JP2008544485A - 直線真空堆積システム - Google Patents

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Abstract

【課題】真空コンベヤシステムの実施形態を提供する。
【解決手段】一実施形態において、真空コンベヤシステムは、第１の真空スリーブを含み、この第１の真空スリーブは、第１の真空スリーブを通して基板をサポート及び移動する複数のローラを有している。第１の真空スリーブをプロセスチャンバに密閉可能に結合するためのポートが提供されている。第１の基板運搬部が、ポート近傍に配置されている。多数のポートを提供して、第１の真空スリーブを複数のプロセスチャンバに密閉可能に結合してもよい。専用の基板運搬部が、各プロセスチャンバに提供されている。第２の真空スリーブを、プロセスチャンバの反対側に密閉可能に結合してもよい。真空コンベヤシステムは、ロードロックチャンバを介してリンクされた独立モジュールを備えたモジュール式であってもよい。複数のローラで、搬送されている基板の前縁の垂下を打ち消してもよい。

Description

発明の背景
（発明の分野）
本発明の実施形態は、概して、真空堆積システムに関する。特に、本発明は、真空環境内で基板を搬送するための真空コンベヤシステムに関する。
（関連技術の説明）
ガラス基板は、アクティブマトリックステレビ及びコンピュータディスプレイを製造したり、特に、ソーラーパネル用途に用いられている。テレビやコンピュータディスプレイ用途においては、各ガラス基板は、夫々が１００万超の薄膜トランジスタを含む多数のディスプレイモニターを形成することができる。
大ガラス基板の処理には、例えば、化学蒸着（ＣＶＤ）プロセス、物理蒸着（ＰＶＤ）プロセス又はエッチングプロセスの性能をはじめとする多数の連続ステップの性能が必要とされることが多い。ガラス基板を処理するためのシステムは、これらのプロセスを実施するために１つ以上のプロセスチャンバを含むことができる。
ガラス基板は、例えば、約３７０ｍｍ×４７０ｍｍから約１８７０ｍｍ×２２００ｍｍの範囲の寸法を有することができる。しかも、基板により多くのディスプレイを形成したり、より大きなディスプレイを製造するために、これよりも更に大きな基板サイズに向かう傾向がある。大きなサイズだと、処理システムの能力に更に大きな要求がなされ、大きな基板を処理するために、サイズ及び能力も大きくなっている。
しかしながら、現在の製造装置は、高価なものとなってきている。例えば、１ｍ２以上の大きなガラス基板の真空処理に好適なクラスタツールは、比較的広い床面積を必要とし、非常に高価である。このように、処理量を増やすために、追加の機器を製造ラインに追加するのに増大したコストは、非常に高価なものである。
従って、基板を処理するのに改善されたシステムが必要とされている。
発明の概要
真空コンベヤシステムの実施形態が、本明細書に提供されている。一実施形態において、真空コンベヤシステムは、第１の真空スリーブと、第１の真空スリーブを通して基板をサポート及び移動する複数のローラとを含む。第１の真空スリーブは、第１の真空スリーブをプロセスチャンバに密閉可能に結合するためのポートを有している。第１の基板運搬部が、コネクタポート近傍に配置されている。第１の真空スリーブを複数のプロセスチャンバに密閉可能に結合するために、多数のポートを提供してもよい。専用の基板運搬部が、各プロセスチャンバに提供されている。第２の真空スリーブを、プロセスチャンバの反対の側に密閉可能に結合してもよい。真空コンベヤシステムは、ロードロックチャンバを介してリンクされた独立のモジュールによるモジュール式であってもよい。複数のローラで、搬送されている基板の前縁の垂下を打ち消してもよい。
他の実施形態において、真空コンベヤシステムは、複数のローラを封入している第１の真空スリーブを含み、複数のローラは、第１の真空スリーブを通して、基板をサポート及び移動する。第１の真空スリーブは、複数のポートを有しており、これは、第１の真空スリーブを、複数のプロセスチャンバの第１の側及び各ポート近傍に配置された基板運搬部に密閉可能に結合するためのものである。第２の真空スリーブは、第１の真空スリーブに平行に配置されていて、第２の真空スリーブを通して、基板をサポート及び移動する複数のローラを封入している。第２の真空スリーブは、複数のポートを有しており、これは、第２の真空スリーブを、複数のプロセスチャンバの反対の第２の側及び各ポート近傍に配置された基板運搬部に密閉可能に結合するためのものである。
他の実施形態において、真空処理システムは、第１の真空コンベヤモジュールと、第２の真空コンベヤモジュールとを含む。第１の真空コンベヤモジュールは、第１及び第２の真空スリーブを含み、第１及び第２の真空スリーブは、複数のローラを封入していて、複数のローラは、第１及び第２の真空スリーブを通して基板をサポート及び移動する。第１及び第２の真空スリーブは、複数のポートを有しており、複数のポートは、第１及び第２の真空スリーブを、複数の各プロセスチャンバの第１の側及び反対の第２の側に、夫々、密閉可能に結合している。第１及び第２の真空スリーブは、各ポート近傍に配置された基板運搬部を有する。コネクタスリーブは、第１の真空スリーブの第１の端部を、第２の真空スリーブの第１の端部に結合しており、コネクタスリーブを通して基板をサポート及び移動する複数のローラを有している。ロードロックは、第１の真空コンベヤモジュールを第２の真空コンベヤモジュールに結合している。
本発明の他の態様において、基板を処理する方法が提供される。一実施形態において、基板を処理する方法は、真空コンベヤシステムを提供する工程であって、真空コンベヤシステムが、第１の真空スリーブであって、第１の真空スリーブをプロセスチャンバに密閉可能に結合するためのポートを有する第１の真空スリーブと、第１の真空スリーブを通して、基板をサポート及び移動する複数のローラと、ポート近傍の第１の真空スリーブ内に配置された第１の基板運搬部とを有する、工程と、第１の真空スリーブを通して、第１の基板を、第１の基板運搬部の上の位置に搬送する工程と、第１の基板運搬部を垂直作動して、第１の基板を、複数のローラからリフトする工程とを含む。
詳細な説明
真空コンベヤシステムの実施形態が本明細書に提供されている。真空コンベヤシステムは、密閉された低圧基板搬送システムであり、複数のプロセスチャンバに結合されて、処理圧、即ち、真空のままで、プロセスチャンバ間での基板の搬送を容易にするものである。真空搬送システムは、従来のロードロック及びプロセスチャンバをはじめとする任意のロードロック又はプロセスチャンバに接続されていてもよい。プロセスチャンバは、真空で動作する任意のプロセスチャンバであってよく、例えば、化学蒸着（ＣＶＤ）チャンバ、物理蒸着（ＰＶＤ）チャンバ、原子層堆積（ＡＬＤ）チャンバ、或いは低圧で動作するその他堆積又はその他処理チャンバが挙げられる。
図１Ａは、真空コンベヤシステム１００の平面略図である。真空コンベヤシステム１００は、１つ以上のポート１０８を有し、複数のローラ１０４を封入している真空スリーブ１０２と、１つ以上の基板運搬部１０６とを含む。真空スリーブ１０２のサイズは最小なものとして、そこを通して基板を搬送できるのに必要なだけの最小可能な体積を与えている。体積が小さいことによって、真空スリーブ１０２内で、より容易に真空を確保し、維持するのが促され、所望のレベルの真空まで圧力をポンピングするのに必要な時間が減る。真空スリーブ１０２の寸法が小さいと、真空スリーブ１０２内の真空体積を小さく維持することによって、真空コンベヤシステム１００のロバスト性が更に増大する。これによって、低内部圧と真空スリーブ１０２外の大気圧の圧力差による力が減少する。
任意で、図１Ｂに示すように、１つ以上の体積低減部１１８を与えて、真空スリーブ１０２の内部体積を減じてもよい。体積低減部は、中空でない部材でも中空の部材であってもよく、例えば、中空のボックスで、これが、真空スリーブ１０２内の空間を占有する、即ち、その内部体積を減じる。一実施形態において、体積低減部１１８は、複数のローラ１０４の上、近接するポート１０８間に配置してよい。体積低減部１１８は、複数のローラ１０４又は基板運搬部１０６にサポートされた基板１９０の搬送及び運搬を妨げないサイズとする。任意の形状又はサイズを有する体積低減部は、真空スリーブ１０２内の目立たない場所に配置して、所望の真空圧に排気され維持されなければならない真空スリーブ１０２内の内部体積を更に減じてもよいものと考えられる。
スリーブ１０２は、実質的に水平な配向で示されているが、スリーブ１０２を傾斜させて、ポート１０８（及びスリーブ１０２に結合された関連のチャンバ）が、互いに垂直に積み重なるようにしてもよい。他の実施形態において、スリーブ１０２を実質的に垂直な配向で配向させて、ポート１０８（及びスリーブ１０２に結合された関連のチャンバ）が垂直に積み重なるようにして、システムのフットプリントを最小にしてもよいものと考えられる。
図１Ａに戻ると、真空スリーブ１０２の体積の決定因子としては、真空スリーブ１０２の高さ、長さ及び幅に影響する因子が挙げられる。例えば、真空スリーブ１０２の高さは、複数のローラの高さ及び基板運搬部１０６により基板を持ち上げなければならない高さにより制約される。一実施形態において、真空スリーブの高さは、約３０インチ未満である。他の実施形態において、真空スリーブ１０２の高さは、約２０インチ未満である。真空スリーブの長さは、取り付けられたプロセスチャンバ１２０の数及びプロセスチャンバ間の間隔により制約される。真空スリーブ１０２の幅は、基板の幅及び基板運搬部１０６により基板の側方運動に必要とされる余幅により制約される。
真空スリーブ１０２は、１つ以上のポート１０８を有しており、これは、真空スリーブ１０２を１つ以上のプロセスチャンバに密閉可能に結合するためのものである。プロセスチャンバは、好適なやり方で、真空スリーブ１０２に密閉可能に結合してよく、プロセスチャンバは、真空スリーブ１０２と同一平面に装着してもよい。図１Ａに示す実施形態において、４つのプロセスチャンバ１２０１、１２０２、１２０３及び１２０ｎが、各ポート１０８で、真空コンベヤシステム１００の真空スリーブ１０２に接続されて示されている。ポート１０８は、真空スリーブ１０２を、対応のアパーチャ、例えば、プロセスチャンバスリットバルブ周囲でプロセスチャンバに結合していて、真空スリーブ１０２とプロセスチャンバ１２０１〜１２０ｎ間での基板の移動を容易にする。プロセスチャンバを真空スリーブ１０２近くに結合すると、複数のローラ１０４から各プロセスチャンバの基板サポートまで、基板を基板運搬部１０６により移動すべき水平の距離が短くなって、真空スリーブ１０２の体積を減じるのに役立つ。
