CN101401317B - 高频电路部件及利用了该高频电路部件的通信装置 - Google Patents

高频电路部件及利用了该高频电路部件的通信装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101401317B
CN101401317B CN2007800091117A CN200780009111A CN101401317B CN 101401317 B CN101401317 B CN 101401317B CN 2007800091117 A CN2007800091117 A CN 2007800091117A CN 200780009111 A CN200780009111 A CN 200780009111A CN 101401317 B CN101401317 B CN 101401317B
Authority
CN
China
Prior art keywords
terminal
circuit
communication system
path
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2007800091117A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101401317A (zh
Inventor
萩原和弘
深町启介
釰持茂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Metals Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Metals Ltd filed Critical Hitachi Metals Ltd
Publication of CN101401317A publication Critical patent/CN101401317A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101401317B publication Critical patent/CN101401317B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/0057—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using diplexing or multiplexing filters for selecting the desired band
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/44—Transmit/receive switching
    • H04B1/48—Transmit/receive switching in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B7/00—Radio transmission systems, i.e. using radiation field
    • H04B7/02—Diversity systems; Multi-antenna system, i.e. transmission or reception using multiple antennas
    • H04B7/04—Diversity systems; Multi-antenna system, i.e. transmission or reception using multiple antennas using two or more spaced independent antennas
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B7/00—Radio transmission systems, i.e. using radiation field
    • H04B7/02—Diversity systems; Multi-antenna system, i.e. transmission or reception using multiple antennas
    • H04B7/04—Diversity systems; Multi-antenna system, i.e. transmission or reception using multiple antennas using two or more spaced independent antennas
    • H04B7/08—Diversity systems; Multi-antenna system, i.e. transmission or reception using multiple antennas using two or more spaced independent antennas at the receiving station
    • H04B7/0837—Diversity systems; Multi-antenna system, i.e. transmission or reception using multiple antennas using two or more spaced independent antennas at the receiving station using pre-detection combining
    • H04B7/0842—Weighted combining
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12032—Schottky diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H01L2924/141—Analog devices
    • H01L2924/1423—Monolithic Microwave Integrated Circuit [MMIC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/69—Spread spectrum techniques
    • H04B1/713—Spread spectrum techniques using frequency hopping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Radio Transmission System (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)

Abstract

一种高频电路部件，具有：至少第一及第二天线端子、第一通信系统用的至少第一及第二发送端子以及第一通信系统用的至少第一及第二接收端子、两个以上的开关电路、和两个以上的滤波器电路，第一通信系统用的第一发送端子能够与第一天线端子连接，第一通信系统用的第二发送端子能够与第二天线端子连接，第一通信系统用的第一接收端子能够与第一天线端子连接，第一通信系统用的第二接收端子能够与第二天线端子连接。

