CN101666951A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

在具有形成在形成了像素之相同基片上驱动电路的显示装置中，减少了显示装置的横向边框面积。栅极信号线驱动电路被放置在平行于源极信号线驱动电路，使得在相对于像素区域的四个方向上选择的至少两个相反方向没有提供有驱动电路。借助上述结构，在现有技术中栅极信号线驱动电路占有的面积被移去以减少显示装置的宽度(边到边)。因此，能够提供在横方向上具有小边框面积的显示装置。

Description

显示装置
本申请是2002年8月8日提交的、申请号为02143740.8、发明名称为“显示装置”的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及显示装置，其中多个像素被形成在绝缘表面上且改变像素亮度来显示图象。具体地，本发明涉及显示装置，其中用于控制像素亮度的驱动电路被提供在形成像素的相同绝缘表面上。
背景技术
显示装置被用在各种电子设备中。对于显示装置，特别是对于被用在便携式信息设备中的显示装置，要求体积和功耗降低。
对于体积和功耗降低而引人注意的显示装置是平板显示器，比如液晶显示装置和使用OLED(有机发光二极管)单元的OLED显示装置。
这些平板显示器每个都具有多个像素，它们在具有绝缘表面的基片上形成矩阵图形。通过使用驱动电路来有选择地将视频信号输入到一个像素和改变像素的亮度，这些平板显示形成图象。
将像素连接到驱动电路有各种方法。
作为将像素连接到用于控制像素亮度的驱动电路的一个方法，驱动电路被形成在诸如单晶IC基片的分离基片上，并且基片被焊接到具有其上形成像素的绝缘表面的基片顶面上。在这种情况下，需要大的面积以将单晶IC基片焊接到具有绝缘表面的其上形成了像素的基片。另外，在驱动电路和像素之间的布线电阻是大的。因此，提供体积小功耗低的显示装置是困难的。
在将像素连接到驱动电路的另一个方法中，驱动电路被整体地形成在形成了像素的同一绝缘表面上。驱动电路是由在形成了像素的相同绝缘表面上的薄膜晶体管(TFT)构成的。这个方法能够提供体积小功耗低的显示装置。
图9表示具有多个像素形成矩阵图形之像素区域和在像素区域周边形成的驱动电路的显示装置的顶视图。
源极信号线驱动电路902，栅极信号线驱动电路901(901A和901B)，以及像素区域903被放置在具有绝缘表面的基片900上。要被输入到驱动电路(源极信号线驱动电路902和栅极信号线驱动电路901)的信号是从FPC基片904供给的。
当从上文观察时，除了像素区域903的显示装置的区域被称为边框(frame)。换言之，显示装置中的边框对应于不显示图象的区域。
在液晶显示装置中，每个像素的亮度是通过控制透射率确定的，其是通过控制每个液晶单元的取向实现的。液晶单元具有放置在两电极之间的液晶材料。液晶单元(下文中称为像素电极)电极之一被形成在形成了驱动电路和其它元件的基片上(下文中称为像素基片)，而液晶单元电极的另一个(反向电极)形成在分离基片上(下文中称为反向基片)。像素电极和反向电极被相互焊接使得像素电极面对反向电极。
在像素电极上，设置密封部件以包围像素区域和驱动电路，并且然后焊接反向电极。液晶材料被密封在由像素基片，反向电极和密封部件包围的空间中。当图9表示的显示装置是液晶显示装置时，906是用来将像素基片900焊接到反向基片的密封部件。反向基片和液晶材料在图9中没有示出。
在OLED显示装置中，每个像素的亮度是通过控制每个OLED单元的光发射确定的。在构成驱动电路的TFT和其它元件形成之后，OLED单元被形成在像素基片上。当与外部空气接触时，OLED单元被氧气，湿气等自然地相当大地退化。由于这个原因，OLED显示装置采用这种结构，其中覆盖部件在OLED单元形成之后设置以将OLED单元与外部空气分开。覆盖部件使用密封部件被焊接到像素基片的顶面。
在像素基片上，设置密封部件从而包围像素区域和驱动电路，并且然后焊接覆盖部件。OLED单元被密封在由像素基片，覆盖部件和密封部件包围的空间中。当图9表示的显示装置是OLED显示装置时，906是密封部件。覆盖部件在图9中没有示出。
对包括液晶显示装置和OLED显示装置的各种显示装置，以下是公知的，即像素区域903具有x个(x是自然数)相互平行配置的源极信号线S1到Sx和y个(y是自然数)相互平行配置的并与源极信号线S1到Sx垂直的栅极信号线G1到Gy。通过源极信号线S1到Sx和栅极信号线G1到Gy，像素被选择和被选择的像素的亮度被控制。
源极信号线驱动电路902将信号输入到多个源极信号线S1到Sx。栅极信号线驱动电路901(901A和901B)将信号输入到多个栅极信号线G1到Gy。驱动电路902和901被形成在像素区域903的周边。
由移位寄存器和其它元件构成的源极信号线驱动电路902在图中箭头指示的扫描方向上顺序地输出信号。所输出的信号被输入到多个源极信号线S1到Sx。通常，源极信号线驱动电路902被配置成使得扫描方向垂直于被相互平行配置的源极信号线S1到Sx。类似地，由移位寄存器和其它元件构成的栅极信号线驱动电路901在图中箭头指示的扫描方向上顺序地输出信号。所输出的信号被输入到多个栅极信号线G1到Gy。通常，栅极信号线驱动电路901被配置成使得扫描方向垂直于被相互平行配置的栅极信号线G1到Gy。
图9中，栅极信号线驱动电路901(901A和901B)被形成在像素区域的左边和右边。另外，像素区域只有一侧可以具有栅极信号线驱动电路。
按上述配置的栅极信号线驱动电路901的扫描方向被叫做行方向，而源极信号线驱动电路902的扫描方向被叫做列方向。
图9中，源极信号线驱动电路902被形成为平行于长方形像素区域903四个边的一个。栅极信号线驱动电路901A和901B每个被形成为平行于长方形两边的一个，其不同于平行于源极信号线驱动电路902的边和不相对着源极信号线驱动电路902。
在本说明书中，对像素基片900上像素区域903的四个边，被连接到FPC基片904的边被叫做上边，而与上边相对的边叫做下边。
对像素基片900上像素区域903的四个边，与连接到FPC基片904的边相邻的一个边和与该边相对着的边分别叫做像素区域的左边和右边。
通常，源极信号线驱动电路902的位置是最靠近焊接FPC基片的区域。因此，源极信号线驱动电路902一般被放置在像素区域903的上面。另一方面，栅极信号线驱动电路901在像素基片900上被放置在像素区域903的左边和右边。
从像素基片900上像素区域903的四个边，源极信号线驱动电路902可以被放置在与连接FPC基片904的边相对着的边上。在这种情况下，源极信号线驱动电路的位置是在像素区域的下面。
假设像素区域903的上，下，左和右分别对应于显示装置的上，下，左和右。
诸如蜂窝电话的便携式信息设备的用户要求尽可能大的屏幕用于显示图象和减小设备本身的宽度以便易于携带。
为了获得尽可能大的显示屏和尽可能大的减小设备体的宽度，结合在设备体中的显示装置边框的面积不得不减小。
在如图9表示结构的显示装置中，栅极信号线驱动电路901A和901B被放置在像素区域903的左右。
而且，密封部件906在像素基片900上被形成栅极信号线驱动电路901A和901B的外部上。因此，显示装置左边和右边上的边框面积不能被减小。
而且，由于连接了FPC基片，在像素区域的上下边上，边框的面积能够仅仅被减小到极限的程度。
发明内容
根据上文提出了本发明，因此本发明的目的是提供一种显示装置，其具有用于将信号提供给形成了多个像素和已经减小了在其左右边上的边框面积的相同绝缘表面上的多个像素的驱动电路。
本发明提供了一种具有用于将信号提供给形成了多个像素之同一绝缘表面上的多个像素的驱动电路的显示装置，其中，第一驱动电路(栅极信号线驱动电路)是平行于第二驱动电路(源极信号线驱动电路)。这样，在从关于像素区域之四个方向的至少两个相反方向上，没有放置驱动电路，由此获得在其左右边上被减小边框面积的显示装置。
这里，将栅极信号线驱动电路和源极信号线驱动电路相互平行放置意味着栅极信号线的扫描方向是平行于源极信号线驱动电路的扫描方向。
在该规则中，驱动电路的扫描方向意思是调整电路的方向，每个调整电路是与多个信号线的一个相联系的，信号是从驱动电路输入到该多个信号线。
通常，如果从源极信号线驱动电路输出的信号被通过尽可能短的距离被输入到像素区域则是理想的。因此，当源极信号线驱动电路和栅极信号线驱动电路被形成在像素区域的相同边上时，源极信号线驱动电路被配置成使得比栅极信号线驱动电路更靠近像素区域。
将栅极信号线驱动电路放置得比源极信号线驱动电路更靠近像素区域也是可能的。
或者，源极信号线驱动电路仅仅被放置在像素区域之上或者之下，而栅极信号线驱动电路仅仅被放置在像素区域的一侧上，该侧是相对着形成了源极信号线驱动电路的侧。
当源极信号线驱动电路和栅极信号线驱动电路按上述配置时，采用下面的结构以顺序地扫描像素区域中的栅极信号线。
在第一结构中，栅极信号线驱动电路将信号输出到引出栅极信号线，其垂直于像素区域中的栅极信号线。
如果栅极信号线驱动电路和源极信号线驱动电路是位于像素区域的相同侧上，同时将源极信号线驱动电路放置成比栅极信号线驱动电路更靠近像素区域，则引出栅极信号线被引入穿入源极信号线驱动电路的像素区域中，源极信号线驱动电路被夹在栅极信号线驱动电路和像素区域之间。
引出栅极信号线被分别连接到像素区域中它们相关的栅极信号线。这样，栅极信号线驱动电路顺序地将信号输入到像素区域中的栅极信号线。
在像素区域中，被连接到栅极信号线的引出栅极信号线可以被形成在形成了栅极信号线的相同层上或者可以被形成在不同层上。
引出栅极信号线平行于像素区域中的源极信号线。通过形成引出栅极信号线使得重叠平行布线线，孔径比能够增加。
在第二结构中，栅极信号线驱动电路的输出在横向方向被引入像素区域。
在这种情况下，密封部件能够被放置在栅极信号线之上。布线线路占有面积因此被减少，显示装置横方向上边框面积因此被减少。
借助上述结构，现有技术中栅极信号线驱动电路占有的面积被去掉以减少显示装置的宽度(边到边)。因此，能够提供在横向方向上具有小的边框面积的显示装置。
附图说明
附图中：
图1A到1C是表示根据本发明显示装置结构的示意图；
图2A到2B是表示根据本发明显示装置像素布线结构的示意图；
图3A到3J是表示根据本发明显示装置结构的示意图；
图4是表示根据本发明显示装置结构的示意图；
图5A到5C是表示根据本发明显示装置像素布线结构的示意图；
图6A到6D是表示根据实施例1液晶显示装置像素结构的示意图；
图7A到7E是表示根据实施例2的OLED像素结构的示意图；
图8A到8E是表示根据实施例3的OLED像素结构的示意图；
图9是表示传统显示装置结构的示意图；
图10是表示根据实施例1的液晶显示装置像素结构的电路示意图；
图11是表示根据实施例2的OLED显示装置像素结构的电路示意图；
图12是表示根据实施例3的OLED显示装置像素结构的电路示意图；
图13A到13F是表示根据实施例4显示装置结构的示意图；
图14A和14B是表示在实施例6中使用本发明显示装置之电子没备的示意图；
图15A到15D是表示在本发明显示装置中密封部件和栅极信号线引出部分之结构的示意图；和
图16A和16B是表示根据实施例5的OLED显示装置像素结构的剖面图。
具体实施方式
[实施例模式1]
在具有驱动电路(源极信号线驱动电路和栅极信号线驱动电路)的显示装置中，该驱动电路用于控制要被输入到多个像素的信号，该多个像素被形成在形成了多个像素的同一绝缘表面上，源极信号线驱动电路和栅极信号线驱动电路放置在像素区域的四个边外相同侧。源极信号线驱动电路被放置在比栅极信号线驱动电路更靠近像素区域，而来自栅极信号线驱动电路的信号通过源极信号线驱动电路被输入到像素区域。
没有驱动电路(源极信号线驱动电路和栅极信号线驱动电路)被放置到像素区域的左右。
图1A到1C表示本发明实施例模式1的结构。
图1A是表示显示装置结构的顶视图。显示装置具有像素基片100，其上配置了像素区域103，源极信号线驱动电路102，栅极信号线驱动电路101，FPC基片104和密封部件106。
源极信号线驱动电路102被形成在像素区域103上。栅极信号线驱动电路101被形成在与源极信号线驱动电路102平行的像素区域103上。
图1A中由110表示的区域的详细结构被表示在图1B中，由111表示的区域的详细结构被表示在图1C中。
图1B中由101a表示的是一部分栅极信号线驱动电路101。102a表示一部分源极信号线驱动电路102。在这里的像素区域中，配置了x(x是自然数)个源极信号线和y个(y是自然数)栅极信号线。
