CN110768634A - 一种射频前端架构 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种射频前端架构，所述射频前端架构包括：集成双工器的功率放大器模组PAMiD、天线和至少一个可调谐匹配网络；其中，所述PAMiD包括功率放大器，所述至少一个可调谐匹配网络位于所述功率放大器和所述天线之间，用于调节所述功率放大器的输出端的阻抗和/或天线的输入端的阻抗。本申请通过调节可调谐匹配网络对射频前端架构进行阻抗匹配，使射频前端架构在多个射频通路上都能够保持较佳的工作性能。

Description

一种射频前端架构
技术领域
本申请涉及电子技术领域，尤其涉及一种射频前端架构。
背景技术
射频前端架构包含功率放大器(PA，Power Amplifier)、低噪声放大器(LNA，LowNoise Amplifier)、滤波器、双工器、开关、天线等器件。随着新增频段的增加，载波聚合、多输入多输出(MIMO，Multiple Input Multiple Output)等技术的广泛应用，各类射频器件越来越多，射频前端架构也越来越复杂化，各类射频器件在射频系统中占用很大面积。目前一种广泛应用的技术方案是将PA、LNA、滤波器、双工器和开关集成在一颗芯片中，构成集成滤波器/双工器的功率放大器模组(PAMiD，Power Amplifier Module integratedDuplexer)，再加上天线一起组成一个完整的射频前端架构。采用这种技术方案能够减小各射频器件的占用面积，但是这种集成方式减小了各器件的调试自由度，在实际应用中给射频工程师的调试带来了极大的不便，导致各射频器件及模块无法达到自身最优性能。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种射频前端架构。
本申请实施例提供的射频前端架构，包括：集成双工器的功率放大器模组PAMiD、天线和至少一个可调谐匹配网络；其中，
所述PAMiD包括功率放大器，所述至少一个可调谐匹配网络位于所述功率放大器和所述天线之间，用于调节所述功率放大器的输出端的阻抗和/或天线的输入端的阻抗。
在本申请一可选实施方式中，所述PAMiD还包括第一开关、第二开关以及位于所述第一开关和第二开关之间的多个支路；其中，
所述多个支路中的每个支路包括滤波器或双工器，所述滤波器或所述双工器的输入端和输出端分别设置有输入匹配网络和输出匹配网络。
在本申请一可选实施方式中，所述至少一个可调谐匹配网络包括以下至少之一：至少一个第一可调谐匹配网络、至少一个第二可调谐匹配网络、至少一个第三可调谐匹配网络。
在本申请一可选实施方式中，所述第一可调谐匹配网络位于所述功率放大器和所述第一开关之间。
在本申请一可选实施方式中，所述功率放大器和所述第一开关之间还设置有功率放大器匹配网络，所述功率放大器匹配网络集成于所述PAMiD中；
其中，所述第一可调谐匹配网络位于所述功率放大器匹配网络和所述第一开关之间。
在本申请一可选实施方式中，所述第一可调谐匹配网络集成于所述PAMiD中；或者，
所述第一可调谐匹配网络独立设置在所述PAMiD外部。
在本申请一可选实施方式中，所述第二可调谐匹配网络位于所述第二开关和所述天线之间。
在本申请一可选实施方式中，所述第二开关和所述天线之间还设置有天线匹配网络；其中，
所述第二可调谐匹配网络位于所述天线匹配网络和所述天线之间；或者，
所述第二可调谐匹配网络位于所述第二开关和所述天线匹配网络之间。
在本申请一可选实施方式中，所述第二可调谐匹配网络位于所述第二开关和所述天线匹配网络之间的情况下，
所述第二可调谐匹配网络集成于所述PAMiD中；或者，
所述第二可调谐匹配网络独立设置在所述PAMiD和所述天线匹配网络之间。
在本申请一可选实施方式中，所述第三可调谐匹配网络位于所述PAMiD中的支路中。
在本申请一可选实施方式中，所述第三可调谐匹配网络为所述支路中的输入匹配网络；或者，
所述第三可调谐匹配网络为所述支路中的输出匹配网络。
在本申请一可选实施方式中，所述可调谐匹配网络包括以下至少一种类型的元件：电感、电容、电阻、传输线、开关；其中，所述可调谐匹配网络中的阻抗值可调。
