具１００から確実に取り外すことができる。
また、前記第５〜第８実施形態で説明した変位手段は、極めて構成が簡単であるため、表面処理用治具１００の部品点数が増大することや、コストが高くなることを防止することができる。
以上説明したような表面処理用治具では、基板を気密的に固定（保持）し得、基板を固定した状態では、内部への各種液体の侵入が確実に阻止される。このため、このような表面処理用治具は、特に、処理液を用いて行う基板の表面処理への適用に適している。
かかる処理液を用いる表面処理としては、前述したウェットエッチングの他、例えば、メッキ、強化ガラス等で知られるイオン交換等に適用することができる。
かかる処理液を用いる表面処理としては、前述したウェットエッチングの他、例えば、メッキ、強化ガラス等で知られるイオン交換等に適用することができる。
以上、本発明の表面処理方法について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
例えば、表面処理用治具は、前記第１〜第８実施形態の構成のうちの任意の２以上を組み合わせることもできる。
また、表面処理用治具を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができ、任意の構成を追加することもできる。
例えば、表面処理用治具は、前記第１〜第８実施形態の構成のうちの任意の２以上を組み合わせることもできる。
また、表面処理用治具を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができ、任意の構成を追加することもできる。
また、本発明の表面処理方法では、必要に応じて、任意の目的の工程を追加することもできる。
また、各前記実施形態では、閉空間を基板で塞いだ状態（表面処理用治具に基板を接触させた状態）で、減圧室内に搬入し、閉空間を減圧する場合について説明したが、本発明では、閉空間を基板で塞ぐことなく、これらを減圧室内に搬入し、減圧室内を減圧した後、閉空間を基板で塞ぐようにしてもよい。
また、各前記実施形態では、閉空間を基板で塞いだ状態（表面処理用治具に基板を接触させた状態）で、減圧室内に搬入し、閉空間を減圧する場合について説明したが、本発明では、閉空間を基板で塞ぐことなく、これらを減圧室内に搬入し、減圧室内を減圧した後、閉空間を基板で塞ぐようにしてもよい。
１‥‥表面処理用治具 ２‥‥Ｏリング ３‥‥本体部 ３１‥‥基板当接面 ３１１‥‥周縁部 ３１２‥‥段差部 ３２‥‥凹部 ３３‥‥溝 ３４‥‥間隙 ４‥‥表面処理用治具 ４１ａ、４１ｂ‥‥基板当接面 ４２‥‥貫通孔 ４３‥‥凹部 ５‥‥表面処理用治具 ６‥‥弾性板 ６１‥‥基板当接面 ６２‥‥貫通孔 ７‥‥本体部 ７２‥‥流路 ７３‥‥流路 ８１‥‥ネジ ８２‥‥Ｏリング １０‥‥基板 １０１‥‥裏面 １０２‥‥表面 ２０‥‥基板 ２０１‥‥裏面 ２０２‥‥表面 ２０３‥‥凹部 ３０‥‥基板 ３０１‥‥裏面 ３０２‥‥表面 ３０３‥‥凹部 １００‥‥表面処理用治具 １１０‥‥基台 １１０ａ‥‥螺合部 １２０‥‥固定部 １３０‥‥離間補助手段 １３１‥‥ピン １３２‥‥コイルバネ １３３‥‥支持部 １３３ａ‥‥貫通孔 １３４‥‥回転中心軸 １３５‥‥軸受け １３６‥‥ネジ １３７‥‥弾性体 １３７ａ‥‥中空部 １３８ａ‥‥梃子 １３８ｂ‥‥重り １３９‥‥モータ １３９ａ‥‥回転軸 １３９ｂ‥‥本体部
Claims (19)
- 表面処理用治具に基板を吸着・保持した状態で、前記基板の一方の面に表面処理を施す表面処理方法であって、
前記基板の他方の面とで画成される閉空間と、前記基板に接触して前記閉空間の気密性を保持する接触部とを有する表面処理用治具と、前記基板とを減圧室内に搬入し、前記閉空間を減圧する第１の工程と、
前記表面処理用治具を前記減圧室内から大気圧下に搬出し、前記閉空間内の圧力と大気圧との差を利用して、前記基板を前記表面処理用治具に吸着・保持する第２の工程と、
前記基板を前記表面処理用治具に吸着・保持した状態で、前記基板の一方の面に表面処理を施す第３の工程を有することを特徴とする表面処理方法。 - 前記第１の工程における前記減圧室内の圧力は、７００００Ｐａ以下である請求項１に記載の表面処理方法。
- 前記第３の工程において、前記表面処理を行う際の圧力は、大気圧またはそれ以上である請求項１または２に記載の表面処理方法。
- 前記第３の工程の後、前記表面処理用治具を減圧室内に搬入し、前記減圧室内の圧力を前記第１の工程における圧力とほぼ等しいか、または、前記第１の工程における圧力より低い圧力となるように減圧することにより、前記基板を前記表面処理用治具から取り外す第４の工程を有する請求項１ないし３のいずれかに記載の表面処理方法。
- 前記第１の工程における前記減圧室内の圧力をＡ［Ｐａ］とし、前記第４の工程における前記減圧室内の圧力をＢ［Ｐａ］としたとき、Ｂ／Ａが１以下なる関係を満足する請求項４に記載の表面処理方法。
- 前記第４の工程における前記減圧室内の圧力は、７００００Ｐａ以下である請求項４または５に記載の表面処理方法。
- 前記表面処理用治具は、前記減圧室内において、前記基板が前記接触部から離間するのを補助する離間補助手段を有する請求項４ないし６のいずれかに記載の表面処理方法。
- 前記離間補助手段は、前記基板が前記接触部から離間する際に、一部が前記基板の他方の面に当接する当接部材と、該当接部材を前記接触部から離間する方向に変位させる変位手段とを有する請求項７に記載の表面処理方法。
- 前記当接部材は、その前記接触部と反対の端部側を中心として回動可能となっている請求項８に記載の表面処理方法。
- 前記変位手段は、バネで構成されている請求項８または９に記載の表面処理方法。
- 前記変位手段は、前記減圧室内を減圧することにより、容積が増大する中空部を有する弾性体で構成されている請求項８または９に記載の表面処理方法。
- 前記変位手段は、梃子と重りとで構成されている請求項８または９に記載の表面処理方法。
- 前記変位手段は、モータで構成されている請求項８または９に記載の表面処理方法。
- 前記表面処理用治具は、前記接触部に前記基板を接触させた状態で、前記空間と外部とを連通する流路を有し、
前記流路は、前記第１ないし第３の工程において、気密的に封止されており、