Description

高频电路部件及利用了该高频电路部件的通信装置
技术领域
本发明涉及为了进行电子电气设备间的无线通信而在天线与收发电路之间使用的高频电路部件、及具备该高频电路部件的通信装置。 
背景技术
近年来，移动电话、无线LAN、近距离无线标准蓝牙(bluetoothTM)等电子电气设备间的无线通信正在显著地发展。随着无线通信装置的复合化及多功能化的发展，正在开发将多个通信系统统一的多频带对应制品、或传送量大的制品等。其中，备受瞩目的是MIMO(Multiple—Input，Multiple—Output)方式的无线通信系统。MIMO通信系统通过利用多个发送天线及多个接收天线，在需要的频带内对多个信号进行空间多路复用传送，能够在不增大使用频带宽度的情况下提高传送容量，从而提高频带的利用效率。 
例如，特开2005—318115号公开了一种具备(a)接收机和(b)发送机的无线通信系统，其中，所述接收机具备：多个天线；对由一部分天线接收的信号进行分支的机构；将复数权重与分支后的各信号相乘的机构；将接收信号与加权乘法运算机构的输出信号相加的机构；根据加法运算机构的输出信号，按照信道相对接收信号的容量为最大的方式控制复数权重的机构；和根据加法运算机构的输出信号生成基带信号的RF前端器件(frontend)；所述发送机具备：多个天线；生成发送信号的机构；根据发送信号生成机构的输出信号生成RF发送信号的RF前端器件；将RF发送信号分支的机构；将分支机构的输出与复数权重相乘的机构；对加权控制机构的输出进行加法运算的机构；和根据来自接收机的反馈信号，决定复数权重的加权控制机构。 
由于这样的MIMO通信系统需要多个天线及与天线相同数量的RF前端器件，所以，造成系统整体的构成复杂，部件个数多。在多频带对应通 信系统中也存着同样的问题。 
因此，期待着可在多频带对应通信系统、MIMO通信系统等中使用的小型、部件个数少的高频电路部件。 
发明内容
本发明的目的在于，提供一种能够在多频带对应通信系统、MIMO通信系统等中使用的小型且部件个数少的高频电路部件、及利用了该高频电路部件的通信装置。 
本发明的第一高频电路部件具有：至少第一及第二天线端子、第一通信系统用的至少第一发送端子及至少第一及第二接收端子、一个以上的开关电路、和两个以上的滤波器电路，所述第一通信系统用的所述第一发送端子及所述第一接收端子分别能够与所述第一天线端子连接，所述第一通信系统用的第二接收端子能够与所述第二天线端子连接。通过将相同的通信系统所具有的第一及第二接收端子与不同的天线端子连接，可以使接收电路同时动作。而且，通过使天线端子的至少一个能够与发送端子及接收端子连接，可实现高频电路部件的小型化。 
优选第一高频电路部件具有第二通信系统用的至少第一发送端子及至少第一及第二接收端子，所述第二通信系统用的所述第一发送端子及所述第一接收端子分别能够与所述第一天线端子连接，所述第二通信系统用的所述第二接收端子能够与所述第二天线端子连接。 
本发明的第二高频电路部件具有：至少第一及第二天线端子、第一通信系统用的至少第一及第二发送端子和至少第一及第二接收端子、两个以上的开关电路、和两个以上的滤波器电路，所述第一通信系统用的所述第一发送端子及所述第一接收端子分别能够与所述第一天线端子连接，所述第一通信系统用的所述第二发送端子及所述第二接收端子分别能够与所述第二天线端子连接。 
优选第二高频电路部件具有：第二通信系统用的至少第一及第二发送端子及至少第一及第二接收端子，所述第二通信系统用的所述第一发送端子及所述第一接收端子能够分别与所述第一天线端子连接，所述第二通信系统用的所述第二发送端子及所述第二接收端子能够分别与所述第二天 线端子连接。 
优选第二高频电路部件具有第三天线端子、和所述第一通信系统用的第三接收端子，所述第一通信系统用的所述第三接收端子能够与所述第三天线端子连接。 
优选第二高频电路部件具有：第三天线端子、所述第一通信系统用的第三接收端子、所述第二通信系统用的第三接收端子，所述第一通信系统用的所述第三接收端子及所述第二通信系统用的所述第三接收端子分别能够与所述第三天线端子连接。 
优选第二高频电路部件具有所述第一通信系统用的第三发送端子，所述第一通信系统用的所述第三发送端子能够与所述第三天线端子连接。 
优选第二高频电路部件具有所述第一通信系统用的第三发送端子、和所述第二通信系统用的第三发送端子，所述第一通信系统用的所述第三发送端子及所述第二通信系统用的所述第三发送端子分别能够与所述第三天线端子连接。 
优选第一及第二高频电路部件分别具有所述第三通信系统用的收发端子。 
优选第一及第二高频电路部件分别具有共有供给电源端子并对接收信号进行放大的两个以上的低噪声放大器电路。 
优选第一及第二高频电路部件分别具有共有供给电源端子并对发送信号进行放大的两个以上的高频放大电路。 
本发明的一个优选实施例所涉及的高频电路部件具有：至少第一及第二天线端子、第一通信系统用的至少第一发送端子及至少第一及第二接收端子、第二通信系统用的至少第一发送端子及至少第一及第二接收端子，(A)与所述第一天线端子连接的第一路径具有：(a)从所述第一天线端子开始按顺序连接了第一开关电路、第一分波电路、第一高频放大电路、第一带通滤波器电路及所述第一通信系统用的第一发送端子的路径、(b)从所述第一分波电路开始按顺序连接了第二高频放大电路、第二带通滤波器电路、及所述第二通信系统用的所述第一发送端子的路径、(c)从所述第一开关电路开始按顺序连接了第二分波电路、第三带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第一接收端子的路径、和(d)连接了所述第 二分波电路与所述第二通信系统用的第一接收端子的路径；(B)与第二天线端子连接的第二路径具有：(a)从所述第二天线端子开始按顺序连接了第三分波电路、第四带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第二接收端子的路径、和(b)连接了所述第三分波电路与所述第二通信系统用的所述第二接收端子的路径。 
本发明另一优选实施例所涉及的高频电路部件具有：至少第一及第二天线端子、第一通信系统用的至少第一及第二发送端子以及至少第一及第二接收端子、第二通信系统用的至少第一及第二发送端子以及至少第一及第二接收端子，(A)与所述第一天线端子连接的第一路径具有：(a)从所述第一天线端子开始按顺序连接了第一开关电路、第一分波电路、第一高频放大电路、第一带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第一发送端子的路径、(b)从所述第一分波电路开始按顺序连接了第二高频放大电路、第二带通滤波器电路、及所述第二通信系统用的所述第一发送端子的路径、(c)从所述第一开关电路开始按顺序连接了第二分波电路、第三带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第一接收端子的路径、和(d)连接了所述第二分波电路与所述第二通信系统用的所述第一接收端子的路径；(B)与第二天线端子连接的第二路径具有：(a)从所述第二天线端子开始按顺序连接了第二开关电路、第三分波电路、第三高频放大电路、第四带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第二发送端子的路径、(b)从所述第三分波电路开始按顺序连接了第四高频放大电路、第五带通滤波器电路及所述第二通信系统用的所述第二发送端子的路径、(c)从所述第二开关电路开始按顺序连接了第四分波电路、第六带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第二接收端子的路径、和(d)连接了所述第四分波电路与所述第二通信系统用的所述第二接收端子的路径。 
本发明又一优选实施例所涉及的高频电路部件具有：至少第一～第三天线端子、第一通信系统用的至少第一及第二发送端子以及至少第一～第三接收端子、第二通信系统用的至少第一及第二发送端子以及至少第一～第三接收端子，(A)与第一天线端子连接的第一路径具有：(a)从所述第一天线端子开始按顺序连接了第一开关电路、第一分波电路、第一高频 放大电路、第一带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第一发送端子的路径、(b)从所述第一分波电路开始按顺序连接了第二高频放大电路、第二带通滤波器电路、及所述第二通信系统用的所述第一发送端子的路径、(c)从所述第一开关电路开始按顺序连接了第二分波电路、第三带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第一接收端子的路径、和(d)连接了所述第二分波电路与所述第二通信系统用的第一接收端子的路径；(B)与第二天线端子连接的第二路径具有：(a)从所述第二天线端子开始按顺序连接了第二开关电路、第三分波电路、第三高频放大电路、第四带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第二发送端子的路径、(b)从所述第三分波电路开始按顺序连接了第四高频放大电路、第五带通滤波器电路及所述第二通信系统用的所述第二发送端子的路径、(c)从所述第二开关电路开始按顺序连接了第四分波电路、第六带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第二接收端子的路径、和(d)连接了所述第四分波电路与所述第二通信系统用的所述第二接收端子的路径、(C)与第三天线端子连接的第三路径具有：(a)从第三天线端子开始按顺序连接了第五分波电路、第七带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第三接收端子的路径、和(b)连接了所述第五分波电路与所述第二通信系统用的所述第三接收端子的路径。 
本发明另一优选实施例所涉及的高频电路部件具有：至少第一～第三天线端子、第一通信系统用的至少第一～第三发送端子以及至少第一～第三接收端子、第二通信系统用的至少第一～第三发送端子以及至少第一～第三接收端子，(A)与第一天线端子连接的路径具有：(a)从所述第一天线端子开始按顺序连接了第一开关电路、第一分波电路、第一高频放大电路、第一带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第一发送端子的路径、(b)从所述第一分波电路开始按顺序连接了第二高频放大电路、第二带通滤波器电路、及所述第二通信系统用的所述第一发送端子的路径、(c)从所述第一开关电路开始按顺序连接了第二分波电路、第三带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第一接收端子的路径、和(d)连接了所述第二分波电路与所述第二通信系统用的第一接收端子的路径；(B)与第二天线端子连接的路径具有：(a)从所述第二天线端子开始按 顺序连接了第二开关电路、第三分波电路、第三高频放大电路、第四带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第二发送端子的路径、(b)从所述第三分波电路开始按顺序连接了第四高频放大电路、第五带通滤波器电路及所述第二通信系统用的所述第二发送端子的路径、(c)从所述第二开关电路开始按顺序连接了第四分波电路、第六带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第二接收端子的路径、和(d)连接了所述第四分波电路与所述第二通信系统用的所述第二接收端子的路径、(C)与第三天线端子连接的路径具有：(a)从第三天线端子开始按顺序连接了第三开关电路、第五分波电路、第五高频放大电路、第七带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第三发送端子的路径、(b)从所述第五分波电路开始按顺序连接了第六高频放大电路、第八带通滤波器电路、及所述第二通信系统用的所述第三发送端子的路径、(c)从所述第三开关电路开始按顺序连接了第六分波电路、第九带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第三接收端子的路径、和(d)从所述第六分波电路开始连接了所述第二通信系统用的所述第三接收端子的路径。 
更优选在所述第二分波电路与所述第二通信系统用的所述第一接收端子之间具有带通滤波器电路或高通滤波器电路，在所述第三分波电路与所述第二通信系统用的所述第二接收端子之间具有带通滤波器电路或高通滤波器电路。优选低通滤波器电路与所述高频放大电路的输出侧连接。在所述开关电路与所述分波电路之间设置发送信号用的检波电路，且所述开关电路与多个天线端子连接。 
优选在各接收端子与各天线端子之间设置有低噪声放大器。所述低噪声放大器电路分别共有供给电源端子，所述高频放大电路分别共有供给电源端子。优选各发送端子成为平衡端子。 
优选本发明的高频电路部件是由形成有导电体图案的多个陶瓷电介质层构成的一体的层叠基板，具有由所述导电体图案构成电感元件及电容元件的层叠基板、和搭载于所述层叠基板上的至少一个半导体元件。 
优选在本发明的高频电路部件中，所述两个以上的滤波器电路的一部分与所述第一通信系统用的所述第一及第二接收端子连接，在与所述第一及第二接收端子连接的所述滤波器电路之间设置有屏蔽电极。
优选所述两个以上的滤波器电路的一部分分别与所述第一通信系统用的所述第一发送端子以及所述第一及第二接收端子连接，在与所述第一发送端子连接的滤波器电路、和与所述第一及第二接收端子连接的滤波器电路中至少一个之间，设置有屏蔽电极。 
优选在所述层叠基板的至少一个面形成有至少两个天线端子电极、至少一个发送端子电极、至少两个接收端子电极、至少一个接地电极、以及至少一个电路控制用端子电极，所述天线端子电极沿着所述层叠基板的第一边配置，所述发送端子电极沿着与所述第一边对置的第二边配置。 
优选所述接收端子电极中的相同通信系统的接收端子电极远离配置。所述接收端子电极沿着所述第二边配置。所述电路控制用端子电极沿着在所述第一及第二边的两侧对置的边配置。 
本发明又一个优选实施例所涉及的高频电路部件在天线与收发电路之间使用，具有对所述天线与所述发送电路及所述接收端子的连接进行控制的电路，是由形成有导电体图案的多个陶瓷电介质层构成的一体层叠基板，由所述导电体图案构成电感元件及电容元件的层叠基板、和在所述层叠基板上搭载的至少一个半导体元件构成，在所述层叠基板的一面上形成有天线端子电极、多个发送端子电极、多个接收端子电极、多个接地电极及多个电路控制用端子电极，所述天线端子电极、所述发送端子电极及所述接收端子电极沿着所述一面的外周配置，所述电路控制用端子电极的至少一个配置在其内侧。 
优选至少一个供给电源端子沿着所述一面的外周配置。在所述天线端子电极、所述发送端子电极、及所述接收端子电极中除了平衡输入输出端子电极之外的端子电极间，配置有所述接地电极或所述电路控制用端子电极。 