区域110中，从栅极信号线驱动电路101a输出的信号被输入到引出栅极信号线GDi-2到GDi+2(i是等于或大于3的自然数)。引出栅极信号线GDi-2到GDi+2被引入像素区域103，同时穿过源极信号线驱动电路102a。源极信号线驱动电路102a将信号输入到源极信号线Sj-2到Sj+2(j是等于或大于3的自然数)。源极信号线Sj-2到Sj+2被配置成平行于引出栅极信号线GDi-2到GDi+2。
从源极信号线驱动电路引入到像素区域的信号线可以被叫作引出源极信号线和与像素区域103中配置的源极信号线区别开。但是，在这里的像素区域中的引出源极信号线和源极信号线为解释缘故通常被叫作源极信号线。
在图1C表示的区域111中，被引入像素区域103的引出栅极信号线GDi-2到GDi+2被分别连接到栅极信号线Gi-2到Gi+2。
源极信号线等在图1C中没有表示。
类似于区域110，信号从整个栅极信号线驱动电路101被输入到所有的引出栅极信号线GD1到GDz(z是自然数)以将信号输入到像素区域。信号从整个源极信号线驱动电路102被输入到源极信号线S1到Sx以将信号输入到像素区域103。类似于区域111，在像素区域103中，栅极信号线G1到Gy分别与引出栅极信号线GD1到GDz相关并被连接到引出栅极信号线GD1到GDz。
这里，假设引出栅极信号线数z与栅极信号线数y相等。
通常，源极信号线数x不同于栅极信号线数y。如果源极信号线数x大于栅极信号线数y，则存在源极信号线和引出栅极信号线被交替引入到像素区域的面积和源极信号线被单独引入到像素区域的面积。否则，引出栅极信号线的布线间隔宽于源极信号线的布线间隔。
当像素的孔径比在透过性显示装置中重要时，上述的状态能够引起像素之间亮度的波动。然后，引出栅极信号线数z可以被设置为等于源极信号线数x，并且(x-y)个引出栅极信号线被作为没有信号输入的虚布线。
下面将说明实施例模式1的第一结构，其中，引出栅极信号线被形成在形成了栅极信号线的相同层上。
图2A和2B是表示一部分像素区域的结构的顶视图。
图2A中，引出栅极信号线GDi-1到GDi+1和栅极信号线Gi-1到Gi+1被形成在相同层上。栅极信号线Gi被连接到引出栅极信号线GDi。另一方面，栅极信号线Gi不被连接到引出栅极信号线GDj(j是等于或小于y但不等于i的自然数)，并且，通过形成在与形成了栅极信号线Gi的层不同的层上形成的布线线路，线Gi和GDj相互交叉。
这样，在整个像素区域，引出栅极信号线GD1到GDy被分别连接到栅极信号线G1到Gy。
图2B是在图2A中由200表示的区域的放大视图。
引出栅极信号线GDi通过布线线路201与栅极信号线Gi-1相交，该布线线路201被形成在与形成了栅极信号线Gi和Gi-1的层不同的层上。换言之，在交叉栅极信号线Gi-1之前，被形成在形成了栅极信号线Gi-1之相同层上的引出栅极信号线GDi被通过接触孔202a连接到布线线路201。在引出栅极信号线GDi交叉栅极信号线Gi-1之前，布线线路201通过接触孔202b被再次连接到引出布线线路GDi，其被形成在形成了栅极信号线Gi-1的相同层上。引出栅极信号线GDi和栅极信号线Gi以这种方式被相互连接。
图2A和2B中表示的结构对这种显示装置是有效的，其中发射光不通过像素基片被观看，例如反射式液晶显示装置和向上发射OLED显示装置。
下面说明的是实施例模式1的第二结构，其中引出栅极信号线和栅极信号线被形成在不同层上。说明将参考图5A到5C被给出。
图5A到5C是表示像素区域一部分结构的顶视图。
如图5A中表示，引出栅极信号线GDi和GDi+1被形成在与形成了栅极信号线Gi和Gi+1的层不同的层上。不是引出栅极信号线和栅极信号线的布线线路在图5A中没有表示。
引出栅极信号线GDi和栅极信号线Gi通过接触孔501i被相互连接。类似地，引出栅极信号线GDi+1和栅极信号线Gi+1通过接触孔501i+1被相互连接。
图5B表示一个例子，其中源极信号线Si和Si+1被布置成使得重叠引出栅极信号线GDi和GDi+1。在这种情况下，源极信号线Si和Si+1，栅极信号线Gi和Gi+1以及引出栅极信号线GDi和GDi+1被形成在三个不同的层上。一个像素用500表示。
引出栅极信号线GDi和栅极信号线Gi通过接触孔502i被相互连接。类似地，引出栅极信号线GDi+1和栅极信号线Gi+1通过接触孔502i+1被相互连接。
在电源线被布置成重叠引出栅极信号线的图5B的结构中，像素的孔径比能够升高。图5B中表示的结构对这种显示装置是有效的，其中观看的光是通过像素基片发射的，例如透射式液晶显示装置和向下发射OLED显示装置。
图5C表示一个例子，其中电源线Vi和Vi+1被布置成使得重叠引出栅极信号线GDi和GDi+1。在这种情况下，电源线Vi和Vi+1，栅极信号线Gi和Gi+1以及引出栅极信号线GDi和GDi+1被形成在三个不同的层上。电源线Vi和Vi+1与源极信号线Si和Si+1可以被形成在相同层或者不同层上。一个像素用500表示。
引出栅极信号线GDi和栅极信号线Gi通过接触孔503i被相互连接。类似地，引出栅极信号线GDi+1和栅极信号线Gi+1通过接触孔503i+1被相互连接。
在电源线被布置成重叠引出栅极信号线的图5C的结构中，像素的孔径比能够被升高。图5C中表示的结构对这种显示装置是有效的，其中观看的光是通过像素基片发射的，例如透射式液晶显示装置和向下发射OLED显示装置。
在实施例模式1中，栅极信号线驱动电路被放置在源极信号线驱动电路上使得源极信号线驱动电路比栅极信号线驱动电路更靠近像素区域。另外，栅极信号线驱动电路可以被放置在比源极信号线驱动电路更靠近像素区域。
实施例模式1表示的显示装置中，能够缩短沿其引导的引出栅极信号线的距离。因此，对于其像素区域具有相对大的面积的显示装置，实施例模式1是有效的。
该实施例模式能够被自由地应用到任何结构的显示装置，只要其具有由用于选择像素列的驱动电路(源极信号线驱动电路)和用于选择像素行的驱动电路(栅极信号线驱动电路)驱动的像素。例如，该实施例模式适用于液晶显示装置和OLED显示装置。
根据本实施例模式的显示装置的像素能够是任何公知的结构，只要它们被布线成用于选择像素列(源信号线)的信号线和用于选择像素行(栅极信号线)的信号线。而且，该实施例模式能够采用对于源极信号线驱动电路和栅极信号线驱动电路为任何公知结构的驱动电路。
例如，栅极信号线驱动电路可以是这种类型，其由移位寄存器和其它元件构成以顺序输出信号，或者为这种类型，其由解码器和其它元件构成以便以任意次序顺序地输出信号。
[实施例模式2]
根据实施例模式2，在具有用于控制将信号输入到在形成了多个像素之相同绝缘表面上形成的多个像素的驱动电路(源极信号线驱动电路和栅极信号线驱动电路)的显示装置中，栅极信号线驱动电路被配置成平行于源极信号线驱动电路并且从栅极信号线驱动电路输出的信号通过源极信号线驱动电路的周边和像素区域的周边被引导输入到在横方向的像素区域中的栅极信号线。按上述构成的显示装置的示意图被表示在图4中。
图4中，显示装置具有像素基片300，在其上布置了栅极信号线驱动电路301(301A和301B)，源极信号线驱动电路302，像素区域303，FPC基片304和密封部件306。
栅极信号线驱动电路301(301A和301B)被布置在像素区域303的上面和下面，平行于源极信号线驱动电路302。栅极信号线驱动电路的输出信号通过由图4中333表示的区域中被引入的布线线从像素区域303的左右边被输入到像素区域303的栅极信号线。
另外，仅仅一个栅极信号线驱动电路301可以被布置在像素区域303的上面或者下面。
如果密封部件重叠被引导通过像素区域303左右的栅极信号线，则显示装置的横向边框面积能够被极大地降低。
从栅极信号线驱动电路被引导到像素区域的信号线可以被叫作引出栅极信号线并且与在像素区域303中配置的栅极信号线区分开。但是，为解释的缘故，在这里，引出栅极信号线和像素区域中的栅极信号线通常被叫作栅极信号线。
图15A到15D是表示一个例子的示意图，其中引出的栅极信号线和密封部件被配置成相互重叠。
图15A是通过像素区域左边引出的栅极信号线的顶视图。栅极信号线G1到Gy’被配置为相互平行和通过像素区域1510左边的区域引到像素区域1510。密封部件1511被形成在栅极信号线G1到Gy’的上面。图15B是沿图15A的A-A’线所做的剖面图。在图15B中，栅极信号线G1到Gy’被形成在像素基片1500的绝缘表面1501上。密封部件1511被形成在栅极信号线G1到Gy’上。
通过像素区域1510的边被布置成相互平行的栅极信号线G1到Gy’可以全部重叠密封部件1511，如图15A和15B表示。或者，仅仅某些通过像素区域1510的边被布置成相互平行的栅极信号线G1到Gy’可以重叠密封部件1511。图15C表示一种结构的顶视图，其中仅仅某些通过像素区域1510的边被引入和被布置成相互平行的栅极信号线G1到Gy’重叠密封部件1511。沿图15C的B-B’线所做的剖面图被表示在图15D中。在图15C和15D中，与图15A和15B中等同的元件是用相同的标号表示，并且其解释被省略。
图15A到15D表示其中密封部件与栅极信号线接触的结构。但是，密封部件和栅极信号线可以相互重叠，同时在其间夹有中间层膜等。
如果图15A到15D表示的显示装置是液晶显示装置，则附图中省略了反向基片，取向膜，液晶材料等。如果图15A到15D表示的显示装置是OLED显示装置，则附图中省略了覆盖部件等。
其中栅极信号线引出部分被配置为重叠密封部件的上述结构使得有可能减少边框面积，即使当显示装置具有相当多的栅极信号线也是如此。
图3A到3J表示根据实施例模式2显示装置特定结构的例子。
图3A中，与图4中相同的元件由相同的标号表示，其解释被省略。
栅极信号线驱动电路301A被放置在源极信号线驱动电路302上，其被布置于像素区域303上。栅极信号线驱动电路301B被放置在像素区域303之下。
栅极信号线驱动电路301A和301B的输出信号通过源极信号线驱动电路302的周边和像素区域303的周边被引导输入像素区域303。
对于用于将栅极信号线驱动电路301A和301B的输出信号输入到像素区域的引导栅极信号线的特定例子，将参考图3B到3J给出详细说明。
被放置在像素区域的栅极信号线的数目是由y表示(y是自然数)。这里，为解释的缘故，y是4的倍数，但本发明不局限于此。
栅极信号线驱动电路301A被分成两块，301A_1和301A_2。栅极信号线驱动电路301B被分成两块，301B_1和301B_2。栅极信号线驱动电路301A_1是用于将信号输入到放置在像素区域303中的第一到第y/4的栅极信号线G1到G(y/4)的电路。放置有栅极信号线G1到G(y/4)之像素区域的面积是由303_1表示。栅极信号线驱动电路301A_2是用于将信号输入到放置在像素区域303中的第(y/4+1)到第y/2的栅极信号线G(y/4+1)到G(y/2)的电路。放置有栅极信号线G(y/4+1)到G(y/2)之像素区域的面积是由303_2表示。栅极信号线驱动电路301B_1是用于将信号输入到放置在像素区域303中的第(y/2+1)到第(3y/4)的栅极信号线G(y/2+1)到G(3y/4)的电路。放置有栅极信号线G(y/2+1)到G(3y/4)之像素区域的面积是由303_3表示。栅极信号线驱动电路301B_2是用于将信号输入到放置在像素区域303中的第(3y/4+1)到第y的栅极信号线G(3y/4+1)到Gy的电路。放置有栅极信号线G(3y/4+1)到Gy之像素区域的面积是由303_4表示。
首先，对于用于将栅极信号线驱动电路301A_1之输出信号输入到区域303_1的布线线路给出详细的说明。图3B到3D分别表示由图3A中的311a，312a和313a表示的区域的详细结构。
如图3B表示，从一部分栅极信号线驱动电路301A_1即301Aa输出的信号被输入到栅极信号线Gi-2到Gi+2。栅极信号线Gi-2到Gi+2在栅极信号线驱动电路301Aa和一部分源极信号线驱动电路302即302A之间能够改变它们的方向。这样，从栅极信号线驱动电路301A_1输出的信号通过栅极信号线G1到G(y/4)被引导到源极信号线驱动电路302的左端，该栅极信号线G1到G(y/4)在源极信号线驱动电路302和栅极信号线驱动电路301A_1之间是相互平行形成的。一旦栅极信号线G1到G(y/4)被引导到源极信号线驱动电路302的左端，它们的方向就被改变，并且信号通过从重叠密封部件306的像素区域303的左区域到区域303_1的左边被引导输入到区域303_1。图3C表示一部分密封部件306，306a，和一部分区域303_1，303a。如图3D中表示，信号因此被输入到栅极信号线Gi-2到Gi+2，其与像素区域303_1中的源极信号线(附图中由S表示)垂直。
下面，对于用于将栅极信号线驱动电路301A_2之输出信号输入到区域303_2的布线线路给出详细的说明。图3E到3G分别表示由图3A中的311b，312b和313b表示的区域的详细结构。