本申请实施例的技术方案中，所述射频前端架构，包括：集成双工器的功率放大器模组PAMiD、天线和至少一个可调谐匹配网络；其中，所述PAMiD包括功率放大器，所述至少一个可调谐匹配网络位于所述功率放大器和所述天线之间，用于调节所述功率放大器的输出端的阻抗和/或天线的输入端的阻抗。通过可调谐匹配网络对射频前端架构进行阻抗匹配，使射频前端架构在多个射频通路上都能够保持较佳的工作性能，能够克服现有技术中射频架构调试困难，灵活性不高的问题，使射频架构同时具备高集成度、高性能、灵活性、低成本等特点。
附图说明
图1为本申请实施例提供的射频前端架构示意图一；
图2(a)、(b)为本申请实施例提供的公共端阻抗匹配史密斯圆图；
图3为本申请实施例提供的射频前端架构示意图二；
图4为本申请实施例提供的可调谐匹配网络示意图；
图5(a)、(b)、(c)为本申请实施例提供的可调谐匹配网络拓扑结构示意图；
图6为本申请实施例提供的可变电容阵列示意图；
图7为本申请实施例提供的第一可调匹配网络集成于PAMiD中的示意图；
图8为本申请实施例提供的第一可调谐匹配网络独立设置在PAMiD外部的示意图；
图9为本申请实施例提供的第二可调谐匹配网络位于第二开关与天线匹配网络之间并集成于PAMiD中的示意图；
图10为本申请实施例提供的第二可调谐匹配网络位于天线匹配网络与天线之间的示意图；
图11为第三可调匹配网络位于PAMiD支路中的示意图；
图12为本申请实施例提供的射频前端架构示意图三；
图13为本申请实施例提供的射频前端架构示意图四；
图14为本申请实施例提供的射频前端架构示意图五；
图15为本申请实施例提供的射频前端架构示意图六；
图16为本申请实施例提供的射频前端架构示意图七；
图17为本申请实施例提供的射频前端架构示意图八。
具体实施方式
在一种实施方式中，射频前端架构如图1所示，图1是一种多模多频(MMMB，Multi-Mode Multi-Band)的射频前端架构，其中，射频前端架构包括PAMiD、天线匹配网络(ANT_MN)和天线(ANT)，其中，PAMiD中包括PA、功率放大器匹配网络(PA_MN)、第一开关(即SW1)、第二开关(即SW2)，第一开关和第二开关之间包括有TX1、TX2、...TXn多个支路，每个支路中包括滤波器(Filter)或双工器(Duplexer)，滤波器或双工器的输入端和输出端分别设置有输入匹配网络(IMN1、IMN2、...IMNn)和输出匹配网络(OMN1、OMN2、...OMNn)，图中RFIN代表射频输入端。
采用此实施方式能够集成大量器件，减小大量的布板面积，但此实施方式减小了调试的自由度，给射频工程师的调试过程带来了极大的不方便，并且无法通过调试使PAMiD达到最优性能。
例如，当对TX1通路调试完成后，经调试得到一组对于TX1通路性能最优的公共端阻抗Z_ant1，所述最优公共端阻抗Z_ant指天线匹配网络输入端处的阻抗；
当对TX2通路进行调试时，发现TX2通路的工作性能比较差，此时，因为PAMiD的匹配网络已经固化，只能通过调节天线匹配网络使TX2通路工作在最佳性能状态，此时天线匹配网络输入端处的公共端阻抗为Z_ant2，但是对天线匹配网络进行调节后，当PAMiD工作在TX1通路时，公共端阻抗也仍然为Z_ant2，Z_ant2并非使TX1通路工作在最优性能的公共端阻抗，因此，已经调好的TX1通路的性能有可能出现恶化。
以此类推，如果要把所有通路都调试好，将是一个很大的工作量，而且也并不能保证发挥PAMiD每个支路工作时都能达到最优的性能。
本实施方式进行阻抗匹配过程的史密斯圆图如图2所示，图2中的(a)中，对TX1通路进行阻抗匹配后，射频架构的公共端阻抗为Z_ant1，此时TX1通路的阻抗Z_TX1能够到达目标区域，但是TX2通路的阻抗Z_TX2并不能达到目标区域。
图2中的(b)中，对TX2通路进行阻抗匹配后，射频架构的公共端阻抗为Z_ant2，此时TX2通路的阻抗Z_TX2能够到达目标区域，但是此时TX1通路的阻抗Z_TX1并不能达到目标区域，将会导致TX1通路的性能有可能出现恶化。