本发明的通信装置具备上述高频电路部件的任意一个。 
(发明效果) 
具有上述特征的本发明的高频电路部件，能够实现小型化及部件个数的削减，优选在多频通信系统、MIMO通信系统等的无线通信装置中应用。 
附图说明
图1(a)是表示本发明一个实施例的高频电路部件的电路的框图。 
图1(b)是表示本发明另一个实施例的高频电路部件的电路的框图。 
图2是表示本发明又一个实施例的高频电路部件的电路的框图。 
图3是表示本发明又一个实施例的高频电路部件的电路的框图。 
图4是表示本发明又一个实施例的高频电路部件的电路的框图。 
图5是表示本发明又一个实施例的高频电路部件的电路的框图。 
图6是表示本发明又一个实施例的高频电路部件的电路的框图。 
图7是表示本发明又一个实施例的高频电路部件的电路的框图。 
图8是表示作为利用了本发明一个实施例的高频电路部件的通信装置的一个例子的、无线LAN通信装置的前端器件部分的框图。 
图9是表示作为利用了本发明另一个实施例的高频电路部件的通信装置的一个例子的、无线LAN通信装置的前端器件部分的框图。 
图10是表示本发明一个实施例的高频电路部件的一部分的等效电路的图。 
图11是表示本发明的高频电路部件中使用的高频放大电路的一个例子的等效电路的图。 
图12是表示本发明的高频电路部件中使用的高频放大电路的另一个例子的等效电路的图。 
图13是表示本发明的高频电路部件中使用的低噪声放大电路的一个例子的等效电路的图。 
图14是表示本发明的高频电路部件中使用的开关电路的一个例子的等效电路的图。 
图15是表示本发明的高频电路部件中的各高频信号用端子的配置的一个例子的图。 
图16是表示本发明的高频电路部件中的各高频信号用端子的配置的其他例子的图。 
图17是表示本发明的高频电路部件中的各高频信号用端子的配置的另一个例子的图。 
图18是表示本发明的高频电路部件中的各高频信号用端子的配置的另一个例子的图。
图19是表示本发明的高频电路部件中的各高频信号用端子的配置的另一个例子的图。 
图20是表示本发明的一个实施例的层叠基板的背面(安装面)的端子电极的配置的一个例子的俯视图。 
图21是表示本发明的一个实施例的层叠基板的背面(安装面)的端子电极的配置的另一个例子的俯视图。 
图22是表示构成本发明一个实施例的高频电路部件的层叠基板的外观的立体图。 
图23(a)是表示本发明的高频电路部件中使用的开关电路的其他例子的框图。 
图23(b)是表示本发明的高频电路部件中使用的开关电路的另一个例子的框图。 
图23(c)是表示本发明的高频电路部件中使用的开关电路的另一个例子的框图。 
图24是表示本发明的另一个实施例的高频电路部件的电路的框图。 
图25是表示本发明的其他实施例的高频电路部件的电路的框图。 
图26是表示本发明的高频电路部件中的各高频信号用端子的配置的一个例子的图。 
图27是表示本发明的又一个实施例的高频电路部件的电路的框图。 
图28(a)是表示构成本发明一个实施例的高频电路部件的层叠基板的第1层～第5层的导电体图案的立体图。 
图28(b)是表示构成本发明一个实施例的高频电路部件的层叠基板的第6层～第10层的导电体图案的立体图。 
图28(c)是表示构成本发明一个实施例的高频电路部件的层叠基板的第11层～第15层的导电体图案的立体图。 
图28(d)是表示构成本发明一个实施例的高频电路部件的层叠基板的第16层～第20层的导电体图案的立体图。 
图28(e)是表示构成本发明一个实施例的高频电路部件的层叠基板的第21层～第24层的导电体图案及背面的端子配置的立体图。 
图29(a)是表示图28的高频电路部件中与第一天线端子连接的第一 路径的等效电路的框图。 
图29(b)是表示图28的高频电路部件中与第二天线端子连接的第二路径的等效电路的框图。 
图30(a)是表示构成本发明另一个实施例的高频电路部件的层叠基板的第1层～第5层的导电体图案的立体图。 
图30(b)是表示构成本发明另一个实施例的高频电路部件的层叠基板的第6层～第10层的导电体图案的立体图。 
图30(c)是表示构成本发明另一个实施例的高频电路部件的层叠基板的第11层～第15层的导电体图案的立体图。 
图30(d)是表示构成本发明另一个实施例的高频电路部件的层叠基板的第16层～第20层的导电体图案的立体图。 
图30(e)是表示构成本发明另一个实施例的高频电路部件的层叠基板的第21层～第24层的导电体图案及背面的端子配置的立体图。 
图31(a)是表示图30的高频电路部件中与第一天线端子连接的第一路径的等效电路的框图。 
图31(b)是表示图30的高频电路部件中与第二天线端子连接的第二路径的等效电路的框图。 
图31(c)是表示图30的高频电路部件中与第三天线端子连接的第三路径的等效电路的框图。 
图32是表示本发明的高频电路部件中使用的低噪声放大电路的一个例子的等效电路的图。 
图33是表示本发明的高频电路部件中使用的带通滤波器电路的一个例子的等效电路的图。 
图34是表示本发明的高频电路部件中使用的带通滤波器电路的一个例子的等效电路的图。 
图35是表示本发明的高频电路部件中使用的高频放大电路的另一个例子的等效电路的图。 
图36是表示本发明的高频电路部件中使用的带通滤波器电路的另一个例子的等效电路的图。 
图37是表示本发明的高频电路部件中使用的带通滤波器电路的又一 个例子的等效电路的图。 
图38是表示本发明的高频电路部件中使用的低噪声放大电路的另一个例子的等效电路的图。 
图39是表示本发明的高频电路部件中使用的带通滤波器电路的又一个例子的等效电路的图。 
图40是表示本发明的高频电路部件中使用的高通滤波器电路的另一个例子的等效电路的图。 
图41(a)是表示本发明的高频电路部件中使用的带通滤波器电路的又一个例子的等效电路的图。 
图41(b)是表示本发明的高频电路部件中使用的带通滤波器电路的又一个例子的等效电路的图。 
图41(c)是表示本发明的高频电路部件中使用的带通滤波器电路的又一个例子的等效电路的图。 
具体实施方式
本发明一个实施例的高频电路部件至少具有：第一及第二天线端子、一个通信系统(第一通信系统)用的至少第一发送端子及至少第一及第二接收端子、一个以上的开关电路、和两个以上的滤波器电路，所述第一通信系统用的第一发送端子及第一接收端子能够分别与第一天线端子连接，所述第一通信系统用的第二接收端子能够与第二天线端子连接。可以对其附加频率不同的第二通信系统用的发送端子及接收端子，构成双频带用的高频电路部件。可以增加一个通信系统所使用的发送端子(能够各天线端子连接)的数量，也可以增加一个通信系统所使用的天线端子及接收端子的数量。通过增加天线端子和接收端子的数量，与通过一个天线实现相同的吞吐量(throughput)的情况相比，能够扩大通信距离，从而可以期待难以被终端的位置或方向影响的稳定的吞吐量。 
开关电路被用于对天线端子与发送端子之间的路径、和天线端子与接收端子之间的路径进行切换。开关电路的配置，可以在各通信系统的收发路径的分支所使用的分波电路的后级(收发端子侧)，也可以在前级(天线端子侧)。在前者的情况下，分波电路将频率不同的多个通信系统的收 发路径分支，开关电路对各通信系统的收发路径与发送端子及接收端子的连接进行切换。在后者的情况下，开关电路对天线端子与发送路径及接收路径的连接进行切换，发送路径中的分波电路分支发送路径，将其与频率不同的多个通信系统的发送端子连接，接收路径中的分波电路分支接收路径，将其与频率不同的多个通信系统的接收端子连接。由于根据这样的构成可以降低开关电路的数量，所以，能够实现低成本化及小型化。该构成由于收发路径增多，所以，适合于需要多次切换的MIMO型高频电路部件。 
为了衰减接收信号及发送信号以外的不要信号，优选在一个通信系统中设置两个以上的滤波器电路。滤波器电路可配置在一个通信系统的各发送路径及接收路径。滤波器电路可以根据必要的滤波特性，从高通滤波器电路、带通滤波器电路、低通滤波器电路等中选择。 
优选在与天线端子和接收端子连接的接收路径中设置低噪声放大电路。在一个通信系统至少具备第一及第二接收端子的情况下，优选在每个与各接收端子连接的接收路径中配置低噪声放大电路。优选多个低噪声放大电路公用一个供给电源。 
优选放大发送信号的多个高频放大电路公用一个供给电源。高频放大电路设置在频率不同的多个通信系统的发送路径，在一个通信系统具有两个以上的发送路径的情况下，设置在各发送路径中。如果多个高频放大电路公用供给电源，则会降低电源的电路与端子数。该构成可使需要供给电源的电路元件多的MIMO型高频电路部件小型化及低成本化。 
图1(a)表示本发明的一个实施例的高频电路部件的电路。该电路具有：两个天线端子Ant1、Ant2、第一通信系统用的两个发送端子Tx1—1、Tx1—2及两个接收端子Rx1—1、Rx1—2、第二通信系统用的两个发送端子Tx2—1、Tx2—2及两个接收端子Rx2—1、Rx2—2。 
第一天线端子Ant1与第一开关电路SPDT1连接，第一开关电路SPDT1经由第一检波电路DET1与第一分波电路Dip1连接。第一分波电路Dip1经由低通滤波器LPF1与第一高频放大电路PA1连接，第一高频放大电路PA1经由第一带通滤波器BPF1及平衡不平衡电路BAL1与第一通信系统用的第一发送端子Tx1—1连接。第一分波电路Dip1还经由低通滤波器LPF2与第二高频放大电路PA2连接，第二高频放大电路PA2经由 第二带通滤波器BPF2及平衡不平衡电路BAL2与第二通信系统用的第一发送端子Tx2—1连接。第一开关电路SPDT1还经由低噪声放大器LNA1与第二分波电路Dip2连接，第二分波电路Dip2经由第三带通滤波器BPF3与第一通信系统用的第一接收端子Rx1—1连接，并且，与第二通信系统用的第一接收端子Rx2—1连接。 
第二天线端子Ant2与第二开关电路SPDT2连接，第二开关电路SPDT2经由检波电路DET2与第三分波电路Dip3连接。第三分波电路Dip3经由低通滤波器LPF3与第三高频放大电路PA3连接，第三高频放大电路PA3经由第四带通滤波器BPF4及平衡不平衡电路BAL3与第一通信系统用的第二发送端子Tx1—2连接。第三分波电路Dip3还经由低通滤波器LPF4与第四高频放大电路PA4连接，第四高频放大电路PA4经由第五带通滤波器BPF5及平衡不平衡电路BAL4与第二通信系统用的第二发送端子Tx2—2连接。第二开关电路SPDT2还经由低噪声放大器LNA2与第四分波电路Dip4连接，第二分波电路Dip4经由第六带通滤波器BPF6与第一通信系统用的第二接收端子Rx1—2连接，并且，与第二通信系统用的第二接收端子Rx2—2连接。 
图1(b)表示本发明的另一实施例的高频电路部件的电路。该电路从与第二天线端子Ant2连接的路径开始，除了从开关电路SPDT2到第一及第二发送端子Tx1—2、Tx2—2的路径之外，与图1(a)所示的电路相同。 
图2表示本发明又一个实施例的高频电路部件的电路。该电路在图1(a)所示的高频电路部件中设置了第三通信系统用的收发端子TxRx3。因此，在第二开关电路SPDT2与低噪声放大器LNA2之间具有开关电路SPDT4。 
也可以取代开关电路SPDT4，而在图2的天线端子Ant2与点2a、2b、2c之间如图23(a)所示，设置SP3T型的开关电路，或如图23(b)所示，在开关电路SPDT2之前设置耦合电路CPL，或如图23(c)所示，在开关电路SPDT2之后设置分配电路。 
图3表示本发明的又一实施例的高频电路部件的电路。该电路在图1(a)所示的高频电路部件中设置了第三天线端子Ant3、第一通信系统用的第三接收端子Rx1—3、第二通信系统用的第三接收端子Rx2—3。第三 天线端子Ant3经由低噪声放大器LNA3与分波电路Dip6连接，分波电路Dip6经由带通滤波器BPF9与第一通信系统用的第三接收端子Rx1—3连接，并且，与第二通信系统用的第三接收端子Rx2—3连接。 
图4表示本发明的又一实施例的高频电路部件的电路。该电路在图3所示的高频电路部件中设置了第三通信系统用的收发端子TxRx3。因此，在第三天线端子Ant3与低噪声放大器LNA3之间具有开关电路SPDT4。也可以取代开关电路SPDT4，而设置与第三通信系统用的收发端子TxRx3连接的耦合器或分配电路。 
图5表示本发明的又一实施例的高频电路部件的电路。该电路在图1(a)所示的高频电路部件中设置了第三天线端子Ant3、第一通信系统用的第三发送端子Tx1-3及第三接收端子Rx1-3、第二通信系统用的第三发送端子Tx2-3及第三接收端子Rx2-3。因此，在第三天线端子Ant3、第一通信系统用的第三发送端子Tx1-3及第三接收端子Rx1-3、第二通信系统用的第三发送端子Tx2-3及第三接收端子Rx2-3之间，设置有与图1(a)所示的相同的电路。具体而言，与第三天线端子Ant3连接的第三天线电路SPDT3经由检波电路DET3与第五分波电路Dip5连接，第五分波电路Dip5经由低通滤波器LPF5与第五高频放大电路PA5连接，第五高频放大电路PA5经由第七带通滤波器BPF7及平衡不平衡电路BAL5与第一通信系统用的第三发送端子Tx1-3连接。第五分波电路Dip5还经由低通滤波器LPF6与第六高频放大电路PA6连接，第六高频放大电路PA6经由第八带通滤波器BPF8及平衡不平衡电路BAL6与第二通信系统用的第三发送端子Tx2-3连接。第三开关电路SPDT3还经由低噪声放大器LNA3与第六分波电路Dip6连接，第六分波电路Dip6经由第九带通滤波器BPF9与第一通信系统用的第三接收端子Rx1-3连接，并且与第二通信系统用的第三接收端子Rx2-3连接。 
图6表示本发明的又一实施例的高频电路部件的电路。该电路在图5所示的高频电路部件中设置了第三通信系统用的收发端子TxRx3。因此，在第三开关电路SPDT3与低噪声放大器LNA3之间具有第四开关电路SPDT4。在该实施例中，由开关电路SPDT1、SPDT2、SPDT3进行发送路径与接收路径的切换，由分波电路Dip1～Dip6进行低频侧的通信系统(第 一通信系统)与高频侧的通信系统(第二通信系统)的划分。 
在该实施例中，各分波电路Dip1～Dip6由低通滤波器和高通滤波器的组合构成，但也可以利用其他的滤波器(带通滤波器、陷波滤波器等)。另外，如果是分波电路Dip1、Dip3、Dip5具有低通滤波器功能，则能够省略低通滤波器LPF1～LPF6。 
各平衡不平衡电路BAL1～BAL6具有将来自收发机(transceiver)IC的平衡(差动)输出，变换为适合于高频放大电路的输入的不平衡(单端(single end))输出的功能，但也可以省略。该实施例中，接收端子Rx1-1、Rx2-1、Rx1-2、Rx2-2、Rx1-3、Rx2-3的输出为不平衡输出。因此，可以设置与收发机IC直接连接的平衡不平衡电路。 
各低噪声放大器LNA1～LNA3，也可以被设置在高频电路部件的外部。 