如图3E表示，从一部分栅极信号线驱动电路301A_2即301Ab输出的信号被输入到栅极信号线Gj-2到Gj+2。栅极信号线Gj-2到Gj+2在栅极信号线驱动电路301Ab和一部分源极信号线驱动电路302即302b之间能够改变它们的方向。这样，从栅极信号线驱动电路301A_2输出的信号通过栅极信号线G(y/4)+1到G(y/2)被引导到源极信号线驱动电路302的右端，该栅极信号线G(y/4)+1到G(y/2)在源极信号线驱动电路302和栅极信号线驱动电路301A_2之间是相互平行形成的。一旦栅极信号线G1到G(y/4)被引导到源极信号线驱动电路302的右端，它们的方向就被改变，并且信号通过从重叠密封部件306的像素区域303的右区域到区域303_2的右边被引导输入到区域303_2。图3F表示一部分密封部件306，306b，和一部分区域303_1，303b。如图3G中表示，信号因此被输入到栅极信号线Gj-2到Gj+2，其与像素区域303_2中的源极信号线(附图中由S表示)垂直。
对于用于将栅极信号线驱动电路301B_1之输出信号输入到区域303_3的布线线路给出详细的说明。图3H到3J分别表示由图3A中的311c，312c和313c表示的区域的详细结构。
如图3H表示，从一部分栅极信号线驱动电路301B_1即301Ba输出的信号被输入到栅极信号线Gk-2到Gk+2。栅极信号线Gk-2到Gk+2在栅极信号线驱动电路301Ba和一部分像素区域303_4即303c之间能够改变它们的方向。这样，从栅极信号线驱动电路301B_1输出的信号通过栅极信号线G(y/2+1)到G(3y/4)被引导到像素区域303的左端，该栅极信号线G(y/2+1)到G(3y/4)在像素区域303和栅极信号线驱动电路301B_1之间是相互平行形成的。一旦栅极信号线G(y/2+1)到G(3y/4)被引导到像素区域303的左端，它们的方向就被改变，并且信号通过从重叠密封部件306的像素区域303的左区域到区域303_3的左边被引导输入到区域303_3。图3I表示一部分密封部件306，306c，和一部分区域303_3，303c。如图3J中表示，信号因此被输入到栅极信号线Gi-2到Gi+2，其与像素区域303_3中的源极信号线(附图中由S表示)垂直。
类似地，尽管附图中没有表示，从栅极信号线驱动电路301B_2输出的信号在栅极信号线驱动电路301B_2和像素区域303_4之间被引导到像素区域303的右端。然后，方向被改变和信号通过重叠密封部件306之像素区域303的右区域被引导到区域303_4的右端以被输入到区域303_4。
在此，栅极信号线驱动电路301A_1，301A_2，301B_1和301B_2分别扫描以顺序地将信号输出到栅极信号线G1到Gy。这样，信号被顺序地输入到像素区域303的栅极信号线G1到Gy。
由于上述结构在像素区域一侧没有栅极信号线驱动电路，边框面积在像素区域的横方向上能够被进一步降低。如果密封部件被形成在被引导通过像素区域左右的栅极信号线之上，则显示装置边框的左右边界的宽度能够被更大地减少。
当栅极信号线被在四个方向引导，即正如上述结构中像素区域的上左，上右，下左和下右时，最多y/4个栅极信号线被相互平行地分别配置到像素区域的左右。如果栅极信号线驱动电路被仅仅放置在像素区域之上并且栅极信号线在一个方向上从像素区域的上左部引出，则最多y个栅极信号线被相互平行地配置到像素区域的左边。
通过将栅极信号线从该实施例模式中的几个方向引导到像素区域，相互平行配置在像素区域一侧的布线线路数能够被减少。这使得有可能进一步降低像素区域横向方向的边框面积。
用于将信号从FPC基片输入到驱动电路(源极信号线驱动电路302和栅极信号线驱动电路301)的信号线和电源线被形成在一个层上，该层与形成了被引导通过像素区域303周边的栅极信号线的层不同。
不同于实施例模式1，在实施例模式2中，从栅极信号线驱动电路输出的信号将被引导到像素区域303的左右。因此，沿此引导栅极信号线G1到Gy的距离在具有大像素区域的显示装置中是特别的长。但是，本实施例模式不需要在像素区域中放置垂直于栅极信号线的引出栅极信号线，并且因此能够增加透过性显示装置的孔径比率。另外，本实施例模式不要求穿过源极信号线驱动电路的引出栅极信号线，并且因此对源极信号线驱动电路的配置具有较少的限制。
因此，实施例模式2对具有非常小像素区域的显示装置是有效的。
本实施例模式能够自由地适用于任何结构的显示装置，只要其具有由用于选择像素列的驱动电路(源极信号线驱动电路)和用于选择像素行的驱动电路(栅极信号线驱动电路)驱动的像素。例如，该实施例模式适用于液晶显示装置和OLED显示装置。
根据本实施例模式的显示装置的像素能够是任何公知的结构，只要它们被布线成用于选择像素列(源极信号线)的信号线和用于选择像素行(栅极信号线)的信号线。而且，对源极信号线驱动电路和栅极信号线驱动电路，该实施例模式能够采用任何公知结构的驱动电路。
例如，栅极信号线驱动电路可以是由移位寄存器和其他元件构成的顺序输出信号的类型，或者由解码器和其他元件构成的以任意次序来顺序输出信号的类型。
[实施例1]
实施例1表示液晶显示装置的例子，其为如实施例模式1的图5B表示的结构。
图10是表示根据本实施例像素结构的电路示意图。
图10中，源极信号线602_1，栅极信号线603_1，开关TFT 607，以及电容单元(电容存储器)608被配置在一个像素600中。
由603_1到603_3表示的是栅极信号线。601_1到601_3是引出栅极信号线。606_1到606_3是公共线。
本实施例中，开关TFT 607是双栅TFT，其具有第一栅极和第二栅极。开关TFT 607第一和第二栅极之一接收电势Vcom，另一个被连接到栅极信号线603_1。
开关TFT 607具有源极区和漏极区，一个设连接到源极信号线602_1，另一个被连接到电容存储器608的一个电极和液晶单元609。电容存储器608的另一个电极被连接到公共线606_1。
栅极信号线603_1通过接触孔605_1被连接到引出栅极信号线601_1。类似地，栅极信号线603_2通过接触孔605_2被连接到引出栅极信号线601_2。栅极信号线603_3通过接触孔605_3被连接到引出栅极信号线601_3。
图6A到6D是按图10构成的液晶显示装置中像素的顶视图和剖面图。
在图6A到6D中，与图10相同的元件是由相同参考标记表示的并且其解释被省略。液晶单元中，仅仅由609表示的像素电极被表示在图6A到6D中，其反向基片，液晶层，对准层等被省略。
图6A是液晶显示装置的顶视图。图6B是沿图6A的A-A’线所做的剖面图。图6C是沿图6A的B-B’线所做的剖面图。图6D是沿图6A的C-C’线所做的剖面图。
如图6B表示，作为被形成在像素基片666上开关TFT 607的源极区和漏极区之一的668a被连接到源极信号线602_1，而另一个即668c通过布线线路612被连接到电容存储器608和像素电极609的电极之一上。这里，电容存储器608是由通过半导体层形成的电极613和具有夹在其间之绝缘膜669的公共线606_1构成的。670表示的是中间层膜。
开关TFT 607是双栅TFT，具有第一栅极603_1a和第二栅极610a，该第一栅极603_1a靠近具有夹在其间之绝缘膜669的沟道部分668b，该第二栅极610a靠近具有夹在其间之绝缘膜667的沟道部分668b。第一栅极603_1a是一部分栅极信号线603_1。第二栅极610a是一部分布线线路610，其接收电势Vcom。
引出栅极信号线601_1被形成以重叠电源线602_1。
如图6C表示，用于将电势Vcom给予开关TFT 607的第二栅极610a的布线线路610通过接触孔611被连接到布线线路614。布线线路610被引导到引出栅极信号线601_2之上。
如图6D表示，引出栅极信号线601_2通过接触孔605_2被连接到栅极信号线603_2。
当放置在每个像素中的TFT是如上述结构中的双栅TFT时，在被形成在不同层上的每个TFT的栅极中，栅极信号线能够被形成在形成了栅极之一的层上，而引出栅极信号线被形成在形成了其它栅极的层上。
[实施例2]
实施例2表示OLED显示装置的例子，其为如实施例模式1的图5C表示的结构。
图11是表示根据本实施例像素结构的电路示意图。
图11中，源极信号线704_1，栅极信号线703_1，电源线702_2，开关TFT 706，驱动TFT 707，以及电容单元(电容存储器)708被配置在一个像素700中。
由703_1到703_3表示的是栅极信号线。701_1到701_3是引出栅极信号线。704_1到704_3是源极信号线。702_1到702_3是电源线。
本实施例中，开关TFT 706是双栅TFT，其具有第一栅极和第二栅极。开关TFT 706第一和第二栅极之一接收电势Vcom，另一个被连接到栅极信号线703_1。
驱动TFT 707是双栅TFT，其具有第一栅极和第二栅极。驱动TFT 707第一栅极和其第二栅极被相互连接。
TFT特征分散能够通过使用双栅TFT减少。对于驱动TFT 707，有降低TFT特征分散的本质需要。因此，使用双栅TFT 707是有效方法。
开关TFT 706具有源极区和漏极区，一个被连接到源极信号线704_1，另一个被连接到电容存储器708的一个电极和驱动TFT 707的栅极(第一栅极和第二栅极)。电容存储器708的另一个电极被连接到电源线702_2。驱动TFT 707具有源极区和漏极区，一个被连接到电源线702_2，另一个被连接到OLED单元709的电极之一(像素电极)。
栅极信号线703_1通过接触孔705_1被连接到引出栅极信号线701_1。类似地，栅极信号线703_2通过接触孔705_2被连接到引出栅极信号线701_2。栅极信号线703_3通过接触孔705_3被连接到引出栅极信号线701_3。
图7A到7E是按图11构成的OLED显示装置中像素的顶视图和剖面图。
在图7A到7E中，与图11相同的元件是由相同参考标记表示的并且其解释被省略。OLED单元中，仅仅由709表示的像素电极被表示在图7A到7E中，其OLED层，覆盖部件等被省略。
图7A是OLED显示装置的顶视图。图7B是沿图7A的A-A’线所做的剖面图。图7C是沿图7A的B-B’线所做的剖面图。图7D是沿图7A的C-C’线所做的剖面图。图7E是沿图7A的D-D’线所做的剖面图。
如图7B表示，作为被形成在像素基片777上的开关TFT 706的源极区和漏极区之一的779a被连接到源极信号线704_1，而另一个即779c通过布线线路712被连接到布线线路715和716。781表示的是中间层膜。
开关TFT 706是双栅TFT，具有第一栅极703_1a和第二栅极710a，该第一栅极703_1a靠近具有夹在其间之绝缘膜780的沟道部分779b，该第二栅极710a靠近具有夹在其间之绝缘膜778的沟道部分779b。第一栅极703_1a是一部分栅极信号线703_1。第二栅极710a 是一部分布线线路710，其接收电势Vcom。
引出栅极信号线701_1被形成以重叠电源线702_1。
如图7C表示，作为驱动TFT 707的源极区和漏极区之一的782a通过布线线路717被连接到像素电极709，而另一个即782c被连接到电源线702_2。另外，引出栅极信号线701_2被形成以重叠电源线702_2。
驱动TFT 707是双栅TFT，具有第一栅极715a和第二栅极716a，该第一栅极715a靠近具有夹在其间之绝缘膜780的沟道部分782b，该第二栅极716a靠近具有夹在其间之绝缘膜778的沟道部分782b。第一栅极715a 是一部分布线线路715。第二栅极716a 是一部分布线线路716。另外，布线线路715和布线线路716被相互连接(见图7D)。
如图7D表示，布线线路715和716被相互连接。布线线路715用作为电容存储器708的一个电极。电容存储器的另一个电极是783，其由半导体层形成。783通过接触孔784被连接到电源线702_2。
引出栅极信号线701_2通过接触孔705_2被连接到栅极信号线703_2。
如图7E表示，用于将电势Vcom给予开关TFT 706的第二栅极710a的布线线710通过接触孔711被连接到布线线路714。布线线路710被引导到引出栅极信号线701_2之上。
当放置在每个像素中的TFT是如上述结构中的双栅TFT时，在被形成在不同层上的每个TFT的栅极中，栅极信号线能够被形成在形成了栅极之一的层上，而引出栅极信号线被形成在形成了其它栅极的层上。
[实施例3]
实施例2中已经给出第二个结构的例子。本实施例表示OLED显示装置的另一个例子，其为如实施例模式1第二个结构的图5C表示的结构。
图12是表示根据本实施例像素结构的电路示意图。图12中，与图11相同的元件用相同的参考标记表示。