前記第３の工程の後、前記流路を開放することにより、前記基板を前記表面処理用治具から取り外す第４の工程を有する請求項１ないし３のいずれかに記載の表面処理方法。 - 前記基板は、その他方の面に開放する凹部を有し、
前記第１の工程に先立って、前記凹部を塞ぐように、前記基板の他方の面にシート材を設ける請求項１ないし１４のいずれかに記載の表面処理方法。 - 前記基板は、その他方の面に開放する凹部を有し、
前記接触部は、前記基板を接触させた状態で、前記凹部を塞ぎ得るよう構成されている請求項１ないし１５のいずれかに記載の表面処理方法。 - 前記表面処理用治具は、平板状をなし、その両側の面に、それぞれ、前記接触部を有する請求項１ないし１６のいずれかに記載の表面処理方法。
- 前記表面処理は、処理液を用いて行うものである請求項１ないし１０のいずれかに記載の表面処理方法。
- 前記処理液は、エッチング液である請求項１１に記載の表面処理方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004171943A JP2005126814A (ja) | 2003-09-30 | 2004-06-09 | 表面処理方法 |
| US10/953,879 US7147795B2 (en) | 2003-09-30 | 2004-09-29 | Method for surface treatment |
| EP04023294A EP1521294A3 (en) | 2003-09-30 | 2004-09-30 | Method for surface treatment |
| TW093129714A TWI246724B (en) | 2003-09-30 | 2004-09-30 | Method for surface treatment |
| CNA2004100857285A CN1604285A (zh) | 2003-09-30 | 2004-09-30 | 表面处理方法 |
| KR1020040077841A KR100651349B1 (ko) | 2003-09-30 | 2004-09-30 | 표면 처리 방법 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003339322 | 2003-09-30 | ||
| JP2004171943A JP2005126814A (ja) | 2003-09-30 | 2004-06-09 | 表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005126814A true JP2005126814A (ja) | 2005-05-19 |
Family
ID=34315716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004171943A Withdrawn JP2005126814A (ja) | 2003-09-30 | 2004-06-09 | 表面処理方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7147795B2 (ja) |
| EP (1) | EP1521294A3 (ja) |
| JP (1) | JP2005126814A (ja) |
| KR (1) | KR100651349B1 (ja) |
| CN (1) | CN1604285A (ja) |
| TW (1) | TWI246724B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006022328A1 (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-02 | Tokyo Electron Limited | 成膜装置および成膜方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101259862B1 (ko) * | 2010-02-05 | 2013-05-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 보유지지구 및 기판 반송 장치 및 기판 처리 장치 |
| US9105516B2 (en) * | 2012-07-03 | 2015-08-11 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
| JP2022154234A (ja) * | 2021-03-30 | 2022-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理システム、搬送アーム及び環状部材の搬送方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07111257A (ja) | 1993-10-12 | 1995-04-25 | Olympus Optical Co Ltd | エッチング装置及びエッチング方法 |
| US5522975A (en) | 1995-05-16 | 1996-06-04 | International Business Machines Corporation | Electroplating workpiece fixture |
| US6517967B1 (en) | 1998-12-15 | 2003-02-11 | Electric Fuel Limited | Battery pack design for metal-air battery cells |
| DE19911084C2 (de) * | 1999-03-12 | 2002-01-31 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung zum Behandeln von Substraten |
| JP2003124284A (ja) * | 2001-10-11 | 2003-04-25 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| FR2831148B1 (fr) | 2001-10-22 | 2004-01-02 | Gemplus Card Int | Procede et dispositif de manipulation d'un wafer |