优选各检波电路DET1～DET3包括SPDT开关与分波电路之间的方向性耦合器、和肖特基二极管等的二极管检波电路。根据该构成，原本需要6个(对各PA设置1个)检波电路的位置，可以削减为3个。当然，即使如现有技术那样，在高频放大电路PA与低通滤波器LPF之间设置耦合电路CPL作为检波电路，也能够使用在高频放大电路PA中内置的检波电路功能。 
在该实施例中，可以利用2.4GHz频带的无线LAN系统作为第一通信系统，利用5GHz频带的无线LAN系统作为第二通信系统。作为无线LAN的标准，例如可举出：(a)根据OFDM(Orthogonal Frequency DivisionMultiples：正交频分复用)调制方式，以5GHz频带支持最大54Mbps的高速数据通信的IEEE802.11a，(b)根据DSSS(Direct Sequence SpreadSpectrum：直接序列扩频)方式，以能够在没有无线许可的情况下自由利用的2.4GHz的ISM(Industrial、Scientific and Medical：产业、科学及医疗)频带，对5.5Mbps及11Mbps的高速通信进行支持的IEEE802.11b，及(c)根据OFDM调制方式，以与IEEE802.11b相同的2.4GHz频带支持最大54Mbps的高速数据通信的IEEE802.11g。目前，基于这些IEEE802.11标准的无线LAN实现的数据通信，被广泛利用在例如个人计算机(PC)、打印机、硬盘、宽带路由器等PC外围设备，FAX、冰箱、 标准清晰度电视(SDTV)、高清晰电视(HDTV)、数码相机、数码摄像机、移动电话等电子设备、汽车内或飞机内的信号传递机构。 
在图1(a)所示的例子中，第一通信系统利用了2.4GHz频带的无线LAN系统，第二通信系统利用了频率比第一通信系统高的5GHz频带的无线LAN系统。各通信系统具有2个发送端子及2个接收端子，与第一天线端子Ant1连接的收发电路及与第二天线端子Ant2连接的收发电路能够同时动作。因此，与现有的无线LAN设备中所使用的分集(diversity)(2个中仅在一侧进行收发)相比，可使数据通信速度高速化，并且，与通过一个天线实现相同的吞吐量的情况相比，可扩大通信距离，可以实现不易被终端的位置与方向影响的、稳定的吞吐量。 
在图3所示的例子中，通过第三天线端子Ant3及第三接收端子Rx1—3、Rx2—3的追加，使得接收总线从两条路径增加到三条路径，根据图1(a)所示的例子，可实现接收灵敏度的增大、通信距离的扩大及吞吐量的提高。 
在图5所示的例子中，由于追加了与第三天线端子Ant3连接的收发电路，所以，收发总线从两条路径增加到三条路径，与图1(a)所示的例子相比，可以期待发送信号强度及接收灵敏度的增大，并且，与图3所示的例子相比，可进一步实现通信距离的扩大及吞吐量的提高。 
由于图2、图4及图6所示的例子，分别具有在图1(a)、图3及图5所示的例子中追加了收发端子TxRx3的电路构成，所以，例如若将收发端子TxRx3作为蓝牙收发端子，则可以形成与多个无线系统(2.4GHz频带及5GHz频带的无线LAN及蓝牙)对应的前端电路。 
图24表示本发明又一个实施例的高频电路部件的电路。该电路从图4所示的电路中去除了第二天线端子Ant2～第二发送端子Tx1—2、Tx2—2及第二接收端子Rx1—2、Rx2—2的电路构成。该实施例的电路具有第一及第三天线端子Ant1、Ant3、第一通信系统用的一个发送端子Tx1—1及两个接收端子Rx1—1、Rx1—3、第二通信系统用的一个发送端子Tx2—1及两个接收端子Rx2—1、Rx2—3。即，该电路具有各通信系统具备一个发送端子及两个接收端子的1T2R构造。 
第一天线端子Ant1与第一开关电路SPDT1连接，第一开关电路 SPDT1经由第一检波电路DET1与第一分波电路Dip1连接。第一分波电路Dip1的低频侧经由低通滤波器LPF1与第一高频放大电路PA1连接，第一高频放大电路PA1与第一带通滤波器BPF1连接。第一带通滤波器BPF1经由平衡不平衡电路BAL1与第一通信系统用的第一发送端子Tx1—1连接。第一分波电路Dip1的高频侧经由低通滤波器LPF2与第二高频放大电路PA2连接，第二高频放大电路PA2与第二带通滤波器BPF2连接。第二带通滤波器BPF2经由平衡不平衡电路BAL2与第二通信系统用的第一发送端子Tx2—1连接。 
第一开关电路SPDT1还经由低噪声放大器LNA1与第二分波电路Dip2连接，第二分波电路Dip2的低频侧经由第三带通滤波器BPF3与第一通信系统用的第一接收端子Rx1—1连接。第二分波电路Dip2的高频侧经由第十带通滤波器BPF10与第二通信系统用的第一接收端子Rx2—1连接。不过如图4所示，也可以不借助带通滤波器地将第二分波电路Dip2与第二通信系统用的第一接收端子Rx2—1连接。而且，可以替代带通滤波器BPF，通过连接使比通频带低的频带衰减的高通滤波器HPF，使插入损失有效降低。当然，这种在接收路径的高频侧设置带通滤波器或高通滤波器的构成，也可以应用在图1～7等所示的实施例中。 
图24所示的电路还具有：第三天线端子Ant3、第一通信系统用的第三接收端子Rx1—3、第二通信系统用的第三接收端子Rx2—3、和第三通信系统用的收发端子TxRx3。为了设置第三通信系统用的收发端子TxRx3，在天线端子Ant3与低噪声放大器LNA3之间设置开关电路SPDT4。低噪声放大器LNA3与分波电路Dip6连接，分波电路Dip6的低频侧经由带通滤波器BPF9与第一通信系统用的第三接收端子Rx1—3连接。分波电路Dip6的高频侧经由带通滤波器BPF11与第二通信系统用的第三接收端子Rx2—3连接。开关电路SPDT4与第三通信系统用的收发端子TxRx3连接。另外，也可如图4所示，不借助带通滤波器BPF11地将分波电路Dip6与第二通信系统用的第三接收端子Rx2—3连接。而且，通过取代带通滤波器BPF而连接高通滤波器HPF，可有效降低插入损失。对于开关电路、分波电路、低噪声放大器、平衡不平衡电路、检波电路等的构成及配置而言，可以与其他的实施例相同。
如图25所示，也可以形成省略了开关电路SPDT4及第三通信系统用的收发端子TxRx3的电路构成。 
图4所示的电路中的在图24所示的电路中不存在的构成，是从天线端子Ant2到发送端子Tx1-2、Tx2-2及接收端子Rx1-2、Rx2-2的电路构成(具有每一个通信系统具备一个发送端子及一个接收端子的1T1R构造)。1T1R构造如针对图1(a)所说明那样。还可以通过使1T1R构造的高频电路部件和上述1T2R构造的高频电路部件分立、组合，整体上成为每一个通信系统具有两个发送端子及三个接收端子的2T3R构造。 
上述实施例是利用了第一及第二通信系统的双频带通信用的实施例，但在利用一个通信系统的单频带通信的情况下，只要从上述实施例中除去与第二通信系统用的发送端子及接收端子连接的电路构成及分波电路即可。例如若为了将图25所示的电路用于单频带通信，而除去与第二通信系统对应的部分，则成为图27所示的构成。即，第一天线端子Ant1与第一开关电路SDPT1连接，第一开关电路SPDT1经由检波电路DET1及低通滤波器LPF1与第一高频放大电路PA1连接，第一高频放大电路PA1与第一带通滤波器BPF1连接。第一带通滤波器BPF1经由平衡不平衡电路BAL1与第一通信系统用的第一发送端子Tx1-1连接。第一开关电路SPDT1还与低噪声放大器LNA1连接，低噪声放大器LNA1经由第三带通滤波器BPF3与第一通信系统用的第一接收端子Rx1-1连接。第二天线端子Ant3与低噪声放大器LNA3连接，低噪声放大器LNA3经由带通滤波器电路BPF9与第一通信系统用的第二接收端子Rx1-3连接。 
图7表示本发明的又一个实施例的高频电路部件的电路。该电路是图2所示的电路的变更例，为了得到分集效果，将与开关电路SPDT2连接的第二天线端子Ant2划分为两个天线端子Ant2a、Ant2b。因此，追加了与两个天线端子Ant2a、Ant2b连接的开关电路SPDT5。也可以将两个开关电路SPDT2、SPDT5构成为双输入双输出型的开关电路。还可以将开关电路SPDT5外置。当然，可在其他的实施例中使用获得分集效果的该构造。 
图8表示无线LAN通信装置的前端部分，作为利用了本发明的高频电路部件的通信装置的一个例子。本发明的高频电路部件101的各天线端 子Ant1～Ant3与天线连接。与第一天线端子Ant1连接的第一通信系统用的第一发送端子Tx1—1及第一接收端子Rx1—1、和第二通信系统用的第一发送端子Tx2—1及第一接收端子Rx2—1，与第一无线LAN用RFIC—1连接。与第二天线端子Ant2连接的第一通信系统用的第二发送端子Tx1—2及第二接收端子Rx1—2、和第二通信系统用的第二发送端子Tx2—2及第二接收端子Rx2—2，与第二无线LAN用RFIC—2连接。与第三天线端子Ant3连接的第一通信系统用的第三发送端子Tx1—3及第三接收端子Rx1—3、和第二通信系统用的第三发送端子Tx2—3及第三接收端子Rx2—3，与第三无线LAN用RFIC—3连接。第一～第三无线LAN用RFIC1～3与MIMO用的无线LAN用基带IC连接。第三通信系统用的收发端子TxRx3与蓝牙用RFIC连接。 
图9表示无线LAN通信装置的前端部分，作为利用了本发明的高频电路部件的通信装置的其他例子。本发明的高频电路部件101的各天线端子Ant1～Ant3与天线连接。与第一天线端子Ant1连接的第一通信系统用的第一发送端子Tx1—1及第一接收端子Rx1—1与第一无线LAN用RFIC—1连接。与第二天线端子Ant2连接的第一通信系统用的第二发送端子Tx1—2及第二接收端子Rx1—2与第二无线LAN用RFIC—2连接。与第三天线端子Ant3连接的第一通信系统用的第三发送端子Tx1—3及第三接收端子Rx1—3与第三无线LAN用RFIC—3连接。第一～第三无线LAN用RFIC1～RFIC3与MIMO用的无线LAN用基带IC连接。第三通信系统用的收发端子TxRx3与蓝牙用RFIC连接。 
图10表示本发明的高频电路部件的一部分的等效电路。该等效电路例如相当于图1(a)所示的电路中的第一天线端子Ant1、与第一通信系统用的第一发送端子Tx1—1及第一接收端子Rx1—1、第二通信系统用的第一发送端子Tx2—1及第一接收端子Rx2—1之间的电路部分。 
在第一天线端子Ant1与开关电路SPDT1之间，设置有阻抗元件ls1与电容元件cs1构成的并联谐振电路28，并联谐振电路28经由电容元件Ca与开关电路SPDT1连接。优选将并联谐振电路28的谐振频率设定为5GHz频带发送信号的二次高次谐波频率(约10GHz)。由此，能够抑制来自第二高频放大电路PA2、开关电路SPDT1、检波电路8等的寄生信号 (spurious)。 
图14表示开关电路SPDT1的等效电路的一个例子，当然，也可以构成如二极管开关电路那样的其他构成。该等效电路具有电路控制用端子VC1、VC2，用于输入控制开关电路SPDT1用的电压。 
开关电路SPDT1与低噪声放大器LNA1连接。图13表示低噪声放大器LNA1的等效电路。通过供给电源端子Vdd经由电阻RL3及电感LL1向晶体管的集电极施加电压，进而经由电阻RL2，对晶体管的基极施加电压。在本实施例中，由于需要同时放大2.4GHz频带及5GHz频带的接收频率，所以，优选低噪声放大器LNA1具有以2.4GHz频带及5GHz频带双方动作那样的宽频带特性。为了实现该特性，利用在晶体管的基极与集电极之间设置的电阻RL1及电容CL2，将输出侧的一部分电力向输入侧反馈。 
图10所示的构成，除了与第一天线端子Ant1连接的接收路径之外，还可以在与第二天线端子Ant2连接的接收路径中使用。该情况下，由于在与第二Ant2连接的接收路径中也可配置低噪声放大器LNA，所以，高频电路整体具备两个低噪声放大器。如果使用向两个低噪声放大电路供给电压Vdd的一个供给电源端子，则可以降低电源电路。具体而言，由导电体图案分支一个供给电源端子，向各低噪声放大电路供给电压。 
低噪声放大器LNA1与分波电路(Dip2)14连接。分波电路14具有：由传送线路lfr1构成的低频侧滤波器(低通滤波器)、和由电容元件cfr2、cfr3、cfr4及传送线路lfr3构成的高频侧滤波器(高通滤波器)。 
分波电路14的低频侧滤波器(低通滤波器)与由电容元件cp1～cp7及传送线路lp1、lp2构成的带通滤波器电路(BPF3)6连接。传送线路lp1与传送线路lp2磁耦合。 
带通滤波器电路6与第一通信系统用的第一接收端子Rx1—1连接。分波电路14的高频侧滤波器(高通滤波器)与第二通信系统用的第一接收端子Rx2—1连接。 
与开关电路SPDT1连接的检波电路(DET1)8具有主线路lc1与副线路lc2耦合的耦合电路，副线路lc2的一端经由电阻Rc1接地，另一端与匹配用传送线路lc3连接，经由电阻Rc2与由肖特基二极管Ds、电阻元 件Rs及电容元件Cs构成的电压平滑电路连接，进而与检波输出端子Vdet连接。从检波输出端子Vdet输出与第一及第二高频放大电路PA1、PA2的输出电力对应的DC电压。另外，检波电路8可以集成于高频放大电路。 
与检波电路8连接的分波电路(Dip1)13包括低频侧滤波器(低通滤波器)和高频侧滤波器(高通滤波器)，其中，所述低频侧滤波器由传送线路lft1、lft2及电容元件cft1构成，所述高频侧滤波器由电容元件cft2、cft3、cft4及传送线路lft3构成。这些分波电路13、14的电路构成不限定于低通滤波器与高通滤波器的组合，也可以适当变更为其他的滤波器(带通滤波器、陷波滤波器等)。 
分波电路13的与高频侧滤波器(高通滤波器)连接的低通滤波器电路(LPF2)19，由电容元件cpa2、cpa3、cpa4及传送线路lpa1构成。在来自第二高频放大电路PA2的高次谐波发生量少的情况下，也可以省略低通滤波器电路19。图1(a)所示的电路中，在分波电路Dip1的低频侧连接有低通滤波器电路LPF1，但这里由于分波电路Dip1兼具由传送线路lft1、lft2及电容元件cft1构成的低通滤波器的功能，所以，不需要另外使用低通滤波器LPF1。 
分波电路13上分别连接着具有图11及图12所示的等效电路的第一及第二高频放大电路PA1、PA2。第一高频放大电路PA1包括输入匹配电路81、二级晶体管形成的功率放大电路82、恒压供给电路83、控制第一高频放大电路PA1的输出电力的控制电源电路84、以及输出匹配电路85。第二高频放大电路PA2包括输入匹配电路91、三级晶体管形成的功率放大电路92、恒压供给电路93、控制第二高频放大电路PA2的输出电力的控制电源电路94及输出匹配电路95。各高频放大电路PA1、PA2中使用了阻抗元件及电容元件，并被MMIC(Microwave Monolithic IntegratedCircuits)化。Vcc1及Vb1分别表示第一高频放大电路PA1的供给电压及偏置电压，Vcc2及Vb2分别表示第二高频放大电路PA2的供给电压及偏置电压。如果形成由一个供给电源来供给第一高频放大电路PA1的供给电压Vcc1和第二高频放大电路PA2的供给电压Vcc2(例如，各高频放大电路PA1、PA2共用一个供给电源端子，通过导电体图案从所述端子开始分支，向各高频放大电路PA1、PA2供给电压的构成)，则可以降低供给电 源用的电路图案与端子数。 