任意で、コネクタ１１６を、真空スリーブ１０２と１つ以上のプロセスチャンバの間に配置してもよい。コネクタ１１６は、真空スリーブ１０２に直接結合できないプロセスチャンバとの真空スリーブ１０２の接合を促進するアダプタであってもよい。この代わりに、又はこれと組み合わせて、コネクタ１１６は、プロセスチャンバを所望の場所に配置するためのスペーサであってもよい。例えば、コネクタ１１６を用いて、プロセスチャンバ内に配置された基板サポートを、真空スリーブ１０２から所望の距離で、より正確に位置付けて、各基板運搬部１０６の延在位置との位置合せを促してもよい。
１つ以上の基板運搬部１０６は、特定のプロセスチャンバ専用であり、そういうものとして、１つの基板運搬部１０６は、真空スリーブに結合された各プロセスチャンバ、例えば、図１Ａの真空スリーブ１０２に結合されたプロセスチャンバ１２０１−ｎに近接して提供される。基板運搬部１０６は、通常、待機位置と、少なくとも移動位置とを有しており、待機位置は、真空スリーブ１０２を通して複数のローラ１０４で輸送される基板を妨げないものであり、移動位置は、基板をプロセスチャンバの出し入れするために移動するのに好適なものである。このように、基板運搬部１０６は、プロセスチャンバに向かう方向と離れる方向、即ち、真空スリーブ１０２の長さに垂直な方向において、ある範囲の垂直運動とある範囲の水平運動を必要とするだけであるため、追加の側方及び／又は回転の自由度を有する真空移動ロボットよりもかなり安価である。基板運搬部１０６の位置は、動きの垂直及び水平範囲内の多様な位置に、制御可能に固定してもよいものと考えられる。
基板運搬部１０６用の好適なセンサ及び制御システム（図示せず）を提供して、真空コンベヤシステム１００の動作を制御する制御器１５０と一体化させてもよい。センサ及び制御システムは、複数のローラ１０４及び／又は基板運搬部１０６での基板の位置を検出する。基板運搬部１０６を用いて、基板を各プロセスチャンバから出し入れするために移動する時、センサ及び制御システムは、基板運搬部１０６、及び／又はそこにサポートされた基板、の位置を更に検出する。
図３Ａ及び３Ｂは、夫々、基板運搬部１０６の一実施形態の平面図及び側面図を示す。基板運搬部１０６は、通常、基板をサポートするための実質的に平坦な表面を含み、複数のローラ１０４間を輸送するように構成されている。一実施形態において、基板運搬部１０６は、ブラケット３０２を有していて、ブラケット３０２はそこから水平に延在している複数のサポートフィンガー３０４を供えている。サポートフィンガー３０４は、複数のローラ１０４の夫々の間に配置されて、引込位置だと、複数のローラ１０４の高さより下にあって、その上を通る基板の動きを妨げないようになっている。
基板運搬部１０６のサポートフィンガー３０４は、ブラケット３０２に結合された１つ以上の垂直運動アセンブリ３０６によって、垂直に位置している。垂直運動アセンブリ３０６は、ある範囲の運動を与えて、無限に制御可能、又は離れた位置まで制御可能である。一実施形態において、一対の垂直運動アセンブリ３０６は、夫々、一対の垂直に積み重なったアクチュエータ３４０、３４２を有している。これらは、夫々、引出及び引込位置にある。アクチュエータ３４０、３４２を制御することによって、引込位置３３４（両アクチュエータが引き込まれている）、移動位置３３２（一方のアクチュエータが引き出されていて、他方が引き込まれている）及び上昇位置３３０（両アクチュエータが引き出されている）とすることができる。必要な引出量は、引込位置間の距離、プロセスチャンバ１２０ｎにおいて一組のリフトピン３２６上に延在する基板３００の下部の高さ、及びプロセスチャンバ１２０ｎの壁３２０に形成されたスリットバルブ３２２の上部の高さに応じて異なる。
垂直運動アセンブリ３０６は、基板運搬部１０６の所望の垂直運動を提供するための空気圧又は油圧アクチュエータ、スクリュー、ソレノイド、モータ又は任意の好適なアクチュエータ等の任意の好適なアクチュエータを含んでいてもよい。一実施形態において、垂直運動アセンブリ３０６のアクチュエータ３４０、３４２は、密閉された空気圧アクチュエータである。可撓性管（図示せず）を、真空スリーブ１０２の外側に配置された空気源（図示せず）まで渡してもよい。
制御器３０８を提供して、基板運搬部１０６の垂直作動を制御する。ＡＣ電源３５０からのＡＣ電力は、電力線３５２を通して、制御器３０８に提供される。制御信号を、ＡＣ電力線を通して提供してもよい。制御信号は異なる周波数で調節される。このように、多数の基板運搬部１０６は、同じ電力線３５２及びＡＣ電源３５０に接続しつつ、独立制御してよい。制御信号は、制御器１５０により提供されてもよい（図１Ａに関して後述してある）。
水平運動アセンブリ３１８は、基板運搬部１０６の水平運動、例えば、プロセスチャンバへの出し入れの動きを与える。水平運動アセンブリ３１８は、空気圧又は油圧アクチュエータ、送りネジ、モータ等の任意の好適な機構を含んでいてよい。一実施形態において、水平運動アセンブリ３１８は、複数の水平レール３１０に移動可能に結合されたステージ３１２を含む。ステージ３１２は、垂直運動アセンブリ３０６の下部に結合されて、ステージ３１２の動きによって、ブラケット３０２及びサポートフィンガー３０４を動かす。水平レール３１０は、複数のローラ１０４に実質的に平行な真空スリーブ１０２の下部に配置されて、プロセスチャンバに向かう、そして離れる水平の動きを容易にする。
延在部３１６は、ステージ３１２に結合されて、真空スリーブ１０２に形成された開口部を通して突出している。管３１６は、開口部周囲の真空スリーブ１０２に結合されて、真空の完全性を維持している。ｏ−リング又はその他シーリング機構（図示せず）を任意で、管３１６と真空スリーブ１０２の間に配置して、気密シールの形成を促してもよい。管３１６は、延在部３１４が、必要に応じて動けるよう十分に長い密閉領域を与えて、基板運搬部１０６の水平位置を制御する。
ドライブ機構３７０は、管３１６を通して延在部３１４に結合されていて、基板運搬部１０６の水平運動を制御する。ドライブ機構３７０は、制御器１５０により更に制御してもよい。一実施形態において、ドライブ機構３７０は、磁気ドライブシステムであってもよい。本発明で用いるのに好適な磁気ドライブシステムの一例は、引用により本明細書に一体化される２００２年１０月２９日発行の米国特許第６，４７１，４５９号「磁気ドライブを有する基板移動シャトル（Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｓｈｕｔｔｌｅ Ｈａｖｉｎｇ ａ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｄｒｉｖｅ）」に記載されている。
図５Ａ〜Ｂは、夫々、基板運搬部の実施形態に用いるのに好適な磁気ラック及びピニオンドライブ機構の一実施形態の概略平面図と側面図である。図５Ｃは、図５Ａ〜Ｂの磁気ラック及びピニオンドライブ機構の磁気ピニオンの下面図である。図５Ａ〜Ｃを同時に参照すると（明瞭にするために、基板処理システムの特定の要素は、図５Ａ〜５Ｃには図示されていない）、各磁気ドライブ機構、例えば、ドライブ機構５９０は、基板運搬部１０６の延在部３１４を有する管３１６の下に位置するホイール形の磁気ピニオン５９２を含んでいる。延在部３１４の少なくとも一部は、磁気ピニオン５９２に対応する磁気ラック５４８を含む。フランジ５４２は、ラック５４８の片側又は両側に形成してよく、１つ以上の回転サポート５８２、５８４を配置して、ラック５４８をサポートし、重力又はピニオン５９２への磁気的な結合による垂下を防いでもよい。
磁気ピニオン５９２は、関連する管３１６の下に配置して、処理環境外であるが、磁気ラック５４８のうちの１つの直下に配置するようにしてもよい。磁気ピニオン５９２は、幅ｗを有するギャップ分、磁気ラック５４８から離れている（図５Ｂ参照）。磁気ラック５４８と磁気ピニオン５９２の間に配置された管３１６の部分は、アルミニウム等の低透磁率を有する材料でできている。
各磁気ピニオン５９２は、ドライブシャフト５９６によりモータ５９４に結合されていてもよい。ドライブシャフト５９６及び磁気ピニオン５９２の回転軸（点線９８で示す）は、通常、磁気ラック５４８の長手方向寸法に垂直、即ち、基板運搬部１０６の輸送方向に垂直である。
各磁気ピニオン５９２は、交互の極性の複数の交互配列ピニオン磁石５００ａ及び５００ｂを有している。各ピニオン磁石は位置合せされて、その磁気軸が、磁気ピニオン５９２の回転軸５９８を実質的に通過するようにする。同様に、各ラック５４８は、交互の極性の複数の交互配列ラック磁石５１０ａ及び５１０ｂを含む。各ラック磁石の磁気軸は、回転軸が実質的に水平の場合には、ピニオンの回転軸に実質的に垂直に、例えば、垂直軸５２４に沿って位置合せされる。ラック磁石５１０ａ及び５１０ｂに凹部を設けて、ラック５４８の下部表面と同一平面となるようにしてもよいし、ピニオン磁石に凹部を設けて、ピニオン５９２の外側リムと同一平面となるようにしてもよい。
ラック５４８及びピニオン５９２の各磁石は、磁化された実質的に矩形のプレートであってよく、プレートの一面にＮ極「Ｎ」があり、プレートの反対の面にＳ極「Ｓ」があるようにしてもよい。例えば、ピニオン磁石５００ａの配向は、プレートの外側面５０２にＮ極があって、プレートの内側面５０４にＳ極があるようにする。一方、ピニオン磁石５００ｂの配向は、プレートの内側表面５０４にＮ極があって、プレートの外側表面５０２にＳ極があるようにする。同様に、各ラック磁石５１０ａの配向は、プレートの上面５１４にＮ極があって、プレートの下面５１２にＳ極があるようにする。逆に、各ラック磁石５１０ｂの配向は、プレートの下面５１２にＮ極があって、プレートの上面５１４にＳ極があるようにする。
図５Ａに示すように、各ラック磁気プレートの主軸（点線５０８で示す）は、回転軸５９８と主軸５０８の間のいわゆる「螺旋」角度αで配列してよい。図５Ｃに示すように、ピニオン磁気プレートは、ピニオン５９２の回転軸５９８とピニオン磁石の主軸５０８’の間の同じ「螺旋」角度α’で配列してよい。螺旋角度は、約４５度までである。或いは、各磁石の主軸は、ピニオンの回転軸９８（α＝０度）に略平行に配向されていてもよい。このように、螺旋角度は約０〜４５度の間であってよい。磁石を螺旋角度で配置することにより、ラックとピニオン磁石間の磁気引力における変動は、磁場をかけたり外したりすることにより、減少して、基板運搬部１０６のより円滑な直線運動が与えられる。いずれの場合も、最接近点で、ピニオン磁石は、関連のラック磁石と実質的に同一平面となる。