图12中，源极信号线704_1，栅极信号线703_1，电源线702_2，开关TFT 706，驱动TFT 707，擦除TFT722，以及电容单元(电容存储器)708被配置在一个像素724中。
由703_1到703_3表示的是栅极信号线。701_1到701_3是引出栅极信号线。721_1到721_3是擦除栅极信号线。720_1到720_3是引出擦除栅极信号线。704_1到704_3是源极信号线。702_1到702_3是电源线。
本实施例中，开关TFT 706是双栅TFT，其具有第一栅极和第二栅极。开关TFT 706第一和第二栅极之一接收电势Vcom，另一个被连接到栅极信号线703_1。
驱动TFT 707也是双栅TFT，其具有第一栅极和第二栅极。驱动TFT 707第一栅极和其第二栅极被相互连接。
擦除TFT 722也是双栅TFT，其具有第一栅极和第二栅极。擦除TFT 722第一和第二栅极之一接收电势Vcom，另一个被连接到擦除栅极信号线721_1。
开关TFT 706具有源极区和漏极区，一个被连接到源极信号线704_1，另一个被连接到电容存储器708的一个电极和驱动TFT 707的栅极(第一栅极和第二栅极)。电容存储器708的另一个电极被连接到电源线702_2。驱动TFT 707具有源极区和漏极区，一个被连接到电源线702_2，另一个被连接到OLED单元709的电极之一(像素电极)。
擦除TFT 722具有源极区和漏极区，一个被连接到电源线702_2，另一个被连接到驱动TFT 707的栅极(第一栅极和第二栅极)。
栅极信号线703_1通过接触孔705_1被连接到引出栅极信号线701_1。类似地，栅极信号线703_2通过接触孔705_2被连接到引出栅极信号线701_2。栅极信号线703_3通过接触孔705_3被连接到引出栅极信号线701_3。
擦除栅极信号线721_1通过接触孔723_1被连接到引出擦除栅极信号线720_1。类似地，擦除栅极信号线721_2通过接触孔723_2被连接到引出擦除栅极信号线720_2。擦除栅极信号线721_3通过接触孔723_3被连接到引出擦除栅设信号线720_3。
图8A到8E是按图12构成的OLED显示装置中像素的顶视图和剖面图。
在图8A到8E中，与图12相同的元件是由相同参考标记表示的并且其解释被省略。OLED单元中，仅仅由709表示的像素电极被表示在图8A到8E中，其OLED层，覆盖部件等被省略。
图8A是OLED显示装置的顶视图。图8B是沿图8A的A-A’线所做的剖面图。图8C是沿图8A的C-C’线所做的剖面图。图8D是沿图8A的E-E’线所做的剖面图。图8E是沿图8A的D-D’线所做的剖面图。沿图8A的B-B’线所做的剖面图与图7C的相同。
如图8B表示，作为被形成在像素基片777上开关TFT 706的源极区和漏极区之一的779a被连接到源极信号线704_1，而另一个即779c通过布线线路712被连接到布线线路715和716。781表示的是中间层膜。
开关TFT 706是双栅TFT，具有第一栅极703_1a和第二栅极710a，该第一栅极703_1a靠近具有夹在其间之绝缘膜780的沟道部分779b，该第二栅极710a靠近具有夹在其间之绝缘膜778的沟道部分779b。第一栅极703_1a是一部分栅极信号线703_1。第二栅极710a是一部分布线线路710，它接收电势Vcom。
引出栅极信号线701_1被形成为重叠电源线702_1。而且，引出擦除栅极信号线720_1被形成为重叠源极信号线704_1。
如图7C表示，布线线路715和716连接。布线线路715用作为电容存储器708的一个电极。电容存储器的另一个电极是783，其由半导体层形成。783通过接触孔784被连接到电源线702_2。
引出栅极信号线701_2通过接触孔705_2被连接到栅极信号线703_2。
如图8D表示，作为擦除TFT 722的源极区和漏极区之一的799a被连接到布线线路715，而另一个即799c被连接到电源线702_2。
擦除TFT 722是双栅TFT，具有第一栅极721_1a和第二栅极710a，该第一栅极721_1a靠近具有夹在其间之绝缘膜780的沟道部分799b，该第二栅极710a靠近具有夹在其间之绝缘膜778的沟道部分799b。第一栅极721_1a是一部分擦除栅极信号线721_1。第二栅极710a是一部分布线线路710，它接收电势Vcom。
引出擦除栅极信号线720_1被形成为重叠源极信号线704_1。引出擦除栅极信号线720_1通过接触孔723_1被连接到擦除栅极信号线721_1。
如图7E表示，用于将电势Vcom给予开关TFT 706第二栅极和擦除TFT 722第二栅极710a的布线线路710通过接触孔711被连接到布线线路714。布线线路710被引导到引出栅极信号线701_2和引出擦除栅极信号线720_1之上。
当放置在每个像素中的TFT是如上述结构中的双栅TFT时，在被形成在不同层上的每个TFT的栅极中，栅极信号线和擦除栅极信号线能够被形成在形成了栅极之一的层上，而引出栅极信号线和引出擦除栅极信号线被形成在形成了其它栅极的层上。
[实施例4]
实施例模式2显示装置的例子已经被表示在图3A到3J中。本实施例给出显示装置的另一个特定例子，其为如实施例模式1的图4表示的结构。
图13A到13F表示根据本实施例显示装置的结构。图13A到13F中与图3A到3J中表示的实施例模式2相同的元件用相同的参考标记表示。
图13A是显示装置的顶视图。栅极信号线驱动电路1301(1301A和1301B)，源极信号线驱动电路302，像素区域303，FPC基片304，和密封部件306被配置在像素基片300上。
栅极信号线驱动电路1301A和1301B的输出信号被引导通过源极信号线驱动电路302的周边和像素区域303的周边，并且被输入到像素区域303。
参考图13B到13F详细说明用于将栅极信号线驱动电路1301A和1301B的输出信号输入到像素区域303的引导栅极信号线的特定例子。
放置在像素区域中的栅极信号线的数目用y表示(y是自然数)。这里，为解释的缘故，y是4的倍数，但本发明不局限于此。
栅极信号线驱动电路1301A被分成两块，1301A_1和1301A_2。栅极信号线驱动电路1301B被分成两块，1301B_1和1301B_2。
栅极信号线驱动电路1301A_1是用于将信号从放置在像素区域303中的第一到第(y/2)个栅极信号线G1到G(y/2)输入到偶数栅极信号线的电路。栅极信号线驱动电路1301A_2是用于将信号从放置在像素区域303中的第一到第(y/2)个栅极信号线G1到G(y/2)输入到奇数栅极信号线的电路。放置了用于接收从栅极信号线驱动电路1301A_1和1301A_2输出信号的栅极信号线G1到G(y/2)的像素区域303的面积是由303_A表示的。
类似地，栅极信号线驱动电路1301B_1是用于将信号从放置在像素区域303中的第(y/2+1)到第y个栅极信号线G(y/2+1)到Gy输入到偶数栅极信号线的电路。栅极信号线驱动电路1301B_2是用于将信号从放置在像素区域303中的第(y/2+1)到第y个栅极信号线G(y/2+1)到Gy输入到奇数栅极信号线的电路。放置了用于接收从栅极信号线驱动电路1301B_1和1301B_2输出信号的栅极信号线G(y/2+1)到Gy的像素区域303的面积是由303_B表示的。
首先，对于用于将栅极信号线驱动电路1301A_1的输出信号输入到区域303_A的布线线路给出详细说明。图13B和13C分别表示由图13A中1311a和1312a表示的区域的详细结构。
如图13B表示，从一部分栅极信号线驱动电路1301A_1即1301Aa输出的信号被输入到栅极信号线Gi-4，Gi-2，Gi，Gi+2，和Gi+4。栅极信号线Gi-4，Gi-2，Gi，Gi+2，和Gi+4在栅极信号线驱动电路1301Aa和一部分源极信号线驱动电路302即302a之间能够改变它们的方向。这样，从栅极信号线驱动电路1301A_1输出的信号通过奇数栅极信号线从栅极信号线G1到G(y/2)被引导到源极信号线驱动电路302的左端，该栅极信号线G1到G(y/2)在源极信号线驱动电路302和栅极信号线驱动电路1301A_1之间是相互平行形成的。一旦栅极信号线被引导到源极信号线驱动电路302的左端，它们的方向就被改变，并且信号通过重叠密封部件306之像素区域303的左区域被引导到区域303_A的左边而被输入到区域303_A。图13C表示一部分密封部件306，306a，和一部分区域303_A，303a。
下面，对于用于将栅极信号线驱动电路1301A_2的输出信号输入到区域303_A的布线线路给出详细说明。图13D和13E分别表示由图13A中1311b和1312b表示的区域的详细结构。
如图13D表示，从一部分栅极信号线驱动电路1301A_2即1301Ab输出的信号被输入到栅极信号线Gi-5，Gi-3，Gi-1，Gi+1，和Gi+3。栅极信号线Gi-5，Gi-3，Gi-1，Gi+1，和Gi+3在栅极信号线驱动电路1301Ab和一部分源极信号线驱动电路302即302b之间能够改变它们的方向。这样，从栅极信号线驱动电路1301A_2输出的信号通过奇数栅极信号线从栅极信号线G1到G(y/2)被引导到源极信号线驱动电路302的右端，该栅极信号线G1到G(y/2)在源极信号线驱动电路302和栅极信号线驱动电路1301A_2之间是相互平行形成的。一旦栅极信号线被引导到源极信号线驱动电路302的右端，它们的方向就被改变，并且信号通过重叠密封部件306之像素区域303的右区域被引导到区域303_A的右边而被输入到区域303_A。图13E表示一部分密封部件306，306b，和一部分区域303_A，303b。
如图13F中表示，上述结构将信号输入到栅极信号线Gi-5到Gi+4，其在一部分像素区域303_A即1313ab中是垂直于源极信号线(在图中由S表示)。
类似地，栅极信号线也从栅极信号线驱动电路1301B_1和1301B_2被引导连接到像素区域303_B的栅极信号线。
这样，来自栅极信号线驱动电路1301A和1301B的信号被输入到像素区域303的栅极信号线G1到Gy。
用于将信号从FPC基片输入到驱动电路(源极信号线驱动电路302和栅极信号线驱动电路1301)的信号线和电源线被形成在不同于其上形成了引导通过像素区域303周边的栅极信号线之层的层上。
本实施例能够自由地适用于任何结构的显示装置，只要其具有由用于选择像素列的驱动电路(源极信号线驱动电路)和用于选择像素行的驱动电路(栅极信号线驱动电路)驱动的像素。例如，该实施例适用于液晶显示装置和OLED显示装置。
根据本实施例的显示装置的像素能够是任何公知的结构，只要它们被布线成用于选择像素列(源信号线)的信号线和用于选择像素行(栅极信号线)的信号线。而且，该实施例能够采用对于源极信号线驱动电路和栅极信号线驱动电路为任何公知结构的驱动电路。
例如，栅极信号线驱动电路可以是这种类型，其由移位寄存器和其它元件构成以顺序输出信号，或者为这种类型，其由解码器和其它元件构成以便以任意次序顺序地输出信号。
[实施例5]
本实施例表示将本发明显示装置应用到OLED显示装置的例子。
图16A和16B是剖面图，每个表示根据本发明OLED显示装置的结构。本实施例中，OLED单元和用于将漏极电流单独流到OLED单元的驱动TFT被表示为构成OLED显示装置之像素的元件。
本说明书中，OLED单元指具有夹着OLED层之阳极和阴极的单元，该OLED层通过依赖于产生的电场之电致发光效应发光。
本说明书中术语OLED单元包括利用伴随从单激发态到基态跃迁之光发射(荧光)的OLED单元和利用伴随从三重激发态到基态跃迁之光发射(磷光)的OLED单元。
OLED层是由空穴注入层，空穴传输层，光发射层，电子传输层，电子注入层等构成的。OLED单元的基本结构是阳极，光发射层和阴极以该顺序层叠构成。基本结构可以被改进为由阳极，空穴注入层，光发射层，电子注入层和阴极构成的以该顺序层叠的结构，或者为阳极，空穴注入层，空穴传输层，光发射层，电子传输层，电子注入层和阴极构成的以该顺序层叠的结构。
图16A中，驱动TFT1601被形成在像素基片1600上。驱动TFT1601是双栅TFT，其具有第一栅极1603a，第二栅极1603b，以及沟道形成区域1604b。沟道形成区域1604b被夹在绝缘膜1602和1605之间，其依次被夹在第一和第二栅极之间。驱动TFT1601具有源极区域和漏极区域，其中一个是由1604a表示，另一个由1604c表示。在形成驱动TFT1601之后，形成中间层膜1606。
驱动TFT1601的结构不局限于附图中表示的。任何公知结构的TFT能够被采用作为驱动TFT 1601。
