JP5594318B2 - スイッチモジュール - Google Patents

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Description

本発明は、複数の周波数帯域の信号の送受信が可能な携帯端末装置に搭載されるマルチバンド対応のスイッチモジュールに関する。
近年、携帯電話の分野においては、利用者の増加などの理由により、一つの周波数帯域だけでは円滑に通話やデータの送受信が行えなくなりつつあるため、一つの電話機で複数の周波数帯域に対応できる、いわゆる携帯電話機のマルチバンド化が進められている。
この場合、複数の周波数帯域に対応するために、各周波数帯域に対応する回路を個別に携帯電話に設けることが考えられるが、携帯電話の小型化の妨げとなるため、共通化できる部分を一つの部品で共用して各回路を形成することが望ましい。そこで、共通アンテナを用いて、各周波数帯域の信号を一括して送受信し、分波回路やスイッチ回路などが設けられたスイッチモジュールにより各周波数帯域毎に分波する技術が提案されている。
このようなスイッチモジュールでは、マザー基板との間で信号の入出力を行うために複数の実装電極が、スイッチモジュールを構成する配線基板の一方主面などに形成されるが、携帯電話の小型化に伴ってスイッチモジュールの小型化が要求されているため、配線基板の主面の面積が小さくなる傾向にある。この場合、各実装電極間の距離を短くせざるを得ず、例えば、各ＲＦ信号の入出力に用いられる実装電極間で信号が相互に漏洩する、いわゆる信号の相互干渉の影響が強くなり、通信不良などの不具合が生じるおそれがある。
そこで、従来では、図１０に示すように、配線基板２０１に形成される複数の実装電極２０２のうち、各ＲＦ信号の入出力に用いられる各実装電極２０２がグランド電極２０３に挟まれた状態で配置されたスイッチモジュールが提案されている（特許文献１参照）。
このスイッチモジュール２００は、３系統の通信システムに対応可能なモジュールであり、共通アンテナから送受信される３系統の送受信系の信号をそれぞれ分波するための分波回路および複数のスイッチ回路と、各送信信号経路に設けられた複数のローパスフィルタとを備える。そして、配線基板２０１上には各回路の構成部品であるダイオード２０４、チップコンデンサ２０５およびチップ抵抗２０６が実装されるとともに、配線基板２０１の周縁には各ＲＦ信号の入出力に用いられる複数の実装電極２０２が形成され、当該複数の実装電極２０２それぞれがグランド電極２０３に挟まれた状態で配置される。
このようにすることで、各ＲＦ信号の入出力に用いられる各実装電極２０２から漏洩するＲＦ信号がグランド電極２０３に導かれるため、各実装電極２０２間のＲＦ信号の相互干渉が抑制され、両実装電極２０２間のアイソレーション特性の向上を図ることができる。
特開２００２−６４３０１号（段落００５１、図３等参照）
しかしながら、近年、さらにモジュール２００の小型化が要求されるようになり、ＲＦ信号の相互干渉を防止したい実装電極２０２間にグランド電極２０３を配置するスペースを確保することが困難になっている。このような場合、各実装電極２０２の形成面積をそれぞれ小さくしたり、実装電極２０２間の配置間隔を狭ピッチ化したりすることでグランド電極２０３の配置スペースを確保することが考えられるが、モジュール２００の実装が困難になるとともに実装時に実装電極２０２間が短絡するおそれがあるため、上記した方法以外で、実装電極２０２間のＲＦ信号の相互干渉の防止ならびにモジュール２００の小型化を図る技術が求められている。