第一高频放大电路PA1上连接有带通滤波器电路(BPF1)4。带通滤波器电路4由电容元件ctg1～ctg6和传送线路ltg1、ltg2构成，传送线路ltg1与传送线路ltg2磁耦合。平衡不平衡电路22经由匹配用传送线路与带通滤波器电路4连接，平衡不平衡电路22的平衡端子与第一通信系统用的第一发送端子Tx1—1连接。第二高频放大电路PA2上连接有带通滤波器电路(BPF2)5。带通滤波器电路5由电容元件cta1～cta6和传送线路lta1、lta2构成，传送线路lta1与传送线路lta2磁耦合。平衡不平衡电路23经由匹配用传送线路与带通滤波器电路5连接，平衡不平衡电路23的平衡端子与第二通信系统用的第一发送端子Tx2—1连接。 
本发明的高频电路部件如图22所示，可构成为层叠部件(利用了陶瓷多层基板的部件)100。该高频电路部件的基本电路构成为图4及图10所示的构成。在层叠基板100的上面形成有用于对没有内置在层叠基板的芯片部件进行搭载的多个连接盘电极，在连接盘电极之上搭载有开关电路SPDT1、SPDT2、SPDT4、高频放大电路PA1～PA4、低噪声放大器LNA1～LNA3用的半导体元件，并且，安装有肖特基二极管、贴片电容器、贴片电感及贴片电阻。半导体元件向连接盘电极的安装可以在裸片状态下通过树脂密封或管密封来实现。连接盘电极经由过孔与形成在层叠基板100内的连接线路和电路元件(传送线路及电容元件)连接，从而构成了本发明的高频电路部件。如果将高频电路部件构成为层叠基板，则能够实现小型化及削减部件个数。当然，也能够将构成收发电路部的RFIC及基带IC复合到层叠基板100上。 
层叠基板100例如可以通过在由能够于1000℃以下低温烧结的陶瓷电介质材料构成的、厚10～200μm的各生片上，印刷低电阻率的Ag、Cu等的导电膏，形成所希望的导电体图案，并将形成了导电体图案的多个生片层叠为一体、进行烧结来制造。电介质材料具有5～15左右的介电常数，例如是(a)以Al、Si及Sr为主要成分，以Ti、Bi、Cu、Mn、Na及K为副成分的材料，(b)以Al、Si及Sr为主要成分，以Ca、Pb、Na及K为副成分的材料，(c)含有Al、Mg、Si及Gd的材料，(d)含有Al、Si、Zr及Mg的材料。除了陶瓷电介质材料之外，还可以使用树脂、树脂 与陶瓷电解质粉末的复合材料。也可以利用由以Al2O3为主体的陶瓷电介质材料形成基板，由钨或钼等能够高温烧结的金属形成传送线路等的HTCC(高温同时烧成陶瓷)法。 
在层叠基板100中，如果高频放大电路部的输入部、电源、输出部间的绝缘不足，则有可能引起高频放大电路的误动作及谐振。因此，为了充分确保这些电路间的绝缘，适当地配置了平面的接地电极和与接地电极连结的过孔。优选构成平衡不平衡变换器(balun)的电极也尽量远离高频放大电路配置。由此，可以降低来自高频放大电路的不需要的噪声干扰，可提高接收灵敏度。 
在层叠基板100中的可搭载高频放大电路用的半导体元件的部分，为了提高散热性，从上面到背面设置有散热孔(thermal via)。为了抑制不需要的噪声辐射，在生片上适当地形成了宽广的接地电极。 
在层叠基板100内，电路构成为三维。为了防止构成电路的导电体图案之间的不必要的电磁干扰，优选按照由接地电极(平面的接地电极、和与接地电极连结的过孔)进行分离、或在层叠方向上不重合的方式配置导电体图案。 
如图21所示，在层叠基板100的背面(安装面)形成有端子电极。该例子中，在中央部形成有宽的接地电极Gnd，在周边以双重的环绕状形成有各端子电极。 
外周侧的端子电极是第一～第三天线端子电极Ant1～Ant3、第一通信系统用的第一发送端子电极Tx1—1+、Tx1—1—及第二发送端子电极Tx1—2+、Tx1—2—、第二通信系统用的第一发送端子电极Tx2—1+、Tx2—1—及第二发送端子电极Tx2—2+、Tx2—2—、第一通信系统用的第一～第三接收端子电极Rx1—1～Rx1—3、第二通信系统用的第一～第三接收端子电极Rx2—1～Rx2—3、第三通信系统用的收发端子电极TxRx3、电路控制用端子电极Vdet1、Vdet2、Vcc及接地电极Gnd。电路控制用端子电极Vdetl是第一检波电路DET1的检波输出端子电极，电路控制用端子电极Vdet2是第二检波电路DET2的检波输出端子电极。电路控制用端子电极Vcc是高频放大电路PA1～PA4公用、向其分别供给电压的端子电极。如果将电压供给用端子电极Vcc设置于外周侧，则与电压供给用电路所需 要的贴片电容器等外置元件的连接变得容易。 
为了提高高频信号的输入输出端子间的绝缘，在输入输出端子之间配置有接地电极Gnd或电路控制用端子电极。不过，由于在平衡不平衡变换电路中需要同时进行50：100或50：150等的阻抗变换，将其输出端子的阻抗设定为高于50Ω，所以，优选不使接地Gnd与平衡端子邻接。另外，由于平衡输出与不平衡输出相比，相对共模噪声的耐性高，所以，可以连续配置其他系统的平衡端子。 
内周侧的端子电极是电路控制用端子电极VC1—1、VC2—1、VC2—2、VC1—3、VC2—3、Vdd1—3、Vdd1—2、Vb2—2、Vb1—2、Vb1—1、Vb2—1、Vdd1—1。端子电极Vc1—1、VC2—1是第一开关电路SPDT1的控制用电极，端子电极VC1—1、VC2—2是第二开关电路SPDT2的控制用电极，端子电极VC1—3、VC2—3是第四开关电路SPDT4的控制用电极，端子电极Vdd1—1是第一低噪声放大器LNA1的控制用电极，端子电极Vdd1—2是第二低噪声放大器LNA2的控制用电极，端子电极Vdd1—3是第三低噪声放大器LNA3用放大器。端子电极Vb1—1是第一高频放大电路PA1的控制用电极，端子电极Vb2—1是第二高频放大电路PA2的控制用电极，端子电极Vb1—2是第三高频放大电路PA3用的控制用电极，端子电极Vb2—2是第四高频放大电路PA4用的控制用电极。 
本实施例中将端子电极设为LGA(Land Grid Array)，但当然也可以采用BGA(Ball Grid Array)等。 
图20表示与图21所示的端子配置对照，将高频信号的输入输出端子电极、电路控制用端子电极及接地电极全部配置在中央的接地电极周围的一周上的例子。如果进行图20所示的端子配置，则由于在层叠基板100的外周出现的端子电极的个数多，所以，必然导致层叠基板100大型化。另外，如果想要以图20所示的端子配置使层叠基板100小型化，则必须使接地电极Gnd的个数比图21所示的例子少，由此会使得高频信号的输入输出端子电极间的绝缘降低，因Gnd电位的不稳定化引起高频放大电路的谐振、因滤波特性的劣化引起寄生信号的增大等。 
参照图15～图19，对构成为层叠基板100的高频电路部件中的各高频信号用端子的配置进行说明。
图15表示将图2的高频电路部件构成为层叠基板100时的端子的配置。在层叠基板100的一边配置有第一及第二天线端子电极Ant1、Ant2，在其对置的边配置有发送端子电极组Tx1-1、Tx1-2、Tx2-1、Tx2-2，在横向的一条边配置有第一接收端子电极组Rx1-1、Rx2-1，在其对置的边配置有第二接收端子电极组Rx1-2、Rx2-2及第三通信系统用的收发端子电极TxRx3。 
图16表示在将图7的高频电路部件构成为层叠基板100时的端子的配置。该端子配置除了在与第一及第二天线端子电极Ant1、Ant2(图7的Ant2a)相同的边上附加了第三天线端子电极Ant3(图7的Ant2b)之外，与图15所示的端子配置相同。 
图17表示在构成图4的高频电路部件的层叠基板100的一个面以环绕状配置了端子电极的另一个例子。在层叠基板100的一边配置有第一～第三天线端子电极Ant1～Ant3，在与之对置的边依次配置有第一发送端子电极组Tx1-1、Tx2-1、第二接收端子电极组Rx1-2、Rx2-2及第二发送端子电极组Tx2-1、Tx2-2，在横向的一条边配置有第一接收端子电极Rx1-1、Rx2-1，在与之对置的边上配置有第三接收端子电极组Rx1-3、Rx2-3及第三通信系统用的收发端子电极TxRx3。 
图18表示在构成图4的高频电路部件的层叠基板100的一个面以环绕状配置了端子电极的例子。该端子配置除了将第三通信系统用的收发端子TxRx3转移到与天线端子电极相同的边、将第二接收端子电极组Rx1-2、Rx2-2转移到与第三接收端子电极组Rx1-3、Rx2-3相同的边之外，与图17所示的端子配置相同。 
图19表示在构成图6的高频电路部件的层叠基板100的一个面以环绕状配置了端子电极的例子。在层叠基板100的一条边上配置有第一～第三天线端子电极Ant1～Ant3，在与之对置的边按顺序配置有第一发送端子组Tx1—1、Tx2—1、第二接收端子电极组Rx1—2、Rx2—2、第二发送端子组Tx2—1、Tx2—2及第三发送端子电极组Tx1—3、Tx2—3，在横向的一条边上配置有第一接收端子电极组Rx1—1、Rx2—1，在与之对置的边上配置有第三接收端子电极组Rx1—3、Rx2—3及第三通信系统用的收发端子电极TxRx3。
图26表示在构成图24的高频电路部件的层叠基板的一个面上以环绕状配置的端子。在其一边侧配置有天线端子电极Ant1、Ant3及第三通信系统用的收发端子电极TxRx3，在其对置的边上配置有发送端子电极组Tx1—1、Tx2—1和接收端子组Rx1—1、Rx2—1、Rx1—3。在横向的一边配置有第二通信系统用的第三接收端子Rx2—3。 
如上所述，通过将天线端子电极组和发送端子电极组隔离配置在对置边，可减少相互的干扰，能够避免高频放大电路的输出信号反馈到高频放大电路的输入中而引起高频放大电路的谐振等不良情况。如果使第一接收端子组和第二接收端子组不邻接(例如夹设GND端子或供给电源端子等、或配置于不同的边)，则可以避免其他系统的接收信号成为杂音而使接收灵敏度劣化的不良情况。优选将成为高频信号的输入输出端子的天线端子、发送端子及接收端子配置成不邻接，并在其之间设置接地电极或电路控制用端子电极。 
图28(a)～图28(e)表示由将形成了导电体图案的多个电介质层一体化之后的层叠基板构成的、本发明的高频电路部件的各层的导电体图案的一部分。图28所示的层叠基板由24层的电介质层构成，在第24层的背面形成有外部连接端子电极。图29(a)表示该高频电路部件中与第一天线端子连接的第一路径的等效电路，图29(b)表示与第二天线端子连接的第二路径的等效电路。该高频电路部件是将2.4GHz的频带设为第一通信系统、将5GHz的频带设为第二通信系统的双频带无线LAN用前端模块，是每一个通信系统具有一个发送端子及两个接收端子的1T2R型。 
第一路径中，在天线端子Ant1与单极双投型(SPDT)开关电路S1之间，配置有由电感元件ls5、ls6、ls9～ls11和电容元件cs1、cs4、cs5、cs6构成的低通滤波器电路，电容元件CS11与开关电路S1连接。优选将该低通滤波器电路设定为使5GHz频带的2倍波和3倍波衰减。V1、V2是输入用于控制开关电路S1的电压的端子。低噪声放大器LNA1经由电容元件CS13与开关电路S1连接。图32表示低噪声放大器LNA1的等效电路。VccRx是LNA1的供给电源，经由电阻RL13及电感LL11对晶体管Tr1的集电极施加电压。经由电阻RL12对晶体管Tr1的基极施加电压。B1是用于防止低噪声放大器因过大的信号输入而饱和的偏置开关。本实 施例中，由于需要同时放大2.4GHz频带及5GHz频带的接收频率，所以，优选具有以从2.4GHz频带到5GHz频带双方动作的宽频带的低噪声放大器特性。 
接收侧分波电路与低噪声放大器LNA1连接。该分波电路的低频侧滤波器(低通滤波器)由传送线路l1ff1构成，高频侧滤波器(高通滤波器)由电容元件c1ff1、c1ff3、c1ff5及传送线路l1ff2、l1ff4构成。在该分波电路的低频侧滤波器(低通滤波器)上连接有带通滤波器电路2.4G BPF_Rx1。如图33所示，带通滤波器电路2.4G BPF_Rx1由电容元件cplg1、cplg2、cplg4～cplg7和传送线路lplg1、lplg2构成，传送线路lplg1与传送线路lplg2磁耦合。在带通滤波器电路2.4G BPF_Rx1上连接有第一通信系统用的第一接收端子Rx1-2G。而且，在分波电路的高频侧滤波器(高通滤波器)上连接有带通滤波器电路5G HPF_Rx1。如图34所示，带通滤波器电路5G HPF_Rx1由电容元件cpla1～cpla5和传送线路lpla1、lpla2构成。在带通滤波器电路5G HPF_Rx1上连接有第二通信系统用的第一接收端子Rx1-5G。 
在开关电路S1上连接有发送侧分波电路。该发送侧分波电路包括低频侧滤波器(低通滤波器)和高频侧滤波器(高通滤波器)，其中，所述低频侧滤波器由传送线路ltd1、ltd2及电容元件ctd1构成，所述高频侧滤波器由电容元件ctd2～ctd4和传送线路ltd3构成。这些分波电路的构成不限定于低通滤波器与高通滤波器的组合，还能够进行适当的变更，例如可以利用其他的滤波器(带通滤波器、陷波滤波器等)。 
发送侧分波电路上连接有检波电路。低频侧检波电路具有主线路lcb1与副线路lcb2耦合的耦合电路，副线路lcb2的一端经由电阻RC1接地，另一端与由肖特基二极管D1、电阻元件RC2及电容元件CC1构成的电压平滑电路连接，进而与检波输出端子DET连接。从检波输出端子DET输出与高频放大电路2.4G HPA的输出电力对应的DC电压。高频侧检波电路具有主线路lca1与副线路lca2耦合的耦合电路，副线路lca2的一端经由电阻RC3接地，另一端与由肖特基二极管D2、电阻元件RC4及电容元件CC2构成的电压平滑电路连接，进而与检波输出端子DET连接。从检波输出端子DET输出与高频放大电路5G HPA的输出电力对应的DC电 压。检波输出端子DET被共用为低频侧检波电路及高频侧检波电路的输出端子。另外，检波电路DET也可以被集成于高频放大电路。 
在发送侧分波电路的高频侧滤波器(高通滤波器)与高频侧检波电路之间，连接有由电容元件ctd5～ctd7和传送线路ltd4构成的低通滤波电器电路。该低通滤波器电路在高频放大电路5G HPA的高次谐波产生量少的情况下可以省略。在发送侧分波电路的低频侧滤波器(低通滤波器)与高频放大电路2.4G HPA之间，连接有由ccb1、ccb2、ccb3、lcb1、lcb3构成的低通滤波器电路。该低通滤波器电路的传送线路lcb1还可以被用作低频侧检波电路的主线路。 