ピニオン磁石５００ａ及び５００ｂは、ピッチＰ分離れていて、これは、ラック磁石５１０ａ及び５１０ｂのピッチＰ’に等しい。ピッチＰ及びＰ’は約１／４インチであってよい。具体的なピッチは、磁気の強さ、基板運搬部とそれにサポートされる基板の重量、ラックとピニオン間のギャップの幅Ｗ、及び基板運搬部がスリーブ１０２と各プロセスチャンバ間で動く所望の速度に基づいて選択してよい。
図５Ｂに最も良く示されているように、ラックとピニオン磁石は、それらの反対の極が係止し合うと（磁力線５１８により示される）、係合する。ピニオン５９２が回転する場合、各ピニオン磁石、例えば、ピニオン磁石５００ａがラック５４８の方に動くにつれて、反対の極性の最も近い磁石、例えば、ラック磁石５１０ａと磁気的に結合する。加えて、近接するピニオン磁石５００ｂ（ピニオン磁石５００ａの反対の極性）は、近接するラック磁石５１０ｂに磁気的に結合する。このように、ピニオン５９２が、例えば、矢印５０６により示される方向に回転すると、基板運搬部１０６は、水平に、即ち、矢印５１６により示される方向に駆動される。逆に、ピニオン５９２が矢印５０６と反対の方向に回転する場合、基板運搬部１０６は、矢印５１６と反対の方向に駆動される。
磁石の交互の極性によって、ラックとピニオンにおける近接する磁石間での磁石結合の滑りが防止される。また、ラックとピニオンの間の係合が磁気であるため、結合に僅かな撓みがあって、ラックの動きには、揺らぎや機械的な衝撃がほとんどない。更に、ラックとピニオン間の回転フィードスルーや直接的な物理的接触がないため、ドライブ機構による汚染の危険が減じる。具体的には、モータとピニオンがチャンバの処理環境外に配置されているため（即ち、真空コンベヤシステム、取り付けられた処理チャンバ及びロードロックチャンバの密閉環境）、処理チャンバ及びロードロックチャンバは汚染されないはずである。
図５Ｃに示すように、各ドライブ機構は、エンコーダ５２０を含んでいてよい。これは、制御システム５２２、例えば、汎用プログラム可能デジタルコンピュータに入力を行って、関連のドライブシャフトの回転を示すものである。制御システム５２２は、図１Ａに示す制御器１５０により制御されても、或いはこの一部であってもよい。
図３Ａ〜Ｂを参照すると、動作の際、基板運搬部１０６は、最初は、待機位置３５４にあって、フィンガー３０４は、ローラ１０４の下の間に位置している。プロセスチャンバ１２０ｎにある基板を取り出すには、制御器が垂直運動アセンブリ３０６を上昇して、フィンガー３０４を移動位置３３２に上げる。水平ドライブシステム３７０が、水平運動アセンブリ３１８の延在部３１４と係合して、処理チャンバ１２０ｎに向けてステージ３１２を内側に動かす。基板３００は、処理チャンバ１２０ｎ内に配置された基板サポート３２４上のリフトピン３２６により上昇する。移動位置３３２の基板運搬部１０６のフィンガー３０４は、フィンガー３０４が基板３００の下面と基板サポート３２４の上面の間を通過できるような高さである。基板３００の下を移動した後、基板運搬部１０６は、上昇位置３３０まで更に作動して、基板３００をリフトピン３２６から離すようにリフトする。基板運搬部１０６は、基板３００と共に引き込まれて、プロセスチャンバ１２０ｎから取り去られると、待機位置３３４まで下がって戻り、基板３００がローラ１０４の表面に配置される。上記のステップの逆を行うことにより、基板は、処理チャンバ１２０ｎの基板サポート３２４上に配置される。
他の範囲の運動を利用して、プロセスチャンバへ基板の出し入れをすることも考えられる。例えば、基板リフトピン３２６を、複数の延在位置まで制御可能な場合には、基板運搬部１０６の上昇を変えるよりも、リフトピン３２６の上げ下げによって、基板を基板運搬部１０６から離すようにリフトする、又は基板運搬部１０６上に配置してよい。このように、基板運搬部１０６のある実施形態は、２つのみの垂直位置、複数のローラ１０４下の待機位置、及びプロセスチャンバ１２０ｎを出入りするのに好適な移動位置を有している。
図４Ａ及び４Ｂは、夫々、一対の入れ子フィンガーを有する基板運搬部１０６の他の実施形態の平面図及び側面図である。入れ子フィンガーは、独立して操作されて、基板をプロセスチャンバへの出し入れのために動かし、プロセスの処理量を増大させるものである。図４Ａ〜Ｂに関して説明した基板運搬部１０６は、入れ子フィンガーの独立制御及び動きが必要とされることを除けば、図３Ａ〜Ｂに関して説明した基板運搬部１０６と同様である。具体的には、図３Ａ〜Ｂ及び４Ａ〜Ｂに関して説明した基板運搬部は、運動、制御機構及び一般構成について同じ範囲のものである。
図４Ａ〜Ｂに示す実施形態において、基板運搬部１０６は、外側基板運搬部４９０と内側基板運搬部４９２とを含む。外側及び内側基板運搬部４９０、４９２は、独立制御可能であり、衝突することなく、基板運搬部４９０、４９２の所望の範囲の動きができるように構成されている。外側及び内側基板運搬部４９０、４９２は、以下のことを除けば同様である。
外側基板運搬部４９０は、水平に延在する複数の外側フィンガー４０４を有する外側ブラケット４０２を含む。外側ブラケット４０２は、一対の垂直運動アセンブリ４０６により垂直位置に保持されている。垂直運動アセンブリ４０６は、任意で、基板の長さより広い間隔で、外側基板運搬部４９０とプロセスチャンバ１２０ｎの間の複数のローラ１０４上に基板が配置される時、水平の動きを容易にするものであってもよい。垂直運動アセンブリ４０６は、一対の積み重ねた垂直アクチュエータ４４０、４４２を含んでいてもよい。垂直運動アセンブリ４０６（又は垂直アクチュエータ４４０、４４２）は、制御器４０８により制御される。制御器４０８は、電力線４５２によりＡＣ電源４５０に結合されていて、図３Ａ〜Ｂに関して上述した通り、外側基板運搬部４９０を制御する。
垂直運動アセンブリ４０６は、水平運動アセンブリ４１８に結合されている。水平運動アセンブリ４１８は、複数の水平レール４１０に移動可能に結合されたステージ４１２を含む。ステージ４１２は、プロセスチャンバ１２０ｎの壁４２０に形成されたスリットバルブ４２２に出し入れされる外側基板運搬部４９０の動きを容易にする。延在部４１４は、ステージ４１２に結合されて、プロセスチャンバ１２０ｎの方向に向かって、その下に水平に、真空スリーブ１０２にある開口部を通して延在している。管４１６が提供されて、真空スリーブ１０２の真空の完全性を維持している。水平ドライブシステム４７０が、延在部４１４に結合されて、外側基板運搬部４９０の水平の動きを与える。水平ドライブシステム４７０は、図３Ａ〜Ｂ及び５Ａ〜Ｃに関して説明したのと同じであってよい。
内側基板運搬部４９２は、内側ブラケット４８２を有していて、内側フィンガー４８４が、そこから水平に延在している。ブラケット４８２は、一対の垂直運動アセンブリ４８６により適所に保持されている。垂直運動アセンブリ４８６は、一対の積み重ねた垂直アクチュエータ（明瞭には図示されていない）を含んでいてもよい。垂直運動アセンブリ４８６（又は積み重ねた垂直アクチュエータ）は、制御器４８８により制御される。制御器４８８は、電力線４５２を通してＡＣ電源４５０に結合されている。或いは、制御器４０８は、内側及び外側基板運搬部４９０、４９２の両方を独立制御してもよい。このように、外側基板運搬部４９０と内側基板運搬部４９２の独立制御は、同じ電力線及び電源を利用して行ってもよい。内側基板運搬部４９２のブラケット４８２及びフィンガー４８４は、外側基板運搬部４９０のブラケット４０２及びフィンガー４０４の下に配置して、基板運搬部４９０、４９２を収容するのに必要とされる空間を確保し、真空スリーブ１０２の幅を最小にしてもよい。
明瞭には図示していないが、複数の水平レール４８０を有する水平運動アセンブリ４９８での内側基板運搬部４９２の水平運動は、外側基板運搬部４９０と同じようにして制御される。内側基板運搬部４９２をサポートする複数の水平レール４８０は、外側基板運搬部４９０をサポートする複数の水平レール４１０の内側位置に提供されて、内側及び外側基板運搬部４９０、４９２の独立運動及び制御を容易にする。
動作中、外側基板運搬部４９０を移動位置まで上昇して、プロセスチャンバ１２０ｎ内から基板４００Ａをピックアップすることにより、基板をプロセスチャンバ１２０ｎへより効率的に出し入れすることができる。外側基板運搬部４９０が基板４００Ａをピックアップすると、基板４００Ｂが、プロセスチャンバ１２０ｎの前の複数のローラ１０４に到達する。すると、内側基板運搬部４９２が基板４００Ｂを持ち上げ、プロセスチャンバ１２０ｎへ移動させる。プロセスチャンバ１２０ｎから取り出されたばかりの基板４００Ａと同時に外側基板運搬部４９０を取り出しながら、これを行ってもよい。内側基板運搬部４９２は、基板４００Ｂをプロセスチャンバ１２０ｎのリフトピン４２６へ下げ、プロセスチャンバ１２０ｎから引き込む。内側基板運搬部４９２を、複数のローラ１０４の下の待機位置まで下げて、外側基板運搬部４９０によって、基板４００Ａが複数のローラ１０４へ下がるようにし、移動を完了する。
真空コンベヤシステムに関して説明したが、図３Ａ〜Ｂに示す基板運搬部及び図４Ａ〜Ｂで説明した入れ子基板運搬部は、基板の搬送及び移動を必要とする他のシステムで利用してもよいものと考えられる。
図１Ａに戻ると、複数のローラ１０４が、真空スリーブ１０２を通る基板の動きを容易にしている。一実施形態において、複数のローラ１０４を駆動して、そこに配置された基板の位置を制御する。複数のローラ１０４は、任意の好適な手段により駆動及び制御してよく、「集団」駆動（即ち、一斉に全てを駆動する）しても、独立に制御可能なグループで駆動しても、独立駆動してもよい。
例えば、図６Ａは、複数のローラ１０４及びそのためのドライブシステムの一実施形態を示す。一実施形態において、複数のローラ１０４は、複数のローラ６２４を含み、ローラ６２４のいずれかの端部に配置されたベアリング６０４、６０６間で結合されている。ベアリング６０６は、真空スリーブ１０２の下部にある受部６０８に結合されている。ベアリング６０４は、真空スリーブ１０２内に配置されたドライブレール６０２に結合されている。プーリ６１２が、ローラ６２４の夫々に結合していて、ローラ６２４の動きを制御するベルト６１０と連係している。プーリ６１２をまた、ローラ６２４間に提供して、プーリ６１２とベルト６１０の間の適切な連係を維持してもよい。１つ以上のプーリ６１２は、溝やノッチ６１４等の特徴を更に有していて、ベルト上に形成された特徴（例えば、ベルト上に形成されたＶノッチや四角歯）と連係し、プーリ６１２とベルト６１０の間の牽引力を改善し、その間での滑りを防いでもよい。モータ６３０を与えて、ベルト６１０、それによってローラ６２４の動きを制御してよい。モータ６３０は、制御器１５０（図１Ａに図示）に結合されていてもよい。ローラ６２４は夫々、単一のモータ６３０により制御されてよい。或いは、ローラ６２４をグループ化して、コンベヤシステムの特定の領域における基板の輸送を独立に制御してもよい。