本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、各ＲＦ信号の入出力に用いられる実装電極間の信号の相互干渉を抑制することができる小型のスイッチモジュールを得ることを目的とする。
上記した目的を達成するために、本発明のスイッチモジュールは、アンテナ共通端子と、複数のＲＦ信号用端子と、制御用端子と、電源用端子とを有し、前記各ＲＦ信号用端子のいずれか一つと前記アンテナ共通端子とを前記制御用端子に入力される制御信号に基づいて選択的に切換接続するスイッチ回路と、前記スイッチ回路が設けられた配線基板とを備えるスイッチモジュールにおいて、前記配線基板は、平面視で矩形状を成し、その一方主面の周縁部分に形成された外部接続用の複数の実装電極を備え、前記複数の実装電極は、前記アンテナ共通端子に接続される共通電極と、前記各ＲＦ信号用端子それぞれに接続される複数のＲＦ信号電極と、前記制御用端子に接続される制御電極と、前記電源用端子に接続される電源電極とを含み、前記スイッチ回路は前記配線基板の他方主面に実装された平面視矩形状のスイッチＩＣであり、前記電源用端子および前記制御用端子は平面視で前記スイッチＩＣの一の辺に沿ってそれぞれ配置され、前記各ＲＦ信号用端子の中には、前記スイッチＩＣの前記一の辺と異なる他の辺に沿って配置されるものと、前記一の辺と異なる辺であって前記他の辺に対向する辺に沿って配置されるものとがあり、前記電源電極および前記制御電極それぞれは、前記周縁部分における、接続先の前記電源用端子または前記制御用端子に近接する位置に配置され、前記各ＲＦ信号電極それぞれは、前記周縁部分における、接続先の前記ＲＦ信号用端子に近接する位置に配置され、前記各ＲＦ信号用端子と前記各ＲＦ信号電極とを接続する配線電極と、前記電源用端子と前記電源電極とを接続する配線電極および前記制御用端子と前記制御電極とを接続する配線電極とが、平面視で重ならないように前記各配線電極が前記配線基板に配置されていることを特徴としている。
この場合、電源用端子および前記制御用端子をスイッチＩＣの一の辺に沿ってそれぞれ配置し、各ＲＦ信号用端子の中には、前記一の辺と異なる他の辺に沿って配置されるものと、前記他の辺に対向する辺に沿って配置されるものとがあるように構成する。そして、各ＲＦ信号電極それぞれを、配線基板の一方主面の周縁部分における、接続先のＲＦ信号用端子に近接する位置に配置する。このようにすると、スイッチＩＣの前記他の辺に配置されたＲＦ信号用端子に接続されるＲＦ信号電極と、スイッチＩＣの前記他の辺に対向する辺に配置されたＲＦ信号用端子に接続されるＲＦ信号電極との距離を離すことができるため、両ＲＦ信号電極それぞれに流れる信号の相互干渉を抑制でき、両ＲＦ信号電極間のアイソレーション特性を向上することができる。
また、両ＲＦ信号電極それぞれに流れる信号の相互干渉を防止するためにグランド電極を設ける必要がないため、配線基板に形成する実装電極の総数を減らすことができ、これにより、スイッチモジュールの小型化を図ることができる。また、各ＲＦ信号電極それぞれを、接続先のＲＦ信号用端子に近接する位置に配置することにより、各ＲＦ信号用端子とこれらに接続される各ＲＦ信号電極との間の配線電極の長さを短くできるため、浮遊容量を小さくでき、スイッチモジュールの高周波特性が劣化するのを防止できる。