鉴于上一实施方式中存在的问题，在另一如图3所示的射频前端架构的实施方式中，在图1采用的实施方式的基础上，将SW1与Filter或Duplexer之间的每个通路断开，将原本设置于将SW1与Filter或Duplexer之间的输入匹配网络IMN1、IMN2、...IMNn更换为设置于片外的匹配网络MN1、MN2、...MNn，本实施方式的射频前端架构能够使射频前端电路每一个通路的阻抗匹配都可以单独调试，而不会影响到其他通路，克服了第一个实施方式的方案带来的不灵活性。但是采用此实施方式时仍然保留了原来大量的匹配网络，并没有明显减小射频前端架构布板的面积，同时增加了成本。随着芯片通路数量的增加，片外的走线将变得更加复杂，因此本实施方式并不是一个最优的解决方案。
基于对上述两种实施方式的分析，提出本申请的各个实施例。
本申请实施例通过在功率放大器与天线之间设置一个或多个可调谐匹配网络，用于调节所述功率放大器的输出端的阻抗和/或天线的输入端的阻抗，使PA及PAMiD中每个支路工作在最优的状态，使射频前端架构在多个射频通路上都能够保持最佳的工作性能。通过对可调谐匹配网络的阻抗进行调节从而实现对射频架构的阻抗匹配，可以使射频前端架构具备以下优点：
调试灵活性：可调谐匹配网络可以根据各个不同的通路进行单独调试匹配，在调试过程中不会影响其它通路，从而降低调试过程的工作量；
高性能：调试过程中各通路的阻抗匹配和调试都是单独进行的，通过对各个通路进行单独调试能够使各通路都可以调试到最优的性能，而且不会影响其它通路的性能；
低成本：不需要大量的匹配网络，采用的可调谐匹配网络本身的成本也低；
占用面积小：集成度高，能够减少布板面积。
本申请实施例提供一种射频前端架构，所述射频前端架构包括：PAMiD、天线和至少一个可调谐匹配网络；其中，
所述PAMiD包括功率放大器，所述至少一个可调谐匹配网络位于所述功率放大器和所述天线之间，用于调节所述功率放大器的输出端的阻抗和/或天线的输入端的阻抗。
本申请实施例中，所述可调谐匹配网络包括以下至少一种类型的元件：电感、电容、电阻、传输线、开关；其中，所述可调谐匹配网络中的阻抗值可调。
具体的，图4为本申请实施例可调谐匹配网络示意图，其中Zin代表可调谐匹配网络与可调谐匹配网络右侧负载共同的阻抗，Zload代表可调谐匹配网络右侧负载的阻抗，即Zload为对负载进行匹配前负载的实际阻抗，Zin为对负载进行阻抗匹配后的阻抗，其中，将可调谐匹配网络进行合理的设计，使得对于不同的Zload，都可以通过设置可调谐匹配网络，使得Zin都能被调到想要的阻抗点，而且不需要增加额外的匹配网络元件。
对于图4中可调谐匹配网络，可以采用图5中的(a)、(b)、(c)所示的三种形式的拓扑结构，需要说明的是，可调谐匹配网络的的实现形式包括但不限于图5中的三种形式，还可以采用其它拓扑结构的实现形式，只要能实现阻抗匹配的功能即可。图5中，(a)为Π型匹配网络，(b)为L型匹配网络，(c)为T型匹配网络，图5中的Z1、Z2、Z3可以为电感、电容、电阻、传输线或开关，进一步的，Z1、Z2、Z3可以是固定电抗值，也可以是可变电抗值，但在匹配网络中，Z1、Z2、Z3中至少一个是可变电抗。可变电抗的实现可选方式包括但不限于以下形式：电调变容管、可变电容阵列、开关电感或电阻阵列。
本申请实施例可采用的一种可变电抗的实现方案可以为图6的可变电容阵列。图6中包括偏压控制(Bias Control)电路，电感L1、电容(C11、C12、C13、C21、C22、C23)以及若干个开关。采用图6的可变电容阵列，可以通过对开关元件on、off的切换，使接入匹配网络的电容值发生改变，从而改变匹配网络的阻抗，实现可对匹配网络的阻抗值进行调节的目的。
本申请实施例中，所述PAMiD还包括第一开关、第二开关以及位于所述第一开关和第二开关之间的多个支路；其中，
所述多个支路中的每个支路包括滤波器或双工器，所述滤波器或所述双工器的输入端和输出端分别设置有输入匹配网络和输出匹配网络。
需要说明的是，本申请实施例中，所述可调谐匹配网络阻抗值的调节可以通过多种方式实现，本实施例中所述可调谐匹配网络阻抗值的调节采用软件控制的方式实现，通过软件控制可调谐匹配网络中可变电抗的电抗值，对整个可调谐匹配网络的阻抗值进行调节，在PAMiD工作在各不同的通路中时，通过软件分别设置可调谐匹配网络的阻抗值，达到能够分别对PAMiD的各条支路进行阻抗匹配和调试的目的。