接下来形成的是透明导电膜，典型为ITO膜，其然后被构图为希望的形状以获得像素电极1608。像素电极1608在这里用作为阳极。驱动TFT的到达源极区和漏极取的接触孔即1604a和1604c被形成在中间层膜1606中。由Ti层，包含Ti的Al层，以及另一个Ti层构成的叠层被形成和构图为希望的形状以获得布线线路1607和1609。TFT是由将布线线路1609接触像素电极1608构成为导电的。
然后从诸如丙烯酸的有机树脂材料形成绝缘膜。在绝缘膜中在与OLED单元1614像素电极1608的位置一致的位置形成开口以获得绝缘膜1610。该开口不得不被形成为具有渐渐的足够锥形的侧壁以避免因在开口侧壁中的级差导致的OLED层的损坏或不连续。
接着形成OLED层1611。之后，从由厚度等于或小于2nm的铯(Cs)膜和厚度等于或小于10nm的银(Ag)膜构成的以该顺序成层的叠层中形成OLED单元1614的相对电极(阴极)1612。如果OLED单元1614的相对电极1612很薄，则在OLED层1611中产生的光被透过相对电极1612且在与像素基片1600相反的方向上发射。接着，形成保护膜1613以保护OLED单元1614。
在与像素基片1600相反方向发光的显示装置中，OLED单元1614的光发射不需要传过在像素基片1600侧形成的包括驱动TFT 1601的元件以观看。因此，这种类型的显示装置能够具有大的孔径比。
如果TiN等被用来形成像素电极以及诸如ITO膜的透明导电膜被用作为相对电极，像素电极1608可以用作为阴极，同时相对电极1612用作为阳极。然后，在OLED层1611产生的光能够在与像素基片1600相反方向上从阳极侧发射出。
图16B是表示具有不同于图16A结构之OLED单元的像素结构的剖面图。
图16B中与图16A相同的元件在解释中是用相同的参考标记表示的。
向上通过形成驱动TFT 1601和中间层膜1606，图16B的像素是通过与图16A像素的工艺相同的工艺形成的。
接着，驱动TFT的到达源极区和漏极区的接触孔即1604a和1604c被形成在中间层膜1606中。之后，由Ti层，包含Ti的Al层，以及另一个Ti层构成的叠层被形成，接着形成一般为ITO膜的透明导电膜。由Ti层，包含Ti的Al层，以及另一个Ti层构成的叠层和一般为ITO膜的透明导电膜被构图为希望的形状以获得布线线路1621和1619和像素电极1620。布线线路1621是由1617和1618构成的。像素电极1620用作为OLED单元1624的阳极。
然后从诸如丙烯酸的有机树脂材料形成绝缘膜。在绝缘膜中在与OLED单元1614像素电极1620的位置一致的位置形成开口以获得绝缘膜1610。该开口不得不被形成为具有渐渐的足够锥形的侧壁以避免因在开口侧壁中的级差导致的OLED层的损坏或不连续。
接着形成OLED层1611。之后，从由厚度等于或小于2nm的铯(Cs)膜和厚度等于或小于10nm的银(Ag)膜构成的以该顺序成层的叠层中形成OLED单元1624的相对电极(阴极)1612。如果OLED单元1624的相对电极1612很薄，则在OLED层1611中产生的光被透过相对电极1612且在与像素基片1600相反的方向上发射。接着，形成保护膜1613以保护OLED单元1624。
在与像素基片1600相反方向发光的显示装置中，OLED单元1624的光发射不需要传过在像素基片1600侧形成的包括驱动TFT 1601的元件以观看。因此，这种类型的显示装置能够具有大的孔径比。
如果TiN等被用来形成像素电极以及诸如ITO膜的透明导电膜被用作为反向电极，像素电极1620和布线线路1621可以用作为阴极，同时相对电极1612用作为阳极。然后，在OLED层1611产生的光能够在与像素基片1600相反方向上从阳极侧发射出。
与图16A表示结构的像素比较，图16B中表示结构的像素能够减少制造工艺中要求的光掩膜的数目并且能够简单化该工艺，因为被连接到驱动TFT之源极区或漏极区的布线线路1619和像素电极1620能够通过使用相同的光掩膜被构图。
本实施例可以与实施例1到4自由地结合。
[实施例6]
本发明的显示装置能够被用到电子设备。
使用本发明显示装置的电子没备的例子被表示在图14A和14B中。
图14A表示便携式信息终端，其由主体1400，显示部分1401，电源开关1402，操作键1403，外连接端口1404，音频输出部分1405，音频输入部分1406，摄像机部分1407等构成。本发明的显示装置能够被用到显示部分1401。结果，如图14A中表示的，在具有显示部分1401之显示屏周围的边框宽度W1能够被减少，因此，便携式信息终端装置的主体的宽度W2能够减少。
因此，提供了便于携带的便携式信息装置。
图14B表示蜂窝电话，其由主体1410，显示部分1411，电源开关1412，操作键1413，外输入端口1414，音频输出部分1415，音频输入部分1416，天线1417等构成。本发明的显示装置能够被用到显示部分1411。结果，如图14B中表示的，在具有显示部分之显示屏周围的边框宽度W3能够被减少，因此，蜂窝电话的主体的宽度W4能够减少。
因此，提供了便于携带的蜂窝电话。
显示装置不局限于上述例子，其也能够用于各种电子设备。
本实施例可以与实施例1到4自由地结合。
根据本发明，在具有用于将信号输入到被形成在按上述结构形成了多个像素之相同绝缘表面上的多个像素之驱动电路(源极信号线驱动电路和栅极信号线驱动电路)的显示装置中，栅极信号线驱动电路配置成平行于源极信号线驱动电路。在显示装置横方向上边框面积能够被因此减少。

Claims (8)

1.一种显示装置，包括：
在第一基片上的像素部分，包括：
配置成矩阵的多个栅信号线和多个源信号线；
配置成与所述多个栅信号线平行的多个线；以及
各包括薄膜晶体管的多个像素；
在第一基片上的栅驱动器，并电连接到所述多个栅信号线；以及
在第一基片上的源驱动器，并电连接到所述多个源信号线；以及
将第一基片和第二基片结合且在所述多个栅信号线中的至少一个上的密封部件，其中所述密封部件与所述栅信号线之间夹有中间层膜，
其中多个像素中的每一个电连接到多个栅信号线中的相应一个、多个源信号线中的相应一个、以及多个线中的相应一个，
其中栅驱动器和源驱动器被配置在一个方向上，该方向选自四个方向，该四个方向是关于像素部分的上、下、左和右，以及
其中多个栅信号线直角弯曲。
2.一种显示装置，包括：
在第一基片上的像素部分，包括：
配置成矩阵的多个栅信号线和多个源信号线；
配置成与所述多个栅信号线平行的多个线；以及
各包括薄膜晶体管的多个像素；
在第一基片上的栅驱动器，并电连接到所述多个栅信号线；以及
在第一基片上的源驱动器，并电连接到所述多个源信号线；以及
将第一基片和第二基片结合且在所述多个栅信号线中的至少一个上的密封部件，其中所述密封部件与所述栅信号线之间夹有中间层膜，
其中多个像素中的每一个电连接到多个栅信号线中的相应一个、多个源信号线中的相应一个、以及多个线中的相应一个，
其中栅驱动器和源驱动器被配置在一个方向上，该方向选自四个方向，该四个方向是关于像素部分的上、下、左和右，
其中多个栅信号线直角弯曲，以及
其中栅驱动器的输出信号从像素部分的左和右输入到像素部分中的多个栅信号线。
3.一种显示装置，包括：
在第一基片上的像素部分，包括：
配置成矩阵的多个栅信号线和多个源信号线；
配置成与所述多个栅信号线平行的多个线；以及
各包括薄膜晶体管的多个像素，其中薄膜晶体管的源区和漏区之一连接到多个源信号线的其中之一，而薄膜晶体管的源区和漏区的另一个连接到电容器存储器；
在第一基片上的栅驱动器，并电连接到所述多个栅信号线；以及
在第一基片上的源驱动器，并电连接到所述多个源信号线；以及
将第一基片和第二基片结合且在所述多个栅信号线中的至少一个上的密封部件，其中所述密封部件与所述栅信号线之间夹有中间层膜，
其中多个像素中的每一个电连接到多个栅信号线中的相应一个、多个源信号线中的相应一个、以及多个线中的相应一个，
其中栅驱动器和源驱动器被配置在一个方向上，该方向选自四个方向，该四个方向是关于像素部分的上、下、左和右，以及
其中多个栅信号线直角弯曲。
4.一种显示装置，包括：
在第一基片上的像素部分，包括：
配置成矩阵的多个栅信号线和多个源信号线；
配置成与所述多个栅信号线平行的多个线；以及
各包括薄膜晶体管的多个像素，其中薄膜晶体管的源区和漏区之一连接到多个源信号线的其中之一，而薄膜晶体管的源区和漏区的另一个连接到电容器存储器；
在第一基片上的栅驱动器，并电连接到所述多个栅信号线；以及
在第一基片上的源驱动器，并电连接到所述多个源信号线；以及
将第一基片和第二基片结合且在所述多个栅信号线中的至少一个上的密封部件，其中所述密封部件与所述栅信号线之间夹有中间层膜，
其中多个像素中的每一个电连接到多个栅信号线中的相应一个、多个源信号线中的相应一个、以及多个线中的相应一个，
其中栅驱动器和源驱动器被配置在一个方向上，该方向选自四个方向，该四个方向是关于像素部分的上、下、左和右，以及
其中多个栅信号线直角弯曲，以及
其中栅驱动器的输出信号从像素部分的左和右输入到像素部分中的多个栅信号线。
5.根据权利要求1至4中的任一个所述的显示装置，
其中所述显示装置是液晶显示装置。
6.根据权利要求1至4中的任一个所述的显示装置，
其中所述显示装置是有机发光二极管显示装置。
7.根据权利要求1至4中的任一个所述的显示装置，
其中所述显示装置用于便携式信息终端。
8.根据权利要求1至4中的任一个所述的显示装置，
其中所述显示装置用于蜂窝电话。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103985371A (zh) * 2014-05-31 2014-08-13 深圳市华星光电技术有限公司 驱动电路、柔性显示装置及柔性拼接显示装置
WO2016201829A1 (zh) * 2015-06-15 2016-12-22 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、其驱动方法及显示装置
CN107077033A (zh) * 2014-10-01 2017-08-18 苹果公司 具有竖直栅极线延伸部和最小化边框的显示器
CN107481666A (zh) * 2017-08-16 2017-12-15 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机发光二极管显示器
US10720109B2 (en) 2017-08-16 2020-07-21 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Organic light emitting diode display device
CN114203043A (zh) * 2021-12-10 2022-03-18 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板与显示装置

Families Citing this family (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4789369B2 (ja) * 2001-08-08 2011-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
US7078322B2 (en) 2001-11-29 2006-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a thin film transistor
JP4011344B2 (ja) * 2001-12-28 2007-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP1326273B1 (en) * 2001-12-28 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US6933527B2 (en) * 2001-12-28 2005-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and semiconductor device production system
US6841797B2 (en) 2002-01-17 2005-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device formed over a surface with a drepession portion and a projection portion
US6847050B2 (en) 2002-03-15 2005-01-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element and semiconductor device comprising the same