图35表示与发送侧分波电路连接的高频放大电路2.4G HPA及5GHPA的等效电路。图35的上半部分表示低频侧的高频放大电路，下半部分表示高频侧的高频放大电路。由于这些高频放大电路的供给电源线与公共的供给电源端子VccPA连接，所以，可减少电源电路图案、电源端子、外带贴片电容器等的数量。低频侧的高频放大电路2.4G HPA由输入匹配电路102、两级晶体管构成的功率放大电路103、恒压供给电路104、控制高频放大电路2.4G HPA的输出电力的控制电源电路105、及输出匹配电路106构成。而高频放大电路5G HPA由输入匹配电路107、三级晶体管构成的功率放大电路108、恒压供给电路109、控制高频放大电路5GHPA的输出电力的控制电源电路110、及输出匹配电路111构成。可在各自当中使用电感元件及电容元件。这些高频放大电路还可被MMIC化。Vbb2G及Vbb5G分别是低频侧及高频侧的高频放大电路的偏置电压。 
在高频放大电路2.4G HPA上连接有带通滤波器电路2.4G BPF_Tx。如图36所示，带通滤波器电路2.4G BPF_Tx由电容元件cpg1、cpg2、cpg4～cpg7和传送线路lpg1、lpg2构成，传送线路lpg1与传送线路lpg2磁耦合。在带通滤波器电路2.4G BPF_Tx上连接有平衡不平衡电路2.4G Balun，平衡不平衡电路2.4G Balun的平衡端子与低频侧的第一通信系统用的第一发送端子TX_2G_1、TX_2G_2连接。 
在高频放大电路5G HPA上连接有带通滤波器电路5G BPF_Tx。如图37所示，带通滤波器电路5G BPF_Tx由电容元件cppa1b、cppa2a、cppa2b、cppa3、cppa4、cppa4a、cppa5和传送线路lppa1a、lppa1a1、lppa2构成， 传送线路lppa1a、传送线路lppa1a1及传送线路lppa2磁耦合，构成了三级的带通滤波器电路。在带通滤波器电路5G BPF_Tx上连接有平衡不平衡电路5G Balun，平衡不平衡电路5G Balun的平衡端子与高频侧的第二通信系统用的第一发送端子TX_5G_1、TX_5G_2连接。 
如图29(b)所示，天线端子Ant2经由电容元件CS21与单极双投型(SPDT)开关电路S2连接。V3及V4是供给用于控制开关电路S2的电压的端子。Bluetooth的端子BLT经由电容元件CS22与开关电路S2连接，而且低噪声放大器LNA3连接经由电容元件CS23开关电路S2连接。图38表示低噪声放大器LNA3的等效电路。在该等效电路中，VccRx是LNA3的供给电源，经由电阻RL23及电感LL21向晶体管Tr3的集电极施加电压。供给电源VccRx也被低噪声放大器LNA1及LNA3共用，可实现高频电路部件的小型化。进而，经由电阻RL22向晶体管Tr3的基极施加电压。B2是用于防止低噪声放大器因过大的信号输入而饱和的偏置开关。本实施例中，由于需要同时放大2.4GHz频带及5GHz频带的接收频率，所以，优选具有以2.4GHz频带及5GHz频带双方动作的宽频带的低噪声放大器特性。 
低噪声放大器LNA3上连接有接收侧分波电路。接收侧分波电路包括低频侧滤波器(低通滤波器)和高频侧滤波器(高通滤波器)，其中，所述低频侧滤波器由传送线路l2ff1构成，所述高频侧滤波器由电容元件c2ff1、c2ff3、c2ff5及传送线路l2ff2、l2ff4构成。在接收侧分波电路的低频侧滤波器(低通滤波器)上连接有带通滤波器电路2.4G BPF_Rx2。如图39所示，带通滤波器电路2.4G BPF_Rx2由电容元件cp2g1、cp2g2、cp2g4～cp2g7及传送线路lp2g1、lp2g2构成，传送线路kp2g1与传送线路lp2g2磁耦合。在带通滤波器电路2.4G BPF_Rx2上连接有第一通信系统用的第二接收端子Rx2-2G。接收侧分波电路的高频侧滤波器(高通滤波器)上连接有高通滤波器电路5G HPF_Rx2。如图40所示，高通滤波器电路5G HPF_Rx2由电容元件cp2a1～cp2a5及传送线路lp2a1、lp2a2构成。在高通滤波器电路5G HPF_Rx2上连接有第二通信系统用的第二接收端子Rx2-5G。 
利用图28，对将具有图29(a)及图29(b)所示的等效电路的高频 电路部件构成为层叠基板时的各层的导电体图案进行说明。电路元件中的电容元件及电感元件的一部分由形成于电介质层的导电体图案构成。半导体元件、一部分的电容元件及电感元件、电阻元件，搭载在层叠基板的表面。在层叠基板的背面的各边上，以环绕状排列有供给电源、控制电源、输入信号、输出信号、天线、接地的端子电极组，在端子电极组的内侧形成有矩形的接地电极。如果层叠基板的背面具有对置的第一边、第二边、及与它们正交的第三边及第四边，则可以将每一个天线端子电极都沿着第一边配置，将发送端子电极及一部分的接收端子电极沿着第二边配置，将剩余的接收端子电极配置在第三或第四边中靠近第二边的位置。将供给电源端子电极、控制电源端子电极等电路控制用端子电极都沿着第三及第四边配置。基于这样的端子电极的配置，在如图8或9所示那样连接该前端模块的情况下，高频信号在前端模块与RF—IC之间流过的路径最短，能够实现通信设备的低损失化、降低外来噪声带来的影响。 
在图28中，以“c”开始的符号表示电容元件，以1开始的符号表示电感元件，以“e”开始的符号表示接地电极。黑色的点表示通孔。第24层是用于导回与背面的电源端子连接的电源线的电源线层。lr11是被第一路径及第二路径的接收侧低噪声放大器共用的电源线路，经由通孔与第一层连接，在第一层中分支为第一路径及第二路径的低噪声放大器。高频放大电路的电源经由通孔与第一层连接，在第一层中分支为2.4GHz用高频放大电路和5GHz用高频放大电路。第23层中几乎在整个面形成有接地电极，电源线层被第23层的接地电极和背侧的接地电极夹持。电容元件C及电感元件L形成在第23层上面的电介质层。与第一天线端子连接的5GHz接收路径、和与第二天线端子连接的5GHz接收路径分别遍及第4层～第20层而形成。 
高通滤波器电路形成在第4层～第16层的各个角部，cpla1a、cpla3a、cpla1b、cpla2a、cpla3b是与第一天线端子连接的接收路径的高通滤波器的构成电容元件C的电极，lpla1a、lpla2a、lpla1b、lpla2b是与第一天线端子连接的接收路径的高通滤波器的构成电感元件L的电极，cp2a1a、cp2a3a、cp2a1b、cp2a2、cp2a3b是与第二天线端子连接的接收路径的高通滤波器的构成电容元件C的电极，lp2a1a、lp2a2a、lp2a1b、lp2a2b是与第二天线 端子连接的接收路径的高通滤波器的构成电感元件L的电极。为了高频电路部件的小型化，这些高频滤波器电路用电极被接近配置。为此，在滤波器电路之间设置有屏蔽电极。在图28所示的例子中，屏蔽电极是与接地电极连接的直线状通孔电极列(被虚线的椭圆包围)。通孔电极列按照连接第3层及第16层的接地电极的方式，贯通其间的电介质层。第3层的接地电极的一部分为带状电极，带状电极上连接有沿长度方向隔开规定间隔的通孔电极。第16层的接地电极被配置成大致为矩形状，俯视下与高通滤波器电路重叠，对在比第16层靠下的层上形成的其他电路进行屏蔽。在形成电感元件的第9层～第11层的电介质层上，与第3层同样地形成有带状的接地电极。通过如此将通孔电极设为屏蔽电极，可以得到高的绝缘性。另外，通孔电极列可以贯通层叠基板整体，但只要屏蔽贯通必要的部分即可。 
与第一天线端子连接的2.4GHz及5GHz的发送路径中设置的带通滤波器电路，分别主要形成在第3层～第12层。带通滤波器电路被设置在图中高通滤波器电路的左侧，cpg1b、cpg2a、cpg2b、cpg3b、cpg4a、cpg4b、cpg5是与第一天线端子连接的2.4GHz发送路径的带通滤波器电路的构成电容元件C的电极，lpg1a～lpg1c、lpg2a～lpg2c是与第一天线端子连接的2.4GHz发送路径的高通滤波器电路的构成电感元件L的电极，cppa1b、cppa2a、cppa2b、cppa4、cppa4a、cppa4b、cppa5是与第一天线端子连接的5GHz发送路径的带通滤波器电路的构成电容元件C的电极，lppa0a、lppa0b、lppa1b、lppa1b1、lppa1c1、lppa2b、lppa2c是与第一天线端子连接的5GHz发送路径的带通滤波器电路的构成电感元件L的电极。 
在第14层～第23层中形成有与2.4GHz及5GHz发送端子连接的平衡不平衡电路的电极。cbg1及cbg2是在2.4GHz发送路径的带通滤波器电路2.4G BPF_与发送端子Tx_2G_1、TX_2G_2之间设置的平衡不平衡电路Tx2.4G Balun的构成电容元件C的电极，lbg1～lbg4、lbg6～lbg18是平衡不平衡电路Tx2.4G Balun的构成电感元件L的电极，cba1～cba3是在5GHz发送路径的带通滤波器电路5G BPF_与发送端子TX_5G_1、TX_5G_2之间设置的平衡不平衡电路Tx5G Balun的构成电容元件C的电极，lba1～lba6是平衡不平衡电路Tx5G Balun的构成电感元件L的电极。 平衡不平衡电路被配置成与比发送侧的带通滤波器电路靠下的层重叠。为了高频电路部件的小型化，带通滤波器电路及平衡不平衡电路被接近配置于接收侧的高通滤波器电路。 
为了使接收路径的滤波器电路和发送路径的滤波器电路靠近配置，在滤波器电路之间设置屏蔽电极。在图28的例子中，屏蔽电极是与接地电极连接的通孔电极(被实线椭圆包围)。屏蔽电极还兼具和发送端子连接的平衡不平衡电路与接收路径的滤波器电路的屏蔽。通孔电极按照连接形成在第3层、第21层及第23层的接地电极的方式，构成贯通其间的电介质层的直线状通孔电极列。第3层的接地电极是带状电极，连接有沿长度方向隔开规定间隔的通孔电极。第21层及第23层的接地电极为覆盖层整体的近似矩形状。在图28的例子中，还在第5层、第7层、第8层、第9层、第12层、第14层上形成有带状的电极，以便连接通孔电极列。通过这样将通孔电极设为屏蔽电极，可以将靠近接收路径的滤波器电路和发送路径的滤波器电路而配置时的绝缘提高为15dB以上。在设置屏蔽电极、集成滤波器电路，并共用供给电源的本实施例中，可得到高度1.5mm、体积73.5mm3的薄型、小型的1T2R型双频带无线LAN模块。 
图30(a)～图30(e)表示构成本发明的高频电路部件的层叠基板的各层导电体图案的其他例子。在该例子中，层叠基板由24层的电介质层构成，在第24层的背面形成有外部连接用端子电极。由表示等效电路的图31可知，该高频电路部件是将2.4GHz的频带作为第一通信系统的单频带无线LAN用前端模块(每个通信系统具有两个发送端子及三个接收端子的2T3R型)。 
图31(a)表示与第一天线端子连接的第一路径的等效电路，图31(b)表示与第二天线端子连接的第二路径的等效电路，图31(c)表示与第三天线端子连接的第三路径的等效电路。在第一路径中，第一天线端子Ant1经由开关电路S1与第一发送端子TX1_1、TX1_2及第一接收端子RX1连接，开关电路S1对第一天线端子Ant1与第一发送端子TX1_1、TX1_12或第一接收端子RX1的连接进行切换。第一路径除了为了单频带而不设置分波电路、及没有设置5GHz收发路径之外，与图28及图29所示的情形相同。即，在第一天线端子与第一发送端子TX1_1、TX1_2及第一接收 端子RX1之间配置的滤波器电路、高频放大电路、低噪声放大器电路、平衡不平衡电路等，与图28及图29所示的相同。因此，省略对它们的说明。在第二路径中，第二天线端子Ant2经由开关电路S2与第二发送端子TX2_1、TX2_2及第二接收端子RX2连接，开关电路S2对第二天线端子Ant2与第二发送端子TX2_1、TX2_2或第二接收端子RX2的连接进行切换。第二天线端子Ant2与第二发送端子TX2_1、TX2_2及第二接收端子RX2之间的电路构成与第一路径相同。在第三路径中，第三天线端子 Ant3经由开关电路S3与第三接收端子RX3连接。由于该路径的构成除了没有设置分波电路、及没有设置5GHz的接收路径之外，与图28及图29(b)所示的相同，所以省略说明。 
高频放大电路的电源线与公共的供给电源端子VccPA连接、及接收路径的低噪声放大器与公共的供给电源VccLNA连接，这与图28及图29所示的例子相同，由此，可实现高频电路部件的小型化。 
参照图30，对构成具有图31所示的等效电路的高频电路部件的层叠基板的各层导电体图案进行说明。在层叠基板的背面，沿着各边以环绕状排列有供给电源、控制电源、输入信号、输出信号、天线、接地的端子电极组，在端子电极组的内侧形成有矩形的接地电极。如果设层叠基板的背面具有对置的第一及第二边、以及与它们正交对置的第三及第四边，则可以将多个天线端子电极都沿着第一边配置，将发送端子电极及接收端子电极沿着第二边配置，将供给电源端子电极、控制电源端子电极等电路控制用端子电极都沿着第三及第四边配置。该不同的电路构成与图28及图29所示的例子相同。 
在图30中，clf1～clf7表示构成与第一接收端子连接的带通滤波器电路的电容元件C的电极，l1f2a、l1f3a、l1f2b、l1f3b、l1f2c、l1f3c表示构成电感元件L的电极，c2f1～c2f7表示构成与第二接收端子连接的带通滤波器电路的电容元件C的电极，l2f2a、l2f3a、l2f2b、l2f3b、l2f2c、l2f3c表示构成电感元件L的电极，c3f1～c3f7表示构成与第三接收端子连接的带通滤波器电路的电感元件C的电极，l3f2a、l3f3a、l3f2b、l3f3b、l3f2c、l3f3c表示构成电感元件L的电极。 
图41(a)～图41(c)分别表示图31中的与第一～第三接收端子连 接的带通滤波器电路的等效电路。为了小型化，与第一接收端子连接的带通滤波器电路和与第三接收端子连接的带通滤波器电路、与第二接收端子连接的带通滤波器电路和与第三接收端子连接的带通滤波器电路分别靠近配置，在它们之间形成有通孔电极(图30中被虚线的椭圆包围)作为屏蔽电极。通孔电极从第9层贯通到第21层，与这些层中形成的接地电极连接。本实例中，由于滤波器电路的间隔比图28及图29的例子稍大，所以，通孔电极的数量减少。另外，由于与第一接收端子连接的带通滤波器电路和与第二接收端子连接的带通滤波器电路取得了足够的间隔，所以，在它们之间没有设置通孔电极。这样，通过将通孔电极作为屏蔽电极，能够将各路径的滤波器电路间的绝缘提高到15dB以上。通过借助屏蔽电极集成滤波器电路并公用了供给电源的本实施例，可得到高1.5mm及体积72.0mm3的薄型、小型的2T3R型单频带无线LAN模块。 
通过利用上述高频电路部件，可构成小型、低成本的通信装置。这样的高频电路部件优选应用在具备无线通信功能的便携设备或个人电脑等中。 
参照附图对本发明的高频电路部件进行了说明，但本发明当然不限定于图示的情形，能够在本发明的思想范围内进行各种变更。与各实施例相关的说明也能够应用到其他的实施例。当然，各附图所示的高频电路部件的等效电路只是例示，不应该限定解释本发明。通过适当组合或变更这些等效电路，可构成本发明的高频电路部件。