本申请实施例中，所述至少一个可调谐匹配网络包括以下至少之一：至少一个第一可调谐匹配网络、至少一个第二可调谐匹配网络、至少一个第三可调谐匹配网络。
本申请一可选实施方式中，所述第一可调谐匹配网络位于所述功率放大器和所述第一开关之间。
本申请一可选实施方式中，所述功率放大器和所述第一开关之间还设置有功率放大器匹配网络(PA_MN)，所述PA_MN集成于所述PAMiD中；
其中，所述第一可调谐匹配网络位于所述功率放大器匹配网络和所述第一开关之间。
本申请一可选实施方式中，所述第一可调谐匹配网络集成于所述PAMiD中；或者，所述第一可调谐匹配网络独立设置在所述PAMiD外部。
需要说明的是，本申请实施例中的第一开关对应于附图中的SW1，第一开关对应于附图中的SW2，多个支路对应于附图中的TX1、TX2、…TXn，输入匹配网络对应于附图中的IMN1、IMN2、…IMNn，输出匹配网络对应于附图中的OMN1、OMN2、…OMNn，滤波器对应于附图中的Filter，双工器对应于附图中的Duplexer，天线对应于附图中的ANT，天线匹配网络对应于附图中的ANT_MN。本申请实施例的附图中，RFIN代表射频输入端，MN代表匹配网络。
具体的，图7为第一可调匹配网络集成于PAMiD中的示意图。其中，将原PAMiD中原本不可调的的PA_MN设置为本申请实施例的第一可调谐匹配网络，第一可调谐匹配网络集成于PAMiD中，位于功率放大器和第一开关之间。
图8为第一可调谐匹配网络独立设置在PAMiD外部的示意图，其中，第一可调谐匹配网络位于PA_MN和第一开关之间。另一可选实施方式中，也可以将第一可调谐匹配网络设置于功率放大器和PA_MN之间。
图7的实施方式相比图8的实施方式具有更高的集成度。采用图7和图8的实施方式，均能够通过对软件的设置，通过对第一可调谐匹配网络的设置实现对PAMiD的各通路进行单独调试并实现射频架构的阻抗匹配，使得射频前端架构工作在不同的通路中，都能够使功率放大器工作在较良好的状态下，使射频架构达到较优的工作性能，具有调试灵活性、高性能、低成本、占用面积小等特点。
本申请一可选实施方式中，所述第二可调谐匹配网络位于所述第二开关和所述天线之间。
本申请一可选实施方式中，所述第二开关和所述天线之间还设置有天线匹配网络；其中，
所述第二可调谐匹配网络位于所述天线匹配网络和所述天线之间；或者，
所述第二可调谐匹配网络位于所述第二开关和所述天线匹配网络之间。
本申请一可选实施方式中，所述第二可调谐匹配网络位于所述第二开关和所述天线匹配网络之间的情况下，
所述第二可调谐匹配网络集成于所述PAMiD中；或者，
所述第二可调谐匹配网络独立设置在所述PAMiD和所述天线匹配网络之间。
具体的，图9为第二可调谐匹配网络位于第二开关与天线匹配网络之间并集成于PAMiD中的示意图；图10为第二可调谐匹配网络位于天线匹配网络与天线之间的示意图。其中，图9的实施方式相比较图10的实施方式具有更高的集成度。
图9和图10的两种实施方式，均能够通过对软件的设置，通过对第一可调谐匹配网络的设置实现对PAMiD的各通路进行单独调试并实现射频架构的阻抗匹配，使得射频前端架构工作在不同的通路中，都能够使功率放大器工作在较良好的状态下，使射频架构达到较优的工作性能，具有调试灵活性、高性能、低成本、占用面积小等特点。
本申请一可选实施方式中，所述第三可调谐匹配网络位于所述PAMiD中的支路中。
本申请一可选实施方式中，所述第三可调谐匹配网络为所述支路中的输入匹配网络；或者，
所述第三可调谐匹配网络为所述支路中的输出匹配网络。
图11为第三可调匹配网络位于PAMiD支路中的示意图，可以在图11中PAMiD的多个支路中设置一个或多个第三可调谐匹配网络，其中，所述第三可调谐匹配网络可位于各支路滤波器的前端也可以位于滤波器的后端，可以替换原本位于滤波器前端的输入匹配网络和/或输出匹配网络。通过调节PAMiD的各支路的第三可调谐匹配网络能够单独对第三可调谐匹配网络所在支路的性能进行调节，使该支路所在通路在工作时具有较高的性能，其中，第三可调谐匹配网络的阻抗值的调节仍然可以通过软件控制实现。