DE10308515B4 (de) 2003-02-26 2007-01-25 Schott Ag Verfahren zur Herstellung organischer lichtemittierender Dioden und organische lichtemittierende Diode
JP4689188B2 (ja) * 2003-04-25 2011-05-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US7250720B2 (en) 2003-04-25 2007-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP3947848B2 (ja) * 2003-06-12 2007-07-25 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP2005005227A (ja) * 2003-06-16 2005-01-06 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ発光表示装置
KR100551046B1 (ko) * 2003-08-28 2006-02-09 삼성에스디아이 주식회사 유기 이엘 소자
US7532187B2 (en) * 2004-09-28 2009-05-12 Sharp Laboratories Of America, Inc. Dual-gate transistor display
CA2828619C (en) * 2004-05-05 2018-09-25 Direct Flow Medical, Inc. Prosthetic valve with an elastic stent and a sealing structure
KR100601324B1 (ko) * 2004-07-27 2006-07-14 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광 소자
US20060054889A1 (en) * 2004-09-16 2006-03-16 Jang-Soo Kim Thin film transistor array panel
US8619007B2 (en) 2005-03-31 2013-12-31 Lg Display Co., Ltd. Electro-luminescence display device for implementing compact panel and driving method thereof
DE102006014873B4 (de) * 2005-03-31 2019-01-03 Lg Display Co., Ltd. Ansteuerungsverfahren für eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung
KR101149936B1 (ko) * 2005-04-26 2012-05-30 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광패널
KR101227134B1 (ko) * 2005-07-05 2013-01-28 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치
EP1717789B1 (en) * 2005-04-26 2016-04-13 LG Display Co., Ltd. Electro luminescence display device
KR100624314B1 (ko) * 2005-06-22 2006-09-19 삼성에스디아이 주식회사 발광표시장치 및 박막트랜지스터
TWI330726B (en) * 2005-09-05 2010-09-21 Au Optronics Corp Display apparatus, thin-film-transistor discharge method and electrical driving method therefor
KR101240648B1 (ko) * 2006-01-10 2013-03-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP4911983B2 (ja) * 2006-02-08 2012-04-04 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置
TWI336945B (en) * 2006-06-15 2011-02-01 Au Optronics Corp Dual-gate transistor and pixel structure using the same
KR20080009889A (ko) * 2006-07-25 2008-01-30 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR101274037B1 (ko) * 2006-09-25 2013-06-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP5282372B2 (ja) * 2007-05-11 2013-09-04 ソニー株式会社 表示装置及び電子機器
JP2008292654A (ja) * 2007-05-23 2008-12-04 Funai Electric Co Ltd 液晶モジュール
US8772774B2 (en) * 2007-12-14 2014-07-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Backplane structures for organic light emitting electronic devices using a TFT substrate
JP5207885B2 (ja) * 2008-09-03 2013-06-12 キヤノン株式会社 画素回路、発光表示装置及びそれらの駆動方法
JP5298862B2 (ja) * 2009-01-07 2013-09-25 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
CN102386236B (zh) * 2008-10-24 2016-02-10 株式会社半导体能源研究所 半导体器件和用于制造该半导体器件的方法
JP2010153813A (ja) 2008-11-18 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその作製方法、並びに、携帯電話機
JP2010157493A (ja) * 2008-12-02 2010-07-15 Sony Corp 表示装置およびその製造方法
TWI393947B (zh) * 2009-06-12 2013-04-21 Au Optronics Corp 顯示裝置
US20110058770A1 (en) * 2009-09-10 2011-03-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Sub-surface engraving of oled substrates for improved optical outcoupling
JP5532797B2 (ja) * 2009-09-29 2014-06-25 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP2011112723A (ja) * 2009-11-24 2011-06-09 Sony Corp 表示装置およびその駆動方法ならびに電子機器
JP2011112724A (ja) * 2009-11-24 2011-06-09 Sony Corp 表示装置およびその駆動方法ならびに電子機器
WO2011125105A1 (ja) * 2010-04-05 2011-10-13 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示装置及びその制御方法
TWI408472B (zh) * 2010-04-12 2013-09-11 Wintek Corp 主動元件陣列基板
KR101142752B1 (ko) * 2010-04-13 2012-05-03 삼성모바일디스플레이주식회사 평판표시장치
CN102403320B (zh) * 2010-09-16 2015-05-20 上海天马微电子有限公司 阵列基板及其制作方法、液晶显示面板
CN102466931B (zh) * 2010-11-03 2015-01-21 上海天马微电子有限公司 阵列基板及其制作方法、液晶显示面板
TWI407406B (zh) * 2010-12-30 2013-09-01 Au Optronics Corp 有機發光二極體之像素驅動電路
KR20120089123A (ko) * 2011-02-01 2012-08-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN102891163B (zh) * 2011-07-19 2016-09-07 群创光电股份有限公司 有机电激发光显示装置
TWI467756B (zh) * 2011-07-19 2015-01-01 Chimei Innolux Corp 有機電激發光顯示裝置
JP5832399B2 (ja) * 2011-09-16 2015-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US20130083080A1 (en) * 2011-09-30 2013-04-04 Apple Inc. Optical system and method to mimic zero-border display
KR101910340B1 (ko) 2011-10-12 2018-10-23 삼성디스플레이 주식회사 내로우 베젤을 갖는 액정표시장치
KR102004710B1 (ko) * 2011-11-04 2019-07-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101873723B1 (ko) 2012-02-02 2018-07-04 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
CN104737218B (zh) * 2012-11-16 2017-03-01 夏普株式会社 驱动模块、显示装置和多显示器装置
KR101906248B1 (ko) 2012-12-13 2018-10-11 엘지디스플레이 주식회사 액정 디스플레이 장치
US20140218873A1 (en) * 2013-01-28 2014-08-07 Motorola Mobility Llc Symmetrical flat panel display
JP5526265B2 (ja) * 2013-05-31 2014-06-18 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
TWI713943B (zh) 2013-09-12 2020-12-21 日商新力股份有限公司 顯示裝置及電子機器
GB2519085B (en) * 2013-10-08 2018-09-26 Flexenable Ltd Transistor array routing
CN103941500B (zh) 2013-12-11 2017-10-24 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
KR102180088B1 (ko) * 2013-12-31 2020-11-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 그것을 포함하는 표시 장치
US9336709B2 (en) 2014-04-25 2016-05-10 Apple Inc. Displays with overlapping light-emitting diodes and gate drivers