| KR100441711B1 (ko) * | 2001-12-21 | 2004-07-27 | 동부전자 주식회사 | 반도체 베이크 오븐의 웨이퍼가이드 장치 |
| JP2004179236A (ja) | 2002-11-25 | 2004-06-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング装置、及びドライエッチング方法 |
-
2004
- 2004-06-09 JP JP2004171943A patent/JP2005126814A/ja not_active Withdrawn
- 2004-09-29 US US10/953,879 patent/US7147795B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-09-30 EP EP04023294A patent/EP1521294A3/en not_active Withdrawn
- 2004-09-30 CN CNA2004100857285A patent/CN1604285A/zh active Pending
- 2004-09-30 KR KR1020040077841A patent/KR100651349B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-09-30 TW TW093129714A patent/TWI246724B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006022328A1 (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-02 | Tokyo Electron Limited | 成膜装置および成膜方法 |
| JP2006066544A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
| US7718005B2 (en) | 2004-08-25 | 2010-05-18 | Tokyo Electron Limited | Film forming equipment and film forming method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1521294A3 (en) | 2006-06-07 |
| TWI246724B (en) | 2006-01-01 |
| KR20050031995A (ko) | 2005-04-06 |
| CN1604285A (zh) | 2005-04-06 |
| KR100651349B1 (ko) | 2006-11-29 |
| US7147795B2 (en) | 2006-12-12 |
| US20050095811A1 (en) | 2005-05-05 |
| TW200512825A (en) | 2005-04-01 |
| EP1521294A2 (en) | 2005-04-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3817733B2 (ja) | 表面処理用治具 | |
| TWI410329B (zh) | 可撓式裝置的取下設備及其取下方法 | |
| KR101559947B1 (ko) | 정전 척 및 그 제조방법 | |
| TW398039B (en) | Apparatus and method of separating sample and substrate fabrication method | |
| JP4548239B2 (ja) | 基板接合方法および基板接合装置 | |
| JP2009043996A (ja) | 固定治具並びにワークの処理方法 | |
| JP2009010072A (ja) | 基板貼付装置 | |
| JP4671841B2 (ja) | 対象物間の脱ガス方法および脱ガス装置 | |
| US20100144147A1 (en) | Sample holding tool, sample suction device using the same and sample processing method using the same | |
| JP4353201B2 (ja) | 表面処理用治具 | |
| JP4814284B2 (ja) | テープ貼付装置 | |
| JP2005126814A (ja) | 表面処理方法 | |
| EP2357056B1 (en) | Wafer bonding apparatus | |
| JP2009202330A (ja) | 打ち抜き装置 | |
| JP5329916B2 (ja) | 半導体ウエハの支持具 | |
| JP4865306B2 (ja) | テープ貼り機 | |
| JP2004199036A (ja) | 基板の貼り合わせ装置及び液晶ディスプレイパネル | |
| JP2007258467A (ja) | 吸着装置、研磨装置、半導体デバイス製造方法およびこの方法により製造される半導体デバイス | |
| JP2005123387A (ja) | 基板保持具及び基板の表面処理方法 | |
| KR20050030630A (ko) | 반도체 웨이퍼의 제조 방법 | |
| JP2007329297A (ja) | 薄膜状物体の保持装置及び薄膜状物体を保持するためのハンド | |
| JP2006035369A (ja) | 平面研磨機 | |
| JP2009295698A (ja) | 基板のエッチング方法 | |
| JP4761169B2 (ja) | 磁気転写装置、磁気転写方法、及び磁気転写用被転写媒体製造方法 | |
| JP2015025497A (ja) | シャワープレート保持具 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070514 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20090728 |