Claims (29)

1.一种高频电路部件，具有：至少第一及第二天线端子、第一通信系统用的至少第一发送端子及至少第一及第二接收端子、与所述第一天线端子连接的开关电路、和两个以上的滤波器电路，
所述开关电路用于对所述第一天线端子与所述第一发送端子之间的路径、和所述第一天线端子与所述第一接收端子之间的路径进行切换，
由所述开关电路进行切换的所述路径，不同于所述第一通信系统用的所述第二天线端子与所述第二接收端子之间的路径，
所述第一通信系统用的所述第一发送端子及所述第一接收端子分别能够与所述第一天线端子连接，
所述第一通信系统用的第二接收端子能够与所述第二天线端子连接。
2.根据权利要求1所述的高频电路部件，其特征在于，
具有第二通信系统用的至少第一发送端子及至少第一及第二接收端子，
所述第二通信系统用的所述第一发送端子及所述第一接收端子能够分别利用所述开关电路与所述第一天线端子连接，所述第二通信系统用的所述第二接收端子能够与所述第二天线端子连接。
3.一种高频电路部件，具有：至少第一及第二天线端子、第一通信系统用的至少第一及第二发送端子和至少第一及第二接收端子、与所述第一天线端子连接的第一开关电路及与所述第二天线端子连接的第二开关电路、和两个以上的滤波器电路，
所述第一开关电路用于对第一通信系统用的所述第一天线端子与所述第一发送端子之间的路径、和第一通信系统用的所述第一天线端子与所述第一接收端子之间的路径进行切换，
所述第二开关电路用于对第一通信系统用的所述第二天线端子与所述第二发送端子之间的路径、和第一通信系统用的所述第二天线端子与所述第二接收端子之间的路径进行切换，
所述第一通信系统用的所述第一发送端子及所述第一接收端子分别能够与所述第一天线端子连接，
所述第一通信系统用的所述第二发送端子及所述第二接收端子分别能够与所述第二天线端子连接。
4.根据权利要求3所述的高频电路部件，其特征在于，
具有第二通信系统用的至少第一及第二发送端子及至少第一及第二接收端子，
所述第二通信系统用的所述第一发送端子及所述第一接收端子能够分别利用所述第一开关电路与所述第一天线端子连接，所述第二通信系统用的所述第二发送端子及所述第二接收端子能够分别利用所述第二开关电路与所述第二天线端子连接。
5.根据权利要求3所述的高频电路部件，其特征在于，
具有第三天线端子、和所述第一通信系统用的第三接收端子，
所述第一通信系统用的所述第三接收端子能够与所述第三天线端子连接。
6.根据权利要求4所述的高频电路部件，其特征在于，
具有：第三天线端子、所述第一通信系统用的第三接收端子、和所述第二通信系统用的第三接收端子，
所述第一通信系统用的所述第三接收端子及所述第二通信系统用的所述第三接收端子分别能够与所述第三天线端子连接。
7.根据权利要求5所述的高频电路部件，其特征在于，
具有所述第一通信系统用的第三发送端子，
所述第一通信系统用的所述第三发送端子能够与所述第三天线端子连接。
8.根据权利要求6所述的高频电路部件，其特征在于，
具有所述第一通信系统用的第三发送端子、和所述第二通信系统用的第三发送端子，
所述第一通信系统用的所述第三发送端子及所述第二通信系统用的所述第三发送端子分别能够与所述第三天线端子连接。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的高频电路部件，其特征在于，
具有第三通信系统用的收发端子。
10.根据权利要求1或3所述的高频电路部件，其特征在于，
具有：共用电源端子并对接收信号进行放大的两个以上的低噪声放大器电路。
11.根据权利要求10所述的高频电路部件，其特征在于，
具有：共用电源端子并对发送信号进行放大的两个以上的高频放大电路。
12.一种高频电路部件，具有：至少第一及第二天线端子、第一通信系统用的至少第一发送端子及至少第一及第二接收端子、第二通信系统用的至少第一发送端子及至少第一及第二接收端子，
(A)与所述第一天线端子连接的第一路径具有：(a)从所述第一天线端子开始按顺序连接了第一开关电路、第一分波电路、第一高频放大电路、第一带通滤波器电路及所述第一通信系统用的第一发送端子的路径；
(b)从所述第一分波电路开始按顺序连接了第二高频放大电路、第二带通滤波器电路、及所述第二通信系统用的所述第一发送端子的路径；(c)从所述第一开关电路开始按顺序连接了第二分波电路、第三带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第一接收端子的路径；和(d)连接了所述第二分波电路与所述第二通信系统用的第一接收端子的路径；
(B)与第二天线端子连接的第二路径具有：(a)从所述第二天线端子开始按顺序连接了第三分波电路、第四带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第二接收端子的路径；和(b)连接了所述第三分波电路与所述第二通信系统用的所述第二接收端子的路径。
13.一种高频电路部件，具有：至少第一及第二天线端子、第一通信系统用的至少第一及第二发送端子以及至少第一及第二接收端子、第二通信系统用的至少第一及第二发送端子以及至少第一及第二接收端子，
(A)与第一天线端子连接的第一路径具有：(a)从所述第一天线端子开始按顺序连接了第一开关电路、第一分波电路、第一高频放大电路、第一带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第一发送端子的路径；
(b)从所述第一分波电路开始按顺序连接了第二高频放大电路、第二带通滤波器电路、及所述第二通信系统用的所述第一发送端子的路径；(c)从所述第一开关电路开始按顺序连接了第二分波电路、第三带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第一接收端子的路径；和(d)连接了所述第二分波电路与所述第二通信系统用的所述第一接收端子的路径；
(B)与第二天线端子连接的第二路径具有：(a)从所述第二天线端子开始按顺序连接了第二开关电路、第三分波电路、第三高频放大电路、第四带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第二发送端子的路径；(b)从所述第三分波电路开始按顺序连接了第四高频放大电路、第五带通滤波器电路及所述第二通信系统用的所述第二发送端子的路径；(c)从所述第二开关电路开始按顺序连接了第四分波电路、第六带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第二接收端子的路径；和(d)连接了所述第四分波电路与所述第二通信系统用的所述第二接收端子的路径。
14.一种高频电路部件，具有：至少第一～第三天线端子、第一通信系统用的至少第一及第二发送端子以及至少第一～第三接收端子、第二通信系统用的至少第一及第二发送端子以及至少第一～第三接收端子，
(A)与第一天线端子连接的第一路径具有：(a)从所述第一天线端子开始按顺序连接了第一开关电路、第一分波电路、第一高频放大电路、第一带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第一发送端子的路径；(b)从所述第一分波电路开始按顺序连接了第二高频放大电路、第二带通滤波器电路、及所述第二通信系统用的所述第一发送端子的路径；(c)从所述第一开关电路开始按顺序连接了第二分波电路、第三带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第一接收端子的路径；和(d)连接了所述第二分波电路与所述第二通信系统用的第一接收端子的路径；
(B)与第二天线端子连接的第二路径具有：(a)从所述第二天线端子开始按顺序连接了第二开关电路、第三分波电路、第三高频放大电路、第四带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第二发送端子的路径；(b)从所述第三分波电路开始按顺序连接了第四高频放大电路、第五带通滤波器电路及所述第二通信系统用的所述第二发送端子的路径；(c)从所述第二开关电路开始按顺序连接了第四分波电路、第六带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第二接收端子的路径；和(d)连接了所述第四分波电路与所述第二通信系统用的所述第二接收端子的路径；
(C)与第三天线端子连接的第三路径具有：(a)从第三天线端子开始按顺序连接了第五分波电路、第七带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第三接收端子的路径；和(b)连接了所述第五分波电路与所述第二通信系统用的所述第三接收端子的路径。
15.一种高频电路部件，具有：至少第一～第三天线端子、第一通信系统用的至少第一～第三发送端子以及至少第一～第三接收端子、第二通信系统用的至少第一～第三发送端子以及至少第一～第三接收端子，
(A)与第一天线端子连接的路径具有：(a)从所述第一天线端子开始按顺序连接了第一开关电路、第一分波电路、第一高频放大电路、第一带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第一发送端子的路径；(b)从所述第一分波电路开始按顺序连接了第二高频放大电路、第二带通滤波器电路、及所述第二通信系统用的所述第一发送端子的路径；(c)从所述第一开关电路开始按顺序连接了第二分波电路、第三带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第一接收端子的路径；和(d)连接了所述第二分波电路与所述第二通信系统用的第一接收端子的路径；
(B)与第二天线端子连接的路径具有：(a)从所述第二天线端子开始按顺序连接了第二开关电路、第三分波电路、第三高频放大电路、第四带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第二发送端子的路径；(b)从所述第三分波电路开始按顺序连接了第四高频放大电路、第五带通滤波器电路及所述第二通信系统用的所述第二发送端子的路径；(c)从所述第二开关电路开始按顺序连接了第四分波电路、第六带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第二接收端子的路径；和(d)连接了所述第四分波电路与所述第二通信系统用的所述第二接收端子的路径；
(C)与第三天线端子连接的路径具有：(a)从所述第三天线端子开始按顺序连接了第三开关电路、第五分波电路、第五高频放大电路、第七带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第三发送端子的路径；(b)从所述第五分波电路开始按顺序连接了第六高频放大电路、第八带通滤波器电路、及所述第二通信系统用的所述第三发送端子的路径；(c)从所述第三开关电路开始按顺序连接了第六分波电路、第九带通滤波器电路及所述第一通信系统用的所述第三接收端子的路径；和(d)从所述第六分波电路开始连接了所述第二通信系统用的所述第三接收端子的路径。
16.根据权利要求12～15中任一项所述的高频电路部件，其特征在于，
在所述开关电路与所述分波电路之间设置有发送信号用的检波电路。
17.根据权利要求12～15中任一项所述的高频电路部件，其特征在于，
在各接收端子与各天线端子之间设置有低噪声放大器电路。
18.根据权利要求17所述的高频电路部件，其特征在于，
所述低噪声放大器电路分别共有电源端子，所述高频放大电路分别共有电源端子。
19.根据权利要求1、3、12～15中任一项所述的高频电路部件，其特征在于，
是由形成有导电体图案的多个陶瓷电介质层构成的一体的层叠基板，具有：由所述导电体图案构成电感元件及电容元件的层叠基板、和搭载于所述层叠基板上的至少一个半导体元件。
20.根据权利要求1或3所述的高频电路部件，其特征在于，
是由形成有导电体图案的多个陶瓷电介质层构成的一体的层叠基板，具有：由所述导电体图案构成电感元件及电容元件的层叠基板、和搭载于所述层叠基板上的至少一个半导体元件，
所述两个以上的滤波器电路的一部分与所述第一通信系统用的所述第一及第二接收端子连接，在与所述第一及第二接收端子连接的所述两个以上的滤波器电路之间设置有屏蔽电极。
21.根据权利要求1或3所述的高频电路部件，其特征在于，
是由形成有导电体图案的多个陶瓷电介质层构成的一体的层叠基板，具有：由所述导电体图案构成电感元件及电容元件的层叠基板、和搭载于所述层叠基板上的至少一个半导体元件，
所述两个以上的滤波器电路的一部分分别与所述第一通信系统用的所述第一发送端子以及所述第一及第二接收端子连接，在所述第一发送端子所连接的所述两个以上的滤波器电路中的一个、和所述第一及第二接收端子所连接的所述两个以上的滤波器电路中的至少一个之间，设置有屏蔽电极。
22.根据权利要求19所述的高频电路部件，其特征在于，
在所述层叠基板的至少一个面形成有至少两个天线端子电极、至少一个发送端子电极、至少两个接收端子电极、至少一个接地电极、以及至少一个电路控制用端子电极，所述天线端子电极沿着所述层叠基板的第一边配置，所述发送端子电极沿着与所述第一边对置的第二边配置。
23.根据权利要求22所述的高频电路部件，其特征在于，
所述接收端子电极中的相同通信系统的接收端子电极远离配置。
24.根据权利要求22或23所述的高频电路部件，其特征在于，
所述接收端子电极沿着所述第二边配置。
25.根据权利要求22或23所述的高频电路部件，其特征在于，
所述电路控制用端子电极沿着在所述第一及第二边的两侧对置的边配置。
26.根据权利要求19所述的高频电路部件，其特征在于，
在所述层叠基板的一面上形成有天线端子电极、多个发送端子电极、多个接收端子电极、多个接地电极及多个电路控制用端子电极，所述天线端子电极、所述发送端子电极及所述接收端子电极沿着所述一面的外周配置，所述电路控制用端子电极的至少一个配置在其内侧。
27.根据权利要求26所述的高频电路部件，其特征在于，
至少一个供给用电源端子沿着所述一面的外周配置。
28.根据权利要求26或27所述的高频电路部件，其特征在于，
在所述天线端子电极、所述发送端子电极、及所述接收端子电极中除了平衡输入输出端子电极之外的端子电极间，配置有所述接地电极或所述电路控制用端子电极。
29.一种通信装置，具备权利要求1～28中任一项所述的高频电路部件。
CN2007800091117A 2006-01-17 2007-01-17 高频电路部件及利用了该高频电路部件的通信装置 Active CN101401317B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP008343/2006 2006-01-17
JP2006008343 2006-01-17
JP2006202392 2006-07-25
JP202392/2006 2006-07-25
PCT/JP2007/050607 WO2007083668A1 (ja) 2006-01-17 2007-01-17 高周波回路部品及びこれを用いた通信装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101401317A CN101401317A (zh) 2009-04-01
CN101401317B true CN101401317B (zh) 2012-09-26