ローラ６２４は、通常、中空でない、又は中空の部材を含んでいてよい。更に、ローラ６２４の幅は、単一ローラ６２４を用いて基板をそこにサポートするほど十分に広くてよい。或いは、基板は、基板の幅に沿った多数のポイントでサポートされてもよい。例えば、単一ローラ６２４は、「波形」としたり、何らかの形状を付与してよく（図示せず）、又は、図６Ｂに詳細を示すように、軸６２０に配置された小さな個々のローラ６２２を利用して、基板を多数の間隔のあいた位置でサポートしてもよい。これによって、複数のローラ１０４と基板の間の表面接触面積が減じる。表面接触面積が減少すると、基板と複数のローラ１０４の間の接触により生じるパーティクル生成や基板に対する損傷の可能性が減少する。
ローラ１０４は、通常、互いに十分に近く、処理されている基板を適正にサポートして、基板の変形や損傷を防ぐ。基板のかかる変形により生じる１つの問題は、基板の前縁が、重力のために、下方に偏向し、真空コンベヤシステム１００の次のローラと接触することであり、これによって、基板及び／又はローラを損傷する恐れがある。例えば、基板の前縁は、次のローラとの強制的な接触によって、欠けたり、折れる恐れがある。その上、基板に対する損傷により、又は次のローラと擦れることにより生成されたパーティクルが、基板を更に損傷する恐れがある。この影響は、特定のプロセスに必要とされる高処理温度により悪化して、基板、特に、ガラス基板を軟化させたり、更に下方に偏向させる恐れがある。
図７Ａ〜７Ｃは、複数のローラ１０４の様々な配置構造を示す。図７Ａにおいて、複数のローラ１０４は全て水平面に沿って並んでいて、軸７０４Ａの周囲を回転する。このようにして、基板７００は、複数のローラ１０４の表面に平らに載る。矢印に示されるように、基板７００が左から右へと動くにつれて、基板７００の前縁７０２がローラ７１０Ａを通り過ぎて延在し、基板７００は前方へ動き続けるため、前縁７０２がローラ７１２Ａに達するまでサポートされなくなる。基板があまり偏向しない場合には、図７Ａに示す複数のローラ１０４の配列で十分である。しかしながら、基板７００の前縁７０２が、ローラ７１０Ａと７１２Ａ間でサポートされずに、下方に偏向する場合には、前縁７０２は、ローラ７１２Ａと接触して、基板７００を損傷する可能性がある。
この代わりに、複数のローラは、基板の前縁における潜在的な垂下を打ち消すやり方で基板をサポートするように構成してもよく、これは、基板が複数のローラに沿って輸送される際に、次のローラの上に基板の前縁を配置するやり方で基板をサポートすることによりなされる。例えば、一実施形態において、複数のローラ１０４を図７Ｂに示すように配列してもよく、複数のローラ１０４は、偏心又はカム形ローラを含んでいる。偏心ローラは、ローラの非円形外形のために、複数の上昇位置で基板７００をサポートする。偏心ローラは、軸７０６Ｂの周囲を回転し、互いに並んでいる。或いは、偏心ローラは、互いに位相不一致で回転配列されていて、複数のサポート上昇が、基板の下に位置する複数のローラのサブセットによりサポートされている特定の基板の下でなされるようにする。
例えば、図７Ｂに示す通り、偏心ローラを、１８０度位相不一致で交互に配列して、１つおきのローラ（例えば、ローラ７０６Ｂ、７１０Ｂ）が互いに並んで、近接するローラ（例えば、７０８Ｂ、７１２Ｂ）と１８０度位相不一致となるようにする。ローラの偏心形状によって、基板７００にとって複数のサポート上昇がなされる。例えば、偏心が上方を指している時は最大上昇である第１のサポート上昇と、偏心が下方を指している時は最小の上昇である第２のサポート上昇との間でなされる。基板７００が左から右へ動くにつれて、前縁７０２は、ローラ７１０Ｂにより持ち上がって、ローラ７１０Ｂと７１２Ｂ間のサポートされていない領域において前縁７０２において生じる下方偏向を打ち消す。このように、基板７００が、ローラ７１２Ｂと接触すると、前縁７０２が、ローラ７１２Ｂと強制的に接触することはない。ローラ７０４Ｂの偏心の形状及び量を制御すると、基板７００を平滑に搬送することができる。
更に、基板７００の位置を、ローラ７０４Ｂの相対的な回転位置と共に制御して、図７Ｂに示すように、近接するローラへ動くにつれて、基板７００の前縁７０２が常に、ローラの高い部分から出て、延在するようにしてもよい。或いは、図７Ｃに示すように、複数のローラ１０４が、オフセット軸７０４Ｃに装着され、交互に偏心的に配置された円柱ローラを含んでいて、図７Ｂに関して上述したような、基板７００の同じ上下効果を与えてもよい。
基板が複数のローラを横断する際に、基板の前縁が、次のローラと接触するのを防ぐのに偏心ローラのその他の配向も好適に利用されるものと考えられる。例えば、図７Ｄには、上記の図７Ｂに関して説明したのと同様の複数のローラ１０４が図示されている。しかしながら、本実施形態においては、偏心ローラは、反時計方向に具体的には９０度増分しながら、互いに連続的に位相不一致である。ローラ７０６Ｄは、偏心が下方に向いて示されている。次の各ローラ（夫々、ローラ７０８Ｄ、７１０Ｄ及び７１２Ｄ）は、前のローラから９０度反時計方向に偏心的に延びている。
ローラの偏心のオフセット量、即ち、位相不一致の回転度は、ローラの間隔、ローラの偏心の量、及び基板の下方偏向の量に応じて、所望の角度に設定してよい。ローラの位相不一致の程度の量は、１８０及び９０度に限定されず、基板の前縁が、ローラと強制的に接触するのを防ぐのに好適な任意の角度であってよいものと考えられる。
更に、偏心ローラの形状は、図７Ｂ及び７Ｄに示すような単一突出に限定されるものではないと考えられる。例えば、単一又は多数の突出部を含む所望の形状を有するローラを利用して、ローラが回転するにつれて、そこにサポートされる基板のサポート上昇を制御してもよい。一実施形態において、複数のローラ１０４は、楕円ローラ７０６Ｅ、７０８Ｅ、７１０Ｅ、７１２Ｅを含む。例えば、先導ローラ７１０Ｅから次のローラ７１２Ｅまで基板が横切る際、ローラの楕円形状を用いて、基板７００、特に、基板の前縁７０２のサポート上昇を制御してよい。
更に、複数のローラ１０４の他の構成を利用して、基板の前縁の垂下を打ち消してもよいものと考えられる。例えば、ローラの高さを制御する、又は基板の前縁をサポートするための別の機構を提供する構成である。例えば、図１１に、複数のローラの一実施形態の部分概略側面図を示す。一実施形態において、複数のローラ１０４は夫々、アクチュエータ１１０２に結合されている。アクチュエータ１１０２は、複数のローラ１０４のサポート上昇を制御する任意の好適なアクチュエータ又は機構であってよく、例えば、空気圧又は油圧アクチュエータ、モータ、スクリュー等である。基板が、複数のローラ１０４を横切る際に、各アクチュエータ１１０２を個々に制御して、複数のローラ１０４を互いに選択的且つ動的に調整してもよい。例えば、図１１に示す実施形態において、基板７０４の前縁７０２は、ローラ１１１０にサポートされている。ローラ１１１０は、次のローラ１１１２に対して少なくとも上昇している。この代わりに、又はこれと組み合わせて、想像で示してある通りに、輸送方向の次のローラ、例えば、ローラ１１１２を下げて、前縁７０２のローラ１１１２への平滑な移行を更に促してもよい。図７Ｂ〜Ｅ及び図１１においては、真空コンベヤシステムへ組み込むものとして説明したが、説明したローラ構成は、基板の前縁の垂下を打ち消すのが望ましい他のコンベヤ及び処理システムで利用してもよいものと考えられる。
図１Ａに戻ると、ロードロック１１０が、真空スリーブ１０２の第１の端部１１２及び第２の端部１１４の夫々で真空スリーブ１０２に結合されている。ポンプ、ポート、バルブ、メータ等を含む圧力制御システム（図示せず）を、真空スリーブ１０２に結合して、真空スリーブ１０２内の圧力を所望のレベルまで制御してもよい。例えば、真空スリーブ１０２の圧力は、プロセスチャンバ内で維持されているような圧力又はそれに近い圧力に維持して、真空スリーブ１０２とプロセスチャンバの間で基板を搬送する際の圧力の変化を最小にしてもよい。それによって、チャンバ圧力を適正な処理レベルまで再調整するのに必要な時間を節約し、チャンバ圧力の増大によってプロセスチャンバに入るパーティクルによるプロセスチャンバの汚染を更に最小なものとする。
制御器１５０を設けて、真空コンベヤシステム１００の制御及び集積化を促す。制御器１５０は、典型的には、中央演算処理装置（ＣＰＵ）、メモリ及びサポート回路（図示せず）を含む。制御器１５０は、真空コンベヤシステム１００の様々なコンポーネントに結合されていてもよい。基板の動き及び／又は処理を制御するためである。例えば、制御器１５０は、複数のローラ１０４、基板運搬部１０６、圧力制御システム等を制御する。制御器１５０は、真空コンベヤシステム１００に結合されたロードロック及び／又はプロセスチャンバ等のその他のコンポーネントを制御するために提供された制御器に結合、又は制御器と同じであってよい。
図２には、真空コンベヤシステム２００の他の実施形態が開示されている。真空コンベヤシステム２００は、真空コンベヤシステム２００が、互いに平行な２つの真空スリーブ１０２を有する以外は、図１Ａに関して上述した真空コンベヤシステム１００と同様である。２つの真空スリーブ１０２は、その間に配置され、各コネクタ１１６により真空スリーブ１０２に密閉可能に結合された１つ以上のプロセスチャンバ２２０を有する。
２つの真空スリーブ１０２を有する真空コンベヤシステム２００は、処理量の増大に役立つ。２つの真空スリーブ１０２はまた、真空スリーブのうち１つが破損した場合に処理を継続するのにも役立つ。任意で、真空スリーブ１０２は、例えば、バルブ又はその他好適な機構により、互いに選択的に分離可能で、動作不可能な真空スリーブで真空を維持せずに、動作可能な真空スリーブを通して処理を継続することができる。加えて、動作不可能な真空スリーブの検査の保守は、動作可能な真空スリーブを通して基板の処理を継続しながら行うことができる。
真空コンベヤシステム２００で用いるプロセスチャンバ２２０は、パススルー設計を有している、即ち、プロセスチャンバ２２０の反対の側に配置されたスリットバルブを有していて、基板を、プロセスチャンバ２２０の片側から入れて、プロセスチャンバ２２０の反対側から出すことができる。このように、基板運搬部１０６をプロセスチャンバ２２０の両側に設けると、プロセスチャンバ２２０のいずれかの端部での出し入れのために基板を容易に動かすことができる。一実施形態において、基板運搬部１０６は、図３Ａ〜Ｂについて本明細書に記載した基板運搬部であってよい。或いは、基板運搬部１０６は、図４Ａ〜Ｂについて説明した通り、入れ子基板運搬部を含んでいてもよい。前述した通り、コンベヤシステム２００は、実質的に水平、傾斜、又は実質的に垂直配向で、チャンバ２２０に基板を供給してもよい。