本申请实施例中，所述第一可调谐匹配网络、第二可调谐匹配网络和第三可调谐网络可以组合使用，在射频前端架构中可以包含多个可调谐匹配网络。图12～17为本申请几种可选的实施方式。其中，将可调匹配网络集成于PAMiD中能够提高射频前端架构的集成度。
本申请一可选实施方式中，所述射频前端架构采用如图12所示的架构方案。其中，第一可调谐匹配网络为功率放大器匹配网络，位于功率放大器和第一开关之间并集成于PAMiD中，第二开关和天线之间设置有天线匹配网络，第二可调谐匹配网络设置于天线匹配网络和天线之间，对PAMiD的各通路进行调试时，可以通过设置第一可调谐匹配网络和第二可调谐匹配网络的阻抗值，依次对PAMiD的各通路进行调试，当PAMiD工作在不同的支路时，能够通过软件的控制调节第一可调谐匹配网络和第二可调谐匹配网络的阻抗值，使得射频前端架构在多个射频通路上都能达到最优的工作性能。
本申请一可选实施方式中，所述射频前端架构采用如图13所示的架构方案。其中，第一可调谐匹配网络位于功率功率放大器匹配网络和第一开关之间并独立设置在PAMiD外部，第二开关和天线之间设置有天线匹配网络，第二可调谐匹配网络设置于天线匹配网络和天线之间，对PAMiD的各通路进行调试时，可以通过设置第一可调谐匹配网络和第二可调谐匹配网络的阻抗值，依次对PAMiD的各通路进行调试，当PAMiD工作在不同的支路时，能够通过软件的控制调节第一可调谐匹配网络和第二可调谐匹配网络的阻抗值，使得射频前端架构在多个射频通路上都能达到最优的工作性能。
本申请一可选实施方式中，所述射频前端架构采用如图14所示的架构方案。其中，第一可调谐匹配网络为功率放大器匹配网络，位于功率放大器和第一开关之间并集成于PAMiD中，第二开关和天线之间设置有天线匹配网络，第二可调谐匹配网络设置于第二开关和天线匹配网络之间并集成于PAMiD中，对PAMiD的各通路进行调试时，可以通过设置第一可调谐匹配网络和第二可调谐匹配网络的阻抗值，依次对PAMiD的各通路进行调试，当PAMiD工作在不同的支路时，能够通过软件的控制调节第一可调谐匹配网络和第二可调谐匹配网络的阻抗值，使得射频前端架构在多个射频通路上都能达到最优的工作性能。
本申请一可选实施方式中，所述射频前端架构采用如图15所示的架构方案。其中，第一可调谐匹配网络位于功率功率放大器匹配网络和第一开关之间并独立设置在PAMiD外部，第二开关和天线之间设置有天线匹配网络，第二可调谐匹配网络设置于第二开关和天线匹配网络之间并集成于PAMiD中，对PAMiD的各通路进行调试时，可以通过设置第一可调谐匹配网络和第二可调谐匹配网络的阻抗值，依次对PAMiD的各通路进行调试，当PAMiD工作在不同的支路时，能够通过软件的控制调节第一可调谐匹配网络和第二可调谐匹配网络的阻抗值，使得射频前端架构在多个射频通路上都能达到最优的工作性能。
本申请一可选实施方式中，所述射频前端架构采用如图16所示的架构方案。其中，第一可调谐匹配网络为功率放大器匹配网络，位于功率放大器和第一开关之间并集成于PAMiD中，对PAMiD的各通路进行调试时，可以通过设置第一可调谐匹配网络的阻抗值，依次对PAMiD的各通路进行调试，当PAMiD工作在不同的支路时，能够通过软件的控制调节第一可调谐匹配网络的阻抗值，使得射频前端架构在多个射频通路上都能达到最优的工作性能。
本申请一可选实施方式中，所述射频前端架构采用如图17所示的架构方案。其中，第一可调谐匹配网络为功率放大器匹配网络，位于功率放大器和第一开关之间并集成于PAMiD中，第二开关和天线之间设置有天线匹配网络，第二可调谐匹配网络设置于天线匹配网络之间和天线之间，第三可调谐匹配网络设置于PAMiD的TX2支路的滤波器的输入端。对PAMiD的各通路进行调试时，可以通过设置第一可调谐匹配网络和第二可调谐匹配网络的阻抗值，依次对PAMiD的各通路进行调试，通过设置第三可调谐匹配网络的阻抗值对TX2支路进行调节，当PAMiD工作在不同的支路时，能够通过软件的控制调节射频前端架构中可调谐匹配网络的阻抗值，使得射频前端架构在多个射频通路上都能达到最优的工作性能。