また、各ＲＦ信号用端子と各ＲＦ信号電極とを接続する配線電極と、電源用端子と電源電極とを接続する配線電極および制御用端子と制御電極とを接続する配線電極とが、平面視で重ならないように各配線電極が配線基板に配置される。このようにすることで、配線基板の内部または表面に形成されるＲＦ信号配線ラインと、制御・電源信号配線ラインとの間で生じる電磁結合などに起因したノイズを抑制することができるため、スイッチ回路が誤動作するのを防止できる。
また、周波数帯域が一部重なる２系統のＲＦ信号の入力または出力に用いられる複数の前記各ＲＦ信号電極のうち、一方の系統用の前記ＲＦ信号電極は、他方の系統用の前記ＲＦ信号電極が配置される前記配線基板の一辺に対向する辺に配置され、前記電源電極および前記制御電極は、２系統用の前記各ＲＦ信号電極それぞれが配置される前記配線基板の辺を除く他の辺にそれぞれ配置されるようにしてもよい。
このようにすることで、信号の相互干渉による影響を受けやすいＲＦ信号電極どうしの距離を離すことができるため、両ＲＦ信号電極間のアイソレーション特性を向上することができる。
また、前記各ＲＦ信号電極が送受信共用電極を含んでいてもよい。この場合、送信用の電極と受信用の電極を個別に設ける必要かないため、実装電極の総数を減らすことができ、これにより、スイッチモジュールの小型化を図ることができる。
また、前記一方主面に形成されたグランド電極をさらに備え、前記グランド電極は、前記一方主面の前記各実装電極により囲まれた領域に配置されていてもよい。このようにすることで配線基板の一方主面の周縁部分に配置されていたグランド電極を各実装電極に囲まれた領域に集約することができるため、配線基板の一方主面に形成される電極の総数を減らすことができ、スイッチモジュールの小型化を図ることができる。
本発明によれば、スイッチＩＣの前記他の辺に配置されたＲＦ信号用端子に接続されるＲＦ信号電極と、スイッチＩＣの前記他の辺に対向する辺に配置されたＲＦ信号用端子に接続されるＲＦ信号電極との距離を離すことができるため、両ＲＦ信号電極間のアイソレーション特性を向上することができる。また、従来のように、ＲＦ信号電極間にグランド電極を配置する必要がないため、配線基板の一方主面に形成される実装電極の総数を減らすことができ、これによりスイッチモジュールの小型化を図ることができる。
本発明の一実施形態にかかるスイッチモジュールの正面図である。 図１のスイッチモジュールの回路構成図である。 図１のスイッチＩＣの端子配置図である。 図１のスイッチモジュールの配線基板の平面図である。 図１のスイッチモジュールの配線基板の底面図である。 図１のスイッチモジュールの平面図である。 図１の配線基板の変形例を示す図である。 図１の配線基板の変形例を示す図である。 図１の配線基板の変形例を示す図である。 従来のスイッチモジュールの平面図である。
本発明の一実施形態にかかるスイッチモジュールについて、図１ないし図６を参照して説明する。なお、図１は本発明の一実施形態にかかるスイッチモジュールの正面図、図２は図１のスイッチモジュールの回路構成図、図３はスイッチＩＣの端子配置図、図４はスイッチモジュール１の配線基板の平面図、図５は各実装電極４の配置図、図６は図１のスイッチモジュールの平面図である。なお、図１において、紙面手前の封止樹脂を図示省略している。