コネクタスリーブ２０２は、真空スリーブ１０２の少なくとも一端間に結合されて、一方の真空スリーブ１０２から他方へ、プロセスチャンバ２２０を通らずに、基板を動かすのを容易にする。コネクタスリーブ２０２は、複数のローラ２０４を有していて、コネクタスリーブ２０２を通した基板の動きを容易にする。複数のローラ２０４は、複数のローラ１０４と同様に構成してよい。一実施形態において、複数のローラ２０４は、図６Ａ〜Ｂで記載した複数のローラと同様に構成する。
図２に示す実施形態において、２つのコネクタスリーブ２０２は、真空スリーブ１０２間に結合されている。一方のコネクタスリーブ２０２がいずれかの端部にある。任意の角度が考えられるが、コネクタスリーブ２０２は、製造及び動作のし易さのために、真空スリーブ１０２に実質的に垂直に結合されている。基板運搬部２０６は、真空スリーブ１０２とコネクタスリーブ２０２の間の界面の少なくとも１つに設けられて、真空スリーブ１０２のローラ１０４とコネクタスリーブ２０２のローラ２０４の間で基板を動かすのを容易にする。図２に示す実施形態においては、１つの基板運搬部２０６が、真空スリーブ１０２とコネクタスリーブ２０２の間の各界面、例えば、真空コンベヤシステム２００の各隅部に設けられている。
図８に、図２に示す真空コンベヤシステム２００の隅部に示されるような、真空スリーブ１０２に含まれる複数のローラ１０４と、コネクタスリーブ２０２に含まれる複数のローラ２０４の間で基板を移動するための基板運搬部２０６の一実施形態を示す。一実施形態において、基板運搬部８０６は、図３Ａ及び３Ｂに関して記載した基板運搬部１０６と同様の真空スリーブ１０２に構成及び配置されている。ただし、基板をプロセスチャンバへ引き出したり、引き込むのではなく、基板運搬部８０６を引き出したり、引き込んで、コネクタスリーブ２０２の複数のローラ２０４間に設けられた複数のリフトピン８１０へ基板を移動している。
動作中、引込位置８２０にある時、基板が基板運搬部８０６を通過する際に、基板運搬部８０６が上昇して、基板を複数のローラ１０４からリフトして、複数のローラ２０４及びリフトピン８１０の上にある引出位置８２２まで動かす。引出位置８２２から、基板運搬部８０６は、基板をリフトピン８１０へ下げ、引込位置８２０まで戻す。この代わりに、基板の基板運搬部８０６からのリフトを容易にする高さまで引き出してから、引込位置８２０に進むようにリフトピンは構成してもよい。リフトピン８１０は、基板を複数のローラ２０４へと下げてから、基板を次の所望の行き先へ動かす。
図１及び２を参照すると、本明細書に開示されている真空コンベヤシステムは拡張可能であり、特定の処理要件に必要とされる、数の少ない、又は数の多いプロセスチャンバに結合してよい。例えば、真空スリーブ１０２の長さ及び提供されるポート１０８の数を特定の用途について調整してよい。加えて、真空コンベヤシステムをセグメント化して、拡張可能性を促してもよい。例えば、１つのセグメントを、単一プロセスチャンバの幅とすることができる。多数のセグメントを、所望により、一緒に密閉可能に結合して、所望の数のプロセスチャンバを使用可能にするのに所望の長さの真空コンベヤシステムを形成してよい。
この代わりに、既知の数のプロセスチャンバを組み合わせて用いて、基板の標準プロセスを実施する場合には、セグメントを大きくして、コンポーネントの数、チャンバを一緒に密閉するのに必要な作業量、及び漏れの可能性を減じて、真空コンベヤシステムをより単純で、堅牢なものとしてもよい。例えば、典型的に、５つのＣＶＤチャンバのクラスタを設けて、基板の処理を実施する用途においては、真空搬送システム真空スリーブ１０２のセグメントは、５つの単一チャンバ幅のセグメントをつなぎあわせるよりは、幅方向の５つのプロセスチャンバする方がよい。
更に、真空コンベヤシステムは、モジュール式で、異なるプロセスを利用する、又は異なる圧力で動作するセクションを分離してもよい。例えば、第１のモジュールは、プロセスチャンバの第１のグループを含み、第２のモジュールは、プロセスチャンバの第２のグループを含む。プロセスチャンバの第１のグループ及び第２のグループは、異なる操作圧力で実行されるプロセスであってもよい。例えば、プロセスチャンバの第１のグループは、ＣＶＤチャンバを含み、チャンバの第２のグループは、ＰＶＤチャンバを含む。２つのモジュールは、本明細書に記載した真空コンベヤの実施形態のいずれかのように、独立して構成し、ロードロックを介して結合し、基板か真空コンベヤシステムモジュールのいずれかを大気圧に晒すことなく、モジュール間で移動できるようにしてもよい。
例えば、図９に、第１の真空コンベヤモジュール９５０１を有する真空コンベヤシステム９００を示す。これは、ロードロックチャンバ１１０により第２の真空コンベヤモジュール９５０ｎに結合されている。追加のロードロックチャンバ１１０は、第１及び第２の真空コンベヤモジュール９５０１及び９５０ｎのいずれかの端部に設けられていて、真空コンベヤシステム９００への出し入れを行う。第１の真空コンベヤモジュール９５０１は、その中に含まれるローラ９０４と基板運搬部９０６とを有する真空スリーブ９０２を含む。コネクタ９０８は、１つ以上のプロセスチャンバ９２０１〜９２０ｎとの連係を提供する。専用の基板運搬部９０６が、各プロセスチャンバに提供されている。第２の真空コンベヤモジュール９５０ｎは、同様に、その中に配置されたローラ９１４と基板運搬部９１６とを有する真空スリーブ９１２を含み、１つ以上のプロセスチャンバ９３０１〜９３０ｎと連係している。専用の基板運搬部９１６が、各プロセスチャンバ９３０ｎに提供されている。真空スリーブ、複数のローラ及び基板運搬部は、本明細書に記載した実施形態のいずれかを含み、真空ポンプ、制御器等といった真空コンベヤシステムを動作させるのに必要なその他コンポーネントの全てを更に含む。
第１及び第２の真空コンベヤモジュール９５０１及び９５０ｎは、ロードロック１１０を介して互いに密閉されるが、それらを異なるレベルの真空に保持してもよい。例えば、プロセスチャンバ９２０１〜９２０ｎが、プロセスチャンバ９３０１〜９３０ｎとは異なるレベルの真空を利用してプロセスを行う場合は、第１及び第２の真空コンベヤモジュール９５０１〜９５０ｎを夫々の真空レベルで保持して、その真空コンベヤモジュールに接続された特定のプロセスチャンバの真空レベルに相関させてもよい。例えば、ＣＶＤプロセスは、通常、ＰＶＤプロセスよりも高圧で動作する。このようなものとすると、プロセスチャンバ９２０１〜９２０ｎはＣＶＤチャンバのクラスタであって、これは、ＰＶＤプロセスチャンバのクラスタであるプロセスチャンバ９３０１〜９３０ｎから、ロードロック１１０により分離されている。この例だと、真空コンベヤモジュール９５０１で維持される圧力は、ＣＶＤプロセスチャンバ９２０１〜９２０ｎで維持される圧力に実質的に等しく、一方、真空コンベヤモジュール９５０ｎで維持される圧力は、ＰＶＤプロセスチャンバ９３０１〜９３０ｎで維持される低い圧力に実質的に等しい。
図１０に、ハイブリッドＣＶＤ／ＰＶＤ処理システム１０００のシステムの具体的な一実施形態を示す。このシステム１０００は、概して、第１の真空コンベヤモジュール１０１０を含む。これは、ロードロック１１０を通して、第２の真空コンベヤモジュール１０２０に結合されている。追加のロードロック１１０は、真空コンベヤモジュール１０１０及び１０２０の対向端部に設けられていて、真空コンベヤモジュール１０２０及び１０２０への出し入れを行う。図１０に示す実施形態において、空気コンベヤ１００２は、ロードロック１１０を介して第１のモジュール１０１０に結合されている。空気コンベヤ１００２によって、真空で動作しない処理チャンバに結合することができる。例えば、一実施形態において、複数のプロセスチャンバ１００８が、空気コンベヤ１００２に結合されており、真空コンベヤシステム１０００に入る前に基板を処理する。プロセスチャンバ１００８は例えば、予備堆積クリーニングチャンバであってよい。一実施形態において、予備堆積クリーニングチャンバは、夫々、８秒移動時間で、６０秒プロセスを実施し、６８秒の合計実サイクル時間（ＴＡＣＴ）となる。６８秒のＴＡＣＴとは、各プロセスチャンバ１００８で１時間に処理される５２枚の基板に相当する。図１０に示す実施形態においては、３つの予備堆積クリーニングチャンバ１００８があり、同時に実行されて、１時間当たり１５６枚の基板の合計基板処理量となる。
各基板の処理が終わると、ロードロック１１０を通して、第１の真空圧力に保持された第１の真空コンベヤモジュール１０１０へ移される。第１の真空コンベヤモジュール１０１０は、真空コンベヤ１０１２と複数のプロセスチャンバ１０１４とを含む。真空コンベヤ１０１２は、詳細を上述した様々な実施形態に記載した真空コンベヤシステムと同様である。図１０に示す実施形態において、２０のプロセスチャンバ１０１４が、第１の真空コンベヤモジュール１０１０内に配置されている。一実施形態において、プロセスチャンバ１０１４は、ＣＶＤプロセスチャンバである。ＣＶＤチャンバは、ゲート窒化シリコーン層、アモルファスシリコーン層及びドープシリコーン層の堆積等、様々なプロセスを実施する構成であってもよい。これらのプロセスは、夫々、同じ、又は異なるプロセスチャンバ１０１４にて、１チャンバ当たり１時間に６枚の基板の処理量で実施してよい。２０のチャンバを乗算すると、第１の真空コンベヤモジュール１０１０についての合計処理量は、１時間当たり１２０枚の基板に等しい。
第１の真空コンベヤモジュール１０１０内での基板の処理が終わったら、真空コンベヤ１０１２を通って、ロードロック１１０へ、そして第２の真空コンベヤモジュール１０２０へと基板を進める。第２の真空コンベヤモジュール１０２０は、前述した通り、真空コンベヤ１０２２と、複数のプロセスチャンバ１０２４とを含む。一実施形態において、６つのプロセスチャンバ１０２４が提供される。第２のモジュールにおけるプロセスチャンバ１０２４は、ＰＶＤチャンバであってよく、これは、第１のモジュールのＣＶＤチャンバより高い真空レベルで動作する。このように、第２の真空コンベヤモジュール１０２０の真空コンベヤ１０２２は、第１の真空コンベヤモジュール１０１０の真空コンベヤ１０１２より高い真空レベルに維持される。
ＰＶＤチャンバ１０２４は、基板で様々な真空プロセスを行えるように構成してよい。一実施形態において、プロセスチャンバ１０２４のうち２つが、基板上にモリブデン層を堆積するように構成されている。例えば、１，０００オングストロームの厚さのモリブデン層を、１分当たり約２，５００オングストロームの速度で基板に堆積してもよい。かかるプロセスは、概して、２４秒のプロセス時間、１０秒のオーバーヘッド、８秒の移動時間であり、４２秒のＴＡＣＴとなる。４２秒のＴＡＣＴとは、各チャンバで１時間当たり８５枚の基板に相当し、２つのチャンバの合計基板処理量は１時間当たり１７０枚の基板となる。
