JP7222276B2 - マイクロ波集積回路 - Google Patents
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Description
[マイクロ波集積回路の構成]
低雑音アンプ31…80μm、
ドライバーアンプ33(38GHz)…240μm、
パワーアンプ35(38GHz)…400μm
ドライバーアンプ43(77GHz)…160μm
パワーアンプ45(77GHz)…300μm
すなわち、主系列増幅段を構成する2つのアンプ33,35に含まれるFETのサイズ比は3:5であり、副系列増幅段を構成する2つのアンプ43,45に含まれるFETのサイズ比は8:15であり、主系列増幅段を構成する2つのアンプ33,35に含まれるFETの合計のサイズと、副系列増幅段を構成する2つのアンプ43,45に含まれるFETの合計のサイズとの比は32:23に設定される。これにより、規定の温度範囲において所望の出力が得られる。
Claims (7)
- 半導体基板と、
前記半導体基板中に形成された複数の増幅ユニットと、
前記半導体基板上に形成された複数の配線層のうち、最上層の配線層及び最下層の配線層を除く一つの配線層に形成され、前記複数の増幅ユニットに電源を供給する電源線と、
前記一つの配線層において当該電源線を挟んで形成された複数の導電領域と、前記一つの配線層の直上および直下の二つの配線層において当該電源線を挟む領域に形成された別の導電領域と、を接続する複数のビアと、
を有し、
前記複数のビアのそれぞれは、前記最上層の配線層および前記最下層の配線層の少なくともいずれか一方に複数の別のビアにより接続されているビア構造を形成する、
マイクロ波集積回路。 - 前記複数のビアのそれぞれの当該電源線に沿った長さは、前記マイクロ波集積回路が対象とする信号波長λに対応するλ/8の長さより短い、
請求項1に記載のマイクロ波集積回路。 - 前記複数のビアの前記電源線に沿った間隔は、信号波長λに対応するλ/8の長さよりも短い、
請求項1又は2に記載のマイクロ波集積回路。 - 前記複数のビアは、前記最上層の配線層あるいは前記最下層の配線層を介して接地されている、
請求項1~3のいずれか1項に記載のマイクロ波集積回路。 - 前記半導体基板は、矩形の平面形状を有し、前記矩形の一辺に信号入力端子を、前記一辺に隣接する他の一辺に信号出力端子を有し、
前記信号入力端子と前記信号出力端子は、前記ビア構造により電気的に分離されている、
請求項1~4のいずれか1項に記載のマイクロ波集積回路。 - 前記複数の配線層を貫通し、前記半導体基板かつ前記最上層の配線層を接続するさらに別の複数のビアを含む、
請求項1~5のいずれか1項に記載のマイクロ波集積回路。 - 前記ビア構造は、さらに、前記複数の別のビアに沿って形成された複数の追加のビアを含み、前記複数の別のビアと前記複数の追加のビアは、互いに千鳥状に配置されている、
請求項1~6のいずれか1項に記載のマイクロ波集積回路。
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- 2019-03-13 JP JP2019045545A patent/JP7222276B2/ja active Active
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