この実施形態にかかるスイッチモジュール１は、複数の周波数帯域の信号の送受信が可能な携帯電話などに搭載されるマルチバンド対応のモジュールであり、共通アンテナから受信した複数の周波数帯域の信号を、スイッチ回路により切換接続して各周波数帯域それぞれに対応する信号経路に供給したり、マザー基板から入力された送信信号を各周波数帯域毎に共通アンテナに供給する機能を有する。そして、スイッチモジュール１は、図１に示すように、能動面にスイッチ回路が形成された平面視矩形状のスイッチＩＣ２と、インピーダンス整合回路などの各種回路を構成するチップ部品３と、一方主面にマザー基板（外部）との接続用の複数の実装電極４が形成された平面視矩形状の配線基板５と、配線基板５の他方主面に実装されるスイッチＩＣ２やチップ部品３を被覆する封止樹脂６とを備える。
スイッチモジュール１に形成される各回路は、図２に示すように、スイッチＩＣ２に形成されたスイッチ回路と、外部に設けられた共通アンテナ７とスイッチＩＣ２との間のインピーダンス整合を行う整合回路８と、マザー基板などに形成されたパワーアンプから入力される送信信号の２次高調波や３次高調波を減衰させるためのローパスフィルタ（ＬＰＦ）９ａ，９ｂから構成される。
スイッチＩＣ２は、図２に示すように、共通アンテナ７に接続されるアンテナ共通端子ＡＮＴａ、アンテナ共通端子ＡＮＴと選択的に切換接続される、各周波数帯域毎に設けられた１０個の送受信共用端子ＴＲ１，ＴＲ２，ＴＲ３，ＴＲ４，ＴＲ５，ＴＲ６，ＴＲ７，ＴＲ８，ＴＲ９，ＴＲ１０、同じくアンテナ共通端子ＡＮＴａと選択的に切換接続される２個の送信用端子Ｔ１，Ｔ２、制御信号を入力するための４個の制御用端子Ｖｃ１ａ，Ｖｃ２ａ，Ｖｃ３ａ，Ｖｃ４ａ、電源供給用の電源用端子ＶＤＤａを有し、各制御用端子Ｖｃ１ａ，Ｖｃ２ａ，Ｖｃ３ａ，Ｖｃ４ａに入力される制御信号に基づいて、アンテナ共通端子ＡＮＴａと、各送受信共用端子ＴＲ１，ＴＲ２，ＴＲ３，ＴＲ４，ＴＲ５，ＴＲ６，ＴＲ７，ＴＲ８，ＴＲ９，ＴＲ１０および各送信用端子Ｔ１，Ｔ２とを選択的に切換接続する。
また、この実施形態において、送信用端子Ｔ１には、ハイバンド側（１８００ＭＨｚ〜１９００ＭＨｚ）の周波数帯域の信号が入力され、送信用端子Ｔ２はローバンド側（８５０ＭＨｚ〜９００ＭＨｚ）の周波数帯域の信号が入力される。なお、各送受信共用端子ＴＲ１，ＴＲ２，ＴＲ３，ＴＲ４，ＴＲ５，ＴＲ６，ＴＲ７，ＴＲ８，ＴＲ９，ＴＲ１０および各送信用端子Ｔ１，Ｔ２が本発明におけるＲＦ信号用端子に相当する。また、以下に、各送受信共用端子ＴＲ１，ＴＲ２，ＴＲ３，ＴＲ４，ＴＲ５，ＴＲ６，ＴＲ７，ＴＲ８，ＴＲ９，ＴＲ１０および各送信用端子Ｔ１，Ｔ２をまとめて各ＲＦ信号用端子ＴＲｔといい、各制御用端子Ｖｃ１ａ，Ｖｃ２ａ，Ｖｃ３ａ，Ｖｃ４ａを各制御用端子Ｖｃｔという場合もある。
また、配線基板５の一方主面には、複数の実装電極４として、各ＲＦ信号用端子ＴＲｔそれぞれに対応して設けられた１０個の送受信共用電極ＴＲｘ１，ＴＲｘ２，ＴＲｘ３，ＴＲｘ４，ＴＲｘ５，ＴＲｘ６，ＴＲｘ７，ＴＲｘ８，ＴＲｘ９，ＴＲｘ１０および２個の送信用電極ＨｉＴｘ，ＬｏｗＴｘと、各制御用端子Ｖｃｔそれぞれに対応して設けられた４個の制御電極Ｖｃ１，Ｖｃ２，Ｖｃ３，Ｖｃ４と、電源用端子ＶＤＤａに対応して設けられた電源電極ＶＤＤと、アンテナ共通端子ＡＮＴａに対応して設けられた共通電極ＡＮＴとが形成され、各実装電極４それぞれが、配線基板５に形成された配線電極１３や層間接続用のビア導体を介して、対応する各ＲＦ信号用端子ＴＲｔ，Ｖｃｔ，ＶＤＤａ，ＡＮＴａに接続される。