プロセスチャンバ１０２４のうち３つは、アルミニウム又はその他金属層を基板に堆積するように構成してもよい。例えば、３，０００オングストロームのアルミニウム層を、１分当たり約３，０００オングストロームの速度で基板に堆積する。かかるプロセスは、概して、６０秒のプロセス時間、１０秒のオーバーヘッド、８秒の移動時間であり、合計７８秒のＴＡＣＴとなる。７８秒のＴＡＣＴとは、各チャンバで１時間当たり４８枚の基板に相当し、３つのチャンバについての合計処理量は１時間当たり１３８枚の基板となる。
最後に、プロセスチャンバ１０２４は、基板上にモリブデン層を堆積するように構成してよい。例えば、５００オングストロームのモリブデン層を、１分当たり約２，５００オングストロームの速度で基板上に堆積する。かかるプロセスは、概して、１２秒のプロセス時間、１０秒のオーバーヘッド、８秒の移動時間であり、３０秒のＴＡＣＴとなる。３０秒のＴＡＣＴとは、１時間当たり約１２０枚の基板の処理量に相当する。
第２の真空コンベヤモジュール１０２０におけるＰＶＤプロセスの処理の完了時に、プロセス基板は、モジュール１０２０を出て、ロードロック１１０を通り、空気コンベヤ１００４へ移動し、そこで、基板は継続処理のために移動される。合計処理量は、最遅処理時間に応じて異なり、上述したハイブリッドＣＶＤ／ＰＶＤ処理システム１０００は、１時間当たり約１２０枚の基板の合計処理量である。
このように、真空コンベヤシステムの実施形態を提供してきた。真空コンベヤシステムは、従来の真空処理チャンバを利用してよく、拡張可能で、セグメント化され、且つ／又はモジュール式である。真空コンベヤシステムは、真空圧力で維持し易い小容量で、各プロセスチャンバに専用の基板運搬部を含んでいる。モジュール式真空コンベヤシステムは、ロードロックにより結合され、各モジュールに取り付けられたプロセスチャンバに対応する真空圧力で独立に維持される。真空コンベヤシステムは、システムを通る基板の動きを制御するローラドライブシステムを有している。ローラドライブシステムは、ローラ間のサポートされていない領域における基板の前縁の垂下を打ち消すように構成してもよい。
上記の実施形態は、主に、直線の真空コンベヤシステムを参照しているが、真空コンベヤシステムは、オフセットな軸と平行又は非直線的にリンクされているものであってもよいものと考えられる。例えば、真空コンベヤシステム又はモジュールは、垂直に接続されたり、真空スリーブにより一緒にリンクされて、「Ｕ」字形構成をはじめとする他の角度の配置構造を与えてもよい。又、コンベヤシステムは、実質的に水平、傾斜、又は実質的に垂直配向で、基板を処理チャンバに供給してよい。更に、上記の実施形態は、主に、ガラス基板について説明してきたが、本明細書に開示された真空コンベヤシステムは、連続真空処理が行われるその他の基板、例えば、ポリマー基板や半導体基板の搬送及び処理に有用であると考えられる。
前述したことは、本発明の実施形態に関わるものであるが、本発明の他の更なる実施形態は、その基本的な範囲から逸脱することなく考案してよく、その範囲は、特許請求の範囲に基づいて定められる。
上に挙げた本発明の特徴が詳細に理解できるように、上に簡単にまとめた本発明を、添付図面にいくつか図解された実施形態を参照してより具体的に説明する。しかしながら、添付図面は本発明の代表的な実施形態を例示するだけであり、その範囲を限定するものとは考えられず、本発明は他の同様に有効な実施形態も認めることに留意すべきである。
真空コンベヤシステムの一実施形態の平面図である。 真空コンベヤシステムの部分側面図である。 真空コンベヤシステムの他の実施形態の平面図である。 〜 夫々、基板運搬部の一実施形態の詳細を示す真空コンベヤシステムの部分平面図及び側面図である。 〜 夫々、基板運搬部の他の実施形態の詳細を示す真空コンベヤシステムの部分平面図及び側面図である。 〜 夫々、基板運搬部の実施形態に用いるのが好適な磁気ラック及びピニオンドライブ機構の一実施形態の概略平面図及び側面図である。 図５Ａ〜Ｂの磁気ラック及びピニオンドライブ機構の磁気ピニオンの底面図である。 真空コンベヤシステムのローラドライブシステムの一実施形態の平面図である。 真空コンベヤシステムのローラの一実施形態の詳細を示す図である。 〜 ローラ構成の様々な実施形態を示す図である。 基板運搬部の他の実施形態の平面図である。 真空コンベヤシステムの他の実施形態の概略平面図である。 真空コンベヤシステムの他の実施形態の概略平面図である。 複数のローラの一実施形態の部分概略側面図である。
理解を促すために、図面で共通の同一の構成要素を示すのに、可能な場合は、同一の参照番号を用いている。一実施形態の要素及び特徴は、更に列挙することなく、他の実施形態に有益に組み込まれるものと考えられる。
しかしながら、添付の図面は本発明の代表的な実施形態を例示しているに過ぎないため、その範囲を限定するものとは考えられず、他の等しく有効な実施形態も認められることに留意すべきである。

Claims (114)

  1. 真空コンベヤシステムにおいて、
    第１の真空スリーブであって、前記第１の真空スリーブをプロセスチャンバに密閉可能に結合するためのポートを有する前記第１の真空スリーブと、
    前記第１の真空スリーブを通して、基板をサポート及び移動する複数のローラと、
    前記ポート近傍の前記第１の真空スリーブ内に配置された第１の基板運搬部と
    を含む真空コンベヤシステム。
  2. 前記第１の真空スリーブを複数のプロセスチャンバに密閉可能に結合するための複数のポートを含み、各ポートが、それに近接配置された基板運搬部を有している請求項１記載のシステム。
  3. 前記第１の真空スリーブが、複数のセグメントを含む請求項２記載のシステム。
  4. 前記第１の真空スリーブ、前記複数のローラ及び前記基板運搬部が、第１の真空コンベヤモジュールの一部であり、前記真空コンベヤシステムが、ロードロックにより前記第１の真空コンベヤモジュールに結合された第２の真空コンベヤモジュールを含む請求項１記載のシステム。
  5. 前記第１の真空コンベヤモジュールが、第１の真空圧力に維持され、前記第２の真空コンベヤモジュールが、前記第１の真空圧力と異なる第２の真空圧力に維持されている請求項４記載のシステム。
  6. 前記第１の真空スリーブに結合されたロードロックを含む請求項１記載のシステム。
  7. 第１の領域を画定する前記複数のローラの一部が、前記複数のローラの残りのローラに対して独立して駆動される請求項１記載のシステム。
  8. 前記複数のローラが、複数の上昇位置で単一基板をサポートするように適合されており、前記基板の前縁が、輸送方向に前記複数のローラの直近するローラ上の上昇位置でサポートされている請求項１記載のシステム。
  9. 前記複数のローラが夫々、前記ローラの中心に対してオフセットな軸周囲で偏心的に回転し、前記複数のローラが、互いに回転位相不一致である請求項１記載のシステム。
  10. 前記複数のローラが、互いに約１８０度回転位相不一致である請求項９記載のシステム。
  11. 前記複数のローラが夫々、前記複数のローラの近接するローラに対して約９０度回転位相不一致である請求項９記載のシステム。
  12. 前記複数のローラが夫々、偏心形状であり、互いに回転位相不一致である請求項１記載のシステム。
  13. 前記複数のローラが、互いに約１８０度回転位相不一致である請求項１２記載のシステム。
  14. 前記複数のローラが夫々、前記複数のローラの近接するローラに対して約９０度回転位相不一致である請求項１２記載のシステム。
  15. 前記第１の基板運搬部が、前記複数のローラの下に待機位置と、前記複数のローラの上に移動位置とを有している請求項１記載のシステム。
  16. 前記第１の基板運搬部が、ブラケットに結合した複数のフィンガーを含み、前記フィンガーが、前記複数のローラの個々の間で垂直に動くように構成されている請求項１記載のシステム。
  17. 前記第１の基板運搬部が、内側基板運搬部と、独立に制御可能な外側基板運搬部とを含む請求項１記載のシステム。
  18. 前記外側基板運搬部が、第１のブラケットに結合された第１の複数のフィンガーを含み、前記内側基板運搬部が、第２のブラケットに結合された第２の複数のフィンガーを含む請求項１７記載のシステム。
  19. 前記第１の真空スリーブ内に配置された１つ以上の体積低減部を含む請求項１記載のシステム。
  20. 前記第１の真空スリーブに平行に配置された第２の真空スリーブを含み、その間に結合された複数のプロセスチャンバを有している請求項１記載のシステム。
  21. 前記第１の真空スリーブと前記第２の真空スリーブに実質的に垂直に配置されたコネクタスリーブを含み、前記コネクタスリーブが、前記第１の真空スリーブと前記第２の真空スリーブを結合している請求項２０記載のシステム。
  22. 前記第１の真空スリーブと前記コネクタスリーブの間の界面近傍に配置された第２の基板運搬部を含む請求項２１記載のシステム。
  23. 前記真空スリーブと前記コネクタスリーブの間の前記界面近傍に前記コネクタスリーブに配置された複数のリフトピンを含み、前記リフトピンが、前記第２の基板運搬部と連係するように構成されていて、前記第１の真空スリーブと前記コネクタスリーブの間で基板を交換する請求項２２記載のシステム。
  24. 各プロセスチャンバ近傍に配置された一対の基板運搬部を含み、一方の基板運搬部が、前記第１の真空スリーブに配置され、他方の基板運搬部が、前記第２の真空スリーブに配置されている請求項２０記載のシステム。
  25. 真空処理システムにおいて、
    第１の真空コンベヤモジュールを含み、前記第１の真空コンベヤモジュールが、
    前記第１及び第２の真空スリーブを有し、前記第１及び第２の真空スリーブが、前記第１及び第２の真空スリーブを通して、基板をサポート及び移動する複数のローラを封入しており、前記第１及び第２の真空スリーブを、複数のプロセスチャンバの夫々の第１の側及び対向する第２の側に、夫々、密閉可能に結合するための複数のポートを有しており、各ポートに近接配置された基板運搬部を有しており、
    前記第１のコネクタスリーブを有し、前記第１のコネクタスリーブが、前記第１の真空スリーブの第１の端部を、前記第２の真空スリーブの第１の端部に結合しており、前記第１のコネクタスリーブを通して、基板をサポート及び移動する複数のローラを有しており、