CN104253147B (zh) 2014-09-18 2017-03-15 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示设备
JP2016071082A (ja) 2014-09-29 2016-05-09 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 表示装置
JP2016071083A (ja) 2014-09-29 2016-05-09 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 表示装置及び駆動回路
CN104360558A (zh) * 2014-12-08 2015-02-18 重庆京东方光电科技有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN104503177A (zh) * 2014-12-23 2015-04-08 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
CN104536176B (zh) 2014-12-25 2017-07-14 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN104485349B (zh) * 2014-12-26 2017-08-25 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 无边框显示屏器件
WO2016151429A1 (en) * 2015-03-23 2016-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel and information processing device
CN107534057B (zh) * 2015-04-20 2021-04-30 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及电子设备
CN104934458A (zh) * 2015-06-29 2015-09-23 合肥京东方光电科技有限公司 显示基板及其制造方法和显示装置
KR20170010141A (ko) * 2015-07-15 2017-01-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102349494B1 (ko) * 2015-08-13 2022-01-12 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치
KR102439308B1 (ko) * 2015-10-06 2022-09-02 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102514719B1 (ko) * 2015-12-30 2023-03-28 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조방법
WO2017119338A1 (ja) * 2016-01-04 2017-07-13 シャープ株式会社 表示装置
JP6634302B2 (ja) * 2016-02-02 2020-01-22 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN106024838B (zh) * 2016-06-21 2019-04-30 武汉华星光电技术有限公司 基于混合tft结构的显示元件
KR102612734B1 (ko) 2016-07-29 2023-12-13 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
JP6747156B2 (ja) * 2016-08-05 2020-08-26 天馬微電子有限公司 表示装置
CN106504689B (zh) * 2016-11-08 2020-02-11 深圳市华星光电技术有限公司 显示驱动电路及显示面板
CN108172174B (zh) * 2016-12-07 2020-04-07 元太科技工业股份有限公司 像素阵列基板
CN109307963B (zh) * 2017-07-28 2022-04-29 群创光电股份有限公司 显示面板以及其驱动方法
JP2019219629A (ja) * 2018-06-22 2019-12-26 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 表示装置
KR102616771B1 (ko) * 2019-01-17 2023-12-22 삼성디스플레이 주식회사 화소 회로
CN112420735A (zh) * 2019-08-20 2021-02-26 友达光电股份有限公司 像素阵列基板
CN110488546A (zh) * 2019-08-21 2019-11-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板、液晶显示面板及液晶显示器
US11404449B2 (en) 2020-04-08 2022-08-02 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel
CN111341209A (zh) * 2020-04-08 2020-06-26 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板
KR20210153804A (ko) * 2020-06-10 2021-12-20 삼성디스플레이 주식회사 개구율 계측 장치 및 이를 포함하는 표시 장치의 열화 보상 시스템
KR20220030467A (ko) 2020-09-01 2022-03-11 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치
CN112147824B (zh) * 2020-09-27 2023-01-17 合肥京东方显示技术有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN112255852A (zh) * 2020-10-23 2021-01-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及发光面板

Family Cites Families (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5148301A (en) 1990-02-27 1992-09-15 Casio Computer Co., Ltd. Liquid crystal display device having a driving circuit inside the seal boundary
KR0159123B1 (ko) * 1992-07-15 1999-01-15 사토 후미오 액정표시장치
JPH06202124A (ja) * 1992-12-26 1994-07-22 Nippondenso Co Ltd 液晶表示装置
US5694061A (en) * 1995-03-27 1997-12-02 Casio Computer Co., Ltd. Semiconductor device having same conductive type MIS transistors, a simple circuit design, and a high productivity
JP2939865B2 (ja) * 1995-07-03 1999-08-25 カシオ計算機株式会社 薄膜半導体装置およびそれを用いた表示装置
JPH0982978A (ja) * 1995-09-20 1997-03-28 Hitachi Ltd 半導体装置及びこれを用いた液晶表示装置
US5739880A (en) * 1995-12-01 1998-04-14 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device having a shielding film for shielding light from a light source
JP3737176B2 (ja) * 1995-12-21 2006-01-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP3511861B2 (ja) * 1996-10-04 2004-03-29 セイコーエプソン株式会社 液晶表示パネル及びその検査方法、並びに液晶表示パネルの製造方法
KR100235590B1 (ko) * 1997-01-08 1999-12-15 구본준 박막트랜지스터 액정표시장치의 구동방법
KR100235589B1 (ko) * 1997-01-08 1999-12-15 구본준 박막트랜지스터 액정표시장치의 구동방법
KR100204909B1 (ko) * 1997-02-28 1999-06-15 구본준 엘씨디 소스 드라이버
US6465268B2 (en) * 1997-05-22 2002-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing an electro-optical device
JP3998755B2 (ja) * 1997-05-22 2007-10-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置
TWI224221B (en) * 1998-01-30 2004-11-21 Seiko Epson Corp Electro-optic apparatus, electronic apparatus using the same, and its manufacturing method
GB9803763D0 (en) * 1998-02-23 1998-04-15 Cambridge Display Tech Ltd Display devices
GB9803764D0 (en) * 1998-02-23 1998-04-15 Cambridge Display Tech Ltd Display devices
TW561292B (en) * 1998-04-01 2003-11-11 Seiko Epson Corp Liquid crystal device, method for manufacturing the liquid crystal device, and electronic apparatus
JPH11288001A (ja) 1998-04-01 1999-10-19 Citizen Watch Co Ltd 液晶表示装置
JPH11305681A (ja) * 1998-04-17 1999-11-05 Casio Comput Co Ltd 表示装置
JPH11305743A (ja) * 1998-04-23 1999-11-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP3640527B2 (ja) * 1998-05-19 2005-04-20 富士通株式会社 プラズマディスプレイ装置
KR100292048B1 (ko) * 1998-06-09 2001-07-12 구본준, 론 위라하디락사 박막트랜지스터액정표시장치의제조방법
KR100505525B1 (ko) * 1998-07-27 2005-08-04 세이코 엡슨 가부시키가이샤 전기 광학 장치, 전기 광학 장치의 제조 방법, 투사형표시 장치 및 전자 기기
JP4069991B2 (ja) * 1998-08-10 2008-04-02 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
JP2000148096A (ja) * 1998-11-10 2000-05-26 Hitachi Ltd デジタル画像信号入力対応周辺回路内蔵型液晶表示装置