なお、各送受信共用電極ＴＲｘ１，ＴＲｘ２，ＴＲｘ３，ＴＲｘ４，ＴＲｘ５，ＴＲｘ６，ＴＲｘ７，ＴＲｘ８，ＴＲｘ９，ＴＲｘ１０および各送信用電極ＨｉＴｘ，ＬｏｗＴｘが本発明における各ＲＦ信号電極ＴＲｄに相当する。また、以下に、各送受信共用電極ＴＲｘ１，ＴＲｘ２，ＴＲｘ３，ＴＲｘ４，ＴＲｘ５，ＴＲｘ６，ＴＲｘ７，ＴＲｘ８，ＴＲｘ９，ＴＲｘ１０および各送信用電極ＨｉＴｘ，ＬｏｗＴｘをまとめて各ＲＦ信号電極ＴＲｄといい、各制御電極Ｖｃ１，Ｖｃ２，Ｖｃ３，Ｖｃ４を各制御電極Ｖｃｄという場合もある。
また、図２に示すように、ＬＰＦ９ａは、コンデンサＤＣｃ１、ＤＣｕ２とインダクタＤＬｔ１，ＤＬｔ２から形成され、送信用端子Ｔ１と送信電極ＨｉＴｘとがＬＰＦ９ａを介して接続される。また、ＬＰＦ９ｂは、コンデンサＧＣｃ１，ＧＣｃ２，ＧＣｕ１，ＧＣｕ２とインダクタＧＬｔ１，ＧＬｔ２から形成され、送信用端子Ｔ２と送信電極ＬｏｗＴｘとがＬＰＦ９ｂを介して接続される。また、整合回路８は、チップインダクタＬ１，Ｌ２とコンデンサＣＡＮＴから形成され、アンテナ共通端子ＡＮＴａと共通電極ＡＮＴとが整合回路８を介して接続される。なお、各チップインダクタＬ１，Ｌ２は配線基板５の他方主面に実装される。
配線基板５は、ガラスエポキシ樹脂多層基板、低温同時焼成セラミック多層基板（ＬＴＣＣ基板）などで形成され、その製造方法は、例えば、配線基板５がＬＴＣＣ多層基板である場合、アルミナおよびガラスなどの混合粉末が有機バインダおよび溶剤などと一緒に混合されたスラリーがシート化されたセラミックグリーンシートを形成し、このセラミックグリーンシートの所定位置に、レーザー加工などによりビアホールが形成され、形成されたビアホールにＡｇやＣｕなどを含む導体ペーストが充填されて、層間接続用のビア導体が形成され、導体ペーストによる印刷により種々の電極パターンが形成される。その後、各セラミックグリーンシートを積層、圧着することによりセラミック積層体を形成して、約１０００℃前後の低い温度で焼成する、所謂、低温焼成して製造される。
ところで、スイッチＩＣ２の各端子ＴＲｔ，Ｖｃｔ，ＶＤＤａ，ＡＮＴａは、図３に示すように、平面視でスイッチＩＣ２の一の辺に沿って電源用端子ＶＤＤａと各制御用端子Ｖｃ２ａ，Ｖｃ３ａ，Ｖｃ４ａが配置され、その一の辺と異なる他の辺に沿って各ＲＦ信号用端子ＴＲｔとアンテナ共通端子ＡＮＴａが配置される。また、グランド端子１０が各ＲＦ信号用端子ＴＲｔの外側および電源用端子ＶＤＤａと制御用端子Ｖｃ４ａとの間などに配置される。
そして、図４に示すように、配線基板５の他方主面上には、配線基板５とスイッチＩＣ２との接続用の接続電極１１ａが上記したスイッチＩＣ２の各端子ＴＲｔ，Ｖｃｔ，ＶＤＤａ，ＡＮＴａ，グランド端子１０と対応する位置に形成されるとともに、チップインダクタＬ１およびＬ２それぞれと配線基板５との接続用の接続電極１１ｂが形成される。そして、各接続電極１１ａとスイッチＩＣ２の各端子ＴＲｔ，Ｖｃｔ，ＶＤＤａ，ＡＮＴａ，グランド端子１０とが半田を介して接続されるとともにチップインダクタＬ１，Ｌ２それぞれと各接続電極１１ｂとが半田を介して接続される。
また、図５に示すように、各実装電極４は、配線基板５の一方主面の周縁部分に形成されるとともに、各実装電極４に囲まれた領域にグランド電極１２が形成される。なお、グランド電極１２の一部が配線基板５の一方主面の周縁部分に形成される。