需要说明的是，本申请的技术方案有多种实施方式，并不限于图12～17所列举的几种架构方案，在以上实施方式中增加或减少一个或多个可调谐匹配网络，或将上述实施方式进行组合，只要能够实现本申请的目的，均属于本申请的保护范围。
本申请实施例所记载的技术方案之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的方法和智能设备，可以通过其它的方式实现。以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，如：多个单元或组件可以结合，或可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的各组成部分相互之间的耦合、或直接耦合、或通信连接可以是通过一些接口，设备或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性的、机械的或其它形式的。
上述作为分离部件说明的单元可以是、或也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是、或也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，也可以分布到多个网络单元上；可以根据实际的需要选择其中的部分或全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本申请各实施例中的各功能单元可以全部集成在一个第二处理单元中，也可以是各单元分别单独作为一个单元，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中；上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能单元的形式实现。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种射频前端架构，其特征在于，所述射频前端架构包括：集成双工器的功率放大器模组PAMiD、天线和至少一个可调谐匹配网络；其中，
所述PAMiD包括功率放大器，所述至少一个可调谐匹配网络位于所述功率放大器和所述天线之间，用于调节所述功率放大器的输出端的阻抗和/或天线的输入端的阻抗。
2.根据权利要求1所述的射频前端架构，其特征在于，所述PAMiD还包括第一开关、第二开关以及位于所述第一开关和第二开关之间的多个支路；其中，
所述多个支路中的每个支路包括滤波器或双工器，所述滤波器或所述双工器的输入端和输出端分别设置有输入匹配网络和输出匹配网络。
3.根据权利要求2所述的射频前端架构，其特征在于，所述至少一个可调谐匹配网络包括以下至少之一：至少一个第一可调谐匹配网络、至少一个第二可调谐匹配网络、至少一个第三可调谐匹配网络。
4.根据权利要求3所述的射频前端架构，其特征在于，所述第一可调谐匹配网络位于所述功率放大器和所述第一开关之间。
5.根据权利要求4所述的射频前端架构，其特征在于，所述功率放大器和所述第一开关之间还设置有功率放大器匹配网络，所述功率放大器匹配网络集成于所述PAMiD中；
其中，所述第一可调谐匹配网络位于所述功率放大器匹配网络和所述第一开关之间。
6.根据权利要求4或5所述的射频前端架构，其特征在于，
所述第一可调谐匹配网络集成于所述PAMiD中；或者，
所述第一可调谐匹配网络独立设置在所述PAMiD外部。
7.根据权利要求3所述的射频前端架构，其特征在于，所述第二可调谐匹配网络位于所述第二开关和所述天线之间。
8.根据权利要求7所述的射频前端架构，其特征在于，所述第二开关和所述天线之间还设置有天线匹配网络；其中，
所述第二可调谐匹配网络位于所述天线匹配网络和所述天线之间；或者，
所述第二可调谐匹配网络位于所述第二开关和所述天线匹配网络之间。
9.根据权利要求8所述的射频前端架构，其特征在于，所述第二可调谐匹配网络位于所述第二开关和所述天线匹配网络之间的情况下，
所述第二可调谐匹配网络集成于所述PAMiD中；或者，