Family

ID=38287619

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007800091117A Active CN101401317B (zh) 2006-01-17 2007-01-17 高频电路部件及利用了该高频电路部件的通信装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8130787B2 (zh)
EP (1) EP1976133B1 (zh)
JP (3) JP5245413B2 (zh)
CN (1) CN101401317B (zh)
TW (1) TWI452851B (zh)
WO (1) WO2007083668A1 (zh)

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009141929A (ja) * 2007-11-16 2009-06-25 Tdk Corp 高周波電子部品
US8767859B2 (en) 2008-06-25 2014-07-01 Hitachi Metals, Ltd. High-frequency circuit, high-frequency device, and communications apparatus
JP5472672B2 (ja) * 2008-10-09 2014-04-16 日立金属株式会社 高周波回路部品およびこれを用いた通信装置
WO2010097650A1 (en) * 2009-02-27 2010-09-02 Nokia Siemens Networks Oy Improved mimo communication system
AU2010225399B9 (en) 2009-03-18 2014-11-06 Netgear, Inc. Multiple antenna system for wireless communication
US8219157B2 (en) * 2009-03-26 2012-07-10 Apple Inc. Electronic device with shared multiband antenna and antenna diversity circuitry
US8208867B2 (en) * 2009-04-09 2012-06-26 Apple Inc. Shared multiband antennas and antenna diversity circuitry for electronic devices
JP2011015242A (ja) * 2009-07-02 2011-01-20 Panasonic Corp 高周波電力増幅器
DE102010012603B4 (de) * 2010-03-24 2019-09-12 Snaptrack, Inc. Frontendmodul und Verfahren zum Betrieb in unterschiedlichen Schaltungsumgebungen
WO2012049529A1 (en) * 2010-10-15 2012-04-19 Freescale Semiconductor, Inc. Integrated circuit device, wireless communication unit and method of manufacture therefor
KR101806540B1 (ko) * 2010-12-20 2017-12-07 엘지이노텍 주식회사 다중 입력 다중 출력을 지원하는 무선 통신 시스템의 무선 신호 제어 장치 및 방법
FR2971655A1 (fr) * 2011-02-10 2012-08-17 Thomson Licensing Terminal bi-bande a acces concurrents operant dans deux bandes adjacentes
JP5648736B2 (ja) 2011-03-02 2015-01-07 株式会社村田製作所 高周波モジュール
CN102299684B (zh) * 2011-05-24 2013-07-24 北京恒际通科技发展有限公司 信号变频传输器
JP2013031135A (ja) * 2011-07-29 2013-02-07 Sharp Corp 無線通信機器
US8897407B2 (en) * 2011-12-04 2014-11-25 Hemisphere Gnss Inc. RF (including GNSS) signal interference mitigation system and method
US8798554B2 (en) * 2012-02-08 2014-08-05 Apple Inc. Tunable antenna system with multiple feeds
US8824976B2 (en) * 2012-04-11 2014-09-02 Qualcomm Incorporated Devices for switching an antenna
JP5609918B2 (ja) * 2012-05-09 2014-10-22 株式会社村田製作所 スイッチモジュール
WO2013168689A1 (ja) * 2012-05-09 2013-11-14 株式会社村田製作所 スイッチモジュール
JP5594318B2 (ja) 2012-05-24 2014-09-24 株式会社村田製作所 スイッチモジュール
TWI445332B (zh) * 2012-06-18 2014-07-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 多輸入多輸出收發裝置
US9350392B2 (en) 2012-12-12 2016-05-24 Qualcomm Incorporated RFIC configuration for reduced antenna trace loss
KR20140145881A (ko) * 2013-06-14 2014-12-24 삼성전기주식회사 무선랜 안테나 공유 장치 및 모바일 통신 단말기
JP6090534B2 (ja) * 2014-06-26 2017-03-08 株式会社村田製作所 回路基板および回路モジュール
US10312960B2 (en) * 2014-08-12 2019-06-04 Qorvo Us, Inc. Switchable RF transmit/receive multiplexer
KR101625444B1 (ko) * 2015-03-05 2016-06-13 (주)와이솔 필터 모듈
GB2542625B (en) * 2015-09-28 2021-06-09 Tcl Communication Ltd Transceiver devices
DE102016102073A1 (de) * 2016-02-05 2017-08-10 Snaptrack, Inc. Frontend-Modul für Carrier-Aggregation-Betrieb
US10171112B2 (en) * 2016-03-24 2019-01-01 Qualcomm Incorporated RF multiplexer with integrated directional couplers
TWI603596B (zh) * 2016-06-14 2017-10-21 仁寶電腦工業股份有限公司 行動裝置
JP2018064266A (ja) * 2016-10-07 2018-04-19 株式会社村田製作所 高周波フィルタおよび高周波モジュール
US10491181B2 (en) * 2016-10-07 2019-11-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency filter and high-frequency module
WO2018101112A1 (ja) * 2016-11-30 2018-06-07 株式会社村田製作所 配線基板、カプラモジュール、及び通信装置
CN110402546B (zh) * 2017-03-15 2021-06-04 株式会社村田制作所 高频模块以及通信装置
CN107332573B (zh) * 2017-07-25 2021-04-13 Oppo广东移动通信有限公司 一种射频电路、天线装置及电子设备
WO2019065419A1 (ja) 2017-09-29 2019-04-04 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
CN108429554A (zh) * 2018-03-28 2018-08-21 深圳市共进电子股份有限公司 路由器的5g信号收发电路、方法、装置、路由器及介质
JP2019193115A (ja) * 2018-04-25 2019-10-31 株式会社村田製作所 高周波増幅回路、高周波フロントエンド回路および通信装置
JP6976216B2 (ja) * 2018-05-14 2021-12-08 三菱電機株式会社 送受信モジュール
WO2019244815A1 (ja) * 2018-06-20 2019-12-26 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
CN214675136U (zh) * 2018-06-20 2021-11-09 株式会社村田制作所 高频模块和通信装置
WO2020179540A1 (ja) * 2019-03-01 2020-09-10 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP7222276B2 (ja) * 2019-03-13 2023-02-15 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 マイクロ波集積回路
JP2021048567A (ja) * 2019-09-20 2021-03-25 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
CN110768634A (zh) * 2019-09-23 2020-02-07 广州慧智微电子有限公司 一种射频前端架构
JP2021087035A (ja) * 2019-11-25 2021-06-03 株式会社村田製作所 高周波信号送受信回路
JP2021100213A (ja) * 2019-12-23 2021-07-01 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
JP2021145282A (ja) * 2020-03-13 2021-09-24 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP2021158556A (ja) * 2020-03-27 2021-10-07 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP2021158554A (ja) * 2020-03-27 2021-10-07 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
WO2023027146A1 (ja) * 2021-08-26 2023-03-02 株式会社村田製作所 電力増幅回路

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1677893A (zh) * 2004-04-01 2005-10-05 株式会社日立制作所 携带式无线装置
WO2006003959A1 (ja) * 2004-06-30 2006-01-12 Hitachi Metals, Ltd. 高周波回路、高周波部品及びマルチバンド通信装置
JP2006014102A (ja) * 2004-06-29 2006-01-12 Hitachi Metals Ltd 高周波積層モジュール部品及びこれを用いたデュアルバンド通信装置

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3535748A (en) * 1967-07-25 1970-10-27 Mario Lely Wearing apparel safety retaining means
JPH0766775A (ja) * 1993-08-30 1995-03-10 Kokusai Electric Co Ltd 中継増幅装置
JPH07202739A (ja) * 1994-01-05 1995-08-04 Fujitsu Ltd 分波装置
JP2907010B2 (ja) * 1994-08-03 1999-06-21 松下電器産業株式会社 誘電体フィルタ
JPH09294100A (ja) 1996-04-25 1997-11-11 Mitsubishi Electric Corp 無線通信機および無線通信方法
JPH09298483A (ja) * 1996-04-30 1997-11-18 Sanyo Electric Co Ltd マイクロ波集積回路
JPH1022865A (ja) 1996-07-08 1998-01-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 送受信アンテナ切換装置
JPH10154947A (ja) 1996-11-22 1998-06-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd アンテナスイッチ共用器
JPH10173578A (ja) 1996-12-13 1998-06-26 Toshiba Corp アンテナ整合方法および回路
US6298221B1 (en) * 1998-04-01 2001-10-02 Denso Corporation Adaptive receiver linearity techniques for a radio transceiver
GB9811380D0 (en) 1998-05-27 1998-07-22 Nokia Mobile Phones Ltd A transciever for wireless communication
JP2000031651A (ja) * 1998-07-14 2000-01-28 Sony Corp 積層回路基板
JP3189794B2 (ja) * 1998-07-27 2001-07-16 日本電気株式会社 無線送受信装置と送信スプリアス防止方法
JP2000134002A (ja) * 1998-10-26 2000-05-12 Ngk Spark Plug Co Ltd 誘電体フィルタ
JP3595769B2 (ja) * 1999-03-15 2004-12-02 松下電器産業株式会社 半導体装置及び通信装置
JP2002171194A (ja) * 2000-11-30 2002-06-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 無線装置、並びにそれを備える携帯情報端末および無線基地局、並びにそれらを含む無線通信システム
JP2002208874A (ja) * 2001-01-11 2002-07-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波回路
JP4746770B2 (ja) 2001-06-19 2011-08-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP3874241B2 (ja) * 2001-07-27 2007-01-31 株式会社ルネサステクノロジ 電子部品および設計方法
JP2003229786A (ja) 2002-01-31 2003-08-15 Denso Corp 低温低雑音フロントエンド
JP2003273624A (ja) 2002-03-19 2003-09-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd コードレス電話子機及びコードレス電話親機及びコードレス電話システム
JP3922099B2 (ja) * 2002-05-27 2007-05-30 ソニー株式会社 無線通信装置
JP3909833B2 (ja) 2002-05-31 2007-04-25 松下電器産業株式会社 アンテナ切替え回路及び通信機器
JP3904151B2 (ja) * 2002-10-01 2007-04-11 日立金属株式会社 複合積層モジュール及びこれを用いた通信機
JP2004166258A (ja) * 2002-10-25 2004-06-10 Hitachi Metals Ltd 平衡−不平衡型マルチバンドフィルタモジュール
JP4126651B2 (ja) * 2002-10-25 2008-07-30 日立金属株式会社 高周波スイッチモジュール及び複合積層モジュール並びにこれらを用いた通信機
JP4101637B2 (ja) * 2002-12-24 2008-06-18 シャープ株式会社 携帯電話端末
JP3838237B2 (ja) * 2003-04-30 2006-10-25 ソニー株式会社 無線通信システム、送信装置および受信装置
JP4120935B2 (ja) * 2003-08-08 2008-07-16 日立金属株式会社 高周波モジュール及びこれを用いた通信機
JP2005064779A (ja) * 2003-08-11 2005-03-10 Hitachi Metals Ltd ハイパスフィルタおよびこれを用いたマルチバンドアンテナスイッチ回路、マルチバンドアンテナスイッチ積層モジュール、並びに通信装置
JP2005079634A (ja) * 2003-08-28 2005-03-24 Seiko Epson Corp 無線通信装置
JP2005123785A (ja) 2003-10-15 2005-05-12 Sharp Corp 無線通信装置
US7155252B2 (en) 2003-10-17 2006-12-26 Nokia Corporation Mimo and diversity front-end arrangements for multiband multimode communication engines
JP2005269305A (ja) 2004-03-19 2005-09-29 Sharp Corp 高周波フロントエンド回路および高周波通信装置
JP2005277579A (ja) * 2004-03-23 2005-10-06 Kyocera Corp 高周波モジュールおよびそれを用いた通信機器
US7643848B2 (en) * 2004-04-13 2010-01-05 Qualcomm, Incorporated Multi-antenna transceiver system
JP4570900B2 (ja) 2004-04-27 2010-10-27 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ 受信機、送信機および無線通信システム並びに受信方法
JP4399786B2 (ja) * 2004-05-20 2010-01-20 日立金属株式会社 分波・フィルタ複合回路、高周波回路、高周波回路部品、およびこれらを用いたマルチバンド通信装置
JP4246114B2 (ja) 2004-05-26 2009-04-02 日本電信電話株式会社 Ｍｉｍｏ無線信号伝送システム及び方法
JP2005354407A (ja) * 2004-06-10 2005-12-22 Hitachi Metals Ltd 高周波回路、高周波部品、及びこれを用いたマルチバンド通信装置
JP5137167B2 (ja) 2004-06-25 2013-02-06 日立金属株式会社 バンドパスフィルタ、高周波回路、高周波回路部品、およびこれらを用いたマルチバンド通信装置
JP4774791B2 (ja) 2005-04-06 2011-09-14 日立金属株式会社 高周波モジュール
JP4304674B2 (ja) * 2006-02-06 2009-07-29 日立金属株式会社 高周波モジュール及びこれを用いた通信機

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1677893A (zh) * 2004-04-01 2005-10-05 株式会社日立制作所 携带式无线装置
JP2006014102A (ja) * 2004-06-29 2006-01-12 Hitachi Metals Ltd 高周波積層モジュール部品及びこれを用いたデュアルバンド通信装置
WO2006003959A1 (ja) * 2004-06-30 2006-01-12 Hitachi Metals, Ltd. 高周波回路、高周波部品及びマルチバンド通信装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP1976133A1 (en) 2008-10-01
TW200737757A (en) 2007-10-01
JP4991807B2 (ja) 2012-08-01
WO2007083668B1 (ja) 2007-11-08
JP5065350B2 (ja) 2012-10-31
EP1976133A4 (en) 2012-10-03
TWI452851B (zh) 2014-09-11
JP5245413B2 (ja) 2013-07-24
US8130787B2 (en) 2012-03-06
EP1976133B1 (en) 2017-08-16
JP2009290896A (ja) 2009-12-10
JPWO2007083668A1 (ja) 2009-06-11
CN101401317A (zh) 2009-04-01
US20100157860A1 (en) 2010-06-24
JP2009290897A (ja) 2009-12-10
WO2007083668A1 (ja) 2007-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101401317B (zh) 高频电路部件及利用了该高频电路部件的通信装置
JP4618461B2 (ja) 高周波回路、高周波部品及び通信装置
CN1977467B (zh) 高频部件和多波段通信装置
TWI472170B (zh) 高頻電路、高頻零件及通信裝置
JP4716047B2 (ja) マルチバンド高周波回路、マルチバンド高周波回路部品及びこれを用いたマルチバンド通信装置
KR101065344B1 (ko) 멀티 밴드 고주파 회로, 멀티 밴드 고주파 회로 부품 및이것을 이용한 멀티 밴드 통신 장치
US8620244B2 (en) Electrical component with a front-end circuit
JP2007295327A (ja) 高周波回路、高周波部品及び通信装置
WO2008075691A1 (ja) 高周波回路、高周波部品、及び通信装置
JP2006304081A (ja) 高周波回路、高周波回路部品及びこれを用いた通信装置
JP4288529B2 (ja) 高周波部品及びマルチバンド通信装置
JP2005354407A (ja) 高周波回路、高周波部品、及びこれを用いたマルチバンド通信装置
JP2009027319A (ja) 高周波回路、高周波部品及び通信装置
JP2009159411A (ja) 高周波回路、高周波部品および通信装置
JP2010093622A (ja) 高周波回路部品およびこれを用いた通信装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20211018

Address after: Kyoto Japan

Patentee after: Murata Manufacturing Co.,Ltd.

Address before: Tokyo

Patentee before: HITACHI METALS, Ltd.

TR01 Transfer of patent right