このとき、各送受信共用電極ＴＲｘ４，ＴＲｘ５、ＴＲｘ６，ＴＲｘ７は、配線基板５の一の辺に沿うように配置され、各送受信共用電極ＴＲｘ１，ＴＲｘ２，ＴＲｘ３，ＴＲｘ８，ＴＲｘ９，ＴＲｘ１０はその一の辺に対向する辺に沿うように配置される。また、各制御電極Ｖｃ１，Ｖｃ２，Ｖｃ３，Ｖｃ４、電源電極ＶＤＤなどが上記した２辺を除く他の辺に沿うようにそれぞれ配置される。
なお、この実施形態において、例えば、送受信共用電極ＴＲｘ３および送受信共用電極ＴＲｘ７を流れるＲＦ信号の周波数帯域は、ＴＲｘ３（送信側１９２０ＭＨｚ〜１９８０ＭＨｚ、受信側２１１０〜２１７０ＭＨｚ）、ＴＲｘ７（送信側１８５０ＭＨｚ〜１９１０ＭＨｚ、受信側１９３０ＭＨｚ〜１９９０ＭＨｚ）であり、送受信共用電極ＴＲｘ３の送信側と送受信共用電極ＴＲｘ７の送受信側とで周波数帯域が一部重なっており、これらの送受信共用電極ＴＲｘ３，ＴＲｘ７が配線基板５の対向する２辺にそれぞれ分かれて配置される。つまり、周波数帯域が一部重なる２系統のＲＦ信号の入力または出力に用いられる送受信共用電極ＴＲｘ３，ＴＲｘ７のうち、一方の系統用の送受信共用電極ＴＲｘ３は他方の系統用の送受信共用電極ＴＲｘ７が配置される配線基板５の一辺に対向する辺に配置される。
また、図６に示すように、各実装電極４は、配線基板５の内部などに形成された配線電極１３、ビア導体（図示せず）、接続電極１１ａ、半田（図示せず）を介して、それぞれに対応するスイッチＩＣ２の各端子ＴＲｔ，Ｖｃｔ，ＶＤＤａ，ＡＮＴａと接続される。例えば、送受信共用電極ＴＲｘ３は、配線電極１３、ビア導体、接続電極１１ａ、半田を介して送受信共用端子ＴＲ３に接続される。
また、図６に示すように、各実装電極４とそれぞれに対応するスイッチＩＣ２の各端子ＴＲｔ，Ｖｃｔ，ＶＤＤａ，ＡＮＴａ，グランド端子１０どうしが近接した状態でそれぞれ配置されるとともに、各ＲＦ信号用端子ＴＲｔと各ＲＦ信号電極ＴＲｄとを接続する配線電極１３と、電源用端子ＶＤＤａと電源電極ＶＤＤとを接続する配線電極１３および各制御用端子Ｖｃｔと各制御電極Ｖｃｄとを接続する配線電極１３とが平面視で重ならないように各配線電極１３が配線基板５に配置される。
したがって、上記した実施形態によれば、周波数帯域が一部重なる２系統のＲＦ信号の入力または出力に用いられる各送受信共用電極ＴＲｘ３，ＴＲｘ７のうち、一方の系統用の送受信共用電極ＴＲｘ３を、他方の系統用の送受信共用電極ＴＲｘ７が配置される一辺に対向する辺に配置することにより、信号の相互干渉による影響を受けやすい両電極ＴＲｘ３，ＴＲｘ７どうしの距離を離すことができるため、両電極ＴＲｘ３，ＴＲｘ７間のアイソレーション特性を向上することができる。
また、両電極間ＴＲｘ３，ＴＲｘ７のアイソレーション特性の向上を図るために、従来のように両電極ＴＲｘ３，ＴＲｘ７間にグランド電極を配置する必要がないため、配線基板５の一方主面に形成する実装電極４の総数を減らすことができ、これにより、スイッチモジュール１の小型化を図ることができる。
また、この実施形態では、各送受信共用電極ＴＲｘ１，ＴＲｘ２，ＴＲｘ３，ＴＲｘ４，ＴＲｘ５，ＴＲｘ６，ＴＲｘ７，ＴＲｘ８，ＴＲｘ９，ＴＲｘ１０を設けることにより、送信用の電極と受信用の電極を個別に設ける必要がないため、配線基板５の一方主面に形成される実装電極４の総数を減らすことができ、これにより、さらにスイッチモジュール１の小型化を図ることができる。