所述第二可调谐匹配网络独立设置在所述PAMiD和所述天线匹配网络之间。
10.根据权利要求3所述的射频前端架构，其特征在于，所述第三可调谐匹配网络位于所述PAMiD中的支路中。
11.根据权利要求10所述的射频前端架构，其特征在于，
所述第三可调谐匹配网络为所述支路中的输入匹配网络；或者，
所述第三可调谐匹配网络为所述支路中的输出匹配网络。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的射频前端架构，其特征在于，所述可调谐匹配网络包括以下至少一种类型的元件：电感、电容、电阻、传输线、开关；其中，所述可调谐匹配网络中的阻抗值可调。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113839688A (zh) * 2020-06-23 2021-12-24 Oppo广东移动通信有限公司 射频PA Mid器件、射频系统和通信设备

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110708089A (zh) * 2019-09-23 2020-01-17 广州慧智微电子有限公司 一种射频前端架构

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104243721A (zh) * 2013-06-24 2014-12-24 联发科技股份有限公司 无线通信电路及其阻抗调整方法
CN105978584A (zh) * 2016-05-09 2016-09-28 广东欧珀移动通信有限公司 一种射频信号发射模块及移动终端
CN106301399A (zh) * 2016-07-29 2017-01-04 广东欧珀移动通信有限公司 移动终端、天线装置及射频前端发射器件
CN106464218A (zh) * 2014-02-25 2017-02-22 天工方案公司 关于改进的射频模块的系统、设备和方法
CN106656055A (zh) * 2016-11-29 2017-05-10 努比亚技术有限公司 一种终端功率放大器阻抗匹配装置和方法
CN206313756U (zh) * 2016-12-21 2017-07-07 珠海全志科技股份有限公司 一种可变阻抗调谐装置及带有该装置的射频系统
CN107086879A (zh) * 2017-02-27 2017-08-22 宇龙计算机通信科技(深圳)有限公司 可调射频电路、通信终端及可调射频电路控制方法
CN108400774A (zh) * 2018-03-22 2018-08-14 上海唯捷创芯电子技术有限公司 一种平衡式射频功率放大器、芯片及通信终端

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6091966A (en) * 1997-09-29 2000-07-18 Ericsson, Inc. Dual-band, dual-mode power amplifier
EP1976133B1 (en) * 2006-01-17 2017-08-16 Hitachi Metals, Ltd. High frequency circuit component and communication apparatus using such high frequency circuit component
US7630693B2 (en) * 2006-11-16 2009-12-08 Freescale Semiconductor, Inc. Transmitter with improved power efficiency
US8923168B2 (en) * 2010-06-03 2014-12-30 Broadcom Corporation Front end module with an antenna tuning unit
US8736511B2 (en) * 2010-08-26 2014-05-27 Wispry, Inc. Tunable radio front end and methods