    第２の真空コンベヤモジュールと、
    前記第１の真空コンベヤモジュールを前記第２の真空コンベヤモジュールに結合する第１のロードロックとを含む真空処理システム。
  26. 前記基板運搬部が夫々、前記複数のローラの下に待機位置と、前記複数のローラの上に運搬位置とを有している請求項２５記載のシステム。
  27. 前記第１の真空スリーブと前記第１のコネクタスリーブの間の界面近傍に配置された基板運搬部を含む請求項２５記載のシステム。
  28. 複数のリフトピンを含み、前記リフトピンは、前記第１の真空スリーブと前記第１のコネクタスリーブの間の界面近傍の前記第１のコネクタスリーブに配置されており、前記第１の真空スリーブと前記第１のコネクタスリーブの間の前記界面近傍に配置された前記基板運搬部と連係するように構成されている請求項２７記載のシステム。
  29. 前記第２の真空コンベヤモジュールが、
    第３及び第４の真空スリーブを含み、前記第３及び第４の真空スリーブが、前記第４及び第５の真空スリーブを通して、基板をサポート及び移動する複数のローラを封入しており、前記第３及び第４の真空スリーブを、夫々、複数のプロセスチャンバの夫々の第１の側及び対向する第２の側に密閉可能に結合するための複数のポートを有しており、各ポートに近接配置された基板運搬部を有しており、
    第２のコネクタスリーブを含み、前記第３の真空スリーブの第１の端部を、前記第４の真空スリーブの第１の端部に結合しており、前記第２のコネクタスリーブを通して、基板をサポート及び移動する複数のローラを有している、請求項２５記載のシステム。
  30. 前記第１の真空コンベヤモジュールが、第１の真空圧力に維持され、前記第２の真空コンベヤモジュールが、前記第１と異なる第２の真空圧力に維持されている請求項２９記載のシステム。
  31. 第２のロードロックが、前記第１の真空コンベヤモジュールを、第１の大気圧力コンベヤシステムに結合している請求項２９記載のシステム。
  32. 前記第１の真空コンベヤモジュールが、複数の化学蒸着チャンバに結合されており、前記第２の真空コンベヤモジュールが、複数の物理蒸着チャンバに結合されている請求項２９記載のシステム。
  33. 前記第１の真空コンベヤモジュールが、２０の化学蒸着チャンバに結合され、前記第２の真空コンベヤモジュールが、６つの物理蒸着チャンバに結合され、
    前記処理システムが、１時間当たり少なくとも約１２０枚の基板の処理量を有する請求項２９記載のシステム。
  34. 基板を処理する方法において、
    （ａ）真空コンベヤシステムを提供する工程であって、前記真空コンベヤシステムが、第１の真空スリーブであって、前記第１の真空スリーブをプロセスチャンバに密閉可能に結合するためのポートを有する前記第１の真空スリーブと、前記第１の真空スリーブを通して、基板をサポート及び移動する複数のローラと、前記ポート近傍の前記第１の真空スリーブ内に配置された第１の基板運搬部とを有する、工程と、
    （ｂ）前記第１の真空スリーブを通して、第１の基板を、前記第１の基板運搬部の上の位置に搬送する工程と、
    （ｃ）前記第１の基板運搬部を垂直作動して、前記第１の基板を、前記複数のローラからリフトする工程と
    を含む基板を処理する方法。
  35. （ｄ）前記第１の基板運搬部を水平作動して、前記ポートを通して、前記第１の基板を動かす工程を含む請求項３４記載の方法。
  36. （ｅ）前記第１の基板を、前記第１の真空スリーブに結合したプロセスチャンバに配置された基板サポートに配置する工程を含む請求項３５記載の方法。
  37. （ｅ）第２の基板運搬部により、前記第１の真空スリーブに結合されたプロセスチャンバにおいて、基板サポートに配置された第２の基板をピックアップする工程と、
    （ｆ）前記第２の基板運搬部を引き込んで、前記第２の基板を、前記複数のローラに配置する工程と、
    （ｇ）前記第１の基板を、前記基板サポートに配置して、前記第１の基板運搬部を引き込む工程と
    を含む請求項３５記載の方法。
  38. 工程（ｅ）が、
    （ｅ１）前記第２の基板運搬部を、前記複数のローラの上の位置まで垂直作動させる工程と、
    （ｅ２）前記第２の基板運搬部を、水平作動させて、前記ポートを通して、前記第２の基板運搬部の複数のフィンガーを前記プロセスチャンバへ動かす工程と
    を含む請求項３５記載の方法。
  39. 前記真空コンベヤシステムが、第２の真空スリーブであって、前記第２の真空スリーブをプロセスチャンバに密閉可能に結合するためのポートを有する前記第２の真空スリーブと、前記第２の真空スリーブを通して、基板をサポート及び移動する複数のローラと、前記ポート近傍の前記第２の真空スリーブ内に配置された第２の基板運搬部とを含み、前記第１及び第２の真空スリーブが、平行に配置され、同じプロセスチャンバの対向するアクセスポートに結合されており、前記方法が、
    （ｄ）前記第２の基板運搬部により、前記プロセスチャンバにおいて、基板サポートに配置された第２の基板をピックアップする工程と、
    （ｅ）前記第２の基板運搬部を引き込んで、前記第２の基板を、前記第２の真空スリーブに配置された前記複数のローラに配置する工程と、
    （ｆ）前記第１の基板を、前記基板サポートに配置して、前記第１の基板運搬部を引き込む工程と
    とを含む請求項３４記載の方法。
  40. （ｄ）前記第１の基板運搬部を、水平作動させて、前記第１の真空スリーブに結合されたコネクタスリーブに配置された複数のリフトピン上に前記第１の基板を移動する工程を含む請求項３４記載の方法。
  41. 基板を運搬するための装置において、
    基板を搬送するよう構成された複数のローラを有するコンベヤと、
    基板運搬部とを含み、前記基板運搬部が、
    第１のブラケットと、
    前記第１のブラケットから水平に延在し、基板サポート表面を有する第１の複数のフィンガーとを含み、前記第１の複数のフィンガーが、前記複数のローラの近接するローラ間に配置されており、前記基板運搬部が、待機位置と移動位置の間で可動であり、前記待機位置が、前記複数のローラのサポート上昇位置の下に配置された前記第１の複数のフィンガーを有しており、前記移動位置が、前記複数のローラの上に配置された前記第１の複数のフィンガーを有している、基板を運搬するための装置。
  42. 前記基板運搬部の前記移動位置が、前記複数のローラの上及び側部である請求項４１記載の装置。
  43. 前記基板運搬部が、第１の水平運動アセンブリを含む請求項４１記載の装置。
  44. 前記基板運搬部が、前記第１のブラケットと前記第１の水平運動アセンブリの間に配置された第１の垂直運動アセンブリを含む請求項４３記載の装置。
  45. 前記基板運搬部が移動位置にある時、前記第１の垂直運動アセンブリが、前記複数のローラの近接するローラ間を動く請求項４４記載の装置。
  46. 前記第１の垂直運動アセンブリが、前記第１の複数のフィンガーの上昇を選択的に制御する請求項４４記載の装置。
  47. 前記第１の複数のフィンガーが、３つの上昇位置に配置されることができる請求項４６記載の装置。
  48. 前記第１の垂直運動アセンブリが、第２の垂直アクチュエータに直列に結合された第１の垂直アクチュエータを含む請求項４６記載の装置。
  49. 前記基板運搬部が、内側基板運搬部と、独立制御可能な外側基板運搬部とを含む請求項４１記載の装置。
  50. 前記内側基板運搬部が、前記第１のブラケットに結合した前記第１の複数のフィンガーを含み、前記外側基板運搬部が、第２のブラケットに結合した第２の複数のフィンガーを含む請求項４９記載の装置。
  51. 前記内側及び外側基板運搬部が、夫々、内側水平運動アセンブリと、外側水平運動アセンブリとを含む請求項５０記載の装置。
  52. 前記内側及び外側基板運搬部が、夫々、内側垂直運動アセンブリと、外側垂直運動アセンブリとを含み、前記内側及び外側垂直運動アセンブリが、夫々、前記第１のブラケットと前記内側水平運動アセンブリの間、及び前記第２のブラケットと前記外側水平運動アセンブリの間に配置されている請求項５１記載の装置。
  53. 前記内側及び外側基板運搬部が前記移動位置にある時、前記内側及び外側垂直運動アセンブリが、前記複数のローラの近接するローラ間を動く請求項５２記載の装置。
  54. 前記外側垂直アセンブリが、前記第２のブラケットと前記外側水平運動アセンブリの間に配置された一対のポストを含み、前記ポストが、十分に離れていて、前記複数のローラに配置された基板のいずれかの側を通過する、請求項５２記載の装置。
  55. 前記内側及び外側垂直運動アセンブリが、夫々、前記第１及び第２の複数のフィンガーの上昇を選択的に制御する請求項５２記載の装置。
  56. 前記第２の複数のフィンガーが、３つの上昇位置に配置されることができる請求項５２記載の装置。
  57. 前記内側垂直運動アセンブリが、第２の垂直アクチュエータに直列に結合された第１の垂直アクチュエータを含む請求項５２記載の装置。
  58. 前記外側垂直運動アセンブリが、第４の垂直アクチュエータに直列に結合された第３の垂直アクチュエータを含む請求項５７記載の装置。
  59. 基板を搬送するための装置において、
    ポートを有するコンベヤスリーブと、
    前記コンベヤスリーブを通して、基板をサポート及び移動する複数のローラと、
    前記ポート近傍の前記コンベヤスリーブ内に配置された基板運搬部と
    を含み、前記第１の基板運搬部が、
    第１のブラケットと、
    前記第１のブラケットから水平に延在し、基板サポート表面を有する第１の複数のフィンガーとを含み、前記第１の複数のフィンガーが、前記複数のローラの近接するローラ間に配置されており、前記第１の基板運搬部が、待機位置と移動位置の間で可動であり、前記待機位置が、前記複数のローラのサポート上昇位置の下に配置された前記第１の複数のフィンガーを有しており、前記移動位置が、前記複数のローラの上に配置された前記第１の複数のフィンガーを有している、基板を運搬するための装置。
  60. 前記基板運搬部の前記移動位置が、前記ポートを通して、前記第１の複数のフィンガーを動かす請求項５９記載の装置。
  61. 前記基板運搬部が、
    第１の水平運動アセンブリと、
    前記第１のブラケットと前記第１の水平運動アセンブリの間に配置された第１の垂直運動アセンブリと
    を含む請求項５９記載の装置。
  62. 前記基板運搬部が移動位置にある時、前記第１の垂直運動アセンブリが、複数のローラの近接するローラ間で動く請求項６１記載の装置。