また、各ＲＦ信号用端子ＴＲｔと各ＲＦ信号電極ＴＲｄとを接続する配線電極１３と、電源用端子ＶＤＤａと電源電極ＶＤＤとを接続する配線電極１３および各制御用端子Ｖｃｔと各制御電極Ｖｃｄとを接続する配線電極１３とが、平面視で重ならないように各配線電極１３が配線基板５に配置されることにより、各ＲＦ信号用端子ＴＲｔと各ＲＦ信号電極ＴＲｄとを接続する配線電極１３と、電源用端子ＶＤＤａと電源電極ＶＤＤとを接続する配線電極１３および各制御用端子Ｖｃｔと各制御電極Ｖｃｄとを接続する配線電極１３との間で生じる電磁結合などに起因したノイズを抑制することができるため、ノイズによりスイッチＩＣ２が誤動作することを防止できる。
また、各ＲＦ信号用端子ＴＲｔとこれらに対応する各ＲＦ信号電極ＴＲｄとをそれぞれ近接して配置することにより、各ＲＦ信号用端子ＴＲｔと各ＲＦ信号電極ＴＲｄとを接続する配線電極１３の長さをそれぞれ短くできるため、各配線電極１３が有する浮遊容量を小さくでき、スイッチモジュール１の高周波特性が劣化することを防止できる。
（配線基板５の変形例）
上記した実施形態にかかるスイッチモジュール１の配線基板５の変形例について、図７ないし図９を参照して説明する。なお、図７ないし図９は、それぞれ変形例にかかる配線基板５ａ，５ｂ，５ｃの底面図を示す。また、図７ないし図９それぞれにおいて、図５と同じ符号が付されたところは同一の実装電極４であるため、説明を省略する。
図７に示す配線基板５ａが、図５を参照して説明した配線基板５と異なるところは、配線基板５ａの同一辺に形成された送受信共用電極ＴＲｘ５と送受信共用電極ＴＲｘ６との間に電源電極ＶＤＤと制御電極Ｖｃ４が配置されている点である。
このように、同一辺に両送受信共用電極ＴＲｘ５，ＴＲｘ６を形成した場合であっても、両送受信電極ＴＲｘ５，ＴＲｘ６間に電源電極ＶＤＤと制御電極Ｖｃ４を配置することで、両送受信電極ＴＲｘ５，ＴＲｘ６間の距離を離すことができるため、両電極ＴＲｘ５，ＴＲｘ６間のアイソレーション特性を向上することができる。なお、各制御電極Ｖｃｄおよび電源電極ＶＤＤに流れる信号はそれぞれ直流電流であるため、両電極ＴＲｘ５，ＴＲｘ６からＲＦ信号が漏洩しても影響が少ない。
また、アイソレーション特性の向上を図るために従来のように、別途グランド電極を設ける必要がないため、配線基板５ａに形成される実装電極４の総数を減らすことができ、これにより、スイッチモジュール１の小型化を図ることができる。
また、図８に示すように、電源電極ＶＤＤおよび各制御電極Ｖｃｄそれぞれの両隣に各ＲＦ信号電極ＴＲｄが配置される構成であってもかまわない。このようにすることで、配線基板５ｂの一方主面において、電源電極ＶＤＤおよび各制御電極Ｖｃｄを各ＲＦ信号電極ＴＲｄ間に効果的に配置できるため、各ＲＦ信号電極ＴＲｄ間のアイソレーション特性を向上することができる。
また、図９に示すように、配線基板５の周縁部分に配置されていたグランド電極１２を、各実装電極４により囲まれた領域に配置されていたグランド電極１２に集約して配置してもよい。このようにすることで、配線基板５ｃの一方主面に形成される電極４，１２の総数を減らすことができるため、さらにスイッチモジュール１の小型化を図ることができる。
なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能である。
例えば、図７において、送受信共用電極ＴＲｘ５と送受信共用電極ＴＲｘ６との間に電源電極ＶＤＤと制御電極Ｖｃ４を配置したが、電源電極ＶＤＤおよび各制御電極Ｖｃｄのうち、いずれか一つの電極を配置する構成であってもかまわない。このようにすることで、両送受信共用電極ＴＲｘ５，ＴＲｘ６を隣接配置する構成と比較して、両送受信共用電極ＴＲｘ５，ＴＲｘ６間のアイソレーション特性の向上を図ることができる。