US9602063B2 (en) * 2013-03-12 2017-03-21 Peregrine Semiconductor Corporation Variable impedance match and variable harmonic terminations for different modes and frequency bands
US10333474B2 (en) * 2014-05-19 2019-06-25 Skyworks Solutions, Inc. RF transceiver front end module with improved linearity
US9866366B2 (en) * 2014-11-06 2018-01-09 Skyworks Solutions, Inc. Mobile device front end architecture for time division duplexing
JP2017200183A (ja) * 2016-04-29 2017-11-02 スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. 遮蔽されたダイバーシティ受信モジュール
CN109194342B (zh) * 2018-08-06 2020-11-03 Oppo广东移动通信有限公司 一种调谐全集成电路和调谐方法、终端及存储介质
US20220103136A1 (en) * 2020-09-29 2022-03-31 Skyworks Solutions, Inc. Method for adjusting power amplifier impedance

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104243721A (zh) * 2013-06-24 2014-12-24 联发科技股份有限公司 无线通信电路及其阻抗调整方法
CN106464218A (zh) * 2014-02-25 2017-02-22 天工方案公司 关于改进的射频模块的系统、设备和方法
CN105978584A (zh) * 2016-05-09 2016-09-28 广东欧珀移动通信有限公司 一种射频信号发射模块及移动终端
CN106301399A (zh) * 2016-07-29 2017-01-04 广东欧珀移动通信有限公司 移动终端、天线装置及射频前端发射器件
CN106656055A (zh) * 2016-11-29 2017-05-10 努比亚技术有限公司 一种终端功率放大器阻抗匹配装置和方法
CN206313756U (zh) * 2016-12-21 2017-07-07 珠海全志科技股份有限公司 一种可变阻抗调谐装置及带有该装置的射频系统
CN107086879A (zh) * 2017-02-27 2017-08-22 宇龙计算机通信科技(深圳)有限公司 可调射频电路、通信终端及可调射频电路控制方法
CN108400774A (zh) * 2018-03-22 2018-08-14 上海唯捷创芯电子技术有限公司 一种平衡式射频功率放大器、芯片及通信终端

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113839688A (zh) * 2020-06-23 2021-12-24 Oppo广东移动通信有限公司 射频PA Mid器件、射频系统和通信设备
WO2021258855A1 (zh) * 2020-06-23 2021-12-30 Oppo广东移动通信有限公司 射频PA Mid器件、射频系统和通信设备
CN113839688B (zh) * 2020-06-23 2022-11-04 Oppo广东移动通信有限公司 射频PA Mid器件、射频系统和通信设备

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