  63. 前記第１の垂直運動アセンブリが、第２の垂直アクチュエータに直列に結合された第１の垂直アクチュエータを含む請求項６１記載の装置。
  64. 前記第１の複数のフィンガーが、３つの上昇位置に配置されることができる請求項５９記載の装置。
  65. 前記基板運搬部が、内側基板運搬部と、独立制御可能な外側基板運搬部とを含む請求項５９記載の装置。
  66. 前記内側基板運搬部が、前記第１のブラケットに結合した前記第１の複数のフィンガーを含み、前記外側基板運搬部が、第２のブラケットに結合した第２の複数のフィンガーを含む請求項６５記載の装置。
  67. 前記内側及び外側基板運搬部が、夫々、
    内側水平運動アセンブリ及び外側水平運動アセンブリと、
    内側垂直運動アセンブリ及び外側垂直運動アセンブリと
    を含み、前記内側及び外側運動アセンブリが、夫々、前記第１のブラケットと前記内側水平運動アセンブリの間、及び前記第２のブラケットと前記外側水平運動アセンブリの間に配置されている請求項６６記載の装置。
  68. 前記内側及び外側基板運搬部が前記移動位置にある時、前記内側及び外側垂直運動アセンブリが、夫々、前記複数のローラの近接するローラ間で動く請求項５９記載の装置。
  69. 前記外側垂直アセンブリが、前記第２のブラケットと前記外側水平運動アセンブリの間に配置された一対のポストを含み、前記ポストが十分に離れていて、前記複数のローラに配置された基板のいずれかの側を通過する、請求項５９記載の装置。
  70. 前記第２の複数のフィンガーが、３つの上昇位置に配置されることができる請求項５９記載の装置。
  71. 前記内側垂直運動アセンブリが、第２の垂直アクチュエータに直列に結合された第１の垂直アクチュエータを含む請求項５９記載の装置。
  72. 前記外側垂直運動アセンブリが、第４の垂直アクチュエータに直列に結合された第３の垂直アクチュエータを含む請求項７１記載の装置。
  73. 前記第１のブラケットが、前記第２のブラケットの下に配置されている請求項６６記載の装置。
  74. 基板を移動する方法において、
    第１の基板を、複数のローラを有するコンベヤでサポートする工程と、
    前記複数のローラの下及び間に配置された待機位置から、第１の基板運搬部の第１の複数のフィンガーを持ち上げて、前記複数のローラから前記基板をリフトする工程と
    を含む基板を移動する方法。
  75. 前記第１の基板運搬部を水平に延在させて、前記コンベヤの前記側部に前記第１の基板を配置する工程を含む請求項７４記載の方法。
  76. 前記第１の基板を一組のリフトピンに配置する工程と、前記第１の基板運搬部を前記待機位置まで戻す工程とを含む請求項７５記載の方法。
  77. 前記一組のリフトピンが、プロセスチャンバ内に配置されている請求項７６記載の方法。
  78. 前記一組のリフトピンが、第２のコンベヤに配置されている請求項７７記載の方法。
  79. 第２の基板運搬部の第２の複数のフィンガーを、前記複数のローラの下及び間に位置する待機位置から、前記複数のローラの上及び側部に位置する延在位置まで上に動かす工程と、
    前記コンベヤに近接配置されたプロセスチャンバにおいて、基板サポートに配置された第２の基板をピックアップする工程と、
    前記第２の基板運搬部を引き込んで、前記第２の基板を、前記複数のローラに配置する工程と、
    前記第１の基板運搬部を水平に延在して、前記プロセスチャンバにおいて、前記第１の基板を、前記基板サポートに配置する工程と
    を含む請求項７４記載の方法。
  80. 第２の基板運搬部の第２の複数のフィンガーを、第２のコンベヤに配置された第２の複数のローラの下及び間に位置する待機位置から、前記第２の複数のローラの上及び側部に位置する延在位置まで上に動かす工程であって、前記第２のコンベヤが前記第１のコンベヤに平行に配置されていて、プロセスチャンバが、前記第１のコンベヤと前記第２のコンベヤの間に配置されている工程と、
    前記プロセスチャンバにおいて、基板サポートに配置された第２の基板をピックアップする工程と、
    前記第２の基板運搬部を引き込んで、前記第２の基板を、前記第２の複数のローラに配置する工程と、
    前記第１の基板運搬部を水平に延在して、前記プロセスチャンバにおいて、前記第１の基板を、前記基板サポートに配置する工程と
    を含む請求項７４記載の方法。
  81. 基板を搬送するための装置において、
    真空スリーブと、
    前記真空スリーブ内に配置され、基板をサポート及び搬送するための複数のローラとを含み、前記複数のローラが、複数の上昇位置でそこに前記基板を同時にサポートするように適合されていて、前記基板の前縁が、輸送方向に、前記複数のローラの近接する１つのローラの上の上昇位置でサポートされている、基板を搬送するための装置。
  82. 前記複数のローラが、前記ローラの中心に対してオフセットな軸周囲を偏心的に回転する請求項８１記載の装置。
  83. 前記複数のローラが、互いに回転位相不一致である請求項８２記載の装置。
  84. 前記複数の駆動ローラが、互いに約１８０度回転位相不一致である請求項８２記載の装置。
  85. 前記複数の駆動ローラが夫々、前記複数の駆動ローラの近接するローラに対して約９０度回転位相不一致である請求項８２記載の装置。
  86. サポートされた基板の輸送方向における、前記複数のローラのいずれか１つのローラから、前記複数のローラの近接する１つのローラへの位相変化の方向が、前記複数のローラの回転方向と反対である請求項８５記載の装置。
  87. 前記複数のローラの少なくとも１つのローラが、複数の円柱体を含み、前記円柱体が、前記円柱体の中央軸からオフセットの回転軸を通して軸に結合されている請求項８２記載の装置。
  88. 前記複数のローラが、偏心形状である請求項８１記載の装置。
  89. 前記複数のローラが、互いに回転位相不一致である請求項８８記載の装置。
  90. 前記複数のローラが、互いに約１８０度回転位相不一致である請求項８８記載の装置。
  91. 前記複数のローラが夫々、前記複数のローラの近接するローラに対して約９０度回転位相不一致である請求項８８記載の装置。
  92. サポートされた基板の輸送方向における、前記複数のローラのいずれか１つのローラから、前記複数のローラの近接する１つのローラへの位相変化の方向が、前記複数のローラの回転方向と反対である請求項９１記載の装置。
  93. 前記複数のローラの少なくとも１つのローラが、軸を含み、前記軸が、それに結合した複数の偏心体を有し、前記複数の偏心体が、互いに位置合せされている請求項８８記載の装置。
  94. 前記複数のローラに結合した複数のアクチュエータを含む請求項８１記載の装置。
  95. 前記複数のアクチュエータの第１のアクチュエータが、そこを搬送されている前記基板の前縁の下に配置された前記ローラを選択的に持ち上げる請求項９４記載の装置。
  96. 前記複数のアクチュエータの第２のアクチュエータが、前記基板の前記前縁近傍の近接するローラを下げる請求項９５記載の装置。
  97. 前記複数のアクチュエータの第１のアクチュエータが、そこを搬送されている前記基板の前縁の下に配置された前記ローラの後の前記ローラを選択的に下げる請求項９４記載の装置。
  98. 前記複数のローラが、駆動されている請求項８１記載の装置。
  99. 前記複数のローラが、独立して駆動されている請求項９８記載の装置。
  100. 前記複数のローラの一部が、前記複数のローラの前記残りのローラに対して、独立して駆動されている請求項９８記載の装置。
  101. 基板を搬送するための装置において、
    真空スリーブと、
    前記真空スリーブ内に配置され、基板をサポート及び搬送するための複数の偏心形状のローラとを含み、前記複数のローラの第１のローラが、輸送方向に、前記複数のローラの近接する１つのローラの上の上昇位置で、前記基板の前縁をサポートしている、基板を搬送するための装置。
  102. 前記複数のローラが、駆動されている請求項１０１記載の装置。
  103. 前記複数のローラの一部が、前記複数のローラの前記残りのローラに対して、独立して駆動されている請求項１０２記載の装置。
  104. 前記複数のローラが、互いに回転位相不一致である請求項１０１記載の装置。
  105. 前記複数のローラの少なくとも１つのローラが、軸を含み、前記軸が、それに結合した複数の偏心体を有し、前記複数の偏心体が、互いに位置合せされている請求項１０１記載の装置。
  106. 基板を搬送するための装置において、
    真空スリーブと、
    前記真空スリーブ内に配置され、基板をサポート及び搬送するための複数の偏心形状の駆動ローラとを含み、前記複数の偏心形状の駆動ローラが、互いに回転位相不一致であり、前記複数のローラの第１のローラが、輸送方向に、前記複数のローラの近接する１つのローラの上の上昇位置で、前記基板の前縁をサポートしている、基板を搬送するための装置。
  107. 前記ローラが、独立して駆動されている請求項１０６記載の装置。
  108. 前記複数のローラの一部が、前記複数のローラの前記残りのローラに対して、独立して駆動されている請求項１０６記載の装置。
  109. 前記複数の偏心形状の駆動ローラの少なくとも１つのローラが、軸を含み、前記軸が、それに結合した複数の偏心体を有し、前記複数の偏心体が、互いに位置合せされている請求項１０６記載の装置。
  110. 基板を搬送する方法において、
    基板を、所望の方向に、複数のローラ上で動かす工程と、
    前記輸送方向に、近接するローラに対して、前記基板の前縁を持ち上げる工程と
    を含む基板を搬送する方法。
  111. 前記持ち上げる工程が、前記基板の前記前縁をサポートする前記複数のローラの第１のローラを持ち上げる工程を含む請求項１１０記載の方法。
  112. 前記持ち上げる工程が、前記基板の前記前縁をサポートする前記複数のローラの第１のローラに近接する前記複数のローラの第２のローラを下げる工程を含む請求項１１０記載の方法。
  113. 複数のローラを提供する工程を含み、前記複数のローラが、前記基板を複数の上昇位置でサポートする、偏心回転運動を有する請求項１１０記載の方法。
  114. 前記持ち上げる工程が、前記複数のローラで、前記基板をサポートする工程であって、前記基板の前記前縁が、前記複数のローラの近接する第２のローラのサポート表面により提供される、第２の上昇位置より高い第１の上昇位置で、前記複数のローラの第１のローラから延在するようにする工程を含む請求項１１０記載の方法。
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