１ スイッチモジュール
２ スイッチＩＣ（スイッチ回路）
４ 実装電極
５，５ａ，５ｂ，５ｃ 配線基板
ＡＮＴ 共通電極
ＡＮＴａ アンテナ共通端子
ＴＲｔ ＲＦ信号用端子
Ｖｃ１ａ〜Ｖｃ４ａ，Ｖｃｔ 制御用端子
ＶＤＤａ 電源用端子
ＶＤＤ 電源電極
ＴＲｄ ＲＦ信号電極
Ｖｃ１，Ｖｃ２，Ｖｃ３，Ｖｃ４，Ｖｃｄ 制御電極
ＴＲｘ１〜ＴＲｘ１０ 送受信共用電極
１２ グランド電極

Claims (4)

  1. アンテナ共通端子と、複数のＲＦ信号用端子と、制御用端子と、電源用端子とを有し、前記各ＲＦ信号用端子のいずれか一つと前記アンテナ共通端子とを前記制御用端子に入力される制御信号に基づいて選択的に切換接続するスイッチ回路と、前記スイッチ回路が設けられた配線基板とを備えるスイッチモジュールにおいて、
    前記配線基板は、平面視で矩形状を成し、その一方主面の周縁部分に形成された外部接続用の複数の実装電極を備え、
    前記複数の実装電極は、前記アンテナ共通端子に接続される共通電極と、前記各ＲＦ信号用端子それぞれに接続される複数のＲＦ信号電極と、前記制御用端子に接続される制御電極と、前記電源用端子に接続される電源電極とを含み、
    前記スイッチ回路は前記配線基板の他方主面に実装された平面視矩形状のスイッチＩＣであり、
    前記電源用端子および前記制御用端子は平面視で前記スイッチＩＣの一の辺に沿ってそれぞれ配置され、
    前記各ＲＦ信号用端子の中には、前記スイッチＩＣの前記一の辺と異なる他の辺に沿って配置されるものと、前記一の辺と異なる辺であって前記他の辺に対向する辺に沿って配置されるものとがあり、
    前記電源電極および前記制御電極それぞれは、前記周縁部分における、接続先の前記電源用端子または前記制御用端子に近接する位置に配置され、
    前記各ＲＦ信号電極それぞれは、前記周縁部分における、接続先の前記ＲＦ信号用端子に近接する位置に配置され、
    前記各ＲＦ信号用端子と前記各ＲＦ信号電極とを接続する配線電極と、前記電源用端子と前記電源電極とを接続する配線電極および前記制御用端子と前記制御電極とを接続する配線電極とが、平面視で重ならないように前記各配線電極が前記配線基板に配置されている
    ことを特徴とするスイッチモジュール。
  2. 周波数帯域が一部重なる２系統のＲＦ信号の入力または出力に用いられる複数の前記各ＲＦ信号電極のうち、一方の系統用の前記ＲＦ信号電極は、他方の系統用の前記ＲＦ信号電極が配置される前記配線基板の一辺に対向する辺に配置され、
    前記電源電極および前記制御電極は、２系統用の前記各ＲＦ信号電極それぞれが配置される前記配線基板の辺を除く他の辺にそれぞれ配置される
    ことを特徴とする請求項１に記載のスイッチモジュール。
  3. 前記各ＲＦ信号電極が送受信共用電極を含むことを特徴とする請求項１または２に記載のスイッチモジュール。
  4. 前記一方主面に形成されたグランド電極をさらに備え、
    前記グランド電極は、前記一方主面の前記各実装電極により囲まれた領域に配置されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のスイッチモジュール。
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