US7697052B1 (en) * 1999-02-17 2010-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic view finder utilizing an organic electroluminescence display
US6894758B1 (en) 1999-03-08 2005-05-17 Seiko Epson Corporation Liquid crystal device and manufacturing method thereof
US6475836B1 (en) * 1999-03-29 2002-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP3312691B2 (ja) * 1999-04-19 2002-08-12 セイコーインスツルメンツ株式会社 半導体装置
JP2001222017A (ja) * 1999-05-24 2001-08-17 Fujitsu Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
KR100441484B1 (ko) * 1999-06-11 2004-07-23 세이코 엡슨 가부시키가이샤 액정장치 및 그 제조방법
JP4092857B2 (ja) * 1999-06-17 2008-05-28 ソニー株式会社 画像表示装置
KR100319098B1 (ko) * 1999-06-28 2001-12-29 김순택 자동 전력 제어가 가능한 플라즈마 표시패널의 구동방법 및 장치
JP2001075075A (ja) * 1999-06-29 2001-03-23 Seiko Epson Corp 液晶装置、および電子機器
US6590553B1 (en) * 1999-07-23 2003-07-08 Nec Corporation Liquid crystal display device and method for driving the same
JP3746925B2 (ja) * 1999-08-27 2006-02-22 セイコーエプソン株式会社 液晶装置および電子機器
JP4718670B2 (ja) * 1999-09-24 2011-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置
JP4906017B2 (ja) * 1999-09-24 2012-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
TW540251B (en) * 1999-09-24 2003-07-01 Semiconductor Energy Lab EL display device and method for driving the same
US6641933B1 (en) * 1999-09-24 2003-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting EL display device
TW525122B (en) * 1999-11-29 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Electronic device
TW465122B (en) * 1999-12-15 2001-11-21 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device
US6922226B2 (en) * 1999-12-31 2005-07-26 Lg. Philips Lcd Co. Ltd. Liquid crystal display device implementing improved electrical lines and the fabricating method
JP2001194461A (ja) * 2000-01-07 2001-07-19 Shimadzu Corp ２次元アレイ型放射線検出器
TW480727B (en) * 2000-01-11 2002-03-21 Semiconductor Energy Laboratro Semiconductor display device
US6611108B2 (en) * 2000-04-26 2003-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and driving method thereof
US6326913B1 (en) * 2000-04-27 2001-12-04 Century Semiconductor, Inc. Interpolating digital to analog converter and TFT-LCD source driver using the same
US6989805B2 (en) * 2000-05-08 2006-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
TW502236B (en) * 2000-06-06 2002-09-11 Semiconductor Energy Lab Display device
JP3578110B2 (ja) * 2000-06-15 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
US7019718B2 (en) * 2000-07-25 2006-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US6825820B2 (en) * 2000-08-10 2004-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
TW514854B (en) * 2000-08-23 2002-12-21 Semiconductor Energy Lab Portable information apparatus and method of driving the same
JP2002123228A (ja) * 2000-10-17 2002-04-26 Seiko Epson Corp 電気光学パネル、その駆動方法および電子機器
US6693385B2 (en) * 2001-03-22 2004-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving a display device
JP4731718B2 (ja) * 2001-04-27 2011-07-27 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP4789369B2 (ja) * 2001-08-08 2011-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
KR100480332B1 (ko) * 2002-04-08 2005-04-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 액정패널
JP4001066B2 (ja) * 2002-07-18 2007-10-31 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、配線基板及び電子機器
KR20040062065A (ko) * 2002-12-31 2004-07-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 능동행렬 유기전기발광소자
KR100769190B1 (ko) * 2003-06-30 2007-10-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시장치 및 이의 제조방법
KR101010162B1 (ko) * 2004-12-28 2011-01-20 주식회사 탑 엔지니어링 액정표시소자의 실런트 적하장치
KR101125252B1 (ko) * 2004-12-31 2012-03-21 엘지디스플레이 주식회사 폴리 액정 표시 패널 및 그 제조 방법
US7623097B2 (en) * 2005-08-17 2009-11-24 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Emission control driver and organic light emitting display device having the same and a logical or circuit for an emission control driver for outputting an emission control signal
EP1928295A2 (en) * 2005-09-02 2008-06-11 EL-Vision Ltd. Multi-functional optometric - ophthalmic system for testing, diagnosing, or treating, vision or eyes of a subject, and methodologies thereof
KR20080023466A (ko) * 2006-09-11 2008-03-14 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시 장치
US7796224B2 (en) * 2006-12-26 2010-09-14 Sony Corporation Liquid crystal display device
JP2008164787A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103985371A (zh) * 2014-05-31 2014-08-13 深圳市华星光电技术有限公司 驱动电路、柔性显示装置及柔性拼接显示装置
US9576545B2 (en) 2014-05-31 2017-02-21 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Driving circuit, flexible display device and flexible splicing display apparatus thereof
CN103985371B (zh) * 2014-05-31 2017-03-15 深圳市华星光电技术有限公司 柔性拼接显示装置
CN107077033A (zh) * 2014-10-01 2017-08-18 苹果公司 具有竖直栅极线延伸部和最小化边框的显示器
WO2016201829A1 (zh) * 2015-06-15 2016-12-22 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、其驱动方法及显示装置
US9959827B2 (en) 2015-06-15 2018-05-01 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel, driving method thereof and display device
CN107481666A (zh) * 2017-08-16 2017-12-15 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机发光二极管显示器
US10720109B2 (en) 2017-08-16 2020-07-21 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Organic light emitting diode display device
CN114203043A (zh) * 2021-12-10 2022-03-18 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板与显示装置

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